JP7387316B2 - 基板処理システムおよび基板搬送方法 - Google Patents
基板処理システムおよび基板搬送方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7387316B2 JP7387316B2 JP2019133794A JP2019133794A JP7387316B2 JP 7387316 B2 JP7387316 B2 JP 7387316B2 JP 2019133794 A JP2019133794 A JP 2019133794A JP 2019133794 A JP2019133794 A JP 2019133794A JP 7387316 B2 JP7387316 B2 JP 7387316B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- block
- transport mechanism
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 1410
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 1070
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 109
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 309
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 192
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 96
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 68
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 82
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 57
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 33
- 238000011161 development Methods 0.000 description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 24
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 21
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 19
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 14
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 3
- 238000001218 confocal laser scanning microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 102100029649 Beta-arrestin-1 Human genes 0.000 description 1
- 102100029648 Beta-arrestin-2 Human genes 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000728629 Homo sapiens Beta-arrestin-1 Proteins 0.000 description 1
- 101000728661 Homo sapiens Beta-arrestin-2 Proteins 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67769—Storage means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67775—Docking arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
- H01L21/67781—Batch transfer of wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Robotics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
本発明は、基板を処理する基板処理システムおよび、この基板処理システムの基板搬送方法に関する。基板は、例えば、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。ＦＰＤは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などが挙げられる。
従来の基板処理装置は、インデクサブロック（以下適宜、「ＩＤブロック」と呼ぶ）と、処理ブロックとを備えている（例えば、特許文献１参照）。処理ブロックは、ＩＤブロックに対して水平方向に連結されている。ＩＤブロックには、キャリアを載置するキャリア載置台が設けられている。キャリア載置台は、ＩＤブロックを挟んで処理ブロックの反対側に設けられている。
また、基板処理装置は、ストッカ装置（キャリアバッファ装置）を備えている（例えば、特許文献２参照）。ストッカ装置は、ＩＤブロックを挟んで処理ブロックの反対側に配置される。ストッカ装置は、キャリアを保管するためのキャリア保管棚と、キャリアを搬送するキャリア搬送機構とを備えている。
なお、特許文献３には、ＩＤブロックと処理ブロックとの間に配置された受渡ブロックを備えた基板処理システムが開示されている。受渡ブロックは、上下方向に配置された複数のバッファ部と、複数のバッファ部を挟んで配置された２つの移し換え装置とを備えている。２つの移し換え装置は、ＩＤブロックと処理ブロックとが配置される方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に配置されている。
また、特許文献４には、塗布処理ブロック、カセットステーション（ＩＤブロックに相当する）および現像処理ブロックがこの順番で水平方向に直線状に連結されている基板処理装置が開示されている。カセットステーションは、未処理の基板および処理済の基板のいずれかを収容する４個のカセットが配置できるように構成されている。また、塗布処理ブロックとカセットステーションとの境界部分には、基板の位置合わせ用の第１載置台が設けられると共に、カセットステーションと現像処理ブロックとの境界部分には、基板の位置合わせ用の第２載置台が設けられる。カセットステーションの１つの搬送機構は、それらの載置台を介して、塗布処理ブロックおよび現像処理ブロックに基板を搬送する。
例えば、基板処理装置２０１において、図２７に示すように、ＩＤブロック２０２が一端に配置され、ＩＤブロック２０２、第１処理ブロック２０３、第２処理ブロック２０５がこの順番で水平方向に配置されているとする。基板は、ＩＤブロック２０２から第１処理ブロック２０３、第２処理ブロック２０５の順番で搬送される。この際、第１処理ブロックでは、基板に第１処理が行われ、また、第２処理ブロックでは、基板に第２処理が行われる。その後、基板は、第１処理ブロックを通過してＩＤブロック２０２に戻される。このような第１処理ブロックを通過させる基板搬送は、第１処理ブロックのスループットを低下させている可能性がある。また、基板処理装置２０１全体としてもスループットを低下させている可能性がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、スループットの低下を抑制することができる基板処理システムおよび基板搬送方法を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理システムは、基板を収納することが可能なキャリアを載置するためのキャリア載置台が設けられたインデクサブロックと、第１処理装置と、第２処理装置と、を備え、前記第１処理装置、前記インデクサブロックおよび前記第２処理装置は、この順番で水平方向に直線状に連結されており、前記インデクサブロックは、前記第１処理装置と前記第２処理装置の中間に配置され、複数の基板を載置する基板バッファを内部に備え、前記基板バッファは、上下方向に配置された複数の基板載置部を有し、前記複数の基板載置部は各々、前記基板を載置することができるように構成されており、前記第１処理装置は、第１基板搬送機構を備え、前記第２処理装置は、第２基板搬送機構を備え、前記インデクサブロックは、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送し、前記第１処理装置は、前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第１処理装置で処理が行われた基板を前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記第２処理装置は、前記第２基板搬送機構により前記第１処理装置が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第２処理装置で処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記インデクサブロックは、前記第２処理装置で処理が行われた基板を前記複数の基板載置部から前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理システムによれば、スループットの低下を抑制できる。例えば、図２７のように、インデクサブロック、第１処理装置および第２処理装置がこの順番で配置されているとする。この場合、第２処理装置で処理された基板をインデクサブロックに搬送するために、第１処理装置による処理なしで、第１処理装置を通過させなければならない。しかしながら、本発明に係る基板処理システムによれば、第１処理装置も第２処理装置もインデクサブロックに連結されている。そのため、第１処理装置を介在させずに第２処理装置からインデクサブロックに基板を直接搬送できる。そのため、スループットの低下を抑制できる。また、基板バッファは２つの処理装置の中間に配置されている。そのため、基板バッファの複数の基板載置部を介して、第１処理装置から第２処理装置に基板を搬送することでできる。この搬送は、インデクサブロックによる基板搬送を用いずに行われるため、インデクサブロックによる基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１処理装置は、基板に対して第１処理を行う第１処理ブロックを備え、前記第２処理装置は、基板に対して第２処理を行う第２処理ブロックを備え、前記第１処理ブロック、前記インデクサブロックおよび前記第２処理ブロックは、この順番で水平方向に直線状に連結されており、前記第１処理ブロックは、前記第１基板搬送機構を備え、前記第２処理ブロックは、前記第２基板搬送機構を備え、前記インデクサブロックは、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送し、前記第１処理ブロックは、前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記第２処理ブロックは、前記第２基板搬送機構により前記第１処理ブロックが前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記インデクサブロックは、前記第２処理が行われた基板を前記複数の基板載置部から前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
例えばインデクサブロック、第１処理ブロックおよび第２処理ブロックがこの順番で配置されているとする。この場合、第２処理ブロックで処理された基板をインデクサブロックに搬送するために、第１処理ブロックによる処理なしで、第１処理ブロックを通過させなければならない。しかしながら、第１処理ブロックも第２処理ブロックもインデクサブロックに連結されている。そのため、第１処理ブロックを介在させずに第２処理ブロックからインデクサブロックに基板を直接搬送できる。そのため、スループットの低下を抑制できる。また、基板バッファは２つの処理ブロックの中間に配置されている。そのため、基板バッファの複数の基板載置部を介して、第１処理ブロックから第２処理ブロックに基板を搬送することでできる。この搬送は、インデクサブロックによる基板搬送を用いずに行われるため、インデクサブロックによる基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記インデクサブロックは、更に、インデクサ用基板搬送機構を内部に備え、前記インデクサ用基板搬送機構は、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送し、前記インデクサ用基板搬送機構は、前記複数の基板載置部から前記第２処理が行われた基板を受け取り、受け取った基板を前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第２処理装置は、前記インデクサブロックに連結され、基板に対して第２処理を行う第２処理ブロックと、前記第２処理ブロックに連結され、外部装置に対して基板の搬出および搬入を行うインターフェースブロックとを備え、前記第２処理ブロックは、前記第２基板搬送機構を備え、前記第２処理ブロックは、前記第２基板搬送機構により前記第１処理装置が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板を前記第２基板搬送機構により前記インターフェースブロックに搬送し、前記インターフェースブロックは、前記第２処理ブロックにより搬送された基板を前記外部装置に搬出し、また、前記外部装置で処理された基板を搬入し、前記第２処理ブロックは、前記第２基板搬送機構により前記インターフェースブロックから前記外部装置で処理された基板を受け取り、受け取った基板に対して第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送することが好ましい。
これにより、第２処理ブロックにインターフェースブロックが連結された構成において、スループットの低下を抑制することができる。また、基板バッファは第１処理装置と第２処理ブロックの中間に配置されている。そのため、基板バッファの複数の基板載置部を介して、第１処理装置から第２処理ブロックに基板を搬送することでできる。この搬送は、インデクサブロックによる基板搬送を用いずに行われるため、インデクサブロックによる基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１処理装置は、前記インデクサブロックに連結され、基板に対して第１処理を行う第１処理ブロックと、前記第１処理ブロックに連結され、外部装置に対して基板の搬出および搬入を行うインターフェースブロックとを備え、前記第１処理ブロックは、前記第１基板搬送機構を備え、前記第１処理ブロックは、前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第１基板搬送機構により前記インターフェースブロックに搬送し、前記インターフェースブロックは、前記第１処理ブロックにより搬送された基板を前記外部装置に搬出し、また、前記外部装置で処理された基板を搬入し、前記第１処理ブロックは、前記第１基板搬送機構により前記インターフェースブロックから前記外部装置で処理された基板を受け取り、受け取った基板を前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送することが好ましい。
これにより、第１処理ブロックにインターフェースブロックが連結された構成において、スループットの低下を抑制することができる。また、基板バッファは第１処理ブロックと第２処理装置の中間に配置されている。そのため、基板バッファの複数の基板載置部を介して、第１処理ブロックから第２処理装置に基板を搬送することでできる。この搬送は、インデクサブロックによる基板搬送を用いずに行われるため、インデクサブロックによる基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１処理装置は、基板に対して第１処理を行う第１処理層と、前記第１処理層とは異なる階層で第３処理を行う第３処理層とを備え、前記第１処理層は、前記第１基板搬送機構を備え、前記第３処理層は、第３基板搬送機構を備え、前記インデクサブロックは、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送して前記第３処理層が基板を受け取ることができる状態にし、前記第３処理層は、前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して第３処理を行い、前記第３処理が行われた基板を前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記インデクサブロックは、前記複数の基板載置部において前記第３処理が行われた基板を前記第３処理層の階層から前記第１処理層の階層に移動させることで、前記第１処理層が基板を受け取ることができる状態にし、前記第１処理層は、前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部から前記第３処理が行われた基板を受け取り、受け取った基板に対して第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記第２処理装置は、前記第２基板搬送機構により前記第１処理層が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第２処理装置で処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送することが好ましい。
これにより、第１処理装置（第１処理層、第３処理層）も第２処理装置もインデクサブロックに連結されるので、スループットの低下を抑制することができる。また、基板バッファは第１処理層と第２処理装置の中間に配置されている。そのため、基板バッファの複数の基板載置部を介して、第１処理層から第２処理装置に基板を搬送することでできる。この搬送は、インデクサブロックによる基板搬送を用いずに行われるため、インデクサブロックによる基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第２処理装置は、基板に対して第２処理を行う第２処理層と、前記第２処理層とは異なる階層で第３処理を行う第３処理層とを備え、前記第２処理層は、前記第２基板搬送機構を備え、前記第３処理層は、第３基板搬送機構を備え、前記第２処理層は、前記第２基板搬送機構により前記第１処理装置が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記インデクサブロックは、前記複数の基板載置部において前記第２処理が行われた基板を前記第２処理層の階層から前記第３処理層の階層に移動させることで、前記第３処理層が基板を受け取ることができる状態にし、前記第３処理層は、前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部から前記第２処理が行われた基板を受け取り、受け取った基板に対して第３処理を行い、前記第３処理が行われた基板を前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記インデクサブロックは、前記第３処理層で処理が行われた基板を前記複数の基板載置部から前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
これにより、第１処理装置も第２処理装置（第２処理層、第３処理層）もインデクサブロックに連結されるので、スループットの低下を抑制することができる。また、基板バッファは第１処理装置と第２処理層の中間に配置されている。そのため、基板バッファの複数の基板載置部を介して、第１処理装置から第２処理層に基板を搬送することでできる。この搬送は、インデクサブロックによる基板搬送を用いずに行われるため、インデクサブロックによる基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１処理装置は、前記インデクサブロックに連結される第１処理ブロックと、前記第１処理ブロックに連結され、外部装置に対して基板の搬出および搬入を行うインターフェースブロックとを備え、前記第１処理ブロックは、基板に対して第１処理を行う第１処理層と、前記第１処理層とは異なる階層で第３処理を行う第３処理層とを備え、前記第１処理層は、前記第１基板搬送機構を備え、前記第３処理層は、第３基板搬送機構を備え、前記インデクサブロックは、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送して前記第３処理層が基板を受け取ることができる状態にし、前記第３処理層は、前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して第３処理を行い、前記第３処理が行われた基板を前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記インデクサブロックは、前記複数の基板載置部において前記第３処理が行われた基板を前記第３処理層の階層から前記第１処理層の階層に移動させることで、前記第１処理層が基板を受け取ることができる状態にし、前記第１処理層は、前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部から前記第３処理が行われた基板を受け取り、受け取った基板に対して第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第１基板搬送機構により前記インターフェースブロックに搬送し、前記インターフェースブロックは、前記第１処理層により搬送された基板を前記外部装置に搬出し、また、前記外部装置で処理された基板を搬入し、前記第１処理層は、前記第１基板搬送機構により前記インターフェースブロックから前記外部装置で処理された基板を受け取り、受け取った基板を前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記第２処理装置は、前記第２基板搬送機構により前記第１処理層が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第２処理装置で処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送することが好ましい。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第２処理装置は、前記インデクサブロックに連結される第２処理ブロックと、前記第２処理ブロックに連結され、外部装置に対して基板の搬出および搬入を行うインターフェースブロックとを備え、前記第２処理ブロックは、基板に対して第２処理を行う第２処理層と、前記第２処理層とは異なる階層で第３処理を行う第３処理層とを備え、前記第２処理層は、前記第２基板搬送機構を備え、前記第３処理層は、第３基板搬送機構を備え、前記第２処理層は、前記第２基板搬送機構により前記第１処理装置が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記インターフェースブロックに搬送し、前記インターフェースブロックは、前記第２処理層により搬送された基板を前記外部装置に搬出し、また、前記外部装置で処理された基板を搬入し、前記第２処理層は、前記第２基板搬送機構により前記インターフェースブロックから前記外部装置で処理された基板を受け取り、受け取った基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記インデクサブロックは、前記複数の基板載置部において前記第２処理が行われた基板を前記第２処理層の階層から前記第３処理層の階層に移動させることで、前記第３処理層が基板を受け取ることができる状態にし、前記第３処理層は、前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部から前記第２処理が行われた基板を受け取り、受け取った基板に対して第３処理を行い、前記第３処理が行われた基板を前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、前記インデクサブロックは、前記第３処理層で処理が行われた基板を前記複数の基板載置部から前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記インデクサブロック、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくともいずれかの上に搭載され、前記キャリアを保管するためのキャリア保管棚と、前記インデクサブロック、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくともいずれかの上に搭載され、前記キャリア載置台と前記キャリア保管棚との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送機構と、を更に備えていることが好ましい。例えば、インデクサブロックの側面にキャリア載置台が配置していると、キャリア載置台が配置された分で、基板処理装置のフットプリントが大きくなる。この点、本発明によれば、キャリア載置台が、インデクサブロック、第１処理ブロックおよび第２処理ブロックの少なくともいずれかと、平面視で重なる。そのため、基板処理装置のフットプリントの増加を抑えることができる。
また、本発明に係る基板処理システムの基板搬送方法は、基板を収納することが可能なキャリアを載置するためのキャリア載置台が設けられたインデクサブロックと、第１基板搬送機構を有する第１処理装置と、第２基板搬送機構を有する第２処理装置と、を備えた基板処理装置の基板搬送方法において、前記第１処理装置、前記インデクサブロックおよび前記第２処理装置は、この順番で水平方向に直線状に連結されており、前記インデクサブロックは、前記第１処理装置と前記第２処理装置の中間に配置され、複数の基板を載置する基板バッファを内部に備え、前記基板バッファは、上下方向に配置された複数の基板載置部を有し、前記複数の基板載置部は各々、前記基板を載置することができるように構成されており、前記インデクサブロックによって、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送する工程と、前記第１処理装置によって、前記第１基板搬送機構を用いて前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第１処理装置で処理が行われた基板を、前記第１基板搬送機構を用いて前記複数の基板載置部に搬送する工程と、前記第２処理装置によって、前記第２基板搬送機構を用いて前記第１処理装置が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第２処理装置で処理が行われた基板を、前記第２基板搬送機構を用いて前記複数の基板載置部に搬送する工程と、前記インデクサブロックによって、前記第２処理装置で処理が行われた基板を前記複数の基板載置部から前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻す工程と、を備えていることを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理システムの基板搬送方法によれば、スループットの低下を抑制できる。例えばインデクサブロック、第１処理装置および第２処理装置がこの順番で配置されているとする。この場合、第２処理装置で処理された基板をインデクサブロックに搬送するために、第１処理装置による処理なしで、第１処理装置を通過させなければならない。しかしながら、本発明に係る基板処理システムの基板搬送方法によれば、第１処理装置も第２処理装置もインデクサブロックに連結されている。そのため、第１処理装置を介在させずに第２処理装置からインデクサブロックに基板を直接搬送できる。そのためスループットの低下を抑制できる。また、基板バッファは２つの処理装置の中間に配置されている。そのため、基板バッファの複数の基板載置部を介して、第１処理装置から第２処理装置に基板を搬送することでできる。この搬送は、インデクサブロックによる基板搬送を用いずに行われるため、インデクサブロックによる基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
本発明に係る基板処理システムおよび基板搬送方法によれば、スループットの低下を抑制することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置の縦断面図である。図２は、実施例１に係る基板処理装置の横断面図である。図３は、実施例１に係る基板処理装置の平面図である。
＜基板処理装置（基板処理システム）１の構成＞
図１、図２を参照する。基板処理装置１は、ＩＤブロック（インデクサブロック）２、第１処理ブロック３、第２処理ブロック５、ＩＦブロック（インターフェースブロック）６およびキャリアバッファ装置８を備えている。第１処理ブロック３、ＩＤブロック２、第２処理ブロック５およびＩＦブロック６は、この順番で水平方向に直線状に連結されている。具体的には、第１処理ブロック３は、ＩＤブロック２に対して水平方向（Ｘ方向）に連結されている。第２処理ブロック５は、ＩＤブロック２を挟み込むように第１処理ブロック３の反対側に配置され、ＩＤブロック２に連結されている。ＩＦブロック６は、第２処理ブロック５を挟んでＩＤブロック２の反対側に配置され、第２処理ブロック５に連結されている。なお、図１、図２において、符号ＰＰは、例えば、処理液を送るための配管および電気配線などを収容するための収容部である。また、本実施例において、第１処理ブロック３は、本発明の第１処理装置に相当する。第２処理ブロック５およびＩＦブロック６は、本発明の第２処理装置に相当する。
図１、図２を参照する。基板処理装置１は、ＩＤブロック（インデクサブロック）２、第１処理ブロック３、第２処理ブロック５、ＩＦブロック（インターフェースブロック）６およびキャリアバッファ装置８を備えている。第１処理ブロック３、ＩＤブロック２、第２処理ブロック５およびＩＦブロック６は、この順番で水平方向に直線状に連結されている。具体的には、第１処理ブロック３は、ＩＤブロック２に対して水平方向（Ｘ方向）に連結されている。第２処理ブロック５は、ＩＤブロック２を挟み込むように第１処理ブロック３の反対側に配置され、ＩＤブロック２に連結されている。ＩＦブロック６は、第２処理ブロック５を挟んでＩＤブロック２の反対側に配置され、第２処理ブロック５に連結されている。なお、図１、図２において、符号ＰＰは、例えば、処理液を送るための配管および電気配線などを収容するための収容部である。また、本実施例において、第１処理ブロック３は、本発明の第１処理装置に相当する。第２処理ブロック５およびＩＦブロック６は、本発明の第２処理装置に相当する。
また、基板処理装置１は、図２に示すように、制御部９と、操作部１０とを備えている。制御部９は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）を備えている。制御部９は、基板処理装置１の各構成を制御する。操作部１０は、表示部（例えば液晶モニタ）、記憶部および入力部を備えている。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。入力部は、キーボード、マウス、タッチパネルおよび各種ボタンの少なくとも１つを備えている。記憶部には、基板処理の各種条件および基板処理装置１の制御に必要な動作プログラム等が記憶されている。
（１－１）ＩＤブロック２の構成
ＩＤブロック２は、図２、図３に示すように、４つのオープナ（キャリア載置部）１１～１４と、２つの基板搬送機構（ロボット）ＭＨＵ１，ＭＨＵ２と、単一の基板バッファＢＦとを備えている。２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２と基板バッファＢＦは、ＩＤブロック２の内部に配置される。なお、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、本発明のインデクサ用基板搬送機構に相当する。
ＩＤブロック２は、図２、図３に示すように、４つのオープナ（キャリア載置部）１１～１４と、２つの基板搬送機構（ロボット）ＭＨＵ１，ＭＨＵ２と、単一の基板バッファＢＦとを備えている。２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２と基板バッファＢＦは、ＩＤブロック２の内部に配置される。なお、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、本発明のインデクサ用基板搬送機構に相当する。
（１－１－１）オープナ１１～１４等の構成
４つのオープナ１１～１４は、ＩＤブロック２の外壁に設けられている。２つのオープナ１１，１２は、第１基板搬送機構ＭＨＵ１がキャリアＣに基板Ｗを出し入れできるように、第１基板搬送機構ＭＨＵ１の周囲に配置されている。図２において、２つのオープナ１１，１２は、基板搬送機構ＭＨＵ１を挟み込むよう前後方向（Ｘ方向）に配置されている。２つのオープナ１１，１２と同様に、２つのオープナ１３，１４は、第２基板搬送機構ＭＨＵ２がキャリアＣに基板Ｗを出し入れできるように、第２基板搬送機構ＭＨＵ２の周囲に配置されている。２つのオープナ１３，１４は、第２基板搬送機構ＭＨＵ２を挟み込むように前後方向に配置されている。
４つのオープナ１１～１４は、ＩＤブロック２の外壁に設けられている。２つのオープナ１１，１２は、第１基板搬送機構ＭＨＵ１がキャリアＣに基板Ｗを出し入れできるように、第１基板搬送機構ＭＨＵ１の周囲に配置されている。図２において、２つのオープナ１１，１２は、基板搬送機構ＭＨＵ１を挟み込むよう前後方向（Ｘ方向）に配置されている。２つのオープナ１１，１２と同様に、２つのオープナ１３，１４は、第２基板搬送機構ＭＨＵ２がキャリアＣに基板Ｗを出し入れできるように、第２基板搬送機構ＭＨＵ２の周囲に配置されている。２つのオープナ１３，１４は、第２基板搬送機構ＭＨＵ２を挟み込むように前後方向に配置されている。
４つのオープナ１１～１４は各々、図１に示すように、載置台１６、開口部１８、シャッタ部材（図示しない）、およびシャッタ部材駆動機構（図示しない）を備えている。載置台１６は、キャリアＣを載置するために用いられる。
キャリアＣは、水平姿勢の複数（例えば２５枚）の基板Ｗを収納することができる。キャリアＣ内において、複数の基板Ｗは、上下方向（Ｚ方向）に配置され、隣接する２枚の基板Ｗの間には、隙間が設けられる。キャリアＣは、例えばフープ（ＦＯＵＰ：Front Open Unified Pod）が用いられるが、フープ以外の容器である、例えばＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドであってもよい。キャリアＣは、例えば、基板Ｗを出し入れするための開口部が設けられ、基板Ｗが収納されるキャリア本体と、開口部を塞ぐための蓋部とを備えている。なお、載置台１６は、本発明のキャリア載置台に相当する。
開口部１８は、基板Ｗを通すために用いられる。シャッタ部材は、開口部１８の開閉を行うと共に、キャリアＣのキャリア本体に対して蓋部の着脱を行う。シャッタ部材駆動部は、電動モータを備えており、シャッタ部材を駆動する。シャッタ部材は、キャリア本体から蓋部を外した後、例えば開口部１８に沿って水平方向（Ｙ方向）、あるいは下方向（Ｚ方向）に移動される。
載置台１６は、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の上方に配置されている。具体的には、２つのオープナ１１，１３の各載置台１６は、第１処理ブロック３よりも上に配置されている。また、２つのオープナ１２，１４の各載置台１６は、第２処理ブロック５よりも上に配置されている。なお、２つのオープナ１１，１３の各載置台１６は、第１処理ブロック３の上面または屋上に設けられていてもよい。また、２つのオープナ１２，１４の各載置台１６は、第２処理ブロック５の上面または屋上に設けられていてもよい。
（１－１－２）基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の構成
図２に示すように、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は、第１処理ブロック３と第２処理ブロック５とが配置される前後方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）で、基板バッファＢＦを挟み込むように配置されている。２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、基板バッファＢＦに対して基板Ｗを出し入れする。また、第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、２つのオープナ１１，１２の各載置台１６に載置されたキャリアＣと、基板バッファＢＦとの間で基板Ｗを搬送する。第２基板搬送機構ＭＨＵ２は、２つのオープナ１３，１４の各載置台１６に載置されたキャリアＣと、基板バッファＢＦとの間で基板Ｗを搬送する。
図２に示すように、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は、第１処理ブロック３と第２処理ブロック５とが配置される前後方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）で、基板バッファＢＦを挟み込むように配置されている。２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、基板バッファＢＦに対して基板Ｗを出し入れする。また、第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、２つのオープナ１１，１２の各載置台１６に載置されたキャリアＣと、基板バッファＢＦとの間で基板Ｗを搬送する。第２基板搬送機構ＭＨＵ２は、２つのオープナ１３，１４の各載置台１６に載置されたキャリアＣと、基板バッファＢＦとの間で基板Ｗを搬送する。
図４、図５を参照する。２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、２つのハンド２１、進退駆動部２３、および昇降回転駆動部２５を備えている。２つのハンド２１は各々、基板Ｗを保持する。２つのハンド２１は個々に水平方向に進退可能である。そのため、キャリアＣから１枚の基板Ｗを取り出したり、２枚の基板Ｗを同時に取り出したりすることができる。
ハンド２１は、図５に示すように、１つの基礎部分２１Ａと、その基礎部分２１Ａから分かれた２つの先端部分２１Ｂ，２１Ｃとを有し、Ｙ字状、Ｕ字状または二叉フォーク状のように構成されている。基礎部分２１Ａおよび、２つの先端部分２１Ｂ，２１Ｃには、基板Ｗを吸着することで基板Ｗを保持するための吸着部２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃが設けられている。３つの吸着部２７Ａ～２７Ｃは、例えば、配管を介して接続されるポンプによって吸着力が与えられるように構成されている。なお、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、２つのハンド２１を備えているが、３つ以上のハンド２１を備えていてもよい。
進退駆動部２３は、各ハンド２１を移動可能に支持すると共に、各ハンド２１を進退移動させる。進退駆動部２３は、１つのハンド２１を駆動するために、例えば、電動モータと、直線状のねじ軸と、ねじ軸と噛み合う孔部を有する可動部材と、可動部材をガイドするガイド部とを備えている。
昇降回転駆動部２５は、進退駆動部２３を昇降および回転させることで、２つのハンド２１を昇降および回転させる。昇降回転駆動部２５は、図４に示すように、支柱部２５Ａと回転部２５Ｂを備えている。支柱部２５Ａは、上下方向に延びるように設けられている。支柱部２５Ａは、ＩＤブロック２の床部に固定されている。そのため、支柱部２５Ａ、すなわち昇降回転駆動部２５の水平方向（ＸＹ方向）の位置は、移動されずに固定されている。回転部２５Ｂは、進退駆動部２３を鉛直軸ＡＸ１周りに回転させる。昇降回転駆動部２５による昇降および回転は、電動モータによって駆動される。
（１－１－３）基板バッファＢＦの構成
基板バッファＢＦは、複数の基板Ｗを載置する。基板バッファＢＦは、図２に示すように、第１処理ブロック３と第２処理ブロック５の中間（中央）に配置されている。これにより、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５は共に、基板バッファＢＦに対して基板Ｗを出し入れすることができる。基板バッファＢＦは、図１に示すように、３つのバッファ部ＢＵ１～ＢＵ３を備えている。３つのバッファ部ＢＵ１～ＢＵ３は、上下方向に１列で配置されている。
基板バッファＢＦは、複数の基板Ｗを載置する。基板バッファＢＦは、図２に示すように、第１処理ブロック３と第２処理ブロック５の中間（中央）に配置されている。これにより、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５は共に、基板バッファＢＦに対して基板Ｗを出し入れすることができる。基板バッファＢＦは、図１に示すように、３つのバッファ部ＢＵ１～ＢＵ３を備えている。３つのバッファ部ＢＵ１～ＢＵ３は、上下方向に１列で配置されている。
第１バッファ部ＢＵ１は、２つの処理層Ａ１，Ｂ１に対応して設けられている。すなわち、第１バッファ部ＢＵ１は、第１処理ブロック３の第１処理層Ａ１および第２処理ブロック５の第１処理層Ｂ１と同じ階層（すなわち１階）に設けられている。また、第２バッファ部ＢＵ２は、２つの処理層Ａ２，Ｂ２に対応して、処理層Ａ２，Ｂ２と同じ階層（すなわち２階）に設けられている。また、第３バッファ部ＢＵ３は、２つの処理層Ａ３，Ｂ３に対応して、処理層Ａ３，Ｂ３と同じ階層（すなわち３階）に設けられている。
次に、図６を参照しつつ、３つのバッファ部ＢＵ１～ＢＵ３について説明する。３つのバッファ部ＢＵ１～ＢＵ３は各々、複数（例えば１５個）の基板載置部３１を備えている。複数の基板載置部３１は、隙間を設けながら上下方向に１列で配置されている。複数の基板載置部３１は、３つのバッファ部ＢＵ１～ＢＵ３ごとに、上下方向の４本のフレーム３３で四隅を支持されている。
各基板載置部３１は、図６に示すように、横から見ると、薄板状に形成されている。各基板載置部３１は、図７に示すように、上から見るとＸ字状に形成されている。そのＸ字状の交差部分に対応する各基板載置部３１の中央部分には、１枚の基板Ｗを支えるための３つの支持ピン３５が設けられている。３つの支持ピン３５は、鉛直軸ＡＸ２周りに等間隔（１２０°の間隔）で配置されている。このような構造により、図８に示すように、ハンド２１（４１）が水平の４方向から基板載置部３１の上方に（すなわち隣接する２つの基板載置部３１の隙間に）進入することができる。これにより、ハンド２１（４１）は、水平の４方向の各々で、３つの支持ピン３５上に基板Ｗを置いたり、３つの支持ピン３５上から基板Ｗを取ったりできる。
第１基板搬送機構ＭＨＵ１の各ハンド２１は、各基板載置部３１に対して図８の紙面下側から接近する。同様に、第２基板搬送機構ＭＨＵ２の各ハンド２１は、各基板載置部３１に対して図８の紙面上側から接近する。第１処理ブロック３の各ハンド４１は、各基板載置部３１に対して図８の紙面左側から接近する。第２処理ブロック５の各ハンド４１は、各基板載置部３１に対して図８の紙面右側から接近する。なお、ハンド２１，４１同士の干渉を防止するために、所定の方向からのハンド２１（４１）が特定の基板載置部３１の上方に進入している場合、その他の３方向のハンド２１（４１）は、その特定の基板載置部３１の上方に進入しないように構成されている。
また、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２および、２つの処理ブロック３，５の２つの基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４（後述）は各々、３つのバッファ部ＢＵ１～ＢＵ３の全ての基板載置部３１に対して基板Ｗを置いたり、基板Ｗを取ったりすることができる。それにより、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２および２つの基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は、基板バッファＢＦ（または所定の基板載置部３１）に載置された基板Ｗを取り合うことができるように構成されている。
なお、バッファ部ＢＵ１は、１５個の基板載置部３１を備えている。図６に示すように、バッファ部ＢＵ１は、送り部ＳＮ１、渡し部ＰＳ１および戻り部ＲＴ１を備えている。送り部ＳＮ１、渡し部ＰＳ１および戻り部ＲＴ１は各々、例えば５つの基板載置部３１で構成されている。バッファ部ＢＵ２，ＢＵ３は、バッファ部ＢＵ１と同様に構成されている。バッファ部ＢＵ２は、送り部ＳＮ２、渡し部ＰＳ２および戻り部ＲＴ２を備えている。バッファ部ＢＵ３は、送り部ＳＮ３、渡し部ＰＳ３および戻り部ＲＴ３を備えている。
（１－２）処理ブロック３，５の構成
図１、図２を参照する。第１処理ブロック３は、３つの処理層Ａ１～Ａ３を備えている。３つの処理層Ａ１～Ａ３は、積み重ねるように上下方向に配置されている。第２処理ブロック５は、３つの処理層Ｂ１～Ｂ３を備えている。３つの処理層Ｂ１～Ｂ３は、積み重ねるように上下方向に配置されている。第１処理ブロック３（各処理層Ａ１～Ａ３）は、第１処理として、例えば塗布処理を行う。第２処理ブロック５（各処理層Ｂ１～Ｂ３）は、第２処理として、例えば現像処理を行う。すなわち、第２処理ブロック５は、第１処理ブロック３で行われる処理と異なる内容の処理を行う。
図１、図２を参照する。第１処理ブロック３は、３つの処理層Ａ１～Ａ３を備えている。３つの処理層Ａ１～Ａ３は、積み重ねるように上下方向に配置されている。第２処理ブロック５は、３つの処理層Ｂ１～Ｂ３を備えている。３つの処理層Ｂ１～Ｂ３は、積み重ねるように上下方向に配置されている。第１処理ブロック３（各処理層Ａ１～Ａ３）は、第１処理として、例えば塗布処理を行う。第２処理ブロック５（各処理層Ｂ１～Ｂ３）は、第２処理として、例えば現像処理を行う。すなわち、第２処理ブロック５は、第１処理ブロック３で行われる処理と異なる内容の処理を行う。
各処理層Ａ１～Ａ３は、第３基板搬送機構ＭＨＵ３、複数の塗布ユニットＳＣ、複数の熱処理部３７、および搬送スペース３９を備えている。各処理層Ｂ１～Ｂ３は、第４基板搬送機構ＭＨＵ４、複数の現像ユニットＤＥＶ、複数の熱処理部３７、および搬送スペース３９を備えている。搬送スペース３９は、Ｘ方向に直線状に延びるように構成されている。すなわち、搬送スペース３９は、Ｘ方向に長手の空間である。各基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は、搬送スペース３９内に設けられている。塗布ユニットＳＣ（または現像ユニットＤＥＶ）と熱処理部３７は、搬送スペース３９を挟み込むように配置されていると共に、搬送スペース３９の長手方向に沿って配置されている。
（１－２－１）基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４の構成
各基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は、２つのハンド４１、進退駆動部４３、回転駆動部４５、第１移動機構４７および第２移動機構４８を備えている。２つのハンド４１、進退駆動部４３および回転駆動部４５はそれぞれ、例えば第１基板搬送機構ＭＨＵ１の２つのハンド２１、進退駆動部２３、回転部２５Ｂと同じように構成されている。すなわち、２つのハンド４１は各々、基板Ｗを保持する。２つのハンド４１は各々、１つの基礎部分と、その基礎部分から分かれた２つの先端部分とを有している。基礎部分および、２つの先端部分には、それぞれ基板Ｗを吸着することで基板Ｗを保持するための吸着部が設けられている。
各基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は、２つのハンド４１、進退駆動部４３、回転駆動部４５、第１移動機構４７および第２移動機構４８を備えている。２つのハンド４１、進退駆動部４３および回転駆動部４５はそれぞれ、例えば第１基板搬送機構ＭＨＵ１の２つのハンド２１、進退駆動部２３、回転部２５Ｂと同じように構成されている。すなわち、２つのハンド４１は各々、基板Ｗを保持する。２つのハンド４１は各々、１つの基礎部分と、その基礎部分から分かれた２つの先端部分とを有している。基礎部分および、２つの先端部分には、それぞれ基板Ｗを吸着することで基板Ｗを保持するための吸着部が設けられている。
２つのハンド４１は各々、進退駆動部４３に移動可能に取り付けられている。進退駆動部４３は、２つのハンド４１を個々に進退させる。回転駆動部４５は、進退駆動部４３を鉛直軸ＡＸ３周りに回転させる。これにより、２つのハンド４１の向きを変えることができる。第１移動機構４７は、回転駆動部４５を図１の前後方向（Ｘ方向）に移動させることができる。第２移動機構４８は、第１移動機構４７を図１の上下方向（Ｚ方向）に移動させることができる。２つの移動機構４７，４８により、２つのハンド４１および進退駆動部４３をＸＺ方向に移動させることができる。
進退駆動部４３、回転駆動部４５、第１移動機構４７および第２移動機構４８は各々、電動モータを備えている。
（１－２－２）塗布ユニットＳＣおよび現像ユニットＤＥＶの構成
図９は、基板処理装置１の右側面図である。処理層Ａ１～Ａ３はそれぞれ、８つの塗布ユニットＳＣを備えている。８つの塗布ユニットＳＣは、上下方向に２段×水平方向に４列で配置されている。また、図９において、塗布ユニットＳＣは、フォトレジストを塗布する塗布ユニットＰＲである。また、処理層Ｂ１～Ｂ３はそれぞれ、８つの現像ユニットＤＥＶを備えている。８つの現像ユニットＤＥＶは、２段×４列で配置されている。塗布ユニットＳＣおよび現像ユニットＤＥＶの個数は適宜変更される。
図９は、基板処理装置１の右側面図である。処理層Ａ１～Ａ３はそれぞれ、８つの塗布ユニットＳＣを備えている。８つの塗布ユニットＳＣは、上下方向に２段×水平方向に４列で配置されている。また、図９において、塗布ユニットＳＣは、フォトレジストを塗布する塗布ユニットＰＲである。また、処理層Ｂ１～Ｂ３はそれぞれ、８つの現像ユニットＤＥＶを備えている。８つの現像ユニットＤＥＶは、２段×４列で配置されている。塗布ユニットＳＣおよび現像ユニットＤＥＶの個数は適宜変更される。
塗布ユニットＳＣは、図２に示すように、保持回転部５１、ノズル５２およびノズル移動機構５３を備えている。保持回転部５１は、例えば真空吸着によって基板Ｗの下面を保持して、保持した基板Ｗを鉛直軸（Ｚ方向）周りに回転させる。ノズル５２は、塗布液（例えばフォトレジスト液）を基板Ｗに対して吐出する。ノズル５２は、配管を介して塗布液供給源に接続されており、配管には、ポンプおよび開閉弁が設けられている。ノズル移動機構５３は、ノズル５２を任意の位置に移動させる。保持回転部５１およびノズル移動機構５３は各々、例えば電動モータを備えている。
また現像ユニットＤＥＶは、図２に示すように、保持回転部５４、ノズル５５およびノズル移動機構５６を備えている。保持回転部５４は、例えば真空吸着によって基板Ｗの下面を保持して、保持した基板Ｗを鉛直軸（Ｚ方向）周りに回転させる。ノズル５５は、現像液を基板Ｗに対して吐出する。ノズル５５は、配管を介して現像液供給源に接続されており、配管には、ポンプおよび開閉弁が設けられている。ノズル移動機構５６は、ノズル５５を任意の位置に移動させる。保持回転部５４およびノズル移動機構５６は各々、例えば電動モータを備えている。
（１－２－３）熱処理部３７の構成
図１０は、基板処理装置１の左側面図である。３つの処理層Ａ１～Ａ３は各々、２４個の熱処理部３７を備えることが可能である。この場合、２４個の熱処理部３７は、４段×６列で配置することが可能である。同様に、３つの処理層Ｂ１～Ｂ３は各々、２４個の熱処理部３７を備えることが可能である。この場合、２４個の熱処理部３７は、４段×６列で配置することが可能である。
図１０は、基板処理装置１の左側面図である。３つの処理層Ａ１～Ａ３は各々、２４個の熱処理部３７を備えることが可能である。この場合、２４個の熱処理部３７は、４段×６列で配置することが可能である。同様に、３つの処理層Ｂ１～Ｂ３は各々、２４個の熱処理部３７を備えることが可能である。この場合、２４個の熱処理部３７は、４段×６列で配置することが可能である。
なお、熱処理部３７は、基板Ｗに対して熱処理を行うために、基板Ｗを載置するプレート５７（図２参照）を備えている。プレート５７を加熱する場合、熱処理部３７は例えばヒータを備え、プレート５７を冷却する場合、熱処理部３７は例えば水冷式の循環機構を備えている。
図１０において、各処理層Ａ１～Ａ３は、６つの密着強化処理部ＡＨＰ、４つの冷却部ＣＰ、２つのエッジ露光部ＥＥＷ、および８つの加熱処理部ＰＡＢを備えている。また、各処理層Ｂ１～Ｂ３は、４つの冷却部ＣＰ、９個の加熱処理部ＰＯＳＴＢａｋｅ（図１０では「ＰＢ」と示す）、２つの検査部ＬＳＣＭ１，ＬＳＣＭ２、および９個の露光後ベーク処理部ＰＥＢを備えている。密着強化処理部ＡＨＰは、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の密着強化剤を基板Ｗに塗布して加熱する。冷却部ＣＰは基板Ｗを冷却する。エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗの周辺部の露光処理を行う。加熱処理部ＰＡＢは、塗布後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。加熱処理部ＰＯＳＴＢａｋｅは、現像処理後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。露光後ベーク処理部ＰＥＢは、露光後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。検査部ＬＳＣＭ１は、ＣＣＤカメラまたはイメージセンサを用いて塗布膜を検査する。検査部ＬＳＣＭ２は、ＣＣＤカメラまたはイメージセンサを用いて現像後の基板Ｗを検査する。なお、密着強化処理部ＡＨＰ、加熱処理部ＰＡＢ、露光後ベーク処理部ＰＥＢおよび加熱処理部ＰＯＳＴＢａｋｅは、冷却機能を有するローカル基板搬送機構を備えている。熱処理部３７の個数および種類は適宜変更される。
（１－３）ＩＦブロック６の構成
ＩＦブロック６は、第２処理ブロック５に連結される。ＩＦブロック６は、外部装置である露光装置ＥＸＰに基板Ｗの搬出および搬入を行う。図１、図２、図９、図１０に示すように、ＩＦブロック６は、３つの基板搬送機構ＨＵ５～ＨＵ７、露光前洗浄ユニット１６１、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、バッファ部ＰＳＢＵ４～ＰＳＢＵ６、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９を備えている。
ＩＦブロック６は、第２処理ブロック５に連結される。ＩＦブロック６は、外部装置である露光装置ＥＸＰに基板Ｗの搬出および搬入を行う。図１、図２、図９、図１０に示すように、ＩＦブロック６は、３つの基板搬送機構ＨＵ５～ＨＵ７、露光前洗浄ユニット１６１、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、バッファ部ＰＳＢＵ４～ＰＳＢＵ６、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９を備えている。
なお、洗浄ユニット１６１，ＳＯＡＫは、基板Ｗを保持する保持回転部と、例えば洗浄液を基板Ｗに吐出するノズルとを備えている。また、処理前洗浄ユニット１６１は、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。なお、基板Ｗの裏面は、例えば回路パターンが形成された面の反対側の面を言う。バッファ部ＰＳＢＵ４～ＰＳＢＵ６は各々、複数の基板Ｗを載置可能である。
図２に示すように、２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は、Ｘ方向と直交するＹ方向に並んで配置されている。また、２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は、複数の基板Ｗを載置可能なバッファ部ＰＳＢＵ４を挟んで配置されている。第７基板搬送機構ＨＵ７は、２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６を挟んで（横切って）第２処理ブロック５の反対側に配置されている。すなわち、第７基板搬送機構ＨＵ７と第２処理ブロック５の間には、２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６が配置されている。３つの基板搬送機構ＨＵ５～ＨＵ７の間には、複数の載置兼冷却部Ｐ－ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９が配置されている。複数の載置兼冷却部Ｐ－ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９は上下方向に配置されている。基板載置部ＰＳ９は、複数の基板Ｗを載置できるように構成されている。
第５基板搬送機構ＨＵ５は、露光前洗浄ユニット１６１（図２の矢印ＲＳ側、図９参照）、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ（矢印ＲＳ側）、露光後ベーク処理部ＰＥＢ（矢印ＲＳ側）、バッファ部ＰＳＢＵ４～ＰＳＢＵ６、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９の間で基板Ｗを搬送する。第６基板搬送機構ＨＵ６は、露光前洗浄ユニット１６１（図２の矢印ＬＳ側、図１０参照）、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ（矢印ＬＳ側）、露光後ベーク処理部ＰＥＢ（矢印ＬＳ側）、バッファ部ＰＳＢＵ４～ＰＳＢＵ６、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９の間で基板Ｗを搬送する。第７基板搬送機構ＨＵ７は、露光装置ＥＸＰ、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９の間で基板Ｗを搬送する。
３つの基板搬送機構ＨＵ５～ＨＵ７は各々、ハンド２１、進退駆動部２３および昇降回駆動部５８を備えている。ハンド２１および進退駆動部２３は、例えば基板搬送機構ＭＨＵ１のハンド２１および進退駆動部２３と同様に構成されている。昇降回転駆動部５８は電動モータを備えており、ハンド２１および進退駆動部２３を昇降させ、またハンド２１および進退駆動部２３を鉛直軸周りに回転させる。
（１－３）キャリアバッファ装置８の構成
キャリアバッファ装置８は、図１、図３のように、キャリア搬送機構６１とキャリア保管棚６３とを備えている。キャリア搬送機構６１およびキャリア保管棚６３（すなわちキャリアバッファ装置８）は、ＩＤブロック２および２つの処理ブロック３，５の上に搭載されている。キャリア搬送機構６１は、４つのオープナ１１～１４の各々の載置台１６とキャリア保管棚６３との間でキャリアＣを搬送する。キャリア保管棚６３は、キャリアＣを保管する。なお、キャリア搬送機構６１およびキャリア保管棚６３は各々、ＩＤブロック２および２つの処理ブロック３，５の少なくとも１つの上に搭載されていてもよい。また、キャリア搬送機構６１およびキャリア保管棚６３は各々、ＩＦブロック６の上に搭載されていてもよい。
キャリアバッファ装置８は、図１、図３のように、キャリア搬送機構６１とキャリア保管棚６３とを備えている。キャリア搬送機構６１およびキャリア保管棚６３（すなわちキャリアバッファ装置８）は、ＩＤブロック２および２つの処理ブロック３，５の上に搭載されている。キャリア搬送機構６１は、４つのオープナ１１～１４の各々の載置台１６とキャリア保管棚６３との間でキャリアＣを搬送する。キャリア保管棚６３は、キャリアＣを保管する。なお、キャリア搬送機構６１およびキャリア保管棚６３は各々、ＩＤブロック２および２つの処理ブロック３，５の少なくとも１つの上に搭載されていてもよい。また、キャリア搬送機構６１およびキャリア保管棚６３は各々、ＩＦブロック６の上に搭載されていてもよい。
図１１を参照する。キャリア搬送機構６１は、２つの多関節アーム６５，６６を備えている。第１多関節アーム６５の一端には把持部６７が設けられ、第２多関節アーム６６の一端には把持部６８が設けられている。第１多関節アーム６５の他端は、支柱状の昇降駆動部６９に上下方向に移動可能に支持され、第２多関節アーム６６の他端は、昇降駆動部６９に上下方向に移動可能に支持されている。
２つの把持部６７，６８は各々、例えば、キャリアＣの上面に設けられた突起部を把持するように構成されている。第１多関節アーム６５は、把持部６７を鉛直軸ＡＸ４周りに３６０度回転できるように構成されている。第１多関節アーム６５は、例えば、３つのアーム部材６５Ａ～６５Ｃを備えている。アーム部材６５Ａは、後述する昇降駆動部６９に昇降可能に支持されている。２つのアーム部材６５Ａ，６５Ｂは、鉛直軸ＡＸ５周りに回転可能に接続されている。また、２つのアーム部材６５Ｂ，６５Ｃは、鉛直軸ＡＸ６周りに回転可能に接続されている。なお、第２多関節アーム６６は、第１多関節アーム６５と同様に構成されている。第１多関節アーム６５は、例えば、図３の紙面上側のキャリアＣの搬送を担当し、第２多関節アーム６６は、図３の紙面下側のキャリアＣの搬送を担当してもよい。
昇降駆動部６９は、２つの多関節アーム６５，６６を個別に昇降できるように構成されている。そのため、第１多関節アーム６５が第２多関節アーム６６よりも高い位置に移動されてもよいし、第１多関節アーム６５が第２多関節アーム６６よりも低い位置に移動されてもよい。なお、昇降駆動部６９は、２つの多関節アーム６５，６６を一体的に昇降させるように構成されていてもよい。２つの把持部６７，６８、２つの多関節アーム６５，６６および昇降駆動部６９は各々、電動モータを備えている。
前後駆動部７０は、昇降駆動部６９を支持する支持部７０Ａと、前後方向（Ｘ方向）に長手に延びる長手部７０Ｂと、電動モータとを備えている。例えば、長手部７０Ｂがレール（ガイドレール）であり、支持部７０Ａが台車であってもよい。この場合、電動モータによって台車（支持部７０Ａ）がレール（長手部７０Ｂ）に沿って移動するように構成されていてもよい。
また、例えば電動モータ、複数のプーリ、ベルトおよびガイドレールが、長手部７０Ｂに内蔵され、支持部７０Ａがベルトに固定されていてもよい。この場合、電動モータによってプーリが回転し、複数のプーリに掛けられたベルトが移動することによって、ガイドレールに沿って支持部７０Ａを移動させるようにしてもよい。また、例えば電動モータ、ねじ軸およびガイドレールが、長手部７０Ｂに内蔵され、ねじ軸と噛み合うナット部が支持部７０Ａに設けられていてもよい。この場合、電動モータによってねじ軸が回転されることにより、ガイドレールに沿って支持部７０Ａを移動させるようにしてもよい。
図３を参照する。キャリア保管棚６３は、入力ポート７１、出力ポート７２、未処理基板キャリア棚７３、空キャリア棚７４および処理済基板キャリア棚７５を備えている。入力ポート７１は、未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣを外部搬送機構ＯＨＴ（Overhead Hoist Transport）から受け取るための棚である。外部搬送機構ＯＨＴは、工場内でキャリアＣを搬送するものである。未処理とは、本実施例において基板処理装置１による処理が行われていないことを言う。２つの入力ポート７１および２つの出力ポート７２は、図３に示すように、基板処理装置１の屋上の長手方向（Ｘ方向）の一端に設けられている。２つの入力ポート７１および２つの出力ポート７２は、長手方向に直交する短手方向（Ｙ方向）に並んでいる。２つの入力ポート７１および２つの出力ポート７２の上方には、外部搬送機構ＯＨＴのレール７７が設けられている。外部搬送機構ＯＨＴは、２つの入力ポート７１のいずれかにキャリアＣを搬送する。
未処理基板キャリア棚７３は、入力ポート７１に載置されたキャリアＣであって、２つのオープナ１１，１２の各載置台１６のいずれにも搬送できなかった未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣを載置する。空キャリア棚７４は、例えばオープナ１１の載置台１６で基板Ｗが全て取り出されたキャリアＣを載置する。処理済基板キャリア棚７５は、処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣであって、２つの出力ポート７２のいずれにも搬送できなかったキャリアＣを載置する。処理済とは、基板処理装置１による処理が行われていることを言う。出力ポート７２は、処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣを外部搬送機構ＯＨＴに引き渡すための棚である。キャリア搬送機構６１は、載置台１６および各棚７１～７５の間でキャリアＣを自在に移動することができる。
なお、キャリア搬送機構６１は、２つの多関節アーム６５，６６および２つの把持部６７，６８を備えているが、１つまたは３つ以上の多関節アームおよび、１つまたは３つ以上（多関節アームの個数と同数）の把持部を備えていてもよい。また、昇降駆動部６９は、支持部７０Ａに対して鉛直軸（Ｚ方向の軸）周りに回転駆動されるように構成されていてもよい。また、レール７７は、任意の位置の上方を通過するように構成されていてもよい。この場合、レール７７の下方に、入力ポート７１および出力ポート７２が設けられる。キャリア保管棚６３の個数および種類は適宜変更される。
（２）基板処理装置１の動作
次に、基板処理装置１の動作について説明する。この説明では、２つの処理層Ａ１，Ｂ１の組合せで基板Ｗは処理される。２つの処理層Ａ２，Ｂ２の組合せ、および２つの処理層Ａ３，Ｂ３の組合せは、２つの処理層Ａ１，Ｂ１の組合せと同様に動作される。
次に、基板処理装置１の動作について説明する。この説明では、２つの処理層Ａ１，Ｂ１の組合せで基板Ｗは処理される。２つの処理層Ａ２，Ｂ２の組合せ、および２つの処理層Ａ３，Ｂ３の組合せは、２つの処理層Ａ１，Ｂ１の組合せと同様に動作される。
なお、図３において、２つのオープナ１１，１２は、キャリアＣから基板Ｗを取り出すために用いられ、残りの２つのオープナ１３，１４は、キャリアＣに基板Ｗを収納するために用いられる。また、図１２は、実施例１に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
図１、図３を参照する。外部搬送機構ＯＨＴは、２つの入力ポート７１の一方にキャリアＣを搬送する。キャリア搬送機構６１は、外部搬送機構ＯＨＴによって搬送されたキャリアＣを、入力ポート７１から２つのオープナ１１，１２の一方（例えばオープナ１１）の載置台１６に搬送する。オープナ１１のシャッタ部は、キャリアＣ（キャリア本体）から蓋部を外して保持しながら、その蓋部を移動する。これにより、開口部１８が解放される。
〔ステップＳ０１〕ＩＤブロック２による基板Ｗの取り出し
ＩＤブロック２は、オープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。そして、ＩＤブロック２は、第１処理ブロック３の処理層Ａ１が基板Ｗを受け取ることができる状態にする。
ＩＤブロック２は、オープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。そして、ＩＤブロック２は、第１処理ブロック３の処理層Ａ１が基板Ｗを受け取ることができる状態にする。
具体的に説明する。オープナ１１，１２に対する基板Ｗの搬送は、第１基板搬送機構ＭＨＵ１が行う。基板搬送機構ＭＨＵ１は、オープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣにハンド２１を進入させて、キャリアＣから基板Ｗを取り出す。基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを第１バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１（図９参照）に搬送する。これにより、第１処理ブロック３の処理層Ａ１が基板Ｗを受け取ることができる状態にする。
なお、処理層Ａ２が基板Ｗを処理する場合、基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを第２バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２に搬送する。また、処理層Ａ３が基板Ｗを処理する場合、基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを第３バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ３に搬送する。
キャリアＣから全ての基板Ｗが取り出されると、オープナ１１のシャッタ部は、キャリアＣに蓋部を取り付けるために移動しながら、開口部１８を遮蔽する。その後、キャリア搬送機構６１は、空になったキャリアＣを、２つのオープナ１３，１４のいずれかに搬送する。また、空になったキャリアＣを２つのオープナ１３，１４のいずれにも搬送できない場合は、キャリア搬送機構６１は、空のキャリアＣを空キャリア棚７４に搬送する。また、キャリア搬送機構６１は、入力ポート７１あるいは未処理基板キャリア棚７３から未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣを、空になったキャリアＣの代わりに、オープナ１１に搬送する。
基板搬送機構ＭＨＵ１は、オープナ１１のキャリアＣから全ての基板Ｗを取り出した後、オープナ１２のキャリアＣから基板Ｗを取り出す。そして、基板搬送機構ＭＨＵ１は、オープナ１２のキャリアＣから全ての基板Ｗを取り出した後、再びオープナ１１のキャリアＣから基板Ｗを取り出す。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ１は、原則、キャリアＣ単位で、２つのオープナ１１，１２の各キャリアＣから交互に基板Ｗを取り出す。
基板搬送機構ＭＨＵ１は、キャリア単位で基板Ｗを振り分けるように構成されている。例えば、オープナ１１の第１キャリアＣから取り出した基板Ｗは、処理層Ａ１が処理する。次に、オープナ１２の第２キャリアＣから取り出した基板Ｗは、処理層Ａ２が処理する。また、その次に、オープナ１１の第３キャリアＣから取り出した基板Ｗは、処理層Ａ３が処理する。すなわち、処理層Ａ１、処理層Ａ２、処理層Ａ３の順番を繰り返しながら、キャリア単位で基板Ｗが振り分けられる。
〔ステップＳ０２〕第１処理ブロック３による塗布処理
第１処理ブロック３の処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して塗布処理（第１処理）を行い、塗布処理が行われた基板ＷをＩＤブロック２に搬送する。
第１処理ブロック３の処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して塗布処理（第１処理）を行い、塗布処理が行われた基板ＷをＩＤブロック２に搬送する。
具体的に説明する。処理層Ａ１の第３基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１に搬送された基板Ｗを受け取る。そして、基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを、密着強化処理部ＡＨＰ、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＰＲの順番で搬送する。塗布ユニットＰＲは、基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＰＲでフォトレジスト膜が形成された基板Ｗを、加熱処理部ＰＡＢ、冷却部ＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、渡し部ＰＳ１（バッファ部ＢＵ１）の順番で搬送する。なお、基板搬送機構ＭＨＵ３は、渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば図６の下から６段目の基板載置部３１Ａ）に基板Ｗを搬送する。
〔ステップＳ０３〕第２処理ブロック５による基板搬送
第２処理ブロック５の処理層Ｂ１は、第１処理ブロック３の処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取り、受け取った基板ＷをＩＦブロック６に搬送する。
第２処理ブロック５の処理層Ｂ１は、第１処理ブロック３の処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取り、受け取った基板ＷをＩＦブロック６に搬送する。
具体的に説明する。ステップＳ０２において、第１処理ブロック３の処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（基板載置部３１Ａ）に基板Ｗを搬送した。第２処理ブロック５の処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、基板搬送機構ＭＨＵ３が渡し部ＰＳ１の所定位置（基板載置部３１Ａ）に搬送した基板Ｗを受け取る。ここで、処理層Ａ１から処理層Ｂ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。つまり、２つの基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４の両方のアーム２１，４１が届く位置にバッファ部ＢＵ１（基板バッファＢＦ）が配置されている。言い換えると、２つの基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４がバッファ部ＢＵ１に載置された基板Ｗを取り合えるように構成されている。そのため、ＩＤブロック２を通過して第１処理ブロック３から第２処理ブロック５に基板Ｗが搬送される場合であっても、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２に負担がかからないようにすることができる。
処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、渡し部ＰＳ１から受け取った基板Ｗを、検査部ＬＳＣＭ１、バッファ部ＰＳＢＵ４の順番で搬送する。検査部ＬＳＣＭ１は、フォトレジスト膜（塗布膜）を検査および測定する。なお、このステップＳ０３では、処理層Ｂ１は、現像処理（第２処理）を行わない。
〔ステップＳ０４〕ＩＦブロック６による基板搬送
ＩＦブロック６は、第２処理ブロック５の処理層Ｂ１により搬送された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦブロック６は、露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗを搬入する。
ＩＦブロック６は、第２処理ブロック５の処理層Ｂ１により搬送された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦブロック６は、露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗを搬入する。
２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は各々、バッファ部ＰＳＢＵ４から基板Ｗを受け取る。２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は各々、受け取った基板Ｗを、露光前洗浄ユニット１６１、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰの順番で搬送する。基板搬送機構ＨＵ７は、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。搬出された基板Ｗに対して、露光装置ＥＸＰは、露光処理を行う。ＩＦブロック６の基板搬送機構ＨＵ７は、露光装置ＥＸＰで処理された基板ＷをＩＦブロック６に搬入し、搬入した基板Ｗを基板載置部ＰＳ９に搬送する。その後、２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は各々、基板載置部ＰＳ９から基板Ｗを受け取る。２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は各々、受け取った基板Ｗを、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、バッファ部ＰＳＢＵ４の順番で搬送する。
〔ステップＳ０５〕第２処理ブロック５による現像処理
第２処理ブロック５の処理層Ｂ１は、ＩＦブロック６から露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して現像処理（第２処理）を行い、現像処理が行われた基板ＷをＩＤブロック２に搬送する。
第２処理ブロック５の処理層Ｂ１は、ＩＦブロック６から露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して現像処理（第２処理）を行い、現像処理が行われた基板ＷをＩＤブロック２に搬送する。
具体的に説明する。処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＰＳＢＵ４から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを、冷却部ＣＰ、現像ユニットＤＥＶ、加熱処理部ＰＯＳＴＢａｋｅ（図１０では「ＰＢ」と示す）、検査部ＬＳＣＭ２、戻り部ＲＴ１（バッファ部ＢＵ１）の順番で搬送する。現像ユニットＤＥＶは、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板Ｗに対して現像処理を行う。検査部ＬＳＣＭ２は、現像後の基板Ｗを検査する。
〔ステップＳ０６〕ＩＤブロック２による基板Ｗの収納
ＩＤブロック２は、現像処理が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。基板Ｗを戻すキャリアＣは、処理前に（すなわち取り出す前に）基板Ｗが収納されていたキャリアＣである。
ＩＤブロック２は、現像処理が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。基板Ｗを戻すキャリアＣは、処理前に（すなわち取り出す前に）基板Ｗが収納されていたキャリアＣである。
具体的に説明する。オープナ１３（またはオープナ１４）には、キャリア搬送機構６１によって、２つのオープナ１１，１２の載置台１６または空キャリア棚７４から、空になったキャリアＣが搬送されている。オープナ１３，１４に対する基板Ｗの搬送は、第２基板搬送機構ＭＨＵ２によって行われる。
基板搬送機構ＭＨＵ２は、第２処理ブロック５の処理層Ｂ１で現像処理された基板Ｗを、バッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１からオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。なお、処理層Ｂ２で基板Ｗが処理された場合は、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ２の戻り部ＲＴ２から２つのオープナ１３，１４の一方のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。また、処理層Ｂ３で基板Ｗが処理された場合は、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ３の戻り部ＲＴ３から２つのオープナ１３，１４の一方のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
基板搬送機構ＭＨＵ２は、オープナ１３のキャリアＣに全ての基板Ｗを収納した後、オープナ１４のキャリアＣに基板Ｗを収納する。そして、基板搬送機構ＭＨＵ２は、オープナ１４のキャリアＣに全ての基板Ｗを収納した後、再び、オープナ１３のキャリアＣに基板Ｗを収納する。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ２は、原則、キャリアＣ単位で、オープナ１３，１４の各キャリアＣに交互に基板Ｗを収納する。
キャリア搬送機構６１は、処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣを出力ポート７２または処理済基板キャリア棚７５に搬送する。また、キャリア搬送機構６１は、搬送したキャリアＣに代えて、２つのオープナ１１，１２の載置台１６または空キャリア棚７４から２つのオープナ１３，１４の一方の載置台１６に、空のキャリアＣを搬送する。外部搬送機構ＯＨＴは、処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣを、２つの出力ポート７２の一方から例えば他の装置に搬送する。
本実施例によれば、スループットの低下を抑制できる。例えばＩＤブロック、第１処理ブロックおよび第２処理ブロックがこの順番で配置されているとする。この場合、第２処理ブロックで処理された基板ＷをＩＤブロックに搬送するために、第１処理ブロックによる処理なしで、第１処理ブロックを通過させなければならない。しかしながら、本実施例によれば、第１処理ブロック３も第２処理ブロック５もＩＤブロック２に連結されている。そのため、第１処理ブロック３を介在させずに第２処理ブロック５からＩＤブロック２に基板Ｗを直接搬送できる。そのためスループットの低下を抑制できる。
また、基板バッファＢＦは２つの処理ブロック３，５の中間に配置されている。そのため、基板バッファＢＦを介して、第１処理ブロック３から第２処理ブロック５に基板Ｗを搬送することができる。この搬送は、ＩＤブロック２による基板搬送を用いずに行われるため、ＩＤブロック２による基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
また、第２処理ブロック５にＩＦブロック６が連結された構成において、スループットの低下を抑制することができる。具体的に説明する。図１３において、従来の基板処理装置は、ＩＤブロック２０２とＩＦブロック２０６との間で基板を搬送する。ＩＤブロック２０２からＩＦブロック２０６に基板を搬送する場合、塗布ブロック２０３は基板に塗布処理を行うが、現像ブロック２０５は基板に現像処理を行わない。また、ＩＦブロック２０６からＩＤブロック２０２に基板を搬送する場合、現像ブロック２０５は基板に現像処理を行うが、塗布ブロック２０３は基板に塗布処理を行わない。このように、塗布処理または現像処理を行わずに基板は処理ブロック内を搬送される。このことは、基板処理装置のスループットを低下させる原因になっている可能性がある。本実施例の発明は、具体的に、復路の塗布ブロック２０３内の基板搬送（図１３の符号ＴＲ）を省くことができる。
また、基板処理装置１は、ＩＤブロック２、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の少なくともいずれかの上に搭載され、キャリアＣを保管するためのキャリア保管棚６３と、ＩＤブロック２、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の少なくともいずれかの上に搭載され、載置台１６とキャリア保管棚６３との間でキャリアＣを搬送するキャリア搬送機構６１とを備えている。
キャリア保管棚６３およびキャリア搬送機構６１が、ＩＤブロック２および２つの処理ブロック３，５に対して水平方向に設けられると、その分で、基板処理装置１のフットプリントが大きくなる。この点、キャリア保管棚６３およびキャリア搬送機構６１が、ＩＤブロック２および２つの処理ブロック３，５の少なくともいずれかと平面視で重なるように配置される。そのため、基板処理装置１のフットプリントの増加を抑えることができる。
本実施例では、基板搬送機構ＭＨＵ１は、処理層Ａ１～Ａ３にキャリア単位で基板Ｗを振り分けたが、基板Ｗの振り分け方は、上記の方法に限定されない。例えば、第１キャリアＣから取り出した基板Ｗは、２つの処理層Ａ１，Ａ２が処理し、第２キャリアＣから取り出した基板Ｗは、処理層Ａ３が処理してもよい。また、第１キャリアＣから取り出した基板Ｗは、３つの処理層Ａ１～Ａ３が処理してもよい。この場合、ＩＤブロック２は、３つの処理層Ａ１～Ａ３が基板Ｗを受け取ることができる状態にする。
本実施例では、基板搬送機構ＭＨＵ１は、基板Ｗを１枚毎に搬送している。この点、複数（例えば３枚）の基板Ｗを同時に搬送してもよい。例えば、キャリアＣの下から１，２，３枚目の基板Ｗを同時に取り出すとする。処理層Ａ１～Ａ３が各々キャリア単位で基板処理を行う場合、例えば処理層Ａ１で１，２，３枚目の基板Ｗを処理するため、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１（図９参照）に、取り出した３枚の基板Ｗを同時に載置してもよい。これにより、第１基板搬送機構ＭＨＵ１の負担を低減できる。また、例えば、処理層Ａ１～Ａ３が分担して１つのキャリアＣ内の基板を処理する場合、３つの処理層Ａ１で１枚目、処理層Ａ２で２枚目、処理層Ａ３で３枚目の基板Ｗを各々処理するように、バッファ部ＢＵ１～ＢＵ３の送り部ＳＮ１～ＳＮ３に３枚の基板Ｗを１枚ずつ載置してもよい。これにより、第１基板搬送機構ＭＨＵ１の負担、および各処理層Ａ１～Ａ３の第３基板搬送機構ＭＨＵ３の負担を低減できる。
また、基板搬送機構ＭＨＵ１による基板搬送は、次のように行ってもよい。１回目の基板搬送において、キャリアＣの下から１，４，７枚目の基板Ｗを同時に取り出し、取り出した３枚の基板Ｗを処理層Ａ１が受け取れる状態にする。２回目の基板搬送において、キャリアＣの下から２，５，８枚目の基板Ｗを同時に取り出し、取り出した３枚の基板Ｗを処理層Ａ２が受け取れる状態にする。そして、３回目の基板搬送において、キャリアＣの下から３，６，９枚目の基板Ｗを同時に取り出し、取り出した３枚の基板Ｗを処理層Ａ３が受け取れる状態にする。これにより、第１基板搬送機構ＭＨＵ１の負担、各処理層Ａ１～Ａ３の第３基板搬送機構ＭＨＵ３の負担を低減できる。また、処理後の基板Ｗを露光装置ＥＸＰへ搬送する効率を向上させることができる。この理由を説明する。露光装置ＥＸＰは、キャリアＣ内の基板Ｗの収納位置により露光する順番がプログラムされている。そのため、基板処理装置１は、基板Ｗの収納位置の順番通りに露光装置ＥＸＰに基板Ｗを搬送する必要がある。基板処理装置１は、その内部で基板Ｗの収納位置の順番通りに効率良く処理及び搬送をする。これにより、露光装置ＥＸＰにも基板Ｗの収納位置の順番通りに効率良く基板Ｗを搬送できるので、スループットを向上させることができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。
実施例１では、ＩＦブロック６は、現像処理を行う第２処理ブロック５に連結されていた。この点、本実施例では、図１４に示すように、ＩＦブロック６は、塗布処理を行う第１処理ブロック３に連結させている。なお、ＩＦブロック６、第１処理ブロック３、ＩＤブロック２、第２処理ブロック５は、この順番で水平方向に直線状に連結されている。本実施例において、ＩＦブロック６および第１処理ブロック３は、第１処理装置に相当する。第２処理ブロック５は、第２処理装置に相当する。
＜基板処理装置１の動作＞
図１４を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。図１５は、実施例２に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
図１４を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。図１５は、実施例２に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
〔ステップＳ２１〕ＩＤブロック２による基板Ｗの取り出し
ＩＤブロック２は、オープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。取り出した基板Ｗは、基板搬送機構ＭＨＵ１によって、例えばバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１に搬送される。
ＩＤブロック２は、オープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。取り出した基板Ｗは、基板搬送機構ＭＨＵ１によって、例えばバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１に搬送される。
〔ステップＳ２２〕第１処理ブロック３による塗布処理
第１処理ブロック３の処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して塗布処理（第１処理）を行う。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、送り部ＳＮ１から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを例えば塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７（冷却部ＣＰも含む）に搬送する。その後、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布処理が行われた基板ＷをＩＦブロック６のバッファ部ＰＳＢＵ４に搬送する。
第１処理ブロック３の処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して塗布処理（第１処理）を行う。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、送り部ＳＮ１から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを例えば塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７（冷却部ＣＰも含む）に搬送する。その後、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布処理が行われた基板ＷをＩＦブロック６のバッファ部ＰＳＢＵ４に搬送する。
〔ステップＳ２３〕ＩＦブロック６による基板搬送
ＩＦブロック６は、処理層Ａ１により搬送された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦブロック６は、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦブロック６に搬入する。露光処理が行われた基板Ｗは、第１処理ブロック３に搬送するためにバッファ部ＰＳＢＵ４に搬送される。
ＩＦブロック６は、処理層Ａ１により搬送された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦブロック６は、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦブロック６に搬入する。露光処理が行われた基板Ｗは、第１処理ブロック３に搬送するためにバッファ部ＰＳＢＵ４に搬送される。
〔ステップＳ２４〕第１処理ブロック３による基板搬送
第１処理ブロック３の処理層Ａ１は、ＩＦブロック６から露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗを受け取り、受け取った基板ＷをＩＤブロック２に搬送する。具体的に説明する。処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＰＳＢＵ４から露光処理が行われた基板Ｗを受け取る。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗに対して塗布処理を行わずに、受け取った基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）に搬送する。
第１処理ブロック３の処理層Ａ１は、ＩＦブロック６から露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗを受け取り、受け取った基板ＷをＩＤブロック２に搬送する。具体的に説明する。処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＰＳＢＵ４から露光処理が行われた基板Ｗを受け取る。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗに対して塗布処理を行わずに、受け取った基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）に搬送する。
〔ステップＳ２５〕第２処理ブロック５による現像処理
第２処理ブロック５の処理層Ｂ１は、第１処理ブロック３の処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取り、受け取った基板Ｗに対して現像処理（第２処理）を行う。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに搬送された基板Ｗを、バッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）から受け取る。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを現像ユニットＤＥＶおよび所定の熱処理部３７に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、現像ユニットＤＥＶなどで現像処理が行われた基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１に搬送する。
第２処理ブロック５の処理層Ｂ１は、第１処理ブロック３の処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取り、受け取った基板Ｗに対して現像処理（第２処理）を行う。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに搬送された基板Ｗを、バッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）から受け取る。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを現像ユニットＤＥＶおよび所定の熱処理部３７に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、現像ユニットＤＥＶなどで現像処理が行われた基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１に搬送する。
〔ステップＳ２６〕ＩＤブロック２による基板Ｗの収納
ＩＤブロック２は、現像処理が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。
ＩＤブロック２は、現像処理が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。
本実施例によれば、第１処理ブロック３にＩＦブロック６が連結された構成において、スループットの低下を抑制することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。
実施例１では、基板処理装置１はＩＦブロック６を備えていた。この点、実施例３では、図１６に示すように、基板処理装置１は、ＩＦブロック６を備えていない（露光処理を行わない）。なお、本実施例において、第１処理ブロック３が本発明の第１処理装置に相当する。第２処理ブロック５は、本発明の第２処理装置に相当する。
＜基板処理装置１の動作＞
図１６を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。第１処理ブロック３の３つの処理層Ａ１～Ａ３は、図９に示す塗布ユニットＰＲに代えて、例えば、塗布ユニットＢＡＲＣを備えている。塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗに反射防止膜を形成するものである。すなわち、各処理層Ａ１～Ａ３は、基板Ｗに反射防止膜を形成する。また、各処理層Ｂ１～Ｂ３は、基板Ｗの反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成する。なお、図１７は、実施例３に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
図１６を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。第１処理ブロック３の３つの処理層Ａ１～Ａ３は、図９に示す塗布ユニットＰＲに代えて、例えば、塗布ユニットＢＡＲＣを備えている。塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗに反射防止膜を形成するものである。すなわち、各処理層Ａ１～Ａ３は、基板Ｗに反射防止膜を形成する。また、各処理層Ｂ１～Ｂ３は、基板Ｗの反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成する。なお、図１７は、実施例３に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
〔ステップＳ３１〕ＩＤブロック２による基板Ｗの取り出し
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えばオープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを例えばバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１に搬送する。これにより、処理層Ａ１が基板Ｗを受け取ることが可能な状態にする。
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えばオープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを例えばバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１に搬送する。これにより、処理層Ａ１が基板Ｗを受け取ることが可能な状態にする。
〔ステップＳ３２〕第１処理ブロック３による第１塗布処理
第１処理ブロック３の処理層Ａ１は、ＩＤブロック２がキャリアＣから取り出した基板Ｗを受け取る。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＢＡＲＣによって反射防止膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）に搬送する。
第１処理ブロック３の処理層Ａ１は、ＩＤブロック２がキャリアＣから取り出した基板Ｗを受け取る。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＢＡＲＣによって反射防止膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）に搬送する。
〔ステップＳ３３〕第２処理ブロック５による第２塗布処理
第２処理ブロック５の処理層Ｂ１は、第１処理ブロック３の処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取る。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに搬送された基板Ｗを、バッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）から受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、塗布ユニットＰＲによってフォトレジスト膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻し部ＲＴ１に搬送する。
第２処理ブロック５の処理層Ｂ１は、第１処理ブロック３の処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取る。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに搬送された基板Ｗを、バッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）から受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、塗布ユニットＰＲによってフォトレジスト膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻し部ＲＴ１に搬送する。
〔ステップＳ３４〕ＩＤブロック２による基板Ｗの収納
ＩＤブロック２は、第２処理ブロック５でレジスト塗布処理（第２処理）が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。すなわち、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１の戻し部ＲＴ１からオープナ１３のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
ＩＤブロック２は、第２処理ブロック５でレジスト塗布処理（第２処理）が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。すなわち、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１の戻し部ＲＴ１からオープナ１３のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
本実施例によれば、スループットの低下を抑制できる。例えばＩＤブロック、第１処理ブロックおよび第２処理ブロックがこの順番で配置されているとする。この場合、第２処理ブロックで処理された基板ＷをＩＤブロックに搬送するために、第１処理ブロックによる処理なしで、第１処理ブロックを通過させなければならない。しかしながら、本実施例によれば、第１処理ブロック３も第２処理ブロック５もＩＤブロック２に連結されている。そのため、第１処理ブロック３を介在させずに第２処理ブロック５からＩＤブロック２に基板Ｗを直接搬送できる。そのためスループットの低下を抑制できる。
また、基板バッファＢＦは２つの処理ブロック３，５の中間に配置されている。そのため、基板バッファＢＦを介して、第１処理ブロック３から第２処理ブロック５に基板Ｗを搬送することでできる。この搬送は、ＩＤブロック２による基板搬送を用いずに行われるため、ＩＤブロック２による基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
次に、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。なお、実施例１～３と重複する説明は省略する。
実施例１では、第１処理ブロック３の３つの処理層Ａ１～Ａ３は塗布処理を行い、第２処理ブロック５の３つの処理層Ｂ１～Ｂ３は現像処理を行っていた。すなわち、２つの処理ブロック３，５によって２種類の処理（第１処理および第２処理）を行っていた。この点、実施例４では、２つの処理ブロック３，５によって３種類の処理（第１処理～第３処理）を行っている。
図１８を参照する。第１処理ブロック３は、上下方向に積み重ねるように配置された３つの処理層Ａ１，Ａ２，Ｃ１を備えている。第２処理ブロック５は、上下方向に積み重ねるように配置された３つの処理層Ｂ１，Ｂ２，Ｃ２を備えている。処理層Ａ１は、処理層Ｂ１およびバッファ部ＢＵ１と同じ階層に配置されている。処理層Ａ２は、処理層Ｂ２およびバッファ部ＢＵ２と同じ階層に配置されている。処理層Ｃ１は、処理層Ｃ２およびバッファ部ＢＵ３と同じ階層に配置されている。本実施例において、バッファ部ＢＵ３は４つの送り部ＳＮ４～ＳＮ７を有する。各送り部ＳＮ４～ＳＮ７は、複数枚の基板Ｗを載置することが可能である。
２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は、例えば、基板Ｗに反射防止膜を形成する。２つの処理層Ａ１，Ａ２は、例えば、基板Ｗの反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成する。そして、２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は、例えば、基板Ｗに対して現像処理を行う。図１８において、第１処理ブロック３は、基板Ｗに対してフォトレジスト膜を形成する処理層Ａ１と、処理層Ａ１（１階）とは異なる階層（３階）で、基板Ｗに反射防止膜を形成する処理層Ｃ１と、を備えている。なお、ＩＦブロック６、第１処理ブロック３、ＩＤブロック２、第２処理ブロック５は、この順番で水平方向に直線状に連結されている。本実施例において、ＩＦブロック６および第１処理ブロック３は、第１処理装置に相当する。第２処理ブロック５は、第２処理装置に相当する。
＜基板処理装置１の動作＞
図１８を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。なお、図１９は、実施例４に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
図１８を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。なお、図１９は、実施例４に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
〔ステップＳ４１〕ＩＤブロック２による基板Ｗの取り出し
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えばオープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを例えばバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ４に搬送する。これにより、処理層Ｃ１が基板Ｗを受け取ることが可能な状態になる。なお、基板搬送機構ＭＨＵ１が基板Ｗをバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ５に搬送することで、処理層Ｃ２が基板Ｗを受け取ることが可能な状態になる。
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えばオープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを例えばバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ４に搬送する。これにより、処理層Ｃ１が基板Ｗを受け取ることが可能な状態になる。なお、基板搬送機構ＭＨＵ１が基板Ｗをバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ５に搬送することで、処理層Ｃ２が基板Ｗを受け取ることが可能な状態になる。
〔ステップＳ４２〕処理層Ｃ１（Ｃ２）による第１塗布処理
処理層Ｃ１は、ＩＤブロック２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して反射防止膜を形成する処理（第３処理）を行う。すなわち、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ４から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＢＡＲＣによって反射防止膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ６に搬送する。送り部ＳＮ６は、階層間の基板搬送に用いられる。なお、処理層Ｃ２は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ５から基板Ｗを受け取る。処理層Ｃ２は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ｃ２は、反射防止膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ７に搬送する。
処理層Ｃ１は、ＩＤブロック２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して反射防止膜を形成する処理（第３処理）を行う。すなわち、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ４から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＢＡＲＣによって反射防止膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ６に搬送する。送り部ＳＮ６は、階層間の基板搬送に用いられる。なお、処理層Ｃ２は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ５から基板Ｗを受け取る。処理層Ｃ２は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ｃ２は、反射防止膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ７に搬送する。
〔ステップＳ４３〕ＩＤブロック２による２つのバッファ部間の基板搬送
ＩＤブロック２は、反射防止膜が形成された基板Ｗを処理層Ａ１の階層（１階）に移動させる。すなわち、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ６からバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１に基板Ｗを搬送する。これにより、処理層Ａ１が基板Ｗを受け取ることができる状態になる。なお、基板Ｗを処理層Ｃ２で処理した場合は、基板Ｗは、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ７からバッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２に搬送される。これにより、処理層Ａ２が基板を受け取ることができる状態になる。
ＩＤブロック２は、反射防止膜が形成された基板Ｗを処理層Ａ１の階層（１階）に移動させる。すなわち、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ６からバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１に基板Ｗを搬送する。これにより、処理層Ａ１が基板Ｗを受け取ることができる状態になる。なお、基板Ｗを処理層Ｃ２で処理した場合は、基板Ｗは、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ７からバッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２に搬送される。これにより、処理層Ａ２が基板を受け取ることができる状態になる。
〔ステップＳ４４〕処理層Ａ１（Ａ２）による第２塗布処理
処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から反射防止膜が形成された基板Ｗを受け取る。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＰＲによってフォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＦブロック６のバッファ部ＰＳＢＵ４に搬送する。なお、処理層Ａ２は、バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２から基板Ｗを受け取る。処理層Ａ２は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ａ２は、フォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＦブロック６のバッファ部ＰＳＢＵ５に搬送する。
処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から反射防止膜が形成された基板Ｗを受け取る。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＰＲによってフォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＦブロック６のバッファ部ＰＳＢＵ４に搬送する。なお、処理層Ａ２は、バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２から基板Ｗを受け取る。処理層Ａ２は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ａ２は、フォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＦブロック６のバッファ部ＰＳＢＵ５に搬送する。
〔ステップＳ４５〕ＩＦブロック６による基板搬送
ＩＦブロック６は、処理層Ａ１（Ａ２）により搬送された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦブロック６は、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦブロック６に搬入する。露光処理が行われた基板Ｗは、処理層Ａ１に搬送するためにバッファ部ＰＳＢＵ４に搬送される。また、露光処理が行われた基板Ｗは、処理層Ａ２に搬送するためにバッファ部ＰＳＢＵ５に搬送される。なお、処理層Ａ１から搬送された基板Ｗは、処理層Ａ１に戻される。処理層Ａ２から搬送された基板Ｗは、処理層Ａ２に戻される。
ＩＦブロック６は、処理層Ａ１（Ａ２）により搬送された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦブロック６は、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦブロック６に搬入する。露光処理が行われた基板Ｗは、処理層Ａ１に搬送するためにバッファ部ＰＳＢＵ４に搬送される。また、露光処理が行われた基板Ｗは、処理層Ａ２に搬送するためにバッファ部ＰＳＢＵ５に搬送される。なお、処理層Ａ１から搬送された基板Ｗは、処理層Ａ１に戻される。処理層Ａ２から搬送された基板Ｗは、処理層Ａ２に戻される。
〔ステップＳ４６〕処理層Ａ１（Ａ２）による基板搬送
処理層Ａ１は、ＩＦブロック６から露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗを受け取り、受け取った基板ＷをＩＤブロック２に搬送する。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＰＳＢＵ４から露光処理が行われた基板Ｗを受け取る。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗに対して塗布処理を行わずに、受け取った基板Ｗを最終的にバッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）に搬送する。なお、処理層Ａ２は、バッファ部ＰＳＢＵ５から露光処理が行われた基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを最終的にバッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置に搬送する。
処理層Ａ１は、ＩＦブロック６から露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗを受け取り、受け取った基板ＷをＩＤブロック２に搬送する。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＰＳＢＵ４から露光処理が行われた基板Ｗを受け取る。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗに対して塗布処理を行わずに、受け取った基板Ｗを最終的にバッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）に搬送する。なお、処理層Ａ２は、バッファ部ＰＳＢＵ５から露光処理が行われた基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを最終的にバッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置に搬送する。
〔ステップＳ４７〕処理層Ｂ１（Ｂ２）による現像処理
処理層Ｂ１は、処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取る。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）から受け取る。なお、処理層Ａ１から処理層Ｂ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを現像ユニットＤＥＶおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、現像ユニットＤＥＶで現像処理が行われた基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１に搬送する。なお、処理層Ｂ２は、バッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置から受け取る。処理層Ｂ２は、受け取った基板Ｗを現像ユニットＤＥＶおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ｂ２は、現像処理が行われた基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ２の戻り部ＲＴ２に搬送する。
処理層Ｂ１は、処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取る。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）から受け取る。なお、処理層Ａ１から処理層Ｂ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを現像ユニットＤＥＶおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、現像ユニットＤＥＶで現像処理が行われた基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１に搬送する。なお、処理層Ｂ２は、バッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置から受け取る。処理層Ｂ２は、受け取った基板Ｗを現像ユニットＤＥＶおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ｂ２は、現像処理が行われた基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ２の戻り部ＲＴ２に搬送する。
〔ステップＳ４８〕ＩＤブロック２による基板Ｗの収納
ＩＤブロック２は、現像処理が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１（ＢＵ２）の戻り部ＲＴ１（ＲＴ２）から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。
ＩＤブロック２は、現像処理が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１（ＢＵ２）の戻り部ＲＴ１（ＲＴ２）から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。
この動作説明では、処理層Ｃ１に基板Ｗを搬送した場合、処理層Ｃ１、処理層Ａ１、処理層Ｂ１の順番で処理が行われる。また、処理層Ｃ２に基板Ｗを搬送した場合、処理層Ｃ２，処理層Ａ２、処理層Ｂ２の順番に処理が行われる。なお、処理層Ｃ１、処理層Ａ２、処理層Ｂ２の順番に処理してもよい。また、処理層Ｃ２、処理層Ａ１、処理層Ｂ１の順番に処理してもよい。
本実施例によれば、第１処理ブロック３（処理層Ａ１、処理層Ｃ１）も第２処理ブロック５（処理層Ｂ１）もＩＤブロック２に連結されるので、スループットの低下を抑制することができる。また、基板バッファＢＦは例えば処理層Ａ１と処理層Ｂ１の中間に配置されている。そのため、基板バッファＢＦを介して、処理層Ａ１から処理層Ｂ１に基板Ｗを搬送することでできる。この搬送は、ＩＤブロック２による基板搬送を用いずに行われるため、ＩＤブロック２による基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
次に、図面を参照して本発明の実施例５を説明する。なお、実施例１～４と重複する説明は省略する。
実施例４では、基板処理装置１は、ＩＦブロック６を備えていた。この点、実施例５では、図２０に示すように、基板処理装置１は、ＩＦブロック６を備えていない。
＜基板処理装置１の動作＞
図２０を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。本実施例の基板処理装置１は、例えば３層の膜を形成する。２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は、下層膜（例えばＳＯＣ（Spin On Carbon）膜）を形成する。２つの処理層Ａ１，Ａ２は、中間膜（例えばＳＯＧ（Spin On Glass）膜）を形成する。そして、２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は、フォトレジスト膜を形成する。なお、図２１は、実施例５に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
図２０を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。本実施例の基板処理装置１は、例えば３層の膜を形成する。２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は、下層膜（例えばＳＯＣ（Spin On Carbon）膜）を形成する。２つの処理層Ａ１，Ａ２は、中間膜（例えばＳＯＧ（Spin On Glass）膜）を形成する。そして、２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は、フォトレジスト膜を形成する。なお、図２１は、実施例５に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
〔ステップＳ５１〕ＩＤブロック２による基板Ｗの取り出し
ステップ５１は、ステップＳ４１と同様に動作される。このステップを簡単に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えばオープナ１１のキャリアＣから基板Ｗを取り出す。その後、基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを例えばバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ４に搬送する。
ステップ５１は、ステップＳ４１と同様に動作される。このステップを簡単に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えばオープナ１１のキャリアＣから基板Ｗを取り出す。その後、基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを例えばバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ４に搬送する。
〔ステップＳ５２〕処理層Ｃ１（Ｃ２）による第１塗布処理
処理層Ｃ１は、ＩＤブロック３から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して下層膜を形成する処理（第３処理）を行う。すなわち、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ４から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＳＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＳＣによって下層膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ６に搬送する。
処理層Ｃ１は、ＩＤブロック３から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して下層膜を形成する処理（第３処理）を行う。すなわち、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ４から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＳＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＳＣによって下層膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ６に搬送する。
〔ステップＳ５３〕ＩＤブロック２による２つのバッファ部間の基板搬送
ステップ５３は、ステップＳ４３と同様に動作される。このステップを簡単に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ６からバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１に基板Ｗを搬送する。
ステップ５３は、ステップＳ４３と同様に動作される。このステップを簡単に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ６からバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１に基板Ｗを搬送する。
〔ステップＳ５４〕処理層Ａ１（Ａ２）による第２塗布処理
処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から下層膜が形成された基板Ｗを受け取る。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＳＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＳＣによって中間膜が形成された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）に搬送する。
処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から下層膜が形成された基板Ｗを受け取る。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＳＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＳＣによって中間膜が形成された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）に搬送する。
〔ステップＳ５５〕処理層Ｂ１（Ｂ２）による第３塗布処理
処理層Ｂ１は、処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取る。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）から受け取る。なお、処理層Ａ１から処理層Ｂ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＳＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、塗布ユニットＳＣでフォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１に搬送する。
処理層Ｂ１は、処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取る。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ１の渡し部ＰＳ１の所定位置（例えば基板載置部３１Ａ）から受け取る。なお、処理層Ａ１から処理層Ｂ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＳＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、塗布ユニットＳＣでフォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１に搬送する。
〔ステップＳ５６〕ＩＤブロック２による基板Ｗの収納
ステップＳ５６は、ステップＳ４８と同様に動作される。このステップを簡単に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。
ステップＳ５６は、ステップＳ４８と同様に動作される。このステップを簡単に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ１から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。
この動作説明においても、処理層Ｃ１に基板Ｗを搬送した場合、処理層Ｃ１、処理層Ａ１、処理層Ｂ１の順番で処理が行われる。また、処理層Ｃ２に基板Ｗを搬送した場合、処理層Ｃ２，処理層Ａ２、処理層Ｂ２の順番に処理が行われる。なお、処理層Ｃ１、処理層Ａ２、処理層Ｂ２の順番に処理してもよい。また、処理層Ｃ２、処理層Ａ１、処理層Ｂ１の順番に処理してもよい。
本実施例によれば、第１処理ブロック３（処理層Ａ１、処理層Ｃ１）も第２処理ブロック５（処理層Ｂ１）もＩＤブロック２に連結されるので、スループットの低下を抑制することができる。また、基板バッファＢＦは例えば処理層Ａ１と処理層Ｂ１の中間に配置されている。そのため、基板バッファＢＦを介して、処理層Ａ１から処理層Ｂ１に基板Ｗを搬送することでできる。この搬送は、ＩＤブロック２による基板搬送を用いずに行われるため、ＩＤブロック２による基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
次に、図面を参照して本発明の実施例６を説明する。なお、実施例１～５と重複する説明は省略する。
実施例４では、２つの処理ブロック３，５によって３種類の処理（第１処理～第３処理）を行っている。この際、例えば処理層Ｃ１は、処理層Ａ１，Ｂ１よりも前に処理を行っていた。この点、実施例６では、処理層Ｃ１は、処理層Ａ１，Ｂ１よりも後に処理を行っている。
図２２を参照する。第１処理ブロック３は、上下方向に積み重ねるように配置された３つの処理層Ｃ１，Ａ１，Ａ２を備えている。第２処理ブロック５は、上下方向に積み重ねるように配置された３つの処理層Ｃ２，Ｂ１，Ｂ２を備えている。処理層Ｃ１は、処理層Ｃ２およびバッファ部ＢＵ１と同じ階層に配置されている。処理層Ａ１は、処理層Ｂ１およびバッファ部ＢＵ２と同じ階層に配置されている。処理層Ａ２は、処理層Ｂ２およびバッファ部ＢＵ３と同じ階層に配置されている。本実施例において、バッファ部ＢＵ１は、２つの送り部ＳＮ９，ＳＮ１０および２つの戻り部ＲＴ４，ＲＴ５を備えている。バッファ部ＢＵ２は、２つの送り部ＳＮ２，ＳＮ１１および渡し部ＰＳ２を備えている。バッファ部ＢＵ３は、２つの送り部ＳＮ３，ＳＮ１２および渡し部ＰＳ３を備えている。各送り部ＳＮ９～ＳＮ１２および戻り部ＲＴ４，ＲＴ５等は、複数枚の基板Ｗを載置することが可能である。
２つの処理層Ａ１，Ａ２は、例えば、基板Ｗに反射防止膜を形成する。２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は、例えば、基板Ｗの反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成する。そして、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は、例えば、基板Ｗに対して現像処理を行う。図２２において、第２処理ブロック５は、基板Ｗに対してフォトレジスト膜を形成する処理層Ｂ２と、処理層Ｂ２（３階）とは異なる階層（１階）で、基板Ｗに対して現像処理を行う処理層Ｃ２と、を備えている。なお、第１処理ブロック３、ＩＤブロック２、第２処理ブロック５、ＩＦブロック６は、この順番で水平方向に直線状に連結されている。本実施例において、第１処理ブロック３は、第１処理装置に相当する。第２処理ブロック５およびＩＦブロック６は、第２処理装置に相当する。
＜基板処理装置１の動作＞
図２２を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。なお、図２３は、実施例６に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
図２２を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。なお、図２３は、実施例６に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
〔ステップＳ６１〕ＩＤブロック２による基板Ｗの取り出し
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えばオープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを例えばバッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２に搬送する。これにより、処理層Ａ１が基板Ｗを受け取ることが可能な状態になる。なお、基板搬送機構ＭＨＵ１が基板Ｗをバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ３に搬送することで、処理層Ａ２が基板Ｗを受け取ることが可能な状態になる。
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えばオープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを例えばバッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２に搬送する。これにより、処理層Ａ１が基板Ｗを受け取ることが可能な状態になる。なお、基板搬送機構ＭＨＵ１が基板Ｗをバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ３に搬送することで、処理層Ａ２が基板Ｗを受け取ることが可能な状態になる。
〔ステップＳ６２〕処理層Ａ１（Ａ２）による第１塗布処理
処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して反射防止膜を形成する処理（第１処理）を行う。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＢＡＲＣによって反射防止膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置に搬送する。なお、処理層Ａ２は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ３から基板Ｗを受け取る。処理層Ａ２は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ａ２は、反射防止膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ３の渡し部ＰＳ３の所定位置に搬送する。
処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して反射防止膜を形成する処理（第１処理）を行う。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＢＡＲＣによって反射防止膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置に搬送する。なお、処理層Ａ２は、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ３から基板Ｗを受け取る。処理層Ａ２は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ａ２は、反射防止膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ３の渡し部ＰＳ３の所定位置に搬送する。
〔ステップＳ６３〕処理層Ｂ１（Ｂ２）による第２塗布処理
処理層Ｂ１は、処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取る。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置から受け取る。なお、処理層Ａ１から処理層Ｂ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、塗布ユニットＰＲでフォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＦブロック６のバッファ部ＰＳＢＵ５に搬送する。なお、処理層Ｂ２は、バッファ部ＢＵ３の渡し部ＰＳ３の所定位置から受け取る。処理層Ｂ２は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ｂ２は、フォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＦブロック６のバッファ部ＰＳＢＵ６に搬送する。
処理層Ｂ１は、処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取る。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置から受け取る。なお、処理層Ａ１から処理層Ｂ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、塗布ユニットＰＲでフォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＦブロック６のバッファ部ＰＳＢＵ５に搬送する。なお、処理層Ｂ２は、バッファ部ＢＵ３の渡し部ＰＳ３の所定位置から受け取る。処理層Ｂ２は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ｂ２は、フォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＦブロック６のバッファ部ＰＳＢＵ６に搬送する。
〔ステップＳ６４〕ＩＦブロック６による基板搬送
ＩＦブロック６は、処理層Ｂ１（Ｂ２）により搬送された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦブロック６は、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦブロック６に搬入する。露光処理が行われた基板Ｗは、処理層Ｂ１に搬送するためにバッファ部ＰＳＢＵ５に搬送される。また、露光処理が行われた基板Ｗは、処理層Ｂ２に搬送するためにバッファ部ＰＳＢＵ６に搬送される。なお、処理層Ｂ１から搬送された基板Ｗは、処理層Ｂ１に戻される。処理層Ｂ２から搬送された基板Ｗは、処理層Ｂ２に戻される。
ＩＦブロック６は、処理層Ｂ１（Ｂ２）により搬送された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦブロック６は、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦブロック６に搬入する。露光処理が行われた基板Ｗは、処理層Ｂ１に搬送するためにバッファ部ＰＳＢＵ５に搬送される。また、露光処理が行われた基板Ｗは、処理層Ｂ２に搬送するためにバッファ部ＰＳＢＵ６に搬送される。なお、処理層Ｂ１から搬送された基板Ｗは、処理層Ｂ１に戻される。処理層Ｂ２から搬送された基板Ｗは、処理層Ｂ２に戻される。
〔ステップＳ６５〕処理層Ｂ１（Ｂ２）による基板搬送
処理層Ｂ１は、ＩＦブロック６から露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗを受け取り、受け取った基板ＷをＩＤブロック２に搬送する。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＰＳＢＵ５から露光処理が行われた基板Ｗを受け取る。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗに対して塗布処理を行わずに、受け取った基板Ｗを最終的にバッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ１１に搬送する。送り部ＳＮ１１（ＳＮ１２）は、階層間の基板搬送に用いられる。なお、処理層Ｂ２は、バッファ部ＰＳＢＵ６から露光処理が行われた基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを最終的にバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ１２に搬送する。
処理層Ｂ１は、ＩＦブロック６から露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗを受け取り、受け取った基板ＷをＩＤブロック２に搬送する。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＰＳＢＵ５から露光処理が行われた基板Ｗを受け取る。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗに対して塗布処理を行わずに、受け取った基板Ｗを最終的にバッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ１１に搬送する。送り部ＳＮ１１（ＳＮ１２）は、階層間の基板搬送に用いられる。なお、処理層Ｂ２は、バッファ部ＰＳＢＵ６から露光処理が行われた基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを最終的にバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ１２に搬送する。
〔ステップＳ６６〕ＩＤブロック２による２つのバッファ部間の基板搬送
ＩＤブロック２は、露光処理された基板Ｗを処理層Ｃ１の階層（１階）に移動させる。すなわち、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ１１からバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ９に基板Ｗを搬送する。これにより、処理層Ｃ１が基板Ｗを受け取ることができる状態になる。なお、基板Ｗを処理層Ａ２，Ｂ２で処理した場合は、基板Ｗは、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ１２からバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１０に搬送される。これにより、処理層Ｃ２が基板を受け取ることができる状態になる。
ＩＤブロック２は、露光処理された基板Ｗを処理層Ｃ１の階層（１階）に移動させる。すなわち、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ１１からバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ９に基板Ｗを搬送する。これにより、処理層Ｃ１が基板Ｗを受け取ることができる状態になる。なお、基板Ｗを処理層Ａ２，Ｂ２で処理した場合は、基板Ｗは、バッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ１２からバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１０に搬送される。これにより、処理層Ｃ２が基板を受け取ることができる状態になる。
〔ステップＳ６７〕処理層Ｃ１（Ｃ２）による現像処理
処理層Ｃ１は、ＩＤブロック２から露光処理された基板Ｗを受け取る。すなわち、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ９から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを現像ユニットＤＥＶおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、現像ユニットＤＥＶによって現像処理された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ４に搬送する。なお、処理層Ｃ２は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１０から基板Ｗを受け取る。処理層Ｃ２は、受け取った基板Ｗを現像ユニットＤＥＶおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ｃ２は、現像ユニットＤＥＶによって現像処理された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ５に搬送する。
処理層Ｃ１は、ＩＤブロック２から露光処理された基板Ｗを受け取る。すなわち、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ９から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを現像ユニットＤＥＶおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、現像ユニットＤＥＶによって現像処理された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ４に搬送する。なお、処理層Ｃ２は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ１０から基板Ｗを受け取る。処理層Ｃ２は、受け取った基板Ｗを現像ユニットＤＥＶおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、処理層Ｃ２は、現像ユニットＤＥＶによって現像処理された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ５に搬送する。
〔ステップＳ６８〕ＩＤブロック２による基板Ｗの収納
ＩＤブロック２は、現像処理が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ４（ＲＴ５）から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。
ＩＤブロック２は、現像処理が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ４（ＲＴ５）から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。
この動作説明では、処理層Ａ１、処理層Ｂ１、処理層Ｃ１の順番で処理が行われる。また、処理層Ａ２、処理層Ｂ２、処理層Ｃ２の順番で処理が行われる。なお、処理層Ａ１、処理層Ｂ１、処理層Ｃ２の順番で処理が行われてもよい。また、処理層Ａ２、処理層Ｂ２、処理層Ｃ１の順番で処理が行われてもよい。
本実施例によれば、第１処理ブロック３（処理層Ａ２）も第２処理ブロック５（処理層Ｂ２、処理層Ｃ２）もＩＤブロック２に連結されるので、スループットの低下を抑制することができる。また、基板バッファＢＦは例えば処理層Ａ２と処理層Ｂ２の中間に配置されている。そのため、基板バッファＢＦを介して、処理層Ａ２から処理層Ｂ２に基板Ｗを搬送することでできる。この搬送は、ＩＤブロック２による基板搬送を用いずに行われるため、ＩＤブロック２による基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
次に、図面を参照して本発明の実施例７を説明する。なお、実施例１～６と重複する説明は省略する。
実施例６では、基板処理装置１は、ＩＦブロック６を備えていた。この点、実施例７では、図２４に示すように、基板処理装置１は、ＩＦブロック６を備えていない。
＜基板処理装置１の動作＞
図２４を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。本実施例の基板処理装置１は、例えば３層の膜を形成する。２つの処理層Ａ１，Ａ２は、下層膜を形成する。２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は、中間膜を形成する。そして、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は、フォトレジスト膜を形成する。図２５は、実施例７に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
図２４を参照して、本実施例の基板処理装置１の動作について説明する。本実施例の基板処理装置１は、例えば３層の膜を形成する。２つの処理層Ａ１，Ａ２は、下層膜を形成する。２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は、中間膜を形成する。そして、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は、フォトレジスト膜を形成する。図２５は、実施例７に係る基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
〔ステップＳ７１〕ＩＤブロック２による基板Ｗの取り出し
ステップＳ７１は、ステップＳ６１と同様である。このステップを簡単に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えばオープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを例えばバッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２に搬送する。
ステップＳ７１は、ステップＳ６１と同様である。このステップを簡単に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えばオープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した基板Ｗを例えばバッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２に搬送する。
〔ステップＳ７２〕処理層Ａ１（Ａ２）による第１塗布処理
処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して下層膜を形成する処理（第１処理）を行う。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＳＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＳＣによって下層膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置に搬送する。なお、処理層Ａ２は、下層膜が形成された基板Ｗをバッファ部ＢＵ３の所定位置に搬送する。
処理層Ａ１は、ＩＤブロック２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗに対して下層膜を形成する処理（第１処理）を行う。すなわち、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ２から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＳＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、塗布ユニットＳＣによって下層膜が形成された基板Ｗを、ＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置に搬送する。なお、処理層Ａ２は、下層膜が形成された基板Ｗをバッファ部ＢＵ３の所定位置に搬送する。
〔ステップＳ７３〕処理層Ｂ１（Ｂ２）による第２塗布処理
処理層Ｂ１は、処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取る。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置から受け取る。なお、処理層Ａ１から処理層Ｂ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＳＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、塗布ユニットＳＣで中間膜が形成された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ１１に搬送する。なお、処理層Ｂ２は、バッファ部ＢＵ３の渡し部ＰＳ３の所定位置から受け取る。その後、処理層Ｂ２は、中間膜が形成された基板Ｗをバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ１２に搬送する。
処理層Ｂ１は、処理層Ａ１がＩＤブロック２に搬送した基板ＷをＩＤブロック２から受け取る。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ２の渡し部ＰＳ２の所定位置から受け取る。なお、処理層Ａ１から処理層Ｂ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。基板搬送機構ＭＨＵ４は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＳＣおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ４は、塗布ユニットＳＣで中間膜が形成された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ１１に搬送する。なお、処理層Ｂ２は、バッファ部ＢＵ３の渡し部ＰＳ３の所定位置から受け取る。その後、処理層Ｂ２は、中間膜が形成された基板Ｗをバッファ部ＢＵ３の送り部ＳＮ１２に搬送する。
〔ステップＳ７４〕ＩＤブロック２による２つのバッファ部間の基板搬送
ステップＳ７４は、ステップＳ６６と同様である。このステップを簡単に説明する。ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ１１からバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ９に基板Ｗを搬送する。
ステップＳ７４は、ステップＳ６６と同様である。このステップを簡単に説明する。ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ２の送り部ＳＮ１１からバッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ９に基板Ｗを搬送する。
〔ステップＳ７５〕処理層Ｃ１（Ｃ２）による第３塗布処理
処理層Ｃ１は、ＩＤブロック２から中間膜が形成された基板Ｗを受け取る。すなわち、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ９から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、フォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ４に搬送する。なお、処理層Ｃ２は、送り部ＳＮ１０から基板Ｗを受け取る。その後、処理層Ｃ２は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗをバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ５に搬送する。
処理層Ｃ１は、ＩＤブロック２から中間膜が形成された基板Ｗを受け取る。すなわち、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１の送り部ＳＮ９から基板Ｗを受け取る。基板搬送機構ＭＨＵ３は、受け取った基板Ｗを塗布ユニットＰＲおよび所定の熱処理部３７に順番に搬送する。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、フォトレジスト膜が形成された基板ＷをＩＤブロック２のバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ４に搬送する。なお、処理層Ｃ２は、送り部ＳＮ１０から基板Ｗを受け取る。その後、処理層Ｃ２は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗをバッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ５に搬送する。
〔ステップＳ７６〕ＩＤブロック２による基板Ｗの収納
ＩＤブロック２は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ４（ＲＴ５）から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。
ＩＤブロック２は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗを基板バッファＢＦから例えばオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに戻す。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１の戻り部ＲＴ４（ＲＴ５）から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。
この動作説明では、処理層Ａ１、処理層Ｂ１、処理層Ｃ１の順番で処理が行われる。また、処理層Ａ２、処理層Ｂ２、処理層Ｃ２の順番で処理が行われる。なお、処理層Ａ１、処理層Ｂ１、処理層Ｃ２の順番で処理が行われてもよい。また、処理層Ａ２、処理層Ｂ２、処理層Ｃ１の順番で処理が行われてもよい。
本実施例によれば、第１処理ブロック３（処理層Ａ２）も第２処理ブロック５（処理層Ｂ２、処理層Ｃ２）もＩＤブロック２に連結されるので、スループットの低下を抑制することができる。また、基板バッファＢＦは例えば処理層Ａ２と処理層Ｂ２の中間に配置されている。そのため、基板バッファＢＦを介して、処理層Ａ２から処理層Ｂ２に基板Ｗを搬送することでできる。この搬送は、ＩＤブロック２による基板搬送を用いずに行われるため、ＩＤブロック２による基板搬送の負担を軽減することができる。そのため、スループットの向上が図れる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した各実施例では、各処理ブロック３，５は、上下方向に配置された３つの処理層（例えば符号Ａ１～Ａ３）を有していた。この点、各処理ブロック３，５は、単一の処理層を有していてもよい。また、各処理ブロック３，５は、上下方向に配置される２つの処理層を有していてもよい。また、各処理ブロック３，５は、上下方向に配置される４つ以上の処理層を有していてもよい。
（２）上述した実施例４，５では、図１８，図２０に示す２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は３階に配置された。この点、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は１階または２階に配置されてもよい。また、上述した実施例６，７では、図２２，図２４に示す２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は１階に配置された。この点、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は２階または３階に配置されてもよい。
（３）上述した各実施例および各変形例では、図２のように、２つの処理ブロック３，５の中間に１つの基板バッファＢＦが配置されていた。すなわち、基板バッファＢＦは、２つの処理ブロック３，５の中間の１箇所に配置されていた。この点、図２６に示すように、第１処理ブロックとＩＤブロック２との間には第１基板バッファＢＦ１が設けられていてもよい。また、ＩＤブロック２と第２処理ブロック５との間には第２基板バッファＢＦ２が設けられていてもよい。
（４）上述した各実施例および各変形例において、ＩＤブロック２内に、冷却部ＣＰおよび検査部ＬＳＣＭ２（少なくとも検査部ＬＳＣＭ）が設けられていてもよい。冷却部ＣＰ、検査部ＬＳＣＭ２は、図３の矢印ＡＲＲ１，ＡＲＲ２で示される少なくとも一方の位置に配置される。また、冷却部ＣＰ、検査部ＬＳＣＭ２は、例えば図１の３つの処理層Ａ１～Ａ３の階層ごとに設けられる。検査部ＬＳＣＭは、ＣＣＤカメラまたはイメージセンサを用いて塗布膜（例えばフォトレジスト膜）を検査する。例えば、第２処理ブロック５において、現像処理および、現像処理後のベーク処理が行われた基板Ｗを、ＩＤブロック２内の冷却部ＣＰ、検査部ＬＳＣＭ２に搬送し、検査後にキャリアＣに戻すようにしてもよい。
（５）上述した各実施例および各変形例では、ＩＤブロック２には、４つのオープナ１１～１４が設けられていたが、オープナは４つに限定されない。例えば、ＩＤブロック２には、２つのオープナ１１，１３のみが設けられていてもよい。この場合、オープナ１１は基板Ｗを取り出すために用いられ、オープナ１３は基板Ｗを収納するために用いられる。
１ … 基板処理装置
２ … インデクサブロック（ＩＤブロック）
３ … 第１処理ブロック
５ … 第２処理ブロック
８ … キャリアバッファ装置
９ … 制御部
１６ … 載置台
Ｃ … キャリア
Ｗ … 基板
２１ … ハンド
ＢＦ … 基板バッファ
ＢＵ１，ＢＵ２，ＢＵ３ … バッファ部
ＭＨＵ１～ＭＨＵ４ … 基板搬送機構
４１ … ハンド
６１ … キャリア搬送機構
６３ … キャリア保管棚
２ … インデクサブロック（ＩＤブロック）
３ … 第１処理ブロック
５ … 第２処理ブロック
８ … キャリアバッファ装置
９ … 制御部
１６ … 載置台
Ｃ … キャリア
Ｗ … 基板
２１ … ハンド
ＢＦ … 基板バッファ
ＢＵ１，ＢＵ２，ＢＵ３ … バッファ部
ＭＨＵ１～ＭＨＵ４ … 基板搬送機構
４１ … ハンド
６１ … キャリア搬送機構
６３ … キャリア保管棚
Claims (11)
- 基板を収納することが可能なキャリアを載置するためのキャリア載置台が設けられたインデクサブロックと、
第１処理装置と、
第２処理装置と、を備え、
前記第１処理装置、前記インデクサブロックおよび前記第２処理装置は、この順番で水平方向に直線状に連結されており、
前記インデクサブロックは、前記第１処理装置と前記第２処理装置の中間に配置され、複数の基板を載置する基板バッファを内部に備え、
前記基板バッファは、上下方向に配置された複数の基板載置部を有し、
前記複数の基板載置部は各々、前記基板を載置することができるように構成されており、
前記第１処理装置は、第１基板搬送機構を備え、
前記第２処理装置は、第２基板搬送機構を備え、
前記インデクサブロックは、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送し、
前記第１処理装置は、前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第１処理装置で処理が行われた基板を前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記第２処理装置は、前記第２基板搬送機構により前記第１処理装置が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第２処理装置で処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記インデクサブロックは、前記第２処理装置で処理が行われた基板を前記複数の基板載置部から前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１処理装置は、基板に対して第１処理を行う第１処理ブロックを備え、
前記第２処理装置は、基板に対して第２処理を行う第２処理ブロックを備え、
前記第１処理ブロック、前記インデクサブロックおよび前記第２処理ブロックは、この順番で水平方向に直線状に連結されており、
前記第１処理ブロックは、前記第１基板搬送機構を備え、
前記第２処理ブロックは、前記第２基板搬送機構を備え、
前記インデクサブロックは、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送し、
前記第１処理ブロックは、前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記第２処理ブロックは、前記第２基板搬送機構により前記第１処理ブロックが前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記インデクサブロックは、前記第２処理が行われた基板を前記複数の基板載置部から前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項２に記載の基板処理システムにおいて、
前記インデクサブロックは、更に、インデクサ用基板搬送機構を内部に備え、
前記インデクサ用基板搬送機構は、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送し、
前記インデクサ用基板搬送機構は、前記複数の基板載置部から前記第２処理が行われた基板を受け取り、受け取った基板を前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記第２処理装置は、前記インデクサブロックに連結され、基板に対して第２処理を行う第２処理ブロックと、前記第２処理ブロックに連結され、外部装置に対して基板の搬出および搬入を行うインターフェースブロックとを備え、
前記第２処理ブロックは、前記第２基板搬送機構を備え、
前記第２処理ブロックは、前記第２基板搬送機構により前記第１処理装置が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板を前記第２基板搬送機構により前記インターフェースブロックに搬送し、
前記インターフェースブロックは、前記第２処理ブロックにより搬送された基板を前記外部装置に搬出し、また、前記外部装置で処理された基板を搬入し、
前記第２処理ブロックは、前記第２基板搬送機構により前記インターフェースブロックから前記外部装置で処理された基板を受け取り、受け取った基板に対して第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１処理装置は、前記インデクサブロックに連結され、基板に対して第１処理を行う第１処理ブロックと、前記第１処理ブロックに連結され、外部装置に対して基板の搬出および搬入を行うインターフェースブロックとを備え、
前記第１処理ブロックは、前記第１基板搬送機構を備え、
前記第１処理ブロックは、前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第１基板搬送機構により前記インターフェースブロックに搬送し、
前記インターフェースブロックは、前記第１処理ブロックにより搬送された基板を前記外部装置に搬出し、また、前記外部装置で処理された基板を搬入し、
前記第１処理ブロックは、前記第１基板搬送機構により前記インターフェースブロックから前記外部装置で処理された基板を受け取り、受け取った基板を前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１処理装置は、基板に対して第１処理を行う第１処理層と、前記第１処理層とは異なる階層で第３処理を行う第３処理層とを備え、
前記第１処理層は、前記第１基板搬送機構を備え、
前記第３処理層は、第３基板搬送機構を備え、
前記インデクサブロックは、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送して前記第３処理層が基板を受け取ることができる状態にし、
前記第３処理層は、前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して第３処理を行い、前記第３処理が行われた基板を前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記インデクサブロックは、前記複数の基板載置部において前記第３処理が行われた基板を前記第３処理層の階層から前記第１処理層の階層に移動させることで、前記第１処理層が基板を受け取ることができる状態にし、
前記第１処理層は、前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部から前記第３処理が行われた基板を受け取り、受け取った基板に対して第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記第２処理装置は、前記第２基板搬送機構により前記第１処理層が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第２処理装置で処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記第２処理装置は、基板に対して第２処理を行う第２処理層と、前記第２処理層とは異なる階層で第３処理を行う第３処理層とを備え、
前記第２処理層は、前記第２基板搬送機構を備え、
前記第３処理層は、第３基板搬送機構を備え、
前記第２処理層は、前記第２基板搬送機構により前記第１処理装置が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記インデクサブロックは、前記複数の基板載置部において前記第２処理が行われた基板を前記第２処理層の階層から前記第３処理層の階層に移動させることで、前記第３処理層が基板を受け取ることができる状態にし、
前記第３処理層は、前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部から前記第２処理が行われた基板を受け取り、受け取った基板に対して第３処理を行い、前記第３処理が行われた基板を前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記インデクサブロックは、前記第３処理層で処理が行われた基板を前記複数の基板載置部から前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１処理装置は、前記インデクサブロックに連結される第１処理ブロックと、前記第１処理ブロックに連結され、外部装置に対して基板の搬出および搬入を行うインターフェースブロックとを備え、
前記第１処理ブロックは、基板に対して第１処理を行う第１処理層と、前記第１処理層とは異なる階層で第３処理を行う第３処理層とを備え、
前記第１処理層は、前記第１基板搬送機構を備え、
前記第３処理層は、第３基板搬送機構を備え、
前記インデクサブロックは、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送して前記第３処理層が基板を受け取ることができる状態にし、
前記第３処理層は、前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して第３処理を行い、前記第３処理が行われた基板を前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記インデクサブロックは、前記複数の基板載置部において前記第３処理が行われた基板を前記第３処理層の階層から前記第１処理層の階層に移動させることで、前記第１処理層が基板を受け取ることができる状態にし、
前記第１処理層は、前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部から前記第３処理が行われた基板を受け取り、受け取った基板に対して第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第１基板搬送機構により前記インターフェースブロックに搬送し、
前記インターフェースブロックは、前記第１処理層により搬送された基板を前記外部装置に搬出し、また、前記外部装置で処理された基板を搬入し、
前記第１処理層は、前記第１基板搬送機構により前記インターフェースブロックから前記外部装置で処理された基板を受け取り、受け取った基板を前記第１基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記第２処理装置は、前記第２基板搬送機構により前記第１処理層が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第２処理装置で処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記第２処理装置は、前記インデクサブロックに連結される第２処理ブロックと、前記第２処理ブロックに連結され、外部装置に対して基板の搬出および搬入を行うインターフェースブロックとを備え、
前記第２処理ブロックは、基板に対して第２処理を行う第２処理層と、前記第２処理層とは異なる階層で第３処理を行う第３処理層とを備え、
前記第２処理層は、前記第２基板搬送機構を備え、
前記第３処理層は、第３基板搬送機構を備え、
前記第２処理層は、前記第２基板搬送機構により前記第１処理装置が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２基板搬送機構により前記インターフェースブロックに搬送し、
前記インターフェースブロックは、前記第２処理層により搬送された基板を前記外部装置に搬出し、また、前記外部装置で処理された基板を搬入し、
前記第２処理層は、前記第２基板搬送機構により前記インターフェースブロックから前記外部装置で処理された基板を受け取り、受け取った基板を前記第２基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記インデクサブロックは、前記複数の基板載置部において前記第２処理が行われた基板を前記第２処理層の階層から前記第３処理層の階層に移動させることで、前記第３処理層が基板を受け取ることができる状態にし、
前記第３処理層は、前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部から前記第２処理が行われた基板を受け取り、受け取った基板に対して第３処理を行い、前記第３処理が行われた基板を前記第３基板搬送機構により前記複数の基板載置部に搬送し、
前記インデクサブロックは、前記第３処理層で処理が行われた基板を前記複数の基板載置部から前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１から９のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記インデクサブロック、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくともいずれかの上に搭載され、前記キャリアを保管するためのキャリア保管棚と、
前記インデクサブロック、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくともいずれかの上に搭載され、前記キャリア載置台と前記キャリア保管棚との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送機構と、
を更に備えていることを特徴とする基板処理システム。 - 基板を収納することが可能なキャリアを載置するためのキャリア載置台が設けられたインデクサブロックと、
第１基板搬送機構を有する第１処理装置と、
第２基板搬送機構を有する第２処理装置と、を備えた基板処理装置の基板搬送方法において、
前記第１処理装置、前記インデクサブロックおよび前記第２処理装置は、この順番で水平方向に直線状に連結されており、
前記インデクサブロックは、前記第１処理装置と前記第２処理装置の中間に配置され、複数の基板を載置する基板バッファを内部に備え、
前記基板バッファは、上下方向に配置された複数の基板載置部を有し、
前記複数の基板載置部は各々、前記基板を載置することができるように構成されており、
前記インデクサブロックによって、前記キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出し、取り出した基板を前記基板バッファの前記複数の基板載置部に搬送する工程と、
前記第１処理装置によって、前記第１基板搬送機構を用いて前記複数の基板載置部から基板を受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第１処理装置で処理が行われた基板を、前記第１基板搬送機構を用いて前記複数の基板載置部に搬送する工程と、
前記第２処理装置によって、前記第２基板搬送機構を用いて前記第１処理装置が前記複数の基板載置部に搬送した基板を前記複数の基板載置部から受け取り、受け取った基板に対して所定の処理を行い、前記第２処理装置で処理が行われた基板を、前記第２基板搬送機構を用いて前記複数の基板載置部に搬送する工程と、
前記インデクサブロックによって、前記第２処理装置で処理が行われた基板を前記複数の基板載置部から前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻す工程と、
を備えていることを特徴とする基板処理システムの基板搬送方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019133794A JP7387316B2 (ja) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 基板処理システムおよび基板搬送方法 |
| CN202010620424.3A CN112242319A (zh) | 2019-07-19 | 2020-07-01 | 衬底处理系统及衬底搬送方法 |
| TW109124024A TWI774021B (zh) | 2019-07-19 | 2020-07-16 | 基板處理系統及基板搬送方法 |
| US16/931,515 US12014940B2 (en) | 2019-07-19 | 2020-07-17 | Substrate treating system and substrate transporting method |
| KR1020200088878A KR102547699B1 (ko) | 2019-07-19 | 2020-07-17 | 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019133794A JP7387316B2 (ja) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 基板処理システムおよび基板搬送方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021019086A JP2021019086A (ja) | 2021-02-15 |
| JP7387316B2 true JP7387316B2 (ja) | 2023-11-28 |
Family
ID=74170505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019133794A Active JP7387316B2 (ja) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 基板処理システムおよび基板搬送方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12014940B2 (ja) |
| JP (1) | JP7387316B2 (ja) |
| KR (1) | KR102547699B1 (ja) |
| CN (1) | CN112242319A (ja) |
| TW (1) | TWI774021B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7300935B2 (ja) * | 2019-09-02 | 2023-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008263004A (ja) | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Rorze Corp | コンテナの受渡、留置、並びに供給装置。 |
| JP2009283980A (ja) | 2009-08-27 | 2009-12-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5697748A (en) | 1993-07-15 | 1997-12-16 | Applied Materials, Inc. | Wafer tray and ceramic blade for semiconductor processing apparatus |
| JP3069945B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2000-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US6790286B2 (en) * | 2001-01-18 | 2004-09-14 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2007173695A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Sokudo:Kk | 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置 |
| KR101019212B1 (ko) * | 2008-08-21 | 2011-03-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 및 방법 |
| JP5318005B2 (ja) | 2010-03-10 | 2013-10-16 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法 |
| JP2012080077A (ja) | 2010-09-06 | 2012-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP6239813B2 (ja) | 2012-07-18 | 2017-11-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP6093328B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP6425639B2 (ja) | 2015-04-08 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
| JP6723110B2 (ja) * | 2016-08-18 | 2020-07-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP6887265B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-06-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP7181081B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2022-11-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板搬送方法 |
-
2019
- 2019-07-19 JP JP2019133794A patent/JP7387316B2/ja active Active
-
2020
- 2020-07-01 CN CN202010620424.3A patent/CN112242319A/zh active Pending
- 2020-07-16 TW TW109124024A patent/TWI774021B/zh active
- 2020-07-17 US US16/931,515 patent/US12014940B2/en active Active
- 2020-07-17 KR KR1020200088878A patent/KR102547699B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008263004A (ja) | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Rorze Corp | コンテナの受渡、留置、並びに供給装置。 |
| JP2009283980A (ja) | 2009-08-27 | 2009-12-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US12014940B2 (en) | 2024-06-18 |
| TWI774021B (zh) | 2022-08-11 |
| US20210020473A1 (en) | 2021-01-21 |
| KR102547699B1 (ko) | 2023-06-26 |
| CN112242319A (zh) | 2021-01-19 |
| TW202109718A (zh) | 2021-03-01 |
| JP2021019086A (ja) | 2021-02-15 |
| KR20210010401A (ko) | 2021-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7181081B2 (ja) | 基板処理装置および基板搬送方法 | |
| TWI731529B (zh) | 基板處理裝置及基板搬送方法 | |
| KR102279006B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 | |
| US11075101B2 (en) | Indexer apparatus, substrate treating apparatus, method for controlling indexer apparatus, and method for controlling substrate treating apparatus | |
| JP7387316B2 (ja) | 基板処理システムおよび基板搬送方法 | |
| JP7360849B2 (ja) | 基板処理システムおよび基板搬送方法 | |
| JP7297650B2 (ja) | 基板処理装置および基板搬送方法 | |
| JP7458718B2 (ja) | 基板処理装置および基板搬送方法 | |
| US12035576B2 (en) | Substrate treating apparatus and substrate transporting method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220617 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230501 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230516 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230711 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231017 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231115 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7387316 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |