JP2023076942A - 加工装置、及び加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液体の使用量を低減する加工装置及び加工方法を提供する。【解決手段】加工装置１は、加工部と、第１貯留部６１と、第１供給部６２と、を備える。加工部は、基板を保持する保持部と、保持部で保持されている基板を加工する処理部（工具駆動部）と、基板が保持部に受け渡される受渡エリアＢ１と基板が処理部で加工される加工エリアとＢ２の間で保持部を移動させる移動部（回転テーブル）と、を有する。第１貯留部は、受渡エリアから排出される液体Ｌを溜める。第１供給部は、第１貯留部に溜めた液体を加工エリアの対象物に供給する。【選択図】図４

Description

本開示は、加工装置、及び加工方法に関する。

特許文献１に記載の加工装置は、処理ステーションを備える。処理ステーションは、ウェハに対して研削や洗浄などを連続して行う。処理ステーションは、回転テーブルと、ウェハ洗浄ユニットと、チャック洗浄ユニットと、を有する。回転テーブル上には４つのチャックが設けられている。回転テーブルが回転することにより、４つのチャックが受渡位置および第１～第３加工位置に移動する。ウェハ洗浄ユニットは、第１～第３加工位置において研削処理中のウェハに対して水などを供給し、受渡位置において研削処理後のウェハに対して水などを供給する。チャック洗浄ユニットは、受渡位置においてチャックに対して水などを供給する。

国際公開第２０２０／１５３２１９号公報

本開示の一態様は、液体の使用量を低減する、技術を提供する。

本開示の一態様に係る加工装置は、加工部と、第１貯留部と、第１供給部と、を備える。前記加工部は、基板を保持する保持部と、前記保持部で保持されている前記基板を加工する処理部と、前記基板が前記保持部に受け渡される受渡エリアと前記基板が前記処理部で加工される加工エリアとの間で前記保持部を移動させる移動部と、を有する。前記第１貯留部は、前記受渡エリアから排出される液体を溜める。前記第１供給部は、前記第１貯留部に溜めた前記液体を前記加工エリアの対象物に供給する。

本開示の一態様によれば、液体の使用量を低減できる。

図１は、一実施形態に係る加工装置を示す平面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。 図３は、一実施形態に係る加工方法を示すフローチャートである。 図４は、加工装置で使用される液体の回路の一例を示す図である。 図５は、加工装置で使用される液体の回路の変形例を示す図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。

先ず、図１及び図２を参照して、一実施形態に係る加工装置１について説明する。加工装置１は、基板Ｗを加工し、加工した基板Ｗを洗浄する。加工装置１は、例えば、搬入出ブロック２と、洗浄ブロック３と、加工ブロック５と、を備える。搬入出ブロック２と、洗浄ブロック３と、加工ブロック５とは、この順番で、Ｘ軸負方向側からＸ軸正方向側に並んでいる。

搬入出ブロック２は、カセットＣが載置される載置部２１を含む。カセットＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。基板Ｗは、シリコンウェハ又は化合物半導体ウェハ等の半導体基板を含む。基板Ｗは、半導体基板の表面に形成されるデバイス層を更に含んでもよい。デバイス層は、例えば、電子回路を含む。基板Ｗは、半導体基板の代わりに、ガラス基板を含んでもよい。

洗浄ブロック３は、例えば、加工後の基板Ｗを洗浄する洗浄部３１Ａ、３１Ｂと、洗浄後の基板Ｗをエッチングするエッチング部３２Ａ、３２Ｂと、基板Ｗを反転する反転部３４と、基板Ｗを中継するトランジション部３５と、を含む。また、洗浄ブロック３は、第２搬送部３６と、第３搬送部３７と、を含む。

上方から見たときに、第２搬送部３６と第３搬送部３７は、矩形状の洗浄ブロック３の対角線上に設けられる。第２搬送部３６は、加工ブロック５に隣接しており、搬入出ブロック２に隣接していない。これに対し、第３搬送部３７は、搬入出ブロック２に隣接しており、加工ブロック５に隣接していない。

第２搬送部３６は、第２搬送部３６に隣接する複数の装置間で、基板Ｗを搬送する。第２搬送部３６は、基板Ｗを保持する搬送アームを有する。搬送アームは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。

第３搬送部３７は、第３搬送部３７に隣接する複数の装置間で、基板Ｗを搬送する。第３搬送部３７は、基板Ｗを保持する搬送アームを有する。搬送アームは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。

加工ブロック５は、基板Ｗを加工する加工部５０を備える。加工部５０は、例えば、基板Ｗを研削する。研削は、研磨を含む。加工部５０は、例えば、基板Ｗを保持する４つの保持部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄと、基板Ｗに押し当てられる工具Ｄを駆動する２つの工具駆動部５３Ａ、５３Ｂと、を含む。工具駆動部５３Ａ、５３Ｂは、工具Ｄを回転させたり昇降させたりする。

加工部５０は、回転中心線Ｒ１を中心に回転させられる回転テーブル５１を更に含んでもよい。４つの保持部５２Ａ～５２Ｄは、回転テーブル５１と共に回転させられる。４つの保持部５２Ａ～５２Ｄは、回転テーブル５１の回転中心線Ｒ１の周りに間隔をおいて設けられ、回転中心線Ｒ１を中心に同時に回転させられる。４つの保持部５２Ａ～５２Ｄは、各々の回転中心線Ｒ２を中心に独立に回転させられる。

２つの保持部５２Ａ、５２Ｃは、回転テーブル５１の回転中心線Ｒ１を中心に対称に配置される。各保持部５２Ａ、５２Ｃは、第１搬送部５４によって基板Ｗを搬入出する第１搬入出位置Ａ３と、１つの工具駆動部５３Ａによって基板Ｗを加工する第１加工位置Ａ１との間で移動する。２つの保持部５２Ａ、５２Ｃは、回転テーブル５１が１８０°回転する度に、第１搬入出位置Ａ３と、第１加工位置Ａ１との間で移動する。

別の２つの保持部５２Ｂ、５２Ｄは、回転テーブル５１の回転中心線Ｒ１を中心に対称に配置される。各保持部５２Ｂ、５２Ｄは、第１搬送部５４によって基板Ｗを搬入出する第２搬入出位置Ａ０と、別の工具駆動部５３Ｂによって基板Ｗを加工する第２加工位置Ａ２との間で移動する。別の２つの保持部５２Ｂ、５２Ｄは、回転テーブル５１が１８０°回転する度に、第２搬入出位置Ａ０と、第２加工位置Ａ２との間で移動する。

上方から見たときに、第１搬入出位置Ａ３と、第２搬入出位置Ａ０と、第１加工位置Ａ１と、第２加工位置Ａ２とは、この順番で、反時計回りに配置されている。この場合、上方から見たときに、保持部５２Ａと、保持部５２Ｂと、保持部５２Ｃと、保持部５２Ｄとは、この順番で、反時計回りに９０°ピッチで配置されている。

なお、第１搬入出位置Ａ３と第２搬入出位置Ａ０の位置が逆であって、且つ第１加工位置Ａ１と第２加工位置Ａ２の位置も逆であってもよい。つまり、上方から見たときに、第１搬入出位置Ａ３と、第２搬入出位置Ａ０と、第１加工位置Ａ１と、第２加工位置Ａ２とは、この順番で、時計回りに配置されてもよい。この場合、上方から見たときに、保持部５２Ａと、保持部５２Ｂと、保持部５２Ｃと、保持部５２Ｄとは、この順番で、時計回りに９０°ピッチで配置される。

但し、保持部の数は、４つには限定されない。工具駆動部の数も、２つには限定されない。また、回転テーブル５１は無くてもよい。回転テーブル５１の代わりに、スライドテーブルが設けられてもよい。

加工部５０は、後述する筐体５５の上方に、開閉カバー８１を有してもよい（図２参照）。開閉カバー８１は、第１搬入出位置Ａ３の上方空間と第２加工位置Ａ２の上方空間とを開閉可能に仕切ると共に、第２搬入出位置Ａ０の上方空間と第１加工位置Ａ１の上方空間とを開閉可能に仕切る。開閉カバー８１は、第１搬入出位置Ａ３の上方空間と第２加工位置Ａ２の上方空間の境界と、第２搬入出位置Ａ０の上方空間と第１加工位置Ａ１の上方空間の境界とに、それぞれ独立して設けられてもよい。

加工ブロック５は、加工ブロック５の内部で基板Ｗを搬送する第１搬送部５４を備える。第１搬送部５４は、基板Ｗを保持する吸着パッドを含む。吸着パッドは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。

加工ブロック５は、基板Ｗを一時的に待機させる待機部５７Ａ、５７Ｂ、５７Ｃ（図２参照）を含む。待機部５７Ａ、５７Ｂ、５７Ｃは、第１搬送部５４と第２搬送部３６との間で基板Ｗを中継する。待機部５７Ａ、５７Ｂは、第２搬送部３６から第１搬送部５４に基板Ｗを中継する。待機部５７Ｃは、第１搬送部５４から第２搬送部３６に基板Ｗを中継する。

待機部５７Ａ、５７Ｂは、基板Ｗの中心位置を調節するアライメント部を兼ねている。アライメント部は、ガイドなどで基板Ｗの中心位置を所望の位置に合わせる。これにより、第１搬送部５４が各保持部５２Ａ～５２Ｄに基板Ｗを渡す際に、各保持部５２Ａ～５２Ｄの回転中心線Ｒ２と基板Ｗの中心とを一致させることができる。

なお、アライメント部は、光学系などで基板Ｗの中心位置を検出してもよい。また、アライメント部は、光学系などで基板Ｗの結晶方位をも検出してもよく、具体的には基板Ｗの結晶方位を表すノッチをも検出してもよい。各保持部５２Ａ～５２Ｄと共に回転する回転座標系において、基板Ｗの結晶方位を所望の方位に位置合わせできる。

加工ブロック５は、基板Ｗを反転する反転部５８（図２参照）を含んでもよい。反転部５８と、待機部５７Ｃと、待機部５７Ｂと、待機部５７Ａとは、この順番で上から下に積層されている。なお、積層の順番は、特に限定されない。

反転部５８は、加工部５０から洗浄部３１Ａに至る基板Ｗの搬送経路の途中で、基板Ｗを一時的に待機させる待機部を兼ねる。反転部５８は、第１搬送部５４から第２搬送部３６に基板Ｗを中継する。なお、反転部５８は待機部を兼ねるが、反転部５８と待機部が別々に設けられてもよい。

加工装置１は、制御部９を更に備える。制御部９は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、加工装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、加工装置１の動作を制御する。

次に、図３を参照して、一実施形態に係る加工方法について説明する。加工方法は、例えば、図３に示すステップＳ１０１～Ｓ１１０を含む。ステップＳ１０１～Ｓ１１０は、制御部９による制御下で実施される。なお、加工方法は、図３に示す全てのステップを含まなくてもよいし、図３に不図示のステップを含んでもよい。

先ず、第３搬送部３７が、カセットＣから基板Ｗを取り出し、トランジション部３５に搬送する。続いて、第２搬送部３６が、トランジション部３５から基板Ｗを取り出し、待機部５７Ａに搬送する。基板Ｗは、互いに反対向きの第１主面と第２主面を有しており、第１主面を上に向けて搬送される。

次に、待機部５７Ａが、基板Ｗの中心位置を調節する（ステップＳ１０１）。その後、第１搬送部５４が、待機部５７Ａから基板Ｗを取り出し、第１搬入出位置Ａ３に位置する保持部（例えば保持部５２Ｃ）に搬送する。基板Ｗは、第１主面を上に向けて、保持部５２Ｃの上に載せられる。その際、基板Ｗの中心と、保持部５２Ｃの回転中心線Ｒ２とが合わせられる。その後、回転テーブル５１が１８０°回転させられ、保持部５２Ｃが第１搬入出位置Ａ３から第１加工位置Ａ１に移動させられる。

次に、工具駆動部５３Ａが、工具Ｄを駆動し、基板Ｗの第１主面を研削する（ステップＳ１０２）。その後、回転テーブル５１が１８０°回転させられ、保持部５２Ｃが第１加工位置Ａ１から第１搬入出位置Ａ３に移動させられる。続いて、第１搬送部５４が、第１搬入出位置Ａ３に位置する保持部５２Ｃから基板Ｗを取り出し、反転部５８に搬送する。

次に、反転部５８が、基板Ｗを反転させる（ステップＳ１０３）。基板Ｗが上下反転され、第１主面が下向きに、第２主面が上向きになる。その後、第２搬送部３６が、反転部５８から基板Ｗを取り出し、洗浄部３１Ａに搬送する。

次に、洗浄部３１Ａが、基板Ｗの第１主面を洗浄する（ステップＳ１０４）。洗浄部３１Ａによって加工屑等のパーティクルを除去できる。洗浄部３１Ａは、例えば基板Ｗをスクラブ洗浄する。洗浄部３１Ａは、基板Ｗの第１主面だけではなく第２主面をも洗浄してもよい。基板Ｗの乾燥後、第２搬送部３６が洗浄部３１Ａから基板Ｗを取り出し、待機部５７Ｂに搬送する。

次に、待機部５７Ｂが、基板Ｗの中心位置を調節する（ステップＳ１０５）。その後、第１搬送部５４が、待機部５７Ｂから基板Ｗを取り出し、第２搬入出位置Ａ０に位置する保持部（例えば保持部５２Ｄ）に搬送する。基板Ｗは、第２主面を上に向けて、保持部５２Ｄの上に載せられる。その際、基板Ｗの中心と、保持部５２Ｄの回転中心線Ｒ２とが合わせられる。その後、回転テーブル５１が１８０°回転させられ、保持部５２Ｃが第２搬入出位置Ａ０から第２加工位置Ａ２に移動させられる。

次に、工具駆動部５３Ｂが、工具Ｄを駆動し、基板Ｗの第２主面を研削する（ステップＳ１０６）。その後、回転テーブル５１が１８０°回転させられ、保持部５２Ｄが第２加工位置Ａ２から第２搬入出位置Ａ０に移動させられる。続いて、第１搬送部５４が、第２搬入出位置Ａ０に位置する保持部５２Ｄから基板Ｗを取り出し、待機部５７Ｃに搬送する。その後、第２搬送部３６が、待機部５７Ｃから基板Ｗを取り出し、洗浄部３１Ｂに搬送する。

次に、洗浄部３１Ｂが、基板Ｗの第２主面を洗浄する（ステップＳ１０７）。洗浄部３１Ｂによって加工屑等のパーティクルを除去できる。洗浄部３１Ｂは、例えば基板Ｗをスクラブ洗浄する。洗浄部３１Ｂは、基板Ｗの第２主面だけではなく第１主面をも洗浄してもよい。基板Ｗの乾燥後、第３搬送部３７が洗浄部３１Ｂから基板Ｗを取り出し、エッチング部３２Ｂに搬送する。

次に、エッチング部３２Ｂが、基板Ｗの第２主面をエッチングする（ステップＳ１０８）。エッチング部３２Ｂによって第２主面の加工痕を除去できる。基板Ｗの乾燥後、第３搬送部３７が、エッチング部３２Ｂから基板Ｗを取り出し、反転部３４に搬送する。

次に、反転部３４が、基板Ｗを反転させる（ステップＳ１０９）。基板Ｗが上下反転され、第１主面が上向きに、第２主面が下向きになる。その後、第３搬送部３７が、反転部３４から基板Ｗを取り出し、エッチング部３２Ａに搬送する。

次に、エッチング部３２Ａが、基板Ｗの第１主面をエッチングする（ステップＳ１１０）。エッチング部３２Ａによって第１主面の加工痕を除去できる。基板Ｗの乾燥後、第３搬送部３７が、エッチング部３２Ａから基板Ｗを取り出し、カセットＣに収納する。その後、今回の処理が終了する。

図３の説明では、１枚の基板Ｗに着目して加工方法を説明した。加工装置１は、スループットを向上すべく、複数の位置で、複数の処理を同時に実施してもよい。例えば、加工装置１は、第１加工位置Ａ１及び第２加工位置Ａ２の各々で、基板Ｗを同時に加工する。その間、加工装置１は、第１搬入出位置Ａ３及び第２搬入出位置Ａ０の各々で、例えば基板Ｗのスプレー洗浄、基板Ｗの板厚分布の測定、基板Ｗの搬出、保持部の基板吸着面（上面）の洗浄、及び基板Ｗの搬入などをこの順番で実施する。

その後、加工装置１は、回転テーブル５１を１８０°回転させる。続いて、加工装置１は、第１加工位置Ａ１及び第２加工位置Ａ２の各々で再び基板Ｗを同時に加工する。その間、加工装置１は、第１搬入出位置Ａ３及び第２搬入出位置Ａ０の各々で、再び、基板Ｗのスプレー洗浄、基板Ｗの板厚分布の測定、基板Ｗの搬出、保持部の基板吸着面（上面）の洗浄、及び基板Ｗの搬入などをこの順番で実施する。

なお、本実施形態の加工部５０は基板Ｗを研削する研削部であるが、本開示の技術はこれには限定されない。加工部５０は、基板Ｗを切断する切断部、基板Ｗを切削する切削部などであってもよい。加工部５０が研削部である場合、工具Ｄとして砥石などが用いられる。加工部５０が切断部である場合、工具Ｄとしてブレードなどが用いられる。加工部５０が切削部である場合、工具Ｄとしてエンドミルなどが用いられる。

次に、図１と図４を参照して加工装置１の要部について説明する。図１に示すように、加工部５０は、受渡エリアＢ１と加工エリアＢ２の間で保持部５２Ａ～５２Ｄを移動させる移動部を備える。移動部は、例えば回転テーブル５１を有する。移動部は、回転テーブル５１の代わりにスライドテーブルを有してもよい。

受渡エリアＢ１は、基板Ｗが保持部５２Ａ～５２Ｄに受け渡されるエリアである。受渡エリアＢ１は、例えば、第１搬入出位置Ａ３と、第２搬入出位置Ａ０と、を含む。受渡エリアＢ１では、基板Ｗの洗浄、基板Ｗの板厚分布の測定、基板Ｗの搬出、保持部５２Ａ～５２Ｄの基板吸着面（上面）の洗浄、及び基板Ｗの搬入などが行われる。

加工エリアＢ２は、基板Ｗが処理部で処理されるエリアである。処理部は、例えば工具駆動部５３Ａ、５３Ｂを含む。工具駆動部５３Ａ、５３Ｂは、基板Ｗに押し当てられる工具Ｄを駆動し、基板Ｗを加工する。加工エリアＢ２は、例えば、第１加工位置Ａ１と、第２加工位置Ａ２と、を含む。

図４に示すように、加工装置１の複数のエリアでは、同一の液体Ｌが使用される。液体Ｌは、例えば水である。液体Ｌが使用されるエリアは、例えば、加工部５０の受渡エリアＢ１と、加工部５０の加工エリアＢ２と、洗浄部３１Ａ、３１Ｂである。洗浄部３１Ａ、３１Ｂは、液体Ｌを吐出するノズル３１１を有する。ノズル３１１は、供給ライン７７１を介して液体Ｌの供給源７７２に接続されている。ノズル３１１の吐出する液体Ｌは、例えば基板Ｗの洗浄に使用される。

受渡エリアＢ１には、液体Ｌを吐出するノズル５６が設けられる。ノズル５６の吐出する液体Ｌは、例えば、基板Ｗの洗浄と、基板Ｗと保持部５２Ａ～５２Ｄの分離と、保持部５２Ａ～５２Ｄの基板吸着面（上面）の洗浄と、センサの温度調節と、筐体５５の洗浄から選ばれる少なくとも１つに使用される。基板Ｗの搬出時に、保持部５２Ａ～５２Ｄの基板吸着面が液体Ｌを噴出することで、基板Ｗと保持部５２Ａ～５２Ｄを分離できる。液体Ｌで温調するセンサは、例えば基板Ｗの板厚分布を測定する測定センサである。筐体５５は、回転テーブル５１と保持部５２Ａ～５２Ｄなどを収容し、液体Ｌの飛散を抑制する。

加工エリアＢ２には、液体Ｌを吐出するノズル５９、６５が設けられる。ノズル５９の吐出する液体Ｌは、例えば、工具駆動部５３Ａ、５３Ｂの洗浄と、筐体５５の内壁面の洗浄から選ばれる少なくとも１つに使用される。ノズル６５の吐出する液体Ｌは、例えば基板Ｗの加工に使用される。基板Ｗは、加工エリアＢ２で加工された後、受渡エリアＢ１で例えばスプレー洗浄され、その後、洗浄部３１Ａ、３１Ｂで例えばスクラブ洗浄される。

液体Ｌは、各エリアで対象物に供給された後、各エリアから別々に排出される。加工エリアＢ２から排出される液体Ｌは、受渡エリアＢ１から排出される液体Ｌに比べて汚れている。受渡エリアＢ１から排出される液体Ｌは、洗浄部３１Ａ、３１Ｂから排出される液体Ｌに比べて汚れている。

排出される液体Ｌの清浄度は、洗浄部３１Ａ、３１Ｂのものが最も高く、受渡エリアＢ１のものが２番目に高く、加工エリアＢ２のものが最も低い。使用時に液体Ｌに求められる清浄度も、洗浄部３１Ａ、３１Ｂのものが最も高く、受渡エリアＢ１のものが２番目に高く、加工エリアＢ２のものが最も低い。

加工装置１は、使用時に液体Ｌに求められる清浄度を考慮して、液体Ｌを再利用する。具体的には、例えば、加工装置１は、洗浄部３１Ａ、３１Ｂから排出された液体Ｌを溜めておき、溜めた液体Ｌを受渡エリアＢ１で再利用する。また、加工装置１は、受渡エリアＢ１から排出された液体Ｌを溜めておき、溜めた液体Ｌを加工エリアＢ２で再利用する。

液体Ｌを再利用すれば、液体Ｌの使用量ひいては廃棄量（以下、単に「液体Ｌの使用量など」と表記する。）を低減できる。但し、液体Ｌの再利用によって液体Ｌの品質が低下してしまう。本実施形態によれば、使用時に液体Ｌに求められる清浄度を考慮して液体Ｌを再利用するので、単に液体Ｌの使用量などを低減できるだけではなく、液体Ｌの品質低下による加工品質の低下を抑制できる。

加工装置１は、受渡エリアＢ１から排出される液体Ｌを溜める第１貯留部６１と、第１貯留部６１に溜めた液体Ｌを加工エリアＢ２の対象物に供給する第１供給部６２と、を備える。これにより、受渡エリアＢ１から排出された液体Ｌを溜めておき、溜めた液体Ｌを加工エリアＢ２で再利用できる。

第１貯留部６１は、例えば第１タンク６１１を有する。第１タンク６１１は、配管６６を介して受渡エリアＢ１における液体Ｌの排出口６３と接続されており、受渡エリアＢ１から排出される液体Ｌを溜める。

受渡エリアＢ１における液体Ｌの排出口６３と、加工エリアＢ２における液体Ｌの排出口６４とは、別々に設けられる。受渡エリアＢ１から排出される液体Ｌを、加工エリアＢ２から排出される液体Ｌから分離して回収できる。

加工エリアＢ２における液体Ｌの排出口６４は、配管６７を介して排水設備（不図示）と接続されている。加工エリアＢ２から排出される液体Ｌは、加工装置１で再利用されることなく、加工装置１の外部の排水設備で処理された後、廃棄される。

第１貯留部６１は、第１貯留部６１に溜められている液体Ｌの温度を調節する第１温調器６１２を有してもよい。第１供給部６２によって液体Ｌを供給する対象物（例えば基板Ｗ、工具Ｄなど）の温度を一定に維持でき、基板Ｗの加工品質を一定に維持できる。

第１温調器６１２は、冷却器を含むが、加熱器を含んでもよい。第１温調器６１２は、第１タンク６１１の内部に設けられ、液体Ｌに浸漬されているが、第１タンク６１１の外部に設けられ、第１タンク６１１の温度を調節することで、液体Ｌの温度を調節してもよい。第１温調器６１２は、第１供給ライン６２１に設けられてもよい。

第１供給部６２は、例えば第１供給ライン６２１と、第１ポンプ６２２と、第１フィルター６２３と、を有する。第１供給ライン６２１は、例えば加工エリアＢ２に配置されるノズル５６と第１タンク６１１を接続する。第１ポンプ６２２は、第１供給ライン６２１の途中に設けられ、第１タンク６１１からノズル５６に液体Ｌを送る。第１フィルター６２３は、第１供給ライン６２１の途中で液体Ｌに混じるパーティクルを捕集する。

加工装置１は、洗浄部３１Ａ、３１Ｂから排出される液体Ｌを溜める第２貯留部７１と、第２貯留部７１に溜めた液体Ｌを受渡エリアＢ１の対象物に供給する第２供給部７２と、を備える。これにより、洗浄部３１Ａ、３１Ｂから排出された液体Ｌを溜めておき、溜めた液体Ｌを受渡エリアＢ１で再利用できる。

第２貯留部７１は、例えば第２タンク７１１を有する。第２タンク７１１は、配管６９を介して洗浄部３１Ａ、３１Ｂにおける液体Ｌの排出口７０と接続されており、洗浄部３１Ａ、３１Ｂから排出される液体Ｌを溜める。

第２貯留部７１は、図示しないが、第２貯留部７１に溜められている液体Ｌの温度を調節する第２温調器を有してもよい。第２供給部７２によって液体Ｌを供給する対象物（例えば基板Ｗ、センサなど）の温度を一定に維持でき、基板Ｗの加工品質を一定に維持できる。

第２供給部７２は、例えば第２供給ライン７２１と、第２ポンプ７２２と、第２フィルター７２３と、を有する。第２供給ライン７２１は、例えば受渡エリアＢ１に配置されるノズル５９と第２タンク７１１を接続する。第２ポンプ７２２は、第２供給ライン７２１の途中に設けられ、第２タンク７１１からノズル５９に液体Ｌを送る。第２フィルター７２３は、第２供給ライン７２１の途中で液体Ｌに混じるパーティクルを捕集する。

なお、受渡エリアＢ１では、上記の通り、基板Ｗの搬出時に、保持部５２Ａ～５２Ｄの基板吸着面が液体Ｌを噴出し、基板Ｗと保持部５２Ａ～５２Ｄを分離する。従って、第２供給ライン７２１は、保持部５２Ａ～５２Ｄと第２タンク７１１を接続してもよい。

第１貯留部６１は、第２貯留部７１に接続されており第２貯留部７１から余剰の液体Ｌを回収する。例えば、第１タンク６１１と第２タンク７１１とが隣接されており、第１タンク６１１は第２タンク７１１からオーバーフローした液体Ｌを回収する。余剰の液体Ｌを有効利用できる。

第１タンク６１１からオーバーフローする液体Ｌは、配管６８を介して排水設備に送られ、排水設備で処理された後、廃棄される。

加工装置１は、第２貯留部７１に溜めた液体Ｌを加工エリアＢ２の対象物に供給する第３供給部７６を備えてもよい。これにより、洗浄部３１Ａ、３１Ｂから排出された液体Ｌを溜めておき、溜めた液体Ｌを加工エリアＢ２で再利用できる。

第３供給部７６は、例えば第３供給ライン７６１と、第３ポンプ７６２と、第３フィルター７６３と、を有する。第３供給ライン７６１は、例えば加工エリアＢ２に配置されるノズル５６と第２タンク７１１を接続する。第３ポンプ７６２は、第３供給ライン７６１の途中に設けられ、第２タンク７１１からノズル５６に液体Ｌを送る。第３フィルター７６３は、第３供給ライン７６１の途中で液体Ｌに混じるパーティクルを捕集する。

加工装置１は、第１貯留部６１に対して液体Ｌを補給する補給部７３を備える。第１貯留部６１で液体Ｌの貯留量が不足することを、補給部７３によって防止できる。受渡エリアＢ１から排出される液体Ｌの排出量が、加工エリアＢ２で使用される液体Ｌの使用量よりも少ない場合に有効である。

補給部７３によって補給する液体Ｌの清浄度は、加工エリアＢ２での使用に求められる清浄度以上であればよいが、洗浄部３１Ａ、３１Ｂでの使用に求められる清浄度以上であってもよく、洗浄部３１Ａ、３１Ｂで実際に使用される液体Ｌの清浄度と同程度であってもよい。

第１貯留部６１が第２貯留部７１に接続されており第２貯留部７１から排出される液体Ｌを回収する場合、補給部７３は第２貯留部７１に対して液体Ｌを補給することで第１貯留部６１に対して液体Ｌを補給してもよい。第１貯留部６１と第２貯留部７１の両方で液体Ｌの貯留量が不足することを、１つの補給部７３によって防止できる。

補給部７３が第２貯留部７１を介して第１貯留部６１に対して液体Ｌを補給する場合、補給する液体Ｌの清浄度は、受渡エリアＢ１での使用に求められる清浄度以上であればよいが、洗浄部３１Ａ、３１Ｂでの使用に求められる清浄度以上であってもよく、洗浄部３１Ａ、３１Ｂで実際に使用される液体Ｌの清浄度と同程度であってもよい。

加工装置１は、第１貯留部６１及び第２貯留部７１とは異なる供給源から、加工エリアＢ２に位置する基板Ｗに対して液体Ｌを供給する第４供給部７４を備えてもよい。第１貯留部６１などの貯留量に関係なく、第４供給部７４によって大量の液体Ｌを基板Ｗに供給できる。

第４供給部７４は、第４供給ライン７４１を有する。第４供給ライン７４１は、例えばチラーなどの温調器７５と、加工エリアＢ２に配置されるノズル６５とを接続する。ノズル６５は、基板Ｗに液体Ｌを供給する。基板Ｗに供給する大量の液体Ｌを、温調器７５によって精度良く温調できる。

なお、第１タンク６１１の容積が十分に大きく、第１温調器６１２の温調精度が十分に高い場合、図５に示すように、ノズル６５も第１供給ライン６２１を介して第１貯留部６１に接続されてもよい。ノズル６５は、第１貯留部６１に貯留された液体Ｌを基板Ｗに対して供給してもよい。

なお、加工装置１は、第１貯留部６１と第１供給部６２を備える場合、第２貯留部７１と第２供給部７２と第３供給部とを備えなくてもよい。受渡エリアＢ１から排出された液体Ｌを溜めておき、溜めた液体Ｌを加工エリアＢ２で再利用すれば、単に液体Ｌの使用量などを低減できるだけではなく、液体Ｌの品質低下による加工品質の低下を抑制できる。

加工装置１は、第２供給部７２と第３供給部の少なくとも１つと、第２貯留部７１とを備える場合、第１貯留部６１と第１供給部６２を備えなくてもよい。洗浄部３１Ａ、３１Ｂから排出された液体Ｌを溜めておき、溜めた液体Ｌを受渡エリアＢ１又は加工エリアＢ２で再利用すれば、単に液体Ｌの使用量などを低減できるだけではなく、液体Ｌの品質低下による加工品質の低下を抑制できる。

以上、本開示に係る加工装置、及び加工方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

１ 加工装置
５０ 加工部
５１ 回転テーブル（移動部）
５２Ａ～５２Ｄ 保持部
５３ 工具駆動部（処理部）
Ｗ 基板

Claims (14)

1. 基板を保持する保持部と、前記保持部で保持されている前記基板を加工する処理部と、前記基板が前記保持部に受け渡される受渡エリアと前記基板が前記処理部で加工される加工エリアとの間で前記保持部を移動させる移動部と、を有する、加工部と、
   前記受渡エリアから排出される液体を溜める第１貯留部と、
   前記第１貯留部に溜めた前記液体を前記加工エリアの対象物に供給する第１供給部と、
   を備える加工装置。
2. 前記受渡エリアにおける前記液体の排出口と、前記加工エリアにおける前記液体の排出口とが別々に設けられる、請求項１に記載の加工装置。
3. 前記基板を前記液体で洗浄する洗浄部と、前記洗浄部から排出される前記液体を溜める第２貯留部と、前記第２貯留部に溜めた前記液体を前記受渡エリアの対象物に供給する第２供給部と、を備える、請求項１又は２に記載の加工装置。
4. 前記第１貯留部は、前記第２貯留部に接続されており前記第２貯留部から余剰の前記液体を回収する、請求項３に記載の加工装置。
5. 前記第１貯留部は、前記第１貯留部に溜めている前記液体の温度を調節する第１温調器を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の加工装置。
6. 前記第１貯留部に対して、前記液体を補給する補給部を備える、請求項１～５のいずれか１項に記載の加工装置。
7. 前記第１貯留部とは異なる供給源から、前記加工エリアに位置する前記基板に対して前記液体を供給する第４供給部を備える、請求項１～６のいずれか１項に記載の加工装置。
8. 受渡エリアで基板を保持部に受け渡すことと、加工エリアで前記保持部に保持されている前記基板を加工することと、前記受渡エリアと前記加工エリアとの間で前記保持部を移動させることと、を有し、
   前記受渡エリアから排出される液体を第１貯留部に溜めることと、前記第１貯留部に溜めた前記液体を前記加工エリアの対象物に供給することと、を有する、加工方法。
9. 前記受渡エリアにおける前記液体の排出口と、前記加工エリアにおける前記液体の排出口とが別々に設けられる、請求項８に記載の加工方法。
10. 洗浄部にて前記基板を前記液体で洗浄することと、前記洗浄部から排出される前記液体を第２貯留部に溜めることと、前記第２貯留部に溜めた前記液体を前記受渡エリアの対象物に供給することと、を有する、請求項８又は９に記載の加工方法。
11. 前記第１貯留部は、前記第２貯留部に接続されており前記第２貯留部から余剰の前記液体を回収する、請求項１０に記載の加工方法。
12. 前記第１貯留部に溜めている前記液体の温度を調節することを有する、請求項８～１１のいずれか１項に記載の加工方法。
13. 前記第１貯留部に対して、前記液体を補給することを有する、請求項８～１２のいずれか１項に記載の加工方法。
14. 前記第１貯留部とは異なる供給源から、前記加工エリアに位置する前記基板に対して前記液体を供給することを有する、請求項８～１３のいずれか１項に記載の加工方法。

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