JP2001118782A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 カセットステーションと処理ステーションを
接続し、基板カセットから取り出された基板を処理ステ
ーション内の液処理ユニットにて液処理する基板処理装
置、例えばレジストパターンを作る塗布、現像装置にお
いて、液処理ユニットを複数段に積み上げる場合、処理
液の配管を短くできるレイアウトにすること。 【解決手段】 複数段に積み上げられた液処理ユニット
を例えばカセットステーションから奥側を見て右（ある
いは左）側に一直線に沿って配置し、複数段の液処理ユ
ニットの隣あるいは下方側に、当該液処理装置に用いら
れる処理液の容器やバルブ等の供給制御機器をケミカル
ユニットとしてまとめて配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対し
て例えばレジスト液の塗布処理や現像処理などを行う基
板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程におけるフォ
トリソグラフィ−技術においては半導体ウエハ（以下ウ
エハという）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジ
ストを所定パタ−ンに露光処理し、更に現像処理して所
定パタ−ンのレジスト膜が形成される。このような一連
の処理は、塗布／現像装置に露光装置を接続したシステ
ムにより行われる。

【０００３】図１５はこのような装置の従来例を示す平
面図であり、基板例えば半導体ウエハを２５枚収納した
カセットＣはカセットステ−ションＡ１のカセットステ
−ジ１に搬入される。

【０００４】前記カセットステ−ションＡ１には処理ス
テ−ションＡ２が接続されており、更に処理ステ−ショ
ンＡ２にはインタ−フェイスステ−ションＡ３を介して
露光装置Ａ４が接続されている。処理ステ−ションＡ２
は、ウエハＷにレジスト液を塗布する例えば２個の塗布
ユニット１１と、露光後のウエハＷを現像する例えば２
個の現像ユニットとを備えている（この例では下段に現
像ユニットが配列されている）。なおウエハＷにレジス
トを塗布する前に反射防止膜を形成する場合には反射防
止膜形成ユニットが更に設けられる。

【０００５】また当該ステ−ションＡ２は、ウエハＷが
多段に載置される例えば３個の棚ユニット１２，１３，
１４を備えており、これら棚ユニット１２，１３，１４
の各棚は、加熱部、冷却部、ウエハＷの受け渡し部など
として構成されている。そしてウエハＷはウエハ搬送手
段１５により、前記塗布ユニット１１と現像ユニットと
棚ユニット１２，１３，１４との間で搬送されるように
なっている。

【０００６】このようなシステムでは、前記カセットス
テ−ジ１上のカセットＣ内のウエハＷは、受け渡しア−
ム１６により取り出され、棚ユニット１２の受け渡し部
を介して塗布ユニット１１に送られ、ここでレジストが
塗布される。その後ウエハＷはウエハ搬送手段１５→棚
ユニット１３の受け渡し部→インタ−フェイスステ−シ
ョンＡ３の受け渡しアーム１７→露光装置Ａ４の経路で
搬送されて露光される。露光後のウエハＷは、逆経路で
処理ステ−ションＡ２に搬送され、塗布ユニット１１の
下段に設けられた図示しない現像ユニットにて現像され
た後、ウエハ搬送手段１５→棚ユニット１２の受け渡し
部→カセットＣの経路で搬送される。なお１７は処理ス
テ−ションＡ２と露光装置Ａ４との間でウエハＷの受け
渡しを行うための受け渡しア−ムである。

【０００７】塗布ユニットや現像ユニットにて用いられ
る処理液（レジスト液あるいは現像液は容器内に貯溜さ
れており、これら容器は、処理ステーションＡ２全体を
囲む筺体１８の外に設けられた外置きボックス内に設置
されている。

【０００８】更に塗布ユニット及び現像ユニットに用い
られる用力系、例えば前記容器内の処理液を圧送するた
めのＮ2（窒素）ガス供給系、スピンチャック等の駆動
用給電部、エアシリンダのエア供給部なども前記筺体１
８の外に設置されていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述の装置では、処理
液を収納する容器がステーションＡ２の外に置かれてい
るので塗布ユニットや現像ユニットに処理液を供給する
ための配管が長くなっている。この配管内の処理液はメ
ンテナンス時等には廃棄されるが、パターンの微細化に
対応するためのレジスト液や現像液のコストが高価にな
っていることから、処理液の滞留距離が長いとトータル
のコストが高くなってしまう。一方ノズルからの処理液
の吐出量を高精度にコントロールし、吐出後に処理液が
基板上に垂れないように、ノズルの先端から処理液面を
僅かに戻す必要があり、このため微妙に処理液の加圧力
を調整しなければならない。そこで定量ポンプやサック
バルブなどの供給制御機器はノズルからあまり離れない
ようにするために外置きボックス内に置かずに塗布（現
像）ユニット内に設けるようにしているが、各塗布（現
像）ユニット内に供給制御機器を配置するとメンテナン
ス作業がやりにくいという課題がある。

【００１０】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は処理液の配管を短くすることの
できる基板処理装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、基板を収納した基板カセットを載置する載置部
と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板
の受け渡しをする受け渡し手段と、を含むカセットステ
−ションと、このカセットステ−ションに接続され、前
記受け渡し手段により搬送された基板を処理する処理ス
テ−ションと、を有し、前記処理ステ−ションは、複数
段に積み重ねられると共に各々処理液により基板に対し
て処理を行う液処理ユニットと、これら液処理ユニット
に対して基板の搬出入を行う搬送手段と、前記処理液を
収納する容器が収納され、液処理ユニットの隣または最
下段の液処理ユニットの下方側に設けられた容器収納部
と、を備えたことを特徴とする。

【００１２】このような発明によれば、処理液の配管が
短くて済むため、高価な処理液の滞留量が少なく、コス
トの低減を図ることができる。

【００１３】前記容器収納部は、容器から液処理ユニッ
トに処理液を供給する配管に設けられる処理液の供給制
御機器を収納するようにしてもよく、このようにすれば
メンテナンの作業性がよいなどの利点がある。また複数
段に積み重ねられた液処理ユニットは、横方向に直線状
に複数配置され、複数段に積み重ねられた液処理ユニッ
ト毎に容器収納部が当該液処理ユニットの隣または下方
側に設けられるようにしてもよい。更に複数段に積み重
ねられた液処理ユニットの最下段の下方側に、各段の液
処理ユニットに用いられる用力機器を配置するようにし
てもよい。

【００１４】処理ステ−ションは、例えば、液処理ユニ
ットにおける処理に対する前処理及び／または後処理を
行うために、加熱処理及び／または冷却処理するための
ユニットが多段に積み重ねられている棚ユニットを備え
ている。また容器収納部は液処理ユニットの隣に設ける
構成とした場合、棚ユニットにて基板を冷却した後、更
に精度よく所定の温度に冷却するための微調整用の冷却
部を、搬送手段の搬送領域から区画して、液処理ユニッ
トで用いられる雰囲気気体の流れる環境中であって、前
記容器収納部の上または下に配置されるようにしてもよ
い。

【００１５】そして棚ユニットを設けた装置において
は、次のように構成してもよく、この場合カセットステ
−ションから見て奥行きの長さを短くできるといった利
点がある。

【００１６】ａ．基板カセットがＸ方向に複数配列され
る。

【００１７】ｂ．処理ステ−ションは、搬送手段、複数
段に積み重ねられた液処理ユニット及び棚ユニットを有
するブロックをＹ方向に接続して構成される。

【００１８】ｃ．処理ステ−ション全体で見て、複数段
に積み重ねられた液処理ユニットは、Ｙ方向に直線状に
複数配置され、棚ユニットはＹ方向に複数並び、搬送手
段は、棚ユニットの並びと液処理ユニットの並びとの間
に配置される。

【００１９】ｄ．カセットステ−ション寄りのブロック
においては、棚ユニットの少なくとも一つの段が受け渡
し手段と搬送手段との間で基板を受け渡すための受け渡
し部として構成され、当該棚ユニットは、搬送手段から
見てＸ方向に対してカセットステ−ション側に斜めに配
置されている。

【００２０】ｅ．カセットステ−ション寄りのブロック
に接続されるブロックにおいては、棚ユニットは、搬送
手段から見てＸ方向に配置されている。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に本発明の基板処理装置を基
板の塗布、現像装置に適用した実施の形態について説明
する。図１はこの実施の形態の内部を透視して示す概観
図、図２は概略平面図である。図中Ｓ１はカセットステ
−ション、Ｓ２はウエハＷに対してレジストの塗布処理
や現像処理等を行うための処理ステ−ション、Ｓ３はイ
ンタ−フェイスステ−ション、Ｓ４は露光ステーション
である。

【００２２】カセットステ−ションＳ１は、複数の基板
例えば２５枚のウエハＷを収納した例えば５個の基板カ
セットをなすウエハカセット（以下「カセット」とい
う）２２をＸ方向に配列して載置する載置部をなすカセ
ットステ−ジ２１と、カセットステ−ジ２１上のカセッ
ト２２と後述する処理ステ−ションＳ２の受け渡し部と
の間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡し手段
をなす受け渡しア−ム２３とを備えている。受け渡しア
−ム２３は、昇降自在、Ｘ，Ｙ方向に移動自在、鉛直軸
まわりに回転自在に構成されている。

【００２３】処理ステーションＳ２は、カセットステー
ションＳ１から露光ステーションＳ３を見て奥側に向か
って３個のブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３が配列されて構成
されている。各ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３及びインター
フェイスステーションＳ３は筺体で囲まれており、各ブ
ロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３の間、及びブロックＢ１とカセ
ットステーションＳ１との間、ブロックＢ３とインター
フェイスステーションＳ３との間も仕切られていて、各
々雰囲気が区画されるように構成されている。なおカセ
ットステーションＳ１及びブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３は
クリーンエアのダウンフローが形成されている。

【００２４】ブロックＢ１は、カセットステーションＳ
１の背面に沿って設けられた棚ユニットＲ１と、カセッ
トステーションＳ１から奥側を見て左側及び右側に夫々
設けられた棚ユニットＲ２及び液処理ユニットである反
射防止膜形成ユニット３と、棚ユニットＲ１、Ｒ２及び
反射防止膜形成ユニット３の間並びに隣のブロックＢ２
の受け渡し部の間でウエハＷの搬送を行う基板搬送手段
であるメインアーム４Ａと、後述する容器収納部である
ケミカルユニット５Ａとを備えている。

【００２５】図３はカセットステーションＳ１及びブロ
ックＢ１の一部を側面から見て平面的に展開した説明図
である。前記棚ユニットＲ１は図３に示すようにウエハ
Ｗを加熱するための加熱部２４、ウエハＷを冷却するた
めの冷却部２５が積み重ねられており、更にこれら棚の
一部にウエハＷの位置合わせを行うアライメント部２６
と、受け渡しアーム２３及びメインアーム４Ａの間でウ
エハＷの受け渡しを行う、ステージを備えた受け渡し部
２７とが割り当てられている。なお加熱部２４、冷却部
２５は互に異なる棚ユニットに夫々割り当ててもよい。

【００２６】反射防止膜形成ユニット３について例えば
図４に基づいて説明すると、３１はカップであり、この
カップ３１内に真空吸着機能を有する回転自在なスピン
チャック３２が設けられている。このスピンチャック３
２は昇降機構３３により昇降自在に構成されており、カ
ップ３１の上方側に位置しているときに、前記搬送手段
４Ａの後述するア−ム４１との間でウエハＷの受け渡し
が行われる。３４は吐出ノズル、３５は処理液供給管、
３４ａはノズルを水平移動させる支持ア−ムである。処
理液供給管３５は、処理液を収納している容器５１内に
上流端が突入されており、容器５１内に蓄えられた処理
液をポンプ３６により吸入してフィルタ３７にて濾過
し、パーティクル等を除いた処理液をサックバルブ３
８、ノズル３４を通して吐出する。ノズル３４から吐出
した処理液は、スピンチャック３２により回転している
ウエハＷ上に滴下され、伸展されて反射防止膜が形成さ
れる。またカップ３１内は気液分離手段３９ａを介して
排気ポンプ３９により吸引されている。

【００２７】図５は反射防止膜形成ユニット３及びケミ
カルユニット５Ａのレイアウトを横から見た図であり、
反射防止膜形成ユニット３は例えば３段に積み重ねられ
ている。各ユニット３は、既述のカップ３１やノズル３
４ａが筐体３０により覆われていると共に、筐体３０の
上部にフィルタユニットＦが設けられており、フィルタ
ユニットＦから温度、湿度調整された清浄気体のダウン
フローが形成され、筐体３０によって、その外の雰囲気
と区画されている。

【００２８】３段の反射防止膜形成ユニット３のカセッ
トステーションＳ１側の隣には、既述のようにケミカル
ユニット５Ａが設けられ、このケミカルユニット５Ａは
全体が筐体５０で囲まれると共に、例えば３段の反射防
止膜形成ユニット３の夫々に使用される処理液を収納し
た容器５１が、３段に配置して収納されている。更にケ
ミカルユニット５Ａ内には、ポンプ３６、フィルタ３７
及びサックバルブ３８等の処理液供給制御機器が収納さ
れている。なお図面では、容器５１を代表して記載して
ある。

【００２９】また最下段の反射防止膜形成ユニット３の
下方側には、各段の反射防止膜形成ユニット３に用いら
れる用力機器６１が筐体６０内にまとめて配置されて、
用力系ユニット６Ａを構成している。用力機器６１と
は、例えばカップ３１内を排気するための排気ポンプ３
９、スピンチャック３２の吸引源である真空ポンプ、昇
降部３３をなすエアシリンダーに用いられるエアー源、
スピンチャック３２を回転させるモータの電力源などが
相当する。また容器内に加圧気体が供給されることによ
り処理液が吐出される場合には加圧気体の供給源である
例えば窒素ボンベなども用力機器６１に相当する。前記
メインアーム４Ａは、図６に示すようにウエハＷを保持
するアーム４１と、このアーム４１を進退自在に支持す
る支持台４２と、この支持台４２を昇降自在に支持する
基体４３と、この基体４３を鉛直軸周りに回転自在に駆
動するための回転駆動部４４とを備えている。アーム４
１は、夫々ウエハＷを保持し得るように３段構成になっ
ており、その各段にそれぞれ設けられた例えば３片の爪
部４５の上にウエハＷの周縁を載せるようになってい
る。

【００３０】以上のようにブロックＢ１は構成されてい
るが、このブロックＢ１の隣に接続されているブロック
Ｂ２も同様の構成である。ブロックＢ１がウエハＷの表
面に反射防止膜を形成するのに対し、ブロックＢ２は、
ウエハＷの反射防止膜の上にレジスト膜を形成するため
のものであり、反射防止膜形成ユニット３の代りに、液
処理ユニットであるレジスト液を塗布する塗布ユニット
７が配置されている。両ユニット３、７は同様の構成で
あり、塗布ユニット７では処理液としてレジスト液が用
いられる。Ｒ３、Ｒ４は棚ユニット、４Ｂはメインアー
ム、５Ｂはケミカルユニット、６Ｂは用力系ユニットで
ある。

【００３１】ブロックＢ２の隣に接続されているブロッ
クＢ３は、露光ステーションＳ４にて露光されたウエハ
を現像するためのものである。液処理ユニットである現
像ユニット８は、前記反射防止膜形成ユニット３及び塗
布ユニット７の並びの延長線上に２個ずつ上下に合計４
個設けられている。現像ユニット８の構成は反射防止膜
形成ユニット３とほぼ同じであるが、ウエハＷの直径方
向に多数の供給孔を配列したノズルを用いるなどの点に
差異がある。またケミカルユニット５Ｃは現像ユニット
８の下方側に配置され、用力系ユニット６Ｃはケミカル
ユニット５Ｃの下方側に配置されている。

【００３２】棚ユニットＲ５、Ｒ６は夫々ブロックＢ２
及びインターフェイスステーションＳ３寄りに設けられ
ており、棚ユニットＲ１、Ｒ２とほぼ同じ構成である
が、加熱板と冷却板とを１枚に並べ、この間を専用に搬
送する搬送アームを設けた加熱−冷却部が含まれてい
る。加熱−冷却部を設ける理由は、化学増幅型のレジス
トを用いた場合、露光後に行う加熱時間を高精度に管理
する必要があることに基づいている。

【００３３】またブロックＢの奥側に接続されたインタ
ーフェイスステーションＳ４は、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向に移動
自在でかつ鉛直軸まわりに回転自在な受け渡しアーム２
８をを備えており、この受け渡しアーム２８はブロック
Ｂ３及び露光ステーションＳ４間でウエハＷの受け渡し
を行う。

【００３４】次に上述の実施の形態の作用について説明
する。外部から例えば２５枚のウエハＷを収納したカセ
ット２２がカセットステージ２１に搬入されると、受け
渡しアーム２３によりカセット２１内からウエハＷが取
り出されてブロックＢ１の棚ユニット内の受け渡し部２
７に置かれ、メインアーム４Ａに受け渡される。このウ
エハＷはブロックＢ１にて先ず反射防止膜が形成され、
次いでブロックＢ２にて反射防止膜の上に例えば化学増
幅型のレジスト膜が形成され、その後露光ステーション
Ｓ４にて露光される。ブロックＢ１では、反射防止膜が
形成されたウエハＷは棚ユニットＲ１（Ｒ２）の加熱部
２４にて加熱され、次いで冷却部２５にて冷却される。
またブロックＢ２においてもレジスト膜が形成されたウ
エハＷは棚ユニットＲ３（Ｒ４）にて加熱、冷却され
る。ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３及びインターフェイスス
テーションＳ３間のウエハＷの搬送は、棚ユニットＲ
３、Ｒ５、Ｒ６内の受け渡し部を通じて行われる。

【００３５】露光されたウエハＷは、棚ユニットＲ５
（Ｒ６）内の加熱−冷却部に加熱、冷却され、現像ユニ
ット８にて現像処理される。現像後のウエハＷは棚ユニ
ットＲ５（Ｒ６）にて加熱、冷却されて一連のレジスト
パターン形成工程を終了し、ブロックＢ２、Ｂ１を介し
て元のカセット２１内に戻される。

【００３６】上述実施の形態によれば、ケミカルユニッ
ト５Ａ（５Ｂ）を反射防止膜形成ユニット３（塗布ユニ
ット７）の隣に設けているため、処理液の配管を短くで
きる。従って高価な処理液の滞留量が少なくて済み、滞
留して処理液はメンテナンス時等に廃棄されるので、コ
ストの削減を図れる。またケミカルユニット５Ａ（５
Ｂ）と反射防止膜形成ユニット３（塗布ユニット７）が
接近しているので、処理液を定量的に送るポンプ３６
や、ノズル３４からの処理液吐出後に液ダレを防止する
ために処理液を若干吸引してノズル３４内の液面を引き
上げるサックバルブ３８といった供給制御機器をケミカ
ルユニット５Ａ（５Ｂ）内に設けても圧損が少ないので
処理液の供給制御を精度良く行うことができると共に、
供給制御機器をケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）内に設け
ることによりメンテナンスが行いやすくなる。そして上
記ユニット３、７を複数段積み重ねる場合に、例えば各
段のユニット３、７に夫々適応した高さに、容器５１や
供給制御機器を配置すれば処理液の配管をより短くする
ことができ、有利である。

【００３７】また現像ユニット８においても、処理液で
ある現像液の容器や供給制御機器を最下段の現像ユニッ
ト８の下方側に設けているため、現像液の配管が短くて
済み、メンテナンスも行いやすい。更に反射防止膜形成
ユニット等の液処理ユニット３、７、８の下方側に既述
の用力機器６１が配置されているため、排気管、真空引
きチューブ、エアー供給管、加圧気体供給管などの用力
線の引き回し長さが短くて済み、また各ブロックＢ１
（Ｂ２、Ｂ３）単位で用力機器６１や用力線が組み込ま
れるので、例えばブロックＢ１（Ｂ２、Ｂ３）を接続す
る前に調整を行うことができる等、作業性が良いという
利点がある。

【００３８】図７及び図８は本発明の他の実施の形態を
示し、この実施の形態では反射防止膜形成ユニット３及
び塗布ユニット７を２段積みの構成とし、反射防止膜形
成ユニット３（塗布ユニット７）の下方側にケミカルユ
ニット５Ａ（５Ｂ）を配置すると共に、ケミカルユニッ
ト５Ａ（５Ｂ）の下方に用力系ユニット６Ａ（６Ｂ）を
配置している。なお図８では反射防止膜形成ユニット３
の並びを代表して示してある。更にブロックＢ２、Ｂ３
においては、棚ユニットを１個ずつ（Ｒ１、Ｒ４）設け
ていると共に、ブロックＢ２、Ｂ３間のウエハＷの受け
渡しは、メインアーム４Ａ、４Ｂからアクセスできる位
置に設けた中間ステージ９１により行うように構成され
ている。

【００３９】図９〜図１１は本発明の更に他の実施の形
態を示している。この実施の形態における反射防止膜形
成ユニット３（塗布ユニット７）、ケミカルユニット５
Ａ（５Ｂ）、用力系ユニット６Ａ（６Ｂ）のレイアウト
は図１等に示す１番目の実施の形態と同じであるが、ケ
ミカルユニット５Ａ（５Ｂ）の上に冷却部１０１を設
け、この冷却部１０１を、メインアーム４Ａの搬送領域
（搬送雰囲気）から区画し、反射防止膜形成ユニット３
（塗布ユニット７）のカップ３１が置かれている雰囲気
と同じになるように構成している。例えば冷却部１０１
が置かれている雰囲気を筐体１０２で囲み、当該雰囲気
と反射防止膜形成ユニット３内の雰囲気との間に、筐体
３０の一部である仕切り板１０３を介在させると共に、
両雰囲気の天井部のフィルタＦから共通の雰囲気形成用
の清浄気体、つまり温度、湿度調整された共通の清浄気
体を降下させるように構成している。

【００４０】このような構成とした理由は次の通りであ
る。即ち反射防止膜やレジスト膜の膜厚は、ウエハＷの
温度により左右されるため、棚ユニットＲ１（Ｒ３）の
加熱部２４で加熱した後、冷却部２５でいわば粗熱取り
を行い（ラフな冷却温度に調整し）、その後前記冷却部
１０１にて冷却を行えば、冷却部１０１は反射防止膜形
成ユニット３（塗布ユニット７）と同じ雰囲気であるた
め同じ温度になり、膜厚が精度が良くなるからである。
この場合冷却部１０１からの搬送は、メインアーム４Ａ
（４Ｂ）を用いてもよいが、冷却部１０１と反射防止膜
形成ユニット３との間を結ぶ専用の搬送手段を設けれ
ば、冷却後のウエハＷがメインアーム４Ａ（４Ｂ）の搬
送領域を通らないのでより好ましい。

【００４１】冷却部１０１はケミカルユニット５Ａ（５
Ｂ）の下方側に設けてもよい。なお図１１中１０４、１
０５は夫々反射防止膜形成ユニット３（塗布ユニット
７）及び筐体１０２に形成されたウエハＷの搬送口であ
る。また現像ユニット８においても反射防止膜形成ユニ
ット３と同様に３段積みの構成となっており、ケミカル
ユニット５Ｃ、用力系ユニット６Ｃ、冷却部１０１（便
宜上同符号を用いている）の構成についても図１０、図
１１に示したと同様の構成である。

【００４２】図１２は、図９に示した実施の形態の変形
例を示し、３段積みの現像ユニット８を２個設け、その
間にケミカルユニット及び冷却部１０１を設けた点及び
棚ユニットＲ５、Ｒ６の配置が図９の構成と異なる。

【００４３】図１３は上記以外の本発明の実施の形態を
示す図である。この実施の形態では図７に示す実施の形
態のように反射防止膜形成ユニット３及び塗布ユニット
７を２段積みとし、その下にケミカルユニット５Ａ（５
Ｂ）を設け、更にその下に用力系ユニット６Ａ（６Ｂ）
を設けている。また現像ユニット８に関しても同様の構
成となっている。またブロックＢ３とインターフェイス
ステーションＳ３との間のウエハＷの受け渡しはインタ
ーフェイスユニットＳ３に設けた受け渡しステージ９２
を介して行われる。

【００４４】図１４は図１３の実施の形態の変形例を示
す図である。この実施の形態においては、メインアーム
４Ａ、４Ｂ、４Ｃが夫々反射防止膜形成ユニット３、塗
布ユニット７及び現像ユニット８に対してＸ方向に対向
しており、棚ユニットＲ１、Ｒ２、Ｒ６の並びは、搬送
手段４Ａ、４Ｂ、４Ｃの並びから見て液処理ユニット
３、７、８の並びと反対側に配置されている。そしてカ
セットステーションＳ１寄りのブロックＢ１の棚ユニッ
トＲ１はメインアーム４Ａから見てＸ方向に対してカセ
ットステーションＳ１側に斜めに配置されていると共
に、その隣のブロックＢ２の棚ユニットＲ３はメインア
ーム４Ｂから見てＸ方向に配置されている。またインタ
ーフェイスステーションＳ３寄りのブロックＢ３の棚ユ
ニットＲ６は、メインアーム４Ｃから見てＸ方向に対し
てインターフェイスステーションＳ３側に斜めに配置さ
れている。メインアーム４Ａ、４Ｂ間及び４Ｂ、４Ｃ間
のウエハの受け渡しは中間ステージ９１を介して行われ
る。

【００４５】図１４のようなレイアウトによれば、各ブ
ロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３を小型化できる。即ち棚ユニッ
トＲ１（Ｒ６）はカセットステーションＳ１（インター
フェイスステーション５）寄りに設けなければならない
がメインアーム４Ａ（４Ｃ）の真横に配置するよりも図
１４で斜め左（右）に配置した方がＹ方向の長さを短く
でき、また中央のブロックＢ２については棚ユニットＲ
３を中央に置くことによりＹ方向の長さを短くできる。
半導体製造工場では半導体製造装置の奥行きが短い方が
有利であるので、図１４のレイアウトは有効である。

【００４６】以上において塗布、現像装置は反射防止膜
形成ユニットを含むブロックＢ１がない場合もあり、そ
の場合例えば塗布ユニットを含むブロックＢ２の棚ユニ
ットＲ３（Ｒ４）内で疎水化処理が行われる。また本発
明は、塗布、現像装置に限らず、シリコン酸化膜の前駆
体を含む処理液をスピンコーティング等で基板上に塗布
し、その後加熱、冷却する装置に対しても適用できる。
なお基板にはウエハに限らず液晶ディスプレイ用のガラ
ス基板であってもよい。

【００４７】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、複数
段の液処理ユニットを含む処理ステーションをカセット
ステーションに接続し、カセット内の基板を取り出して
液処理を行う装置において、液処理ユニットで用いられ
る処理液の配管を短くでき、従って高価な処理液の滞留
量が少なくて済みコストの削減を図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である塗布、現像装置の概
観を示す斜視図である。

【図２】図１の塗布、現像装置を示す概略平面図であ
る。

【図３】図１の塗布、現像装置の一部を横に展開して示
す説明図である。

【図４】図１の塗布、現像装置に用いられる液処理ユニ
ット及び処理液の供給系を示す説明図である。

【図５】図１の塗布、現像装置の液処理ユニット及び関
連部位を略解的に示す側面図である。

【図６】基板搬送装置であるメインアームを示す斜視図
である。

【図７】本発明の他の実施の形態である塗布、現像装置
を示す概略平面図である。

【図８】図７の塗布現像装置の液処理ユニット及び関連
部位を略解的に示す側面図である。

【図９】本発明の更に他の実施の形態である塗布、現像
装置を示す概略平面図である。

【図１０】図９の塗布現像装置の液処理ユニット及び関
連部位を略解的に示す側面図である。

【図１１】図９の実施の形態おいて冷却部を液処理ユニ
ット内の雰囲気に配置した構成を示す概観斜視図であ
る。

【図１２】本発明の更にまた他の実施の形態である塗
布、現像装置を示す概略平面図である。

【図１３】上記以外の実施の形態である塗布、現像装置
を示す概略平面図である。

【図１４】上記以外の実施の形態である塗布、現像装置
を示す概略平面図である。

【図１５】従来の塗布、現像装置を示す概略平面図であ
る。

【符号の説明】

Ｓ１ カセットステ−ション Ｓ２ 処理ステ−ション Ｓ３ インタ−フェイスステ−ション Ｓ４ 露光ステーション Ｂ１〜Ｂ３ ブロック ２２ ウエハカセット Ｒ１〜Ｒ６ 棚ユニット ２３ 加熱部 ２５ 冷却部 ３ 反射防止膜形成ユニット ３１ カップ ３２ スピンチャック ３４ ノズル ３６ ポンプ ３７ フィルタ ３８ サックバルブ ３９ 排気ポンプ ４Ａ〜４Ｃ メインアーム ５Ａ〜５Ｃ ケミカルユニット ５１ 容器 ６Ａ〜６Ｃ 用力系ユニット ６１ 用力機器 ７ 塗布ユニット ８ 現像ユニット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 賢治 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AB20 DA19 EA04 FA15 2H096 AA25 AA28 GA21 LA30 5F031 CA02 CA05 DA17 FA01 FA02 FA11 FA12 FA15 GA49 GA50 MA02 MA07 MA24 MA26 5F046 CD01 CD05 CD06 JA03 JA04 JA22 LA01 LA18

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を収納した基板カセットを載置する
   載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対し
   て基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含むカセッ
   トステ−ションと、 このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手
   段により搬送された基板を処理する処理ステ−ション
   と、を有し、 前記処理ステ−ションは、複数段に積み重ねられると共
   に各々処理液により基板に対して処理を行う液処理ユニ
   ットと、これら液処理ユニットに対して基板の搬出入を
   行う搬送手段と、前記処理液を収納する容器が収納さ
   れ、液処理ユニットの隣または最下段の液処理ユニット
   の下方側に設けられた容器収納部と、を備えたことを特
   徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 容器収納部は、容器から液処理ユニット
   に処理液を供給する配管に設けられる処理液の供給制御
   機器を収納することを特徴とする請求項１記載の基板処
   理装置。
3. 【請求項３】 複数段に積み重ねられた液処理ユニット
   は、横方向に直線状に複数配置され、複数段に積み重ね
   られた液処理ユニット毎に容器収納部が当該液処理ユニ
   ットの隣または下方側に設けられたことを特徴とする請
   求項１または２記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 複数段に積み重ねられた液処理ユニット
   の最下段の下方側に、各段の液処理ユニットに用いられ
   る用力機器が配置されていることを特徴とする請求項
   １、２または３記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 処理ステ−ションは、液処理ユニットに
   おける処理に対する前処理及び／または後処理を行うた
   めに、加熱処理及び／または冷却処理するためのユニッ
   トが多段に積み重ねられている棚ユニットを備えている
   ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の
   基板処理装置。
6. 【請求項６】 容器収納部は液処理ユニットの隣に設け
   られ、 棚ユニットにて基板を冷却した後、更に精度よく所定の
   温度に冷却するための微調整用の冷却部を、搬送手段の
   搬送領域から区画して、液処理ユニットで用いられる雰
   囲気気体の流れる環境中であって、前記容器収納部の上
   または下に配置されていることを特徴とする請求項５記
   載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 次のように構成されていることを特徴と
   する請求項５または６にいずれか記載の基板処理装置。 ａ．基板カセットがＸ方向に複数配列される。 ｂ．処理ステ−ションは、搬送手段、複数段に積み重ね
   られた液処理ユニット及び棚ユニットを有するブロック
   をＹ方向に接続して構成される。 ｃ．処理ステ−ション全体で見て、複数段に積み重ねら
   れた液処理ユニットは、Ｙ方向に直線状に複数配置さ
   れ、棚ユニットはＹ方向に複数並び、搬送手段は、棚ユ
   ニットの並びと液処理ユニットの並びとの間に配置され
   る。 ｄ．カセットステ−ション寄りのブロックにおいては、
   棚ユニットの少なくとも一つの段が受け渡し手段と搬送
   手段との間で基板を受け渡すための受け渡し部として構
   成され、当該棚ユニットは、搬送手段から見てＸ方向に
   対してカセットステ−ション側に斜めに配置されてい
   る。 ｅ．カセットステ−ション寄りのブロックに接続される
   ブロックにおいては、棚ユニットは、搬送手段から見て
   Ｘ方向に配置されている。