WO2018096768A1 - 処理装置、これを備えためっき装置、搬送装置、及び処理方法 - Google Patents

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WO2018096768A1
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transport
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伊藤　賢也
浩彦 上田
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株式会社荏原製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a processing apparatus, a plating apparatus including the processing apparatus, a transport apparatus, and a processing method.
  • wiring, bumps (protruding electrodes) and the like are formed on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a printed circuit board.
  • An electroplating method is known as a method for forming the wirings, bumps, and the like.
  • a circular substrate such as a wafer having a diameter of 300 mm is generally plated.
  • a rectangular substrate is required to be cleaned, polished, or plated.
  • Such a rectangular substrate is formed, for example, by attaching a chip or the like made from a circular wafer to one or both sides of a substrate made of a resin material.
  • the present invention has been made in view of the above problems.
  • the purpose is to convey the object to be processed stably while suppressing the bending of the substrate (object to be processed).
  • a processing apparatus includes a transport unit that transports the object to be processed in a state in which a plane of the object to be processed is inclined about a transport direction axis with respect to the horizontal, and polishing and cleaning the surface of the object to be processed. And a processing unit that executes at least one.
  • the conveying unit is opposed to the plane of the object to be processed, and a driving unit configured to physically contact an end of the object to be processed and apply a force in the conveying direction to the object to be processed.
  • a first Bernoulli chuck disposed; and a second Bernoulli chuck disposed opposite to an end surface of the end opposite to the end of the workpiece.
  • a transport apparatus that transports the object to be processed in a state in which a plane of the object to be processed is inclined around a transport direction axis with respect to the horizontal.
  • the conveying device includes a driving unit configured to physically contact an end portion of the object to be processed and apply a force in a conveying direction to the object to be processed, and to face the plane of the object to be processed.
  • a first Bernoulli chuck disposed; and a second Bernoulli chuck disposed opposite to an end surface of the end opposite to the end of the workpiece.
  • a processing method includes a step of conveying the object to be processed in a state where a plane of the object to be processed is inclined about a conveyance direction axis with respect to the horizontal, and at least polishing and cleaning with respect to the plane of the object to be processed One process step.
  • the transporting step includes a step of physically applying a force in a transport direction to an end portion of the processing object, and the plane of the processing object is limited so as to limit the movement of the processing object in the thickness direction.
  • An end surface of the end portion opposite to the end portion of the object to be processed so as to limit the step of holding by the first Bernoulli chuck and the movement in the in-plane direction of the object to be processed orthogonal to the transport direction. Holding with a second Bernoulli chuck.
  • FIG. 1 is an overall layout diagram of a plating apparatus including a processing apparatus according to the present embodiment. It is a schematic sectional side view of a washing
  • FIG. 3B is a cross-sectional view of the transport section taken along line AA in FIG. 3A. It is a figure which shows another form of a conveyance part. It is a schematic sectional side view of the washing
  • FIG. 1 is an overall layout diagram of a plating apparatus including a processing apparatus according to this embodiment.
  • the plating apparatus according to the present embodiment includes a cleaning apparatus 50 as an example of a processing apparatus.
  • the plating apparatus 100 loads a substrate (corresponding to an example of an object to be processed) on a substrate holder, or unloads a substrate from the substrate holder, and a substrate. It is roughly divided into a processing unit 120 for processing and a cleaning unit 50a.
  • the processing unit 120 further includes a pre-processing / post-processing unit 120A that performs pre-processing and post-processing of the substrate, and a plating processing unit 120B that performs plating processing on the substrate.
  • the load / unload unit 110, the processing unit 120, and the cleaning unit 50a of the plating apparatus 100 are each surrounded by separate frames (housings).
  • substrate processed with this plating apparatus 100 contains a square substrate and a circular substrate.
  • the square substrate includes a square printed board, other plating objects, and the like.
  • the load / unload unit 110 includes two cassette tables 25 and a substrate detachment mechanism 29.
  • the cassette table 25 mounts a cassette 25a that stores substrates such as semiconductor wafers and printed circuit boards.
  • the substrate removal mechanism 29 is configured to attach and detach the substrate to a substrate holder (not shown).
  • a stocker 30 for accommodating the substrate holder is provided in the vicinity (for example, below) of the substrate removal mechanism 29.
  • a substrate transfer device 27 including a transfer robot that transfers a substrate between these units is disposed.
  • the substrate transfer device 27 is configured to be able to travel by the travel mechanism 28.
  • the cleaning unit 50a includes a cleaning device 50 (corresponding to an example of a processing device) that cleans and dries the substrate after plating.
  • the substrate transport device 27 is configured to transport the plated substrate to the cleaning device 50 and take out the cleaned and dried substrate from the cleaning device 50. Details of the cleaning device 50 will be described with reference to FIG.
  • the pre-treatment / post-treatment unit 120A includes a pre-wet tank 32, a pre-soak tank 33, a pre-rinse tank 34, a blow tank 35, and a rinse tank 36.
  • the pre-wet tank 32 the substrate is immersed in pure water.
  • the oxide film on the surface of the conductive layer such as the seed layer formed on the surface of the substrate is removed by etching.
  • the pre-rinse tank 34 the substrate after the pre-soak is cleaned with a cleaning liquid (pure water or the like) together with the substrate holder.
  • the substrate is drained after cleaning.
  • the substrate after plating is cleaned with a cleaning liquid together with the substrate holder.
  • the pre-wet tank 32, the pre-soak tank 33, the pre-rinse tank 34, the blow tank 35, and the rinse tank 36 are arranged in this order.
  • the plating unit 120 ⁇ / b> B has a plurality of plating tanks 39 provided with an overflow tank 38.
  • Each plating tank 39 accommodates one substrate therein and immerses the substrate in a plating solution held therein to perform plating such as copper plating on the substrate surface.
  • the type of the plating solution is not particularly limited, and various plating solutions are used depending on the application.
  • the plating apparatus 100 includes a substrate holder transport device 37 that employs a linear motor system, for example, that transports a substrate holder together with a substrate between these devices, which is located on the side of these devices.
  • the substrate holder transport device 37 is configured to transport the substrate holder between the substrate desorption mechanism 29, the pre-wet tank 32, the pre-soak tank 33, the pre-rinse tank 34, the blow tank 35, the rinse tank 36, and the plating tank 39. Is done.
  • FIG. 2 is a schematic sectional side view of the cleaning device 50.
  • the cleaning apparatus 50 shown in FIG. 2 is composed of five chambers as a whole.
  • the cleaning apparatus 50 includes a first chamber 53 having an inlet 51 for the substrate W1, a second chamber 54, a third chamber 55, a fourth chamber 56, and a fifth chamber having an outlet 52 for the substrate W1. And a chamber 57.
  • the second chamber 54 communicates with the first chamber 53 and the third chamber 55.
  • the first chamber 53 and the second chamber 54 constitute a first transport path for transporting the substrate W1 in the horizontal direction.
  • the fourth chamber 56 communicates with the third chamber 55 and the fifth chamber 57.
  • the fourth chamber 56 and the fifth chamber 57 constitute a second transport path for transporting the substrate W1 in the direction opposite to the first transport path.
  • the third chamber 55 constitutes a vertical conveyance path that connects the first conveyance path and the second conveyance path.
  • the first transfer path including the first chamber 53 and the second chamber 54 is positioned below the second transfer path including the fourth chamber 56 and the fifth chamber 57.
  • the arrangement configuration of each chamber is not limited to this.
  • the first transfer path including the first chamber 53 and the second chamber 54 is located below the second transfer path including the fourth chamber 56 and the fifth chamber 57. May be located.
  • the third chamber 55 constitutes a horizontal conveyance path that connects the first conveyance path and the second conveyance path, and the entire path is substantially U-shaped in plan view.
  • a transport unit 70 (corresponding to an example of a transport device) that transports the substrate W1 in an inclined state, and a disk-type scrub device 81 (process) for scrub cleaning the substrate W1.
  • the disc-type scrub device 81 is configured such that a disc head (corresponding to an example of a head portion) can rotate.
  • a cleaning member for scrubbing the substrate W1 is provided on the surface (lower surface) of the disk head that contacts the substrate W1.
  • the cleaning member for example, a circular or donut-shaped sheet-like member can be adopted.
  • the sheet-like member is made of, for example, PVA (polyvinyl alcohol) and has a thickness of about 1 mm to 20 mm.
  • the disk-type scrubbing device 81 includes, for example, a linear guide, a ball screw, a servo motor, and the like (not shown), and can move in parallel with the surface of the substrate W1.
  • the disk-type scrubbing device 81 supplies the pure water or the like from a nozzle (not shown) to the substrate W1 and presses it against the substrate W1 while rotating the disk head, so that the particles adhered to the surface of the substrate W1 without damaging the surface of the substrate W1. Remove.
  • the disc-type scrubbing device 81 can also clean the substrate W1 while continuously transporting the substrate W1, and the transport unit 70 intermittently transports the substrate W1 to stop the transport of the substrate W1 during cleaning. May be. Specifically, when the surface of the substrate W1 is heavily contaminated, it is preferable to clean it with the disk-type scrubbing device 81 while stopping the conveyance of the substrate W1. Further, when the degree of contamination of the surface of the substrate W1 is relatively low, the substrate W1 can be cleaned with the disk-type scrubbing device 81 while being transported continuously.
  • the disk-type scrubbing device 81 In order not to dry the cleaning member of the disk-type scrubbing device 81 while the substrate W1 is not being cleaned, for example, the disk-type scrubbing device 81 is withdrawn from the conveyance path of the substrate W1 and pure water is cleaned from a spray nozzle (not shown). Supply to member. Further, a pure water tank (not shown) may be prepared, and the cleaning member of the disk-type scrubbing device 81 may be immersed in pure water in the tank. In this case, it is preferable that the pure water in the tank is replaced every time the cleaning member of the disk-type scrubbing device 81 is immersed. In the illustrated embodiment, two disk-type scrub devices 81 are arranged in the first chamber 53.
  • the transport unit 70 transports the substrate W1 in a state where the plane of the substrate W1 (which is also a surface to be processed) is inclined around the transport direction axis with respect to the horizontal.
  • a basic configuration of the transport unit 70 will be described with reference to FIGS. 3A and 3B.
  • 3A is a side view of the transport unit 70
  • FIG. 3B is a cross-sectional view of the transport unit 70 taken along the line AA in FIG. 3A.
  • the transport unit 70 includes a drive unit 71, a first Bernoulli chuck unit 72, and a second Bernoulli chuck unit 73.
  • the drive unit 71 is configured to physically contact the end of the substrate W1 and apply a force in the transport direction to the substrate W1.
  • the drive unit 71 has a roller that contacts the lower end of the substrate W1.
  • the drive unit 71 applies a force in the transport direction to the substrate W1 by rotating a roller by a drive source (not shown).
  • This roller can be made of a material such as a Teflon-based resin or a nylon resin, in which a water film is difficult to be formed on a portion in contact with the substrate W1.
  • the knurled surface of the contact surface of the roller with the substrate W1 may be processed, or the contact surface of the roller may be formed of a porous material. Thereby, formation of a water film can be suppressed and the slip at the time of conveyance of the board
  • substrate W1 can be prevented.
  • first Bernoulli chuck units 72 are provided at arbitrary intervals along the plane of the substrate W1.
  • the first Bernoulli chuck unit 72 is separated at a predetermined interval so that the disc-type scrubbing device 81 is disposed therebetween.
  • the first Bernoulli chuck unit 72 is provided on both sides of the substrate W1.
  • the first Bernoulli chuck unit 72 may be provided only on one side of the substrate W1.
  • the first Bernoulli chuck unit 72 has a plurality of first Bernoulli chucks 72a.
  • the first Bernoulli chuck 72a is disposed so as to face the plane of the substrate W1.
  • the first Bernoulli chuck unit 72 on one side (the lower surface side of the substrate W1) is provided with five first Bernoulli chucks 72a, and on the other side (the upper surface side of the substrate W1).
  • the first Bernoulli chuck unit 72 is provided with three first Bernoulli chucks 72a.
  • the number of the first Bernoulli chucks 72a provided in the first Bernoulli chuck unit 72 is arbitrary.
  • the first Bernoulli chuck 72a is a pneumatic or hydraulic Bernoulli chuck, and can hold the substrate W1 in a non-contact manner so as to limit the movement of the substrate W1 in the thickness direction D1. In other words, the first Bernoulli chuck 72a cannot restrict the movement of the substrate W1 in the in-plane direction D2.
  • the second Bernoulli chuck unit 73 has a substantially U-shaped cross section and extends in the transport direction of the substrate W1.
  • the second Bernoulli chuck unit 73 includes a second Bernoulli chuck 73a and a first Bernoulli chuck 73b. Similar to the first Bernoulli chuck 72a, the first Bernoulli chuck 73b is disposed so as to face the plane of the substrate W1, and the vicinity of the upper end of the substrate W1 is limited so as to limit the movement of the substrate W1 in the thickness direction D1. Can be held.
  • the second Bernoulli chuck 73a is disposed to face the end surface of the upper end portion of the substrate W1.
  • the second Bernoulli chuck 73a is a pneumatic or hydraulic Bernoulli chuck, and can hold the end surface of the upper end portion of the substrate W1 in a non-contact manner so as to limit the movement in the in-plane direction D2 of the substrate W1. It can.
  • the in-plane direction D2 is a direction orthogonal to the transport direction of the substrate W1 (the depth direction in FIG. 3B).
  • the second Bernoulli chuck 73a of the second Bernoulli chuck unit 73 is as long as possible along the transport direction of the substrate W1 in order to hold the end surface of the upper end portion of the transported substrate W1 in the widest possible range. It is arranged to become.
  • the second Bernoulli chuck 73a is disposed so as to be longer in the transport direction of the substrate W1 than the first Bernoulli chuck 72a of the first Bernoulli chuck unit 72.
  • a space for arranging a processing unit for polishing, cleaning, and drying is secured between the first Bernoulli chucks 72a. be able to.
  • the transport unit 70 is configured to transport the substrate W1 in an inclined posture by tilting the drive unit 71, the first Bernoulli chuck unit 72, and the second Bernoulli chuck unit 73. Specifically, the substrate W1 is transported in an inclined state around the axis in the transport direction (the depth direction in FIG. 3B).
  • tilt means having an angle of more than 0 ° and not more than 90 ° with respect to the horizontal.
  • the transport unit 70 transports the substrate W1 in a posture inclined by about 45 °.
  • the transport unit 70 transports the substrate W1 in a state where the plane of the substrate W1 is inclined at an angle of 5 ° to 85 ° with respect to the horizontal.
  • the substrate W1 is cleaned in the cleaning apparatus 50 shown in FIG. 2, particles adhering to the surface of the substrate W1 are washed away by the cleaning liquid.
  • the tilt angle is less than 5 °
  • the cleaning liquid containing particles is less likely to fall from the substrate W1.
  • the inclination angle is greater than 85 °, the cleaning liquid immediately drops from the substrate W1, and thus the substrate W1 may be dried.
  • the substrate W1 is dried, particles contained in the cleaning liquid adhering to the substrate W1 remain on the surface of the substrate W1.
  • the transport unit 70 can hold the end surface of the upper end portion of the substrate W1, even if the substrate W1 is transported in an inclined posture, the substrate W1 is prevented from being bent. be able to. Further, since the position in the in-plane direction D2 of the substrate W1 can be held by the second Bernoulli chuck 73a, the lower end portion of the substrate W1 can be stably brought into contact with the drive unit 71 and can be transported at a stable speed. it can.
  • the second Bernoulli chuck 73a cannot restrict the movement of the substrate W1 in the thickness direction D1. For this reason, when the substrate W1 is very soft, if the end portion of the substrate W1 is curved and deviates from the facing position of the second Bernoulli chuck 73a, the second Bernoulli chuck 73a properly aligns the end surface of the substrate W1. Can no longer hold.
  • the transport unit 70 according to the present embodiment has the second Bernoulli chuck unit 73 having a substantially U-shaped cross section, and holds the vicinity of the upper end of the substrate W1 with the first Bernoulli chuck 73b. It is possible to prevent the end of W1 from being bent.
  • the end portion of the substrate W1 can be held at the position opposed to the second Bernoulli chuck 73a, and as a result, the second Bernoulli chuck 73a is attached to the substrate W1.
  • the end surface of the upper end can be appropriately held.
  • the transport unit 70 only the lower end portion of the substrate W1 is transported by the driving unit 71, and the upper end portion is held by the second Bernoulli chuck 73a. For this reason, compared with the case where both the lower end part and upper end part of the board
  • substrate W1 are conveyed by the drive parts 71, such as a roller, the number of the drive parts 71 can be reduced. Since the drive unit 71 is in physical contact with the substrate W1, regular replacement is necessary due to wear. Therefore, by reducing the number of drive units 71, the number of drive units 71 to be replaced is also reduced, and the work cost and parts cost required for replacement can be reduced.
  • a second Bernoulli chuck unit 73 may be arranged between the drive units 71. In that case, the position of the substrate W1 in the in-plane direction D2 (see FIG. 3B) can be maintained more stably.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating another form of the conveyance unit 70.
  • the conveyance unit 70 may include a belt conveyor including a belt that contacts the substrate W ⁇ b> 1 as the driving unit 71.
  • a first Bernoulli chuck unit 72 of the transport unit 70 is provided at a position facing the disc-type scrub device 81. Accordingly, the portion of the substrate W1 to which the pressure is most applied when the surface of the substrate W1 is cleaned by the disk-type scrub device 81 can be held from the opposite side of the disk-type scrub device 81 by the first Bernoulli chuck unit 72. . Therefore, even if the disk-type scrubbing device 81 is pressed against the substrate W1, it is possible to suppress the substrate W1 from being bent.
  • the second chamber 54 includes a transport unit 70 similar to the transport unit 70 of the first chamber 53, and a cleaning jet nozzle device 83 (corresponding to an example of a processing unit) for jet cleaning the substrate W1.
  • the cleaning jet nozzle device 83 has a plurality of nozzles arranged in the width direction of the substrate W1 or a single nozzle extending in the width direction of the substrate W1, and sprays cleaning liquid such as pure water onto the surface of the substrate W1. Then, the surface of the substrate W1 is cleaned without contact.
  • two cleaning jet nozzle devices 83 are disposed in the first chamber 53, and each is configured to be able to clean both surfaces of the substrate W1.
  • the number of cleaning jet nozzle devices 83 is arbitrary, and the cleaning jet nozzle device 83 may be configured to clean only one surface of the substrate W1.
  • the cleaning jet nozzle device 83 is provided between the first Bernoulli chuck units 72 of the transport unit 70.
  • the third chamber 55 is provided with a vertical transport mechanism 85 that receives the substrate W1 transported from the second chamber 54 and transports the substrate W1 toward the fourth chamber 56 in the vertical direction.
  • the vertical transport mechanism 85 includes, for example, a third Bernoulli chuck 85a that holds the lower surface of the substrate W1 in a horizontal posture and a lifter 85b that raises and lowers the third Bernoulli chuck 85a.
  • the third chamber 55 may be provided with a rotation mechanism (not shown) that rotates the substrate W ⁇ b> 1 inclined from the second chamber 54 to a horizontal posture.
  • the third Bernoulli chuck 85a receives the horizontal substrate W1 from the rotating mechanism and holds it in a non-contact manner.
  • the third chamber 55 may be provided with a rotation mechanism (not shown) that receives the horizontal substrate W1 from the third Bernoulli chuck 85a and tilts the substrate W1.
  • the rotating mechanism delivers the inclined substrate W1 to the transport unit 70 provided in the fourth chamber 56.
  • the fourth chamber 56 is provided with a transport unit 70 similar to the transport unit 70 of the first chamber 53 and a roll scrub apparatus 87 (corresponding to an example of a processing unit) for scrub cleaning the substrate W1.
  • the roll-type scrub device 87 has a roll brush that comes into contact with the surface of the substrate W1.
  • a material for the roll brush for example, a nylon brush, PVA sponge, non-woven fabric or the like can be used.
  • the roll brush is arranged in parallel with the surface of the substrate W1, and when cleaning the substrate W1, the pressing pressure is controlled by a spring or the like so as to be pressed against the substrate W1 with a predetermined pressure, or the distance from the substrate W1 becomes constant.
  • the position is controlled as follows.
  • the roll-type scrub device 87 supplies pure water to a roll brush from a pure water nozzle (not shown) to prevent the roll brush from drying.
  • the roll-type scrub device 87 is provided between the first Bernoulli chuck units 72 of the transport unit 70. In the illustrated embodiment, three roll-type scrub devices 87 are disposed in the fourth chamber 56.
  • the fifth chamber 57 includes a transport unit 70 similar to the transport unit 70 of the first chamber 53, an air knife device 88 (corresponding to an example of a processing unit) for drying the surface of the substrate W1 in a non-contact manner, a substrate An ionizer 89 for neutralizing the W1 surface is provided.
  • the air knife device 88 has, for example, an elongated slit for ejecting compressed gas in a thin layer, and removes or dries the cleaning liquid adhering to the substrate W1 by spraying the compressed gas on both surfaces or one surface of the substrate W1.
  • the slit of the air knife device 88 may be arranged so as to be orthogonal to the width direction of the substrate W1, but has an angle with respect to the width direction of the substrate W1 so as to wipe the cleaning liquid toward the lower end of the substrate W1. Is preferred.
  • the ionizer 89 discharges ions having a predetermined polarity to the surface of the substrate W1, and can neutralize the substrate W1.
  • the air knife device 88 and the ionizer 89 are provided between the first Bernoulli chuck units 72 of the transport unit 70.
  • a pneumatic Bernoulli chuck is provided in the first Bernoulli chuck unit 72 and the second Bernoulli chuck unit 73 of the transport unit 70 provided in the fifth chamber 57. Adopted. Thereby, the conveyance part 70 does not prevent the drying of the substrate W1.
  • a blower unit 60 such as an FFU (Fun Filter Unit) for sending gas from the upper side to the lower side is provided.
  • FFU Full Filter Unit
  • the gas sent from the blower unit 60 for example, clean dry air or nitrogen can be used.
  • a liquid such as pure water is supplied to the substrate W1 in order to prevent the substrate W1 from drying.
  • An appropriate liquid supply nozzle may be provided.
  • maintains the board
  • the substrate transfer device 27 puts the substrate W1 into the first chamber 53 through the inlet 51.
  • the loaded substrate W1 is cleaned by the disk-type scrubbing device 81 while being transferred by the transfer unit 70 in an inclined state in the first chamber 53.
  • the cleaning may be performed while the substrate W1 is being transported, or may be performed while the substrate W1 is being transported intermittently.
  • the substrate W1 cleaned in the first chamber 53 is put into the second chamber 54.
  • the substrate W1 is cleaned by the cleaning jet nozzle device 83 in a non-contact manner while being transferred by the transfer unit 70 in an inclined state.
  • the substrate W1 cleaned in the second chamber 54 is put into the third chamber 55.
  • the substrate W ⁇ b> 1 received from the second chamber 54 is changed from a tilted posture to a horizontal posture by a rotating mechanism (not shown) and transferred to the third Bernoulli chuck 85 a of the vertical transport mechanism 85.
  • the substrate W1 is transported in the vertical direction by the lifter 85b while being held by the third Bernoulli chuck 85a.
  • the substrate W1 transported in the vertical direction is brought into a posture inclined from a horizontal posture by a rotation mechanism (not shown), and transferred to the transport unit 70 of the fourth chamber 56.
  • the substrate W1 is cleaned by the roll scrubbing device 87 while being transported by the transport unit 70 in an inclined state.
  • the substrate W1 cleaned in the fourth chamber 56 is put into the fifth chamber.
  • the cleaning liquid on the surface of the substrate W1 is removed or dried by the air knife device 88 while the substrate W1 is transported by the transport unit 70 in an inclined state.
  • the substrate W ⁇ b> 1 is discharged by the ionizer 89 and then taken out from the outlet 52 by the substrate transfer device 27.
  • the substrate transfer device 27 stores the cleaned and dried substrate W1 in 25a in the cassette table 25 shown in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic sectional side view of a cleaning device 50 according to another embodiment.
  • the cleaning device 50 shown in FIG. 5 includes a first chamber 53, a second chamber 54, a third chamber 55, a fourth chamber 56, and a fifth chamber 57, similarly to the cleaning device 50 shown in FIG. 2. Since it has a configuration similar to that of the cleaning apparatus 50 shown in FIG.
  • the first chamber 53 is provided with a transport unit 70, a disk-type scrubbing device 81, and a cleaning jet nozzle device 83.
  • the substrate W ⁇ b> 1 is cleaned by the disc-type scrub device 81 while being transported in an inclined state by the transport unit 70, and then cleaned by the cleaning jet nozzle device 83.
  • the second chamber 54 is provided with a transport unit 70 and a roll-type scrub device 87.
  • the substrate W1 cleaned in the first chamber 53 is cleaned by the roll-type scrubbing device 87 while being transported in an inclined state by the transport unit 70.
  • the third chamber 55 is provided with a vertical transport mechanism 86 that receives the substrate W1 transported from the second chamber 54 and transports the substrate W1 toward the fourth chamber 56 in the vertical direction.
  • the vertical transport mechanism 86 shown in FIG. 5 includes a third Bernoulli chuck 86a, an arm portion 86b, a support column 86c, and a slider 86d.
  • the third Bernoulli chuck 86a is configured to hold the upper surface of the substrate W1 in a horizontal posture.
  • the arm portion 86b extends substantially horizontally from the column 86c and holds the third Bernoulli chuck 86a.
  • the support column 86c supports the arm portion 86b.
  • the slider 86d is configured to move the arm portion 86b up and down along the column 86c.
  • the substrate W1 transported from the second chamber 54 is turned from a tilted posture to a horizontal posture by a rotation mechanism (not shown), and transferred to the third Bernoulli chuck 86a of the vertical transport mechanism 86.
  • the slider 86d raises the arm portion 86b along the support column 86c and transports the substrate W1 held by the third Bernoulli chuck 86a in the vertical direction. Subsequently, the substrate W ⁇ b> 1 is transferred to the fourth chamber 56.
  • a horizontal transfer mechanism 90 for horizontally transferring the substrate W1 is provided.
  • the transport unit 70 shown in FIGS. 3A and 3B can be employed.
  • the transport unit 70 adjusts the installation angles of the drive unit 71, the first Bernoulli chuck unit 72, and the second Bernoulli chuck unit 73 so that the substrate W1 can be transported horizontally.
  • the horizontal conveyance mechanism 90 may have a roller arrange
  • the substrate W ⁇ b> 1 transferred to the fourth chamber 56 is transferred to the fifth chamber 57 by the horizontal transfer mechanism 90.
  • the fifth chamber 57 is provided with a transport unit 70, an air knife device 88, and an ionizer 89.
  • FIG. 6 is a schematic sectional side view of a cleaning apparatus 50 according to another embodiment.
  • the cleaning device 50 shown in FIG. 6 includes the first chamber 53, the second chamber 54, the third chamber 55, the fourth chamber 56, and the fifth chamber 57 in the same manner as the cleaning device 50 shown in FIGS. Have.
  • the cleaning device 50 shown in FIG. 6 has a configuration similar to that of the cleaning device 50 shown in FIGS. 2 and 5, and therefore, different parts will be mainly described.
  • the first chamber 53 is provided with a transport unit 70 that transports the substrate W1 in an inclined state, and a polishing apparatus 91 (corresponding to an example of a processing unit) for polishing the substrate W1.
  • the first Bernoulli chuck unit 72 is separated at a predetermined interval so that the polishing apparatus 91 is disposed therebetween.
  • FIG. 7 is a schematic sectional side view of the polishing apparatus 91 shown in FIG.
  • the polishing apparatus 91 includes a rotation motor 92, a polishing head 93 (corresponding to an example of a head portion), an arm 94, an elevating motor 95, a translation plate 96, a translation motor 97, A fixing plate 98.
  • the fixed plate 98 is fixed in the first chamber 53.
  • the translation plate 96 is configured to translate with respect to the surface of the fixed plate 98 by a translation motor 97.
  • the arm 94 is attached to the translation plate 96, and is configured to be moved up and down by a lifting motor 95 in a direction orthogonal to the translation direction of the translation plate 96.
  • the arm 94 holds the polishing head 93 rotatably.
  • the polishing head 93 is configured to rotate by a rotary motor 92.
  • the polishing apparatus 91 is installed in the first chamber 53 so as to incline in order to polish the substrate W1 transferred in an incline.
  • the translation plate 96 can move the polishing head 93 in parallel with the surface of the substrate W ⁇ b> 1 by translating with respect to the fixed plate 98. Further, the arm 94 can move the polishing head 93 so as to approach or separate from the substrate W ⁇ b> 1 by moving in a direction orthogonal to the translation direction of the translation plate 96.
  • the rotating polishing head 93 is brought close to the substrate W1, and the flat surface of the substrate W1 is pressed by the polishing head 93. Further, the entire surface of the substrate W1 can be polished by moving the polishing head 93 in parallel with the surface of the substrate W1 during polishing.
  • the polishing head 93 includes a polishing surface 93d facing the substrate W1, a polishing tape 93a provided so as to be exposed from the polishing surface 93d, an unwinding roller 93b for winding the polishing tape 93a, and a winding for winding the polishing tape 93a. And a roller 93c.
  • the polishing tape 93a is configured, for example, by adhering abrasive grains such as diamond particles and SiC particles to one side of a base film having a width of about 10 mm to 60 mm and a length of about 20 m to 100 m.
  • the abrasive grains used in the polishing tape 93a are appropriately selected according to the type of the substrate W1 and the required polishing conditions.
  • the polishing tape 93a may be a belt-shaped polishing cloth to which abrasive grains are not bonded.
  • a flexible material such as polyester, polyurethane, or polyethylene terephthalate can be used.
  • the polishing tape 93a is fed in one direction from the unwinding roller 93b toward the winding roller 93c at a predetermined speed gradually or stepwise with the progress of polishing of the substrate W1.
  • the polishing head 93 includes a set of polishing tape 93a, unwinding roller 93b, and winding roller 93c, but a plurality of these may be included.
  • FIG. 8 is a perspective view showing an example in which the substrate W1 is polished by the polishing apparatus 91.
  • a porous platen 99 including a first Bernoulli chuck unit 72 is disposed at a position facing the polishing head 93 of the polishing apparatus 91.
  • the porous platen 99 is made of porous ceramic or porous carbon, and has suction holes 99a at positions facing both ends in the width direction of the substrate W1.
  • a vacuum source not shown
  • the end of the substrate W1 transported on the porous platen 99 is adsorbed to the suction hole 99a. Thereby, it is possible to prevent the substrate W1 from being displaced from the first Bernoulli chuck unit 72 due to friction generated when the polishing head 93 is polishing the substrate W1.
  • FIGS. 9 and 10 are schematic diagrams illustrating an example of conveyance of the substrate W1 and movement of the polishing head 93 when the substrate W1 is polished by the polishing head 93.
  • FIG. 9 and 10 two polishing apparatuses 91 are prepared, the polishing apparatus 91 located upstream in the transport direction performs rough polishing, and the polishing apparatus located downstream in the transport direction performs fine polishing ( Finish polishing).
  • the substrate W1 is intermittently transferred. That is, the transfer of the substrate W1 for a predetermined distance and the transfer stop for a predetermined time are repeated.
  • the polishing head 93 of the polishing apparatus 91 moves in the width direction of the substrate W1 while the conveyance of the substrate W1 is stopped, and the substrate W1 moves a predetermined distance while the movement of the polishing head 93 is stopped. Only transported. In the example shown in FIG. 10, the substrate W1 is continuously transferred, and the polishing head 93 is continuously reciprocated. In this case, the transfer of the substrate W1 and the movement of the polishing head 93 are performed simultaneously.
  • the cleaning device 50 will be described.
  • the second chamber 54 is provided with a transport unit 70, a disk-type scrub device 81, and a cleaning jet nozzle device 83.
  • the substrate W ⁇ b> 1 is cleaned by the disk-type scrub device 81 while being transported in an inclined state by the transport unit 70, and then cleaned by the cleaning jet nozzle device 83.
  • the third chamber 55 is provided with a vertical transfer mechanism 85 including a third Bernoulli chuck 85a and a lifter 85b.
  • the fourth chamber 56 is provided with a transport unit 70 and a roll-type scrub device 87.
  • the fifth chamber 57 is provided with a transfer unit 70, an air knife device 88, and an ionizer 89.
  • FIG. 11 is a schematic sectional side view of a cleaning apparatus 50 according to another embodiment.
  • a cleaning device 50 shown in FIG. 11 includes a first chamber 53, a second chamber 54, a third chamber 55, a fourth chamber 56, a fifth chamber 57, a sixth chamber 58, and a seventh chamber 59. Since the cleaning device 50 shown in FIG. 11 has a configuration similar to that of the cleaning device 50 shown in FIGS. 2 and 5, different parts will be mainly described.
  • the first chamber 53 is provided with a transport unit 70 that transports the substrate W1 in an inclined state, and a polishing apparatus 91 for polishing the substrate W1. It is done.
  • the polishing apparatus 91 in the first chamber 53 polishes the upper surface of the substrate W1.
  • a reversing mechanism 84 is provided in the second chamber 54 for reversing the front and back of the substrate W1 transported from the first chamber 53.
  • the reversing mechanism 84 has the conveyance unit 70 shown in FIGS. 3A and 3B.
  • the reversing mechanism 84 holds the substrate W1 received from the first chamber 53 by the drive unit 71 of the transport unit 70, the first Bernoulli chuck unit 72, and the second Bernoulli chuck unit 73 (see FIGS. 3A and 3B). Then turn it upside down.
  • the inverted substrate W ⁇ b> 1 is transferred to the third chamber 55 by the transfer unit 70.
  • the third chamber 55 is provided with a transport unit 70 that transports the substrate W1 in an inclined state, and a polishing device 91 for polishing the substrate W1. It is done.
  • the polishing apparatus 91 in the third chamber 55 polishes the upper surface of the inverted substrate W1. Accordingly, both surfaces of the substrate W1 are polished by the polishing apparatus 91 in the first chamber 53 and the polishing apparatus 91 in the third chamber 55.
  • the fourth chamber 56 is provided with a vertical transfer mechanism 85 including a third Bernoulli chuck 85a and a lifter 85b, similarly to the third chamber 55 shown in FIGS.
  • the fifth chamber 57 is provided with a transport unit 70 and a roll-type scrub device 87.
  • the sixth chamber 58 is provided with a transfer unit 70, a disk-type scrub device 81, and a cleaning jet nozzle device 83. It is done.
  • the seventh chamber 59 is provided with a transport unit 70, an air knife device 88, and an ionizer 89.
  • the transport unit 70 transports the substrate W1 while holding the end surface of the upper end portion of the substrate W1, the substrate W1 is transported in an inclined posture. However, it is possible to suppress the substrate W1 from being bent. As shown in FIGS. 2, 5, 6, and 11, even in a processing apparatus having various processing units including a cleaning process, a polishing process, and a drying process, the substrate W ⁇ b> 1 bends by the transfer unit 70. It can convey appropriately, suppressing.
  • FIG. 12 is an overall layout diagram of another plating apparatus including the processing apparatus according to the present embodiment.
  • the plating apparatus according to the present embodiment includes a cleaning apparatus 50 as an example of a processing apparatus.
  • the plating apparatus 200 includes a load unit 210 that loads a substrate onto a substrate holder, a processing unit 220 that processes the substrate, an unload unit 230 that unloads the substrate from the substrate holder, and a cleaning unit 50a. And can be broadly divided.
  • the processing unit 220 further includes a pre-processing unit 220A that performs pre-processing of the substrate, a plating processing unit 220B that performs plating processing on the substrate, and a post-processing unit 220C that performs post-processing of the substrate.
  • substrate processed with this plating apparatus 200 contains a square substrate and a circular board
  • the square substrate includes a square printed board and other plating objects.
  • a preprocessing unit 220 ⁇ / b> A is disposed on the rear side of the load unit 210.
  • the pretreatment unit 220 ⁇ / b> A includes a pre-wet tank 32, a pre-soak tank 33, and a pre-rinse tank 34.
  • the pre-wet tank 32, the pre-soak tank 33, and the pre-rinse tank 34 are arranged in this order.
  • the plating unit 220B is disposed on the rear side of the pre-processing unit 220A.
  • the plating processing unit 220 ⁇ / b> B has a plurality of plating tanks 39 provided with an overflow tank 38.
  • a post-processing unit 220C is disposed on the rear side of the plating processing unit 220B.
  • the post-processing unit 220 ⁇ / b> C includes a rinse tank 36 and a blow tank 35. The rinse tank 36 and the blow tank 35 are arranged in this order toward the rear side.
  • the unloading unit 230 is arranged on the rear side of the post-processing unit 220C.
  • Two cassette tables 25, a substrate detaching mechanism 29b, a substrate transporting device 27b, and a traveling mechanism 28b of the substrate transporting device 27b are arranged in the unloading unit 230.
  • the cleaning unit 50a includes the cleaning device 50 illustrated in FIG.
  • the substrate transport device 27 b is configured to transport the substrate after the plating process to the cleaning device 50 and take it out from the cleaning device 50.
  • the plating apparatus 200 includes substrate holder transfer devices 37a and 37b that are located on the sides of these devices and transfer the substrate holder together with the substrates between these devices.
  • the substrate holder transfer devices 37a and 37b transfer the substrate holder to and from the substrate desorption mechanisms 29a and 29b, the pre-wet tank 32, the pre-soak tank 33, the pre-rinse tank 34, the blow tank 35, the rinse tank 36, and the plating tank 39.
  • the substrate holder transfer devices 37a and 37b may be provided in the plating apparatus 200. In this case, the footprint of the plating apparatus can be reduced.
  • the cleaning apparatus 50 according to the present embodiment can be provided also in the plating apparatus 200 in which the load part 210 and the unload part 230 are arranged separately as shown in FIG.
  • a processing apparatus includes a transport unit that transports the object to be processed in a state where a plane of the object to be processed is inclined about a transport direction axis with respect to the horizontal, and polishing, cleaning, and cleaning the surface of the object to be processed And a processing unit that executes at least one of drying.
  • the conveying unit is opposed to the plane of the object to be processed, and a driving unit configured to physically contact an end of the object to be processed and apply a force in the conveying direction to the object to be processed.
  • a first Bernoulli chuck disposed; and a second Bernoulli chuck disposed opposite to an end surface of the end opposite to the end of the workpiece.
  • the second Bernoulli chuck is arranged to face the end surface of the workpiece, the end surface of the end portion of the workpiece can be held. For this reason, even if it conveys a to-be-processed object in the inclined attitude
  • the second Bernoulli chuck cannot restrict the movement of the workpiece in the thickness direction. For this reason, when the workpiece is very soft, if the end of the workpiece is bent and deviates from the opposing position of the second Bernoulli chuck, the second Bernoulli chuck will move the end surface of the workpiece. It cannot be held properly.
  • the first Bernoulli chuck since the first Bernoulli chuck is disposed to face the plane of the workpiece, the movement of the workpiece in the thickness direction is limited, and the end of the workpiece is curved. Can be prevented.
  • the end of the workpiece can be held at the position facing the second Bernoulli chuck, and as a result, the second Bernoulli chuck can be held by the workpiece. It is possible to appropriately hold the end face of the end of the.
  • one end of the workpiece is transported by the drive unit, and the opposite end is held by the second Bernoulli chuck.
  • the number of drive parts can be reduced. Since the drive unit physically contacts the object to be processed, periodic replacement is necessary due to wear. Therefore, by reducing the number of drive units, the number of drive units to be replaced is also reduced, and the work cost and parts cost required for replacement can be reduced. Further, by reducing the number of driving units, the number of physical contacts with the processing target and the contact time can be reduced, and the physical influence on the processing target can be reduced.
  • the transport unit moves the processing object in a state where the plane of the processing object is inclined at an angle of 5 ° to 85 ° with respect to the horizontal. Configured to transport.
  • the particles adhering to the surface of the processing object are washed away by the liquid.
  • the inclination angle of the object to be processed is less than 5 °
  • the liquid containing particles is difficult to fall from the object to be processed.
  • the tilt angle is greater than 85 °
  • the liquid immediately drops from the object to be processed, so that the object to be processed may be dried.
  • the workpiece is dried, particles contained in the cleaning liquid adhering to the workpiece remain on the surface of the workpiece. Therefore, according to the second aspect, it is possible to suppress drying of the object to be processed while dropping the liquid containing particles.
  • the processing apparatus includes the plurality of first Bernoulli chucks arranged to face both surfaces of the workpiece.
  • both surfaces of the object to be processed can be held by the first Bernoulli chuck, the movement of the object to be processed in the thickness direction can be more reliably restricted.
  • the plurality of first Bernoulli chucks arranged along a conveyance direction of the workpiece are provided, and the processing unit includes: , Between the plurality of first Bernoulli chucks arranged along the conveying direction of the workpiece.
  • both sides of the portion of the workpiece being processed by the processing unit can be held by the first Bernoulli chuck, The processing by the processing unit can be performed stably.
  • the second Bernoulli chuck is longer than the first Bernoulli chuck in the conveyance direction of the workpiece.
  • the second Bernoulli chuck holds the end surface of the object to be processed in a wide range, and secures a space for arranging the processing unit for polishing, cleaning, and drying between the first Bernoulli chucks. be able to.
  • the first Bernoulli chuck is disposed at a position facing the processing unit with the object to be processed interposed therebetween.
  • the portion of the workpiece to which the pressure is most applied when the surface of the substrate W1 is processed by the processing section can be held from the opposite side of the processing section by the first Bernoulli chuck. Therefore, even if the processing unit is pressed against the workpiece, the workpiece can be prevented from being bent.
  • the inlet of the workpiece, the outlet of the workpiece, and the workpiece input from the inlet are transported.
  • the vertical transport path connecting the first transport path and the second transport path, and the vertical transport path the workpiece is transported in the vertical direction from the first transport path toward the second transport path. It has a vertical transport mechanism.
  • the seventh aspect since the workpiece is transported in the reverse direction in the first transport path and the second transport path, a reciprocating path is formed by the first transport path and the second transport path, and the entire cleaning apparatus is A sufficient path length can be ensured while reducing the length.
  • the reciprocating path is formed by the first transport path and the second transport path, the entrance and the exit can be arranged close to each other. As a result, it is possible to load the workpiece into the inlet and take out the workpiece from the outlet without a large movement of one workpiece conveyor.
  • the vertical transport mechanism has a third Bernoulli chuck configured to hold the object to be processed in a non-contact manner.
  • a to-be-processed object can be conveyed vertically without contact.
  • the plating apparatus provided with the processing apparatus of the 1st to 7th aspect.
  • the plating apparatus includes a plating processing unit and a substrate transport unit.
  • the substrate transport unit is configured to input the processing object plated by the plating processing unit into an inlet of the processing apparatus and take out the processing object processed by the processing apparatus from the outlet. .
  • a processing method includes a step of transporting the object to be processed in a state where a plane of the object to be processed is inclined around a transport direction axis with respect to the horizontal, and polishing, cleaning, and cleaning the surface of the object to be processed. And a processing step for performing at least one of drying.
  • the transporting step includes a step of physically applying a force in a transport direction to an end portion of the processing object, and the plane of the processing object is limited so as to limit the movement of the processing object in the thickness direction.
  • An end surface of the end portion opposite to the end portion of the object to be processed so as to limit the step of holding by the first Bernoulli chuck and the movement in the in-plane direction of the object to be processed orthogonal to the transport direction. Holding with a second Bernoulli chuck.
  • the second Bernoulli chuck can hold the end surface of the end portion of the workpiece. For this reason, even if it conveys a to-be-processed object in the inclined attitude
  • the second Bernoulli chuck cannot restrict the movement of the workpiece in the thickness direction. For this reason, when the workpiece is very soft, if the end of the workpiece is bent and deviates from the opposing position of the second Bernoulli chuck, the second Bernoulli chuck will move the end surface of the workpiece. It cannot be held properly. However, according to the tenth aspect, since the first Bernoulli chuck holds the flat surface of the object to be processed, the movement of the object to be processed in the thickness direction is restricted and the end of the object to be processed is prevented from being bent. can do.
  • the end of the workpiece can be held at the position facing the second Bernoulli chuck, and as a result, the second Bernoulli chuck can be held by the workpiece. It is possible to appropriately hold the end face of the end of the.
  • a force in the transport direction is physically applied to one end portion of the workpiece, and the opposite end portion is held by the second Bernoulli chuck. For this reason, compared with the case where physical force is applied to both the lower end and the upper end of the object to be processed, the number of times of physical contact with the object to be processed and the contact time are reduced, The physical influence can be reduced.
  • the object to be processed in the processing method according to the tenth aspect, in the transporting step, is in a state where the plane of the object to be processed is inclined at an angle of 5 ° to 85 ° with respect to the horizontal.
  • the process of conveying in the transporting step, is in a state where the plane of the object to be processed is inclined at an angle of 5 ° to 85 ° with respect to the horizontal.
  • the step of holding the first Bernoulli chuck by the plurality of first Bernoulli chucks holds both surfaces of the object to be processed. Have.
  • both surfaces of the workpiece can be held by the first Bernoulli chuck, the movement of the workpiece in the thickness direction can be more reliably restricted.
  • the transporting step includes a step of transporting the workpiece through the first transport path, and a second step from the first transport path.
  • the object to be processed is conveyed in a non-contact manner using a third Bernoulli chuck.
  • the workpiece can be transported in the vertical direction in a non-contact manner on the vertical transport path from the first transport path to the second transport path.
  • the processing step of performing at least one of polishing, cleaning, and drying is held in the head portion and is unidirectional at a predetermined speed. And a step of pressing the tape member sent to the workpiece against the flat surface of the workpiece.
  • the processing step of performing at least one of polishing, cleaning, and drying includes the step of: Including a step of pressing the object to be processed against the flat surface.
  • a transport apparatus that transports the object to be processed in a state in which the plane of the object to be processed is inclined around the transport direction axis with respect to the horizontal.
  • the conveying device includes a driving unit configured to physically contact an end portion of the object to be processed and apply a force in a conveying direction to the object to be processed, and to face the plane of the object to be processed.
  • a first Bernoulli chuck disposed; and a second Bernoulli chuck disposed opposite to an end surface of the end opposite to the end of the workpiece.
  • the second Bernoulli chuck since the second Bernoulli chuck is disposed to face the end surface of the workpiece, the end surface of the end portion of the workpiece can be held. For this reason, even if it conveys a to-be-processed object in the inclined attitude
  • the second Bernoulli chuck cannot restrict the movement of the workpiece in the thickness direction. For this reason, when the workpiece is very soft, if the end of the workpiece is bent and deviates from the opposing position of the second Bernoulli chuck, the second Bernoulli chuck will move the end surface of the workpiece. It cannot be held properly.
  • the first Bernoulli chuck is disposed to face the plane of the workpiece, the movement of the workpiece in the thickness direction is limited, and the end of the workpiece is curved. Can be prevented.
  • the end of the workpiece can be held at the position facing the second Bernoulli chuck, and as a result, the second Bernoulli chuck can be held by the workpiece. It is possible to appropriately hold the end face of the end of the.
  • one end of the workpiece is transported by the drive unit, and the opposite end is held by the second Bernoulli chuck.
  • the number of drive parts can be reduced. Since the drive unit is physically contacted with the workpiece and is worn, periodic replacement is necessary. Therefore, by reducing the number of drive units, the number of drive units to be replaced is also reduced, and the work cost and parts cost required for replacement can be reduced. Further, by reducing the number of driving units, the number of physical contacts with the processing target and the contact time can be reduced, and the physical influence on the processing target can be reduced.

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Abstract

基板（被処理物）の撓みを抑制しつつ、安定して被処理物を搬送する。　処理装置が提供される。この処理装置は、被処理物の平面が水平に対して搬送方向軸周りに傾斜した状態で被処理物を搬送する搬送部と、被処理物の平面に対して、研磨及び洗浄の少なくとも一つを実行する処理部と、を有する。搬送部は、被処理物の端部に物理的に接触して被処理物に搬送方向の力を加えるように構成される駆動部と、被処理物の平面に対向して配置される第１のベルヌーイチャックと、被処理物の上記端部とは逆側の端部の端面に対向して配置される第２のベルヌーイチャックと、を有する。

Description

処理装置、これを備えためっき装置、搬送装置、及び処理方法
　本発明は、処理装置、これを備えためっき装置、搬送装置、及び処理方法に関する。
　従来、半導体ウェハやプリント基板等の基板の表面に配線やバンプ（突起状電極）等を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプ等を形成する方法として、電解めっき法が知られている。
　電解めっき法に用いるめっき装置では、一般的には３００ｍｍの直径を有するウェハ等の円形基板にめっき処理を行っている。しかしながら、近年では、このような円形基板に限らず、角形基板に洗浄、研磨、又はめっき等をすることが求められている。このような角形基板は、例えば、円形のウェハから作成したチップ等を、樹脂材料からなる基板の片面又は両面に貼り付けることで形成される。
　ところで、基板を搬送する際に、搬送装置の設置面積を縮小するために、基板を縦型の姿勢にした状態で搬送することが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、基板を搬送する際に、洗浄又は研磨等の液体を必要とする処理を行う場合、基板を縦型の姿勢にすることで基板表面の液切れを効率よく行うこともできる。
特許第３０４２５９８号
　しかしながら、特許文献１に記載された搬送装置では、基板の上端部が自由端になる（基板の上端部が保持されない）ので、基板の剛性が低い場合は、基板を縦型の姿勢にしたときに基板が撓む可能性がある。また、基板の重さが比較的軽い場合は、搬送ローラ間の微小な段差等により、基板がガタついて搬送されて搬送ローラから断続的に離間する虞がある。この場合、基板と搬送ローラとの接触が適切に行われず、安定した速度で搬送できない場合がある。このような問題点は、角形基板に限らず、円形基板であっても同様に生じ得る。
　本発明は上記問題に鑑みてなされたものである。その目的は、基板（被処理物）の撓みを抑制しつつ、安定して被処理物を搬送することである。
　本発明の一形態によれば、処理装置が提供される。この処理装置は、被処理物の平面が水平に対して搬送方向軸周りに傾斜した状態で前記被処理物を搬送する搬送部と、前記被処理物の前記平面に対して、研磨及び洗浄の少なくとも一つを実行する処理部と、を有する。前記搬送部は、前記被処理物の端部に物理的に接触して前記被処理物に搬送方向の力を加えるように構成される駆動部と、前記被処理物の前記平面に対向して配置される第１のベルヌーイチャックと、前記被処理物の前記端部とは逆側の端部の端面に対向して配置される第２のベルヌーイチャックと、を有する。
　本発明の一形態によれば、被処理物の平面が水平に対して搬送方向軸周りに傾斜した状態で前記被処理物を搬送する搬送装置が提供される。この搬送装置は、前記被処理物の端部に物理的に接触して前記被処理物に搬送方向の力を加えるように構成される駆動部と、前記被処理物の前記平面に対向して配置される第１のベルヌーイチャックと、前記被処理物の前記端部とは逆側の端部の端面に対向して配置される第２のベルヌーイチャックと、を有する。
　本発明の一形態によれば、処理方法が提供される。この処理方法は、被処理物の平面が水平に対して搬送方向軸周りに傾斜した状態で前記被処理物を搬送する工程と、前記被処理物の前記平面に対して、研磨及び洗浄の少なくとも一つを実行する処理工程と、を有する。前記搬送する工程は、前記被処理物の端部に搬送方向の力を物理的に加える工程と、前記被処理物の厚さ方向の移動を制限するように、前記被処理物の前記平面を第１のベルヌーイチャックで保持する工程と、前記搬送方向と直交する前記被処理物の面内方向の移動を制限するように、前記被処理物の前記端部とは逆側の端部の端面を第２のベルヌーイチャックで保持する工程と、を有する。
本実施形態に係る処理装置を備えためっき装置の全体配置図である。 洗浄装置の概略側断面図である。 搬送部の側面図である。 図３Ａにおける矢視Ａ－Ａにおける搬送部の断面図である。 搬送部の別の形態を示す図である。 他の形態に係る洗浄装置の概略側断面図である。 他の形態に係る洗浄装置の概略側断面図である。 研磨装置の概略側断面図である。 研磨装置で基板を研磨する例を示す斜視図である。 研磨ヘッドで基板を研磨するときの、基板の搬送と研磨ヘッドの動きの例を示す概略図である。 研磨ヘッドで基板を研磨するときの、基板の搬送と研磨ヘッドの動きの例を示す概略図である。 他の形態に係る洗浄装置の概略側断面図である。 本実施形態に係る処理装置を備えた他のめっき装置の全体配置図である。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。図１は、本実施形態に係る処理装置を備えためっき装置の全体配置図である。本実施形態に係るめっき装置は、処理装置の一例として洗浄装置５０を有する。図１に示すように、このめっき装置１００は、基板ホルダに基板（被処理物の一例に相当する）をロードし、又は基板ホルダから基板をアンロードするロード／アンロード部１１０と、基板を処理する処理部１２０と、洗浄部５０ａとに大きく分けられる。処理部１２０は、さらに、基板の前処理及び後処理を行う前処理・後処理部１２０Ａと、基板にめっき処理を行うめっき処理部１２０Ｂとを含む。めっき装置１００のロード／アンロード部１１０と処理部１２０と、洗浄部５０ａとは、それぞれ別々のフレーム（筐体）で囲まれている。なお、このめっき装置１００で処理する基板は、角形基板、円形基板を含む。また、角形基板は、角形のプリント基板や、その他のめっき対象物等を含む。
　ロード／アンロード部１１０は、２台のカセットテーブル２５と、基板脱着機構２９とを有する。カセットテーブル２５は、半導体ウェハやプリント基板等の基板を収納したカセット２５ａを搭載する。基板脱着機構２９は、基板を図示しない基板ホルダに着脱するように構成される。また、基板脱着機構２９の近傍（例えば下方）には基板ホルダを収容するためのストッカ３０が設けられる。これらのユニット２５，２９，３０の中央には、これらのユニット間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置２７が配置されている。基板搬送装置２７は、走行機構２８により走行可能に構成される。
　洗浄部５０ａは、めっき処理後の基板を洗浄して乾燥させる洗浄装置５０（処理装置の一例に相当する）を有する。基板搬送装置２７は、めっき処理後の基板を洗浄装置５０に搬送し、洗浄及び乾燥された基板を洗浄装置５０から取り出すように構成される。洗浄装置５０の詳細については、後述する図２と共に説明する。
　前処理・後処理部１２０Ａは、プリウェット槽３２と、プリソーク槽３３と、プリリンス槽３４と、ブロー槽３５と、リンス槽３６と、を有する。プリウェット槽３２では、基板が純水に浸漬される。プリソーク槽３３では、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面の酸化膜がエッチング除去される。プリリンス槽３４では、プリソーク後の基板が基板ホルダと共に洗浄液（純水等）で洗浄される。ブロー槽３５では、洗浄後の基板の液切りが行われる。リンス槽３６では、めっき後の基板が基板ホルダと共に洗浄液で洗浄される。プリウェット槽３２、プリソーク槽３３、プリリンス槽３４、ブロー槽３５、リンス槽３６は、この順に配置されている。
　めっき処理部１２０Ｂは、オーバーフロー槽３８を備えた複数のめっき槽３９を有する。各めっき槽３９は、内部に一つの基板を収納し、内部に保持しためっき液中に基板を浸漬させて基板表面に銅めっき等のめっきを行う。ここで、めっき液の種類は、特に限られることはなく、用途に応じて様々なめっき液が用いられる。
　めっき装置１００は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダを基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置３７を有する。この基板ホルダ搬送装置３７は、基板脱着機構２９、プリウェット槽３２、プリソーク槽３３、プリリンス槽３４、ブロー槽３５、リンス槽３６、及びめっき槽３９との間で基板ホルダを搬送するように構成される。
　次に、図１に示した洗浄装置５０について詳細に説明する。図２は、洗浄装置５０の概略側断面図である。図２においては、説明の便宜上、図１に示したストッカ３０及び基板搬送装置２７が示されている。図２に示す洗浄装置５０は、全体的に５つのチャンバから構成されている。具体的には、洗浄装置５０は、基板Ｗ１の入口５１を備える第１チャンバ５３と、第２チャンバ５４と、第３チャンバ５５と、第４チャンバ５６と、基板Ｗ１の出口５２を備える第５チャンバ５７と、を有する。第２チャンバ５４は、第１チャンバ５３及び第３チャンバ５５と連通している。第１チャンバ５３及び第２チャンバ５４は、基板Ｗ１を水平方向に搬送するための第１搬送経路を構成する。第４チャンバ５６は、第３チャンバ５５及び第５チャンバ５７と連通している。第４チャンバ５６及び第５チャンバ５７は、基板Ｗ１を、第１搬送経路とは逆方向に搬送するための第２搬送経路を構成する。第３チャンバ５５は、第１搬送経路と第２搬送経路とを接続する鉛直搬送経路を構成する。本実施形態では、第１チャンバ５３及び第２チャンバ５４から成る第１搬送経路は、第４チャンバ５６及び第５チャンバ５７から成る第２搬送経路の下方に位置する。しかしながら、各チャンバの配置構成はこれに限らず、例えば、第１チャンバ５３及び第２チャンバ５４から成る第１搬送経路が、第４チャンバ５６及び第５チャンバ５７から成る第２搬送経路の下方に位置してもよい。また、洗浄装置５０の設置面積に厳しい制約が無ければ、第１搬送経路と第２搬送経路を横方向に並列に配置してもよい。この場合、第３チャンバ５５は、第１搬送経路と第２搬送経路とを接続する水平方向の搬送経路を構成し、経路全体が平面視略Ｕ字形になる。
　以下、第１チャンバ５３から第５チャンバ５７の構成を説明する。第１チャンバ５３の内部には、基板Ｗ１を傾斜した状態で搬送する搬送部７０（搬送装置の一例に相当する）と、基板Ｗ１に対してスクラブ洗浄をするための円盤型スクラブ装置８１（処理部の一例に相当する）とが設けられる。円盤型スクラブ装置８１は、円盤ヘッド（ヘッド部の一例に相当する）が回転可能に構成される。円盤ヘッドの基板Ｗ１と接触する側の面（下面）には、基板Ｗ１をスクラブするための洗浄部材が設けられている。洗浄部材として、例えば、円形又はドーナツ形のシート状部材を採用することができる。このシート状部材は、例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）から形成され、１ｍｍから２０ｍｍ程度の厚みを有する。円盤型スクラブ装置８１は、例えば、図示しないリニアガイド、ボールねじ、及びサーボモータ等を有し、基板Ｗ１の表面と平行に移動することができる。
　円盤型スクラブ装置８１は、図示しないノズルから純水等を基板Ｗ１に供給しつつ、円盤ヘッドを回転させながら基板Ｗ１に押し付けることで、基板Ｗ１表面を傷つけることなく、基板Ｗ１表面に付着したパーティクルを除去する。円盤型スクラブ装置８１は、基板Ｗ１を連続的に搬送しながら基板Ｗ１を洗浄することもできるし、搬送部７０は、洗浄時に基板Ｗ１の搬送を停止させるために基板Ｗ１を断続的に搬送してもよい。具体的には、基板Ｗ１の表面の汚染が激しい場合には、基板Ｗ１の搬送を停止させながら円盤型スクラブ装置８１で洗浄することが好ましい。また、基板Ｗ１の表面の汚染の程度が比較的低い場合は、基板Ｗ１を連続的に搬送しながら円盤型スクラブ装置８１で洗浄することができる。
　基板Ｗ１を洗浄していない間、円盤型スクラブ装置８１の洗浄部材が乾燥しないように、例えば、円盤型スクラブ装置８１を基板Ｗ１の搬送経路から退避させて、図示しないスプレーノズルから純水を洗浄部材に供給する。また、図示しない純水タンクを用意し、円盤型スクラブ装置８１の洗浄部材をタンク内の純水に浸漬させるようにしてもよい。この場合、タンク内の純水は、円盤型スクラブ装置８１の洗浄部材が浸漬されるたびに入れ替えられることが好ましい。図示の実施形態では、２つの円盤型スクラブ装置８１が、第１チャンバ５３内に配置されている。
　搬送部７０は、具体的には、基板Ｗ１の平面（被処理面でもある）が水平に対して搬送方向軸周りで傾斜した状態で、基板Ｗ１を搬送する。搬送部７０の基本的な構成を図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。図３Ａは、搬送部７０の側面図であり、図３Ｂは、図３Ａにおける矢視Ａ－Ａにおける搬送部７０の断面図である。図３Ａ及び図３Ｂに示すように、搬送部７０は、駆動部７１と、第１のベルヌーイチャックユニット７２と、第２のベルヌーイチャックユニット７３と、を有する。駆動部７１は、基板Ｗ１の端部に物理的に接触して基板Ｗ１に搬送方向の力を加えるように構成される。図３Ａ及び図３Ｂの例においては、駆動部７１は、基板Ｗ１の下側の端部に接触するローラを有する。駆動部７１は、図示しない駆動源によりローラを回転させて、基板Ｗ１に搬送方向の力を加える。このローラは、基板Ｗ１と接触する部分に水膜が形成され難いテフロン系樹脂、ナイロン樹脂等の材料から構成され得る。また、ローラの基板Ｗ１との接触面に凹凸のローレット加工を施したり、ローラの接触面をポーラス材料で形成したりしてもよい。これにより、水膜の形成を抑制して、基板Ｗ１の搬送時のすべりを防止することができる。
　図３Ａに示すように、第１のベルヌーイチャックユニット７２は、基板Ｗ１の平面に沿って、任意の間隔で複数設けられる。図２に示す第１チャンバ５３においては、第１のベルヌーイチャックユニット７２は、円盤型スクラブ装置８１がその間に配置されるように、所定の間隔で離間している。また、図３Ａ及び図３Ｂに示す例では、第１のベルヌーイチャックユニット７２は、基板Ｗ１の両側に設けられる。しかしながら、第１のベルヌーイチャックユニット７２は、基板Ｗ１の片側のみに設けられてもよい。
　図３Ｂに示すように、第１のベルヌーイチャックユニット７２は、複数の第１のベルヌーイチャック７２ａを有する。第１のベルヌーイチャック７２ａは、基板Ｗ１の平面に対向するように配置される。図３Ｂに示す例では、一方の側（基板Ｗ１の下面側）の第１のベルヌーイチャックユニット７２には５つの第１のベルヌーイチャック７２ａが設けられ、他方の側（基板Ｗ１の上面側）の第１のベルヌーイチャックユニット７２には３つの第１のベルヌーイチャック７２ａが設けられる。第１のベルヌーイチャックユニット７２に設けられる第１のベルヌーイチャック７２ａの数は任意である。第１のベルヌーイチャック７２ａは、空圧式又は液圧式のベルヌーイチャックであり、基板Ｗ１の厚さ方向Ｄ１の移動を制限するように、基板Ｗ１を非接触式で保持することができる。言い換えれば、第１のベルヌーイチャック７２ａは、基板Ｗ１の面内方向Ｄ２の移動を制限することはできない。
　図３Ａ及び図３Ｂに示すように、第２のベルヌーイチャックユニット７３は、断面が略Ｕ型であり、基板Ｗ１の搬送方向に延在する。図３Ｂに示すように、第２のベルヌーイチャックユニット７３は、第２のベルヌーイチャック７３ａと、第１のベルヌーイチャック７３ｂと、を有する。第１のベルヌーイチャック７３ｂは、第１のベルヌーイチャック７２ａと同様に基板Ｗ１の平面に対向するように配置され、基板Ｗ１の厚さ方向Ｄ１の移動を制限するように基板Ｗ１の上端部近傍を保持することができる。一方で、第２のベルヌーイチャック７３ａは、基板Ｗ１の上端部の端面に対向して配置される。第２のベルヌーイチャック７３ａは、空圧式又は液圧式のベルヌーイチャックであり、基板Ｗ１の面内方向Ｄ２の移動を制限するように、基板Ｗ１の上端部の端面を非接触式で保持することができる。ここで、面内方向Ｄ２は、基板Ｗ１の搬送方向（図３Ｂにおいて紙面奥行方向）と直交する方向である。
　第２のベルヌーイチャックユニット７３の第２のベルヌーイチャック７３ａは、搬送される基板Ｗ１の上端部の端面を可能な限り広い範囲で保持するために、基板Ｗ１の搬送方向に沿って可能な限り長くなるように配置される。好ましくは、第２のベルヌーイチャック７３ａは、第１のベルヌーイチャックユニット７２の第１のベルヌーイチャック７２ａに比べて、基板Ｗ１の搬送方向に沿って長くなるように配置される。これにより、第２のベルヌーイチャック７３ａで基板Ｗ１の上端部の端面を広い範囲で保持しつつ、第１のベルヌーイチャック７２ａ間に研磨、洗浄、乾燥するための処理部を配置するスペースを確保することができる。
　搬送部７０は、駆動部７１、第１のベルヌーイチャックユニット７２、及び第２のベルヌーイチャックユニット７３が傾斜することにより、基板Ｗ１を傾斜した姿勢で搬送するように構成される。具体的には、基板Ｗ１は、搬送方向（図３Ｂにおいて紙面奥行方向）軸周りに傾斜した状態で搬送される。ここで「傾斜」とは、水平に対して０°超９０°以下の角度を有することをいう。図３Ｂに示す例では、搬送部７０は、基板Ｗ１を約４５°傾斜した姿勢で搬送する。これにより、基板Ｗ１が水平姿勢で搬送される場合に比べて、洗浄装置５０の設置面積を低減することができるとともに、基板Ｗ１表面の液切れを効率よく行うことができる。好ましくは、搬送部７０は、基板Ｗ１の平面が水平に対して５°以上８５°以下の角度で傾斜した状態で、基板Ｗ１を搬送することが好ましい。図２に示す洗浄装置５０において基板Ｗ１を洗浄すると、基板Ｗ１の表面に付着したパーティクルが洗浄液によって洗い流される。このとき、傾斜角度が５°未満であると、パーティクルを含む洗浄液が基板Ｗ１から落ち難くなる。また、傾斜角度が８５°超であると、洗浄液が基板Ｗ１から直ちに落下するので、基板Ｗ１が乾燥する虞がある。基板Ｗ１が乾燥すると、基板Ｗ１に付着していた洗浄液に含まれるパーティクルが基板Ｗ１表面に残ってしまう。
　このように、本実施形態に係る搬送部７０は、基板Ｗ１の上端部の端面を保持することができるので、基板Ｗ１を傾斜した姿勢で搬送しても、基板Ｗ１が撓むことを抑制することができる。また、基板Ｗ１の面内方向Ｄ２の位置を第２のベルヌーイチャック７３ａにより保持することができるので、基板Ｗ１の下端部を駆動部７１に安定して接触させ、安定した速度で搬送することができる。
　また、第２のベルヌーイチャック７３ａは、基板Ｗ１の厚さ方向Ｄ１の移動を制限することはできない。このため、基板Ｗ１が非常に柔らかい場合に、仮に基板Ｗ１の端部が湾曲して第２のベルヌーイチャック７３ａの対向位置からずれてしまうと、第２のベルヌーイチャック７３ａは基板Ｗ１の端面を適切に保持できなくなる。しかしながら、本実施形態に係る搬送部７０は、断面が略Ｕ型の第２のベルヌーイチャックユニット７３を有し、第１のベルヌーイチャック７３ｂで基板Ｗ１の上端部近傍を保持しているので、基板Ｗ１の端部が湾曲することを防止することができる。このため、基板Ｗ１が非常に柔らかい場合であっても、基板Ｗ１の端部を第２のベルヌーイチャック７３ａの対向位置に保持することができ、その結果、第２のベルヌーイチャック７３ａが基板Ｗ１の上端部の端面を適切に保持することができる。
　また、本実施形態に係る搬送部７０は、基板Ｗ１の下端部のみが駆動部７１により搬送され、上端部は第２のベルヌーイチャック７３ａで保持される。このため、基板Ｗ１の下端部及び上端部の両方をローラ等の駆動部７１で搬送する場合に比べて、駆動部７１の数を減らすことができる。駆動部７１は、基板Ｗ１に物理的に接触するので、摩耗により定期的な交換が必要になる。したがって、駆動部７１の数を減らすことで、交換する駆動部７１の数も減ることになり、交換に要する作業コスト及び部品コストを低減することができる。また、駆動部７１の数が減ることで、基板Ｗ１への物理的な接触回数を少なくして、基板Ｗ１への物理的な影響を低減することができる。なお、図３Ａに示す搬送部７０において、駆動部７１間に第２のベルヌーイチャックユニット７３を配置してもよい。その場合は、基板Ｗ１の面内方向Ｄ２（図３Ｂ参照）の位置をいっそう安定して維持することができる。
　また、図３Ａ及び図３Ｂに示した搬送部７０の駆動部７１は、一例としてローラを有するが、これに限られない。図４は、搬送部７０の別の形態を示す図である。図４に示すように、搬送部７０は、駆動部７１として、基板Ｗ１と接触するベルトを備えたベルトコンベアを有していてもよい。
　図２に戻り、洗浄装置５０を説明する。図２に示すように、第１チャンバ５３では、円盤型スクラブ装置８１と対向する位置に、搬送部７０の第１のベルヌーイチャックユニット７２が設けられる。これにより、円盤型スクラブ装置８１で基板Ｗ１の表面を洗浄するときに最も圧力が加わる基板Ｗ１の部分を、第１のベルヌーイチャックユニット７２によって円盤型スクラブ装置８１の反対側から保持することができる。したがって、円盤型スクラブ装置８１を基板Ｗ１に押し付けても、基板Ｗ１が撓むことを抑制することができる。
　第２チャンバ５４には、第１チャンバ５３の搬送部７０と同様の搬送部７０と、基板Ｗ１に対してジェット洗浄をするための洗浄ジェットノズル装置８３（処理部の一例に相当する）とが設けられる。洗浄ジェットノズル装置８３は、基板Ｗ１の幅方向に配列された複数のノズル、又は基板Ｗ１の幅方向に延在した単一のノズルを有し、基板Ｗ１の表面に純水等の洗浄液を吹き付けて、基板Ｗ１の表面を非接触で洗浄する。図示の実施形態では、２つの洗浄ジェットノズル装置８３が第１チャンバ５３内に配置されており、それぞれ、基板Ｗ１の両面を洗浄できるように構成されている。なお、洗浄ジェットノズル装置８３の数は任意であり、基板Ｗ１の片面のみを洗浄するように構成されていてもよい。洗浄ジェットノズル装置８３は、搬送部７０の第１のベルヌーイチャックユニット７２間に設けられる。
　第３チャンバ５５には、第２チャンバ５４から搬送された基板Ｗ１を受け取り、基板Ｗ１を第４チャンバ５６に向かって鉛直方向に搬送する鉛直搬送機構８５が設けられる。鉛直搬送機構８５は、例えば、基板Ｗ１の下面を水平姿勢で保持する第３のベルヌーイチャック８５ａと、第３のベルヌーイチャック８５ａを昇降させるリフタ８５ｂとを有する。第３チャンバ５５には、第２チャンバ５４から傾斜して搬送された基板Ｗ１を水平姿勢に回転する図示しない回転機構が設けられていてもよい。第３のベルヌーイチャック８５ａは、この回転機構から、水平姿勢の基板Ｗ１を受け取って非接触で保持する。また、第３チャンバ５５には、第３のベルヌーイチャック８５ａから水平姿勢の基板Ｗ１を受け取り、基板Ｗ１を傾斜させる図示しない回転機構が設けられていてもよい。この回転機構は、傾斜させた基板Ｗ１を第４チャンバ５６に設けられた搬送部７０に受け渡す。
　第４チャンバ５６には、第１チャンバ５３の搬送部７０と同様の搬送部７０と、基板Ｗ１に対してスクラブ洗浄するためのロール型スクラブ装置８７（処理部の一例に相当する）が設けられる。ロール型スクラブ装置８７は、基板Ｗ１の表面と接触するロールブラシを有する。ロールブラシの材料としては、例えば、ナイロンブラシ、ＰＶＡスポンジ、不織布等を使用することができる。ロールブラシは、基板Ｗ１の表面と平行に配置され、基板Ｗ１の洗浄時には、所定の圧力で基板Ｗ１に押し付けられるようにバネ等により押付圧力が制御されたり、基板Ｗ１との距離が一定になるように位置が制御されたりする。ロール型スクラブ装置８７は、図示しない純水ノズルからロールブラシに純水を供給して、ロールブラシが乾燥することを防止する。ロール型スクラブ装置８７は、搬送部７０の第１のベルヌーイチャックユニット７２間に設けられる。図示の実施形態では、３つのロール型スクラブ装置８７が、第４チャンバ５６内に配置されている。
　第５チャンバ５７には、第１チャンバ５３の搬送部７０と同様の搬送部７０と、基板Ｗ１の表面を非接触で乾燥するためのエアナイフ装置８８（処理部の一例に相当する）と、基板Ｗ１表面を除電するためのイオナイザ８９とが設けられる。エアナイフ装置８８は、例えば、圧縮気体を薄い層状に噴出するための細長いスリットを有し、基板Ｗ１の両面又は片面に圧縮気体を吹き付けることで、基板Ｗ１に付着した洗浄液を除去又は乾燥する。エアナイフ装置８８のスリットは、基板Ｗ１の幅方向と直交するように配置されていてもよいが、基板Ｗ１の下端に向けて洗浄液を拭うように、基板Ｗ１の幅方向に対して角度を有することが好ましい。イオナイザ８９は、所定の極性を有するイオンを基板Ｗ１の表面に放出して、基板Ｗ１を除電することができる。エアナイフ装置８８及びイオナイザ８９は、搬送部７０の第１のベルヌーイチャックユニット７２間に設けられる。
　第５チャンバ５７では、基板Ｗ１の乾燥が行われるので、第５チャンバ５７に設けられる搬送部７０の第１のベルヌーイチャックユニット７２及び第２のベルヌーイチャックユニット７３には、空圧式のベルヌーイチャックが採用される。これにより、搬送部７０が基板Ｗ１の乾燥を妨げることがない。
　第３チャンバ５５、第４チャンバ５６、及び第５チャンバ５７の上部には、上方から下方に向けて気体を送出するＦＦＵ（Ｆｕｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ）等の送風ユニット６０が設けられる。送風ユニット６０から送出される気体として、例えばクリーンドライエアや窒素を用いることができる。送風ユニット６０から送風することにより、洗浄装置５０内のパーティクルを下方に押さえつけることができ、第３チャンバ５５、第４チャンバ５６、及び第５チャンバ５７内の雰囲気を清浄に保つことができる。
　第１チャンバ５３、第２チャンバ５４、第３チャンバ５５、第４チャンバ５６、及び第５チャンバ５７のそれぞれには、基板Ｗ１の乾燥を防止するために、基板Ｗ１に純水等の液体を供給する液体供給ノズルを適宜設けてもよい。
　以上で説明した洗浄装置５０を使用して基板Ｗ１を洗浄するプロセスについて説明する。まず、図１に示しためっき装置１００においてめっきされた基板Ｗ１を、基板搬送装置２７が保持する。基板搬送装置２７は、入口５１を介して第１チャンバ５３内に基板Ｗ１を投入する。投入された基板Ｗ１は、第１チャンバ５３において、傾斜した状態で搬送部７０によって搬送されつつ、円盤型スクラブ装置８１により洗浄される。円盤型スクラブ装置８１による洗浄においては、基板Ｗ１を搬送しながら洗浄してもよいし、基板Ｗ１の搬送を断続的に行いながら洗浄してもよい。
　第１チャンバ５３にて洗浄された基板Ｗ１は、第２チャンバ５４に投入される。第２チャンバ５４では、基板Ｗ１は、傾斜した状態で搬送部７０によって搬送されつつ、洗浄ジェットノズル装置８３により非接触で洗浄される。第２チャンバ５４にて洗浄された基板Ｗ１は、第３チャンバ５５に投入される。第３チャンバ５５では、図示しない回転機構により、第２チャンバ５４から受け取った基板Ｗ１が傾斜した姿勢から水平姿勢にされ、鉛直搬送機構８５の第３のベルヌーイチャック８５ａに受け渡される。基板Ｗ１は、第３のベルヌーイチャック８５ａで保持されながら、リフタ８５ｂにより鉛直方向へ搬送される。鉛直方向に搬送された基板Ｗ１は、図示しない回転機構により、水平姿勢から傾斜した姿勢にされ、第４チャンバ５６の搬送部７０へ受け渡される。
　第４チャンバ５６では、基板Ｗ１は、傾斜した状態で搬送部７０によって搬送されつつ、ロール型スクラブ装置８７により洗浄される。第４チャンバ５６で洗浄された基板Ｗ１は、第５チャンバに投入される。第５チャンバ５７では、基板Ｗ１は、傾斜した状態で搬送部７０によって搬送されつつ、エアナイフ装置８８により基板Ｗ１表面の洗浄液が除去又は乾燥される。続いて、基板Ｗ１は、イオナイザ８９により除電された後、基板搬送装置２７により出口５２から取り出される。基板搬送装置２７は、洗浄及び乾燥された基板Ｗ１を図１に示したカセットテーブル２５内の２５ａに収納する。
　続いて、洗浄装置５０の他の構成例について説明する。図５は、他の形態に係る洗浄装置５０の概略側断面図である。図５に示す洗浄装置５０は、図２に示した洗浄装置５０と同様に、第１チャンバ５３、第２チャンバ５４、第３チャンバ５５、第４チャンバ５６、及び第５チャンバ５７を有する。図２に示した洗浄装置５０と類似の構成を有しているので、異なる部分を中心に説明する。
　第１チャンバ５３には、搬送部７０と、円盤型スクラブ装置８１と、洗浄ジェットノズル装置８３とが設けられる。第１チャンバ５３では、基板Ｗ１は、搬送部７０により傾斜した状態で搬送されつつ、円盤型スクラブ装置８１で洗浄され、続いて洗浄ジェットノズル装置８３で洗浄される。第２チャンバ５４には、搬送部７０と、ロール型スクラブ装置８７とが設けられる。第１チャンバ５３では、第１チャンバ５３で洗浄された基板Ｗ１が、搬送部７０により傾斜した状態で搬送されつつ、ロール型スクラブ装置８７で洗浄される。
　第３チャンバ５５には、第２チャンバ５４から搬送された基板Ｗ１を受け取り、基板Ｗ１を第４チャンバ５６に向かって鉛直方向に搬送する鉛直搬送機構８６が設けられる。図５に示す鉛直搬送機構８６は、第３のベルヌーイチャック８６ａと、アーム部８６ｂと、支柱８６ｃと、スライダ８６ｄと、を有する。第３のベルヌーイチャック８６ａは、基板Ｗ１の上面を水平姿勢で保持するように構成される。アーム部８６ｂは、支柱８６ｃから略水平に延在し、第３のベルヌーイチャック８６ａを保持する。支柱８６ｃは、アーム部８６ｂを支持している。スライダ８６ｄは、アーム部８６ｂを支柱８６ｃに沿って昇降させるように構成される。
　第２チャンバ５４から搬送された基板Ｗ１は、図示しない回転機構により、傾斜した姿勢から水平姿勢にされて、鉛直搬送機構８６の第３のベルヌーイチャック８６ａに受け渡される。スライダ８６ｄは、アーム部８６ｂを支柱８６ｃに沿って上昇させて、第３のベルヌーイチャック８６ａで保持された基板Ｗ１を鉛直方向へ搬送する。続いて、基板Ｗ１は、第４チャンバ５６へ搬送される。
　第４チャンバ５６には、基板Ｗ１を水平搬送する水平搬送機構９０が設けられる。水平搬送機構９０としては、例えば、図３Ａ及び図３Ｂに示した搬送部７０を採用することができる。この場合の搬送部７０は、基板Ｗ１を水平に搬送することができるように、駆動部７１、第１のベルヌーイチャックユニット７２、及び第２のベルヌーイチャックユニット７３の設置角度が調整される。若しくは、水平搬送機構９０は、例えば、基板Ｗ１の裏面の幅方向中央部と両エッジ部のみに接触するように配置されたローラを有してもよい。第４チャンバ５６に搬送された基板Ｗ１は、水平搬送機構９０により、第５チャンバ５７へ搬送される。第５チャンバ５７には、図２に示した第５チャンバ５７と同様に、搬送部７０と、エアナイフ装置８８と、イオナイザ８９とが設けられる。
　図６は、他の形態に係る洗浄装置５０の概略側断面図である。図６に示す洗浄装置５０は、図２及び図５に示した洗浄装置５０と同様に、第１チャンバ５３、第２チャンバ５４、第３チャンバ５５、第４チャンバ５６、及び第５チャンバ５７を有する。図６に示す洗浄装置５０は、図２及び図５に示した洗浄装置５０と類似の構成を有しているので、異なる部分を中心に説明する。
　第１チャンバ５３には、基板Ｗ１を傾斜した状態で搬送する搬送部７０と、基板Ｗ１に対して研磨をするための研磨装置９１（処理部の一例に相当する）とが設けられる。第１チャンバ５３においては、第１のベルヌーイチャックユニット７２は、研磨装置９１がその間に配置されるように、所定の間隔で離間している。
　研磨装置９１の具体的な構成について説明する。図７は、図６に示す研磨装置９１の概略側断面図である。図７に示すように、研磨装置９１は、回転モータ９２と、研磨ヘッド９３（ヘッド部の一例に相当する）と、アーム９４と、昇降モータ９５と、並進プレート９６と、並進モータ９７と、固定プレート９８と、を有する。
　固定プレート９８は、第１チャンバ５３内に固定される。並進プレート９６は、並進モータ９７によって、固定プレート９８の面に対して並行移動するように構成される。アーム９４は、並進プレート９６に取り付けられ、昇降モータ９５によって、並進プレート９６の並進方向と直交する向きに昇降するように構成される。また、アーム９４は、研磨ヘッド９３を回転可能に保持する。研磨ヘッド９３は、回転モータ９２によって回転するように構成される。
　研磨装置９１は、傾斜して搬送された基板Ｗ１を研磨するために、傾斜するように第１チャンバ５３内に設置される。並進プレート９６は、固定プレート９８に対して並進することにより、研磨ヘッド９３を基板Ｗ１の表面と平行に移動させることができる。また、アーム９４は、並進プレート９６の並進方向と直交する向きに移動することにより、基板Ｗ１に近接又は離間するように研磨ヘッド９３を移動させることができる。基板Ｗ１を研磨するときは、回転している研磨ヘッド９３を基板Ｗ１に近接させて、基板Ｗ１の平面を研磨ヘッド９３で押圧する。また、研磨の間、研磨ヘッド９３を基板Ｗ１の表面と平行に移動させることで、基板Ｗ１の全面を研磨することができる。
　研磨ヘッド９３は、基板Ｗ１に対向する研磨面９３ｄと、研磨面９３ｄから露出するように設けられる研磨テープ９３ａと、研磨テープ９３ａを巻き出す巻出ローラ９３ｂと、研磨テープ９３ａを巻き取る巻取ローラ９３ｃと、を有する。研磨テープ９３ａは、例えば、幅約１０ｍｍから６０ｍｍ、長さ約２０ｍから１００ｍのベースフィルムの片面に、ダイヤモンド粒子やＳｉＣ粒子等の砥粒を接着して構成される。研磨テープ９３ａに使用される砥粒は、基板Ｗ１の種類や、要求される研磨条件に応じて適宜選択され、例えば、平均粒径０．１μｍから５．０μｍの範囲のダイヤモンド粒子やＳｉＣ粒子等である。また、研磨テープ９３ａは、砥粒を接着させていない帯状の研磨布であってもよい。ベースフィルムとしては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有する材料を使用することができる。
　研磨テープ９３ａは、基板Ｗ１の研磨の進行に伴い、徐々に又は段階的に、所定速度で巻出ローラ９３ｂから巻取ローラ９３ｃに向かって一方向に送られる。これにより、研磨テープ９３ａの研磨面９３ｄから露出する部分が未使用部分になるので、常に正常な研磨テープ９３ａを基板Ｗ１に接触させることができる。図７に示す例では、研磨ヘッド９３は、一組の研磨テープ９３ａ、巻出ローラ９３ｂ、及び巻取ローラ９３ｃを有しているが、これらを複数組有していてもよい。
　図８は、研磨装置９１で基板Ｗ１を研磨する例を示す斜視図である。図８に示すように、研磨装置９１の研磨ヘッド９３に対向する位置には、第１のベルヌーイチャックユニット７２を備えた多孔質プラテン９９が配置される。多孔質プラテン９９は、ポーラスセラミックやポーラスカーボンから形成され、基板Ｗ１の幅方向両端部に対向する位置に吸引孔９９ａを有する。図示しない真空源によって吸引孔９９ａから空気を吸引することにより、多孔質プラテン９９上を搬送されている基板Ｗ１の端部が、吸引孔９９ａに吸着される。これにより、研磨ヘッド９３が基板Ｗ１を研磨しているときに生じる摩擦により、基板Ｗ１が第１のベルヌーイチャックユニット７２からずれることを抑制することができる。
　図９及び図１０は、研磨ヘッド９３で基板Ｗ１を研磨するときの、基板Ｗ１の搬送と研磨ヘッド９３の動きの例を示す概略図である。図９及び図１０に示す例では、２つの研磨装置９１が準備され、搬送方向の上流側に位置する研磨装置９１は粗い研磨を行い、搬送方向の下流側に位置する研磨装置は細かい研磨（仕上げ研磨）を行う。図９に示す例では、基板Ｗ１は間欠的に搬送される。即ち、所定距離の基板Ｗ１の搬送と、所定時間の搬送停止とが繰り返される。この場合、研磨装置９１の研磨ヘッド９３は、基板Ｗ１の搬送が停止している間に基板Ｗ１の幅方向に移動し、基板Ｗ１は、研磨ヘッド９３の移動が停止している間に所定距離だけ搬送される。図１０に示す例では、基板Ｗ１は連続的に搬送され、研磨ヘッド９３は連続的に往復移動する。この場合、基板Ｗ１の搬送と、研磨ヘッド９３の移動とが同時に行われる。
　図６に戻り、洗浄装置５０の説明をする。第２チャンバ５４には、図５に示した第１チャンバ５３と同様に、搬送部７０と、円盤型スクラブ装置８１と、洗浄ジェットノズル装置８３とが設けられる。第２チャンバ５４では、基板Ｗ１は、搬送部７０により傾斜した状態で搬送されつつ、円盤型スクラブ装置８１で洗浄され、続いて洗浄ジェットノズル装置８３で洗浄される。
　第３チャンバ５５には、図２に示した第３チャンバ５５と同様に、第３のベルヌーイチャック８５ａとリフタ８５ｂとを備えた鉛直搬送機構８５が設けられる。第４チャンバ５６には、図２に示した第４チャンバ５６及び図５に示した第２チャンバ５４と同様に、搬送部７０と、ロール型スクラブ装置８７が設けられる。第５チャンバ５７には、図２及び図５に示した第５チャンバ５７と同様に、搬送部７０と、エアナイフ装置８８と、イオナイザ８９とが設けられる。
　図１１は、他の形態に係る洗浄装置５０の概略側断面図である。図１１に示す洗浄装置５０は、第１チャンバ５３、第２チャンバ５４、第３チャンバ５５、第４チャンバ５６、第５チャンバ５７、第６チャンバ５８、及び第７チャンバ５９を有する。図１１に示す洗浄装置５０は、図２及び図５に示した洗浄装置５０と類似の構成を有しているので、異なる部分を中心に説明する。
　第１チャンバ５３には、図６に示した第１チャンバ５３と同様に、基板Ｗ１を傾斜した状態で搬送する搬送部７０と、基板Ｗ１に対して研磨をするための研磨装置９１とが設けられる。第１チャンバ５３の研磨装置９１は、基板Ｗ１の上面を研磨する。第２チャンバ５４に、第１チャンバ５３から搬送された基板Ｗ１を表裏反転する反転機構８４が設けられる。反転機構８４は、図３Ａ及び図３Ｂに示した搬送部７０を有する。反転機構８４は、第１チャンバ５３から受け取った基板Ｗ１を、搬送部７０の駆動部７１、第１のベルヌーイチャックユニット７２、及び第２のベルヌーイチャックユニット７３（図３Ａ及び図３Ｂ参照）により保持し、表裏反転させる。反転された基板Ｗ１は、搬送部７０によって第３チャンバ５５に搬送される。
　第３チャンバ５５には、図６に示した第１チャンバ５３と同様に、基板Ｗ１を傾斜した状態で搬送する搬送部７０と、基板Ｗ１に対して研磨をするための研磨装置９１とが設けられる。第３チャンバ５５の研磨装置９１は、反転された基板Ｗ１の上面を研磨する。したがって、第１チャンバ５３の研磨装置９１と、第３チャンバ５５の研磨装置９１により、基板Ｗ１の両面が研磨される。
　第４チャンバ５６には、図２及び図６に示した第３チャンバ５５と同様に、第３のベルヌーイチャック８５ａとリフタ８５ｂとを備えた鉛直搬送機構８５が設けられる。第５チャンバ５７には、図２及び図６に示した第４チャンバ５６及び図５に示した第２チャンバ５４と同様に、搬送部７０と、ロール型スクラブ装置８７が設けられる。第６チャンバ５８には、図５に示した第１チャンバ５３及び図６に示した第２チャンバ５４と同様に、搬送部７０と、円盤型スクラブ装置８１と、洗浄ジェットノズル装置８３とが設けられる。第７チャンバ５９には、図２、図５、及び図６に示した第５チャンバ５７と同様に、搬送部７０と、エアナイフ装置８８と、イオナイザ８９とが設けられる。
　以上で説明したように、本実施形態に係る洗浄装置５０によれば、搬送部７０が基板Ｗ１の上端部の端面を保持しながら基板Ｗ１を搬送するので、基板Ｗ１を傾斜した姿勢で搬送しても、基板Ｗ１が撓むことを抑制することができる。また、図２、図５、図６、図１１に示すように、洗浄処理、研磨処理、乾燥処理を含む様々な処理部を有する処理装置においても、搬送部７０により、基板Ｗ１が撓むことを抑制しつつ、適切に搬送することができる。
　次に、本実施形態に係る処理装置を備えた他のめっき装置の例について説明する。図１２は、本実施形態に係る処理装置を備えた他のめっき装置の全体配置図である。本実施形態に係るめっき装置は、処理装置の一例として洗浄装置５０を有する。めっき装置２００は、図１２に示すように、基板ホルダに基板をロードするロード部２１０と、基板を処理する処理部２２０と、基板ホルダから基板をアンロードするアンロード部２３０と、洗浄部５０ａとに大きく分けられる。処理部２２０は、さらに、基板の前処理を行う前処理部２２０Ａと、基板にめっき処理を行うめっき処理部２２０Ｂと、基板の後処理を行う後処理部２２０Ｃと、を含む。なお、このめっき装置２００で処理する基板は、図１に示しためっき装置１００と同様に、角形基板、円形基板を含む。また、角形基板は、角形のプリント基板や、その他のめっき対象物を含む。
　ロード部２１０には、２台のカセットテーブル２５と、基板脱着機構２９ａと、ストッカ３０と、基板搬送装置２７ａと、基板搬送装置２７ａの走行機構２８ａと、が配置されている。ロード部２１０の基板脱着機構２９ａは、基板を図示しない基板ホルダに保持させる。ロード部２１０の後段側には、前処理部２２０Ａが配置される。前処理部２２０Ａは、プリウェット槽３２と、プリソーク槽３３と、プリリンス槽３４とを有する。プリウェット槽３２、プリソーク槽３３、プリリンス槽３４は、この順に配置されている。
　前処理部２２０Ａの後段側には、めっき処理部２２０Ｂが配置される。めっき処理部２２０Ｂは、オーバーフロー槽３８を備えた複数のめっき槽３９を有する。めっき処理部２２０Ｂの後段側には、後処理部２２０Ｃが配置される。後処理部２２０Ｃは、リンス槽３６と、ブロー槽３５と、を有する。リンス槽３６、ブロー槽３５は、後段側に向かってこの順に配置されている。
　後処理部２２０Ｃの後段側には、アンロード部２３０が配置される。アンロード部２３０には、２台のカセットテーブル２５と、基板脱着機構２９ｂと、基板搬送装置２７ｂと、基板搬送装置２７ｂの走行機構２８ｂと、が配置されている。洗浄部５０ａは、図２に示した洗浄装置５０を有する。基板搬送装置２７ｂは、めっき処理後の基板を洗浄装置５０に搬送し、洗浄装置５０から取り出すように構成される。
　めっき装置２００は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダを基板とともに搬送する基板ホルダ搬送装置３７ａ，３７ｂを有する。基板ホルダ搬送装置３７ａ，３７ｂは、基板脱着機構２９ａ，２９ｂ、プリウェット槽３２、プリソーク槽３３、プリリンス槽３４、ブロー槽３５、リンス槽３６、及びめっき槽３９との間で基板ホルダを搬送するように構成される。図３に示すように２つの基板ホルダ搬送装置３７ａ，３７ｂを設けた場合は、めっき処理前の基板を保持した基板ホルダのみを一方の基板ホルダ搬送装置が搬送し、めっき処理後の基板を保持した基板ホルダのみを他方の基板ホルダ搬送装置が搬送するようにすることで、基板ホルダの受け渡しの待機時間が発生することを抑制している。なお、基板ホルダ搬送装置３７ａ，３７ｂは、いずれか一方のみめっき装置２００に設けられてもよい。この場合は、めっき装置のフットプリントを削減することができる。
　以上で説明したように、本実施形態に係る洗浄装置５０は、図１２に示すようなロード部２１０とアンロード部２３０が離間して配置されるめっき装置２００にも備え付けることができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
　以下に本明細書が開示する態様のいくつかを記載しておく。
　第１態様によれば、処理装置が提供される。この処理装置は、処理物の平面が水平に対して搬送方向軸周りに傾斜した状態で前記被処理物を搬送する搬送部と、前記被処理物の前記平面に対して、研磨、洗浄、及び乾燥の少なくとも一つを実行する処理部と、を有する。前記搬送部は、前記被処理物の端部に物理的に接触して前記被処理物に搬送方向の力を加えるように構成される駆動部と、前記被処理物の前記平面に対向して配置される第１のベルヌーイチャックと、前記被処理物の前記端部とは逆側の端部の端面に対向して配置される第２のベルヌーイチャックと、を有する。
　第１態様によれば、第２のベルヌーイチャックが被処理物の端面に対向して配置されるので、被処理物の端部の端面を保持することができる。このため、被処理物を傾斜した姿勢で搬送しても、被処理物が撓むことを抑制することができる。また、被処理物の面内方向の位置を第２のベルヌーイチャックにより保持することができるので、被処理物の下端部を駆動部に安定して接触させ、安定して搬送することができる。
　第２のベルヌーイチャックは、被処理物の厚さ方向の移動を制限することはできない。このため、被処理物が非常に柔らかい場合に、仮に被処理物の端部が湾曲して第２のベルヌーイチャックの対向位置からずれてしまうと、第２のベルヌーイチャックは被処理物の端面を適切に保持できなくなる。しかしながら、第１態様によれば、第１のベルヌーイチャックが被処理物の平面に対向して配置されるので、被処理物の厚さ方向の移動を制限し、被処理物の端部が湾曲することを防止することができる。このため、被処理物が非常に柔らかい場合であっても、被処理物の端部を第２のベルヌーイチャックの対向位置に保持することができ、その結果、第２のベルヌーイチャックが被処理物の端部の端面を適切に保持することができる。
　また、第１態様によれば、被処理物の一端部が駆動部により搬送され、その逆側の端部は第２のベルヌーイチャックで保持される。このため、被処理物の下端部及び上端部の両方をローラ等の駆動部で搬送する場合に比べて、駆動部の数を減らすことができる。駆動部は、被処理物に物理的に接触するので、摩耗により定期的な交換が必要になる。したがって、駆動部の数を減らすことで、交換する駆動部の数も減ることになり、交換に要する作業コスト及び部品コストを低減することができる。また、駆動部の数が減ることで、被処理部への物理的な接触回数、接触時間を少なくして、被処理部への物理的な影響を低減することができる。
　第２態様によれば、第１態様の処理装置において、前記搬送部は、前記被処理物の前記平面が水平に対して５°以上８５°以下の角度で傾斜した状態で前記被処理物を搬送するように構成される。
　処理装置において、液体を使用した処理を被処理物に実施すると、被処理物の表面に付着したパーティクルが液体によって洗い流される。このとき、被処理物の傾斜角度が５°未満であると、パーティクルを含む液体が被処理物から落ち難くなる。また、傾斜角度が８５°超であると、液体が被処理物から直ちに落下するので、被処理物が乾燥する虞がある。被処理物が乾燥すると、被処理物に付着していた洗浄液に含まれるパーティクルが被処理物の表面に残ってしまう。そこで、第２態様によれば、パーティクルを含む液体を落下させつつ、被処理物の乾燥を抑制することができる。
　第３態様によれば、第１又は第２態様の処理装置において、前記被処理物の両面に対向して配置される複数の前記第１のベルヌーイチャックを有する。
　第３態様によれば、被処理物の両面が第１のベルヌーイチャックによって保持することができるので、被処理物の厚さ方向の移動をいっそう確実に制限することができる。
　第４態様によれば、第１から第３態様のいずれかの処理装置において、前記被処理物の搬送方向に沿って配置される複数の前記第１のベルヌーイチャックを有し、前記処理部は、前記被処理物の搬送方向に沿って配置される複数の前記第１のベルヌーイチャックの間に配置される。
　第４態様によれば、処理部が第１のベルヌーイチャックの間に配置されるので、被処理物の処理部によって処理されている部分の両側を第１のベルヌーイチャックで保持することができ、処理部による処理を安定して行うことができる。
　第５態様によれば、第１から第４態様のいずれかの処理装置において、前記第２のベルヌーイチャックは、前記被処理物の搬送方向において、前記第１のベルヌーイチャックよりも長い。
　第５態様によれば、第２のベルヌーイチャックで被処理物の端面を広い範囲で保持しつつ、第１のベルヌーイチャック間に研磨、洗浄、乾燥するための処理部を配置するスペースを確保することができる。
　第６態様によれば、第１から第５態様のいずれかの処理装置において、前記第１のベルヌーイチャックは、前記被処理物を挟んで前記処理部と対向する位置に配置される。
　第６形態によれば、処理部で基板Ｗ１の表面を処理するときに最も圧力が加わる被処理物の部分を、第１のベルヌーイチャックによって処理部の反対側から保持することができる。したがって、処理部を被処理物に押し付けても、被処理物が撓むことを抑制することができる。
　第７態様によれば、第１から第６態様のいずれかの処理装置において、被処理物の入口と、前記被処理物の出口と、前記入口から投入された前記被処理物が搬送される第１搬送経路と、前記第１搬送経路において前記被処理物が搬送される方向とは逆方向に前記被処理物が搬送され、前記第１搬送経路及び前記出口につながる第２搬送経路と、前記第１搬送経路と前記第２搬送経路とを接続する鉛直搬送経路と、前記鉛直搬送経路において、前記第１搬送経路から前記第２搬送経路に向かって鉛直方向に前記被処理物を搬送する鉛直搬送機構を有する。
　第７態様によれば、第１搬送経路と第２搬送経路において逆方向に被処理物が搬送されるので、第１搬送経路と第２搬送経路とによって往復経路が形成され、洗浄装置全体の長さを低減しつつ、十分な経路長を確保することができる。また、第１搬送経路と第２搬送経路とによって往復経路が形成されるので、入口と出口とを近接して配置することができる。これにより、１台の被処理物搬送装置が大きな移動をすることなく、入口への被処理物の投入、出口からの被処理物の取り出しを行うことができる。
　第８態様によれば、第７態様の処理装置において、前記鉛直搬送機構は、前記被処理物を非接触で保持するように構成された第３のベルヌーイチャックを有する。第８態様によれば、被処理物を非接触で鉛直搬送することができる。
　第９態様によれば、第１から第７態様の処理装置を備えためっき装置が提供される。このめっき装置は、めっき処理部と、基板搬送部と、を備える。前記基板搬送部は、前記めっき処理部でめっき処理された前記被処理物を前記処理装置の入口に投入し、前記処理装置で処理された前記被処理物を前記出口から取り出すように構成される。
　第１０態様によれば、処理方法が提供される。この処理方法は、被処理物の平面が水平に対して搬送方向軸周りに傾斜した状態で前記被処理物を搬送する工程と、前記被処理物の前記平面に対して、研磨、洗浄、及び乾燥の少なくとも一つを実行する処理工程と、を有する。前記搬送する工程は、前記被処理物の端部に搬送方向の力を物理的に加える工程と、前記被処理物の厚さ方向の移動を制限するように、前記被処理物の前記平面を第１のベルヌーイチャックで保持する工程と、前記搬送方向と直交する前記被処理物の面内方向の移動を制限するように、前記被処理物の前記端部とは逆側の端部の端面を第２のベルヌーイチャックで保持する工程と、を有する。
　第１０態様によれば、第２のベルヌーイチャックが被処理物の端部の端面を保持することができる。このため、被処理物を傾斜した姿勢で搬送しても、被処理物が撓むことを抑制することができる。また、被処理物の面内方向の位置を第２のベルヌーイチャックにより保持することができるので、被処理物の下端部を駆動部に安定して接触させ、安定して搬送することができる。
　第２のベルヌーイチャックは、被処理物の厚さ方向の移動を制限することはできない。このため、被処理物が非常に柔らかい場合に、仮に被処理物の端部が湾曲して第２のベルヌーイチャックの対向位置からずれてしまうと、第２のベルヌーイチャックは被処理物の端面を適切に保持できなくなる。しかしながら、第１０態様によれば、第１のベルヌーイチャックが被処理物の平面を保持するので、被処理物の厚さ方向の移動を制限し、被処理物の端部が湾曲することを防止することができる。このため、被処理物が非常に柔らかい場合であっても、被処理物の端部を第２のベルヌーイチャックの対向位置に保持することができ、その結果、第２のベルヌーイチャックが被処理物の端部の端面を適切に保持することができる。
　また、第１０態様によれば、被処理物の一端部に搬送方向の力が物理的に加えられ、その逆側の端部は第２のベルヌーイチャックで保持される。このため、被処理物の下端部及び上端部の両方に物理的な力が加えられる場合に比べて、被処理部への物理的な接触回数、接触時間を少なくして、被処理部への物理的な影響を低減することができる。
　第１１態様によれば、第１０態様の処理方法において、前記搬送する工程は、前記被処理物の前記平面が水平に対して５°以上８５°以下の角度で傾斜した状態で前記被処理物を搬送する工程を含む。
　液体を使用した処理を被処理物に実施すると、被処理物の表面に付着していたパーティクルが液体によって洗い流される。このとき、被処理物の傾斜角度が５°未満であると、パーティクルを含む液体が被処理物から落ち難くなる。また、傾斜角度が８５°超であると、液体が被処理物から直ちに落下するので、被処理物が乾燥する虞がある。被処理物が乾燥すると、被処理物に付着していた洗浄液に含まれるパーティクルが被処理物の表面に残ってしまう。そこで、第１１態様によれば、パーティクルを含む液体を落下させつつ、被処理物の乾燥を抑制することができる。
　第１２態様によれば、第１０又は第１１態様の処理方法において、前記第１のベルヌーイチャックで保持する工程は、前記被処理物の両面を複数の前記第１のベルヌーイチャックで保持する工程を有する。
　第１２態様によれば、被処理物の両面が第１のベルヌーイチャックによって保持することができるので、被処理物の厚さ方向の移動をいっそう確実に制限することができる。
　第１３態様によれば、第１０から第１２態様のいずれかの処理方法において、前記搬送する工程は、第１搬送経路を通じて前記被処理物を搬送する工程と、前記第１搬送経路から第２搬送経路に向かって鉛直方向に前記被処理物を搬送する鉛直搬送工程と、前記第２搬送経路を通じて前記被処理物を搬送する工程と、を有する。前記鉛直搬送工程は、第３のベルヌーイチャックを用いて前記被処理物を非接触で保持しながら搬送する。第１３態様によれば、第１搬送経路から第２搬送経路に向かう鉛直搬送経路において、被処理物を非接触で鉛直方向に搬送することができる。
　第１４態様によれば、第１０から第１３態様のいずれかの処理方法において、研磨、洗浄、及び乾燥の少なくとも一つを実行する前記処理工程は、ヘッド部に保持され、所定速度で一方向に送られるテープ部材を前記被処理物の前記平面に押圧させて行う工程を含む。
　第１５態様によれば、第１０から第１４態様のいずれかの処理方法において、研磨、洗浄、及び乾燥の少なくとも一つを実行する前記処理工程は、ヘッド部に保持されたシート状部材を前記被処理物の前記平面に押圧させて行う工程を含む。
　第１６態様によれば、被処理物の平面が水平に対して搬送方向軸周りに傾斜した状態で前記被処理物を搬送する搬送装置が提供される。この搬送装置は、前記被処理物の端部に物理的に接触して前記被処理物に搬送方向の力を加えるように構成される駆動部と、前記被処理物の前記平面に対向して配置される第１のベルヌーイチャックと、前記被処理物の前記端部とは逆側の端部の端面に対向して配置される第２のベルヌーイチャックと、を有する。
　第１６態様によれば、第２のベルヌーイチャックが被処理物の端面に対向して配置されるので、被処理物の端部の端面を保持することができる。このため、被処理物を傾斜した姿勢で搬送しても、被処理物が撓むことを抑制することができる。また、被処理物の面内方向の位置を第２のベルヌーイチャックにより保持することができるので、被処理物の下端部を駆動部に安定して接触させ、安定して搬送することができる。
　第２のベルヌーイチャックは、被処理物の厚さ方向の移動を制限することはできない。このため、被処理物が非常に柔らかい場合に、仮に被処理物の端部が湾曲して第２のベルヌーイチャックの対向位置からずれてしまうと、第２のベルヌーイチャックは被処理物の端面を適切に保持できなくなる。しかしながら、第１６態様によれば、第１のベルヌーイチャックが被処理物の平面に対向して配置されるので、被処理物の厚さ方向の移動を制限し、被処理物の端部が湾曲することを防止することができる。このため、被処理物が非常に柔らかい場合であっても、被処理物の端部を第２のベルヌーイチャックの対向位置に保持することができ、その結果、第２のベルヌーイチャックが被処理物の端部の端面を適切に保持することができる。
　また、第１６態様によれば、被処理物の一端部が駆動部により搬送され、その逆側の端部は第２のベルヌーイチャックで保持される。このため、被処理物の下端部及び上端部の両方をローラ等の駆動部で搬送する場合に比べて、駆動部の数を減らすことができる。駆動部は、被処理物に物理的に接触して摩耗するので、定期的な交換が必要になる。したがって、駆動部の数を減らすことで、交換する駆動部の数も減ることになり、交換に要する作業コスト及び部品コストを低減することができる。また、駆動部の数が減ることで、被処理部への物理的な接触回数、接触時間を少なくして、被処理部への物理的な影響を低減することができる。
　　２７，２７ａ，２７ｂ…基板搬送装置
　　５０…洗浄装置
　　５１…入口
　　５２…出口
　　７０…搬送部
　　７１…駆動部
　　７２ａ…第１のベルヌーイチャック
　　７３ａ…第２のベルヌーイチャック
　　７３ｂ…第１のベルヌーイチャック
　　８１…円盤型スクラブ装置
　　８３…洗浄ジェットノズル装置
　　８５…鉛直搬送機構
　　８５ａ，８６ａ…第３のベルヌーイチャック
　　８６…鉛直搬送機構
　　８７…ロール型スクラブ装置
　　８８…エアナイフ装置
　　８９…イオナイザ
　　９０…水平搬送機構
　　９１…研磨装置
　　９３…研磨ヘッド
　　９３ａ…研磨テープ
　　１００，２００…めっき装置
　　１２０Ｂ，２２０Ｂ…めっき処理部

Claims (16)

  1. 　被処理物の平面が水平に対して搬送方向軸周りに傾斜した状態で前記被処理物を搬送する搬送部と、
    　前記被処理物の前記平面に対して、研磨、洗浄、及び乾燥の少なくとも一つを実行する処理部と、を有し、
    　前記搬送部は、
    　　前記被処理物の端部に物理的に接触して前記被処理物に搬送方向の力を加えるように構成される駆動部と、
    　　前記被処理物の前記平面に対向して配置される第１のベルヌーイチャックと、
    　　前記被処理物の前記端部とは逆側の端部の端面に対向して配置される第２のベルヌーイチャックと、を有する、処理装置。
  2. 　請求項１に記載された処理装置において、
    　前記搬送部は、前記被処理物の前記平面が水平に対して５°以上８５°以下の角度で傾斜した状態で前記被処理物を搬送するように構成される、処理装置。
  3. 　請求項１又は２に記載された処理装置において、
    　前記被処理物の両面に対向して配置される複数の前記第１のベルヌーイチャックを有する、処理装置。
  4. 　請求項１から３のいずれか一項に記載された処理装置において、
    　前記被処理物の搬送方向に沿って配置される複数の前記第１のベルヌーイチャックを有し、
    　前記処理部は、前記被処理物の搬送方向に沿って配置される複数の前記第１のベルヌーイチャックの間に配置される、処理装置。
  5. 　請求項１から４のいずれか一項に記載された処理装置において、
    　前記第２のベルヌーイチャックは、前記被処理物の搬送方向において、前記第１のベルヌーイチャックよりも長い、処理装置。
  6. 　請求項１から５のいずれか一項に記載された処理装置において、
    　前記第１のベルヌーイチャックは、前記被処理物を挟んで前記処理部と対向する位置に配置される、処理装置。
  7. 　請求項１から６のいずれか一項に記載された処理装置において、
    　被処理物の入口と、
    　前記被処理物の出口と、
    　前記入口から投入された前記被処理物が搬送される第１搬送経路と、
    　前記第１搬送経路において前記被処理物が搬送される方向とは逆方向に前記被処理物が搬送され、前記第１搬送経路及び前記出口につながる第２搬送経路と、
    　前記第１搬送経路と前記第２搬送経路とを接続する鉛直搬送経路と、
    　前記鉛直搬送経路において、前記第１搬送経路から前記第２搬送経路に向かって鉛直方向に前記被処理物を搬送する鉛直搬送機構を有する、処理装置。
  8. 　請求項７に記載された処理装置において、
    　前記鉛直搬送機構は、前記被処理物を非接触で保持するように構成された第３のベルヌーイチャックを有する、処理装置
  9. 　請求項１から８のいずれか一項に記載された処理装置を備えためっき装置であって、
    　めっき処理部と、
    　基板搬送部と、を備え、
    　前記基板搬送部は、前記めっき処理部でめっき処理された前記被処理物を前記処理装置の入口に投入し、前記処理装置で処理された前記被処理物を前記出口から取り出すように構成される、めっき装置。
  10. 　被処理物の平面が水平に対して搬送方向軸周りに傾斜した状態で前記被処理物を搬送する工程と、
    　前記被処理物の前記平面に対して、研磨、洗浄、及び乾燥の少なくとも一つを実行する処理工程と、を有し、
    　前記搬送する工程は、
    　　前記被処理物の端部に搬送方向の力を物理的に加える工程と、
    　　前記被処理物の厚さ方向の移動を制限するように、前記被処理物の前記平面を第１のベルヌーイチャックで保持する工程と、
    　　前記搬送方向と直交する前記被処理物の面内方向の移動を制限するように、前記被処理物の前記端部とは逆側の端部の端面を第２のベルヌーイチャックで保持する工程と、を有する、処理方法。
  11. 　請求項１０に記載された処理方法において、
    　前記搬送する工程は、前記被処理物の前記平面が水平に対して５°以上８５°以下の角度で傾斜した状態で前記被処理物を搬送する工程を含む、処理方法。
  12. 　請求項１０又は１１に記載された処理方法において、
    　前記第１のベルヌーイチャックで保持する工程は、前記被処理物の両面を複数の前記第１のベルヌーイチャックで保持する工程を有する、処理方法。
  13. 　請求項１０から１２のいずれか一項に記載された処理方法において、
    　前記搬送する工程は、
    　　第１搬送経路を通じて前記被処理物を搬送する工程と、
    　　前記第１搬送経路から第２搬送経路に向かって鉛直方向に前記被処理物を搬送する鉛直搬送工程と、
    　　前記第２搬送経路を通じて前記被処理物を搬送する工程と、を有し、
    　前記鉛直搬送工程は、第３のベルヌーイチャックを用いて前記被処理物を非接触で保持しながら搬送する、処理方法。
  14. 　請求項１０から１３のいずれか一項に記載された処理方法において、
    　研磨、洗浄、及び乾燥の少なくとも一つを実行する前記処理工程は、ヘッド部に保持され、所定速度で一方向に送られるテープ部材を前記被処理物の前記平面に押圧させて行う工程を含む、処理方法。
  15. 　請求項１０から１４のいずれか一項に記載された処理方法において、
    　研磨、洗浄、及び乾燥の少なくとも一つを実行する前記処理工程は、ヘッド部に保持されたシート状部材を前記被処理物の前記平面に押圧させて行う工程を含む、処理方法。
  16. 　被処理物の平面が水平に対して搬送方向軸周りに傾斜した状態で前記被処理物を搬送する搬送装置であって、
    　前記被処理物の端部に物理的に接触して前記被処理物に搬送方向の力を加えるように構成される駆動部と、
    　前記被処理物の前記平面に対向して配置される第１のベルヌーイチャックと、
    　前記被処理物の前記端部とは逆側の端部の端面に対向して配置される第２のベルヌーイチャックと、を有する、搬送装置。
     
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