JP2008270425A - 移送装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】研削加工装置10の移送装置77は、弾性部材で形成された吸着パッド80を有する吸着手段78と、真空手段と、移動手段81と、付着物除去手段83とで構成される。研削加工が終了したウェーハ1を吸着パッド80の吸着面80aに真空吸着し、移送手段81によりスピンナ式洗浄装置94に移送する。ウェーハ1の移送が終了したら、付着物除去手段83のモータ84を作動させ、バイト90を回転させる。吸着手段78が移動手段81によりチャックテーブル20側に移動する最中に、バイト90が吸着面80a全面に摺接して、吸着面80aに付着した研削屑を除去する。
【選択図】図4
Description
[1]半導体ウェーハ
図1の符号1は、裏面全面が研削されて目的厚さ(例えば50〜100μm)に薄化加工される円盤状の半導体ウェーハ(以下ウェーハと略称)を示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等であって、研削前の厚さは例えば700μm程度である。ウェーハ1の表面には、格子状の分割予定ライン3によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)4が区画されており、これら半導体チップ4の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。ウェーハ1の外周縁は、角をなくして損傷しにくいようにするために断面半円弧状に面取り加工が施されている。
次に、図1に示したウェーハ1の裏面を研削加工する一実施形態の研削加工装置を説明する。
図2は、その研削加工装置10の全体を示しており、該装置10は、上面が水平な直方体状の基台11を備えている。図2では、基台11の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11のY方向一端部には、X方向に並ぶコラム12が一対の状態で立設されている。基台11上には、Y方向のコラム12側にウェーハ1を研削加工する加工エリア11Aが設けられ、コラム12とは反対側には、加工エリア11Aに加工前のウェーハ1を供給し、かつ、加工後のウェーハ1を回収する着脱エリア11Bが設けられている。
以下、研削加工エリア11Aと着脱エリア11Bについて説明する。
研削加工エリア11Aには、矩形状のピット15が形成されている。このピット15内には、回転軸がZ方向と平行で上面が水平とされた円盤状のターンテーブル13が回転自在に設けられている。このターンテーブル13は、図示せぬ回転駆動機構によって矢印R方向に回転させられる。ターンテーブル13上の外周部には、回転軸がZ方向と平行で上面が水平とされた複数(この場合は3つ)の円盤状のチャックテーブル20が、周方向に等間隔をおいて回転自在に配置されている。
図2に示すように、着脱エリア11Bの中央には、上下移動する2節リンク式のピックアップロボット70が設置されている。そして、このピックアップロボット70の周囲には、上から見て反時計回りに、供給カセット71、位置合わせ台72、供給手段73、移送装置77、スピンナ式洗浄装置94、回収カセット95が、それぞれ配置されている。供給手段73は、水平な下面にウェーハ1を真空作用で吸着する吸着パッドを有する吸着手段74と、この吸着手段74が先端に固定された水平旋回式の供給アーム75とにより構成されている。移送装置77は本発明に係るものであり、後で詳述する。カセット71,95は、複数のウェーハ1を水平な姿勢で、かつ上下方向に一定間隔をおいて積層状態で収容するもので、基台11上の所定位置にセットされる。また、供給手段73と移送装置77との間には、着脱位置にあるチャックテーブル20に水を噴射して研削後のウェーハ1を洗浄する洗浄ノズル76が設けられている。
移送装置77は、図2および図4に示す吸着手段78と、水平旋回式の移動手段81と、付着物除去手段83との組み合わせにより構成されている。図4に示すように、吸着手段78は円盤状のベース79を有し、このベース79の下面には、ウェーハ1と平行な吸着面80aを持つ吸着パッド80が配設されている。吸着パッド80は、例えば厚み方向に貫通する通気孔を形成したラバーシートや発泡ポリウレタンシートなどで形成されている。吸着手段78には図示しない真空手段が接続されており、吸着面80aから空気を吸引することでウェーハ1をその吸着面80aに同心状に吸着する。移動手段81は、アーム82と、そのアーム82を旋回および昇降させる駆動機構(図示省略)とで構成されており、アーム82の先端部に吸着手段78が固定されている。この駆動機構は、基台11上に設けられたアーム82のアーム軸82aを中心にアーム82を旋回させる。また、駆動機構がアーム82を昇降させることで、先端部に固定された吸着手段78をZ方向に移動し、吸着パッド80の吸着面80aの高さが調整される。
以上が本実施形態の研削加工装置10の構成であり、次に該装置10の動作を説明する。
研削加工されるウェーハ1は、はじめにピックアップロボット70によって供給カセット71内から取り出され、位置合わせ台72上に載置されて一定の位置に決められる。次いでウェーハ1は、供給アーム73によって位置合わせ台72から取り上げられ、着脱位置で待機しているチャックテーブル20上に被研削面(半導体チップ4が形成されていない裏面)を上に向けて載置される。ウェーハ1はターンテーブル13のR方向への回転によって一次研削位置と二次研削位置にこの順で移送され、これら研削位置で、研削ユニット30により上記のようにして裏面が研削される。ウェーハ1の研削にあたっては、いずれの研削位置においても、厚さ測定ゲージ50によってウェーハ1の厚さを逐一測定しながら研削量が制御される。二次研削が終了したウェーハ1は、さらにターンテーブル13がR方向に回転することにより着脱位置に戻される。
上記実施形態は、本発明を研削加工装置に適用したものであるが、本発明を図6に示すような研磨加工装置にも適用可能である。また、上記実施形態の付着物除去手段83は、バイト90を回転させていたが、その逆で、バイト90を固定し、吸着手段78を回転させて吸着パッド80の吸着面80aをバイト90に当接させても上記実施形態と同様の効果が得られる。以下、この吸着手段78を回転させる移送装置を研磨加工装置に適用して説明をする。なお、図6で図2と同一構成要素には同一の符合を付してあり、それらについては簡略的に説明する。
20…チャックテーブル(テーブル)
77、100…移送装置
78…吸着手段
80…吸着パッド
80a…吸着面
81…移動手段
83…付着物除去手段
90…バイト(ブレード部材)
94…スピンナ式洗浄装置(移送先)
Claims (3)
- 平坦なテーブル上に載置された基板の露出面を真空吸着して保持し、該基板を、前記テーブル上から移送先まで移送する移送装置であって、
基板の露出面に当接し、該基板と平行な吸着面を有する吸着パッドを有する吸着手段と、
前記吸着手段の前記吸着面に基板を真空吸着させる真空手段と、
前記吸着パッドが前記テーブル上と前記移送先との間を移送するように前記吸着手段を移動させる移動手段とを備え、
前記吸着手段の前記吸着パッドは弾性部材で形成されており、
該吸着パッドの移動経路に、該吸着パッドの移動中において前記吸着面に当接するブレード部材を有する付着物除去手段が配置されていることを特徴とする基板の移送装置。 - 前記吸着手段が回転可能に保持されていることを特徴とする請求項1に記載の移送装置。
- 前記ブレード部材が回転可能に保持されていることを特徴とする請求項1に記載の移送装置。
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