JP2002307286A - 研削装置 - Google Patents
研削装置Info
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Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハ等の板状物の面の研削におい
て、エッチング処理やポリッシング処理を行うことなく
研削歪層を除去する。 【解決手段】 板状物を保持するチャックテーブル１
６、１７、１８と、チャックテーブル１６、１７、１８
に保持された板状物の表面を研削する研削手段２０、２
１とを少なくとも含む研削装置１０において、研削手段
２０、２１によって研削された板状物の研削面を仕上げ
処理するブラシ手段４０を備え、ブラシ手段４０を構成
するブラシ部４１の作用により研削歪層を除去する。
て、エッチング処理やポリッシング処理を行うことなく
研削歪層を除去する。 【解決手段】 板状物を保持するチャックテーブル１
６、１７、１８と、チャックテーブル１６、１７、１８
に保持された板状物の表面を研削する研削手段２０、２
１とを少なくとも含む研削装置１０において、研削手段
２０、２１によって研削された板状物の研削面を仕上げ
処理するブラシ手段４０を備え、ブラシ手段４０を構成
するブラシ部４１の作用により研削歪層を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の板状物の面を研削する研削装置に関し、特に、研削面
の仕上げ処理を行うブラシ手段を備えた研削装置に関す
る。
の板状物の面を研削する研削装置に関し、特に、研削面
の仕上げ処理を行うブラシ手段を備えた研削装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】表面にＩＣ、ＬＳＩ等の回路が複数形成
された半導体ウェーハは、放熱性の向上及び軽量化のた
めに薄く形成することが必要とされる。そこで、図４に
示すように、研削装置８０において、半導体ウェーハＷ
を裏面側を上にしてチャックテーブル８１において保持
し、チャックテーブル８１を回転させると共に、下面に
研削砥石８２が固着された研削ホイール８３を回転させ
ながら回転する研削砥石８２が半導体ウェーハＷの裏面
に接触するように研削手段８４を下降させて押圧力を加
えることにより、裏面を研削し、半導体ウェーハＷを所
望の厚さに形成することとしている。
された半導体ウェーハは、放熱性の向上及び軽量化のた
めに薄く形成することが必要とされる。そこで、図４に
示すように、研削装置８０において、半導体ウェーハＷ
を裏面側を上にしてチャックテーブル８１において保持
し、チャックテーブル８１を回転させると共に、下面に
研削砥石８２が固着された研削ホイール８３を回転させ
ながら回転する研削砥石８２が半導体ウェーハＷの裏面
に接触するように研削手段８４を下降させて押圧力を加
えることにより、裏面を研削し、半導体ウェーハＷを所
望の厚さに形成することとしている。
【０００３】このようにして研削を行うと、裏面には
０．１μｍ〜１．０μｍ程の厚さで研削歪層が生成さ
れ、この研削歪層が残存したままの状態でダイシングに
よりチップに分割すると、個々のチップの抗折強度が低
下するという問題がある。
０．１μｍ〜１．０μｍ程の厚さで研削歪層が生成さ
れ、この研削歪層が残存したままの状態でダイシングに
よりチップに分割すると、個々のチップの抗折強度が低
下するという問題がある。
【０００４】そこで、研削歪層が形成された半導体ウェ
ーハＷの裏面に硝酸、フッ酸等のエッチング液を用いて
ウェットエッチング処理を施したり、プラズマガス等を
用いてドライエッチング処理を施したり、ポリッシング
処理により裏面を鏡面仕上げしたりすることにより、研
削歪層を除去することが行われている。
ーハＷの裏面に硝酸、フッ酸等のエッチング液を用いて
ウェットエッチング処理を施したり、プラズマガス等を
用いてドライエッチング処理を施したり、ポリッシング
処理により裏面を鏡面仕上げしたりすることにより、研
削歪層を除去することが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェッ
トエッチング処理の場合は、エッチングの制御が難し
い、エッチング液が半導体ウェーハＷの回路面である表
面に入り込んで回路を損傷させる、エッチング液の廃棄
処理にコストがかかる等の問題がある。
トエッチング処理の場合は、エッチングの制御が難し
い、エッチング液が半導体ウェーハＷの回路面である表
面に入り込んで回路を損傷させる、エッチング液の廃棄
処理にコストがかかる等の問題がある。
【０００６】また、ドライエッチング処理の場合は、半
導体ウェーハＷの表面に貼着される表面保護用のテープ
が高熱により変質するという問題がある。
導体ウェーハＷの表面に貼着される表面保護用のテープ
が高熱により変質するという問題がある。
【０００７】更に、ポリッシング処理の場合は、鏡面仕
上げに時間がかかるために生産性が低下し、更に表面に
バンプが形成されている半導体ウェーハにおいてはバン
プに圧力が集中して破損するおそれがある。
上げに時間がかかるために生産性が低下し、更に表面に
バンプが形成されている半導体ウェーハにおいてはバン
プに圧力が集中して破損するおそれがある。
【０００８】従って、板状物の面の研削においては、上
記のような弊害を伴うことなく研削歪層を除去すること
に課題を有している。
記のような弊害を伴うことなく研削歪層を除去すること
に課題を有している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、板状物を保持するチャッ
クテーブルと、チャックテーブルに保持された板状物の
表面を研削する研削手段とを少なくとも含む研削装置で
あって、研削手段によって研削された板状物の研削面を
仕上げ処理するブラシ手段を備えた研削装置を提供す
る。
の具体的手段として本発明は、板状物を保持するチャッ
クテーブルと、チャックテーブルに保持された板状物の
表面を研削する研削手段とを少なくとも含む研削装置で
あって、研削手段によって研削された板状物の研削面を
仕上げ処理するブラシ手段を備えた研削装置を提供す
る。
【００１０】そしてこの研削装置は、ブラシ手段が、ブ
ラシ部と、ブラシ部を回転させる本体部と、本体部を作
用位置と非作用位置とに位置付ける位置制御部とから構
成されること、チャックテーブルが、研削後の板状物の
チャックテーブルからの搬出及び研削前の板状物のチャ
ックテーブルへの搬入が行われる領域である搬出入領域
と、研削手段による板状物の研削が行われる領域である
研削領域とに位置付けられ、ブラシ手段は搬出入領域に
配設され、研削後の板状物を保持したチャックテーブル
が搬出入領域に位置付けられた際に、板状物の研削面に
ブラシ部を作用させて研削面の仕上げ処理を遂行するこ
と、搬出入領域に位置付けられた板状物の研削面に遊離
砥粒または処理水を供給するノズルが搬出入領域に隣接
して配設されること、ブラシ部の刷毛には粒径が５μｍ
以下の砥粒が固着されていることを付加的な要件とす
る。
ラシ部と、ブラシ部を回転させる本体部と、本体部を作
用位置と非作用位置とに位置付ける位置制御部とから構
成されること、チャックテーブルが、研削後の板状物の
チャックテーブルからの搬出及び研削前の板状物のチャ
ックテーブルへの搬入が行われる領域である搬出入領域
と、研削手段による板状物の研削が行われる領域である
研削領域とに位置付けられ、ブラシ手段は搬出入領域に
配設され、研削後の板状物を保持したチャックテーブル
が搬出入領域に位置付けられた際に、板状物の研削面に
ブラシ部を作用させて研削面の仕上げ処理を遂行するこ
と、搬出入領域に位置付けられた板状物の研削面に遊離
砥粒または処理水を供給するノズルが搬出入領域に隣接
して配設されること、ブラシ部の刷毛には粒径が５μｍ
以下の砥粒が固着されていることを付加的な要件とす
る。
【００１１】このように構成される研削装置によれば、
ブラシ手段を配設したことにより、これを用いて研削後
の板状物の研削面に形成された研削歪層を除去すること
ができるため、従来行っていたウェットエッチング、ド
ライエッチング、ポリッシングといった工程が不要とな
る。
ブラシ手段を配設したことにより、これを用いて研削後
の板状物の研削面に形成された研削歪層を除去すること
ができるため、従来行っていたウェットエッチング、ド
ライエッチング、ポリッシングといった工程が不要とな
る。
【００１２】また、ブラシを用いて仕上げ処理を行うた
め、板状物に対する加圧力が比較的低い。従って、バン
プが表面に形成されている半導体ウェーハであってもバ
ンプに圧力が集中しない。
め、板状物に対する加圧力が比較的低い。従って、バン
プが表面に形成されている半導体ウェーハであってもバ
ンプに圧力が集中しない。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例とし
て、図１に示す研削装置１０について説明する。この研
削装置１０は、研削の対象となる板状物を収容するカセ
ット１１ａ及び研削後の板状物を収容するカセット１１
ｂと、カセット１１ａからの板状物の搬出またはカセッ
ト１１ｂへの板状物の搬入を行う搬出入手段１２と、カ
セット１１ａから搬出した板状物の位置合わせを行う中
心合わせテーブル１３と、板状物を搬送する第一の搬送
手段１４及び第二の搬送手段１５と、板状物を吸引保持
するチャックテーブル１６、１７、１８と、チャックテ
ーブル１６、１７、１８を自転可能に支持すると共に自
身が回転可能なターンテーブル１９と、各チャックテー
ブルに保持された板状物を研削する第一の研削手段２０
及び第二の研削手段２１と、研削後の板状物を洗浄する
洗浄手段２２と、研削後の板状物の研削面の仕上げ処理
を行うブラシ手段４０と、仕上げ処理時に遊離砥粒また
は処理水を研削面に供給するノズル５０を備えている。
て、図１に示す研削装置１０について説明する。この研
削装置１０は、研削の対象となる板状物を収容するカセ
ット１１ａ及び研削後の板状物を収容するカセット１１
ｂと、カセット１１ａからの板状物の搬出またはカセッ
ト１１ｂへの板状物の搬入を行う搬出入手段１２と、カ
セット１１ａから搬出した板状物の位置合わせを行う中
心合わせテーブル１３と、板状物を搬送する第一の搬送
手段１４及び第二の搬送手段１５と、板状物を吸引保持
するチャックテーブル１６、１７、１８と、チャックテ
ーブル１６、１７、１８を自転可能に支持すると共に自
身が回転可能なターンテーブル１９と、各チャックテー
ブルに保持された板状物を研削する第一の研削手段２０
及び第二の研削手段２１と、研削後の板状物を洗浄する
洗浄手段２２と、研削後の板状物の研削面の仕上げ処理
を行うブラシ手段４０と、仕上げ処理時に遊離砥粒また
は処理水を研削面に供給するノズル５０を備えている。
【００１４】ターンテーブル１９によって自転可能に支
持された３つのチャックテーブル１６、１７、１８は、
ターンテーブル１９の回転中心を中心として等間隔１２
０度間隔（図示の例では１２０度間隔）に配設されてい
る。
持された３つのチャックテーブル１６、１７、１８は、
ターンテーブル１９の回転中心を中心として等間隔１２
０度間隔（図示の例では１２０度間隔）に配設されてい
る。
【００１５】そして、そのうちの２つのチャックテーブ
ル（図示の例ではチャックテーブル１７、１８）が第一
の研削手段２０または第二の研削手段２１により研削が
行われる領域である研削領域６０に位置付けられ、他の
一つのチャックテーブル（図示の例ではチャックテーブ
ル１６）が中心合わせテーブル１３または洗浄手段２２
との間で板状物の搬出入が行われる領域である搬出入領
域７０に位置付けられる。
ル（図示の例ではチャックテーブル１７、１８）が第一
の研削手段２０または第二の研削手段２１により研削が
行われる領域である研削領域６０に位置付けられ、他の
一つのチャックテーブル（図示の例ではチャックテーブ
ル１６）が中心合わせテーブル１３または洗浄手段２２
との間で板状物の搬出入が行われる領域である搬出入領
域７０に位置付けられる。
【００１６】研削装置１０の基台２３から起立した壁部
２４の内側の面には一対のガイドレール２５、２６が垂
直方向に配設されており、ガイドレール２５、２６には
支持部２７、２８がそれぞれ摺動可能に係合している。
また、垂直方向（Ｚ軸方向）にボールネジ２９、３０が
配設され、このボールネジ２９、３０は、これに連結さ
れたパルスモータ３１、３２によって駆動されてそれぞ
れ回動する構成となっている。
２４の内側の面には一対のガイドレール２５、２６が垂
直方向に配設されており、ガイドレール２５、２６には
支持部２７、２８がそれぞれ摺動可能に係合している。
また、垂直方向（Ｚ軸方向）にボールネジ２９、３０が
配設され、このボールネジ２９、３０は、これに連結さ
れたパルスモータ３１、３２によって駆動されてそれぞ
れ回動する構成となっている。
【００１７】ボールネジ２９、３０には、支持部２７、
２８に備えたナット（図示せず）がそれぞれ螺合してお
り、パルスモータ３１、３２に駆動されてボールネジ２
９、３０がそれぞれ回動するのに伴って支持部２７、２
８がガイドレール２５、２６にガイドされてそれぞれ上
下動する構成となっている。また、支持部２７、２８の
内側には垂直方向にリニアスケール（図示せず）が配設
され、支持部２７、２８の上下方向の位置を高精度に計
測できる。
２８に備えたナット（図示せず）がそれぞれ螺合してお
り、パルスモータ３１、３２に駆動されてボールネジ２
９、３０がそれぞれ回動するのに伴って支持部２７、２
８がガイドレール２５、２６にガイドされてそれぞれ上
下動する構成となっている。また、支持部２７、２８の
内側には垂直方向にリニアスケール（図示せず）が配設
され、支持部２７、２８の上下方向の位置を高精度に計
測できる。
【００１８】支持部２７には第一の研削手段２０が、支
持部２８には第二の研削手段２１が固定され、これら
は、支持部２７、２８の上下動に伴ってそれぞれ上下動
する。第一の研削手段２０においては、垂直方向に回転
可能に支持されたスピンドル３３の先端にマウンタ３５
を介して研削ホイール３７が装着されており、研削ホイ
ール３７の下部には研削砥石３９ａが固着されている。
研削砥石３９ａとしては、粗研削用の砥石が用いられ
る。
持部２８には第二の研削手段２１が固定され、これら
は、支持部２７、２８の上下動に伴ってそれぞれ上下動
する。第一の研削手段２０においては、垂直方向に回転
可能に支持されたスピンドル３３の先端にマウンタ３５
を介して研削ホイール３７が装着されており、研削ホイ
ール３７の下部には研削砥石３９ａが固着されている。
研削砥石３９ａとしては、粗研削用の砥石が用いられ
る。
【００１９】スピンドル３３はパルスモータ３３ａと連
結されており、パルスモータ３３ａに駆動されてスピン
ドル３３が回転するのに伴って研削砥石３９ａが回転す
る構成となっている。
結されており、パルスモータ３３ａに駆動されてスピン
ドル３３が回転するのに伴って研削砥石３９ａが回転す
る構成となっている。
【００２０】一方、第二の研削手段２１においては、垂
直方向に回転可能に支持されたスピンドル３４の先端に
マウンタ３６を介して研削ホイール３８が装着されてお
り、研削ホイール３８の下部には研削砥石３９ｂが固着
されている。研削砥石３９ｂとしては、仕上げ研削用の
砥石が用いられる。
直方向に回転可能に支持されたスピンドル３４の先端に
マウンタ３６を介して研削ホイール３８が装着されてお
り、研削ホイール３８の下部には研削砥石３９ｂが固着
されている。研削砥石３９ｂとしては、仕上げ研削用の
砥石が用いられる。
【００２１】スピンドル３４はパルスモータ３４ａと連
結されており、パルスモータ３４ａに駆動されてスピン
ドル３４が回転するのに伴って研削砥石３９ｂが回転す
る構成となっている。
結されており、パルスモータ３４ａに駆動されてスピン
ドル３４が回転するのに伴って研削砥石３９ｂが回転す
る構成となっている。
【００２２】ブラシ手段４０は、ブラシ部４１と、ブラ
シ部４１を回転させる本体部４２と、本体部４２を上下
動させると共にレール４４にガイドされて所定範囲移動
することによりブラシ部４１を作用位置と非作用位置と
に位置付ける位置制御部４３とから構成される。
シ部４１を回転させる本体部４２と、本体部４２を上下
動させると共にレール４４にガイドされて所定範囲移動
することによりブラシ部４１を作用位置と非作用位置と
に位置付ける位置制御部４３とから構成される。
【００２３】ブラシ部４１には、図２に示すように多数
の刷毛４１ａを備え、それぞれの刷毛４１ａは、例えば
山羊等の動物性繊維により構成され、その外周には粒径
が５μｍ以下の砥粒、例えばダイヤモンド砥粒４１ｂが
固着されている。
の刷毛４１ａを備え、それぞれの刷毛４１ａは、例えば
山羊等の動物性繊維により構成され、その外周には粒径
が５μｍ以下の砥粒、例えばダイヤモンド砥粒４１ｂが
固着されている。
【００２４】図１を参照して説明すると、カセット１１
ａに収容された半導体ウェーハの表面を研削する場合
は、搬出入手段１２がカセット１１ａから半導体ウェー
ハを取り出して中心合わせテーブル１３に載置する。
ａに収容された半導体ウェーハの表面を研削する場合
は、搬出入手段１２がカセット１１ａから半導体ウェー
ハを取り出して中心合わせテーブル１３に載置する。
【００２５】中心合わせテーブル１３において一定の位
置に位置合わせされた半導体ウェーハは、第一の搬送手
段１４によって、搬出入領域７０に位置するチャックテ
ーブル１６に搬送される。そして、チャックテーブル１
６において吸引保持された半導体ウェーハは、ターンテ
ーブル１９が左回りに１２０度回転することによりター
ンテーブル１９の回転前にチャックテーブル１７が位置
していた位置、即ち研削領域６０における第一の研削手
段２０の直下に位置付けられる。そして、研削砥石３９
ａが回転しながら第一の研削手段２０が下降して半導体
ウェーハの表面に接触することにより粗研削が行われ
る。
置に位置合わせされた半導体ウェーハは、第一の搬送手
段１４によって、搬出入領域７０に位置するチャックテ
ーブル１６に搬送される。そして、チャックテーブル１
６において吸引保持された半導体ウェーハは、ターンテ
ーブル１９が左回りに１２０度回転することによりター
ンテーブル１９の回転前にチャックテーブル１７が位置
していた位置、即ち研削領域６０における第一の研削手
段２０の直下に位置付けられる。そして、研削砥石３９
ａが回転しながら第一の研削手段２０が下降して半導体
ウェーハの表面に接触することにより粗研削が行われ
る。
【００２６】次に、ターンテーブル１９が更に左回りに
１２０度回転することにより第二の研削手段２１の直下
に位置付けられる。そして、研削砥石３９ｂが回転しな
がら第二の研削手段２１が下降して半導体ウェーハの表
面に接触することにより仕上げ研削が行われる。
１２０度回転することにより第二の研削手段２１の直下
に位置付けられる。そして、研削砥石３９ｂが回転しな
がら第二の研削手段２１が下降して半導体ウェーハの表
面に接触することにより仕上げ研削が行われる。
【００２７】仕上げ研削が行われた後は、ターンテーブ
ル１９が更に左回りに１２０回転することによりチャッ
クテーブル１６が搬出入領域７０に戻る。そして、位置
制御部４３がレール４４を所要範囲移動してチャックテ
ーブル１６に保持された半導体ウェーハの直上に位置付
けられ、その位置においてブラシ部４１を回転させなが
ら本体部４２を下降させることにより、図３に示すよう
に、回転するブラシ部４１が半導体ウェーハＷの研削面
に作用し、研削面に残存した研削歪層が除去される。こ
のとき、必要に応じてノズル５０から遊離砥粒または処
理水が研削面に供給されることにより研削歪層の除去を
より効果的に行うことができる。
ル１９が更に左回りに１２０回転することによりチャッ
クテーブル１６が搬出入領域７０に戻る。そして、位置
制御部４３がレール４４を所要範囲移動してチャックテ
ーブル１６に保持された半導体ウェーハの直上に位置付
けられ、その位置においてブラシ部４１を回転させなが
ら本体部４２を下降させることにより、図３に示すよう
に、回転するブラシ部４１が半導体ウェーハＷの研削面
に作用し、研削面に残存した研削歪層が除去される。こ
のとき、必要に応じてノズル５０から遊離砥粒または処
理水が研削面に供給されることにより研削歪層の除去を
より効果的に行うことができる。
【００２８】こうして研削歪層が除去された半導体ウェ
ーハＷは、第二の搬送手段１５によってチャックテーブ
ル１６から洗浄手段２２に搬送され、ここで研削面に付
着した研削屑及び遊離砥粒や処理水が洗浄により除去さ
れ、搬出入手段１２によってカセット１１ｂに収容され
る。
ーハＷは、第二の搬送手段１５によってチャックテーブ
ル１６から洗浄手段２２に搬送され、ここで研削面に付
着した研削屑及び遊離砥粒や処理水が洗浄により除去さ
れ、搬出入手段１２によってカセット１１ｂに収容され
る。
【００２９】なお、図１の研削装置１０においてはチャ
ックテーブルを３つ備えていると共に研削手段を２つ備
えているため、搬出入領域７０には１つのチャックテー
ブルのみが位置付けられるが、４つのチャックテーブル
を備えた研削装置の場合には、２つのチャックテーブル
が搬出入領域７０に位置付けられる。また、研削手段は
１つでもよく、その場合は、通常チャックテーブルは２
つとなる。
ックテーブルを３つ備えていると共に研削手段を２つ備
えているため、搬出入領域７０には１つのチャックテー
ブルのみが位置付けられるが、４つのチャックテーブル
を備えた研削装置の場合には、２つのチャックテーブル
が搬出入領域７０に位置付けられる。また、研削手段は
１つでもよく、その場合は、通常チャックテーブルは２
つとなる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る研削
装置では、ブラシ手段を配設したことにより、これを用
いて研削後の板状物の研削面に形成された研削歪層を除
去することができるため、従来行っていたウェットエッ
チング、ドライエッチング、ポリッシングといった工程
が不要となる。従って、エッチング液やエッチングガス
等が不要であると共に、他の板状物が研削されている間
の時間を利用して研削済みの板状物の研削面の仕上げ処
理を行うことができるため、生産性が良好である。
装置では、ブラシ手段を配設したことにより、これを用
いて研削後の板状物の研削面に形成された研削歪層を除
去することができるため、従来行っていたウェットエッ
チング、ドライエッチング、ポリッシングといった工程
が不要となる。従って、エッチング液やエッチングガス
等が不要であると共に、他の板状物が研削されている間
の時間を利用して研削済みの板状物の研削面の仕上げ処
理を行うことができるため、生産性が良好である。
【００３１】また、ブラシを用いて仕上げ処理を行うた
め、板状物に対する加圧力が比較的低い。従って、バン
プが表面に形成されている半導体ウェーハであってもバ
ンプに圧力が集中せず、破損することがない。
め、板状物に対する加圧力が比較的低い。従って、バン
プが表面に形成されている半導体ウェーハであってもバ
ンプに圧力が集中せず、破損することがない。
【図１】本発明に係る研削装置の実施の形態の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】同研削装置を構成するブラシ手段のブラシ部の
一部を示す正面図である。
一部を示す正面図である。
【図３】同ブラシ手段を用いて半導体ウェーハの研削面
の仕上げ処理を行う様子を示す斜視図である。
の仕上げ処理を行う様子を示す斜視図である。
【図４】板状物の研削に用いる研削手段の一部を示す斜
視図である。
視図である。
１０…研削装置 １１ａ、１１ｂ…カセット １２…搬出入手段 １３…中心合わせテーブル １４…第一の搬送手段 １５…第二の搬送手段 １６、１７、１８…チャックテーブル １９…ターンテーブル ２０…第一の研削手段 ２１…第二の搬送手段 ２２…洗浄手段 ２３…基台 ２４…壁部 ２５、２６…ガイドレール ２７、２８…支持部 ２９、３０…ボールネジ ３１、３２…パルスモータ ３３、３４…スピンドル ３３ａ、３４ａ…パルスモータ ３５、３６…マウンタ ３７、３８…研削ホイール ３９ａ、３９ｂ…研削砥石 ４０…ブラシ手段 ４１…ブラシ部 ４１ａ…刷毛 ４１ｂ…ダイヤモンド砥粒４２…本体部 ４３…位置制御部 ４４…レール ５０…ノズル ６０…研削領域 ７０…搬出入領域 ８０…研削装置 ８１…チャックテーブル ８２…研削砥石 ８３…研削ホイール ８４…研削手段
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C043 BA09 CC04 DD14 3C058 AA04 AA06 AA07 AA18 AB03 AB08 AC04 CB02 CB03 CB05 CB10 DA17 3C063 AA07 AB05 BA17 BB02 BG07 EE10
Claims (5)
- 【請求項１】 板状物を保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持された板状物の表面を研削す
る研削手段とを少なくとも含む研削装置であって、 該研削手段によって研削された板状物の研削面を仕上げ
処理するブラシ手段を備えた研削装置。 - 【請求項２】 ブラシ手段は、ブラシ部と、該ブラシ部
を回転させる本体部と、該本体部を作用位置と非作用位
置とに位置付ける位置制御部とから構成される請求項１
に記載の研削装置。 - 【請求項３】 チャックテーブルは、研削後の板状物の
該チャックテーブルからの搬出及び研削前の板状物の該
チャックテーブルへの搬入が行われる領域である搬出入
領域と、研削手段による板状物の研削が行われる領域で
ある研削領域とに位置付けられ、 ブラシ手段は該搬出入領域に配設され、研削後の板状物
を保持したチャックテーブルが該搬出入領域に位置付け
られた際に、該板状物の研削面にブラシ部を作用させて
該研削面の仕上げ処理を遂行する請求項２に記載の研削
装置。 - 【請求項４】 搬出入領域に位置付けられた板状物の研
削面に遊離砥粒または処理水を供給するノズルが該搬出
入領域に隣接して配設される請求項３に記載の研削装
置。 - 【請求項５】 ブラシ部の刷毛には粒径が５μｍ以下の
砥粒が固着されている請求項２乃至４に記載の研削装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001111191A JP2002307286A (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | 研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001111191A JP2002307286A (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | 研削装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002307286A true JP2002307286A (ja) | 2002-10-23 |
Family
ID=18962835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001111191A Pending JP2002307286A (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | 研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002307286A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028204A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | M Setek Co Ltd | ウェハーの裏面研削方法とその装置 |
| CN101829946A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-09-15 | 江苏南晶红外光学仪器有限公司 | 红外窗口片的双面加工工艺 |
| TWI398915B (zh) * | 2004-04-30 | 2013-06-11 | Disco Corp | 包含半導體記憶體元件之半導體裝置以及其製造方法 |
| JP2014050957A (ja) * | 2010-06-17 | 2014-03-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板研磨手段及び基板研磨装置並びに基板研磨システム |
| US9095953B2 (en) | 2010-06-17 | 2015-08-04 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for polishing rear surface of substrate, system for polishing rear surface of substrate, method for polishing rear surface of substrate and recording medium having program for polishing rear surface of substrate |
| CN107900820A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-04-13 | 闫淑军 | 一种木材打磨装置 |
-
2001
- 2001-04-10 JP JP2001111191A patent/JP2002307286A/ja active Pending
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| US9095953B2 (en) | 2010-06-17 | 2015-08-04 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for polishing rear surface of substrate, system for polishing rear surface of substrate, method for polishing rear surface of substrate and recording medium having program for polishing rear surface of substrate |
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