JP2003218006A - 基板の処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト液供給機構において，各目的に応じ
たレジスト液のダミーディスペンスを行う。 【解決手段】 主制御装置８５に，目的の異なる各ダミ
ーディスペンスＤ１〜Ｄ４毎にレジスト液の吐出量と開
始条件を設定する。ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４に順
位を定め，ダミーディスペンスＤ１を順位にダミーデ
ィスペンスＤ２を順位にする。ダミーディスペンスＤ
３及びＤ４は，他のダミーディスペンスＤ１，Ｄ２の開
始条件と独立した独立順位に定める。ダミーディスペン
スＤ１が行われた場合，ダミーディスペンスＤ１とそれ
より順位の低いダミーディスペンスＤ２の開始条件のカ
ウントがリセットされる。ダミーディスペンスＤ２が行
われた場合，ダミーディスペンスＤ２の開始条件のみが
リセットされる。ダミーディスペンスＤ３又Ｄ４が行わ
れた場合，当該ダミーディスペンスの開始条件のみがリ
セットされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の処理方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては，
例えば半導体ウェハ（以下「ウェハ」とする）にレジス
ト液を供給し，ウェハ表面上にレジスト膜を形成するレ
ジスト塗布処理が行われる。

【０００３】このレジスト塗布処理は，通常レジスト塗
布装置で行われる。レジスト塗布装置には，ウェハに所
定量のレジスト液を供給するノズルが設けられている。
ノズルは，レジスト液の供給源である貯留タンクに配管
により接続されている。この配管には，例えばレジスト
液を圧送するポンプや不純物を除去するフィルタ，レジ
スト液の吐出を制御する開閉弁等が設けられている。こ
れらの諸元により，レジスト液の供給機構が構成され，
貯留タンクのレジスト液は，ポンプ，フィルタ，開閉弁
等を経由して，ノズルから吐出される。そして，レジス
ト塗布装置では，次々に装置内に搬入されてくるウェハ
にレジスト液を塗布する処理が繰り返し行われている。

【０００４】ところで，従来よりレジスト塗布装置で
は，配管内に滞留するレジスト液を排出するダミーディ
スペンスが行われている。従来のダミーディスペンス
は，同一系統の供給機構に対して単一のレシピ，開始条
件の下で行われていた。このように単一のレシピ，開始
条件によりダミーディスペンスが行われていたのは，レ
ジスト塗布装置が通常多系統の供給機構を有しており，
レジスト塗布装置の制御を単純化するため等の理由によ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，レジス
ト塗布装置においてダミーディスペンスを行う目的は，
複数ある。例えば，ロットの変更時に行われ，ノズルか
らのレジスト液の吐出量等を安定させるためのダミーデ
ィスペンス，フィルタやポンプに滞留した泡を除去する
ためのダミーディスペンス，ノズル等の乾燥を防止する
ためのダミーディスペンス等がある。そして，これらの
目的を達成するために必要な各ダミーディスペンスの吐
出量等のレシピや開始条件は，本来相異するものであ
る。

【０００６】従来のように，同一供給機構において一種
類の設定のみでダミーディスペンスの目的を全て満たそ
うとすると，例えばダミーディスペンスの頻度について
は，最も開始条件の緩やかな，すなわち最も頻繁に実施
する必要があるダミーディスペンスの設定に開始条件を
合わせる必要がある。また，吐出量についてみても，数
あるダミーディスペンスの中で最も吐出量が多いダミー
ディスペンスの量に合わせる必要がある。しかしなが
ら，ダミーディスペンス中はウェハの処理が中断される
ため，そのように最も頻繁に実施する必要のあるダミー
ディスペンスのレシピに合わせると，処理のスループッ
トが著しく低下する。また，ダミーディスペンスの際に
吐出したレジスト液は，廃棄されることが多く，結果的
に無駄となるレジスト液の量が多くなってしまう。

【０００７】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，各目的に応じたダミーディスペンスを行うにあ
たり，不必要なダミーディスペンスを省略してスループ
ットの向上と処理液の消費量を低減することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対
して次々と行われる基板の処理方法であって，前記基板
処理が次々に行われる中で，処理液についての目的の異
なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，
前記各ダミーディスペンス毎に，処理液の吐出量等のレ
シピやダミーディスペンスの開始条件が定められている
ことを特徴とする基板の処理方法が提供される。なお，
前記「ダミーディスペンス」は，前記処理液のダミーデ
ィスペンスである。また，このダミーディスペンスに
は，処理液供給機構内に残留している処理液を当該処理
液供給機構外に排出するもののみならず，処理液供給機
構内の処理液を同じ処理液供給機構内の他の部分に排出
するものも含まれる。

【０００９】この発明の処理方法では，複数のダミーデ
ィスペンス毎に開始条件等が定められているので，目的
に応じたダミーディスペンスを実行することができる。
例えば各目的を達成するための必要十分な頻度でダミー
ディスペンスを行うことができるので，ダミーディスペ
ンスによる基板処理の中断時間が短縮できる。また，ダ
ミーディスペンスによる処理液の消費量を低減すること
ができる。

【００１０】前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダ
ミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時
間が計測されており，前記各ダミーディスペンスは，前
記積算時間が所定の設定時間に達した場合に行われ，前
記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，順
位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それ
より順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間はリ
セットされ，前記順位の低いダミーディスペンスが行わ
れた場合には，それより順位の高いダミーディスペンス
の前記積算時間はリセットされないようにしてもよい。
なお，「前回のリセット時」とは，積算時間の計測が継
続して行われており，この積算時間についての前回のリ
セット時である。また，「所定の設定時間」とは，各ダ
ミーディスペンス毎に定められた設定時間である。

【００１１】基板の処理で行われるダミーディスペンス
では，一のダミーディスペンスを行うことにより，他の
ダミーディスペンスの目的が達成される場合がある。例
えば，ポンプを起動させ，フィルタに溜まった泡を抜く
ダミーディスペンスを行うと，当該ポンプに貯留した泡
を抜くダミーディスペンスも同時に行うことができる場
合がある。かかる場合に，例えばフィルタの泡抜きダミ
ーディスペンスの順位を高くし，ポンプの泡抜きダミー
ディスペンスの順位を低くする。そして本発明では，順
位の高いダミーディスペンスが行われた際には，順位の
低いダミーディスペンスの積算時間がリセットされるの
で，例えばフィルタの泡抜きダミーディスペンスを行っ
たことによりその直後のポンプの泡抜きダミーディスペ
ンスが省略され，トータルのダミーディスペンスの回数
を減らすことができる。これによって，ダミーディスペ
ンスによる基板処理の中断時間を短縮することができ，
また，処理液の消費量も低減できる。なお，前記順位
は，同じ排出部からダミーディスペンスが行われるもの
については，頻度が高いものを高い順位にし，頻度が低
いものを低い順位にしてもよい。この際，処理液の吐出
量は，順位の定められたダミーディスペンスの中でより
多いものに合わせてもよい。また，前記順位は，同じ排
出部から行われるものであって，吐出量の多いものを高
い順位にし，吐出量の少ないものを低い順位にしてもよ
い。さらに，前記順位は，複数の目的を達成できるダミ
ーディスペンスの順位を高くし，当該複数目的を達成で
きるダミーディスペンスの実行によって目的の達成され
るダミーディスペンスの順位を低くしてもよい。

【００１２】前記各ダミーディスペンス毎に，前回のダ
ミーディスペンス時又は前回のリセット時からの基板の
積算処理枚数が計測されており，前記各ダミーディスペ
ンスは，前記積算処理枚数が所定の設定処理枚数に達し
た場合に行われ，前記複数のダミーディスペンスには，
順位が定められ，順位の高いダミーディスペンスが行わ
れた場合には，それより順位の低いダミーディスペンス
の前記積算処理枚数はリセットされ，前記順位の低いダ
ミーディスペンスが行われた場合には，それより順位の
高いダミーディスペンスの前記積算処理枚数はリセット
されないようにしてもよい。かかる場合にも不要なダミ
ーディスペンスを省略し，トータルのダミーディスペン
スの回数を減少させることができる。なお，「所定の設
定処理枚数」とは，各ダミーディスペンス毎に定められ
た設定処理枚数である。

【００１３】また，前記各ダミーディスペンス毎に，前
回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの
積算時間と基板の積算処理枚数が計測されており，前記
各ダミーディスペンスは，前記積算時間が所定の設定時
間に達した場合，若しくは前記積算処理枚数が各々の設
定処理枚数に達した場合に行われ，前記複数のダミーデ
ィスペンスには，順位が定められ，順位の高いダミーデ
ィスペンスが行われた場合には，それより順位の低いダ
ミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数
はリセットされ，前記順位の低いダミーディスペンスが
行われた場合には，それより順位の高いダミーディスペ
ンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数はリセットさ
れないようにしてもよい。

【００１４】前記複数のダミーディスペンスの一部にの
み，前記順位が定められ，順位の定めのないダミーディ
スペンスは，他の全てのダミーディスペンスが行われた
場合には前記リセットが行われず，当該順位の定めのな
いダミーディスペンスは，独自の開始条件に従ってのみ
行われるようにしてもよい。こうすることによって，他
のダミーディスペンスに対して開始条件が独立したダミ
ーディスペンスを設定し実行できる。

【００１５】また，同じ順位に，複数のダミーディスペ
ンスが定められ，当該同じ順位に定められたダミーディ
スペンスは，同じ順位の他のダミーディスペンスが行わ
れた場合には前記リセットが行われないようにしてもよ
い。かかる場合，同じ順位内に開始条件の独立した複数
のダミーディスペンスを設定できる。これにより，ある
ダミーディスペンスに対しては開始条件の独立性を維持
しつつ，その他のダミーディスペンスに対しては開始条
件を依存させるようなダミーディスペンスを設定し実行
できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基
板の処理方法が実施できる塗布現像処理システム１の斜
視図であり，図２は，塗布現像処理システム１の構成の
概略を示す平面図である。

【００１７】塗布現像処理システム１は，図１，図２に
示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外
部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，
カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセッ
トステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に
所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理
ステーション３と，この処理ステーション３に隣接する
露光装置（図示しない）との間でウェハＷの受け渡しを
するインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有
している。

【００１８】カセットステーション２では，図２に示す
ように載置部となるカセット載置台５上の所定の位置
に，複数のカセットＣをＸ方向（図２中の上下方向）に
一列に載置自在となっている。そして，このカセット配
列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷの
ウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能
なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けら
れており，各カセットＣに対して選択的にアクセスでき
るようになっている。

【００１９】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は，後述するように処理ステーション３側の第３の
処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対
してもアクセスできる。カセットステーション２には，
図１に示すように各処理装置の設定，制御を行うコント
ロールセクション９が設けられている。

【００２０】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム
１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセッ
トステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置
群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5
内に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウ
ェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配
置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，
処理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択可能で
ある。

【００２１】第１の処理装置群G1では，例えば図３に示
すように本実施の形態にかかる基板の処理方法が実施さ
れるレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像
処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置さ
れている。第２の処理装置群G2にも同様に，レジスト塗
布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に
配置されている。

【００２２】第３の処理装置群G3では，例えば図４に示
すようにウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，
レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒ
ージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うためのエ
クステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸発さ
せるためのプリベーキング装置３３，３４，現像処理後
の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下から順
に例えば６段に積み重ねられている。

【００２３】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポ
ストベーキング装置４６が下から順に例えば７段に積み
重ねられている。

【００２４】インターフェイス部４の中央部には，図２
に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられてい
る。このウェハ搬送体５０は，Ｘ方向（図２中の上下方
向），Ｚ方向（垂直方向）に移動自在で，かつθ方向
（Ｚ軸を中心とする回転方向）に回転自在である。それ
故，ウェハ搬送体５０は，第４の処理装置群G4に属する
エクステンション・クーリング装置４１，エクステンシ
ョン装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装
置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送
できる。

【００２５】次に，上述したレジスト塗布装置１７の構
成について説明する。図５は，レジスト塗布装置１７の
構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図６は，レジ
スト塗布装置１７の横断面の説明図である。

【００２６】レジスト塗布装置１７は，例えば図５に示
すようにケーシング１７ａを有し，このケーシング１７
ａ内の中央部には，ウェハＷを保持し回転させるための
スピンチャック５０が設けられている。このスピンチャ
ック５０は，モータやシリンダ等を備えた駆動部５１に
より駆動され，例えば所定の速度で回転したり，昇降し
たりできる。

【００２７】スピンチャック５０の外方は，上面が開口
した略円筒状のカップ５２により取り囲まれている。こ
のカップ５２によりウェハＷから飛散したレジスト液等
を受け止め，回収することができる。カップ５２の下面
５２ａには，例えば回収したレジスト液等を排液する排
液管５３とカップ５２内の雰囲気を排気する排気管５４
とが設けられている。

【００２８】カップ５２の内側であって，スピンチャッ
ク５０に保持されたウェハＷの下方側には，洗浄液供給
ノズル５５が設けられている。この洗浄液供給ノズル５
５により，ウェハＷの裏面にシンナー等の洗浄液を供給
してウェハＷの裏面を洗浄することができる。

【００２９】レジスト塗布装置１７には，ウェハＷにレ
ジスト液を供給するノズル６０が備えられている。ノズ
ル６０は，ノズルアーム６２に支持されている。ノズル
アーム６２は，例えば図６に示すようにカップ５２のＸ
方向負方向側（図６の左方向）に設けられたＹ方向に延
びるレール６３上を移動できる。ノズルアーム６２の移
動は，例えば図示しない駆動部により行われる。カップ
５２のＹ方向負方向側には，例えばノズル６０の待機部
Ｓが設けられており，ノズルアーム６２は，この待機部
Ｓ上まで移動できる。したがって，ノズルアーム６２
は，待機部Ｓのノズル６０をカップ５２内のウェハＷの
中心部まで移動することができる。

【００３０】ここで，ノズル６０にレジスト液を供給す
る図７に示すようなレジスト液供給機構Ｋについて説明
する。ノズル６０は，例えば第１の配管７０により貯留
タンク７１に連通接続されている。貯留タンク７１は，
第２の配管７２によりレジスト液の供給源である液体ボ
トル７３に連通接続されている。第２の配管７２には，
ポンプ７４が設けられており，このポンプ７４により液
体ボトル７３内のレジスト液を貯留タンク７１に補給す
ることができる。第１の配管７０には，例えば貯留タン
ク７１側から順に吐出ポンプ７５，第１の弁７６，フィ
ルタ７７及び第２の弁７８が設けられている。

【００３１】吐出ポンプ７５は，例えば貯留タンク７１
の所定量のレジスト液を吸液し，ノズル６０に圧送する
ものであり，例えばダイアフラム式のポンプが使用され
る。この吐出ポンプ７５には，第２の配管７２に連通
し，吐出ポンプ７５に溜まる泡を排出するためのパージ
管７９が取り付けられている。このパージ管７９には，
開閉弁８０が設けられている。吐出ポンプ７５を稼動し
た状態で，開閉弁８０を開放することによって，吐出ポ
ンプ７５に溜まった泡をレジスト液と共に貯留タンク７
１内に排出することができる。すなわち，吐出ポンプ７
５の泡を排出する目的のダミーディスペンスＤ１を行う
ことができる。

【００３２】フィルタ７７は，レジスト液中に含まれる
不純物を除去するためのものである。このフィルタ７７
には，例えばフィルタ７７に溜まる泡をレジスト塗布装
置１７の外部に排出するベント管８１が接続されてい
る。ベント管８１には，開閉弁８２が設けられている。
吐出ポンプ７５を稼働した状態で，開閉弁８２を開放す
ることによって，フィルタ７７内の泡が排出できる。す
なわち，フィルタ７７の泡を排出する目的のダミーディ
スペンスＤ２を行うことができる。

【００３３】第２の弁７８は，その開閉によりノズル６
０のレジスト液の吐出を動停止するためのものである。
第２の弁７８を開放し，吐出ポンプ７５を稼動すること
によって，貯留タンク７１のレジスト液をノズル６０か
ら吐出させることができる。すなわち，ウェハＷへのレ
ジスト液の供給の他に，ノズル６０の乾燥を防止する目
的のダミーディスペンスＤ３や吐出液の安定を図る目的
のダミーディスペンスＤ４を行うことができる。

【００３４】このレジスト液供給機構Ｋの吐出ポンプ７
５等の各諸元の動作は，例えばコントロールセクション
９に設けられた主制御装置８５により制御されている。
それ故，レジスト液供給機構Ｋで行われるレジスト液の
ダミーディスペンスは，主制御装置８５により制御でき
る。主制御装置８５には，例えば上述の目的の異なるダ
ミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の吐出量と開始条件とが各
々設定できる。

【００３５】主制御装置８５には，各ダミーディスペン
スＤ１〜Ｄ４の設定時間が設けられている。主制御装置
８５は，図示しない時間計測機能を有し，この時間計測
機構による積算時間が前記各設定時間を超えた場合に，
各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４が実行される。すなわ
ち，本実施の形態における前記開始条件は，各ダミーデ
ィスペンスＤ１〜Ｄ４の積算時間が前記各設定時間を超
えたことの時間条件である。前記積算時間は，例えば同
じ種類の前ダミーディスペンスが行われた時又は積算時
間の前リセット時から起算される。なお，各ダミーディ
スペンスＤ１〜Ｄ４の設定時間は，例えばダミーディス
ペンスＤ１は１０００ｓｅｃ，ダミーディスペンスＤ２
は５００ｓｅｃ，ダミーディスペンスＤ３は５００ｓｅ
ｃ，ダミーディスペンスＤ４は１０００ｓｅｃに設定さ
れる。一方，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の各吐出量
は，例えば各ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４の目的を達
成するための必要最小限の量，例えばダミーディスペン
スＤ１は１００ｃｃ，ダミーディスペンスＤ２は１００
ｃｃ，ダミーディスペンスＤ３は１０ｃｃ，ダミーディ
スペンスＤ４は１０ｃｃに設定される。これらの時間条
件や吐出量の設定は，例えば図１に示すコントロールセ
クション９の入力手段である設定画面Ｔで行うことがで
きる。設定画面Ｔには，例えば図８に示すように各ダミ
ーディスペンスＤ１〜Ｄ４の時間条件と吐出量とをタッ
チパネル方式で設定できる。

【００３６】また，主制御装置８５には，各ダミーディ
スペンスＤ１〜Ｄ４に順位を設定できる。そして，順位
の高いダミーディスペンスが行われた場合には，それよ
り順位の低いダミーディスペンスの積算時間のカウント
がリセットされるようになっている。一方，順位の低い
ダミーディスペンスが行われた場合には，それより順位
の高いダミーディスペンスの積算時間のカウントが，継
続されるようになっている。

【００３７】主制御装置８５には，ダミーディスペンス
Ｄ１〜Ｄ４を，順位のないダミーディスペンス，いわゆ
る独立順位のダミーディスペンスとしても設定すること
ができる。すなわち，当該独立順位のダミーディスペン
スは，順位の付けられたダミーディスペンスの実行，不
実行にかかわらず，独自の開始条件に従って実行され
る。この実施の形態では，例えば図９に示すようにダミ
ーディスペンスＤ１を順位に設定し，ダミーディスペ
ンスＤ２を順位より順位の低い順位に設定する。ダ
ミーディスペンスＤ３，Ｄ４は，独立順位Ａとして設定
される。なお，本実施の形態では，ダミーディスペンス
Ｄ１が行われると，その回のダミーディスペンスＤ２が
行われなくなるので，ダミーディスペンスＤ１の吐出量
をダミーディスペンスＤ２の吐出量に合わせ，ダミーデ
ィスペンスＤ２の目的が十分に達成されるようにする。

【００３８】なお，ケーシング１７ａの上面には，図５
に示すように温度及び湿度が調節され，清浄化された窒
素ガス，不活性気体，エア等の気体をカップ５２内に供
給するダクト８６が接続されている。これにより，例え
ばウェハＷの塗布処理時，レジスト液のダミーディスペ
ンス時に当該気体を供給し，カップ５２内を所定の雰囲
気に維持することができる。

【００３９】次に，以上のように構成されたレジスト塗
布装置１７で行われるウェハＷの処理方法について，塗
布現像処理システム１で行われる一連のフォトリソグラ
フィー工程のプロセスと共に説明する。

【００４０】先ず，ウェハ搬送体７によりカセットＣか
ら未処理のウェハＷが１枚取り出され，第３の処理装置
群G3に属するエクステンション装置３２に搬送される。
次いでウェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージ
ョン装置３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密
着性を向上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェ
ハＷは，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に
冷却される。所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送
装置１３によって，例えばレジスト塗布装置１７に搬送
される。

【００４１】レジスト塗布装置１７において基板処理と
してのレジスト塗布処理が終了したウェハＷは，主搬送
装置１３によってプリベーキング装置３３，エクステン
ション・クーリング装置４１に順次搬送され，さらにウ
ェハ搬送体５０によって周辺露光装置５１，露光装置
（図示せず）に順次搬送され，各装置で所定の処理が施
される。そして露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ
搬送体５０によりエクステンション装置４２に戻され，
その後，主搬送装置１３によってポストエクスポージャ
ーベーキング装置４４，クーリング装置４３，現像処理
装置１８，ポストベーキング装置４６及びクーリング装
置３０に順次搬送され，各装置において所定の処理が施
される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３
２を介してカセットＣに戻され，一連のフォトリソグラ
フィー工程が終了する。

【００４２】上述のレジスト塗布処理は，先ずウェハＷ
が主搬送装置１３によりケーシング１７ａ内に搬入さ
れ，スピンチャック５０に吸着保持されると，スピンチ
ャック５０が下降し，ウェハＷがカップ５２内に収容さ
れる。次いで，待機部Ｓで待機していたノズル６０がノ
ズルアーム６２によってウェハＷの中心部上方まで移動
される。

【００４３】その後，例えば主制御装置８５により吐出
ポンプ７５が稼動し，第１の弁７６と第２の弁７８とが
開放される。これによりウェハＷの中心部に所定量のレ
ジスト液が吐出される。続いてウェハＷが所定の回転速
度で回転され，ウェハＷ上のレジスト液がウェハＷ表面
全面に拡散される。その後，ウェハＷの回転速度が加速
され，レジスト液の液膜の膜厚が調整される。

【００４４】膜厚が調節されると，ウェハＷの回転速度
が低下され，洗浄液供給ノズル５５により，ウェハＷの
裏面洗浄が行われる。その後，ウェハＷは回転され続
け，ウェハＷの振り切り乾燥が行われる。

【００４５】ウェハＷの乾燥処理が終了すると，ウェハ
Ｗの回転が停止され，ウェハＷがスピンチャック５０か
ら主搬送装置１３に受け渡され，ケーシング１７ａ外に
搬出される。レジスト塗布装置１７では，かかるレジス
ト塗布処理が繰り返し行われている。

【００４６】レジスト液供給機構Ｋのダミーディスペン
スは，例えば上述のレジスト塗布処理が繰り返し行われ
る中で，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４のいずれかの時
間条件が成立した時に実行される。例えば図１０に示す
ように順位のダミーディスペンスＤ１の時間条件が成
立すると，ダミーディスペンスＤ１が実行される。この
ダミーディスペンスＤ１では，例えば開閉弁８０，８２
及び第１の弁７６が開放され，吐出ポンプ７５が稼動す
る。これにより，吐出ポンプ７５からベント管８１に設
定された吐出量のレジスト液が圧送され，フィルタ７７
内の泡が，当該レジスト液と共にベント管８１を通じて
排出される。このとき，開閉弁８０の開放により，吐出
ポンプ７５内の泡もパージ管７９を通じて排出される。
すなわちダミーディスペンスＤ２の目的も達成される。

【００４７】ダミーディスペンスＤ１が終了すると，ダ
ミーディスペンスＤ１の積算時間のカウントがリセット
される。このとき，ダミーディスペンスＤ１より順位の
低いダミーディスペンスＤ２の積算時間のカウントもリ
セットされる。なお，ダミーディスペンスＤ３，Ｄ４の
積算時間のカウントは，継続される。

【００４８】また，順位のダミーディスペンスＤ２の
条件が成立した場合には，図１１に示すように，ダミー
ディスペンスＤ２が実行される。ダミーディスペンスＤ
２は，開閉弁８０を開放した状態で，吐出ポンプ７５を
稼動させることにより行われる。このダミーディスペン
スＤ２は，第１の弁７６を閉鎖した状態で行われ，フィ
ルタ７７側に圧力が印可されないので，ダミーディスペ
ンスＤ２の目的のみが達成される。ダミーディスペンス
Ｄ２が終了すると，ダミーディスペンスＤ２の積算時間
のカウントがリセットされ，他のダミーディスペンスＤ
１，Ｄ３，Ｄ４の積算時間のカウントが維持される。

【００４９】さらに，図１２に示すように独立順位Ａの
ダミーディスペンスＤ３の時間条件が成立した場合，当
該ダミーディスペンスＤ３が実行される。例えばダミー
ディスペンスＤ３は，吐出ポンプ７５を稼動させた状態
で，第１の弁７６，第２の弁７８を開放し，開放弁８０
及び８２を閉鎖した状態で行われる。そして，ダミーデ
ィスペンスＤ３が終了すると，この実行されたダミーデ
ィスペンスＤ３のみの積算時間のカウントがリセットさ
れる。その他の順位，順位及び独立順位Ａであるダ
ミーディスペンスＤ４の積算時間のカウントは，継続さ
れる。なお，独立順位ＡのダミーディスペンスＤ４の積
算時間が成立した場合は，ダミーディスペンスＤ３と同
様の動作が行われる。

【００５０】以上の実施の形態によれば，目的の異なる
ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４毎に，レシピや時間条件
を設定できるので，各目的に合った必要十分なダミーデ
ィスペンスを行うことができる。この結果，不必要な量
の吐出や不必要なタイミングでのレジスト液の吐出が抑
制できるので，レジスト液の消費量を低減することがで
きる。また，ダミーディスペンスの実行によりウェハＷ
の塗布工程が停止されないので，ウェハ処理のスループ
ットも向上できる。

【００５１】本実施の形態では，ダミーディスペンスＤ
１〜Ｄ４に順位を付し，順位の高いダミーディスペンス
が行われた場合に，より順位の低いダミーディスペンス
の積算時間のカウントをリセットするようにした。これ
により，例えばダミーディスペンスＤ２の目的も達成で
きるダミーディスペンスＤ１の順位を高く設定し，不要
なダミーディスペンスＤ２の回数を減らすことができ
る。したがって，不要なダミーディスペンスが省略さ
れ，レジスト液の消費量を低減することができる。

【００５２】順位に依存せず，独自の時間条件にのみ従
う独立順位ＡのダミーディスペンスＤ３，Ｄ４を定める
ようにしたので，他のダミーディスペンスでは目的が達
成されず，重要度の高いダミーディスペンスを確実に行
うことができる。

【００５３】なお，以上の実施の形態で記載したダミー
ディスペンスの種類や目的は，レジスト液供給機構の構
成等に応じて任意に変更できる。この際，独立順位のダ
ミーディスペンスを定めず，全てのダミーディスペンス
に順位を付してもよく，逆に全てのダミーディスペンス
を独立順位にしてもよい。

【００５４】以上の実施の形態では，各順位に一種類の
ダミーディスペンスしか設定していなかったが，同じ順
位の複数のダミーディスペンスを設定してもよい。かか
る場合，例えば図１３に示すようにダミーディスペンス
Ｄ１とＤ３とが順位に定められる。そして，ダミーデ
ィスペンスＤ１が実行され，終了した場合には，ダミー
ディスペンスＤ３の積算時間のカウントがリセットされ
ず，維持される。一方，ダミーディスペンスＤ３が行わ
れた場合にも，ダミーディスペンスＤ１の積算時間のカ
ウントがリセットされず，継続される。こうすることに
より，順位に対しては，上述したような優先性を維持
しつつ，同じ順位内では，時間条件の独立性が確保さ
れる。

【００５５】以上の実施の形態で記載したダミーディス
ペンスＤ１〜Ｄ４の開始条件は，時間条件であったが，
他の開始条件であってもよい。例えば各ダミーディスペ
ンス毎に，前のダミーディスペンス時又は前リセット時
からのウェハの積算処理枚数が計測され，各ダミーディ
スペンスＤ１〜Ｄ４は，前記積算処理枚数が設定処理枚
数を超えた場合に行われるようにしてもよい。かかる場
合，例えば主制御装置８５には，図示しないウェハ処理
数計測機能が設けられ，主制御装置８５に各ダミーディ
スペンスＤ１〜Ｄ４の設定処理枚数が設定される。そし
て，ダミーディスペンスＤ１〜Ｄ４には，上述したよう
な順位が定められ，例えば順位の高いダミーディスペン
スが行われた場合には，順位の低いダミーディスペンス
の積算処理枚数がリセットされる。また，順位の低いダ
ミーディスペンスが行われた場合には，順位の高いダミ
ーディスペンスの積算処理枚数の計測は継続される。か
かる場合においても，不要なダミーディスペンスを省略
し，ダミーディスペンスの回数を減らすことができる。

【００５６】さらに，開始条件は，上述の積算時間が設
定時間を経過したこと又は上述の積算処理枚数が設定処
理枚数を超えたことのいずれかの条件を満たすことであ
ってもよい。かかる場合，上述の実施の形態同様に順位
の高いダミーディスペンスが行われた場合には，順位の
低いダミーディスペンスの積算時間と積算処理枚数がリ
セットされ，順位の低いダミーディスペンスが行われた
場合には，順位の高いダミーディスペンスの積算時間と
積算処理枚数のカウントが継続される。

【００５７】以上の実施の形態は，本発明をレジスト液
のダミーディスペンスを行う処理方法に適用したもので
あったが，本発明は，他の処理液，例えば現像液，洗浄
液，層間絶縁膜を形成する塗布液，アドヒージョン処理
で用いられる処理液等のダミーディスペンスを行う処理
方法にも適用できる。また，本発明は，ウェハＷ以外の
基板例えばＬＣＤ基板，マスク基板，レクチル基板等の
処理方法にも適用できる。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば，不必要なダミーディス
ペンスを省略し，処理液の消費量の低減が図られる。ま
た，基板の処理の中断時間が短縮されるので，スループ
ットの向上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態における塗布現像処理システムの
斜視図である。

【図２】図１の塗布現像処理システムの構成の概略を示
す平面図である。

【図３】図１の塗布現像処理システムの正面図である。

【図４】図１の塗布現像処理システムの背面図である。

【図５】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の
説明図である。

【図６】レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の
説明図である。

【図７】レジスト液供給機構の構成を示す説明図であ
る。

【図８】設定画面の例を示す説明図である。

【図９】ダミーディスペンスの順位付けの例を示す説明
図である。

【図１０】ダミーディスペンスの実行フローの一例を示
す説明図である。

【図１１】ダミーディスペンスの実行フローの一例を示
す説明図である。

【図１２】ダミーディスペンスの実行フローの一例を示
す説明図である。

【図１３】ダミーディスペンスの順位付けの他の例を示
す説明図である。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム １７ レジスト塗布装置 ６０ ノズル ８５ 主制御装置 Ｄ１〜Ｄ４ ダミーディスペンス Ｋ レジスト液供給機構 Ｗ ウェハ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に処理液を供給する基板処理が複数
   の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であっ
   て，前記基板処理が次々に行われる中で，目的の異なる
   複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ，前記
   各ダミーディスペンス毎に，処理液の吐出量等のレシピ
   やダミーディスペンスの開始条件が定められていること
   を特徴とする，基板の処理方法。
2. 【請求項２】 前記各ダミーディスペンス毎に，前回の
   ダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算
   時間が計測されており，前記各ダミーディスペンスは，
   前記積算時間が所定の設定時間に達した場合に行われ，
   前記複数のダミーディスペンスには，順位が定められ，
   順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には，そ
   れより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間は
   リセットされ，前記順位の低いダミーディスペンスが行
   われた場合には，それより順位の高いダミーディスペン
   スの前記積算時間はリセットされないことを特徴とす
   る，請求項１に記載の基板の処理方法。
3. 【請求項３】 前記各ダミーディスペンス毎に，前回の
   ダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの基板
   の積算処理枚数が計測されており，前記各ダミーディス
   ペンスは，前記積算処理枚数が所定の設定処理枚数に達
   した場合に行われ，前記複数のダミーディスペンスに
   は，順位が定められ，順位の高いダミーディスペンスが
   行われた場合には，それより順位の低いダミーディスペ
   ンスの前記積算処理枚数はリセットされ，前記順位の低
   いダミーディスペンスが行われた場合には，それより順
   位の高いダミーディスペンスの前記積算処理枚数はリセ
   ットされないことを特徴とする，請求項１に記載の基板
   の処理方法。
4. 【請求項４】 前記各ダミーディスペンス毎に，前回の
   ダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算
   時間と基板の積算処理枚数が計測されており，前記各ダ
   ミーディスペンスは，前記積算時間が所定の設定時間に
   達した場合，若しくは前記積算処理枚数が各々の設定処
   理枚数に達した場合に行われ，前記複数のダミーディス
   ペンスには，順位が定められ，順位の高いダミーディス
   ペンスが行われた場合には，それより順位の低いダミー
   ディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数はリ
   セットされ，前記順位の低いダミーディスペンスが行わ
   れた場合には，それより順位の高いダミーディスペンス
   の前記積算時間及び前記積算処理枚数はリセットされな
   いことを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理方
   法。
5. 【請求項５】 前記複数のダミーディスペンスの一部に
   のみ，前記順位が定められ，順位の定めのないダミーデ
   ィスペンスは，他の全てのダミーディスペンスが行われ
   た場合には前記リセットが行われず，当該順位の定めの
   ないダミーディスペンスは，独自の開始条件に従っての
   み行われることを特徴とする，請求項２，３又は４のい
   ずれかに記載の基板の処理方法。
6. 【請求項６】 同じ順位に，複数のダミーディスペンス
   が定められ，当該同じ順位に定められたダミーディスペ
   ンスは，同じ順位の他のダミーディスペンスが行われた
   場合には前記リセットが行われないことを特徴とする，
   請求項２，３，４又は５のいずれかに記載の基板の処理
   方法。