CN112602173A - 基板处理系统和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理系统，该基板处理系统包括：第1主表面磨削装置，其以使基板的第1主表面朝上的方式自下方保持所述基板，并且磨削所述基板的所述第1主表面；第1反转装置，其使利用所述第1主表面磨削装置磨削后的所述基板上下反转；以及第2主表面磨削装置，其以使所述基板的第2主表面朝上的方式自下方保持所述基板的磨削后的所述第1主表面，并且磨削所述基板的所述第2主表面。

Description

基板处理系统和基板处理方法
技术领域
本公开涉及基板处理系统和基板处理方法。
背景技术
专利文献1中记载的加工装置具有盒载置单元、送入送出机器人、临时放置单元、输送机器人、行进单元、磨削单元以及清洗单元。首先，送入送出机器人自盒将加工前的板状工件送出并输送到临时放置单元。然后，输送机器人和行进单元将板状工件依次输送到磨削单元和清洗单元。由此，依次进行粗磨削、精磨削以及清洗。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015－207622号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一技术方案提供一种能够系统地将基板的两个面磨削得平坦的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案涉及一种基板处理系统，其中，
该基板处理系统包括：
第1主表面磨削装置，其以使基板的第1主表面朝上的方式自下方保持所述基板，并且磨削所述基板的所述第1主表面；
第1反转装置，其使利用所述第1主表面磨削装置磨削后的所述基板上下反转；以及
第2主表面磨削装置，其以使所述基板的第2主表面朝上的方式自下方保持所述基板的磨削后的所述第1主表面，并且磨削所述基板的所述第2主表面。
发明的效果
根据本公开的一技术方案，能够系统地将基板的两个面磨削得平坦。
附图说明
图1是表示一实施方式所涉及的基板处理系统的俯视图。
图2是表示一实施方式所涉及的基板处理系统的主视图。
图3是表示一实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。
图4是表示平坦化层的形成结束时、第1主表面的磨削结束时、以及基板的反转开始时各时点的基板的状态的一个例子的图。
图5是表示第1主表面的后清洗结束时、平坦化层的磨削开始时以及第2主表面的预清洗结束时各时点的基板的状态的一个例子的图。
图6是表示第2主表面的磨削结束时、第2主表面的后清洗结束时以及第2主表面的蚀刻开始时各时点的基板的状态的一个例子的图。
图7是表示基板的反转开始时、第1主表面的蚀刻开始时以及载体收纳时各时点的基板的状态的一个例子的图。
图8是表示一实施方式所涉及的加工装置的俯视图。
图9是表示从图8的箭头A方向和图8的箭头B观察到的可动部与升降部之间的位置关系的一个例子的图。
图10是表示基板处理系统的第1变形例的俯视图。
图11是表示基板处理系统的第1变形例的主视图。
图12是表示基板处理方法的第1变形例的流程图。
图13是表示基板处理系统的第2变形例的主视图。
图14是表示基板处理方法的第2变形例的流程图。
图15是表示平坦化层的去除开始时的基板的状态的一个例子的图。
图16是表示加工装置的第1变形例的俯视图。
图17是表示图16所示的两个卡盘工作台的位置变化的一个例子的俯视图。
图18是表示利用了图17所示的两个卡盘工作台的位置变化的处理的一个例子的流程图。
图19是表示图16所示的可动部与升降部、进退部之间的位置关系的一个例子的后视图。
图20是表示加工装置的第2变形例的俯视图。
图21是表示图20所示的四个卡盘工作台的位置变化的一个例子的俯视图。
图22是表示利用了图21所示的四个卡盘工作台的位置变化的处理的一个例子的流程图。
图23是表示图20所示的四个卡盘工作台的位置变化的另一例子的俯视图。
图24是表示利用了图23所示的四个卡盘工作台的位置变化的处理的一个例子的流程图。
图25是表示图20所示的两个可动部与两个升降部、两个进退部之间的位置关系的一个例子的后视图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本公开的实施方式。此外，对各附图中相同或对应的结构标注相同或对应的附图标记，并具有省略说明的情况。在以下的说明中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向为互相垂直的方向，X轴方向和Y轴方向为水平方向，Z轴方向为铅垂方向。另外，下方是指铅垂方向下方(Z轴负方向)，上方是指铅垂方向上方(Z轴正方向)。而且，也将Y轴负方向称作前方，将Y轴正方向称作后方。
图1是表示一实施方式所涉及的基板处理系统的俯视图。图2是表示一实施方式所涉及的基板处理系统的主视图。基板处理系统1包括送入送出站2、第1处理站3、第2处理站4以及控制装置9。送入送出站2、第1处理站3、第2处理站4按该顺序自X轴方向正侧向X轴方向负侧配置。
送入送出站2包括载体载置部21、输送部26以及交接部28。多个载体C沿Y轴方向排成一列地载置于载体载置部21。多个载体C中的各载体将多张基板10保持水平地收容。基板10为例如硅晶圆等半导体基板。基板10例如通过将铸锭切片而制造。基板10具有互相相对的第1主表面11和第2主表面12(参照图4的(a))。第1主表面11和第2主表面12分别具有凹凸。
输送部26与载体载置部21相邻配置，并配置于载体载置部21的X轴方向负侧。而且，输送部26与交接部28相邻配置，并配置于交接部28的X轴方向正侧。在输送部26的内部设有输送装置27。输送装置27包括用于保持基板10的保持机构。保持机构能够沿水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴线为中心旋转。输送装置27在载置于载体载置部21的载体C与交接部28之间输送基板10。
交接部28配置于输送部26的X轴方向负侧，且配置于第1处理站3的X轴方向正侧。交接部28包括第1过渡装置29。第1过渡装置29暂时收容基板10。交接部28中的第1过渡装置29的配置、个数能够任意选择。此外，送入送出站2也可以不包括交接部28，该情况下，交接部28的第1过渡装置29配置于第1处理站3的处理组件31，处理组件31与输送部26相邻配置。
第1处理站3包括处理组件31和输送部36。处理组件31包括第2过渡装置32、平坦化装置33、清洗装置34、蚀刻装置35A、35B以及反转装置39。第2过渡装置32暂时收容基板10。平坦化装置33在基板10的第2主表面12形成平坦化层15。清洗装置34清洗基板10的第2主表面12。蚀刻装置35A蚀刻基板10的第2主表面12。蚀刻装置35B蚀刻基板10的第1主表面11。将蚀刻装置35A还称作第2主表面蚀刻装置，将蚀刻装置35B还称作第1主表面蚀刻装置。反转装置39使基板10上下反转。
第2过渡装置32和清洗装置34为了与第2处理站4的输送装置47交接基板10，而与第2处理站4的输送部46相邻配置，并配置于输送部46的X轴方向正侧。第2过渡装置32和清洗装置34为了降低处理组件31的设置面积而在Z轴方向上层叠。此外，反转装置39与第2过渡装置32和清洗装置34在Z轴方向上层叠。
此外，在处理组件31中，第2过渡装置32、平坦化装置33、清洗装置34、蚀刻装置35A、35B以及反转装置39的配置、个数能够任意选择。
输送部36与送入送出站2的第1过渡装置29相邻配置，并配置于第1过渡装置29的X轴方向负侧。另外，输送部36与处理组件31相邻配置，并配置于处理组件31的Y轴方向正侧。在输送部36的内部设有输送装置37。输送装置37包括用于保持基板10的保持机构。保持机构能够沿水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴线为中心旋转。输送装置37相对于送入送出站2的第1过渡装置29以及第1处理站3的处理组件31输送基板10。
第2处理站4包括第1处理组件40、第2处理组件43以及输送部46。第1处理组件40和第2处理组件43与输送部46相邻配置，第1处理组件40配置于输送部46的Y轴方向正侧，第2处理组件43配置于输送部46的X轴方向负侧。
第1处理组件40包括三个加工装置41A、41B、41C。三个加工装置41A、41B、41C沿X轴方向排列配置。加工装置41A磨削基板10的第1主表面11。加工装置41B磨削形成于基板10的第2主表面12的平坦化层15。加工装置41C磨削基板10的第2主表面12。将加工装置41A还称作第1主表面磨削装置，将加工装置41B还称作平坦化层磨削装置，将加工装置41C还称作第2主表面磨削装置。此外，第1处理组件40中的加工装置的数量并不限定于三个，只要是两个以上即可。另外，第1处理组件40中的加工装置的配置并不限定于图1所示的配置。
第2处理组件43包括反转装置44和两个清洗装置45A、45B。反转装置44使基板10上下反转。将反转装置44还称作第1反转装置，将反转装置39还称作第2反转装置。清洗装置45A清洗基板10的第1主表面11。清洗装置45B清洗基板10的第2主表面12。反转装置44和两个清洗装置45A、45B为了降低第2处理组件43的设置面积而在Z轴方向上层叠。
输送部46与第1处理站3的处理组件31相邻配置，并配置于处理组件31的X轴方向负侧。另外，输送部46与第2处理站4的第1处理组件40相邻配置，并配置于第1处理组件40的Y轴方向负侧。此外，输送部46与第2处理站4的第2处理组件43相邻配置，并配置于第2处理组件43的X轴方向正侧。
在输送部46的内部设有输送装置47。输送装置47包括用于保持基板10的保持机构。保持机构能够沿水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴线为中心旋转。输送装置47相对于第1处理站3的处理组件31、第2处理站4的第1处理组件40以及第2处理站4的第2处理组件43输送基板10。
为了相比于第2处理站4的输送部46的内部的气压而使第1处理站的输送部36的内部的气压较高，可以在输送部36的顶部设置FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)。FFU在输送部36的内部形成下降流。能够抑制自第2处理站4向第1处理站3的气流侵入。
在第2处理站4与第1处理站3之间的边界可以设置开闭基板10的出入口的闸门5。闸门5例如设于第1处理站3的处理组件31与第2处理站4的输送部46之间的边界。闸门5在输送装置47自输送部46即将进入处理组件31时打开出入口，在输送装置47从处理组件31刚退回到输送部46后立即关闭出入口。能够限制自第2处理站4向第1处理站3的气流侵入，能够抑制在第2处理站4的第1处理组件40中产生的颗粒经由输送部46进入第1处理站3的处理组件31。
同样，在第2处理站4的输送部46与第2处理组件43之间的边界可以设置开闭基板10的出入口的闸门6。闸门6在输送装置47自输送部46即将进入第2处理组件43时打开出入口，在输送装置47从第2处理组件43刚退回到输送部46之后立即关闭出入口。能够抑制在第2处理站4的第1处理组件40中产生的颗粒经由输送部46进入第2处理组件43。
控制装置9例如由计算机构成，包括CPU(Central Processing Unit：中央处理器)91和存储器等存储介质92。在存储介质92存储有控制基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制装置9通过使CPU91执行存储于存储介质92的程序，从而控制基板处理系统1的动作。另外，控制装置9包括输入接口93和输出接口94。控制装置9通过输入接口93接收来自外部的信号，通过输出接口94向外部发送信号。
该程序可以存储于计算机可读取的存储介质，从该存储介质加载到控制装置9的存储介质92。作为计算机可读取的存储介质，可列举例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。此外，程序也可以经由因特网从服务器下载，并加载到控制装置9的存储介质92。
图3是表示一实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。图4是表示平坦化层的形成结束时、第1主表面的磨削结束时以及基板的反转开始时各时点的基板的状态的一个例子的图。详细而言，图4的(a)表示平坦化层的形成结束时的基板的状态的一个例子，图4的(b)表示第1主表面的磨削结束时的基板的状态的一个例子，图4的(c)表示基板的反转开始时的基板的状态的一个例子。图5是表示第1主表面的后清洗结束时、平坦化层的磨削开始时以及第2主表面的预清洗结束时各时点的基板的状态的一个例子的图。详细而言，图5的(a)表示第1主表面的后清洗结束时的基板的状态的一个例子，图5的(b)表示平坦化层的磨削开始时的基板的状态的一个例子，图5的(c)表示第2主表面的预清洗结束时的基板的状态的一个例子。图6是表示第2主表面的磨削结束时、第2主表面的后清洗结束时以及第2主表面的蚀刻开始时各时点的基板的状态的一个例子的图。详细而言，图6的(a)表示第2主表面的磨削结束时的基板的状态的一个例子，图6的(b)表示第2主表面的后清洗结束时的基板的状态的一个例子，图6的(c)表示第2主表面的蚀刻开始时的基板的状态的一个例子。图7是表示基板的反转开始时、第1主表面的蚀刻开始时以及载体收纳时各时点的基板的状态的一个例子的图。详细而言，图7的(a)表示基板的反转开始时的基板的状态的一个例子，图7的(b)表示第1主表面的蚀刻开始时的基板的状态的一个例子，图7的(c)表示载体收纳时的基板的状态的一个例子。图3～图7所示的处理在控制装置9的控制下实施。
基板处理方法具有自载置于载体载置部21的载体C取出基板10的工序S101。输送装置27自载体C取出基板10。载体C以使基板10的第1主表面11朝上的方式收容基板10。基板10被输送装置27自载体载置部21输送到第1过渡装置29，接着被输送装置37自第1过渡装置29输送到平坦化装置33。
基板处理方法具有利用平坦化装置33在基板10的第2主表面12形成平坦化层15的工序S102。平坦化装置33例如如图4的(a)所示具有工作台331和压板332。工作台331以使基板10的第1主表面11朝上的方式自下方支承基板10。压板332设为升降自如，从上方按压基板10，而将配置于基板10与工作台331之间的液状的平坦化剂压扁。平坦化剂被按压于工作台331的平坦的上表面。然后，通过使平坦化剂固化，从而形成平坦化层15。
作为平坦化剂，没有特殊限定，但例如使用紫外线固化树脂。该情况下，平坦化装置33具有向紫外线固化树脂照射紫外线的光源333。优选工作台331能够使紫外线透过，光源333可以隔着工作台331向紫外线固化树脂照射紫外线。此外，作为平坦化剂，还可以使用热塑性树脂等。
形成有平坦化层15的基板10被输送装置37自平坦化装置33输送到第2过渡装置32，接着被输送装置47自第2过渡装置32输送到加工装置41A。
此外，基板处理系统1也可以不具有平坦化装置33，基板处理方法也可以不具有形成平坦化层15的工序S102。该情况下，在基板处理系统1的外部形成平坦化层15，之后，将基板10收容于载体C，接下来将载体C送入到基板处理系统1。另外，还具有不需要在基板10的第2主表面12形成平坦化层15的情况。
基板处理方法具有利用加工装置41A磨削基板10的第1主表面11的工序S103。如图4的(b)所示，加工装置41A具有卡盘工作台53。卡盘工作台53以使基板10的第1主表面11朝上的方式自下方保持平坦化层15的平坦面16。加工装置41A使基板10与卡盘工作台53一起旋转的同时，使配置于卡盘工作台53的上方的磨削工具17A一边旋转一边下降，而磨削基板10的第1主表面11。能够相对于平坦化层15的平坦面16平行地磨削基板10的第1主表面11。因而，能够提高磨削后的第1主表面11的平坦度。在磨削结束时，基板10的第1主表面11由于与磨削工具17A的接触而形成有损伤层13。之后，基板10被输送装置47自加工装置41A输送到反转装置44。此外，在本实施方式中，加工装置41A以使基板10的第1主表面11朝上的方式自下方保持平坦化层15的平坦面16，并且磨削第1主表面11，但本公开的技术并不限定于此。还具有即使在第2主表面12未形成平坦化层15，也能够将第1主表面11磨削得平坦的情况。
基板处理方法具有利用反转装置44使基板10上下反转的工序S104。如图4的(c)所示，反转装置44具有保持基板10的保持机构441和使保持机构441旋转的旋转机构442。旋转机构442通过使保持机构441旋转180°，从而使基板10上下反转。基板10从使第1主表面11朝上的状态成为使第1主表面11朝下的状态。上下反转后的基板10被输送装置47自反转装置44输送到清洗装置45A。
基板处理方法具有利用清洗装置45A清洗基板10的工序S105。如图5的(a)所示，清洗装置45A具有卡盘451A、下表面用刷452A以及上表面用刷453A。卡盘451A以使基板10的第2主表面12朝上的方式保持基板10的外周部。下表面用刷452A擦洗基板10的第1主表面11。另外，上表面用刷453A擦洗平坦化层15的平坦面16。擦洗为使固体与基板10接触的摩擦清洗。此外，若在第2主表面12未形成平坦化层15，则上表面用刷453A擦洗第2主表面12。
作为下表面用刷452A和上表面用刷453A，本实施方式中使用盘刷，但也可以使用辊刷。另外，还可以代替刷而使用海绵等。无论使用哪一者，都能够去除附着于基板10的第1主表面11等的磨削屑。清洗后的基板10被输送装置47自清洗装置45A输送到加工装置41B。
此外，使基板10上下反转的工序S104和清洗基板10的工序S105的顺序可以颠倒。也就是说，也可以在清洗基板10的工序S105之后进行使基板10上下反转的工序S104。基板10在利用反转装置44上下反转且利用清洗装置45A清洗之后，被输送装置47输送到加工装置41B。
基板处理方法具有利用加工装置41B磨削平坦化层15的工序S106。如图5的(b)所示，加工装置41B具有卡盘工作台53。卡盘工作台53以使基板10的第2主表面12朝上的方式自下方保持基板10的磨削后的第1主表面11。加工装置41B使基板10与卡盘工作台53一起旋转的同时，使配置于卡盘工作台53的上方的磨削工具17B一边旋转一边下降，而磨削平坦化层15。之后，基板10被输送装置47自加工装置41B输送到清洗装置45B。此外，若在第2主表面12未形成平坦化层15，当然也不需要磨削平坦化层15的工序S106。
基板处理方法具有利用清洗装置45B清洗基板10的工序S107。如图5的(c)所示，清洗装置45B具有卡盘451B、下表面用刷452B以及上表面用刷453B。卡盘451B以使基板10的第2主表面12朝上的方式保持基板10的外周部。下表面用刷452B擦洗基板10的第1主表面11。另外，上表面用刷453B擦洗基板10的第2主表面12。
作为下表面用刷452B和上表面用刷453B，在本实施方式中使用盘刷，但也可以使用辊刷。另外，还可以代替刷而使用海绵等。无论使用哪一者，都能够去除附着于基板10的第2主表面12等的磨削屑。清洗后的基板10被输送装置47自清洗装置45B输送到加工装置41C。
基板处理方法具有利用加工装置41C磨削基板10的第2主表面12的工序S108。如图6的(a)所示，加工装置41C具有卡盘工作台53。卡盘工作台53以使基板10的第2主表面12朝上的方式自下方保持基板10的磨削后的第1主表面11。加工装置41C使基板10与卡盘工作台53一起旋转的同时，使配置于卡盘工作台53的上方的磨削工具17C一边旋转一边下降，而磨削基板10的第2主表面12。第1主表面11预先利用磨削(工序S103)而完成平坦化，磨削第2主表面12使其与第1主表面11平行。因而，能够提高磨削后的第2主表面12的平坦度。在磨削结束时，基板10的第2主表面12由于与磨削工具17C的接触而形成有损伤层14。之后，基板10被输送装置47自加工装置41C输送到清洗装置34。
基板处理方法具有利用清洗装置34清洗基板10的工序S109。如图6的(b)所示，清洗装置34具有卡盘341、下表面用刷342以及上表面用刷343。卡盘341以使基板10的第2主表面12朝上的方式保持基板10的外周部。下表面用刷342擦洗基板10的第1主表面11。另外，上表面用刷343擦洗基板10的第2主表面12。
作为下表面用刷342和上表面用刷343，在本实施方式中使用盘刷，但也可以使用辊刷。另外，还可以代替刷而使用海绵等。无论使用哪一者，都能够去除附着于基板10的第2主表面12等的磨削屑。清洗后的基板10被输送装置37自清洗装置34输送到蚀刻装置35A。
基板处理方法具有利用蚀刻装置35A对基板10进行蚀刻的工序S110。如图6的(c)所示，蚀刻装置35A具有卡盘351A、上表面用喷嘴352A以及下表面用喷嘴353A。卡盘351A以使基板10的磨削后的第2主表面12朝上的方式保持基板10的外周部。
上表面用喷嘴352A向基板10的第2主表面12供给用于去除损伤层14的蚀刻液L1。作为蚀刻液L1，例如使用酸性或碱性的药液。蚀刻液L1在与卡盘351A一起旋转的基板10的离心力的作用下浸润并扩展到基板10的第2主表面12整体。
另外，下表面用喷嘴353A向基板10的第1主表面11供给限制蚀刻液L1的绕转的防护液L2。作为防护液L2，例如使用DIW(Deionized Water：去离子水)等。防护液L2在与卡盘351A一起旋转的基板10的离心力的作用下浸润并扩展到基板10的第1主表面11整体。去除损伤层14后的基板10在干燥后被输送装置37自蚀刻装置35A输送到反转装置39。
基板处理方法具有利用反转装置39使基板10上下反转的工序S111。如图7的(a)所示，反转装置39具有保持基板10的保持机构391和使保持机构391旋转的旋转机构392。旋转机构392通过使保持机构391旋转180°，从而使基板10上下反转。基板10从使第2主表面12朝上的状态成为使第2主表面12朝下的状态。上下反转后的基板10被输送装置37自反转装置39输送到蚀刻装置35B。
基板处理方法具有利用蚀刻装置35B对基板10进行蚀刻的工序S112。如图7的(b)所示，蚀刻装置35B具有卡盘351B、上表面用喷嘴352B以及下表面用喷嘴353B。卡盘351B以使基板10的磨削后的第1主表面11朝上的方式保持基板10的外周部。
上表面用喷嘴352B向基板10的第1主表面11供给用于去除损伤层13的蚀刻液L1。作为蚀刻液L1，例如使用酸性或碱性的药液。蚀刻液L1在与卡盘351B一起旋转的基板10的离心力的作用下浸润并扩展到基板10的第1主表面11整体。
另外，下表面用喷嘴353B向基板10的第2主表面12供给限制蚀刻液L1的绕转的防护液L2。作为防护液L2，例如使用DIW(Deionized Water：去离子水)等。防护液L2在与卡盘351B一起旋转的基板10的离心力的作用下浸润并扩展到基板10的第2主表面12整体。去除损伤层13后的基板10在干燥后被输送装置37自蚀刻装置35B输送到第1过渡装置29，并被输送装置27自第1过渡装置29输送到载体载置部21。
基板处理方法具有将实施了第1主表面11的磨削和蚀刻、以及第2主表面12的磨削和蚀刻的干燥后的基板10(参照图7的(c))收容于载置在载体载置部21的载体C的工序S113。基板10被输送装置27收容于载体C。
此外，基板处理方法在从基板10的取出(工序S101)到基板10的收容(工序S113)之间，具有第1主表面11的磨削(工序S103)、基板10的反转(工序S104)、第2主表面12的磨削(工序S108)即可。利用基板处理系统1，能够系统地将基板10的两个面磨削得平坦。
另外，本实施方式的基板处理系统1包括三个加工装置41A、41B、41C。加工装置41A对应于权利要求书所记载的第1主表面磨削装置，加工装置41B对应于权利要求书所记载的平坦化层磨削装置，加工装置41C对应于权利要求书所记载的第2主表面磨削装置。
本实施方式的基板处理方法具有利用与磨削基板10的第2主表面12的磨削工具17C不同的磨削工具17B磨削平坦化层15的工序S106。在平坦化层15与基板10之间的材质差异较大而不存在能够磨削平坦化层15和基板10这两者的磨削工具的情况下，能够分别磨削平坦化层15和基板10。
三个加工装置41A、41B、41C相同地构成。于是，以下参照图8和图9等说明一个加工装置41A的结构，对其他的两个加工装置41B、41C的结构省略说明。
图8是表示一实施方式所涉及的加工装置的俯视图。图9是表示从图8的箭头A方向和图8的箭头B方向观察到的可动部与升降部之间的位置关系的一个例子的图。详细而言，图9的(a)表示从图8的箭头A方向观察到的可动部与升降部之间的位置关系的一个例子，图9的(b)表示从图8的箭头B方向观察到的可动部与升降部之间的位置关系的一个例子。
加工装置41A包括卡盘工作台53、可动部60、升降部70以及清洗部80。卡盘工作台53具有自下方将基板10保持为水平的基板保持面。基板保持面具有大于基板10的直径的直径，吸附基板10的下表面整体。
磨削基板10的磨削工具17A可更换地安装于可动部60。磨削工具17A例如包括圆盘状的轮18和呈环状排列的多个磨石19。多个磨石19例如固定于轮18的下表面的外周部。当磨石19磨损而磨石19的厚度小于预先设定的更换厚度时，更换磨削工具17A。磨削工具17A的更换也可以定期进行。此外，磨石19也可以呈圆盘状固定于轮18的下表面整体。
可动部60例如具有：凸缘61，磨削工具17A可更换地安装于该凸缘61；主轴62，凸缘61设于该主轴62的下端部；轴承63，其将主轴62支承为旋转自如；以及主轴马达65，其使主轴62旋转。
主轴马达65通过使主轴62旋转，从而使安装于凸缘61的磨削工具17A旋转。主轴马达65具有与主轴62连结的转子、在内部形成旋转磁场的定子以及固定定子的外壳。外壳固定于升降部70的一对Z轴滑块72。
作为主轴马达65，为了得到较高的转矩，例如使用感应马达。感应马达通过向定子的绕组供给交流电流从而形成旋转磁场，利用该旋转磁场使转子旋转。使磨削工具17A以与供给到定子的绕组的交流电流的频率对应的转速旋转。
升降部70通过使可动部60沿铅垂方向升降，从而使安装于可动部60的磨削工具17A相对于卡盘工作台53接近/远离。升降部70具有沿Z轴方向延伸的一对Z轴引导件71、沿着一对Z轴引导件71升降的一对Z轴滑块72以及使一对Z轴滑块72升降的Z轴马达73。将Z轴引导件71还称作升降引导件，将Z轴滑块72还称作升降滑块。可动部60固定于一对Z轴滑块72。Z轴马达73既可以进行旋转运动，也可以进行直线运动。在Z轴马达73进行旋转运动的情况下，升降部70具有将Z轴马达73的旋转运动转换成一对Z轴滑块72的直线运动的滚珠丝杠74。
升降部70通过使可动部60下降，从而使可动部60接近卡盘工作台53。该过程中，使安装于可动部60的磨削工具17A旋转。磨削工具17A一边旋转一边下降，同与卡盘工作台53一起旋转的基板10接触，而对基板10进行磨削。之后，升降部70通过使可动部60上升，从而使可动部60远离卡盘工作台53。
如图8所示，加工装置41A具有俯视呈矩形的外形，并具有与前后方向(例如Y轴方向)平行的两条边。加工装置41A具有Y轴引导件54。Y轴引导件54为在前后方向上引导卡盘工作台53的水平引导件。沿着Y轴引导件54，配置有交接位置A0和加工位置A1。卡盘工作台53在交接位置A0与加工位置A1之间在Y轴方向上直线移动。卡盘工作台53在X轴方向上不移动，因此，加工装置41A形成为在Y轴方向上细长，能够使加工装置41A小型化。
交接位置A0为进行基板10的相对于卡盘工作台53的交接的位置。交接位置A0兼作进行基板10的自输送装置47向卡盘工作台53的交接的位置和进行基板10的自卡盘工作台53向输送装置47的交接的位置。
加工位置A1为利用磨削工具17A对保持于卡盘工作台53的基板10进行加工的位置。在加工位置A1，安装于可动部60的磨削工具17A对基板10的上表面进行加工。在此，基板10的上表面例如为基板10的第1主表面11。
此外，交接位置A0可以兼作利用清洗部80清洗基板10的位置。在加工位置A1进行了加工的基板10被自卡盘工作台53取下之前，清洗部80清洗基板10的上表面。清洗方法例如为喷雾清洗。该情况下，依次实施基板10的加工和加工后的基板10的清洗。
另外，交接位置A0可以兼作利用清洗部80清洗卡盘工作台53的基板保持面的位置。在加工位置A1进行了加工的基板10被自卡盘工作台53取下之后，清洗部80清洗暴露的基板保持面。清洗方法例如可以是喷雾清洗、擦洗中的任一者，也可以是两者。该情况下，依次进行基板10的加工和暴露的基板保持面的清洗。
如图8所示，在俯视时，交接位置A0相比于加工位置A1配置于靠前方(Y轴方向负侧)的位置，且配置于加工装置41A的供基板10送入送出的送入送出口42A的附近。由于输送装置47自加工装置41A的前方进行基板10的相对于加工装置41A的送入送出，因此，输送装置47容易接近交接位置A0。因而，能够顺畅地进行基板10的交接。
送入送出口42A为加工装置41A的面向输送部46的壁、也就是加工装置41A的前表面的开口部。加工装置41A的面向输送部46的壁相对于Y轴方向垂直。在送入送出口42A可以设有开闭送入送出口42A的闸门7。闸门7在输送装置47自输送部46即将进入加工装置41A时打开送入送出口42A，在输送装置47自加工装置41A刚退回到输送部46之后立即关闭送入送出口42A。在基板10穿过送入送出口42A时，闸门7打开送入送出口42A。另外，在加工装置41A进行基板10的加工时，闸门7关闭送入送出口42A。能够抑制在加工装置41A的内部产生的加工屑向输送部46流出。
另外，如图8所示，在俯视时，位于加工位置A1的卡盘工作台53的一部分相比于安装在可动部60的磨削工具17A配置于靠后方(例如Y轴方向正侧)的位置。在磨削工具17A的更换时，能够从加工装置41A的后方确认磨削工具17A与卡盘工作台53之间的间隙G(参照图9的(b))。由此，容易进行间隙G的调整作业，而维护性良好。
升降部70具有跨卡盘工作台53的移动路径的门型框架701。门型框架701具有在X轴方向上空开间隔地配置的一对支柱702、703和将一对支柱702、703的上端部彼此连结的横梁704。一对Z轴引导件71固定于一对支柱702、703，Z轴马达73固定于横梁704。
升降部70具有固定于门型框架701的一对Z轴引导件71和沿着一对Z轴引导件71升降的一对Z轴滑块72。可动部60固定于一对Z轴滑块72。
如图8所示，一对Z轴滑块72隔着主轴马达65的旋转中心线65Z对称配置。其结果，如图9的(b)所示，能够在主轴马达65的旋转中心线65Z的附近支承主轴马达65等的载荷。由此，能够抑制一对Z轴引导件71的挠曲变形，因此能够抑制磨削工具17A的相对于卡盘工作台53的倾斜。
如图9的(a)所示，从加工装置41A的正后方观察，升降部70可以配置于可动部60的横向两侧(X轴方向正侧和X轴方向负侧)和可动部60的前侧(Y轴方向负侧)。从加工装置41A的正后方观察，安装于可动部60的磨削工具17A的整体自升降部70暴露。也就是说，从加工装置41A的正后方观察，升降部70不遮盖安装于可动部60的磨削工具17A。能够不被升降部70妨碍地从加工装置41A的后方更换磨削工具17A。由此，容易进行磨削工具17A的更换，维护性良好。
由于能够从俯视呈矩形的加工装置41A的后方更换磨削工具17A，因此加工装置41A的剩余的三个方向(前方、左方以及右方)可以利用其他的装置、或建筑物的墙壁等堵塞。由于加工装置41A的剩余的三个方向中的任一者均不需要更换磨削工具17A的作业人员的作业空间，因此能够降低基板处理系统1的设置面积，能够使基板处理系统1小型化。此外，还可以代替作业人员而由机器人进行磨削工具17A的更换。
由于能够从俯视呈矩形的加工装置41A的后方更换磨削工具17A，因此在从后方观察时，多个加工装置41A、41B、41C可以沿横向(例如X轴方向)排列配置。多个加工装置41A、41B、41C能够同时加工不同的基板10，能够提高每单位时间的基板10的加工张数。
图10是表示基板处理系统的第1变形例的俯视图。图11是表示基板处理系统的第1变形例的主视图。图12是表示基板处理方法的第1变形例的流程图。以下主要说明上述实施方式与本变形例之间的不同点。
本变形例的基板处理系统1包括两个加工装置41A、41C。加工装置41C具有可动部60(参照图8、图9)和使可动部60升降的升降部70(参照图8、图9)，磨削平坦化层15和基板10的第2主表面12这两者的磨削工具17C可更换地安装于该可动部60。
本变形例的基板处理方法具有利用磨削基板10的第2主表面12的磨削工具17C磨削平坦化层15的工序S121。加工装置41C能够连续实施平坦化层15的磨削(工序S121)和基板10的第2主表面12的磨削(工序S108)，而不需要加工装置41B。由此，能够减小基板处理系统1的设置面积。另外，由于在平坦化层15的磨削(工序S121)与基板10的第2主表面12的磨削(工序S108)之间不需要基板10的清洗(工序S107(参照图3))，因此不需要清洗装置45B。此外，在第2主表面12未形成有平坦化层15的情况下，当然也不需要磨削平坦化层15的工序S121，加工装置41C不磨削平坦化层15而是磨削第2主表面12。
图13是表示基板处理系统的第2变形例的主视图。此外，本变形例所涉及的基板处理系统1的俯视图与上述第1变形例所涉及的基板处理系统1的俯视图(图10)相同，因此省略图示。图14是表示基板处理方法的第2变形例的流程图。图15是表示平坦化层的去除开始时的基板的状态的一个例子的图。以下，主要说明上述实施方式与本变形例之间的不同点。
本变形例的基板处理系统1与上述第1变形例的基板处理系统1相同地包括两个加工装置41A、41C。本变形例的加工装置41C与上述第1变形例的加工装置41C不同，不磨削平坦化层15而是磨削基板10的第2主表面12。
本变形例的基板处理系统1为了省略平坦化层15的磨削而包括将平坦化层15用溶剂S溶解而去除的清洗装置45C。如图15所示，清洗装置45C具有卡盘451C、下表面用刷452C、上表面用刷453C以及溶剂喷出喷嘴454C。卡盘451C以使基板10的第2主表面12朝上的方式保持基板10的外周部。
下表面用刷452C擦洗基板10的第1主表面11，因此清洗装置45C还起到图5的(a)等所示的清洗装置45A的作用。另外，上表面用刷453C擦洗平坦化层15的平坦面16。溶剂喷出喷嘴454C自基板10的上方喷出溶剂S。作为溶剂S，例如使用碱性或酸性的药液。
作为下表面用刷452C和上表面用刷453C，在本实施方式中使用盘刷，但也可以使用辊刷。另外，还可以代替刷而使用海绵等。无论使用哪一者，均能够去除平坦化层15，能够使基板10的第2主表面12暴露。清洗后的基板10被输送装置47自清洗装置45C输送到加工装置41C。
本变形例的基板处理方法具有利用清洗装置45C将平坦化层15用溶剂S溶解而去除的工序S131。在平坦化层15与基板10的材质差异较大而不存在能够磨削平坦化层15和基板10这两者的磨削工具的情况下，不需要平坦化层15的磨削专用的加工装置41B。此外，在第2主表面12未形成有平坦化层15的情况下，当然也不需要将平坦化层15用溶剂S溶解而去除的工序S131。
图16是表示加工装置的第1变形例的俯视图。本变形例的加工装置41D能够置换上述实施方式的加工装置41A、41B、41C中的任一者。也就是说，本变形例的加工装置41D可以是第1主表面磨削装置、平坦化层磨削装置以及第2主表面磨削装置中的任一者。本变形例的加工装置41D包括旋转工作台51、两个卡盘工作台53A、53B、可动部60、升降部70、进退部75以及清洗部80。
旋转工作台51以铅垂的旋转中心线52为中心旋转。旋转工作台51例如在俯视时顺时针旋转180°之后，逆时针旋转180°。由于固定于旋转工作台51的配线和配管的配置返回到原来的配置，因此容易进行配线和配管的处理。
两个卡盘工作台53A、53B与旋转工作台51一起以旋转工作台51的旋转中心线52为中心旋转。两个卡盘工作台53A、53B分别具有自下方将基板10保持为水平的基板保持面。基板保持面具有大于基板10的直径的直径，吸附基板10的下表面整体。在加工装置41D为第1主表面磨削装置的情况下，两个卡盘工作台53A、53B以使基板10的第1主表面11朝上的方式自下方保持基板10。在加工装置41D为平坦化层磨削装置或第2主表面磨削装置的情况下，两个卡盘工作台53A、53B以使基板10的第2主表面12朝上的方式自下方保持基板10。
两个卡盘工作台53A、53B以各自的铅垂的旋转中心线为中心旋转自如地安装于旋转工作台51。在停止了旋转工作台51的旋转的状态下，卡盘工作台53A、53B能够旋转。
两个卡盘工作台53A、53B绕旋转工作台51的旋转中心线52以等间隔(180°间隔)配置。如图17所示，交接位置A0和加工位置A1绕旋转工作台51的旋转中心线52配置。
图17是表示图16所示的两个卡盘工作台的位置变化的一个例子的俯视图。图17的(a)是表示图17的(b)所示的旋转工作台逆时针旋转了180°时的两个卡盘工作台的位置的一个例子的俯视图。图17的(b)是表示图17的(a)所示的旋转工作台顺时针旋转了180°时的两个卡盘工作台的位置的一个例子的俯视图。
交接位置A0和加工位置A1绕旋转工作台51的旋转中心线52配置。两个卡盘工作台53A、53B隔着旋转中心线52对称配置，并分别在交接位置A0与加工位置A1之间移动。
交接位置A0为进行基板10的相对于卡盘工作台53A、53B的交接的位置。交接位置A0兼作进行基板10的自输送装置47向卡盘工作台53A、53B的交接的位置和进行基板10的自卡盘工作台53A、53B向输送装置47的交接的位置。
加工位置A1为利用磨削工具17加工保持于卡盘工作台53A、53B的基板10的位置。在加工位置A1，安装于可动部60的磨削工具17加工作为基板10的上表面的第1主表面11或第2主表面12。此外，在加工装置41D为平坦化层磨削装置的情况下，磨削工具17加工平坦化层15。加工位置A1和交接位置A0隔着旋转中心线52对称配置。
两个卡盘工作台53A、53B隔着旋转中心线52对称配置，并分别在交接位置A0与加工位置A1之间移动。当两个卡盘工作台53A、53B中的任一者位于交接位置A0时，剩余的一者位于加工位置A1。因而，能够同时实施一张基板10的加工和另一张基板10的交接，能够提高磨削工具17的运转率，因此能够增加每单位时间的基板10的加工张数。
此外，交接位置A0可以兼作利用清洗部80清洗基板10的位置。在加工位置A1进行了加工的基板10被自卡盘工作台53A、53B取下之前，清洗部80清洗基板10的上表面。清洗方法例如为喷雾清洗。该情况下，能够同时实施基板10的加工和加工后的基板10的清洗。
另外，交接位置A0可以兼作利用清洗部80清洗卡盘工作台53A、53B的基板保持面的位置。在加工位置A1进行了加工的基板10被自卡盘工作台53A、53B取下之后，清洗部80清洗暴露的基板保持面。清洗方法例如可以为喷雾清洗、擦洗中的任一者，也可以是两者。该情况下，能够同时实施基板10的加工和暴露的基板保持面的清洗。
如图17所示，交接位置A0相比于加工位置A1配置于靠前方(Y轴方向负侧)的位置，且配置于加工装置41D的供基板10送入送出的送入送出口42D(参照图16)的附近。输送装置47自加工装置41D的前方进行基板10的相对于加工装置41D的送入送出，因此输送装置47容易接近交接位置A0。因而，能够顺畅地进行基板10的交接。
送入送出口42D为加工装置41D的面向输送部46的壁、也就是加工装置41D的前表面的开口部。加工装置41D的面向输送部46的壁相对于Y轴方向垂直。在送入送出口42D可以设置开闭送入送出口42D的闸门7。闸门7在输送装置47自输送部46即将进入加工装置41D时打开送入送出口42D，在输送装置47自加工装置41D刚退回到输送部46后立即关闭送入送出口42D。在基板10穿过送入送出口42D时，闸门7打开送入送出口42D。另外，在加工装置41D进行对基板10的加工时，闸门7关闭送入送出口42D。能够抑制在加工装置41D的内部产生的加工屑向输送部46流出。
如图16所示，俯视时，位于加工位置A1的卡盘工作台53B的一部分相比于安装在可动部60的磨削工具17配置于靠后方(例如Y轴方向正侧)的位置。在磨削工具17的更换时，能够从加工装置41D的后方确认磨削工具17与卡盘工作台53B之间的间隙G(参照图19)。由此，容易进行间隙G的调整作业，维护性良好。
图18是表示利用了图17所示的两个卡盘工作台的位置变化的处理的一个例子的流程图。图18所示的处理为由一个卡盘工作台53A保持的基板10的处理。在图18所示的处理开始时，两个卡盘工作台53A、53B例如位于图17的(a)所示的位置。图18所示的处理在控制装置9的控制下实施。
基板处理方法具有向加工装置41D送入基板10的工序S201。在该工序S201中，在交接位置A0，实施基板10的自输送装置47向卡盘工作台53A的交接。此外，与该工序S201并行地，在加工位置A1，实施对保持于卡盘工作台53B的基板10的磨削。
基板处理方法具有使旋转工作台51旋转的工序S202。图17的(a)所示的旋转工作台51顺时针旋转180°，两个卡盘工作台53A、53B从图17的(a)所示的位置移动到图17的(b)所示的位置。
基板处理方法具有在加工位置A1磨削保持于卡盘工作台53A的基板10的工序S203。与该工序S203并行地，在交接位置A0，实施保持于卡盘工作台53B的基板10的清洗和基板10的自卡盘工作台53B向输送装置47的交接。此外，在交接位置A0，实施卡盘工作台53B的清洗和基板10的自输送装置47向卡盘工作台53B的交接。
基板处理方法具有使旋转工作台51再次旋转的工序S204。图17的(b)所示的旋转工作台51逆时针旋转180°，两个卡盘工作台53A、53B从图17的(b)所示的位置移动到图17的(a)所示的位置。
基板处理方法具有在交接位置A0清洗保持于卡盘工作台53A的基板10的工序S205。另外，基板处理方法具有在交接位置A0实施基板10的自卡盘工作台53A向输送装置47的交接而自加工装置41D将基板10送出的工序S206。而且，基板处理方法具有在交接位置A0清洗卡盘工作台53A的工序S207。
此外，与所述工序S205～S207并行地，在加工位置A1实施保持于卡盘工作台53B的基板10的磨削。
之后，图18所示的处理结束。此外，控制装置9可以反复执行图18所示的处理。
图19是表示图16所示的可动部与升降部、进退部之间的位置关系的一个例子的后视图。磨削基板10的磨削工具17可更换地安装于可动部60。升降部70通过使可动部60沿铅垂方向升降，从而使安装于可动部60的磨削工具17相对于卡盘工作台53B接近/远离。
如图16所示，加工装置41D具有俯视呈矩形的外形，并具有与前后方向(例如Y轴方向)平行的两条边。另外，如图19所示，从加工装置41D的正后方观察，安装于可动部60的磨削工具17的整体自升降部70暴露。也就是说，从加工装置41D的正后方观察，升降部70不遮盖安装于可动部60的磨削工具17。能够不被升降部70妨碍地自加工装置41D的后方更换磨削工具17。由此，容易进行磨削工具17的更换，维护性良好。
如图19所示，从加工装置41D的正后方观察，升降部70可以配置于可动部60的旁边(例如X轴方向负侧)。此外，升降部70也可以配置于可动部60的前方或斜前方。无论如何配置，只要从加工装置41D的正后方观察，安装于可动部60的磨削工具17的整体自升降部70暴露即可。
此外，在从加工装置41D的正后方观察时安装于可动部60的磨削工具17的整体未自升降部70暴露的情况下，只要从加工装置41D的斜后方观察时安装于可动部60的磨削工具17的整体自升降部70暴露即可。能够不被升降部70妨碍地自加工装置41D的后方更换磨削工具17。
进退部75使可动部60在前后方向上进退。进退部75具有沿Y轴方向延伸的一对Y轴引导件76、沿着一对Y轴引导件76进退的Y轴滑块77以及使Y轴滑块77进退的Y轴马达78。升降部70固定于Y轴滑块77。Y轴马达78既可以进行旋转运动，也可以进行直线运动。在Y轴马达78进行旋转运动的情况下，进退部75具有将Y轴马达78的旋转运动转换成Y轴滑块77的直线运动的滚珠丝杠79(参照图16)。
进退部75通过使可动部60在前后方向上进退，从而进行呈环状排列的多个磨石19的圆轨道的对位。该对位例如在更换了磨削工具17时进行、在圆轨道的大小产生了变化时进行。圆轨道以穿过基板10的中心的方式对位。由于可动部60能够进退，因此能够使用圆轨道的大小不同的多个种类的磨削工具17。
如图19所示，从加工装置41D的正后方观察，安装于可动部60的磨削工具17的整体自进退部75暴露。也就是说，从加工装置41D的正后方观察，进退部75不遮盖安装于可动部60的磨削工具17。能够不被进退部75妨碍地自加工装置41D的后方更换磨削工具17。由此，容易进行磨削工具17的更换，维护性良好。
如图19所示，从加工装置41D的正后方观察，进退部75可以配置于可动部60的旁边(例如X轴方向负侧)。此外，进退部75还可以配置于可动部60的前方或斜前方。无论如何配置，只要从加工装置41D的正后方观察，安装于可动部60的磨削工具17的整体自进退部75暴露即可。
此外，在从加工装置41D的正后方观察时安装于可动部60的磨削工具17的整体未自进退部75暴露的情况下，只要从加工装置41D的斜后方观察时安装于可动部60的磨削工具17的整体自进退部75暴露即可。能够不被进退部75妨碍地自加工装置41D的后方更换磨削工具17。
此外，本实施方式的加工装置41D为了能够使用圆轨道的大小不同的多个种类的磨削工具17而具有进退部75，但本公开的技术并不限定于此。在磨削工具17的圆轨道的大小确定为一种大小的情况下，加工装置41D可以不具有进退部75。在不具有进退部75的情况下，能够减小加工装置41D的X轴方向尺寸。
图20是表示加工装置的第2变形例的俯视图。本变形例的加工装置41E能够置换上述实施方式的加工装置41A、41B、41C中的任一者。也就是说，本变形例的加工装置41E可以是第1主表面磨削装置、平坦化层磨削装置以及第2主表面磨削装置中的任一者。本变形例的加工装置41E包括旋转工作台51、四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D、两个可动部60A、60B、两个升降部70A、70B、两个进退部75A、75B以及两个清洗部80A、80B。
旋转工作台51以铅垂的旋转中心线52为中心旋转。旋转工作台51例如俯视时顺时针旋转180°之后，逆时针旋转180°。由于固定于旋转工作台51的配线和配管的配置返回到原来的配置，因此容易进行配线和配管的处理。
四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D与旋转工作台51一起以旋转工作台51的旋转中心线52为中心旋转。四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D分别具有自下方将基板10保持为水平的基板保持面。基板保持面具有大于基板10的直径的直径，吸附基板10的下表面整体。在加工装置41E为第1主表面磨削装置的情况下，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D以使基板10的第1主表面11朝上的方式自下方保持基板10。在加工装置41E为平坦化层磨削装置或第2主表面磨削装置的情况下，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D以基板10的第2主表面12朝上的方式自下方保持基板10。
四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D以各自的铅垂的旋转中心线为中心旋转自如地安装于旋转工作台51。在停止了旋转工作台51的旋转的状态下，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D能够旋转。
四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D绕旋转工作台51的旋转中心线52以等间隔(90°间隔)配置。如图21所示，第1交接位置A0、第2交接位置A1、第1加工位置A2、第2加工位置A3绕旋转工作台51的旋转中心线52配置。
图21是表示图20所示的四个卡盘工作台的位置变化的一个例子的俯视图。图21的(a)是表示图21的(b)所示的旋转工作台逆时针旋转了180°时的四个卡盘工作台的位置的一个例子的俯视图。图21的(b)是表示图21的(a)所示的旋转工作台顺时针旋转了180°时的四个卡盘工作台的位置的一个例子的俯视图。
第1交接位置A0、第2交接位置A1、第1加工位置A2以及第2加工位置A3依次沿逆时针方向绕旋转工作台51的旋转中心线52配置。此外，配置的顺序也可以颠倒，也可以是，第1交接位置A0、第2交接位置A1、第1加工位置A2以及第2加工位置A3依次沿顺时针方向配置。
一对卡盘工作台53A、53C隔着旋转中心线52对称配置，并分别在第1交接位置A0与第1加工位置A2之间移动。另外，剩余的一对卡盘工作台53B、53D隔着旋转中心线52对称配置，并分别在第2交接位置A1与第2加工位置A3之间移动。
第1交接位置A0为进行基板10的相对于一对卡盘工作台53A、53C的交接的位置。第1交接位置A0兼作进行基板10的自输送装置47向卡盘工作台53A、53C的交接的位置和进行基板10的自卡盘工作台53A、53C向输送装置47的交接的位置。
第1加工位置A2为利用磨削工具17加工保持于一对卡盘工作台53A、53C的基板10的位置。在第1加工位置A2，安装于可动部60B的磨削工具17加工作为基板10的上表面的第1主表面11或第2主表面12。此外，在加工装置41E为平坦化层磨削装置的情况下，磨削工具17加工平坦化层15。第1加工位置A2和第1交接位置A0隔着旋转中心线52对称配置。
一对卡盘工作台53A、53C隔着旋转中心线52对称配置，并分别在第1交接位置A0与第1加工位置A2之间移动。在一对卡盘工作台53A、53C中的任一者位于第1交接位置A0时，剩余的一者位于第1加工位置A2。因而，能够同时实施一张基板10的加工和另一张基板10的交接，能够提高磨削工具17的运转率，因此，能够增加每单位时间的基板10的加工张数。
此外，第1交接位置A0可以兼作利用清洗部80A清洗基板10的位置。在第1加工位置A2进行了加工的基板10被自卡盘工作台53A、53C取下之前，清洗部80A清洗基板10的上表面。清洗方法例如为喷雾清洗。该情况下，能够同时实施基板10的加工和加工后的基板10的清洗。
另外，第1交接位置A0可以兼作利用清洗部80A清洗卡盘工作台53A、53C的基板保持面的位置。在第1加工位置A2进行了加工的基板10被自卡盘工作台53A、53C取下之后，清洗部80A清洗暴露的基板保持面。清洗方法可以为例如喷雾清洗、擦洗中的任一者，也可以为两者。该情况下，能够同时实施基板10的加工和暴露的基板保持面的清洗。
第2交接位置A1为进行基板10的相对于一对卡盘工作台53B、53D的交接的位置。第2交接位置A1兼作进行基板10的自输送装置47向卡盘工作台53B、53D的交接的位置和进行基板10的自卡盘工作台53B、53D向输送装置47的交接的位置。
第2加工位置A3为利用磨削工具17加工保持于一对卡盘工作台53B、53D的基板10的位置。在第2加工位置A3，安装于可动部60A的磨削工具17加工作为基板10的上表面的第1主表面11或第2主表面12。此外，在加工装置41E为平坦化层磨削装置的情况下，磨削工具17加工平坦化层15。第2加工位置A3和第2交接位置A1隔着旋转中心线52对称配置。
一对卡盘工作台53B、53D隔着旋转中心线52对称配置，并分别在第2交接位置A1与第2加工位置A3之间移动。在一对卡盘工作台53B、53D中的任一者位于第2交接位置A1时，剩余的一者位于第2加工位置A3。因而，能够同时实施一张基板10的加工和另一张基板10的交接，能够提高磨削工具17的运转率，因此能够增加每单位时间的基板10的加工张数。
此外，第2交接位置A1可以兼作利用清洗部80B清洗基板10的位置。在第2加工位置A3进行了加工的基板10被自卡盘工作台53B、53D取下之前，清洗部80B清洗基板10的上表面。清洗方法例如为喷雾清洗。该情况下，能够同时实施基板10的加工和加工后的基板10的清洗。
另外，第2交接位置A1可以兼作利用清洗部80B清洗卡盘工作台53B、53D的基板保持面的位置。在第2加工位置A3进行了加工的基板10被自卡盘工作台53B、53D取下后，清洗部80B清洗暴露的基板保持面。清洗方法可以为例如喷雾清洗、擦洗中的任一者，也可以为两者。该情况下，能够同时实施基板10的加工和暴露的基板保持面的清洗。
如图21所示，俯视时，第1交接位置A0和第2交接位置A1相比于第1加工位置A2和第2加工位置A3配置于靠前方(Y轴方向负侧)的位置，并配置于加工装置41E的供基板10送入送出的送入送出口42E(参照图20)的附近。输送装置47自加工装置41E的前方进行基板10的相对于加工装置41E的送入送出，因此，输送装置47容易接近第1交接位置A0和第2交接位置A1。因而，能够顺畅地进行基板10的交接。
送入送出口42E为加工装置41E的面向输送部46的壁、也就是加工装置41E的前表面的开口部。加工装置41E的面向输送部46的壁相对于Y轴方向垂直。在送入送出口42E可以设置开闭送入送出口42E的闸门7。闸门7在输送装置47自输送部46即将进入加工装置41E时打开送入送出口42E，在输送装置47自加工装置41E刚退回到输送部46后立即关闭送入送出口42E。在基板10穿过送入送出口42E时，闸门7打开送入送出口42E。另外，在加工装置41E进行对基板10的加工时，闸门7关闭送入送出口42E。能够抑制在加工装置41E的内部产生的加工屑向输送部46流出。
图22是表示利用了图21所示的四个卡盘工作台的位置变化的处理的一个例子的流程图。图22所示的处理是由两个卡盘工作台53A、53B保持的基板10的处理。在图22所示的处理开始时，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D例如位于图21的(a)所示的位置。图22所示的处理在控制装置9的控制下实施。
基板处理方法具有向加工装置41E送入两张基板10的工序S301。在该工序S301中，在第1交接位置A0和第2交接位置A1，实施基板10的自输送装置47向卡盘工作台53A、53B的交接。此外，与该工序S301并行地，在第1加工位置A2和第2加工位置A3，实施保持于卡盘工作台53C、53D的两张基板10的磨削。
基板处理方法具有使旋转工作台51旋转的工序S302。图21的(a)所示的旋转工作台51顺时针旋转180°，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D从图21的(a)所示的位置移动到图21的(b)所示的位置。
基板处理方法具有在第1加工位置A2和第2加工位置A3磨削保持于卡盘工作台53A、53B的两张基板10的工序S303。与该工序S303并行地，在第1交接位置A0和第2交接位置A1，实施保持于卡盘工作台53C、53D的两张基板10的清洗和基板10的自卡盘工作台53C、53D向输送装置47的交接。此外，在第1交接位置A0和第2交接位置A1，实施卡盘工作台53C、53D的清洗和基板的自输送装置47向卡盘工作台53C、53D的交接。
基板处理方法具有使旋转工作台51再次旋转的工序S304。图21的(b)所示的旋转工作台51逆时针旋转180°，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D从图21的(b)所示的位置移动到图21的(a)所示的位置。
基板处理方法具有在第1交接位置A0和第2交接位置A1清洗保持于卡盘工作台53A、53B的两张基板10的工序S305。另外，基板处理方法具有在第1交接位置A0和第2交接位置A1实施基板10的自卡盘工作台53A、53B向输送装置47的交接而自加工装置41E将两张基板10送出的工序S306。此外，基板处理方法具有在第1交接位置A0和第2交接位置A1清洗卡盘工作台53A、53B的工序S307。
此外，与所述工序S305～S307并行地，在第1加工位置A2和第2加工位置A3，实施保持于卡盘工作台53C、53D的两张基板10的磨削。
之后，图22所示的处理结束。此外，控制装置9可以反复执行图22所示的处理。
图23是表示图20所示的四个卡盘工作台的位置变化的另一例子的俯视图。图23的(a)是表示图23的(d)所示的旋转工作台顺时针旋转了90°时的四个卡盘工作台的位置的一个例子的俯视图。图23的(b)是表示图23的(a)所示的旋转工作台顺时针旋转了90°时的四个卡盘工作台的位置的一个例子的俯视图。图23的(c)是表示图23的(b)所示的旋转工作台顺时针旋转了90°时的四个卡盘工作台的位置的一个例子的俯视图。图23的(d)是表示图23的(c)所示的旋转工作台逆时针旋转了270°时的四个卡盘工作台的位置的一个例子的俯视图。
第1交接位置A0、第1加工位置A2、第2加工位置A3以及第2交接位置A1依次沿顺时针方向绕旋转工作台51的旋转中心线52配置。此外，配置的顺序也可以颠倒，也可以是，第1交接位置A0、第1加工位置A2、第2加工位置A3以及第2交接位置A1依次沿逆时针方向配置。四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D分别依次移动到第1交接位置A0、第1加工位置A2、第2加工位置A3以及第2交接位置A1。
第1交接位置A0为进行基板10的自输送装置47向卡盘工作台53A、53B、53C、53D的交接的位置。
第1加工位置A2为利用磨削工具17一次加工保持于卡盘工作台53A、53B、53C、53D的基板10的位置。在第1加工位置A2，安装于可动部60A的磨削工具17对基板10的上表面进行一次加工。
第2加工位置A3为利用磨削工具17二次加工保持于卡盘工作台53A、53B、53C、53D的基板10的位置。在第2加工位置A3，安装于可动部60B的磨削工具17对基板10的上表面进行二次加工。
一次加工用的磨削工具17与二次加工用的磨削工具17既可以具有相同的平均粒径的磨粒，也可以具有不同的平均粒径的磨粒。在具有不同的平均粒径的磨粒的情况下，优选二次加工用的磨削工具17相比于一次加工用的磨削工具17具有较小的平均粒径的磨粒。
第2交接位置A1为进行基板10的自卡盘工作台53A、53B、53C、53D向输送装置47的交接的位置。
此外，第2交接位置A1可以兼作利用清洗部80B清洗基板10的位置。在第2加工位置A3进行了加工的基板10被自卡盘工作台53A、53B、53C、53D取下之前，清洗部80B清洗基板10的上表面。清洗方法例如为喷雾清洗。该情况下，能够同时实施基板10的加工和加工后的基板10的清洗。
另外，第2交接位置A1可以兼作利用清洗部80B清洗卡盘工作台53A、53B、53C、53D的基板保持面的位置。在第2加工位置A3进行了加工的基板10被自卡盘工作台53A、53B、53C、53D取下后，清洗部80B清洗暴露的基板保持面。清洗方法可以为例如喷雾清洗、擦洗中的任一者，也可以是两者。该情况下，能够同时实施基板10的加工和暴露的基板保持面的清洗。
此外，卡盘工作台53A、53B、53C、53D的基板保持面的清洗还可以代替在第2交接位置A1而是在第1交接位置A0实施，也可以利用清洗部80A来实施。
如图23所示，俯视时，第1交接位置A0和第2交接位置A1相比于第1加工位置A2和第2加工位置A3配置于靠前方(Y轴方向负侧)的位置，且配置于加工装置41E的供基板10送入送出的送入送出口42E(参照图20)的附近。由于输送装置47自加工装置41E的前方进行基板10的相对于加工装置41E的送入送出，因此输送装置47容易接近第1交接位置A0和第2交接位置A1。因而，能够顺畅地进行基板10的交接。
图24是表示利用了图23所示的四个卡盘工作台的位置变化的处理的一个例子的流程图。图24所示的处理为由一个卡盘工作台53A保持的基板10的处理。在图24所示的处理开始时，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D位于图23的(a)所示的位置。图24所示的处理在控制装置9的控制下实施。
基板处理方法具有向加工装置41E送入基板10的工序S401。在该工序S401中，在第1交接位置A0，实施基板10的自输送装置47向卡盘工作台53A的交接。此外，与该工序S401并行地，在第1加工位置A2，实施保持于卡盘工作台53D的基板10的一次磨削。另外，与该工序S401并行地，在第2加工位置A3，实施保持于卡盘工作台53C的基板10的二次磨削。而且，与该工序S401并行地，在第2交接位置A1，实施保持于卡盘工作台53B的基板10的清洗和基板10的自卡盘工作台53B向输送装置47的交接。此外，还可以在第2交接位置A1实施卡盘工作台53B的清洗。
基板处理方法具有使旋转工作台51旋转的工序S402。图23的(a)所示的旋转工作台51顺时针旋转90°，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D自图23的(a)所示的位置移动到图23的(b)所示的位置。
基板处理方法具有在第1加工位置A2一次磨削保持于卡盘工作台53A的基板10的工序S403。此外，与该工序S403并行地，在第2加工位置A3，实施保持于卡盘工作台53D的基板10的二次磨削。另外，与该工序S403并行地，在第2交接位置A1，实施保持于卡盘工作台53C的基板10的清洗和基板10的自卡盘工作台53C向输送装置47的交接。此外，还可以在第2交接位置A1实施卡盘工作台53C的清洗。而且，与该工序S403并行地，在第1交接位置A0，实施基板10的自输送装置47向卡盘工作台53B的交接。
基板处理方法具有使旋转工作台51旋转的工序S404。图23的(b)所示的旋转工作台51顺时针旋转90°，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D从图23的(b)所示的位置移动到图23的(c)所示的位置。
基板处理方法具有在第2加工位置A3二次磨削保持于卡盘工作台53A的基板10的工序S405。此外，与该工序S405并行地，在第2交接位置A1，实施保持于卡盘工作台53D的基板10的清洗和基板10的自卡盘工作台53D向输送装置47的交接。此外，还可以在第2交接位置A1实施卡盘工作台53D的清洗。另外，与该工序S405并行地，在第1交接位置A0实施基板10的自输送装置47向卡盘工作台53C的交接。而且，与该工序S405并行地，在第1加工位置A2实施保持于卡盘工作台53B的基板10的一次磨削。
基板处理方法具有使旋转工作台51旋转的工序S406。图23的(c)所示的旋转工作台51逆时针旋转270°，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D自图23的(c)所示的位置移动到图23的(d)所示的位置。
基板处理方法具有在第2交接位置A1清洗保持于卡盘工作台53A的基板10的工序S407。另外，基板处理方法具有在第2交接位置A1实施基板10的自卡盘工作台53A向输送装置47的交接而自加工装置41E将基板10送出的工序S408。而且，基板处理方法具有在第2交接位置A1清洗卡盘工作台53A的工序S409。
此外，与所述工序S407～S409并行地，在第1交接位置A0实施基板10的自输送装置47向卡盘工作台53D的交接。另外，与所述工序S407～S409并行地，在第1加工位置A2实施保持于卡盘工作台53C的基板10的一次磨削。而且，与所述工序S407～S409并行地，在第2加工位置A3实施保持于卡盘工作台53B的基板10的二次磨削。
基板处理方法具有使旋转工作台51旋转的工序S410。图23的(d)所示的旋转工作台51顺时针旋转90°，四个卡盘工作台53A、53B、53C、53D自图23的(d)所示的位置移动到图23的(a)所示的位置。
之后，图24所示的处理结束。此外，控制装置9可以反复执行图24所示的处理。
根据本变形例的加工装置41E，如图21和图23所示，绕一个旋转工作台51的旋转中心线52配置两个交接位置A0、A1和两个加工位置A2、A3。因而，相比于使用两个绕旋转中心线配置一个交接位置和一个加工位置的旋转工作台的情况，旋转工作台的使用数量较少。由此，能够降低加工装置41E的设置面积，进而能够降低基板处理系统1的设置面积。
图25是表示图20所示的两个可动部与两个升降部、两个进退部之间的位置关系的一个例子的后视图。磨削基板10的磨削工具17可更换地安装于两个可动部60A、60B中的各可动部。两个升降部70A、70B使两个可动部60A、60B独立地在铅垂方向上升降。升降部70A使可动部60A在铅垂方向上升降，升降部70B使可动部60B在铅垂方向上升降。
如图20所示，加工装置41E具有俯视呈矩形的外形，并具有与前后方向(例如Y轴方向)平行的两条边。另外，如图25所示，从加工装置41E的正后方观察，安装于可动部60A的磨削工具17的整体自升降部70A暴露。也就是说，从加工装置41E的正后方观察，升降部70A不遮盖安装于可动部60A的磨削工具17。能够不被升降部70A妨碍地自加工装置41E的后方更换磨削工具17。由此，容易进行磨削工具17的更换，维护性良好。
如图25所示，从加工装置41E的正后方观察，升降部70A可以配置于可动部60A的旁边(例如X轴方向负侧)。此外，升降部70A也可以配置于可动部60A的前方或斜前方。无论如何配置，只要从加工装置41E的正后方观察，安装于可动部60A的磨削工具17的整体自升降部70A暴露即可。
此外，在从加工装置41E的正后方观察时安装于可动部60A的磨削工具17的整体未自升降部70A暴露的情况下，只要从加工装置41E的斜后方观察时安装于可动部60A的磨削工具17的整体自升降部70A暴露即可。能够不被升降部70A妨碍地自加工装置41E的后方更换磨削工具17。
两个进退部75A、75B使两个可动部60A、60B独立地在前后方向上进退。进退部75A使可动部60A在前后方向上进退，升降部70B使可动部60B在前后方向上升降。
如图25所示，从加工装置41E的正后方观察，安装于可动部60A的磨削工具17的整体自进退部75A暴露。也就是说，从加工装置41E的正后方观察，进退部75A不遮盖安装于可动部60A的磨削工具17。能够不被进退部75A妨碍地自加工装置41E的后方更换磨削工具17。由此，容易进行磨削工具17的更换，维护性良好。
如图25所示，从加工装置41E的正后方观察，进退部75A可以配置于可动部60A的旁边(例如X轴方向负侧)。此外，进退部75A也可以配置于可动部60A的前方或斜前方。无论如何配置，只要从加工装置41E的正后方观察，安装于可动部60A的磨削工具17的整体自进退部75A暴露即可。
此外，在从加工装置41E的正后方观察时安装于可动部60A的磨削工具17的整体未自进退部75A暴露的情况下，只要从加工装置41E的斜后方观察时安装于可动部60A的磨削工具17的整体自进退部75A暴露即可。能够不被进退部75A妨碍地自加工装置41E的后方更换磨削工具17。
此外，本实施方式的加工装置41E为了能够使用圆轨道的大小不同的多个种类的磨削工具17而具有进退部75A、75B，但本公开的技术并不限定于此。在磨削工具17的圆轨道的大小确定为一种大小的情况下，加工装置41E可以不具有进退部75A、75B。在不具有进退部75A、75B的情况下，能够减小加工装置41E的X轴方向尺寸。
以上，说明了本公开所涉及的基板处理系统和基板处理方法的实施方式等，但本公开并不限定于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范围内，能够进行各种变更、修正、置换、附加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的技术范围。
基板10并不限定于硅晶圆等半导体基板，也可以是玻璃基板等。也可以是，基板10具有互相相对的第1主表面和第2主表面，在第1主表面要被磨削时，预先利用其他的基板或树脂带保护第2主表面。
本申请基于2018年8月23日向日本专利局申请的日本特愿2018－156673号主张优先权，并将日本特愿2018－156673号的全部内容引用到本申请中。
附图标记说明
1、基板处理系统；9、控制装置；10、基板；17、磨削工具；21、载体载置部；29、第1过渡装置；32、第2过渡装置；33、平坦化装置；34、清洗装置；35A、35B、蚀刻装置；44、反转装置；45A、45B、45C、清洗装置；41A、41B、41C、加工装置；42A、送入送出口；51、旋转工作台；52、旋转中心线；53、卡盘工作台；60、可动部；70、升降部。

Claims (20)

1.一种基板处理系统，其中，
该基板处理系统包括：
第1主表面磨削装置，其以使基板的第1主表面朝上的方式自下方保持所述基板，并且磨削所述基板的所述第1主表面；
第1反转装置，其使利用所述第1主表面磨削装置磨削后的所述基板上下反转；以及
第2主表面磨削装置，其以使所述基板的第2主表面朝上的方式自下方保持所述基板的磨削后的所述第1主表面，并且磨削所述基板的所述第2主表面。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述第1主表面磨削装置具有；卡盘工作台，其以使所述基板的所述第1主表面朝上的方式自下方保持所述基板；可动部，磨削工具可更换地安装于该可动部；以及升降部，其使所述可动部升降。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统包括输送装置，该输送装置俯视时自所述第1主表面磨削装置的前方进行所述基板的相对于所述第1主表面磨削装置的送入送出，
从所述第1主表面磨削装置的正后方或斜后方观察，安装于所述可动部的所述磨削工具的整体自所述升降部暴露。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理系统，其中，
所述第1主表面磨削装置具有在前后方向上引导所述卡盘工作台的水平引导件，
交接位置和加工位置沿着所述水平引导件配置，所述交接位置为进行所述基板的相对于所述卡盘工作台的交接的位置，所述加工位置为利用所述磨削工具加工保持于所述卡盘工作台的所述基板的位置。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理系统，其中，
所述第1主表面磨削装置具有以铅垂的旋转中心线为中心旋转的旋转工作台，
所述卡盘工作台绕所述旋转工作台的所述旋转中心线以等间隔配置有两个，并与所述旋转工作台一起旋转，
交接位置和加工位置绕所述旋转工作台的所述旋转中心线配置，所述交接位置为进行所述基板的相对于所述卡盘工作台的交接的位置，所述加工位置为利用所述磨削工具加工保持于所述卡盘工作台的所述基板的位置。
6.根据权利要求2或3所述的基板处理系统，其中，
所述第1主表面磨削装置具有以铅垂的旋转中心线为中心旋转的旋转工作台，
所述卡盘工作台绕所述旋转工作台的所述旋转中心线以等间隔配置有四个，并与所述旋转工作台一起旋转，
第1交接位置、第2交接位置、第1加工位置、第2加工位置绕所述旋转工作台的所述旋转中心线配置，所述第1交接位置和所述第2交接位置分别为进行所述基板的相对于所述卡盘工作台的交接的位置，所述第1加工位置和所述第2加工位置分别为利用所述磨削工具加工保持于所述卡盘工作台的所述基板的位置。
7.根据权利要求2～6中任一项所述的基板处理系统，其中，
所述第1主表面磨削装置的所述升降部具有：门型框架，其跨所述卡盘工作台的移动路径；一对升降引导件，其固定于所述门型框架；以及一对升降滑块，其沿着一对所述升降引导件升降，
所述可动部固定于一对所述升降滑块，所述可动部具有使所述磨削工具旋转的主轴马达，
一对所述升降滑块隔着所述主轴马达的旋转中心线对称配置。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理系统，其中，
所述第1主表面磨削装置为以使所述基板的所述第1主表面朝上的方式自下方保持形成于所述基板的所述第2主表面的平坦化层的平坦面，并且磨削所述基板的所述第1主表面的装置。
9.根据权利要求8所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统包括平坦化层磨削装置，该平坦化层磨削装置以使所述基板的所述第2主表面朝上的方式自下方保持所述基板的磨削后的所述第1主表面，并且磨削所述平坦化层。
10.根据权利要求8所述的基板处理系统，其中，
所述第2主表面磨削装置具有：可动部，磨削所述平坦化层和所述基板的所述第2主表面这两者的磨削工具可更换地安装于该可动部；以及升降部，其使所述可动部升降。
11.根据权利要求8所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统包括清洗装置，该清洗装置以使所述基板的所述第2主表面朝上的方式保持所述基板，并且将所述平坦化层用溶剂溶解而去除。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统包括第2主表面蚀刻装置，该第2主表面蚀刻装置以使所述基板的磨削后的所述第2主表面朝上的方式保持所述基板，并且蚀刻所述基板的磨削后的所述第2主表面。
13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统包括：
第2反转装置，其使利用所述第2主表面蚀刻装置蚀刻后的所述基板上下反转；以及
第1主表面蚀刻装置，其以使所述基板的磨削后的所述第1主表面朝上的方式保持所述基板，并且蚀刻所述基板的磨削后的所述第1主表面。
14.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有以下工序：
自载置于载体载置部的载体取出基板；
以使自所述载体取出的所述基板的第1主表面朝上的方式自下方保持所述基板，并且磨削所述基板的所述第1主表面；
使所述第1主表面被磨削后的所述基板上下反转；
以使所述基板的第2主表面朝上的方式自下方保持所述基板的磨削后的所述第1主表面，并且磨削所述基板的所述第2主表面；以及
将所述第2主表面被磨削后的所述基板收容于载置在所述载体载置部的载体。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，
磨削所述基板的所述第1主表面的工序为这样的工序：以使自所述载体取出的所述基板的所述第1主表面朝上的方式自下方保持形成于所述基板的所述第2主表面的平坦化层的平坦面，并且磨削所述基板的所述第1主表面。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有以下工序：以使所述基板的所述第2主表面朝上的方式自下方保持所述基板的磨削后的所述第1主表面，并且利用与磨削所述基板的所述第2主表面的磨削工具不同的磨削工具磨削所述平坦化层。
17.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有以下工序：以使所述基板的所述第2主表面朝上的方式自下方保持所述基板的磨削后的所述第1主表面，并且利用磨削所述基板的所述第2主表面的磨削工具磨削所述平坦化层。
18.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有以下工序：以使所述基板的所述第2主表面朝上的方式保持所述基板，并且将所述平坦化层用溶剂溶解而去除。
19.根据权利要求14～18中任一项所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有以下工序：以使所述基板的磨削后的所述第2主表面朝上的方式保持所述基板，并且蚀刻所述基板的磨削后的所述第2主表面。
20.根据权利要求19所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有以下工序：
使所述第2主表面被蚀刻后的所述基板上下反转；以及
以使所述基板的磨削后的所述第1主表面朝上的方式保持所述基板，并且蚀刻所述基板的磨削后的所述第1主表面。
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