CN116529026A - 基板处理系统和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

是对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理系统，所述基板处理系统具备：加工装置，其对所述第一基板进行磨削；第一厚度测定装置，其测定由所述加工装置进行磨削前的所述第一基板的厚度和包括该第一基板的所述重合基板的整体厚度；以及第二厚度测定装置，其测定由所述加工装置进行磨削后的所述第一基板的厚度。

Description

基板处理系统和基板处理方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理系统和基板处理方法。
背景技术
在专利文献1中公开有一种调整保持盘台的倾斜角度来调整晶圆厚度的磨削加工装置。在该磨削加工装置中，在二次磨削位置的近旁配设仅对被二次磨削后的晶圆的厚度沿径向进行多点测定的最终厚度测定装置，根据由该装置测定出的晶圆的厚度来掌握晶圆的径向上的厚度分布。而且，基于所掌握的径向上的厚度分布，通过倾斜角度调整机构使保持盘台倾斜来调整晶圆相对于磨具的角度，从而调整二次磨削后的晶圆厚度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-264913号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术提高包括基板的磨削的基板处理的吞吐量。
用于解决问题的方案
是对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理系统，所述基板处理系统具备：加工装置，其对所述第一基板进行磨削；第一厚度测定装置，其测定由所述加工装置进行磨削前的所述第一基板的厚度和包括该第一基板的所述重合基板的整体厚度；以及第二厚度测定装置，其测定由所述加工装置进行磨削后的所述第一基板的厚度。
发明的效果
根据本公开，能够提高包括基板的磨削的基板处理的吞吐量。
附图说明
图1是示出由晶圆处理系统进行处理的重合晶圆的结构例的侧视图。
图2是示出晶圆处理系统的结构例的俯视图。
图3是示出晶圆处理系统的内部结构例的侧视图。
图4是示出上晶圆的厚度、下晶圆的厚度以及重合晶圆的整体厚度的说明图。
图5是示出各磨削单元的结构例的侧视图。
图6是示出第一厚度测定装置的结构例的俯视图。
图7是示出第一厚度测定装置的结构例的侧视图。
图8是示出第一厚度测定装置的结构例的立体图。
图9是示出俯视观察时的厚度的测定位置的一例的说明图。
图10是示出整体厚度测定部进行的厚度测定的情形的一例的俯视图。
图11是示出部分厚度测定部进行的厚度测定的情形的一例的俯视图。
图12是示出在第一厚度测定装置的内部产生的气流的说明图。
图13是示出第二厚度测定装置的结构例的俯视图。
图14是示出第一厚度测定装置的结构例的侧视图。
图15是示出晶圆处理的主要工序的一例的流程图。
图16是示出第一厚度测定装置中的主要工序的一例的说明图。
图17是示出第二厚度测定装置中的主要工序的一例的说明图。
图18是示出其它实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构例的俯视图。
具体实施方式
近年，在半导体器件的制造工序中，针对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体基板(下面，称作“上晶圆”。)与下晶圆接合而成的重合晶圆，对上晶圆的背面进行磨削来实施薄化。
上晶圆的薄化是通过在利用保持盘(英文：chuck)保持下晶圆的背面的状态下使磨削磨具与上晶圆的背面抵接并进行磨削来进行的。然而，在像这样进行上晶圆的磨削的情况下，有可能会由于同上晶圆的背面抵接的磨削磨具与保持下晶圆的保持盘之间的相对的倾斜而使磨削后的上晶圆的平坦度(TTV：Total Thickness Variation：总厚度变化)恶化。
在上述的专利文献1所公开的磨削加工装置中，通过调整保持盘台的倾斜角度来调整晶圆的厚度，从而例如实现成为均匀厚度。具体地说，在二次磨削(精磨削)结束后，对晶圆的厚度沿径向进行多点测定来掌握晶圆的径向上的厚度分布，并基于该厚度分布使保持盘台倾斜来调整晶圆相对于磨具的角度。另外，在该磨削加工装置中，在二次磨削位置的近旁设置有最终厚度测定装置，将晶圆依然保持于保持盘地测定厚度。而且，缩短掌握径向上的厚度分布的作业时间，作为其结果，实现生产效率的提高。
然而，在专利文献1所公开的磨削加工装置中，在二次磨削位置处进行晶圆的二次磨削和晶圆的厚度测定。在将二次磨削后的倾向利用于下一个晶圆的磨削时的保持盘台的倾斜的调整的情况下，磨削加工装置的二次磨削位置处的作业时间变长，其结果，晶圆处理整体的吞吐量下降。因而，以往的晶圆处理存在改善的余地。
本公开所涉及的技术提高包括基板的磨削的基板处理的吞吐量。下面，参照附图来对作为本实施方式所涉及的基板处理系统的晶圆处理系统、以及作为基板处理方法的晶圆处理方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。
在本实施方式所涉及的后述的晶圆处理系统1中，如图1所示，对作为第一基板的上晶圆W与作为第二基板的下晶圆S接合而成的作为重合基板的重合晶圆T进行处理。而且，在晶圆处理系统1中，将上晶圆W薄化。下面，在上晶圆W中，将与下晶圆S接合的一侧的面称作表面Wa，将与表面Wa相反的一侧的面称作背面Wb。同样，在下晶圆S中，将与上晶圆W接合的一侧的面称作表面Sa，将与表面Sa相反的一侧的面称作背面Sb。
上晶圆W例如为硅基板等半导体晶圆，在表面Wa形成有包括多个器件的器件层Dw。另外，在器件层Dw还形成有表面膜Fw，隔着该表面膜Fw与下晶圆S接合。作为表面膜Fw，例如能够举出氧化膜(SiO2膜、TEOS膜)、SiC膜、SiCN膜或粘接剂等。
下晶圆S例如具有与上晶圆W同样的结构，在表面Sa形成有器件层Ds和表面膜Fs。此外，下晶圆S无需是形成有器件层Ds的器件晶圆，例如也可以是支承上晶圆W的支承晶圆。在该情况下，下晶圆S作为保护上晶圆W的器件层Dw的保护件发挥功能。
此外，在之后的说明所使用的附图中，为了避免图示的繁杂度，有时省略器件层Dw、Ds和表面膜Fw、Fs的图示。
如图2和图3所示，晶圆处理系统1具有搬入搬出站2与处理站3连接为一体的结构。搬入搬出站2例如在与外部之间被搬入搬出能够收容多个重合晶圆T的盒C。处理站3具备对重合晶圆T实施期望的处理的各种处理装置。
在作为搬入搬出区域的搬入搬出站2设置有盒载置台10。在图示的例子中，在盒载置台10上，将多个、例如两个盒C沿Y轴方向自如地载置成一列。此外，载置于盒载置台10的盒C的个数不限定于本实施方式，能够任意地决定。
在处理站3设置有例如三个处理块G1～G3。第一处理块G1、第二处理块G2以及第三处理块G3从X轴负方向侧(搬入搬出站2侧)向正方向侧依次排列地配置。各个处理块G1～G3间通过隔壁在空间上被隔断，经由形成于各种处理装置的搬入搬出口对重合晶圆T在各个处理块G1～G3之间进行搬送。此外，在形成于各种处理装置的搬入搬出口设置有用于进行该搬入搬出口的开闭的闸门(未图示)。
在第一处理块G1设置有蚀刻处理装置30和晶圆搬送装置40。蚀刻处理装置30例如在铅垂方向上层叠地设置有两层。晶圆搬送装置40配置于蚀刻处理装置30的Y轴正方向侧。此外，蚀刻处理装置30和晶圆搬送装置40的数量、配置不限定于此。
蚀刻处理装置30对磨削后的上晶圆W的背面Wb和下晶圆S的背面Sb进行蚀刻。此时，还进行微粒去除、金属成分去除等清洗处理。例如，对背面Wb、Sb供给蚀刻液，来对该背面Wb进行湿蚀刻。蚀刻液例如使用FPM、HF、HNO3、H3PO4、TMAH、Choline、KOH等。
作为第一基板搬送装置的晶圆搬送装置40具有保持重合晶圆T并进行搬送的、例如两个搬送臂41。各搬送臂41以沿水平方向、铅垂方向移动自如、以及绕水平轴及铅垂轴移动自如的方式构成。而且，晶圆搬送装置40以能够对盒载置台10的盒C、蚀刻处理装置30、后述的第一清洗装置50、后述的第二清洗装置51、后述的第一厚度测定装置52以及后述的第二厚度测定装置53搬送重合晶圆T的方式构成。
另外，在第一处理块G1设置有未图示的风机过滤单元(FFU)。由此，将第一处理块G1的内部的清洁度保持得较高，并且将内部的压力保持得比第二处理块G2的内部的压力高。
在作为处理区域的第二处理块G2设置有第一清洗装置50、第二清洗装置51、第一厚度测定装置52、第二厚度测定装置53以及晶圆搬送装置60。第一清洗装置50、第二清洗装置51、第一厚度测定装置52以及第二厚度测定装置53从上方起依次层叠地设置。晶圆搬送装置60配置于第一清洗装置50、第二清洗装置51、第一厚度测定装置52以及第二厚度测定装置53的Y轴负方向侧。此外，第一清洗装置50、第二清洗装置51、第一厚度测定装置52、第二厚度测定装置53以及晶圆搬送装置60的数量、配置不限定于此。
第一清洗装置50对后述的加工装置70中的磨削前的上晶圆W的背面Wb和下晶圆S的背面Sb进行清洗。例如，向背面Wb供给清洗液来对该背面Wb进行旋转清洗，并使刷子与背面Sb抵接来对该背面Sb进行刷洗清洗。
第二清洗装置51对后述的加工装置70中的磨削后的上晶圆W的背面Wb和下晶圆S的背面Sb进行清洗。第二清洗装置51与第一清洗装置50同样，例如也向背面Wb供给清洗液来对该背面Wb进行旋转清洗，并使刷子与背面Sb抵接来对该背面Sb进行刷洗清洗。
第一厚度测定装置52测定后述的加工装置70中的磨削前的上晶圆W的厚度Hw(参照图4)以及包括该上晶圆W的重合晶圆T的整体厚度Ht(参照图4)。另外，第一厚度测定装置52调节磨削前的重合晶圆T的水平方向上的方向及位置。此外，在后文叙述第一厚度测定装置52的详细结构以及厚度测定的详细方法。
第二厚度测定装置53测定后述的加工装置70中的磨削后的上晶圆W的厚度Hw(参照图4)。另外，第二厚度测定装置53调节磨削后的重合晶圆T的水平方向上的方向及位置。此外，在后文叙述第二厚度测定装置53的详细结构以及厚度测定的详细方法。
作为第二基板搬送装置的晶圆搬送装置60具有利用吸附保持面(未图示)来吸附保持重合晶圆T并进行搬送的、例如两个搬送臂61。各搬送臂61以能够沿水平方向、铅垂方向移动自如、以及绕水平轴及铅垂轴移动自如的方式构成。而且，晶圆搬送装置60以能够对第二清洗装置51、第一厚度测定装置52以及后述的加工装置70搬送重合晶圆T的方式构成。
此外，在本实施方式中，以基于后述的晶圆处理的工序，不由晶圆搬送装置60对第一清洗装置50和第二厚度测定装置53进行重合晶圆T的搬送的情况为例进行说明，但也可以根据晶圆处理的工序，以能够对第一清洗装置50和第二厚度测定装置53搬送重合晶圆T的方式构成。
在作为加工区域的第三处理块G3设置有一个加工装置70。此外，加工装置70的数量、配置不限定于此。
加工装置70具有旋转台71。在旋转台71上设置有作为用于吸附保持重合晶圆T的第三基板保持部的四个保持盘72。保持盘72例如使用多孔保持盘，吸附保持重合晶圆T中的下晶圆S的背面Sb。保持盘72的表面、即重合晶圆T的保持面具有在侧视观察时中央部比端部突出的凸形状。此外，该中央部的突出是微小的，因此在以下的说明的图示中，省略了保持盘72的凸形状。
如图5所示，保持盘72保持于保持盘座73。在保持盘座73设置有用于调整后述的各磨削单元(粗磨削单元80、中磨削单元90以及精磨削单元100)所具备的磨削轮与保持盘72之间的相对的倾斜的倾斜调整部74。倾斜调整部74具有设置于保持盘座73的下表面的固定轴75、以及多个例如两个升降轴76。各升降轴76以伸缩自如的方式构成，用于使保持盘座73进行升降。通过该倾斜调整部74，能够以保持盘座73的外周部的一端部(与固定轴75对应的位置)为基点，使另一端部通过升降轴76沿铅垂方向升降，由此使保持盘72和保持盘座73倾斜。而且，由此能够调整加工位置A1～A3的各磨削单元80、90、100所具备的磨削轮的表面与保持盘72的表面之间的相对的倾斜。
此外，倾斜调整部74的结构不限定于此，只要能够调整保持盘72的表面相对于磨削轮的表面的相对的角度(平行度)即可，能够任意地选择。
如图2所示，四个保持盘72通过旋转台71旋转而能够移动到交接位置A0和加工位置A1～A3。另外，四个保持盘72分别以能够通过旋转机构(未图示)绕铅垂轴旋转的方式构成。
在交接位置A0，由晶圆搬送装置60进行重合晶圆T的交接。在加工位置A1配置有粗磨削单元80，对上晶圆W进行粗磨削。在加工位置A2配置有中磨削单元90，对上晶圆W进行中磨削。在加工位置A3配置有精磨削单元100，对上晶圆W进行精磨削。
如图5所示，粗磨削单元80具有在下表面具备环状的粗磨削磨具的粗磨削轮81、支承该粗磨削轮81的安装件82、经由该安装件82使粗磨削轮81旋转的主轴83以及例如内置有马达(未图示)的驱动部84。另外，粗磨削单元80以能够沿着图2所示的支柱85在铅垂方向上移动的方式构成。
中磨削单元90具有与粗磨削单元80同样的结构。即，中磨削单元90具有具备环状的中磨削磨具的中磨削轮91、安装件92、主轴93、驱动部94以及支柱95。中磨削磨具的磨粒的粒度比粗磨削磨具的磨粒的粒度小。
精磨削单元100具有与粗磨削单元80及中磨削单元90同样的结构。即，精磨削单元100具有具备环状的精磨削磨具的精磨削轮101、安装件102、主轴103、驱动部104以及支柱105。精磨削磨具的磨粒的粒度比中磨削磨具的磨粒的粒度小。
另外，在第三处理块G3设置有未图示的排气单元。由此，进行由于加工装置70中的磨削处理而产生的微粒等的排出，并且将该第三处理块G3的内部压力保持得比第二处理块G2的内部压力低。即，在晶圆处理系统1中，将第一处理块G1、第二处理块G2、第三处理块G3的内部压力分别控制为依次变高。
如图2所示，在以上的晶圆处理系统1设置有控制装置110。控制装置110例如是具备CPU、存储器等的计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有控制晶圆处理系统1中的晶圆处理的程序。此外，上述程序也可以记录于可由计算机读取的存储介质H中，从该存储介质H安装到控制装置11。
接着，对上述的第一厚度测定装置52的详细结构进行说明。
如图6和图7所示，第一厚度测定装置52具有作为保持重合晶圆T的第一基板保持部的保持盘300。保持盘300吸附保持重合晶圆T中的下晶圆S的背面Sb的中央部。此外，保持盘300的直径例如为重合晶圆T的直径的一半以下。
在保持盘300形成有从保持盘300的中心部起沿径向(Y轴方向)延伸到外端部的切口部301。切口部301以能够供后述的整体厚度测定部330的下传感器332进退的方式形成。
保持盘300以绕铅垂轴旋转自如、并且沿水平方向移动自如的方式构成。在保持盘300的下方设置有用于使该保持盘300旋转的旋转机构310。在旋转机构310例如内置有马达等驱动部(未图示)。旋转机构310支承于支承构件311。支承构件311安装于沿水平方向(Y轴方向)延伸的导轨312。支承构件311以通过设置于导轨312的移动机构313沿着该导轨312移动自如的方式构成。在移动机构313例如内置有马达等驱动部(未图示)。此外，在本实施方式中，驱动保持盘300的旋转机构310和移动机构313构成本公开的技术所涉及的“第一驱动部”。
在保持盘300的侧方(X轴负方向侧)设置有作为第一位置检测部的位置检测部320。位置检测部320检测磨削前的重合晶圆T的水平方向位置。位置检测部320具有向保持于保持盘300的下晶圆S的外周照射光并且接受该光的传感器。或者，位置检测部320也可以具有拍摄下晶圆S的外周的传感器。而且，一边使保持于保持盘300的重合晶圆T旋转，一边由位置检测部320检测下晶圆S的切槽部的位置，并且检测重合晶圆T(上晶圆W)的中心部的位置(偏心量)。位置检测部320的检测结果输出到控制装置110。而且，基于该检测结果来调节重合晶圆T的水平方向上的方向(θ对准)，并调节水平方向上的位置(X-Y对准)。此外，在本实施方式中，检测下晶圆S的切槽部的位置，但不限定于此。例如，也可以检测下晶圆S的定向平面的位置，来调节重合晶圆T的水平方向上的方向及位置。
在保持盘300的上方和下方设置有整体厚度测定部330。整体厚度测定部330测定图4所示的重合晶圆T的整体厚度Ht。此外，由整体厚度测定部330测定出的重合晶圆T的整体厚度Ht输出到控制装置110。
如图6～图8所示，整体厚度测定部330具有上传感器331、下传感器332以及未图示的计算部。上传感器331配置在保持于保持盘300的重合晶圆T的上方，测定从上传感器331到上晶圆W的背面Wb的距离。下传感器332配置在保持于保持盘300的重合晶圆T的下方，测定从下传感器332到下晶圆S的背面Sb的距离。另外，上传感器331和下传感器332在同一坐标轴上相向地配置，从而上传感器331的测定点与下传感器332的测定点在俯视观察时为同一位置。而且，在整体厚度测定部330中，基于上传感器331与上晶圆W的背面Wb之间的距离以及下传感器332与下晶圆S的背面Sb之间的距离，由计算部导出重合晶圆T的整体厚度Ht。此外，上传感器331和下传感器332是测定距离的传感器即可，能够使用公知的传感器，例如使用共焦传感器。另外，未图示的计算部既可以设置于第一厚度测定装置52的内部，也可以设置于第一厚度测定装置52的外部。
上传感器331和下传感器332分别通过保持盘300沿水平方向移动而相对于该保持盘300相对地移动。另外，下传感器332以相对于切口部301相对地进退自如的方式构成。即，通过保持盘300沿水平方向移动，下传感器332相对于切口部301进入或者退避。而且，整体厚度测定部330能够在多个点测定重合晶圆T的整体厚度Ht。
此外，上传感器331和下传感器332配置于当在前述的位置检测部320进行的水平方向位置的检测中使重合晶圆T旋转时下传感器332与切口部301不会发生干涉的位置、即比位置检测部320靠Y轴正方向侧的位置。
在保持盘300的上方还设置有作为第一测定部的部分厚度测定部340。部分厚度测定部340测定图4所示的上晶圆W的厚度Hw。部分厚度测定部340以不与上晶圆W接触的方式测定该上晶圆W的厚度。此外，由部分厚度测定部340测定出的上晶圆W的厚度Hw输出到控制装置110。在控制装置110中，计算从由整体厚度测定部330测定出的重合晶圆T的整体厚度Ht减去上晶圆W的厚度Hw而得到的上晶圆W以外的厚度Hs。该厚度Hs包括下晶圆S的厚度、器件层Dw、Ds的厚度以及表面膜Fw、Fs的厚度，但在以下的说明中有时简化地称作下晶圆S的厚度Hs。
计算出的下晶圆S的厚度Hs输出到控制装置110。而且，基于该下晶圆S的厚度Hs来调整加工装置70中的保持盘72的表面相对于磨削轮的表面的相对的角度(平行度)。
如图6～图8所示，部分厚度测定部340具有传感器341和未图示的计算部。传感器341对上晶圆W照射光，并且接受从上晶圆W的表面Wa反射的反射光和从背面Wb反射的反射光。而且，在部分厚度测定部340中，基于两反射光，由计算部测定上晶圆W的厚度Hw。另外，传感器341在Y轴方向上配置于与前述的位置检测部320相同的位置。此外，传感器341是测定厚度的传感器即可，能够使用公知的传感器，例如使用分光干涉式传感器。另外，未图示的计算部既可以设置于第一厚度测定装置52的内部，也可以设置于第一厚度测定装置52的外部。
传感器341通过保持盘300沿水平方向移动来相对于该保持盘300相对地移动。而且，部分厚度测定部340能够在多个点测定上晶圆W的厚度Hw。
整体厚度测定部330和部分厚度测定部340分别在当俯视观察时的同一测定点测定重合晶圆T的整体厚度Ht和上晶圆W的厚度Hw。即，如图9所示，整体厚度测定部330和部分厚度测定部340分别例如沿径向在三个点测定重合晶圆T的整体厚度Ht和上晶圆W的厚度Hw。测定点P1是上晶圆W的中心部。测定点P2是上晶圆W的中间部，是将上晶圆W的半径设为R的情况下的、从中心部起的R/2的位置。测定点P3是上晶圆W的外周部。
如图10的(a)所示，在整体厚度测定部330进行的测定点P1处的整体厚度Ht的测定时，在停止了保持盘300(重合晶圆T)的旋转的状态下测定重合晶圆T的整体厚度Ht。此时，下传感器332进入到切口部301。因而，为了避免下传感器332与保持盘300之间的干涉，不使保持盘300旋转。
另一方面，如图11的(a)所示，在部分厚度测定部340进行的测定点P1处的上晶圆W的厚度Hw的测定时，不会发生传感器341与保持盘300之间的干涉，因此既可以使保持盘300(重合晶圆T)旋转，也可以使旋转停止。
如图10的(b)所示，在整体厚度测定部330进行的测定点P2处的整体厚度Ht的测定时，一边使保持盘300旋转一边沿周向在多个点测定重合晶圆T的整体厚度Ht。此时，因保持盘300的直径为重合晶圆T的直径的一半以下，从而下传感器332从切口部301退避，因此即使使保持盘300旋转，下传感器332与保持盘300也不会发生干涉。
另外，如图11的(b)所示，在部分厚度测定部340进行的测定点P2处的上晶圆W的厚度Hw的测定时，也一边使保持盘300旋转一边沿周向在多个点测定上晶圆W的厚度Hw。
而且，计算在测定点P2测定出的周向上的多个点的移动平均值，来作为该测定点P2处的重合晶圆T的整体厚度Ht或上晶圆W的厚度Hw。此外，也可以将测定点P2处的测定厚度设为周向上的多个点的移动中央值。
如图10的(c)和图11的(c)分别所示，在测定点P3，也与测定点P2同样地测定重合晶圆T的整体厚度Ht和上晶圆W的厚度Hw。
此外，在本实施方式中，在测定点P2、P3，将周向上的多个点的移动平均值或移动中央值设为了测定点P2、P3处的测定厚度，但例如也可以在指定坐标处进行厚度测定。例如，在测定点P2、P3，在将重合晶圆T的旋转停止的状态下测定重合晶圆T的整体厚度Ht或上晶圆W的厚度Hw。于是，在测定点P2、P3，在周向上测定一个点的整体厚度Ht或上晶圆W的厚度Hw。而且，也可以将在该指定坐标处测定出的厚度作为代表点用作测定点P2、P3的厚度。
另外，在本实施方式中，上晶圆W的厚度Hw的测定结果是为了如后所述调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度而被使用的，但其用途不限定于此。例如，也可以为了掌握上晶圆W的厚度Hw的倾向而在指定的测定点处测定上晶圆W的厚度Hw。
此外，在本实施方式的第一厚度测定装置52中，保持盘300沿水平方向(Y轴方向)移动，整体厚度测定部330的上传感器331和下传感器332、部分厚度测定部340的传感器341是固定的，但保持盘300与整体厚度测定部330或部分厚度测定部340相对地沿水平方向移动即可。例如，也可以是，保持盘300是固定的，上传感器331和下传感器332、或传感器341沿水平方向移动。或者，还可以是，保持盘300沿水平方向移动，并且上传感器331和下传感器332、或传感器341也沿水平方向移动。
如图6所示，在第一厚度测定装置52的X轴负方向侧的侧壁面设置有第一闸门350。第一闸门350以通过驱动机构351将第一搬送口开闭自如的方式构成。而且，通过将该第一闸门350打开，第一厚度测定装置52与第一处理块G1的内部连通，由晶圆搬送装置40进行重合晶圆T的搬入搬出。
另外，在第一厚度测定装置52的Y轴负方向侧的侧壁面设置有第二闸门360。第二闸门360以通过驱动机构361将第二搬送口开闭自如的方式构成。而且，通过将该第二闸门360打开，第一厚度测定装置52与第二处理块G2的内部连通，由晶圆搬送装置60进行重合晶圆T的搬入搬出。
在第一厚度测定装置52的下部连接有排气部370。排气部370具有设置于导轨312等驱动部分的下方的排气路径371、和与该排气路径371连接的真空泵等排气机构372。排气部370通过排气机构372的动作而将例如由于保持盘300的旋转、移动等驱动产生的微粒等排出到第一厚度测定装置52的外部。
另外，排气部370以能够对第一厚度测定装置52的处理空间进行排气(减压)的方式构成。将第一厚度测定装置52的内部压力控制为被以比第一处理块G1的内部压力低、且比第二处理块G2的内部压力高的压力保持。换言之，在第一厚度测定装置52中，在第一闸门350打开时，从第一处理块G1流入气流，在第二闸门360打开时，向第二处理块G2流出气流。由此，如图12所示，抑制向第一厚度测定装置52的内部流入由于加工装置70中的磨削处理产生的微粒等，并且抑制向作为清洁空间的第一处理块G1(盒C)侧流出微粒等。
具体地说，例如，如图12的(a)所示，在第一闸门350和第二闸门360关闭时，不发生自第一厚度测定装置52的气流的流出，仅从排气部370排出气流。此外，即使在像这样第一闸门350关闭着的情况下，如图12的(a)所示，也会从形成于该第一闸门350侧的微小间隙流入来自作为清洁空间的第一处理块G1的微量的气流。
另外，如图12的(b)所示，在将第一闸门350打开的情况下，仅从排气部370排出气流。
并且，如图12的(c)所示，在将第二闸门360打开的情况下，不产生从该第二闸门360侧向第一厚度测定装置52的气流的流入，另外，也不产生从第一闸门350侧向第一厚度测定装置52的外部的气流的流出。
像这样，在第一厚度测定装置52中，仅从第一闸门350(第一处理块G1)侧流入气流，不从第二闸门360(加工装置70)侧流入气流。即，抑制来自加工装置70的微粒等的流入。
另外，在第一厚度测定装置52中，仅从第二闸门360(加工装置70)侧和排气部370流出气流，不向第一闸门350(第一处理块G1)侧流出气流。即，抑制向作为清洁空间的第一处理块G1流出微粒等。
另外，并且，如图12所示，在第一厚度测定装置52中，不创建将第一闸门350和第二闸门360同时打开的定时。由此，进一步抑制从加工装置70向第一处理块G1流出微粒等。
接着，对第二厚度测定装置53的详细结构进行说明。此外，在第二厚度测定装置53中，对具有与第一厚度测定装置52实质上相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。
如图13和图14所示，第二厚度测定装置53具有作为保持重合晶圆T的第二基板保持部的保持盘400。保持盘400吸附保持重合晶圆T中的下晶圆S的背面Sb的中央部。此外，保持盘400的直径例如比第一厚度测定装置52所具备的保持盘300的直径大，可以为重合晶圆T的直径的一半以上。
在第二厚度测定装置53中进行磨削后的上晶圆W的厚度Hw的测定，换言之比第一厚度测定装置52中的磨削前的上晶圆W的厚度Hw小的厚度Hw的测定。因此，通过像这样利用直径比保持盘300的直径大的保持盘400吸附保持重合晶圆T，来抑制在通过磨削被薄化后的重合晶圆T产生翘曲。
保持盘400以通过旋转机构310绕铅垂轴旋转自如、并且沿着导轨312在水平方向上移动自如的方式构成。另外，在保持盘400的侧方(X轴负方向侧)设置有作为第二位置检测部的位置检测部320，调节磨削后的重合晶圆T的水平方向上的方向及位置，并且检测上晶圆W的中心部的位置(偏心量)。此外，在本实施方式中，驱动保持盘400的旋转机构310和移动构313构成本公开的技术所涉及的“第二驱动部”。
在保持盘400的上方设置有作为测定磨削后的上晶圆W的厚度Hw的第二测定部的部分厚度测定部440。部分厚度测定部440以不与上晶圆W接触的方式测定该上晶圆W的厚度。此外，如上所述，在第二厚度测定装置53中进行磨削后的上晶圆W的厚度Hw的测定，换言之比第一厚度测定装置52中的磨削前的上晶圆W的厚度Hw小的厚度Hw的测定。因此，在部分厚度测定部440设置相比于第一厚度测定装置52具备的部分厚度测定部340能够测定小的厚度的传感器441。
此外，由部分厚度测定部440测定出的上晶圆W的厚度Hw输出到控制装置110。而且，基于该上晶圆W的厚度Hw，来调整在晶圆处理系统1中对接着要处理的重合晶圆T进行磨削处理时的、保持盘72的表面相对于磨削轮的表面的相对的角度(平行度)。
在俯视观察时，部分厚度测定部440与第一厚度测定装置52中的整体厚度测定部330及部分厚度测定部340在同一测定点处测定上晶圆W的厚度Hw。即，部分厚度测定部440例如在图9所示的径向上的三个点测定上晶圆W的厚度Hw。此外，部分厚度测定部440进行的上晶圆W的厚度Hw的测定方法与图11所示的部分厚度测定部340进行的上晶圆W的厚度Hw的测定方法相同。
此外，在第二厚度测定装置53中，与第一厚度测定装置52同样，在测定点P2、P3处的厚度测定时，也可以对计算周向上的多个点的移动平均值或移动中央值进行替代，将在指定坐标处测定出的厚度作为代表点用作测定点P2、P3的厚度。
另外，在本实施方式中，上晶圆W的厚度Hw的测定结果是为了调整在对接着要处理的重合晶圆T进行磨削处理时的、保持盘72的表面相对于磨削轮的表面的相对的角度而被使用的，但其用途不限定于此。例如，也可以为了掌握上晶圆W的厚度Hw的倾向而在指定的测定点处测定上晶圆W的厚度Hw。
此外，如上所述，在第二厚度测定装置53中不进行重合晶圆T的整体厚度Ht的测定。因此，在第二厚度测定装置53中未如第一厚度测定装置52那样设置有整体厚度测定部330。另外，由于像这样在第二厚度测定装置53中未设置有整体厚度测定部330(下传感器332)，因此未在保持盘400形成有用于使下传感器332进入的切口部。
如图13所示，在第二厚度测定装置53的X轴负方向侧的侧壁面设置有第一闸门350。第一闸门350以通过驱动机构351将第一搬送口开闭自如的方式构成。而且，通过将该第一闸门350打开，第二厚度测定装置53与第一处理块G1的内部连通，由晶圆搬送装置40进行重合晶圆T的搬入搬出。
此外，如上所述，在第二厚度测定装置53中，不由第二处理块G2的晶圆搬送装置60进行重合晶圆T的搬入搬出，仅由第一处理块G1的晶圆搬送装置40进行重合晶圆T的搬入搬出。因此，在第二厚度测定装置53未形成有第二处理块G2侧的第二搬送口，即未设置有第二闸门360。虽然如上所述在第二厚度测定装置53中测定磨削后的重合晶圆T(上晶圆W)的厚度Hw，但像这样省略第二处理块G2侧的第二闸门360，仅由晶圆搬送装置40进行重合晶圆T的搬入搬出，由此防止向第二厚度测定装置53的内部流入由于加工装置70中的磨削处理产生的微粒等。
另外，在第二厚度测定装置53的下部设置有排气部370。由此，以能够将例如由于保持盘400的旋转、在水平方向上的移动等产生的微粒等排出到第二厚度测定装置53的外部的方式构成，并且以能够对第二厚度测定装置53的内部压力进行减压的方式构成。将第二厚度测定装置53的内部压力控制为例如被以比第一处理块G1的内部压力低的压力保持。
本实施方式所涉及的第一厚度测定装置52和第二厚度测定装置53如以上那样构成。接着，对使用如以上那样构成的晶圆处理系统1进行的晶圆处理进行说明。在本实施方式中，在设置于晶圆处理系统1的外部的接合装置(未图示)中将上晶圆W与下晶圆S接合，预先形成有重合晶圆T。
首先，将收纳有多个重合晶圆T的盒C载置于搬入搬出站2的盒载置台10。接着，由晶圆搬送装置40取出盒C内的重合晶圆T，并搬送到第一清洗装置50。在第一清洗装置50中，一边使重合晶圆T旋转一边向上晶圆W的背面Wb供给清洗液，来对该背面Wb进行旋转清洗。另外，在使清洗刷(未图示)与下晶圆S的背面Sb抵接的状态下供给清洗液，来对该背面Sb进行刷洗清洗(图15的步骤E1)。
接着，将第一厚度测定装置52的第一闸门350打开，并由晶圆搬送装置40将重合晶圆T搬送到第一厚度测定装置52。此时，第一厚度测定装置52的内部压力被控制得比第一处理块G1的内部压力低，因此抑制作为清洁空间的第一处理块G1由于第一闸门350的打开而被污染。在第一厚度测定装置52中，首先，在搬入搬出位置(原位)处由保持盘300吸附保持重合晶圆T。
接着，使保持盘300如图16的(a)所示移动到对准位置。然后，如图16的(b)所示一边使重合晶圆T旋转一边由位置检测部320检测重合晶圆T的水平方向位置，并且检测上晶圆W的中心部的位置(偏心量)。基于该检测结果，调节重合晶圆T的水平方向上的方向(θ对准)，还调节水平方向上的位置(X-Y对准)(图15的步骤E2)。
另外，在对准位置处，通过图11所示的方法，由部分厚度测定部340测定磨削前的上晶圆W的厚度Hw(图15的步骤E3)。即，首先，测定上晶圆W的中心部(测定点P1)处的厚度Hw。在进行测定点P1处的上晶圆W的厚度Hw的测定时，既可以使保持盘300(重合晶圆T)旋转，也可以使旋转停止。另外，测定点P1处的上晶圆W的厚度Hw的测定也可以与重合晶圆T的水平方向位置的检测(步骤E2)同时进行。像这样测定出的上晶圆W的厚度Hw(厚度Hw的分布)输出到控制装置110。
接着，如图16的(c)所示，依次进行保持盘300向Y轴负方向侧的移动和旋转，测定上晶圆W的径向上的多个点(测定点P2、P3)处的厚度Hw。在进行测定点P2、P3处的上晶圆W的厚度Hw的测定时，一边使保持盘300旋转一边沿周向在多个点测定上晶圆w的厚度Hw，并计算测定出的周向上的多个点的移动平均值或移动中央值。
接着，如图16的(d)所示，使保持盘300移动到整体厚度测定部330侧，通过图10所示的方法测定重合晶圆T的整体厚度Ht(图15的步骤E4)。即，首先，测定重合晶圆T的中心部(测定点P1)处的整体厚度Ht。在测定点P1，下传感器332进入到切口部301，因此在停止了重合晶圆T的旋转的状态下由整体厚度测定部330测定测定点P1处的重合晶圆T的整体厚度Ht。
接着，如图16的(e)所示，依次进行保持盘300向Y轴正方向侧的移动和旋转，测定重合晶圆T的径向上的多个点(测定点P2、P3)处的整体厚度Ht。在进行测定点P2、P3处的重合晶圆T的整体厚度Ht的测定时，一边使保持盘300旋转一边沿周向在多个点测定重合晶圆T的整体厚度Ht，并计算测定出的周向上的多个点的移动平均值或移动中央值。像这样测定出的重合晶圆T的整体厚度Ht(整体厚度Ht的分布)输出到控制装置110。
当如以上那样步骤E2中的对准和步骤E3、E4中的厚度测定结束时，如图16的(f)所示，使保持盘300移动到搬入搬出位置。此时，通过使保持盘300旋转，来使在步骤E2中测定出的上晶圆W的水平方向位置对位到期望的位置。
在控制装置110中，从通过步骤E4测定出的重合晶圆T的厚度Ht减去通过步骤E3测定出的上晶圆W的厚度Hw，来计算下晶圆S的厚度Hs(图15的步骤E5)。此外，该厚度Hs如上所述包括下晶圆S的厚度、器件层Dw、Ds的厚度以及表面膜Fw、Fs的厚度。关于下晶圆S的厚度Hs，计算各测定点P1、P2、P3处的厚度Hs，由此得到下晶圆S的厚度Hs的分布。
另外，在控制装置110中，基于通过步骤E5计算出的下晶圆S的厚度Hs的分布来控制加工装置70的加工位置A3处的倾斜调整部74。具体地说，基于下晶圆S的厚度Hs的分布，调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度，以使与该下晶圆S接合的上晶圆W的精磨削后的面内厚度均匀(图15的步骤E6)。在以下的说明中，有时将该保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度的调整称作俯仰(tilt)校正。
接着，将第一厚度测定装置52的第二闸门360打开，由晶圆搬送装置60将重合晶圆T搬送到加工装置70，交接到交接位置A0的保持盘72。此时，由于第一厚度测定装置52的内部压力被控制得比第二处理块G2的内部压力高，因此抑制从加工装置70向第一厚度测定装置52进入微粒等。
接着，使旋转台71旋转，来使重合晶圆T移动到加工位置A1。然后，由粗磨削单元80对上晶圆W的背面Wb进行粗磨削(图15的步骤E7)。此时，一边使用接触式的厚度测定器(未图示)测定重合晶圆T的整体厚度Ht，一边将上晶圆W磨削为期望的厚度。
接着，使旋转台71旋转，来使重合晶圆T移动到加工位置A2。然后，由中磨削单元90对上晶圆W的背面Wb进行中磨削(图15的步骤E8)。此时，一边使用接触式的厚度测定器(未图示)测定重合晶圆T的整体厚度Ht，一边对上晶圆W进行磨削，之后一边使用非接触式的厚度测定器(未图示)测定上晶圆W的厚度Hw一边对上晶圆W进行磨削。
接着，使旋转台71旋转，来使重合晶圆T移动到加工位置A3。然后，由精磨削单元100对上晶圆W的背面Wb进行精磨削(图15的步骤E9)。在该精磨削中，使用在步骤E6中被进行了俯仰校正后的、保持盘72和精磨削轮101。另外，此时，一边使用非接触式的厚度测定器(未图示)测定上晶圆W的厚度Hw，一边将上晶圆W磨削为期望的厚度。
接着，使旋转台71旋转，来使重合晶圆T移动到交接位置A0。在交接位置A0，也可以由清洗部(未图示)对磨削后的上晶圆W的背面Wb进行清洗。
加工装置70中的处理结束后的重合晶圆T接着由晶圆搬送装置60搬送到第二清洗装置51。在第二清洗装置51中，进行与步骤E1同样的清洗。即，一边使重合晶圆T旋转一边向上晶圆W的背面Wb供给清洗液，来对该背面Wb进行旋转清洗，并在使清洗刷(未图示)与下晶圆S的背面Sb抵接的状态下供给清洗液，来对该背面Sb进行刷洗清洗。(图15的步骤E10)。
接着，将第二厚度测定装置53的第一闸门350打开，由晶圆搬送装置40将重合晶圆T搬送到第二厚度测定装置53。此时，第二厚度测定装置53的内部压力被控制得比第一处理块G1的内部压力低，因此抑制作为清洁空间的第一处理块G1由于第一闸门350的打开而被污染。在第二厚度测定装置53中，首先，在搬入搬出位置(原位)由保持盘400吸附保持重合晶圆T。
接着，使保持盘400如图17的(a)所示移动到对准位置。然后，如图17的(b)所示，一边使重合晶圆T旋转，一边由位置检测部320检测重合晶圆T的水平方向位置，并且检测上晶圆W的中心部的位置(偏心量)。基于该检测结果，调节重合晶圆T的水平方向上的方向(θ对准)，还调节水平方向上的位置(X-Y对准)(图15的步骤E11)。
另外，在对准位置，通过图11所示的方法，由部分厚度测定部440测定磨削后的上晶圆W的厚度Hw(图15的步骤E12)。即，首先，测定上晶圆W的中心部(测定点P1)处的厚度Hw。在进行测定点P1处的上晶圆W的厚度Hw的测定时，既可以使保持盘400(重合晶圆T)旋转，也可以使旋转停止。此外，测定点P1处的上晶圆W的厚度Hw的测定也可以与重合晶圆T的水平方向位置的检测(步骤E11)同时进行。
接着，如图17的(c)所示，依次进行保持盘400向Y轴负方向侧的移动和旋转，测定上晶圆W的径向上的多个点(测定点P2、P3)处的厚度Hw。在进行测定点P2、P3处的上晶圆W的厚度Hw的测定时，一边使保持盘400旋转一边沿周向在多个点测定上晶圆w的厚度Hw，并计算测定出的周向上的多个点的移动平均值或移动中央值。像这样测定出的上晶圆W的厚度Hw(厚度Hw的分布)输出到控制装置110。
当如以上那样步骤E11中的对准和步骤E12中的上晶圆W的厚度Hw的测定结束时，如图17的(d)所示，使保持盘400移动到搬入搬出位置。此时，通过使保持盘400旋转，使在步骤E11中测定出的重合晶圆T的水平方向位置对位到期望的位置。
在控制装置110中，基于通过步骤E12测定出的上晶圆W的厚度Hw的分布来控制加工装置70的加工位置A3处的倾斜调整部74。具体地说，基于磨削后的上晶圆W的厚度Hw的分布，来调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度，以使接着要处理的上晶圆W的精磨削后的面内厚度均匀(图15的步骤E13)。即，在步骤E13中，在对第n张(n为1以上的整数)重合晶圆T进行了步骤E1～E12后，调整加工位置A3处的保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度，以进行第n+1张重合晶圆T(上晶圆W)的磨削。
接着，将第二厚度测定装置53的第二闸门360打开，由晶圆搬送装置40将重合晶圆T搬送到蚀刻处理装置30。在蚀刻处理装置30中，对上晶圆W的背面Wb和下晶圆S的背面Sb进行湿蚀刻处理(清洗处理)(图15的步骤E14)。
之后，被实施了全部的处理后的重合晶圆T由晶圆搬送装置40搬送到盒载置台10的盒C。这样，晶圆处理系统1中的一系列的晶圆处理结束。
此外，在晶圆处理系统1中，有时并行地进行针对第n张重合晶圆T的处理和针对第n+1张重合晶圆T的处理。在该情况下，对第n张重合晶圆T进行步骤E1～E12，在步骤E13中进行第n+1张上晶圆W的磨削用的俯仰校正。另一方面，对第n+1张重合晶圆T进行步骤E1～E5，在步骤E6中进行第n+1张上晶圆W的磨削用的俯仰校正。像这样，在第n张的步骤E13和第n+1张的步骤E6中，进行相同的第n+1张上晶圆W的磨削用的俯仰校正。因此，在这样的情况下，基于通过步骤E12测定出的第n张上晶圆W的厚度Hw和通过步骤E5计算出的第n+1张下晶圆S的厚度Hs，来调整加工位置A3处的保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度。
根据以上的实施方式，通过独立地设置于加工装置70的外部的第一厚度测定装置52和第二厚度测定装置53分别进行加工装置70中的磨削前后的上晶圆W的厚度Hw的测定。因而，相比于如以往那样在加工装置70中进行厚度测定的情况，在本实施方式中，能够缩短加工装置70中的晶圆处理时间。其结果，能够提高晶圆处理的吞吐量。
另外，像这样，第一厚度测定装置52和第二厚度测定装置53在晶圆处理系统1中与其它处理装置独立地设置，因此也不会对加工装置70中的其它处理装置(例如第一清洗装置50、第二清洗装置51)中的晶圆处理时间带来影响。其结果，能够进一步提高晶圆处理的吞吐量。
另外，在本实施方式中，基于通过步骤E12测定出的上晶圆W的厚度Hw，来在步骤E13中调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度，因此能够使接着要处理的上晶圆W的精磨削后的面内厚度均匀。
另外，在本实施方式中，由第一厚度测定装置52进行步骤E3中的磨削前的上晶圆W的厚度Hw的测定和步骤E4中的磨削前的重合晶圆T的整体厚度Ht的测定。像这样将磨削前的两次厚度测定分别在同一装置内进行，因此能够进一步缩短晶圆处理系统1中的晶圆处理时间，从而进一步提高吞吐量。
另外，在本实施方式中，基于通过步骤E5计算出的下晶圆S的厚度Hs，来在步骤E6中调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度，因此能够使该上晶圆W的精磨削后的面内厚度均匀。
另外，在本实施方式中，步骤E3中的厚度Hw的测定、步骤E4中的整体厚度Ht的测定、步骤E12中的厚度Hw的测定分别在同一测定点P1、P2、P3进行。因此，能够适当地进行保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度。
另外，在本实施方式中，在第一厚度测定装置52和第二厚度测定装置53的各个厚度测定装置中，位置检测部320和部分厚度测定部340、440的传感器341、441在Y轴方向(保持盘300、400的驱动方向)上设置于相同的位置。由此，能够将位置检测部320进行的水平方向位置的检测与部分厚度测定部340、440进行的上晶圆W的中心部处的厚度Hw的测定在同一位置实施，因此能够缩短第一厚度测定装置52和第二厚度测定装置53中的晶圆处理时间。
另外，在本实施方式中，在晶圆处理系统1中，第一～第三处理块G1～G3的内部压力被控制为依次变高，并且第一厚度测定装置52的内部压力被控制为比第一处理块G1的内部压力低且比第三处理块G3的内部压力高。换言之，在晶圆处理系统1中形成从第一处理块G1经由第一厚度测定装置52向第二、第三处理块G2、G3依次流动的气流。由此，抑制在第三处理块G3的加工装置70中产生的微粒等流入到作为清洁空间的第一处理块G1、第一厚度测定装置52的内部，即能够抑制被实施了晶圆处理系统1中的一系列的处理后的重合晶圆T被污染。
另外，在本实施方式中，在一系列的晶圆处理中不创建将第一厚度测定装置52的第一闸门350和第二闸门360同时打开的定时。换言之，在进行重合晶圆T的对准、厚度测定时，第一处理块G1与第二处理块G2不会直接地连通，因此能够进一步抑制向第一处理块G1流入微粒等。
另外，在本实施方式中，不对测定加工装置70中的磨削后的上晶圆W的厚度的第二厚度测定装置53进行由晶圆搬送装置60进行的重合晶圆T的搬送，也未设置有第二闸门360。由此，同加工装置70连通的第二处理块G2与第二厚度测定装置53不会连通，因此能够进一步抑制被实施了一系列的处理后的重合晶圆T被污染。
此外，在以上的实施方式中，如图15的步骤E1、步骤E10所示，在进行重合晶圆T的对准前进行该重合晶圆T的清洗，但也可以适当地省略这些重合晶圆T的清洗。
另外，在以上的实施方式中，如图15的步骤E11所示，在第二厚度测定装置53中进行磨削处理后的重合晶圆T的对准。然而，例如在磨削工序(步骤E7～E9)、重合晶圆T的搬送时该重合晶圆T的水平方向位置不产生偏移的情况下，也可以省略该重合晶圆T的对准。
并且，在以上的实施方式中，如图15的步骤E1及E2、步骤E10及E11所示，在进行重合晶圆T的对准之前进行该重合晶圆T的清洗，但这些重合晶圆T的清洗和对准的顺序也可以相反。在该情况下，重合晶圆T的对准既可以在厚度测定装置的内部进行，或者也可以在厚度测定装置的外部还设置有用于进行重合晶圆T的对准的对准装置。
另外，在像这样将重合晶圆T的清洗(步骤E1、E10)与对准(步骤E2、E11)的顺序更换的情况下，如上所述，也可以以能够由晶圆搬送装置60对第一清洗装置50和第二厚度测定装置53搬送重合晶圆T重合晶圆T的方式构成。换言之，也可以在第二厚度测定装置53设置有用于与晶圆搬送装置60之间进行重合晶圆T的交接的第二闸门360。
此外，在以上的实施方式中，在第一厚度测定装置52和第二厚度测定装置53分别设置部分厚度测定部340、440，在第一厚度测定装置52设置整体厚度测定部330，来收集加工位置A3处的俯仰校正所需的信息(厚度)，但也可以收集在俯仰校正以外使用的信息(厚度)。
此外，在以上的实施方式中，在步骤E3、E4以及E12中，在重合晶圆T(上晶圆W)的径向上的三个点(测定点P1、P2及P3)进行厚度测定，但测定点P也可以是四个点以上。测定点的数量越多，则越能够适当地掌握上晶圆W的厚度Hw、下晶圆S的厚度Hs的分布，其结果，在步骤E6中能够适当地调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度。
另外，上晶圆W的厚度Hw的测定点的位置不限定于本实施方式。例如，在事先已了解磨削后的上晶圆W的厚度Hw产生凹凸的位置、即奇异点的情况下，也可以将该奇异点设为厚度Hw的测定点。另外，例如，还可以在步骤E12中的测定点P1～P3处的厚度测定后，还测定奇异点处的上晶圆W的厚度Hw。
具体地说，例如当在第二厚度测定装置53中测定奇异点处的上晶圆W的厚度Hw的情况下，在将重合晶圆T保持于保持盘400的状态下使保持盘400(重合晶圆T)旋转，并且使保持盘400沿水平方向移动，来使奇异点移动到部分厚度测定部440的传感器441的正下方。由此，由部分厚度测定部440测定上晶圆W的厚度Hw。此外，当在上晶圆W的面内产生了多个奇异点的情况下，重复进行保持盘400(重合晶圆T)的旋转及移动，由此能够依次进行各奇异点处的厚度测定。
此外，在像这样在第二厚度测定装置53中测定奇异点处的上晶圆W的厚度Hw的情况下，该第二厚度测定装置53的设置位置不限定于本实施方式。该测定也可以在步骤E14的湿蚀刻处理之后进行，因此第二厚度测定装置53也可以例如设置于第一处理块G1等。
此外，在以上的实施方式中，如图2和图3所示，晶圆处理系统1具有搬入搬出站2和第一～第三处理块G1～G3沿X轴方向依次排列地配置的结构，但晶圆处理系统1的结构并不限于此。
具体地说，如图18所示的其它实施方式所涉及的晶圆处理系统500那样，也可以省略第一处理块G1。更具体地说，也可以如晶圆处理系统500那样设为，省略蚀刻处理装置30和晶圆搬送装置40，在晶圆处理系统500的外部对磨削后的重合晶圆T实施蚀刻处理。在该情况下，在第二处理块G2设置以能够对盒载置台10的盒C、第一清洗装置50、第二清洗装置51、第一厚度测定装置52、第二厚度测定装置53以及加工装置70搬送重合晶圆T的方式构成的晶圆搬送装置510。
另外，在该情况下，晶圆搬送装置510具有能够与盒C之间进行重合晶圆T的交接的例如保持重合晶圆T并进行搬送的搬送臂41、以及能够与第一清洗装置50、第二清洗装置51、第一厚度测定装置52、第二厚度测定装置53以及加工装置70之间进行重合晶圆T的交接的具备重合晶圆T的吸附保持面(未图示)的搬送臂61。
此外，由于像这样在晶圆处理系统500中省略了晶圆搬送装置40，因此对于第一清洗装置50、第二清洗装置51、第一厚度测定装置52以及第二厚度测定装置53，仅由晶圆搬送装置60进行重合晶圆T的搬送。换言之，在晶圆处理系统500中，在第一厚度测定装置52和第二厚度测定装置53中省略X轴负方向侧的侧面的第一闸门350和驱动机构351，设置Y轴负方向侧的侧面的第二闸门360和驱动机构361。
此外，也可以在晶圆搬送装置510设置两个搬送臂61，将用于搬送磨削前的重合晶圆T的搬送臂61和用于搬送磨削后的重合晶圆T的搬送臂61进行区别使用。
应当认为，本次公开的实施方式的所有点均是例示性而非限制性的。可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地将上述的实施方式以各种方式进行省略、置换、变更。
附图标记说明
1：晶圆处理系统；52：第一厚度测定装置；53：第二厚度测定装置；70：加工装置；Ht：整体厚度；Hw：(上晶圆的)厚度；S：下晶圆；T：重合晶圆；W：上晶圆。

Claims (18)

1.一种基板处理系统，对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，所述基板处理系统具备：
加工装置，其对所述第一基板进行磨削；
第一厚度测定装置，其测定由所述加工装置进行磨削前的所述第一基板的厚度和包括该第一基板的所述重合基板的整体厚度；以及
第二厚度测定装置，其测定由所述加工装置进行磨削后的所述第一基板的厚度。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第一厚度测定装置具备：
第一基板保持部，其保持所述重合基板；
第一测定部，其测定保持于所述第一基板保持部的所述第一基板的厚度；以及
整体厚度测定部，其测定保持于所述第一基板保持部的所述重合基板的整体厚度，
其中，在所述第一基板保持部形成有从该第一基板保持部的中心部起沿径向延伸到外端部的切口部，所述整体厚度测定部在该切口部相对地进退自如，
所述第二厚度测定装置具备：
第二基板保持部，其保持所述重合基板；以及
第二测定部，其测定保持于所述第二基板保持部的所述第一基板的厚度。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第一基板保持部的直径比所述第二基板保持部的直径小。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第一厚度测定装置具备：
第一驱动部，其使所述第一基板保持部沿水平方向进行移动以及旋转；以及
第一位置检测部，其检测由所述加工装置进行磨削前的所述重合基板的水平方向位置，
其中，所述第一位置检测部在所述第一基板保持部的移动方向上配置于与所述第一测定部相同的位置。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第二厚度测定装置具备：
第二驱动部，其使所述第二基板保持部沿水平方向进行移动以及旋转；以及
第二位置检测部，其检测磨削后的所述重合基板的水平方向位置，
其中，所述第二位置检测部在所述第二基板保持部的移动方向上配置于与所述第二测定部相同的位置。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，具备：
第一基板搬送装置，其对能够收容多个所述重合基板的盒搬送所述重合基板；以及
第二基板搬送装置，其对所述加工装置搬送所述重合基板，
其中，在所述第一厚度测定装置形成有供所述第一基板搬送装置进入的第一搬送口以及供所述第二基板搬送装置进入的第二搬送口，
在所述第二厚度测定装置形成有供所述第一基板搬送装置进入的第一搬送口，且未形成有供所述第二基板搬送装置进入的第二搬送口。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，
形成有载置能够收容多个所述重合基板的盒的搬入搬出区域、设置所述第一厚度测定装置和所述第二厚度测定装置的处理区域、以及设置所述加工装置的加工区域，
所述基板处理系统具备控制装置，所述控制装置将所述搬入搬出区域的内部压力控制得比所述处理区域的内部压力高，并且将所述处理区域的内部压力控制得比所述加工区域的内部压力高。
8.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，
所述控制装置将所述第一厚度测定装置和所述第二厚度测定装置的内部压力控制得比所述搬入搬出区域的内部压力低且比所述处理区域的内部压力高。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，还具备：
第一清洗装置，其对由所述加工装置进行磨削前的所述重合基板进行清洗；以及
第二清洗装置，其对由所述加工装置进行磨削后的所述重合基板进行清洗，
其中，所述第一清洗装置、所述第二清洗装置、所述第一厚度测定装置以及所述第二厚度测定装置层叠地进行配置。
10.一种基板处理方法，是在基板处理系统中对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理方法，所述基板处理方法包括：
通过第一厚度测定装置对磨削前的所述第一基板的厚度进行测定；
通过第一厚度测定装置对磨削前的所述重合基板的整体厚度进行测定；
通过加工装置对所述第一基板进行磨削；以及
通过第二厚度测定装置对磨削后的所述第一基板的厚度进行测定。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，包括：
基于磨削前的所述重合基板的整体厚度和磨削前的所述第一基板的厚度来计算所述第二基板的厚度；以及
在所述第一基板的磨削之前，基于计算出的所述第二基板的厚度来调整所述加工装置中的第三基板保持部的所述重合基板的保持面与磨削磨具的磨削面之间的相对的倾斜。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述基板处理系统中，对多个重合基板连续地进行处理，
在对接着要处理的重合基板中的所述第一基板进行磨削之前，基于通过一个基板测定出的磨削后的所述第一基板的厚度，来调整所述加工装置中的第三基板保持部的所述重合基板的保持面与磨削磨具的磨削面之间的相对的倾斜。
13.根据权利要求10至12中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，包括：
通过第一厚度测定装置检测磨削前的所述重合基板的水平方向位置；以及
通过第二厚度测定装置检测磨削后的所述重合基板的水平方向位置。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
在第一厚度测定装置和所述第二厚度测定装置中，沿径向在多个点测定所述第一基板的厚度，
在与进行所述水平方向位置的检测相同的位置处进行所述第一基板的中心部处的厚度的测定。
15.根据权利要求10至14中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理系统具备：
第一基板搬送装置，其对能够收容多个所述重合基板的盒搬送所述重合基板；以及
第二基板搬送装置，其对所述加工装置搬送所述重合基板，
其中，使所述第一基板搬送装置和所述第二基板搬送装置进入所述第一厚度测定装置，
仅使所述第一基板搬送装置进入所述第二厚度测定装置，不使所述第二基板搬送装置进入所述第二厚度测定装置。
16.根据权利要求10至15中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述基板处理系统形成有载置能够收容多个所述重合基板的盒的搬入搬出区域、设置所述第一厚度测定装置和所述第二厚度测定装置的处理区域、以及设置所述加工装置的加工区域，
其中，将所述搬入搬出区域的内部压力控制得比所述处理区域的内部压力高，且将所述处理区域的内部压力控制得比所述加工区域的内部压力高。
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，
将所述第一厚度测定装置和所述第二厚度测定装置的内部压力控制得比所述搬入搬出区域的内部压力低且比所述处理区域的内部压力高。
18.根据权利要求10至17中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在通过所述第一厚度测定装置测定所述第一基板的厚度之前，通过第一清洗装置对磨削前的所述重合基板进行清洗；以及
在通过所述第二厚度测定装置测定所述第一基板的厚度之前，通过第二清洗装置对磨削后的所述重合基板进行清洗。
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