TWI637453B - Substrate processing system - Google Patents

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TWI637453B
TWI637453B TW105109854A TW105109854A TWI637453B TW I637453 B TWI637453 B TW I637453B TW 105109854 A TW105109854 A TW 105109854A TW 105109854 A TW105109854 A TW 105109854A TW I637453 B TWI637453 B TW I637453B
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天野嘉文
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

在處理表面朝上之基板和背面朝上之基板之雙方之情況下，可以抑制基板之表背之狀態管理的複雜化。
與實施型態有關的基板處理系統具備第1處理區塊、第2處理區塊和反轉機構。第1處理區塊包含在使基板之第1面朝上之狀態下進行基板之處理的第1處理單元，和對第1處理單元進行基板之搬入搬出的第1搬運裝置。第2處理區塊包含在使基板之與第1面相反側之面的第2面朝上之狀態下進行基板之處理的第2處理單元，和對第2處理單元進行基板之搬入搬出的第2搬運裝置。反轉機構被配置在基板從第1處理區塊朝第2處理區塊之搬運路徑之途中，使基板反轉。

Description

基板處理系統
揭示的實施型態係關於基板處理系統。
以往，在半導體裝置之製造工程中，對半導體晶圓等之基板施予蝕刻處理或洗淨處理或成膜處理之各種處理。
作為對基板進行的處理，有在使基板之表面朝上之狀態下進行的處理，和在使基板之背面朝上之狀態下進行的處理。因此，近年來，提案有具備對表面朝上之基板進行基板處理的處理單元，和對使背面朝上之基板進行基板處理的處理單元之雙方的基板處理系統。
例如，在專利文獻1中，揭示一種基板處理系統，具備在使基板之表面朝上之狀態下對基板之表面供給洗淨液的第1處理裝置，和在使基板之背面朝上之狀態下對基板之背面供給洗淨液的第2處理裝置，和使基板之表背反轉的基板反轉裝置，和朝第1處理裝置、第2處理裝置及基板反轉裝置存取而進行基板之搬入搬出的基板搬運裝置。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-21026號公報
但是，在專利文獻1所記載之基板處理系統中，由於表面朝上之基板和背面朝上之基板混合，故有基板之狀態管理複雜化之虞。
實施型態之一態樣之目的在於提供在處理表面朝上之基板和背面朝上之基板之雙方之情況下，可以抑制基板之表背之狀態管理的複雜化之基板處理系統。
與實施型態之一態樣有關的基板處理系統具備第1處理區塊、第2處理區塊和反轉機構。第1處理區塊包含在使基板之第1面朝上之狀態下進行基板之處理的第1處理單元，和對第1處理單元進行基板之搬入搬出的第1搬運裝置。第2處理區塊包含在使基板之與第1面相反側之面的第2面朝上之狀態下進行基板之處理的第2處理單元，和對第2處理單元進行基板之搬入搬出的第2搬運裝置。反轉機構被配置在基板從第1處理區塊朝第2處 理區塊之搬運路徑之途中，使基板反轉。
若藉由實施型態之一態樣時，在處理表面朝上之基板和背面朝上之基板之雙方之情況下，可以抑制基板之表背之狀態管理的複雜化。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入搬出區塊
3‧‧‧處理區塊
3U‧‧‧第1處理區塊
3L‧‧‧第2處理區塊
4‧‧‧收授區塊
5‧‧‧控制裝置
13‧‧‧主搬運裝置(CRA)
15a、15b‧‧‧轉移裝置(MPRA)
17‧‧‧第1搬運裝置(PRA1)
18‧‧‧第1處理單元(CH1)
27‧‧‧第2搬運裝置(PRA2)
28‧‧‧第2處理單元(CH2)
21U‧‧‧第1緩衝部(SBU1)
21L‧‧‧第2緩衝部(SBU2)
22U‧‧‧第1收授部(TRS1)
22L‧‧‧第2收授部(TRS2)
23a‧‧‧第1反轉機構(RVS1)
23b‧‧‧第2反轉機構(RVS2)
圖1為與第1實施型態有關之基板處理系統之示意俯視圖。
圖2為與第1實施型態有關之基板處理系統之示意側面圖。
圖3為第1處理單元之示意俯視圖。
圖4為第1處理單元之示意側面圖。
圖5為第2處理區塊之示意俯視圖。
圖6為第2處理單元之示意俯視圖。
圖7為第2處理單元之示意側面圖。
圖8為表示第1緩衝部之構成的圖示。
圖9為表示第1緩衝部之構成的圖示。
圖10為主搬運裝置、轉移裝置、第1搬運裝置及第2搬運裝置之配置圖。
圖11為第1搬運裝置所具備之晶圓保持部之示意俯視圖。
圖12為第2搬運裝置所具備之晶圓保持部之示意俯 視圖。
圖13為表示與第1實施型態有關之基板處理系統中之晶圓搬運流程之說明圖。
圖14為與第2實施型態有關之基板處理系統之示意俯視圖。
圖15為與第2實施型態有關之基板處理系統之示意側面圖。
圖16為與第2實施型態有關之基板處理系統中之晶圓搬運流程之說明圖。
圖17為與第3實施型態有關之基板處理系統之示意俯視圖。
圖18為與第3實施型態有關之基板處理系統中之晶圓搬運流程之說明圖。
圖19為與第4實施型態有關之第1處理單元之示意側面圖。
圖20為與第5實施型態有關之基板處理系統之示意俯視圖。
圖21為與第5實施型態有關之基板處理系統之示意側面圖。
圖22為與第5實施型態有關之第2處理單元之示意俯視圖。
圖23為與第5實施型態有關之收授區塊之示意背面圖。
圖24為緩衝部之示意俯視圖。
圖25為緩衝部之示意側面圖。
圖26為與第5實施型態有關之基板處理系統中之晶圓W之搬運流程之說明圖。
圖27為與第5實施型態有關之基板處理系統中之晶圓W之搬運流程之說明圖。
圖28為不進行表面洗淨處理之情況下的晶圓搬運流程之說明圖。
以下，參照附件圖面，詳細說明本案揭示的基板處理系統之實施型態。並且，並不藉由以下所示之實施型態限定該發明。
(第1實施型態)
[基板處理系統1之構成]
首先，針對與第1實施型態有關之基板處理系統1之構成，參照圖1及圖2進行說明。圖1為與第1實施型態有關之基板處理系統1之示意俯視圖。再者，圖2為與第1實施型態有關之基板處理系統1之示意側面圖。並且，在以下中，為了使位置關係明確，規定互相正交之X軸、Y軸及Z軸，將Z軸正方向設為垂直向上方向。
如圖1所示般，與第1實施型態有關之基板處理系統1具備搬入搬岀區塊2、處理區塊3和收授區塊4。該些係依搬入搬出區塊2、收授區塊4及處理區塊3 之順序排列配置。
基板處理系統1係將從搬入搬出區塊2被搬入之基板，在本實施型態中為半導體晶圓(以下，晶圓W)經由收授區塊4而搬運至處理區塊3，且在處理區塊3進行處理。再者，基板處理系統1係將處理後之晶圓W從處理區塊3經由收授區塊4而返回至搬入搬出區塊2，且從搬入搬出區塊2而排出至外部。以下，針對各區塊2~4之構成進行說明。
[搬入搬出區塊2之構成]
搬入搬出區塊2具備載置部11和搬運部12。在載體部11被載置以水平狀態收容複數片之晶圓W之複數卡匣C。
搬運部12與載置部11鄰接設置，在內部具備主搬運裝置13。主搬運裝置13係在載置部11和收授區塊4之間進行晶圓W之搬運。
[處理區塊3之構成]
如圖2所示般，處理區塊3具備第1處理區塊3U，和第2處理區塊3L。第1處理區塊3U和第2處理區塊3L藉由隔牆或快門等被空間性地區隔，排列配置在高度方向。在本實施型態中，第1處理區塊3U被設置在上段側，第2處理區塊3L被配置在下段側。
在第1處理區塊3U中，對使電路形成面(以 下，記載成「表面」)朝上之狀態之晶圓W進行處理。另外，在第2處理區塊3L中，對使與表面相反側之面的背面朝上之狀態的晶圓W，進行處理。針對該些第1處理區塊3U及第2處理區塊3L之構成進行說明。
[第1處理區塊3U之構成]
第1處理區塊3U如圖1所示般，具備搬運部16、第1搬運裝置17和複數第1處理單元18。第1搬運裝置17被設置在搬運部16之內部，複數第1處理單元18在搬運部16之外部與搬運部16鄰接配置。
第1搬運裝置17在收授區塊4和第1處理單元18之間進行晶圓W之搬運。具體而言，第1搬運裝置17進行從收授區塊4取岀晶圓W而搬運至第1處理單元18之處理，和從第1處理單元18取岀藉由第1處理單元18被處理之晶圓W而搬運至收授區塊4之處理。
第1處理單元18對表面朝上之狀態之晶圓W進行斜角洗淨處理。斜角洗淨處理係除去附著於不形成有電路之晶圓W之周緣部(斜角部)的微粒或晶舟痕等的處理。
接著，針對第1處理單元18之構成，參照圖3及圖4予以說明。圖3為第1處理單元18之示意俯視圖。再者，圖4為第1處理單元18之示意側面圖。
如圖3及圖4所示般，第1處理單元18具備第1腔室101、第1保持部102、第1回收杯103、斜角 洗淨部104和第1吐出部105(參照圖4)。
第1腔室101收容第1保持部102、第1回收杯103、斜角洗淨部104及第1吐出部105。在第1腔室101之頂棚部，於第1腔室101內設置形成下向流之FFU(Fun Filter Unit)111。
第1保持部102具備吸附保持晶圓W之吸附保持部121、支撐吸附保持部121之支柱構件122，和使支柱構件122旋轉之驅動部123。
吸附保持部121被連接於真空泵等之吸氣裝置(無圖示)，利用藉由如此之吸氣裝置之吸氣而產生之負壓而吸附晶圓W之背面而水平保持晶圓W。就以如此之吸附保持部121而言，可以使用例如多孔性夾頭。並且，吸附方式並不限定於上述例，即使例如使用靜電夾頭等之其他方式亦可。
吸附保持部121具有直徑較晶圓W小的吸附區域。依此，可以使後述之斜角洗淨部104之斜角凸緣141抵接於晶圓W之周緣部。
支柱構件122係被設置在吸附保持部121之下部，經軸承(無圖示)可旋轉地支撐於第1腔室101及第1回收杯103。驅動部123係被設置在支柱構件122之下部，使支柱構件122繞垂直軸旋轉。依此，被吸附保持於吸附保持部121之晶圓W旋轉。
第1回收杯103被配置成包圍第1保持部102。在第1回收杯103之底部形成有用以將從第1吐出 部105吐出的藥液排岀至第1腔室101之外部的排液口131，和用以排岀第1腔室101內之氛圍的排氣口132。
斜角洗淨部104具備斜角凸緣141、在水平方向(在此，Y軸方向)延伸，經傳動軸142從上方支撐斜角凸緣141之機械臂143，和使機械臂143沿著軌道144在水平方向(在此，為X軸方向)移動之移動機構145。移動機構145能夠使機械臂143也在垂直方向(Z軸方向)移動。
第1吐出部105被設置例如第1回收杯103之底部，經由閥151或流量調整器(無圖示)等而與藥液供給源152連接。如此之第1吐出部105係將從藥液供給源152被供給之藥液朝向晶圓W之背面周緣部吐岀。另外，作為從藥液供給源152被供給之藥液可以使用例如SC1(氨/過氧化氫/水之混合液)等。
第1處理單元18被構成上述般，在以吸附保持部121吸附保持表面朝上之晶圓W之背面的狀態下使晶圓W旋轉。而且，第1處理單元18係一面從第1吐出部105朝向旋轉之晶圓W之背面周緣部吐出藥液，一面使斜角洗淨部104之斜角凸緣141抵接於晶圓W之周緣部。如此一來，藉由組合藉由藥液之化學性洗淨，和藉由斜角凸緣141的物理性洗淨，可以提高微粒或晶舟痕等之除去性能。如此一來，第1處理單元18不進行對電路形成面供給藥液或物理性洗淨。再者，斜角洗淨處理亦可以適用於除去被形成在不形成電路的晶圓W之周緣部(斜角 部)的膜。
另外，第1處理單元18即使於斜角洗淨處理後，藉由從第1吐出部105供給純水等之沖洗液，進行沖洗殘存在晶圓W之周緣部之藥液的沖洗處理亦可。再者，第1處理單元18係於沖洗處理後，藉由使晶圓W旋轉，使晶圓W之周緣部乾燥。
[第2處理區塊3L之構成]
接著，針對第2處理區塊3L之構成，參照圖5予以說明。圖5為第2處理區塊3L之示意俯視圖。
如圖5所示般，第2處理區塊3L具備搬運部26、第2搬運裝置27和複數第2處理單元28。第2搬運裝置27被設置在搬運部26之內部，複數第2處理單元28在搬運部26之外部與搬運部26鄰接配置。
第2搬運裝置27在收授區塊4和第2處理單元28之間進行晶圓W之搬運。具體而言，第2搬運裝置27進行從收授區塊4取岀晶圓W而搬運至第2處理單元28之處理，和從第2處理單元28取岀藉由第2處理單元28被處理之晶圓W而搬運至收授區塊4之處理。
第2處理單元28係對使背面朝上之狀態的晶圓W，進行除去附著於晶圓W之背面之微粒等的背面洗淨處理。在此，針對第2處理單元28之構成，參照圖6及圖7予以說明。圖6為第2處理單元28之示意俯視圖。再者，圖7為第2處理單元28之示意側面圖。
如圖6及圖7所示般，第2處理單元28具備第2腔室201、第2保持部202、第2回收杯203、背面洗淨部204和第2吐出部205。
第2腔室201收容第2保持部202、第2回收杯203、背面洗淨部204及第2吐出部205。在第2腔室201之頂棚部，於第2腔室201內設置形成下向流之FFU211。
第2保持部202具備直徑大於晶圓W之本體部221、被設置在本體部221之上面的複數把持部222、支撐本體部221之支柱構件223，和使支撐構件223旋轉之驅動部224。
如此之第2保持部202係藉由使用複數把持部222把持晶圓W之周緣部而把持晶圓W。依此，晶圓W係在從本體部221之上面些微間隔開之狀態下被水平保持。
另外，在第2處理單元28中，對背面朝上方之狀態，換言之表面朝下之狀態的晶圓W，進行背面洗淨處理。因此，如第1保持部102(參照圖4)般，當在第2處理單元28使用吸附晶圓W之類型時，有作為電路形成面的表面被污染之虞。於是，在基板處理系統1中，為了不污染電路形成面，將把持晶圓W之周緣部的類型當作第2保持部202使用。
第2回收杯203被配置成包圍第2保持部202。在第2回收杯203之底部形成與第1回收杯103相 同之排液口231和排氣口232。
背面洗淨部204具備背面凸緣241、在水平方向(在此，Y軸方向)延伸，經傳動軸242從上方支撐背面凸緣241之機械臂243，和使機械臂243沿著軌道244在水平方向(在此，為X軸方向)移動之移動機構245。移動機構245能夠使機械臂243也在垂直方向(Z軸方向)移動。再者，背面洗淨部204具備無圖示之旋轉機構，可以使用如此之旋轉機構使背面凸緣241繞傳動軸242旋轉。
第2吐出部205被配置在第2回收杯203之外方。第2吐出部205具備：噴嘴251；和在水平方向延伸，且支撐噴嘴251之機械臂252；和使機械臂252旋轉及升降之旋轉升降機構253。
如圖7所示般，噴嘴251經由閥255或流量調整器(無圖示)等與洗淨液供給源256連接。如此之第2吐出部205係將從洗淨液供給源256被供給之洗淨液朝向晶圓W吐岀。另外，從洗淨液供給源256被供給的洗淨液為例如純水。另外，即使利用藥液(例如SC-1)以作為洗淨液亦可。
第2處理單元28被構成上述般，以第2保持部202保持背面朝上之晶圓W之周緣部且使旋轉。接著，第2處理單元28係使被配置在旋轉的晶圓W之上方的背面洗淨部204之背面凸緣241接觸於晶圓W。再者，第2處理單元28係從被配置在旋轉之晶圓W之上方的第2吐出部205朝向晶圓W吐出洗淨液。而且，第2處理單 元28係一面使背面凸緣241旋轉，一面例如從晶圓W之中心部移動至外周部。依此，附著於晶圓W之背面全面的微粒等被除去。
[收授區塊4之構成]
接著，針對收授區塊4進行說明。如圖1及圖2所示般，在收授區塊4之內部，配置複數轉移裝置15a、15b、第1緩衝部21U、第2緩衝部21L、第1收授部22U、第2收授部22L、第1反轉機構23a和第2反轉機構23b。
第1緩衝部21U、第2緩衝部21L、第1收授部22U、第2收授部22L、第1反轉機構23a及第2反轉機構23b被排列配置在高度方向。具體而言，從上依照第1收授部22U、第1緩衝部21U、第2緩衝部21L、第2收授部22L、第1反轉機構23a及第2反轉機構23b之順序而配置(參照圖2)。
轉移裝置15a、15b具備無圖示之升降機構，藉由使用如此之升降機構在垂直方向移動，對被排列配置在高度方向之第1收授部22U等進行晶圓W之搬入搬出。轉移裝置15a從第1收授部22U等之Y軸正方向側朝第1收授部22U等存取。再者，轉移裝置15b從第1收授部22U等之Y軸負方向側對第1收授部22U等存取。
第1緩衝部21U、第2緩衝部21L、第1收授部22U及第2收授部22L係能夠多段收容晶圓W的模 組。其中，第1緩衝部21U及第2緩衝部21L係藉由主搬運裝置13和轉移裝置15a、15b而被存取。
在此，針對第1緩衝部21U和第2緩衝部21L之構成，參照圖8及圖9進行說明。圖8及圖9為表示第1緩衝部21U之構成的圖示。另外，在圖8中雖然表示第1緩衝部21U之構成作為一例，但是第2緩衝部21L之構成也與第1緩衝部21U亦相同。
如圖8所示般，第1緩衝部21U具備基座部211、被豎立設置在基座部211上之3個支撐部212、213、214。3個支撐部212、213、214係以大約120度之間隔被配置在圓周方向，在前端分別保持晶圓W之外周部。再者，各支撐部212、213、214係沿著高度方向而設置複數個(例如，參照圖9所示之複數的支撐部212)。依此，第1緩衝部21U可以多段收容複數片晶圓W。
主搬運裝置13和轉移裝置15a分別從不同方向朝如此的第1緩衝部21U存取。具體而言，主搬運裝置13係從第1緩衝部21U之X軸負方向側通過支撐部212及支撐部214之間而進入至第1緩衝部21U內。再者，轉移裝置15a係從第1緩衝部21U之Y軸正方向側通過支撐部212及支撐部213之間而進入至第1緩衝部21U內。
第1緩衝部21U及第2緩衝部21L中之任一者皆被收容表面朝上之狀態的晶圓W。
第1搬運裝置17和轉移裝置15a、15b能夠朝第1收授部22U存取，收容從收授區塊4被搬入至第1 處理區塊3U之晶圓W或從第1處理區塊3U被搬岀至收授區塊4的晶圓W。在如此之第1收授部22U被收容表面朝上之狀態的晶圓W。如此之第1收授部22U被配置在第1搬運裝置17能夠存取之位置，具體而言，與第1處理區塊3U之搬運部16鄰接的位置。
第2搬運裝置27和轉移裝置15a、15b能夠朝第2收授部22L存取，收容從收授區塊4被搬入至第2處理區塊3L之晶圓W或從第2處理區塊3L被搬岀至收授區塊4的晶圓W。在如此之第2收授部22L被收容背面朝上之狀態的晶圓W。如此之第2收授部22L被配置在第2搬運裝置27能夠存取之位置，具體而言，與第2處理區塊3L之搬運部26鄰接的位置。
第1反轉機構23a及第2反轉機構23b使晶圓W之表背反轉。在本實施型態中，雖然設為第1反轉機構23a使表面朝上之晶圓W反轉，第2反轉機構23b使背面朝上之晶圓W反轉，但是針對第1反轉機構23a及第2反轉機構23b反轉哪一個表背狀態的晶圓W，並不限定於上述例。
如此一來，在與第1實施型態有關之基板處理系統1中，將對使表面朝上之晶圓W進行處理之第1處理單元18配置在第1處理區塊3U，且將對背面朝上之晶圓W進行處理之第2處理單元28配置在與第1處理區塊3U空間性地分隔的第2處理區塊3L。再者，在與第1實施型態有關之基板處理系統1中，將使晶圓W之表背 反轉之反轉機構23a、23b，配置在晶圓W從第1處理區塊3U朝第2處理區塊3L之搬運路徑的收授區塊4。
藉由構成如此，在第1處理區塊3U中，可以僅處理表面朝上之晶圓W，在第2處理區塊3L，可以僅處理背面朝上之晶圓W。即是，即使在第1處理區塊3U及第2處理區塊3L中之任一者，皆不會產生表面朝上之晶圓W和背面朝上之晶圓W混合之狀況。因此，若藉由與第1實施型態有關之基板處理系統1時，可以抑制晶圓W之表背之狀態管理的複雜化。
[控制裝置5之構成]
基板處理系統1具備控制裝置5(參照圖1)。控制裝置5為例如電腦，具備控制部51和記憶部52。在記憶部52儲存控制在基板處理系統1中被實行之各種處理的程式。控制部51係例如CPU(Central Processing Unit)，藉由讀出並實行被記憶於記憶部52之程式，控制基板處理系統1之動作。
並且，如此之程式被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體，即使為從其記憶媒體被安裝於控制裝置5之記憶部52者亦可。就以藉由電腦可讀取之記憶媒體而言，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。並且，控制部51即使不使用程式，僅由硬體構成亦可。
[搬運手段之構成]
接著，針對基板處理系統1具備的搬運手段即是主搬運裝置13、轉移裝置15a、15b、第1搬運裝置17及第2搬運裝置27之構成，參照圖10進行說明。圖10為主搬運裝置13、轉移裝置15a、15b、第1搬運裝置17及第2搬運裝置27之配置圖。
如圖10所示般，主搬運裝置13具備保持晶圓W之複數(在此為5個)之晶圓保持部130。主搬運裝置13能夠朝向水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心旋轉，可以使用晶圓保持部130而在卡匣C和第1緩衝部21U及第2緩衝部21L之間同時搬運複數片之晶圓W。
轉移裝置15a、15b如上述般，對圖2所示之第1緩衝部21U、第2緩衝部21L、第1收授部22U、第2收授部22L、第1反轉機構23a及第2反轉機構23b，進行晶圓W之搬入搬出。
第1搬運裝置17及第2搬運裝置27能夠朝向水平方向及垂直方向移動。第1搬運裝置17係使用晶圓保持部170在第1收授部22U和第1處理單元18之間進行晶圓W之搬運，第2搬運裝置27係使用晶圓保持部270在第2收授部22L和第2處理單元28之間進行晶圓W之搬運。
在此，針對第1搬運裝置17及第2搬運裝置27具備之晶圓保持部170、270之構成，參照圖11及圖 12進行說明。圖11為第1搬運裝置17所具備之晶圓保持部170之示意俯視圖。再者，圖12為第2搬運裝置27所具備之晶圓保持部270之示意俯視圖。
如圖11所示般，第1搬運裝置17所具備之晶圓保持部170具備擁有前端部分歧成雙叉狀之形狀的本體部171，和被設置在本體部171之上面，吸附晶圓W之複數吸附部172。吸附部172分別被設置在例如本體部171之基端部及雙叉狀之各前端部。各吸附部172被連接於真空泵等之吸氣裝置(無圖示)，且利用藉由如此之吸氣裝置之吸氣而產生之負壓而吸附晶圓W。
如此一來，晶圓保持部170使用吸附部172吸附晶圓W之背面以保持晶圓W。因此，若藉由晶圓保持部170時，可以防止搬運中之晶圓W之位置偏移。
在第1處理單元18中，如上述般進行斜角洗淨處理。在此，於進行斜角洗淨處理之時，當晶圓W之位置偏移，難以使斜角凸緣141適當地抵接於晶圓W之周緣部。因此，於進行斜角洗淨處理之時，以晶圓W之中心與第1保持部102之旋轉中心一致為佳。
晶圓W之位置偏移有在搬運中產生之情形。因此，被認為於將晶圓W搬運至第1處理單元18之後，於斜角洗淨處理之開始前，進行晶圓W之位置調整校正由於搬運所導致的晶圓W之位置偏移。但是，於如此之情況下，有產生由於處理時間之增加導致生產量下降，或隨著位置調整用之機構的配置使得系統大型化等之虞。
對此，在與第1實施型態有關之基板處理系統1中，由於可以藉由吸附部172防止在搬運中晶圓W的位置偏移，故可以使晶圓W對第1處理單元18之第1保持部102保持在適當之位置。因此，因不需要位置調整處理或位置調整用之機構，故可以抑制生產量之下降或系統之大型化。
接著，針對第2搬運裝置27所具備之晶圓保持部270之構成進行說明。如圖12所示般，第2搬運裝置27所具備之晶圓保持部270具備：擁有直徑大於晶圓W之內周部的本體部271；和從本體部271之內周部朝如此之內周部之徑向內側突出之複數爪部272。
如此之晶圓保持部270藉由使晶圓W之外周部載置在爪部272來保持晶圓W。因此，若藉由晶圓保持部270，不會極力產生吸附痕等之污垢，可以搬運晶圓W。
在基板處理系統1中，第2搬運裝置27係將結束斜角洗淨處理及背面洗淨處理之雙方的洗淨完之晶圓W搬運至收授區塊4。因此，在基板處理系統1中，設為將具備不會極力污染洗淨完之晶圓W的晶圓保持部270之第2搬運裝置27配置在第2處理區塊3L之搬運部26。
如此一來，在第1處理單元18和第2處理單元28中，適合於晶圓W之搬入搬出的搬運裝置不同。對此，在基板處理系統1中，由於將處理區塊3區分成第1 處理區塊3U和第2處理區塊3L，故能夠使用適合於第1處理單元18之第1搬運裝置17，和適合於第2處理單元28之第2搬運裝置27之雙方。
並且，在圖10中，雖然表示轉移裝置15a、15b、第1搬運裝置17及第2搬運裝置27具備一個晶圓保持部之情況的例，但是即使轉移裝置15a、15b、第1搬運裝置17及第2搬運裝置27與主搬運裝置13相同，具備複數晶圓保持部亦可。
[晶圓W之搬運流程]
接著，針對與第1實施型態有關之基板處理系統1中之晶圓W之搬運流程，參照圖13進行說明。圖13為與第1實施型態有關之基板處理系統1中之晶圓W之搬運流程之說明圖。並且，在圖13中，以實線表示表面朝上之晶圓W之搬運流程，以虛線表示背面朝上之晶圓W之搬運流程。
再者，在以下中，有將主搬運裝置13記載成「CRA」，將轉移裝置15a、15b記載成「MPRA」，將第1搬運裝置17記載成「PRA1」，將第2搬運裝置27記載成「PRA2」之情形。再者，有將第1緩衝部21U記載成「SBU1」，將第2緩衝部21L記載成「SBU2」，將第1收授部22U記載成「TRS1」，將第2收授部22L記載成「TRS2」，將第1反轉機構23a記載成「RVS1」，將第2反轉機構23b記載成「RVS2」之情形。再者，將第1處 理單元18記載成「CH1」，將第2處理單元28記載成「CH2」之情形。另外，在圖13中，針對第1緩衝部21U(SBU1)、第2緩衝部21L(SBU2)、第1收授部22U(TRS1)、第2收授部22L(TRS2)、第1反轉機構23a(RVS1)及第2反轉機構23b(RVS2)，省略符號表示。
如圖13所示般，在基板處理系統1中，首先主搬運裝置13(CRA)從卡匣以匯集複數片之方式取岀未處理之晶圓W取出而收容至第1緩衝部21U(SBU1)(步驟S101)。
接著，轉移裝置15a(MPRA)從第1緩衝部21U(SBU1)取出未處理之晶圓W而轉移至第1收授部22U(TRS1)(步驟S102)。
接著，第1處理區塊3U之第1搬運裝置17(PRA1)從第1收授部22U(TRS1)取出晶圓W搬運至第1處理單元18(CH1)(步驟S103)，第1處理單元18(CH1)對晶圓W進行斜角洗淨處理。再者，當斜角洗淨處理結束時，第1搬運裝置17(PRA1)從第1處理單元18(CH1)取出斜角洗淨處理完之晶圓W而收容至第1收授部22U(TRS1)(步驟S104)。
接著，轉移裝置15a(MPRA)係從第1收授部22U(TRS1)取出斜角洗淨處理完之晶圓W而轉移至第1反轉機構23a(RVS1)(步驟S105)，第1反轉機構23a(RVS1)使如此之晶圓W之表背反轉。依此，晶圓W成為背面朝上方之狀態。
接著，轉移裝置15b(MPRA)從第1反轉機構23a(RVS1)取出晶圓W而轉移至第2收授部22L(TRS2)(步驟S106)。
接著，第2處理區塊3L之第2搬運裝置27(PRA2)從第2收授部22L(TRS2)取出晶圓W搬運至第2處理單元28(CH2)(步驟S107)，第2處理單元28(CH2)對晶圓W進行背面洗淨處理。再者，當背面洗淨處理結束時，第2搬運裝置27(PRA2)從第2處理單元28(CH2)取出背面洗淨處理完之晶圓W而收容至第2收授部22L(TRS2)(步驟S108)。
另外，藉由第2搬運裝置27之晶圓W之搬運處理(步驟S107、S108)及第2處理單元28中之背面洗淨處理，與藉由第1搬運裝置17之晶圓W之搬運處理(步驟S103、S104)及第1處理單元18中之斜角洗淨處理同時被進行。再者，藉由第1搬運裝置17之晶圓W之搬運處理(步驟S103、S104)及藉由第2搬運裝置27之晶圓W之搬運處理(步驟S107、S108)，係與藉由轉移裝置15a、15b(MPRA)之晶圓W之搬運處理(步驟S102、S105、S106、S109、S110)同時被進行。依此，可以提升一連串之基板處理之生產量。
接著，轉移裝置15b(MPRA)係從第2收授部22L(TRS2)取出晶圓W而轉移至第2反轉機構23b(RVS2)(步驟S109)，第2反轉機構23b(RVS2)使如此之晶圓W之表背反轉。依此，晶圓W再次成為表面朝上 方之狀態。
接著，轉移裝置15a(MPRA)從第2反轉機構23b(RVS2)取出晶圓W而轉移至第2緩衝部21L(SBU2)(步驟S110)，主搬運裝置13(CRA)從第2緩衝部21L以匯集複數片之方式取岀完成斜角洗淨處理及背面洗淨處理之晶圓W而收容至卡匣C(步驟S111)。依此，結束一連串之基板處理。
如上述般，與第1實施型態有關之基板處理系統1具備第1處理區塊3U、第2處理區塊3L、第1反轉機構23a及第2反轉機構23b(RVS1、RVS2)。第1處理區塊3U包含在晶圓W中之表面(相當於「第1面」之一例)朝上之狀態下進行晶圓W之處理的第1處理單元18(CH1)，和對第1處理單元18(CH1)進行晶圓W之搬入搬出的第1搬運裝置17(PRA1)。第2處理區塊3L包含在晶圓W中與表面相反側之面的背面(相當於「第2面」之一例)朝上之狀態下進行晶圓W之處理的第2處理單元28(CH2)，和對第2處理單元28(CH2)進行晶圓W之搬入搬出的第2搬運裝置27(PRA2)。第1反轉機構23a及第2反轉機構23b(RVS1、RVS2)被配置在晶圓W從第1處理區塊3U往第2處理區塊3L之搬運路徑之途中，使晶圓W反轉。
因此，若藉由與第1實施型態有關之基板處理系統1時，在處理表面朝上之晶圓W和背面朝上之晶圓W之雙方時，可以抑制晶圓W之表背之狀態管理的複 雜化。
再者，在與第1實施型態有關之基板處理系統1中，使轉移裝置15a、15b(MPRA)執行晶圓W對第1反轉機構23a(RVS1)及第2反轉機構23b(RVS2)的搬入搬出。依此，比起對第1搬運裝置17(PRA1)及第2搬運裝置27(PRA2)進行上述晶圓W之搬入搬出之時，可以降低第1搬運裝置17(PRA1)及第2搬運裝置27(PRA2)之處理負載。
另外，基板處理系統1即使使第1搬運裝置17(PRA1)及第2搬運裝置27(PRA2)進行晶圓W對第1反轉機構23a(RVS1)及第2反轉機構23b(RVS2)之搬入或搬出亦可。此時，若將第1反轉機構23a(RVS1)及第2反轉機構23b(RVS2)配置在第1搬運裝置17(PRA1)或第2搬運裝置27(PRA2)能夠存取之位置即可。
再者，在第1實施型態中，雖然表示第1處理區塊3U被配置在上段側，第2處理區塊3L被配置在下段側之情況的例，但是即使第1處理區塊3U及第2處理區塊3L之配置相反亦可。
(第2實施型態)
[與第2實施型態有關之基板處理系統1A之構成]
接著，針對與第2實施型態有關之基板處理系統1A予以說明。首先，針對與第2實施型態有關之基板處理系統1A之構成，參照圖14及圖15進行說明。圖14為與第 2實施型態有關之基板處理系統1A之示意俯視圖。再者，圖15為與第2實施型態有關之基板處理系統1A之示意側面圖。另外，在以下之說明中，針對與先前所說明之部分相同之部分，賦予與先前所說明之部分相同之符號，省略重複之說明。
如圖14所示般，與第2實施型態有關之基板處理系統1A具備搬入搬出區塊2、第1處理區塊3B、第2處理區塊3F、第1收授區塊4F和第2收授區塊4B。該些係依照搬入搬出區塊2、第1收授區塊4F、第2處理區塊3F、第2收授區塊4B及第1處理區塊3B之順序被配置。
另外，針對搬入搬出區塊2及第1收授區塊4，因與第1實施型態中之搬入搬出區塊2及收授區塊4相同之構成，故省略在此的說明。
[第1處理區塊3B之構成]
第1處理區塊3B被配置在第2收授區塊4B之後方即是基板處理系統1A之最後方。如此之第1處理區塊3B具備第1搬運裝置17和複數第1處理單元18。第1搬運裝置17進行在第1處理單元18和第2收授區塊4B間之晶圓W的搬運。
複數第1處理單元18與第1搬運裝置17之Y軸正方向側及Y軸負方向側鄰接配置。如圖15所示般，複數第1處理單元18被排列配置在高度方向。
[第2處理區塊3F之構成]
第2處理區塊3F被配置在第1收授區塊4F和第2收授區塊4B之間，具備第2搬運裝置27和複數第2處理單元28。第2搬運裝置27進行在第1收授區塊4F和第2處理單元28間之晶圓W的搬運。再者，第2搬運裝置27進行在第1收授區塊4F和第2收授區塊4B間之晶圓W的搬運。
複數第2處理單元28與第2搬運裝置27之Y軸正方向側及Y軸負方向側鄰接配置。如圖15所示般，複數第2處理單元28被排列配置在高度方向。
[第2處理區塊4B之構成]
第2收授區塊4B被配置在第2處理區塊3F和第1處理區塊3B之間。在如此之第2收授區塊4B之內部配置轉移裝置15c，和第3收授部19。
轉移裝置15c具有與上述轉移裝置15a、15b相同之構成，被配置在第3收授部19之Y軸正方向側。另外，第2收授區塊4B不一定要具有轉移裝置15c。
第3收授部19能夠多段收容複數片之晶圓W。再者，第3收授部19係被構成沿著水平方向(在此，為X軸方向)能夠滑動，可以藉由朝X軸負方向側滑動，進入至第2處理區塊3F之搬運部26，而在與第2搬運裝置27之間進行晶圓W之收授。另外，第3收授部19即 使具有與第1收授部22U及第2收授部22L相同之構成亦可。
與第2實施型態有關之基板處理系統1A被構成如上述般，將藉由搬入搬出區塊2被搬入之晶圓W經由第1收授區塊4F、第2處理區塊3F及第2收授區塊4B搬運至第1處理區塊3B，而在第1處理區塊3B進行斜角洗淨處理。之後，基板處理系統1A係使斜角洗淨處理後之晶圓W從第1區塊3B返回至第2收授區塊4B、第2處理區塊3F及第1收授區塊4F之後，搬運至第2處理區塊3F，而在第2處理區塊3F中進行背面洗淨處理。而且，基板處理系統1A係將背面洗淨處理後之晶圓W從第2處理區塊3F經由第1收授區塊4F搬運至搬入搬出區塊2，且從搬入搬出區塊2排岀至外部。
[晶圓W之搬運流程]
針對上述晶圓W之搬運流程，參照圖16具體說明。圖16為與第2實施型態有關之基板處理系統1A中之晶圓W之搬運流程之說明圖。另外，在圖16中，將第3收授部19記載成「TRS3」。再者，在圖16中，針對第1緩衝部21U(SBU1)、第2緩衝部21L(SBU2)、第1收授部22U(TRS1)、第2收授部22L(TRS2)、第3收授部19(TRS3)、第1反轉機構23a(RVS1)、第2反轉機構23b(RVS2)、第1處理單元18(CH1)及第2處理單元28(CH2)省略符號。
圖16所示之步驟S201、S202之處理與圖13所示之步驟S101、S102之處理相同。即是，在基板處理系統1A中，首先主搬運裝置13(CRA)從卡匣C以匯集複數片之方式取岀未處理之晶圓W而收容在第1緩衝部21U(SBU1)(步驟S201)，轉移裝置15a(MPRA)從第1緩衝部21U(SBU1)取出未處理之晶圓W而轉移至第1收授部22U(TRS1)(步驟S202)。
接著，第2搬運裝置27(PRA2)從第1收授部22U(TRS1)取出晶圓W而搬運至第3收授部19(TRS3)(步驟S203)。而且，第1搬運裝置17(PRA1)從第3收授部19(TRS3)取出晶圓W搬運至第1處理單元18(CH1)(步驟S204)，第1處理單元18(CH1)對晶圓W進行斜角洗淨處理。
再者，當斜角洗淨處理結束時，第1搬運裝置17(PRA1)從第1處理單元18(CH1)取出斜角洗淨處理完之晶圓W而收容至第3收授部19(TRS3)(步驟S205)。而且，第2搬運裝置27(PRA2)從第3收授部19(TRS3)取出晶圓W而收容至第1收授部22U(TRS1)(步驟S206)。之後的處理(步驟S207~S213)因與圖13所示之步驟S105~S111相同，故省略在此的說明。
如此一來，具備第1處理單元18之第1處理區塊3B，和具備第2處理單元28之第2處理區塊3F，並不限定於如與第1實施型態有關之基板處理系統1般在高度方向排列配置之情形，即使在水平方向排列配置亦可。
再者，在與第2實施型態有關之基板處理系統1A中，第2處理區塊3F被配置在較第1處理區塊3B前段側，換言之接近於搬入搬岀區塊2之位置。藉由設成如此之配置，可以使成為吸附保持晶圓W之第1搬運裝置17不保持結束斜角洗淨處理及背面洗淨處理之洗淨完的晶圓W。因此，能夠抑制吸附痕等之污垢附著洗淨完之晶圓W。
另外，在與第2實施型態有關之基板處理系統1A中，在第2處理區塊3F中表面朝上之狀態的晶圓W，和背面朝上之狀態的晶圓W之雙方被搬運。但是，因表面朝上之狀態的晶圓W僅通過第2處理區塊3F，故比起與第1實施型態有關之基板處理系統1，不會有晶圓W之表背的狀態管理多且複雜化之情形。
(第3實施型態)
在上述第2實施型態中，雖然針對第1反轉機構23a及第2反轉機構23b被配置在第1收授區塊4F之情形的例而進行說明，但是第1反轉機構23a及第2反轉機構23b之配置並不限定於上述例。於是，在第3實施型態中，針對第1反轉機構23a及第2反轉機構23b之配置之變形例進行說明。
圖17為與第3實施型態有關之基板處理系統1B之示意俯視圖。如圖17所示般，在與第3實施型態有關之基板處理系統1B中，在第2收授區塊4B配置第1 反轉機構23a，在第1收授區塊4F配置第2反轉機構23b。
接著，針對與第3實施型態有關之基板處理系統1B中之晶圓W之搬運流程，參照圖18進行說明。圖18為與第3實施型態有關之基板處理系統1B中之晶圓W之搬運流程之說明圖。
另外，在以下中，將配置在第1收授區塊4F之轉移裝置15a、15b記載成「第1轉移裝置15a、15b」，將被配置在第2收授區塊4B之轉移裝置15c記載成「第2轉移裝置15c」。再者，在圖18中，將第1轉移裝置15a、15b記載成「MPRA1」，將第2轉移裝置15c記載成「MPRA2」。
再者，與圖16相同，在圖18中，針對第1緩衝部21U(SBU1)、第2緩衝部21L(SBU2)、第1收授部22U(TRS1)、第2收授部22L(TRS2)、第3收授部19(TRS3)、第1反轉機構23a(RVS1)、第2反轉機構23b(RVS2)、第1處理單元18(CH1)及第2處理單元28(CH2)省略符號。
圖18所示之步驟S301~S305之處理與圖16所示之步驟S201~S205之處理相同。於步驟S305之處理之後，第2轉移裝置15c(MPRA2)係從第3收授部19(TRS3)取出晶圓W而轉移至第1反轉機構23a(RVS1)(步驟S306)，第1反轉機構23a(RVS1)反轉晶圓W之表背。依此，晶圓W成為背面朝上方之狀態。
接著，第2轉移裝置15c(MPRA2)從第1反轉機構23a(RVS1)取出晶圓W而轉移至第3收授部19(TRS3)(步驟S307)，第2搬運裝置27(PRA2)從第3收授部19(TRS3)取出晶圓W而搬運至第2處理單元28(CH2)(步驟S308)，第2處理單元28(CH2)對晶圓W進行背面洗淨處理。
接著，當背面洗淨處理結束時，第2搬運裝置27(PRA2)從第2處理單元28(CH2)取出背面洗淨處理完之晶圓W而收容至第2收授部22L(TRS2)(步驟S309)。之後的處理(步驟S310~S312)因與圖16所示之步驟S211~S213相同，故省略在此的說明。
如此一來，第1反轉機構23a及第2反轉機構23b即使分別配置在第1收授區塊4F和第2收授區塊4B亦可。
(第4實施型態)
在上述各實施型態中，針對在第1處理區塊3U、3B，進行斜角洗淨處理之情形的例進行說明。但是，在第1處理區塊3U、3B中被進行的基板處理並不限定於斜角洗淨處理。於是，在第4實施型態中，針對在第1處理區塊3U、3B進行的基板處理之變形例參照圖19進行說明。圖19為與第4實施型態有關之第1處理單元18A之示意側面圖。
如圖19所示般，與第4實施型態有關之第1 處理單元18A更具備第3吐出部106。第3吐出部106係經由閥161或流量調整器(無圖示)等與蝕刻液供給源162連接。如此之第3吐出部106係從晶圓W之上方朝向晶圓W之表面側之外周部吐出從蝕刻液供給源162被供給之蝕刻液。依此，形成在晶圓W之外周部的膜被除去。
第1處理單元18A被構成上述般，對旋轉之晶圓W，進行使用斜角洗淨部104及第1吐出部105之斜角洗淨處理之後，進行使用第3吐出部106之邊緣切割處理。
如此一來，即使第1處理區塊3U、3B中進行斜角洗淨處理及邊緣切割處理之後，在第2處理區塊3L、3F進行背面洗淨處理亦可。
另外，在此雖然針對第1處理單元18A進行斜角洗淨處理及邊緣切割處理之雙方之情況的例進行說明，但是即使分成進行斜角洗淨處理之處理單元和進行邊緣切割處理之處理單元而配置在第1處理區塊3U、3B亦可。
(第5實施型態)
[基板處理系統1C之構成]
接著，針對與第5實施型態有關之基板處理系統1C予以說明。圖20為與第5實施型態有關之基板處理系統1C之示意俯視圖，圖21為同模式側面圖。
如圖20及圖21所示般，與第5實施型態有 關之基板處理系統1C具有與第1實施型態之基板處理系統1大概相同之構成，但是在具備處理區塊3C及收授區塊4C之點，與第1實施型態之基板處理系統1不同。
如圖21所示般，處理區塊3C具備第2處理單元28C。第2處理單元28C與第2處理單元28不同，進行對背面朝上之狀態下的晶圓W的處理，和對背面朝下之狀態(即是，表面朝上之狀態)之狀態下的晶圓W的處理。
[第2處理單元28C之構成]
在此，針對第2處理單元28C之構成例，參照圖22進行說明。圖22為與第5實施型態有關之第2處理單元28C之示意俯視圖。
如圖22所示般，第2處理單元28C具備第2腔室201、第2保持部202、第2回收杯203、背面洗淨部204C、第2吐出部205和第4吐出部206。另外，由於背面洗淨部204C及第4吐出部206以外之構成與第2處理單元28相同，故在此省略說明。
背面洗淨部204C具備背面凸緣241、在水平方向(在此，Y軸方向)延伸，經傳動軸242從上方支撐背面凸緣241之機械臂246，和使機械臂246旋轉及升降之旋轉升降機構247。再者，背面洗淨部204C具備無圖示之旋轉機構，可以使用如此之旋轉機構使背面凸緣241繞傳動軸242旋轉。
背面洗淨部204C及第2吐出部205相當於基板中之第2面朝上之狀態下進行基板之處理的第1處理部之一例。另外，第2處理單元28C即使2處理單元28具備的背面洗淨部204來取代背面洗淨部204C亦可。
第4吐出部206被配置在第2回收杯203之外方。第4吐出部206具備：噴嘴261；和在水平方向延伸，且支撐噴嘴261之機械臂262；和使機械臂262旋轉及升降之旋轉升降機構263。
噴嘴261為例如2流體噴嘴，經由閥264及流量調整器(無圖示)等與洗淨液供給源265連接，同時經由閥266及流量調整器(無圖示)等與氣體供給源267連接。
第4吐出部206係在噴嘴261內混合從洗淨液供給源265被供給之洗淨液(例如，純水)和從氣體供給源267被供給之氣體(例如，氮等之惰性氣體)，依此將液滴狀或霧化之洗淨液從噴嘴261供給至基板。
第4吐出部206相當於基板中之第1面朝上之狀態下進行基板之處理的第2處理部之一例。另外，在此雖然表示第4吐出部206具備的噴嘴261為2流體噴嘴之情況下的例，但是噴嘴261即使為一般之噴嘴亦可。
第2處理單元28C係於背面朝上之晶圓W被搬入之情況下，使用背面洗淨部204及第2吐出部205處理晶圓W。
具體而言，第2處理單元28C以第2保持部 202保持背面朝上之晶圓W之周緣部且使旋轉。接著，第2處理單元28C係使被配置在旋轉的晶圓W之上方的背面洗淨部204C之背面凸緣241接觸於晶圓W。再者，第2處理單元28C係從被配置在旋轉之晶圓W之上方的第2吐出部205朝向晶圓W吐出洗淨液。而且，第2處理單元28C係一面使背面凸緣241旋轉，一面例如從晶圓W之中心部移動至外周部。依此，附著於晶圓W之背面的微粒等被除去。
再者，第2處理單元28C係於表面朝上之晶圓W被搬入之情況下，使用第4吐出部206處理晶圓W。
具體而言，第2處理單元28C以第2保持部202保持表面朝上之晶圓W之周緣部且使旋轉。接著，第2處理單元28C係在旋轉之晶圓W之上方配置第4吐出部206之噴嘴261，從噴嘴261朝向晶圓W之表面供給液滴狀或霧化之洗淨液。依此，晶圓W之表面被洗淨，可以除去一開始附著於表面之微粒等。再者，即使一開始無附著，亦可以除去例如在第1處理單元18之處理、在第2處理單元28C之背面處理及在晶圓W之搬運之過程附著的微粒等。
[收授區塊4C之構成]
接著，針對收授區塊4C之構成參照圖20、圖21及圖23進行說明。圖23為與第5實施型態有關之收授區塊4C之示意背面圖。
如圖21及圖23所示般，在收授區塊4C之內部，從上方依照排列配置第1收授部22U、緩衝部21、第1反轉機構23a、第2收授部22L、第2反轉機構23b之順序排列配置在高度方向。再者，如圖20及圖23所示般，在收授區塊4C之內部，配置第1轉移裝置15Ca和第2轉移裝置15Cb。
第1轉移裝置15Ca及第2轉移裝置15Cb具備無圖示之升降機構，藉由使用如此之升降機構在垂直方向移動，對被排列配置在高度方向之第1收授部22U等進行晶圓W之搬入搬出。另外，第1轉移裝置15Ca被配置在第1收授部22U等之Y軸正方向側，第2轉移裝置15Cb被配置在第1收授部22U等之Y軸負方向側。
如圖23所示般，第1轉移裝置15Ca能夠朝第1收授部22U及緩衝部21存取。對此，第2轉移裝置15Cb能夠朝緩衝部21、第1反轉機構23a、第2收授部22L及第2反轉機構23b存取。
如此一來，在收授區塊4C中，在第1轉移裝置15Ca及第2轉移裝置15Cb之雙方能夠存取之位置配置緩衝部21。
[緩衝部21之構成]
緩衝部21雖然具有與上述第1緩衝部21U及第2緩衝部21L大概相同之構成，但是在使能夠收容之晶圓W之段數較第1緩衝部21U及第2緩衝部21L多之點，則 係與第1緩衝部21U及第2緩衝部21L不同。
在此，針對緩衝部21之構成參照圖24及圖25進行說明。圖24係緩衝部21之示意俯視圖，圖25為同示意側面圖。
如圖24所示般，主搬運裝置13和第1轉移裝置15Ca和第2轉移裝置15Cb分別從不同方向能夠朝緩衝部21存取。具體而言，主搬運裝置13係從緩衝部21之X軸負方向側通過支撐部212及支撐部213之間而進入至緩衝部21內。再者，第1轉移裝置15Ca係從緩衝部21之Y軸正方向側通過支撐部213及支撐部214之間而進入至緩衝部21內。
而且，第2轉移裝置15Cb係從緩衝部21之Y軸負方向側通過支撐部212及支撐部214之間而進入至緩衝部21內。另外，在緩衝部21，被收容表面朝上之狀態的晶圓W。
如圖25所示般，緩衝部21從下方依序被分成下段區域210L、中段區域210M及上段區域210U之3個區域。在下段區域210L被收容未處理之晶圓W。再者，在中段區域210M藉由被收容第1處理單元18被收容處理完之晶圓W，在上段區域210U藉由第1處理單元18及第2處理單元28C被收容處理完之晶圓W。
[晶圓W之搬運流程]
接著，針對與第5實施型態有關之基板處理系統1C 中之晶圓W之搬運流程，參照圖26及圖27進行說明。圖26及圖27為與第5實施型態有關之基板處理系統1C中之晶圓W之搬運流程之說明圖。
另外，圖26表示晶圓W從第1轉移裝置15a被收授至第2轉移裝置15Cb之前為止的搬運流程，圖27表示晶圓W被收授至第2轉移裝置15Cb之後的搬運流程。
並且，在圖26及圖27中，以實線表示表面朝上之晶圓W之搬運流程，以虛線表示背面朝上之晶圓W之搬運流程。再者，在以下，有將第1轉移裝置15Ca記載成「MPRA1」，將第2轉移裝置15Cb記載成「MPRA2」之情形。再者，在圖26及圖27中，針對緩衝部21(SBU)、第1收授部22U(TRS1)、第2收授部22L(TRS2)、第1反轉機構23a(RVS1)及第2反轉機構23b(RVS2)省略符號予以表示。
在與第5實施型態有關之基板處理系統1C中，晶圓W從第1轉移裝置15Ca朝第2轉移裝置15Cb的收授經由緩衝部21而進行。再者，在基板處理系統1C中，第2處理單元28C除了對背面朝上之晶圓W的處理(背面洗淨處理)外，也進行對表面朝上之晶圓W的處理(表面洗淨處理)。
如圖26所示般，在基板處理系統1C中，首先主搬運裝置13(CRA)從卡匣C以匯集複數片之方式取岀未處理之晶圓W而收容至緩衝部21(SBU)(步驟S401)。 此時，主搬運裝置13(CRA)係將晶圓W收容至緩衝部21(SBU)之下段區域210L。
接著，第1轉移裝置15Ca(MPRA1)從緩衝部21(SBU)取出未處理之晶圓W而轉移至第1收授部22U(TRS1)(步驟S402)。
接著，第1處理區塊3U之第1搬運裝置17(PRA1)從第1收授部22U(TRS1)取出晶圓W搬運至第1處理單元18(CH1)(步驟S403)，第1處理單元18(CH1)對晶圓W進行斜角洗淨處理。再者，當斜角洗淨處理結束時，第1搬運裝置17(PRA1)從第1處理單元18(CH1)取出斜角洗淨處理完之晶圓W而收容至第1收授部22U(TRS1)(步驟S404)。
接著，第1轉移裝置15Ca(MPRA1)從第1收授部22U(TRS1)取出斜角洗淨處理完之晶圓W而轉移至緩衝部21(SBU)(步驟S405)。此時，第1轉移裝置15Ca(MPRA1)係在緩衝部21(SBU)之中段區域210M收容晶圓W。
接著，如圖27所示般，第2轉移裝置15Cb(MPRA2)係從緩衝部21(SBU)取出晶圓W而轉移至第2反轉機構23b(RVS2)(步驟S406)，第2反轉機構23b(RVS2)使如此之晶圓W之表背反轉。依此，晶圓W成為背面朝上方之狀態。
接著，第2處理區塊3L之第2搬運裝置27(PRA2)從第2反轉機構23b(RVS2)取出晶圓W而朝第2 處理單元28C(CH2)搬運(步驟S407)。此時，由於晶圓W係背面朝上方之狀態，故在第2處理單元28C(CH2)，對晶圓W，進行使用背面洗淨部204C及第2吐出部205之背面洗淨處理。在此，複數第2處理單元28C之處理狀況係藉由例如控制裝置5即時管理，從空的單元依序搬運晶圓W。
接著，當背面洗淨處理結束時，第2搬運裝置27(PRA2)從第2處理單元28C(CH2)取出背面洗淨處理完之晶圓W而朝第1反轉機構23a(RVS1)搬運(步驟S408)，第1反轉機構23a(RVS1)使如此之晶圓W之表背反轉。依此，晶圓W成為表面朝上方之狀態。
接著，第2搬運裝置27(PRA2)從第1反轉機構23a(RVS1)取出晶圓W而再次搬運至第2處理單元28C(CH2)(步驟S409)。此時，由於晶圓W係表面朝上方之狀態，故在第2處理單元28C(CH2)，對晶圓W，進行使用第4吐出部206之表面洗淨處理。在此，複數第2處理單元28C之處理狀況係藉由例如控制裝置5即時管理，從完成先前的背面洗淨處理而空岀的單元依序搬運晶圓W。
接著，當表面洗淨處理結束時，第2搬運裝置27(PRA2)從第2處理單元28C(CH2)取出表面洗淨處理完之晶圓W而搬運至第2收授部22L(TRS2)(步驟S410)。接著，第2轉移裝置15Cb(MPRA2)從第2收授部22L(TRS2)取出晶圓W而轉移至緩衝部21(SBU)(步驟 S411)。此時，第2轉移裝置15Cb(MPRA2)係在緩衝部21(SBU)之上段區域210U收容晶圓W。
而且，主搬運裝置13(CRA)係從緩衝部21(SBU)以匯集複數片之方式取岀處理完之晶圓W而收容至卡匣C(步驟S412)。依此，結束一連串之基板處理。
藉由上述構成，因第1轉移裝置15Ca及第2轉移裝置15Cb僅處理表面朝上方之晶圓W，故可以更抑制晶圓W之狀態管理之複雜化。
再者，藉由晶圓W從第2轉移裝置15Cb朝第2搬運裝置27的收授不經由第2收授部22L而經由第2反轉機構23b，因可以省略晶圓W從第2反轉機構23b朝第2收授部22L搬運，故可以提高一連串之基板處理的效率。
再者，藉由使第1轉移裝置15Ca擔當朝第1收授部22U及緩衝部21的存取，使第2轉移裝置15Cb擔當朝緩衝部21、第1反轉機構23a、第2收授部22L及第2反轉機構23b的存取，可以抑制縮短第1轉移裝置15Ca及第2轉移裝置15Cb之移動距離。因此，即使依據此，亦可以提高一連串之基板處理的效率。
另外，在此，複數第2處理單元28C除了進行對背面朝上之晶圓W的處理(背面洗淨處理)之外，也進行對表面朝上之晶圓W的處理(表面洗淨處理)，但是即使事先將機能分配成任一方的處理亦可。即是，將例如10台之第2處理單元28C中之5台分配成背面洗淨處理專 用，將5台分配成表面洗淨處理專用，將前者設為步驟S407中之搬運目的地，將後者設為步驟S409之搬運目的地亦可。再者，表面洗淨處理不一定要實行。在此，針對不執行表面洗淨處理之情況下的晶圓W之搬運流程，參照圖28進行說明。圖28為不進行表面洗淨處理之情況下的晶圓W之搬運流程之說明圖。
於結束如圖26所示之步驟S401~S405之處理後，在基板處理系統1C中，如圖28所示般，第2轉移裝置15Cb係從緩衝部21(SBU)取出晶圓W而轉移至第2反轉機構23b(RVS2)(步驟S501)，第2反轉機構23b(RVS2)使如此之晶圓W之表背反轉。依此，晶圓W成為背面朝上方之狀態。
接著，第2處理區塊3L之第2搬運裝置27(PRA2)從第2反轉機構23b(RVS2)取出晶圓W而朝第2處理單元28C(CH2)搬運(步驟S502)。在第2處理單元28C(CH2)中，對晶圓W進行使用背面洗淨部204C及第2吐出部205之背面洗淨處理。
接著，當背面洗淨處理結束時，第2搬運裝置27(PRA2)從第2處理單元28C(CH2)取出背面洗淨處理完之晶圓W而朝第1反轉機構23a(RVS1)搬運(步驟S503)，第1反轉機構23a(RVS1)使如此之晶圓W之表背反轉。依此，晶圓W成為表面朝上方之狀態。
接著，第2轉移裝置15Cb(MPRA2)從第1反轉機構23a(RVS1)取出背面洗淨處理完之晶圓W而轉移至 緩衝部21(SBU)(步驟S504)。第2轉移裝置15Cb(MPRA2)係在緩衝部21(SBU)之上段區域210U收容晶圓W。而且，主搬運裝置13(CRA)係從緩衝部21(SBU)以匯集複數片之方式取岀處理完之晶圓W而收容至卡匣C(步驟S505)。依此，結束一連串之基板處理。
如此一來，基板處理系統1C不執行背面洗淨處理後之表面洗淨處理，即使使排岀背面洗淨處理完之晶圓W亦可。此時，基板處理處理系統1C並不需要具備第2收授部22L。再者，基板處理系統1C即使具備第2處理單元28(參照圖6及圖7)以取代第2處理單元28C亦可。
再者，在此，第2轉移裝置15Cb將晶圓W搬入至第2反轉機構23b(步驟S406)，第2搬運裝置27將晶圓W搬入至第1反轉機構23a(步驟S408)。但是，並不限定於該例，即使第2轉移裝置15Cb將晶圓W搬入至第1反轉機構23a，第2搬運機構27將晶圓W搬入至第2反轉機構23b亦可。再者，即使第2轉移裝置15Cb及第2搬運裝置27之雙方僅朝第1反轉機構23a及第2反轉機構23b中之任一方存取亦可。此時，收授區塊4C不一定需要具備兩個反轉機構。
附加的效果或變形例係熟習該項技術者可以容易導出。因此，本發明之更廣的態樣並不限定於上述表示且敘述的特定之詳細及代表性實施型態。因此，在不脫離藉由所附的申請專利範圍及等同物所界定的總括性之發 明概念之精神或範圍下，可以進行各種變更。

Claims (16)

  1. 一種基板處理系統，其特徵在於具備：第1處理區塊，其包含在使基板之第1面朝上之狀態下進行上述基板之處理的第1處理單元，和對上述第1處理單元進行上述基板之搬入搬出的第1搬運裝置；第2處理區塊，其包含在使上述基板之與上述第1面相反側之面的第2面朝上之狀態下進行上述基板之處理的第2處理單元，和對上述第2處理單元進行上述基板之搬入搬出的第2搬運裝置。反轉機構，其被配置在上述基板從上述第1處理區塊朝上述第2處理區塊之搬運路徑之途中，使上述基板反轉，上述第1搬運裝置具備吸附上述基板之吸附部，使用上述吸附部在吸附保持上述第2面之狀態下搬運上述基板，上述第2搬運裝置具備直徑大於上述基板之內周部，和從上述內周部朝該內周部之徑向內側突出之複數爪部，在使上述基板之外周部載置於上述爪部之狀態下搬運上述基板。
  2. 如請求項1所記載之基板處理系統，其中上述第1處理單元係在吸附保持作為電路形成面之上述第1面上朝上之上述基板之上述第2面的狀態下，處理上述基板之周緣部，上述第2處理單元係在保持上述第2面朝上之上述基板之周緣部之狀態下，處理上述基板之上述第2面。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理系統，其中具備收授區塊，其包含被配置在藉由上述第1搬運裝置能夠存取之位置而收容上述第1面朝上之狀態之上述基板的第1收授部，和被配置在藉由上述第2搬運裝置能夠存取之位置而收容上述第2面朝上之狀態之上述基板的第2收授部，和對上述第1收授部及上述第2收授部進行上述基板之搬入搬出的轉移裝置，上述第1處理區塊及上述第2處理區塊被排列配置在高度方向，上述反轉機構被設置在上述收授區塊。
  4. 如請求項3所記載之基板處理系統，其中上述轉移裝置係將上述第1面朝上之狀態的上述基板搬運至上述第1收授部，上述第1搬運裝置係從上述第1收授部取出上述基板而搬運至上述第1處理單元，同時從上述第1處理單元取出藉由上述第1處理單元被處理之上述基板而搬運至上述第1收授部，上述轉移裝置係從上述第1收授部取出上述基板而搬運至上述反轉機構，同時從上述反轉機構取出藉由上述反轉機構被反轉之上述基板而搬運至上述第2收授部，且上述第2搬運裝置係從上述第2收授部取出上述基板而搬運至上述第2處理單元。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理系統，其中具備：第1收授區塊，其包含被配置在藉由上述第2搬運裝置能夠存取之位置而收容上述第1面朝上之狀態之上述基板的第1收授部，和被配置在藉由上述第2搬運裝置能夠存取之位置而收容上述第2面朝上之狀態之上述基板的第2收授部，和對上述第1收授部及上述第2收授部進行上述基板之搬入搬出的轉移裝置，且與上述第2處理區塊鄰接配置；第2收授區塊，其包含被配置在藉由上述第1搬運裝置及上述第2搬運裝置能夠存取之位置而收容上述第1面或上述第2面朝上之狀態之上述基板的第3收授部，且被配置在上述第1處理區塊和上述第2處理區塊之間，上述反轉機構被配置在上述第1收授區塊。
  6. 如請求項5所記載之基板處理系統，其中上述轉移裝置係將上述第1面朝上之狀態之上述基板搬運至上述第1收授部，上述第2搬運裝置係從上述第1收授部取出上述基板而搬運至上述第3收授部，上述第1搬運裝置係從上述第3收授部取出上述基板而搬運至上述第1處理單元，同時從上述第1處理單元取出藉由上述第1處理單元被處理的上述基板而搬運至上述第3收授部，上述第2搬運裝置係從上述第3收授部取出上述基板而搬運至上述第1收授部，上述轉移裝置係從上述第1收授部取出上述基板而搬運至上述反轉機構，同時從上述反轉機構取出藉由上述反轉機構被反轉之上述基板而搬運至上述第2收授部，上述第2搬運裝置係從上述第2收授部取出上述基板而搬運至上述第2處理單元。
  7. 如請求項3所記載之基板處理系統，其中藉由上述第1搬運裝置、上述第2搬運裝置及上述轉移裝置之上述基板的搬運同時被進行。
  8. 如請求項1或2所記載之基板處理系統，其中具備：第1收授區塊，其包含被配置在藉由上述第2搬運裝置能夠存取之位置而收容上述第1面朝上之狀態之上述基板的第1收授部，和被配置在藉由上述第2搬運裝置能夠存取之位置而收容上述第2面朝上之狀態之上述基板的第2收授部，和對上述第1收授部及上述第2收授部進行上述基板之搬入搬出的轉移裝置，且與上述第2處理區塊鄰接配置；第2收授區塊，其包含被配置在藉由上述第1搬運裝置及上述第2搬運裝置能夠存取之位置而收容上述第1面或上述第2面朝上之狀態之上述基板的第3收授部；和對上述第3收授部進行上述基板之搬入搬出的第2轉移裝置，且被配置在上述第1處理區塊和上述第2處理區塊之間，上述反轉機構被配置在上述第2收授區塊。
  9. 如請求項8所記載之基板處理系統，其中上述第1轉移裝置係將上述第1面朝上之狀態之上述基板搬運至上述第1收授部，上述第2搬運裝置係從上述第1收授部取出上述基板而搬運至上述第3收授部，上述第1搬運裝置係從上述第3收授部取出上述基板而搬運至上述第1處理單元，同時從上述第1處理單元取出藉由上述第1處理單元被處理的上述基板而搬運至上述第3收授部，上述第2轉移裝置係從上述第3收授部取出上述基板而搬運至上述反轉機構，同時從上述反轉機構取出藉由上述反轉機構被反轉之上述基板而搬運至上述第3收授部，上述第2搬運裝置係從上述第3收授部取出上述基板而搬運至上述第2處理單元。
  10. 如請求項8所記載之基板處理系統，其中藉由上述第1搬運裝置、上述第2搬運裝置、上述第1轉移裝置及上述第2轉移裝置的上述基板之搬運同時被進行。
  11. 如請求項3所記載之基板處理系統，其中上述第1收授部、上述第2收授部及上述反轉機構被排列配置在高度方向。
  12. 如請求項1或2所記載之基板處理系統，其中具備收授區塊，其包含：被配置在藉由上述第1搬運裝置能夠存取之位置而收容上述第1面朝上之狀態之上述基板的第1收授部，和對上述第1收授部進行上述基板之搬入搬出的第1轉移裝置；和對上述反轉機構進行上述基板之搬入的第2轉移裝置；和被配置在藉由上述第1轉移裝置及上述第2轉移裝置能夠存取之位置，暫時性地收容上述基板之緩衝部，上述第1處理區塊及上述第2處理區塊被排列配置在高度方向，上述反轉機構被設置在上述收授區塊。
  13. 如請求項12所記載之基板處理系統，其中上述第1轉移裝置係將上述第1面朝上之狀態的上述基板搬運至上述第1收授部，上述第1搬運裝置係從上述第1收授部取出上述基板而搬運至上述第1處理單元，同時從上述第1處理單元取出藉由上述第1處理單元被處理之上述基板而搬運至上述第1收授部，上述第1轉移裝置係從上述第1收授部取出上述基板而搬運至上述緩衝部，上述第2轉移裝置係從上述緩衝部取出上述基板而搬運至上述反轉機構，上述反轉機構係使上述基板反轉，上述第2搬運機構係從上述反轉機構取出上述基板而搬運至上述第2處理單元。
  14. 如請求項12所記載之基板處理系統，其中上述收授區塊更包含被配置在藉由上述第2搬運裝置能夠存取之位置而收容上述第1面朝上之狀態之上述基板的第2收授部，上述第2處理單元具備：在上述基板之上述第2面朝上之狀態下進行上述基板之處理的第1處理部，和在上述基板之上述第1面朝上之狀態下進行上述基板之處理的第2處理部。
  15. 如請求項14所記載之基板處理系統，其中上述第1轉移裝置係將上述第1面朝上之狀態的上述基板搬運至上述第1收授部，上述第1搬運裝置係從上述第1收授部取出上述基板而搬運至上述第1處理單元，同時從上述第1處理單元取出藉由上述第1處理單元被處理的上述基板而搬運至上述第1收授部，上述第1轉移裝置係從上述第1收授部取出上述基板而搬運至上述緩衝部，上述第2轉移裝置係從上述緩衝部取出上述基板而搬運至上述反轉機構，上述反轉機構係使上述基板反轉，上述第2搬運裝置係從上述反轉機構取出上述基板而搬運至上述第2處理單元，上述第2處理單元使用上述第1處理部而進行上述基板之處理，上述第2搬運裝置係從上述第2處理單元取出上述基板而搬運至上述反轉機構，上述反轉機構係使上述基板反轉，上述第2搬運機構係從上述反轉機構取出上述基板而搬運至上述第2處理單元，上述第2處理單元使用上述第2處理部而進行上述基板之處理。
  16. 如請求項1或2所記載之基板處理系統，其中藉由上述第1處理單元之處理和藉由上述第2處理單元之處理同時被進行。
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