JP2003260662A - 基板の研削装置および研削方法 - Google Patents

基板の研削装置および研削方法

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JP2003260662A
JP2003260662A JP2002058299A JP2002058299A JP2003260662A JP 2003260662 A JP2003260662 A JP 2003260662A JP 2002058299 A JP2002058299 A JP 2002058299A JP 2002058299 A JP2002058299 A JP 2002058299A JP 2003260662 A JP2003260662 A JP 2003260662A
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grinding
elastic sheet
thickness
chuck
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Saburo Sekida
三郎 関田
Masato Kikuchi
正人 菊地
Tomio Kubo
富美夫 久保
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Okamoto Machine Tool Works Ltd
Original Assignee
Okamoto Machine Tool Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 シリコンインゴットをスライスし
た基板を、表面のうねりをなくした平坦な表面に仕上る
研削方法およびそれに用いる研削装置の提供。 【解決手段】 アスカ−C硬度50〜70、圧縮
率5〜15%、弾性回復率80〜92%、厚み1〜3m
mの弾性シ−ト基層(a)と、アスカ−C硬度80〜9
5、圧縮率0.1〜3%、弾性回復率55〜75%、厚
み0.5〜2mmの弾性シ−ト表面層(b)を含む厚み
2.0〜5mmの積層体に直径0.5〜2mmの孔58
cを穿った積層弾性シ−ト51bを剛体製吸着板51a
の表面に貼着した基板吸着チャックを用い、該吸着チャ
ックの前記弾性シ−ト表面層(b)上にインゴットをス
ライシングして得た基板を吸着させ、該基板上面側より
スピンドルに軸承された研削砥石を押し圧し、前記吸着
チャック51と研削砥石41を摺動させて基板表面を研
削することを特徴とする基板の研削方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶シリコンイン
ゴットやゲルマニウムインゴットをスライスして得られ
た基板の片面または両面を研削し、スライスされた基板
の反り、うねり、テ−パ−を無くした平坦な基板を与え
る研削装置に関する。
【0002】
【従来の技術】インゴットをスライスして得られた基板
は、反り、うねり、テ−パ−を有するので基板両面を研
削してこれら反り、うねり、テ−パ−を無くすことが行
われる。基板両面を研削する方法としては、基板両面を
同時に研削砥石ユニットで研削する両頭研削装置(特開
平10−128646号)と、チャック機構に吸着され
た基板の表面を研削砥石ユニットで研削する片面研削装
置(特開平11−254318号、同11−30748
9号、特開2000−225561号)を用いて、先に
表面を研削および洗浄し、ついで基板をひっくり返して
裏面を研削、洗浄する。または、両頭研削装置で表裏面
を研削後、片面研削装置で一方の面を研削することも行
われている。
【0003】研削された基板は次いで、ラップ加工また
はポリシング加工あるいはエッチング加工され、パタ−
ン寸法幅0.18μmあるいは0.13μm可能な平坦
度(SFQR)を有する基板とされる。
【0004】両頭研削装置は、基板の表裏面を同時に研
削できる点、片面研削装置より優れているが、キャリア
を用いないでロ−ル、ベルトで基板を固定、回転移動さ
せることが困難であり、特に基板径が200mmから3
00mmと拡径するにつれ回転している基板のブレが大
きく、実用的でない。また、両頭研削装置で表裏面を研
削後、片面研削装置で一方の面を研削する場合には、さ
らに片面研削装置も必要となる。
【0005】片面研削装置は、両頭研削装置で得られる
基板よりも平坦性が優れる利点を有するが、基板径30
0mmでリソグラフィ等の成膜工程の管理面から回路パ
タ−ン寸法幅0.18μm以下可能な平坦度(SFQ
R)を有する基板を得るには、インゴットをスライスし
て得られた基板を研削して得られた基板の反りの変化率
(Warp Best Fit)が2.0μm以下で、基板をチッ
プ状に切断して得られたチップ厚みのバラツキ(SBI
R)が2.0μm以下であるという市場要求を満足させ
ることができない。一般には、アルミニウム吸着板を用
いた場合、チップ厚みのバラツキ(SBIR)が2.0
μm以下である条件は満足するが、基板の反りの変化率
は研削前と同じか、あるいは悪くなる。
【0006】すなわち、吸着チャックの穿孔アルミニウ
ム吸着板面上に、インゴットをワイヤ−ソウまたはスラ
イサ−でスライシングして得た基板を吸着し、該ワ−ク
上面側よりスピンドルに軸承された研削砥石を押し圧
し、前記吸着チャックと研削砥石を摺動させて基板表面
を研削する従来方法では、研削された基板の基板の反り
の変化率は研削前と同じか、あるいは悪くなり、市場要
求を満足させることができない。また、研削砥石の螺旋
状痕跡が加工基板に残るし、剛体製吸着板の穿孔位置部
の加工基板部分は削られ過ぎて谷部を呈し、平坦性が良
好な加工基板とはならない。
【0007】特許第3097846号公報、EP881
038A公報は、結晶インゴットをスライシングした基
板をホルダの支持体上に固定した状態で基板両面とエッ
ヂ部を研削する方法において、基板の第一面の研削中は
ホルダの支持体上にショアA硬度が5〜99、特に好ま
しくは80〜90のポリウレタン弾性材を糊付けし、こ
の弾性材上に基板を固定し、基板の第二面研削時は固い
支持体を有する基板ホルダ上に固定して行なうことを提
案する。基板の第二面研削時は、第一面が平坦な基準面
に研削されているのでもはや弾性的に変形することがな
いとの推測からである。
【0008】この弾性支持体と硬質支持体を用いる研削
方法は、300mm径基板の研削・平坦化においては中
央部にへっこみが生じ、充分でないことが判明した。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、チャッ
クと基板との間に弾性回復率が大きい弾性シ−ト基層
と、この基層よりも大きい硬度を有し、かつ、低い弾性
回復率を有する弾性シ−ト表面層との積層体を介在させ
ることにより、基板の直径200mm、300mm、4
00mmのインゴットスライス基板であっても、インゴ
ットをスライスして得られた基板を研削して得られた基
板の反りの変化率(Warp Best Fit)が2.0μm以
下で、基板をチップ状に切断して得られたチップ厚みの
バラツキ(SBIR)が2.0μm以下であるという市
場要求を満足し、研削砥石の螺旋状痕跡のない加工基板
を与えることを見出し、本発明に到達した。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の1は、吸着チャ
ック上にインゴットをスライシングして得た基板を保持
し、該基板上面側よりスピンドルに軸承された研削砥石
を押し圧し、前記吸着チャックと研削砥石を摺動させて
基板表面を研削する装置であって、前記吸着チャックの
基板を吸着する面が、剛体製吸着板の表面にアスカ−C
硬度50〜70、圧縮率5〜15%、弾性回復率80〜
92%、厚み1〜3mmの弾性シ−ト基層(a)と、ア
スカ−C硬度80〜95、圧縮率0.1〜3%、弾性回
復率55〜75%、厚み0.5〜2mmの弾性シ−ト表
面層(b)を含む厚み2.0〜5mmの積層体に直径
0.5〜2mmの孔を穿った積層弾性シ−トを貼着した
積層構造となっており、基板は該積層弾性シ−トの弾性
シ−ト表面層(b)上に載せることを特徴とする、基板
の研削装置を提供するものである。
【0011】剛体製吸着板と基板との間に、上記孔を穿
った該積層弾性シ−トを介在させることにより、研削砥
石の押圧が積層弾性シ−トを介して均一に分散、剛体製
吸着板に伝達されるので、基板の反りの変化率(Warp
Best Fit)が2.0μm以下で、基板をチップ状に切
断して得られたチップ厚みのバラツキ(SBIR)が
2.0μm以下と平坦性を向上させ、かつ、螺旋状痕跡
のない加工基板が得られる。また、剛体製吸着板に穿孔
が存在する悪影響も、剛体製吸着板と基板との間に積層
弾性シ−トを介在することにより解消でき、平坦性が改
良された加工基板が得られる。
【0012】本発明の請求項2は、前記基板の研削装置
において、剛体製吸着板がアルミニウム板を厚み方向に
穿孔を施したものであり、その穿孔の直径は積層弾性シ
−トの孔の直径以上であることを特徴とする。
【0013】基板の積層弾性シ−トへの吸着を良好とす
るには、剛体製吸着板の孔径を積層弾性シ−トの孔径と
同等またはそれ以上とすることがよい。
【0014】本発明の請求項3は、剛体製吸着板の表面
にアスカ−C硬度50〜70、圧縮率5〜15%、弾性
回復率80〜92%、厚み1〜3mmの弾性シ−ト基層
(a)と、アスカ−C硬度80〜95、圧縮率0.1〜
3%、弾性回復率55〜75%、厚み0.5〜2mmの
弾性シ−ト表面層(b)を含む厚み2.0〜5mmの積
層体に直径0.5〜2mmの孔を穿った積層弾性シ−ト
を貼着した吸着チャックの弾性シ−ト表面層(b)上
に、インゴットをスライシングして得た基板を載せ、基
板を吸着して固定し、該基板上面側よりスピンドルに軸
承された研削砥石を押し圧し、前記吸着チャックと研削
砥石を摺動させて基板表面を研削することを特徴とす
る、基板の研削方法を提供するものである。
【0015】研削加工後の面内バラツキSBIRを小さ
くするには、バックアップ性を有する弾性回復率が80
〜92%と高いシ−ト基層(a)と、平滑性を良好とす
る硬い硬度(アスカ−C硬度80〜95)を有する弾性
シ−ト表面層(b)を有する積層体を用いる。基板の反
りの変化率(Warp Best Fit)が2.0μm以下で、
基板をチップ状に切断して得られたチップ厚みのバラツ
キ(SBIR)が2.0μm以下と平坦性を向上させ、
かつ、螺旋状痕跡のない加工基板が得られる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を詳細
に説明する。図1は、本発明の研削装置の平面図、図2
は図1における研削装置の研削砥石ユニットとインデッ
クステ−ブルの関係を示す正面図、図3は吸着チャック
の部分拡大図、図4は吸着チャックの部分平面図であ
る。
【0017】図1に示す研削装置1において、2は基
台、3はコラムで、左右に一対の研削砥石ユニット4,
4を備える。該コラムは基台上の後列中央部に位置す
る。該一対の研削砥石ユニット4,4に相対向してそれ
ぞれ2基のチャック機構51,52を備える第1インデ
ックステ−ブル5と第2インデックステ−ブル5が前記
コラムの左右に配置され、研削装置の後列を形成してい
る。第1インデックステ−ブル5と第2インデックステ
−ブル5は、基台2を刳り貫いて基台の略同一水平面上
に設けられる。
【0018】2基のチャック機構を備える第1インデッ
クステ−ブルと第2インデックステ−ブル5,5は、そ
れぞれ手前側にチャック機構洗浄機器53を、後側に基
板の厚みを測定する2点式インプロセスゲ−ジ54を備
える。2点式インプロセスゲ−ジ54の触針子はチャッ
ク機構の表面と基板の表面に接触させ、両者の高さの差
から基板の厚みを算出し、逐次制御装置に伝達する。
【0019】チャック機構洗浄機器53は、環状のセラ
ミック製リング53aと該セラミック製リングを回転駆
動させるモ−タ53bと洗浄水供給管53cを備える。
インデックステ−ブル5,5のニ基の吸着チャック機構
51,52間は壁55,56で遮られている。
【0020】各々の吸着チャック機構51,52は、図
2に示すようにモ−タM1で180度づつ回転される回
転軸57に軸承されている。
【0021】吸着チャック機構51,52は、図3およ
び図4に示すように穿孔アルミニウム板や穿孔ステンレ
ス板等の剛体製吸着板51a,52aの表面に厚み2.
0〜5mmの積層弾性シ−トに直径0.5〜2mmの孔
58cを穿った穿孔積層弾性シ−ト51b,52bを貼
着した積層構造となっており、基板はこの穿孔積層弾性
シ−ト上に載せられる。
【0022】穿孔積層弾性シ−ト51b,52bは、ア
スカ−C硬度(JISK−6301)50〜70、圧縮
率(JIS L−1021)5〜15%、弾性回復率
(JIS L−1021)80〜92%、厚み(JIS
K−6505)1〜3mmの弾性シ−ト基層(a)
と、アスカ−C硬度80〜95、圧縮率0.1〜3%、
弾性回復率55〜75%、厚み0.5〜2mmの弾性シ
−ト表面層(b)を含む厚み2.0〜5mmの積層体に
直径0.5〜2mmの孔を穿ったものである。
【0023】穿孔積層弾性シ−トの弾性シ−ト基層
(a)としては、ポリエステル・ポリイソシアネ−トウ
レタン、ポリエ−テル・ポリイソシアネ−トウレタン、
アクリルウレタン等のポリウレタン樹脂発泡体製シ−
ト、エチレン・プロピレン・エチリデンノルボルネン共
重合ラバ−、水添化スチレン・ブタジエン・スチレンブ
ロック共重合ゴム、水添化スチレン・イソプレン・スチ
レンブロック共重合ゴム、低密度ポリエチレン、ポリプ
ロピレン等の発泡体シ−トが用いられる。例えば、かか
るポリウレタン樹脂発泡体製シ−トは、ロデ−ル・ニッ
タ株式会社よりSUBA400の商品名、富士紡績株式
会社よりPOLYPAS(登録商標)#194、#21
0、#7000のグレ−ド名で入手できる。
【0024】また、穿孔積層弾性シ−トの弾性シ−ト表
面層(b)としては、ポリエステル・ポリイソシアネ−
トウレタン、ポリエ−テル・ポリイソシアネ−トウレタ
ン、アクリルウレタン等のポリウレタン樹脂発泡体製シ
−ト、ポリシリコン弾性シ−ト等が用いられる。例え
ば、かかるポリウレタン樹脂発泡体製シ−トは、ロデ−
ル・ニッタ株式会社よりIC−1000、SUBA80
0の商品名で入手できる。
【0025】弾性シ−ト基層(a)と弾性シ−ト表面層
(b)との接着、穿孔積層弾性シ−ト51b,52bと
剛体製吸着板との接着は、ホットメルト接着剤、液状接
着剤もしくは粘着剤を用いて行なわれる。また、弾性シ
−ト基層(a)と弾性シ−ト表面層(b)との積層を、
2層型射出成形金型を用い、2層射出ウレタン発泡成形
して発泡積層体を得てもよい。ホットメルト接着剤とし
ては、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレンワ
ックス、マレイン酸グラフト低密度ポリエチレンなど
が、液状接着剤としては、溶剤型ポリウレタン接着剤、
エポキシ樹脂接着剤、酢酸ビニル樹脂接着剤などが、粘
着剤としては液状ブタジエン、石油樹脂、クマロインデ
ン樹脂、アビエチン酸ロジン、テルペン・フェノ−ル共
重合体などが挙げられる。ホットメルト接着剤と粘着剤
は混合して使用されることもある。
【0026】剛体製吸着板51a,52aの孔58は、
基部58aで直径2〜8mmで、穿孔積層弾性シ−ト5
1b,52bと接する上方部58bで直径1〜2mm
で、穿孔積層弾性シ−トの孔58cの径と同じか、それ
よりも大きい径である。剛体製吸着板51a,52aの
孔58a,58bの中心線は、穿孔積層弾性シ−トの孔
58cの中心線と略一致する。
【0027】穿孔積層弾性シ−トに設けられる吸着用孔
の数は、100cm2当り12〜50個である。図4で
は、穿孔積層弾性シ−ト51bおよび剛体製吸着板51
aとも117個(100cm2当り約37個)の孔が穿
孔されている。剛体製吸着板51a,52aの厚みは、
10〜50mmで十分である。剛体製吸着板51a,5
2aは、ポ−ラスセラミック板に置き換えてもよい。
【0028】弾性シ−ト基層(a)および弾性シ−ト表
面層(b)がそれぞれ発泡成形して得られた発泡ブロッ
クを所望厚さにスライスして得られたものであるとき
は、穿孔積層弾性シ−トあるいは穿孔される前の積層弾
性シ−トの平面を平滑にするために基板を研削する砥石
を使用して研削するのが好ましい。
【0029】吸着チャック機構51,52の弾性シ−ト
表面層(b)上に基板が載置されると、吸引孔58(5
8a,58b,58c)を真空ポンプ59で吸引し、基
板を吸着チャック機構の上に固定する。各チャック機構
51,52はモ−タM2で水平方向に回転される。
【0030】基台1上の中列には、前記コラム3の手前
の中央部に基板の第2洗浄機構7を配置し、かつ、中列
左側より第1インデックステ−ブル5の手前に第1洗浄
機構6および第1ダブルア−ム搬送ロボット9を配置、
および中列右側より第2インデックステ−ブル5手前に
第3基板洗浄機構8、第2ダブルア−ム搬送ロボット1
0を配置している。
【0031】各基板洗浄機構6,7,8は、仮置台6
1,71,81、エア−シリンダ63,73,83によ
り前後に進退可能およびモ−タにより回転可能なブラシ
62,72,82を有する。各基板洗浄機構6,7,8
は、必要により基板のセンタリング機構64,74,8
4が付属される。図1では、ドライイン(dry in)、
ウエットアウト(wet out)を想定して洗浄機構全て
6,7,8ブラシスクラブ洗浄機器を図示したが、ドラ
イイン(dry in)、ドライアウト(dry out)を想定
して第1基板洗浄機構6と第2基板洗浄機構7は、基板
の吸着面をブラシスクラブ洗浄する洗浄機器を、第3基
板洗浄機構8は、基板の両面を洗浄するスピナ式洗浄機
器としてもよい。
【0032】基台上の前列には、第1ダブルア−ム搬送
ロボット9の手前に一対の基板収納カセット11a,1
1bおよび第2ダブルア−ム搬送ロボット10の手前に
一対の基板収納カセット12a,12bを配置してあ
る。
【0033】研削砥石ユニット4,4は、図2に示され
るようにカップホイ−ル型研削砥石41をエア−スピン
ドル42で軸承し、エア−スピンドルはビルトインモ−
タ43で回転される。44はスピンドルケ−シング、4
5は軸受、46はX軸(左右)方向の傾斜調整ボルト、
46’はY軸(前後)方向の傾斜調整ボルト、Mはモ−
タで傾斜ボルト46を締めたり、緩るめたりする。47
はケ−シング44を昇降機構48に据え付ける取付部、
49は昇降機構を垂直方向に昇降可能とする凹状溝を有
するレ−ルである。取付部下部には半球状凹部47aが
設けられ、昇降機構48の下部には前記半球状凹部47
aに嵌合する半球状凸部48aが設けられ、半球状凹部
47aと半球状凸部48a間には0.05〜0.1mm
の隙間が形成されている。
【0034】傾斜調整ボルト46,46’をモ−タM、
M’の駆動力で締めたり緩めたりすることにより昇降機
構48の下部の半球状凸部48aを中心に取付部下部の
半球状凹部47a前に設けた前記隙間を利用してスピン
ドル42が傾斜する。48bはボ−ルネジ、48cは螺
合体でACサ−ボモ−タM3の駆動で昇降機構を上下さ
せる。
【0035】かかる研削装置1を用いてインゴットをス
ライシングして得られた基板wの両面を研削する工程は
次ぎのように行われる。 収納カセット11a内の基板を第1ダブルア−ム搬送
ロボット9のクリ−ンなア−ムで把持し、第1洗浄機構
6の仮置台61上に基板を搬送し、センタリング機構6
4で中央合わせし、ついで基板のチャックされる面を
0.19〜0.49MPaの純水を吹き付けながらブラ
シスクラブ洗浄する。この間、第1インデックステ−ブ
ル5は、回転軸57を時計廻り方向に180度回転さ
れ、第1インデックステ−ブル手前側の吸着チャック機
構51はその吸着板をチャック洗浄機構53により洗浄
される。
【0036】第1洗浄された基板を第1ダブルア−ム
搬送ロボット9のクリ−ンなア−ムで把持し、第1イン
デックステ−ブル5の手前側の吸着チャック機構52上
に基板を載せた後、回転軸57を時計廻り方向に180
度回転する。ついで、第1インデックステ−ブル手前側
の吸着チャック機構51はその吸着板をチャック洗浄機
構53により洗浄される。この間に収納カセット11a
内より新たな基板が第1ダブルア−ム搬送ロボット9の
クリ−ンなア−ムで把持され、第1洗浄機構6の仮置台
61上に基板を搬送し、センタリング機構64で中央合
わせし、ついで基板のチャックされる面を0.19〜
0.49MPaの純水を吹き付けながらブラシスクラブ
洗浄する。
【0037】回転軸57を時計逆廻り方向に180度
回転した後、第1インデックステ−ブル手前側の吸着チ
ャック機構52はその吸着板をチャック洗浄機構53に
より洗浄され、第1洗浄された基板を第1ダブルア−ム
搬送ロボット9のクリ−ンなア−ムで把持し、第1イン
デックステ−ブル5の手前側の吸着チャック機構52上
に載せる。一方のチャック機構51上の基板はモ−タM
2により200〜4000rpmで回転せられ、ついで
第1研削砥石ユニットのビルドインモ−タ43によりカ
ップホイ−ル型砥石を400〜6000rpmで回転さ
せつつ昇降機構48により第1研削砥石ユニットを下降
させ、基板に当接させ、お互いに摺動させて基板の片面
(A面)を研削し、研削が終了したら第1研削砥石ユニ
ットを上昇させる。この間に収納カセット11a内より
新たな基板が第1ダブルア−ム搬送ロボット9のクリ−
ンなア−ムで把持され、第1洗浄機構6の仮置台61上
に基板を搬送し、センタリング機構64で中央合わせ
し、ついで基板のチャックされる面に純水を吹き付けな
がらブラシスクラブ洗浄する。
【0038】第1インデックステ−ブルおよび第2イ
ンデックステ−ブルの回転軸57を時計廻り方向に18
0度回転した後、第1インデックステ−ブル手前側の吸
着チャック機構52上の研削基板は第1ダブルア−ム搬
送ロボット9のダ−ティなア−ムで把持され、第2洗浄
機構の仮置台71上に移送され、センタリング機構で中
心位置合わせされた後、チャックされる面を第2ブラシ
スクラブ洗浄される。ついで手前側にきた吸着チャック
機構52はその吸着板をチャック洗浄機構53により洗
浄され、第1洗浄された基板が第1ダブルア−ム搬送ロ
ボット9のクリ−ンなア−ムで把持し、第1インデック
ステ−ブル5の手前側の吸着チャック機構52上に載せ
られる。他方の第2インデックステブル5手前側の吸着
チャック機構51はその吸着板をチャック洗浄機構53
により洗浄される。一方、第1インデックステ−ブルの
吸着チャック機構51上の基板はモ−タM 2により回転
せられ、ついで第1研削砥石ユニットのカップホイ−ル
型砥石を回転させつつ、昇降機構48を下降させて砥石
を基板に当接させ両者を摺合させて基板の片面(A面)
を研削した後、第1研削砥石ユニットを上昇させる。こ
の間に収納カセット11a内より新たな基板が第1ダブ
ルア−ム搬送ロボット9のクリ−ンなア−ムで把持さ
れ、第1洗浄機構6の仮置台61上に基板を搬送し、セ
ンタリング機構64で中央合わせし、ついで基板のチャ
ックされる面に純水を吹き付けながらブラシスクラブ洗
浄する。
【0039】第1インデックステ−ブル5および第2
インデックステ−ブル5を180度時計逆廻り方向に回
転させる。第2洗浄機構の研削基板を第2ダブルア−ム
搬送ロボット10のダ−ティなア−ムで把持し、第2イ
ンデックステ−ブル5上の吸着チャック機構52上に研
削面(A面)が下向きに未研削面(B面)が砥石に対向
するよう移送する。一方、第1インデックステ−ブル手
前側の吸着チャック機構51上の研削基板は第1ダブル
ア−ム搬送ロボット9のダ−ティなア−ムで把持され、
第2洗浄機構の仮置台71上に移送され、センタリング
された後、チャックされる面を第2ブラシスクラブ洗浄
される。ついで手前側にきた第1インデックステ−ブル
の吸着チャック機構51はその吸着板をチャック洗浄機
構53により洗浄され、第1洗浄された基板が第1ダブ
ルア−ム搬送ロボット9のクリ−ンなア−ムで把持し、
第1インデックステ−ブル5の手前側の吸着チャック機
構51上に載せられる。その間、第1インデックステ−
ブルの吸着チャック機構52上の基板はモ−タM2によ
り回転せられ、ついで第1研削砥石ユニットのカップホ
イ−ル型砥石を回転させつつ、昇降機構48を下降させ
て砥石を基板に当接させ両者を摺合させて基板の片面
(A面)を研削した後、第1研削砥石ユニットを上昇さ
せる。また、この間に収納カセット11a内より新たな
基板が第1ダブルア−ム搬送ロボット9のクリ−ンなア
−ムで把持され、第1洗浄機構6の仮置台61上に基板
を搬送し、センタリング機構64で中央合わせし、つい
で基板のチャックされる面に純水を吹き付けながらブラ
シスクラブ洗浄する。
【0040】第1インデックステ−ブル5および第2
インデックステ−ブル5を180度時計廻り方向に回転
させる。第2洗浄機構7の研削基板を第2ダブルア−ム
搬送ロボット10のダ−ティなア−ムで把持し、第2イ
ンデックステ−ブル5上の吸着チャック機構51上に未
研削面(B面)が上向くように移送する。一方、第2イ
ンデックステ−ブル5上の吸着チャック機構52上の基
板はモ−タM2により回転せられ、ついで第2研削砥石
ユニットのカップホイ−ル型砥石を回転させつつ、昇降
機構48を下降させて砥石を基板に当接させ両者を摺合
させて基板の片面(B面)を研削した後、第2研削砥石
ユニットを上昇させる。一方、第1インデックステ−ブ
ル手前側の吸着チャック機構52上の研削基板は第1ダ
ブルア−ム搬送ロボット9のダ−ティなア−ムで把持さ
れ、第2洗浄機構の仮置台71上に移送され、チャック
される面を第2ブラシスクラブ洗浄される。ついで手前
側にきた第1インデックステ−ブルの吸着チャック機構
52はその吸着板をチャック洗浄機構53により洗浄さ
れ、第1洗浄された基板が第1ダブルア−ム搬送ロボッ
ト9のクリ−ンなア−ムで把持し、第1インデックステ
−ブル5の手前側の吸着チャック機構52上に載せられ
る。その間、第1インデックステ−ブルの吸着チャック
機構51上の基板はモ−タM2により回転せられ、つい
で第1研削砥石ユニットのカップホイ−ル型砥石を回転
させつつ、昇降機構48を下降させて砥石を基板に当接
させ両者を摺合させて基板の片面(A面)を研削した
後、第1研削砥石ユニットを上昇させる。また、この間
に収納カセット11a内より新たな基板が第1ダブルア
−ム搬送ロボット9のクリ−ンなア−ムで把持され、第
1洗浄機構6の仮置台61上に基板を搬送し、センタリ
ング機構64で中央合わせし、ついで基板のチャックさ
れる面に純水を吹き付けながらブラシスクラブ洗浄す
る。
【0041】第1インデックステ−ブル5および第2
インデックステ−ブル5を180度時計逆廻り方向に回
転させる。第2インデックステ−ブル5上の吸着チャッ
ク機構52上の研削基板は、第2ダブルア−ム搬送ロボ
ット10のダ−ティなア−ムで把持され、第3洗浄機構
8の仮置台81に移送され、両面(A面、B面)をブラ
シスクラブ洗浄され、ついでスピン乾燥後、第2ダブル
ア−ム搬送ロボット10のクリ−ンなア−ムで把持さ
れ、第3洗浄機構8からアンロ−デヂィングカセット1
2bに搬送・収納される。ついで、第2インデックステ
−ブル5上の吸着チャック機構52はチャック洗浄機構
53により洗浄され、第2洗浄機構7の研削基板を第2
ダブルア−ム搬送ロボット10のダ−ティなア−ムで把
持し、第2インデックステ−ブル5上の吸着チャック機
構52上に未研削面(B面)が上向くように移送する。
【0042】一方、第2インデックステ−ブル5上のチ
ャック機構51上の基板はモ−タM 2により回転せら
れ、ついで第2研削砥石ユニットのカップホイ−ル型砥
石を回転させつつ、昇降機構48を下降させて砥石を基
板に当接させ両者を摺り合させて基板の片面(B面)を
研削した後、第2研削砥石ユニットを上昇させる。その
間、第1インデックステ−ブル手前側の吸着チャック機
構51上の研削基板は第1ダブルア−ム搬送ロボット9
のダ−ティなア−ムで把持され、第2洗浄機構の仮置台
71上に移送され、チャックされる面を第2ブラシスク
ラブ洗浄される。ついで、手前側にきた第1インデック
ステ−ブルの吸着チャック機構51はその吸着板をチャ
ック洗浄機構53により洗浄され、第1洗浄された基板
が第1ダブルア−ム搬送ロボット9のクリ−ンなア−ム
で把持し、第1インデックステ−ブル5の手前側の吸着
チャック機構51上に載せられる。その間、第1インデ
ックステ−ブルの吸着チャック機構52上の基板はモ−
タM2により回転せられ、ついで第1研削砥石ユニット
のカップホイ−ル型砥石を回転させつつ、昇降機構48
を下降させて砥石を基板に当接させ両者を摺合させて基
板の片面(A面)を研削した後、第1研削砥石ユニット
を上昇させる。また、この間に収納カセット11a内よ
り新たな基板が第1ダブルア−ム搬送ロボット9のクリ
−ンなア−ムで把持され、第1洗浄機構6の仮置台61
上に基板を搬送し、センタリング機構64で中央合わせ
し、ついで基板のチャックされる面に純水を吹き付けな
がらブラシスクラブ洗浄する。
【0043】以降、上記の工程を連続して繰返し、基
板の表裏面が研削された基板を連続生産する。
【0044】上記態様において、インデックステ−ブル
5,5は、時計廻り方向に180度、ついで時計逆廻り
方向に180度と交互に回転する方向を変えたが、イン
デックステ−ブル5,5を時計廻り方向に180度、1
80度と同一方向に回転するようにしてもよい。また、
第2インデックステ−ブル側の吸着チャック機構51,
52の吸着板は、すでに片面が研削された基板を反転し
て研削するのであるから、柔軟性ゴム膜は無くても有っ
てもよい。
【0045】
【実施例】実施例1 積層弾性シ−トの弾性シ−ト基層(a)としてロデ−ル
・ニッタ株式会社のポリウレタン発泡シ−ト SUBA
400(商品名:アスカC硬度61、圧縮率8.0%、
弾性回復率88%、厚み1.27mm)を、および弾性
シ−ト表面層(b)としてロデ−ル・ニッタ株式会社の
ポリウレタン発泡シ−ト IC−1000(商品名:ア
スカC硬度95、圧縮率1.0%、弾性回復率61%、
密度0.73g/cm、厚み1.27mm)を用い、
溶剤型ポリエステル・ポリイソシアネ−トウレタン接着
剤を用いて両者を積層接着し、ついで、得た積層体を打
ち抜きプレス金型で直径310mmに切り抜いた。打ち
抜いた積層体に1.5mm径の孔を多数穿孔した。
【0046】図1から図4に示される研削装置(第2イ
ンデックステ−ブル側の吸着チャック機構51,52の
吸着板は、穿孔した積層弾性シ−トは無い。)を用い、
第2インデックステ−ブル側の吸着チャック機構51,
52の吸着板上に穿孔した弾性積層シ−トを載せ、吸着
板をバキュ−ム吸引して穿孔弾性積層シ−トを固定し、
ついで、吸着板を回転させつつ、回転しているカップホ
イ−ル型砥石を下降させ、穿孔弾性積層シ−トの弾性シ
−ト基層(a)を15μm研削し、表面を平坦化した。
次いで、カップホイ−ル型砥石を上昇させ、バキュ−ム
を止めて穿孔弾性積層シ−トを取りだし、洗浄した後、
穿孔弾性積層シ−トを前とは上下逆にして吸着板上に穿
孔した弾性積層シ−トを載せ、吸着板を再びバキュ−ム
吸引して穿孔弾性積層シ−トを固定し、ついで、吸着板
を回転させつつ、回転しているカップホイ−ル型砥石を
下降させ、穿孔弾性積層シ−トの弾性シ−ト表面層
(b)を15μm研削し、表面を平坦化し、ついでカッ
プホイ−ル型砥石を上昇させ、バキュ−ムを止めて穿孔
弾性積層シ−トを取り出し、洗浄し、厚み2.54m
m、両面が平坦化された穿孔弾性積層シ−トを得た。
【0047】図1から図4に示される研削装置(第1イ
ンデックステ−ブル側の吸着チャック機構51,52の
吸着板は、上記穿孔した積層弾性シ−トが弾性シ−ト表
面層(b)が上向きに接着され、第2インデックステ−
ブル側の吸着チャック機構51,52の吸着板は、穿孔
した積層弾性シ−トは無い。)を用い、シリコンインゴ
ットをワイヤ−ソウでスライスした厚み約750μm、
直径約300mmのシリコンウエハを片面づつ研削を行
い、両面が研削された厚み600μmの加工シリコン基
板を得た。(表面粗さ Ramax 1.076μm)を
用いた。
【0048】得た基板のWarp Best Fitは、7.27
μmから6.98μmへと0.32μmの量よりうねり
が小さくなった。また、SBIR(面内バラツキ)は、
0.42μmであった。なお、吸着チャック機構の穿孔
アルミニウム板として、基部の孔径が4mm、表面部の
孔径が1.5mm、基部の孔径が2.0mm、厚み25
mmの円盤状板を用いた。
【0049】比較例1 穿孔した積層弾性シ−トを用いないで、穿孔アルミニウ
ムチャック上に直接基板を載せて研削する以外は実施例
1と同様にスライス基板の研削を行った。得た基板のWa
rp Best Fitは、7.49μmから7.88μmへと
0.39μmの量、よりうねりが大きくなった。また、
SBIR(面内バラツキ)は、0.47μmであった。
【0050】
【発明の効果】本発明の基板の研削方法は、研削中、基
板は穿孔した積層弾性シ−トで表面を被覆されたバキュ
−ムチャック機構により強固に保持されているのでブレ
がなく、うねりが減少した平坦な研削基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の研削装置の平面図である。
【図2】 図1に示す研削装置の研削砥石ユニットと吸
着チャック機構の関係を示す正面図である。
【図3】 吸着チャック機構の部分断面図である。
【図4】 吸着チャック機構の部分断面図である。
【符号の説明】
1 研削装置 2 基台 3 コラム 4 研削砥石ユニット 5,5 インデックステ−ブル 51,52 吸着チャック機構 51b,52b 穿孔した積層弾性シ−ト 53,53 チャック機構洗浄機器 54,54 2点式インプロセスゲ−ジ 58c 吸着孔 6 第1洗浄機構 7 第2洗浄機構 8 第3洗浄機構 9 第1ダブルア−ム搬送ロボット 10 第2ダブルア−ム搬送ロボット 11a,11b 収納カセット 12a,12b 収納カセット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C034 AA07 BB73 CB08 DD10 3C043 BA09 CC02 DD05 EE04

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 吸着チャック上にインゴットをスライシ
    ングして得た基板を保持し、該基板上面側よりスピンド
    ルに軸承された研削砥石を押し圧し、前記吸着チャック
    と研削砥石を摺動させて基板表面を研削する装置であっ
    て、 前記吸着チャックの基板を吸着する面が、剛体製吸着板
    の表面にアスカ−C硬度50〜70、圧縮率5〜15
    %、弾性回復率80〜92%、厚み1〜3mmの弾性シ
    −ト基層(a)と、アスカ−C硬度80〜95、圧縮率
    0.1〜3%、弾性回復率55〜75%、厚み0.5〜
    2mmの弾性シ−ト表面層(b)を含む厚み2.0〜5
    mmの積層体に直径0.5〜2mmの孔を穿った積層弾
    性シ−トを貼着した積層構造となっており、基板は該積
    層弾性シ−トの弾性シ−ト表面層(b)上に載せること
    を特徴とする、基板の研削装置。
  2. 【請求項2】 剛体製吸着板がアルミニウム板を厚み方
    向に穿孔を施したものであり、その穿孔の直径は積層弾
    性シ−トの孔の直径以上であることを特徴とする、請求
    項1に記載の基板の研削装置。
  3. 【請求項3】 剛体製吸着板の表面にアスカ−C硬度5
    0〜70、圧縮率5〜15%、弾性回復率80〜92
    %、厚み1〜3mmの弾性シ−ト基層(a)と、アスカ
    −C硬度80〜95、圧縮率0.1〜3%、弾性回復率
    55〜75%、厚み0.5〜2mmの弾性シ−ト表面層
    (b)を含む厚み2.0〜5mmの積層体に直径0.5
    〜2mmの孔を穿った積層弾性シ−トを貼着した吸着チ
    ャックの弾性シ−ト表面層(b)上に、インゴットをス
    ライシングして得た基板を載せ、基板を吸着して固定
    し、該基板上面側よりスピンドルに軸承された研削砥石
    を押し圧し、前記吸着チャックと研削砥石を摺動させて
    基板表面を研削することを特徴とする、基板の研削方
    法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006123092A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Okamoto Machine Tool Works Ltd ウエハ保持用バッキング材およびそれを備える研磨ヘッド構造
KR101256013B1 (ko) 2006-01-19 2013-04-18 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조장치 및 제조방법
WO2020039802A1 (ja) * 2018-08-23 2020-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理方法

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JP7080330B2 (ja) 2018-08-23 2022-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理方法

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