JP2004296839A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents

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Akito Ichikawa
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Masahiko Kitamura
政彦 北村
Koichi Yajima
興一 矢嶋
Masatoshi Nanjo
雅俊 南條
Shinichi Namioka
伸一 波岡
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Abstract

【課題】剛性の高い支持基板に支持された半導体ウェーハまたは半導体チップを研削して薄い半導体チップを製造する場合において、半導体ウェーハまたは半導体チップを損傷させずに、支持基板から取り外すことを可能とする。
【解決手段】光を透過させる支持基板11に、光を受けると粘着力が低下する粘着層10を介在させて半導体ウェーハW1の表面を貼着して半導体ウェーハW1の裏面を露出させ、支持基板11と一体になった半導体ウェーハW1の裏面を研削し、研削後の支持基板11と一体となっている半導体ウェーハW1の裏面にテープ40を貼着すると共にテープ40の外周をフレームで支持し、テープ40の貼着前または後に支持基板11側から粘着層10に対して光を照射して粘着層10の粘着力を低下させ、その後に半導体ウェーハW1の表面から支持基板11と粘着層10とを取り外して半導体ウェーハW1をテープ40及びフレームに支持させ、テープ40及びフレームに支持された半導体ウェーハW1のストリートを切断して個々の半導体チップに分割する。
【選択図】 図8

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、支持基板を用いて半導体ウェーハを支持しながら半導体チップを製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハにはIC、LSI等の回路が複数形成されており、その表面のストリートを切断してダイシングすることによって個々の半導体チップに分割され各種の電子機器に利用される。
【0003】
半導体ウェーハは、その裏面を研削することにより所望の厚さに形成されるが、近年は、電子機器の小型化、軽量化を可能とするために、半導体ウェーハも、その厚さが100μm以下、50μm以下となるよう薄く加工することが求められている。
【0004】
ところが、薄くなった半導体ウェーハは紙のように柔軟になって研削後の取り扱いが困難になるという問題がある。そこで、剛性の高い支持基板に半導体ウェーハを貼着した状態で研削を行い、その後の搬送等の取り扱いを容易にするという工夫も施されている(例えば特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平2002−76101号公報(第5頁、第3図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、研削後の半導体ウェーハをダイシングするには、支持基板に貼り付いた半導体ウェーハを剥離して、ダイシングテープに貼り替えてダイシングフレームと一体としなければならないが、研削後の半導体ウェーハは薄くなっているため、特に厚さが100μm以下、50μm以下となるように薄く研削された半導体ウェーハについては、支持基板から離脱させてダイシングテープに貼り替える際に損傷しやすく、損傷させずに貼り替えることが困難であるという問題がある。
【0007】
また、半導体ウェーハの表面のストリートに予め所定深さの溝を形成しておき、その溝が表出するまで裏面を研削することにより個々の半導体チップに分割するいわゆる先ダイシングと称される手法においても、研削に先立ち、溝が形成された半導体ウェーハを比較的粘着力が低い粘着層を介在させて剛性の高い支持基板に貼着し、研削終了後は分割された半導体チップを支持基板からピックアップする必要があるが、この場合も薄い半導体チップを損傷させずに支持基板から剥離するのは困難である。
【0008】
このように、薄い半導体チップを製造する場合においては、半導体ウェーハまたは半導体チップを損傷させずに、支持基板から剥離させるようにすることに課題を有している。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハの表面を貼着し、半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置して半導体ウェーハの裏面を研削する研削工程と、研削工程後の支持基板と一体となっている半導体ウェーハの裏面にテープを貼着すると共にテープの外周をフレームで支持するテープ貼着工程と、テープ貼着工程の前または後に支持基板側から粘着層に対して光を照射して粘着層の粘着力を低下させ、テープ貼着工程の後に半導体ウェーハの表面から支持基板と粘着層とを取り外して半導体ウェーハをテープ及びフレームに支持させる貼り替え工程と、テープ及びフレームに支持された半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートを切断して個々の半導体チップに分割するダイシング工程とを含む半導体チップの製造方法を提供する。
【0010】
また本発明は、ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートの表面に溝を形成する溝形成工程と、光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハの表面を貼着し、半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し、溝が表出するまで半導体ウェーハの裏面を研削して個々の半導体チップに分割する研削工程と、研削工程後の支持基板と一体になり半導体ウェーハの外形を維持した状態の半導体チップの裏面にテープを貼着すると共にテープの外周をフレームで支持するテープ貼着工程と、テープ貼着工程の前または後に支持基板側から粘着層に対して光を照射して粘着層の粘着力を低下させ、テープ貼着工程の後に半導体ウェーハの表面から支持基板と粘着層とを取り外して半導体ウェーハをテープ及びフレームに支持させる貼り替え工程とを含む半導体チップの製造方法を提供する。
【0011】
更に本発明は、ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートの表面に溝を形成する溝形成工程と、光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハの表面を貼着し、半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し、溝が表出するまで半導体ウェーハの裏面を研削して個々の半導体チップに分割する研削工程と、支持基板側から光を照射して粘着層の粘着力を低下させ、半導体チップを支持基板と粘着層とから取り外す半導体チップ離脱工程とを含む半導体チップの製造方法を提供する。
【0012】
そして上記半導体チップの製造方法は、半導体ウェーハの外形より大きい外形を有する支持基板を使用して支持基板一体化工程を遂行し、半導体ウェーハの研削面と支持基板の表面とに厚さ測定器の触針をそれぞれ接触させて半導体ウェーハの厚さを計測しながら研削工程を遂行すること、粘着層は液状樹脂であり、液状樹脂は紫外線を受けることにより発泡して粘着力が低下するキノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により形成され、支持基板一体化工程を遂行する際、支持基板または半導体ウェーハの表面に、液状樹脂がコーティングされること、キノンジアジド系化合物は、トリまたはテトラヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノンと、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸、またはそれらのスルホン酸クロライド等、あるいは1,2−キノンジアジドスルホン酸またはそのスルホン酸クロライド等から選ばれる少なくとも1種のスルホン酸素化合物とを反応させて得られるキノンジアジドスルホン酸エステルであること、樹脂は、アクリル、ウレタン、ポリエステル、ノボラックフェノールとその誘導体、ポリビニルフェノールとその誘導体、シリコーンとその誘導体から選ばれる少なくとも1種の樹脂に重合性不飽和基を導入したものであること、液状樹脂の粘度は10〜100000mPa・sであること、支持基板一体化工程において、液状樹脂は支持基板または半導体ウェーハの表面に滴下され、100〜8000rpmで5秒以上の回転の下でスピンコーティングされ、その後、半導体ウェーハと支持基板とは該液状樹脂を介して一体にされ、50〜150°Cで30秒〜20分間ベーキングされること、支持基板は透明なガラスまたはプラスチック板で形成され、厚みは0.5〜2.5mmであることを付加的な要件とする。
【0013】
上記のように構成される半導体チップの製造方法においては、剛性の高い支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハを貼着し、その状態で研削を行って半導体ウェーハを所望の厚さとし、その後に支持基板に光を照射して粘着層の粘着力を低下させて半導体ウェーハまたは半導体チップを支持基板から離脱させるようにしたので、薄くなった半導体ウェーハや半導体チップでも損傷させることなく容易に離脱させることができる。
【0014】
特に、粘着層が液状樹脂であり、その液状樹脂が紫外線を受けることにより発泡して粘着力が低下するキノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により形成される場合は、支持基板に紫外線を照射することにより、半導体ウェーハまたは半導体チップと粘着層との間に発泡体が集中して隙間が形成されるため、より容易かつ安全に支持基板から離脱させることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態として、図1に示すように、ストリートSによって区画されて複数の回路Cが表面に形成された半導体ウェーハW1を個々の半導体チップに分割する方法について説明する。
【0016】
まず、例えば図2に示すスピンナーコーティング装置1を用いて、半導体ウェーハW1または支持基板11の表面に、光を受けると粘着力が低下する粘着層、例えば液状樹脂10をコーティングする。ここでは液状樹脂10を半導体ウェーハW1の表面にコーティングする場合について説明する。
【0017】
このスピンナーコーティング装置1は、回転可能な保持テーブル2と、液状樹脂10を滴下させる滴下部3とを少なくとも備えており、半導体ウェーハW1の表面を上に向けて保持テーブル2において保持し、例えば100〜8000RPMの回転数で保持テーブル2を5秒以上回転させながら、滴下部3から液状樹脂5を滴下させてスピンコーティングすることにより、半導体ウェーハW1の表面に液状樹脂5が均一にコーティングされ、後述する図3に示す粘着層10が形成される。そしてその後、粘着層10を介して支持基板11を半導体ウェーハW1と一体とし、50〜150°Cで30秒〜20分間ベーキングすることにより、半導体ウェーハW1と支持基板とが固定される。
【0018】
この液状樹脂5としては、例えば紫外線を受けることにより発泡して粘着力が低下するキノンジアジド系化合物と樹脂との組成物を使用することができる。キノンジアジド系化合物としては、トリまたはテトラヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノンと、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸、またはそれらのスルホン酸クロライド等、あるいは1,2−キノンジアジドスルホン酸またはそのスルホン酸クロライド等とを反応させて得られるキノンジアジドスルホン酸エステルを使用することができる。また、上記樹脂としては、例えばアクリル、ウレタン、ポリエステル、ノボラックフェノールとその誘導体、ポリビニルフェノールとその誘導体、シリコーンとその誘導体、及び、これらの樹脂に重合性不飽和基を導入したものを使用することができる。液状樹脂の粘度は、10〜100000mPa・sとすることが望ましい。
【0019】
上記のようにして半導体ウェーハW1の表面に粘着層10が形成されると、次に、図3に示すように、半導体ウェーハW1を裏返し、粘着層10を介して支持基板11に半導体ウェーハW1の表面を貼着して一体とし、所定時間ベーキングして図4に示す状態とする(支持基板一体化工程)。ここで、支持基板11は、後に行う研削によって100μm以下、50μm以下と薄くなった半導体ウェーハでも安定的に支持できる程度の剛性を有すると共に、光を透過させる透明なガラス、プラスチック板等で形成されており、例えば、厚さは0.5mm〜2.5mm程度である。
【0020】
次に、例えば図5に示す研削装置20を用いて半導体ウェーハW1の裏面を研削する。研削装置20においては、基台21の端部から壁部22が起立して設けられており、この壁部22の内側の面には一対のレール23が垂直方向に配設され、レール23に沿って支持部24が上下動するのに伴い、支持部24に取り付けられた研削手段25が上下動するよう構成されている。また、基台21上には、ターンテーブル26が回転可能に配設され、更にターンテーブル26は、半導体ウェーハを保持するチャックテーブル27を回転可能に支持している。
【0021】
研削手段25においては、垂直方向の軸心を有するスピンドル28の先端にマウンタ29が装着され、更にその下部に研削ホイール30が固定されており、研削ホイール30の下面には研削砥石31が固着されており、研削砥石31は、スピンドル28の回転に伴って回転する構成となっている。
【0022】
研削装置20を用いて半導体ウェーハW1の裏面を研削する際は、支持基板11に支持された半導体ウェーハW1の裏面を露出させた状態でチャックテーブル27に載置する。そして、半導体ウェーハW1を研削手段25の直下に位置付け、スピンドル28を回転させると共に、研削手段25を下降させていき、スピンドル28の高速回転に伴って研削ホイール30が高速回転すると共に、回転する研削砥石31が半導体ウェーハに接触して押圧力が加えられることにより、その裏面が研削砥石31によって研削され、所定の厚さに形成される(研削工程)。
【0023】
このようにして研削工程が行われた後は、図6に示すように、支持基板11と一体となった半導体ウェーハW1の表裏を反転させ、テープ40の粘着面に貼着する。
【0024】
このテープ40の外周にはフレーム41が貼着されテープ40の外周を支持しており、支持基板11に支持された半導体ウェーハW1の裏面をテープ40に貼着することにより、これらを一体化する(テープ貼着工程)。
【0025】
次に、図7に示すように、支持基板11の上方から紫外線を照射する。支持基板11は、光を透過させるガラス、プラスチック板等で形成されているため、照射された光は支持基板11を透過して粘着層10に到達する。
【0026】
粘着層10は、キノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により構成されるため、光が支持基板11側から入射して半導体ウェーハW1側に進むと、粘着層10のうち、支持基板10に近い方の側から徐々に硬化していき、図8に示すように、発泡体42が半導体ウェーハW1側に集中し、粘着層10と半導体ウェーハW1との間に隙間が形成されて粘着力が低下する。
【0027】
そして次に、図9に示すように、支持基板11を持ち上げると、粘着層10の粘着力が低下しているため、支持基板11及び粘着層10を半導体ウェーハW1から容易に取り外すことができ、半導体ウェーハW1を損傷させるおそれもない。こうして支持基板11を離脱させると、半導体ウェーハW1は、テープ40に貼着されたままの状態であるため、テープ40及びフレーム41に支持される(貼り替え工程)。このように、貼り替え工程においては、光の照射により粘着層10の粘着力を低下させてから支持基板11を離脱させることにより、研削により薄くなった半導体ウェーハでも損傷させることなく容易にテープ40に貼り替え、テープ40及びフレーム41に支持させることができる。なお、粘着層10への光の照射は、テープ貼着工程の前に行うこともできる。
【0028】
上記のようにしてテープ40及びフレーム41に支持された半導体ウェーハW1は、例えば図10に示すダイシング装置50を用いて個々の半導体チップに分割することができる。
【0029】
このダイシング装置50においては、テープ40を介してフレーム41と一体となった半導体ウェーハW1は、カセット51に複数収納される。そして、フレーム41と一体となった半導体ウェーハW1は、搬出入手段52によってカセット51から搬出されて仮置き領域53に載置され、第一の搬送手段54に吸着されて第一の搬送手段54が旋回動することによりチャックテーブル55に搬送されて載置され、吸引保持される。
【0030】
半導体ウェーハW1がチャックテーブル55に吸引保持されると、チャックテーブル55が+X方向に移動してアライメント手段56の直下に位置付けられ、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートSが検出され、そのストリートSと回転ブレード57とのY軸方向の位置合わせが行われる。こうして位置合わせがなされると、更にチャックテーブル55がX軸方向に移動し、回転ブレード57の作用を受けて切削が行われる。
【0031】
このような切削を、回転ブレード57をY軸方向にストリート間隔だけ割り出し送りしながら行い、更にチャックテーブル55を90度回転させて同様の切削を行うと、図11に示すように、すべてのストリートSが縦横に切削され、個々の半導体チップCに分割される(ダイシング工程)。
【0032】
以上のようにして、支持基板一体化工程、研削工程、テープ貼着工程、貼り替え工程、ダイシング工程を遂行することにより、剛性の高い支持基板11に支持された状態で研削を行って半導体ウェーハW1を所望の厚さとし、その後に支持基板11に光を照射して粘着層10の粘着力を低下させて半導体ウェーハW1を支持基板11から離脱させてテープ40に貼り替えるようにしたので、研削により薄くなった半導体ウェーハW1でも損傷させることなくダイシング工程までを遂行することができる。そしてその後、個々の半導体チップCをピックアップすることができる。
【0033】
次に、いわゆる先ダイシングの手法により半導体チップを製造する場合について説明する。
【0034】
まず最初に、例えば図10に示したダイシング装置50のチャックテーブル55に半導体ウェーハを載置し、回転ブレード57を用いて、図12及び図13に示すように、半導体ウェーハW2の表面のストリートSに溝60を形成し、最終的な半導体チップCの厚さに相当する深さの溝60が形成された半導体ウェーハW2とする(切削溝形成工程)。
【0035】
次に、図2に示したスピンナーコーティング装置1を用いて支持基板11の表面に粘着層をコーティングし、図14に示すように、半導体ウェーハW2を裏返し、粘着層10を介して支持基板11に半導体ウェーハW2の表面を貼着して一体とし、所定時間ベーキングして図15に示す状態とする(支持基板一体化工程)。
【0036】
そして、例えば図5に示した研削装置20のチャックテーブル27に支持基板11と一体となった半導体ウェーハW2を載置し、研削手段25を用いて半導体ウェーハW2の裏面を研削し、半導体ウェーハW2の裏面に溝60を表出させると、図16に示すように、全体として半導体ウェーハW2の外形を維持したままの状態で個々の半導体チップCに分割される(研削工程)。
【0037】
このようにして研削工程が行われた後は、図17に示すように、支持基板11と一体となった半導体ウェーハW1の表裏を反転させ、外周にフレーム41が貼着されたテープ40の粘着面に半導体ウェーハW2の裏面を貼着する(テープ貼着工程)。
【0038】
次に、図18に示すように、支持基板11の上方から光を照射する。支持基板11は、光を透過させるガラス、プラスチック板等で形成されているため、照射された光は支持基板11を透過して粘着層10に到達する。
【0039】
粘着層10は、キノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により構成されるため、光が支持基板11側から入射して半導体ウェーハW2側に進むと、粘着層10のうち、支持基板10に近い方の側から徐々に硬化していき、図19に示すように、発泡体が半導体ウェーハW2側に集中し、粘着層10と半導体ウェーハW2との間に隙間が形成されて粘着力が低下する。
【0040】
このようにして粘着力が低下した後に、図20に示すように、支持基板11を持ち上げると、粘着層10の粘着力が低下しているため、支持基板11を半導体ウェーハW2から容易に剥離させることができ、個々の半導体チップCを損傷させるおそれもない。こうして支持基板11を離脱させると、すべての半導体チップCは半導体ウェーハW2の外形を維持したままテープ40に貼着されるため、テープ40及びフレーム41に支持される(貼り替え工程)。
【0041】
このように、貼り替え工程においては、光の照射により粘着層10の粘着力を低下させてから支持基板11を離脱させることにより、研削により薄くなった半導体ウェーハでも損傷させることなく容易にテープ40に貼り替えることができる。そして、この状態から、テープ40に貼着された半導体チップCを個々にピックアップすることができる。なお、粘着層10への光の照射は、テープ貼着工程の前に行うこともできる。
【0042】
上記の実施の形態においては、研削工程の後にテープ貼着工程及び貼り替え工程を遂行してから半導体チップCをピックアップすることとしたが、テープ貼着工程及び貼り替え工程を遂行せずに半導体チップCをピックアップすることもできる。この場合は、図21に示すように、支持基板11に紫外線を照射して粘着層10の粘着力を低下させることで、半導体チップCを支持基板11から円滑にピックアップすることができる。
【0043】
半導体ウェーハW1、W2を研削する場合は、最終的に形成される半導体チップCを所望の厚さとするために、半導体ウェーハW1、W2の厚さを計測する必要がある。
【0044】
そこで、図22に示すように、支持基板11aの外形を半導体ウェーハW1(W2)の外形より大きく形成しておき、支持基板11aに支持された半導体ウェーハW1(W2)を図5に示した研削装置20のチャックテーブル27において保持し、図23に示すように、支持基板11aの表面に触針70を接触させると共に半導体ウェーハW1(W2)の裏面に触針71を接触させる。
【0045】
触針70と触針71とは、その高さの違いに基づき半導体ウェーハW1(W2)の厚さを求めることができる厚さ測定器72を構成しており、支持基板11aを半導体ウェーハW1(W2)より大きく形成しておくことで、このようにして随時半導体ウェーハW1(W2)の厚さを計測することができるため、半導体ウェーハW1(W2)の厚さを計測しながら研削工程を遂行すると、最終的な半導体チップCの厚さを正確に管理することができる。
【0046】
なお、以上の説明においては、回転ブレードを用いて半導体ウェーハのストリートを切削することにより個々の半導体チップに分割したり溝を形成したりする場合を例に挙げて説明したが、半導体チップへの分割や溝の形成にはレーザー光を用いることもでき、本発明は、回転ブレードを用いたダイシング装置及びレーザー光を用いたダイシング装置のいずれにも適用することができる。
【0047】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体チップの製造方法においては、剛性の高い支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハを貼着し、その状態で研削を行って半導体ウェーハを所望の厚さとし、その後に支持基板に光を照射して粘着層の粘着力を低下させて半導体ウェーハまたは半導体チップを支持基板から離脱させるようにしたので、薄くなった半導体ウェーハや半導体チップでも損傷させることなく容易に離脱させることができ、より安全かつ確実に半導体チップを製造することができる。
【0048】
特に、粘着層が液状樹脂であり、その液状樹脂が紫外線を受けることにより発泡して粘着力が低下するキノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により形成される場合は、支持基板に紫外線を照射することにより、半導体ウェーハまたは半導体チップと粘着層との間に発泡体が集中して隙間が形成されるため、より容易かつ安全に支持基板から離脱させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図2】同半導体ウェーハの表面に液状樹脂をスピンコートする様子を示す斜視図である。
【図3】同半導体ウェーハを粘着層を介して支持基板と一体化する様子を示す斜視図である。
【図4】同半導体ウェーハと支持基板とが粘着層を介して一体化された状態を示す斜視図である。
【図5】本発明の実施に用いる研削装置の一例を示す斜視図である。
【図6】支持基板と一体となった研削後の半導体ウェーハをテープに貼着する様子を示す斜視図である。
【図7】同支持基板に紫外線を照射する様子を示す斜視図である。
【図8】紫外線の照射により粘着層が発泡した状態を示す断面図である。
【図9】支持基板を半導体ウェーハから取り外す様子を示す斜視図である。
【図10】半導体ウェーハのダイシングに用いるダイシング装置の一例を示す斜視図である。
【図11】ダイシング後の半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図12】表面に溝が形成された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図13】同表面に溝が形成された半導体ウェーハを示す正面図である。
【図14】同表面に溝が形成された半導体ウェーハを粘着層を介して支持基板と一体化する様子を示す斜視図である。
【図15】同半導体ウェーハと支持基板とが粘着層を介して一体化された状態を示す斜視図である。
【図16】裏面の研削により溝が表出した半導体ウェーハが支持基板に支持された状態を示す斜視図である。
【図17】同半導体ウェーハをテープに貼着する様子を示す斜視図である。
【図18】支持基板に紫外線を照射する様子を示す斜視図である。
【図19】紫外線の照射により粘着層が発泡した状態を示す断面図である。
【図20】支持基板を半導体ウェーハから取り外す様子を示す斜視図である。
【図21】同支持基板に紫外線を照射して半導体チップをピックアップ可能とする様子を示す斜視図である。
【図22】半導体ウェーハの外形より大きい支持基板を用いて半導体ウェーハを支持する様子を示す斜視図である。
【図23】厚さ測定器を用いて支持基板に支持された半導体ウェーハの厚さを計測する様子を示す正面図である。
【符号の説明】
1…スピンナーコーティング装置 2…保持テーブル
3…滴下部 5…液状樹脂
10…粘着層 11、11a…支持基板
20…研削装置 21…基台 22…壁部
23…レール 24…支持部 25…研削手段
26…ターンテーブル 27…チャックテーブル
28…スピンドル 29…マウンタ
30…研削ホイール 31…研削砥石
40…テープ 41…フレーム 42…発泡体
50…ダイシング装置 51…カセット
52…搬出入手段 53…仮置き領域
54…第一の搬送手段 55…チャックテーブル
56…アライメント手段 57…回転ブレード
60…溝 70,71…触針 72…厚さ測定器
W1、W2…半導体ウェーハ S…ストリート
C…半導体チップ

Claims (10)

  1. ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、
    光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハの表面を貼着し、該半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、
    該支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置して該半導体ウェーハの裏面を研削する研削工程と、
    該研削工程後の支持基板と一体となっている半導体ウェーハの裏面にテープを貼着すると共に該テープの外周をフレームで支持するテープ貼着工程と、
    該テープ貼着工程の前または後に該支持基板側から前記粘着層に対して光を照射して該粘着層の粘着力を低下させ、該テープ貼着工程の後に該半導体ウェーハの表面から該支持基板と粘着層とを取り外して該半導体ウェーハをテープ及びフレームに支持させる貼り替え工程と、
    該テープ及びフレームに支持された半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートを切断して個々の半導体チップに分割するダイシング工程と
    を含む半導体チップの製造方法。
  2. ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、
    半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートの表面に溝を形成する溝形成工程と、
    光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて該半導体ウェーハの表面を貼着し、該半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、
    該支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し、前記溝が表出するまで該半導体ウェーハの裏面を研削して個々の半導体チップに分割する研削工程と、
    該研削工程後の支持基板と一体になり半導体ウェーハの外形を維持した状態の半導体チップの裏面にテープを貼着すると共に該テープの外周をフレームで支持するテープ貼着工程と、
    該テープ貼着工程の前または後に該支持基板側から前記粘着層に対して光を照射して該粘着層の粘着力を低下させ、該テープ貼着工程の後に該半導体ウェーハの表面から該支持基板と粘着層とを取り外して該半導体ウェーハをテープ及びフレームに支持させる貼り替え工程と
    を含む半導体チップの製造方法。
  3. ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、
    半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートの表面に溝を形成する溝形成工程と、
    光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて該半導体ウェーハの表面を貼着し、該半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、
    該支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し、前記溝が表出するまで該半導体ウェーハの裏面を研削して個々の半導体チップに分割する研削工程と、
    該支持基板側から光を照射して該粘着層の粘着力を低下させ、半導体チップを該支持基板と該粘着層とから取り外す半導体チップ離脱工程と
    を含む半導体チップの製造方法。
  4. 半導体ウェーハの外形より大きい外形を有する支持基板を使用して支持基板一体化工程を遂行し、半導体ウェーハの研削面と支持基板の表面とに厚さ測定器の触針をそれぞれ接触させて半導体ウェーハの厚さを計測しながら研削工程を遂行する請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
  5. 粘着層は液状樹脂であり、該液状樹脂は紫外線を受けることにより発泡して粘着力が低下するキノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により形成され、
    支持基板一体化工程を遂行する際、支持基板または半導体ウェーハの表面に、該液状樹脂がコーティングされる請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
  6. キノンジアジド系化合物は、トリまたはテトラヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノンと、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸、またはそれらのスルホン酸クロライド等、あるいは1,2−キノンジアジドスルホン酸またはそのスルホン酸クロライド等から選ばれる少なくとも1種のスルホン酸素化合物とを反応させて得られるキノンジアジドスルホン酸エステルであることを特徴とする請求項5に記載の半導体チップの製造方法。
  7. 該樹脂は、アクリル、ウレタン、ポリエステル、ノボラックフェノールとその誘導体、ポリビニルフェノールとその誘導体、シリコーンとその誘導体から選ばれる少なくとも1種の樹脂に重合性不飽和基を導入したものである請求項5または6に記載の半導体チップの製造方法。
  8. 液状樹脂の粘度は10〜100000mPa・sである請求項7に記載の半導体チップの製造方法。
  9. 支持基板一体化工程において、液状樹脂は支持基板または半導体ウェーハの表面に滴下され、100〜8000rpmで5秒以上の回転の下でスピンコーティングされ、その後、半導体ウェーハと支持基板とは該液状樹脂を介して一体にされ、50〜150°Cで30秒〜20分間ベーキングされる請求項5乃至8のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
  10. 支持基板は透明なガラスまたはプラスチック板で形成され、厚みは0.5〜2.5mmである請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
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