CN106057706A - 基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理系统。该基板处理系统在对正面朝上的基板和背面朝上的基板这两者进行处理的情况下，能够抑制基板的正面和背面的状态管理的复杂化。实施方式所涉及的基板处理系统具备第一处理块、第二处理块以及翻转机构。第一处理块包括：第一处理单元，其在基板的第一面朝上的状态下进行基板的处理；以及第一输送装置，其针对第一处理单元进行基板的搬入和搬出。第二处理块包括：第二处理单元，其在基板的与第一面相反一侧的面即第二面朝上的状态下进行基板的处理；以及第二输送装置，其针对第二处理单元进行基板的搬入和搬出。翻转机构配置在从第一处理块向第二处理块的基板的输送路径的中途，用于使基板翻转。

Description

基板处理系统
技术领域
公开的实施方式涉及一种基板处理系统。
背景技术
以往，在半导体设备的制造工序中，对半导体晶圆等基板实施蚀刻处理、清洗处理或成膜处理之类的各种处理。
作为针对基板的处理，存在在基板的正面朝上的状态下进行的处理和在基板的背面朝上的状态下进行的处理。因此，近年来提出了一种基板处理系统，该基板处理系统具备对正面朝上的基板进行基板处理的处理单元和对背面朝上的基板进行基板处理的处理单元这两者。
例如，在专利文献1中公开了一种基板处理系统，该基板处理系统具备：第一处理装置，其在基板的正面朝上的状态下向基板的正面供给清洗液；第二处理装置，其在基板的背面朝上的状态下向基板的背面供给清洗液；基板翻转装置，其使基板的正面和背面翻转；以及基板输送装置，其访问第一处理装置、第二处理装置以及基板翻转装置来进行基板的搬入和搬出。
专利文献1：日本特开2013-21026号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1中记载的基板处理系统中，正面朝上的基板和背面朝上的基板混在一起，因此基板的状态管理有可能复杂化。
实施方式的一个方式的目的在于提供如下一种基板处理系统：在对正面朝上的基板和背面朝上的基板这两者进行处理的情况下，能够抑制基板的正面和背面的状态管理的复杂化。
用于解决问题的方案
实施方式的一个方式所涉及的基板处理系统具备第一处理块、第二处理块以及翻转机构。第一处理块包括：第一处理单元，其在基板的第一面朝上的状态下进行基板的处理；以及第一输送装置，其针对第一处理单元进行基板的搬入和搬出。第二处理块包括：第二处理单元，其在基板的与第一面相反一侧的面即第二面朝上的状态下进行基板的处理；以及第二输送装置，其针对第二处理单元进行基板的搬入和搬出。翻转机构配置在从第一处理块向第二处理块的基板的输送路径的中途，用于使基板翻转。
发明的效果
根据实施方式的一个方式，在对正面朝上的基板和背面朝上的基板这两者进行处理的情况下，能够抑制基板的正面和背面的状态管理的复杂化。
附图说明
图1是第一实施方式所涉及的基板处理系统的示意俯视图。
图2是第一实施方式所涉及的基板处理系统的示意侧视图。
图3是第一处理单元的示意俯视图。
图4是第一处理单元的示意侧视图。
图5是第二处理块的示意俯视图。
图6是第二处理单元的示意俯视图。
图7是第二处理单元的示意侧视图。
图8是表示第一缓冲部的结构的图。
图9是表示第一缓冲部的结构的图。
图10是主输送装置、转移装置、第一输送装置以及第二输送装置的配置图。
图11是第一输送装置所具备的晶圆保持部的示意俯视图。
图12是第二输送装置所具备的晶圆保持部的示意俯视图。
图13是第一实施方式所涉及的基板处理系统中的晶圆的输送流程的说明图。
图14是第二实施方式所涉及的基板处理系统的示意俯视图。
图15是第二实施方式所涉及的基板处理系统的示意侧视图。
图16是第二实施方式所涉及的基板处理系统中的晶圆的输送流程的说明图。
图17是第三实施方式所涉及的基板处理系统的示意俯视图。
图18是第三实施方式所涉及的基板处理系统中的晶圆的输送流程的说明图。
图19是第四实施方式所涉及的第一处理单元的示意侧视图。
图20是第五实施方式所涉及的基板处理系统的示意俯视图。
图21是第五实施方式所涉及的基板处理系统的示意侧视图。
图22是第五实施方式所涉及的第二处理单元的示意俯视图。
图23是第五实施方式所涉及的交接块的示意后视图。
图24是缓冲部的示意俯视图。
图25是缓冲部的示意侧视图。
图26是第五实施方式所涉及的基板处理系统中的晶圆W的输送流程的说明图。
图27是第五实施方式所涉及的基板处理系统中的晶圆W的输送流程的说明图。
图28是不进行正面清洗处理的情况下的晶圆的输送流程的说明图。
附图标记说明
W：晶圆；1：基板处理系统；2：搬入搬出块；3：处理块；3U：第一处理块；3L：第二处理块；4：交接块；5：控制装置；13：主输送装置(CRA)；15a、15b：转移装置(MPRA)；17：第一输送装置(PRA1)；18：第一处理单元(CH1)；27：第二输送装置(PRA2)；28：第二处理单元(CH2)；21U：第一缓冲部(SBU1)；21L：第二缓冲部(SBU2)；22U：第一交接部(TRS1)；22L：第二交接部(TRS2)；23a：第一翻转机构(RVS1)；23b：第二翻转机构(RVS2)。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的基板处理系统的实施方式。此外，本发明并不限定于以下所示的实施方式。
(第一实施方式)
<基板处理系统1的结构>
首先，参照图1和图2对第一实施方式所涉及的基板处理系统1的结构进行说明。图1是第一实施方式所涉及的基板处理系统1的示意俯视图。另外，图2是第一实施方式所涉及的基板处理系统1的示意侧视图。此外，以下为了明确位置关系而规定互相正交的X轴、Y轴以及Z轴，并将Z轴正方向设为铅垂向上方向。
如图1所示，第一实施方式所涉及的基板处理系统1具备搬入搬出块2、处理块3以及交接块4。这些块按搬入搬出块2、交接块4、处理块3的顺序排列配置。
基板处理系统1将从搬入搬出块2搬入的基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称为晶圆W)经由交接块4输送到处理块3，并在处理块3中对晶圆W进行处理。另外，基板处理系统1使处理后的晶圆W从处理块3经由交接块4返回到搬入搬出块2，并从搬入搬出块2向外部送出该晶圆W。以下，对各块2～4的结构进行说明。
<搬入搬出块2的结构>
搬入搬出块2具备载置部11和输送部12。在载置部11上载置有将多个晶圆W以水平状态收容的多个盒C。
输送部12与载置部11相邻地配置，在内部具备主输送装置13。主输送装置13在载置部11与交接块4之间进行晶圆W的输送。
<处理块3的结构>
如图2所示，处理块3具备第一处理块3U和第二处理块3L。第一处理块3U和第二处理块3L被分隔壁、挡板等在空间上隔开，并以在高度方向上排列的方式配置。在本实施方式中，第一处理块3U配置于上层侧，第二处理块3L配置于下层侧。
在第一处理块3U中，对电路形成面(以下记载为“正面”)朝上的状态的晶圆W进行处理。另一方面，在第二处理块3L中，对与正面相反一侧的面即背面朝上的状态的晶圆W进行处理。对这些第一处理块3U和第二处理块3L的结构进行说明。
<第一处理块3U的结构>
如图1所示，第一处理块3U具备输送部16、第一输送装置17以及多个第一处理单元18。第一输送装置17配置在输送部16的内部，多个第一处理单元18在输送部16的外部与输送部16相邻地配置。
第一输送装置17在交接块4与第一处理单元18之间进行晶圆W的输送。具体地说，第一输送装置17进行以下处理：将晶圆W从交接块4取出并输送到第一处理单元18，以及将由第一处理单元18处理后的晶圆W从第一处理单元18取出并输送到交接块4。
第一处理单元18对正面朝上的状态的晶圆W进行倒角清洗处理。倒角清洗处理是将附着于晶圆W的未形成电路的周缘部(倒角部)的微粒、晶圆舟痕迹等去除的处理。
在此，参照图3和图4对第一处理单元18的结构进行说明。图3是第一处理单元18的示意俯视图。另外，图4是第一处理单元18的示意侧视图。
如图3和图4所示，第一处理单元18具备第一腔室101、第一保持部102、第一回收杯103、倒角清洗部104以及第一喷出部105(参照图4)。
第一腔室101收容第一保持部102、第一回收杯103、倒角清洗部104以及第一喷出部105。在第一腔室101的顶部设置有在第一腔室101内形成下行气流的FFU(Fun Filter Unit：风机过滤单元)111。
第一保持部102具备对晶圆W进行吸附保持的吸附保持部121、对吸附保持部121进行支承的支柱构件122以及使支柱构件122旋转的驱动部123。
吸附保持部121与真空泵等吸气装置(未图示)连接，利用通过该吸气装置的吸气而产生的负压来吸附晶圆W的背面，由此将晶圆W水平地保持。作为该吸附保持部121，例如能够使用多孔吸盘。此外，吸附方式并不限定于上述例子，例如也可以使用静电吸盘等其它方式。
吸附保持部121具有直径比晶圆W的直径小的吸附区域。由此，能够使后述的倒角清洗部104的倒角刷141与晶圆W的周缘部相抵接。
支柱构件122设置在吸附保持部121的下部，将吸附保持部121以能够经由轴承(未图示)而相对于第一腔室101和第一回收杯103旋转的方式支承。驱动部123设置在支柱构件122的下部，用于使支柱构件122绕铅垂轴旋转。由此，被吸附保持部121吸附保持的晶圆W旋转。
第一回收杯103被配置为包围第一保持部102。在第一回收杯103的底部形成有用于向第一腔室101的外部排出从第一喷出部105喷出的药液的排液口131和用于排出第一腔室101内的空气的排气口132。
倒角清洗部104具备：倒角刷141；臂143，其在水平方向(在此为Y轴方向)上延伸，通过轴142将倒角刷141从上方支承；以及移动机构145，其使臂143沿导轨144在水平方向(在此为X轴方向)上移动。移动机构145还能够使臂143在铅垂方向(Z轴方向)上移动。
第一喷出部105例如设置在第一回收杯103的底部，经由阀151、流量调整器(未图示)等而与药液供给源152连接。该第一喷出部105向晶圆W的背面周缘部喷出从药液供给源152供给的药液。此外，作为从药液供给源152供给的药液，例如能够使用SC1(氨、过氧化氢、水的混合液)等。
第一处理单元18如上所述那样构成，使正面朝上的晶圆W以由吸附保持部121将该晶圆W背面吸附保持着的状态旋转。而且，第一处理单元18一边从第一喷出部105向旋转的晶圆W的背面周缘部喷出药液一边使倒角清洗部104的倒角刷141与晶圆W的周缘部抵接。通过这样将利用药液进行的化学方式的清洗与利用倒角刷141进行的物理方式的清洗相结合，能够提高微粒、晶圆舟痕迹等的去除性能。这样，第一处理单元18不对电路形成面进行药液的供给、物理方式的清洗。
另外，在将形成于晶圆W的未形成电路的周缘部(倒角部)的膜去除时，也能够应用倒角清洗处理。
此外，也可以是，第一处理单元18在进行倒角清洗处理后进行冲洗处理，在该冲洗处理中，通过从第一喷出部105供给纯水等冲洗液来将残留在晶圆W的周缘部的药液冲掉。另外，第一处理单元18在进行冲洗处理后，通过使晶圆W旋转来使晶圆W的周缘部干燥。
<第二处理块3L的结构>
接着，参照图5对第二处理块3L的结构进行说明。图5是第二处理块3L的示意俯视图。
如图5所示，第二处理块3L具备输送部26、第二输送装置27以及多个第二处理单元28。第二输送装置27配置在输送部26的内部，多个第二处理单元28在输送部26的外部与输送部26相邻地配置。
第二输送装置27在交接块4与第二处理单元28之间进行晶圆W的输送。具体地说，第二输送装置27进行以下处理：将晶圆W从交接块4取出并输送到第二处理单元28，以及将由第二处理单元28处理后的晶圆W从第二处理单元28取出并输送到交接块4。
第二处理单元28对背面朝上的状态的晶圆W进行将附着于晶圆W的背面的微粒等去除的背面清洗处理。在此，参照图6和图7对第二处理单元28的结构进行说明。图6是第二处理单元28的示意俯视图。另外，图7是第二处理单元28的示意侧视图。
如图6和图7所示，第二处理单元28具备第二腔室201、第二保持部202、第二回收杯203、背面清洗部204以及第二喷出部205。
第二腔室201收容第二保持部202、第二回收杯203、背面清洗部204以及第二喷出部205。在第二腔室201的顶部设置有在第二腔室201内形成下行气流的FFU 211。
第二保持部202具备直径比晶圆W的直径大的主体部221、设置于主体部221的上表面的多个把持部222、对主体部221进行支承的支柱构件223以及使支柱构件223旋转的驱动部224。
该第二保持部202通过使用多个把持部222把持晶圆W的周缘部来保持晶圆W。由此，晶圆W以从主体部221的上表面稍微离开的状态被水平地保持。
此外，在第二处理单元28中，对背面朝向上方的状态、即正面朝向下方的状态的晶圆W进行背面清洗处理。因此，如果在第二处理单元28中使用如第一保持部102(参照图4)那样吸附晶圆W的类型的构件，则有可能弄脏作为电路形成面的正面。因此，在基板处理系统1中，将把持晶圆W的周缘部的类型的构件用作第二保持部202，以免弄脏电路形成面。
第二回收杯203被配置为包围第二保持部202。在第二回收杯203的底部形成有与第一回收杯103的排液口131和排气口132相同的排液口231和排气口232。
背面清洗部204具备：背面刷241；臂243，其在水平方向(在此为Y轴方向)上延伸，通过轴242将背面刷241从上方支承；以及移动机构245，其使臂243沿导轨244在水平方向(在此为X轴方向)上移动。移动机构245还能够使臂243在铅垂方向(Z轴方向)上移动。另外，背面清洗部204还具备未图示的旋转机构，能够使用该旋转机构使背面刷241绕轴242旋转。
第二喷出部205配置在第二回收杯203的外部。第二喷出部205具备：喷嘴251；臂252，其在水平方向上延伸并保持喷嘴251；以及转动升降机构253，其使臂252进行转动和升降。
如图7所示，喷嘴251经由阀255、流量调整器(未图示)等而与清洗液供给源256连接。该第二喷出部205向晶圆W喷出从清洗液供给源256供给的清洗液。此外，从清洗液供给源256供给的清洗液例如是纯水。此外，也可以利用药液(例如SC-1)来作为清洗液。
第二处理单元28如上述那样构成，利用第二保持部202来保持背面朝上的晶圆W的周缘部并使该晶圆W旋转。接着，第二处理单元28使配置在旋转的晶圆W的上方的背面清洗部204的背面刷241与晶圆W接触。另外，第二处理单元28从配置在旋转的晶圆W的上方的第二喷出部205向晶圆W喷出清洗液。而且，第二处理单元28一边使背面刷241旋转一边使该背面刷241例如从晶圆W的中心部向外周部移动。由此，将附着于晶圆W的背面整面的微粒等去除。
<交接块4的结构>
接着，对交接块4进行说明。如图1和图2所示，在交接块4的内部配置有多个转移装置15a、15b、第一缓冲部21U、第二缓冲部21L、第一交接部22U、第二交接部22L、第一翻转机构23a以及第二翻转机构23b。
第一缓冲部21U、第二缓冲部21L、第一交接部22U、第二交接部22L、第一翻转机构23a以及第二翻转机构23b以在高度方向上排列的方式配置。具体地说，从上方起按第一交接部22U、第一缓冲部21U、第二缓冲部21L、第二交接部22L、第一翻转机构23a以及第二翻转机构23b的顺序依次配置(参照图2)。
转移装置15a、15b具备未图示的升降机构，使用该升降机构在铅垂方向上移动，由此针对以在高度方向上排列的方式配置的第一交接部22U等进行晶圆W的搬入和搬出。转移装置15a从第一交接部22U等的Y轴正方向侧访问第一交接部22U等。另外，转移装置15b从第一交接部22U等的Y轴负方向侧访问第一交接部22U等。
第一缓冲部21U、第二缓冲部21L、第一交接部22U以及第二交接部22L是能够将晶圆W多层地收容的模块。其中，第一缓冲部21U和第二缓冲部21L由主输送装置13和转移装置15a、15b来访问。
在此，参照图8和图9对第一缓冲部21U和第二缓冲部21L的结构进行说明。图8和图9是表示第一缓冲部21U的结构的图。此外，在图8中，作为一例而示出第一缓冲部21U的结构，但第二缓冲部21L的结构也与第一缓冲部21U相同。
如图8所示，第一缓冲部21U具备基座部211以及在基座部211上竖立设置的三个支承部212、213、214。三个支承部212、213、214以大约120度为间隔沿圆周方向配置，分别在前端保持晶圆W的外周部。另外，各支承部212、213、214沿高度方向设置有多个(例如参照图9所示的多个支承部212)。由此，第一缓冲部21U能够将多个晶圆W多层地收容。
主输送装置13和转移装置15a分别从不同的方向访问该第一缓冲部21U。具体地说，主输送装置13从第一缓冲部21U的X轴负方向侧经过支承部212与支承部214之间而进入第一缓冲部21U内。另外，转移装置15a从第一缓冲部21U的Y轴正方向侧经过支承部212与支承部213之间而进入第一缓冲部21U内。
在第一缓冲部21U和第二缓冲部21L中，均收容正面朝上的状态的晶圆W。
第一输送装置17和转移装置15a、15b能够访问第一交接部22U，在该第一交接部22U中收容从交接块4向第一处理块3U搬入的晶圆W或从第一处理块3U向交接块4搬出的晶圆W。在该第一交接部22U中收容正面朝上的状态的晶圆W。该第一交接部22U配置在第一输送装置17能够访问的位置，具体地说，配置在与第一处理块3U的输送部16相邻的位置。
第二输送装置27和转移装置15a、15b能够访问第二交接部22L，在该第二交接部22L中收容从交接块4向第二处理块3L搬入的晶圆W或从第二处理块3L向交接块4搬出的晶圆W。在该第二交接部22L中收容背面朝上的状态的晶圆W。该第二交接部22L配置在第二输送装置27能够访问的位置，具体地说，配置在与第二处理块3L的输送部26相邻的位置。
第一翻转机构23a和第二翻转机构23b使晶圆W的正面和背面翻转。在本实施方式中，第一翻转机构23a使正面朝上的晶圆W翻转，第二翻转机构23b使背面朝上的晶圆W翻转，但关于第一翻转机构23a和第二翻转机构23b使正面状态和背面状态中的哪个状态的晶圆W翻转，并不限定于上述例子。
这样，在第一实施方式所涉及的基板处理系统1中，将对正面朝上的晶圆W进行处理的第一处理单元18配置于第一处理块3U，将对背面朝上的晶圆W进行处理的第二处理单元28配置于与第一处理块3U在空间上被分隔的第二处理块3L。另外，在第一实施方式所涉及的基板处理系统1中，将使晶圆W的正面和背面翻转的翻转机构23a、23b配置于作为从第一处理块3U向第二处理块3L的晶圆W的输送路径的交接块4。
通过像这样构成，在第一处理块3U中能够仅对正面朝上的晶圆W进行处理，在第二处理块3L中能够仅对背面朝上的晶圆W进行处理。即，在第一处理块3U和第二处理块3L中均不会发生正面朝上的晶圆W和背面朝上的晶圆W混在一起的状况。因此，根据第一实施方式所涉及的基板处理系统1，能够抑制晶圆W的正面和背面的状态管理的复杂化。
<控制装置5的结构>
基板处理系统1具备控制装置5(参照图1)。控制装置5例如是计算机，具备控制部51和存储部52。在存储部52中存储有用于控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部51例如是CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)，通过将存储部52中存储的程序读出并执行来控制基板处理系统1的动作。
此外，该程序也可以是能够由计算机读取的存储介质中记录的程序，还可以是从该存储介质被安装到控制装置5的存储部52中的程序。作为能够由计算机读取的存储介质，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、压缩光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。此外，关于控制部51，也可以不使用程序构成，而仅使用硬件构成。
<输送单元的结构>
接着，参照图10对基板处理系统1所具备的输送单元即主输送装置13、转移装置15a、15b、第一输送装置17以及第二输送装置27的结构进行说明。图10是主输送装置13、转移装置15a、15b、第一输送装置17以及第二输送装置27的配置图。
如图10所示，主输送装置13具备保持晶圆W的多个(在此为五个)晶圆保持部130。主输送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴为中心转动，能够使用晶圆保持部130在盒C与第一缓冲部21U及第二缓冲部21L之间同时输送多个晶圆W。
转移装置15a、15b如上述那样针对图2所示的第一缓冲部21U、第二缓冲部21L、第一交接部22U、第二交接部22L、第一翻转机构23a以及第二翻转机构23b进行晶圆W的搬入和搬出。
第一输送装置17和第二输送装置27能够沿水平方向和铅垂方向移动。第一输送装置17使用晶圆保持部170在第一交接部22U与第一处理单元18之间进行晶圆W的输送，第二输送装置27使用晶圆保持部270在第二交接部22L与第二处理单元28之间进行晶圆W的输送。
在此，参照图11和图12对第一输送装置17和第二输送装置27所具备的晶圆保持部170、270的结构进行说明。图11是第一输送装置17所具备的晶圆保持部170的示意俯视图。另外，图12是第二输送装置27所具备的晶圆保持部270的示意俯视图。
如图11所示，第一输送装置17所具备的晶圆保持部170具备：主体部171，其具有前端部分支为两叉状的形状；以及多个吸附部172，该多个吸附部172设置于主体部171的上表面，用于吸附晶圆W。吸附部172例如分别设置于主体部171的基端部和两叉状的各前端部。各吸附部172与真空泵等吸气装置(未图示)连接，利用通过该吸气装置的吸气而产生的负压来吸附晶圆W。
该晶圆保持部170通过使用吸附部172吸附晶圆W的背面来保持晶圆W。因此，通过晶圆保持部170，能够防止晶圆W在输送过程中发生位置偏移。
在第一处理单元18中，如上述那样进行倒角清洗处理。在此，当在进行倒角清洗处理时晶圆W的位置发生了偏移时，难以适当地使倒角刷141与晶圆W的周缘部抵接。因此，在进行倒角清洗处理的情况下，优选使晶圆W的中心与第一保持部102的旋转中心一致。
晶圆W的位置偏移有时在输送过程中发生。因此，考虑在将晶圆W输送到第一处理单元18之后且倒角清洗处理开始之前，进行晶圆W的位置调整来校正由输送造成的晶圆W的位置偏移。但是，在像这样操作的情况下，有可能由于处理时间的增加而导致生产率的降低、伴随着配置用于位置调整的机构而导致系统的大型化等。
与此相对地，在第一实施方式所涉及的基板处理系统1中，能够利用吸附部172来防止晶圆W在输送过程中发生位置偏移，因此能够使晶圆W相对于第一处理单元18的第一保持部102保持在适当的位置处。因而，不需要位置调整处理、用于位置调整的机构，因此能够抑制生产率的降低、系统的大型化。
接着，对第二输送装置27所具备的晶圆保持部270的结构进行说明。如图12所示，第二输送装置27所具备的晶圆保持部270具备：主体部271，其具有直径比晶圆W的直径大的内周部；以及多个爪部272，该多个爪部272从主体部271的内周部向该内周部的径向内侧突出。
该晶圆保持部270通过使晶圆W的外周部载置于爪部272来保持晶圆W。因而，通过晶圆保持部270，能够对晶圆W极力避免产生吸附痕迹等污迹地进行输送。
在基板处理系统1中，第二输送装置27将结束了倒角清洗处理和背面清洗处理这两者的清洗完成的晶圆W输送到交接块4。因此，在基板处理系统1中，将具备极力避免将清洗完成的晶圆W弄脏的晶圆保持部270的第二输送装置27配置于第二处理块3L的输送部26。
这样，在第一处理单元18和第二处理单元28中，适于晶圆W的搬入和搬出的输送装置是不同的。与此相应地，在基板处理系统1中，将处理块3分成第一处理块3U和第二处理块3L，因此能够使用适于第一处理单元18的第一输送装置17和适于第二处理单元28的第二输送装置27这两者。
此外，在图10中示出了转移装置15a、15b、第一输送装置17以及第二输送装置27具备一个晶圆保持部的情况的例子，但也可以是，转移装置15a、15b、第一输送装置17以及第二输送装置27与主输送装置13同样地具备多个晶圆保持部。
<晶圆W的输送流程>
接着，参照图13对第一实施方式所涉及的基板处理系统1的晶圆W的输送流程进行说明。图13是第一实施方式所涉及的基板处理系统1中的晶圆W的输送流程的说明图。此外，在图13中，用实线表示正面朝上的晶圆W的输送流程，用虚线表示背面朝上的晶圆W的输送流程。
另外，以下，有时将主输送装置13记载为“CRA”，将转移装置15a、15b记载为“MPRA”，将第一输送装置17记载为“PRA1”，将第二输送装置27记载为“PRA2”。另外，有时将第一缓冲部21U记载为“SBU1”，将第二缓冲部21L记载为“SBU2”，将第一交接部22U记载为“TRS1”，将第二交接部22L记载为“TRS2”，将第一翻转机构23a记载为“RVS1”，将第二翻转机构23b记载为“RVS2”。另外，有时将第一处理单元18记载为“CH1”，将第二处理单元28记载为“CH2”。此外，在图13中，关于第一缓冲部21U(SBU1)、第二缓冲部21L(SBU2)、第一交接部22U(TRS1)、第二交接部22L(TRS2)、第一翻转机构23a(RVS1)以及第二翻转机构23b(RVS2)，省略附图标记地示出。
如图13所示，在基板处理系统1中，首先，主输送装置13(CRA)将多个未处理的晶圆W从盒C中一并取出并收容于第一缓冲部21U(SBU1)(步骤S101)。
接着，转移装置15a(MPRA)将未处理的晶圆W从第一缓冲部21U(SBU1)取出并转移到第一交接部22U(TRS1)(步骤S102)。
接着，第一处理块3U的第一输送装置17(PRA1)将晶圆W从第一交接部22U(TRS1)取出并输送到第一处理单元18(CH1)(步骤S103)，第一处理单元18(CH1)对晶圆W进行倒角清洗处理。另外，当倒角清洗处理结束时，第一输送装置17(PRA1)将倒角清洗处理完成的晶圆W从第一处理单元18(CH1)取出并收容于第一交接部22U(TRS1)(步骤S104)。
接着，转移装置15a(MPRA)将倒角清洗处理完成的晶圆W从第一交接部22U(TRS1)取出并转移到第一翻转机构23a(RVS1)(步骤S105)，第一翻转机构23a(RVS1)使该晶圆W的正面和背面翻转。由此，晶圆W成为背面朝向上方的状态。
接着，转移装置15b(MPRA)将晶圆W从第一翻转机构23a(RVS1)取出并转移到第二交接部22L(TRS2)(步骤S106)。
接着，第二处理块3L的第二输送装置27(PRA2)将晶圆W从第二交接部22L(TRS2)取出并输送到第二处理单元28(CH2)(步骤S107)，第二处理单元28(CH2)对晶圆W进行背面清洗处理。另外，当背面清洗处理结束时，第二输送装置27(PRA2)将背面清洗处理完成的晶圆W从第二处理单元28(CH2)取出并收容于第二交接部22L(TRS2)(步骤S108)。
此外，由第二输送装置27进行的晶圆W的输送处理(步骤S107、S108)及第二处理单元28中的背面清洗处理与由第一输送装置17进行的晶圆W的输送处理(步骤S103、S104)及第一处理单元18中的倒角清洗处理被并行地进行。另外，由第一输送装置17进行的晶圆W的输送处理(步骤S103、S104)及由第二输送装置27进行的晶圆W的输送处理(步骤S107、S108)与由转移装置15a、15b(MPRA)进行的晶圆W的输送处理(步骤S102、S105、S106、S109、S110)被并行地进行。由此，能够使一系列基板处理的生产率提高。
接着，转移装置15b(MPRA)将晶圆W从第二交接部22L(TRS2)取出并转移到第二翻转机构23b(RVS2)(步骤S109)，第二翻转机构23b(RVS2)使该晶圆W的正面和背面翻转。由此，晶圆W再次成为正面朝上的状态。
接着，转移装置15a(MPRA)将晶圆W从第二翻转机构23b(RVS2)取出并转移到第二缓冲部21L(SBU2)(步骤S110)，主输送装置13(CRA)将多个结束了倒角清洗处理和背面清洗处理的晶圆W从第二缓冲部21L(SBU2)一并取出并收容于盒C(步骤S111)。由此，一系列基板处理结束。
如上所述，第一实施方式所涉及的基板处理系统1具备第一处理块3U、第二处理块3L、第一翻转机构23a以及第二翻转机构23b(RVS1、RVS2)。第一处理块3U包括：第一处理单元18(CH1)，其在晶圆W的正面(相当于“第一面”的一例)朝上的状态下进行晶圆W的处理；以及第一输送装置17(PRA1)，其针对第一处理单元18(CH1)进行晶圆W的搬入和搬出。第二处理块3L包括：第二处理单元28(CH2)，其在晶圆W的与正面相反一侧的面即背面(相当于“第二面”的一例)朝上的状态下进行晶圆W的处理；以及第二输送装置27(PRA2)，其针对第二处理单元28(CH2)进行晶圆W的搬入和搬出。第一翻转机构23a和第二翻转机构23b(RVS1、RVS2)配置在从第一处理块3U向第二处理块3L的晶圆W的输送路径的中途，用于使该晶圆W翻转。
因而，根据第一实施方式所涉及的基板处理系统1，在对正面朝上的晶圆W和背面朝上的晶圆W这两者进行处理的情况下，能够抑制晶圆W的正面和背面的状态管理的复杂化。
另外，在第一实施方式所涉及的基板处理系统1中，使转移装置15a、15b(MPRA)针对第一翻转机构23a(RVS1)和第二翻转机构23b(RVS2)进行晶圆W的搬入和搬出。由此，与使第一输送装置17(PRA1)和第二输送装置27(PRA2)进行上述晶圆W的搬入和搬出的情况相比，能够使第一输送装置17(PRA1)和第二输送装置27(PRA2)的处理负担降低。
此外，在基板处理系统1中，也可以使第一输送装置17(PRA1)和第二输送装置27(PRA2)针对第一翻转机构23a(RVS1)和第二翻转机构23b(RVS2)进行晶圆W的搬入和搬出。在该情况下，只要将第一翻转机构23a(RVS1)和第二翻转机构23b(RVS2)配置在第一输送装置17(PRA1)、第二输送装置27(PRA2)能够访问的位置即可。
另外，在第一实施方式中示出了将第一处理块3U配置在上层侧、将第二处理块3L配置在下层侧的情况的例子，但是第一处理块3U和第二处理块3L的配置也可以是相反的。
(第二实施方式)
<第二实施方式所涉及的基板处理系统1A的结构>
接着，对第二实施方式所涉及的基板处理系统1A进行说明。首先，参照图14和图15对第二实施方式所涉及的基板处理系统1A的结构进行说明。图14是第二实施方式所涉及的基板处理系统1A的示意俯视图。另外，图15是第二实施方式所涉及的基板处理系统1A的示意侧视图。此外，在以下的说明中，对与已说明的部分相同的部分附加与已说明的部分相同的附图标记并省略重复的说明。
如图14所示，第二实施方式所涉及的基板处理系统1A具备搬入搬出块2、第一处理块3B、第二处理块3F、第一交接块4F以及第二交接块4B。这些块按搬入搬出块2、第一交接块4F、第二处理块3F、第二交接块4B、第一处理块3B的顺序排列配置。
此外，搬入搬出块2和第一交接块4F是与第一实施方式的搬入搬出块2和交接块4相同的结构，因此省略此处的说明。
<第一处理块3B的结构>
第一处理块3B配置于第二交接块4B的后方、即基板处理系统1A的最后方。该第一处理块3B具备第一输送装置17和多个第一处理单元18。第一输送装置17进行第一处理单元18与第二交接块4B之间的晶圆W的输送。
多个第一处理单元18在第一输送装置17的Y轴正方向侧和Y轴负方向侧与之相邻地配置。如图15所示，多个第一处理单元18以在高度方向上排列的方式配置。
<第二处理块3F的结构>
第二处理块3F配置于第一交接块4F与第二交接块4B之间，该第二处理块3F具备第二输送装置27和多个第二处理单元28。第二输送装置27进行第一交接块4F与第二处理单元28之间的晶圆W的输送。另外，第二输送装置27还进行第一交接块4F与第二交接块4B之间的晶圆W的输送。
多个第二处理单元28在第二输送装置27的Y轴正方向侧和Y轴负方向侧与之相邻地配置。如图15所示，多个第二处理单元28以在高度方向上排列的方式配置。
<第二交接块4B的结构>
第二交接块4B配置于第二处理块3F与第一处理块3B之间。在该第二交接块4B的内部配置有转移装置15c和第三交接部19。
转移装置15c具有与上述转移装置15a、15b相同的结构，配置在第三交接部19的Y轴正方向侧。此外，第二交接块4B不一定需要具备转移装置15c。
第三交接部19能够将多个晶圆W多层地收纳。另外，第三交接部19构成为能够沿水平方向(在此为X轴方向)滑动，通过向X轴负方向侧滑动，能够进入第二处理块3F的输送部26来与第二输送装置27之间进行晶圆W的交接。此外，第三交接部19也可以具有与第一交接部22U及第二交接部22L相同的结构。
第二实施方式所涉及的基板处理系统1A如上所述那样构成，将从搬入搬出块2搬入的晶圆W经由第一交接块4F、第二处理块3F以及第二交接块4B输送到第一处理块3B，并在第一处理块3B中对该晶圆W进行倒角清洗处理。之后，基板处理系统1A在使倒角清洗处理后的晶圆W从第一处理块3B返回到第二交接块4B、第二处理块3F以及第一交接块4F之后，将该晶圆W输送到第二处理块3F并在第二处理块3F中对该晶圆W进行背面清洗处理。然后，基板处理系统1A将背面清洗处理后的晶圆W从第二处理块3F经由第一交接块4F输送到搬入搬出块2，并从搬入搬出块2送出到外部。
<晶圆W的输送流程>
参照图16来具体地说明上述晶圆W的输送流程。图16是第二实施方式所涉及的基板处理系统1A中的晶圆W的输送流程的说明图。此外，在图16中，将第三交接部19记载为“TRS3”。另外，在图16中，对第一缓冲部21U(SBU1)、第二缓冲部21L(SBU2)、第一交接部22U(TRS1)、第二交接部22L(TRS2)、第三交接部19(TRS3)、第一翻转机构23a(RVS1)、第二翻转机构23b(RVS2)、第一处理单元18(CH1)以及第二处理单元28(CH2)省略附图标记。
图16所示的步骤S201、S202的处理与图13所示的步骤S101、S102的处理相同。即，在基板处理系统1A中，首先，主输送装置13(CRA)将多个未处理的晶圆W从盒C中一并取出并收容于第一缓冲部21U(SBU1)(步骤S201)，转移装置15a(MPRA)将未处理的晶圆W从第一缓冲部21U(SBU1)取出并转移到第一交接部22U(TRS1)(步骤S202)。
接着，第二输送装置27(PRA2)将晶圆W从第一交接部22U(TRS1)取出并输送到第三交接部19(TRS3)(步骤S203)。然后，第一输送装置17(PRA1)将晶圆W从第三交接部19(TRS3)取出并输送到第一处理单元18(CH1)(步骤S204)，第一处理单元18(CH1)对晶圆W进行倒角清洗处理。
接着，当倒角清洗处理结束时，第一输送装置17(PRA1)将倒角清洗处理完成的晶圆W从第一处理单元18(CH1)取出并收容于第三交接部19(TRS3)(步骤S205)。然后，第二输送装置27(PRA2)将晶圆W从第三交接部19(TRS3)取出并收纳于第一交接部22U(TRS1)(步骤S206)。之后的处理(步骤S207～S213)与图13所示的步骤S105～S111相同，因此省略此处的说明。
这样，具备第一处理单元18的第一处理块3B和具备第二处理单元28的第二处理块3F并不限于如第一实施方式所涉及的基板处理系统1那样以在高度方向上排列的方式配置的情况，也可以以在水平方向上排列的方式配置。
另外，在第二实施方式所涉及的基板处理系统1A中，第二处理块3F配置在第一处理块3B的前级侧，换言之，配置在靠近搬入搬出块2的位置处。通过设为这样的配置，能够避免对晶圆W进行吸附保持的第一输送装置17保持结束了倒角清洗处理和背面清洗处理的清洗完成的晶圆W。因此，能够抑制吸附痕迹等污痕附着于清洗完成的晶圆W。
此外，在第二实施方式所涉及的基板处理系统1A中，在第二处理块3F中输送正面朝上的状态的晶圆W和背面朝上的状态的晶圆W这两者。但是，正面朝上的状态的晶圆W只是经过第二处理块3F，因此与第一实施方式所涉及的基板处理系统1相比，晶圆W的正面和背面的状态管理不会大幅地复杂化。
(第三实施方式)
在上述第二实施方式中，对第一翻转机构23a和第二翻转机构23b配置于第一交接块4F的情况的例子进行了说明，但第一翻转机构23a和第二翻转机构23b的配置并不限定于上述例子。因此，在第三实施方式中，对第一翻转机构23a和第二翻转机构23b的配置的变形例进行说明。
图17是第三实施方式所涉及的基板处理系统1B的示意俯视图。如图17所示，在第三实施方式所涉及的基板处理系统1B中，在第二交接块4B中配置第一翻转机构23a，在第一交接块4F中配置第二翻转机构23b。
接着，参照图18对第三实施方式所涉及的基板处理系统1B中的晶圆W的输送流程进行说明。图18是第三实施方式所涉及的基板处理系统1B中的晶圆W的输送流程的说明图。
此外，以下将配置于第一交接块4F的转移装置15a、15b记载为“第一转移装置15a、15b”，将配置于第二交接块4B的转移装置15c记载为“第二转移装置15c”。另外，在图18中，将第一转移装置15a、15b记载为“MPRA1”，将第二转移装置15c记载为“MPRA2”。
另外，与图16同样地，在图18中，对第一缓冲部21U(SBU1)、第二缓冲部21L(SBU2)、第一交接部22U(TRS1)、第二交接部22L(TRS2)、第三交接部19(TRS3)、第一翻转机构23a(RVS1)、第二翻转机构23b(RVS2)、第一处理单元18(CH1)以及第二处理单元28(CH2)省略附图标记。
图18所示的步骤S301～S305的处理与图16所示的步骤S201～S205的处理相同。在步骤S305的处理之后，第二转移装置15c(MPRA2)将晶圆W从第三交接部19(TRS3)取出并转移到第一翻转机构23a(RVS1)(步骤S306)，第一翻转机构23a(RVS1)使晶圆W的正面和背面翻转。由此，晶圆W成为背面朝向上方的状态。
接着，第二转移装置15c(MPRA2)将晶圆W从第一翻转机构23a(RVS1)取出并转移到第三交接部19(TRS3)(步骤S307)，第二输送装置27(PRA2)将晶圆W从第三交接部19(TRS3)取出并输送到第二处理单元28(CH2)(步骤S308)，第二处理单元28(CH2)对晶圆W进行背面清洗处理。
接着，当背面清洗处理结束时，第二输送装置27(PRA2)将背面清洗处理完成的晶圆W从第二处理单元28(CH2)取出并收容于第二交接部22L(TRS2)(步骤S309)。之后的处理(步骤S310～S312)与图16所示的步骤S211～S213相同，因此省略此处的说明。
这样，第一翻转机构23a和第二翻转机构23b也可以分别配置于第一交接块4F和第二交接块4B。
(第四实施方式)
在上述各实施方式中，对在第一处理块3U、3B中进行倒角清洗处理的情况的例子进行了说明。但是，在第一处理块3U、3B中进行的基板处理并不限定于倒角清洗处理。因此，在第四实施方式中，参照图19对在第一处理块3U、3B中进行的基板处理的变形例进行说明。图19是第四实施方式所涉及的第一处理单元18A的示意侧视图。
如图19所示，第四实施方式所涉及的第一处理单元18A还具备第三喷出部106。第三喷出部106经由阀161、流量调整器(未图示)等而与蚀刻液供给源162连接。该第三喷出部106将从蚀刻液供给源162供给的蚀刻液从晶圆W的上方向晶圆W的正面侧的外周部喷出。由此，能够将形成于晶圆W的外周部的膜去除。
第一处理单元18A如上所述那样构成，在使用倒角清洗部104和第一喷出部105对旋转的晶圆W进行了倒角清洗处理之后，使用第三喷出部106对旋转的晶圆W进行边缘切割处理。
这样，也可以在第一处理块3U、3B中进行倒角清洗处理和边缘切割处理，之后在第二处理块3L、3F中进行背面清洗处理。
此外，在此对第一处理单元18A进行倒角清洗处理和边缘切割处理这两者的情况的例子进行了说明，但也可以分为进行倒角清洗处理的处理单元和进行边缘切割处理的处理单元并分别设置于第一处理块3U、3B。
(第五实施方式)
<基板处理系统1C的结构>
接着，对第五实施方式所涉及的基板处理系统1C进行说明。图20是第五实施方式所涉及的基板处理系统1C的示意俯视图，图21是该基板处理系统1C的示意侧视图。
如图20和图21所示，第五实施方式所涉及的基板处理系统1C具有与第一实施方式所涉及的基板处理系统1大致相同的结构，但在具备处理块3C和交接块4C这点上与第一实施方式所涉及的基板处理系统1不同。
如图21所示，处理块3C具备第二处理单元28C。第二处理单元28C对背面朝上的状态的晶圆W进行处理以及对背面朝下的状态(即、正面朝上的状态)的晶圆W进行处理，这与第二处理单元28是不同的。
<第二处理单元28C的结构>
在此，参照图22对第二处理单元28C的结构进行说明。图22是第五实施方式所涉及的第二处理单元28C的示意俯视图。
如图22所示，第二处理单元28C具备第二腔室201、第二保持部202、第二回收杯203、背面清洗部204C、第二喷出部205以及第四喷出部206。此外，除背面清洗部204C和第四喷出部206以外的结构与第二处理单元28相同，因此省略此处的说明。
背面清洗部204C具备：背面刷241；臂246，其在水平方向(在此为Y轴方向)上延伸，通过轴242将背面刷241从上方支承；以及转动升降机构247，其使臂246进行转动和升降。另外，背面清洗部204C具备未图示的旋转机构，能够使用该旋转机构使背面刷241绕轴242旋转。
背面清洗部204C和第二喷出部205相当于在基板的第二面朝上的状态下进行基板的处理的第一处理部的一例。此外，第二处理单元28C也可以具备第二处理单元28所具备的背面清洗部204来替代背面清洗部204C。
第四喷出部206配置在第二回收杯203的外部。第四喷出部206具备：喷嘴261；臂262，其在水平方向上延伸并支承喷嘴261；以及转动升降机构263，其使臂262进行转动和升降。
喷嘴261例如是双流体喷嘴，经由阀264和流量调整器(未图示)等而与清洗液供给源265连接，并且经由阀266和流量调整器(未图示)等而与气体供给源267连接。
第四喷出部206使从清洗液供给源265供给的清洗液(例如纯水)和从气体供给源267供给的气体(例如氮气等非活性气体)在喷嘴261内混合，由此将液滴状或雾化了的清洗液从喷嘴261供给至基板。
第四喷出部206相当于在基板的第一面朝上的状态下进行基板的处理的第二处理部的一例。此外，在此示出了第四喷出部206所具备的喷嘴261是双流体喷嘴的情况的例子，但喷嘴261也可以是普通的喷嘴。
第二处理单元28C在搬入了背面朝上的晶圆W的情况下，使用背面清洗部204C和第二喷出部205对晶圆W进行处理。
具体地说，第二处理单元28C利用第二保持部202来保持背面朝上的晶圆W的周缘部并使该晶圆W旋转。接着，第二处理单元28C使配置在旋转的晶圆W的上方的背面清洗部204C的背面刷241与晶圆W接触。另外，第二处理单元28C从配置在旋转的晶圆W的上方的第二喷出部205向晶圆W喷出清洗液。然后，第二处理单元28C一边使背面刷241旋转一边使该背面刷241例如从晶圆W的中心部向外周部移动。由此，将附着于晶圆W的背面的微粒等去除。
另外，第二处理单元28C在搬入了正面朝上的晶圆W的情况下，使用第四喷出部206对晶圆W进行处理。
具体地说，第二处理单元28C利用第二保持部202来保持正面朝上的晶圆W的周缘部并使该晶圆W旋转。接着，第二处理单元28C使第四喷出部206的喷嘴261配置在旋转的晶圆W的上方，并从喷嘴261向晶圆W的正面供给液滴状或雾化了的清洗液。由此，能够对晶圆W的正面进行清洗来将最初附着于正面的微粒等去除。另外，也能够将最初没有附着而在例如第一处理单元18中的处理、第二处理单元28C中的背面处理以及晶圆W的输送过程中附着的微粒等去除。
<交接块4C的结构>
接着，参照图20、图21以及图23对交接块4C的结构进行说明。图23是第五实施方式所涉及的交接块4C的示意后视图。
如图21和图23所示，在交接块4C的内部，第一交接部22U、缓冲部21、第一翻转机构23a、第二交接部22L以及第二翻转机构23b以从上方起按上述顺序在高度方向上依次排列的方式配置。另外，如图20和图23所示，在交接块4C的内部配置有第一转移装置15Ca和第二转移装置15Cb。
第一转移装置15Ca和第二转移装置15Cb具备未图示的升降机构，使用该升降机构在铅垂方向上移动，由此针对以在高度方向上排列的方式配置的第一交接部22U等进行晶圆W的搬入和搬出。此外，第一转移装置15Ca配置于第一交接部22U等的Y轴正方向侧，第二转移装置15Cb配置于第一交接部22U等的Y轴负方向侧。
如图23所示，第一转移装置15Ca能够访问第一交接部22U和缓冲部21。与此相对地，第二转移装置15Cb能够访问缓冲部21、第一翻转机构23a、第二交接部22L以及第二翻转机构23b。
这样，在交接块4C中，在第一转移装置15Ca和第二转移装置15Cb这两者能够访问的位置处配置有缓冲部21。
<缓冲部21的结构>
缓冲部21具有与上述第一缓冲部21U及第二缓冲部21L大致相同的结构，但与第一缓冲部21U及第二缓冲部21L的不同点在于，能够收容的晶圆W的层数比第一缓冲部21U和第二缓冲部21L能够收容的晶圆W的层数多。
在此，参照图24和图25对缓冲部21的结构进行说明。图24是缓冲部21的示意俯视图，图25是该缓冲部21的示意侧视图。
如图24所示，主输送装置13、第一转移装置15Ca以及第二转移装置15Cb分别能够从不同的方向访问缓冲部21。具体地说，主输送装置13从缓冲部21的X轴负方向侧经过支承部212与支承部213之间而进入缓冲部21内。另外，第一转移装置15Ca从缓冲部21的Y轴正方向侧经过支承部213与支承部214之间而进入缓冲部21。
而且，第二转移装置15Cb从缓冲部21的Y轴负方向侧经过支承部212与支承部214之间而进入缓冲部21内。此外，在缓冲部21中收容正面朝上的状态的晶圆W。
如图25所示，缓冲部21从下方起被依次划分为下层区域210L、中层区域210M以及上层区域210U这三个区域。在下层区域210L中收容未处理的晶圆W。另外，在中层区域210M中收容由第一处理单元18处理完成的晶圆W，在上层区域210U中收容由第一处理单元18和第二处理单元28C处理完成的晶圆W。
<晶圆W的输送流程>
接着，参照图26和图27对第五实施方式所涉及的基板处理系统1C中的晶圆W的输送流程进行说明。图26和图27是第五实施方式所涉及的基板处理系统1C中的晶圆W的输送流程的说明图。
此外，在图26中示出了从第一转移装置15Ca向第二转移装置15Cb交接晶圆W之前的输送流程，在图27中示出了向第二转移装置15Cb交接晶圆W之后的输送流程。
另外，在图26和图27中，用实线示出了正面朝上的晶圆W的输送流程，用虚线示出了背面朝上的晶圆W的输送流程。另外，以下有时将第一转移装置15Ca记载为“MPRA1”，将第二转移装置15Cb记载为“MPRA2”。另外，在图26和图27中，将缓冲部21(SBU)、第一交接部22U(TRS1)、第二交接部22L(TRS2)、第一翻转机构23a(RVS1)以及第二翻转机构23b(RVS2)省略附图标记地示出。
在第五实施方式所涉及的基板处理系统1C中，经由缓冲部21进行从第一转移装置15Ca向第二转移装置15Cb的晶圆W的交接。另外，在基板处理系统1C中，第二处理单元28C除了对背面朝上的晶圆W进行处理(背面清洗处理)之外，还对正面朝上的晶圆W进行处理(正面清洗处理)。
如图26所示，在基板处理系统1C中，首先，主输送装置13(CRA)将多个未处理的晶圆W从盒C中一并取出并收容于缓冲部21(SBU)(步骤S401)。此时，主输送装置13(CRA)将晶圆W收容于缓冲部21(SBU)的下层区域210L。
接着，第一转移装置15Ca(MPRA1)将未处理的晶圆W从缓冲部21(SBU)取出并转移到第一交接部22U(TRS1)(步骤S402)。
接着，第一处理块3U的第一输送装置17(PRA1)将晶圆W从第一交接部22U(TRS1)取出并输送到第一处理单元18(CH1)(步骤S403)，第一处理单元18(CH1)对晶圆W进行倒角清洗处理。另外，当倒角清洗处理结束时，第一输送装置17(PRA1)将倒角清洗处理完成的晶圆W从第一处理单元18(CH1)取出并收容于第一交接部22U(TRS1)(步骤S404)。
接着，第一转移装置15Ca(MPRA1)将倒角清洗处理完成的晶圆W从第一交接部22U(TRS1)取出并转移到缓冲部21(SBU)(步骤S405)。此时，第一转移装置15Ca(MPRA1)将晶圆W收容于缓冲部21(SBU)的中层区域210M。
接着，如图27所示，第二转移装置15Cb(MPRA2)将晶圆W从缓冲部21(SBU)取出并转移到第二翻转机构23b(RVS2)(步骤S406)，第二翻转机构23b(RVS2)使该晶圆W的正面和背面翻转。由此，晶圆W成为背面朝向上方的状态。
接着，第二处理块3L的第二输送装置27(PRA2)将晶圆W从第二翻转机构23b(RVS2)取出并输送到第二处理单元28C(CH2)(步骤S407)。此时，晶圆W为背面朝向上方的状态，因此在第二处理单元28C(CH2)中，使用背面清洗部204C和第二喷出部205对晶圆W进行背面清洗处理。在此，多个第二处理单元28C的处理状况例如由控制装置5实时地管理，从空着的单元起依次被输送晶圆W。
接着，当背面清洗处理结束时，第二输送装置27(PRA2)将背面清洗处理完成的晶圆W从第二处理单元28C(CH2)取出并输送到第一翻转机构23a(RVS1)(步骤S408)，第一翻转机构23a(RVS1)使该晶圆W的正面和背面翻转。由此，晶圆W成为正面朝向上方的状态。
接着，第二输送装置27(PRA2)将晶圆W从第一翻转机构23a(RVS1)取出并再次输送到第二处理单元28C(CH2)(步骤S409)。此时，晶圆W为正面朝向上方的状态，因此在第二处理单元28C(CH2)中，使用第四喷出部206对晶圆W进行正面清洗处理。在此，多个第二处理单元28C的处理状况例如由控制装置5实时地管理，从之前的背面清洗处理完成且空着的单元起依次被输送晶圆W。
接着，当正面清洗处理结束时，第二输送装置27(PRA2)将正面清洗处理完成的晶圆W从第二处理单元28C(CH2)取出并输送到第二交接部22L(TRS2)(步骤S410)。接着，第二转移装置15Cb(MPRA2)将晶圆W从第二交接部22L(TRS2)取出并转移到缓冲部21(SBU)(步骤S411)。此时，第二转移装置15Cb(MPRA2)将晶圆W收容于缓冲部21(SBU)的上层区域210U。
然后，主输送装置13(CRA)将多个处理完成的晶圆W从缓冲部21(SBU)一并取出并收容于盒C(步骤S412)。由此，一系列基板处理结束。
根据以上结构，第一转移装置15Ca和第二转移装置15Cb仅对正面朝上的晶圆W进行处理，因此能够进一步抑制晶圆W的状态管理的复杂化。
另外，不经由第二交接部22L而经由第二翻转机构23b进行从第二转移装置15Cb向第二输送装置27的晶圆W的交接，由此省略从第二翻转机构23b向第二交接部22L的晶圆W的输送，因此能够提高一系列基板处理的效率。
另外，通过使第一转移装置15Ca负责对第一交接部22U和缓冲部21的访问，使第二转移装置15Cb负责对缓冲部21、第一翻转机构23a、第二交接部22L以及第二翻转机构23b的访问，能够将第一转移装置15Ca和第二转移装置15CB的移动距离抑制得短。因此，通过这样也能够提高一系列基板处理的效率。
此外，在此，多个第二处理单元28C除了对背面朝上的晶圆W进行处理(背面清洗处理)以外，还对正面朝上的晶圆W进行处理(正面清洗处理)，但也可以预先分配功能以进行任一方的处理。即，例如也可以将十个第二处理单元28C中的五个分配为专用于背面清洗处理，将另五个分配为专用于正面清洗处理，将前者设为步骤S407中的输送目的地，将后者设为步骤S409中的输送目的地。另外，不一定需要执行正面清洗处理。在此，参照图28对不进行正面清洗处理的情况下的晶圆W的输送流程进行说明。图28是不进行正面清洗处理的情况下的晶圆W的输送流程的说明图。
在图26所示的步骤S401～S405的处理结束之后，在基板处理系统1C中，如图28所示那样，第二转移装置15Cb将晶圆W从缓冲部21(SBU)取出并转移到第二翻转机构23b(RVS2)(步骤S501)，第二翻转机构23b(RVS2)使该晶圆W的正面和背面翻转。由此，晶圆W成为背面朝向上方的状态。
接着，第二处理块3L的第二输送装置27(PRA2)将晶圆W从第二翻转机构23b(RVS2)取出并输送到第二处理单元28C(CH2)(步骤S502)。在第二处理单元28C(CH2)中，使用背面清洗部204C和第二喷出部205对晶圆W进行背面清洗处理。
接着，当背面清洗处理结束时，第二输送装置27(PRA2)将背面清洗处理完成的晶圆W从第二处理单元28C(CH2)取出并输送到第一翻转机构23a(RVS1)(步骤S503)，第一翻转机构23a(RVS1)使该晶圆W的正面和背面翻转。由此，晶圆W成为正面朝向上方的状态。
接着，第二转移装置15Cb(MPRA2)将背面清洗处理完成的晶圆W从第一翻转机构23a(RVS1)取出并转移到缓冲部21(SBU)(步骤S504)。第二转移装置15Cb(MPRA2)将晶圆W收容于缓冲部21(SBU)的上层区域210U。然后，主输送装置13(CRA)将多个处理完成的晶圆W从缓冲部21(SBU)中一并取出并收容于盒C(步骤S505)。由此，一系列基板处理结束。
这样，基板处理系统1C也可以不进行背面清洗处理后的正面清洗处理就将背面清洗处理完成的晶圆W送出。在该情况下，基板处理系统1C不一定需要具备第二交接部22L。另外，基板处理系统1C也可以具备第二处理单元28来替代第二处理单元28C(参照图6和图7)。
另外，在此，第二转移装置15Cb将晶圆W搬入第二翻转机构23b(步骤S406)，第二输送装置27将晶圆W搬入第一翻转机构23a(步骤S408)。但是，并不限于该例，也可以是，第二转移装置15Cb将晶圆W搬入第一翻转机构23a，第二输送装置27将晶圆W搬入第二翻转机构23b。另外，第二转移装置15Cb和第二输送装置27这两者也可以只访问第一翻转机构23a和第二翻转机构23B中的某一方。在该情况下，交接块4C不一定需要具备两个翻转机构。
对于本领域技术人员来说能够容易地导出其它效果和变形例。因此，本发明的更为广泛的方式并不限定于如以上那样表示并描述的特定的详细内容和代表性的实施方式。因而，能够在不脱离由所附的权利要求书及其等效物定义的整体的发明的概念的精神或范围内进行各种变更。

Claims (17)

1.一种基板处理系统，其特征在于，具备：
第一处理块，其包括第一处理单元和第一输送装置，其中，该第一处理单元在基板的第一面朝上的状态下进行所述基板的处理，该第一输送装置针对所述第一处理单元进行所述基板的搬入和搬出；
第二处理块，其包括第二处理单元和第二输送装置，其中，该第二处理单元在所述基板的与所述第一面相反一侧的面即第二面朝上的状态下进行所述基板的处理，该第二输送装置针对所述第二处理单元进行所述基板的搬入和搬出；以及
翻转机构，其配置在从所述第一处理块向所述第二处理块的所述基板的输送路径的中途，用于使所述基板翻转。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第一处理单元在将作为电路形成面的所述第一面朝上的所述基板的所述第二面吸附保持着的状态下对所述基板的周缘部进行处理，
所述第二处理单元在将所述第二面朝上的所述基板的周缘部保持着的状态下对所述基板的所述第二面进行处理。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第一输送装置具备吸附所述基板的吸附部，该第一输送装置以使用所述吸附部将所述第二面吸附保持着的状态输送所述基板，
所述第二输送装置具备直径大于所述基板的直径的内周部和从所述内周部向该内周部的径向内侧突出的多个爪部，该第二输送装置以使所述基板的外周部载置于所述爪部的状态输送所述基板。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，
还具备交接块，该交接块包括：第一交接部，其配置于能够由所述第一输送装置访问的位置并收容所述第一面朝上的状态的所述基板；第二交接部，其配置于能够由所述第二输送装置访问的位置并收容所述第二面朝上的状态的所述基板；以及转移装置，其针对所述第一交接部和所述第二交接部进行所述基板的搬入和搬出，
其中，所述第一处理块和所述第二处理块以在高度方向上排列的方式配置，
所述翻转机构配置于所述交接块。
5.根据权利要求4所述的基板处理系统，其特征在于，
所述转移装置将所述第一面朝上的状态的所述基板输送到所述第一交接部，所述第一输送装置将所述基板从所述第一交接部取出并输送到所述第一处理单元，并且将由所述第一处理单元处理后的所述基板从所述第一处理单元取出并输送到所述第一交接部，所述转移装置将所述基板从所述第一交接部取出并输送到所述翻转机构，并且将通过所述翻转机构被翻转后的所述基板从所述翻转机构取出并输送到所述第二交接部，所述第二输送装置将所述基板从所述第二交接部取出并输送到所述第二处理单元。
6.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，还具备：
第一交接块，其与所述第二处理块相邻地配置，该第一交接块包括：第一交接部，其配置于能够由所述第二输送装置访问的位置并收容所述第一面朝上的状态的所述基板；第二交接部，其配置于能够由所述第二输送装置访问的位置并收容所述第二面朝上的状态的所述基板；以及转移装置，其针对所述第一交接部和所述第二交接部进行所述基板的搬入和搬出；以及
第二交接块，其配置于所述第一处理块与所述第二处理块之间，该第二交接块包括第三交接部，该第三交接部配置于能够由所述第一输送装置和所述第二输送装置访问的位置并收容所述第一面或所述第二面朝上的状态的所述基板，
其中，所述翻转机构配置于所述第一交接块。
7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，
所述转移装置将所述第一面朝上的状态的所述基板输送到所述第一交接部，所述第二输送装置将所述基板从所述第一交接部取出并输送到所述第三交接部，所述第一输送装置将所述基板从所述第三交接部取出并输送到所述第一处理单元，并且将由所述第一处理单元处理后的所述基板从所述第一处理单元取出并输送到所述第三交接部，所述第二输送装置将所述基板从所述第三交接部取出并输送到所述第一交接部，所述转移装置将所述基板从所述第一交接部取出并输送到所述翻转机构，并且将通过所述翻转机构被翻转后的所述基板从所述翻转机构取出并输送到所述第二交接部，所述第二输送装置将所述基板从所述第二交接部取出并输送到所述第二处理单元。
8.根据权利要求4～7中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，
由所述第一输送装置、所述第二输送装置以及所述转移装置进行的所述基板的输送被并行地进行。
9.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，还具备：
第一交接块，其与所述第二处理块相邻地配置，该第一交接块包括：第一交接部，其配置于能够由所述第二输送装置访问的位置并收容所述第一面朝上的状态的所述基板；第二交接部，其配置于能够由所述第二输送装置访问的位置并收容所述第二面朝上的状态的所述基板；以及第一转移装置，其针对所述第一交接部和所述第二交接部进行所述基板的搬入和搬出；以及
第二交接块，其配置于所述第一处理块与所述第二处理块之间，该第二交接块包括：第三交接部，其配置于能够由所述第一输送装置和所述第二输送装置访问的位置并收容所述第一面或所述第二面朝上的状态的所述基板；以及第二转移装置，其针对所述第三交接部进行所述基板的搬入和搬出，
其中，所述翻转机构配置于所述第二交接块。
10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第一转移装置将所述第一面朝上的状态的所述基板输送到所述第一交接部，所述第二输送装置将所述基板从所述第一交接部取出并输送到所述第三交接部，所述第一输送装置将所述基板从所述第三交接部取出并输送到所述第一处理单元，并且将由所述第一处理单元处理后的所述基板从所述第一处理单元取出并输送到所述第三交接部，所述第二转移装置将所述基板从所述第三交接部取出并输送到所述翻转机构，并且将通过所述翻转机构被翻转后的所述基板从所述翻转机构取出并输送到所述第三交接部，所述第二输送装置将所述基板从所述第三交接部取出并输送到所述第二处理单元。
11.根据权利要求9或10所述的基板处理系统，其特征在于，
由所述第一输送装置、所述第二输送装置、所述第一转移装置以及所述第二转移装置进行的所述基板的输送被并行地进行。
12.根据权利要求4～11中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第一交接部、所述第二交接部以及所述翻转机构以在高度方向上排列的方式配置。
13.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，
还具备交接块，该交接块包括：第一交接部，其配置于能够由所述第一输送装置访问的位置并收容所述第一面朝上的状态的所述基板；第一转移装置，其针对所述第一交接部进行所述基板的搬入和搬出；第二转移装置，其针对所述翻转机构进行所述基板的搬入；以及缓冲部，其配置于能够由所述第一转移装置和所述第二转移装置访问的位置，暂时收容所述基板，
所述第一处理块和所述第二处理块以在高度方向上排列的方式配置，
所述翻转机构配置于所述交接块。
14.根据权利要求13所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第一转移装置将所述第一面朝上的状态的所述基板输送到所述第一交接部，所述第一输送装置将所述基板从所述第一交接部取出并输送到所述第一处理单元，并且将由所述第一处理单元处理后的所述基板从所述第一处理单元取出并输送到所述第一交接部，所述第一转移装置将所述基板从所述第一交接部取出并输送到所述缓冲部，所述第二转移装置将所述基板从所述缓冲部取出并输送到所述翻转机构，所述翻转机构将所述基板翻转，所述第二输送装置将所述基板从所述翻转机构取出并输送到所述第二处理单元。
15.根据权利要求13所述的基板处理系统，其特征在于，
所述交接块还包括第二交接部，该第二交接部配置于能够由所述第二输送装置访问的位置并收容所述第一面朝上的状态的所述基板，
所述第二处理单元具备第一处理部，该第一处理部在所述基板的所述第二面朝上的状态下进行所述基板的处理，
所述第二处理单元还具备第二处理部，该第二处理部在所述基板的所述第一面朝上的状态下进行所述基板的处理。
16.根据权利要求15所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第一转移装置将所述第一面朝上的状态的所述基板输送到所述第一交接部，所述第一输送装置将所述基板从所述第一交接部取出并输送到所述第一处理单元，并且将由所述第一处理单元处理后的所述基板从所述第一处理单元取出并输送到所述第一交接部，所述第一转移装置将所述基板从所述第一交接部取出并输送到所述缓冲部，所述第二转移装置将所述基板从所述缓冲部取出并输送到所述翻转机构，所述翻转机构将所述基板翻转，所述第二输送装置将所述基板从所述翻转机构取出并输送到所述第二处理单元，所述第二处理单元使用所述第一处理部进行所述基板的处理，所述第二输送装置将所述基板从所述第二处理单元取出并输送到所述翻转机构，所述翻转机构将所述基板翻转，所述第二输送装置将所述基板从所述翻转机构取出并输送到所述第二处理单元，所述第二处理单元使用所述第二处理部进行所述基板的处理。
17.根据权利要求1～16中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述第一处理单元的处理和所述第二处理单元的处理被并行地进行。
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