TW201919823A

TW201919823A - 基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦儲存媒體

Info

Publication number: TW201919823A
Application number: TW107123611A
Authority: TW
Inventors: 福岡哲夫
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2017-07-12
Filing date: 2018-07-09
Publication date: 2019-06-01
Also published as: JPWO2019013042A1; WO2019013042A1

Abstract

本發明之目的，係在使由被處理基板與支撐基板接合成之重合基板中的被處理基板之非接合面薄化時，適當地將被處理基板之周緣部去除既定厚度。
依發明之基板處理系統包含：周緣去除部，進行被處理晶圓之周緣部的去除處理；研磨單元，對經被周緣去除部去除過周緣部的被處理晶圓之非接合面進行研磨；厚度測定部，在由周緣去除部去除被處理晶圓之周緣部的期間，測定重合晶圓之周緣部的厚度；控制部，基於厚度測定部之測定結果，控制從周緣去除部中之去除處理轉移至粗研磨單元中之粗研磨處理。

Description

基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦儲存媒體

本發明係關於一種基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦儲存媒體，該基板處理系統用以使由被處理基板與支撐基板接合成之重合基板中的該被處理基板之非接合面薄化，該基板處理方法係使用該基板處理系統。

近年來，在半導體裝置的製程中，對於表面形成有複數電子電路等裝置的半導體晶圓(以下，稱為晶圓)，已有人進行該晶圓之背面的研磨及拋光，使晶圓薄化。接著，若將此薄化之晶圓直接搬運或進行後續處理，則會有在晶圓產生翹曲或裂縫的疑慮。因此，為了補強晶圓，乃有人進行例如將晶圓貼附於支撐基板。

此外，雖然通常晶圓的周緣部會進行去角加工，但若如上述般將晶圓進行研磨及拋光處理，則晶圓的周緣部會成為尖銳的形狀。如此一來，則會有在該晶圓之周緣部產生剝落而使晶圓受到損傷的疑慮。因此，乃於研磨處理前預先切削晶圓的周緣部，進行所謂的邊緣修整。

例如在專利文獻1中，已提案用研磨晶圓之周端部的端面加工裝置，作為進行邊緣修整的裝置。該端面加工裝置包含：工作台，其能以垂直軸為中心旋轉，並將晶圓固定；轉軸，其能以水平軸為中心旋轉，並可在水平方向及垂直方向上移動；及圓板狀的鑽石輪，安裝於轉軸的前端部，可藉由轉軸旋轉而旋轉，並於外周部設有磨粒。該端面加工裝置，係一邊分別使工作台與鑽石輪旋轉，一邊使轉軸在水平方向及垂直方向上移動，而使鑽石輪的外周面抵接於晶圓的周端部，以研磨晶圓的周端部。此時，藉由掌握轉軸在垂直方向上的移動，以推定晶圓之周緣部的研磨深度，並判斷該研磨深度是否達到基準値。若判斷未達到基準値則繼續進行周緣部研磨，另一方面，若判斷已達到基準値則結束周緣部研磨。
[習知技術文獻]
[專利文獻]

專利文獻1：日本特開平9－216152號公報

[發明所欲解決之問題]

然而，專利文獻1中所記載之端面加工裝置，其轉軸在垂直方向上的移動，有時例如因為公差等各種因素並不固定，亦即，有時用於推定晶圓之周緣部的研磨深度之理論上的轉軸移動量，與實際上的轉軸移動量不同。於此情況下，研磨深度是否已達到基準値之判斷並非正確，而無法將晶圓的周緣部研磨至所期望之厚度。因此，習知的邊緣修整尚有改善的空間。

本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的為：在使由被處理基板與支撐基板接合成之重合基板中的該被處理基板之非接合面薄化時，適當地將被處理基板之周緣部去除既定厚度。
[解決問題之技術手段]

解決上述課題之本發明，係「使由被處理基板與支撐基板接合成之重合基板中的該被處理基板之非接合面薄化」的基板處理系統，包含：周緣去除部，進行被處理基板之周緣部的去除處理；研磨部，對以該周緣去除部去除周緣部的被處理基板之非接合面進行研磨；厚度測定部，在該周緣去除部去除被處理基板之周緣部的期間，測定重合基板之周緣部的厚度；及控制部，基於該厚度測定部的測定結果，控制從該周緣去除部中之去除處理至該研磨部中之研磨處理的轉移。

依本發明，由於藉由厚度測定部直接測定重合基板之周緣部的厚度，故可在藉由周緣去除部所進行之去除處理中，正確地掌握周緣部的厚度。其結果，可適當地使該去除處理結束，而適當地將該被處理基板之周緣部去除既定厚度。又，由於可正確地掌握周緣去除部所進行之去除處理的終點(在終端時)，故可順暢地轉移至後續之研磨部所進行之研磨處理。因此，可使基板處理的處理量提高。

在該基板處理系統中，該周緣去除部具有抵接於被處理基板之周緣部的去除構件，該去除構件亦可於俯視觀察具有圓環形狀。

在該基板處理系統中，亦可將複數該去除構件設置為俯視觀察成同心圓狀。

在該基板處理系統中，該研磨部具有抵接於被處理基板之非接合面的研磨構件，該研磨構件具有俯視觀之圓環形狀，亦可將該去除構件與該研磨構件設置為同心圓狀。

在該基板處理系統中，該周緣去除部亦可更包含：去除構件，抵接於被處理基板之周緣部；支撐構件，支撐該去除構件；及檢查部，至少檢查該去除構件相對於該支撐構件的相對位置，或是該去除構件的表面狀態。

在該基板處理系統中，該周緣去除部亦可更包含：調節部，基於該檢查部的檢查結果，至少調節該去除構件的相對位置或是表面狀態。

該基板處理系統，亦可具備複數固持重合基板的基板固持部，並更包含可自由旋轉的轉盤，該周緣去除部，係將固持於該轉盤中之第一基板固持部的被處理基板之周緣部去除，該研磨部，係對固持於該轉盤中之第二基板固持部的被處理基板之非接合面進行研磨。

該基板處理系統亦可更包含：第一基板處理裝置，具備該周緣去除部、該研磨部及該轉盤；及第二基板處理裝置，具備化學機械拋光部，該化學機械拋光部，係對以該研磨部所研磨的被處理基板之非接合面進行化學機械拋光。

該基板處理系統亦可更包含化學機械拋光部，其對以該研磨部所研磨的被處理基板之非接合面進行化學機械拋光，該化學機械拋光部，係對固持於該轉盤之第三基板固持部的被處理基板之非接合面進行拋光。

該基板處理系統亦可更包含液體拋光部，將處理液供給至以該化學機械拋光部所拋光的被處理基板之非接合面，並對該非接合面進行拋光。

該基板處理系統亦可更包含：清洗部，清洗以該化學機械拋光部拋光非接合面的被處理基板之非接合面；及搬入搬出部，在外部與該搬入搬出部之間將重合基板搬入搬出，重合基板從該搬入搬出部到該周緣去除部的搬運，係在被處理基板之非接合面為乾燥的狀態下進行，而重合基板從該化學機械拋光部到該清洗部的搬運，係在以處理液覆蓋被處理基板之非接合面之整面的狀態下進行。

依另一觀點之本發明，係使被處理基板與支撐基板接合成之重合基板中的該被處理基板之非接合面薄化的基板處理方法，其特徵為包含下述步驟：周緣去除步驟，去除被處理基板之周緣部；及研磨步驟，對以該周緣去除步驟去除周緣部的被處理基板之非接合面進行研磨；在該周緣去除步驟中測定重合基板之周緣部的厚度，並基於測定結果控制從該周緣去除步驟至該研磨步驟的轉移。

在該基板處理方法中，該周緣去除步驟亦能「使具有俯視觀之圓環形狀的周緣去除部抵接於被處理基板之周緣部」而進行。

依另一觀點之依本發明，係提供在控制基板處理系統之控制部的電腦上運作的程式，而藉由該基板處理系統執行該基板處理方法。

又依另一觀點之依本發明，係提供儲存該程式之電腦可讀取之儲存媒體。
[對照先前技術之功效]

本發明可在使由被處理基板與支撐基板接合成之重合基板中的被處理基板之非接合面薄化時，適當地將被處理基板之周緣部去除既定厚度。又，由於可正確地掌握周緣去除部所進行之去除處理的終點，故可順暢地進行至後續的研磨部中之研磨處理的轉移，進而可使基板處理的處理量提高。

以下，參照圖式說明本發明之實施態樣。此外，在本說明書以及圖式中，就實質上具有相同功能的元件而言，藉由賦予相同的符號以省略其重複說明。

＜基板處理系統＞
首先，說明本實施態樣之基板處理系統的構成。圖1係示意地顯示基板處理系統1之概略構成的俯視圖。此外，以下為了明確地界定位置關係，而定義互相正交的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將垂直朝上的方向設為Z軸正方向。

在本實施態樣之基板處理系統1中，如圖2所示，處理例如重合晶圓T，其係透過黏接劑G將作為被處理基板的被處理晶圓W與作為支撐基板的支撐晶圓S進行接合，並使被處理晶圓W之非接合面Wn薄化。以下，在被處理晶圓W中，將透過黏接劑G與支撐晶圓S接合的面稱為「接合面Wj」，而與該接合面Wj相反側的面則稱為「非接合面Wn」。同樣地，在支撐晶圓S中，將透過黏接劑G與被處理晶圓W接合的面稱為「接合面Sj」，而與接合面Sj相反側的面則稱為「非接合面Sn」。此外，在本實施態樣中，雖然被處理晶圓W與支撐晶圓S係透過黏接劑G進行接合，但接合方法並不限定於此種方法。

被處理晶圓W，係例如矽晶圓或化合物半導體晶圓等半導體晶圓，並於接合面Wj形成有複數電子電路(裝置)。

支撐晶圓S具有與被處理晶圓W之直徑大致相同的直徑，並支撐該被處理晶圓W的晶圓。此外，在本實施態樣中，雖針對使用晶圓作為支撐基板的情況進行說明，但亦可使用例如玻璃基板等其他基板。

基板處理系統1，係具有搬入搬出站2與處理站3連接為一體的構成，該搬入搬出站2，係作為搬入搬出部，例如將可收納複數重合晶圓T的晶圓匣盒C在外部與該搬入搬出站2之間搬入搬出；該處理站3，係具備對重合晶圓T施加既定處理的各種處理裝置。

在搬入搬出站2設有晶圓匣盒載置台10。在圖示之例子中，晶圓匣盒載置台10係在X軸方向上呈一列地自由載置有複數例如3個的晶圓匣盒C。

處理站3具有下述構成：在晶圓搬運區域20的周圍連接有加工裝置21、第一CMP裝置22(CMP：CHEMICAL MECHANICAL POLISHING，化學機械拋光)、第二CMP裝置23、周緣去除裝置24、作為清洗部的第一清洗裝置25、及作為清洗部的第二清洗裝置26。在晶圓搬運領域20的X軸負方向側配置有加工裝置21。在晶圓搬運區域20之Y軸正方向側，係從X軸負方向朝正方向並列配置有第一CMP裝置22、第二CMP裝置23及周緣去除裝置24。在晶圓搬運區域20之Y軸負方向側，係從X軸負方向朝正方向並列配置有第一清洗裝置25及第二清洗裝置26。

此外，上述晶圓匣盒載置台10，係配置在晶圓搬運區域20之Y軸負方向中，第二清洗裝置26的X軸正方向側。

(加工裝置)
如圖3所示，加工裝置21包含：轉盤30、搬運單元40、對準單元50、清洗單元60、作為研磨部的粗研磨單元70、作為研磨部的中研磨單元80、及作為研磨部的精研磨單元90。

轉盤30可藉由旋轉機構(未圖示)而自由旋轉。在轉盤30上設有4個吸盤31，其作為吸附並固持重合晶圓T的基板固持部。各吸盤31係固持於吸盤工作台32。吸盤31及吸盤工作台32可藉由旋轉機構(未圖示)而旋轉。

吸盤31(吸盤工作台32)係與轉盤30在同一個圓周上，以均等、即每隔90度的方式配置。4個吸盤31可藉由轉盤30旋轉，而移動至4個處理位置P1～P4。

第一處理位置P1係位在轉盤30之X軸正方向側及Y軸負方向側的位置，並配置有清洗單元60。此外，在第一處理位置P1的Y軸負方向側配置有對準單元50。第二處理位置P2係位在轉盤30之X軸正方向側及Y軸正方向側的位置，並配置有粗研磨單元70。第三處理位置P3係位在轉盤30之X軸負方向側及Y軸正方向側的位置，並配置有中研磨單元80。第四處理位置P4係位在轉盤30之X軸負方向側及Y軸負方向側的位置，並配置有精研磨單元90。

搬運單元40係在沿Y軸方向延伸的搬運路41上自由移動。搬運單元40具有搬運臂42，其可在水平方向上、在垂直方向上以及繞著垂直軸(θ方向)自由移動，並藉由此搬運臂42，在對準單元50與第一處理位置P1中的吸盤31之間搬運重合晶圓T。

粗研磨單元70係對被處理晶圓W之非接合面Wn進行粗研磨，中研磨單元80係對被處理晶圓W之非接合面Wn進行中研磨，而精研磨單元90係對被處理晶圓W之非接合面Wn進行精研磨。亦即，在加工裝置21中，將被處理晶圓W之非接合面Wn進行3階段的研磨。

各研磨單元70、80及90係具有作為研磨構件的研磨磨石(未圖示)，其可在垂直方向上自由移動且自由旋轉。研磨磨石的磨粒粒度，係依照粗研磨單元70、中研磨單元80及精研磨單元90的順序變小。接著，一邊將研磨液供給至固持於吸盤31的被處理晶圓W之非接合面Wn，一邊分別使吸盤31與研磨磨石旋轉，藉此對被處理晶圓W之非接合面Wn面進行研磨。此外，各研磨單元70、80及90的構成，可採用一般進行研磨處理的構成。例如研磨構件並不限定於研磨磨石，亦可為例如使不織布含有磨粒的構件等其他種類的構件。

(CMP裝置)
如圖1所示，在第一CMP裝置22中對被處理晶圓W之非接合面Wn進行粗拋光，而在第二CMP裝置23中對被處理晶圓W之非接合面Wn進行精拋光。亦即，在第一CMP裝置22與第二CMP裝置23中，將被處理晶圓W之非接合面Wn進行2階段的拋光。

第一CMP裝置22具有固持重合晶圓T(被處理晶圓W)的吸盤100。吸盤100係被吸盤工作台101所支撐，並在沿Y軸方向延伸的搬運路102上自由移動。又，吸盤100可藉由旋轉機構(未圖示)而旋轉。

再者，第一CMP裝置22具有作為化學機械拋光部的粗CMP部103，其配置於吸盤100的上方，並對固持於吸盤100的被處理晶圓W之非接合面Wn進行化學機械拋光。

第二CMP裝置23具有與第一CMP裝置22相同的構成。亦即，第二CMP裝置23包含：吸盤110、吸盤工作台111、搬運路112及精CMP部113。此外，在粗CMP部103所使用之磨粒粒度係大於在精CMP部113所使用之磨粒粒度。又，CMP部103及113的構成，可採用一般進行化學拋光處理的構成。

(周緣去除裝置)
周緣去除裝置24係將被處理晶圓W之非接合面Wn的周緣部去除。周緣去除裝置24具有固持重合晶圓T(被處理晶圓W)的吸盤120。吸盤120被吸盤工作台121所支撐，並在沿Y軸方向延伸的搬運路122上自由移動。又，吸盤120可藉由旋轉機構(未圖示)而旋轉。

再者，周緣去除裝置24具有周緣去除部123，其配置於吸盤120的上方，並將固持於吸盤120之被處理晶圓W之非接合面Wn的周緣部去除。如圖4所示，周緣去除部123包含：作為去除構件的磨石輪124、作為支撐構件的支撐輪125、轉軸126及驅動部127。

磨石輪124與支撐輪125係被轉軸126的轉軸凸緣126A所支撐，且在轉軸126設有驅動部127。驅動部127內建例如馬達(未圖示)，其透過轉軸126，使磨石輪124與支撐輪125在水平方向及垂直方向上移動並同時旋轉。

如圖5所示，磨石輪124與支撐輪125分別具有俯視觀之圓環形狀(環形狀)。磨石輪124含有磨粒，並抵接於被處理晶圓W的周緣部We，而將該周緣部We研磨並去除。

在周緣去除裝置24中，首先使磨石輪124在水平方向上移動，而以「使磨石輪124抵接於被處理晶圓W之範圍與周緣部We的寬度一致」的方式配置磨石輪124。例如在周緣部We的寬度為2mm的情況下，以磨石輪124之端部位於其2mm之位置的方式配置磨石輪124。此處，在使用習知專利文獻1中所記載之鑽石輪的情況下，會依據該鑽石輪的直徑而決定1次可研磨周緣部We的量。例如欲去除之周緣部We的寬度為2mm，而在鑽石輪只能抵接於被處理晶圓W1.5mm的情況下，必須進行2次的研磨處理以去除該周緣部We。此點，因為本實施態樣之磨石輪124可調節在水平方向上的位置，故能以1次研磨即去除寬度為2mm的周緣部We。

接著，在使磨石輪124抵接於被處理晶圓W之周緣部We的狀態下，分別使磨石輪124與重合晶圓T(被處理晶圓W)旋轉，藉此研磨並去除周緣部We。又此時，因為處於使磨石輪124抵接於被處理晶圓W之非接合面Wn的狀態，故可藉由使該磨石輪124垂直往下方移動，而將周緣部We從上方往下方研磨並去除。

如此，在進行周緣去除處理時，可為了使磨石輪124垂直往下方移動，又為了判斷是否已將周緣部We適當地去除，亦即為了正確地掌握周緣去除處理的終點(在終端時)，而測定重合晶圓T的厚度。因此，周緣去除裝置24更包含測定此重合晶圓T之周緣部厚度的厚度測定部128。

厚度測定部128係使用例如雷射位移計。如圖6所示，若測定重合晶圓T之周緣部露出面(被處理晶圓W或是支撐晶圓S之露出面)的高度，則可掌握重合晶圓T之周緣部的厚度。接著，當以厚度測定部128所測定之周緣部的厚度達到目標厚度H時，周緣去除處理結束。此目標厚度H，因為係將被處理晶圓W之周緣部We完全去除的厚度，故相當於支撐晶圓S的厚度。但是，實際上具有裕度，目標厚度H係設定為稍微研磨到支撐晶圓S之接合面Sj的厚度。此外，厚度測定部128並不限定於雷射位移計，例如亦可為接觸式或非接觸式的位移計。

(清洗裝置)
如圖1所示，在第一清洗裝置25中係對被處理晶圓W之非接合面Wn進行粗清洗，而在第二清洗裝置26中係對被處理晶圓W之非接合面Wn進行精清洗。亦即，在第一清洗裝置25與第二清洗裝置26中，將被處理晶圓W之非接合面Wn進行2階段的清洗。

第一清洗裝置25包含：旋轉夾盤130，其固持重合晶圓T並使其旋轉；及刷擦清洗具131，其具備例如刷子。接著，一邊使固持於旋轉夾盤130的重合晶圓T旋轉，一邊使刷擦清洗具131抵接於被處理晶圓W之非接合面Wn，藉此清洗非接合面Wn。

第二清洗裝置26包含：旋轉夾盤140，其固持重合晶圓T並使其旋轉；及噴嘴141，其將清洗液，例如純水供給至被處理晶圓W之非接合面Wn。接著，一邊使固持於旋轉夾盤140的重合晶圓T旋轉，一邊將清洗液從噴嘴141供給至被處理晶圓W之非接合面Wn。如此一來，供給之清洗液在非接合面Wn上擴散，進而清洗該非接合面Wn。

(晶圓搬運裝置)
在晶圓搬運區域20中，設有沿X軸方向延伸的搬運路150，更在搬運路150上設有自由移動的晶圓搬運裝置151。如圖7(a)所示，晶圓搬運裝置151具有2支搬運臂152、153。搬運臂152、153係分別藉由驅動部154而在水平方向上、在垂直方向上及繞著垂直軸自由移動。

如圖7(a)及(b)所示，第一搬運臂152包含：自由旋轉及伸縮的多關節臂部160；及4個固持構件162，其透過支撐構件161固持於臂部160。固持構件162在中央部分具有凹陷形狀，並以其凹部固持重合晶圓T(支撐晶圓S)的外側面。又，此等4個固持構件162，可將重合晶圓T(支撐晶圓S)夾緊並固持。

如圖7(a)及(c)所示，第二搬運臂153包含：自由旋轉及伸縮的多關節臂部170；4個固持構件172，其透過支撐構件171固持於臂部170；噴嘴173，其將處理液供給至被處理晶圓W之非接合面Wn；及處理液槽174，其儲存處理液。固持構件172，可具有與第一搬運臂152之固持構件162相同的構成，並固持重合晶圓T(支撐晶圓S)。

如上所述，在第一CMP裝置22及第二CMP裝置23中，係在被處理晶圓W之非接合面Wn供給含有磨粒的處理液。接著，若在搬運此化學機械拋光處理後的被處理晶圓W時，非接合面Wn變得乾燥，則磨粒會黏著固定於非接合面Wn，而變得非常難以去除此磨粒。因此，被處理晶圓W的搬運，係在以處理液覆蓋非接合面Wn之整面的狀態下進行搬運為佳。又，若使用第二搬運臂153，則可在被處理晶圓W的搬運中，將處理液從噴嘴173供給至非接合面Wn，而能以處理液覆蓋該非接合面Wn之整面。接著，供給至非接合面Wn的處理液被回收至理液槽174。

此外，在以下的說明中，將重合晶圓T在被處理晶圓W之非接合面Wn為乾燥狀態下，藉由第一搬運臂152進行搬運的方式稱為乾式搬運，而將重合晶圓T在以處理液覆蓋非接合面Wn之整面的狀態下，藉由第二搬運臂153進行搬運的方式稱為濕式搬運。

在以上的基板處理系統1中，如圖1所示，設有控制部180。控制部180例如電腦，其具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部中，儲存有控制基板處理系統1中之重合晶圓T之處理的程式。又，在程式儲存部中，亦儲存有用於「控制上述各種處理裝置或搬運裝置等驅動系統之動作，而使後述之基板處理系統1中之晶圓處理實現」的程式。此外，該程式為記錄於電腦可讀取之儲存媒體H之程式，亦可為從該儲存媒體H安裝於控制部180之程式，該儲存媒體H，例如為電腦可讀取之硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)及記憶卡等。

(晶圓處理)
接著，說明使用如以上構成之基板處理系統1所進行之晶圓處理。圖8係顯示此晶圓處理之主要步驟之例子的流程圖。

首先，將收納複數重合晶圓T的晶圓匣盒C，載置於搬入搬出站2的晶圓匣盒載置台10。在晶圓匣盒C中，係以被處理晶圓W之非接合面Wn朝向上側的方式收納重合晶圓T。

接著，藉由晶圓搬運裝置151之第一搬運臂152將晶圓匣盒C內的重合晶圓T取出，並搬運(乾式搬運)至處理站3的周緣去除裝置24。搬運至周緣去除裝置24的重合晶圓T係固持於吸盤120。接著，在使磨石輪124抵接於被處理晶圓W之周緣部We的狀態下，分別使磨石輪124與重合晶圓T(被處理晶圓W)旋轉，進而使磨石輪124垂直往下方移動，藉此將周緣部We研磨並去除(圖8的步驟A1)。

在步驟A1中之周緣去除處理中，藉由厚度測定部128測定重合晶圓T之周緣部的厚度。接著，當測定之厚度達到目標厚度H時，周緣去除處理結束。再者，當周緣去除處理結束，便從控制部180發送訊號至晶圓搬運裝置151，開始進行從周緣去除裝置24至加工裝置21的搬運。

又，在這般步驟A1中，由於可藉由厚度測定部128測定重合晶圓T之周緣部的厚度，藉此正確地掌握周緣去除處理的終點，故可順暢地進行至後續步驟A2中之粗研磨處理的轉移。具體而言，例如在周緣去除處理即將結束之前，若先使晶圓搬運裝置151的第一搬運臂152在周緣去除裝置24前待命，則可在周緣去除處理結束的同時，開始進行將重合晶圓T從周緣去除裝置24送出。又，例如若在周緣去除處理結束之前，先將位於加工裝置21內部的重合晶圓T送出至外部，在加工裝置21先進行承接重合晶圓T的準備，則可立刻對周緣去除處理結束之重合晶圓T進行加工裝置21中的處理。如此，因為可順暢地進行至後續粗研磨處理的轉移，故可使晶圓處理的處理量提高。

接著，藉由晶圓搬運裝置151之第一搬運臂152將重合晶圓T搬運至加工裝置21。搬運至加工裝置21的重合晶圓T係被傳遞至對準單元50。

接著，藉由搬運單元40將重合晶圓T傳遞至第一處理位置P1的吸盤31。其後，使轉盤30往逆時針方向旋轉90度，而使吸盤31移動至第二處理位置P2。接著，藉由粗研磨單元70，對重合晶圓T的背面進行粗研磨(圖8的步驟A2)。粗研磨的研磨量，係因應薄化前之重合晶圓T的厚度與薄化後所要求之重合晶圓T的厚度進行設定。

接著，使轉盤30往逆時針方向旋轉90度，而使吸盤31移動至第三處理位置P3。接著，藉由中研磨單元80，對重合晶圓T的背面進行中研磨(圖8的步驟A3)。

接著，使轉盤30往逆時針方向旋轉90度，而使吸盤31移動至第四處理位置P4。接著，藉由精研磨單元90，對重合晶圓T的背面進行精研磨(圖8的步驟A4)。此時，將重合晶圓T研磨至作為製品所要求之薄化後的厚度。

接著，使轉盤30往逆時針方向旋轉90度，或是使轉盤30往順時針方向旋轉270度，而使吸盤31移動至第一處理位置P1。接著，藉由清洗單元60，將被處理晶圓W之非接合面Wn藉由清洗液進行清洗。

接著，藉由晶圓搬運裝置151之第一搬運臂152將重合晶圓T搬運至第一CMP裝置22。此外，在加工裝置21中的研磨處理中，由於在被處理晶圓W之非接合面Wn供給水，故該非接合面Wn係處於濕潤的狀態。因此，重合晶圓T的搬運亦能以第二搬運臂153進行。

搬運至第一CMP裝置22的重合晶圓T被固持於吸盤100。接著，一邊將處理液供給至被處理晶圓W之非接合面Wn，一邊在使非接合面Wn抵接於拋光墊的狀態下，分別使吸盤100與拋光墊旋轉，藉此對被處理晶圓W之非接合面Wn面進行拋光(粗CMP)(圖8的步驟A5)。在此步驟A5的拋光係使用粒度較大之磨粒的粗拋光。

接著，藉由晶圓搬運裝置151之第二搬運臂153將重合晶圓T搬運(濕式搬運)至第二CMP裝置23。此時，為了避免處理液中的磨粒黏著固定於被處理晶圓W之非接合面Wn，而在搬運中將處理液從噴嘴173供給至非接合面Wn，並以處理液覆蓋非接合面Wn之整面。

在第二CMP裝置23中，係進行與上述第一CMP裝置22中之步驟A5相同的處理，對被處理晶圓W之非接合面Wn面進行拋光(精CMP)(圖8的步驟A6)。在此步驟A6的拋光，係使用粒度較小之磨粒的精拋光。

接著，藉由晶圓搬運裝置151之第二搬運臂153將重合晶圓T搬運(濕式搬運)至第一清洗裝置25。在此搬運中，亦為了避免處理液中的磨粒黏著固定於被處理晶圓W之非接合面Wn，而進行濕式搬運。

搬運至第一清洗裝置25的重合晶圓T被固持於旋轉夾盤130。接著，一邊使固持於旋轉夾盤130的重合晶圓T旋轉，一邊使刷擦清洗具131抵接於被處理晶圓W之非接合面Wn，以清洗非接合面Wn(圖8的步驟A7)。在此步驟A7中的清洗，係以物理性的方式去除非接合面Wn上的微粒等、即粗清洗。

接著，藉由晶圓搬運裝置151之第一搬運臂152將重合晶圓T搬運至第二清洗裝置26。此外，例如亦可在藉由第二搬運臂153搬運重合晶圓T時，將清洗液從噴嘴173供給至被處理晶圓W之非接合面Wn，以清洗非接合面Wn。

搬運至第二清洗裝置26的重合晶圓T被固持於旋轉夾盤140。接著，一邊使固持於旋轉夾盤140的重合晶圓T旋轉，一邊將清洗液從噴嘴141供給至被處理晶圓W之非接合面Wn，以清洗非接合面Wn(圖8的步驟A8)。在此步驟A8中的清洗為最終的的精清洗。

其後，藉由晶圓搬運裝置151之第一搬運臂152，將完成所有處理之重合晶圓T搬運至晶圓匣盒載置台10的晶圓匣盒C。如此一來，即完成基板處理系統1中之一系列的晶圓處理。

依以上之實施態樣，由於周緣去除裝置24具有厚度測定部128，故可在步驟A1中以厚度測定部128測定重合晶圓T之周緣部的厚度，藉此正確地掌握周緣去除處理的終點。因此，可適當地將被處理晶圓W之周緣部We去除。又，如上所述，由於可正確地掌握周緣去除處理的終點，故可順暢地進行至粗研磨單元70中之粗研磨處理的轉移，而可使晶圓處理的處理量提高。

又，由於磨石輪124具有俯視觀之圓環形狀，並在水平方向上移動，故能以1次處理即去除既定寬度的周緣部We。因此，可使周緣去除處理的處理量提高。

再者，依本實施態樣，在一基板處理系統1中，可對複數重合晶圓T連續進行在下述裝置中的處理：加工裝置21、第一CMP裝置22、第二CMP裝置23、周緣去除裝置24、第一清洗裝置25及第二清洗裝置26。因此，可在一基板處理系統1內效率良好地進行晶圓處理，並使處理量提高。

＜周緣去除部之其他實施態樣＞
接著，說明周緣去除部123之其他實施態樣。

(第一變形例)
如圖9及圖10所示，周緣去除部123亦可包含：第一檢查部200，其檢查磨石輪124的表面124A；第二檢查部201，其檢查磨石輪124的外側面124B；及作為調節部的修整板202，其調節磨石輪124的位置或表面狀態。

在第一檢查部200與第二檢查部201中係分別使用例如雷射位移計。此外，第一檢查部200與第二檢查部201並不限定於雷射位移計，例如亦可為接觸式或非接觸式的位移計。

如圖9所示，第一檢查部200可藉由測定磨石輪124之表面124A的高度，以偵測並檢查該表面124A的表面狀態。具體而言，可偵測表面124A的磨損狀況或異常突起等情形。如此，若表面124A有磨損或存在異常突起，則表面124A會變成不規則形狀，而無法適當地抵接於被處理晶圓W之周緣部We。因此，無法適當地去除該周緣部We。

第二檢查部201亦與第一檢查部200相同，可偵測並檢查外側面124B的磨損狀況或異常突起等表面狀態。除此之外，第二檢查部201可偵測並檢查磨石輪124相對於支撐輪125的相對位置。雖然作為在周緣去除部123進行周緣去除處理前的準備，而將磨石輪124安裝於支撐輪125，但此時，會有磨石輪124相對於支撐輪125偏心的情況，當此偏心發生時，則磨石輪124旋轉時的旋轉軸會偏離，導致磨石輪124在水平方向上偏離而抵接於被處理晶圓W之周緣部We。因此，無法將該周緣部We適當地去除。

如以上所述，必須使磨石輪124相對於支撐輪125不發生偏心，又，表面124A與外側面124B必須為平坦狀態。因此，使用第一檢查部200與第二檢查部201，檢查磨石輪124的位置及表面狀態。

在磨石輪124的位置或表面狀態具有異常的情況下，係使用修整板202調節磨石輪124的位置或表面狀態。如圖10所示，修整板202係具有俯視觀之圓形狀，並在其周緣部具有高低差部202A。

圖11係顯示磨石輪124之調節處理步驟的流程圖。首先，將磨石輪124安裝於支撐輪125(圖11的步驟B1)。接著，使用第一檢查部200與第二檢查部201，檢查磨石輪124的位置與表面狀態(圖11的步驟B2)。若其檢查結果為良好，則基於所偵測到之表面124A與外側面124B的位置資料，設定磨石輪124相對於被處理晶圓W的進給量，進而使用該磨石輪124進行被處理晶圓W之周緣部We的去除處理(圖11的步驟B3)。另一方面，若檢查結果為不良，則藉由修整板202進行磨石輪124的調節(修整)(圖11的步驟B4)。

在步驟B4中，一邊使修整板202的高低差部202A抵接於表面124A與外側面124B，一邊分別使修整板202與磨石輪124旋轉。如此一來，即使在表面124A與外側面124B因為磨損或異常突起而形成不規則形狀，亦可對該表面124A與外側面124B進行研磨使其平坦。又，即使磨石輪124相對於支撐輪125發生偏心，亦可藉由研磨外側面124B，以消除偏心狀態。使用第一檢查部200與第二檢查部201再度進行檢查並確認良劣，當檢查結果為良好時，則基於所偵測到之表面124A與外側面124B的位置資料，設定磨石輪124相對於被處理晶圓W的進給量。

此外，第一檢查部200、第二檢查部201及修整板202亦可設於周緣去除裝置24的內部，或是亦可設於基板處理系統1之外部的其他裝置。

(第二變形例)
如圖12所示，周緣去除部123亦可具有兩個磨石輪210、211。磨石輪210、211分別具有俯視觀之圓環形狀，並設置成同心圓狀。磨石輪210、211係被共同的支撐輪212所支撐。支撐輪212亦具有俯視觀之圓環形狀。

支撐輪212具有內側較外側突出的高低差部212A。藉由此高低差部212A，可將磨石輪210、211安裝在不同的高度。亦即，位於外側之第一磨石輪210的下端部高於位於內側之第二磨石輪211的下端部。

例如若使用第一磨石輪210重複進行周緣去除處理，則第一磨石輪210會磨損而必須進行交換。如此，係接著使用第二磨石輪211進行周緣去除處理，來代替交換第一磨石輪210。在此情況下，不必為了第一磨石輪210的交換，而使周緣去除處理停止，故可使晶圓處理的處理量提高。

此外，在本實施態樣中，雖然將磨石輪210、211設為兩個，但並不限定於此數量。例如若將磨石輪設為三個以上，則可進一步使晶圓處理的處理量提高。

又，在本實施態樣中，雖然磨石輪210、211係被共同的支撐輪212所支撐，但如圖13所示，亦可分別被不同的支撐輪220、221所支撐。在此情況下，如圖14所示，亦可使轉軸凸緣126A的中央部126B突出，而使支撐輪220、221的高度相同。即使在偏離的情況下，亦可享受與上述實施態樣相同的效果。

在上述實施態樣之周緣去除部123中，雖然設有兩個磨石輪210、211，但如圖15所示，亦可設置作為研磨構件的研磨輪230來代替一磨石輪211，該研磨輪230係對被處理晶圓W之非接合面Wn進行研磨。研磨輪230係具有俯視觀之圓環形狀，例如配置於第一磨石輪210的內側。

在此情況下，可對一被處理晶圓W連續進行下述處理：藉由第一磨石輪210的周緣去除處理，以及藉由研磨輪230的研磨處理。因此，可使晶圓處理的處理量提高。

此外，在本實施態樣中，雖然第一磨石輪210與研磨輪230分別設置為一個，但並不限定於此數量。例如若將磨石輪與研磨輪的數量設置為三個以上，可更進一步使晶圓處理的處理量提高。

又，在圖15所示之例子中，雖然研磨輪230係配置於第一磨石輪210的內側，但亦可將內側與外側相反配置。再者，雖然第一磨石輪210與研磨輪230係被支撐輪212所支撐，但亦可分別被分開的支撐輪220、221所支撐。

在上述實施態樣之周緣去除部123中，雖設置有兩個磨石輪210、211，但亦可設置兩個一組的粗研磨輪(未圖示)與精研磨輪(未圖示)代替該等磨石輪210、211。在此情況下，可對一被處理晶圓W連續進行下述處理：藉由粗研磨輪的粗研磨處理及藉由精研磨輪的精研磨處理。因此，可使晶圓處理的處理量提高。

＜基板處理系統之其他實施態樣＞
接著，說明基板處理系統之其他實施態樣。圖16係示意地顯示基板處理系統300之概略構成的俯視圖。

基板處理系統300具有例如與搬入搬出站301及處理站302連接為一體的構成，該搬入搬出站301，係將可收納複數晶圓W的晶圓匣盒C在外部與該搬入搬出站301之間搬入搬出；該處理站302，係具備對晶圓W實施既定處理的各種處理裝置。

在搬入搬出站301設有晶圓匣盒載置台310。在圖示之例子中，晶圓匣盒載置台310係在Y軸方向上呈一列地自由載置複數例如4個晶圓匣盒C。

又，在搬入搬出站301設有與晶圓匣盒載置台310鄰接的晶圓搬運區域320。在晶圓搬運區域320設有晶圓搬運裝置322，其在沿Y軸方向延伸的搬運路321上自由移動。晶圓搬運裝置322具有搬運臂323，其在水平方向上、在垂直方向上、繞著水平軸以及繞著垂直軸(θ方向)自由移動，並可藉由此搬運臂323，在晶圓匣盒載置台310上的晶圓匣盒C與後述之處理站3的晶圓搬運區域330之間搬運晶圓W。

處理站3具有下述構成：在晶圓搬運區域330的周圍連接有第一清洗裝置331、第二清洗裝置332、CMP裝置333、加工裝置334。在晶圓搬運區域330的Y軸正方向側及負方向側，分別從X軸負方向朝向正方向並列配置有第一清洗裝置331、第二清洗裝置332、CMP裝置333及加工裝置334。

第一清洗裝置331及第二清洗裝置332，係分別與上述實施態樣之圖1所示之第一清洗裝置25及第二清洗裝置26具有相同的構成。

如圖17所示，CMP裝置333係包含：轉盤30、搬運單元40、對準單元50、清洗單元60、粗CMP單元103及精CMP單元113。在第一處理位置P1之Y軸負方向側配置有對準單元50。在第二處理位置P2配置有粗CMP單元103。在第三處理位置P3配置有精CMP單元113。在第四處理位置P4配置有清洗單元60。

此外，轉盤30、搬運單元40、對準單元50及清洗單元60，係分別與上述實施態樣之圖1所示之加工裝置21中的轉盤30、搬運單元40、對準單元50及清洗單元60具有相同的構成。又，粗CMP單元103及精CMP單元113，係分別與上述實施態樣之圖1所示之第一CMP裝置22中的粗CMP部103，及第二CMP裝置23中的精CMP113具有相同的構成。

如圖18所示，加工裝置334包含：轉盤30、搬運單元40、對準單元50、清洗單元60、粗研磨單元70、精研磨單元90及周緣去除單元123。在第一處理位置P1配置有清洗單元60。又，在第一處理位置P1之Y軸負方向側配置有對準單元50。在第二處理位置P2配置有精研磨單元90。在第三處理位置P3配置有粗研磨單元70。在第四處理位置P4配置有周緣去除單元123。

此外，轉盤30、搬運單元40、對準單元50、清洗單元60、粗研磨單元70及精研磨單元90，係分別與上述實施態樣之圖1所示之加工裝置21中的轉盤30、搬運單元40、對準單元50、清洗單元60、粗研磨單元70及精研磨單元90具有相同的構成。又，周緣去除單元123，係與上述實施態樣之圖1所示之周緣去除裝置24中的周緣去除部123具有相同的構成。

在晶圓搬運區域330設有沿X軸方向延伸的搬運路340，更在搬運路340上設有自由移動的晶圓搬運裝置151。此外，晶圓搬運裝置151，係與上述實施態樣之晶圓搬運區域20中的晶圓搬運裝置151具有相同的構成。

在以上的基板處理系統300中，亦進行與上述實施態樣之基板處理系統1相同的處理。

首先，藉由晶圓搬運裝置322，將晶圓匣盒載置台310上之晶圓匣盒C內的重合晶圓T取出，並傳遞至晶圓搬運裝置151之第一搬運臂152，再進一步搬運至加工裝置334。

搬運至加工裝置334的重合晶圓T，係傳遞至對準單元50調節重合晶圓T之水平方向的方向。接著，藉由搬運單元40將重合晶圓T傳遞至第一處理位置P1的吸盤31。其後，使轉盤30每次往順時針方向旋轉90度，並依序進行下述處理：在周緣去除單元123中之被處理晶圓Wd之周緣部We的去除、在粗研磨單元70中之被處理晶圓W之非接合面Wn的粗研磨、在精研磨單元90中之非接合面Wn的精研磨、及在清洗單元60中之非接合面Wn的清洗。

接著，藉由晶圓搬運裝置151之第一搬運臂152將重合晶圓T搬運至CMP裝置333。搬運至CMP裝置333的重合晶圓T，係傳遞至對準單元50調節重合晶圓T之水平方向的方向。接著，藉由搬運單元40將重合晶圓T傳遞至第一處理位置P1的吸盤31。其後，使轉盤30每次往逆時針方向旋轉90度，並依序進行下述處理：在粗CMP單元103中之被處理晶圓W之非接合面Wn的粗拋光，在精CMP單元113中之非接合面Wn的精拋光，在清洗單元60中之非接合面Wn的清洗。

接著，藉由晶圓搬運裝置151之第二搬運臂153將重合晶圓T依序搬運至第一清洗裝置331及第二清洗裝置332，並分別進行被處理晶圓W之非接合面Wn的粗清洗及精清洗。

其後，將完成所有處理之重合晶圓T，從晶圓搬運裝置151之第二搬運臂153傳遞至晶圓搬運裝置322之搬運臂323，再進一步搬運至晶圓匣盒載置台310的晶圓匣盒C。如此一來，即完成基板處理系統300中之一系列的晶圓處理。

在本實施態樣之基板處理系統300中，亦享受與上述實施態樣相同的效果。

上述實施態樣之圖1所示之基板處理系統1亦可具有圖19所示之加工裝置400。加工裝置400係整合上述實施態樣之圖1所示之第一CMP裝置22、第二CMP裝置23及周緣去除裝置24。亦即，加工裝置400係包含：轉盤30、搬運單元40、對準單元50、粗CMP單元103、精CMP單元113及周緣去除單元123。在第一處理位置P1配置有清洗單元60。又，在第一處理位置P1之Y軸負方向側配置有對準單元50。在第二處理位置P2配置有周緣去除單元123。在第三處理位置P3配置有粗CMP單元103。在第四處理位置P4配置有精CMP單元113。

在此情況下，基板處理系統1首先在加工裝置21中，依序進行下述處理：在粗研磨單元70中的粗研磨、在中研磨單元80中的中研磨、及在精研磨單元90中的精研磨。其後，在加工裝置400中，依序進行下述處理：在周緣去除單元123中之被處理晶圓W之周緣部We的去除、在粗CMP單元103中之被處理晶圓W之非接合面Wn的粗拋光、及在精CMP單元113中之非接合面Wn的精拋光。其後，依序進行在第一清洗裝置331中之被處理晶圓W之非接合面Wn的粗清洗，及在第二清洗裝置332中之非接合面Wn的精清洗。

上述實施態樣之圖1、16所示之基板處理系統1、300亦可分別具有圖20所示之加工裝置500。加工裝置500係包含：轉盤30、搬運單元40、對準單元50、清洗單元60、周緣去除單元123、粗研磨單元70及粗CMP單元103。在第一處理位置P1配置有清洗單元60。又，在第一處理位置P1之Y軸負方向側配置有對準單元50。在第二處理位置P2配置有周緣去除單元123。在第三處理位置P3配置有粗研磨單元70。在第四處理位置P4配置有粗CMP單元103。

此外，如圖21所示，加工裝置500亦可更包含液體拋光單元501，其將處理液供給至以粗CMP單元103所進行化學機械拋光之被處理晶圓W之非接合面Wn，再進一步對該非接合面Wn進行拋光。液體拋光單元501係配置於對準單元50的上方。

又，在加工裝置500中，亦可在第二處理位置P2進行周緣去除處理與研磨處理兩種處理。在此情況下，亦可使用例如上述實施態樣之圖15所示之第一磨石輪210與研磨輪230。

上述實施態樣之圖1所示之基板處理系統1，如圖22所示，亦可設有接合裝置600，其透過黏接劑G將被處理晶圓W與支撐晶圓S接合。在此情況下，在搬入搬出站2的晶圓匣盒載置台10載置有下述晶圓匣盒：可收納複數重合晶圓T的晶圓匣盒Ct、可收納複數被處理晶圓W的晶圓匣盒Cw、及可收納複數支撐晶圓S的晶圓匣盒Cs。

本實施態樣，係在接合裝置600中，將被處理晶圓W與支撐晶圓S接合而形成重合晶圓T後，再進行上述步驟A1～A8。在此情況下，因為可在一系統內連續進行被處理晶圓W與支撐晶圓S的接合處理、及被處理晶圓W之非接合面Wn的薄化處理，故可使晶圓處理的處理量提高。

此外，在上述實施態樣之圖16所示之基板處理系統300中，亦可同樣地設有接合裝置600。

又，在基板處理系統1中，亦可將第一清洗裝置25與第二清洗裝置26堆疊配置，或是亦可將周緣去除裝置24、第一清洗裝置25及第二清洗裝置26堆疊配置。如這般的周緣去除裝置與清洗裝置的堆疊配置，亦可適用於基板處理系統300。

再者，上述實施態樣之基板處理系統1、300，係可應用於形成有記憶體之被處理晶圓W，或是亦可應用於具有矽穿孔(TSV：THROUGH SILICON VIA)構造之被處理晶圓W。

以上，雖說明本發明之實施態樣，但本發明並不限定於此例。應瞭解到：只要是所屬技術領域中具通常知識者，在申請專利範圍所記載之技術思想的範疇內，可輕易想到之各種變形例或是修正例，該等當然亦屬於本發明之技術範圍。

1、300‧‧‧基板處理系統

2、301‧‧‧搬入搬出站

3、302‧‧‧處理站

10、310‧‧‧晶圓匣盒載置台

20、320、330‧‧‧晶圓搬運區域

21、334、400、500‧‧‧加工裝置

22‧‧‧第一CMP裝置

23‧‧‧第二CMP裝置

24‧‧‧周緣去除裝置

25‧‧‧第一清洗裝置

26‧‧‧第二清洗裝置

30‧‧‧轉盤

31、100、110、120‧‧‧吸盤

32、101、111、121‧‧‧吸盤工作台

40‧‧‧搬運單元

41、102、112、122、150、321、340‧‧‧搬運路

42、323‧‧‧搬運臂

50‧‧‧對準單元

60‧‧‧清洗單元

70‧‧‧粗研磨單元

80‧‧‧中研磨單元

90‧‧‧精研磨單元

103‧‧‧粗CMP部(粗CMP單元)

113‧‧‧精CMP部(精CMP單元)

123‧‧‧周緣去除部(周緣去除單元)

124、210、211‧‧‧磨石輪

124A‧‧‧表面

124B‧‧‧外側面

125、212、220、221‧‧‧支撐輪

126‧‧‧轉軸

126A‧‧‧轉軸凸緣

126B‧‧‧中央部

127、154‧‧‧驅動部

128‧‧‧厚度測定部

130、140‧‧‧旋轉夾盤

131‧‧‧刷擦清洗具

141、173‧‧‧噴嘴

151、322‧‧‧晶圓搬運裝置

152‧‧‧第一搬運臂

153‧‧‧第二搬運臂

160、170‧‧‧臂部

161、171‧‧‧支撐構件

162、172‧‧‧固持構件

174‧‧‧處理液槽

180‧‧‧控制部

200‧‧‧第一檢查部

201‧‧‧第二檢查部

202‧‧‧修整板

202A、212A‧‧‧高低差部

230‧‧‧研磨輪

331‧‧‧第一清洗裝置

332‧‧‧第二清洗裝置

333‧‧‧CMP裝置

501‧‧‧液體拋光單元

600‧‧‧接合裝置

A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8、B1、B2、B3、B4‧‧‧步驟

C、Ct、Cw、Cs‧‧‧晶圓匣盒

G‧‧‧黏接劑

H‧‧‧目標厚度

P1、P2、P3、P4‧‧‧處理位置

S‧‧‧支撐晶圓

Sj、Wj‧‧‧接合面

Sn、Wn‧‧‧非接合面

T‧‧‧重合晶圓

W‧‧‧被處理晶圓

圖1係示意地顯示依本實施態樣之基板處理系統之概略構成的俯視圖。

圖2係顯示重合晶圓之概略構成的說明圖。

圖3係顯示加工裝置之概略構成的說明圖。

圖4係顯示周緣去除部之概略構成的說明圖。

圖5(a)~(c)係顯示周緣去除部之概略構成的說明圖。

圖6係顯示在厚度測定部測定重合晶圓之厚度之態樣的說明圖。

圖7(a)~(c)係顯示晶圓搬運裝置之概略構成的說明圖。

圖8係顯示晶圓處理之主要步驟的流程圖。

圖9係顯示第一檢查部與第二檢查部檢查磨石輪之位置與表面狀態之態樣的說明圖。

圖10(a)、(b)係顯示以修整板調節磨石輪之位置與表面狀態之態樣的說明圖。

圖11係顯示磨石輪之調節處理步驟的流程圖。

圖12(a)、(b)係顯示依其他實施態樣之周緣去除部之概略構成的說明圖。

圖13(a)、(b)係顯示依其他實施態樣之周緣去除部之概略構成的說明圖。

圖14係顯示依其他實施態樣之周緣去除部之概略構成的說明圖。

圖15係顯示依其他實施態樣之周緣去除部之概略構成的說明圖。

圖16係顯示依其他實施態樣之基板處理系統之概略構成的說明圖。

圖17係顯示依其他實施態樣之CMP裝置之概略構成的說明圖。

圖18係顯示依其他實施態樣之加工裝置之概略構成的說明圖。

圖19係顯示依其他實施態樣之加工裝置之概略構成的說明圖。

圖20係顯示依其他實施態樣之加工裝置之概略構成的說明圖。

圖21係顯示依其他實施態樣之加工裝置之概略構成的說明圖。

圖22係顯示依其他實施態樣之基板處理系統之概略構成的說明圖。

Claims

一種基板處理系統，用以使被處理基板與支撐基板接合而成之重合基板中的該被處理基板之非接合面薄化，包含：周緣去除部，進行被處理基板之周緣部的去除處理；研磨部，對於以該周緣去除部將周緣部去除之被處理基板之非接合面進行研磨；厚度測定部，在該周緣去除部去除被處理基板之周緣部的期間，測定重合基板之周緣部的厚度；及控制部，基於該厚度測定部的測定結果，控制從在該周緣去除部之去除處理轉移成在該研磨部之研磨處理。
如請求項第1項所述之基板處理系統，其中，該周緣去除部，具有抵接於被處理基板之周緣部的去除構件；該去除構件，於俯視觀察下具有圓環形狀。
如請求項第2項所述之基板處理系統，其中，該去除構件，於俯視觀察下係成同心圓狀設有複數個。
如請求項第2或3項所述之基板處理系統，其中，該研磨部，係具有抵接於被處理基板之非接合面的研磨構件；該研磨構件，於俯視觀察下具有圓環形狀；該去除構件與該研磨構件，係設置成同心圓狀。
如請求項第1至3項中任一項所述之基板處理系統，其中，該周緣去除部更包含：去除構件，抵接於被處理基板之周緣部；支撐構件，支撐該去除構件；及檢查部，至少檢查該去除構件相對於該支撐構件的相對位置，或是該去除構件的表面狀態。
如請求項第5項所述之基板處理系統，其中，該周緣去除部更包含調節部，其基於該檢查部之檢查結果，至少調節該去除構件的相對位置或是表面狀態。
如請求項第1至3項中任一項所述之基板處理系統，其包含用來固持重合基板的複數之基板固持部，更包含可自由旋轉的轉盤；該周緣去除部，將受該轉盤中之第一基板固持部所固持的被處理基板之周緣部去除；該研磨部，將受該轉盤中之第二基板固持部所固持的被處理基板之非接合面進行研磨。
如請求項第7項所述之基板處理系統，其中，該周緣去除部更包含：第一基板處理裝置，具備該研磨部及該轉盤；及第二基板處理裝置，具備化學機械拋光部，該化學機械拋光部對於經該研磨部研磨過的被處理基板之非接合面進行化學機械拋光。
如請求項第7項所述之基板處理系統，更包含化學機械拋光部，其對於經該研磨部研磨過的被處理基板之非接合面進行化學機械拋光；該化學機械拋光部，對於受該轉盤中之第三基板固持部所固持的被處理基板之非接合面進行拋光。
如請求項第8項所述之基板處理系統，更包含液體拋光部，其將處理液供給至經該化學機械拋光部拋光過的被處理基板之非接合面，並對該非接合面進行拋光。
如請求項第8項所述之基板處理系統，更包含：清洗部，對於以該化學機械拋光部拋光過非接合面之被處理基板的非接合面加以清洗；及搬入搬出部，其將重合基板在外部與該搬入搬出部之間搬入搬出；重合基板從該搬入搬出部到該周緣去除部的搬運，係在被處理基板之非接合面為乾燥的狀態下進行；重合基板從該化學機械拋光部到該清洗部的搬運，係在以處理液覆蓋被處理基板之非接合面之整面的狀態下進行。
一種基板處理方法，用以使被處理基板與支撐基板接合而成之重合基板中的該被處理基板之非接合面薄化，其特徵為包含下述步驟：周緣去除步驟，將被處理基板之周緣部去除；研磨步驟，對以該周緣去除步驟將周緣部去除的被處理基板之非接合面進行研磨；在該周緣去除步驟中測定重合基板之周緣部的厚度，並基於測定結果控制從該周緣去除步驟往該研磨步驟的轉移。
如請求項第12項所述之基板處理方法，其中，該周緣去除步驟，係使具有俯視觀察呈圓環形狀之周緣去除部抵接於被處理基板之周緣部而進行。
一種程式，在控制一基板處理系統之控制部的電腦上運作，俾藉由該基板處理系統執行如請求項第12或13項所述之基板處理方法。
一種電腦可讀取之儲存媒體，儲存有如請求項14所述之程式。