KR101629627B1 - 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR101629627B1
KR101629627B1 KR1020157035296A KR20157035296A KR101629627B1 KR 101629627 B1 KR101629627 B1 KR 101629627B1 KR 1020157035296 A KR1020157035296 A KR 1020157035296A KR 20157035296 A KR20157035296 A KR 20157035296A KR 101629627 B1 KR101629627 B1 KR 101629627B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wafer
cleaning
damaged layer
grinding
Prior art date
Application number
KR1020157035296A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160003873A (ko
Inventor
요시오 기무라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160003873A publication Critical patent/KR20160003873A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101629627B1 publication Critical patent/KR101629627B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 처리 시스템(1)은, 처리 스테이션(3)과 반입출 스테이션(2)을 갖는다. 상기 처리 스테이션(3)은, 기판의 이면을 연삭하는 연삭 장치(30, 31)와, 상기 연삭 장치(30, 31)로 연삭함으로써 기판의 이면에 형성된 손상층을 제거하는 손상층 제거 장치(32)와, 상기 손상층 제거 장치(32)로 상기 손상층을 제거한 후, 지지 기판의 이면을 세정하는 세정 장치(33)와, 각 장치에 대하여 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역(50)을 갖는다. 각 장치는, 각각 연직 방향 또는 수평 방향으로 복수 배치 가능하다. 각 장치는, 각각 내부에 기판을 수용하는 케이스(30a, 31a, 32a, 33a, 200a, 201a, 202a)를 구비하고, 각각 독립적으로 상기 케이스 내에서 기판에 미리 정해진 처리를 행한다.

Description

기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}
본 발명은 표면에 디바이스가 형성되며, 또한 상기 표면에 대하여 지지 기판의 표면이 접합된 기판을 박화하는 기판 처리 시스템, 상기 기판 처리 시스템을 이용한 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
본원은, 2013년 6월 13일에 일본국에 출원된 특허 출원 제2013-124406호, 및 2014년 5월 27일에 일본국에 출원된 특허 출원 제2014-109233호에 기초하여, 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.
최근, 반도체 디바이스의 소형화나 경량화의 요구에 응하기 위해, 표면에 복수의 전자 회로 등의 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)에 있어서, 상기 웨이퍼의 이면을 연삭 및 연마하여, 웨이퍼를 박화하는 일이 행해지고 있다.
또한, 반도체 디바이스의 고집적화가 진행되고 있으며, 이러한 고집적화한 복수의 반도체 디바이스를 3차원으로 적층하는, 소위 3차원 집적 기술이 제안되어 있다. 이 3차원 집적 기술에 있어서는, 복수의 웨이퍼가 적층되고, 각 웨이퍼에 형성된 관통 전극(TSV: Through Silicon Via)을 통해, 상하로 적층된 웨이퍼 사이가 전기적으로 접속된다. 이 경우, 단순히 웨이퍼를 적층하면, 상기 웨이퍼의 두께에 의해, 제조되는 반도체 디바이스도 두꺼워지기 때문에, 웨이퍼를 박화하는 일이 행해진다.
이러한 웨이퍼의 박화는, 예컨대 특허문헌 1에 기재된 평탄화 가공 장치로 행해진다. 평탄화 가공 장치에서는, 로딩/언로딩 스테이지실, 연삭 가공 스테이지실 및 연마 가공 스테이지실의 3실이 칸막이벽을 통해 구분되어 있다. 연삭 가공 스테이지실에는, 3조의 척 테이블을 구비한 1대의 인덱스형 턴 테이블이 설치되어 있다. 이들 3조의 척 테이블은, 웨이퍼를 로딩/언로딩하는 척 테이블, 웨이퍼의 조연삭 가공을 행하는 척 테이블, 웨이퍼의 마무리 연삭 가공을 행하는 척 테이블의 3조의 척 테이블이다. 연마 가공 스테이지실에는, 웨이퍼 2장 또는 4장을 배치할 수 있는 가배치대 정반과, 웨이퍼 2장을 동시에 연마 가공하는 3조의 연마 정반과, 이들 가배치대 정반과 연마 정반의 상방에 배치된 1대의 인덱스형 헤드가 설치되어 있다. 그리고, 평탄화 가공 장치에서는, 조연삭 가공, 마무리 연삭 가공, 연마 가공이 순차 행해져, 웨이퍼가 박화된다.
특허문헌 1: 일본국 특허 공개 제2011-165994호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 평탄화 가공 장치에 있어서는, 조연삭 가공을 행하는 척 테이블, 마무리 연삭 가공을 행하는 척 테이블, 연마 가공을 행하는 연마 정반은, 장치 내에 고정되어 있으며, 이들 수를 증감할 수는 없다. 즉, 이들 척 테이블과 연마 정반의 수는, 현행 이용되고 있는 조연삭 가공 수단, 마무리 연삭 가공 수단, 연마 가공 수단에 기초하여, 각 가공에 요하는 시간에 따라 설정되어 있다. 이 때문에, 예컨대 기술 혁신에 의해 가공 수단, 예컨대 연마 수단의 성능이 향상되었다고 해도, 연마 정반의 수를 늘릴 수 없고, 결과로서 웨이퍼 처리 전체의 스루풋을 향상시킬 수 없다.
또한, 조연삭 가공 수단, 마무리 연삭 가공 수단, 연마 가공 수단 중, 하나의 가공 수단에 이상이 생기거나, 혹은 그 가공 수단의 메인터넌스를 행하는 경우, 다른 2개의 가공 수단이 정상이어도, 장치 전체를 정지시킬 필요가 있다. 이 때문에, 제품의 제조 효율이 나쁘다.
이상과 같이 특허문헌 1에 기재된 평탄화 가공 장치는, 장치 구성의 자유도가 낮아, 처리 효율에 개선의 여지가 있다.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 처리 시스템에 있어서 기판을 박화하는 처리를 효율적으로 행하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 표면에 디바이스가 형성되며, 또한 상기 표면에 대하여 지지 기판의 표면이 접합된 기판을 박화하는 기판 처리 시스템으로서, 기판에 미리 정해진 처리를 행하는 처리 스테이션과, 기판을 복수 보유 가능하며, 또한 상기 처리 스테이션에 대하여 기판을 반입출하는 반입출 스테이션을 가지고, 상기 처리 스테이션은, 기판의 이면을 연삭하는 연삭 장치와, 상기 연삭 장치로 연삭함으로써 기판의 이면에 형성된 손상층을 제거하는 손상층 제거 장치와, 상기 손상층 제거 장치로 상기 손상층을 제거한 후, 지지 기판의 이면을 세정하는 세정 장치와, 상기 연삭 장치, 상기 손상층 제거 장치 및 상기 세정 장치에 대하여, 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역을 가지며, 상기 연삭 장치, 상기 손상층 제거 장치 및 상기 세정 장치는, 각각 연직 방향 또는 수평 방향으로 복수 배치 가능하고, 또한 상기 연삭 장치, 상기 손상층 제거 장치 및 상기 세정 장치는, 각각 내부에 기판을 수용하는 케이스를 구비하며, 각각 독립적으로 상기 케이스 내에서 기판에 미리 정해진 처리를 행한다.
본 발명에 따르면, 하나의 기판 처리 시스템에 있어서, 연삭 장치에 있어서의 기판 이면의 연삭 처리, 손상층 제거 장치에 있어서의 손상층의 제거 처리, 및 세정 장치에 있어서의 지지 기판 이면의 세정 처리를, 복수의 기판에 대하여 연속하여 행할 수 있다.
또한, 기판 처리 시스템에 있어서, 연삭 장치, 손상층 제거 장치 및 세정 장치는, 각각 연직 방향 또는 수평 방향으로 복수 배치 가능하게 구성되어 있기 때문에, 이들 장치의 수를 임의로 설정할 수 있다. 따라서, 예컨대 요구되는 제품의 사양 등에 따라, 연삭 장치, 손상층 제거 장치, 세정 장치의 수를 변경할 수 있고, 또한 어느 하나의 장치의 장치 구성만을 변경하는 것도 가능해진다.
더구나, 연삭 장치, 손상층 제거 장치 및 세정 장치는, 각각 독립적으로 미리 정해진 처리를 행할 수 있기 때문에, 예컨대 하나의 장치 내에서 기판에 대하여 미리 정해진 처리를 행하고 있는 동안이라도, 다른 장치를 기판 처리 시스템의 외부로 제거할 수 있으며, 또한 별도의 장치를 기판 처리 시스템의 내부에 설치할 수 있다. 이 때문에, 예컨대 하나의 장치에 이상이 생기거나, 혹은 그 장치의 메인터넌스를 행하는 경우라도, 다른 장치를 정지시킬 필요가 없어, 기판 처리 시스템 전체를 정지시킬 필요가 없다.
이상과 같이, 본 발명의 기판 처리 시스템에 따르면, 장치 구성의 자유도를 향상시킬 수 있어, 기판 처리를 효율적으로 행할 수 있다.
별도의 관점에 따른 본 발명은, 표면에 디바이스가 형성되며, 또한 상기 표면에 대하여 지지 기판의 표면이 접합된 기판을 박화하는 기판 처리 방법으로서, 기판 반송 영역을 통해 연삭 장치에 기판을 반송하여, 상기 연삭 장치의 케이스 내에 있어서 기판의 이면을 연삭하는 연삭 공정과, 그 후, 상기 기판 반송 영역을 통해 손상층 제거 장치에 기판을 반송하여, 상기 손상층 제거 장치의 케이스 내에 있어서, 상기 연삭 공정에서 기판의 이면에 형성된 손상층을 제거하는 손상층 제거 공정과, 그 후, 상기 기판 반송 영역을 통해 세정 장치에 기판을 반송하여, 상기 세정 장치의 케이스 내에 있어서 지지 기판의 이면을 세정하는 세정 공정을 가지고, 상기 연삭 공정, 상기 손상층 제거 공정 및 상기 세정 공정을 복수의 기판에 대하여 연속하여 행하며, 또한 상기 연삭 장치, 상기 손상층 제거 장치 및 상기 세정 장치는, 각각 연직 방향 또는 수평 방향으로 복수 배치 가능하게 구성되고, 상기 연삭 공정, 상기 손상층 제거 공정 및 상기 세정 공정은, 각각 임의의 상기 연삭 장치, 상기 손상층 제거 장치 및 상기 세정 장치를 선택하여 행해진다.
또한 별도의 관점에 따른 본 발명은, 상기 기판 처리 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키도록, 상기 기판 처리 시스템을 제어하는 제어 장치의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이다.
본 발명에 따르면, 기판 처리 시스템의 장치 구성의 자유도를 향상시킬 수 있어, 상기 기판 처리 시스템에 있어서 기판을 박화하는 처리를 효율적으로 행할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 4는 웨이퍼와 지지 기판의 측면도이다.
도 5는 웨이퍼 처리 시스템 내에 생기는 기류의 설명도이다.
도 6은 다른 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 7은 다른 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 8은 다른 실시형태에 있어서의 플러그 노출 장치에서 행해지는 처리의 설명도이다.
도 9는 다른 실시형태에 있어서의 웨이퍼 처리 시스템 내에 생기는 기류의 설명도이다.
도 10은 다른 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템으로서의 웨이퍼 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다. 도 2 및 도 3은 웨이퍼 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이 기판으로서의 웨이퍼(W)를 박화한다. 웨이퍼(W)는, 접착제(G)를 통해 지지 기판(S)과 접합되어 있다. 이 지지 기판(S)은, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서 웨이퍼(W)가 박화된 후, 상기 웨이퍼(W)를 보강하기 위해 설치되어 있다. 지지 기판(S)에는, 예컨대 웨이퍼나 유리 기판 등, 여러가지 기판이 이용된다. 또한, 지지 기판(S)에 있어서 후술하는 웨이퍼(W)의 표면(WA)과 접합되는 접합면을 표면(SA)이라고 하며, 상기 표면(SA)과 반대측의 면을 이면(SB)이라고 한다.
웨이퍼(W)의 표면(WA)에는, 예컨대 복수의 전자 회로 등의 디바이스가 형성되어 있다. 표면(WA)은 접착제(G)를 통해 지지 기판(S)의 표면(SA)에 접합되는 접합면이며, 이 접착제(G)에 의해 표면(WA)의 디바이스가 보호된다. 그리고 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 대하여 연삭 등의 미리 정해진 처리가 행해져, 상기 웨이퍼(W)가 박화된다. 본 실시형태에 있어서는, 예컨대 300 ㎛∼700 ㎛의 두께의 웨이퍼(W)가, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서 100 ㎛ 이하의 두께까지 박화된다.
또한, 이와 같이 웨이퍼(W)는 지지 기판(S)에 지지되어 있지만, 이하의 설명에 있어서는, 지지 기판(S)에 지지된 웨이퍼(W)를 단순히 「웨이퍼(W)」라고 칭하는 경우가 있다.
웨이퍼 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이 예컨대 외부와의 사이에서 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 카세트(C)가 반입출되는 반입출 스테이션(2)과, 웨이퍼(W)에 대하여 미리 정해진 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.
반입출 스테이션(2)에는, 카세트 배치대(10)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(10)에는, 복수, 예컨대 4개의 카세트 배치판(11)이 설치되어 있다. 카세트 배치판(11)은, X 방향(도 1 중 상하 방향)에 1열로 배열되어 배치되어 있다. 이들 카세트 배치판(11)에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입출할 때에, 카세트(C)를 배치할 수 있다. 이와 같이 반입출 스테이션(2)은, 복수의 웨이퍼(W)를 보유 가능하게 구성되어 있다. 또한, 카세트 배치판(11)의 개수는, 본 실시형태에 한정되지 않고, 임의로 결정할 수 있다.
반입출 스테이션(2)에는, 카세트 배치대(10)에 인접하여 웨이퍼 반송부(20)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송부(20)에는, X 방향으로 연신하는 반송로(21) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(22)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(22)는, 연직 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 배치판(11) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제3 처리 블록(G3)의 트랜지션 장치(40, 41) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 즉, 반입출 스테이션(2)은, 처리 스테이션(3)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입출 가능하게 구성되어 있다.
또한, 웨이퍼 반송 장치(22)에는 웨이퍼(W)의 위치를 조절하는 위치 조절 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이러한 위치 조절 기구에 의해, 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 검출하면서 상기 웨이퍼(W)의 방향이 조절되고, 또한 웨이퍼(W)가 센터링된다.
처리 스테이션(3)에는, 각종 처리 장치를 구비한 복수 예컨대 3개의 처리 블록(G1, G2, G3)이 설치되어 있다. 예컨대 처리 스테이션(3)의 X 방향 정방향측에는, 제1 처리 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 X 방향 부방향측에는, 제2 처리 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 반입출 스테이션(2)측(Y 방향 부방향측)에는, 제3 처리 블록(G3)이 설치되어 있다.
제1 처리 블록(G1)과 제2 처리 블록(G2)에는, 웨이퍼(W)의 이면(WB)을 조연삭하는 조연삭 장치(30)와, 조연삭된 웨이퍼(W)의 이면(WB)을 마무리 연삭하는 마무리 연삭 장치(31)와, 조연삭 및 마무리 연삭됨으로써 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 형성된 손상층을 제거하는 손상층 제거 장치(32)와, 손상층이 제거된 웨이퍼(W)의 이면(WB)을 세정하는 다른 세정 장치로서의 웨이퍼 세정 장치(33)가 설치되어 있다.
제1 처리 블록(G1)에는, 예컨대 3개의 조연삭 장치(30)와 1개의 마무리 연삭 장치(31)가, 반입출 스테이션(2)측으로부터 이 순서로 Y 방향으로 배열하여 배치되어 있다. 제2 처리 블록(G2)에는, 예컨대 1개의 웨이퍼 세정 장치(33), 1개의 손상층 제거 장치(32), 2개의 마무리 연삭 장치(31)가, 반입출 스테이션(2)측으로부터 이 순서로 Y 방향으로 배열하여 배치되어 있다.
또한, 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32), 웨이퍼 세정 장치(33)의 수는, 임의로 설정할 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리 능력(택트)을 예컨대 30장/시간으로 설정하고 있다. 그리고, 조연삭 장치(30)와 마무리 연삭 장치(31)의 처리 능력이 각각 예컨대 10장/시간인 경우, 이들 조연삭 장치(30)와 마무리 연삭 장치(31)는 각각 3개 설치된다. 또한, 손상층 제거 장치(32)와 웨이퍼 세정 장치(33)의 처리 능력이 각각 예컨대 10장/시간인 경우, 이들 손상층 제거 장치(32)와 웨이퍼 세정 장치(33)는 각각 1개 설치된다.
또한, 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32), 웨이퍼 세정 장치(33)의 배치도, 임의로 설정할 수 있다. 본 실시형태에서는, 이들 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32), 웨이퍼 세정 장치(33)를 수평 방향으로 배열하여 배치하였지만, 연직 방향으로 적층하여 배치하여도 좋다.
제3 처리 블록(G3)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 트랜지션 장치(40, 41)가 밑에서부터 이 순서로 2단으로 설치되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이 제1 처리 블록(G1)∼제3 처리 블록(G3)에 둘러싸인 영역에는, 기판 반송 영역으로서의 웨이퍼 반송 영역(50)이 형성되어 있다. 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 반송 영역(50)의 천장면에는, 팬 필터 유닛(51)(FFU: Fan Filter Unit)이 설치되어 있다. 또한 웨이퍼 반송 영역(50)의 바닥면에는, 상기 웨이퍼 반송 영역(50)의 내부의 분위기를 배기하는 배기구(52)가 형성되어 있다. 배기구(52)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(53)에 연통하는 배기관(54)이 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 웨이퍼 반송 영역(50)의 내부에는, 팬 필터 유닛(51)으로부터 배기구(52)를 향하는 하강 기류(다운 플로우)가 형성된다.
웨이퍼 반송 영역(50)에는, 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(60)가 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(60)는, 웨이퍼 반송 영역(50) 내를 이동하여, 주위의 제1 처리 블록(G1), 제2 처리 블록(G2) 및 제3 처리 블록(G3) 내의 미리 정해진 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
웨이퍼 반송 장치(60)는, 2개의 반송 아암(61, 62)을 가지고 있다. 제1 반송 아암(61)은, 후술하는 바와 같이 웨이퍼 세정 장치(33)로 세정되기 전의 웨이퍼(W)를 반송한다. 제2 반송 아암(62)은, 후술하는 바와 같이 웨이퍼 세정 장치(33)로 세정된 후의 웨이퍼(W)를 반송한다. 이들 반송 아암(61, 62)은, 웨이퍼(W)의 이면(WB)의 외주부를 유지하여, 상기 웨이퍼(W)를 수평으로 유지할 수 있다. 또한, 제1 반송 아암(61)은, 세정 전의 더러워진 웨이퍼(W)를 반송하기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면(WB) 중 어느 장소를 유지하여도 좋고, 예컨대 이면(WB)의 중심부를 유지하여도 좋다.
또한, 웨이퍼 반송 장치(60)에는 웨이퍼(W)의 위치를 조절하는 위치 조절 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이러한 위치 조절 기구에 의해, 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 검출하면서 상기 웨이퍼(W)의 방향이 조절되며, 또한 웨이퍼(W)가 센터링된다.
반송 아암(61, 62)의 기단부에는, 아암 구동부(63)가 설치되어 있다. 이 아암 구동부(63)에 의해, 각 반송 아암(61, 62)은 독립적으로 수평 방향으로 이동할 수 있다. 아암 구동부(63)는 베이스(64)에 지지되어 있다. 베이스(64)에는 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되고, 이러한 이동 기구에 의해 반송 아암(61, 62)은 승강 가능하게 구성되며, 또한 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다.
다음에, 도 1에 나타낸 전술한 처리 스테이션(3)에 배치된 각 장치(30∼33)의 구성에 대해서 설명한다.
조연삭 장치(30)는, 내부에 웨이퍼(W)를 수용 가능한 케이스(30a)를 가지고 있다. 케이스(30a)의 웨이퍼 반송 영역(50)측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입출구(30b)가 형성되고, 반입출구(30b)에는 개폐 셔터(30c)가 설치되어 있다.
조연삭 장치(30)의 케이스(30a) 내에서는, 예컨대 척에 유지된 웨이퍼(W)의 이면(WB)을 연삭 지석에 접촉시킨 상태로, 척과 연삭 지석을 각각 회전시킴으로써 이면(WB)을 연삭한다. 또한 이때, 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 연삭액, 예컨대 물이 공급된다. 또한, 조연삭 장치(30)의 케이스(30a) 내의 구성은, 본 실시형태에 한정되지 않고, 여러가지 구성을 취할 수 있다.
마무리 연삭 장치(31)는, 내부에 웨이퍼(W)를 수용 가능한 케이스(31a)를 가지고 있다. 케이스(31a)의 웨이퍼 반송 영역(50)측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입출구(31b)가 형성되고, 반입출구(31b)에는 개폐 셔터(31c)가 설치되어 있다.
마무리 연삭 장치(31)의 구성은 조연삭 장치(30)의 구성과 거의 동일하지만, 마무리 연삭 장치(31)에 있어서의 연삭 지석의 입도는 조연삭 장치(30)의 연삭 지석의 입도보다 작다. 그리고, 마무리 연삭 장치(31)의 케이스(31a) 내에서는, 예컨대 척에 유지된 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 연삭액을 공급하면서, 이면(WB)을 연삭 지석에 접촉시킨 상태로, 척과 연삭 지석을 각각 회전시킴으로써 이면(WB)을 연삭한다.
손상층 제거 장치(32)는, 내부에 웨이퍼(W)를 수용 가능한 케이스(32a)를 가지고 있다. 케이스(32a)의 웨이퍼 반송 영역(50)측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입출구(32b)가 형성되고, 반입출구(32b)에는 개폐 셔터(32c)가 설치되어 있다.
손상층 제거 장치(32)의 케이스(32a) 내에서는, 예컨대 불화수소(HF)와 아질산(HNO2)을 혼합한 처리액을 이용하여 웨트 에칭이 행해진다. 그리고 손상층 제거 장치(32)에서는, 마무리 연삭 장치(31)로 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 형성된 손상층이 제거된다. 또한, 손상층 제거 장치(32)의 케이스(32a) 내의 구성은, 웨트 에칭을 행하는 구성이면 여러가지 구성을 취할 수 있다. 본 실시형태에서는, 일반적인 웨트 에칭의 구성을 채용하며, 그 상세한 설명을 생략한다.
웨이퍼 세정 장치(33)는, 내부에 웨이퍼(W)를 수용 가능한 케이스(33a)를 가지고 있다. 케이스(33a)의 웨이퍼 반송 영역(50)측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입출구(33b)가 형성되고, 반입출구(33b)에는 개폐 셔터(33c)가 설치되어 있다.
웨이퍼 세정 장치(33)의 케이스(33a) 내에서는, 예컨대 스핀 척에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 상기 웨이퍼(W)의 이면(WB) 상에 순수를 공급한다. 그렇게 하면, 공급된 순수는 웨이퍼(W)의 이면(WB) 상을 확산하여, 이면(WB)이 세정된다. 또한, 이 웨이퍼 세정 장치(33)의 케이스(33a) 내의 구성은, 여러가지 구성을 취할 수 있다. 본 실시형태에서는, 예컨대 포토리소그래피 공정의 도포 현상 처리 장치에서 이용되는 고청정도의 세정 장치, 예컨대 일본국 특허 공개 제2008-034437호 공보에 기재된 세정 장치가 이용된다.
이상의 웨이퍼 처리 시스템(1)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제어 장치(70)가 설치되어 있다. 제어 장치(70)는, 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 전술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 웨이퍼 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어 장치(70)에 인스톨된 것이어도 좋다.
다음에, 이상과 같이 구성된 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서 웨이퍼(W)의 박화 처리를 행할 때, 상기 웨이퍼 처리 시스템(1) 내에 생기는 기류에 대해서 도 5에 기초하여 설명한다. 또한, 도 5 중 화살표는 기류의 방향을 나타내고 있다.
웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 웨이퍼 세정 장치(33) 내의 압력이 가장 고압이 된다. 따라서, 웨이퍼 세정 장치(33) 내의 압력은 웨이퍼 반송 영역(50) 내의 압력에 대하여 양압이 되고, 웨이퍼 세정 장치(33)의 개폐 셔터(33c)를 개방하면, 웨이퍼 세정 장치(33)로부터 웨이퍼 반송 영역(50)을 향하는 기류가 생긴다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(50) 내의 압력은, 조연삭 장치(30) 내의 압력, 마무리 연삭 장치(31) 내의 압력 및 손상층 제거 장치(32) 내의 압력에 대하여 양압으로 되어 있다. 따라서, 각 개폐 셔터(30c, 31c, 32c)를 각각 개방하면, 웨이퍼 반송 영역(50)으로부터, 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31) 및 손상층 제거 장치(32)를 향하는 기류가 생긴다.
우선, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가, 반입출 스테이션(2)의 미리 정해진 카세트 배치판(11)에 배치된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)가 취출되어, 처리 스테이션(3)의 제3 처리 블록(G3)의 트랜지션 장치(40)에 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제1 반송 아암(61)에 의해 조연삭 장치(30)에 반송된다. 이때, 3개의 조연삭 장치(30) 중, 임의의 조연삭 장치(30)가 선택되어 반송된다. 조연삭 장치(30)에서는, 척에 유지된 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 연삭액을 공급하면서, 이면(WB)을 연삭 지석에 접촉시킨 상태로, 척과 연삭 지석을 각각 회전시킴으로써 이면(WB)을 연삭한다. 이 조연삭 장치(30)의 연삭량은, 박화 전의 웨이퍼(W)의 두께와 박화 후에 요구되는 웨이퍼(W)의 두께에 따라 설정된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제1 반송 아암(61)에 의해 마무리 연삭 장치(31)에 반송된다. 이때, 3개의 마무리 연삭 장치(31) 중, 임의의 마무리 연삭 장치(31)가 선택되어 반송된다. 마무리 연삭 장치(31)에서는, 척에 유지된 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 연삭액을 공급하면서, 이면(WB)을 연삭 지석에 접촉시킨 상태로, 척과 연삭 지석을 각각 회전시킴으로써 이면(WB)을 연삭한다. 이때, 웨이퍼(W)는, 제품으로서 요구되는 박화 후의 두께까지 연삭된다. 또한, 마무리 연삭 장치(31)로 마무리 연삭된 웨이퍼(W)의 이면(WB)에는, 예컨대 두께가 약 1 ㎛인 손상층이 형성된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제1 반송 아암(61)에 의해 손상층 제거 장치(32)에 반송된다. 손상층 제거 장치(32)에서는, 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 대하여 웨트 에칭이 행해지고, 전술한 바와 같이 마무리 연삭 장치(31)로 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 형성된 손상층이 제거된다. 이와 같이 손상층이 제거됨으로써, 박화한 웨이퍼(W)가 깨지기 어려워져, 즉 웨이퍼(W)의 항절력의 저하를 억제할 수 있다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제1 반송 아암(61)에 의해 웨이퍼 세정 장치(33)에 반송된다. 웨이퍼 세정 장치(33)에서는, 스핀 척에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 상기 웨이퍼(W)의 이면(WB) 상에 순수를 공급한다. 그렇게 하면, 공급된 순수는 웨이퍼(W)의 이면(WB) 상을 확산하여, 이면(WB)이 세정된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제2 반송 아암(62)에 의해 트랜지션 장치(41)에 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 반입출 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 미리 정해진 카세트 배치판(11)의 카세트(C)에 반송된다. 이렇게 하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료한다.
이상의 실시형태에 따르면, 하나의 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서, 조연삭 장치(30)에 있어서의 웨이퍼(W)의 이면(WB)의 조연삭 처리, 마무리 연삭 장치(31)에 있어서의 이면(WB)의 마무리 연삭 처리, 손상층 제거 장치(32)에 있어서의 손상층의 제거 처리 및 웨이퍼 세정 장치(33)에 있어서의 이면(WB)의 세정 처리를, 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 연속하여 행할 수 있다.
또한, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서, 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32) 및 웨이퍼 세정 장치(33)는, 각각 연직 방향 또는 수평 방향으로 복수 배치 가능하게 구성되어 있기 때문에, 이들 장치(30∼33)의 수를 임의로 설정할 수 있다. 따라서, 예컨대 요구되는 제품의 사양 등에 따라, 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32) 및 웨이퍼 세정 장치(33)의 수를 변경할 수 있다. 또한, 어느 하나의 장치(30∼33)의 장치 구성만을 변경하는 것도 가능해진다.
더구나, 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32) 및 웨이퍼 세정 장치(33)는, 각각 독립적으로 미리 정해진 처리를 행할 수 있기 때문에, 예컨대 하나의 장치 내에서 웨이퍼(W)에 대하여 미리 정해진 처리를 행하고 있는 동안이라도, 다른 장치를 웨이퍼 처리 시스템(1)의 외부로 제거할 수 있고, 또한 별도의 장치를 웨이퍼 처리 시스템(1)의 내부에 설치할 수 있다. 이 때문에, 예컨대 하나의 장치에 이상이 생기거나, 혹은 그 장치의 메인터넌스를 행하는 경우라도, 다른 장치를 정지시킬 필요가 없어, 웨이퍼 처리 시스템(1) 전체를 정지시킬 필요가 없다.
이상과 같이 본 실시형태의 웨이퍼 처리 시스템(1)에 따르면, 장치 구성의 자유도를 향상시킬 수 있어, 웨이퍼 처리를 효율적으로 행할 수 있다.
또한 웨이퍼 반송 장치(60)에 있어서, 제1 반송 아암(61)은 웨이퍼 세정 장치(33)로 세정되기 전의 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암이며, 제2 반송 아암(62)은 웨이퍼 세정 장치(33)로 세정된 후의 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암이다. 이와 같이 세정 전의 더러워진 웨이퍼(W)와 세정 후의 청정한 웨이퍼(W)는 각각의 반송 아암(61, 62)으로 반송되기 때문에, 하나의 웨이퍼(W)에 부착된 파티클, 예컨대 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32)에서 생긴 연삭 찌꺼기 등이, 다른 웨이퍼(W)에 부착하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 처리를 보다 적절하게 행할 수 있다.
또한, 웨이퍼 세정 장치(33) 내의 압력이 웨이퍼 반송 영역(50) 내의 압력에 대하여 양압으로 되어 있기 때문에, 웨이퍼 세정 장치(33)로부터 웨이퍼 반송 영역(50)을 향하는 기류가 생긴다. 바꾸어 말하면, 웨이퍼 반송 영역(50) 내의 분위기가 웨이퍼 세정 장치(33) 내에 유입하는 일이 없어, 파티클 등이 웨이퍼 세정 장치(33) 내에 유입하는 일이 없다. 따라서, 웨이퍼 세정 장치(33) 내의 분위기를 청정하게 유지할 수 있어, 상기 웨이퍼 세정 장치(33)에 있어서의 웨이퍼(W)의 이면(WB)의 세정을 적절하게 행할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(50) 내의 압력은, 조연삭 장치(30) 내의 압력 및 마무리 연삭 장치(31) 내의 압력에 대하여 양압으로 되어 있기 때문에, 웨이퍼 반송 영역(50)으로부터 조연삭 장치(30) 및 마무리 연삭 장치(31)를 향하는 기류가 생긴다. 바꾸어 말하면, 조연삭 장치(30) 및 마무리 연삭 장치(31) 내의 분위기가 웨이퍼 반송 영역(50) 내에 유입하는 일이 없어, 연삭 찌꺼기 등의 파티클이 웨이퍼 반송 영역(50) 내에 유입하는 일이 없다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(50) 내의 압력은, 손상층 제거 장치(32) 내의 압력에 대하여 양압으로 되어 있기 때문에, 웨이퍼 반송 영역(50)으로부터 손상층 제거 장치(32)를 향하는 기류가 생긴다. 바꾸어 말하면, 손상층 제거 장치(32) 내의 분위기가 웨이퍼 반송 영역(50) 내에 유입하는 일이 없어, 손상층 제거 장치(32)에서 이용되는 처리액이 웨이퍼 반송 영역(50) 내에 비산하는 일이 없다.
이상과 같이 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서 기류가 적절하게 제어되고 있기 때문에, 웨이퍼 처리를 보다 적절하게 행할 수 있다.
또한, 웨이퍼 세정 장치(33)에는, 예컨대 포토리소그래피 공정의 도포 현상 처리 장치에서 이용되는 것 같은 고청정도의 세정 장치가 이용되기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면(WB)을 높은 청정도로 세정할 수 있다. 여기서, 웨이퍼 처리 시스템(1)으로 박화된 웨이퍼(W)는, 그 후, 관통 전극의 형성 등의 후처리가 행해진다. 이 후처리에 있어서는, 관통 전극의 관통 구멍을 형성하기 위해, 웨이퍼(W)에 포토리소그래피 처리가 행해지지만, 관통 구멍의 형성에는 높은 정밀도가 필요로 되기 때문에, 미리 정해진 처리를 행하기 전에 웨이퍼(W)는 높은 청정도로 세정된다. 이 점, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 웨이퍼 세정 장치(33)로는, 높은 청정도로 웨이퍼(W)를 세정할 수 있기 때문에, 후속하는 처리 부담을 경감할 수 있어, 제품의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
이상의 실시형태의 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 손상층 제거 장치(32)에 있어서 웨트 에칭이 행해지고 있었지만, 손상층을 제거하는 처리이면, 이것에 한정되지 않는다.
손상층 제거 장치(32)에 있어서, 예컨대 웨이퍼(W)의 이면(WB)을 연마하여도 좋다. 이러한 연마로서는, 실리카(SiO2) 등의 지립을 포함한 처리액(슬러리)을 이용하는 화학적 기계적 연마(CMP :Chemical Mechanical Polishing)를 행하여도 좋고, 혹은 처리액을 이용하지 않는 건식의 드라이 폴리시를 행하여도 좋다. 어느 방법으로 연마하여도, 웨이퍼(W)의 이면(WB)의 손상층을 제거할 수 있다. 또한, 손상층 제거 장치(32)의 케이스(32a)의 내부의 구성에는, 이들 화학적 기계적 연마나 드라이 폴리시를 행하는 일반적인 구성을 채용 가능하며, 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 손상층 제거 장치(32)에 있어서, 예컨대 드라이 에칭을 행하여도 좋다. 또한, 손상층 제거 장치(32)의 케이스(32a)의 내부의 구성에는, 드라이 에칭을 행하는 일반적인 구성을 채용 가능하며, 그 상세한 설명을 생략한다.
이러한 경우, 손상층 제거 장치(32)의 케이스(32a) 내에서는, 진공 분위기 하에서 미리 정해진 에칭 처리가 행해진다. 이 때문에, 도 6에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 반송 영역(50)과 손상층 제거 장치(32) 사이에는, 내부 분위기를 대기 분위기와 진공 분위기로 전환 가능한 로드 록 장치(100)가 설치된다. 로드 록 장치(100)는, 게이트 밸브(101)를 통해 웨이퍼 반송 영역(50)에 접속되며, 게이트 밸브(102)를 통해 손상층 제거 장치(32)에 접속된다. 이러한 손상층 제거 장치(32)에 있어서도, 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 대하여 드라이 에칭을 행하여, 상기 이면(WB)의 손상층을 제거할 수 있다.
이상의 실시형태의 웨이퍼 처리 시스템(1)은, 도 7에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)에 설치된 플러그를 노출시키는 플러그 노출 장치(200)와, 웨이퍼(W)의 표리면을 반전시키는 반전 장치(201)와, 지지 기판(S)의 이면(SB)을 세정하는 지지 기판 세정 장치(202)를 더 가지고 있어도 좋다. 이러한 경우, 제1 처리 블록(G1)에는, 예컨대 3개의 조연삭 장치(30)와 3개의 마무리 연삭 장치(31)가, 반입출 스테이션(2)측으로부터 이 순서로 Y 방향으로 배열하여 배치된다. 제2 처리 블록(G2)에는, 예컨대 1개의 지지 기판 세정 장치(202), 1개의 반전 장치(201), 1개의 웨이퍼 세정 장치(33), 1개의 플러그 노출 장치(200), 1개의 손상층 제거 장치(32)가, 반입출 스테이션(2)측으로부터 이 순서로 Y 방향으로 배열하여 배치된다.
또한, 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32), 웨이퍼 세정 장치(33), 플러그 노출 장치(200), 반전 장치(201), 지지 기판 세정 장치(202)의 수는, 임의로 설정할 수 있다. 또한, 이들 장치의 배치도 임의로 설정할 수 있고, 본 실시형태에서는 수평 방향으로 배열하여 배치하였지만, 연직 방향으로 적층하여 배치하여도 좋다.
플러그 노출 장치(200)는, 내부에 웨이퍼(W)를 수용 가능한 케이스(200a)를 가지고 있다. 케이스(200a)의 웨이퍼 반송 영역(50)측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입출구(200b)가 형성되고, 반입출구(200b)에는 개폐 셔터(200c)가 설치되어 있다.
여기서, 도 8에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)에는 표면(WA)으로부터 두께 방향으로 플러그(P)가 설치되어 있는 경우가 있다. 플러그(P)는, 조연삭 장치(30)와 마무리 연삭 장치(31)로 웨이퍼(W)의 이면(WB)이 연삭된 시점에서는, 엄밀하게는 이면(WB)에 있어서 노출하지 않는다. 조연삭 장치(30)와 마무리 연삭 장치(31)에 있어서 연삭 지석으로 이면(WB)을 연삭하여 플러그(P)를 노출시키고자 하면, 상기 연삭 지석에 의해 플러그(P)가 손상을 입을 우려가 있기 때문이다. 이 때문에, 플러그 노출 장치(200)에 있어서의 처리에 의해 웨이퍼(W)의 이면(WB)이 얇게 깎여(도 8의 점선), 플러그(P)가 상기 이면(WB)으로부터 노출한다.
구체적으로는 플러그 노출 장치(200)의 케이스(200a) 내에서는, 예컨대 알칼리성의 처리액을 이용하여 웨트 에칭이 행해진다. 그리고 플러그 노출 장치(200)에서는, 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면(WB)을 얇게 깎아, 플러그(P)를 상기 이면(WB)으로부터 노출시킨다. 또한, 플러그 노출 장치(200)의 케이스(200a) 내의 구성은, 웨트 에칭을 행하는 구성이면 여러가지 구성을 취할 수 있다. 본 실시형태에서는, 일반적인 웨트 에칭의 구성을 채용하며, 그 상세한 설명을 생략한다.
반전 장치(201)는, 내부에 웨이퍼(W)를 수용 가능한 케이스(201a)를 가지고 있다. 케이스(201a)의 웨이퍼 반송 영역(50)측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입출구(201b)가 형성되고, 반입출구(201b)에는 개폐 셔터(201c)가 설치되어 있다.
반전 장치(201)의 케이스(201a) 내에서는, 예컨대 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하여 수평축 둘레로 180도 회전시켜, 웨이퍼(W)의 표리면을 반전시킨다. 즉, 반전 장치(201)에서는, 지지 기판(S)의 이면(SB)이 상방을 향하며, 웨이퍼(W)의 이면(WB)이 하방을 향하도록 웨이퍼(W)의 표리면이 반전된다.
지지 기판 세정 장치(202)는, 내부에 웨이퍼(W)[지지 기판(S)]를 수용 가능한 케이스(202a)를 가지고 있다. 케이스(202a)의 웨이퍼 반송 영역(50)측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입출구(202b)가 형성되고, 반입출구(202b)에는 개폐 셔터(202c)가 설치되어 있다. 예컨대 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32)에서 생긴 연삭 찌꺼기는, 웨이퍼(W)를 돌아들어가 지지 기판(S)의 이면(SB)에 부착하는 경우가 있으며, 지지 기판 세정 장치(202)에서는, 이러한 지지 기판(S)의 이면(SB)이 세정된다.
지지 기판 세정 장치(202)의 케이스(202a) 내에서는, 예컨대 웨이퍼(W)[지지 기판(S)]를 회전시키면서, 지지 기판(S)의 이면(SB) 상에 순수를 공급하며, 예컨대 브러시를 구비한 스크럽 세정구를 상기 이면(SB)에 접촉시킨다. 그렇게 하면, 순수와 스크럽 세정구에 의해, 지지 기판(S)의 이면(SB)이 세정된다. 또한, 이 지지 기판 세정 장치(202)의 케이스(202a) 내의 구성은, 여러가지 구성을 취할 수 있다. 본 실시형태에서는, 일반적인 스크럽 세정 장치의 구성을 채용하며, 그 상세한 설명을 생략한다.
다음에, 도 7에 나타낸 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 박화 처리에 대해서 설명한다. 상기 실시형태에서 설명한 대로, 웨이퍼(W)는 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32)에 반송되고, 각 장치에 있어서 미리 정해진 처리가 행해진다.
손상층 제거 장치(32)에서 손상층이 제거된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제1 반송 아암(61)에 의해 플러그 노출 장치(200)에 반송된다. 플러그 노출 장치(200)에서는, 웨이퍼(W)의 이면(WB)에 대하여 웨트 에칭이 행해지고, 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면(WB)이 얇게 깎여, 플러그(P)가 상기 이면(WB)으로부터 노출한다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제1 반송 아암(61)에 의해 웨이퍼 세정 장치(33)에 반송되고, 순수에 의해 웨이퍼(W)의 이면(WB)이 세정된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제1 반송 아암(61)에 의해 반전 장치(201)에 반송된다. 반전 장치(201)에서는, 웨이퍼(W)의 표리면이 반전되어, 지지 기판(S)의 이면(SB)이 상방을 향한다.
여기서, 상기 실시형태에서는, 웨이퍼 세정 장치(33)로 이면(WB)이 세정된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제2 반송 아암(62)에 의해 반송되고 있지만, 본 실시형태에서는, 제1 반송 아암(61)에 의해 반송된다. 본 실시형태에서는, 후속의 지지 기판 세정 장치(202)에 있어서 지지 기판(S)의 이면(SB)이 세정되며, 웨이퍼 세정 장치(33)로 세정 직후의 웨이퍼(W)는 아직 더럽혀져 있다. 이 때문에, 웨이퍼 세정 장치(33)로부터 반전 장치(201)에 웨이퍼(W)를 반송할 때에는, 제1 반송 아암(61)이 이용된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제1 반송 아암(61)에 의해 지지 기판 세정 장치(202)에 반송된다. 지지 기판 세정 장치(202)에서는, 순수와 스크럽 세정구에 의해 지지 기판(S)의 이면(SB)이 세정된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)의 제2 반송 아암(62)에 의해 트랜지션 장치(41)에 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 반입출 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 미리 정해진 카세트 배치판(11)의 카세트(C)에 반송된다. 이렇게 하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료한다.
본 실시형태에 있어서도, 상기 실시형태와 동일한 효과를 향수할 수 있다. 즉, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 따르면, 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31), 손상층 제거 장치(32), 플러그 노출 장치(200), 웨이퍼 세정 장치(33), 반전 장치(201) 및 지지 기판 세정 장치(202)가 독립적으로 설치되기 때문에, 이들 장치에서의 미리 정해진 처리를 연속하여 행할 수 있어, 장치 구성의 자유도를 향상시킬 수 있어, 웨이퍼 처리를 효율적으로 행할 수 있다.
또한 웨이퍼 반송 장치(60)에 있어서, 제1 반송 아암(61)은 지지 기판 세정 장치(202)로 세정되기 전의 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암이며, 제2 반송 아암(62)은 지지 기판 세정 장치(202)로 세정된 후의 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암이다. 이와 같이 세정 전의 더러워진 웨이퍼(W)와 세정 후의 청정한 웨이퍼(W)는 각각의 반송 아암(61, 62)으로 반송되기 때문에, 하나의 웨이퍼(W)에 부착한 파티클이 다른 웨이퍼(W)에 부착하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 처리를 보다 적절하게 행할 수 있다.
다음에, 도 7에 나타낸 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서 웨이퍼(W)의 박화 처리를 행할 때, 상기 웨이퍼 처리 시스템(1) 내에 생기는 기류에 대해서 도 9에 기초하여 설명한다. 또한, 도 9 중 화살표는 기류의 방향을 나타내고 있다.
반전 장치(201) 내의 압력과 지지 기판 세정 장치(202) 내의 압력은, 각각 웨이퍼 반송 영역(50) 내의 압력에 대하여 양압이 된다. 따라서, 각 개폐 셔터(201c 및 202c)를 각각 개방하면, 반전 장치(201) 및 지지 기판 세정 장치(202)로부터 웨이퍼 반송 영역(50)을 향하는 기류가 생긴다. 이 압력 관계는, 도 5에 나타낸 웨이퍼 세정 장치(33)와 웨이퍼 반송 영역(50)의 압력 관계와 동일하다. 이러한 경우, 웨이퍼 반송 영역(50) 내의 분위기가 반전 장치(201) 내와 지지 기판 세정 장치(202) 내에 유입하는 일이 없어, 파티클 등이 반전 장치(201) 내와 지지 기판 세정 장치(202) 내에 유입하는 일이 없다. 따라서, 반전 장치(201) 내와 지지 기판 세정 장치(202) 내의 분위기를 청정하게 유지할 수 있어, 상기 반전 장치(201)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반전 처리 및 지지 기판 세정 장치(202)에 있어서의 지지 기판(S)의 이면(SB)의 세정을 적절하게 행할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(50) 내의 압력은, 플러그 노출 장치(200) 내의 압력에 대하여 양압으로 되어 있다. 따라서, 개폐 셔터(200c)를 개방하면, 웨이퍼 반송 영역(50)으로부터 플러그 노출 장치(200)를 향하는 기류가 생긴다. 이 압력 관계는, 도 5에 나타낸 조연삭 장치(30), 마무리 연삭 장치(31) 및 손상층 제거 장치(32)와, 웨이퍼 반송 영역(50)의 압력 관계와 동일하다. 이러한 경우, 플러그 노출 장치(200) 내의 분위기가 웨이퍼 반송 영역(50) 내에 유입하는 일이 없어, 플러그 노출 장치(200)에서 이용되는 처리액이 웨이퍼 반송 영역(50) 내에 비산하는 일이 없다.
또한, 이상의 실시형태의 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 예컨대 손상층 제거 장치(32)에 있어서의 손상층의 제거 처리(예컨대 웨트 에칭)나, 플러그 노출 장치(200)에 있어서의 플러그의 노출 처리(예컨대 웨트 에칭)를 행함으로써, 웨이퍼(W)의 이면(WB)이 적절하게 세정되는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 웨이퍼 세정 장치(33)를 생략하여, 상기 웨이퍼 세정 장치(33)에 있어서의 웨이퍼(W)의 이면(WB)의 세정 처리를 생략하여도 좋다.
또한, 이상의 실시형태의 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 예컨대 손상층 제거 장치(32)에 의해 플러그(P)가 노출하는 경우가 있다. 또한, 제품의 사양에 따라서는 애당초 플러그(P)를 노출시킬 필요가 없는 경우도 있다. 이러한 경우에는, 플러그 노출 장치(200)를 생략하여, 상기 플러그 노출 장치(200)에 있어서의 플러그(P)의 노출 처리를 생략하여도 좋다.
이상의 실시형태의 웨이퍼 처리 시스템(1)은, 도 10에 나타내는 바와 같이 박화 후의 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 장치(300)를 가지고 있어도 좋다. 검사 장치(300)는, 예컨대 제3 처리 블록(G3)의 최상층에 배치된다.
검사 장치(300)에서는, 예컨대 레이저 변위계를 이용하여, 웨이퍼(W)의 두께와 웨이퍼(W)의 이면(WB)의 면 조도를 측정한다. 또한, 웨이퍼(W)의 두께와 이면(WB)의 면 조도의 측정은, 레이저 광을 이용한 측정 방법에 한정되지 않고, 여러가지 방법을 취할 수 있다. 또한, 검사 장치(300)에서는, 웨이퍼(W)의 외관을 검사하여도 좋다.
검사 장치(300)는, 여러가지 타이밍에 웨이퍼(W)를 검사할 수 있다. 예컨대 검사 장치(300)는, 마무리 연삭 장치(31)로 이면(WB)이 연삭된 웨이퍼(W), 손상층 제거 장치(32)로 손상층이 제거된 웨이퍼(W), 플러그 노출 장치(200)로 플러그(P)가 노출한 웨이퍼(W), 웨이퍼 세정 장치(33)로 이면(WB)이 세정된 웨이퍼(W), 지지 기판 세정 장치(202)로 지지 기판(S)의 이면(SB)이 세정된 웨이퍼(W) 등을 검사할 수 있다.
예컨대 마무리 연삭 장치(31)에서의 처리 후의 웨이퍼(W)를 검사하는 경우, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 검사 장치(300)에 반송된다. 그리고, 검사 장치(300)에 있어서 웨이퍼(W)의 검사를 한 결과, 예컨대 웨이퍼(W)의 두께가 원하는 두께로 되어 있지 않은 경우에는, 제어 장치(70)에 의해 조연삭 장치(30)와 마무리 연삭 장치(31)에 있어서의 처리 조건이 보정된다. 구체적으로는, 예컨대 조연삭 장치(30)와 마무리 연삭 장치(31)의 연삭 지석을 교환하거나, 혹은 연삭 지석과 척의 평행도를 조절한다.
또한, 예컨대 손상층 제거 장치(32)에서의 처리 후의 웨이퍼(W), 또는 플러그 노출 장치(200)에서의 처리 후의 웨이퍼(W)를 검사하는 경우, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 검사 장치(300)에 반송된다. 그리고, 검사 장치(300)에 있어서 웨이퍼(W)의 검사를 행한 결과, 예컨대 웨이퍼(W)의 이면(WB)의 면 조도가 원하는 면 조도로 되어 있지 않은 경우에는, 제어 장치(70)에 의해 손상층 제거 장치(32) 또는 플러그 노출 장치(200)에 있어서의 처리 조건이 보정된다. 구체적으로는, 예컨대 손상층 제거 장치(32) 또는 플러그 노출 장치(200)에서 이용되는 처리액을 교환하거나, 혹은 처리 시간을 조절한다.
또한, 예컨대 웨이퍼 세정 장치(33)로 세정 후의 웨이퍼(W), 또는 지지 기판 세정 장치(202)로 세정 후의 웨이퍼(W)를 검사하는 경우, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 검사 장치(300)에 반송된다. 그리고, 검사 장치(300)에 있어서 웨이퍼(W)의 검사를 행한 결과, 예컨대 웨이퍼(W)의 두께가 원하는 두께로 되어 있지 않은 경우에는, 제어 장치(70)에 의해 조연삭 장치(30)와 마무리 연삭 장치(31)에 있어서의 처리 조건이 보정된다. 또한, 예컨대 웨이퍼(W)의 이면(WB)의 면 조도가 원하는 면 조도로 되어 있지 않은 경우에는, 제어 장치(70)에 의해 손상층 제거 장치(32)에 있어서의 처리 조건이 보정된다.
본 실시형태에 따르면, 검사 장치(300)의 검사 결과에 기초하여, 조연삭 장치(30)에 있어서의 처리 조건, 마무리 연삭 장치(31)에 있어서의 처리 조건, 손상층 제거 장치(32) 또는 플러그 노출 장치(200)에 있어서의 처리 조건을 각각 피드백 제어할 수 있기 때문에, 이후, 웨이퍼 처리 시스템(1)에서 행해지는 웨이퍼 처리를 보다 적절하게 행할 수 있다.
또한, 이상의 실시형태에서는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서 예컨대 100 ㎛ 이하의 두께까지 웨이퍼(W)를 박화하는 경우에 대해서 설명하였지만, 상기 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는 웨이퍼(W)를 임의의 두께로 박화할 수 있다. 예컨대 박화 후에 요구되는 두께가 비교적 큰 경우, 예컨대 100 ㎛∼200 ㎛인 경우에는, 지지 기판(S) 대신에 웨이퍼(W)에 보호 테이프가 접착된다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다.
1 웨이퍼 처리 시스템
2 반입출 스테이션
3 처리 스테이션
22 웨이퍼 반송 장치
30 조연삭 장치
30a 케이스
31 마무리 연삭 장치
31a 케이스
32 손상층 제거 장치
32a 케이스
33 웨이퍼 세정 장치
33a 케이스
50 웨이퍼 반송 영역
51 팬 필터 유닛
52 배기구
60 웨이퍼 반송 장치
61 제1 반송 아암
62 제2 반송 아암
70 제어 장치
200 플러그 노출 장치
200a 케이스
201 반전 장치
201a 케이스
202 지지 기판 세정 장치
202a 케이스
300 검사 장치
G1 제1 처리 블록
G2 제2 처리 블록
G3 제3 처리 블록
P 플러그
S 지지 기판
SA 표면
SB 표면
W 웨이퍼
WA 표면
WB 표면

Claims (27)

  1. 표면에 디바이스가 형성되며, 또한 상기 표면에 대하여 지지 기판의 표면이 접합된 기판을 박화하는 기판 처리 시스템으로서,
    기판에 미리 정해진 처리를 행하는 처리 스테이션과,
    기판을 복수 보유 가능하며, 또한 상기 처리 스테이션에 대하여 기판을 반입출하는 반입출 스테이션을 가지고,
    상기 처리 스테이션은,
    기판의 이면을 연삭하는 연삭 장치와,
    상기 연삭 장치로 연삭함으로써 기판의 이면에 형성된 손상층을 제거하는 손상층 제거 장치와,
    상기 손상층 제거 장치로 상기 손상층을 제거한 후, 지지 기판의 이면을 세정하는 세정 장치와,
    상기 연삭 장치, 상기 손상층 제거 장치 및 상기 세정 장치에 대하여, 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역을 가지며,
    상기 연삭 장치, 상기 손상층 제거 장치 및 상기 세정 장치는, 각각 연직 방향 또는 수평 방향으로 복수 배치 가능하고,
    또한 상기 연삭 장치, 상기 손상층 제거 장치 및 상기 세정 장치는, 각각 내부에 기판을 수용하는 케이스를 구비하며, 각각 독립적으로 상기 케이스 내에서 기판에 미리 정해진 처리를 행하고,
    상기 연삭 장치 내부의 케이스 내의 압력 및 상기 손상층 제거 장치 내부의 케이스 내의 압력은, 각각 상기 기판 반송 영역 내의 압력에 대하여 음압이고,
    상기 세정 장치 내부의 케이스 내의 압력은 상기 기판 반송 영역 내의 압력에 대하여 양압인 것인 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 반송 영역에는, 기판을 유지하여 반송하는 기판 반송 장치가 설치되고,
    상기 기판 반송 장치는, 상기 세정 장치로 지지 기판의 이면이 세정되기 전의 기판을 반송하는 제1 반송 아암과, 상기 세정 장치로 지지 기판의 이면이 세정된 후의 기판을 반송하는 제2 반송 아암을 갖는 것인 기판 처리 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 손상층 제거 장치는, 웨트 에칭, 드라이 에칭 또는 연마를 행함으로써 상기 손상층을 제거하는 것인 기판 처리 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 세정 장치는, 지지 기판의 이면에 순수를 공급하여 세정하는 것인 기판 처리 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 손상층 제거 장치로 상기 손상층을 제거한 후로서, 상기 세정 장치로 지지 기판의 이면을 세정하기 전에, 기판의 이면을 세정하는 다른 세정 장치를 더 갖는 기판 처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 다른 세정 장치 내부에 마련된 케이스 내의 압력은 상기 기판 반송 영역 내의 압력에 대하여 양압인 것인 기판 처리 시스템.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 다른 세정 장치는, 기판의 이면에 순수를 공급하여 세정하는 것인 기판 처리 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 손상층 제거 장치로 상기 손상층을 제거한 후로서, 상기 세정 장치로 지지 기판의 이면을 세정하기 전에, 기판의 표리면을 반전시키는 반전 장치를 더 갖는 기판 처리 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    기판에는 표면으로부터 두께 방향으로 신장하는 플러그가 설치되고,
    상기 손상층 제거 장치로 상기 손상층을 제거한 후로서, 상기 세정 장치로 지지 기판의 이면을 세정하기 전에, 상기 플러그를 노출시키는 플러그 노출 장치를 더 갖는 기판 처리 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 플러그 노출 장치는, 웨트 에칭을 행함으로써 상기 플러그를 노출시키는 것인 기판 처리 시스템.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 연삭 장치로 연삭된 기판, 상기 손상층 제거 장치로 상기 손상층이 제거된 기판, 또는 상기 세정 장치로 지지 기판의 이면이 세정된 기판을 검사하는 검사 장치를 더 갖는 기판 처리 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 검사 장치에 있어서의 검사 결과에 기초하여, 상기 연삭 장치 또는 상기 손상층 제거 장치에 있어서의 처리 조건을 보정하는 제어 장치를 더 갖는 기판 처리 시스템.
  13. 표면에 디바이스가 형성되며, 또한 상기 표면에 대하여 지지 기판의 표면이 접합된 기판을 박화하는 기판 처리 방법으로서,
    기판 반송 영역을 통해 연삭 장치에 기판을 반송하여, 상기 연삭 장치의 케이스 내에 있어서 기판의 이면을 연삭하는 연삭 공정과,
    그 후, 상기 기판 반송 영역을 통해 손상층 제거 장치에 기판을 반송하여, 상기 손상층 제거 장치의 케이스 내에 있어서, 상기 연삭 공정에서 기판의 이면에 형성된 손상층을 제거하는 손상층 제거 공정과,
    그 후, 상기 기판 반송 영역을 통해 세정 장치에 기판을 반송하여, 상기 세정 장치의 케이스 내에 있어서 지지 기판의 이면을 세정하는 세정 공정을 가지고,
    상기 연삭 공정, 상기 손상층 제거 공정 및 상기 세정 공정을 복수의 기판에 대하여 연속하여 행하며,
    또한 상기 연삭 장치, 상기 손상층 제거 장치 및 상기 세정 장치는, 각각 연직 방향 또는 수평 방향으로 복수 배치 가능하게 구성되고, 상기 연삭 공정, 상기 손상층 제거 공정 및 상기 세정 공정은, 각각 임의의 상기 연삭 장치, 상기 손상층 제거 장치 및 상기 세정 장치를 선택하여 행해지고,
    상기 연삭 장치 내부의 케이스 내의 압력 및 상기 손상층 제거 장치 내부의 케이스 내의 압력은, 각각 상기 기판 반송 영역 내의 압력에 대하여 음압이고,
    상기 세정 장치 내부의 케이스 내의 압력은 상기 기판 반송 영역 내의 압력에 대하여 양압인 것인 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판 반송 영역에는, 기판을 유지하여 반송하는 2개의 반송 아암을 구비한 기판 반송 장치가 설치되고,
    상기 세정 공정이 종료하기까지의 기판의 반송은, 상기 기판 반송 장치의 제1 반송 아암에 의해 행해지며,
    상기 세정 공정이 종료한 후의 기판의 반송은, 상기 기판 반송 장치의 제2 반송 아암에 의해 행해지는 것인 기판 처리 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 손상층 제거 공정에 있어서, 웨트 에칭, 드라이 에칭 또는 연마를 행함으로써 상기 손상층을 제거하는 것인 기판 처리 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 세정 공정에 있어서, 지지 기판의 이면에 순수를 공급하여 세정하는 것인 기판 처리 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 손상층 제거 공정 후로서 상기 세정 공정 전에, 상기 기판 반송 영역을 통해 다른 세정 장치에 기판을 반송하여, 상기 다른 세정 장치의 케이스 내에 있어서 기판의 이면을 세정하는 다른 세정 공정을 더 갖는 기판 처리 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 다른 세정 장치 내부의 케이스 내의 압력은 상기 기판 반송 영역 내의 압력에 대하여 양압인 것인 기판 처리 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 다른 세정 공정에 있어서, 기판의 이면에 순수를 공급하여 세정하는 것인 기판 처리 방법.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 손상층 제거 공정 후로서 상기 세정 공정 전에, 상기 기판 반송 영역을 통해 반전 장치에 기판을 반송하여, 상기 반전 장치의 케이스 내에 있어서 기판의 표리면을 반전시키는 반전 공정을 더 갖는 기판 처리 방법.
  21. 제13항에 있어서,
    기판에는 표면으로부터 두께 방향으로 신장하는 플러그가 설치되고,
    상기 손상층 제거 공정 후로서 상기 세정 공정 전에, 상기 기판 반송 영역을 통해 플러그 노출 장치에 기판을 반송하여, 상기 플러그 노출 장치의 케이스 내에 있어서 상기 플러그를 노출시키는 플러그 노출 공정을 더 갖는 기판 처리 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 플러그 노출 공정에 있어서, 웨트 에칭을 행함으로써 상기 플러그를 노출시키는 것인 기판 처리 방법.
  23. 제13항에 있어서,
    상기 연삭 공정 후, 상기 손상층 제거 공정 후, 또는 상기 세정 공정 후, 상기 기판 반송 영역을 통해 검사 장치에 기판을 반송하여, 상기 검사 장치에 있어서 기판을 검사하는 검사 공정을 더 갖는 기판 처리 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 검사 공정에 있어서의 검사 결과에 기초하여, 상기 연삭 공정 또는 상기 손상층 제거 공정에 있어서의 처리 조건을 보정하는 것인 기판 처리 방법.
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
KR1020157035296A 2013-06-13 2014-05-30 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 KR101629627B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013124406 2013-06-13
JPJP-P-2013-124406 2013-06-13
JP2014109233A JP6093328B2 (ja) 2013-06-13 2014-05-27 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JPJP-P-2014-109233 2014-05-27
PCT/JP2014/064406 WO2014199845A1 (ja) 2013-06-13 2014-05-30 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160003873A KR20160003873A (ko) 2016-01-11
KR101629627B1 true KR101629627B1 (ko) 2016-06-13

Family

ID=52022143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157035296A KR101629627B1 (ko) 2013-06-13 2014-05-30 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6093328B2 (ko)
KR (1) KR101629627B1 (ko)
CN (1) CN105308725B (ko)
TW (2) TWI613717B (ko)
WO (1) WO2014199845A1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6242603B2 (ja) * 2013-06-25 2017-12-06 株式会社ディスコ ウエーハ加工装置
JP2017108113A (ja) * 2015-11-27 2017-06-15 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法ならびに基板処理装置の制御プログラム
JP2017212345A (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体製造装置、及び半導体製造方法
JP6727044B2 (ja) * 2016-06-30 2020-07-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP6902872B2 (ja) * 2017-01-10 2021-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理方法
WO2019013037A1 (ja) * 2017-07-12 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 研削装置、研削方法及びコンピュータ記憶媒体
JP7002874B2 (ja) * 2017-07-21 2022-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
KR102607483B1 (ko) * 2017-12-19 2023-11-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR20200130816A (ko) * 2018-03-14 2020-11-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
US11450578B2 (en) * 2018-04-27 2022-09-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method
CN117912995A (zh) * 2018-04-27 2024-04-19 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板处理方法
CN112602173B (zh) * 2018-08-23 2024-06-28 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板处理方法
JP2020031158A (ja) * 2018-08-23 2020-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP7037459B2 (ja) 2018-09-10 2022-03-16 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7387316B2 (ja) * 2019-07-19 2023-11-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板搬送方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001250805A (ja) 2000-03-06 2001-09-14 Mitsubishi Materials Silicon Corp 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
JP2001358097A (ja) 2000-06-12 2001-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェハの加工装置
JP2008012622A (ja) 2006-07-05 2008-01-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61276224A (ja) * 1985-05-30 1986-12-06 Wakomu:Kk 物品洗浄装置
US6315858B1 (en) * 1998-03-18 2001-11-13 Ebara Corporation Gas polishing apparatus and method
JP3579244B2 (ja) * 1998-03-18 2004-10-20 株式会社荏原製作所 ガスポリッシング用のノズル機構及び該機構を用いたガスポリッシング室及びポリッシング装置
JP2993497B1 (ja) * 1998-09-02 1999-12-20 日本電気株式会社 研磨装置および研磨方法
TW492100B (en) * 2000-03-13 2002-06-21 Disco Corp Semiconductor wafer processing apparatus
JP4416108B2 (ja) * 2003-11-17 2010-02-17 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの製造方法
JP5511190B2 (ja) * 2008-01-23 2014-06-04 株式会社荏原製作所 基板処理装置の運転方法
JP5357477B2 (ja) * 2008-09-17 2013-12-04 株式会社ディスコ 研削方法および研削装置
JP2010177541A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Pre-Tech At:Kk Ｓｉウェーハの加工ダメージ除去方法
JP2011165994A (ja) 2010-02-12 2011-08-25 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体基板の平坦化加工装置
JP5323867B2 (ja) * 2011-01-19 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001250805A (ja) 2000-03-06 2001-09-14 Mitsubishi Materials Silicon Corp 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
JP2001358097A (ja) 2000-06-12 2001-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェハの加工装置
JP2008012622A (ja) 2006-07-05 2008-01-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105308725A (zh) 2016-02-03
JP6093328B2 (ja) 2017-03-08
TW201515080A (zh) 2015-04-16
JP2015019053A (ja) 2015-01-29
KR20160003873A (ko) 2016-01-11
TWI613717B (zh) 2018-02-01
CN105308725B (zh) 2016-09-14
WO2014199845A1 (ja) 2014-12-18
TW201828348A (zh) 2018-08-01
TWI664670B (zh) 2019-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101629627B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
US6887124B2 (en) Method of polishing and cleaning substrates
JP6425639B2 (ja) 基板処理システム
TW201442092A (zh) 研磨裝置及研磨方法
US20080093022A1 (en) Method for sequencing substrates
JP7329391B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP5731158B2 (ja) 加工装置
WO2020039803A1 (ja) 基板処理システム
KR20150117601A (ko) 기판 처리 장치
TW201601875A (zh) 基板處理裝置
JP2008294233A (ja) 洗浄装置
JP6995143B2 (ja) 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
CN213635912U (zh) 基板磨削系统
JP7080330B2 (ja) 基板処理システムおよび基板処理方法
JP6466217B2 (ja) 剥離装置及び剥離システム
WO2022185929A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
WO2003011518A1 (en) Cmp system and method for efficiently processing semiconductor wafers
KR102478317B1 (ko) 기판 처리 시스템
KR20070077979A (ko) 화학적 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 연마방법
JPH08250457A (ja) 縦型ウエハ研磨装置
JP2015192094A (ja) 基板処理方法
JP6216258B2 (ja) 基板処理装置
CN118251752A (zh) 基板处理方法和基板处理系统
JP4748263B2 (ja) 塗布、現像装置
CN116529026A (zh) 基板处理系统和基板处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190516

Year of fee payment: 4