KR20180098996A - 기판 처리 시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 시스템을 도시한 도면,
도 3 내지 도 6은 도 2의 유체분사부를 설명하기 위한 도면,
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 시스템으로서, 유체분사부의 슬릿노즐을 설명하기 위한 도면,
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 시스템으로서, 간극조절부를 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 시스템으로서, 분사된 유체의 처리 과정을 설명하기 위한 도면,
도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 시스템으로서, 유체분사부의 변형예를 설명하기 위한 도면이다.
110,111 : 연마 정반 120 : 캐리어 헤드
130 : 유체분사부 132 : 분사노즐
133 : 제1노즐바디 133a : 유체공급통로
133b : 유체공급챔버 134 : 제2노즐바디
134a : 분사슬릿 130' : 조절부
135 : 노즐 하우징 135a : 하우징 본체
135b : 하우징 커버 135c : 유체 수집 공간
300 : 세정 파트
Claims (16)
- 기판 처리 시스템에 있어서,
기판에 대해 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 수행하는 연마 파트와;
연마 공정이 완료된 상기 기판을 미리 설정된 이송 경로를 따라 이송하는 캐리어 헤드와;
상기 이송 경로 상에 배치되며, 상기 기판이 접촉되는 선형 유체 커튼(linear fluid curtain)을 형성하는 유체분사부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제1항에 있어서,
상기 유체분사부는 상기 선형 유체 커튼을 형성하기 위한 유체를 분사하는 분사 슬릿이 형성된 분사노즐인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제2항에 있어서,
상기 분사노즐은,
제1노즐바디와;
상기 제1노즐바디에 결합되며, 상기 분사슬릿이 형성된 제2노즐바디를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제2항에 있어서,
상기 분사슬릿은 상기 기판의 지름 이상의 길이를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제2항에 있어서,
상기 분사노즐은 상기 기판에 대한 상기 유체의 분사 각도를 조절 가능하게 마련된 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제5항에 있어서,
상기 분사노즐에 의한 상기 유체의 분사 각도는 수직선을 기준으로 10°이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제2항에 있어서,
상기 분사노즐에는 복수개의 유체공급통로와, 상기 유체공급통로와 연통되는 유체공급챔버가 형성되고,
상기 복수개의 유체공급통로로 공급된 상기 유체는 상기 유체공급챔버를 거쳐 상기 분사 슬릿을 통해 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제2항에 있어서,
상기 분사노즐의 주변을 감싸도록 배치되는 노즐하우징을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제8항에 있어서,
상기 노즐 하우징에는 상기 기판으로부터 되튀어진 유체를 수집하는 유체 수집 공간이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제8항에 있어서,
상기 노즐하우징은,
하우징 본체와;
상기 하우징 본체에 분리 가능하게 결합되는 하우징 커버를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제2항에 있어서,
상기 유체는 액상 유체, 기상 유체 및 스팀 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제3항에 있어서,
상기 유체의 분사조건을 조절하는 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제12항에 있어서,
상기 조절부는 서로 다른 크기의 상기 분사 슬릿이 형성된 복수개의 교체형 노즐바디를 포함하고,
상기 복수개의 교체형 노즐바디 중 어느 하나를 상기 제1노즐바디에 장착하여 상기 유체의 분사조건을 조절 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제2항에 있어서,
상기 분사노즐의 상단에는 챔퍼부가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 연마 파트는,
제1연마 공정이 행해지는 제1연마정반과;
상기 제1연마정반에 이격되게 배치되며, 상기 제1연마 공정이 완료된 상기 기판에 대한 제2연마 공정이 행해지는 제2연마정반을; 포함하고,
상기 유체분사부는 상기 제1연마정반과 상기 제2연마정반의 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제15항에 있어서,
상기 제1연마정반과 상기 제2연마정반의 사이의 간격은 상기 기판의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170025893A KR102735266B1 (ko) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | 기판 처리 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170025893A KR102735266B1 (ko) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | 기판 처리 시스템 |
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| KR20180098996A true KR20180098996A (ko) | 2018-09-05 |
| KR102735266B1 KR102735266B1 (ko) | 2024-11-27 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170025893A Active KR102735266B1 (ko) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | 기판 처리 시스템 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102735266B1 (ko) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2017
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| KR102735266B1 (ko) | 2024-11-27 |
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| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
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| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301 |
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| N231 | Notification of change of applicant | ||
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St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
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| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| D14-X000 | Search report completed |
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|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
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| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
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| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| PE0701 | Decision of registration |
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|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
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|
| PR1002 | Payment of registration fee |
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| PG1601 | Publication of registration |
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