JP3708880B2 - 基板の処理方法及び基板の処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理方法及び基板の処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては，例えば半導体ウェハ（以下「ウェハ」とする）にレジスト液を供給し，ウェハ表面上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理が行われる。
【０００３】
このレジスト塗布処理は，通常レジスト塗布装置で行われる。レジスト塗布装置には，ウェハに所定量のレジスト液を供給するノズルが設けられている。ノズルは，レジスト液の供給源である貯留タンクに配管により接続されている。この配管には，例えばレジスト液を圧送するポンプや不純物を除去するフィルタ，レジスト液の吐出を制御する開閉弁等が設けられている。これらの諸元により，レジスト液の供給機構が構成され，貯留タンクのレジスト液は，ポンプ，フィルタ，開閉弁等を経由して，ノズルから吐出される。そして，レジスト塗布装置では，次々に装置内に搬入されてくるウェハにレジスト液を塗布する処理が繰り返し行われている。
【０００４】
ところで，従来よりレジスト塗布装置では，配管内に滞留するレジスト液を排出するダミーディスペンスが行われている。従来のダミーディスペンスは，同一系統の供給機構に対して単一のレシピ，開始条件の下で行われていた。このように単一のレシピ，開始条件によりダミーディスペンスが行われていたのは，レジスト塗布装置が通常多系統の供給機構を有しており，レジスト塗布装置の制御を単純化するため等の理由による。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，レジスト塗布装置においてダミーディスペンスを行う目的は，複数ある。例えば，ロットの変更時に行われ，ノズルからのレジスト液の吐出量等を安定させるためのダミーディスペンス，フィルタやポンプに滞留した泡を除去するためのダミーディスペンス，ノズル等の乾燥を防止するためのダミーディスペンス等がある。そして，これらの目的を達成するために必要な各ダミーディスペンスの吐出量等のレシピや開始条件は，本来相異するものである。
【０００６】
従来のように，同一供給機構において一種類の設定のみでダミーディスペンスの目的を全て満たそうとすると，例えばダミーディスペンスの頻度については，最も開始条件の緩やかな，すなわち最も頻繁に実施する必要があるダミーディスペンスの設定に開始条件を合わせる必要がある。また，吐出量についてみても，数あるダミーディスペンスの中で最も吐出量が多いダミーディスペンスの量に合わせる必要がある。しかしながら，ダミーディスペンス中はウェハの処理が中断されるため，そのように最も頻繁に実施する必要のあるダミーディスペンスのレシピに合わせると，処理のスループットが著しく低下する。また，ダミーディスペンスの際に吐出したレジスト液は，廃棄されることが多く，結果的に無駄となるレジスト液の量が多くなってしまう。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，各目的に応じたダミーディスペンスを行うにあたり，不必要なダミーディスペンスを省略してスループットの向上と処理液の消費量を低減することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば，基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であって，前記基板処理が次々に行われる中で，処理液についての目的の異なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件が定められ，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間が計測されており，前記各ダミーディスペンスは，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合に行われ，前記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間はリセットされ，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間はリセットされないことを特徴とする基板の処理方法が提供される。なお，前記「ダミーディスペンス」は，前記処理液のダミーディスペンスである。また，このダミーディスペンスには，処理液供給機構内に残留している処理液を当該処理液供給機構外に排出するもののみならず，処理液供給機構内の処理液を同じ処理液供給機構内の他の部分に排出するものも含まれる。
【０００９】
この発明の処理方法では，複数のダミーディスペンス毎に開始条件等が定められているので，目的に応じたダミーディスペンスを実行することができる。例えば各目的を達成するための必要十分な頻度でダミーディスペンスを行うことができるので，ダミーディスペンスによる基板処理の中断時間が短縮できる。また，ダミーディスペンスによる処理液の消費量を低減することができる。
【００１０】
なお，「前回のリセット時」とは，積算時間の計測が継続して行われており，この積算時間についての前回のリセット時である。また，「所定の設定時間」とは，各ダミーディスペンス毎に定められた設定時間である。
【００１１】
基板の処理で行われるダミーディスペンスでは，一のダミーディスペンスを行うことにより，他のダミーディスペンスの目的が達成される場合がある。例えば，ポンプを起動させ，フィルタに溜まった泡を抜くダミーディスペンスを行うと，当該ポンプに貯留した泡を抜くダミーディスペンスも同時に行うことができる場合がある。かかる場合に，例えばフィルタの泡抜きダミーディスペンスの順位を高くし，ポンプの泡抜きダミーディスペンスの順位を低くする。そして本発明では，順位の高いダミーディスペンスが行われた際には，順位の低いダミーディスペンスの積算時間がリセットされるので，例えばフィルタの泡抜きダミーディスペンスを行ったことによりその直後のポンプの泡抜きダミーディスペンスが省略され，トータルのダミーディスペンスの回数を減らすことができる。これによって，ダミーディスペンスによる基板処理の中断時間を短縮することができ，また，処理液の消費量も低減できる。なお，前記順位は，同じ排出部からダミーディスペンスが行われるものについては，頻度が高いものを高い順位にし，頻度が低いものを低い順位にしてもよい。この際，処理液の吐出量は，順位の定められたダミーディスペンスの中でより多いものに合わせてもよい。また，前記順位は，同じ排出部から行われるものであって，吐出量の多いものを高い順位にし，吐出量の少ないものを低い順位にしてもよい。さらに，前記順位は，複数の目的を達成できるダミーディスペンスの順位を高くし，当該複数目的を達成できるダミーディスペンスの実行によって目的の達成されるダミーディスペンスの順位を低くしてもよい。
【００１２】
別の観点による本発明によれば，基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であって，前記基板処理が次々に行われる中で，処理液についての目的の異なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件が定められ，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの基板の積算処理枚数が計測されており，前記各ダミーディスペンスは，前記積算処理枚数が所定の設定処理枚数に達した場合に行われ，前記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算処理枚数はリセットされ，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算処理枚数はリセットされないことを特徴とする基板の処理方法が提供される。かかる場合にも不要なダミーディスペンスを省略し，トータルのダミーディスペンスの回数を減少させることができる。なお，「所定の設定処理枚数」とは，各ダミーディスペンス毎に定められた設定処理枚数である。
【００１３】
また，別の観点による本発明によれば，基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であって，前記基板処理が次々に行われる中で，処理液についての目的の異なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件が定められ，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間と基板の積算処理枚数が計測されており，前記各ダミーディスペンスは，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合，若しくは前記積算処理枚数が各々の設定処理枚数に達した場合に行われ，前記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数はリセットされ，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数はリセットされないことを特徴とする基板の処理方法が提供される。
【００１４】
前記複数のダミーディスペンスの一部にのみ，前記順位が定められ，順位の定めのないダミーディスペンスは，他の全てのダミーディスペンスが行われた場合には前記リセットが行われず，当該順位の定めのないダミーディスペンスは，独自の開始条件に従ってのみ行われるようにしてもよい。こうすることによって，他のダミーディスペンスに対して開始条件が独立したダミーディスペンスを設定し実行できる。
【００１５】
また，同じ順位に，複数のダミーディスペンスが定められ，当該同じ順位に定められたダミーディスペンスは，同じ順位の他のダミーディスペンスが行われた場合には前記リセットが行われないようにしてもよい。かかる場合，同じ順位内に開始条件の独立した複数のダミーディスペンスを設定できる。これにより，あるダミーディスペンスに対しては開始条件の独立性を維持しつつ，その他のダミーディスペンスに対しては開始条件を依存させるようなダミーディスペンスを設定し実行できる。
前記目的の異なる複数のダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの吐出量が定められていてもよい。
別の観点による本発明は，基板に処理液を供給して基板処理を行う基板の処理装置であって，処理液の供給と，ダミーディスペンスを行う処理液供給機構と，前記ダミーディスペンスを制御する制御装置と，を有し，前記制御装置は，前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスを処理の合間に行い，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件を定め，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間を計測しており，前記各ダミーディスペンスを，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合に行い，前記複数のダミーディスペンスに，順位を定め，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間をリセットし，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間をリセットしないことを特徴とする。
また，別の観点による本発明は，基板に処理液を供給して基板処理を行う基板の処理装置であって，処理液の供給と，ダミーディスペンスを行う処理液供給機構と，前記ダミーディスペンスを制御する制御装置と，を有し，前記制御装置は，前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスを処理の合間に行い，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件を定め，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの基板の積算処理枚数を計測しており，前記各ダミーディスペンスを，前記積算処理枚数が所定の設定処理枚数に達した場合に行い，前記複数のダミーディスペンスに，順位を定め，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算処理枚数をリセットし，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算処理枚数をリセットしないことを特徴とする。
さらに別の観点による本発明は，基板に処理液を供給して基板処理を行う基板の処理装置であって，処理液の供給と，ダミーディスペンスを行う処理液供給機構と，前記ダミーディスペンスを制御する制御装置と，を有し，前記制御装置は，前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスを処理の合間に行い，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件を定め，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間と基板の積算処理枚数を計測しており，前記各ダミーディスペンスを，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合，若しくは前記積算処理枚数が各々の設定処理枚数に達した場合に行い，前記複数のダミーディスペンスに，順位を定め，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数をリセットし，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数をリセットしないことを特徴とする。
前記制御装置は，前記複数のダミーディスペンスの一部にのみ，前記順位を定め，順位の定めのないダミーディスペンスについては，他の全てのダミーディスペンスが行われた場合にも前記リセットを行わず，当該順位の定めのないダミーディスペンスを，独自の開始条件に従ってのみ行うようにしてもよい。
また，前記制御装置は，同じ順位に，複数のダミーディスペンスを定め，当該同じ順位に定められたダミーディスペンスについては，同じ順位の他のダミーディスペンスが行わ れた場合にも前記リセットを行わないようにしてもよい。
前記目的の異なる複数のダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの吐出量が定められていてもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板の処理方法が実施できる塗布現像処理システム１の斜視図であり，図２は，塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００１７】
塗布現像処理システム１は，図１，図２に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接する露光装置（図示しない）との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００１８】
カセットステーション２では，図２に示すように載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図２中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００１９】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は，後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできる。カセットステーション２には，図１に示すように各処理装置の設定，制御を行うコントロールセクション９が設けられている。
【００２０】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5内に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択可能である。
【００２１】
第１の処理装置群G1では，例えば図３に示すように本実施の形態にかかる基板の処理方法が実施されるレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群G2にも同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に配置されている。
【００２２】
第３の処理装置群G3では，例えば図４に示すようにウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うためのエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置３３，３４，現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下から順に例えば６段に積み重ねられている。
【００２３】
第４の処理装置群G4では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６が下から順に例えば７段に積み重ねられている。
【００２４】
インターフェイス部４の中央部には，図２に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は，Ｘ方向（図２中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）に移動自在で，かつθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）に回転自在である。それ故，ウェハ搬送体５０は，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できる。
【００２５】
次に，上述したレジスト塗布装置１７の構成について説明する。図５は，レジスト塗布装置１７の構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図６は，レジスト塗布装置１７の横断面の説明図である。
【００２６】
レジスト塗布装置１７は，例えば図５に示すようにケーシング１７ａを有し，このケーシング１７ａ内の中央部には，ウェハＷを保持し回転させるためのスピンチャック５０が設けられている。このスピンチャック５０は，モータやシリンダ等を備えた駆動部５１により駆動され，例えば所定の速度で回転したり，昇降したりできる。
【００２７】
スピンチャック５０の外方は，上面が開口した略円筒状のカップ５２により取り囲まれている。このカップ５２によりウェハＷから飛散したレジスト液等を受け止め，回収することができる。カップ５２の下面５２ａには，例えば回収したレジスト液等を排液する排液管５３とカップ５２内の雰囲気を排気する排気管５４とが設けられている。
【００２８】
カップ５２の内側であって，スピンチャック５０に保持されたウェハＷの下方側には，洗浄液供給ノズル５５が設けられている。この洗浄液供給ノズル５５により，ウェハＷの裏面にシンナー等の洗浄液を供給してウェハＷの裏面を洗浄することができる。
【００２９】
レジスト塗布装置１７には，ウェハＷにレジスト液を供給するノズル６０が備えられている。ノズル６０は，ノズルアーム６２に支持されている。ノズルアーム６２は，例えば図６に示すようにカップ５２のＸ方向負方向側（図６の左方向）に設けられたＹ方向に延びるレール６３上を移動できる。ノズルアーム６２の移動は，例えば図示しない駆動部により行われる。カップ５２のＹ方向負方向側には，例えばノズル６０の待機部Ｓが設けられており，ノズルアーム６２は，この待機部Ｓ上まで移動できる。したがって，ノズルアーム６２は，待機部Ｓのノズル６０をカップ５２内のウェハＷの中心部まで移動することができる。
【００３０】
ここで，ノズル６０にレジスト液を供給する図７に示すようなレジスト液供給機構Ｋについて説明する。ノズル６０は，例えば第１の配管７０により貯留タンク７１に連通接続されている。貯留タンク７１は，第２の配管７２によりレジスト液の供給源である液体ボトル７３に連通接続されている。第２の配管７２には，ポンプ７４が設けられており，このポンプ７４により液体ボトル７３内のレジスト液を貯留タンク７１に補給することができる。第１の配管７０には，例えば貯留タンク７１側から順に吐出ポンプ７５，第１の弁７６，フィルタ７７及び第２の弁７８が設けられている。
【００３１】
吐出ポンプ７５は，例えば貯留タンク７１の所定量のレジスト液を吸液し，ノズル６０に圧送するものであり，例えばダイアフラム式のポンプが使用される。この吐出ポンプ７５には，第２の配管７２に連通し，吐出ポンプ７５に溜まる泡を排出するためのパージ管７９が取り付けられている。このパージ管７９には，開閉弁８０が設けられている。吐出ポンプ７５を稼動した状態で，開閉弁８０を開放することによって，吐出ポンプ７５に溜まった泡をレジスト液と共に貯留タンク７１内に排出することができる。すなわち，吐出ポンプ７５の泡を排出する目的のダミーディスペンスＤ１を行うことができる。
【００３２】
フィルタ７７は，レジスト液中に含まれる不純物を除去するためのものである。このフィルタ７７には，例えばフィルタ７７に溜まる泡をレジスト塗布装置１７の外部に排出するベント管８１が接続されている。ベント管８１には，開閉弁８２が設けられている。吐出ポンプ７５を稼働した状態で，開閉弁８２を開放することによって，フィルタ７７内の泡が排出できる。すなわち，フィルタ７７の泡を排出する目的のダミーディスペンスＤ２を行うことができる。
【００３３】
第２の弁７８は，その開閉によりノズル６０のレジスト液の吐出を動停止するためのものである。第２の弁７８を開放し，吐出ポンプ７５を稼動することによって，貯留タンク７１のレジスト液をノズル６０から吐出させることができる。すなわち，ウェハＷへのレジスト液の供給の他に，ノズル６０の乾燥を防止する目的のダミーディスペンスＤ３や吐出液の安定を図る目的のダミーディスペンスＤ４を行うことができる。
【００３４】
このレジスト液供給機構Ｋの吐出ポンプ７５等の各諸元の動作は，例えばコントロールセクション９に設けられた主制御装置８５により制御されている。それ故，レジスト液供給機構Ｋで行われるレジスト液のダミーディスペンスは，主制御装置８５により制御できる。主制御装置８５には，例えば上述の目的の異なるダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の吐出量と開始条件とが各々設定できる。
【００３５】
主制御装置８５には，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の設定時間が設けられている。主制御装置８５は，図示しない時間計測機能を有し，この時間計測機構による積算時間が前記各設定時間を超えた場合に，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４が実行される。すなわち，本実施の形態における前記開始条件は，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の積算時間が前記各設定時間を超えたことの時間条件である。前記積算時間は，例えば同じ種類の前ダミーディスペンスが行われた時又は積算時間の前リセット時から起算される。なお，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の設定時間は，例えばダミーディスペンスＤ１は１０００ｓｅｃ，ダミーディスペンスＤ２は５００ｓｅｃ，ダミーディスペンスＤ３は５００ｓｅｃ，ダミーディスペンスＤ４は１０００ｓｅｃに設定される。一方，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の各吐出量は，例えば各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の目的を達成するための必要最小限の量，例えばダミーディスペンスＤ１は１００ｃｃ，ダミーディスペンスＤ２は１００ｃｃ，ダミーディスペンスＤ３は１０ｃｃ，ダミーディスペンスＤ４は１０ｃｃに設定される。これらの時間条件や吐出量の設定は，例えば図１に示すコントロールセクション９の入力手段である設定画面Ｔで行うことができる。設定画面Ｔには，例えば図８に示すように各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の時間条件と吐出量とをタッチパネル方式で設定できる。
【００３６】
また，主制御装置８５には，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４に順位を設定できる。そして，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの積算時間のカウントがリセットされるようになっている。一方，順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの積算時間のカウントが，継続されるようになっている。
【００３７】
主制御装置８５には，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４を，順位のないダミーディスペンス，いわゆる独立順位のダミーディスペンスとしても設定することができる。すなわち，当該独立順位のダミーディスペンスは，順位の付けられたダミーディスペンスの実行，不実行にかかわらず，独自の開始条件に従って実行される。この実施の形態では，例えば図９に示すようにダミーディスペンスＤ１を順位▲１▼に設定し，ダミーディスペンスＤ２を順位▲１▼より順位の低い順位▲２▼に設定する。ダミーディスペンスＤ３，Ｄ４は，独立順位Ａとして設定される。なお，本実施の形態では，ダミーディスペンスＤ１が行われると，その回のダミーディスペンスＤ２が行われなくなるので，ダミーディスペンスＤ１の吐出量をダミーディスペンスＤ２の吐出量に合わせ，ダミーディスペンスＤ２の目的が十分に達成されるようにする。
【００３８】
なお，ケーシング１７ａの上面には，図５に示すように温度及び湿度が調節され，清浄化された窒素ガス，不活性気体，エア等の気体をカップ５２内に供給するダクト８６が接続されている。これにより，例えばウェハＷの塗布処理時，レジスト液のダミーディスペンス時に当該気体を供給し，カップ５２内を所定の雰囲気に維持することができる。
【００３９】
次に，以上のように構成されたレジスト塗布装置１７で行われるウェハＷの処理方法について，塗布現像処理システム１で行われる一連のフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００４０】
先ず，ウェハ搬送体７によりカセットＣから未処理のウェハＷが１枚取り出され，第３の処理装置群G3に属するエクステンション装置３２に搬送される。次いでウェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージョン装置３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密着性を向上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却される。所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，例えばレジスト塗布装置１７に搬送される。
【００４１】
レジスト塗布装置１７において基板処理としてのレジスト塗布処理が終了したウェハＷは，主搬送装置１３によってプリベーキング装置３３，エクステンション・クーリング装置４１に順次搬送され，さらにウェハ搬送体５０によって周辺露光装置５１，露光装置（図示せず）に順次搬送され，各装置で所定の処理が施される。そして露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に戻され，その後，主搬送装置１３によってポストエクスポージャーベーキング装置４４，クーリング装置４３，現像処理装置１８，ポストベーキング装置４６及びクーリング装置３０に順次搬送され，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介してカセットＣに戻され，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００４２】
上述のレジスト塗布処理は，先ずウェハＷが主搬送装置１３によりケーシング１７ａ内に搬入され，スピンチャック５０に吸着保持されると，スピンチャック５０が下降し，ウェハＷがカップ５２内に収容される。次いで，待機部Ｓで待機していたノズル６０がノズルアーム６２によってウェハＷの中心部上方まで移動される。
【００４３】
その後，例えば主制御装置８５により吐出ポンプ７５が稼動し，第１の弁７６と第２の弁７８とが開放される。これによりウェハＷの中心部に所定量のレジスト液が吐出される。続いてウェハＷが所定の回転速度で回転され，ウェハＷ上のレジスト液がウェハＷ表面全面に拡散される。その後，ウェハＷの回転速度が加速され，レジスト液の液膜の膜厚が調整される。
【００４４】
膜厚が調節されると，ウェハＷの回転速度が低下され，洗浄液供給ノズル５５により，ウェハＷの裏面洗浄が行われる。その後，ウェハＷは回転され続け，ウェハＷの振り切り乾燥が行われる。
【００４５】
ウェハＷの乾燥処理が終了すると，ウェハＷの回転が停止され，ウェハＷがスピンチャック５０から主搬送装置１３に受け渡され，ケーシング１７ａ外に搬出される。レジスト塗布装置１７では，かかるレジスト塗布処理が繰り返し行われている。
【００４６】
レジスト液供給機構Ｋのダミーディスペンスは，例えば上述のレジスト塗布処理が繰り返し行われる中で，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４のいずれかの時間条件が成立した時に実行される。例えば図１０に示すように順位▲１▼のダミーディスペンスＤ１の時間条件が成立すると，ダミーディスペンスＤ１が実行される。このダミーディスペンスＤ１では，例えば開閉弁８０，８２及び第１の弁７６が開放され，吐出ポンプ７５が稼動する。これにより，吐出ポンプ７５からベント管８１に設定された吐出量のレジスト液が圧送され，フィルタ７７内の泡が，当該レジスト液と共にベント管８１を通じて排出される。このとき，開閉弁８０の開放により，吐出ポンプ７５内の泡もパージ管７９を通じて排出される。すなわちダミーディスペンスＤ２の目的も達成される。
【００４７】
ダミーディスペンスＤ１が終了すると，ダミーディスペンスＤ１の積算時間のカウントがリセットされる。このとき，ダミーディスペンスＤ１より順位の低いダミーディスペンスＤ２の積算時間のカウントもリセットされる。なお，ダミーディスペンスＤ３，Ｄ４の積算時間のカウントは，継続される。
【００４８】
また，順位▲２▼のダミーディスペンスＤ２の条件が成立した場合には，図１１に示すように，ダミーディスペンスＤ２が実行される。ダミーディスペンスＤ２は，開閉弁８０を開放した状態で，吐出ポンプ７５を稼動させることにより行われる。このダミーディスペンスＤ２は，第１の弁７６を閉鎖した状態で行われ，フィルタ７７側に圧力が印可されないので，ダミーディスペンスＤ２の目的のみが達成される。ダミーディスペンスＤ２が終了すると，ダミーディスペンスＤ２の積算時間のカウントがリセットされ，他のダミーディスペンスＤ１，Ｄ３，Ｄ４の積算時間のカウントが維持される。
【００４９】
さらに，図１２に示すように独立順位ＡのダミーディスペンスＤ３の時間条件が成立した場合，当該ダミーディスペンスＤ３が実行される。例えばダミーディスペンスＤ３は，吐出ポンプ７５を稼動させた状態で，第１の弁７６，第２の弁７８を開放し，開放弁８０及び８２を閉鎖した状態で行われる。そして，ダミーディスペンスＤ３が終了すると，この実行されたダミーディスペンスＤ３のみの積算時間のカウントがリセットされる。その他の順位▲１▼，順位▲２▼及び独立順位ＡであるダミーディスペンスＤ４の積算時間のカウントは，継続される。なお，独立順位ＡのダミーディスペンスＤ４の積算時間が成立した場合は，ダミーディスペンスＤ３と同様の動作が行われる。
【００５０】
以上の実施の形態によれば，目的の異なるダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４毎に，レシピや時間条件を設定できるので，各目的に合った必要十分なダミーディスペンスを行うことができる。この結果，不必要な量の吐出や不必要なタイミングでのレジスト液の吐出が抑制できるので，レジスト液の消費量を低減することができる。また，ダミーディスペンスの実行によりウェハＷの塗布工程が停止されないので，ウェハ処理のスループットも向上できる。
【００５１】
本実施の形態では，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４に順位を付し，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合に，より順位の低いダミーディスペンスの積算時間のカウントをリセットするようにした。これにより，例えばダミーディスペンスＤ２の目的も達成できるダミーディスペンスＤ１の順位を高く設定し，不要なダミーディスペンスＤ２の回数を減らすことができる。したがって，不要なダミーディスペンスが省略され，レジスト液の消費量を低減することができる。
【００５２】
順位に依存せず，独自の時間条件にのみ従う独立順位ＡのダミーディスペンスＤ３，Ｄ４を定めるようにしたので，他のダミーディスペンスでは目的が達成されず，重要度の高いダミーディスペンスを確実に行うことができる。
【００５３】
なお，以上の実施の形態で記載したダミーディスペンスの種類や目的は，レジスト液供給機構の構成等に応じて任意に変更できる。この際，独立順位のダミーディスペンスを定めず，全てのダミーディスペンスに順位を付してもよく，逆に全てのダミーディスペンスを独立順位にしてもよい。
【００５４】
以上の実施の形態では，各順位に一種類のダミーディスペンスしか設定していなかったが，同じ順位の複数のダミーディスペンスを設定してもよい。かかる場合，例えば図１３に示すようにダミーディスペンスＤ１とＤ３とが順位▲１▼に定められる。そして，ダミーディスペンスＤ１が実行され，終了した場合には，ダミーディスペンスＤ３の積算時間のカウントがリセットされず，維持される。一方，ダミーディスペンスＤ３が行われた場合にも，ダミーディスペンスＤ１の積算時間のカウントがリセットされず，継続される。こうすることにより，順位▲２▼に対しては，上述したような優先性を維持しつつ，同じ順位▲１▼内では，時間条件の独立性が確保される。
【００５５】
以上の実施の形態で記載したダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の開始条件は，時間条件であったが，他の開始条件であってもよい。例えば各ダミーディスペンス毎に，前のダミーディスペンス時又は前リセット時からのウェハの積算処理枚数が計測され，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４は，前記積算処理枚数が設定処理枚数を超えた場合に行われるようにしてもよい。かかる場合，例えば主制御装置８５には，図示しないウェハ処理数計測機能が設けられ，主制御装置８５に各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の設定処理枚数が設定される。そして，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４には，上述したような順位が定められ，例えば順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，順位の低いダミーディスペンスの積算処理枚数がリセットされる。また，順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，順位の高いダミーディスペンスの積算処理枚数の計測は継続される。かかる場合においても，不要なダミーディスペンスを省略し，ダミーディスペンスの回数を減らすことができる。
【００５６】
さらに，開始条件は，上述の積算時間が設定時間を経過したこと又は上述の積算処理枚数が設定処理枚数を超えたことのいずれかの条件を満たすことであってもよい。かかる場合，上述の実施の形態同様に順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，順位の低いダミーディスペンスの積算時間と積算処理枚数がリセットされ，順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，順位の高いダミーディスペンスの積算時間と積算処理枚数のカウントが継続される。
【００５７】
以上の実施の形態は，本発明をレジスト液のダミーディスペンスを行う処理方法に適用したものであったが，本発明は，他の処理液，例えば現像液，洗浄液，層間絶縁膜を形成する塗布液，アドヒージョン処理で用いられる処理液等のダミーディスペンスを行う処理方法にも適用できる。また，本発明は，ウェハＷ以外の基板例えばＬＣＤ基板，マスク基板，レクチル基板等の処理方法にも適用できる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば，不必要なダミーディスペンスを省略し，処理液の消費量の低減が図られる。また，基板の処理の中断時間が短縮されるので，スループットの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態における塗布現像処理システムの斜視図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図５】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図６】レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図７】レジスト液供給機構の構成を示す説明図である。
【図８】設定画面の例を示す説明図である。
【図９】ダミーディスペンスの順位付けの例を示す説明図である。
【図１０】ダミーディスペンスの実行フローの一例を示す説明図である。
【図１１】ダミーディスペンスの実行フローの一例を示す説明図である。
【図１２】ダミーディスペンスの実行フローの一例を示す説明図である。
【図１３】ダミーディスペンスの順位付けの他の例を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム
１７ レジスト塗布装置
６０ ノズル
８５ 主制御装置
Ｄ１〜Ｄ４ ダミーディスペンス
Ｋ レジスト液供給機構
Ｗ ウェハ
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理方法及び基板の処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては，例えば半導体ウェハ（以下「ウェハ」とする）にレジスト液を供給し，ウェハ表面上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理が行われる。
【０００３】
このレジスト塗布処理は，通常レジスト塗布装置で行われる。レジスト塗布装置には，ウェハに所定量のレジスト液を供給するノズルが設けられている。ノズルは，レジスト液の供給源である貯留タンクに配管により接続されている。この配管には，例えばレジスト液を圧送するポンプや不純物を除去するフィルタ，レジスト液の吐出を制御する開閉弁等が設けられている。これらの諸元により，レジスト液の供給機構が構成され，貯留タンクのレジスト液は，ポンプ，フィルタ，開閉弁等を経由して，ノズルから吐出される。そして，レジスト塗布装置では，次々に装置内に搬入されてくるウェハにレジスト液を塗布する処理が繰り返し行われている。
【０００４】
ところで，従来よりレジスト塗布装置では，配管内に滞留するレジスト液を排出するダミーディスペンスが行われている。従来のダミーディスペンスは，同一系統の供給機構に対して単一のレシピ，開始条件の下で行われていた。このように単一のレシピ，開始条件によりダミーディスペンスが行われていたのは，レジスト塗布装置が通常多系統の供給機構を有しており，レジスト塗布装置の制御を単純化するため等の理由による。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，レジスト塗布装置においてダミーディスペンスを行う目的は，複数ある。例えば，ロットの変更時に行われ，ノズルからのレジスト液の吐出量等を安定させるためのダミーディスペンス，フィルタやポンプに滞留した泡を除去するためのダミーディスペンス，ノズル等の乾燥を防止するためのダミーディスペンス等がある。そして，これらの目的を達成するために必要な各ダミーディスペンスの吐出量等のレシピや開始条件は，本来相異するものである。
【０００６】
従来のように，同一供給機構において一種類の設定のみでダミーディスペンスの目的を全て満たそうとすると，例えばダミーディスペンスの頻度については，最も開始条件の緩やかな，すなわち最も頻繁に実施する必要があるダミーディスペンスの設定に開始条件を合わせる必要がある。また，吐出量についてみても，数あるダミーディスペンスの中で最も吐出量が多いダミーディスペンスの量に合わせる必要がある。しかしながら，ダミーディスペンス中はウェハの処理が中断されるため，そのように最も頻繁に実施する必要のあるダミーディスペンスのレシピに合わせると，処理のスループットが著しく低下する。また，ダミーディスペンスの際に吐出したレジスト液は，廃棄されることが多く，結果的に無駄となるレジスト液の量が多くなってしまう。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，各目的に応じたダミーディスペンスを行うにあたり，不必要なダミーディスペンスを省略してスループットの向上と処理液の消費量を低減することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば，基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であって，前記基板処理が次々に行われる中で，処理液についての目的の異なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件が定められ，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間が計測されており，前記各ダミーディスペンスは，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合に行われ，前記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間はリセットされ，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間はリセットされないことを特徴とする基板の処理方法が提供される。なお，前記「ダミーディスペンス」は，前記処理液のダミーディスペンスである。また，このダミーディスペンスには，処理液供給機構内に残留している処理液を当該処理液供給機構外に排出するもののみならず，処理液供給機構内の処理液を同じ処理液供給機構内の他の部分に排出するものも含まれる。
【０００９】
この発明の処理方法では，複数のダミーディスペンス毎に開始条件等が定められているので，目的に応じたダミーディスペンスを実行することができる。例えば各目的を達成するための必要十分な頻度でダミーディスペンスを行うことができるので，ダミーディスペンスによる基板処理の中断時間が短縮できる。また，ダミーディスペンスによる処理液の消費量を低減することができる。
【００１０】
なお，「前回のリセット時」とは，積算時間の計測が継続して行われており，この積算時間についての前回のリセット時である。また，「所定の設定時間」とは，各ダミーディスペンス毎に定められた設定時間である。
【００１１】
基板の処理で行われるダミーディスペンスでは，一のダミーディスペンスを行うことにより，他のダミーディスペンスの目的が達成される場合がある。例えば，ポンプを起動させ，フィルタに溜まった泡を抜くダミーディスペンスを行うと，当該ポンプに貯留した泡を抜くダミーディスペンスも同時に行うことができる場合がある。かかる場合に，例えばフィルタの泡抜きダミーディスペンスの順位を高くし，ポンプの泡抜きダミーディスペンスの順位を低くする。そして本発明では，順位の高いダミーディスペンスが行われた際には，順位の低いダミーディスペンスの積算時間がリセットされるので，例えばフィルタの泡抜きダミーディスペンスを行ったことによりその直後のポンプの泡抜きダミーディスペンスが省略され，トータルのダミーディスペンスの回数を減らすことができる。これによって，ダミーディスペンスによる基板処理の中断時間を短縮することができ，また，処理液の消費量も低減できる。なお，前記順位は，同じ排出部からダミーディスペンスが行われるものについては，頻度が高いものを高い順位にし，頻度が低いものを低い順位にしてもよい。この際，処理液の吐出量は，順位の定められたダミーディスペンスの中でより多いものに合わせてもよい。また，前記順位は，同じ排出部から行われるものであって，吐出量の多いものを高い順位にし，吐出量の少ないものを低い順位にしてもよい。さらに，前記順位は，複数の目的を達成できるダミーディスペンスの順位を高くし，当該複数目的を達成できるダミーディスペンスの実行によって目的の達成されるダミーディスペンスの順位を低くしてもよい。
【００１２】
別の観点による本発明によれば，基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であって，前記基板処理が次々に行われる中で，処理液についての目的の異なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件が定められ，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの基板の積算処理枚数が計測されており，前記各ダミーディスペンスは，前記積算処理枚数が所定の設定処理枚数に達した場合に行われ，前記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算処理枚数はリセットされ，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算処理枚数はリセットされないことを特徴とする基板の処理方法が提供される。かかる場合にも不要なダミーディスペンスを省略し，トータルのダミーディスペンスの回数を減少させることができる。なお，「所定の設定処理枚数」とは，各ダミーディスペンス毎に定められた設定処理枚数である。
【００１３】
また，別の観点による本発明によれば，基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であって，前記基板処理が次々に行われる中で，処理液についての目的の異なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件が定められ，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間と基板の積算処理枚数が計測されており，前記各ダミーディスペンスは，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合，若しくは前記積算処理枚数が各々の設定処理枚数に達した場合に行われ，前記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数はリセットされ，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数はリセットされないことを特徴とする基板の処理方法が提供される。
【００１４】
前記複数のダミーディスペンスの一部にのみ，前記順位が定められ，順位の定めのないダミーディスペンスは，他の全てのダミーディスペンスが行われた場合には前記リセットが行われず，当該順位の定めのないダミーディスペンスは，独自の開始条件に従ってのみ行われるようにしてもよい。こうすることによって，他のダミーディスペンスに対して開始条件が独立したダミーディスペンスを設定し実行できる。
【００１５】
また，同じ順位に，複数のダミーディスペンスが定められ，当該同じ順位に定められたダミーディスペンスは，同じ順位の他のダミーディスペンスが行われた場合には前記リセットが行われないようにしてもよい。かかる場合，同じ順位内に開始条件の独立した複数のダミーディスペンスを設定できる。これにより，あるダミーディスペンスに対しては開始条件の独立性を維持しつつ，その他のダミーディスペンスに対しては開始条件を依存させるようなダミーディスペンスを設定し実行できる。
前記目的の異なる複数のダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの吐出量が定められていてもよい。
別の観点による本発明は，基板に処理液を供給して基板処理を行う基板の処理装置であって，処理液の供給と，ダミーディスペンスを行う処理液供給機構と，前記ダミーディスペンスを制御する制御装置と，を有し，前記制御装置は，前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスを処理の合間に行い，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件を定め，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間を計測しており，前記各ダミーディスペンスを，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合に行い，前記複数のダミーディスペンスに，順位を定め，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間をリセットし，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間をリセットしないことを特徴とする。
また，別の観点による本発明は，基板に処理液を供給して基板処理を行う基板の処理装置であって，処理液の供給と，ダミーディスペンスを行う処理液供給機構と，前記ダミーディスペンスを制御する制御装置と，を有し，前記制御装置は，前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスを処理の合間に行い，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件を定め，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの基板の積算処理枚数を計測しており，前記各ダミーディスペンスを，前記積算処理枚数が所定の設定処理枚数に達した場合に行い，前記複数のダミーディスペンスに，順位を定め，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算処理枚数をリセットし，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算処理枚数をリセットしないことを特徴とする。
さらに別の観点による本発明は，基板に処理液を供給して基板処理を行う基板の処理装置であって，処理液の供給と，ダミーディスペンスを行う処理液供給機構と，前記ダミーディスペンスを制御する制御装置と，を有し，前記制御装置は，前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスを処理の合間に行い，前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件を定め，前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間と基板の積算処理枚数を計測しており，前記各ダミーディスペンスを，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合，若しくは前記積算処理枚数が各々の設定処理枚数に達した場合に行い，前記複数のダミーディスペンスに，順位を定め，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数をリセットし，前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数をリセットしないことを特徴とする。
前記制御装置は，前記複数のダミーディスペンスの一部にのみ，前記順位を定め，順位の定めのないダミーディスペンスについては，他の全てのダミーディスペンスが行われた場合にも前記リセットを行わず，当該順位の定めのないダミーディスペンスを，独自の開始条件に従ってのみ行うようにしてもよい。
また，前記制御装置は，同じ順位に，複数のダミーディスペンスを定め，当該同じ順位に定められたダミーディスペンスについては，同じ順位の他のダミーディスペンスが行わ れた場合にも前記リセットを行わないようにしてもよい。
前記目的の異なる複数のダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの吐出量が定められていてもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板の処理方法が実施できる塗布現像処理システム１の斜視図であり，図２は，塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００１７】
塗布現像処理システム１は，図１，図２に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接する露光装置（図示しない）との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００１８】
カセットステーション２では，図２に示すように載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図２中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００１９】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は，後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできる。カセットステーション２には，図１に示すように各処理装置の設定，制御を行うコントロールセクション９が設けられている。
【００２０】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5内に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択可能である。
【００２１】
第１の処理装置群G1では，例えば図３に示すように本実施の形態にかかる基板の処理方法が実施されるレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群G2にも同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に配置されている。
【００２２】
第３の処理装置群G3では，例えば図４に示すようにウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うためのエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置３３，３４，現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下から順に例えば６段に積み重ねられている。
【００２３】
第４の処理装置群G4では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６が下から順に例えば７段に積み重ねられている。
【００２４】
インターフェイス部４の中央部には，図２に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は，Ｘ方向（図２中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）に移動自在で，かつθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）に回転自在である。それ故，ウェハ搬送体５０は，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できる。
【００２５】
次に，上述したレジスト塗布装置１７の構成について説明する。図５は，レジスト塗布装置１７の構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図６は，レジスト塗布装置１７の横断面の説明図である。
【００２６】
レジスト塗布装置１７は，例えば図５に示すようにケーシング１７ａを有し，このケーシング１７ａ内の中央部には，ウェハＷを保持し回転させるためのスピンチャック５０が設けられている。このスピンチャック５０は，モータやシリンダ等を備えた駆動部５１により駆動され，例えば所定の速度で回転したり，昇降したりできる。
【００２７】
スピンチャック５０の外方は，上面が開口した略円筒状のカップ５２により取り囲まれている。このカップ５２によりウェハＷから飛散したレジスト液等を受け止め，回収することができる。カップ５２の下面５２ａには，例えば回収したレジスト液等を排液する排液管５３とカップ５２内の雰囲気を排気する排気管５４とが設けられている。
【００２８】
カップ５２の内側であって，スピンチャック５０に保持されたウェハＷの下方側には，洗浄液供給ノズル５５が設けられている。この洗浄液供給ノズル５５により，ウェハＷの裏面にシンナー等の洗浄液を供給してウェハＷの裏面を洗浄することができる。
【００２９】
レジスト塗布装置１７には，ウェハＷにレジスト液を供給するノズル６０が備えられている。ノズル６０は，ノズルアーム６２に支持されている。ノズルアーム６２は，例えば図６に示すようにカップ５２のＸ方向負方向側（図６の左方向）に設けられたＹ方向に延びるレール６３上を移動できる。ノズルアーム６２の移動は，例えば図示しない駆動部により行われる。カップ５２のＹ方向負方向側には，例えばノズル６０の待機部Ｓが設けられており，ノズルアーム６２は，この待機部Ｓ上まで移動できる。したがって，ノズルアーム６２は，待機部Ｓのノズル６０をカップ５２内のウェハＷの中心部まで移動することができる。
【００３０】
ここで，ノズル６０にレジスト液を供給する図７に示すようなレジスト液供給機構Ｋについて説明する。ノズル６０は，例えば第１の配管７０により貯留タンク７１に連通接続されている。貯留タンク７１は，第２の配管７２によりレジスト液の供給源である液体ボトル７３に連通接続されている。第２の配管７２には，ポンプ７４が設けられており，このポンプ７４により液体ボトル７３内のレジスト液を貯留タンク７１に補給することができる。第１の配管７０には，例えば貯留タンク７１側から順に吐出ポンプ７５，第１の弁７６，フィルタ７７及び第２の弁７８が設けられている。
【００３１】
吐出ポンプ７５は，例えば貯留タンク７１の所定量のレジスト液を吸液し，ノズル６０に圧送するものであり，例えばダイアフラム式のポンプが使用される。この吐出ポンプ７５には，第２の配管７２に連通し，吐出ポンプ７５に溜まる泡を排出するためのパージ管７９が取り付けられている。このパージ管７９には，開閉弁８０が設けられている。吐出ポンプ７５を稼動した状態で，開閉弁８０を開放することによって，吐出ポンプ７５に溜まった泡をレジスト液と共に貯留タンク７１内に排出することができる。すなわち，吐出ポンプ７５の泡を排出する目的のダミーディスペンスＤ１を行うことができる。
【００３２】
フィルタ７７は，レジスト液中に含まれる不純物を除去するためのものである。このフィルタ７７には，例えばフィルタ７７に溜まる泡をレジスト塗布装置１７の外部に排出するベント管８１が接続されている。ベント管８１には，開閉弁８２が設けられている。吐出ポンプ７５を稼働した状態で，開閉弁８２を開放することによって，フィルタ７７内の泡が排出できる。すなわち，フィルタ７７の泡を排出する目的のダミーディスペンスＤ２を行うことができる。
【００３３】
第２の弁７８は，その開閉によりノズル６０のレジスト液の吐出を動停止するためのものである。第２の弁７８を開放し，吐出ポンプ７５を稼動することによって，貯留タンク７１のレジスト液をノズル６０から吐出させることができる。すなわち，ウェハＷへのレジスト液の供給の他に，ノズル６０の乾燥を防止する目的のダミーディスペンスＤ３や吐出液の安定を図る目的のダミーディスペンスＤ４を行うことができる。
【００３４】
このレジスト液供給機構Ｋの吐出ポンプ７５等の各諸元の動作は，例えばコントロールセクション９に設けられた主制御装置８５により制御されている。それ故，レジスト液供給機構Ｋで行われるレジスト液のダミーディスペンスは，主制御装置８５により制御できる。主制御装置８５には，例えば上述の目的の異なるダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の吐出量と開始条件とが各々設定できる。
【００３５】
主制御装置８５には，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の設定時間が設けられている。主制御装置８５は，図示しない時間計測機能を有し，この時間計測機構による積算時間が前記各設定時間を超えた場合に，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４が実行される。すなわち，本実施の形態における前記開始条件は，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の積算時間が前記各設定時間を超えたことの時間条件である。前記積算時間は，例えば同じ種類の前ダミーディスペンスが行われた時又は積算時間の前リセット時から起算される。なお，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の設定時間は，例えばダミーディスペンスＤ１は１０００ｓｅｃ，ダミーディスペンスＤ２は５００ｓｅｃ，ダミーディスペンスＤ３は５００ｓｅｃ，ダミーディスペンスＤ４は１０００ｓｅｃに設定される。一方，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の各吐出量は，例えば各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の目的を達成するための必要最小限の量，例えばダミーディスペンスＤ１は１００ｃｃ，ダミーディスペンスＤ２は１００ｃｃ，ダミーディスペンスＤ３は１０ｃｃ，ダミーディスペンスＤ４は１０ｃｃに設定される。これらの時間条件や吐出量の設定は，例えば図１に示すコントロールセクション９の入力手段である設定画面Ｔで行うことができる。設定画面Ｔには，例えば図８に示すように各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の時間条件と吐出量とをタッチパネル方式で設定できる。
【００３６】
また，主制御装置８５には，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４に順位を設定できる。そして，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの積算時間のカウントがリセットされるようになっている。一方，順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの積算時間のカウントが，継続されるようになっている。
【００３７】
主制御装置８５には，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４を，順位のないダミーディスペンス，いわゆる独立順位のダミーディスペンスとしても設定することができる。すなわち，当該独立順位のダミーディスペンスは，順位の付けられたダミーディスペンスの実行，不実行にかかわらず，独自の開始条件に従って実行される。この実施の形態では，例えば図９に示すようにダミーディスペンスＤ１を順位▲１▼に設定し，ダミーディスペンスＤ２を順位▲１▼より順位の低い順位▲２▼に設定する。ダミーディスペンスＤ３，Ｄ４は，独立順位Ａとして設定される。なお，本実施の形態では，ダミーディスペンスＤ１が行われると，その回のダミーディスペンスＤ２が行われなくなるので，ダミーディスペンスＤ１の吐出量をダミーディスペンスＤ２の吐出量に合わせ，ダミーディスペンスＤ２の目的が十分に達成されるようにする。
【００３８】
なお，ケーシング１７ａの上面には，図５に示すように温度及び湿度が調節され，清浄化された窒素ガス，不活性気体，エア等の気体をカップ５２内に供給するダクト８６が接続されている。これにより，例えばウェハＷの塗布処理時，レジスト液のダミーディスペンス時に当該気体を供給し，カップ５２内を所定の雰囲気に維持することができる。
【００３９】
次に，以上のように構成されたレジスト塗布装置１７で行われるウェハＷの処理方法について，塗布現像処理システム１で行われる一連のフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００４０】
先ず，ウェハ搬送体７によりカセットＣから未処理のウェハＷが１枚取り出され，第３の処理装置群G3に属するエクステンション装置３２に搬送される。次いでウェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージョン装置３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密着性を向上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却される。所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，例えばレジスト塗布装置１７に搬送される。
【００４１】
レジスト塗布装置１７において基板処理としてのレジスト塗布処理が終了したウェハＷは，主搬送装置１３によってプリベーキング装置３３，エクステンション・クーリング装置４１に順次搬送され，さらにウェハ搬送体５０によって周辺露光装置５１，露光装置（図示せず）に順次搬送され，各装置で所定の処理が施される。そして露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に戻され，その後，主搬送装置１３によってポストエクスポージャーベーキング装置４４，クーリング装置４３，現像処理装置１８，ポストベーキング装置４６及びクーリング装置３０に順次搬送され，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介してカセットＣに戻され，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００４２】
上述のレジスト塗布処理は，先ずウェハＷが主搬送装置１３によりケーシング１７ａ内に搬入され，スピンチャック５０に吸着保持されると，スピンチャック５０が下降し，ウェハＷがカップ５２内に収容される。次いで，待機部Ｓで待機していたノズル６０がノズルアーム６２によってウェハＷの中心部上方まで移動される。
【００４３】
その後，例えば主制御装置８５により吐出ポンプ７５が稼動し，第１の弁７６と第２の弁７８とが開放される。これによりウェハＷの中心部に所定量のレジスト液が吐出される。続いてウェハＷが所定の回転速度で回転され，ウェハＷ上のレジスト液がウェハＷ表面全面に拡散される。その後，ウェハＷの回転速度が加速され，レジスト液の液膜の膜厚が調整される。
【００４４】
膜厚が調節されると，ウェハＷの回転速度が低下され，洗浄液供給ノズル５５により，ウェハＷの裏面洗浄が行われる。その後，ウェハＷは回転され続け，ウェハＷの振り切り乾燥が行われる。
【００４５】
ウェハＷの乾燥処理が終了すると，ウェハＷの回転が停止され，ウェハＷがスピンチャック５０から主搬送装置１３に受け渡され，ケーシング１７ａ外に搬出される。レジスト塗布装置１７では，かかるレジスト塗布処理が繰り返し行われている。
【００４６】
レジスト液供給機構Ｋのダミーディスペンスは，例えば上述のレジスト塗布処理が繰り返し行われる中で，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４のいずれかの時間条件が成立した時に実行される。例えば図１０に示すように順位▲１▼のダミーディスペンスＤ１の時間条件が成立すると，ダミーディスペンスＤ１が実行される。このダミーディスペンスＤ１では，例えば開閉弁８０，８２及び第１の弁７６が開放され，吐出ポンプ７５が稼動する。これにより，吐出ポンプ７５からベント管８１に設定された吐出量のレジスト液が圧送され，フィルタ７７内の泡が，当該レジスト液と共にベント管８１を通じて排出される。このとき，開閉弁８０の開放により，吐出ポンプ７５内の泡もパージ管７９を通じて排出される。すなわちダミーディスペンスＤ２の目的も達成される。
【００４７】
ダミーディスペンスＤ１が終了すると，ダミーディスペンスＤ１の積算時間のカウントがリセットされる。このとき，ダミーディスペンスＤ１より順位の低いダミーディスペンスＤ２の積算時間のカウントもリセットされる。なお，ダミーディスペンスＤ３，Ｄ４の積算時間のカウントは，継続される。
【００４８】
また，順位▲２▼のダミーディスペンスＤ２の条件が成立した場合には，図１１に示すように，ダミーディスペンスＤ２が実行される。ダミーディスペンスＤ２は，開閉弁８０を開放した状態で，吐出ポンプ７５を稼動させることにより行われる。このダミーディスペンスＤ２は，第１の弁７６を閉鎖した状態で行われ，フィルタ７７側に圧力が印可されないので，ダミーディスペンスＤ２の目的のみが達成される。ダミーディスペンスＤ２が終了すると，ダミーディスペンスＤ２の積算時間のカウントがリセットされ，他のダミーディスペンスＤ１，Ｄ３，Ｄ４の積算時間のカウントが維持される。
【００４９】
さらに，図１２に示すように独立順位ＡのダミーディスペンスＤ３の時間条件が成立した場合，当該ダミーディスペンスＤ３が実行される。例えばダミーディスペンスＤ３は，吐出ポンプ７５を稼動させた状態で，第１の弁７６，第２の弁７８を開放し，開放弁８０及び８２を閉鎖した状態で行われる。そして，ダミーディスペンスＤ３が終了すると，この実行されたダミーディスペンスＤ３のみの積算時間のカウントがリセットされる。その他の順位▲１▼，順位▲２▼及び独立順位ＡであるダミーディスペンスＤ４の積算時間のカウントは，継続される。なお，独立順位ＡのダミーディスペンスＤ４の積算時間が成立した場合は，ダミーディスペンスＤ３と同様の動作が行われる。
【００５０】
以上の実施の形態によれば，目的の異なるダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４毎に，レシピや時間条件を設定できるので，各目的に合った必要十分なダミーディスペンスを行うことができる。この結果，不必要な量の吐出や不必要なタイミングでのレジスト液の吐出が抑制できるので，レジスト液の消費量を低減することができる。また，ダミーディスペンスの実行によりウェハＷの塗布工程が停止されないので，ウェハ処理のスループットも向上できる。
【００５１】
本実施の形態では，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４に順位を付し，順位の高いダミーディスペンスが行われた場合に，より順位の低いダミーディスペンスの積算時間のカウントをリセットするようにした。これにより，例えばダミーディスペンスＤ２の目的も達成できるダミーディスペンスＤ１の順位を高く設定し，不要なダミーディスペンスＤ２の回数を減らすことができる。したがって，不要なダミーディスペンスが省略され，レジスト液の消費量を低減することができる。
【００５２】
順位に依存せず，独自の時間条件にのみ従う独立順位ＡのダミーディスペンスＤ３，Ｄ４を定めるようにしたので，他のダミーディスペンスでは目的が達成されず，重要度の高いダミーディスペンスを確実に行うことができる。
【００５３】
なお，以上の実施の形態で記載したダミーディスペンスの種類や目的は，レジスト液供給機構の構成等に応じて任意に変更できる。この際，独立順位のダミーディスペンスを定めず，全てのダミーディスペンスに順位を付してもよく，逆に全てのダミーディスペンスを独立順位にしてもよい。
【００５４】
以上の実施の形態では，各順位に一種類のダミーディスペンスしか設定していなかったが，同じ順位の複数のダミーディスペンスを設定してもよい。かかる場合，例えば図１３に示すようにダミーディスペンスＤ１とＤ３とが順位▲１▼に定められる。そして，ダミーディスペンスＤ１が実行され，終了した場合には，ダミーディスペンスＤ３の積算時間のカウントがリセットされず，維持される。一方，ダミーディスペンスＤ３が行われた場合にも，ダミーディスペンスＤ１の積算時間のカウントがリセットされず，継続される。こうすることにより，順位▲２▼に対しては，上述したような優先性を維持しつつ，同じ順位▲１▼内では，時間条件の独立性が確保される。
【００５５】
以上の実施の形態で記載したダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の開始条件は，時間条件であったが，他の開始条件であってもよい。例えば各ダミーディスペンス毎に，前のダミーディスペンス時又は前リセット時からのウェハの積算処理枚数が計測され，各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４は，前記積算処理枚数が設定処理枚数を超えた場合に行われるようにしてもよい。かかる場合，例えば主制御装置８５には，図示しないウェハ処理数計測機能が設けられ，主制御装置８５に各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の設定処理枚数が設定される。そして，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４には，上述したような順位が定められ，例えば順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，順位の低いダミーディスペンスの積算処理枚数がリセットされる。また，順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，順位の高いダミーディスペンスの積算処理枚数の計測は継続される。かかる場合においても，不要なダミーディスペンスを省略し，ダミーディスペンスの回数を減らすことができる。
【００５６】
さらに，開始条件は，上述の積算時間が設定時間を経過したこと又は上述の積算処理枚数が設定処理枚数を超えたことのいずれかの条件を満たすことであってもよい。かかる場合，上述の実施の形態同様に順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，順位の低いダミーディスペンスの積算時間と積算処理枚数がリセットされ，順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，順位の高いダミーディスペンスの積算時間と積算処理枚数のカウントが継続される。
【００５７】
以上の実施の形態は，本発明をレジスト液のダミーディスペンスを行う処理方法に適用したものであったが，本発明は，他の処理液，例えば現像液，洗浄液，層間絶縁膜を形成する塗布液，アドヒージョン処理で用いられる処理液等のダミーディスペンスを行う処理方法にも適用できる。また，本発明は，ウェハＷ以外の基板例えばＬＣＤ基板，マスク基板，レクチル基板等の処理方法にも適用できる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば，不必要なダミーディスペンスを省略し，処理液の消費量の低減が図られる。また，基板の処理の中断時間が短縮されるので，スループットの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態における塗布現像処理システムの斜視図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図５】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図６】レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図７】レジスト液供給機構の構成を示す説明図である。
【図８】設定画面の例を示す説明図である。
【図９】ダミーディスペンスの順位付けの例を示す説明図である。
【図１０】ダミーディスペンスの実行フローの一例を示す説明図である。
【図１１】ダミーディスペンスの実行フローの一例を示す説明図である。
【図１２】ダミーディスペンスの実行フローの一例を示す説明図である。
【図１３】ダミーディスペンスの順位付けの他の例を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム
１７ レジスト塗布装置
６０ ノズル
８５ 主制御装置
Ｄ１〜Ｄ４ ダミーディスペンス
Ｋ レジスト液供給機構
Ｗ ウェハ
Claims (12)
- 基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であって，
前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，
前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件が定められ，
前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間が計測されており，
前記各ダミーディスペンスは，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合に行われ，
前記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，
順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間はリセットされ，
前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間はリセットされないことを特徴とする，基板の処理方法。 - 基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であって，
前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，
前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件が定められ，
前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの基板の積算処理枚数が計測されており，
前記各ダミーディスペンスは，前記積算処理枚数が所定の設定処理枚数に達した場合に行われ，
前記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，
順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算処理枚数はリセットされ，
前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算処理枚数はリセットされないことを特徴とする，基板の処理方法。 - 基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であって，
前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，
前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件が定められ，
前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間と基板の積算処理枚数が計測されており，
前記各ダミーディスペンスは，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合，若しくは前記積算処理枚数が各々の設定処理枚数に達した場合に行われ，
前記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，
順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数はリセットされ，
前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数はリセットされないことを特徴とする，
基板の処理方法。 - 前記複数のダミーディスペンスの一部にのみ，前記順位が定められ，
順位の定めのないダミーディスペンスは，他の全てのダミーディスペンスが行われた場合には前記リセットが行われず，
当該順位の定めのないダミーディスペンスは，独自の開始条件に従ってのみ行われるこ とを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の基板の処理方法。 - 同じ順位に，複数のダミーディスペンスが定められ，
当該同じ順位に定められたダミーディスペンスは，同じ順位の他のダミーディスペンスが行われた場合には前記リセットが行われないことを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の基板の処理方法。 - 前記目的の異なる複数のダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの吐出量が定められていることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 基板に処理液を供給して基板処理を行う基板の処理装置であって，
処理液の供給と，ダミーディスペンスを行う処理液供給機構と，
前記ダミーディスペンスを制御する制御装置と，を有し，
前記制御装置は，
前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスを処理の合間に行い，
前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件を定め，
前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間を計測しており，
前記各ダミーディスペンスを，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合に行い，
前記複数のダミーディスペンスに，順位を定め，
順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間をリセットし，
前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間をリセットしないことを特徴とする，基板の処理装置。 - 基板に処理液を供給して基板処理を行う基板の処理装置であって，
処理液の供給と，ダミーディスペンスを行う処理液供給機構と，
前記ダミーディスペンスを制御する制御装置と，を有し，
前記制御装置は，
前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスを処理の合間に行い，
前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件を定め，
前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの基板の積算処理枚数を計測しており，
前記各ダミーディスペンスを，前記積算処理枚数が所定の設定処理枚数に達した場合に行い，
前記複数のダミーディスペンスに，順位を定め，
順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算処理枚数をリセットし，
前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算処理枚数をリセットしないことを特徴とする，基板の処理装置。 - 基板に処理液を供給して基板処理を行う基板の処理装置であって，
処理液の供給と，ダミーディスペンスを行う処理液供給機構と，
前記ダミーディスペンスを制御する制御装置と，を有し，
前記制御装置は，
前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる複数のダミーディスペンスを処理の合間に行い，
前記各ダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの開始条件を定め，
前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時間と基板の積算処理枚数を計測しており，
前記各ダミーディスペンスを，前記積算時間が所定の設定時間に達した場合，若しくは前記積算処理枚数が各々の設定処理枚数に達した場合に行い，
前記複数のダミーディスペンスに，順位を定め，
順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数をリセットし，
前記順位の低いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数をリセットしないことを特徴とする，基板の処理装置。 - 前記制御装置は，
前記複数のダミーディスペンスの一部にのみ，前記順位を定め，
順位の定めのないダミーディスペンスについては，他の全てのダミーディスペンスが行われた場合にも前記リセットを行わず，
当該順位の定めのないダミーディスペンスを，独自の開始条件に従ってのみ行うことを特徴とする，請求項７〜９のいずれかに記載の基板の処理装置。 - 前記制御装置は，
同じ順位に，複数のダミーディスペンスを定め，
当該同じ順位に定められたダミーディスペンスについては，同じ順位の他のダミーディスペンスが行われた場合にも前記リセットを行わないことを特徴とする，請求項７〜１０のいずれかに記載の基板の処理装置。 - 前記目的の異なる複数のダミーディスペンス毎に，ダミーディスペンスの吐出量が定められていることを特徴とする，請求項７〜１１のいずれかに記載の基板の処理装置。
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