WO2019013042A1 - 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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WO2019013042A1
WO2019013042A1 PCT/JP2018/025175 JP2018025175W WO2019013042A1 WO 2019013042 A1 WO2019013042 A1 WO 2019013042A1 JP 2018025175 W JP2018025175 W JP 2018025175W WO 2019013042 A1 WO2019013042 A1 WO 2019013042A1
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unit
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wafer
processing
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哲夫 福岡
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東京エレクトロン株式会社
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    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing system for thinning a non-joining surface of a target substrate and a substrate processing method using the substrate processing system, and a computer storage medium, in a polymerized substrate in which the target substrate and a support substrate are joined.
  • the back surface of the wafer is ground and polished to thin the wafer with respect to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) on which devices such as a plurality of electronic circuits are formed on the surface.
  • a wafer a semiconductor wafer
  • the wafer may be warped or broken.
  • the wafer is attached to a support substrate.
  • peripheral portion of the wafer is usually chamfered, if the wafer is subjected to grinding and polishing as described above, the peripheral portion of the wafer becomes sharp and sharp. Then, chipping may occur at the periphery of the wafer, and the wafer may be damaged. Therefore, so-called edge trimming is performed in which the peripheral portion of the wafer is cut in advance before the grinding process.
  • Patent Document 1 proposes an end surface processing apparatus for grinding the peripheral end of a wafer as an apparatus for performing edge trimming.
  • the end face processing apparatus is rotatable about a vertical axis and has a table for fixing a wafer, a spindle that is rotatable about a horizontal axis and is movable horizontally and vertically, and a tip of the spindle
  • the disk-shaped diamond wheel is attached to a portion and configured to be rotatable by rotation of a spindle, and provided with abrasive grains on an outer peripheral portion thereof.
  • the spindle while rotating the table and the diamond wheel, the spindle is moved in the horizontal direction and the vertical direction, and the outer peripheral surface of the diamond wheel is brought into contact with the peripheral end of the wafer to make the peripheral end of the wafer Grind it.
  • the grinding depth of the peripheral portion of the wafer is estimated, and it is determined whether the grinding depth has reached a reference value. Then, if it is determined that the reference value is not reached, the peripheral portion grinding is continued, and if it is determined that the reference value is reached, the peripheral portion grinding is ended.
  • the movement of the spindle in the vertical direction may not be constant due to various factors such as tolerance. That is, the theoretical amount of movement of the spindle used to estimate the grinding depth of the peripheral portion of the wafer may differ from the actual amount of movement of the spindle. In such a case, it is not accurate to determine whether the grinding depth has reached the reference value, and the peripheral portion of the wafer can not be ground to a desired thickness. Therefore, there is room for improvement in the conventional edge trim.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and in the case of a polymerized substrate in which a substrate to be treated and a support substrate are joined, the peripheral portion of the substrate to be treated is set to a predetermined thickness when thinning the non-joining surface of the substrate The purpose is to remove properly in thickness.
  • One aspect of the present invention which solves the above-mentioned subject is a substrate processing system which thins a non-joining surface of the processing substrate concerned in a polymerization substrate in which a processing substrate and a support substrate were joined, A rim removing portion for removing the portion, a grinding portion for grinding the non-bonded surface of the substrate to be processed whose rim has been removed by the rim removing portion, and removing the rim of the processing substrate in the rim removing portion A thickness measurement unit that measures the thickness of the peripheral edge of the overlapping substrate, and a control unit that controls the transition from the removal process in the periphery removal unit to the grinding process in the grinding unit based on the measurement result of the thickness measurement unit And.
  • the thickness of the peripheral portion of the polymerization substrate is directly measured by the thickness measurement portion, the thickness of the peripheral portion can be accurately grasped in the removal processing by the peripheral edge removal portion.
  • the removal process can be appropriately terminated, and the peripheral portion of the substrate to be processed can be appropriately removed to a predetermined thickness.
  • the end point (at the end) of the removal process in the peripheral edge removing portion can be accurately grasped, the transition to the grinding process in the subsequent grinding portion can be smoothly performed. Therefore, the throughput of substrate processing can be improved.
  • One embodiment of the present invention is a substrate processing method for thinning a non-bonding surface of a target substrate in a polymerized substrate in which the target substrate and a support substrate are bonded, which is a peripheral portion of the target substrate And a grinding step of grinding the non-joining surface of the substrate to be treated from which the peripheral edge has been removed in the peripheral edge removal step, and in the peripheral edge removal step The measurement is performed, and the transition from the peripheral edge removal process to the grinding process is controlled based on the measurement result.
  • One aspect of the present invention is a readable computer storage medium storing a program operating on a computer of a control unit that controls the substrate processing system to cause the substrate processing system to execute the substrate processing method. It is.
  • the peripheral portion of the substrate to be treated is appropriately removed to a predetermined thickness when thinning the non-bonding surface of the substrate to be treated be able to.
  • the end point of the removal process in the peripheral edge removing unit can be accurately grasped, the transition to the grinding process in the subsequent grinding unit can be smoothly performed, and the throughput of the substrate processing can be improved.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a substrate processing system 1.
  • the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction orthogonal to one another are defined, and the Z-axis positive direction is the vertically upward direction.
  • a superposed wafer T in which a target wafer W as a target substrate and a support wafer S as a support substrate are joined via an adhesive G. Processing is performed to thin the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W.
  • the surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as “bonding surface Wj”, and the surface opposite to the bonding surface Wj is referred to as “non-bonding surface Wn”.
  • the surface bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as a “bonding surface Sj”, and the surface opposite to the bonding surface Sj is referred to as a “non-bonding surface Sn”.
  • the processing target wafer W and the support wafer S are bonded via the adhesive G, but the bonding method is not limited to this.
  • Wafer W is a semiconductor wafer, such as, for example, for example, a silicon wafer or compound semiconductor wafer, a plurality of electronic circuits (devices) are formed on the bonding surface W J.
  • the support wafer S is a wafer having a diameter substantially the same as the diameter of the processing target wafer W and supporting the processing target wafer W.
  • a wafer is used as a supporting substrate is described in this embodiment, another substrate such as a glass substrate may be used, for example.
  • the substrate processing system 1 performs, for example, a carry-in / out station 2 as a carry-in / out unit and predetermined processes on the superposed wafer T, in which a cassette C capable of containing a plurality of superposed wafers T is carried in and out. It has the structure which connected integrally with the processing station 3 provided with various processing apparatuses.
  • a cassette mounting table 10 is provided at the loading / unloading station 2.
  • a plurality of, for example, three cassettes C can be mounted on the cassette mounting table 10 in a row in the X-axis direction.
  • the processing station 3 includes a processing device 21, a first CMP device 22 (CMP: Chemical Mechanical Polishing, chemical mechanical polishing), a second CMP device 23, an edge removing device 24, and a cleaning unit around the wafer transfer region 20.
  • the first cleaning unit 25 and the second cleaning unit 26 as a cleaning unit are connected.
  • the processing apparatus 21 is disposed on the X-axis negative direction side of the wafer transfer area 20.
  • a first CMP apparatus 22, a second CMP apparatus 23, and a peripheral edge removing apparatus 24 are arranged side by side in the positive direction from the X-axis negative direction.
  • a first cleaning device 25 and a second cleaning device 26 are arranged side by side from the X-axis negative direction toward the positive direction.
  • the above-described cassette mounting table 10 is disposed on the X-axis positive direction side of the second cleaning device 26 in the Y-axis negative direction of the wafer transfer area 20.
  • the processing apparatus 21 includes a turntable 30, a transport unit 40, an alignment unit 50, a cleaning unit 60, a rough grinding unit 70 as a grinding unit, a middle grinding unit 80 as a grinding unit, and a grinding unit.
  • a finish grinding unit 90 is provided.
  • the turntable 30 is rotatably configured by a rotation mechanism (not shown).
  • a rotation mechanism not shown.
  • four chucks 31 as a substrate holding unit for holding the superposed wafer T by suction are provided.
  • Each chuck 31 is held by a chuck table 32.
  • the chuck 31 and the chuck table 32 are configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
  • the chucks 31 (chuck table 32) are arranged equally on the same circumference as the turntable 30, that is, every 90 degrees.
  • the four chucks 31 are movable to four processing positions P1 to P4 by rotation of the turntable 30.
  • the first processing position P1 is a position on the X axis positive direction side and the Y axis negative direction side of the turntable 30, and the cleaning unit 60 is disposed.
  • An alignment unit 50 is disposed on the Y-axis negative direction side of the first processing position P1.
  • the second processing position P2 is a position on the X axis positive direction side and the Y axis positive direction side of the turntable 30, and the rough grinding unit 70 is disposed.
  • the third processing position P3 is a position on the X axis negative direction side and the Y axis positive direction side of the turntable 30, and the middle grinding unit 80 is disposed.
  • the fourth processing position P4 is a position on the X axis negative direction side and the Y axis negative direction side of the turntable 30, and the finish grinding unit 90 is disposed.
  • the transport unit 40 is configured to be movable on the transport path 41 extending in the Y-axis direction.
  • the transport unit 40 has a transport arm 42 movable in the horizontal direction, the vertical direction and around the vertical axis ( ⁇ direction), and the transport arm 42 aligns the alignment unit 50 and the chuck 31 at the first processing position P1.
  • the polymerization wafer T can be transferred between
  • the rough grinding unit 70 roughly grinds the non-bonded surface Wn of the processing target wafer W
  • the middle grinding unit 80 middle-grinds the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W
  • the finish grinding unit 90 does not bond the processing target wafer W
  • the surface Wn is finish ground. That is, in the processing apparatus 21, the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W is ground in three steps.
  • Each grinding unit 70, 80, 90 has a vertically movable and rotatable grinding wheel (not shown) as a grinding member.
  • the grain size of the abrasive grains of the grinding wheel is smaller in the order of the rough grinding unit 70, the middle grinding unit 80, and the finish grinding unit 90. Then, while the grinding fluid is supplied to the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W held by the chuck 31, the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W is ground by rotating the chuck 31 and the grinding wheel respectively.
  • the general structure which performs a grinding process is employable as a structure of each grinding unit 70,80,90.
  • the grinding member is not limited to the grinding wheel, and may be, for example, another kind of member such as a member containing abrasive grains in a non-woven fabric.
  • CMP device As shown in FIG. 1, in the first CMP apparatus 22, the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W is roughly polished, and in the second CMP apparatus 23, the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W is finish-polished. That is, in the first CMP apparatus 22 and the second CMP apparatus 23, the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W is polished in two steps.
  • the first CMP apparatus 22 has a chuck 100 for holding the superposed wafer T (wafer to be processed W).
  • the chuck 100 is supported by a chuck table 101 and is configured to be movable on a transport path 102 extending in the Y-axis direction.
  • the chuck 100 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
  • the first CMP apparatus 22 includes a rough CMP unit 103 as a chemical mechanical polishing unit, which is disposed above the chuck 100 and chemically mechanical polishes the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W held by the chuck 100. doing.
  • the second CMP apparatus 23 has the same configuration as the first CMP apparatus 22. That is, the second CMP apparatus 23 includes a chuck 110, a chuck table 111, a conveyance path 112, and a finishing CMP unit 113.
  • the grain size of the abrasive grains used in the rough CMP 113 part is smaller than the grain size of the abrasive grains used in the finishing CMP part 113.
  • a configuration of the CMP units 103 and 113 a general configuration which performs a chemical polishing process can be adopted as a configuration of the CMP units 103 and 113.
  • the periphery removing device 24 removes the periphery of the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W.
  • the periphery removing device 24 has a chuck 120 for holding the superposed wafer T (the processing target wafer W).
  • the chuck 120 is supported by the chuck table 121, and is configured to be movable on the transport path 122 extending in the Y-axis direction.
  • the chuck 120 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
  • the peripheral edge removal device 24 has a peripheral edge removal portion 123 which is disposed above the chuck 120 and removes the peripheral edge portion of the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W held by the chuck 120.
  • the peripheral edge removing portion 123 has a grinding wheel 124 as a removing member, a support wheel 125 as a supporting member, a spindle 126, and a driving portion 127.
  • the grinding wheel 124 and the support wheel 125 are supported on a spindle flange 126 a of a spindle 126, and the spindle 126 is provided with a drive part 127.
  • the drive unit 127 incorporates, for example, a motor (not shown), and moves and rotates the grinding wheel 124 and the support wheel 125 in the horizontal direction and the vertical direction via the spindle 126.
  • the grindstone wheel 124 and the support wheel 125 each have an annular shape (ring shape) in a plan view.
  • the grinding wheel 124 includes abrasive grains, and abuts on the peripheral portion We of the processing target wafer W, and the peripheral portion We is ground and removed.
  • the grinding wheel 124 is moved in the horizontal direction, and the grinding wheel 124 is disposed such that the range in which the grinding wheel 124 abuts the processing target wafer W matches the width of the peripheral edge We.
  • the grinding wheel 124 is disposed so that the end of the grinding wheel 124 is at the 2 mm position.
  • the diamond wheel described in the conventional patent document 1 the amount by which the peripheral portion We can be ground at one time is determined according to the diameter of the diamond wheel.
  • the width of the peripheral portion We to be removed is 2 mm
  • the diamond wheel contacts only the 1.5 mm wafer to be processed two grinding processes are required to remove the peripheral portion We. Become.
  • the grinding wheel 124 of the present embodiment can adjust the position in the horizontal direction, the peripheral edge We having a width of 2 mm can be ground and removed at one time.
  • the peripheral edge We is ground and removed by rotating the grinding wheel 124 and the superposed wafer T (processing target wafer W).
  • the peripheral part We is ground and removed from above by removing the grinding wheel 124 vertically downward.
  • the peripheral edge removal device 24 further includes a thickness measurement unit 128 that measures the thickness of the peripheral edge portion of the superposed wafer T.
  • the target thickness H corresponds to the thickness of the support wafer S because the target thickness H is the thickness at which the peripheral portion We of the processing target wafer W is completely removed.
  • the target thickness H is set to a thickness at which the bonding surface Sj of the support wafer S is slightly ground with a margin.
  • the thickness measurement unit 128 is not limited to the laser displacement meter, and may be, for example, a contact type or a non-contact type.
  • the first cleaning device 25 roughly cleans the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W
  • the second cleaning device 26 finish-cleans the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W. That is, in the first cleaning unit 25 and the second cleaning unit 26, the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W is cleaned in two steps.
  • the first cleaning apparatus 25 has a spin chuck 130 for holding and rotating the superposed wafer T, and a scrub cleaning tool 131 having a brush, for example. Then, the non-bonded surface Wn is cleaned by bringing the scrub cleaning tool 131 into contact with the non-bonded surface Wn of the processing target wafer W while rotating the superposed wafer T held by the spin chuck 130.
  • the second cleaning apparatus 26 has a spin chuck 140 for holding and rotating the superposed wafer T, and a nozzle 141 for supplying a cleaning liquid, for example, pure water, to the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W. Then, while rotating the superposed wafer T held by the spin chuck 140, the cleaning liquid is supplied from the nozzle to the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W. Then, the supplied cleaning liquid diffuses on the non-bonding surface Wn, and the non-bonding surface Wn is cleaned.
  • a cleaning liquid for example, pure water
  • a transfer path 150 extending in the X-axis direction is provided, and a wafer transfer apparatus 151 movable on the transfer path 150 is further provided.
  • the wafer transfer apparatus 151 has two transfer arms 152 and 153.
  • the transfer arms 152 and 153 are each configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, and around the vertical axis by the drive unit 154.
  • the first transfer arm 152 includes four arms held by the pivotable and telescopic articulated arm unit 160 and the arm unit 160 via the support member 161. And a member 162.
  • the holding member 162 has a shape in which the central portion is recessed, and the recessed portion holds the outer surface of the superposed wafer T (support wafer S).
  • the four holding members 162 can sandwich and hold the superposed wafer T (support wafer S).
  • the second transfer arm 153 includes four arms held by the pivotable and retractable articulated arm unit 170 and the arm unit 170 via the support member 171.
  • a member 172, a nozzle 173 for supplying the processing liquid to the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W, and a processing liquid tank 174 for storing the processing liquid are included.
  • the holding member 172 has the same configuration as the support member 161 of the first transfer arm 152, and can hold the superposed wafer T (support wafer S).
  • the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W is supplied with the processing liquid containing the abrasive. Then, when transporting the processing target wafer W after the chemical mechanical polishing process, if the non-bonding surface Wn is dried, the abrasive particles are fixed to the non-bonding surface Wn, and the abrasive particles are removed. It will be very difficult. For this reason, it is preferable to transport the processing target wafer W in a state where the entire surface of the non-bonding surface Wn is covered with the processing liquid.
  • the processing solution can be supplied from the nozzle 173 to the non-bonding surface Wn during transfer of the processing target wafer W, and the entire surface of the non-bonding surface Wn is covered with the processing solution. Can. Then, the treatment liquid supplied to the non-joining surface Wn is collected in the treatment liquid tank 174.
  • a control unit 180 is provided in the substrate processing system 1 described above as shown in FIG.
  • the control unit 180 is, for example, a computer, and includes a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program for controlling processing of the superposed wafer T in the substrate processing system 1.
  • the program storage unit also stores a program for realizing the below-described wafer processing in the substrate processing system 1 by controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transport apparatuses.
  • the program is recorded in a computer readable storage medium H such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical desk (MO), and a memory card. And may be installed in the control unit 180 from the storage medium H.
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example of the main steps of the wafer processing.
  • a cassette C containing a plurality of superposed wafers T is placed on the cassette mounting table 10 of the loading / unloading station 2.
  • the superposed wafer T is accommodated such that the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W faces upward.
  • the superposed wafer T in the cassette C is taken out by the first transfer arm 152 of the wafer transfer device 151 and transferred to the edge removing device 24 of the processing station 3 (dry transfer).
  • the superposed wafer T transferred to the periphery removing device 24 is held by the chuck 120.
  • the grinding wheel 124 and the superposed wafer T are respectively rotated, and the grinding wheel 124 is moved vertically downward.
  • the peripheral portion We is ground and removed (step A1 in FIG. 8).
  • the thickness measurement unit 128 measures the thickness of the peripheral portion of the superposed wafer T. Then, when the measured thickness reaches the target thickness, the peripheral edge removal process is ended. Further, when the peripheral edge removal processing is completed, a signal is sent from the control unit 180 to the wafer transfer device 151, and transfer from the peripheral edge removal device 24 to the processing device 21 is started.
  • the thickness measurement unit 128 measures the thickness of the peripheral portion of the superposed wafer T so that the end point of the peripheral edge removal process can be accurately grasped. Transition to processing can be done smoothly. Specifically, for example, if the first transfer arm 152 of the wafer transfer device 151 is made to stand by in front of the peripheral edge removing device 24 immediately before the peripheral edge removing process ends, the peripheral edge removing process ends simultaneously with the peripheral edge removing process. The unloading of the superposed wafer T from the apparatus 24 can be started.
  • the peripheral edge removal processing is performed.
  • the processing in the processing apparatus 21 can be immediately performed on the finished superposed wafer T. As described above, the transition to the subsequent rough grinding process can be smoothly performed, so that the throughput of the wafer process can be improved.
  • the superposed wafer T is transferred to the processing device 21 by the first transfer arm 152 of the wafer transfer device 151.
  • the superposed wafer T transferred to the processing device 21 is delivered to the alignment unit 50.
  • the superposed wafer T is delivered by the transport unit 40 to the chuck 31 at the first processing position P1. Thereafter, the turntable 30 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the chuck 31 to the second processing position P2. Then, the back surface of the superposed wafer T is roughly ground by the rough grinding unit 70 (Step A2 in FIG. 8).
  • the grinding amount of the rough grinding is set according to the thickness of the polymerized wafer T before thinning and the thickness of the polymerized wafer T required after thinning.
  • the turntable 30 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the chuck 31 to the third processing position P3. Then, the back surface of the superposed wafer T is internally ground by the middle grinding unit 80 (step A3 in FIG. 8).
  • the turntable 30 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the chuck 31 to the fourth processing position P4. Then, the back surface of the superposed wafer T is finish ground by the finish grinding unit 90 (step A4 in FIG. 8). At this time, the superposed wafer T is ground to a thickness after thinning required as a product.
  • the turntable 30 is rotated 90 degrees counterclockwise, or the turntable 30 is rotated 270 degrees clockwise to move the chuck 31 to the first processing position P1.
  • the cleaning unit 60 cleans the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W with the cleaning liquid.
  • the superposed wafer T is transferred by the first transfer arm 152 of the wafer transfer apparatus 151 to the first CMP apparatus 22. Since water is supplied to the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W during the grinding process in the processing apparatus 21, the non-bonding surface Wn is in a wet state. Therefore, the transfer of the superposed wafer T may be performed by the second transfer arm 153.
  • the superposed wafer T transferred to the first CMP apparatus 22 is held by the chuck 100. Then, while the processing liquid is supplied to the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W, the chuck 100 and the polishing pad are respectively rotated in a state where the non-bonding surface Wn is in contact with the polishing pad.
  • the non-bonding surface Wn surface is polished (rough CMP) (step A5 in FIG. 8). Polishing in this step A5 is rough polishing using abrasive grains of large particle size.
  • the superposed wafer T is transferred by the second transfer arm 153 of the wafer transfer apparatus 151 to the second CMP apparatus 23 (wet transfer).
  • the processing solution is supplied from the nozzle 173 to the non-bonding surface Wn during transportation. Cover the entire surface with the treatment solution.
  • step A6 is finish polishing using abrasive grains of small particle size.
  • the superposed wafer T is transferred by the second transfer arm 153 of the wafer transfer device 151 to the first cleaning device 25 (wet transfer). Also in this transfer, wet transfer is performed to avoid that the abrasive grains in the processing liquid adhere to the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W.
  • the superposed wafer T transferred to the first cleaning device 25 is held by the spin chuck 130. Then, the non-bonded surface Wn is cleaned by bringing the scrub cleaning tool 131 into contact with the non-bonded surface Wn of the processing target wafer W while rotating the superposed wafer T held by the spin chuck 130 (step in FIG. 8) A7).
  • the cleaning in step A7 physically removes particles and the like on the non-bonding surface Wn, and is rough cleaning.
  • the superposed wafer T is transferred by the first transfer arm 152 of the wafer transfer device 151 to the second cleaning device 26.
  • the superposed wafer T may be transported by the second transport arm 153, and the cleaning liquid may be supplied from the nozzle 173 to the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W to clean the non-bonding surface Wn.
  • the superposed wafer T transferred to the second cleaning device 26 is held by the spin chuck 140. Then, while rotating the superposed wafer T held by the spin chuck 140, the cleaning liquid is supplied from the nozzle to the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W, and the non-bonding surface Wn is cleaned (Step A8 in FIG. 8). .
  • the cleaning in this step A8 is the final finishing cleaning.
  • the superposed wafer T subjected to all the processes is transferred to the cassette C of the cassette mounting table 10 by the first transfer arm 152 of the wafer transfer device 151.
  • a series of wafer processing in the substrate processing system 1 is completed.
  • the thickness measuring portion 128 measures the thickness of the peripheral portion of the superposed wafer T in step A1 to perform the peripheral edge removing process. It is possible to accurately grasp the endpoint. Therefore, the peripheral portion We of the processing target wafer W can be properly removed. Further, since the end point of the peripheral edge removal processing can be accurately grasped in this way, the transition to the rough grinding processing in the rough grinding unit 70 can be smoothly performed, and the throughput of the wafer processing can be improved. .
  • the grindstone wheel 124 has an annular shape in plan view and is configured to move in the horizontal direction, the peripheral edge portion We of a predetermined width can be removed by one processing. Therefore, the throughput of the edge removal process can be improved.
  • the processing in the cleaning apparatus 26 can be continuously performed on a plurality of superposed wafers T. Therefore, wafer processing can be efficiently performed in one substrate processing system 1, and throughput can be improved.
  • the peripheral edge removing portion 123 includes a first inspection portion 200 which inspects the surface 124a of the grinding wheel 124, and a second inspection portion 201 which inspects the outer surface 124b of the grinding wheel 124.
  • first inspection unit 200 and the second inspection unit 201 for example, laser displacement gauges are used.
  • the first inspection unit 200 and the second inspection unit 201 are not limited to the laser displacement meter, and may be, for example, a contact type or non-contact type.
  • the first inspection unit 200 can detect and inspect the surface state of the surface 124 a. Specifically, it is possible to detect the degree of wear of the surface 124a, abnormal projections and the like. As described above, when the surface 124 a is worn or there is an abnormal projection, the surface 124 a becomes uneven and does not contact the peripheral portion We of the processing target wafer W properly. For this reason, the said peripheral part We can not be removed appropriately.
  • the second inspection unit 201 can also inspect and inspect the wear condition of the outer side surface 124b and the surface condition such as an abnormal protrusion.
  • the second inspection unit 201 can detect and inspect the relative position of the grinding wheel 124 with respect to the support wheel 125.
  • the grinding wheel 124 is attached to the support wheel 125 as preparation for performing the rim removal processing in the rim removing portion 123.
  • the grinding wheel 124 may be eccentric to the support wheel 125. If this eccentricity is present, the rotation axis at the time of rotation of the grinding wheel 124 shifts, and the grinding wheel 124 shifts in the horizontal direction and abuts on the peripheral portion We of the processing target wafer W. For this reason, the said peripheral part We can not be removed appropriately.
  • the grinding wheel 124 needs to be not eccentric to the support wheel 125, and the surface 124a and the outer surface 124b need to be flat. Therefore, the position and surface condition of the grinding wheel 124 are inspected using the first inspection unit 200 and the second inspection unit 201.
  • the dressing board 202 is used to adjust the position or surface state of the grinding wheel 124.
  • the dress board 202 has a circular shape in plan view, and has a step 202a at its peripheral edge.
  • FIG. 11 is a flowchart showing the process of adjusting the grinding wheel 124.
  • the grinding wheel 124 is attached to the support wheel 125 (step B1 in FIG. 11).
  • the position and surface condition of the grinding wheel 124 are inspected using the first inspection unit 200 and the second inspection unit 201 (step B2 in FIG. 11). If the inspection result is good, the feed amount of the grinding wheel 124 to the processing target wafer W is set based on the detected position data of the surface 124 a and the outer side surface 124 b, and the processing target wafer W is set using the grinding wheel 124.
  • a removal process of the peripheral edge portion We is performed (step B3 in FIG. 11).
  • the dressing wheel 202 is adjusted (dressed) by the dress board 202 (step B4 in FIG. 11).
  • step B4 the dressing board 202 and the grinding wheel 124 are rotated while the step 202a of the dressing board 202 is in contact with the surface 124a and the outer side surface 124b.
  • the surface 124 a and the outer side surface 124 b are uneven due to wear or abnormal projections, the surface 124 a and the outer side surface 124 b can be ground and flattened.
  • the grinding wheel 124 is eccentric with respect to the support wheel 125, the eccentric state can be eliminated by grinding the outer side surface 124b.
  • the inspection is performed again using the first inspection unit 200 and the second inspection unit 201 to confirm the quality, and when the inspection result is good, based on the position data of the detected surface 124 a and the outer side surface 124 b, The feed amount of the grinding wheel 124 to the processing wafer W is set.
  • the first inspection unit 200, the second inspection unit 201, and the dress board 202 may be provided inside the peripheral edge removing device 24 or provided in another device outside the substrate processing system 1. May be
  • the rim removal portion 123 may have double grinding wheels 210 and 211.
  • the grindstone wheels 210 and 211 each have an annular shape in plan view, and are provided concentrically.
  • the grinding wheels 210 and 211 are supported by a common support wheel 212.
  • the support wheel 212 also has an annular shape in plan view.
  • the support wheel 212 has a step 212a whose inner side protrudes from the outer side.
  • the grindstone wheels 210 and 211 are attached at different heights by the step 212a. That is, the lower end of the first grinding wheel 210 on the outside is higher than the lower end of the second grinding wheel 211 on the inside.
  • the peripheral edge removal process is repeated using the first grinding wheel 210, the first grinding wheel 210 needs to be worn and replaced.
  • the second grinding wheel 211 is used to perform the peripheral edge removal process. In such a case, it is not necessary to stop the edge removal process for replacing the first grinding wheel 210, and the throughput of wafer processing can be improved.
  • the grindstone wheels 210 and 211 are provided in duplicate, but the number is not limited. For example, if the grinding wheel is provided in triple or more, the throughput of wafer processing can be further improved.
  • the grinding wheel 210, 211 is supported by the common support wheel 212, but may be supported by different support wheels 220, 221 as shown in FIG. In such a case, as shown in FIG. 14, the central portion 126b of the spindle flange 126a may be protruded to make the heights of the support wheels 220 and 221 the same. In any case, the same effect as the above embodiment can be obtained.
  • a grinding wheel 230 may be provided as a grinding member for grinding
  • the grinding wheel 230 has an annular shape in a plan view, and is disposed, for example, inside the first grinding wheel 210.
  • the peripheral edge removal process by the first grinding wheel 210 and the grinding process by the grinding wheel 230 can be continuously performed on one processing target wafer W. Therefore, the throughput of wafer processing can be improved.
  • the first grinding wheel 210 and the grinding wheel 230 are each provided in a single layer, but the number is not limited. For example, if the number of grinding wheels and grinding wheels is tripled or more, the throughput of wafer processing can be further improved.
  • the grinding wheel 230 is disposed inside the first grinding wheel 210, but the inside and the outside may be reversed. Furthermore, although the first grinding wheel 210 and the grinding wheel 230 were supported by the support wheel 212, they may be supported by the divided support wheels 220 and 221, respectively.
  • the double grindstone wheels 210 and 211 are provided in the peripheral edge removal part 123 of the above embodiment, instead of these grindstone wheels 210 and 211, a rough grinding wheel (not shown) and a finish grinding wheel (not shown) ) May be provided in duplicate. In such a case, the rough grinding process by the rough grinding wheel and the finish grinding process by the finish grinding wheel can be continuously performed on one processing target wafer W. Therefore, the throughput of wafer processing can be improved.
  • FIG. 16 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of the substrate processing system 300. As shown in FIG. 16
  • the substrate processing system 300 includes, for example, a carry-in / out station 301 for carrying in / out a cassette C capable of containing a plurality of wafers to be processed W with the outside, and various processing apparatuses for performing predetermined processing on the wafers W to be processed. It has the structure which connected the processing station 302 provided integrally.
  • a cassette mounting table 310 is provided at the loading / unloading station 301.
  • a cassette mounting table 310 is provided at the loading / unloading station 301.
  • a plurality of, for example, four cassettes C can be mounted on the cassette mounting table 310 in a line in the Y-axis direction.
  • a wafer transfer area 320 is provided adjacent to the cassette mounting table 310.
  • a wafer transfer apparatus 322 movable on the transfer path 321 extending in the Y-axis direction is provided.
  • the wafer transfer device 322 has a transfer arm 323 movable in the horizontal direction, vertical direction, around the horizontal axis and around the vertical axis ( ⁇ direction), and by this transfer arm 323, the cassette C on the cassette mounting table 310,
  • the processing target wafer W can be transferred to and from a wafer transfer area 330 of the processing station 3 described later.
  • the processing station 3 has a configuration in which a first cleaning device 331, a second cleaning device 332, a CMP device 333, and a processing device 334 are connected around the wafer transfer area 330.
  • the first cleaning device 331, the second cleaning device 332, the CMP device 333, and the processing device 334 are arranged in the positive direction from the negative X-axis direction on the Y-axis positive direction side and the negative direction of the wafer transfer region 330, respectively. It is arranged.
  • the first cleaning device 331 and the second cleaning device 332 have the same configuration as the first cleaning device 25 and the second cleaning device 26 shown in FIG. 1 of the above embodiment, respectively.
  • the CMP apparatus 333 has a turntable 30, a transport unit 40, an alignment unit 50, a cleaning unit 60, a rough CMP unit 103, and a finishing CMP unit 113.
  • An alignment unit 50 is disposed on the Y-axis negative direction side of the first processing position P1.
  • the rough CMP unit 103 is disposed at the second processing position P2.
  • a finishing CMP unit 113 is disposed at the third processing position P3.
  • the cleaning unit 60 is disposed at the fourth processing position P4.
  • the turntable 30, the transport unit 40, the alignment unit 50, and the cleaning unit 60 are the same as the turntable 30, the transport unit 40, the alignment unit 50, and the cleaning unit 60 in the processing apparatus 21 shown in FIG.
  • the configuration of The rough CMP unit 103 and the finish CMP unit 113 have the same configuration as the rough CMP unit 103 in the first CMP apparatus 22 and the finish CMP 113 in the second CMP apparatus 23 shown in FIG. 1 of the above embodiment, respectively. doing.
  • the processing device 334 has a turntable 30, a transport unit 40, an alignment unit 50, a cleaning unit 60, a rough grinding unit 70, a finish grinding unit 90, and a peripheral edge removing unit 123.
  • the cleaning unit 60 is disposed at the first processing position P1.
  • the alignment unit 50 is disposed on the Y-axis negative direction side of the first processing position P1.
  • a finish grinding unit 90 is disposed at the second processing position P2.
  • a rough grinding unit 70 is disposed at the third processing position P3.
  • the periphery removing unit 123 is disposed at the fourth processing position P4.
  • the turntable 30, the transport unit 40, the alignment unit 50, the cleaning unit 60, the rough grinding unit 70, and the finish grinding unit 90 are respectively the turntable 30 and the transport unit 40 in the processing apparatus 21 shown in FIG. ,
  • the peripheral edge removing unit 123 has the same configuration as the peripheral edge removing portion 123 in the peripheral edge removing device 24 shown in FIG. 1 of the above embodiment.
  • a transfer path 340 extending in the X-axis direction is provided, and a wafer transfer apparatus 151 movable on the transfer path 340 is further provided.
  • the wafer transfer apparatus 151 has the same configuration as the wafer transfer apparatus 151 in the wafer transfer area 20 of the above embodiment.
  • the superposed wafer T in the cassette C on the cassette mounting table 310 is taken out by the wafer transfer device 322, transferred to the first transfer arm 152 of the wafer transfer device 151, and further transferred to the processing device 334.
  • the superposed wafer T transferred to the processing device 334 is delivered to the alignment unit 50, and the horizontal direction of the superposed wafer T is adjusted.
  • the superposed wafer T is delivered by the transport unit 40 to the chuck 31 at the first processing position P1.
  • the turntable 30 is rotated clockwise by 90 degrees to remove the peripheral portion We of the processing target wafer W in the peripheral edge removing unit 123, rough grinding of the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W in the rough grinding unit 70, and finishing
  • the finish grinding of the non-bonding surface Wn in the grinding unit 90 and the cleaning of the non-bonding surface Wn in the cleaning unit 60 are sequentially performed.
  • the overlapped wafer T is transferred to the CMP apparatus 333 by the first transfer arm 152 of the wafer transfer apparatus 151.
  • the superposed wafer T transferred to the CMP apparatus 333 is delivered to the alignment unit 50, and the horizontal direction of the superposed wafer T is adjusted.
  • the superposed wafer T is delivered by the transport unit 40 to the chuck 31 at the first processing position P1.
  • the turntable 30 is rotated clockwise by 90 degrees to rough-polish the non-bonded surface Wn of the processing target wafer W in the rough CMP unit 103, finish-polish of the non-bonded surface Wn in the finishing CMP unit 113, and the cleaning unit 60. Cleaning of the non-bonding surface Wn is sequentially performed.
  • the superposed wafer T is sequentially transferred to the first cleaning device 331 and the second cleaning device 332 by the second transfer arm 153 of the wafer transfer device 151, and rough cleaning of the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W is performed. Finish cleaning is performed.
  • the superposed wafer T subjected to all the processes is transferred from the second transfer arm 153 of the wafer transfer device 151 to the transfer arm 323 of the wafer transfer device 322 and further transferred to the cassette C of the cassette mounting table 310. Ru. Thus, a series of wafer processing in the substrate processing system 300 is completed.
  • the substrate processing system 1 shown in FIG. 1 of the above embodiment may have the processing apparatus 400 shown in FIG.
  • the processing apparatus 400 has a configuration in which the first CMP apparatus 22, the second CMP apparatus 23, and the peripheral edge removal apparatus 24 shown in FIG. 1 of the above embodiment are integrated. That is, the processing apparatus 400 includes the turn table 30, the transport unit 40, the alignment unit 50, the rough CMP unit 103, the finishing CMP unit 113, and the peripheral edge removing unit 123.
  • the cleaning unit 60 is disposed at the first processing position P1. Further, the alignment unit 50 is disposed on the Y-axis negative direction side of the first processing position P1.
  • the peripheral edge removal unit 123 is disposed at the second processing position P2.
  • the rough CMP unit 103 is disposed at the third processing position P3.
  • a finishing CMP unit 113 is disposed at the fourth processing position P4.
  • the substrate processing system 1 first, rough grinding in the rough grinding unit 70, middle grinding in the middle grinding unit 80, and finish grinding in the finish grinding unit 90 are sequentially performed in the processing device 21. Thereafter, in the processing apparatus 400, removal of the peripheral portion We of the processing target wafer W in the peripheral edge removal unit 123, rough polishing of the non-bonding surface Wn of the processing wafer W in the rough CMP unit 103, non-bonding surface Wn in the finishing CMP unit 113 Finish polishing is sequentially performed. Thereafter, rough cleaning of the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W in the first cleaning device 331 and finish cleaning of the non-bonding surface Wn in the second cleaning device 332 are sequentially performed.
  • the substrate processing system 1 300 shown in FIGS. 1 and 16 of the above embodiment may have the processing apparatus 500 shown in FIG.
  • the processing apparatus 500 includes a turntable 30, a transport unit 40, an alignment unit 50, a cleaning unit 60, a peripheral edge removing unit 123, a rough grinding unit 70, and a CMP unit 103.
  • the cleaning unit 60 is disposed at the first processing position P1.
  • the alignment unit 50 is disposed on the Y-axis negative direction side of the first processing position P1.
  • the peripheral edge removal unit 123 is disposed at the second processing position P2.
  • a rough grinding unit 70 is disposed at the third processing position P3.
  • the CMP unit 103 is disposed at the fourth processing position P4.
  • the processing apparatus 500 is a liquid polishing unit that supplies the processing liquid to the non-bonding surface Wn of the processing target wafer W chemical-mechanically polished by the CMP unit 103 as shown in FIG. 21 and further polishes the non-bonding surface Wn. You may further have 501.
  • the liquid polishing unit 501 is disposed above the alignment unit 50.
  • both the peripheral edge removal process and the grinding process may be performed at the second processing position P2.
  • the first grinding wheel 210 and the grinding wheel 230 shown in FIG. 15 of the above embodiment may be used.
  • the substrate processing system 1 shown in FIG. 1 of the above embodiment may be provided with a bonding apparatus 600 for bonding the processing target wafer W and the support wafer S via an adhesive G as shown in FIG.
  • a cassette Ct capable of accommodating a plurality of superposed wafers T
  • a cassette Cw capable of accommodating a plurality of processed wafers W
  • Cs capable of accommodating a plurality of support wafers S on the cassette mounting table 10 of the loading / unloading station 2. Is placed.
  • the above-described steps A1 to A8 are performed after bonding the processing target wafer W and the support wafer S in the bonding apparatus 600 to form the superposed wafer T.
  • the above-described steps A1 to A8 are performed.
  • the throughput of the wafer processing can be improved. Can.
  • the bonding apparatus 600 may be provided in the same manner in the substrate processing system 300 shown in FIG. 16 of the above embodiment.
  • the first cleaning device 25 and the second cleaning device 26 may be stacked and disposed, or the peripheral edge removing device 24, the first cleaning device 25 and the second cleaning device 26 may be provided. You may arrange in lamination. Such stacked arrangement of the peripheral edge removing device and the cleaning device can be applied to the substrate processing system 300 as well.
  • the substrate processing system 1 300 according to the above embodiment can be applied to the processing target wafer W in which the memory is formed, or to the processing target wafer W having the structure of through silicon via (TSV: Through Silicon Via). It can be applied to

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Abstract

被処理基板と支持基板が接合された重合基板において、当該被処理基板の非接合面を薄化する基板処理システムは、被処理基板の周縁部の除去処理を行う周縁除去部と、前記周縁除去部で周縁部が除去された被処理基板の非接合面を研削する研削部と、前記周縁除去部において被処理基板の周縁部を除去中、重合基板の周縁部の厚みを測定する厚み測定部と、前記厚み測定部の測定結果に基づいて、前記周縁除去部における除去処理から前記研削部における研削処理への移行を制御する制御部と、を有する。

Description

基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
（関連出願の相互参照）
　本願は、２０１７年７月１２日に日本国に出願された特願２０１７－１３６０３８号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　本発明は、被処理基板と支持基板が接合された重合基板において、当該被処理基板の非接合面を薄化する基板処理システム、当該基板処理システムを用いた基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
　近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削及び研磨して、ウェハを薄化することが行われている。そして、この薄化されたウェハをそのまま搬送したり、後続の処理を行ったりすると、ウェハに反りや割れが生じるおそれがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板にウェハを貼り付けることが行われている。
　ところで、通常ウェハの周縁部は面取り加工がされているが、上述したようにウェハを研削及び研磨処理を行うと、ウェハの周縁部が鋭く尖った形状になる。そうすると、当該ウェハの周縁部でチッピングが発生し、ウェハが損傷を被るおそれがある。そこで、研削処理前に予めウェハの周縁部を削る、いわゆるエッジトリムが行われている。
　例えば特許文献１には、エッジトリムを行う装置として、ウェハの周端部を研削する端面加工装置が提案されている。端面加工装置は、鉛直軸を中心に回転可能であって、ウェハを固定するテーブルと、水平軸を中心に回転可能であって、水平方向及び鉛直方向に移動可能であるスピンドルと、スピンドルの先端部に取り付けられて、スピンドルの回転により回転可能に構成され、外周部に砥粒が設けられた円板状のダイヤモンドホイールと、を備えている。この端面加工装置では、テーブルとダイヤモンドホイールをそれぞれ回転させながら、スピンドルを水平方向及び鉛直方向に移動させ、ダイヤモンドホイールの外周面をウェハの周端部に当接させて、ウェハの周端部を研削する。この際、スピンドルの鉛直方向の移動を把握することで、ウェハの周縁部の研削深さを推定し、当該研削深さが基準値に到達したかどうかを判定する。そして、基準値に到達していないと判定されると周縁部研削を続行し、一方、基準値に到達したと判定されると周縁部研削を終了する。
日本国特開平９－２１６１５２号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の端面加工装置では、スピンドルの鉛直方向の移動は、例えば公差などの種々の要因により一定ではない場合がある。すなわち、ウェハの周縁部の研削深さの推定に用いられる、理論上のスピンドルの移動量と、実際のスピンドルの移動量が異なる場合がある。かかる場合、研削深さが基準値に到達しているかどうかの判定が正確でなくなり、ウェハの周縁部を所望の厚みに研削できない。したがって、従来のエッジトリムには改善の余地がある。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板が接合された重合基板において、被処理基板の非接合面を薄化するにあたり、被処理基板の周縁部を所定厚みに適切に除去することを目的とする。
　上記課題を解決する本発明の一態様は、被処理基板と支持基板が接合された重合基板において、当該被処理基板の非接合面を薄化する基板処理システムであって、被処理基板の周縁部の除去処理を行う周縁除去部と、前記周縁除去部で周縁部が除去された被処理基板の非接合面を研削する研削部と、前記周縁除去部において被処理基板の周縁部を除去中、重合基板の周縁部の厚みを測定する厚み測定部と、前記厚み測定部の測定結果に基づいて、前記周縁除去部における除去処理から前記研削部における研削処理への移行を制御する制御部と、を有する。
　本発明の一態様によれば、厚み測定部によって重合基板の周縁部の厚みを直接測定しているので、周縁除去部による除去処理において、周縁部の厚みを正確に把握することができる。その結果、当該除去処理を適切に終了させて、被処理基板の周縁部を所定厚みに適切に除去することができる。また、周縁除去部における除去処理のエンドポイント（終端時）を正確に把握することができるので、後続の研削部における研削処理への移行を円滑に行うことができる。したがって、基板処理のスループットを向上させることができる。
　別な観点による本発明の一態様は、被処理基板と支持基板が接合された重合基板において、当該被処理基板の非接合面を薄化する基板処理方法であって、被処理基板の周縁部を除去する周縁除去工程と、前記周縁除去工程で周縁部が除去された被処理基板の非接合面を研削する研削工程と、を有し、前記周縁除去工程において重合基板の周縁部の厚みを測定し、測定結果に基づいて前記周縁除去工程から前記研削工程への移行を制御する。
　別な観点による本発明の一態様は、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体である。
　本発明の一態様によれば、被処理基板と支持基板が接合された重合基板において、被処理基板の非接合面を薄化するにあたり、被処理基板の周縁部を所定厚みに適切に除去することができる。また、周縁除去部における除去処理のエンドポイントを正確に把握することができるので、後続の研削部における研削処理への移行を円滑に行うことができ、基板処理のスループットを向上させることができる。
本実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 重合ウェハの構成の概略を示す説明図である。 加工装置の構成の概略を示す説明図である。 周縁除去部の構成の概略を示す説明図である。 周縁除去部の構成の概略を示す説明図である。 厚み測定部で重合ウェハの厚みを測定する様子を示す説明図である。 ウェハ搬送装置の構成の概略を示す説明図である。 ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。 第１の検査部と第２の検査部で砥石ホイールの位置と表面状態を検査する様子を示す説明図である。 ドレスボードで砥石ホイールの位置と表面状態を調節する様子を示す説明図である。 砥石ホイールの調節処理の工程を示すフローチャートである。 他の実施形態にかかる周縁除去部の構成の概略を示す説明図である。 他の実施形態にかかる周縁除去部の構成の概略を示す説明図である。 他の実施形態にかかる周縁除去部の構成の概略を示す説明図である。 他の実施形態にかかる周縁除去部の構成の概略を示す説明図である。 他の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す説明図である。 他の実施形態にかかるＣＭＰ装置の構成の概略を示す説明図である。 他の実施形態にかかる加工装置の構成の概略を示す説明図である。 他の実施形態にかかる加工装置の構成の概略を示す説明図である。 他の実施形態にかかる加工装置の構成の概略を示す説明図である。 他の実施形態にかかる加工装置の構成の概略を示す説明図である。 他の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す説明図である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜基板処理システム＞
　先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図１は、基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　本実施形態の基板処理システム１では、図２に示すように例えば接着剤Ｇを介して、被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接合された重合ウェハＴを処理し、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを薄化する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合された面を「接合面Ｗｊ」といい、当該接合面Ｗｊと反対側の面を「非接合面Ｗｎ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合された面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊと反対側の面を「非接合面Ｓｎ」という。なお、本実施形態では、被処理ウェハＷと支持ウェハＳは接着剤Ｇを介して接合されているが、接合方法はこれに限定されるものではない。
　被処理ウェハＷは、例えば例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハであって、接合面ＷＪに複数の電子回路（デバイス）が形成されている。
　支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と略同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
　基板処理システム１は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣが搬入出される、搬入出部としての搬入出ステーション２と、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。
　処理ステーション３は、ウェハ搬送領域２０の周囲に、加工装置２１、第１のＣＭＰ装置２２（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）、第２のＣＭＰ装置２３、周縁除去装置２４、洗浄部としての第１の洗浄装置２５、洗浄部としての第２の洗浄装置２６が接続された構成を有している。ウェハ搬送領域２０のＸ軸負方向側には、加工装置２１が配置されている。ウェハ搬送領域２０のＹ軸正方向側には、第１のＣＭＰ装置２２、第２のＣＭＰ装置２３、周縁除去装置２４がＸ軸負方向から正方向に向けて並べて配置されている。ウェハ搬送領域２０のＹ軸負方向側には、第１の洗浄装置２５、第２の洗浄装置２６がＸ軸負方向から正方向に向けて並べて配置されている。
　なお、上述したカセット載置台１０は、ウェハ搬送領域２０のＹ軸負方向において、第２の洗浄装置２６のＸ軸正方向側に配置される。
（加工装置）
　図３に示すように加工装置２１は、ターンテーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、洗浄ユニット６０、研削部としての粗研削ユニット７０、研削部としての中研削ユニット８０、及び研削部としての仕上研削ユニット９０を有している。
　ターンテーブル３０は、回転機構（図示せず）によって回転自在に構成されている。ターンテーブル３０上には、重合ウェハＴを吸着保持する基板保持部としてのチャック３１が４つ設けられている。各チャック３１は、チャックテーブル３２に保持されている。チャック３１及びチャックテーブル３２は、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。
　チャック３１（チャックテーブル３２）は、ターンテーブル３０と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック３１は、ターンテーブル３０が回転することにより、４つの処理位置Ｐ１～Ｐ４に移動可能になっている。
　第１の処理位置Ｐ１はターンテーブル３０のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、洗浄ユニット６０が配置される。なお、第１の処理位置Ｐ１のＹ軸負方向側には、アライメントユニット５０が配置される。第２の処理位置Ｐ２はターンテーブル３０のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット７０が配置される。第３の処理位置Ｐ３はターンテーブル３０のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット８０が配置される。第４の処理位置Ｐ４はターンテーブル３０のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット９０が配置される。
　搬送ユニット４０は、Ｙ軸方向に延伸する搬送路４１上を移動自在に構成されている。搬送ユニット４０は、水平方向、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在の搬送アーム４２を有し、この搬送アーム４２により、アライメントユニット５０と、第１の処理位置Ｐ１におけるチャック３１との間で重合ウェハＴを搬送できる。
　粗研削ユニット７０では被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを粗研削し、中研削ユニット８０では被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを中研削し、仕上研削ユニット９０では被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを仕上研削する。すなわち、加工装置２１では、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを３段階で研削する。
　各研削ユニット７０、８０、９０は、鉛直方向に移動自在且つ回転自在な、研削部材としての研削砥石（図示せず）を有している。研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削ユニット７０、中研削ユニット８０、仕上研削ユニット９０の順に小さい。そして、チャック３１に保持された被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに研削液を供給しながら、チャック３１と研削砥石をそれぞれ回転させることによって被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎ面を研削する。なお、各研削ユニット７０、８０、９０の構成には、研削処理を行う一般的な構成を採用できる。例えば研削部材は研削砥石に限定されず、例えば不織布に砥粒を含有させた部材など他の種類の部材であってもよい。
（ＣＭＰ装置）
　図１に示すように第１のＣＭＰ装置２２では被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを粗研磨し、第２のＣＭＰ装置２３では被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを仕上研磨する。すなわち、第１のＣＭＰ装置２２と第２のＣＭＰ装置２３において、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを２段階で研磨する。
　第１のＣＭＰ装置２２は、重合ウェハＴ（被処理ウェハＷ）を保持するチャック１００を有している。チャック１００は、チャックテーブル１０１に支持され、Ｙ軸方向に延伸する搬送路１０２上を移動自在に構成されている。また、チャック１００は、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。
　さらに第１のＣＭＰ装置２２は、チャック１００の上方に配置され、チャック１００に保持された被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを化学機械研磨する、化学機械研磨部としての粗ＣＭＰ部１０３を有している。
　第２のＣＭＰ装置２３は、第１のＣＭＰ装置２２と同様の構成を有している。すなわち、第２のＣＭＰ装置２３は、チャック１１０、チャックテーブル１１１、搬送路１１２、及び仕上ＣＭＰ部１１３を有している。なお、粗ＣＭＰ１１３部で使用される砥粒の粒度は、仕上ＣＭＰ部１１３で使用される砥粒の粒度より小さい。また、ＣＭＰ部１０３、１１３の構成には、化学研磨処理を行う一般的な構成を採用できる。
（周縁除去装置）
　周縁除去装置２４は、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎの周縁部を除去する。周縁除去装置２４は、重合ウェハＴ（被処理ウェハＷ）を保持するチャック１２０を有している。チャック１２０は、チャックテーブル１２１に支持され、Ｙ軸方向に延伸する搬送路１２２上を移動自在に構成されている。また、チャック１２０は、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。
　さらに周縁除去装置２４は、チャック１２０の上方に配置され、チャック１２０に保持された被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎの周縁部を除去する周縁除去部１２３を有している。図４に示すように周縁除去部１２３は、除去部材としての砥石ホイール１２４、支持部材としての支持ホイール１２５、スピンドル１２６、及び駆動部１２７を有している。
　砥石ホイール１２４と支持ホイール１２５は、スピンドル１２６のスピンドルフランジ１２６ａに支持されており、スピンドル１２６には駆動部１２７が設けられている。駆動部１２７は例えばモータ（図示せず）を内蔵し、スピンドル１２６を介して、砥石ホイール１２４と支持ホイール１２５を水平方向及び鉛直方向に移動させると共に回転させる。
　図５に示すように砥石ホイール１２４と支持ホイール１２５は、それぞれ平面視において円環形状（リング形状）を有している。砥石ホイール１２４は砥粒を含み、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅに当接し、当該周縁部Ｗｅを研削して除去する。
　周縁除去装置２４では、先ず、砥石ホイール１２４を水平方向に移動させて、砥石ホイール１２４が被処理ウェハＷに当接する範囲が周縁部Ｗｅの幅と合致するように砥石ホイール１２４を配置する。例えば周縁部Ｗｅの幅が２ｍｍの場合、砥石ホイール１２４の端部がその２ｍｍの位置にくるように砥石ホイール１２４を配置する。ここで、従来の特許文献１に記載されたダイヤモンドホイールを用いた場合、当該ダイヤモンドホイールの径に応じて１回で周縁部Ｗｅを研削できる量は決まっている。例えば除去される周縁部Ｗｅの幅が２ｍｍであっても、ダイヤモンドホイールが１．５ｍｍしか被処理ウェハＷに当接しない場合、当該周縁部Ｗｅを除去するには２回の研削処理が必要となる。この点、本実施形態の砥石ホイール１２４は水平方向の位置を調節可能であるため、幅が２ｍｍの周縁部Ｗｅを１回で研削して除去することができる。
　そして、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅに砥石ホイール１２４を当接させた状態で、砥石ホイール１２４と重合ウェハＴ（被処理ウェハＷ）をそれぞれ回転させることによって周縁部Ｗｅを研削し除去する。またこの際、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに砥石ホイール１２４を当接させた状態から、当該砥石ホイール１２４を鉛直下方に移動させることで、周縁部Ｗｅを上方から下方に研削し除去する。
　このように周縁除去処理に際しては砥石ホイール１２４を鉛直下方に移動させるため、周縁部Ｗｅが適切に除去されたかどうかを判断するため、すなわち周縁除去処理のエンドポイント（終端時）を正確に把握するためには、重合ウェハＴの厚みを測定すればよい。そこで、周縁除去装置２４は、この重合ウェハＴの周縁部の厚みを測定する厚み測定部１２８をさらに有している。
　厚み測定部１２８には、例えばレーザ変位計が用いられる。図６に示すように重合ウェハＴの周縁部の露出面（被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの露出面）の高さを測定すれば、重合ウェハＴの周縁部の厚みを把握することができる。そして、厚み測定部１２８で測定される周縁部の厚みが目標厚みＨに到達したとき、周縁除去処理を終了する。この目標厚みＨは、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅが完全に除去される厚みなので、支持ウェハＳの厚みに相当する。但し、実際には余裕をもって、目標厚みＨは、支持ウェハＳの接合面Ｓｊが若干研削される厚みに設定される。なお、厚み測定部１２８はレーザ変位計に限定されず、例えば接触式でも非接触式でもよい。
（洗浄装置）
　図１に示すように第１の洗浄装置２５では被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを粗洗浄し、第２の洗浄装置２６では被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを仕上洗浄する。すなわち、第１の洗浄装置２５と第２の洗浄装置２６において、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを２段階で洗浄する。
　第１の洗浄装置２５は、重合ウェハＴを保持して回転させるスピンチャック１３０と、例えばブラシを備えたスクラブ洗浄具１３１とを有している。そして、スピンチャック１３０に保持された重合ウェハＴを回転させながら、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎにスクラブ洗浄具１３１を当接させることで、非接合面Ｗｎが洗浄される。
　第２の洗浄装置２６は、重合ウェハＴを保持して回転させるスピンチャック１４０と、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに洗浄液、例えば純水を供給するノズル１４１とを有している。そして、スピンチャック１４０に保持された重合ウェハＴを回転させながら、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎにノズルから洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は非接合面Ｗｎ上を拡散し、当該非接合面Ｗｎが洗浄される。
（ウェハ搬送装置）
　ウェハ搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路１５０が設けられ、さらに搬送路１５０上を移動自在なウェハ搬送装置１５１が設けられている。図７（ａ）に示すようにウェハ搬送装置１５１は、２つの搬送アーム１５２、１５３を有している。搬送アーム１５２、１５３はそれぞれ、駆動部１５４によって水平方向、鉛直方向及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。
　図７（ａ）及び（ｂ）に示すように第１の搬送アーム１５２は、旋回及び伸縮自在な多関節のアーム部１６０と、支持部材１６１を介してアーム部１６０に保持された４つの保持部材１６２とを有している。保持部材１６２は中央部が窪んだ形状を有しており、その窪み部で重合ウェハＴ（支持ウェハＳ）の外側面を保持する。そして、これら４つの保持部材１６２は、重合ウェハＴ（支持ウェハＳ）を挟み込んで保持することができる。
　図７（ａ）及び（ｃ）に示すように第２の搬送アーム１５３は、旋回及び伸縮自在な多関節のアーム部１７０と、支持部材１７１を介してアーム部１７０に保持された４つの保持部材１７２と、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに処理液を供給するノズル１７３と、処理液を貯留する処理液槽１７４とを有している。保持部材１７２は、第１の搬送アーム１５２の支持部材１６１と同様の構成を有し、重合ウェハＴ（支持ウェハＳ）を保持することができる。
　上述したように第１のＣＭＰ装置２２及び第２のＣＭＰ装置２３では、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎには、砥粒を含んだ処理液が供給される。そして、この化学機械研磨処理後の被処理ウェハＷを搬送する際、非接合面Ｗｎが乾燥してしまうと、砥粒が非接合面Ｗｎに固着してしまい、この砥粒を除去するのが非常に困難になる。このため、被処理ウェハＷの搬送は、非接合面Ｗｎの全面を処理液で覆った状態で搬送するのがよい。そこで、第２の搬送アーム１５３を用いると、被処理ウェハＷの搬送中、ノズル１７３から非接合面Ｗｎに処理液を供給することができ、当該非接合面Ｗｎの全面を処理液で覆うことができる。そして、非接合面Ｗｎに供給された処理液は、処理液槽１７４に回収される。
　なお、以下の説明においては、第１の搬送アーム１５２によって、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが乾燥した状態で重合ウェハＴを搬送することを乾式搬送といい、第２の搬送アーム１５３によって、非接合面Ｗｎの全面を処理液で覆った状態で重合ウェハＴを搬送することを湿式搬送という場合がある。
　以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部１８０が設けられている。制御部１８０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部１８０にインストールされたものであってもよい。
（ウェハ処理）
　次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。図８は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
　先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。カセットＣには、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが上側を向くように重合ウェハＴが収納されている。
　次に、ウェハ搬送装置１５１の第１の搬送アーム１５２によりカセットＣ内の重合ウェハＴが取り出され、処理ステーション３の周縁除去装置２４に搬送される（乾式搬送）。周縁除去装置２４に搬送された重合ウェハＴは、チャック１２０に保持される。そして、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅに砥石ホイール１２４を当接させた状態で、砥石ホイール１２４と重合ウェハＴ（被処理ウェハＷ）をそれぞれ回転させ、さらに砥石ホイール１２４を鉛直下方に移動させることで、周縁部Ｗｅを研削し除去する（図８のステップＡ１）。
　ステップＡ１における周縁除去処理中、厚み測定部１２８によって重合ウェハＴの周縁部の厚みを測定する。そして、測定された厚みが目標厚みに到達したとき、周縁除去処理を終了する。さらに周縁除去処理が終了すると、制御部１８０からウェハ搬送装置１５１に信号が送られ、周縁除去装置２４から加工装置２１への搬送が開始される。
　また、このようにステップＡ１では、厚み測定部１２８によって重合ウェハＴの周縁部の厚みを測定することで周縁除去処理のエンドポイントを正確に把握することができるので、後続のステップＡ２における粗研削処理への移行を円滑に行うことができる。具体的には、例えば周縁除去処理が終了する直前までに、周縁除去装置２４の前でウェハ搬送装置１５１の第１の搬送アーム１５２を待機させておけば、周縁除去処理が終了すると同時に周縁除去装置２４からの重合ウェハＴの搬出を開始することができる。また、例えば周縁除去処理が終了するまでに、加工装置２１の内部にある重合ウェハＴを外部に搬出しておき、加工装置２１で重合ウェハＴを受け取る準備をしておけば、周縁除去処理が終了した重合ウェハＴに対して加工装置２１における処理をすぐに行うことができる。このように後続の粗研削処理への移行を円滑に行うことができるので、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置１５１の第１の搬送アーム１５２により加工装置２１に搬送される。加工装置２１に搬送された重合ウェハＴは、アライメントユニット５０に受け渡される。
　次に、重合ウェハＴは搬送ユニット４０により、第１の処理位置Ｐ１のチャック３１に受け渡される。その後、ターンテーブル３０を反時計回りに９０度回転させ、チャック３１を第２の処理位置Ｐ２に移動させる。そして、粗研削ユニット７０によって、重合ウェハＴの裏面が粗研削される（図８のステップＡ２）。粗研削の研削量は、薄化前の重合ウェハＴの厚みと薄化後に要求される重合ウェハＴの厚みに応じて設定される。
　次に、ターンテーブル３０を反時計回りに９０度回転させ、チャック３１を第３の処理位置Ｐ３に移動させる。そして、中研削ユニット８０によって、重合ウェハＴの裏面が中研削される（図８のステップＡ３）。
　次に、ターンテーブル３０を反時計回りに９０度回転させ、チャック３１を第４の処理位置Ｐ４に移動させる。そして、仕上研削ユニット９０によって、重合ウェハＴの裏面が仕上研削される（図８のステップＡ４）。この際、重合ウェハＴは、製品として要求される薄化後の厚みまで研削される。
　次に、ターンテーブル３０を反時計回りに９０度回転させ、又はターンテーブル３０を時計回りに２７０度回転させて、チャック３１を第１の処理位置Ｐ１に移動させる。そして、洗浄ユニット６０によって、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが洗浄液によって洗浄される。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置１５１の第１の搬送アーム１５２により第１のＣＭＰ装置２２に搬送される。なお、加工装置２１における研削処理中、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎには水が供給されるので、当該非接合面Ｗｎは湿った状態になっている。このため、重合ウェハＴの搬送は第２の搬送アーム１５３で行ってもよい。
　第１のＣＭＰ装置２２に搬送された重合ウェハＴは、チャック１００に保持される。そして、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに処理液を供給しながら、非接合面Ｗｎを研磨パッドに当接させた状態で、チャック１００と研磨パッドをそれぞれ回転させることによって被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎ面が研磨（粗ＣＭＰ）される（図８のステップＡ５）。このステップＡ５での研磨は、大きい粒度の砥粒を用いた粗研磨である。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置１５１の第２の搬送アーム１５３により第２のＣＭＰ装置２３に搬送される（湿式搬送）。この際、処理液中の砥粒が被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに固着するのを回避するため、搬送中、ノズル１７３から非接合面Ｗｎに処理液を供給し、非接合面Ｗｎの全面を処理液で覆う。
　第２のＣＭＰ装置２３では、上述した第１のＣＭＰ装置２２におけるステップＡ５と同様の処理が行われ、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎ面が研磨（仕上ＣＭＰ）される（図８のステップＡ６）。このステップＡ６での研磨は、小さい粒度の砥粒を用いた仕上研磨である。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置１５１の第２の搬送アーム１５３により第１の洗浄装置２５に搬送される（湿式搬送）。この搬送においても、処理液中の砥粒が被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに固着するのを回避するため、湿式搬送が行われる。
　第１の洗浄装置２５に搬送された重合ウェハＴは、スピンチャック１３０に保持される。そして、スピンチャック１３０に保持された重合ウェハＴを回転させながら、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎにスクラブ洗浄具１３１を当接させて、非接合面Ｗｎが洗浄される（図８のステップＡ７）。このステップＡ７における洗浄は、非接合面Ｗｎ上のパーティクルなどを物理的に除去するものであり、粗洗浄である。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置１５１の第１の搬送アーム１５２により第２の洗浄装置２６に搬送される。なお、例えば第２の搬送アーム１５３により重合ウェハＴを搬送し、ノズル１７３から被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに洗浄液を供給して、非接合面Ｗｎを洗浄してもよい。
　第２の洗浄装置２６に搬送された重合ウェハＴは、スピンチャック１４０に保持される。そして、スピンチャック１４０に保持された重合ウェハＴを回転させながら、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎにノズルから洗浄液を供給して、非接合面Ｗｎが洗浄される（図８のステップＡ８）。このステップＡ８における洗浄は、最終的な仕上洗浄である。
　その後、すべての処理が施された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置１５１の第１の搬送アーム１５２によってカセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、基板処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。
　以上の実施形態によれば、周縁除去装置２４が厚み測定部１２８を有しているので、ステップＡ１において厚み測定部１２８で重合ウェハＴの周縁部の厚みを測定することで、周縁除去処理のエンドポイントを正確に把握することができる。したがって、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを適切に除去することができる。また、このように周縁除去処理のエンドポイントを正確に把握することができるので、粗研削ユニット７０における粗研削処理への移行を円滑に行うことができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
　また、砥石ホイール１２４は平面視において円環形状を有しており、水平方向に移動に構成されているため、１回の処理で所定幅の周縁部Ｗｅを除去することができる。したがって、周縁除去処理のスループットを向上させることができる。
　さらに、本実施形態によれば、一の基板処理システム１において、加工装置２１、第１のＣＭＰ装置２２、第２のＣＭＰ装置２３、周縁除去装置２４、第１の洗浄装置２５、第２の洗浄装置２６における処理を、複数の重合ウェハＴに対して連続して行うことができる。したがって、一の基板処理システム１内でウェハ処理を効率よく行い、スループットを向上させることができる。
＜周縁除去部の他の実施形態＞
　次に、周縁除去部１２３の他の実施形態について説明する。
（第１の変形例）
　図９及び図１０に示すように周縁除去部１２３は、砥石ホイール１２４の表面１２４ａを検査する第１の検査部２００と、砥石ホイール１２４の外側面１２４ｂを検査する第２の検査部２０１と、砥石ホイール１２４の位置や表面状態を調節する調節部としてのドレスボード２０２とを有していてもよい。
　第１の検査部２００と第２の検査部２０１にはそれぞれ、例えばレーザ変位計が用いられる。なお、第１の検査部２００と第２の検査部２０１はレーザ変位計に限定されず、例えば接触式でも非接触式でもよい。
　図９に示すように第１の検査部２００は、砥石ホイール１２４の表面１２４ａの高さを測定することで、当該表面１２４ａの表面状態を検出して検査することができる。具体的には、表面１２４ａの摩耗具合や異常突起などを検出することができる。このように表面１２４ａが摩耗したり異常突起が存在していると、表面１２４ａが凹凸形状になり、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅに適切に当接しない。このため、当該周縁部Ｗｅを適切に除去することができない。
　第２の検査部２０１も、第１の検査部２００と同様に、外側面１２４ｂの摩耗具合や異常突起などの表面状態を検出して検査することができる。加えて、第２の検査部２０１は、支持ホイール１２５に対する砥石ホイール１２４の相対位置を検出して検査することができる。周縁除去部１２３での周縁除去処理を行う前準備として、支持ホイール１２５に砥石ホイール１２４を取り付けるが、この際、支持ホイール１２５に対して砥石ホイール１２４が偏心する場合がある。この偏心があると、砥石ホイール１２４が回転する際の回転軸がずれ、砥石ホイール１２４が水平方向にずれて被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅに当接する。このため、当該周縁部Ｗｅを適切に除去することができない。
　以上のように砥石ホイール１２４は支持ホイール１２５に対して偏心していないことが必要であり、また表面１２４ａと外側面１２４ｂは平坦であることが必要となる。そこで、第１の検査部２００と第２の検査部２０１を用いて、砥石ホイール１２４の位置や表面状態を検査する。
　砥石ホイール１２４の位置や表面状態に異常があった場合には、ドレスボード２０２を用いて、砥石ホイール１２４の位置や表面状態を調節する。図１０に示すようにドレスボード２０２は、平面視において円形状を有し、その周縁部に段部２０２ａを有している。
　図１１は、砥石ホイール１２４の調節処理の工程を示すフローチャートである。先ず、砥石ホイール１２４が支持ホイール１２５に取り付けられる（図１１のステップＢ１）。そして、第１の検査部２００と第２の検査部２０１を用いて、砥石ホイール１２４の位置と表面状態を検査する（図１１のステップＢ２）。その検査結果が良好であれば、検知した表面１２４ａと外側面１２４ｂの位置データに基づいて、被処理ウェハＷに対する砥石ホイール１２４の送り量を設定し、当該砥石ホイール１２４を用いて被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅの除去処理を行う（図１１のステップＢ３）。一方、検査結果が不良であれば、ドレスボード２０２による砥石ホイール１２４の調節（ドレッシング）を行う（図１１のステップＢ４）。
　ステップＢ４では、ドレスボード２０２の段部２０２ａを、表面１２４ａと外側面１２４ｂに当接させながら、ドレスボード２０２と砥石ホイール１２４をそれぞれ回転させる。そうすると、表面１２４ａと外側面１２４ｂに摩耗や異常突起による凹凸が形成されていても、当該表面１２４ａと外側面１２４ｂを研削して平坦にすることができる。また、砥石ホイール１２４が支持ホイール１２５に対して偏心していても、外側面１２４ｂを研削することで、偏心状態を解消することができる。第１の検査部２００と第２の検査部２０１を用いて再び検査を行って良否を確認し、検査結果が良好のときは、検知した表面１２４ａと外側面１２４ｂの位置データに基づいて、被処理ウェハＷに対する砥石ホイール１２４の送り量を設定する。
　なお、第１の検査部２００、第２の検査部２０１及びドレスボード２０２は、周縁除去装置２４の内部に設けられていてもよいし、或いは基板処理システム１の外部の別装置に設けられていてもよい。
（第２の変形例）
　図１２に示すように周縁除去部１２３は、２重の砥石ホイール２１０、２１１を有していてもよい。砥石ホイール２１０、２１１は、それぞれ平面視において円環形状を有し、同心円状に設けられている。砥石ホイール２１０、２１１は、共通の支持ホイール２１２に支持されている。支持ホイール２１２も、平面視において円環形状を有している。
　支持ホイール２１２は、内側が外側より突出した段部２１２ａを有している。この段部２１２ａにより、砥石ホイール２１０、２１１は異なる高さに取り付けられている。すなわち、外側にある第１の砥石ホイール２１０の下端部は、内側にある第２の砥石ホイール２１１の下端部より高い。
　例えば第１の砥石ホイール２１０を用いて周縁除去処理を繰り返し行うと、第１の砥石ホイール２１０が摩耗し交換する必要がある。このように第１の砥石ホイール２１０を交換する代わりに、次に第２の砥石ホイール２１１を用いて周縁除去処理を行う。かかる場合、第１の砥石ホイール２１０の交換のために、周縁除去処理を停止させる必要がなく、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
　なお、本実施形態では、砥石ホイール２１０、２１１は２重に設けられていたが、この数は限定されない。例えば砥石ホイールを３重以上に設ければ、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
　また、本実施形態では、砥石ホイール２１０、２１１は共通の支持ホイール２１２に支持されていたが、図１３に示すようにそれぞれ別の支持ホイール２２０、２２１に支持されていてもよい。かかる場合、図１４に示すように、スピンドルフランジ１２６ａの中央部１２６ｂを突出させ、支持ホイール２２０、２２１の高さを同じにしてもよい。いずれの場合でも、上記実施形態と同様の効果を享受できる。
　上記実施形態の周縁除去部１２３では、２重の砥石ホイール２１０、２１１が設けられていたが、図１５に示すように第２の砥石ホイール２１１に代えて、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを研削する、研削部材としての研削ホイール２３０が設けられていてもよい。研削ホイール２３０は、平面視において円環形状を有し、例えば第１の砥石ホイール２１０の内側に配置される。
　かかる場合、第１の砥石ホイール２１０による周縁除去処理と、研削ホイール２３０による研削処理とを一の被処理ウェハＷに対して連続して行うことができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
　なお、本実施形態では、第１の砥石ホイール２１０と研削ホイール２３０はそれぞれ１重に設けられていたが、この数は限定されない。例えば砥石ホイールと研削ホイールの数を３重以上に設ければ、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
　また、図１５に示した例では、研削ホイール２３０は第１の砥石ホイール２１０の内側に配置されていたが、内側と外側を反対にしてもよい。さらに、第１の砥石ホイール２１０と研削ホイール２３０は支持ホイール２１２に支持されていたが、それぞれ分割された支持ホイール２２０、２２１に支持されてもよい。
　上記実施形態の周縁除去部１２３では、２重の砥石ホイール２１０、２１１が設けられていたが、これら砥石ホイール２１０、２１１に代えて、粗研削ホイール（図示せず）と仕上研削ホイール（図示せず）を２重に設けてもよい。かかる場合、粗研削ホイールによる粗研削処理と、仕上研削ホイールによる仕上研削処理とを一の被処理ウェハＷに対して連続して行うことができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
＜基板処理システムの他の実施形態＞
　次に、基板処理システムの他の実施形態について説明する。図１６は、基板処理システム３００の構成の概略を模式的に示す平面図である。
　基板処理システム３００は、例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷを収容可能なカセットＣが搬入出される搬入出ステーション３０１と、被処理ウェハＷに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３０２とを一体に接続した構成を有している。
　搬入出ステーション３０１には、カセット載置台３１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台３１０には、複数、例えば４つのカセットＣをＹ軸方向に一列に載置自在になっている。
　また、搬入出ステーション３０１には、カセット載置台３１０に隣接してウェハ搬送領域３２０が設けられている。ウェハ搬送領域３２０には、Ｙ軸方向に延伸する搬送路３２１上を移動自在なウェハ搬送装置３２２が設けられている。ウェハ搬送装置３２２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在の搬送アーム３２３を有し、この搬送アーム３２３により、カセット載置台３１０上のカセットＣと、後述する処理ステーション３のウェハ搬送領域３３０との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
　処理ステーション３は、ウェハ搬送領域３３０の周囲に、第１の洗浄装置３３１、第２の洗浄装置３３２、ＣＭＰ装置３３３、加工装置３３４が接続された構成を有している。ウェハ搬送領域３３０のＹ軸正方向側及び負方向には、それぞれ第１の洗浄装置３３１、第２の洗浄装置３３２、ＣＭＰ装置３３３、加工装置３３４がＸ軸負方向から正方向に向けて並べて配置されている。
　第１の洗浄装置３３１、第２の洗浄装置３３２は、それぞれ上記実施形態の図１に示した第１の洗浄装置２５、第２の洗浄装置２６と同様の構成を有している。
　図１７に示すようにＣＭＰ装置３３３は、ターンテーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、洗浄ユニット６０、粗ＣＭＰユニット１０３、及び仕上ＣＭＰユニット１１３を有している。第１の処理位置Ｐ１のＹ軸負方向側には、アライメントユニット５０が配置される。第２の処理位置Ｐ２には、粗ＣＭＰユニット１０３が配置される。第３の処理位置Ｐ３には、仕上ＣＭＰユニット１１３が配置される。第４の処理位置Ｐ４には、洗浄ユニット６０が配置される。
　なお、ターンテーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、洗浄ユニット６０は、それぞれ上記実施形態の図１に示した加工装置２１におけるターンテーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、洗浄ユニット６０と同様の構成を有している。また、粗ＣＭＰユニット１０３、仕上ＣＭＰユニット１１３は、それぞれ上記実施形態の図１に示した第１のＣＭＰ装置２２における粗ＣＭＰ部１０３、第２のＣＭＰ装置２３における仕上ＣＭＰ１１３と同様の構成を有している。
　図１８に示すように加工装置３３４は、ターンテーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、洗浄ユニット６０、粗研削ユニット７０、仕上研削ユニット９０、及び周縁除去ユニット１２３を有している。第１の処理位置Ｐ１には、洗浄ユニット６０が配置される。また、第１の処理位置Ｐ１のＹ軸負方向側には、アライメントユニット５０が配置される。第２の処理位置Ｐ２には、仕上研削ユニット９０が配置される。第３の処理位置Ｐ３には、粗研削ユニット７０が配置される。第４の処理位置Ｐ４には、周縁除去ユニット１２３が配置される。
　なお、ターンテーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、洗浄ユニット６０、粗研削ユニット７０、仕上研削ユニット９０は、それぞれ上記実施形態の図１に示した加工装置２１におけるターンテーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、洗浄ユニット６０、粗研削ユニット７０、仕上研削ユニット９０と同様の構成を有している。また、周縁除去ユニット１２３は、上記実施形態の図１に示した周縁除去装置２４における周縁除去部１２３と同様の構成を有している。
　ウェハ搬送領域３３０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路３４０が設けられ、さらに搬送路３４０上を移動自在なウェハ搬送装置１５１が設けられている。なお、ウェハ搬送装置１５１は、上記実施形態のウェハ搬送領域２０におけるウェハ搬送装置１５１と同様の構成を有している。
　以上の基板処理システム３００においても、上記実施形態の基板処理システム１と同様の処理が行われる。
　先ず、ウェハ搬送装置３２２により、カセット載置台３１０上のカセットＣ内の重合ウェハＴが取り出され、ウェハ搬送装置１５１の第１の搬送アーム１５２に受け渡され、さらに加工装置３３４に搬送される。
　加工装置３３４に搬送された重合ウェハＴは、アライメントユニット５０に受け渡され、重合ウェハＴの水平方向の向きが調節される。次に、重合ウェハＴは搬送ユニット４０により、第１の処理位置Ｐ１のチャック３１に受け渡される。その後、ターンテーブル３０を時計回りに９０度ずつ回転させ、周縁除去ユニット１２３における被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅの除去、粗研削ユニット７０における被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎの粗研削、仕上研削ユニット９０における非接合面Ｗｎの仕上研削、洗浄ユニット６０における非接合面Ｗｎの洗浄が順次行われる。
　次に、重合ウェハＴは重合ウェハＴはウェハ搬送装置１５１の第１の搬送アーム１５２によりＣＭＰ装置３３３に搬送される。ＣＭＰ装置３３３に搬送された重合ウェハＴは、アライメントユニット５０に受け渡され、重合ウェハＴの水平方向の向きが調節される。次に、重合ウェハＴは搬送ユニット４０により、第１の処理位置Ｐ１のチャック３１に受け渡される。その後、ターンテーブル３０を時計回りに９０度ずつ回転させ、粗ＣＭＰユニット１０３における被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎの粗研磨、仕上ＣＭＰユニット１１３における非接合面Ｗｎの仕上研磨、洗浄ユニット６０における非接合面Ｗｎの洗浄が順次行われる。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置１５１の第２の搬送アーム１５３により第１の洗浄装置３３１、第２の洗浄装置３３２に順次搬送され、それぞれ被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎの粗洗浄、仕上洗浄が行われる。
　その後、すべての処理が施された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置１５１の第２の搬送アーム１５３からウェハ搬送装置３２２の搬送アーム３２３に受け渡され、さらにカセット載置台３１０のカセットＣに搬送される。こうして、基板処理システム３００における一連のウェハ処理が終了する。
　本実施形態の基板処理システム３００においても、上記実施形態と同様の効果を享受できる。
　上記実施形態の図１に示した基板処理システム１は、図１９に示す加工装置４００を有していてもよい。加工装置４００は、上記実施形態の図１に示した第１のＣＭＰ装置２２、第２のＣＭＰ装置２３、及び周縁除去装置２４を集約した構成を有している。すなわち、加工装置４００は、ターンテーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、粗ＣＭＰユニット１０３、仕上ＣＭＰユニット１１３、及び周縁除去ユニット１２３を有している。第１の処理位置Ｐ１には、洗浄ユニット６０が配置される。また、第１の処理位置Ｐ１のＹ軸負方向側には、アライメントユニット５０が配置される。第２の処理位置Ｐ２には、周縁除去ユニット１２３が配置される。第３の処理位置Ｐ３には、粗ＣＭＰユニット１０３が配置される。第４の処理位置Ｐ４には、仕上ＣＭＰユニット１１３が配置される。
　かかる場合、基板処理システム１では先ず、加工装置２１において、粗研削ユニット７０における粗研削、中研削ユニット８０における中研削、仕上研削ユニット９０における仕上研削が順次行われる。その後、加工装置４００において、周縁除去ユニット１２３における被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅの除去、粗ＣＭＰユニット１０３における被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎの粗研磨、仕上ＣＭＰユニット１１３における非接合面Ｗｎの仕上研磨が順次行われる。その後、第１の洗浄装置３３１における被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎの粗洗浄、第２の洗浄装置３３２における非接合面Ｗｎの仕上洗浄が順次行われる。
　上記実施形態の図１、１６に示した基板処理システム１、３００は、それぞれ図２０に示す加工装置５００を有していてもよい。加工装置５００は、ターンテーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、洗浄ユニット６０、周縁除去ユニット１２３、粗研削ユニット７０、及びＣＭＰユニット１０３を有している。第１の処理位置Ｐ１には、洗浄ユニット６０が配置される。また、第１の処理位置Ｐ１のＹ軸負方向側には、アライメントユニット５０が配置される。第２の処理位置Ｐ２には、周縁除去ユニット１２３が配置される。第３の処理位置Ｐ３には、粗研削ユニット７０が配置される。第４の処理位置Ｐ４には、ＣＭＰユニット１０３が配置される。
　なお、加工装置５００は、図２１に示すようにＣＭＰユニット１０３で化学機械研磨された被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに処理液を供給し、当該非接合面Ｗｎをさらに研磨する液研磨ユニット５０１をさらに有していてもよい。液研磨ユニット５０１は、アライメントユニット５０の上方に配置される。
　また、加工装置５００において、第２の処理位置Ｐ２では、周縁除去処理と研削処理が両方行われるようにしてもよい。かかる場合、例えば上記実施形態の図１５に示した第１の砥石ホイール２１０と研削ホイール２３０を用いてもよい。
　上記実施形態の図１に示した基板処理システム１は、図２２に示すように接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合する接合装置６００が設けられていてもよい。かかる場合、搬入出ステーション２のカセット載置台１０には、複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣｔ、複数の被処理ウェハＷを収容可能なカセットＣｗ、複数の支持ウェハＳを収容可能なＣｓが載置される。
　本実施形態では、接合装置６００において、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合して重合ウェハＴを形成した後、上述したステップＡ１～Ａ８が行われる。かかる場合、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合処理と、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎの薄化処理が一のシステム内で連続して行われるので、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
　なお、上記実施形態の図１６に示した基板処理システム３００においても同様に、接合装置６００を設けてもよい。
　また、基板処理システム１において第１の洗浄装置２５と第２の洗浄装置２６を積層して配置してもよく、あるいは周縁除去装置２４、第１の洗浄装置２５及び第２の洗浄装置２６を積層して配置してもよい。このような周縁除去装置と洗浄装置の積層配置は、基板処理システム３００にも適用できる。
　さらに、上記実施形態の基板処理システム１、３００は、メモリを形成した被処理ウェハＷに対して適用することができ、あるいは貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｖｉａ）の構造を有する被処理ウェハＷに対しても適用することができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
　　１　　　基板処理システム
　　２　　　搬入出ステーション
　　３　　　処理ステーション
　　２１　　加工装置
　　２２　　第１のＣＭＰ装置
　　２３　　第２のＣＭＰ装置
　　２４　　周縁除去装置
　　２５　　第１の洗浄装置
　　２６　　第２の洗浄装置
　　３０　　ターンテーブル
　　３１　　チャック
　　７０　　粗研削ユニット
　　８０　　中研削ユニット
　　９０　　仕上研削ユニット
　　１０３　粗ＣＭＰ部（粗ＣＭＰユニット）
　　１１３　仕上ＣＭＰ部（仕上ＣＭＰユニット）
　　１２３　周縁除去部（周縁除去ユニット）
　　１２４　砥石ホイール
　　１２５　支持ホイール
　　１２８　厚み測定部
　　１５１　ウェハ搬送装置
　　１５２　第１の搬送アーム
　　１５３　第２の搬送アーム
　　１８０　制御部
　　２００　第１の検査部
　　２０１　第２の検査部
　　２０２　ドレスボード
　　２１０、２１１　砥石ホイール
　　２１２、２２０、２２１支持ホイール
　　２３０　研削ホイール
　　３００　基板処理システム
　　３０１　搬入出ステーション
　　３０２　処理ステーション
　　３３１　第１の洗浄装置
　　３３２　第２の洗浄装置
　　３３３　ＣＭＰ装置
　　３３４　加工装置
　　４００　加工装置
　　５００　加工装置
　　５０１　液研磨ユニット
　　６００　接合装置
　　Ｇ　　　接着剤
　　Ｓ　　　支持ウェハ
　　Ｔ　　　重合ウェハ
　　Ｗ　　　被処理ウェハ

Claims (14)

  1. 被処理基板と支持基板が接合された重合基板において、当該被処理基板の非接合面を薄化する基板処理システムであって、
    被処理基板の周縁部の除去処理を行う周縁除去部と、
    前記周縁除去部で周縁部が除去された被処理基板の非接合面を研削する研削部と、
    前記周縁除去部において被処理基板の周縁部を除去中、重合基板の周縁部の厚みを測定する厚み測定部と、
    前記厚み測定部の測定結果に基づいて、前記周縁除去部における除去処理から前記研削部における研削処理への移行を制御する制御部と、を有する。
  2. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記周縁除去部は、被処理基板の周縁部に当接する除去部材を有し、
    前記除去部材は、平面視において円環形状を有する。
  3. 請求項２に記載の基板処理システムにおいて、
    前記除去部材は、平面視において、同心円状に複数設けられている。
  4. 請求項２に記載の基板処理システムにおいて、
    前記研削部は、被処理基板の非接合面に当接する研削部材を有し、
    前記研削部材は、平面視において円環形状を有し、
    前記除去部材と前記研削部材は、同心円状に設けられている。
  5. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記周縁除去部は、
    被処理基板の周縁部に当接する除去部材と、
    前記除去部材を支持する支持部材と、
    少なくとも前記支持部材に対する前記除去部材の相対位置、又は前記除去部材の表面状態を検査する検査部と、を有する。
  6. 請求項５に記載の基板処理システムにおいて、
    前記周縁除去部は、前記検査部の検査結果に基づいて、少なくとも前記除去部材の相対位置又は表面状態を調節する調節部を有する。
  7. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    重合基板を保持する基板保持部を複数備え、回転自在なターンテーブルを有し、
    前記周縁除去部は、前記ターンテーブルにおける第１の基板保持部に保持された被処理基板の周縁部を除去し、
    前記研削部は、前記ターンテーブルにおける第２の基板保持部に保持された被処理基板の非接合面を研削する。
  8. 請求項７に記載の基板処理システムにおいて、
    前記周縁除去部、前記研削部及び前記ターンテーブルを備えた第１の基板処理装置と、
    前記研削部で研削された被処理基板の非接合面を化学機械研磨する化学機械研磨部を備えた第２の基板処理装置と、を有する。
  9. 請求項７に記載の基板処理システムにおいて、
    前記研削部で研削された被処理基板の非接合面を化学機械研磨する化学機械研磨部を有し、
    前記化学機械研磨部は、前記ターンテーブルにおける第３の基板保持部に保持された被処理基板の非接合面を研磨する。
  10. 請求項８に記載の基板処理システムにおいて、
    前記化学機械研磨部で研磨された被処理基板の非接合面に処理液を供給し、当該非接合面を研磨する液研磨部を有する。
  11. 請求項８に記載の基板処理システムにおいて、
    前記化学機械研磨部で非接合面が研磨された被処理基板の非接合面を洗浄する洗浄部と、
    外部との間で重合基板を搬入出する搬入出部と、を有し、
    前記搬入出部から前記周縁除去部までの重合基板の搬送は、被処理基板の非接合面が乾燥した状態で行われ、
    前記化学機械研磨部から前記洗浄部までの重合基板の搬送は、被処理基板の非接合面の全面を処理液で覆った状態で行われる。
  12. 被処理基板と支持基板が接合された重合基板において、当該被処理基板の非接合面を薄化する基板処理方法であって、
    被処理基板の周縁部を除去する周縁除去工程と、
    前記周縁除去工程で周縁部が除去された被処理基板の非接合面を研削する研削工程と、を有し、
    前記周縁除去工程において重合基板の周縁部の厚みを測定し、測定結果に基づいて前記周縁除去工程から前記研削工程への移行を制御する。
  13. 請求項１２に記載の基板処理方法において、
    前記周縁除去工程は、平面視において円環形状を有する周縁除去部を、被処理基板の周縁部に当接させて行う。
  14. 被処理基板と支持基板が接合された重合基板において、当該被処理基板の非接合面を薄化する基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記基板処理方法は、
    被処理基板の周縁部を除去する周縁除去工程と、
    前記周縁除去工程で周縁部が除去された被処理基板の非接合面を研削する研削工程と、を有し、
    前記周縁除去工程において重合基板の周縁部の厚みを測定し、測定結果に基づいて前記周縁除去工程から前記研削工程への移行を制御する。
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