JP5571409B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、出願人は、基板の平坦部を含む外周部を、その元の角度を維持しながら、研磨テープを使用して研磨できるようにした研磨装置を提案している(特許文献5参照)。
このように、支持基板の外周部に面取り部を形成することにより、デバイス基板が支持基板から剥がれてデバイス基板が割れてしまうことを防止することができる。
このように面取り部の仕上げ研磨を行うことで、例えば面取り部にレジストが残って後工程に影響を及ぼすことを防止することができる。
先ず、図1(a)に示すように、シリコン(ベアシリコン)10の表面に、例えば配線膜等の堆積膜12を堆積させたデバイス基板(シリコン基板)14を用意する。この例では、堆積膜(配線膜)12は、シリコン層16と、該シリコン層16の表面に形成したデバイス配線18を覆う酸化膜20と、シリコン層16と酸化膜20の間に形成したチッ化膜(SiN膜)19を有している。
なお、前述の図3及び図4の結果から得られる最適な研磨プロセスは、この実施形態における配線18、シリコン層16、チッ化膜(SiN膜)19及び酸化膜20の各層からなる堆積膜12においても、それらの硬度(特に酸化膜20)がチッ化膜(SiN膜)19に近いので適用できる。
12 堆積膜
14 シリコン基板(デバイス基板)
14a ナイフエッジ
18 デバイス配線
19 チッ化膜(SiN膜)
20 酸化膜
30 研磨装置
32 研磨ヘッド
34 研磨テープ
38 押圧パッド
44 砥粒#2000以下のダイヤモンド粒子テープ
50 研磨装置
52 砥粒#4000〜#20000のダイヤモンド粒子テープ
60 シリコン基板(支持基板)
62 面取り部
Claims (7)
- シリコンの表面に堆積膜を堆積させたデバイス基板を第1回転速度で回転させながら、該デバイス基板の外周部に第1研磨テープを押圧してデバイス基板の外周部に位置する堆積膜を除去し、
デバイス基板を第2回転速度で回転させながら、前記堆積膜を除去することで露出したデバイス基板外周部のシリコンに第2研磨テープを押圧して該シリコンを所定の深さまで研削し、
前記第1回転速度は100〜400rpmで、前記第2回転速度は500rpm以上であり、
前記堆積膜を除去しているときの前記シリコンと前記堆積膜の研磨レートの比率は8以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1研磨テープは、砥粒#2000以下のダイヤモンド粒子テープまたはセリア粒子テープで、前記第2研磨テープは、砥粒#4000〜#20000のダイヤモンド粒子テープであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコンを所定の深さまで研削したデバイス基板の表面に支持基板を貼合せ、
前記デバイス基板が所定の厚さになるまで該デバイス基板の裏面シリコンを削り取った後、
前記貼合せた基板を第3回転速度で回転させながら、前記支持基板の外周部に第3研磨テープを押圧して前記支持基板の外周部に位置するシリコンを所定の深さまで研削して面取り部を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記支持基板の外周部に面取り部を形成した後、前記貼合せた基板を第4回転速度で回転させながら、前記面取り部に第4研磨テープを押圧して該面取り部の仕上げ研磨を行うことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- シリコンの表面に堆積膜を形成したデバイス基板の該表面に支持基板を貼合せ、
前記デバイス基板が所定の厚さになるまで該デバイス基板の裏面シリコンを削り取り、
前記貼合せた基板を第1回転速度で回転させながら、前記デバイス基板の外周部に第1研磨テープを押圧してデバイス基板の外周部に位置する堆積膜を除去し、
前記貼合せた基板を第2回転速度で回転させながら、前記支持基板の外周部に第2研磨テープを押圧し支持基板の外周部に位置するシリコンを所定の深さまで研削して面取り部を形成し、
前記第1回転速度は100〜400rpmで、前記第2回転速度は500rpm以上であり、
前記堆積膜を除去しているときの前記シリコンと前記堆積膜の研磨レートの比率は8以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1研磨テープは、砥粒#2000以下のダイヤモンド粒子テープまたはセリア粒子テープで、前記第2研磨テープは、砥粒#4000〜#20000のダイヤモンド粒子テープであることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記支持基板の外周部に面取り部を形成した後、前記貼合せた基板を第3回転速度で回転させながら、前記面取り部に第3研磨テープを押圧して該面取り部の仕上げ研磨を行うことを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
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