JP2013202704A - 研削装置及び研削方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 サブストレート上に貼着された被加工物を容易に所定厚みに研削できる研削装置及び研削方法を提供することである。
【解決手段】 被加工物と、被加工物が接着部材を介して貼着された被加工物より大きい面積を有するサブストレートと、を含む被加工物ユニットの被加工物を研削する研削装置であって、研削中の被加工物の厚みを検出する厚み検出手段とを備え、該厚み検出手段は、チャックテーブルの枠体の上面に当接して該枠体の上面高さ位置を検出する第1高さ位置検出器と、該チャックテーブルに保持された該被加工物ユニットの該サブストレートの上面に当接して該サブストレートの上面高さ位置を検出する第2高さ位置検出器と、研削手段で研削されている被加工物の上面に当接して被加工物の上面高さ位置を検出する第3高さ位置検出器と、を含む。
【選択図】図5

Description

本発明は、サブストレート上に貼着された被加工物を研削する研削方法及び該研削方法を実施するのに適した研削装置に関する。
IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ラインによって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置(ダイシング装置)によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
ウエーハ等の被加工物の裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石を有する研削ホイールが回転可能に装着された研削ユニットとを備えていて、ウエーハを高精度に所望の厚みに研削できる。
研削に伴って研削砥石が磨耗していくため、所定のタイミングで研削ユニットをチャックテーブルに接近移動させて研削砥石がチャックテーブルの保持面に当接する位置を記憶させる所謂セットアップ作業を実施している(例えば、特開2001−001261号公報参照)。
そして、被加工物の研削時には、チャックテーブルの上面高さ位置を基準に研削砥石を所定の高さまで研削送りすることで、被加工物を研削して所定の厚みに薄化している。
被加工物の研削時には、例えば特開2010−89243号公報に開示されるように、接触式の高さ位置検出器で被加工物の上面とチャックテーブルの保持面の高さ位置をそれぞれ検出することで被加工物の厚みを算出し、被加工物が所定の厚みになるように研削している。
ウエーハの裏面研削時には、ウエーハの表面に形成されたデバイスを保護するためにウエーハの表面に表面保護テープを貼着し、表面保護テープ側をチャックテーブルで吸引保持してウエーハの裏面を研削している。
ところが、被加工物を研削して例えば50μm以下にウエーハを薄化するとハンドリングが非常に難しくなるため、ガラスウエーハやシリコンウエーハからなるサブストレート上にウエーハを接着部材を介して接着した状態で被加工物の裏面を研削する場合がある(例えば、特開2004−111434号公報参照)。
特開2001−001261号公報 特開2010−89243号公報 特開2004−111434号公報
しかし、サブストレートは固体毎に厚みばらつきが大きいため、チャックテーブルの保持面高さ位置とウエーハ等の被加工物の上面高さ位置とからサブストレートの厚みと被加工物の厚みの合計値を算出し、この合計値を基に研削を遂行すると、被加工物を所望厚みに研削できないという問題がある。
また、被加工物をサブストレートに貼着した後、サブストレート毎に厚みを測定し記録しておくのは非常に手間で管理が煩雑になるという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、サブストレート上に貼着された被加工物を容易に所定厚みに研削できる研削装置及び研削方法を提供することである。
請求項1記載の発明によると、被加工物と、被加工物が接着部材を介して貼着された被加工物より大きい面積を有するサブストレートと、を含む被加工物ユニットの被加工物を研削する研削装置であって、該サブストレートと略同一サイズを有し、該被加工物ユニットを吸引保持する保持面を有する保持部と、該保持部を囲繞する枠体とを含み、該保持面と該枠体の上面とが面一に形成された回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルで該サブストレート側が保持された該被加工物ユニットの被加工物の一部を露出させた状態で当接して被加工物を研削する研削砥石を有する研削ホイールと、該研削ホイールを回転可能に支持するスピンドルと、を含む研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルに対して接近離反可能に相対移動させる移動手段と、研削中の被加工物の厚みを検出する厚み検出手段と、を具備し、該厚み検出手段は、該チャックテーブルの該枠体の上面に当接して該枠体の上面高さ位置を検出する第1高さ位置検出器と、該チャックテーブルに保持された該被加工物ユニットの該サブストレートの上面に当接して該サブストレートの上面高さ位置を検出する第2高さ位置検出器と、該研削手段で研削されている被加工物の上面に当接して被加工物の上面高さ位置を検出する第3高さ位置検出器と、を含むことを特徴とする研削装置が提供される。
請求項2記載の発明によると、被加工物と、被加工物が接着部材を介して貼着された被加工物より大きい面積を有するサブストレートと、を含む被加工物ユニットの被加工物を請求項1記載の研削装置で研削する研削方法であって、前記移動手段で前記研削手段を前記チャックテーブルに対して相対的に接近移動させて、該研削手段の該研削砥石が該チャックテーブルの前記保持面に当接する高さ位置を記憶する当接位置記憶ステップと、該当接位置記憶ステップを実施した後、該チャックテーブルで該被加工物ユニットの該サブストレート側を保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該チャックテーブルを回転させつつ回転する該研削ホイールを該被加工物ユニットの被加工物に当接させながら該研削手段を該チャックテーブルに接近する方向に移動させることで被加工物を押圧しながら研削する研削ステップと、を備え、該研削ステップでは、前記第1高さ位置検出器が前記枠体の上面に当接して該枠体の上面高さ位置を第1高さ位置として検出し、前記第2高さ位置検出器は該チャックテーブルに保持された該被加工物ユニットの該サブストレートの上面に当接して該サブストレートの上面高さ位置を第2高さ位置として検出し、前記第3高さ位置検出器は該チャックテーブルに保持された該被加工物ユニットの被加工物の上面に当接して被加工物の上面高さ位置を第3高さ位置として検出し、該第3高さ位置から該第2高さ位置を減じた値を被加工物の厚みとして算出するとともに、該第1高さ位置を基準に該研削砥石を所定高さまで移動させることで被加工物を所定の厚みへと研削することを特徴とする研削方法が提供される。
本発明の研削装置は第1乃至第3高さ位置検出器を備えているため、チャックテーブルの保持面の高さ位置、サブストレートの上面の高さ位置及び被加工物上面の高さ位置をそれぞれ検出し、サブストレートに厚みばらつきがあった場合にも、被加工物上面の高さ位置からサブストレートの上面の高さ位置を減ずることにより、被加工物の厚みを正確に検出することができ、被加工物を所望の厚みに研削できる。
研削時に研削ホイールが被加工物を押圧することでチャックテーブルは僅かに沈み込むが、本発明の研削装置では、第1高さ位置検出器でチャックテーブル上面の高さ位置を検出するため、チャックテーブルが僅かに沈み込んでも被加工物を所望厚みに研削できる。
本発明実施形態に係る研削装置の斜視図である。 半導体ウエーハの表面側斜視図である。 表面にサブストレートが貼着された状態のウエーハユニットの側面図である。 保持ステップを示す一部断面側面図である。 研削ステップを示す一部断面側面図である。
以下、本発明実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態に係る研削装置2の斜視図が示されている。4は研削装置2のベースであり、ベース4の後方には二つのコラム6a,6bが垂直に立設されている。
コラム6aには、上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って粗研削ユニット10が上下方向に移動可能に装着されている。粗研削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。
粗研削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容されたスピンドル27(図5参照)と、スピンドル27を回転駆動するサーボモータ22と、スピンドル27の先端に固定されたホイールマウント29と、ホイールマウント29に着脱可能に装着された研削ホイール24を含んでいる。研削ホイール24は、環状基台31の下端部外周に複数の研削砥石26が環状に固着されて構成されている。
粗研削ユニット10は、粗研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される粗研削ユニット移動機構18を備えている。パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。
他方のコラム6bにも、上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)48が固定されている。この一対のガイドレール48に沿って仕上げ研削ユニット28が上下方向に移動可能に装着されている。
仕上げ研削ユニット28は、そのハウジング36が一対のガイドレール48に沿って上下方向に移動する図示しない移動基台に取り付けられている。仕上げ研削ユニット28は、ハウジング36と、ハウジング36中に回転可能に収容された図示しないスピンドルと、スピンドルを回転駆動するサーボモータ38と、スピンドルの先端に固定された仕上げ研削用の研削砥石42を有する研削ホイール40を含んでいる。
仕上げ研削ユニット28は、仕上げ研削ユニット28を一対の案内レール48に沿って上下方向に移動するボールねじ30とパルスモータ32とから構成される仕上げ研削ユニット移動機構34を備えている。パルスモータ32を駆動すると、ボールねじ30が回転し、仕上げ研削ユニット28が上下方向に移動される。
研削装置2は、コラム6a,6bの前側においてベース4の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル44を具備している。ターンテーブル44は比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印45で示す方向に回転される。
ターンテーブル44には、互いに円周方向に120°離間して3個のチャックテーブル46が水平面内で回転可能に配置されている。チャックテーブル46は、ポーラスセラミック材によって円盤状に形成された吸引保持部を有しており、吸引保持部の保持面上に載置されたウエーハを真空吸引手段を作動することにより吸引保持する。
ターンテーブル44に配設された3個のチャックテーブル46は、ターンテーブル44が適宜回転することにより、ウエーハ搬入・搬出領域A、粗研削加工領域B、仕上げ研削加工領域C、及びウエーハ搬入・搬出領域Aに順次移動される。
ベース4の前側部分には、ウエーハカセット50と、リンク51及びハンド52を有するウエーハ搬送ロボット54と、複数の位置決めピン58を有する位置決めテーブル56と、ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)60と、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)62と、研削されたウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置64と、スピンナ洗浄装置64で洗浄及びスピン乾燥された研削後のウエーハを収容する収容カセット66が配設されている。
スピンナ洗浄装置64には、研削された半導体ウエーハ11を吸引保持して回転する半導体ウエーハ11より小径のスピンナテーブル68が装着されている。70はスピンナ洗浄装置64のカバーである。
粗研削加工領域Bに位置付けられたチャックテーブル46に隣接して、第1厚み検出ユニット72がベース4に配設されており、仕上げ研削加工領域Cに位置付けられたチャックテーブル46に隣接して、第2厚み検出ユニット74がベース4上に配設されている。第1厚み検出ユニット72は、三つの高さ位置検出器から構成される。同様に、第2厚み検出ユニット74も三つの高さ位置検出器から構成される。
図2を参照すると、被加工物の一例である半導体ウエーハ11の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハから成っており、表面11aに複数の分割予定ライン13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面11aに備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されているとともに、表面11aから裏面11bに渡る円弧状の面取り部11eが形成されている。
本発明の研削方法では、半導体ウエーハ11の表面11aは、図3に示すように、半導体ウエーハ11より大きい面積を有するサブストレート23に接着剤25により接着してウエーハユニット5を形成する。接着剤25に替えて、両面テープ等の接着部材を使用してもよい。サブストレート23は、ガラスウエーハ、シリコンウエーハ等から形成される。
本発明の研削方法では、研削に伴って研削砥石が磨耗しているため、所定のタイミングで粗研削ユニット10を粗研削ユニット移動機構18でチャックテーブル46に接近移動させて、粗研削用の研削砥石26がチャックテーブル46の保持面に当接する位置を記憶させる当接位置記憶ステップ、所謂セットアップ作業を実施する。
同様に、仕上げ研削ユニット28を仕上げ研削ユニット移動機構34でチャックテーブル46に接近移動させて、仕上げ研削用の研削砥石42がチャックテーブル46の保持面に当接する位置を記憶させる当接位置記憶ステップ、所謂セットアップ作業を実施する。
ウエーハユニット5は研削すべきウエーハ11の裏面11bを上向きにした状態でウエーハカセット50中に収容される。粗研削ユニット10及び仕上げ研削ユニット28のセットアップ作業を実施した後、ウエーハ搬送ロボット54によりウエーハカセット50中からウエーハユニット5を取り出し、位置決めテーブル56上に載置する。
位置決めテーブル56上で複数の位置決めピン58によりウエーハユニット5の中心出しをしてから、ウエーハ搬入機構60でウエーハユニット5を吸着してウエーハ搬入・搬出領域Aに位置付けられているチャックテーブル46上に載置し、図4に示すように、チャックテーブル46の吸引保持部46aでウエーハユニット5のサブストレート23を吸引保持する。
図4において、チャックテーブル46はポーラスセラミックス等から形成された吸引保持部46aと、吸引保持部46aを囲繞する金属から形成された枠体46bとを含んでおり、枠体46bには図示しない吸引源に接続される吸引路47が形成されている。
吸引保持部46aの上面である保持面と枠体46bの上面とは面一に形成されている。吸引保持部46aの直径はサブストレート23の直径と同一サイズか或いは僅かばかり小さい直径に形成されている。
これにより、ウエーハユニット5のサブストレート23を吸引保持するときに、吸引保持部46aから負圧がリークすることなくサブストレート23を確実に吸引保持することができる。
ウエーハ搬入・搬出領域Aに位置付けられたチャックテーブル46でウエーハユニット5を吸引保持した後、ターンテーブル44を矢印45方向に120度回転して粗研削加工領域Bに位置付ける。
粗研削加工領域Bに配設された第1厚み検出ユニット72は、図5に示すように、チャックテーブル46の枠体46bの上面に当接して枠体46bの上面高さ位置を検出する第1高さ位置検出器72aと、チャックテーブル46で保持されたウエーハユニット5のサブストレート23の上面に当接してサブストレート23の上面高さ位置を検出する第2高さ位置検出器72bと、粗研削ユニット10で研削されているウエーハ11の上面(裏面)11bに当接してウエーハ11の上面高さ位置を検出する第3高さ位置検出器72cを含んでいる。
粗研削加工領域Bに位置付けられたウエーハユニット5に対してチャックテーブル46を例えば矢印a方向に300rpmで回転しつつ、研削ホイール24をチャックテーブル46と同一方向に、即ち矢印b方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、粗研削ユニット移動機構18を作動して粗研削用の研削砥石26をウエーハ11の裏面11bに接触させる。
そして、研削ホイール24を所定の研削送り速度で下方に移動して研削砥石26がウエーハ11を押圧しながらウエーハ11の粗研削を実施する。この粗研削ステップでは、第1高さ位置検出器72aが枠体46bの上面に当接して枠体46bの上面高さ位置h1を第1高さ位置として検出し、第2高さ位置検出器72bがチャックテーブル46で保持されたウエーハユニット5のサブストレート23の上面に当接してサブストレート23の上面高さ位置h2を第2高さ位置として検出し、第3高さ位置検出器72cがチャックテーブル46で保持されたウエーハユニット5のウエーハ11の上面(裏面)11bに当接してウエーハ11の上面高さ位置h3を第3高さ位置として検出する。
そして、第3高さ位置から第2高さ位置を減じた値をウエーハ11の厚みとして算出するとともに、枠体46bの高さ位置h1である第1高さ位置を基準に粗研削用の研削砥石26を所定高さまで移動させることでウエーハ11を所定の厚みへと研削する。
このように本実施形態の研削方法では、第1乃至第3高さ位置検出器72a〜72cを有する第1厚み検出ユニット72で研削中のウエーハ11の厚みを検出しながらウエーハ11を研削するため、サブストレート23の厚みばらつきに関わらずウエーハ11を正確に所望の厚みに研削することができる。
粗研削時に研削ホイール24がウエーハユニット5を押圧することでチャックテーブル46は僅かに沈み込む。本実施形態では、第1高さ位置検出器72aがチャックテーブル46の枠体46bの上面の高さ位置を検出するため、チャックテーブル46は僅かに沈みこんでもウエーハ11を所望の厚みに研削できる。
粗研削終了後、ターンテーブル44を矢印45方向に更に120度回転して仕上げ研削加工領域Cに位置付ける。そして、仕上げ研削ユニット28によるウエーハ11の仕上げ研削を実施する。
第2厚み検出ユニット74は、第1厚み検出ユニット72と同様に、第1乃至第3高さ位置検出器から構成され、それぞれチャックテーブル46の枠体46bの上面高さ位置、サブストレート23の上面高さ位置及びウエーハ11の上面(裏面)11bの上面高さ位置を検出しながら仕上げ研削を実施する。
よって、ウエーハユニット5のサブストレート23に厚みばらつきがある場合にも、ウエーハ11を正確に所望の厚みに仕上げ研削することができる。
上述した実施形態では、被加工物としてサブストレート23に貼着された半導体ウエーハ11を研削しているが、被加工物は半導体ウエーハに限定されるものではなく、例えば光デバイスウエーハ、パターンが形成されていないウエーハ、ガラスウエーハ、リチウムタンタレート(LT)、リチウムナイオベート(LN)、更には各種セラミックス等を含むものである。
10 粗研削ユニット
11 半導体ウエーハ
23 サブストレート
26 粗研削用の研削砥石
28 仕上げ研削ユニット
42 仕上げ研削用の研削砥石
44 ターンテーブル
46 チャックテーブル
46a 吸引保持部
46b 枠体
72 第1厚み検出ユニット
72a 第1高さ位置検出器
72b 第2高さ位置検出器
72c 第3高さ位置検出器
74 第2厚み検出ユニット

Claims (2)

  1. 被加工物と、被加工物が接着部材を介して貼着された被加工物より大きい面積を有するサブストレートと、を含む被加工物ユニットの被加工物を研削する研削装置であって、
    該サブストレートと略同一サイズを有し、該被加工物ユニットを吸引保持する保持面を有する保持部と、該保持部を囲繞する枠体とを含み、該保持面と該枠体の上面とが面一に形成された回転可能なチャックテーブルと、
    該チャックテーブルで該サブストレート側が保持された該被加工物ユニットの被加工物の一部を露出させた状態で当接して被加工物を研削する研削砥石を有する研削ホイールと、該研削ホイールを回転可能に支持するスピンドルと、を含む研削手段と、
    該研削手段を該チャックテーブルに対して接近離反可能に相対移動させる移動手段と、
    研削中の被加工物の厚みを検出する厚み検出手段と、を具備し、
    該厚み検出手段は、
    該チャックテーブルの該枠体の上面に当接して該枠体の上面高さ位置を検出する第1高さ位置検出器と、
    該チャックテーブルに保持された該被加工物ユニットの該サブストレートの上面に当接して該サブストレートの上面高さ位置を検出する第2高さ位置検出器と、
    該研削手段で研削されている被加工物の上面に当接して被加工物の上面高さ位置を検出する第3高さ位置検出器と、を含むことを特徴とする研削装置。
  2. 被加工物と、被加工物が接着部材を介して貼着された被加工物より大きい面積を有するサブストレートと、を含む被加工物ユニットの被加工物を請求項1記載の研削装置で研削する研削方法であって、
    前記移動手段で前記研削手段を前記チャックテーブルに対して相対的に接近移動させて、該研削手段の該研削砥石が該チャックテーブルの前記保持面に当接する高さ位置を記憶する当接位置記憶ステップと、
    該当接位置記憶ステップを実施した後、該チャックテーブルで該被加工物ユニットの該サブストレート側を保持する保持ステップと、
    該保持ステップを実施した後、該チャックテーブルを回転させつつ回転する該研削ホイールを該被加工物ユニットの被加工物に当接させながら該研削手段を該チャックテーブルに接近する方向に移動させることで被加工物を押圧しながら研削する研削ステップと、を備え、
    該研削ステップでは、前記第1高さ位置検出器が前記枠体の上面に当接して該枠体の上面高さ位置を第1高さ位置として検出し、
    前記第2高さ位置検出器が該チャックテーブルに保持された該被加工物ユニットの該サブストレートの上面に当接して該サブストレートの上面高さ位置を第2高さ位置として検出し、
    前記第3高さ位置検出器が該チャックテーブルに保持された該被加工物ユニットの被加工物の上面に当接して被加工物の上面高さ位置を第3高さ位置として検出し、
    該第3高さ位置から該第2高さ位置を減じた値を被加工物の厚みとして算出するとともに、該第1高さ位置を基準に該研削砥石を所定高さまで移動させることで被加工物を所定の厚みへと研削することを特徴とする研削方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105437077A (zh) * 2014-09-24 2016-03-30 株式会社迪思科 被加工物的磨削方法
JP2017056523A (ja) * 2015-09-17 2017-03-23 株式会社ディスコ 研削装置
JP2017113811A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 株式会社ディスコ 研削装置
CN110039382A (zh) * 2018-10-16 2019-07-23 天通控股股份有限公司 一种大尺寸超薄钽酸锂晶圆片的减薄方法
JP2021008012A (ja) * 2019-07-02 2021-01-28 株式会社ディスコ 研削装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296839A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Kansai Paint Co Ltd 半導体チップの製造方法
JP2010052075A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296839A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Kansai Paint Co Ltd 半導体チップの製造方法
JP2010052075A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105437077A (zh) * 2014-09-24 2016-03-30 株式会社迪思科 被加工物的磨削方法
JP2017056523A (ja) * 2015-09-17 2017-03-23 株式会社ディスコ 研削装置
JP2017113811A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 株式会社ディスコ 研削装置
CN110039382A (zh) * 2018-10-16 2019-07-23 天通控股股份有限公司 一种大尺寸超薄钽酸锂晶圆片的减薄方法
JP2021008012A (ja) * 2019-07-02 2021-01-28 株式会社ディスコ 研削装置
JP7249218B2 (ja) 2019-07-02 2023-03-30 株式会社ディスコ 研削装置

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