KR20130011945A - 가공 방법 - Google Patents

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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은, 바이트를 이용하여 보호 테이프를 절삭하는 경우에, 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼 상에 잔존하는 것을 방지하는 것을 그 과제로 한다.
본 발명의 가공 방법은, 피가공물(1)에 보호 테이프(7)를 점착하는 보호 테이프 점착 단계와, 점착 단계를 실시한 후, 보호 테이프(7)가 노출되도록 피가공물을 유지 테이블(21)에 유지하는 유지 단계와, 유지 단계를 실시한 후, 회전하는 바이트 휠(35)을 소정 높이에 위치시키고 유지 테이블(21)과 바이트 휠(35)을 상대 이동시킴으로써, 피가공물(1)에 점착된 보호 테이프(7)를 바이트 휠(35)로 절삭하여 평탄화하는 평탄화 단계를 포함하고, 평탄화 단계에서는 바이트 휠(35)의 회전 속도를 주속 1914 m/min 이상으로 설정하여, 실 형상의 보호 테이프 부스러기가 피가공물 상에 잔존하는 것을 방지한다.

Description

가공 방법{MACHINING METHOD}
본 발명은 피가공물에 점착된 보호 테이프를 바이트 휠로 절삭하여 평탄화하는 가공 방법에 관한 것이다.
웨이퍼 등의 피가공물의 이면 연삭에 있어서는, 웨이퍼의 표면의 손상 등을 막기 위해, 웨이퍼 표면에 보호 테이프가 점착된다. 보호 테이프로서는, 예컨대 하기 특허문헌 1에 기재된 것을 사용할 수 있다.
그러나, 보호 테이프를 범프라고 불리는 복수의 돌기형의 접속 전극이 형성된 웨이퍼 표면에 점착한 경우는, 보호 테이프의 표면은, 범프를 따라 울퉁불퉁해져 버리는 경우가 있다. 따라서, 이 상태 그대로 웨이퍼의 표면을 유지하여 이면을 연삭하면, 연삭 후의 웨이퍼는, 평탄도가 현저하게 낮아진다고 하는 문제가 있다. 그래서, 본 출원인은, 이 문제를 해결하기 위해, 하기 특허문헌 2에서 제안되는 바이트 절삭 장치로 보호 테이프를 절삭하여 평탄화한 후, 웨이퍼의 이면을 연삭함으로써, 웨이퍼를 평탄도 좋게 박화(薄化)하는 방법을 발견하였다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 평성05-1985423호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2005-333067호 공보
그런데, 보호 테이프를 바이트 절삭 장치로 절삭하면, 실 형상의 보호 테이프 부스러기가 발생하고, 발생한 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼 표면에 점착된 보호 테이프 상에 잔존하며, 웨이퍼 이면측으로 돌아 들어가 부착되는 경우도 있어, 해당 웨이퍼를 세정하여도 보호 테이프 부스러기의 제거는 어렵다. 이와 같이, 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼에 부착된 상태에서는, 예컨대 웨이퍼의 핸들링 시에 장치의 반송부에 부착되어 웨이퍼의 반송 불량을 발생시키는 등의 문제가 야기되고, 심지어 웨이퍼 자체도 파손시켜 버릴 우려가 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 보호 테이프를 바이트 절삭 장치로 절삭하는 경우에 있어서, 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼 상에 잔존하는 것을 방지하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은, 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과, 상기 유지면과 평행한 면에서 회전하여 상기 유지 테이블에 유지된 피가공물을 절삭하는 바이트 휠과, 상기 유지 테이블과 회전하는 상기 바이트 휠을 상대 이동시키는 이동 수단을 구비한 바이트 절삭 장치를 이용하여 피가공물에 점착된 보호 테이프를 평탄화하는 가공 방법으로서, 피가공물에 보호 테이프를 점착하는 보호 테이프 점착 단계와, 상기 보호 테이프 점착 단계를 실시한 후, 상기 보호 테이프가 노출되도록 피가공물을 상기 유지 테이블에 유지하는 유지 단계와, 상기 유지 단계를 실시한 후, 회전하는 상기 바이트 휠을 소정 높이에 위치시키고 상기 이동 수단으로 상기 유지 테이블과 상기 바이트 휠을 상대 이동시킴으로써, 피가공물에 점착된 상기 보호 테이프를 상기 바이트 휠로 절삭하여 평탄화하는 평탄화 단계를 포함하고, 상기 평탄화 단계에서는 상기 바이트 휠의 회전 속도는 주속(周速) 1914 m/min 이상으로 설정되는 것을 특징으로 하는 가공 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 상기 가공 방법에 있어서 상기 평탄화 단계를 실시한 후, 상기 보호 테이프측을 유지 테이블에 유지하여 피가공물을 노출된 상태로 하고, 노출된 피가공물을 연삭 휠로 연삭하여 소정의 두께로 박화하는 박화 단계를 더 포함할 수도 있다.
본 발명에 따른 가공 방법에서는, 보호 테이프 상면을 바이트 휠의 회전 속도를 주속 1914 m/min 이상으로 설정하고 절삭함으로써, 실 형상의 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼 상에 잔존하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼 이면측으로 돌아 들어가 부착되는 일이 없어, 웨이퍼의 반송 불량을 발생시키거나, 웨이퍼를 파손시키거나 하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 바이트 휠의 회전 속도를 주속 1914 m/min으로 하여 보호 테이프의 평탄화를 행한 후, 보호 테이프측을 유지 테이블에 유지하여 피가공물의 노출면을 연삭하면, 보호 테이프가 평탄화되어 있기 때문에, 피가공물의 노출면도 평탄화시킬 수 있다.
도 1은 바이트 절삭 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 이동 수단을 나타내는 사시도이다.
도 3은 피가공물의 일례인 웨이퍼를 나타내는 평면도이다.
도 4는 절삭 가공 전의 웨이퍼를 나타내는 확대 정면도이다.
도 5는 보호 테이프 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 6은 웨이퍼에 보호 테이프가 점착되어 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 7은 웨이퍼에 보호 테이프가 점착되어 있는 상태를 나타내는 확대 단면도이다.
도 8은 유지 단계를 나타내는 정면도이다.
도 9는 평탄화 단계를 나타내는 정면도이다.
도 10은 절삭 가공 후의 웨이퍼를 나타내는 확대 단면도이다.
도 11은 박화 단계를 나타내는 사시도이다.
도 1에 나타내는 바이트 절삭 장치(10)는, 피가공물이 유지 수단(20)에 유지되고, 그 피가공물에 대하여 절삭 수단(30)에 의해 절삭 가공을 실시하는 장치이며, Y축 방향으로 연장되는 직육면체 형상의 베이스(11)와, 상기 베이스(11)의 상면의 일단에 세워져 있는 직립 베이스(12)를 구비하고 있다. 베이스(11)의 상면 전방부에는, 절삭 가공 전의 피가공물을 수용하기 위한 공급 카세트(13)와, 절삭 가공 후의 피가공물을 수용하기 위한 회수 카세트(19)를 구비하고 있다.
공급 카세트(13) 및 회수 카세트(19)의 근방에는, 공급 카세트(13)로부터의 피가공물의 반출 및 회수 카세트(19)에의 피가공물의 반입을 행하는 반송 로봇(14)이 배치되어 있다. 반송 로봇(14)은, 굴곡 가능한 아암(14a)과, 아암(14a)의 선단부에 마련된 핸드(14b)를 구비하고, 공급 카세트(13) 및 회수 카세트(19)에 핸드(14b)가 이르도록 반송 로봇(14)이 설치되어 있다. 또한, 핸드(14b)의 가동 범위에는, 절삭 가공 후의 피가공물을 세정하는 세정 장치(18)가 배치되어 있다.
핸드(14b)의 가동 범위에는, 반송 로봇(14)에 의해 공급 카세트(13)로부터 반출된 피가공물을 소정 위치에 위치 맞춤하는 위치 결정 수단(15)이 배치되어 있다. 위치 결정 수단(15)은, 원호 상에 배치되며 직경 방향으로 이동 가능한 위치 결정 핀(15a)을 복수 구비하고 있다.
유지 수단(20)은, 유지 수단(20)에 대한 피가공물의 착탈이 행해지는 영역인 착탈 영역(P1)과, 피가공물의 실제 가공이 행해지는 영역인 절삭 영역(P2)의 사이에서 Y축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 유지 수단(20)의 착탈 영역(P1)과 절삭 영역(P2) 사이의 이동은, 도 2에 나타내는 이동 수단(50)에 의해 제어된다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 유지 수단(20)은, 피가공물을 유지하는 유지면(22)을 갖는 유지 테이블(21)과, 유지 테이블(21)의 하부에 부착된 축부(23)와, 축부(23)를 통하여 유지 테이블을 지지하는 지지 베이스(24)를 구비한다. 또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 유지 수단(20)은, 유지 테이블(21)을 상하로 승강시킬 수 있는 승강 구동부(25)를 구비하고 있어도 좋다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 이동 수단(50)은, Y축 방향으로 연장되는 볼 스크류(54)와, 볼 스크류(54)와 평행하게 배치된 한 쌍의 가이드 레일(55)과, 볼 스크류(54)의 일단에 접속된 모터(56)와, 볼 스크류(54)의 타단에 접속된 볼 스크류 받이 부재(57)와, 내부의 너트 구조가 볼 스크류(54)에 나사 결합하며 하부가 가이드 레일(55)에 미끄럼 접촉하는 이동 베이스(51)를 구비하고 있다. 이와 같이 구성되는 이동 수단(50)에 있어서는, 모터(56)에 의해 구동되어 볼 스크류(54)가 회전함으로써, 이동 베이스(51)가 가이드 레일(55)에 의해 가이드되어 Y축 방향으로 이동하는 구성으로 되어 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 이동 수단(50)을 구성하는 이동 베이스(51)의 이동 경로에는, 벨로우즈 형상의 커버(52)가 깔려 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 위치 결정 수단(15)과 착탈 영역(P1)의 사이에는, 위치 결정 수단(15)으로부터 착탈 영역(P1)에 위치하는 유지 수단(20)으로 피가공물을 반송하는 제1 반송 수단(16)이 배치되어 있다. 또한, 세정 수단(18)과 착탈 영역(P1)의 사이에는, 착탈 영역(P1)에 위치하는 유지 수단(20)으로부터 세정 수단(18)으로 피가공물을 반송하는 제2 반송 수단(17)이 배치되어 있다. 제1 반송 수단(16) 및 제2 반송 수단(17)은, 피가공물을 흡착하는 흡착 패드(16a, 17a)를 각각 구비하고 있다.
도 1에 나타내는 절삭 수단(30)은, Z축 방향으로 연장되는 스핀들 하우징(31)과, 스핀들 하우징(31)을 유지하는 유지구(32)와, 스핀들 하우징(31)에 회전 가능하게 지지된 스핀들(34)과, 스핀들(34)의 상단에 연결된 서보 모터(33)와, 스핀들(34)의 하부에 부착된 바이트 휠(35)과, 바이트 휠(35)에 착탈 가능하게 장착된 바이트(36)를 구비한다. 바이트 휠(35)은, 유지 테이블(21)의 유지면(22)과 평행인 면 상에서 회전할 수 있다. 도시하고 있지 않지만, 바이트 휠(35)의 하부에는 절삭수를 유출시키는 유출부가 형성되어 있다.
절삭 수단(30)은, 직립 베이스(12)의 측부에 있어서 이송 수단(40)을 통하여 지지되어 있다. 이송 수단(40)은, Z축 방향으로 연장되는 볼 스크류(41)와, 볼 스크류(41)와 평행하게 배치된 한 쌍의 가이드 레일(42)과, 볼 스크류(41)의 일단에 접속된 모터(43)와, 볼 스크류(41)의 타단에 접속된 볼 스크류 받이 부재(46)와, 바이트(36)의 높이 위치를 제어하기 위한 승강 베이스(44)와, 유지구(32)를 통하여 절삭 수단(30)을 지지하는 지지 부재(45)를 구비하고 있다. 승강 베이스(44)의 한쪽의 면에는, 한 쌍의 가이드 레일(42)이 미끄럼 접촉하며, 중앙 부분에 도시하지 않는 너트 구조가 형성되어 있고, 이 너트 구조에 볼 스크류(41)가 나사 결합하고 있다. 그리고, 모터(43)에 의해 회전 구동된 볼 스크류(41)가 회전함으로써, 승강 베이스(44)가 가이드 레일(42)에 의해 가이드되어 Z축 방향으로 이동하고, 이와 함께 절삭 수단(30)을 Z축 방향으로 승강시킬 수 있다.
이하에 있어서는, 도 1에 나타내는 바이트 절삭 장치(10)를 이용한 가공 방법의 일례에 대해서 설명한다.
도 3에 나타내는 웨이퍼(1)는, 그 표면(2a)에, 격자형으로 형성된 스트리트(4)에 의해 복수의 디바이스(3)가 구획되어 있다. 또한, 웨이퍼(1)의 외주의 일단부에는, 결정 방위를 식별하기 위한 마크인 노치(6)가 형성되어 있다. 디바이스(3)의 표면에는, 부분 확대도로 나타내는 바와 같이, 복수의 돌기형의 전극인 범프(5)가 형성되어 있다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 범프(5)는, 표면(2a)으로부터 돌출되도록 형성되어 있고, 범프(5)의 높이가 각각 불균일하게 되어 있는 경우가 있다. 범프의 표면(2a)으로부터의 돌출량은, 예컨대 50~100 ㎛ 정도이다.
(1) 보호 테이프 점착 단계
웨이퍼(1)의 표면에는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 보호 테이프(7)가 점착된다. 이 보호 테이프(7)는, 기재층(8)과 접착제층(9)으로 구성되고, 기재층(8)의 하면측에 접착제층(9)이 형성되어 있다. 기재층(8)은 폴리올레핀 기재, 염화비닐 기재, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 기재 등으로 이루어지고, 100~300 ㎛ 정도의 두께를 갖는다. 한편, 접착제층(9)은, 고무 소재, 아크릴 소재 등으로 이루어지며, 5~100 ㎛ 정도의 두께를 갖는다.
웨이퍼(1)에 대하여 보호 테이프(7)를 점착할 때에는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 보호 테이프(7)의 접착제층(9)측을 웨이퍼(1)의 표면(2a)측을 향하여 화살표 B 방향으로 하강시키고, 웨이퍼(1)에 접착제층(9)을 붙인다. 그렇게 하면, 도 6에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 보호 테이프(7)가 점착되어, 웨이퍼(1)와 보호 테이프(7)가 일체로 된 상태가 된다. 웨이퍼(1)에 보호 테이프(7)가 점착되면, 도 4에 나타낸 범프(5)가 접착제층(9)에 완전히 파묻히지 않는 한은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 범프(5)의 돌출분만큼 보호 테이프(7)의 기재층(8)의 표면에 볼록부(8a)가 부풀어 올라, 보호 테이프(7)는 요철 형상이 된다. 이와 같이 하여 표면(2a)에 보호 테이프(7)가 점착된 웨이퍼(1)는, 도 1에 나타낸 공급 카세트(13)에 복수 수용된다.
(2) 유지 단계
보호 테이프 점착 단계가 실시된 후, 보호 테이프(7)가 점착된 웨이퍼(1)는, 반송 로봇(14)에 의해 공급 카세트(13)로부터 반출되어 위치 결정 수단(15)에 반송되고, 위치 결정 핀(15a)이 서로가 근접하는 방향으로 이동함으로써 웨이퍼(1)가 일정 위치에 위치 결정된 후, 제1 반송 수단(16)에 의해 착탈 위치(P1)에 대기하는 유지 테이블(21)의 상방으로 이동한다. 그리고, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 이면(2b)측을 유지 테이블(21)의 유지면(22)을 향하여, 화살표 C 방향으로 하강시켜, 웨이퍼(1)를 유지 테이블(21)에 배치하고, 도시하지 않는 흡인원으로부터 발생하는 흡인력에 의해, 웨이퍼(1)의 이면(2b)측을 유지면(22)에 흡착시킨다. 그 결과, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)는, 웨이퍼(1)에 점착된 보호 테이프(7)의 기재층(8)측이 상방으로 노출된 상태로 유지된다.
(3) 평탄화 단계
유지 단계를 실시한 후는, 도 1에 나타내는 유지 수단(20)을 이동 수단(50)에 의해 Y축 방향의 화살표 A1 방향으로 이동시키고, 유지 테이블(21)을 절삭 영역(P2)에 위치시킨다. 구체적으로는, 도 2에 나타내는 이동 수단(50)의 모터(56)가 구동을 개시하고, 모터(56)에 의해 회전 구동된 볼 스크류(54)가 회전함으로써, 이동 베이스(51)가 가이드 레일(55)에 의해 가이드되어 Y축 방향으로 이동하며, 이와 함께 유지 수단 테이블(21)을 Y축 방향으로 이동시켜, 절삭 영역(P2)에 도달시킨다.
한편, 절삭 수단(30)의 바이트 휠(35)도 보호 테이프(7)를 절삭할 수 있는 소정 높이 위치에 위치시킨다. 구체적으로는, 도 1에 나타내는 이송 수단(40)의 모터(43)에 의해 회전 구동된 볼 스크류(41)가 회전함으로써, 승강 베이스(44)가 가이드 레일(42)에 의해 가이드되어 Z축 방향으로 이동하고, 이와 함께 바이트 휠(35)을 Z축 방향으로 이동시켜, 바이트(36)를 소정 높이 위치에 위치시킨다.
그리고, 도 9에 나타내는 바와 같이, 바이트 휠(35)을 회전시키면서, 도 2에 나타낸 이동 수단(50)에 의해 유지 테이블(21)을 화살표 A1 방향으로 이동시켜 유지 테이블(21)과 회전하는 바이트 휠(35)을 Y축 방향으로 상대 이동시키고, 유지 테이블(21)의 유지면(22)과 평행한 방향으로 원 운동하는 바이트(36)를 보호 테이프(7)의 기재층(8)에 절입시켜 절삭한다. 이때, 예컨대 기재층(8)의 두께의 절반 정도가 제거되도록 절삭을 행한다. 절삭 동안은, 바이트(36)와 기재층(8)의 접촉부에 절삭수를 공급한다. 이와 같이 하여 절삭을 행하면, 도 7에 나타낸 볼록부(8a)가 깎여, 기재층(8)의 표면이 평탄화된다. 기재층(8)의 당초의 두께가 300 ㎛인 경우에는, 그 절반인 150 ㎛ 정도 깎는다. 그 결과, 도 7에 나타낸 볼록부(8a)가 깎여, 도 10에 나타내는 바와 같이, 평탄화된다. 또한, 바이트 휠(35)의 직경은, 8인치가 바람직하고, 바이트 휠(35)의 회전 속도는, 예컨대 3000[RPM](주속 1914[m/min]) 이상으로 설정되는 것이 바람직하다.
절삭 시에는, 실 형상의 보호 테이프 부스러기가 발생하지만, 바이트 휠(35)의 주속을 1914 m/min 이상으로 하면, 보호 테이프 부스러기가 보호 테이프(7) 상에 잔존하지 않으며, 도 10에 나타내는 바와 같이 보호 테이프(7)의 높이를 맞출 수 있다.
이렇게 하여 보호 테이프(7)의 절삭이 종료되면, 유지 수단(20)이 도 1에 나타내는 화살표 A2 방향으로 이동하여, 착탈 영역(P1)으로 되돌아간다. 그리고, 보호 테이프(7)가 점착된 웨이퍼(1)는, 제2 반송 수단(17)의 흡착 패드(17a)에 흡착되어 세정 수단(18)에 반송되고, 세정 및 건조가 행해진 후, 반송 로봇(14)의 핸드(14b)에 유지되어 회수 카세트(19)에 수용된다.
보호 테이프 부스러기가 보호 테이프(7) 상에 잔존하지 않음으로써, 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼(1)의 이면(2b)측으로 돌아 들어가는 일도 없어지기 때문에, 제2 반송 수단(17)의 흡착 패드(17a)나, 반송 로봇(14)의 핸드(14b)에 보호 테이프 부스러기가 부착되어 웨이퍼의 반송 불량을 발생시키는 일이 없어, 반송 불량에 기인하는 웨이퍼의 파손도 방지할 수 있다.
(4) 박화 단계
평탄화 단계에 의해 보호 테이프(7)의 평탄화를 실시한 후, 피가공물을 소정 두께로 박화한다. 피가공물의 박화에는, 예컨대 도 11에 나타내는 박화 장치(60)를 사용할 수 있다.
이 박화 장치(60)는, 피가공물을 유지하는 유지 테이블(60a)과, 유지 테이블(60a)에 유지된 피가공물을 연삭하는 연삭 수단(60b)을 구비하고 있다. 유지 테이블(60a)은, 그 표면에 피가공물을 유지하는 유지부(66)를 구비하고 있고, 회전 가능하게 되어 있다. 연삭 수단(60b)은, 수직 방향의 축심을 갖는 스핀들(61)과, 스핀들(61)의 하단에 마운트(63)를 통하여 장착된 연삭 휠(64)로 구성되다. 연삭 휠(64)은, 볼트(62)에 의해 마운트(63)에 고정된다. 연삭 휠(64)의 하부에는, 복수의 연삭 지석(65)이 환형으로 고착되어 있다. 또한, 연삭 휠(64)은, 스핀들(61)의 회전에 따라 회전하는 구성으로 되어 있다.
박화 장치(60)에서는, 유지 테이블(60a)에 있어서 웨이퍼(1)에 점착된 보호 테이프(7)측을 유지하여 웨이퍼(1)의 이면(2b)이 상방으로 노출된 상태로 한다. 그리고, 유지 테이블(60a)을 화살표 D 방향으로 회전시키고, 스핀들(61)을 화살표 E 방향으로 회전시키면서 연삭 수단(60b)을 하강시켜, 회전하는 연삭 지석(65)을 회전하는 웨이퍼(1)의 이면(2b)에 접촉시키고, 이면(2b)을 연삭하여, 웨이퍼(1)를 박화한다. 연삭 동안은, 연삭 지석(65)이 웨이퍼(1)의 회전 중심을 통과하도록 한다. 웨이퍼(1)가 원하는 두께로 박화된 시점에서 연삭 수단(60b)을 상승시켜 연삭을 종료한다.
평탄화 단계에서 보호 테이프(7)의 기재층(8)이 평탄화되며, 보호 테이프 부스러기가 보호 테이프(7) 상에 잔존하고 있지 않기 때문에, 박화 단계에서는, 평탄화된 기재층(8)측을 유지 테이블(60a)에서 유지하여 웨이퍼(1)의 이면(2b)을 연삭함으로써, 이면(2b)을 평탄하게 연삭할 수 있어, 웨이퍼의 쪼개짐 등을 방지할 수 있다.
[실시예 1]
도 1에 나타낸 바이트 절삭 장치(10)를 사용하고, 여러 가지 조건 하에서 보호 테이프(7)의 절삭을 행하여, 보호 테이프 부스러기의 잔존 상황을 육안으로 확인하였다. 조건은 이하의 (1)~(4)에 나타내는 바와 같다.
(1) 바이트 휠의 휠 직경: Φ 8인치
(2) 바이트 휠 회전 속도(회전 주속):
가. 2000 rpm(1276 m/min)
나. 2500 rpm(1595 m/min)
다. 3000 rpm(1914 m/min)
라. 3500 rpm(2233 m/min)
(3) 보호 테이프 기재:
가. 폴리올레핀 기재
나. 염화비닐 기재
다. PET 기재
(4) 이송 피치:
이송 피치 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 110, 120, 130, 140, 150, 160[㎛]로 각각 절삭을 행하였다. 이송 피치는, 바이트 휠(35)의 1회전당 유지 테이블(21)과 바이트 휠(35)의 Y방향 상대 이동 거리이다.
바이트 휠(35)의 회전 속도를 상기 가 [2000 rpm(1276 m/min)] 및 나 [2500 rpm(1595 m/min)]로 설정한 경우에는, 보호 테이프의 기재 및 이송 피치를 어떻게 하더라도, 웨이퍼 상에 실 형상의 보호 테이프 부스러기의 잔존이 확인되었다.
바이트 휠(35)의 회전 속도를 다 [3000 rpm(1914 m/min)] 및 라 [3500 rpm(2233 m/min)]로 설정하고, 이송 피치를 70 ㎛ 이하로 설정한 경우에서는, 보호 테이프 기재의 종류에 따라서는, 미소한 보호 테이프 부스러기의 잔존이 확인되었지만, 웨이퍼 자체를 파손시키거나, 웨이퍼의 반송 불량을 발생시키거나 하는 등의 문제에까지는 이르지 않는 것이 확인되었다.
바이트 휠(35)의 회전 속도를 다 [3000 rpm(1914 m/min)] 및 라 [3500 rpm(2233 m/min)]로 설정하고, 이송 피치를 80 ㎛ 이상으로 설정한 경우는, 어떤 보호 테이프 기재에서도, 웨이퍼 상에 보호 테이프 부스러기의 잔존은 확인되지 않았다.
이상의 실험 결과가 나타내는 바와 같이, 바이트 휠(35)이 높은 주속으로 회전함으로써, 바이트 휠(35)을 따라 도는 유체, 예컨대 공기나 절삭수의 압력이나 원심력에 의해 보호 테이프 부스러기가 피가공물 상으로부터 제거되기 쉬워지는 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 바이트 휠(35)의 회전 속도를 3500 rpm(주속 2233 m/min) 이상으로 하면, 보호 테이프 부스러기의 잔존을 더 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 이송 피치가 커지면, 바이트 절삭에 의해 발생하는 보호 테이프 부스러기가 커지기 때문에, 피가공물 상으로부터 제거되기 쉽다. 따라서, 이송 피치는, 80 ㎛ 이상으로 설정하는 것이 바람직하다. 한편, 이송 피치 160 ㎛에서는, 어떤 보호 테이프 기재, 어떤 회전수에 있어서도, 웨이퍼의 절삭면의 평탄도가 악화되었다. 따라서, 이송 피치는, 80 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하로 설정하는 것이 바람직하다.
1 : 웨이퍼 2a : 표면
2b : 이면 3 : 디바이스
4 : 스트리트 5 : 범프
6 : 노치 7 : 보호 테이프
8 : 기재층 9 : 접착제층
10 : 바이트 절삭 장치 11 : 베이스
12 : 직립 베이스 13 : 공급 카세트
14 : 피가공물 반송 로봇 14a : 아암
14b : 핸드
15 : 위치 결정 수단 15a : 위치 결정 핀
16 : 제1 반송 장치 16a : 흡착 패드
17 : 제2 반송 장치 17a : 흡착 패드
18 : 세정 장치 19 : 회수 카세트
20 : 유지 수단 21 : 유지 테이블
22 : 유지면 23 : 축부
24 : 지지 베이스 25 : 승강 구동부
30 : 절삭 수단 31 : 스핀들 하우징
32 : 유지구 33 : 서보 모터
34 : 스핀들 35 : 바이트 휠
36 : 바이트 40 : 이송 수단
41 : 볼 스크류 42 : 가이드 레일
43 : 모터 44 : 승강 베이스
45 : 지지 부재 46 : 볼 스크류 받이 부재
50 : 이동 수단 51 : 이동 베이스
52 : 커버 54 : 볼 스크류
55 : 가이드 레일 56 : 모터
57 : 볼 스크류 받이 부재 60 : 박화 장치
60a : 유지 테이블 60b : 연삭 수단
61 : 스핀들 62 : 볼트
63 : 마운트 64 : 연삭 휠
65 : 연삭 지석 66 : 유지부

Claims (2)

  1. 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과,
    상기 유지면과 평행한 면에서 회전하여 상기 유지 테이블에 유지된 피가공물을 절삭하는 바이트 휠과,
    상기 유지 테이블과 회전하는 상기 바이트 휠을 상대 이동시키는 이동 수단
    을 구비한 바이트 절삭 장치를 이용하여 피가공물에 점착된 보호 테이프를 평탄화하는 가공 방법으로서,
    피가공물에 보호 테이프를 점착하는 보호 테이프 점착 단계;
    상기 보호 테이프 점착 단계를 실시한 후, 상기 보호 테이프가 노출되도록 피가공물을 상기 유지 테이블에서 유지하는 유지 단계;
    상기 유지 단계를 실시한 후, 회전하는 상기 바이트 휠을 정해진 높이에 위치시키고 상기 이동 수단이 상기 유지 테이블과 상기 바이트 휠을 상대 이동시킴으로써, 피가공물에 점착된 상기 보호 테이프를 상기 바이트 휠로 절삭하여 평탄화하는 평탄화 단계
    를 포함하며, 상기 평탄화 단계에서는 상기 바이트 휠의 회전 속도는 주속(周速) 1914 m/min 이상으로 설정되는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 평탄화 단계를 실시한 후, 상기 보호 테이프측을 유지 테이블에 유지하여 피가공물을 노출된 상태로 하고, 노출된 피가공물을 연삭 휠로 연삭하여 정해진 두께로 박화하는 박화 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102005191B1 (ko) * 2018-05-03 2019-07-29 일윤주식회사 Led패키지용 형광층 평탄화 장치

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6125357B2 (ja) * 2013-07-08 2017-05-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2015041687A (ja) * 2013-08-21 2015-03-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN105448750A (zh) * 2014-08-28 2016-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制作方法和电子装置
KR101532591B1 (ko) * 2015-02-02 2015-06-30 에이피텍(주) 두께 정밀 가공이 가능한 반도체용 알루미늄 기판 평면 절삭 가공 장치
CN106206383A (zh) * 2016-09-05 2016-12-07 江苏纳沛斯半导体有限公司 薄膜形成方法和半导体结构
JP6720043B2 (ja) * 2016-10-05 2020-07-08 株式会社ディスコ 加工方法
JP6999322B2 (ja) * 2017-07-31 2022-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法
JPWO2022158485A1 (ko) * 2021-01-21 2022-07-28
CN113070803A (zh) * 2021-04-30 2021-07-06 天津亿众飞扬科技有限公司 一种半自动金属字面打磨抛光机

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4249827B2 (ja) * 1998-12-04 2009-04-08 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの製造方法
JP4465760B2 (ja) * 1999-12-14 2010-05-19 富士電機システムズ株式会社 縦型半導体装置の製造方法
US6908784B1 (en) * 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
JP2004311576A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP4261260B2 (ja) * 2003-06-26 2009-04-30 日東電工株式会社 半導体ウエハの研削方法および半導体ウエハ研削用粘着シート
JP4416108B2 (ja) * 2003-11-17 2010-02-17 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの製造方法
JP2008182015A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP2009004406A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の加工方法
JP2009043931A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの裏面研削方法
JP2009054920A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの加工方法
JP2011109067A (ja) * 2009-10-19 2011-06-02 Denso Corp 半導体装置の製造方法
JP5500942B2 (ja) * 2009-10-28 2014-05-21 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2011108746A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5877663B2 (ja) * 2011-07-07 2016-03-08 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102005191B1 (ko) * 2018-05-03 2019-07-29 일윤주식회사 Led패키지용 형광층 평탄화 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN102886829B (zh) 2016-05-11
CN102886829A (zh) 2013-01-23
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TWI534879B (zh) 2016-05-21
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JP2013026380A (ja) 2013-02-04

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