CN105308725B - 基板处理系统和基板处理方法 - Google Patents

基板处理系统和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105308725B
CN105308725B CN201480033610.XA CN201480033610A CN105308725B CN 105308725 B CN105308725 B CN 105308725B CN 201480033610 A CN201480033610 A CN 201480033610A CN 105308725 B CN105308725 B CN 105308725B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
wafer
damage layer
back side
grinding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480033610.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105308725A (zh
Inventor
木村义雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN105308725A publication Critical patent/CN105308725A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105308725B publication Critical patent/CN105308725B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

基板处理系统(1)包括处理站(3)和输入输出站(2)。所述处理站(3)具有：磨削装置(30、31)，其用于对基板的背面进行磨削；损伤层去除装置(32)，其用于将由于所述磨削装置(30、31)进行磨削而形成于基板的背面的损伤层去除；清洗装置(33)，其用于在利用所述损伤层去除装置(32)将所述损伤层去除之后对支承基板的背面进行清洗；以及基板输送区域(50)，其用于相对于各装置输送基板。各装置分别能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个。各装置分别具有用于在内部容纳基板的壳体(30a、31a、32a、33a、200a、201a、202a)，各装置用于分别独立地在所述壳体内对基板进行规定的处理。

Description

基板处理系统和基板处理方法
技术领域
本发明涉及用于使基板薄化的基板处理系统和使用该基板处理系统的基板处理方法，在该基板的表面形成有器件，并进一步相对于该表面接合有支承基板的表面。
本申请基于在2013年6月13日在日本国提出申请的特愿2013－124406号和在2014年5月27日在日本国提出申请的特愿2014－109233号要求优先权，并在此引用其内容。
背景技术
近年来，为了应对半导体器件的小型化、轻量化的要求，对于在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)，对该晶圆的背面进行磨削和研磨而使晶圆薄化。
另外，半导体器件的高集成化不断发展，提出一种将该高集成化后的多个半导体器件三维层叠的技术、即三维集成技术。在该三维集成技术中，将多张晶圆层叠，借助形成于各晶圆的贯通电极(TSV：Through Silicon Via(硅通孔))将在上下方向上层叠的晶圆之间电连接。在该情况下，当仅将晶圆层叠时，该晶圆的厚度导致所制造的半导体器件也变厚，因此要使晶圆薄化。
这样的晶圆的薄化是利用例如专利文献1所记载的平坦化加工装置来进行的。在平坦化加工装置中，借助分隔壁划分出装载/卸载载物室、磨削加工载物室、以及研磨加工载物室这3个室。在磨削加工载物室中设有具有3组卡盘台的1台分度型转台。这3组卡盘台是用于对晶圆进行装载/卸载的卡盘台、用于对晶圆进行粗磨削加工的卡盘台、用于对晶圆进行精磨削加工的卡盘台这3组卡盘台。在研磨加工载物室中设有能够载置两张或4张晶圆的暂置台平台、同时对两张晶圆进行研磨加工的3组研磨平台、以及配置于这些暂置台平台和研磨平台的上方的1台分度型头。并且，在平坦化加工装置中，依次进行粗磨削加工、精磨削加工、研磨加工而使晶圆薄化。
专利文献1：日本国特开2011－165994号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1所记载的平坦化加工装置中，用于进行粗磨削加工的卡盘台、用于进行精磨削加工的卡盘台、以及用于进行研磨加工的研磨平台均固定于装置内，不能使它们的数量增加或减少。即，这些卡盘台和研磨平台的数量是根据现行使用的粗磨削加工部件、精磨削加工部件、研磨加工部件和各加工所需的时间来设定的。因此，即使通过例如技术革新提高了加工部件、例如研磨部件的性能，也不能增加研磨平台的数量，其结果，不能提高晶圆处理整体的生产率。
另外，在粗磨削加工部件、精磨削加工部件、研磨加工部件中的、一加工部件产生了异常或者要对该加工部件进行维护的情况下，即使其他两个加工部件均正常，也需要使整个装置停止。因此，产品的制造效率较差。
如上所述，在专利文献1所记载的平坦化加工装置中，装置结构的自由度较低，在处理效率方面存在改善的余地。
本发明是鉴于该点而做出的，其目的在于，能够在基板处理系统中高效地进行使基板薄化的处理。
用于解决问题的方案
为了达到所述目的，本发明提供一种基板处理系统，其用于使基板薄化，在该基板的表面形成有器件，并进一步相对于该表面接合有支承基板的表面，其中，该基板处理系统包括：处理站，其用于对基板进行规定的处理；以及输入输出站，其能够保有多张基板，且用于相对于所述处理站输入输出基板，所述处理站具有：磨削装置，其用于对基板的背面进行磨削；损伤层去除装置，其用于将由于所述磨削装置进行磨削而形成于基板的背面的损伤层去除；清洗装置，其用于利用所述损伤层去除装置将所述损伤层去除之后对支承基板的背面进行清洗；以及基板输送区域，其用于相对于所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置输送基板，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个，并且，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别具有用于在内部容纳基板的壳体，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置用于分别独立地在所述壳体内对基板进行规定的处理，所述磨削装置内的压力和所述损伤层去除装置内的压力分别相对于所述基板输送区域内的压力成为负压，所述清洗装置内的压力相对于所述基板输送区域内的压力成为正压。
采用本发明，在一基板处理系统中，能够针对多张基板连续地进行磨削装置中的基板背面的磨削处理、损伤层去除装置中的损伤层的去除处理、以及清洗装置中的支承基板背面的清洗处理。
另外，在基板处理系统中，由于磨削装置、损伤层去除装置以及清洗装置分别构成为能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个，因此，能够任意地设定这些装置的数量。因而，能够根据例如所要求的产品的规格等来改变磨削装置、损伤层去除装置、清洗装置的数量，另外，也可以仅改变任一装置的装置结构。
并且，由于磨削装置、损伤层去除装置以及清洗装置能够分别独立地进行规定的处理，即使在例如一装置内对基板进行规定的处理的期间，也能够将其他装置拆卸到基板处理系统的外部，另外，能够将别的装置设置在基板处理系统的内部。因此，即使在例如一装置产生异常或对该装置进行维护的情况下，也不必使其他装置停止，从而不必使整个基板处理系统停止。
如上所述，采用本发明的基板处理系统1，能够提高装置结构的自由度，从而能够高效地进行基板处理。
本发明的另一技术方案提供一种基板处理方法，其用于使基板薄化，在该基板的表面形成有器件，并进一步相对于该表面接合有支承基板的表面，其中，该基板处理方法包括以下工序：磨削工序，在该磨削工序中，将基板经由基板输送区域输送到磨削装置中，在该磨削装置的壳体内对基板的背面进行磨削；之后的损伤层去除工序，在该损伤层去除工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到损伤层去除装置中，在该损伤层去除装置的壳体内，将在所述磨削工序中形成于基板的背面的损伤层去除；以及之后的清洗工序，在该清洗工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到清洗装置中，在该清洗装置的壳体内对支承基板的背面进行清洗，针对多张基板连续地进行所述磨削工序、所述损伤层去除工序以及所述清洗工序，并且，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别构成为能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个，所述磨削工序、所述损伤层去除工序以及所述清洗工序分别选择任意的所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置来进行，所述磨削装置内的压力和所述损伤层去除装置内的压力分别相对于所述基板输送区域内的压力成为负压，所述清洗装置内的压力相对于所述基板输送区域内的压力成为正压。
另外，本发明的又一技术方案提供一种计算机存储介质，其存储有在控制基板处理系统的控制装置的计算机上动作的程序，并可读取，以利用该基板处理系统执行所述基板处理方法。
发明的效果
采用本发明，能够提高基板处理系统的装置结构的自由度，从而能够高效地在该基板处理系统中进行使基板薄化的处理。
附图说明
图1是表示本实施方式的晶圆处理系统的概略结构的俯视图。
图2是表示本实施方式的晶圆处理系统的内部的概略结构的侧视图。
图3是表示本实施方式的晶圆处理系统的内部的概略结构的侧视图。
图4是晶圆和支承基板的侧视图。
图5是在晶圆处理系统内产生的气流的说明图。
图6是表示其他实施方式的晶圆处理系统的概略结构的俯视图。
图7是表示其他实施方式的晶圆处理系统的概略结构的俯视图。
图8是表示在其他实施方式中的由插塞暴露装置进行的处理的说明图。
图9是表示在其他实施方式的晶圆处理系统内产生的气流的说明图。
图10是表示其他实施方式的晶圆处理系统的内部的概略结构的侧视图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。图1是表示作为本实施方式的基板处理系统的晶圆处理系统1的概略结构的俯视图。图2和图3是表示晶圆处理系统1的内部的概略结构的侧视图。
如图4所示，在晶圆处理系统1中，使作为基板的晶圆W薄化。晶圆W借助粘接剂G与支承基板S相接合。该支承基板S是为了在晶圆处理系统1中使晶圆W薄化之后加强该晶圆W而设置的。作为支承基板S，能够使用例如晶圆、玻璃基板等各种基板。此外，在支承基板S中，将与后述的晶圆W的表面WA相接合的接合面称作表面SA，将与该表面SA相反的一侧的面称作背面SB。
在晶圆W的表面WA上形成有例如多个电子电路等器件。表面WA是借助粘接剂G接合于支承基板S的表面SA的接合面，利用该粘接剂G来保护表面WA上的器件。并且，在晶圆处理系统1中，对晶圆W的背面WB进行磨削等规定的处理而使该晶圆W薄化。在本实施方式中，例如300μm～700μm的厚度的晶圆W在晶圆处理系统1中被薄化到100μm以下的厚度。
此外，如上所述，晶圆W支承于支承基板S，但在以下的说明中，有时将由支承基板S支承着的晶圆W仅称作“晶圆W”。
如图1所示，晶圆处理系统1例如具有将输入输出站2与处理站3连接成一体而成的结构，该输入输出站2供在其与外部之间输入输出盒C，该盒C能够容纳多张晶圆W，该处理站3包括用于对晶圆W实施规定的处理的各种处理装置。
在输入输出站2中设有盒载置台10。在盒载置台10上设有多个、例如4个盒载置板11。盒载置板11以在X方向(图1中的上下方向)上排列成一列的方式配置。在相对于晶圆处理系统1的外部输入输出盒C时，能够将盒C载置在这些盒载置板11上。如此，输入输出站2构成为能够保有多张晶圆W。另外，盒载置板11的个数不限定于本实施方式，而是能够任意地决定。
在输入输出站2中，与盒载置台10相邻地设有晶圆输送部20。在晶圆输送部20中设有能够在沿X方向延伸的输送路径21上移动的晶圆输送装置22。晶圆输送装置22也能够在铅垂方向和绕铅垂轴线的方向(θ方向)上移动，能够在各盒载置板11上的盒C与后述的处理站3的第3处理区G3的传送装置40、41之间输送晶圆W。即，输入输出站2构成为能够相对于处理站3输入输出晶圆W。
此外，在晶圆输送装置22中设有用于对晶圆W的位置进行调节的位置调节机构(未图示)。利用该位置调节机构，能够一边对晶圆W的槽口部的位置进行检测一边对该晶圆W的朝向进行调节，并进一步对晶圆W进行定心。
在处理站3中设有具有各种装置的多个、例如3个处理区G1、G2、G3。例如，在处理站3的X方向的正方向侧设有第1处理区G1，在处理站3的X方向的负方向侧设有第2处理区G2。另外，在处理站3的靠输入输出站2的那一侧(Y方向的负方向侧)设有第3处理区G3。
在第1处理区G1和第2处理区G2中设有用于对晶圆W的背面WB进行粗磨削的粗磨削装置30、用于对粗磨削后的晶圆W的背面WB进行精磨削的精磨削装置31、用于将因粗磨削和精磨削而形成于晶圆W的背面WB的损伤层去除的损伤层去除装置32、以及作为用于对损伤层被去除后的晶圆W的背面WB进行清洗的另一清洗装置的晶圆清洗装置33。
在第1处理区G1中，从输入输出站2侧起沿Y方向按照粗磨削装置30和精磨削装置31的顺序排列而配置有例如3个粗磨削装置30和1个精磨削装置31。在第2处理区G2中，从输入输出站2侧起沿Y方向按照晶圆清洗装置33、损伤层去除装置32、精磨削装置31的顺序排列而配置有例如1个晶圆清洗装置33、1个损伤层去除装置32、两个精磨削装置31。
此外，粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、晶圆清洗装置33的数量能够任意地设定。在本实施方式中，将晶圆处理系统1中的晶圆W的处理能力(生产节拍)设定为例如30张/小时。于是，在粗磨削装置30和精磨削装置31的处理能力分别为例如10张/小时的情况下，这些粗磨削装置30和精磨削装置31分别设有3个。另外，在损伤层去除装置32和晶圆清洗装置33的处理能力分别为例如10张/小时的情况下，这些损伤层去除装置32和晶圆清洗装置33分别设有1个。
另外，粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、晶圆清洗装置33的配置也能够任意地设定。在本实施方式中，将这些粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、晶圆清洗装置33以沿水平方向排列的方式配置，但也可以将这些粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、晶圆清洗装置33以在铅垂方向上层叠的方式配置。
如图2所示，在第3处理区G3中从下方分两层依次设有晶圆W的传送装置40、41。
如图1所示，在由第1处理区G1～第3处理区G3围成的区域中形成有作为基板输送区域的晶圆输送区域50。如图2和图3所示，在晶圆输送区域50的顶面设有风机过滤单元51(FFU：Fan Filter Unit)。另外，在晶圆输送区域50的底面形成有用于将该晶圆输送区域50的内部的气氛气体排出的排气口52。在排气口52上连接有排气管54，该排气管54与例如真空泵等负压产生装置53相连通。采用该结构，能够在晶圆输送区域50的内部形成自风机过滤单元51朝向排气口52去的下降气流(down flow)。
在晶圆输送区域50中配置有作为基板输送装置的晶圆输送装置60。晶圆输送装置60在晶圆输送区域50内移动，能够将晶圆W输送到周围的第1处理区G1、第2处理区G2以及第3处理区G3内的规定的装置中。
晶圆输送装置60具有两个输送臂61、62。如后所述，第1输送臂61用于输送由晶圆清洗装置33清洗之前的晶圆W。如后所述，第2输送臂62用于输送由晶圆清洗装置33清洗之后的晶圆W。这些输送臂61、62能够对晶圆W的背面WB的外周部进行保持并将该晶圆W保持为水平。此外，由于第1输送臂61用于输送清洗前的不洁净的晶圆W，因此，第1输送臂61可以对晶圆W的背面WB的任一部位进行保持，例如，也可以对背面WB的中心部进行保持。
此外，在晶圆输送装置60中设有用于对晶圆W的位置进行调节的位置调节机构(未图示)。利用该位置调节机构，能够一边对晶圆W的槽口部的位置进行检测一边对该晶圆W的朝向进行调节，并进一步对晶圆W进行定心。
在输送臂61、62的基端部设有臂驱动部63。能够利用该臂驱动部63使各输送臂61、62沿水平方向独立地移动。臂驱动部63支承于基台64。在基台64设有移动机构(未图示)，输送臂61、62构成为能够通过该移动机构进行升降且绕铅垂轴线旋转。
接下来，说明配置于图1所示的所述处理站3的各装置30～33的结构。
粗磨削装置30具有在内部能够容纳晶圆W的壳体30a。在壳体30a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口30b，在输入输出口30b上设有开闭器30c。
在粗磨削装置30的壳体30a内，在使由例如卡盘保持的晶圆W的背面WB抵接于砂轮的状态下分别使卡盘和砂轮旋转，由此对背面WB进行磨削。另外，此时，向晶圆W的背面WB供给磨削液、例如水。此外，粗磨削装置30的壳体30a内的结构并不限定于本实施方式，而能够采用各种结构。
精磨削装置31具有在内部能够容纳晶圆W的壳体31a。在壳体31a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口31b，在输入输出口31b上设有开闭器31c。
精磨削装置31的结构与粗磨削装置30的结构大致相同，但精磨削装置31中的砂轮的粒度小于粗磨削装置30的砂轮的粒度。并且，在精磨削装置31的壳体31a内，一边向由例如卡盘保持的晶圆W的背面WB供给磨削液，一边在使背面WB抵接于砂轮的状态下分别使卡盘和砂轮旋转，由此对背面WB进行磨削。
损伤层去除装置32具有在内部能够容纳晶圆W的壳体32a。在壳体32a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口32b，在输入输出口32b上设有开闭器32c。
在损伤层去除装置32的壳体32a内，使用例如将氟化氢(HF)和亚硝酸(HNO2)混合而成的处理液进行湿蚀刻。于是，在损伤层去除装置32中，能够将在精磨削装置31中形成于晶圆W的背面WB的损伤层去除。此外，若损伤层去除装置32的壳体32a内的结构为能够进行湿蚀刻的结构，则能够采用各种结构。在本实施方式中，采用通常的湿蚀刻的结构，省略其详细的说明。
晶圆清洗装置33具有在内部能够容纳晶圆W的壳体33a。在壳体33a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口33b，在输入输出口33b上设有开闭器33c。
在晶圆清洗装置33的壳体33a内，一边使由例如旋转卡盘保持的晶圆W旋转，一边向该晶圆W的背面WB上供给纯水。于是，供给过来的纯水在晶圆W的背面WB上扩散而清洗背面WB。此外，该晶圆清洗装置33的壳体33a内的结构能够采用各种结构。在本实施方式中，能够使用例如在光刻工序的涂敷显影处理装置中使用的高洁净度的清洗装置、例如日本特开2008－034437号公报所记载的清洗装置。
如图1所示，在以上的晶圆处理系统1中设有控制装置70。控制装置70例如是计算机，其具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有程序，该程序用于对晶圆处理系统1中的晶圆W的处理进行控制。并且，在程序存储部中还存储有用于对所述各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作进行控制以实现在晶圆处理系统1中的后述的晶圆处理的程序。另外，所述程序存储于例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质H中，并且所述程序也可以从该存储介质H安装到控制装置70中。
接下来，基于图5来说明在以上那样构成的晶圆处理系统1中对晶圆W进行薄化处理时在该晶圆处理系统1内产生的气流。此外，图5中的箭头表示气流的方向。
在晶圆处理系统1中，晶圆清洗装置33内的压力成为最高的压力。因而，晶圆清洗装置33内的压力相对于晶圆输送区域50内的压力成为正压，当打开晶圆清洗装置33的开闭器33c时，产生自晶圆清洗装置33朝向晶圆输送区域50去的气流。
另外，晶圆输送区域50内的压力相对于粗磨削装置30内的压力、精磨削装置31内的压力、以及损伤层去除装置32内的压力成为正压。因而，当分别打开各开闭器30c、31c、32c时，产生自晶圆输送区域50朝向粗磨削装置30、精磨削装置31、以及损伤层去除装置32去的气流。
首先，将容纳了多张晶圆W的盒C载置于输入输出站2的规定的盒载置板11。之后，利用晶圆输送装置22将盒C内的晶圆W取出，并将晶圆W输送到处理站3的第3处理区G3的传送装置40中。
接着，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到粗磨削装置30中。此时，能够选择将晶圆W输送到3个粗磨削装置30中的、任意的粗磨削装置30中。在粗磨削装置30中，一边向由卡盘保持的晶圆W的背面WB供给磨削液，一边在使背面WB抵接于砂轮的状态下分别使卡盘和砂轮旋转，由此对背面WB进行磨削。能够根据薄化前的晶圆W的厚度和薄化后所要求的晶圆W的厚度来设定该粗磨削装置30的磨削量。
接下来，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到精磨削装置31中。此时，能够选择将晶圆W输送到3个精磨削装置31中的、任意的精磨削装置31中。在精磨削装置31中，一边向由卡盘保持的晶圆W的背面WB供给磨削液，一边在使背面WB抵接于砂轮的状态下分别使卡盘和砂轮旋转，由此对背面WB进行磨削。此时，将晶圆W磨削到作为产品所要求的薄化后的厚度。此外，在由精磨削装置31精磨削后的晶圆W的背面WB形成有厚度例如为大约1μm的损伤层。
接下来，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到损伤层去除装置32中。在损伤层去除装置32中，对晶圆W的背面WB进行湿蚀刻，从而将所述那样在精磨削装置31中形成于晶圆W的背面WB的损伤层去除。通过如此去除损伤层，从而使薄化了的晶圆W不易裂开，即，能够抑制晶圆W的抗弯强度的降低。
接下来，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到晶圆清洗装置33中。在晶圆清洗装置33中，一边使由旋转卡盘保持的晶圆W旋转，一边向该晶圆W的背面WB上供给纯水。于是，供给过来的纯水在晶圆W的背面WB上扩散而清洗背面WB。
接下来，利用晶圆输送装置60的第2输送臂62将晶圆W输送到传送装置41中。之后，利用输入输出站2的晶圆输送装置22将晶圆W输送到规定的盒载置板11的盒C中。如此，完成晶圆处理系统1中的一系列的晶圆处理。
采用以上的实施方式，在一晶圆处理系统1中，能够对多张晶圆W连续地进行粗磨削装置30中的晶圆W的背面WB的粗磨削处理、精磨削装置31中的背面WB的精磨削处理、损伤层去除装置32中的损伤层的去除处理、以及晶圆清洗装置33中的背面WB的清洗处理。
另外，在晶圆处理系统1中，由于粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、以及晶圆清洗装置33分别构成为能够沿铅垂方向或水平方向配置有多个，因此能够任意地设定这些装置30～33的数量。因而，能够根据例如所要求的产品的规格等来改变粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、以及晶圆清洗装置33的数量。另外，也可以仅改变任一装置30～33的装置结构。
并且，由于粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、以及晶圆清洗装置33能够分别独立地进行规定的处理，即使在例如一装置内对晶圆W进行规定的处理的期间，也能够将其他装置拆卸到晶圆处理系统1的外部，另外，能够将别的装置设置在晶圆处理系统1的内部。因此，即使在例如一装置产生异常或对该装置进行维护的情况下，也不必使其他装置停止，从而不必使整个晶圆处理系统1停止。
如上所述，采用本实施方式的晶圆处理系统1，能够提高装置结构的自由度，从而能够高效地进行晶圆处理。
另外，在晶圆输送装置60中，第1输送臂61是用于输送由晶圆清洗装置33清洗之前的晶圆W的输送臂，第2输送臂62是用于输送由晶圆清洗装置33清洗之后的晶圆W的输送臂。这样，由于利用不同的输送臂61、62来输送清洗前的不洁净的晶圆W和清洗后的洁净的晶圆W，因此能够抑制附着于一晶圆W的微粒、例如在粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32中产生的磨削屑等附着于其他晶圆W。因而，能够更适当地进行晶圆处理。
另外，由于晶圆清洗装置33内的压力相对于晶圆输送区域50内的压力成为正压，因此会产生自晶圆清洗装置33朝向晶圆输送区域50去的气流。换言之，晶圆输送区域50内的气氛气体不会流入到晶圆清洗装置33内，从而微粒等不会流入到晶圆清洗装置33内。因而，能够维持晶圆清洗装置33内的气氛的洁净，能够对该晶圆清洗装置33中的晶圆W的背面WB适当地进行清洗。
另外，由于晶圆输送区域50内的压力相对于粗磨削装置30内的压力和精磨削装置31内的压力成为正压，因此会产生自晶圆输送区域50朝向粗磨削装置30和精磨削装置31去的气流。换言之，粗磨削装置30和精磨削装置31内的气氛气体不会流入到晶圆输送区域50内，从而磨削屑等微粒不会流入到晶圆输送区域50内。
并且，由于晶圆输送区域50内的压力相对于损伤层去除装置32内的压力成为正压，因此会产生自晶圆输送区域50朝向损伤层去除装置32去的气流。换言之，损伤层去除装置32内的气氛不会流入到晶圆输送区域50内，从而不会使在损伤层去除装置32中使用的处理液飞散到晶圆输送区域50内。
如上所述。在晶圆处理系统1中，由于能够适当地控制气流，因此能够更适当地进行晶圆处理。
另外，在晶圆清洗装置33中，使用例如在光刻工序的涂敷显影处理装置中使用的那样的高洁净度的清洗装置，因此能够以较高的洁净度对晶圆W的背面WB进行清洗。在此，在晶圆处理系统1中薄化后的晶圆W之后进行贯通电极的形成等后处理。在该后处理中，为了形成贯通电极的通孔，对晶圆W进行光刻处理，但由于在形成通孔时需要较高的精度，因此在进行规定的处理之前，要以较高的洁净度来清洗晶圆W。对于该点，在晶圆处理系统1的晶圆清洗装置33中，由于能够以较高的洁净度来清洗晶圆W，因此能够减轻后续的处理负担，从而能够提高产品的制造效率。
在以上的实施方式的晶圆处理系统1中，在损伤层去除装置32中进行了湿蚀刻，但只要是将损伤层去除的处理，则并不限定于湿蚀刻。
在损伤层去除装置32中，也可以例如对晶圆W的背面WB进行研磨。作为该研磨，既可以使用含有二氧化硅(SiO2)等磨粒的处理液(浆料)进行化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)，或者也可以进行不使用处理液的干式的干研磨。不管利用哪一种方法进行研磨，都能够去除晶圆W的背面WB的损伤层。此外，作为损伤层去除装置32的壳体32a的内部的结构，能够采用进行这些化学机械研磨、干研磨的通常的结构，省略其详细的说明。
另外，在损伤层去除装置32中，也可以进行例如干蚀刻。此外，作为损伤层去除装置32的壳体32a的内部的结构，能够采用进行干蚀刻的通常的结构，省略其详细的说明。
在该情况下，在损伤层去除装置32的壳体32a内，在真空气氛下进行规定的蚀刻处理。因此，如图6所示，在晶圆输送区域50与损伤层去除装置32之间设有能够将内部气氛切换为大气气氛和真空气氛的加载互锁装置100。加载互锁装置100经由闸阀101与晶圆输送区域50相连接并经由闸阀102与损伤层去除装置32相连接。在该损伤层去除装置32中，也能够对晶圆W的背面WB进行干蚀刻而将该背面WB的损伤层去除。
如图7所示，也可以是，以上的实施方式的晶圆处理系统1还包括用于使设于晶圆W的插塞(plug)暴露的插塞暴露装置200、用于使晶圆W的表面和背面翻转的翻转装置201、以及用于对支承基板S的背面SB进行清洗的支承基板清洗装置202。在该情况下，在第1处理区G1中，从输入输出站2侧起沿Y方向按照粗磨削装置30和精磨削装置31的顺序排列而配置有例如3个粗磨削装置30和3个精磨削装置31。在第2处理区G2中，从输入输出站2侧起沿Y方向按照支承基板清洗装置202、翻转装置201、晶圆清洗装置331、插塞暴露装置200、损伤层去除装置32的顺序排列而配置有例如1个支承基板清洗装置202、1个翻转装置201、1个晶圆清洗装置33、1个插塞暴露装置200、1个损伤层去除装置32。
此外，粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、晶圆清洗装置33、插塞暴露装置200、翻转装置201、支承基板清洗装置202的数量能够任意地设定。另外，这些装置的配置也能够任意地设定，在本实施方式中，将这些装置以沿水平方向排列的方式配置，但也可以将这些装置以在铅垂方向上层叠的方式配置。
插塞暴露装置200具有在内部能够容纳晶圆W的壳体200a。在壳体200a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口200b，在输入输出口200b上设有开闭器200c。
在此，如图8所示，有时在晶圆W上设有自表面WA沿厚度方向延伸的插塞P。在利用粗磨削装置30和精磨削装置31对晶圆W的背面WB进行磨削的时刻，严格地讲，插塞P没有在背面WB暴露。其原因在于，当欲在粗磨削装置30和精磨削装置31中利用砂轮对背面WB进行磨削而使插塞P暴露时，该砂轮有可能使插塞P受到损伤。因此，通过插塞暴露装置200中的处理来将晶圆W的背面WB薄薄地磨削(图8的点线)，从而使插塞P自该背面WB暴露。
具体而言，在插塞暴露装置200的壳体200a内，利用例如碱性的处理液进行湿蚀刻。然后，在插塞暴露装置200中，如所述那样，将晶圆W的背面WB薄薄地磨削而使插塞P自该背面WB暴露。此外，若插塞暴露装置200的壳体200a内的结构为进行湿蚀刻的结构，则能够采用各种结构。在本实施方式中，采用通常的湿蚀刻的结构，省略其详细的说明。
翻转装置201具有在内部能够容纳晶圆W的壳体201a。在壳体201a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口201b，在输入输出口201b上设有开闭器201c。
在翻转装置201的壳体201a内，例如保持晶圆W的外周部并使晶圆W绕水平轴线旋转180度，从而使晶圆W的表面和背面翻转。即，在翻转装置201中，将晶圆W的表面和背面翻转，使得支承基板S的背面SB朝向上方且晶圆W的背面WB朝向下方。
支承基板清洗装置202具有在内部能够容纳晶圆W(支承基板S)的壳体202a。在壳体202a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口202b，在输入输出口202b上设有开闭器202c。例如在粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32中产生的磨削屑有时绕过晶圆W而附着于支承基板S的背面SB，在支承基板清洗装置202中，对该支承基板S的背面SB进行清洗。
在支承基板清洗装置202的壳体202a内，例如，一边使晶圆W(支承基板S)旋转，一边向支承基板S的背面SB上供给纯水并使例如具有刷子的刷洗清洗件抵接于该背面SB。于是，利用纯水和刷洗清洗件来清洗支承基板S的背面SB。此外，该支承基板清洗装置202的壳体202a内的结构能够采用各种结构。在本实施方式中，采用通常的刷洗清洗装置的结构，省略其详细的说明。
接下来，说明图7所示的晶圆处理系统1中的晶圆W的薄化处理。如在所述实施方式中说明那样，将晶圆W输送到粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32中，在各装置中对晶圆W进行规定的处理。
利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将由损伤层去除装置32去除了损伤层后的晶圆W输送到插塞暴露装置200中。在插塞暴露装置200中，对晶圆W的背面WB进行湿蚀刻，如所述那样，将晶圆W的背面WB薄薄地磨削而使插塞P自该背面WB暴露。
接下来，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到晶圆清洗装置33中，利用纯水对晶圆W的背面WB进行清洗。
接下来，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到翻转装置201中。在翻转装置201中，将晶圆W的表面和背面翻转而使支承基板S的背面SB朝向上方。
在此，在所述实施方式中，利用晶圆输送装置60的第2输送臂62来输送背面WB被晶圆清洗装置33清洗后的晶圆W，但在本实施方式中，利用第1输送臂61来输送背面WB被晶圆清洗装置33清洗后的晶圆W。在本实施方式中，在后续的支承基板清洗装置202中，对支承基板S的背面SB进行清洗，在晶圆清洗装置33中，刚被清洗后的晶圆W尚未被污染。因此，将晶圆W自晶圆清洗装置33向翻转装置201输送时，使用第1输送臂61。
接下来，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到支承基板清洗装置202中。在支承基板清洗装置202中，利用纯水和刷洗清洗件对支承基板S的背面SB进行清洗。
接下来，利用晶圆输送装置60的第2输送臂62将晶圆W输送到传送装置41中。之后，利用输入输出站2的晶圆输送装置22将晶圆W输送到规定的盒载置板11的盒C中。如此，完成晶圆处理系统1中的一系列的晶圆处理。
在本实施方式中，也能够发挥与所述实施方式相同的效果。即，采用晶圆处理系统1，由于独立地设有粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、插塞暴露装置200、晶圆清洗装置33、翻转装置201、以及支承基板清洗装置202，因此能够连续地实施这些装置中的规定的处理并能够提高装置结构的自由度，从而能够高效地进行晶圆处理。
另外，在晶圆输送装置60中，第1输送臂61是用于输送由支承基板清洗装置202清洗之前的晶圆W的输送臂，第2输送臂62是用于输送由支承基板清洗装置202清洗之后的晶圆W的输送臂。这样，由于利用不同的输送臂61、62来输送清洗前的不洁净的晶圆W和清洗后的洁净的晶圆W，因此能够抑制附着于一晶圆W的微粒附着于其他晶圆W。因而，能够更适当地进行晶圆处理。
接下来，基于图9来说明在图7所示的晶圆处理系统1中对晶圆W进行薄化处理时在该晶圆处理系统1内产生的气流。此外，图9中的箭表示气流的方向。
翻转装置201内的压力和支承基板清洗装置202内的压力分别相对于晶圆输送区域50内的压力成为正压。因而，当打开各开闭器201c、202c时，会产生自翻转装置201和支承基板清洗装置202朝向晶圆输送区域50去的气流。该压力关系同图5所示的晶圆清洗装置33与晶圆输送区域50之间的压力关系相同。在该情况下，晶圆输送区域50内的气氛气体不会流入到翻转装置201内和支承基板清洗装置202内，从而微粒等不会流入到翻转装置201内和支承基板清洗装置202内。因而，能够维持翻转装置201内和支承基板清洗装置202内的气氛的洁净，从而能够适当地进行该翻转装置201中的晶圆W的翻转处理以及支承基板清洗装置202中的支承基板S的背面SB的清洗。
另外，晶圆输送区域50内的压力相对于插塞暴露装置200内的压力成为正压。因而，当打开开闭器200c时，会产生自晶圆输送区域50朝向插塞暴露装置200去的气流。该压力关系同图5所示的粗磨削装置30、精磨削装置31以及损伤层去除装置32这几者与晶圆输送区域50之间的压力关系相同。在该情况下，插塞暴露装置200内的气氛气体不会流入到晶圆输送区域50内，从而不会使在插塞暴露装置200中使用的处理液飞散到晶圆输送区域50内。
此外，在以上的实施方式的晶圆处理系统1中，有时通过进行例如损伤层去除装置3中的损伤层的去除处理(例如湿蚀刻)、插塞暴露装置200中的插塞的暴露处理(例如湿蚀刻)来对晶圆W的背面WB适当地进行清洗。在该情况下，也可以是，省略晶圆清洗装置33，从而省略该晶圆清洗装置33中的晶圆W的背面WB的清洗处理。
另外，在以上的实施方式的晶圆处理系统1中，有时利用例如损伤层去除装置32使插塞P暴露。另外，根据产品的规格的不同，也存在原本不必使插塞P暴露的情况。在该情况下，也可以是，省略插塞暴露装置200，从而省略该插塞暴露装置200中的插塞P的暴露处理。
如图10所示，以上的实施方式的晶圆处理系统1也可以包括用于检查薄化后的晶圆W的检查装置300。检查装置300配置于例如第3处理区G3的最上层。
在检查装置300中，使用例如激光位移计对晶圆W的厚度和晶圆W的背面WB的面粗糙度进行测量。此外，晶圆W的厚度和背面WB的面粗糙度的测量并不限定于使用激光的测量方法，而能够采用各种方法。另外，在检查装置300中，也可以检查晶圆W的外观。
检查装置300能够在各种时刻对晶圆W进行检查。例如，检查装置300能够对以下晶圆进行检查：背面WB被精磨削装置31磨削后的晶圆W、损伤层被损伤层去除装置32去除后的晶圆W、插塞P在插塞暴露装置200中暴露后的晶圆W、背面WB被晶圆清洗装置33清洗后的晶圆W、支承基板S的背面SB被支承基板清洗装置202清洗后的晶圆W等。
在例如要对由精磨削装置31处理后的晶圆W进行检查的情况下，利用晶圆输送装置60将晶圆W输送到检查装置300中。然后，在检查装置300中对晶圆W进行检查，其结果，在例如晶圆W的厚度没有成为期望的厚度的情况下，利用控制装置70来对粗磨削装置30中的处理条件和精磨削装置31中的处理条件进行修正。具体而言，例如，更换粗磨削装置30的砂轮和精磨削装置31的砂轮，或者对砂轮的平行度和卡盘的平行度进行调节。
另外，在例如对由损伤层去除装置32处理后的晶圆W或由插塞暴露装置200处理后的晶圆W进行检查的情况下，利用晶圆输送装置60将晶圆W输送到检查装置300中。然后，在检查装置300中对晶圆W进行检查，其结果，在例如晶圆W的背面WB的面粗糙度没有成为期望的面粗糙度的情况下，利用控制装置70对损伤层去除装置32中的处理条件或插塞暴露装置200中的处理条件进行修正。具体而言，例如，更换在损伤层去除装置32或在插塞暴露装置200中使用的处理液或者对处理时间进行调节。
另外，在例如对由晶圆清洗装置33清洗后的晶圆W或由支承基板清洗装置202清洗后的晶圆W进行检查的情况下，利用晶圆输送装置60将晶圆W输送到检查装置300中。然后，在检查装置300中对晶圆W进行检查，其结果，在例如晶圆W的厚度没有成为期望的厚度的情况下，利用控制装置70对粗磨削装置30中的处理条件和精磨削装置31中的处理条件进行修正。另外，在例如晶圆W的背面WB的面粗糙度没有成为期望的面粗糙度的情况下，利用控制装置70对损伤层去除装置32中的处理条件进行修正。
采用本实施方式，由于能够根据检查装置300的检查结果对粗磨削装置30中的处理条件、精磨削装置31中的处理条件、损伤层去除装置32中的处理条件或插塞暴露装置200中的处理条件分别进行反馈控制，因此，之后，能够更适当地实施在晶圆处理系统1中进行的晶圆处理。
此外，在以上的实施方式中，说明了在晶圆处理系统1中将晶圆W薄化至例如100μm以下的厚度的情况，但在该晶圆处理系统1中，能够将晶圆W薄化至任意的厚度。例如，在薄化后所要求的厚度较大、例如100μm～200μm的情况下，能够代替支承基板S而在晶圆W上粘贴保护带。
以上，参照附图来说明了本发明的优选的实施方式，但是，本发明并不限定于该例子。只要是本领域的技术人员，能够在权利要求书所述的构思的范围内想到各种变更例或修改例是显而易见的，所述变更例或修改例当然也被认为属于本发明的保护范围。
附图标记说明
1、晶圆处理系统；2、输入输出站；3、处理站；22、晶圆输送装置；30、粗磨削装置；30a、壳体；31、精磨削装置；31a、壳体；32、损伤层去除装置；32a、壳体；33、晶圆清洗装置；33a、壳体；50、晶圆输送区域；51、风机过滤单元；52、排气口；60、晶圆输送装置；61、第1输送臂；62、第2输送臂；70、控制装置；200、插塞暴露装置；200a、壳体；201、翻转装置；201a、壳体；202、支承基板清洗装置；202a、壳体；300、检查装置；G1、第1处理区；G2、第2处理区；G3、第3处理区；P、插塞；S、支承基板；SA、表面；SB、背面；W、晶圆；WA、表面；WB、背面。

Claims (24)

1.一种基板处理系统，其用于使基板薄化，在该基板的表面形成有器件，并进一步相对于该表面接合有支承基板的表面，其中，
该基板处理系统包括：
处理站，其用于对基板进行规定的处理；以及
输入输出站，其能够保有多张基板，且用于相对于所述处理站输入输出基板，
所述处理站具有：
磨削装置，其用于对基板的背面进行磨削；
损伤层去除装置，其用于将由于所述磨削装置进行磨削而形成于基板的背面的损伤层去除；
清洗装置，其用于在利用所述损伤层去除装置将所述损伤层去除之后对支承基板的背面进行清洗；以及
基板输送区域，其用于相对于所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置输送基板，
所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个，
并且，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别具有用于在内部容纳基板的壳体，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置用于分别独立地在所述壳体内对基板进行规定的处理，
所述磨削装置内的压力和所述损伤层去除装置内的压力分别相对于所述基板输送区域内的压力成为负压，
所述清洗装置内的压力相对于所述基板输送区域内的压力成为正压。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
在所述基板输送区域设有用于保持并输送基板的基板输送装置，
所述基板输送装置具有用于输送支承基板的背面被所述清洗装置清洗之前的基板的第1输送臂和用于输送支承基板的背面被所述清洗装置清洗之后的基板的第2输送臂。
3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
在所述损伤层去除装置中，通过进行湿蚀刻、干蚀刻或研磨来去除所述损伤层。
4.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述清洗装置用于向支承基板的背面供给纯水而对支承基板的背面进行清洗。
5.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统还包括另一清洗装置，该另一清洗装置用于在利用所述损伤层去除装置将所述损伤层去除之后且是在利用所述清洗装置对支承基板的背面进行清洗之前对基板的背面进行清洗。
6.根据权利要求5所述的基板处理系统，其中，
所述另一清洗装置内的压力相对于所述基板输送区域内的压力成为正压。
7.根据权利要求5所述的基板处理系统，其中，
所述另一清洗装置用于向基板的背面供给纯水而对基板的背面进行清洗。
8.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统还包括翻转装置，该翻转装置用于在利用所述损伤层去除装置将所述损伤层去除之后且是在利用所述清洗装置对支承基板的背面进行清洗之前使基板的表面和背面翻转。
9.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
在基板上设有自表面沿厚度方向延伸的插塞，
该基板处理系统还包括插塞暴露装置，该插塞暴露装置用于在利用所述损伤层去除装置将所述损伤层去除之后且是在利用所述清洗装置对支承基板的背面进行清洗之前使所述插塞暴露。
10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中，
在所述插塞暴露装置中，通过进行湿蚀刻来使所述插塞暴露。
11.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统还包括检查装置，该检查装置用于检查被所述磨削装置磨削后的基板、所述损伤层被所述损伤层去除装置去除后的基板、或支承基板的背面被所述清洗装置清洗后的基板。
12.根据权利要求11所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统还包括控制装置，该控制装置根据所述检查装置中的检查结果来对所述磨削装置中的处理条件或所述损伤层去除装置中的处理条件进行修正。
13.一种基板处理方法，其用于使基板薄化，在该基板的表面形成有器件，并进一步相对于该表面接合有支承基板的表面，其中，
该基板处理方法包括以下工序：
磨削工序，在该磨削工序中，将基板经由基板输送区域输送到磨削装置中，在该磨削装置的壳体内对基板的背面进行磨削；
之后的损伤层去除工序，在该损伤层去除工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到损伤层去除装置中，在该损伤层去除装置的壳体内，将在所述磨削工序中形成于基板的背面的损伤层去除；以及
之后的清洗工序，在该清洗工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到清洗装置中，在该清洗装置的壳体内对支承基板的背面进行清洗，
针对多张基板连续地进行所述磨削工序、所述损伤层去除工序以及所述清洗工序，
并且，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别构成为能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个，所述磨削工序、所述损伤层去除工序以及所述清洗工序分别选择任意的所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置来进行，
所述磨削装置内的压力和所述损伤层去除装置内的压力分别相对于所述基板输送区域内的压力成为负压，
所述清洗装置内的压力相对于所述基板输送区域内的压力成为正压。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，
在所述基板输送区域中设有基板输送装置，该基板输送装置具有用于保持并输送基板的两个输送臂，
利用所述基板输送装置的第1输送臂来输送所述清洗工序结束之前的基板，
利用所述基板输送装置的第2输送臂来输送所述清洗工序结束之后的基板。
15.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，
在所述损伤层去除工序中，通过进行湿蚀刻、干蚀刻或研磨来去除所述损伤层。
16.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，
在所述清洗工序中，对支承基板的背面供给纯水而对支承基板的背面进行清洗。
17.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括另一清洗工序，在所述损伤层去除工序后且是在所述清洗工序前，在该另一清洗工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到另一清洗装置中，在该另一清洗装置的壳体内，对基板的背面进行清洗。
18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，
所述另一清洗装置内的压力相对于所述基板输送区域内的压力成为正压。
19.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，
在所述另一清洗工序中，向基板的背面供给纯水而对基板的背面进行清洗。
20.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括翻转工序，在所述损伤层去除工序后且是在所述清洗工序前，在该翻转工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到翻转装置中，在该翻转装置的壳体内使基板的表面和背面翻转。
21.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，
在基板上设有自表面沿厚度方向延伸的插塞，
该基板处理方法还包括插塞暴露工序，在所述损伤层去除工序后且是在所述清洗工序前，在该插塞暴露工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到插塞暴露装置中，在该插塞暴露装置的壳体内使所述插塞暴露。
22.根据权利要求21所述的基板处理方法，其中，
在所述插塞暴露工序中，通过进行湿蚀刻来使所述插塞暴露。
23.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括检查工序，在所述磨削工序后、所述损伤层去除工序后或所述清洗工序后，在该检查工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到检查装置中，在该检查装置中对基板进行检查。
24.根据权利要求23所述的基板处理方法，其中，
根据所述检查工序中的检查结果对所述磨削工序中的处理条件或所述损伤层去除工序中的处理条件进行修正。
CN201480033610.XA 2013-06-13 2014-05-30 基板处理系统和基板处理方法 Active CN105308725B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-124406 2013-06-13
JP2013124406 2013-06-13
JP2014109233A JP6093328B2 (ja) 2013-06-13 2014-05-27 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2014-109233 2014-05-27
PCT/JP2014/064406 WO2014199845A1 (ja) 2013-06-13 2014-05-30 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105308725A CN105308725A (zh) 2016-02-03
CN105308725B true CN105308725B (zh) 2016-09-14

Family

ID=52022143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480033610.XA Active CN105308725B (zh) 2013-06-13 2014-05-30 基板处理系统和基板处理方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6093328B2 (zh)
KR (1) KR101629627B1 (zh)
CN (1) CN105308725B (zh)
TW (2) TWI613717B (zh)
WO (1) WO2014199845A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6242603B2 (ja) * 2013-06-25 2017-12-06 株式会社ディスコ ウエーハ加工装置
JP2017108113A (ja) * 2015-11-27 2017-06-15 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法ならびに基板処理装置の制御プログラム
JP2017212345A (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体製造装置、及び半導体製造方法
JP6727044B2 (ja) * 2016-06-30 2020-07-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP6902872B2 (ja) * 2017-01-10 2021-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理方法
CN110809816A (zh) * 2017-07-12 2020-02-18 东京毅力科创株式会社 磨削装置、磨削方法以及计算机存储介质
JP7002874B2 (ja) * 2017-07-21 2022-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP6877585B2 (ja) * 2017-12-19 2021-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
US11752576B2 (en) * 2018-03-14 2023-09-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing system for removing peripheral portion of substrate, substrate processing method and computer readable recording medium thereof
CN117542753A (zh) * 2018-04-27 2024-02-09 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板处理方法
KR20210005110A (ko) * 2018-04-27 2021-01-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
US11817337B2 (en) * 2018-08-23 2023-11-14 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method
JP2020031158A (ja) * 2018-08-23 2020-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP7037459B2 (ja) 2018-09-10 2022-03-16 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7387316B2 (ja) 2019-07-19 2023-11-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板搬送方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6315858B1 (en) * 1998-03-18 2001-11-13 Ebara Corporation Gas polishing apparatus and method
JP2001358097A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェハの加工装置
JP3646921B2 (ja) * 2000-03-06 2005-05-11 三菱住友シリコン株式会社 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
JP2008012622A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法
CN101494164A (zh) * 2008-01-23 2009-07-29 株式会社荏原制作所 基板处理装置的运转方法及基板处理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61276224A (ja) * 1985-05-30 1986-12-06 Wakomu:Kk 物品洗浄装置
JP3579244B2 (ja) * 1998-03-18 2004-10-20 株式会社荏原製作所 ガスポリッシング用のノズル機構及び該機構を用いたガスポリッシング室及びポリッシング装置
JP2993497B1 (ja) * 1998-09-02 1999-12-20 日本電気株式会社 研磨装置および研磨方法
TW492100B (en) * 2000-03-13 2002-06-21 Disco Corp Semiconductor wafer processing apparatus
JP4416108B2 (ja) * 2003-11-17 2010-02-17 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの製造方法
JP5357477B2 (ja) * 2008-09-17 2013-12-04 株式会社ディスコ 研削方法および研削装置
JP2010177541A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Pre-Tech At:Kk Ｓｉウェーハの加工ダメージ除去方法
JP2011165994A (ja) 2010-02-12 2011-08-25 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体基板の平坦化加工装置
JP5323867B2 (ja) * 2011-01-19 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6315858B1 (en) * 1998-03-18 2001-11-13 Ebara Corporation Gas polishing apparatus and method
JP3646921B2 (ja) * 2000-03-06 2005-05-11 三菱住友シリコン株式会社 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
JP2001358097A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェハの加工装置
JP2008012622A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法
CN101494164A (zh) * 2008-01-23 2009-07-29 株式会社荏原制作所 基板处理装置的运转方法及基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101629627B1 (ko) 2016-06-13
CN105308725A (zh) 2016-02-03
TW201515080A (zh) 2015-04-16
TW201828348A (zh) 2018-08-01
TWI664670B (zh) 2019-07-01
KR20160003873A (ko) 2016-01-11
JP2015019053A (ja) 2015-01-29
WO2014199845A1 (ja) 2014-12-18
TWI613717B (zh) 2018-02-01
JP6093328B2 (ja) 2017-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105308725B (zh) 基板处理系统和基板处理方法
KR100366743B1 (ko) 기판의연마후처리방법및이것에이용하는연마장치
JP6425639B2 (ja) 基板処理システム
TWI598183B (zh) Grinding device
JP6902872B2 (ja) 基板処理システムおよび基板処理方法
TWI836128B (zh) 基板處理方法及基板處理系統
US20190126430A1 (en) Substrate treatment apparatus
CN202367583U (zh) 一种化学机械研磨装置
JP6587379B2 (ja) 研磨装置
JP7002874B2 (ja) 基板処理システム
CN104979244A (zh) 基板处理装置
JP6995143B2 (ja) 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
US11869788B2 (en) Substrate processing device
CN213635912U (zh) 基板磨削系统
JP2021040077A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6466217B2 (ja) 剥離装置及び剥離システム
JP2013236094A (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102483002B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100905094B1 (ko) 웨이퍼 연마장치
TWI717675B (zh) 基板處理裝置
KR100854422B1 (ko) 웨이퍼 연마장치
TW202249100A (zh) 基板處理方法及基板處理系統
JP2021130148A (ja) 研削システム、及び研削方法
JP2004235659A (ja) 基板処理装置用ブロック及び基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant