JP7345966B2 - ウェーハの再生方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハに形成された膜を除去してウェーハを再生するウェーハの再生方法に関する。

デバイスチップの製造工程では、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。

デバイスは、ウェーハ上に形成された各種の薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）を含んで構成される。例えば、ウェーハ上に成膜されたＳｉＣ薄膜を用いて、パワーデバイスが形成される。ＳｉＣ薄膜の成膜には、例えば、化学的気相成長法（CVD：Chemical Vapor Deposition）や物理的気相成長法（PVD：Physical Vapor Deposition）によってウェーハ上にＳｉＣ薄膜をエピタキシャル成長させる手法が用いられる。

ウェーハにデバイスを形成する際には、まず、テスト用のウェーハ（テストウェーハ）上に各種の薄膜を試験的に形成し、デバイスの形成に適したプロセスの条件（成膜条件等）を選定する作業が行われる。そして、選定された条件が実際のデバイスの形成プロセスに反映され、デバイスが形成される。なお、一度テストに用いられた使用済みのテストウェーハは破棄され、次の試験では新たなテストウェーハが用いられる。

近年では、コストの削減を図るため、テストウェーハを再生して再利用する技術が提案されている。例えば特許文献１には、サンドブラスト装置を用いたウェーハの再生方法が開示されている。この手法では、ウェーハに研磨材を吹きつけることによって、ウェーハに形成された薄膜を除去する。このように薄膜が除去されたウェーハは、研磨装置を用いた研磨加工によって平坦化された後、再度テストウェーハとして利用される。

特開２００１－２３７２０１号公報

上記のように、ウェーハ上に形成された薄膜をサンドブラストによって除去する場合には、ウェーハの再生工程において、ウェーハに研磨加工を施す研磨装置に加えて、薄膜を除去するためのサンドブラスト装置を別途準備及び稼働する必要がある。そのため、ウェーハの再生に要する工程数とコストが増大する。また、サンドブラストによってウェーハに研磨材が吹き付けられると、ウェーハがダメージを受け（クラックの発生等）、再生後のウェーハの品質が低下する恐れがある。

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、工程数及びコストの増大を抑制しつつ、ウェーハを高品質に再生させることが可能なウェーハの再生方法の提供を目的とする。

本発明の一態様によれば、第１面及び第２面を備え、該第１面側に珪素化合物でなる膜が形成されたウェーハの再生方法であって、研磨装置のチャックテーブルによって、該ウェーハを、該第１面側が露出し該第２面側が該チャックテーブルの保持面と対向するように保持する保持工程と、該ウェーハの該第１面側に酸性研磨液を供給しながら、該ウェーハの該第１面側を該研磨装置に装着された研磨パッドで研磨して、該膜を除去する除去工程と、該ウェーハの該第１面側にアルカリ性研磨液を供給しながら、該膜が除去された該ウェーハの該第１面側を該研磨パッドで研磨する研磨工程と、を備えるウェーハの再生方法が提供される。なお、好ましくは、該ウェーハは、シリコンウェーハである。また、好ましくは、該研磨工程では、該除去工程における該チャックテーブル及び該研磨パッドの回転を継続させた状態で、該酸性研磨液の供給を停止するとともに該アルカリ性研磨液を供給する。

本発明の一態様に係るウェーハの再生方法は、酸性研磨液を供給しながらウェーハの第１面側を研磨パッドで研磨して、ウェーハの第１面側に形成された珪素化合物でなる膜を除去する除去工程と、アルカリ性研磨液を供給しながら珪素化合物でなる膜が除去されたウェーハの第１面側を研磨パッドで研磨する研磨工程とを備える。

上記のウェーハの再生方法を用いると、珪素化合物でなる膜を除去する処理と、ウェーハを平坦化（鏡面化）する処理とを、１台の研磨装置によって連続して実施することができる。これにより、ウェーハの再生に要する工程数及びコストの低減を図ることができる。また、上記のウェーハの再生方法では、珪素化合物でなる膜の除去にサンドブラストを用いる必要がない。そのため、ウェーハに研磨材が吹き付けられることによってウェーハがダメージを受けることを回避でき、再生されたウェーハの品質低下が防止される。

研磨装置を示す斜視図である。 ウェーハを示す斜視図である。 除去工程における研磨装置を示す断面図である。 研磨工程における研磨装置を示す断面図である。

以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。本実施形態では、研磨装置を用いてウェーハの再生を行う。まず、本実施形態に係るウェーハの再生方法に用いることが可能な研磨装置の構成例について説明する。図１は、研磨装置２を示す斜視図である。研磨装置２は、ウェーハに対して研磨加工を施す加工装置である。

研磨装置２は、研磨装置２を構成する各構成要素を支持する基台４を備える。基台４上の前方側には、カセット載置台６ａ，６ｂが設けられている。カセット載置台６ａ，６ｂ上にはそれぞれ、複数のウェーハ１１を収容可能なカセット８ａ，８ｂが載置される。例えば、カセット８ａには研磨加工前のウェーハ１１が収容され、カセット８ｂには研磨加工後のウェーハ１１が収容される。

図２は、ウェーハ１１を示す斜視図である。ウェーハ１１は、例えば円盤状に形成されたシリコンウェーハであり、表面（第１面）１１ａ及び裏面（第２面）１１ｂを備える。なお、ウェーハ１１の形状及び大きさに制限はない。例えばウェーハ１１は、デバイスチップを製造する際に、プロセスの条件の選定に用いられたテスト用のウェーハである。

デバイスチップの製造工程では、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このデバイスは、ウェーハ上に形成された各種の薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）を含んで構成されている。

ウェーハにデバイスを形成する際には、まず、テスト用のウェーハ（テストウェーハ）上に各種の薄膜を試験的に形成し、デバイスの形成に適したプロセスの条件（成膜条件等）を選定する作業が行われる。そして、選定された条件が実際のデバイスの形成プロセスに反映され、デバイスが形成される。

ここで、薄膜が形成された使用済みのテストウェーハから薄膜を除去し、次いでテストウェーハを研磨して平坦化することにより、テストウェーハを再生することができる。そして、再生されたテストウェーハを薄膜形成のテストに再利用することにより、コストの削減を図ることができる。

図２に示すウェーハ１１としては、例えば、上記のようにプロセスの条件を選定するための膜が形成された使用済みのテストウェーハが用いられる。そして、研磨装置２（図１参照）を用いてウェーハ１１に研磨加工を施すことにより、ウェーハ１１の再生が行われる。

なお、ウェーハ１１の表面１１ａ側には、珪素化合物でなる膜（珪素化合物膜）が形成されている（不図示）。この珪素化合物膜は、プロセスの条件を選定する際に試験的に形成された薄膜である。なお、珪素化合物の例としては、珪素と、酸素、窒素又は炭素と、を含む化合物（ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯ_２等）が挙げられる。この珪素化合物膜は、デバイスを構成する絶縁膜や半導体膜等に対応する。なお、珪素化合物膜は、ウェーハ１１の表面１１ａ側の全体に形成されていてもよいし、一部に形成されていてもよい。

また、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、テープ１３が貼付される。このテープ１３は、ウェーハ１１を研磨装置２で研磨する際（図３及び図４参照）にウェーハ１１の裏面１１ｂ側を保護する保護テープである。テープ１３は、例えば、可撓性を有するフィルム状の基材と、基材上に形成された糊層（接着層）とによって構成される。基材には、例えばＰＯ（ポリオレフィン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等が用いられる。また、糊層には、例えばシリコーンゴム、アクリル系材料、エポキシ系材料等が用いられる。

ウェーハ１１は、テープ１３が貼付された状態で、図１に示すカセット８ａに収容される。そして、複数のカセット８ａを収容したカセット８ａが、カセット載置台６ａ上に載置される。

基台４の上面側の、カセット載置台６ａとカセット載置台６ｂとの間に位置する領域には、開口４ａが形成されている。この開口４ａの内部には、ウェーハ１１を搬送する第１搬送機構１０が設けられている。また、開口４ａの前方の領域には、研磨加工の加工条件等を入力するための操作パネル１２が設置されている。

第１搬送機構１０の斜め後方には、ウェーハ１１の位置を調整する位置調整機構１４が設けられている。カセット８ａに収容されたウェーハ１１は、第１搬送機構１０によって位置調整機構１４上に搬送され、位置調整機構１４によってウェーハ１１の位置が調整される。また、位置調整機構１４の近傍には、ウェーハ１１を保持して旋回する第２搬送機構（ローディングアーム）１６が配置されている。

基台４の上面側の、第２搬送機構１６の後方に位置する領域には、平面視で矩形状の開口４ｂが設けられている。この開口４ｂは、長手方向がＸ軸方向（加工送り方向、前後方向）に沿うように形成されている。開口４ｂの内部には、ボールネジ式のＸ軸移動機構１８と、Ｘ軸移動機構１８の一部を覆う防塵防滴カバー２０とが配置されている。また、Ｘ軸移動機構１８は移動テーブル２２を備えており、Ｘ軸移動機構１８によって移動テーブル２２のＸ軸方向における位置が制御される。

移動テーブル２２上には、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）２４が設けられている。チャックテーブル２４の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面２４ａを構成する。なお、図１では特に円盤状のウェーハ１１の保持を想定して保持面２４ａが平面視で円形に形成された例を示すが、保持面２４ａの形状及び大きさは、ウェーハ１１の形状、大きさ等に応じて適宜変更できる。

保持面２４ａは、チャックテーブル２４の内部に形成された吸引路２４ｂ（図３及び図４参照）を介して吸引源（不図示）と接続されている。位置調整機構１４上に配置されたウェーハ１１を第２搬送機構１６によってチャックテーブル２４の保持面２４ａ上に搬送し、吸引源の負圧を保持面２４ａに作用させることにより、ウェーハ１１がチャックテーブル２４によって吸引保持される。

Ｘ軸移動機構１８によって移動テーブル２２を移動させると、チャックテーブル２４は移動テーブル２２とともにＸ軸方向に沿って移動する。また、チャックテーブル２４はモータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、この回転駆動源はチャックテーブル２４をＺ軸方向（鉛直方向、上下方向）に概ね平行な回転軸の周りで回転させる。

基台４の後端には直方体状の支持構造２６が設けられており、支持構造２６の前面側にはＺ軸移動機構２８が設けられている。Ｚ軸移動機構２８は、支持構造２６の前面側にＺ軸方向に沿うように配置された一対のＺ軸ガイドレール３０を備え、一対のＺ軸ガイドレール３０にはＺ軸移動プレート３２がＺ軸方向に沿ってスライド可能な状態で取り付けられている。

Ｚ軸移動プレート３２の後面側（裏面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部にはＺ軸ガイドレール３０と概ね平行に配置されたＺ軸ボールネジ３４が螺合されている。また、Ｚ軸ボールネジ３４の一端部にはＺ軸パルスモータ３６が連結されている。Ｚ軸パルスモータ３６によってＺ軸ボールネジ３４を回転させると、Ｚ軸移動プレート３２がＺ軸ガイドレール３０に沿ってＺ軸方向に移動する。

Ｚ軸移動プレート３２の前面側（表面側）には、前方に突出する支持具３８が設けられている。支持具３８は、ウェーハ１１に研磨加工を施す研磨ユニット（研磨手段）４０を支持している。研磨ユニット４０は、支持具３８に固定される円筒状のハウジング４２を備え、ハウジング４２には回転軸となる円筒状のスピンドル４４が回転可能な状態で収容されている。

スピンドル４４の先端部（下端部）はハウジング４２の外部に露出しており、このスピンドル４４の先端部には円盤状のマウント４６が固定されている。また、マウント４６の下面側には、マウント４６と概ね同径に構成された円盤状の研磨パッド４８が装着される。研磨パッド４８の装着は、例えばボルト５０でマウント４６と研磨パッド４８とを固定することによって行われる。ただし、研磨パッド４８の装着方法に制限はない。

ウェーハ１１を研磨する際は、研磨ユニット４０によって研磨される面（被加工面）が上方に露出するようにウェーハ１１をチャックテーブル２４によって保持する。そして、Ｘ軸移動機構１８によってチャックテーブル２４を移動させ、チャックテーブル２４を研磨パッド４８の下方に位置付ける。

その後、チャックテーブル２４とスピンドル４４とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研磨パッド４８を所定の速度で下降させ、研磨パッド４８をウェーハ１１の被加工面と接触させる。これにより、ウェーハ１１が研磨パッド４８によって研磨される。

研磨ユニット４０の内部には、研磨ユニット４０をＺ軸方向に沿って貫く研磨液供給路５２が形成されている。研磨液供給路５２の一端側（上端側）は、バルブ５４ａを介して第１研磨液供給源（酸性研磨液供給源）５６ａに接続されるとともに、バルブ５４ｂを介して第２研磨液供給源（アルカリ性研磨液供給源）５６ｂに接続されている。

第１研磨液供給源５６ａは、バルブ５４ａを介して研磨液供給路５２に第１研磨液（酸性研磨液）を供給する。また、第２研磨液供給源５６ｂは、バルブ５４ｂを介して研磨液供給路５２に第２研磨液（アルカリ性研磨液）を供給する。後述の通り、酸性研磨液はウェーハ１１上に形成された珪素化合物膜の除去に用いられ、アルカリ性研磨液はウェーハ１１の平坦化処理に用いられる。

なお、酸性研磨液としては、例えば過マンガン酸塩等が溶解した酸性溶液を用いることができる。また、アルカリ性研磨液としては、例えば水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等が溶解したアルカリ溶液を用いることができる。ただし、酸性研磨液の材料はウェーハ１１上に形成された珪素化合物膜の材質等に応じて適宜選択できる。また、アルカリ性研磨液の材料はウェーハ１１の材質等に応じて適宜選択できる。

チャックテーブル２４によって保持されたウェーハ１１を研磨パッド４８によって研磨する際には、酸性研磨液又はアルカリ性研磨液が研磨液供給路５２を介してウェーハ１１及び研磨パッド４８に供給される。なお、研磨液の供給の具体的な態様については後述する（図３及び図４参照）。

第２搬送機構１６と隣接する位置には、ウェーハ１１を保持して旋回する第３搬送機構（アンローディングアーム）５８が配置されている。また、第３搬送機構５８の前方側には、ウェーハ１１を洗浄する洗浄機構（洗浄手段）６０が配置されている。研磨ユニット４０によって研磨されたウェーハ１１は、第３搬送機構５８によって洗浄機構６０に搬送され、洗浄機構６０によって洗浄される。そして、洗浄後のウェーハ１１は、第１搬送機構１０によって搬送されカセット８ｂに収容される。

上記の研磨装置２でウェーハ１１を研磨することにより、ウェーハ１１が再生される。以下、研磨装置２を用いたウェーハ１１の再生方法の具体例を説明する。

まず、チャックテーブル２４によってウェーハ１１を保持する（保持工程）。例えばウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出し、裏面１１ｂ側（テープ１３側）が保持面２４ａと対向するように、チャックテーブル２４上に配置される（図３及び図４参照）。なお、前述の通り、ウェーハ１１の表面１１ａ側には珪素化合物膜が形成されている。この状態で、保持面２４ａに吸引源の負圧を作用させることにより、ウェーハ１１がチャックテーブル２４によって吸引保持される。

次に、ウェーハ１１の表面１１ａ側に酸性研磨液を供給しながら、研磨パッド４８でウェーハ１１の表面１１ａ側を研磨して、珪素化合物膜を除去する（除去工程）。図３は、除去工程における研磨装置２を示す断面図である。

図３に示すように、研磨ユニット４０が備えるマウント４６の下面側には、研磨パッド４８が装着されている。研磨パッド４８は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料や、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等の樹脂でなる、円盤状の基台７０を備える。

基台７０の下面側には、ウェーハ１１を研磨する研磨層７２が固定されている。研磨層７２は、基台７０と概ね同径の円盤状に形成されている。研磨層７２は、例えば接着剤によって基台７０の下面側に貼付されている。また、研磨層７２の下面は、ウェーハ１１の被加工面を研磨する研磨面７２ａを構成する。

研磨層７２は、例えば不織布や発泡ウレタンに砥粒（固定砥粒）を分散させることによって形成される。砥粒としては、例えば粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下程度のシリカ（ＳｉＯ_２）を用いることができる。ただし、研磨層７２の材質、砥粒の粒径及び材質は、ウェーハ１１の材質等に応じて適宜変更できる。

また、研磨ユニット４０の内部には、研磨液供給路５２が形成されている。研磨液供給路５２は、スピンドル４４、マウント４６、基台７０、及び研磨層７２の中心部を貫通する貫通孔によって構成されており、研磨液供給路５２の下端側は研磨層７２の研磨面７２ａの中心部で下方に向かって開口している。研磨液供給路５２には、第１研磨液供給源５６ａからバルブ５４ａを介して酸性研磨液が供給されるとともに、第２研磨液供給源５６ｂからバルブ５４ｂを介してアルカリ性研磨液が供給される。

除去工程では、まず、ウェーハ１１を保持したチャックテーブル２４を移動させ、研磨パッド４８の下方にウェーハ１１を配置する。そして、チャックテーブル２４とスピンドル４４をそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、Ｚ軸移動機構２８（図１参照）によって研磨ユニット４０を所定の速度で下降させる。これにより、研磨層７２の研磨面７２ａが、Ｚ軸方向と概ね平行な回転軸の周りを回転しながらウェーハ１１の表面１１ａ側に押し当てられる。

また、除去工程では、バルブ５４ａを開くとともにバルブ５４ｂを閉じて、第１研磨液供給源から研磨液供給路５２に酸性研磨液を供給する。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側に酸性研磨液が供給されながら、ウェーハ１１の表面１１ａ側が研磨層７２の研磨面７２ａによって研磨される。その結果、ウェーハ１１の表面１１ａ側に形成された珪素化合物膜が除去される。

酸性研磨液を用いたウェーハ１１の研磨は、ウェーハ１１の表面１１ａ側に形成された珪素化合物膜の除去が完了するまで継続される。そして、珪素化合物膜の除去が完了すると、バルブ５４ａが閉じ、ウェーハ１１への酸性研磨液の供給が停止される。例えば、予め珪素化合物膜の除去に必要な研磨時間が算出され、ウェーハ１１の研磨開始後、該研磨時間が経過したときに、酸性研磨液の供給が停止される。

次に、ウェーハ１１の表面１１ａ側にアルカリ性研磨液を供給しながら、研磨パッド４８でウェーハ１１の表面１１ａ側を研磨する（研磨工程）。図４は、研磨工程における研磨装置２を示す断面図である。

研磨工程では、除去工程におけるチャックテーブル２４及び研磨パッド４８の回転を継続させた状態で、バルブ５４ａを閉じるとともにバルブ５４ｂを開く。これにより、第１研磨液供給源５６ａから研磨液供給路５２への酸性研磨液の供給が停止されるとともに、第２研磨液供給源５６ｂから研磨液供給路５２にアルカリ性研磨液が供給される。そして、珪素化合物膜が除去されたウェーハ１１の表面１１ａ側にアルカリ性研磨液が供給されながら、ウェーハ１１の表面１１ａ側が研磨層７２の研磨面７２ａによって研磨される。

研磨工程を実施すると、ウェーハ１１が薄化されるとともに、ウェーハ１１の表面１１ａ側が平坦化（鏡面化）される。これにより、ウェーハ１１が再生され、ウェーハ１１の表面１１ａ側に再度珪素化合物膜等を形成してプロセスの条件の選定等を行うことが可能となる。

上記の通り、除去工程から研磨工程への移行は、ウェーハ１１に供給される研磨液を、酸性研磨液からアルカリ性研磨液に切り替えることによって行われる。このとき、ウェーハ１１にいずれの研磨液も供給されない期間が生じることを防ぐため、一時的に酸性研磨液とアルカリ性研磨液の両方がウェーハ１１に供給されてもよい。この場合、バルブ５４ａが開きバルブ５４ｂが閉じた状態、バルブ５４ａ，５４ｂの両方が開いた状態、バルブ５４ａが閉じてバルブ５４ｂが開いた状態が、順に切り替わる。

その後、洗浄機構６０（図１参照）によってウェーハ１１の洗浄が行われる。除去工程及び研磨工程の実施後、ウェーハ１１には、研磨加工によって発生した屑（加工屑）や研磨液等が付着していることがある。そのため、洗浄工程ではウェーハが洗浄液（純水等）で洗浄される。これにより、ウェーハ１１に付着した加工屑や研磨液が洗い流される。

以上の通り、本実施形態に係るウェーハの再生方法は、酸性研磨液を供給しながらウェーハ１１の表面１１ａ側を研磨パッド４８で研磨して、ウェーハ１１の表面１１ａ側に形成された珪素化合物膜を除去する除去工程と、アルカリ性研磨液を供給しながら珪素化合物膜が除去されたウェーハ１１の表面１１ａ側を研磨パッド４８で研磨する研磨工程とを備える。

上記のウェーハの再生方法を用いると、珪素化合物膜を除去する処理と、ウェーハ１１の表面１１ａを平坦化（鏡面化）する処理とを、１台の研磨装置２によって連続して実施することができる。これにより、ウェーハ１１の再生に要する工程数及びコストの低減を図ることができる。また、上記のウェーハの再生方法では、珪素化合物膜の除去にサンドブラストを用いる必要がない。そのため、ウェーハ１１に研磨材が吹き付けられることによってウェーハ１１がダメージを受けることを回避でき、再生されたウェーハ１１の品質低下が防止される。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ ウェーハ
１１ａ 表面（第１面）
１１ｂ 裏面（第２面）
１３ テープ
２ 研磨装置
４ 基台
４ａ，４ｂ 開口
６ａ，６ｂ カセット載置台
８ａ，８ｂ カセット
１０ 第１搬送機構
１２ 操作パネル
１４ 位置調整機構
１６ 第２搬送機構（ローディングアーム）
１８ Ｘ軸移動機構
２０ 防塵防滴カバー
２２ 移動テーブル
２４ チャックテーブル（保持テーブル）
２４ａ 保持面
２４ｂ 吸引路
２６ 支持構造
２８ Ｚ軸移動機構
３０ Ｚ軸ガイドレール
３２ Ｚ軸移動プレート
３４ Ｚ軸ボールネジ
３６ Ｚ軸パルスモータ
３８ 支持具
４０ 研磨ユニット（研磨手段）
４２ ハウジング
４４ スピンドル
４６ マウント
４８ 研磨パッド
５０ ボルト
５２ 研磨液供給路
５４ａ，５４ｂ バルブ
５６ａ 第１研磨液供給源（酸性研磨液供給源）
５６ｂ 第２研磨液供給源（アルカリ性研磨液供給源）
５８ 第３搬送機構（アンローディングアーム）
６０ 洗浄機構（洗浄手段）
７０ 基台
７２ 研磨層
７２ａ 研磨面

Claims (3)

1. 第１面及び第２面を備え、該第１面側に珪素化合物でなる膜が形成されたウェーハの再生方法であって、
   研磨装置のチャックテーブルによって、該ウェーハを、該第１面側が露出し該第２面側が該チャックテーブルの保持面と対向するように保持する保持工程と、
   該ウェーハの該第１面側に酸性研磨液を供給しながら、該ウェーハの該第１面側を該研磨装置に装着された研磨パッドで研磨して、該膜を除去する除去工程と、
   該ウェーハの該第１面側にアルカリ性研磨液を供給しながら、該膜が除去された該ウェーハの該第１面側を該研磨パッドで研磨する研磨工程と、を備えることを特徴とするウェーハの再生方法。
2. 該ウェーハは、シリコンウェーハであることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの再生方法。
3. 該研磨工程では、該除去工程における該チャックテーブル及び該研磨パッドの回転を継続させた状態で、該酸性研磨液の供給を停止するとともに該アルカリ性研磨液を供給することを特徴とする請求項１又は２に記載のウェーハの再生方法。