JP7080330B2 - 基板処理システムおよび基板処理方法 - Google Patents

基板処理システムおよび基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7080330B2
JP7080330B2 JP2020538235A JP2020538235A JP7080330B2 JP 7080330 B2 JP7080330 B2 JP 7080330B2 JP 2020538235 A JP2020538235 A JP 2020538235A JP 2020538235 A JP2020538235 A JP 2020538235A JP 7080330 B2 JP7080330 B2 JP 7080330B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
main surface
grinding
processing
chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020538235A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2020039802A1 (ja
Inventor
宗久 児玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of JPWO2020039802A1 publication Critical patent/JPWO2020039802A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7080330B2 publication Critical patent/JP7080330B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B08B1/12—Brushes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/005—Feeding or manipulating devices specially adapted to grinding machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/04—Headstocks; Working-spindles; Features relating thereto
    • B24B41/047—Grinding heads for working on plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Description

本開示は、基板処理システムおよび基板処理方法に関する。
特許文献１に記載の加工装置は、カセット載置ユニットと、搬入出ロボットと、仮置きユニットと、搬送ロボットと、走行ユニットと、研削ユニットと、洗浄ユニットとを有する。先ず、搬入出ロボットは、カセットから加工前の板状ワークを搬出して仮置きユニットに搬送する。その後、搬送ロボットおよび走行ユニットが、板状ワークを研削ユニットおよび洗浄ユニットに順次搬送する。これにより、粗研削、仕上げ研削および洗浄が順次行われる。
日本国特開２０１５－２０７６２２号公報
本開示の一態様は、組織的に基板の両面を平坦に研削できる、技術を提供する。
本開示の一態様に係る基板処理システムは、
基板の第１主表面を上に向けて前記基板を下方から保持すると共に、前記基板の前記第１主表面を研削する第１主表面研削装置と、
前記第１主表面研削装置で研削された前記基板を上下反転させる第１反転装置と、
前記基板の第２主表面を上に向けて前記基板の研削された前記第１主表面を下方から保持すると共に、前記基板の前記第２主表面を研削する第２主表面研削装置とを備える。
本開示の一態様によれば、組織的に基板の両面を平坦に研削できる。
図１は、一実施形態に係る基板処理システムを示す上面図である。 図２は、一実施形態に係る基板処理システムを示す前面図である。 図３は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図４は、平坦化層の形成の終了時、第１主表面の研削の終了時、および基板の反転の開始時のそれぞれの基板の状態の一例を示す図である。 図５は、第１主表面の後洗浄の終了時、平坦化層の研削の開始時、および第２主表面の前洗浄の終了時のそれぞれの基板の状態の一例を示す図である。 図６は、第２主表面の研削の終了時、第２主表面の後洗浄の終了時、および第２主表面のエッチングの開始時のそれぞれの基板の状態の一例を示す図である。 図７は、基板の反転の開始時、第１主表面のエッチングの開始時、およびキャリア収納時のそれぞれの基板の状態の一例を示す図である。 図８は、一実施形態に係る加工装置を示す上面図である。 図９は、図８の矢印Ａ方向および図８の矢印Ｂから見た可動部と昇降部との位置関係の一例を示す図である。 図１０は、基板処理システムの第１変形例を示す上面図である。 図１１は、基板処理システムの第１変形例を示す前面図である。 図１２は、基板処理方法の第１変形例を示すフローチャートである。 図１３は、基板処理システムの第２変形例を示す前面図である。 図１４は、基板処理方法の第２変形例を示すフローチャートである。 図１５は、平坦化層の除去の開始時の基板の状態の一例を示す図である。 図１６は、加工装置の第１変形例を示す上面図である。 図１７は、図１６に示す２つのチャックテーブルの位置変化の一例を示す上面図である。 図１８は、図１７に示す２つのチャックテーブルの位置変化を利用した処理の一例を示すフローチャートである。 図１９は、図１６に示す可動部と、昇降部と、進退部との位置関係の一例を示す後面図である。 図２０は、加工装置の第２変形例を示す上面図である。 図２１は、図２０に示す４つのチャックテーブルの位置変化の一例を示す上面図である。 図２２は、図２１に示す４つのチャックテーブルの位置変化を利用した処理の一例を示すフローチャートである。 図２３は、図２０に示す４つのチャックテーブルの位置変化の別の一例を示す上面図である。 図２４は、図２３に示す４つのチャックテーブルの位置変化を利用した処理の一例を示すフローチャートである。 図２０に示す２つの可動部と、２つの昇降部と、２つの進退部との位置関係の一例を示す後面図である。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の又は対応する符号を付し、説明を省略することがある。以下の説明において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。また、下方とは鉛直方向下方（Ｚ軸負方向）を意味し、上方とは鉛直方向上方（Ｚ軸正方向）を意味する。さらに、Ｙ軸負方向を前方、Ｙ軸正方向を後方とも呼ぶ。
図１は、一実施形態に係る基板処理システムを示す上面図である。図２は、一実施形態に係る基板処理システムを示す前面図である。基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、第１処理ステーション３と、第２処理ステーション４と、制御装置９とを備える。搬入出ステーション２と、第１処理ステーション３と、第２処理ステーション４とは、この順で、Ｘ軸方向正側からＸ軸方向負側に配置される。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部２１と、搬送部２６と、受渡部２８とを備える。キャリア載置部２１には、複数のキャリアＣがＹ軸方向に一列に並んで載置される。複数のキャリアＣのそれぞれは、複数枚の基板１０を水平に収容する。基板１０は、例えばシリコンウェハなどの半導体基板である。基板１０は、例えばインゴットをスライスすることにより製造される。基板１０は、互いに対向する第１主表面１１と第２主表面１２とを有する（図４（ａ）参照）。第１主表面１１と第２主表面１２とは、それぞれ、凹凸を有する。
搬送部２６は、キャリア載置部２１の隣に配置され、キャリア載置部２１のＸ軸方向負側に配置される。また、搬送部２６は、受渡部２８の隣に配置され、受渡部２８のＸ軸方向正側に配置される。搬送部２６の内部には、搬送装置２７が設けられる。搬送装置２７は、基板１０を保持する保持機構を備える。保持機構は、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。搬送装置２７は、キャリア載置部２１に載置されたキャリアＣと、受渡部２８との間で基板１０を搬送する。
受渡部２８は、搬送部２６のＸ軸方向負側であって、第１処理ステーション３のＸ軸方向正側に配置される。受渡部２８は、第１トランジション装置２９を備える。第１トランジション装置２９は、基板１０を一時的に収容する。受渡部２８における第１トランジション装置２９の、配置や個数は、任意に選択可能である。尚、搬入出ステーション２は受渡部２８を備えなくてもよく、この場合、受渡部２８の第１トランジション装置２９は第１処理ステーション３の処理ブロック３１に配置され、処理ブロック３１は搬送部２６の隣に配置される。
第１処理ステーション３は、処理ブロック３１と、搬送部３６とを備える。処理ブロック３１は、第２トランジション装置３２と、平坦化装置３３と、洗浄装置３４と、エッチング装置３５Ａ、３５Ｂと、反転装置３９とを備える。第２トランジション装置３２は、基板１０を一時的に収容する。平坦化装置３３は、基板１０の第２主表面１２に平坦化層１５を形成する。洗浄装置３４は、基板１０の第２主表面１２を洗浄する。エッチング装置３５Ａは、基板１０の第２主表面１２をエッチングする。エッチング装置３５Ｂは、基板１０の第１主表面１１をエッチングする。エッチング装置３５Ａを第２主表面エッチング装置とも呼び、エッチング装置３５Ｂを第１主表面エッチング装置とも呼ぶ。反転装置３９は、基板１０を上下反転させる。
第２トランジション装置３２と洗浄装置３４とは、第２処理ステーション４の搬送装置４７と基板１０を受け渡すべく、第２処理ステーション４の搬送部４６の隣に配置され、搬送部４６のＸ軸方向正側に配置される。第２トランジション装置３２と洗浄装置３４とは、処理ブロック３１の設置面積を低減すべく、Ｚ軸方向に積層される。なお、反転装置３９は、第２トランジション装置３２および洗浄装置３４とＺ軸方向に積層される。
なお、処理ブロック３１において、第２トランジション装置３２、平坦化装置３３、洗浄装置３４、エッチング装置３５Ａ、３５Ｂ、および反転装置３９の、配置や個数は、任意に選択可能である。
搬送部３６は、搬入出ステーション２の第１トランジション装置２９の隣に配置され、第１トランジション装置２９のＸ軸方向負側に配置される。また、搬送部３６は、処理ブロック３１の隣に配置され、処理ブロック３１のＹ軸方向正側に配置される。搬送部３６の内部には、搬送装置３７が設けられる。搬送装置３７は、基板１０を保持する保持機構を備える。保持機構は、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。搬送装置３７は、搬入出ステーション２の第１トランジション装置２９、および第１処理ステーション３の処理ブロック３１に対し基板１０を搬送する。
第２処理ステーション４は、第１処理ブロック４０と、第２処理ブロック４３と、搬送部４６とを備える。第１処理ブロック４０および第２処理ブロック４３は搬送部４６の隣に配置され、第１処理ブロック４０は搬送部４６のＹ軸方向正側に配置され、第２処理ブロック４３は、搬送部４６のＸ軸方向負側に配置される。
第１処理ブロック４０は、３つの加工装置４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを備える。３つの加工装置４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、Ｘ軸方向に並んで配置される。加工装置４１Ａは、基板１０の第１主表面１１を研削する。加工装置４１Ｂは、基板１０の第２主表面１２に形成された平坦化層１５を研削する。加工装置４１Ｃは、基板１０の第２主表面１２を研削する。加工装置４１Ａを第１主表面研削装置とも呼び、加工装置４１Ｂを平坦化層研削装置とも呼び、加工装置４１Ｃを第２主表面研削装置とも呼ぶ。なお、第１処理ブロック４０における加工装置の数は、３つには限定されず、２つ以上であればよい。また、第１処理ブロック４０における加工装置の配置は、図１に示す配置には限定されない。
第２処理ブロック４３は、反転装置４４と、２つの洗浄装置４５Ａ、４５Ｂとを備える。反転装置４４は、基板１０を上下反転させる。反転装置４４を第１反転装置とも呼び、反転装置３９を第２反転装置とも呼ぶ。洗浄装置４５Ａは、基板１０の第１主表面１１を洗浄する。洗浄装置４５Ｂは、基板１０の第２主表面１２を洗浄する。反転装置４４および２つの洗浄装置４５Ａ、４５Ｂは、第２処理ブロック４３の設置面積を低減すべく、Ｚ軸方向に積層される。
搬送部４６は、第１処理ステーション３の処理ブロック３１の隣に配置され、処理ブロック３１のＸ軸方向負側に配置される。また、搬送部４６は、第２処理ステーション４の第１処理ブロック４０の隣に配置され、第１処理ブロック４０のＹ軸方向負側に配置される。さらに、搬送部４６は、第２処理ステーション４の第２処理ブロック４３の隣に配置され、第２処理ブロック４３のＸ軸方向正側に配置される。
搬送部４６の内部には、搬送装置４７が設けられる。搬送装置４７は、基板１０を保持する保持機構を備える。保持機構は、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。搬送装置４７は、第１処理ステーション３の処理ブロック３１、第２処理ステーション４の第１処理ブロック４０、および第２処理ステーション４の第２処理ブロック４３に対し基板１０を搬送する。
第２処理ステーション４の搬送部４６の内部の気圧に比べて第１処理ステーションの搬送部３６の内部の気圧が高くなるように、搬送部３６の天井部にはＦＦＵ（Fan Filter Unit）が設けられてもよい。ＦＦＵは、搬送部３６の内部にダウンフローを形成する。第２処理ステーション４から第１処理ステーション３への気流の侵入を制限できる。
第２処理ステーション４と第１処理ステーション３との境界には、基板１０の出入口を開閉するシャッター５が設置されてもよい。シャッター５は、例えば、第１処理ステーション３の処理ブロック３１と、第２処理ステーション４の搬送部４６との境界に設置される。シャッター５は、搬送装置４７が搬送部４６から処理ブロック３１に入る直前に出入口を開放し、搬送装置４７が処理ブロック３１から搬送部４６に出た直後に出入口を閉塞する。第２処理ステーション４から第１処理ステーション３への気流の侵入を制限でき、第２処理ステーション４の第１処理ブロック４０で発生したパーティクルが、搬送部４６を介して第１処理ステーション３の処理ブロック３１に進入するのを抑制できる。
同様に、第２処理ステーション４の搬送部４６と第２処理ブロック４３との境界には、基板１０の出入口を開閉するシャッター６が設置されてもよい。シャッター６は、搬送装置４７が搬送部４６から第２処理ブロック４３に入る直前に出入口を開放し、搬送装置４７が第２処理ブロック４３から搬送部４６に出た直後に出入口を閉塞する。第２処理ステーション４の第１処理ブロック４０で発生したパーティクルが、搬送部４６を介して第２処理ブロック４３に進入するのを抑制できる。
制御装置９は、例えばコンピュータで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１と、メモリなどの記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理システム１の動作を制御する。また、制御装置９は、入力インターフェース９３と、出力インターフェース９４とを備える。制御装置９は、入力インターフェース９３で外部からの信号を受信し、出力インターフェース９４で外部に信号を送信する。
かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御装置９の記憶媒体９２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。なお、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、制御装置９の記憶媒体９２にインストールされてもよい。
図３は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図４は、平坦化層の形成の終了時、第１主表面の研削の終了時、および基板の反転の開始時のそれぞれの基板の状態の一例を示す図である。詳細には、図４（ａ）は平坦化層の形成の終了時の基板の状態の一例を示し、図４（ｂ）は第１主表面の研削の終了時の基板の状態の一例を示し、図４（ｃ）は基板の反転の開始時の基板の状態の一例を示す。図５は、第１主表面の後洗浄の終了時、平坦化層の研削の開始時、および第２主表面の前洗浄の終了時のそれぞれの基板の状態の一例を示す図である。詳細には、図５（ａ）は第１主表面の後洗浄の終了時の基板の状態の一例を示し、図５（ｂ）は平坦化層の研削の開始時の基板の状態の一例を示し、図５（ｃ）は第２主表面の前洗浄の終了の基板の状態の一例を示す。図６は、第２主表面の研削の終了時、第２主表面の後洗浄の終了時、および第２主表面のエッチングの開始時のそれぞれの基板の状態の一例を示す図である。詳細には、図６（ａ）は第２主表面の研削の終了時の基板の状態の一例を示し、図６（ｂ）は第２主表面の後洗浄の終了時の基板の状態の一例を示し、図６（ｃ）は第２主表面のエッチングの開始時の基板の状態の一例を示す。図７は、基板の反転の開始時、第１主表面のエッチングの開始時、およびキャリア収納時のそれぞれの基板の状態の一例を示す図である。詳細には、図７（ａ）は基板の反転の開始時の基板の状態の一例を示し、図７（ｂ）は第１主表面のエッチングの開始時の基板の状態の一例を示し、図７（ｃ）はキャリア収納時の基板の状態の一例を示す。図３～図７に示す処理は、制御装置９による制御下で実施される。
基板処理方法は、キャリア載置部２１に載置されたキャリアＣから基板１０を取り出す工程Ｓ１０１を有する。搬送装置２７が、キャリアＣから基板１０を取り出す。キャリアＣは、基板１０の第１主表面１１を上に向けて、基板１０を収容する。基板１０は、搬送装置２７によってキャリア載置部２１から第１トランジション装置２９に搬送され、次いで搬送装置３７によって第１トランジション装置２９から平坦化装置３３に搬送される。
基板処理方法は、平坦化装置３３によって基板１０の第２主表面１２に平坦化層１５を形成する工程Ｓ１０２を有する。平坦化装置３３は、例えば、図４（ａ）に示すように、テーブル３３１と、押さえ板３３２とを有する。テーブル３３１は、基板１０の第１主表面１１を上に向けて、基板１０を下方から支持する。押さえ板３３２は、昇降自在とされ、基板１０を上方から押さえ、基板１０とテーブル３３１との間に配置される液状の平坦化剤を押し潰す。平坦化剤は、テーブル３３１の平坦な上面に押し付けられる。その後、平坦化剤が固化されることにより、平坦化層１５が形成される。
平坦化剤としては、特に限定されないが、例えば紫外線硬化樹脂が用いられる。この場合、平坦化装置３３は、紫外線硬化樹脂に紫外線を照射する光源３３３を有する。テーブル３３１は紫外線を透過するものであってよく、光源３３３はテーブル３３１を介して紫外線硬化樹脂に紫外線を照射してよい。なお、平坦化剤としては、熱可塑性樹脂などが用いられてもよい。
平坦化層１５が形成された基板１０は、搬送装置３７によって平坦化装置３３から第２トランジション装置３２に搬送され、続いて搬送装置４７によって第２トランジション装置３２から加工装置４１Ａに搬送される。
なお、基板処理システム１は平坦化装置３３を有しなくてもよく、基板処理方法は平坦化層１５を形成する工程Ｓ１０２を有しなくてもよい。この場合、基板処理システム１の外部において平坦化層１５が形成され、その後、基板１０がキャリアＣに収容され、次いで、キャリアＣが基板処理システム１に搬入される。また、基板１０の第２主表面１２に平坦化層１５を形成することが不要な場合もある。
基板処理方法は、加工装置４１Ａによって基板１０の第１主表面１１を研削する工程Ｓ１０３を有する。加工装置４１Ａは、図４（ｂ）に示すように、チャックテーブル５３を有する。チャックテーブル５３は、基板１０の第１主表面１１を上に向けて、平坦化層１５の平坦面１６を下方から保持する。加工装置４１Ａは、チャックテーブル５３と共に基板１０を回転させると共に、チャックテーブル５３の上方に配置された研削工具１７Ａを回転させながら下降させ、基板１０の第１主表面１１を研削する。平坦化層１５の平坦面１６に対し平行に、基板１０の第１主表面１１を研削できる。従って、研削後の第１主表面１１の平坦度を向上できる。研削の終了時に、基板１０の第１主表面１１には、研削工具１７Ａとの接触によってダメージ層１３が形成される。その後、基板１０は、搬送装置４７によって、加工装置４１Ａから反転装置４４に搬送される。なお、加工装置４１Ａは、本実施形態では、基板１０の第１主表面１１を上に向けて平坦化層１５の平坦面１６を下方から保持すると共に、第１主表面１１を研削するが、本開示の技術はこれに限定されない。平坦化層１５が第２主表面１２に形成されていなくても、第１主表面１１を平坦に研削できる場合もある。
基板処理方法は、反転装置４４によって基板１０を上下反転させる工程Ｓ１０４を有する。反転装置４４は、図４（ｃ）に示すように、基板１０を保持する保持機構４４１と、保持機構４４１を回転させる回転機構４４２とを有する。回転機構４４２は、保持機構４４１を１８０°回転させることにより、基板１０を上下反転させる。基板１０は、第１主表面１１を上に向けた状態から、第１主表面１１を下に向けた状態になる。上下反転された基板１０は、搬送装置４７によって、反転装置４４から洗浄装置４５Ａに搬送される。
基板処理方法は、洗浄装置４５Ａによって基板１０を洗浄する工程Ｓ１０５を有する。洗浄装置４５Ａは、図５（ａ）に示すように、チャック４５１Ａと、下面用ブラシ４５２Ａと、上面用ブラシ４５３Ａとを有する。チャック４５１Ａは、基板１０の第２主表面１２を上に向けて、基板１０の外周部を保持する。下面用ブラシ４５２Ａは、基板１０の第１主表面１１をスクラブ洗浄する。一方、上面用ブラシ４５３Ａは、平坦化層１５の平坦面１６をスクラブ洗浄する。スクラブ洗浄は、固体を基板１０に接触させる擦り洗いのことである。なお、平坦化層１５が第２主表面１２に形成されない場合、上面用ブラシ４５３Ａは第２主表面１２をスクラブ洗浄する。
下面用ブラシ４５２Ａおよび上面用ブラシ４５３Ａとして、本実施形態ではディスクブラシが用いられるが、ロールブラシが用いられてもよい。また、ブラシの代わりにスポンジなどが用いられてもよい。いずれにしろ、基板１０の第１主表面１１などに付着した研削屑を除去できる。洗浄された基板１０は、搬送装置４７によって、洗浄装置４５Ａから加工装置４１Ｂに搬送される。
なお、基板１０を上下反転させる工程Ｓ１０４と、基板１０を洗浄する工程Ｓ１０５との順番は逆でもよい。つまり、基板１０を洗浄する工程Ｓ１０５の後に、基板１０を上下反転する工程Ｓ１０４が行われてもよい。基板１０は、反転装置４４によって上下反転され、且つ、洗浄装置４５Ａによって洗浄された後、搬送装置４７によって加工装置４１Ｂに搬送される。
基板処理方法は、加工装置４１Ｂによって平坦化層１５を研削する工程Ｓ１０６を有する。加工装置４１Ｂは、図５（ｂ）に示すように、チャックテーブル５３を有する。チャックテーブル５３は、基板１０の第２主表面１２を上に向けて、基板１０の研削された第１主表面１１を下方から保持する。加工装置４１Ｂは、チャックテーブル５３と共に基板１０を回転させると共に、チャックテーブル５３の上方に配置された研削工具１７Ｂを回転させながら下降させ、平坦化層１５を研削する。その後、基板１０は、搬送装置４７によって、加工装置４１Ｂから洗浄装置４５Ｂに搬送される。なお、平坦化層１５が第２主表面１２に形成されない場合、平坦化層１５を研削する工程Ｓ１０６は当然に不要である。
基板処理方法は、洗浄装置４５Ｂによって基板１０を洗浄する工程Ｓ１０７を有する。洗浄装置４５Ｂは、図５（ｃ）に示すように、チャック４５１Ｂと、下面用ブラシ４５２Ｂと、上面用ブラシ４５３Ｂとを有する。チャック４５１Ｂは、基板１０の第２主表面１２を上に向けて、基板１０の外周部を保持する。下面用ブラシ４５２Ｂは、基板１０の第１主表面１１をスクラブ洗浄する。一方、上面用ブラシ４５３Ｂは、基板１０の第２主表面１２をスクラブ洗浄する。
下面用ブラシ４５２Ｂおよび上面用ブラシ４５３Ｂとして、本実施形態ではディスクブラシが用いられるが、ロールブラシが用いられてもよい。また、ブラシの代わりにスポンジなどが用いられてもよい。いずれにしろ、基板１０の第２主表面１２などに付着した研削屑を除去できる。洗浄された基板１０は、搬送装置４７によって、洗浄装置４５Ｂから加工装置４１Ｃに搬送される。
基板処理方法は、加工装置４１Ｃによって基板１０の第２主表面１２を研削する工程Ｓ１０８を有する。加工装置４１Ｃは、図６（ａ）に示すように、チャックテーブル５３を有する。チャックテーブル５３は、基板１０の第２主表面１２を上に向けて、基板１０の研削された第１主表面１１を下方から保持する。加工装置４１Ｃは、チャックテーブル５３と共に基板１０を回転させると共に、チャックテーブル５３の上方に配置された研削工具１７Ｃを回転させながら下降させ、基板１０の第２主表面１２を研削する。第１主表面１１は予め研削（工程Ｓ１０３）で平坦化済みであり、第１主表面１１と平行に第２主表面１２が研削される。従って、研削後の第２主表面１２の平坦度を向上できる。研削の終了時に、基板１０の第２主表面１２には、研削工具１７Ｃとの接触によってダメージ層１４が形成される。その後、基板１０は、搬送装置４７によって、加工装置４１Ｃから洗浄装置３４に搬送される。
基板処理方法は、洗浄装置３４によって基板１０を洗浄する工程Ｓ１０９を有する。洗浄装置３４は、図６（ｂ）に示すように、チャック３４１と、下面用ブラシ３４２と、上面用ブラシ３４３とを有する。チャック３４１は、基板１０の第２主表面１２を上に向けて、基板１０の外周部を保持する。下面用ブラシ３４２は、基板１０の第１主表面１１をスクラブ洗浄する。一方、上面用ブラシ３４３は、基板１０の第２主表面１２をスクラブ洗浄する。
下面用ブラシ３４２および上面用ブラシ３４３として、本実施形態ではディスクブラシが用いられるが、ロールブラシが用いられてもよい。また、ブラシの代わりにスポンジなどが用いられてもよい。いずれにしろ、基板１０の第２主表面１２などに付着した研削屑を除去できる。洗浄された基板１０は、搬送装置３７によって、洗浄装置３４からエッチング装置３５Ａに搬送される。
基板処理方法は、エッチング装置３５Ａによって基板１０をエッチングする工程Ｓ１１０を有する。エッチング装置３５Ａは、図６（ｃ）に示すように、チャック３５１Ａと、上面用ノズル３５２Ａと、下面用ノズル３５３Ａとを有する。チャック３５１Ａは、基板１０の研削された第２主表面１２を上に向けて、基板１０の外周部を保持する。
上面用ノズル３５２Ａは、基板１０の第２主表面１２に、ダメージ層１４を除去するエッチング液Ｌ１を供給する。エッチング液Ｌ１としては、例えば酸性またはアルカリ性の薬液が用いられる。エッチング液Ｌ１は、チャック３５１Ａと共に回転する基板１０の遠心力によって、基板１０の第２主表面１２全体に濡れ広がる。
一方、下面用ノズル３５３Ａは、基板１０の第１主表面１１に、エッチング液Ｌ１の回り込みを制限するガード液Ｌ２を供給する。ガード液Ｌ２としては、例えばＤＩＷ（Deionized Water）などが用いられる。ガード液Ｌ２は、チャック３５１Ａと共に回転する基板１０の遠心力によって、基板１０の第１主表面１１全体に濡れ広がる。ダメージ層１４が除去された基板１０は、乾燥後、搬送装置３７によってエッチング装置３５Ａから反転装置３９に搬送される。
基板処理方法は、反転装置３９によって基板１０を上下反転させる工程Ｓ１１１を有する。反転装置３９は、図７（ａ）に示すように、基板１０を保持する保持機構３９１と、保持機構３９１を回転させる回転機構３９２とを有する。回転機構３９２は、保持機構３９１を１８０°回転させることにより、基板１０を上下反転させる。基板１０は、第２主表面１２を上に向けた状態から、第２主表面１２を下に向けた状態になる。上下反転された基板１０は、搬送装置３７によって、反転装置３９からエッチング装置３５Ｂに搬送される。
基板処理方法は、エッチング装置３５Ｂによって基板１０をエッチングする工程Ｓ１１２を有する。エッチング装置３５Ｂは、図７（ｂ）に示すように、チャック３５１Ｂと、上面用ノズル３５２Ｂと、下面用ノズル３５３Ｂとを有する。チャック３５１Ｂは、基板１０の研削された第１主表面１１を上に向けて、基板１０の外周部を保持する。
上面用ノズル３５２Ｂは、基板１０の第１主表面１１に、ダメージ層１３を除去するエッチング液Ｌ１を供給する。エッチング液Ｌ１としては、例えば酸性またはアルカリ性の薬液が用いられる。エッチング液Ｌ１は、チャック３５１Ｂと共に回転する基板１０の遠心力によって、基板１０の第１主表面１１全体に濡れ広がる。
一方、下面用ノズル３５３Ｂは、基板１０の第２主表面１２に、エッチング液Ｌ１の回り込みを制限するガード液Ｌ２を供給する。ガード液Ｌ２としては、例えばＤＩＷ（Deionized Water）などが用いられる。ガード液Ｌ２は、チャック３５１Ｂと共に回転する基板１０の遠心力によって、基板１０の第２主表面１２全体に濡れ広がる。ダメージ層１３が除去された基板１０は、乾燥後、搬送装置３７によってエッチング装置３５Ｂから第１トランジション装置２９に搬送され、搬送装置２７によって第１トランジション装置２９からキャリア載置部２１に搬送される。
基板処理方法は、第１主表面１１の研削およびエッチング、ならびに第２主表面１２の研削およびエッチングが施された乾燥後の基板１０（図７（ｃ）参照）を、キャリア載置部２１に載置されたキャリアＣに収容する工程Ｓ１１３を有する。基板１０は、搬送装置２７によって、キャリアＣに収容される。
なお、基板処理方法は、基板１０の取出（工程Ｓ１０１）から、基板１０の収容（工程Ｓ１１３）までの間に、第１主表面１１の研削（工程Ｓ１０３）と、基板１０の反転（工程Ｓ１０４）と、第２主表面１２の研削（工程Ｓ１０８）とを有すればよい。基板処理システム１を利用して、組織的に基板１０の両面を平坦に研削できる。
ところで、本実施形態の基板処理システム１は、３つの加工装置４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを備える。加工装置４１Ａが特許請求の範囲に記載の第１主表面研削装置に対応し、加工装置４１Ｂが特許請求の範囲に記載の平坦化層研削装置に対応し、加工装置４１Ｃが特許請求の範囲に記載の第２主表面研削装置に対応する。
本実施形態の基板処理方法は、基板１０の第２主表面１２を研削する研削工具１７Ｃとは別の研削工具１７Ｂで、平坦化層１５を研削する工程Ｓ１０６を有する。平坦化層１５と基板１０との材質差が大きく、平坦化層１５と基板１０の両方を研削できる研削工具が存在しない場合に、平坦化層１５と基板１０とを別々に研削できる。
３つの加工装置４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、同様に構成される。そこで、以下、図８および図９等を参照して、１つの加工装置４１Ａの構成について説明し、他の２つの加工装置４１Ｂ、４１Ｃの構成について説明を省略する。
図８は、一実施形態に係る加工装置を示す上面図である。図９は、図８の矢印Ａ方向および図８の矢印Ｂ方向から見た可動部と昇降部との位置関係の一例を示す図である。詳細には、図９（ａ）は図８の矢印Ａ方向から見た可動部と昇降部との位置関係の一例を示し、図９（ｂ）は図８の矢印Ｂ方向から見た可動部と昇降部との位置関係の一例を示す。
加工装置４１Ａは、チャックテーブル５３と、可動部６０と、昇降部７０と、洗浄部８０とを備える。チャックテーブル５３は、基板１０を下方から水平に保持する基板保持面を有する。基板保持面は、基板１０よりも大きな直径を有し、基板１０の下面全体を吸着する。
可動部６０は、基板１０を研削する研削工具１７Ａが交換可能に装着されるものである。研削工具１７Ａは、例えば、円盤状のホイール１８と、リング状に配列される複数の砥石１９とを含む。複数の砥石１９は、例えばホイール１８の下面の外周部に固定される。砥石１９が摩耗し、砥石１９の厚みが予め設定された交換厚みよりも小さくなると、研削工具１７Ａが交換される。研削工具１７Ａの交換は、定期的に行われてもよい。なお、砥石１９は、ホイール１８の下面全体に円盤状に固定されてもよい。
可動部６０は、例えば、研削工具１７Ａが交換可能に装着されるフランジ６１と、フランジ６１が下端部に設けられるスピンドル軸６２と、スピンドル軸６２を回転自在に支持する軸受６３と、スピンドル軸６２を回転させるスピンドルモータ６５とを有する。
スピンドルモータ６５は、スピンドル軸６２を回転させることにより、フランジ６１に装着される研削工具１７Ａを回転させる。スピンドルモータ６５は、スピンドル軸６２が連結される回転子と、内部に回転磁界を形成する固定子と、固定子が固定されるハウジングとを有する。ハウジングは、昇降部７０の一対のＺ軸スライダ７２に固定される。
スピンドルモータ６５としては、高いトルクを得るべく、例えば誘導モータが用いられる。誘導モータは、固定子の巻線に交流電流を供給することにより回転磁界を形成し、その回転磁界によって回転子を回転させる。固定子の巻線に供給される交流電流の周波数に応じた回転数で研削工具１７Ａが回転させられる。
昇降部７０は、可動部６０を鉛直方向に昇降させることにより、可動部６０に装着された研削工具１７Ａを、チャックテーブル５３に対し接離させる。昇降部７０は、Ｚ軸方向に延びる一対のＺ軸ガイド７１と、一対のＺ軸ガイド７１に沿って昇降する一対のＺ軸スライダ７２と、一対のＺ軸スライダ７２を昇降させるＺ軸モータ７３とを有する。Ｚ軸ガイド７１を昇降ガイドとも呼び、Ｚ軸スライダ７２を昇降スライダとも呼ぶ。一対のＺ軸スライダ７２には、可動部６０が固定される。Ｚ軸モータ７３は、回転運動するものでもよいし、直線運動するものでもよい。Ｚ軸モータ７３が回転運動する場合、Ｚ軸モータ７３の回転運動を一対のＺ軸スライダ７２の直線運動に変換するボールねじ７４を、昇降部７０が有する。
昇降部７０は、可動部６０を下降させることにより、可動部６０をチャックテーブル５３に接近させる。この間、可動部６０に装着された研削工具１７Ａが回転させられる。研削工具１７Ａは、回転しながら下降し、チャックテーブル５３と共に回転する基板１０に接触させられ、基板１０を研削する。その後、昇降部７０は、可動部６０を上昇させることにより、可動部６０をチャックテーブル５３から離間させる。
図８に示すように、加工装置４１Ａは、上方視で、矩形状の外形を有し、前後方向（例えばＹ軸方向）に平行な二辺を有する。加工装置４１Ａは、Ｙ軸ガイド５４を有する。Ｙ軸ガイド５４は、チャックテーブル５３を前後方向に案内する水平ガイドである。Ｙ軸ガイド５４に沿って、受渡位置Ａ０と、加工位置Ａ１とが配置される。チャックテーブル５３は、受渡位置Ａ０と加工位置Ａ１との間をＹ軸方向に直線移動する。チャックテーブル５３はＸ軸方向には移動しないので、加工装置４１ＡがＹ軸方向に細長く形成され、加工装置４１Ａの小型化が可能である。
受渡位置Ａ０は、チャックテーブル５３に対する基板１０の受渡が行われる位置である。受渡位置Ａ０は、搬送装置４７からチャックテーブル５３への基板１０の受渡が行われる位置と、チャックテーブル５３から搬送装置４７への基板１０の受渡が行われる位置とを兼ねる。
加工位置Ａ１は、チャックテーブル５３に保持されている基板１０が研削工具１７Ａによって加工される位置である。加工位置Ａ１では、可動部６０に装着された研削工具１７Ａが、基板１０の上面を加工する。ここで、基板１０の上面は、例えば基板１０の第１主表面１１である。
なお、受渡位置Ａ０は、基板１０を洗浄部８０によって洗浄する位置を兼ねてよい。洗浄部８０は、加工位置Ａ１で加工された基板１０がチャックテーブル５３から取り外される前に、基板１０の上面を洗浄する。その洗浄方法は、例えばスプレー洗浄である。この場合、基板１０の加工と、加工後の基板１０の洗浄とが順次実施される。
また、受渡位置Ａ０は、チャックテーブル５３の基板保持面を洗浄部８０によって洗浄する位置を兼ねてよい。洗浄部８０は、加工位置Ａ１で加工された基板１０がチャックテーブル５３から取り外された後、露出した基板保持面を洗浄する。その洗浄方法は、例えばスプレー洗浄、スクラブ洗浄のいずれでもよく、両方でもよい。この場合、基板１０の加工と、露出した基板保持面の洗浄とが順次実施される。
図８に示すように、上方視で、受渡位置Ａ０は、加工位置Ａ１に比べて、前方（Ｙ軸方向負側）に配置され、加工装置４１Ａの基板１０が搬入出される搬入出口４２Ａの近くに配置される。搬送装置４７は加工装置４１Ａの前方から加工装置４１Ａに対する基板１０の搬入出を行うので、搬送装置４７が受渡位置Ａ０にアクセスしやすい。従って、基板１０の受渡を円滑に行うことができる。
搬入出口４２Ａは、加工装置４１Ａの搬送部４６に面する壁、つまり、加工装置４１Ａの前面の開口部である。加工装置４１Ａの搬送部４６に面する壁は、Ｙ軸方向に対し垂直である。搬入出口４２Ａには、搬入出口４２Ａを開閉するシャッター７が設けられてもよい。シャッター７は、搬送装置４７が搬送部４６から加工装置４１Ａに入る直前に搬入出口４２Ａを開放し、搬送装置４７が加工装置４１Ａから搬送部４６に出た直後に搬入出口４２Ａを閉塞する。基板１０が搬入出口４２Ａを通る時に、シャッター７が搬入出口４２Ａを開放する。一方、加工装置４１Ａが基板１０の加工を行う時に、シャッター７が搬入出口４２Ａを閉塞する。加工装置４１Ａの内部で発生した加工屑が搬送部４６に流出することを抑制できる。
また、図８に示すように、上方視で、加工位置Ａ１に位置するチャックテーブル５３の一部は、可動部６０に装着された研削工具１７Ａに比べて、後方（例えばＹ軸方向正側）に配置される。研削工具１７Ａの交換時に、加工装置４１Ａの後方から研削工具１７Ａとチャックテーブル５３とのギャップＧ（図９（ｂ）参照）を確認できる。それゆえ、ギャップＧの調整作業が容易であり、メンテナンス性が良い。
昇降部７０は、チャックテーブル５３の移動経路をまたぐ門型フレーム７０１を有する。門型フレーム７０１は、Ｘ軸方向に間隔をおいて配置される一対の支柱７０２、７０３と、一対の支柱７０２、７０３の上端部同士を連結する横梁７０４とを有する。一対の支柱７０２、７０３には一対のＺ軸ガイド７１が固定され、横梁７０４にはＺ軸モータ７３が固定される。
昇降部７０は、門型フレーム７０１に固定される一対のＺ軸ガイド７１と、一対のＺ軸ガイド７１に沿って昇降する一対のＺ軸スライダ７２とを有する。一対のＺ軸スライダ７２には可動部６０が固定される。
一対のＺ軸スライダ７２は、図８に示すように、スピンドルモータ６５の回転中心線６５Ｚを挟んで対称に配置される。その結果、図９（ｂ）に示すように、スピンドルモータ６５等の荷重をスピンドルモータ６５の回転中心線６５Ｚの近傍で支持できる。それゆえ、一対のＺ軸ガイド７１の撓み変形を抑制できるので、チャックテーブル５３に対する研削工具１７Ａの傾きを抑制できる。
図９（ａ）に示すように、加工装置４１Ａの真後ろから見て、昇降部７０は、可動部６０の横方向両側（Ｘ軸方向正側およびＸ軸方向負側）と、可動部６０の前側（Ｙ軸方向負側）とに配置されてよい。加工装置４１Ａの真後ろから見て、可動部６０に装着された研削工具１７Ａの全体が昇降部７０から露出する。つまり、加工装置４１Ａの真後ろから見て、昇降部７０が可動部６０に装着された研削工具１７Ａを隠さない。昇降部７０に妨げられることなく、加工装置４１Ａの後方から研削工具１７Ａの交換が可能である。それゆえ、研削工具１７Ａの交換が容易であり、メンテナンス性が良い。
上方視で矩形状の加工装置４１Ａの後方から研削工具１７Ａの交換が可能であるので、加工装置４１Ａの残りの三方（前方、左方および右方）が他の装置、または建物の壁などで塞がれていてもよい。加工装置４１Ａの残りの三方のいずれにも、研削工具１７Ａを交換する作業員の作業スペースが不要であるので、基板処理システム１の設置面積を低減でき、基板処理システム１の小型化が可能である。なお、研削工具１７Ａの交換は、作業員の代わりに、ロボットが行ってもよい。
上方視で矩形状の加工装置４１Ａの後方から研削工具１７Ａの交換が可能であるので、後方視で、複数の加工装置４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃが横方向（例えばＸ軸方向）に並んで配置されてよい。複数の加工装置４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃが異なる基板１０を同時に加工でき、単位時間当たりの基板１０の加工枚数を向上できる。
図１０は、基板処理システムの第１変形例を示す上面図である。図１１は、基板処理システムの第１変形例を示す前面図である。図１２は、基板処理方法の第１変形例を示すフローチャートである。以下、上記実施形態と、本変形例との相違点について主に説明する。
本変形例の基板処理システム１は、２つの加工装置４１Ａ、４１Ｃを備える。加工装置４１Ｃは、平坦化層１５と基板１０の第２主表面１２との両方を研削する研削工具１７Ｃが交換可能に装着される可動部６０（図８、図９参照）と、可動部６０を昇降させる昇降部７０（図８、図９参照）とを有する。
本変形例の基板処理方法は、基板１０の第２主表面１２を研削する研削工具１７Ｃで、平坦化層１５を研削する工程Ｓ１２１を有する。加工装置４１Ｃが平坦化層１５の研削（工程Ｓ１２１）と基板１０の第２主表面１２の研削（工程Ｓ１０８）とを続けて実施でき、加工装置４１Ｂが不要になる。それゆえ、基板処理システム１の設置面積を小さくできる。また、平坦化層１５の研削（工程Ｓ１２１）と基板１０の第２主表面１２の研削（工程Ｓ１０８）との間に、基板１０の洗浄（工程Ｓ１０７（図３参照））が不要になるので、洗浄装置４５Ｂが不要になる。なお、平坦化層１５が第２主表面１２に形成されない場合、平坦化層１５を研削する工程Ｓ１２１は当然に不要であり、加工装置４１Ｃは平坦化層１５を研削することなく第２主表面１２を研削する。
図１３は、基板処理システムの第２変形例を示す前面図である。なお、本変形例に係る基板処理システム１の上面図は、上記第１変形例に係る基板処理システム１の上面図（図１０）と同様であるので、図示を省略する。図１４は、基板処理方法の第２変形例を示すフローチャートである。図１５は、平坦化層の除去の開始時の基板の状態の一例を示す図である。以下、上記実施形態と、本変形例との相違点について主に説明する。
本変形例の基板処理システム１は、上記第１変形例の基板処理システム１と同様に２つの加工装置４１Ａ、４１Ｃを備える。本変形例の加工装置４１Ｃは、上記第１変形例の加工装置４１Ｃとは異なり、平坦化層１５を研削することなく基板１０の第２主表面１２を研削する。
本変形例の基板処理システム１は、平坦化層１５の研削を省略すべく、平坦化層１５を溶剤Ｓで溶かして除去する洗浄装置４５Ｃを備える。洗浄装置４５Ｃは、図１５に示すように、チャック４５１Ｃと、下面用ブラシ４５２Ｃと、上面用ブラシ４５３Ｃと、溶剤吐出ノズル４５４Ｃとを有する。チャック４５１Ｃは、基板１０の第２主表面１２を上に向けて、基板１０の外周部を保持する。
下面用ブラシ４５２Ｃは、基板１０の第１主表面１１をスクラブ洗浄するので、洗浄装置４５Ｃは図５（ａ）等に示す洗浄装置４５Ａの役割も果たす。一方、上面用ブラシ４５３Ｃは、平坦化層１５の平坦面１６をスクラブ洗浄する。溶剤吐出ノズル４５４Ｃは、基板１０の上方から溶剤Ｓを吐出する。溶剤Ｓとしては、例えばアルカリ性または酸性の薬液が用いられる。
下面用ブラシ４５２Ｃおよび上面用ブラシ４５３Ｃとして、本実施形態ではディスクブラシが用いられるが、ロールブラシが用いられてもよい。また、ブラシの代わりにスポンジなどが用いられてもよい。いずれにしろ、平坦化層１５を除去でき、基板１０の第２主表面１２を露出できる。洗浄された基板１０は、搬送装置４７によって、洗浄装置４５Ｃから加工装置４１Ｃに搬送される。
本変形例の基板処理方法は、洗浄装置４５Ｃによって平坦化層１５を溶剤Ｓで溶かして除去する工程Ｓ１３１を有する。平坦化層１５と基板１０との材質差が大きく、平坦化層１５と基板１０の両方を研削できる研削工具が存在しない場合に、平坦化層１５の研削専用の加工装置４１Ｂが不要になる。なお、平坦化層１５が第２主表面１２に形成されない場合、平坦化層１５を溶剤Ｓで溶かして除去する工程Ｓ１３１は当然に不要である。
図１６は、加工装置の第１変形例を示す上面図である。本変形例の加工装置４１Ｄは、上記実施形態の加工装置４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃのいずれとも置換可能である。つまり、本変形例の加工装置４１Ｄは、第１主表面研削装置、平坦化層研削装置、及び第２主表面研削装置のいずれであってもよい。本変形例の加工装置４１Ｄは、回転テーブル５１と、２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂと、可動部６０と、昇降部７０と、進退部７５と、洗浄部８０とを備える。
回転テーブル５１は、鉛直な回転中心線５２を中心に回転させられる。回転テーブル５１は、例えば、上方視で時計回りに１８０°回転された後、反時計回りに１８０°回転される。回転テーブル５１に固定される配線および配管の配置が元の配置に戻るので、配線および配管の取り回しが容易である。
２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂは、回転テーブル５１と共に、回転テーブル５１の回転中心線５２を中心に回転する。２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂは、それぞれ、基板１０を下方から水平に保持する基板保持面を有する。基板保持面は、基板１０よりも大きな直径を有し、基板１０の下面全体を吸着する。加工装置４１Ｄが第１主表面研削装置である場合、２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂは基板１０の第１主表面１１を上に向けて基板１０を下方から保持する。加工装置４１Ｄが平坦化層研削装置又は第２主表面研削装置である場合、２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂは基板１０の第２主表面１２を上に向けて基板１０を下方から保持する。
２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂは、それぞれの鉛直な回転中心線を中心に回転自在に、回転テーブル５１に取り付けられる。回転テーブル５１の回転が停止された状態で、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｂが回転可能である。
２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂは、回転テーブル５１の回転中心線５２の周りに、等間隔（１８０°間隔）で配置される。回転テーブル５１の回転中心線５２の周りには、図１７に示すように、受渡位置Ａ０と、加工位置Ａ１とが配置される。
図１７は、図１６に示す２つのチャックテーブルの位置変化の一例を示す上面図である。図１７（ａ）は、図１７（ｂ）に示す回転テーブルが反時計回りに１８０°回転した時の２つのチャックテーブルの位置の一例を示す上面図である。図１７（ｂ）は、図１７（ａ）に示す回転テーブルが時計回りに１８０°回転した時の２つのチャックテーブルの位置の一例を示す上面図である。
回転テーブル５１の回転中心線５２の周りには、受渡位置Ａ０および加工位置Ａ１が配置される。２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂは、回転中心線５２を挟んで対称に配置され、それぞれ、受渡位置Ａ０と、加工位置Ａ１との間で移動する。
受渡位置Ａ０は、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｂに対する基板１０の受渡が行われる位置である。受渡位置Ａ０は、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂへの基板１０の受渡が行われる位置と、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｂから搬送装置４７への基板１０の受渡が行われる位置とを兼ねる。
加工位置Ａ１は、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｂに保持されている基板１０が研削工具１７によって加工される位置である。加工位置Ａ１では、可動部６０に装着された研削工具１７が、基板１０の上面である第１主表面１１又は第２主表面１２を加工する。なお、加工装置４１Ｄが平坦化層研削装置である場合、研削工具１７は平坦化層１５を加工する。加工位置Ａ１と、受渡位置Ａ０とは、回転中心線５２を挟んで対称に配置される。
２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂは、回転中心線５２を挟んで対称に配置され、それぞれ、受渡位置Ａ０と、加工位置Ａ１との間で移動する。２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂのうち、いずれか１つが受渡位置Ａ０に位置する時、残りの１つが加工位置Ａ１に位置する。従って、一の基板１０の加工と、他の一の基板１０の受渡とを同時に実施でき、研削工具１７の稼働率を向上できるので、単位時間当たりの基板１０の加工枚数を増加できる。
なお、受渡位置Ａ０は、基板１０を洗浄部８０によって洗浄する位置を兼ねてよい。洗浄部８０は、加工位置Ａ１で加工された基板１０がチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂから取り外される前に、基板１０の上面を洗浄する。その洗浄方法は、例えばスプレー洗浄である。この場合、基板１０の加工と、加工後の基板１０の洗浄とを同時に実施できる。
また、受渡位置Ａ０は、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｂの基板保持面を洗浄部８０によって洗浄する位置を兼ねてよい。洗浄部８０は、加工位置Ａ１で加工された基板１０がチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂから取り外された後、露出した基板保持面を洗浄する。その洗浄方法は、例えばスプレー洗浄、スクラブ洗浄のいずれでもよく、両方でもよい。この場合、基板１０の加工と、露出した基板保持面の洗浄とを同時に実施できる。
図１７に示すように、受渡位置Ａ０は、加工位置Ａ１に比べて、前方（Ｙ軸方向負側）に配置され、加工装置４１Ｄの基板１０が搬入出される搬入出口４２Ｄ（図１６参照）の近くに配置される。搬送装置４７は加工装置４１Ｄの前方から加工装置４１Ｄに対する基板１０の搬入出を行うので、搬送装置４７が受渡位置Ａ０にアクセスしやすい。従って、基板１０の受渡を円滑に行うことができる。
搬入出口４２Ｄは、加工装置４１Ｄの搬送部４６に面する壁、つまり加工装置４１Ｄの前面の開口部である。加工装置４１Ｄの搬送部４６に面する壁は、Ｙ軸方向に対し垂直である。搬入出口４２Ｄには、搬入出口４２Ｄを開閉するシャッター７が設けられてもよい。シャッター７は、搬送装置４７が搬送部４６から加工装置４１Ｄに入る直前に搬入出口４２Ｄを開放し、搬送装置４７が加工装置４１Ｄから搬送部４６に出た直後に搬入出口４２Ｄを閉塞する。基板１０が搬入出口４２Ｄを通る時に、シャッター７が搬入出口４２Ｄを開放する。一方、加工装置４１Ｄが基板１０の加工を行う時に、シャッター７が搬入出口４２Ｄを閉塞する。加工装置４１Ｄの内部で発生した加工屑が搬送部４６に流出することを抑制できる。
図１６に示すように、上方視で、加工位置Ａ１に位置するチャックテーブル５３Ｂの一部は、可動部６０に装着された研削工具１７に比べて、後方（例えばＹ軸方向正側）に配置される。研削工具１７の交換時に、加工装置４１Ｄの後方から研削工具１７とチャックテーブル５３ＢとのギャップＧ（図１９参照）を確認できる。それゆえ、ギャップＧの調整作業が容易であり、メンテナンス性が良い。
図１８は、図１７に示す２つのチャックテーブルの位置変化を利用した処理の一例を示すフローチャートである。図１８に示す処理は、１つのチャックテーブル５３Ａで保持される基板１０の処理である。図１８に示す処理の開始時に、２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂは、例えば図１７（ａ）に示す位置にある。図１８に示す処理は、制御装置９による制御下で実施される。
基板処理方法は、加工装置４１Ｄに基板１０を搬入する工程Ｓ２０１を有する。この工程Ｓ２０１では、受渡位置Ａ０において、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ａへの基板１０の受渡が実施される。なお、この工程Ｓ２０１と並行して、加工位置Ａ１では、チャックテーブル５３Ｂに保持されている基板１０の研削が実施される。
基板処理方法は、回転テーブル５１を回転させる工程Ｓ２０２を有する。図１７（ａ）に示す回転テーブル５１が時計回りに１８０°回転され、２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂが図１７（ａ）に示す位置から図１７（ｂ）に示す位置に移動する。
基板処理方法は、加工位置Ａ１においてチャックテーブル５３Ａに保持されている基板１０を研削する工程Ｓ２０３を有する。この工程Ｓ２０３と並行して、受渡位置Ａ０では、チャックテーブル５３Ｂに保持されている基板１０の洗浄と、チャックテーブル５３Ｂから搬送装置４７への基板１０の受渡とが実施される。加えて、受渡位置Ａ０では、チャックテーブル５３Ｂの洗浄と、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ｂへの基板１０の受渡とが実施される。
基板処理方法は、回転テーブル５１を再び回転させる工程Ｓ２０４を有する。図１７（ｂ）に示す回転テーブル５１が反時計回りに１８０°回転され、２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂが図１７（ｂ）に示す位置から図１７（ａ）に示す位置に移動する。
基板処理方法は、受渡位置Ａ０においてチャックテーブル５３Ａに保持されている基板１０を洗浄する工程Ｓ２０５を有する。また、基板処理方法は、受渡位置Ａ０においてチャックテーブル５３Ａから搬送装置４７への基板１０の受渡を実施し、加工装置４１Ｄから基板１０を搬出する工程Ｓ２０６を有する。さらに、基板処理方法は、受渡位置Ａ０においてチャックテーブル５３Ａを洗浄する工程Ｓ２０７を有する。
なお、これらの工程Ｓ２０５～Ｓ２０７と並行して、加工位置Ａ１では、チャックテーブル５３Ｂに保持されている基板１０の研削が実施される。
その後、図１８に示す処理が終了する。なお、制御装置９は、図１８に示す処理を繰り返し実行してよい。
図１９は、図１６に示す可動部と、昇降部と、進退部との位置関係の一例を示す後面図である。可動部６０は、基板１０を研削する研削工具１７が交換可能に装着されるものである。昇降部７０は、可動部６０を鉛直方向に昇降させることにより、可動部６０に装着された研削工具１７を、チャックテーブル５３Ｂに対し接離させる。
図１６に示すように、加工装置４１Ｄは、上方視で、矩形状の外形を有し、前後方向（例えばＹ軸方向）に平行な二辺を有する。また、図１９に示すように、加工装置４１Ｄの真後ろから見て、可動部６０に装着された研削工具１７の全体が昇降部７０から露出する。つまり、加工装置４１Ｄの真後ろから見て、昇降部７０が可動部６０に装着された研削工具１７を隠さない。昇降部７０に妨げられることなく、加工装置４１Ｄの後方から研削工具１７の交換が可能である。それゆえ、研削工具１７の交換が容易であり、メンテナンス性が良い。
図１９に示すように、加工装置４１Ｄの真後ろから見て、昇降部７０は、可動部６０の横（例えばＸ軸方向負側）に配置されてよい。なお、昇降部７０は、可動部６０の前方または斜め前方に配置されてもよい。いずれにしろ、加工装置４１Ｄの真後ろから見て、可動部６０に装着された研削工具１７の全体が昇降部７０から露出すればよい。
なお、加工装置４１Ｄの真後ろから見て可動部６０に装着された研削工具１７の全体が昇降部７０から露出しない場合であっても、加工装置４１Ｄの斜め後ろから見て可動部６０に装着された研削工具１７の全体が昇降部７０から露出すればよい。昇降部７０に妨げられることなく、加工装置４１Ｄの後方から研削工具１７の交換が可能である。
進退部７５は、可動部６０を前後方向に進退させる。進退部７５は、Ｙ軸方向に延びる一対のＹ軸ガイド７６と、一対のＹ軸ガイド７６に沿って進退するＹ軸スライダ７７と、Ｙ軸スライダ７７を進退させるＹ軸モータ７８とを有する。Ｙ軸スライダ７７には、昇降部７０が固定される。Ｙ軸モータ７８は、回転運動するものでもよいし、直線運動するものでもよい。Ｙ軸モータ７８が回転運動する場合、Ｙ軸モータ７８の回転運動をＹ軸スライダ７７の直線運動に変換するボールねじ７９（図１６参照）を、進退部７５が有する。
進退部７５は、可動部６０を前後方向に進退させることにより、リング状に配列される複数の砥石１９の円軌道の位置合わせを行う。この位置合わせは、例えば、研削工具１７が交換された時に行われ、円軌道の大きさが変化した時に行われる。円軌道は、基板１０の中心を通るように位置合わせされる。可動部６０が進退可能であるため、円軌道の大きさの異なる複数種類の研削工具１７が使用可能である。
図１９に示すように、加工装置４１Ｄの真後ろから見て、可動部６０に装着された研削工具１７の全体が進退部７５から露出する。つまり、加工装置４１Ｄの真後ろから見て、進退部７５が可動部６０に装着された研削工具１７を隠さない。進退部７５に妨げられることなく、加工装置４１Ｄの後方から研削工具１７の交換が可能である。それゆえ、研削工具１７の交換が容易であり、メンテナンス性が良い。
図１９に示すように、加工装置４１Ｄの真後ろから見て、進退部７５は、可動部６０の横（例えばＸ軸方向負側）に配置されてよい。なお、進退部７５は、可動部６０の前方または斜め前方に配置されてもよい。いずれにしろ、加工装置４１Ｄの真後ろから見て、可動部６０に装着された研削工具１７の全体が進退部７５から露出すればよい。
なお、加工装置４１Ｄの真後ろから見て可動部６０に装着された研削工具１７の全体が進退部７５から露出しない場合であっても、加工装置４１Ｄの斜め後ろから見て可動部６０に装着された研削工具１７の全体が進退部７５から露出すればよい。進退部７５に妨げられることなく、加工装置４１Ｄの後方から研削工具１７の交換が可能である。
なお、本実施形態の加工装置４１Ｄは円軌道の大きさの異なる複数種類の研削工具１７を使用可能とすべく進退部７５を有するが、本開示の技術はこれに限定されない。研削工具１７の円軌道の大きさが１つに決まっている場合、加工装置４１Ｄは進退部７５を有しなくてよい。進退部７５が無い場合、加工装置４１ＤのＸ軸方向寸法を小さくできる。
図２０は、加工装置の第２変形例を示す上面図である。本変形例の加工装置４１Ｅは、上記実施形態の加工装置４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃのいずれとも置換可能である。つまり、本変形例の加工装置４１Ｅは、第１主表面研削装置、平坦化層研削装置、及び第２主表面研削装置のいずれであってもよい。本変形例の加工装置４１Ｅは、回転テーブル５１と、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄと、２つの可動部６０Ａ、６０Ｂと、２つの昇降部７０Ａ、７０Ｂと、２つの進退部７５Ａ、７５Ｂと、２つの洗浄部８０Ａ、８０Ｂとを備える。
回転テーブル５１は、鉛直な回転中心線５２を中心に回転させられる。回転テーブル５１は、例えば、上方視で時計回りに１８０°回転された後、反時計回りに１８０°回転される。回転テーブル５１に固定される配線および配管の配置が元の配置に戻るので、配線および配管の取り回しが容易である。
４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄは、回転テーブル５１と共に、回転テーブル５１の回転中心線５２を中心に回転する。４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄは、それぞれ、基板１０を下方から水平に保持する基板保持面を有する。基板保持面は、基板１０よりも大きな直径を有し、基板１０の下面全体を吸着する。加工装置４１Ｅが第１主表面研削装置である場合、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄは基板１０の第１主表面１１を上に向けて基板１０を下方から保持する。加工装置４１Ｅが平坦化層研削装置又は第２主表面研削装置である場合、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄは基板１０の第２主表面１２を上に向けて基板１０を下方から保持する。
４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄは、それぞれの鉛直な回転中心線を中心に回転自在に、回転テーブル５１に取り付けられる。回転テーブル５１の回転が停止された状態で、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄが回転可能である。
４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄは、回転テーブル５１の回転中心線５２の周りに、等間隔（９０°間隔）で配置される。回転テーブル５１の回転中心線５２の周りには、図２１に示すように、第１受渡位置Ａ０と、第２受渡位置Ａ１と、第１加工位置Ａ２と、第２加工位置Ａ３とが配置される。
図２１は、図２０に示す４つのチャックテーブルの位置変化の一例を示す上面図である。図２１（ａ）は、図２１（ｂ）に示す回転テーブルが反時計回りに１８０°回転した時の４つのチャックテーブルの位置の一例を示す上面図である。図２１（ｂ）は、図２１（ａ）に示す回転テーブルが時計回りに１８０°回転した時の４つのチャックテーブルの位置の一例を示す上面図である。
回転テーブル５１の回転中心線５２の周りには、第１受渡位置Ａ０、第２受渡位置Ａ１、第１加工位置Ａ２および第２加工位置Ａ３が、この順で、反時計回りに配置される。なお、配置の順番は逆でもよく、時計回りに、第１受渡位置Ａ０、第２受渡位置Ａ１、第１加工位置Ａ２および第２加工位置Ａ３がこの順で配置されてもよい。
一対のチャックテーブル５３Ａ、５３Ｃは、回転中心線５２を挟んで対称に配置され、それぞれ、第１受渡位置Ａ０と、第１加工位置Ａ２との間で移動する。また、残り一対のチャックテーブル５３Ｂ、５３Ｄは、回転中心線５２を挟んで対称に配置され、それぞれ、第２受渡位置Ａ１と、第２加工位置Ａ３との間を移動する。
第１受渡位置Ａ０は、一対のチャックテーブル５３Ａ、５３Ｃに対する基板１０の受渡が行われる位置である。第１受渡位置Ａ０は、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ａ、５３Ｃへの基板１０の受渡が行われる位置と、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｃから搬送装置４７への基板１０の受渡が行われる位置とを兼ねる。
第１加工位置Ａ２は、一対のチャックテーブル５３Ａ、５３Ｃに保持されている基板１０が研削工具１７によって加工される位置である。第１加工位置Ａ２では、可動部６０Ｂに装着された研削工具１７が、基板１０の上面である第１主表面１１又は第２主表面１２を加工する。なお、加工装置４１Ｅが平坦化層研削装置である場合、研削工具１７は平坦化層１５を加工する。第１加工位置Ａ２と、第１受渡位置Ａ０とは、回転中心線５２を挟んで対称に配置される。
一対のチャックテーブル５３Ａ、５３Ｃは、回転中心線５２を挟んで対称に配置され、それぞれ、第１受渡位置Ａ０と、第１加工位置Ａ２との間で移動する。一対のチャックテーブル５３Ａ、５３Ｃのうち、いずれか１つが第１受渡位置Ａ０に位置する時、残りの１つが第１加工位置Ａ２に位置する。従って、一の基板１０の加工と、他の一の基板１０の受渡とを同時に実施でき、研削工具１７の稼働率を向上できるので、単位時間当たりの基板１０の加工枚数を増加できる。
なお、第１受渡位置Ａ０は、基板１０を洗浄部８０Ａによって洗浄する位置を兼ねてよい。洗浄部８０Ａは、第１加工位置Ａ２で加工された基板１０がチャックテーブル５３Ａ、５３Ｃから取り外される前に、基板１０の上面を洗浄する。その洗浄方法は、例えばスプレー洗浄である。この場合、基板１０の加工と、加工後の基板１０の洗浄とを同時に実施できる。
また、第１受渡位置Ａ０は、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｃの基板保持面を洗浄部８０Ａによって洗浄する位置を兼ねてよい。洗浄部８０Ａは、第１加工位置Ａ２で加工された基板１０がチャックテーブル５３Ａ、５３Ｃから取り外された後、露出した基板保持面を洗浄する。その洗浄方法は、例えばスプレー洗浄、スクラブ洗浄のいずれでもよく、両方でもよい。この場合、基板１０の加工と、露出した基板保持面の洗浄とを同時に実施できる。
第２受渡位置Ａ１は、一対のチャックテーブル５３Ｂ、５３Ｄに対する基板１０の受渡が行われる位置である。第２受渡位置Ａ１は、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ｂ、５３Ｄへの基板１０の受渡が行われる位置と、チャックテーブル５３Ｂ、５３Ｄから搬送装置４７への基板１０の受渡が行われる位置とを兼ねる。
第２加工位置Ａ３は、一対のチャックテーブル５３Ｂ、５３Ｄに保持されている基板１０が研削工具１７によって加工される位置である。第２加工位置Ａ３では、可動部６０Ａに装着された研削工具１７が、基板１０の上面である第１主表面１１又は第２主表面１２を加工する。なお、加工装置４１Ｅが平坦化層研削装置である場合、研削工具１７は平坦化層１５を加工する。第２加工位置Ａ３と、第２受渡位置Ａ１とは、回転中心線５２を挟んで対称に配置される。
一対のチャックテーブル５３Ｂ、５３Ｄは、回転中心線５２を挟んで対称に配置され、それぞれ、第２受渡位置Ａ１と、第２加工位置Ａ３との間で移動する。一対のチャックテーブル５３Ｂ、５３Ｄのうち、いずれか１つが第２受渡位置Ａ１に位置する時、残りの１つが第２加工位置Ａ３に位置する。従って、一の基板１０の加工と、他の一の基板１０の受渡とを同時に実施でき、研削工具１７の稼働率を向上できるので、単位時間当たりの基板１０の加工枚数を増加できる。
なお、第２受渡位置Ａ１は、基板１０を洗浄部８０Ｂによって洗浄する位置を兼ねてよい。洗浄部８０Ｂは、第２加工位置Ａ３で加工された基板１０がチャックテーブル５３Ｂ、５３Ｄから取り外される前に、基板１０の上面を洗浄する。その洗浄方法は、例えばスプレー洗浄である。この場合、基板１０の加工と、加工後の基板１０の洗浄とを同時に実施できる。
また、第２受渡位置Ａ１は、チャックテーブル５３Ｂ、５３Ｄの基板保持面を洗浄部８０Ｂによって洗浄する位置を兼ねてよい。洗浄部８０Ｂは、第２加工位置Ａ３で加工された基板１０がチャックテーブル５３Ｂ、５３Ｄから取り外された後、露出した基板保持面を洗浄する。その洗浄方法は、例えばスプレー洗浄、スクラブ洗浄のいずれでもよく、両方でもよい。この場合、基板１０の加工と、露出した基板保持面の洗浄とを同時に実施できる。
図２１に示すように、上方視で、第１受渡位置Ａ０および第２受渡位置Ａ１は、第１加工位置Ａ２および第２加工位置Ａ３に比べて、前方（Ｙ軸方向負側）に配置され、加工装置４１Ｅの基板１０が搬入出される搬入出口４２Ｅ（図２０参照）の近くに配置される。搬送装置４７は加工装置４１Ｅの前方から加工装置４１Ｅに対する基板１０の搬入出を行うので、搬送装置４７が第１受渡位置Ａ０および第２受渡位置Ａ１にアクセスしやすい。従って、基板１０の受渡を円滑に行うことができる。
搬入出口４２Ｅは、加工装置４１Ｅの搬送部４６に面する壁、つまり、加工装置４１Ｅの前面の開口部である。加工装置４１Ｅの搬送部４６に面する壁は、Ｙ軸方向に対し垂直である。搬入出口４２Ｅには、搬入出口４２Ｅを開閉するシャッター７が設けられてもよい。シャッター７は、搬送装置４７が搬送部４６から加工装置４１Ｅに入る直前に搬入出口４２Ｅを開放し、搬送装置４７が加工装置４１Ｅから搬送部４６に出た直後に搬入出口４２Ｅを閉塞する。基板１０が搬入出口４２Ｅを通る時に、シャッター７が搬入出口４２Ｅを開放する。一方、加工装置４１Ｅが基板１０の加工を行う時に、シャッター７が搬入出口４２Ｅを閉塞する。加工装置４１Ｅの内部で発生した加工屑が搬送部４６に流出することを抑制できる。
図２２は、図２１に示す４つのチャックテーブルの位置変化を利用した処理の一例を示すフローチャートである。図２２に示す処理は、２つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂで保持される基板１０の処理である。図２２に示す処理の開始時に、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄは、例えば図２１（ａ）に示す位置にある。図２２に示す処理は、制御装置９による制御下で実施される。
基板処理方法は、加工装置４１Ｅに２つの基板１０を搬入する工程Ｓ３０１を有する。この工程Ｓ３０１では、第１受渡位置Ａ０および第２受渡位置Ａ１において、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂへの基板１０の受渡が実施される。なお、この工程Ｓ３０１と並行して、第１加工位置Ａ２および第２加工位置Ａ３では、チャックテーブル５３Ｃ、５３Ｄに保持されている２つの基板１０の研削が実施される。
基板処理方法は、回転テーブル５１を回転させる工程Ｓ３０２を有する。図２１（ａ）に示す回転テーブル５１が時計回りに１８０°回転され、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄが図２１（ａ）に示す位置から図２１（ｂ）に示す位置に移動する。
基板処理方法は、第１加工位置Ａ２および第２加工位置Ａ３においてチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂに保持されている２つの基板１０を研削する工程Ｓ３０３を有する。この工程Ｓ３０３と並行して、第１受渡位置Ａ０および第２受渡位置Ａ１では、チャックテーブル５３Ｃ、５３Ｄに保持されている２つの基板１０の洗浄と、チャックテーブル５３Ｃ、５３Ｄから搬送装置４７への基板１０の受渡とが実施される。加えて、第１受渡位置Ａ０および第２受渡位置Ａ１では、チャックテーブル５３Ｃ、５３Ｄの洗浄と、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ｃ、５３Ｄへの基板の受渡とが実施される。
基板処理方法は、回転テーブル５１を再び回転させる工程Ｓ３０４を有する。図２１（ｂ）に示す回転テーブル５１が反時計回りに１８０°回転され、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄが図２１（ｂ）に示す位置から図２１（ａ）に示す位置に移動する。
基板処理方法は、第１受渡位置Ａ０および第２受渡位置Ａ１においてチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂに保持されている２つの基板１０を洗浄する工程Ｓ３０５を有する。また、基板処理方法は、第１受渡位置Ａ０および第２受渡位置Ａ１においてチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂから搬送装置４７への基板１０の受渡を実施し、加工装置４１Ｅから２つの基板１０を搬出する工程Ｓ３０６を有する。さらに、基板処理方法は、第１受渡位置Ａ０および第２受渡位置Ａ１においてチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂを洗浄する工程Ｓ３０７を有する。
なお、これらの工程Ｓ３０５～Ｓ３０７と並行して、第１加工位置Ａ２および第２加工位置Ａ３では、チャックテーブル５３Ｃ、５３Ｄに保持されている２つの基板１０の研削が実施される。
その後、図２２に示す処理が終了する。なお、制御装置９は、図２２に示す処理を繰り返し実行してよい。
図２３は、図２０に示す４つのチャックテーブルの位置変化の別の一例を示す上面図である。図２３（ａ）は、図２３（ｄ）に示す回転テーブルが時計回りに９０°回転した時の４つのチャックテーブルの位置の一例を示す上面図である。図２３（ｂ）は、図２３（ａ）に示す回転テーブルが時計回りに９０°回転した時の４つのチャックテーブルの位置の一例を示す上面図である。図２３（ｃ）は、図２３（ｂ）に示す回転テーブルが時計回りに９０°回転した時の４つのチャックテーブルの位置の一例を示す上面図である。図２３（ｄ）は、図２３（ｃ）に示す回転テーブルが反時計回りに２７０°回転した時の４つのチャックテーブルの位置の一例を示す上面図である。
回転テーブル５１の回転中心線５２の周りには、第１受渡位置Ａ０、第１加工位置Ａ２、第２加工位置Ａ３および第２受渡位置Ａ１が、この順で、時計回りに配置される。なお、配置の順番は逆でもよく、反時計回りに、第１受渡位置Ａ０、第１加工位置Ａ２、第２加工位置Ａ３および第２受渡位置Ａ１がこの順で配置されてもよい。４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄは、それぞれ、第１受渡位置Ａ０、第１加工位置Ａ２、第２加工位置Ａ３および第２受渡位置Ａ１にこの順で移動する。
第１受渡位置Ａ０は、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄへの基板１０の受渡が行われる位置である。
第１加工位置Ａ２は、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄに保持されている基板１０が研削工具１７によって１次加工される位置である。第１加工位置Ａ２では、可動部６０Ａに装着された研削工具１７が、基板１０の上面を１次加工する。
第２加工位置Ａ３は、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄに保持されている基板１０が研削工具１７によって２次加工される位置である。第２加工位置Ａ３では、可動部６０Ｂに装着された研削工具１７が、基板１０の上面を２次加工する。
１次加工用の研削工具１７と、２次加工用の研削工具１７とは、同じ平均粒径の砥粒を有してもよいし、異なる平均粒径の砥粒を有してもよい。後者の場合、２次加工用の研削工具１７は、１次加工用の研削工具１７に比べて、小さい平均粒径の砥粒を有してよい。
第２受渡位置Ａ１は、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄから搬送装置４７への基板１０の受渡が行われる位置である。
なお、第２受渡位置Ａ１は、基板１０を洗浄部８０Ｂによって洗浄する位置を兼ねてよい。洗浄部８０Ｂは、第２加工位置Ａ３で加工された基板１０がチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄから取り外される前に、基板１０の上面を洗浄する。その洗浄方法は、例えばスプレー洗浄である。この場合、基板１０の加工と、加工後の基板１０の洗浄とを同時に実施できる。
また、第２受渡位置Ａ１は、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄの基板保持面を洗浄部８０Ｂによって洗浄する位置を兼ねてよい。洗浄部８０Ｂは、第２加工位置Ａ３で加工された基板１０がチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄから取り外された後、露出した基板保持面を洗浄する。その洗浄方法は、例えばスプレー洗浄、スクラブ洗浄のいずれでもよく、両方でもよい。この場合、基板１０の加工と、露出した基板保持面の洗浄とを同時に実施できる。
なお、チャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄの基板保持面の洗浄は、第２受渡位置Ａ１の代わりに、第１受渡位置Ａ０において実施されてもよく、洗浄部８０Ａによって実施されてもよい。
図２３に示すように、上方視で、第１受渡位置Ａ０および第２受渡位置Ａ１は、第１加工位置Ａ２および第２加工位置Ａ３に比べて、前方（Ｙ軸方向負側）に配置され、加工装置４１Ｅの基板１０が搬入出される搬入出口４２Ｅ（図２０参照）の近くに配置される。搬送装置４７は加工装置４１Ｅの前方から加工装置４１Ｅに対する基板１０の搬入出を行うので、搬送装置４７が第１受渡位置Ａ０および第２受渡位置Ａ１にアクセスしやすい。従って、基板１０の受渡を円滑に行うことができる。
図２４は、図２３に示す４つのチャックテーブルの位置変化を利用した処理の一例を示すフローチャートである。図２４に示す処理は、１つのチャックテーブル５３Ａで保持される基板１０の処理である。図２４に示す処理の開始時に、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄは、図２３（ａ）に示す位置にある。図２４に示す処理は、制御装置９による制御下で実施される。
基板処理方法は、加工装置４１Ｅに基板１０を搬入する工程Ｓ４０１を有する。この工程Ｓ４０１では、第１受渡位置Ａ０において、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ａへの基板１０の受渡が実施される。なお、この工程Ｓ４０１と並行して、第１加工位置Ａ２では、チャックテーブル５３Ｄに保持されている基板１０の１次研削が実施される。また、この工程Ｓ４０１と並行して、第２加工位置Ａ３では、チャックテーブル５３Ｃに保持されている基板１０の２次研削が実施される。さらに、この工程Ｓ４０１と並行して、第２受渡位置Ａ１では、チャックテーブル５３Ｂに保持されている基板１０の洗浄と、チャックテーブル５３Ｂから搬送装置４７への基板１０の受渡とが実施される。加えて、第２受渡位置Ａ１では、チャックテーブル５３Ｂの洗浄が実施されてよい。
基板処理方法は、回転テーブル５１を回転させる工程Ｓ４０２を有する。図２３（ａ）に示す回転テーブル５１が時計回りに９０°回転され、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄが図２３（ａ）に示す位置から図２３（ｂ）に示す位置に移動する。
基板処理方法は、第１加工位置Ａ２においてチャックテーブル５３Ａに保持されている基板１０を１次研削する工程Ｓ４０３を有する。なお、この工程Ｓ４０３と並行して、第２加工位置Ａ３では、チャックテーブル５３Ｄに保持されている基板１０の２次研削が実施される。また、この工程Ｓ４０３と並行して、第２受渡位置Ａ１では、チャックテーブル５３Ｃに保持されている基板１０の洗浄と、チャックテーブル５３Ｃから搬送装置４７への基板１０の受渡とが実施される。加えて、第２受渡位置Ａ１では、チャックテーブル５３Ｃの洗浄が実施されてよい。さらに、この工程Ｓ４０３と並行して、第１受渡位置Ａ０では、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ｂへの基板１０の受渡が実施される。
基板処理方法は、回転テーブル５１を回転させる工程Ｓ４０４を有する。図２３（ｂ）に示す回転テーブル５１が時計回りに９０°回転され、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄが図２３（ｂ）に示す位置から図２３（ｃ）に示す位置に移動する。
基板処理方法は、第２加工位置Ａ３においてチャックテーブル５３Ａに保持されている基板１０を２次研削する工程Ｓ４０５を有する。なお、この工程Ｓ４０５と並行して、第２受渡位置Ａ１では、チャックテーブル５３Ｄに保持されている基板１０の洗浄と、チャックテーブル５３Ｄから搬送装置４７への基板１０の受渡とが実施される。加えて、第２受渡位置Ａ１では、チャックテーブル５３Ｄの洗浄が実施されてよい。また、この工程Ｓ４０５と並行して、第１受渡位置Ａ０では、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ｃへの基板１０の受渡が実施される。さらに、この工程Ｓ４０５と並行して、第１加工位置Ａ２では、チャックテーブル５３Ｂに保持されている基板１０の１次研削が実施される。
基板処理方法は、回転テーブル５１を回転させる工程Ｓ４０６を有する。図２３（ｃ）に示す回転テーブル５１が反時計回りに２７０°回転され、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄが図２３（ｃ）に示す位置から図２３（ｄ）に示す位置に移動する。
基板処理方法は、第２受渡位置Ａ１においてチャックテーブル５３Ａに保持されている基板１０を洗浄する工程Ｓ４０７を有する。また、基板処理方法は、第２受渡位置Ａ１においてチャックテーブル５３Ａから搬送装置４７への基板１０の受渡を実施し、加工装置４１Ｅから基板１０を搬出する工程Ｓ４０８を有する。さらに、基板処理方法は、第２受渡位置Ａ１においてチャックテーブル５３Ａを洗浄する工程Ｓ４０９を有する。
なお、これらの工程Ｓ４０７～Ｓ４０９と並行して、第１受渡位置Ａ０では、搬送装置４７からチャックテーブル５３Ｄへの基板１０の受渡が実施される。また、これらの工程Ｓ４０７～Ｓ４０９と並行して、第１加工位置Ａ２では、チャックテーブル５３Ｃに保持されている基板１０の１次研削が実施される。さらに、これらの工程Ｓ４０７～Ｓ４０９と並行して、第２加工位置Ａ３では、チャックテーブル５３Ｂに保持されている基板１０の２次研削が実施される。
基板処理方法は、回転テーブル５１を回転させる工程Ｓ４１０を有する。図２３（ｄ）に示す回転テーブル５１が時計回りに９０°回転され、４つのチャックテーブル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄが図２３（ｄ）に示す位置から図２３（ａ）に示す位置に移動する。
その後、図２４に示す処理が終了する。なお、制御装置９は、図２４に示す処理を繰り返し実行してよい。
本変形例の加工装置４１Ｅによれば、図２１および図２３に示すように、１つの回転テーブル５１の回転中心線５２の周りに２つの受渡位置Ａ０、Ａ１と２つの加工位置Ａ２、Ａ３とが配置される。従って、１つの受渡位置と１つの加工位置とが回転中心線の周りに配置される回転テーブルを２つ用いる場合に比べて、回転テーブルの使用数が少ない。それゆえ、加工装置４１Ｅの設置面積を低減でき、ひいては基板処理システム１の設置面積を低減できる。
図２５は、図２０に示す２つの可動部と、２つの昇降部と、２つの進退部との位置関係の一例を示す後面図である。２つの可動部６０Ａ、６０Ｂは、それぞれ、基板１０を研削する研削工具１７が交換可能に装着されるものである。２つの昇降部７０Ａ、７０Ｂは、２つの可動部６０Ａ、６０Ｂを独立に鉛直方向に昇降させるものである。昇降部７０Ａは可動部６０Ａを鉛直方向に昇降させ、昇降部７０Ｂは可動部６０Ｂを鉛直方向に昇降させる。
図２０に示すように、加工装置４１Ｅは、上方視で、矩形状の外形を有し、前後方向（例えばＹ軸方向）に平行な二辺を有する。また、図２５に示すように、加工装置４１Ｅの真後ろから見て、可動部６０Ａに装着された研削工具１７の全体が昇降部７０Ａから露出する。つまり、加工装置４１Ｅの真後ろから見て、昇降部７０Ａが可動部６０Ａに装着された研削工具１７を隠さない。昇降部７０Ａに妨げられることなく、加工装置４１Ｅの後方から研削工具１７の交換が可能である。それゆえ、研削工具１７の交換が容易であり、メンテナンス性が良い。
図２５に示すように、加工装置４１Ｅの真後ろから見て、昇降部７０Ａは、可動部６０Ａの横（例えばＸ軸方向負側）に配置されてよい。なお、昇降部７０Ａは、可動部６０Ａの前方または斜め前方に配置されてもよい。いずれにしろ、加工装置４１Ｅの真後ろから見て、可動部６０Ａに装着された研削工具１７の全体が昇降部７０Ａから露出すればよい。
なお、加工装置４１Ｅの真後ろから見て可動部６０Ａに装着された研削工具１７の全体が昇降部７０Ａから露出しない場合であっても、加工装置４１Ｅの斜め後ろから見て可動部６０Ａに装着された研削工具１７の全体が昇降部７０Ａから露出すればよい。昇降部７０Ａに妨げられることなく、加工装置４１Ｅの後方から研削工具１７の交換が可能である。
２つの進退部７５Ａ、７５Ｂは、２つの可動部６０Ａ、６０Ｂを独立に前後方向に進退させるものである。進退部７５Ａは可動部６０Ａを前後方向に進退させ、進退部７５Ｂは可動部６０Ｂを前後方向に進退させる。
図２５に示すように、加工装置４１Ｅの真後ろから見て、可動部６０Ａに装着された研削工具１７の全体が進退部７５Ａから露出する。つまり、加工装置４１Ｅの真後ろから見て、進退部７５Ａが可動部６０Ａに装着された研削工具１７を隠さない。進退部７５Ａに妨げられることなく、加工装置４１Ｅの後方から研削工具１７の交換が可能である。それゆえ、研削工具１７の交換が容易であり、メンテナンス性が良い。
図２５に示すように、加工装置４１Ｅの真後ろから見て、進退部７５Ａは、可動部６０Ａの横（例えばＸ軸方向負側）に配置されてよい。なお、進退部７５Ａは、可動部６０Ａの前方または斜め前方に配置されてもよい。いずれにしろ、加工装置４１Ｅの真後ろから見て、可動部６０Ａに装着された研削工具１７の全体が進退部７５Ａから露出すればよい。
なお、加工装置４１Ｅの真後ろから見て可動部６０Ａに装着された研削工具１７の全体が進退部７５Ａから露出しない場合であっても、加工装置４１Ｅの斜め後ろから見て可動部６０Ａに装着された研削工具１７の全体が進退部７５Ａから露出すればよい。進退部７５Ａに妨げられることなく、加工装置４１Ｅの後方から研削工具１７の交換が可能である。
なお、本実施形態の加工装置４１Ｅは円軌道の大きさの異なる複数種類の研削工具１７を使用可能とすべく進退部７５Ａ、７５Ｂを有するが、本開示の技術はこれに限定されない。研削工具１７の円軌道の大きさが１つに決まっている場合、加工装置４１Ｅは進退部７５Ａ、７５Ｂを有しなくてよい。進退部７５Ａ、７５Ｂが無い場合、加工装置４１ＥのＸ軸方向寸法を小さくできる。
以上、本開示に係る基板処理システムおよび基板処理方法の実施形態などについて説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
基板１０は、シリコンウェハなどの半導体基板には限定されず、ガラス基板などであってもよい。基板１０は互いに対向する第１主表面と第２主表面とを有し、第１主表面が研削される時に、第２主表面は予め別の基板または樹脂テープで保護されてもよい。
本出願は、２０１８年８月２３日に日本国特許庁に出願した特願２０１８－１５６６７３号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１８－１５６６７３号の全内容を本出願に援用する。
１ 基板処理システム
９ 制御装置
１０ 基板
１７ 研削工具
２１ キャリア載置部
２９ 第１トランジション装置
３２ 第２トランジション装置
３３ 平坦化装置
３４ 洗浄装置
３５Ａ、３５Ｂ エッチング装置
４４ 反転装置
４５Ａ、４５Ｂ、４５Ｃ 洗浄装置
４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ 加工装置
４２Ａ 搬入出口
５１ 回転テーブル
５２ 回転中心線
５３ チャックテーブル
６０ 可動部
７０ 昇降部

Claims (20)

  1. 基板の第１主表面を上に向けて前記基板を下方から保持すると共に、前記基板の前記第１主表面を研削する第１主表面研削装置と、
    前記第１主表面研削装置で研削された前記基板を上下反転させる第１反転装置と、
    前記基板の第２主表面を上に向けて前記基板の研削された前記第１主表面を下方から保持すると共に、前記基板の前記第２主表面を研削する第２主表面研削装置とを備える、基板処理システム。
  2. 前記第１主表面研削装置は、前記基板の前記第１主表面を上に向けて前記基板を下方から保持するチャックテーブルと、研削工具が交換可能に装着される可動部と、前記可動部を昇降させる昇降部とを有する、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 上方視で前記第１主表面研削装置の前方から、前記第１主表面研削装置に対する前記基板の搬入出を行う搬送装置を備え、
    前記第１主表面研削装置の真後ろまたは斜め後ろから見て、前記可動部に装着された前記研削工具の全体が前記昇降部から露出する、請求項２に記載の基板処理システム。
  4. 前記第１主表面研削装置は、前記チャックテーブルを前後方向に案内する水平ガイドとを有し、
    前記水平ガイドに沿って受渡位置と加工位置とが配置され、前記受渡位置は前記チャックテーブルに対する前記基板の受渡が行われる位置であり、前記加工位置は前記チャックテーブルに保持されている前記基板が前記研削工具によって加工される位置である、請求項２または３に記載の基板処理システム。
  5. 前記第１主表面研削装置は、鉛直な回転中心線を中心に回転する回転テーブルを有し、
    前記チャックテーブルは、前記回転テーブルの前記回転中心線の周りに等間隔で２つ配置され、前記回転テーブルと共に回転し、
    前記回転テーブルの前記回転中心線の周りには受渡位置と加工位置とが配置され、前記受渡位置は前記チャックテーブルに対する前記基板の受渡が行われる位置であり、前記加工位置は前記チャックテーブルに保持されている前記基板が前記研削工具によって加工される位置である、請求項２または３に記載の基板処理システム。
  6. 前記第１主表面研削装置は、鉛直な回転中心線を中心に回転する回転テーブルを有し、
    前記チャックテーブルは、前記回転テーブルの前記回転中心線の周りに等間隔で４つ配置され、前記回転テーブルと共に回転し、
    前記回転テーブルの前記回転中心線の周りには第１受渡位置と第２受渡位置と第１加工位置と第２加工位置とが配置され、前記第１受渡位置および前記第２受渡位置はそれぞれ前記チャックテーブルに対する前記基板の受渡が行われる位置であり、前記第１加工位置および前記第２加工位置はそれぞれ前記チャックテーブルに保持されている前記基板が前記研削工具によって加工される位置である、請求項２または３に記載の基板処理システム。
  7. 前記第１主表面研削装置の前記昇降部は、前記チャックテーブルの移動経路をまたぐ門型フレームと、前記門型フレームに固定される一対の昇降ガイドと、一対の前記昇降ガイドに沿って昇降する一対の昇降スライダとを有し、
    一対の前記昇降スライダには前記可動部が固定され、前記可動部は前記研削工具を回転させるスピンドルモータを有し、
    一対の前記昇降スライダは、前記スピンドルモータの回転中心線を挟んで対称に配置される、請求項２～６のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  8. 前記第１主表面研削装置は、前記基板の前記第１主表面を上に向けて前記基板の前記第２主表面に形成された平坦化層の平坦面を下方から保持すると共に、前記基板の前記第１主表面を研削する装置である、請求項１～７のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  9. 前記基板の前記第２主表面を上に向けて前記基板の研削された前記第１主表面を下方から保持すると共に、前記平坦化層を研削する平坦化層研削装置を備える、請求項８に記載の基板処理システム。
  10. 前記第２主表面研削装置は、前記平坦化層と前記基板の前記第２主表面との両方を研削する研削工具が交換可能に装着される可動部と、前記可動部を昇降させる昇降部とを有する、請求項８に記載の基板処理システム。
  11. 前記基板の前記第２主表面を上に向けて前記基板を保持すると共に、前記平坦化層を溶剤で溶かして除去する洗浄装置を備える、請求項８に記載の基板処理システム。
  12. 前記基板の研削された前記第２主表面を上に向けて前記基板を保持すると共に、前記基板の研削された前記第２主表面をエッチングする第２主表面エッチング装置を備える、請求項１～１１のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  13. 前記第２主表面エッチング装置でエッチングされた前記基板を上下反転させる第２反転装置と、
    前記基板の研削された前記第１主表面を上に向けて前記基板を保持すると共に、前記基板の研削された前記第１主表面をエッチングする第１主表面エッチング装置とを備える、請求項１２に記載の基板処理システム。
  14. キャリア載置部に載置されたキャリアから基板を取り出す工程と、
    前記キャリアから取り出した前記基板の第１主表面を上に向けて、前記基板を下方から保持すると共に、前記基板の前記第１主表面を研削する工程と、
    前記第１主表面が研削された前記基板を上下反転させる工程と、
    前記基板の第２主表面を上に向けて、前記基板の研削された前記第１主表面を下方から保持すると共に、前記基板の前記第２主表面を研削する工程と、
    前記第２主表面が研削された前記基板を、前記キャリア載置部に載置されたキャリアに収容する工程とを有する、基板処理方法。
  15. 前記基板の前記第１主表面を研削する工程は、前記キャリアから取り出した前記基板の前記第１主表面を上に向けて、前記基板の前記第２主表面に形成された平坦化層の平坦面を下方から保持すると共に、前記基板の前記第１主表面を研削する工程である、請求項１４に記載の基板処理方法。
  16. 前記基板の前記第２主表面を上に向けて前記基板の研削された前記第１主表面を下方から保持すると共に、前記基板の前記第２主表面を研削する研削工具とは別の研削工具で前記平坦化層を研削する工程を有する、請求項１５に記載の基板処理方法。
  17. 前記基板の前記第２主表面を上に向けて前記基板の研削された前記第１主表面を下方から保持すると共に、前記基板の前記第２主表面を研削する研削工具で前記平坦化層を研削する工程を有する、請求項１５に記載の基板処理方法。
  18. 前記基板の前記第２主表面を上に向けて前記基板を保持すると共に、前記平坦化層を溶剤で溶かして除去する工程を有する、請求項１５に記載の基板処理方法。
  19. 前記基板の研削された前記第２主表面を上に向けて前記基板を保持すると共に、前記基板の研削された前記第２主表面をエッチングする工程を有する、請求項１４～１８のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  20. 前記第２主表面がエッチングされた前記基板を上下反転させる工程と、
    前記基板の研削された前記第１主表面を上に向けて前記基板を保持すると共に、前記基板の研削された前記第１主表面をエッチングする工程とを有する、請求項１９に記載の基板処理方法。
JP2020538235A 2018-08-23 2019-07-17 基板処理システムおよび基板処理方法 Active JP7080330B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018156673 2018-08-23
JP2018156673 2018-08-23
PCT/JP2019/028108 WO2020039802A1 (ja) 2018-08-23 2019-07-17 基板処理システムおよび基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020039802A1 JPWO2020039802A1 (ja) 2021-08-10
JP7080330B2 true JP7080330B2 (ja) 2022-06-03

Family

ID=69592568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020538235A Active JP7080330B2 (ja) 2018-08-23 2019-07-17 基板処理システムおよび基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11817337B2 (ja)
JP (1) JP7080330B2 (ja)
KR (1) KR20210046705A (ja)
WO (1) WO2020039802A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003260662A (ja) 2002-03-05 2003-09-16 Okamoto Machine Tool Works Ltd 基板の研削装置および研削方法
JP2005205543A (ja) 2004-01-22 2005-08-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハの研削方法及びウエーハ
JP2006269761A (ja) 2005-03-24 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハの製造方法
WO2017134925A1 (ja) 2016-02-03 2017-08-10 株式会社Sumco ウェーハの製造方法およびウェーハ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7335092B1 (en) * 2006-10-27 2008-02-26 Novellus Systems, Inc. Carrier head for workpiece planarization/polishing
US20090061739A1 (en) * 2007-09-05 2009-03-05 Jeong In-Kwon Polishing apparatus and method for polishing semiconductor wafers using load-unload stations
JP2015026728A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 株式会社ディスコ 研削装置
JP6133169B2 (ja) * 2013-08-23 2017-05-24 株式会社ディスコ 研削装置のセットアップ方法
JP2015207622A (ja) 2014-04-18 2015-11-19 株式会社ディスコ 搬送機構
JP6256227B2 (ja) * 2014-07-09 2018-01-10 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2018039070A (ja) * 2016-09-07 2018-03-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法及び研削装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003260662A (ja) 2002-03-05 2003-09-16 Okamoto Machine Tool Works Ltd 基板の研削装置および研削方法
JP2005205543A (ja) 2004-01-22 2005-08-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハの研削方法及びウエーハ
JP2006269761A (ja) 2005-03-24 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハの製造方法
WO2017134925A1 (ja) 2016-02-03 2017-08-10 株式会社Sumco ウェーハの製造方法およびウェーハ

Also Published As

Publication number Publication date
US20210327738A1 (en) 2021-10-21
KR20210046705A (ko) 2021-04-28
US11817337B2 (en) 2023-11-14
CN112602173A (zh) 2021-04-02
JPWO2020039802A1 (ja) 2021-08-10
WO2020039802A1 (ja) 2020-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5006053B2 (ja) 基板処理装置
KR101629627B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP5164559B2 (ja) 研削装置
JP7076557B2 (ja) 基板処理システム
US20130185884A1 (en) Cleaning module and process for particle reduction
KR20160030855A (ko) 처리 모듈, 처리 장치 및 처리 방법
WO2017138355A1 (ja) 研削装置および研削方法
JPWO2019013037A1 (ja) 研削装置、研削方法及びコンピュータ記憶媒体
WO2019013042A1 (ja) 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
JP5731158B2 (ja) 加工装置
JP5466963B2 (ja) 研削装置
JP7080330B2 (ja) 基板処理システムおよび基板処理方法
JP2015065195A (ja) ウエーハ加工装置
CN112602173B (en) Substrate processing system and substrate processing method
CN213635912U (zh) 基板磨削系统
JP5700988B2 (ja) ウエーハの研削方法
JP2011031359A (ja) 研磨工具、研磨装置および研磨加工方法
CN111438580B (zh) 被加工物的加工方法
JP2023076942A (ja) 加工装置、及び加工方法
KR20200087674A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치에서 부분 연마되어야 할 영역을 특정하는 방법
JP2020031158A (ja) 基板処理システム
JP2002307286A (ja) 研削装置
JP2014042959A (ja) 研削装置
JP5973284B2 (ja) 研削装置
JP7345966B2 (ja) ウェーハの再生方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210210

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220426

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220524

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7080330

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150