KR100877472B1 - 기판의 처리방법 및 기판의 처리장치 - Google Patents

기판의 처리방법 및 기판의 처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판에 대하여 노즐로부터 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법에 있어서, 처리가 잇달아 이루어지는 동안, 처리액에 대한 목적이 다른 복수의 프리디스펜스가 처리의 중간에 이루어지며, 각 프리디스펜스마다, 적어도 프리디스펜스하고자 하는 처리액의 레시피 또는 프리디스펜스의 개시조건이 정해져 있다. 본 발명에 의하면, 필요충분한 빈도로 프리디스펜스를 할 수 있기 때문에, 프리디스펜스에 의한 기판처리의 중단시간을 단축할 수 있고, 그 결과 스루풋이 향상하여, 프리디스펜스의 횟수를 줄여 처리액의 소비량을 저감할 수 있다.

Description

기판의 처리방법 및 기판의 처리장치{SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}
도 1은, 본 발명의 실시형태가 적용되는 도포현상처리시스템의 사시도이다.
도 2는, 도 1의 도포현상처리시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 3은, 도 1의 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 4는, 도 1의 도포현상처리시스템의 배면도이다.
도 5는, 레지스트 도포장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이다.
도 6은, 레지스트 도포장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면의 설명도이다.
도 7은, 레지스트액 공급기구의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 8은, 설정화면의 예를 나타내는 설명도이다.
도 9는, 프리디스펜스의 순위 매김의 예를 나타내는 설명도이다.
도 10은, 프리디스펜스의 실행 흐름의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 11은, 프리디스펜스의 실행 흐름의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 12는, 프리디스펜스의 실행 흐름의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 13은, 프리디스펜스의 순위 매김의 다른 예를 나타내는 설명도이다.
도 14는, 레지스트 도포장치의 다른 예의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이다.
도 15는, 레지스트 도포장치의 다른 예의 구성의 개략을 나타내는 횡단면의 설명도이다.
도 16은, 레지스트액 공급노즐의 공급기구의 다른 구성을 나타내는 설명도이다.
도 17은, 로트처리사이의 처리 흐름을 나타내는 설명도이다.
도 18은, 레지스트 도포처리의 각 스텝의 웨이퍼의 회전수를 나타내는 표이다.
도 19는, 세정조의 다른 구성예를 나타내는 종단면의 설명도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 도포현상처리시스템 2 : 카세트 스테이션
3 : 처리 스테이션 4 : 인터페이스부
5 : 카세트 재치대 7, 56 : 웨이퍼 반송체
8 : 반송로 9 : 콘트롤 섹션
13 : 주반송장치 17, 19 : 레지스트 도포장치
18, 20 : 현상처리장치 30, 40, 43 : 쿨링장치
31 : 어드히젼장치 32, 42 : 익스텐션장치
33, 34 : 프리베이킹장치 35, 46 : 포스트베이킹장치
41 : 익스텐션·쿨링장치 포 44, 45 : 스트익스포져 베이킹장치
50 : 스핀척 52 : 컵
52a :아랫면(52a) 53 : 배액관
54 : 배기관 55 : 세정액 공급노즐
57 : 구동부 60 : 노즐
62 : 노즐아암 63 : 레일
70 : 제 1 배관 71 : 저류 탱크
72 : 제 2 배관 73 : 액체 용기
74 : 펌프 75 : 토출펌프
76 : 제 1 밸브 77 : 필터
78 : 제 2 밸브 79 : 퍼지관
80 : 개폐밸브 81 : 벤트관
82 : 개폐밸브 85 : 주제어장치
86 : 덕트 D1∼D4 : 프리디스펜스
K : 레지스트액 공급기구 W : 웨이퍼
본 발명은, 기판의 처리방법 및 기판의 처리장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조공정에서는, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하 '웨이퍼'라고 한다)에 레지스트액을 공급하여, 웨이퍼 표면상에 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포처리가 이루어진다.
이 레지스트 도포처리는, 통상 레지스트 도포장치로 행하여진다. 레지스트 도포장치에는, 웨이퍼에 소정량의 레지스트액을 공급하는 노즐이 설치되어 있다. 노즐은, 레지스트액의 공급원인 저류 탱크에 배관에 의해 접속되어 있다. 이 배관에는, 예를 들면 레지스트액을 압송하는 펌프나 불순물을 제거하는 필터, 레지스트액의 토출을 제어하는 개폐밸브 등이 설치된다. 이들 부재에 의해, 레지스트액 공급기구가 구성되고 있다. 저류 탱크의 레지스트액은, 펌프, 필터, 개폐밸브 등을 경유하여, 노즐로부터 토출된다. 그리고, 레지스트 도포장치에서는, 차례로 장치내에 반입되어 오는 웨이퍼에 레지스트액을 도포하는 처리가 반복적으로 이루어지고 있다.
그런데, 종래부터 레지스트 도포장치에서는, 배관내에 체류한 레지스트액을 실제 기판에 대하여 공급하기 전에, 노즐을 통하여 일단 배출하는 프리디스펜스 (pre-dispense)가 행하여지고 있다. 종래의 프리디스펜스는, 동일계통의 공급기구에 대하여 단일의 레시피, 개시조건 아래서 행하여지고 있었다. 이렇게 단일의 레시피, 개시조건에 의해 프리디스펜스가 행해지고 있는 것은, 레지스트 도포장치가 통상 다계통의 공급기구를 가지고 있으며, 레지스트 도포장치의 제어를 단순화하기 위해서이다.
그러나, 레지스트 도포장치에서 프리디스펜스를 하는 목적은 다양하다. 예를 들면 로트의 변경시에 행하여져, 노즐로부터의 레지스트액의 토출량 등을 안정시키기 위한 프리디스펜스, 필터나 펌프에 체류한 기포를 제거하기 위한 프리디스펜스, 노즐 등의 건조를 방지하기 위한 프리디스펜스 등이 있다. 그리고, 이들 목적을 달성하기 위해서 필요한 각 프리디스펜스의 토출량을 비롯한 레시피나, 프리 디스펜스의 개시조건은, 목적의 차이에 따라 본래 상이한 것이다.
종래와 같이, 동일공급기구에서 한 종류의 설정만으로 프리디스펜스의 목적을 모두 만족하고자 하면, 예를 들어 프리디스펜스의 빈도에 대해서는, 가장 개시조건이 엄격하지 않은, 즉 가장 빈번히 실시할 필요가 있는 프리디스펜스의 설정에 개시조건을 맞출 필요가 있다. 또한 토출량에 대해 보더라도, 여러 프리디스펜스중에서 가장 토출량이 많은 프리디스펜스의 양에 맞출 필요가 있다.
또한 차례로 웨이퍼에 대하여 이루어지는 레지스트 도포처리는, 기판의 로트마다 순서대로 행하여진다. 웨이퍼에의 레지스트액의 공급을 정지하면, 노즐이나 공급관내에 레지스트액이 잔존한다. 이 잔존한 레지스트액은, 장시간 방치되면 건조하거나, 변질하거나 한다. 이 때문에, 웨이퍼의 로트의 처리가 잠시 중단되었을 때에는, 기술한 바와 같이 프리디스펜스가 행하여지고 있다. 이 로트가 잠시 중단되었을 때에 행하여지는 프리디스펜스는, 종래부터 일률적으로 웨이퍼의 로트가 변할 때마다 반드시 행하여지고 있었다.
그러나, 프리디스펜스중에는 웨이퍼의 처리가 중단되기 때문에, 그렇게 가장 빈번하게 실시할 필요가 있는 프리디스펜스의 레시피에 맞추면, 처리의 스루풋이 현저히 저하한다. 또한, 프리디스펜스시에 토출한 레지스트액은, 통상 폐기되기 때문에, 결과적으로 낭비되는 레지스트액의 양이 많아져 버린다. 이 문제는, 로트가 변경될 때마다 프리디스펜스가 행해지는 경우에도 해당한다.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 각 목적에 따른 프리디 스펜스를 행함에 있어, 불필요한 프리디스펜스를 생략하여 스루풋의 향상과 처리액의 소비량을 저감하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 제 1의 관점에 의하면, 본 발명은, 기판에 대하여 노즐로부터 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서, 상기 처리가 차례로 이루어지는 동안에, 처리액에 대한 목적이 다른 복수의 프리디스펜스(pre-dispense)가 처리의 중간에 행하여지고, 상기 각 프리디스펜스마다, 적어도 프리디스펜스하고자 하는 처리액의 레시피 또는 프리디스펜스의 개시조건이 정해져 있다.
본 발명의 제 2의 관점에 의하면, 본 발명은, 기판에 대하여 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서, 기판의 로트가 잠시 중단되었을 때에 처리액의 프리디스펜스를 하는 공정을 가지며, 상기 프리디스펜스를 하는 공정은, 공급하는 처리액의 종류가 로트간에 변경되는 경우에만 행하여진다.
(실시예)
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 관한 기판의 처리방법을 실시할 수 있는 도포현상처리시스템(1)의 사시도이고, 도 2는, 도포현상처리시스템(1)의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도포현상처리시스템(1)은, 도 1, 도 2에 나타낸 바와 같이 예를 들어 25장의 웨이퍼(W)를 카세트단위로 외부에서 도포현상처리시스템(1)에 대하여 반입반출하거 나, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입반출하거나 하는 카세트 스테이션(2)과, 도포현상처리 공정중에 낱장식으로 소정의 처리를 실시하는 각종 처리장치를 다단으로 배치하여 이루어지는 처리 스테이션(3)과, 이 처리 스테이션(3)에 인접한 노광장치(도시하지 않음)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고 받는 인터페이스부(4)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(2)에서는, 도 2에 나타낸 바와 같이 재치부가 되는 카세트 재치대(5)상의 소정의 위치에, 복수의 카세트(C)를 X방향(도 2중의 상하방향)에 일렬로 얹어놓기가 자유롭게 되어 있다. 그리고, 이 카세트 배열방향(X방향)과 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열방향(Z방향;연직방향)에 대하여 이송이 가능한 웨이퍼 반송체(7)가 반송로(8)를 따라 이동자유롭게 설치되어 있으며, 각 카세트(C)에 대하여 선택적으로 억세스할 수 있도록 되어 있다.
웨이퍼 반송체(7)는, 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 하는 얼라인먼트기능을 구비하고 있다. 이 웨이퍼 반송체(7)는, 후술하는 바와 같이 처리 스테이션(3)쪽의 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 익스텐션장치(32)에 대해서도 억세스할 수 있다. 카세트 스테이션(2)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이 각 처리장치의 설정, 제어를 하는 콘트롤 섹션(9)이 설치된다.
처리 스테이션(3)에는, 그 중심부에 주반송장치(13)가 설치되어 있으며, 이 주반송장치(13)의 주변에는 각종 처리장치가 다단으로 배치되어 처리장치군을 구성하고 있다. 이 도포현상처리시스템(1)에 있어서는, 4개의 처리장치군(G1,G2,G3,G4)이 배치되어 있으며, 제 1 및 제 2 처리장치군(G1,G2)은 도포현상처리시스템(1)의 정면쪽에 배치되고, 제 3 처리장치군(G3)은 카세트 스테이션(2)에 인접하여 배치되며, 제 4 처리장치군(G4)은 인터페이스부(4)에 인접하여 배치되어 있다. 또 옵션으로서 파선으로 나타낸 제 5 처리장치군(G5)을 배면쪽에 별도로 배치할 수 있게 되어 있다. 상기 주반송장치(13)는, 이들 처리장치군(G1,G2,G3,G4,G5)내에 배치되어 있는 후술하는 각종 처리장치에 대하여, 웨이퍼(W)를 반입반출할 수 있다. 한편 처리장치군의 수나 배치는, 웨이퍼(W)에 실시되는 처리의 종류에 따라 다르고, 처리장치군의 수는 임의로 선택가능하다.
제 1 처리장치군(G1)에는, 예를 들면 도 3에 나타낸 바와 같이 본 실시형태에 관한 기판의 처리방법이 실시되는 레지스트 도포장치(17)와, 노광후에 웨이퍼 (W)를 현상처리하는 현상처리장치(18)가 밑에서부터 차례로 2단으로 배치되어 있다. 제 2 처리장치군(G2)에도 마찬가지로, 레지스트 도포장치(19)와, 현상처리장치(20)가 밑에서부터 차례로 2단으로 배치되어 있다.
제 3 처리장치군(G3)에는, 예를 들면 도 4에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)를 냉각처리하는 쿨링장치(30), 레지스트액과 웨이퍼(W)와의 정착성을 높이기 위한 어드히젼장치(31), 웨이퍼(W)를 주고받기 위한 익스텐션장치(32), 레지스트액내의 용제를 증발시키기 위한 프리베이킹장치(33,34), 현상처리후의 가열처리를 하는 포스트베이킹장치(35)가 밑에서부터 차례로 예를 들면 6단으로 적층되어 있다.
제 4 처리장치군(G4)에는, 예를 들면 쿨링장치(40), 얹어놓은 웨이퍼(W)를 자연냉각시키는 익스텐션·쿨링장치(41), 익스텐션장치(42), 쿨링장치(43), 노광후의 가열처리를 하는 포스트익스포져베이킹장치(44,45), 포스트베이킹장치(46)가 밑 에서부터 차례로 예를 들면 7단으로 적층되어 있다.
인터페이스부(4)의 중앙부에는, 도 2에 나타낸 바와 같이 예를 들면 웨이퍼 반송체(56)가 설치된다. 이 웨이퍼 반송체(56)는, X방향(도 2중의 상하방향), Z방향(수직방향)으로 이동이 자유롭고, 또한 θ방향(Z축을 중심으로 하는 회전방향)으로 회전이 자유롭다. 그 때문에, 웨이퍼 반송체(56)는, 제 4 처리장치군(G4)에 속하는 익스텐션·쿨링장치(41), 익스텐션장치(42), 주변노광장치(51) 및 도시하지 않은 노광장치에 대하여 억세스하여, 각각에 대하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
다음에, 상술한 레지스트 도포장치(17)의 구성에 대하여 설명한다. 도 5는, 레지스트 도포장치(17)의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이고, 도 6은, 레지스트 도포장치(17)의 횡단면의 설명도이다.
레지스트 도포장치(17)는, 예를 들면 도 5에 나타낸 바와 같이 케이싱(17a)을 가지며, 이 케이싱(17a) 내의 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키기 위한 스핀척(50)이 설치된다. 이 스핀척(50)은, 모터나 실린더 등을 구비한 구동부 (57)에 의해 구동되어, 예를 들면 소정의 속도로 회전하거나, 승강할 수 있다.
스핀척(50)의 바깥쪽은, 윗면이 개구한 대략 원통형상의 컵(52)에 의해 둘러싸여 있다. 이 컵(52)에 의해 웨이퍼(W)에서 비산한 레지스트액 등을 받아내어, 회수할 수 있다. 컵(52)의 아랫면(52a)에는, 예를 들면 회수한 레지스트액 등을 배액하는 배액관(53)과 컵(52)내의 분위기를 배기하는 배기관(54)이 설치된다.
컵(52)의 안쪽으로서, 스핀척(50)에 유지된 웨이퍼(W)의 아래쪽에는, 세정액 공급노즐(55)이 설치된다. 이 세정액 공급노즐(55)에 의해, 웨이퍼(W)의 이면에 신너 등의 세정액을 공급하여 웨이퍼(W)의 이면을 세정할 수가 있다.
레지스트 도포장치(17)에는, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하는 노즐(60)이 구비되어 있다. 노즐(60)은, 노즐아암(62)에 지지되어 있다. 노즐아암(62)은, 예를 들면 도 6에 나타낸 바와 같이 컵(52)의 X방향 음방향쪽(도 6의 왼쪽방향)에 설치된 Y방향으로 이어지는 레일(63)위를 이동할 수 있다. 노즐아암(62)의 이동은, 예를 들면 도시하지 않은 구동부에 의해 이루어진다. 컵(52)의 Y방향 음방향쪽에는, 예를 들면 노즐(60)의 대기부(S)가 설치되어 있고, 노즐아암(62)은, 이 대기부 (S) 위까지 이동할 수 있다. 따라서, 노즐아암(62)은, 대기부(S)의 노즐 (60)을 컵(52)내의 웨이퍼(W)의 중심부까지 이동할 수 있다.
여기서, 노즐(60)에 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급기구(K)의 일례에 대하여 도 7에 기초하여 설명한다.
노즐(60)은, 예를 들면 제 1 배관(70)에 의해 저류 탱크(71)에 연이어 통하며 접속되어 있다. 저류 탱크(71)는, 제 2 배관(72)에 의해 레지스트액의 공급원인 액체 용기(73)에 연이어 통하며 접속되어 있다. 제 2 배관(72)에는, 펌프(74)가 설치되어 있으며, 이 펌프(74)에 의해 액체 용기(73)내의 레지스트액을 저류 탱크(71)에 보급할 수가 있다. 제 1 배관(70)에는, 예를 들면 저류 탱크(71)쪽에서 순서대로 토출펌프(75), 제 1 밸브(76), 필터(77) 및 제 2 밸브(78)가 설치된다.
토출펌프(75)는, 예컨대 저류 탱크(71)의 소정량의 레지스트액을 흡액하여, 노즐(60)에 압송하는 것이며, 예를 들면 다이어프램식의 펌프가 사용된다. 이 토출펌프(75)에는, 제 2 배관(72)에 연이어 통하여, 토출펌프(75)에 고인 기포를 배 출하기 위한 퍼지관(79)이 부착되어 있다. 이 퍼지관(79)에는, 개폐밸브(80)가 설치된다. 토출펌프(75)가 가동된 상태로, 개폐밸브(80)를 개방함으로써, 토출펌프 (75)에 고인 기포를 레지스트액과 함께 저류 탱크(71)내로 배출할 수 있다. 즉, 토출펌프(75)의 기포를 배출하는 목적의 프리디스펜스(D1)를 할 수 있다.
필터(77)는, 레지스트액중에 포함되는 불순물을 제거하기 위한 것이다. 이 필터(77)에는, 예를 들어 필터(77)에 고인 기포를 레지스트 도포장치(17)의 외부로 배출하는 벤트관(81)이 접속되어 있다. 벤트관(81)에는, 개폐밸브(82)가 설치된다. 토출펌프(75)를 가동한 상태로, 개폐밸브(82)를 개방함으로써, 필터(77)내의 기포를 배출할 수 있다. 즉, 필터(77)의 기포를 배출하는 목적의 프리디스펜스(D2)를 할 수 있다.
제 2 밸브(78)는, 그 개폐에 의해 노즐(60)의 레지스트액의 토출을 동작정지하기 위한 것이다. 제 2 밸브(78)를 개방하여, 토출펌프(75)를 가동함으로써, 저류 탱크(71)의 레지스트액을 노즐(60)로부터 토출시킬 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)에의 레지스트액의 공급 외에, 노즐(60)의 건조를 방지하는 목적의 프리디스펜스(D3)나 토출액의 안정을 도모하는 목적의 프리디스펜스(D4)를 할 수 있다.
레지스트액 공급기구(K)의 토출펌프(75) 등의 각 파트의 동작은, 예컨대 콘트롤 섹션(9)에 설치된 주제어장치(85)에 의해 제어되고 있다. 그 때문에, 레지스트액 공급기구(K)에서 이루어지는 레지스트액의 프리디스펜스는, 주제어장치(85)에 의해 제어할 수 있다. 주제어장치(85)에는, 예를 들어 상술의 목적이 다른 프리디스펜스(D1∼D4)의 레시피, 예를 들면 토출량과, 디스펜스의 개시조건을 각각 설정 할 수 있다.
주제어장치(85)에는, 각 프리디스펜스(D1∼D4)의 설정시간이 설치된다. 주제어장치(85)는, 도시하지 않은 계측부(85a)를 가지며, 이 계측부(85a)에 의해서 계측한 적산시간이 상기 각 설정시간을 넘는 경우에, 각 프리디스펜스(D1∼D4)가 실행된다.
즉, 본 실시형태에 있어서의 상기 개시조건은, 각 프리디스펜스(D1∼D4)의 적산시간이 상기 각 설정시간을 넘는 것의 시간조건이다. 상기 적산시간은, 예를 들면 같은 종류의 전(前)프리디스펜스가 행하여졌을 때 또는 적산시간의 전(前) 리세트일 때부터 기산된다. 또, 각 프리디스펜스(D1∼D4)의 설정시간은, 예를 들면 프리디스펜스(D1)는 1000sec, 프리디스펜스(D2)는 500sec, 프리디스펜스(D3)는 500sec, 프리디스펜스(D4)는 1000sec로 설정된다.
한편, 프리디스펜스(D1∼D4)의 각 토출량은, 예를 들면 각 프리디스펜스(D1∼D4)의 목적을 달성하기 위한 필요최소한의 양으로 설정된다. 예를 들면 프리디스펜스(D1)는 100cc, 프리디스펜스(D2)는 100cc, 프리디스펜스(D3)는 10cc, 프리디스펜스(D4)는 10cc로 설정된다. 이들 시간조건이나 토출량의 설정은, 예를 들면 도 1에 나타내는 콘트롤 섹션(9)의 입력수단인 설정화면(T)으로 할 수 있다. 설정화면(T)에는, 예를 들면 도 8에 나타낸 바와 같이 각 프리디스펜스(D1∼D4)의 시간조건과 토출량을 터치 패널방식으로 설정할 수 있다.
주제어장치(85)에는, 각 프리디스펜스(D1∼D4)에 대하여 순위를 설정할 수 있다. 그리고, 순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 낮 은 프리디스펜스의 적산시간의 카운트가 리세트되도록 되어 있다. 한편, 순위가 낮은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 높은 프리디스펜스의 적산시간의 카운트가 계속되도록 되어 있다.
주제어장치(85)에는, 프리디스펜스(D1∼D4)를, 순위가 없는 프리디스펜스, 소위 독립순위의 프리디스펜스(순위가 주어진 다른 프리디스펜스로부터 독립한)로서도 설정할 수가 있다. 즉, 해당 독립순위의 프리디스펜스는, 순위가 매겨진 프리디스펜스의 실행, 비실행에 관계없이, 독자적인 개시조건에 따라서 실행된다.
이 실시형태에서는, 예를 들면 도 9에 나타낸 바와 같이 프리디스펜스(D1)를 순위①로 설정하고, 프리디스펜스(D2)를 순위①보다 순위가 낮은 순위②로 설정한다. 프리디스펜스(D3,D4)는, 독립순위 A로서 설정된다. 또, 본 실시형태에서는, 프리디스펜스(D1)가 행하여지면, 그 회(回)의 프리디스펜스(D2)가 행하여지지 않게 되므로, 프리디스펜스(D1)의 토출량을 프리디스펜스(D2)의 토출량에 맞추어, 프리디스펜스(D2)의 목적이 충분히 달성된다.
케이싱(17a)의 윗면에는, 도 5에 나타낸 바와 같이 온도 및 습도가 조절되어, 청정화된 질소가스, 불활성기체, 에어 등의 기체를 컵(52)내에 공급하는 덕트 (86)가 접속되어 있다. 이에 따라, 예를 들면 웨이퍼(W)의 도포처리시, 레지스트액의 프리디스펜스시에 해당 기체를 공급하여, 컵(52)내를 소정의 분위기로 유지할 수 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 레지스트 도포장치(17)로 행하여지는 웨이퍼(W)의 처리방법에 대하여, 도포현상처리시스템(1)으로 행하여지는 일련의 포토리소그 래피공정의 프로세스와 함께 설명한다.
우선, 웨이퍼 반송체(7)에 의해 카세트(C)에서 처리되지 않은 웨이퍼(W)가 1장 꺼내어져, 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 익스텐션장치(32)로 반송된다. 이어서 웨이퍼(W)는, 주반송장치(13)에 의해서 어드히젼장치(31)로 반입되어, 웨이퍼 (W) 상에 레지스트액의 밀착성을 향상시키는, 예컨대 HMDS가 도포된다. 다음에 웨이퍼(W)는, 쿨링장치(30)로 반송되어, 소정의 온도로 냉각된다. 소정 온도로 냉각된 웨이퍼(W)는, 주반송장치(13)에 의해서, 예를 들면 레지스트 도포장치(17)로 반송된다.
레지스트 도포장치(17)에 있어서 기판처리로서의 레지스트 도포처리가 종료한 웨이퍼(W)는, 주반송장치(13)에 의해서 프리베이킹장치(33), 익스텐션·쿨링장치(41)로 차례로 반송되고, 더욱 웨이퍼 반송체(56)에 의해서 주변노광장치(51), 노광장치(도시하지 않음)로 차례로 반송되어, 각 장치에서 소정의 처리가 실시된다. 그리고 노광처리가 종료한 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(56)에 의해 익스텐션장치(42)로 되돌아가, 그 후, 주반송장치(13)에 의해서 포스트 익스포져 베이킹장치(44), 쿨링장치(43), 현상처리장치(18), 포스트베이킹장치(46) 및 쿨링장치(30)로 차례로 반송되어, 각 장치에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 그 후, 웨이퍼 (W)는, 익스텐션장치(32)를 통해 카세트(C)로 되돌아가, 일련의 포토리소그래피공정이 종료한다.
상술의 레지스트 도포처리는, 우선 웨이퍼(W)가 주반송장치(13)에 의해 케이싱(17a) 내로 반입되어, 스핀척(50)에 흡착유지되면, 스핀척(50)이 하강하여, 웨이 퍼(W)가 컵(52)내에 수용된다. 이어서, 대기부(S)에서 대기하고 있던 노즐(60)이 노즐아암(62)에 의해서 웨이퍼(W)의 중심부 위쪽까지 이동된다.
그 후, 예를 들어 주제어장치(85)의 지시에 의해서 토출펌프(75)가 가동되어, 제 1 밸브(76)와 제 2 밸브(78)가 개방된다. 이에 따라 웨이퍼(W)의 중심부에 소정량의 레지스트액이 토출된다. 계속해서 웨이퍼(W)가 소정의 회전속도로 회전되어, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액이 웨이퍼(W) 표면전체면에 확산된다. 그 후, 웨이퍼(W)의 회전속도가 가속되어, 레지스트액의 액막의 막두께가 조정된다.
막두께가 조절되면, 웨이퍼(W)의 회전속도가 저하되어, 세정액 공급 노즐 (55)에 의해, 웨이퍼(W)의 이면세정이 이루어진다. 그 후, 웨이퍼(W)는 계속 회전하여, 웨이퍼(W)를 털어내어 건조가 이루어진다.
웨이퍼(W)의 건조처리가 종료하면 웨이퍼(W)의 회전이 정지되어, 웨이퍼(W)가 스핀척(50)으로부터 주반송장치(13)에 받아 넘겨져서, 케이싱(17a) 외부로 반출된다. 레지스트 도포장치(17)에서는, 이러한 레지스트 도포처리가 차례로 장치내에 로드되는 웨이퍼에 대하여 반복적으로 이루어지고 있다.
레지스트액 공급기구(K)의 프리디스펜스는, 예를 들면 상술의 레지스트 도포처리가 반복적으로 이루어지는 동안에, 프리디스펜스(D1∼D4)중의 어느 하나의 시간조건이 성립했을 때에 실행된다. 예를 들면 도 10에 나타낸 바와 같이 순위①의 프리디스펜스(D1)의 시간조건이 성립하면, 프리디스펜스(D1)가 실행된다. 이 프리디스펜스(D1)에서는, 예컨대 개폐밸브(80,82) 및 제 1 밸브(76)가 개방되어, 토출펌프(75)가 가동된다. 이에 따라, 토출펌프(75)로부터 벤트관(81)에 설정된 토출 량의 레지스트액이 압송되어, 필터(77)내의 기포가 해당 레지스트액과 함께 벤트관 (81)을 통하여 배출된다. 이 때, 개폐밸브(80)의 개방에 의해, 토출펌프(75)내의 기포도 퍼지관(79)을 통하여 배출된다. 즉 프리디스펜스(D2)의 목적도 달성된다.
프리디스펜스(D1)가 종료하면, 프리디스펜스(D1)의 적산시간의 카운트가 리세트된다. 이 때, 프리디스펜스(D1)보다 순위가 낮은 프리디스펜스(D2)의 적산시간의 카운트도 리세트된다. 한편, 프리디스펜스(D3,D4)의 적산시간의 카운트는 계속된다.
또한, 순위②의 프리디스펜스(D2)의 조건이 성립한 경우에는, 도 11에 나타낸 바와 같이, 프리디스펜스(D2)가 실행된다. 프리디스펜스(D2)는, 개폐밸브(80)를 개방한 상태로, 토출펌프(75)를 가동시킴으로써 행하여진다. 이 프리디스펜스 (D2)는, 제 1 밸브(76)를 폐쇄한 상태에서 행하여지며, 필터(77)쪽에 압력이 인가되지 않기 때문에, 프리디스펜스(D2)의 목적만이 달성되고, 프리디스펜스(D2)가 종료하면, 프리디스펜스(D2)의 적산시간의 카운트가 리세트되고, 다른 프리디스펜스 (D1,D3,D4)의 적산시간의 카운트가 유지된다.
또한, 도 12에 나타낸 바와 같이 독립순위 A의 프리디스펜스(D3)의 시간조건이 성립한 경우, 해당 프리디스펜스(D3)가 실행된다. 예를 들면 프리디스펜스(D3)는, 토출펌프(75)를 가동시킨 상태에서, 제 1 밸브(76), 제 2 밸브(78)를 개방하고, 개방밸브(80 및 82)를 폐쇄한 상태에서 행하여진다. 그리고, 프리디스펜스(D3)가 종료하면, 이 실행된 프리디스펜스(D3)만의 적산시간의 카운트가 리세트된다. 그 밖의 순위①, 순위② 및 독립순위A인 프리디스펜스(D4)의 적산시간의 카운트는 계속된다. 또, 독립순위A의 프리디스펜스(D4)의 적산시간이 성립한 경우는, 프리디스펜스(D3)와 같은 동작이 행하여진다.
이상의 실시형태에 의하면, 목적이 다른 프리디스펜스(D1∼D4)마다, 레시피나 시간조건을 설정할 수 있기 때문에, 각 목적에 맞는 필요충분한 프리디스펜스를 할 수 있다. 이 결과, 불필요한 양의 토출이나 불필요한 타이밍에서의 레지스트액의 토출을 억제할 수 있기 때문에, 레지스트액의 소비량을 저감할 수가 있다. 또한, 프리디스펜스의 실행에 의해 웨이퍼(W)의 도포공정이 정지되지 않기 때문에 웨이퍼처리의 스루풋도 향상할 수 있다.
본 실시형태에서는, 프리디스펜스(D1∼D4)에 순위를 매겨, 순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에, 보다 순위가 낮은 프리디스펜스의 적산시간의 카운트를 리세트하도록 하였다. 이에 따라, 예를 들어 프리디스펜스(D2)의 목적도 달성할 수 있는 프리디스펜스(D1)의 순위를 높게 설정하고, 불필요한 프리디스펜스(D2)의 횟수를 줄일 수 있다. 따라서, 불필요한 프리디스펜스가 생략되어, 레지스트액의 소비량을 저감할 수가 있다.
순위에 상관없이, 독자적인 시간조건에만 따르는 독립순위A의 프리디스펜스 (D3,D4)를 정하도록 하였기 때문에, 다른 프리디스펜스에서는 목적이 달성되지 않고, 중요도가 높은 프리디스펜스를 확실히 할 수 있다.
또, 이상의 실시형태에서 기재한 프리디스펜스의 종류나 목적은, 레지스트액 공급기구의 구성 등에 따라 임의로 변경할 수 있다. 이 때, 독립순위의 프리디스펜스를 정하지 않고, 모든 프리디스펜스에 순위를 매겨도 좋고, 반대로 모든 프리 디스펜스를 독립 순위로 하여도 좋다.
이상의 실시형태에서는, 각 순위에 한 종류의 프리디스펜스밖에 설정하지 않고 있지만, 같은 순위의 복수의 프리디스펜스를 설정하여도 좋다. 이러한 경우, 예를 들면 도 13에 나타낸 바와 같이 프리디스펜스(D1)와 (D3)가 순위①로 정해진다. 그리고, 프리디스펜스(D1)가 실행되어, 종료한 경우에는, 프리디스펜스(D3)의 적산 시간의 카운트가 리세트되지 않고 유지된다. 한편, 프리디스펜스(D3)가 이루어진 경우에도, 프리디스펜스(D1)의 적산시간의 카운트가 리세트되지 않고 계속된다. 이렇게 함으로써, 순위(2)에 대해서는, 상술한 것과 같은 우선성을 유지하면서, 같은 순위①내에서는, 시간조건의 독립성이 확보된다.
이상의 실시형태에서 기재한 프리디스펜스(D1∼D4)의 개시조건은, 시간조건이지만, 다른 개시조건이더라도 좋다. 예를 들면 각 프리디스펜스마다, 앞선 프리디스펜스시 또는 앞선 리세트시부터의 웨이퍼의 적산처리매수가 계측되어, 각 프리디스펜스(D1∼D4)는, 상기 적산처리매수가 설정처리매수를 넘은 경우에 행하여지도록 하여도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 주제어장치(85)의 계측부(85a)에 웨이퍼 처리매수의 계측기능을 갖게 한다. 주제어장치(85)에 각 프리디스펜스(D1∼D4)의 설정처리매수가 설정된다. 그리고, 프리디스펜스(D1∼D4)에는, 상술한 바와 같은 순위가 정해져, 예를 들어 순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 순위가 낮은 프리디스펜스의 적산처리매수가 리세트된다. 또한, 순위가 낮은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 순위가 높은 프리디스펜스의 적산처리매수의 계측은 계속된다. 이러한 경우에도, 불필요한 프리디스펜스를 생략하여, 프리디스펜스의 횟수 를 줄일 수 있다.
또한, 프리디스펜스의 개시조건은, 상술한 적산시간이 설정시간을 경과한 것 또는 상술의 적산처리매수가 설정처리매수를 넘은 것중의 어느 하나의 조건을 만족시키는 것이어도 좋다. 이러한 경우, 상술의 실시형태와 같이 순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 순위가 낮은 프리디스펜스의 적산시간과 적산처리매수가 리세트되고, 순위가 낮은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 순위가 높은 프리디스펜스의 적산시간과 적산처리매수의 카운트가 계속된다.
다음에 다른 실시형태에 대하여 설명한다. 도 14는, 다른 구성을 가진 레지스트 도포장치(17)의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이고, 도 15는, 레지스트 도포장치(17)의 횡단면의 설명도이다.
이 레지스트 도포장치(17)내에는, 예를 들면 도 15에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하는 2개의 레지스트액 공급노즐(160,161)이 구비되어 있다. 레지스트액 공급노즐(160,161)은, 도 14에 나타낸 바와 같이 노즐아암(162)에 유지된다. 노즐아암(162)은, 예를 들어 수직방향으로 이어지는 지주(163)와, 지주(163)로부터 수평방향, 예를 들어 X방향으로 이어지는 수평축(164)과, 수평축 (164)의 선단부에 위치하고, 레지스트액 공급노즐(160,161)을 유지하는 유지부 (165)로 구성되어 있다.
지주(163)는, 예를 들면 실린더 등의 구동기구에 의해 상하방향으로 신축이 자유롭고, 수평축(164)도, 예를 들면 모터 등의 구동기구에 의해 수평방향으로 신축이 자유롭다. 이에 따라, 유지부(165)를 상하방향, X방향으로 이동시킬 수 있 다. 유지부(165)에는, 예를 들면 솔레노이드 등의 착탈기구(도시하지 않음)가 설치되어 있으며, 유지부(165)는, 소정의 타이밍으로 레지스트액 공급노즐(160 또는 161)을 유지하거나 또는 이탈시킬 수 있다.
도 15에 나타낸 바와 같이 컵(52)의 X방향 음방향쪽(도 15의 왼쪽방향)에는, Y방향으로 이어지는 레일(166)이 설치되어 있고, 노즐아암(162)은, 해당 레일(166) 위를 구동기구(도시하지 않음)에 의해 이동 자유롭게 설치된다. 이에 따라, 노즐아암(162)은, 후술하는 레지스트액 공급노즐(160,161)의 대기부(S)에서 컵(52)위까지 이동가능하고, 이에 따라 노즐아암(162)은, 이러한 구간에서 레지스트액 공급노즐 (160,161)을 반송할 수 있다.
대기부(S)에는, 예를 들면 2개의 레지스트액 공급노즐(160 및 161)이 대기할 수 있다. 대기부(S)에는, 예를 들어, 신너 등의 세정액을 저류하는 세정조(167)가 설치된다. 세정조(167)에는, 세정조(167)내에 세정액을 공급하는 세정액 공급관 (168)과 세정조(167)내의 세정액 등을 배액하는 배출관(169)이 설치된다. 이 세정조(167)내에 소정량의 세정액을 저류하여, 대기시에 레지스트액 공급노즐(160,161)을 해당 세정액내에 침지할 수 있다. 또한, 레지스트액 공급노즐(160,161)로부터 세정조(167)내에 레지스트액의 프리디스펜스를 하여, 해당 토출된 레지스트액을 배출관(169)으로부터 배액할 수도 있다.
각 레지스트액 공급노즐(160,161)은, 예를 들면 도 16에 나타낸 바와 같이 각각 공급관(170,171)에 접속되어 있으며, 공급관(170,171)은, 각각 레지스트액의 공급원인 저류 탱크(172,173)에 연이어 통하며 접속되어 있다. 저류 탱크(172)에 는, 레지스트액 A가 저류되어 있고, 저류 탱크(173)에는, 레지스트액 B가 저류되어 있다. 따라서, 레지스트액 공급노즐(160)로부터는, 저류 탱크(172)로부터 공급관 (170)을 통하여 공급된 레지스트액 A가 토출되고, 레지스트액 공급노즐(161)로부터는, 저류 탱크(173)로부터 공급관(171)을 통하여 공급된 레지스트액 B가 토출된다.
각 공급관(170,171)에는, 각각 레지스트액을 레지스트액 공급노즐(160,161)에 압송하기 위한 펌프(174,175)와, 레지스트액의 토출량을 제어하기 위한 조절밸브(176,177)가 설치된다.
펌프(174,175) 및 조절밸브(176,177)의 동작은, 예를 들면 주제어부(178)에 의해 제어되고 있다. 주제어부(178)는, 예를 들면 레지스트 도포장치(17)의 다른 구동기구, 예를 들면 구동부(57) 등의 동작도 제어할 수 있고, 레지스트 도포장치 (17) 전체의 제어를 할 수 있다. 또, 주제어부(178)에는, CPU 등의 제어부(도시하지 않음), RAM 등의 기억부(도시하지 않음), 설정치 등을 입력하는 입력부(도시하지 않음), 각 구동부 등에 명령신호를 출력하는 출력부(도시하지 않음)등으로 구성되어 있다.
주제어부(178)에는, 각 로트마다의 웨이퍼(W)의 처리조건이 설정된 처리프로그램(P1)이 기억되어 있다. 주제어부(178)는, 처리프로그램(P1)을 실행함으로써, 펌프(174,175), 조절밸브(176,177) 등을 제어하여 각 로트의 소정의 처리를 실행할 수 있다.
주제어부(178)에는, 예를 들면 레지스트액의 프리디스펜스를 하는지의 여부를 판단하기 위한 판정프로그램(P2)이 기억되어 있다. 이 판정프로그램(P2)의 실 행에 의해, 주제어부(178)는, 예컨대 전후한 로트처리사이에 레지스트액의 종류가 변경된 것(조건①), 앞선 로트처리가 종료하고 나서 경과시간T이 미리 설정된 허용시간 TM 예를 들면 600sec를 넘는 것(조건②), 혹은 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서의 로트처리수 N이 미리 설정된 허용로트처리수 NM 예를 들어 10로트를 넘고 있는 것(조건③)중 어느 하나의 조건을 만족한 경우에는, 프리디스펜스를 하는 판정을 하고, 어느 것도 만족하고 있지 않은 경우에는, 프리디스펜스를 하지 않는 판정을 한다. 그리고, 프리디스펜스를 하는 판정이 되면, 주제어부(178)의 지시에 의해, 펌프(174,175) 등이 작동되어, 프리디스펜스가 이루어진다.
상기 조건①의 레지스트액의 종류가 변경되는지의 여부는, 예를 들면 처리프로그램(P1)의 설정조건에 의해 알 수 있다. 또한, 주제어부(178)는, 예를 들면 시간계측기능(179)과 로트처리수 카운트기능(180)을 구비하고, 조건②의 경과시간T는, 시간계측기능(179)에 의해 계측되고, 조건③의 로트의 처리수 N은, 로트처리수 카운트기능(180)에 의해 계측할 수 있다. 로트처리수 카운트기능(180)은, 프리디스펜스가 행해질 때마다 리세트되어, 카운트수가 제로로 돌아간다.
케이싱(17a)의 윗면에는, 도 14에 나타낸 바와 같이 온도 및 습도가 조절되어, 청정화된 질소가스, 불활성기체, 에어 등의 기체를 컵(52)내에 공급하는 덕트 (181)가 접속되어 있다. 이에 따라, 예를 들어 웨이퍼(W)의 도포처리시에, 레지스트액의 프리디스펜스시에 해당 기체를 공급하여, 컵(52)내를 소정의 분위기로 유지할 수 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 레지스트 도포장치(17)로 실시되는 웨이퍼(W)의 처리방법에 대하여 설명한다.
도포현상처리시스템(1)이 기동할 때, 즉 최초의 로트처리가 개시할 때에는, 예를 들어 해당 로트처리에서 사용되는 레지스트액 공급노즐(160)로부터 레지스트액 A의 프리디스펜스가 행하여진다. 그리고, 각 로트의 웨이퍼처리에 있어서는, 처리프로그램(P1)이 실행되고, 해당 처리프로그램(P1)에 따라서 레지스트 도포처리가 이루어진다.
예를 들면 웨이퍼(W)가 케이싱(17a) 내에 반송되기 전에, 덕트(181)로부터 소정의 온도, 습도로 조절된 에어가 공급되어, 케이싱(17a) 내가 소정의 분위기로 유지된다. 이 때, 공급되고 있는 에어는, 배기관(54)으로부터 레지스트 도포장치 (17) 외부로 배기된다.
그리고, 웨이퍼(W)가 주반송장치(13)에 의해 케이싱(17a) 내에 반입되면, 웨이퍼(W)는, 미리 상승하고 있는 스핀척(50)에 받아넘겨져 스핀척(50)상에 흡착유지된다. 계속해서 스핀척(50)이 하강하여, 웨이퍼(W)가 컵(52)내에 수용된다. 그리고 대기부(S)에서 대기하고 있는 예를 들면 레지스트액 공급노즐(160)이 노즐아암 (162)에 유지되어, 컵(52)내의 웨이퍼(W) 의 중심부 위쪽까지 이동된다.
레지스트액 공급노즐(160)이 웨이퍼(W)의 중심부 위쪽에 위치하면, 주제어부 (178)의 지시에 의해 펌프(174) 및 조절밸브(176)가 작동하여, 레지스트액 공급노즐(160)로부터 소정량의 레지스트액 A이 토출된다. 이에 따라 웨이퍼(W)의 중심부에 소정량의 레지스트액 A가 공급된다. 계속해서 웨이퍼(W)가 소정의 회전속도, 예를 들면 1500rpm으로 회전되고, 이 웨이퍼(W)의 회전에 의해, 레지스트액 A가 웨이퍼(W) 표면에 확산된다. 이 레지스트액의 확산이, 소정시간 이루어져, 레지스트액이 웨이퍼(W) 전체면에 확산되면, 웨이퍼(W)의 회전속도가, 예를 들면 2000rpm으로 가속되어, 레지스트액의 액막의 막두께가 조정된다.
막두께가 조절되면, 웨이퍼(W)의 회전속도가, 예를 들면 500rpm으로 저하된다. 그리고, 세정액 공급노즐(55)로부터 웨이퍼(W)의 이면에 신너 등의 세정액이 공급되어, 웨이퍼(W)의 이면세정이 이루어진다. 그 후 세정액의 공급이 정지되어, 웨이퍼(W)가 예를 들어 그대로 500rpm으로 회전되고, 웨이퍼(W)의 건조처리가 이루어진다.
웨이퍼(W)의 건조처리가 종료하면, 웨이퍼(W)의 회전이 정지되고, 웨이퍼(W)가 스핀척(50)으로부터 주반송장치(13)에 받아 넘겨지고, 케이싱(17a) 외부로 반출되어, 웨이퍼(W)의 일련의 레지스트 도포처리가 종료한다.
웨이퍼(W)의 레지스트 도포처리가 종료하면, 바로 다음 웨이퍼가 반입되어, 같은 처리가 이루어진다. 이렇게 해서 낱장식으로 소정 매수의 웨이퍼의 처리가 이루어져, 이 로트의 처리가 종료한다.
예컨대 도 17에 나타낸 바와 같이 로트 L1의 처리가 종료하면, 시간계측기능 (179)에 의해 시간계측이 시작된다. 그리고, 예를 들어 다음 로트 L2의 처리가 시작되기 직전에, 주제어부(178)에서 판정프로그램(P2)이 실행되어, 상술의 조건①∼③을 만족하고 있는지의 여부를 판단한다. 즉, 다음 로트L2에서 사용되는 레지스트액이, 예를 들어 로트L1의 레지스트액 A와 다른 레지스트액 B인지, 경과시간 T> 허용시간 TM인지, 혹은 로트처리수 N> 허용 로트처리수 NM인지를 판단한다. 그리고, 조건①∼③중 어느 하나의 조건을 만족하고 있는 경우에는, 다음 웨이퍼가 레지스트 도포장치(17)내에 반입되기 전에, 다음 로트L2에서 사용되는 레지스트액의 펌프(175 또는 176), 조절밸브(176 또는 177)를 작동시켜, 해당 레지스트액의 프리디스펜스가 행하여진다.
이 때, 레지스트액 공급노즐(160 및 161)은, 세정조(167)내에 있고, 프리디스펜스는, 세정조(167)내에서 행하여진다. 그리고, 시간계측기능(179) 및 로트처리수 카운트기능(180)이 리세트된다.
한편, 상기 조건①∼③중 어디에도 해당하지 않는 경우에는, 프리디스펜스가 행하여지지 않고, 예컨대 판정프로그램(P2)의 실행이 종료되고, 다음 로트 L2의 처리가 시작된다. 이와 같이, 하나의 로트의 처리가 종료할 때마다 주제어부(178)가, 판정프로그램(P2)을 실행하여, 상기 조건①∼③이 만족되고 있는지의 여부가 판정되어, 어느 하나의 조건이 만족되고 있는 경우에는, 프리디스펜스가 행하여지고, 모든 조건이 만족되고 있지 않은 경우에는, 프리디스펜스가 행하여지지 않는다.
본 실시형태에 의하면, 조건 ①∼③중 어느 하나를 만족한 경우에만 프리디스펜스가 행하여지기 때문에, 로트가 변경될 때마다 프리디스펜스를 하고 있는 종래에 비하여 프리디스펜스의 횟수를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 레지스트액의 소비량을 줄일 수 있다. 로트처리사이에 레지스트액의 종류가 변경된 경우에는, 프리디스펜스가 행하여지기 때문에, 예를 들면 앞선 로트처리에서 사용되지 않은 레지스트액 공급노즐(160,161), 공급관(170,171)내에 잔류하여 열화한 레지스트액을 배출할 수가 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상에 변질된 레지스트액이 공급되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 앞선 로트처리가 종료하고 나서 허용시간 TM의 시간이 경과한 경우에도 프리디스펜스가 행하여진다. 즉 다음 로트처리가 시작될 때까지 시간이 비어, 레지스트액 공급노즐(160,161)이나 공급관(170,171)내에 잔존한 레지스트액이 열화한 경우에도, 프리디스펜스가 행하여진다. 이에 따라 열화한 레지스트액이 웨이퍼 (W) 상에 토출되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 앞에 프리디스펜스가 행해지고 나서의 로트처리수N이 허용 로트처리수NM을 상회한 경우도 프리디스펜스가 행해지기 때문에, 예를 들어 펌프(174,175)내에 서서히 축적되는 기포 등을 배제하여, 처리시의 레지스트액중에 기포가 혼입되지 않도록 할 수 있다. 또, 예를 들어 1로트가, 통상 25매의 웨이퍼의 처리의 경우로서, 그 연속한 로트처리중에 웨이퍼 12매 이하의 로트가 포함되어 있을 때에, 이 12매 이하의 로트를 1/2로트로 카운트하도록 하여도 좋다.
본 실시형태에서는, 프리디스펜스가 행하여질 때마다 로트처리수 N의 카운트를 리세트하도록 하였기 때문에, 결과적으로 조건①, ②가 연속하여 만족되지 않고, 로트의 처리수 N이 허용 로트처리수 NM을 넘는 경우에만, 조건③을 만족하게 된다. 따라서, 조건①에 의해 프리디스펜스가 행하여진 직후에 조건③으로 프리디스 펜스가 행하여지는 것과 같은 경우가 없어지고, 프리디스펜스의 횟수를 줄일 수 있다.
최초의 로트처리를 시작할 때 프리디스펜스를 하도록 하였기 때문에, 최초의 로트처리부터 원하는 레지스트액을 사용하여 처리할 수가 있다.
이상의 실시형태에서 기재한 레지스트액 공급노즐은, 2계통이지만, 그 수는, 이에 한정되지 않고 임의의 수(복수)를 선택할 수 있다.
이상의 실시형태에서는, 조건①을 로트사이에서 레지스트액의 종류가 변경된 것으로 하였지만, 조건①을, 로트사이에서 레지스트 도포처리에 있어서의 소정 스텝시의 웨이퍼(W)의 회전수가 변경된 것으로 하여도 좋다.
예를 들면 도 18에 나타낸 바와 같이 레지스트 도포처리가 3개의 스텝, 예를 들면 웨이퍼(W)가 제 1 회전수 R1, 예를 들면 2000rpm으로 회전되고, 웨이퍼 표면온도가 균등해지는 스텝 S1와, 제 2 회전수 R2, 예를 들면 3500rpm으로 회전된 웨이퍼(W) 상에 레지스트액이 적하되어, 해당 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성되는 스텝 S2와, 웨이퍼(W)가 제 3 회전수 R3, 예를 들면 2500rpm으로 회전되어, 웨이퍼 (W) 상의 레지스트막이 안정화되어, 더욱 해당 레지스트막이 건조되는 스텝 S3을 가진 것으로 한다. 그리고, 예를 들면 이러한 레지스트 도포처리에 있어서의 스텝 S2의 제 2 회전수 R2가 로트사이에서 변경된 것을 조건①로 하여도 좋다. 이 스텝 S2는, 웨이퍼(W) 표면상의 레지스트액의 확산을 동반한 것으로, 회전수 R2는, 레지스트액의 점성 등에 의해서 결정된다. 레지스트액의 종류가 다르면 레지스트액의 점성이 달라지고, 회전수 R2도 틀리기 때문에, 조건①의 판정의 대상을 레지스 트액의 종류로 하지 않고, 레지스트 도포처리의 스텝 S2의 회전수 R2로 하여도, 실질적으로 같은 효과를 얻을 수 있다. 또, 스텝 S2 대신에, 다른 스텝 S1, S3의 회전수 R1, R3을 조건①의 판정의 대상으로 하여도 좋다.
상기 조건②의 허용시간 TM은, 사용되는 레지스트액의 점도, 레지스트액에 함유하는 용제의 종류, 감광제성분 등에 의해서 적절히 정하도록 하여도 좋다. 예를 들면, 복수의 레지스트액의 열화시간, 건조시간 등을 실험에 의해 구하여, 해당 열화시간 등으로부터 각 레지스트액의 적정허용시간을 미리 산출한다. 그리고, 해당 적정허용시간을, 예를 들면 주제어부(178)에 보존해 두고, 처리프로그램(P1)이 짜여졌을 때, 그 처리프로그램에서 사용되는 복수의 레지스트액중에서 가장 적정허용시간이 짧은 것을, 허용시간 TM으로서 판정프로그램(P2)에 설정한다. 이와 같이 레지스트액의 종류에 따라서 허용시간 TM을 정하는 것에 의해, 어느 쪽의 레지스트액이 사용되더라도, 프리디스펜스가 적정한 타이밍에서 행하여져, 열화한 레지스트액이 웨이퍼(W) 상에 토출되는 것을 방지할 수 있다.
상기 조건③의 허용 로트처리수 NM도, 사용되는 레지스트액의 점도, 레지스트액에 포함되는 용제의 종류 등의 레지스트액의 종류에 따라 정하도록 하여도 좋다. 이 경우도, 예를 들면 각종 레지스트액과 레지스트액 공급노즐의 선단부의 오염과의 상관관계를 실험 등에 의해 구하여, 해당 상관관계로부터 각 레지스트액에 있어서의 적정허용 로트처리수를 미리 산출해 놓는다. 그리고, 예를 들면 해당 적정허용 로트처리수를 주제어부(178)에 보존해 두고, 처리프로그램(P1)이 짜여졌을 때, 그 처리에서 사용되는 복수종류의 레지스트액중에서 가장 적정허용 로트처리수가 적은 것을 허용 로트처리수 NM으로서 판정프로그램(P2)에 설정한다. 이렇게 함으로써, 사용하는 레지스트액의 종류에 따라, 그 때마다 적정한 허용 로트처리수 NM이 정해져, 프리디스펜스가 적정한 타이밍에서 행하여진다.
이상의 실시형태에서는, 조건③을 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서의 로트처리수 N이 허용 로트처리수 NM을 넘고 있는 것으로 하였지만, 로트처리수 대신에 웨이퍼(W)의 처리매수로 하여도 좋다. 이 때, 조건③은, 예컨대 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서의 웨이퍼의 처리매수가 허용처리매수를 넘고 있게 된다. 이 경우, 처리매수계측기능에 의해 웨이퍼의 처리매수가 카운트되어, 조건①∼③중 어느 하나의 조건이 만족된 경우에 프리디스펜스가 행하여진다. 그리고, 상기 웨이퍼의 처리매수의 카운트는, 프리디스펜스가 행하여질 때마다 리세트된다.
상기 실시형태에서는, 프리디스펜스를 하는 조건으로서 조건①∼③을 선택적으로 수행하였지만, 조건①과 조건②, 즉 전후한 로트처리사이에서 레지스트액의 종류가 변경되는 것, 앞선 로트가 종료하고 나서 허용시간 TM이 경과한 것 중의 어느 하나의 조건이 만족되는 경우에 프리디스펜스를 하도록 하여도 좋다. 이러한 경우에도, 레지스트액의 종류가 변경되거나, 허용시간 TM이 경과하지 않는 한, 프리디스펜스가 행하여지지 않기 때문에, 프리디스펜스의 횟수를 줄일 수 있다. 한편, 필요한 경우에 프리디스펜스를 하여 웨이퍼(W)에 열화한 레지스트액이 공급되는 일 이 없기 때문에, 레지스트 도포처리를 적절히 할 수 있다.
또한, 조건①과 조건③, 즉 레지스트액의 종류가 변경되는 것, 직전의 프리디스펜스가 행하여지고 나서의 로트처리수 N이 허용 로트처리수 NM을 넘는 것중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에 프리디스펜스를 하도록 하여도 좋다. 이러한 경우에도, 레지스트액의 종류가 변경되거나, 로트처리수 N>허용 로트처리수 NM이 되지 않는 한, 프리디스펜스가 행하여지지 않기 때문에, 그만큼 레지스트액의 소비량을 저감할 수 있다.
또, 조건①, 즉 전후한 로트처리사이에서 레지스트액의 종류가 변경되었을 때에만 프리디스펜스를 하도록 하여도 좋고, 이 경우에도 종래에 비해서 프리디스펜스의 횟수를 줄일 수 있기 때문에, 레지스트액의 소비량의 저감이 도모된다.
도 19에 나타낸 바와 같이 레지스트 도포장치(17)내의 세정조(190)는, 예를 들면 밀폐가능한 케이스체(190a)와, 각 레지스트액 공급노즐(160,161)에 세정액을 분출하는 세정액 분출노즐(191,192)을 구비하고 있더라도 좋다. 케이스체(190a)의 윗면에는, 각 레지스트액 공급노즐(160,161)을 케이스체(190a) 내에 삽입하기 위한 삽입구(193,194)가 설치된다. 케이스체(190a)의 아랫면에는, 케이스체(190a) 내에 세정액을 공급하는 세정액공급관(195)과 케이스체(190a) 내의 세정액 등을 배액하는 배출관(196)이 설치된다.
그리고 대기할 때의 건조방지에 대해서는, 세정조(190)내의 하부에 소정량, 예를 들면 5∼20cc의 세정액을 저류하여, 세정조(190)의 상부에 세정액의 휘발분위 기를 형성하고, 이 휘발분위기내에 레지스트액 공급노즐(160,161)을 수용한다. 이렇게 함으로써, 대기할 때에 레지스트액 공급노즐(160,161)의 선단부가 세정액의 휘발분위기에 노출되어, 레지스트액 공급노즐(160,161)의 선단부에 부착한 레지스트액의 건조를 억제할 수 있다.
또한, 예를 들면 더미 디스펜스가 실행되기 직전에, 대기하고 있는 레지스트액 공급노즐(160,161)에 대하여 세정액 분출노즐(191,192)로부터 세정액을 분출하여, 레지스트액 공급노즐(160,161)의 선단부에 부착하고 있는 레지스트액 등을 세정, 용해시키도록 하여도 좋다. 또한, 그 후 프리디스펜스가 실행된 후에, 세정조 (190)내의 세정액을 배출관(196)으로부터 배출하고, 새로운 세정액을 세정액 공급관(195)으로부터 공급하여, 세정조(190)내의 세정액을 교환하도록 하여도 좋다. 이렇게 함으로써, 프리디스펜스 등으로 더러워진 세정액을 새로운 세정액으로 치환할 수 있다.
이상의 실시형태는, 본 발명을 레지스트액의 프리디스펜스를 하는 처리방법에 적용한 것이었지만, 본 발명은, 다른 처리액, 예를 들면 현상액, 세정액, 층간절연막을 형성하는 도포액, 어드히젼처리에서 사용되는 처리액 등의 프리디스펜스를 하는 처리방법에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은, 웨이퍼(W) 이외의 기판 예컨대 LCD기판, 마스크기판, 레티클기판 등의 처리방법에도 적용할 수 있다.
본 발명은, 기판에 대하여 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서, 상기 처리가 차례로 이루어지는 동안에, 처리액에 대한 목적이 다른 복수의 프리디스펜스가 처리의 중간에 이루어 져, 상기 각 프리디스펜스마다, 적어도 프리디스펜스하고자 하는 처리액의 레시피 또는 프리디스펜스의 개시조건이 정해져 있다.
또, 본 발명에 있어서의 「프리디스펜스」는, 처리액의 프리디스펜스이다. 또한 이 프리디스펜스에는, 처리액 공급기구내에 잔류하고 있는 처리액을 해당 처리액 공급기구 외부로 배출하는 것뿐만 아니라, 처리액 공급기구내의 처리액을 같은 처리액 공급기구내의 다른 부분으로 배출하는 것도 포함한다. 「프리디스펜스」는, 때로 「더미 디스펜스」라고도 불린다. 또한 레시피로서는, 예를 들면 처리액의 토출유량의 설정을 들 수 있다.
본 발명은, 더욱 다음과 같은 구성을 채용할 수도 있다. 즉, 상기 각 프리디스펜스마다, 전회의 프리디스펜스시 또는 전회의 리세트시부터의 적산시간이 계측되고 있으며, 상기 각 프리디스펜스는, 상기 적산시간이 소정의 설정시간에 달한 경우에 이루어지고, 상기 복수의 프리디스펜스에는, 순위가 정해져, 순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 낮은 프리디스펜스의 적산시간은 리세트되고, 상기 순위가 낮은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 높은 프리디스펜스의 적산시간은 리세트되지 않는다.
여기서 「전회의 리세트시」라 함은, 적산시간의 계측이 계속하여 이루어지고 있으며, 이 적산시간에 대한 전회의 리세트시이다. 또한, 「소정의 설정시간」이라 함은, 각 프리디스펜스마다 정해진 설정시간이다.
기판의 처리에서 행하여지는 프리디스펜스에서는, 하나의 프리디스펜스를 함으로써, 다른 프리디스펜스의 목적이 달성되는 경우가 있다. 예를 들면, 펌프를 기동시켜, 필터에 고인 기포를 빼내는 프리디스펜스를 하면, 해당 펌프에 저류한 기포를 빼내는 프리디스펜스도 동시에 할 수 있는 경우가 있다. 이러한 경우에, 예를 들면 필터의 기포를 빼내는 프리디스펜스의 순위를 높게 하고, 펌프의 기포를 빼내는 프리디스펜스의 순위를 낮게 한다.
순위가 높은 프리디스펜스가 행하여졌을 때는, 순위가 낮은 프리디스펜스의 적산시간이 리세트되기 때문에, 예를 들면 필터의 기포를 빼내는 프리디스펜스를 한 것에 의해 그 직후의 펌프의 기포를 빼내는 프리디스펜스가 생략되고, 총 프리디스펜스의 횟수를 줄일 수 있다. 이에 따라, 프리디스펜스에 의한 기판처리의 중단시간을 단축할 수가 있고, 또한, 처리액의 소비량도 저감할 수 있다.
또, 상기 순위를 매기는 기준으로서는, 예를 들면 다음을 제안할 수 있다. 동일한 배출부에서 프리디스펜스가 행하여지는 것에 대해서는, 높은 빈도를 요하는 것을 높은 순위로 하고, 낮은 빈도로도 충분한 것을 낮은 순위로 한다. 이 때, 처리액의 토출량은, 순위가 정해진 프리디스펜스중에서 보다 많은 것에 맞추어도 좋다. 또한, 상기 순위는, 같은 배출부에서 이루어지는 것으로서, 토출량이 많은 것을 높은 순위로 하고, 토출량이 적은 것을 낮은 순위로 하여도 좋다. 또한, 상기 순위는, 복수의 목적을 달성할 수 있는 프리디스펜스의 순위를 높게 하고, 이 복수의 목적을 달성할 수 있는 프리디스펜스의 실행에 의해서 목적이 달성되는 프리디스펜스의 순위를 낮게 하여도 좋다.
적산시간 대신에, 기판의 적산처리매수를 사용하여 같은 프로세스를 실행하도록 하여도 좋다. 이러한 경우에도 불필요한 프리디스펜스를 생략하여, 총 프리 디스펜스의 횟수를 감소시킬 수 있다. 또, 「소정의 설정처리매수」라 함은, 각 프리디스펜스마다 정해진 설정처리매수이다.
또한 적산시간과 기판의 적산처리매수의 양쪽을 채용하여, 상기 각 프리디스펜스를, 상기 적산시간이 소정의 설정시간에 달한 경우, 또는 상기 적산처리매수가 각각의 설정처리매수에 달한 경우에 행하여지고, 순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 낮은 프리디스펜스의 적산시간 및 적산처리매수는 리세트되고, 상기 순위가 낮은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 높은 프리디스펜스의 적산시간 및 적산처리매수는 리세트되지 않도록 하여도 좋다.
더욱 본 발명하에 있어서, 이상과 같은 상기 복수의 프리디스펜스의 일부에만, 상기 순위가 정해지고, 순위의 규정이 없는 프리디스펜스는, 다른 모든 프리디스펜스가 행하여진 경우에는 상기 리세트가 행하여지지 않고, 해당 순위의 규정이 없는 프리디스펜스는, 독자적인 개시조건에 따라서만 행하여지는 것이어도 좋다. 이렇게 함으로써, 다른 프리디스펜스에 대하여 개시조건이 독립한 프리디스펜스를 설정하여 실행할 수 있다.
또한, 본 발명하에 있어서, 같은 순위로, 복수의 프리디스펜스가 정해지고, 이 같은 순위로 정해진 프리디스펜스는, 같은 순위의 다른 프리디스펜스가 행하여진 경우에는 리세트가 행하여지지 않도록 하더라도 좋다. 이러한 경우, 같은 순위내에 개시조건이 독립적인 복수의 프리디스펜스를 설정할 수 있다. 이에 따라, 어떤 프리디스펜스에 대해서는 개시조건의 독립성을 유지하면서, 그 밖의 프리디스펜스에 대해서는 개시조건을 의존시키도록 하는 프리디스펜스를 설정하여 실행할 수 있다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 기판에 대하여 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서, 기판의 로트가 잠시 중단되었을 때에 처리액의 프리디스펜스를 하는 공정을 가지며, 상기 프리디스펜스를 하는 공정은, 공급하는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 경우에만 행하여진다.
이러한 경우, 기판의 로트가 중단되었을 때에 행하여지는 프리디스펜스공정은, 공급하는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 또는 앞의 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간이 경과한 것 중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에만 행하여져도 좋다. 「앞의 로트의 처리」라 함은, 「로트가 중단되기 직전의 로트」의 처리를 말한다.
앞선 로트의 처리가 종료하고 나서 새로운 로트의 처리가 시작되기까지의 시간이 길면, 노즐이나 공급관 등의 처리액 공급기구내의 처리액이 열화할 우려가 있다. 앞선 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간 경과한 경우에도 프리디스펜스를 하도록 하면, 기판에 공급되는 처리액의 품질을 충분히 확보할 수 있다.
기판의 로트가 중단되었을 때에 행하여지는 프리디스펜스공정은, 공급되는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 또는 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정수의 로트의 처리가 종료한 것중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에만 행하여져도 좋다.
앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정수의 로트의 처리가 종료하고 있 는 경우에도 프리디스펜스를 하도록 하면, 예컨대 처리액을 연속하여 공급함으로써 서서히 축적되어 나가는 노즐이나 공급관내의 기포 등을 적절히 배제할 수가 있다. 이에 따라, 기판에 공급되는 처리액내에 기포 등이 포함되는 것을 억제할 수 있다.
기판의 로트가 중단되었을 때에 행하여지는 프리디스펜스공정은, 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 앞선 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간이 경과한 것, 또는 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정수의 로트나 소정매수의 기판의 처리가 종료한 것중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에만 행하여져도 좋다.
앞의 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간 경과했을 때에도 프리디스펜스를 하도록 하면, 기판에 공급되는 처리액의 열화를 방지할 수 있다. 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정수의 로트나 소정매수의 기판의 처리가 종료하고 있는 경우에 프리디스펜스를 하면, 예컨대 처리액을 연속적으로 공급함으로써 축적되는 노즐이나 공급관내의 기포 등을 배출할 수 있다. 이에 따라, 기판에 공급되는 처리액내에 기포 등의 불필요물질이 포함되는 것을 억제할 수 있다. 또, 앞선 프리디스펜스는, 이전에 행하여진 프리디스펜스중에서 마지막에 행하여진 것이면 바람직하다.
상기 조건의 소정수를 인식하기 위해서 처리한 로트의 수를 카운트해 두고, 해당 처리한 로트의 수의 카운트가, 프리디스펜스가 행하여질 때마다 리세트된다고 하는 방법도 제안할 수 있다. 이에 따라, 레지스트액의 종류의 변경 등의 다른 조건에 의한 프리디스펜스가 행하여진 경우라 하더라도, 로트수의 카운트가 리세트되 어, 결과적으로 로트의 처리수의 조건에 의한 프리디스펜스가 행하여진 것으로 간주되기 때문에, 프리디스펜스의 빈도를 줄일 수 있다.
또한 기판에 대하여 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서, 기판의 로트가 잠시 중단되었을 때에 처리액의 프리디스펜스를 하는 공정을 가지며, 상기 프리디스펜스를 하는 공정은, 공급하는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 앞선 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간이 경과한 것, 혹은 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정매수의 기판이 처리된 것 중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에만 행하여진다고 하는 방법도 제안할 수 있다.
이러한 방법에 의하면, 로트사이에서 처리액의 종류가 변경된 경우에 프리디스펜스를 하기 때문에, 종래에 비하여 프리디스펜스의 빈도를 줄일 수 있다. 또한, 앞선 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간 경과했을 때에도 프리디스펜스를 하도록 하였기 때문에, 기판에 공급되는 처리액의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정매수 기판이 처리되어 있는 경우에도 프리디스펜스가 행하여지기 때문에, 노즐이나 공급관내에 다량의 기포가 축적되기 전에 이 기포를 배출할 수 있다. 이에 따라 기판에 공급되는 처리액의 품질을 일정하게 유지할 수 있다. 또, 상기 조건의 소정매수를 인식하기 위해서 상기 기판의 처리매수가 카운트되고 있으며, 해당 기판의 처리매수의 카운트는, 상기 프리디스펜스가 행해질 때마다 리세트되도록 하여도 좋다.
최초의 로트처리가 시작될 때에도, 상기 프리디스펜스를 하도록 하여도 좋 다. 최초의 로트의 처리가 시작되기 전에, 예컨대 해당 처리방법을 실시하는 처리장치의 기동시에 프리디스펜스를 할 수 있다. 이에 따라, 최초의 로트의 처리로부터 기판에 원하는 처리액을 공급하여 적절한 처리를 실시할 수 있다.
본 발명에 의하면, 복수의 프리디스펜스마다 개시조건 등이 정해져 있기 때문에, 목적에 따른 프리디스펜스를 실행할 수 있다. 예를 들면 각 목적을 달성하기 위한 필요충분한 빈도로 프리디스펜스를 할 수 있기 때문에, 프리디스펜스에 의한 기판처리의 중단시간을 단축할 수 있고, 그 결과 스루풋의 향상이 도모된다. 더욱이 또한, 불필요한 프리디스펜스를 생략하여, 프리디스펜스에 의한 처리액의 소비량을 저감할 수가 있다.
본 발명에 의하면, 로트간에 처리액의 종류가 변경된 경우에만 프리디스펜스가 행하여지고, 종래와 같이 로트가 변경될 때마다 행하여지는 것이 아니므로, 프리디스펜스의 횟수를 줄일 수 있다. 따라서, 총 처리액의 소비량을 줄여 비용 삭감이 도모된다. 또한, 프리디스펜스가 행하여지지 않은 경우에는, 처리가 중단되지 않기 때문에, 바로 다음 기판의 처리를 개시할 수 있어, 기판의 처리효율의 향상이 도모된다.

Claims (27)

  1. 기판에 대하여 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서,
    상기 처리가 차례로 이루어지는 동안, 처리액에 대한 목적이 다른 복수의 프리디스펜스(pre-dispense)가 처리의 중간에 이루어지고,
    상기 각 프리디스펜스마다, 적어도 프리디스펜스하고자 하는 처리액의 레시피 또는 프리디스펜스의 개시조건이 정해져 있는 기판의 처리방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 레시피는 처리액의 토출량의 설정치인 기판의 처리방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 각 프리디스펜스마다, 전회의 프리디스펜스시 또는 전회의 리세트시부터의 적산시간이 계측되고 있으며,
    상기 각 프리디스펜스는, 상기 적산시간이 소정의 설정시간에 달한 경우에 이루어지고,
    상기 복수의 프리디스펜스에는, 순위가 정해져서,
    순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 낮은 프리디스펜스의 적산시간은 리세트되고,
    상기 순위가 낮은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 높은 프리디스펜스의 적산시간은 리세트되지 않는 기판의 처리방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 프리디스펜스마다, 전회의 프리디스펜스시 또는 전회의 리세트시로부터의 기판의 적산처리매수가 계측되고 있으며,
    상기 각 프리디스펜스는, 상기 적산처리매수가 소정의 설정처리매수에 달한 경우에 이루어지고,
    상기 복수의 프리디스펜스에는, 순위가 정해져서,
    순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 낮은 프리디스펜스의 상기 적산처리매수는 리세트되고,
    상기 순위가 낮은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 높은 프리디스펜스의 적산처리매수는 리세트되지 않는 기판의 처리방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 프리디스펜스마다, 전회의 프리디스펜스시 또는 전회의 리세트시로부터의 적산시간과 기판의 적산처리매수가 계측되고 있으며,
    상기 각 프리디스펜스는, 상기 적산시간이 소정의 설정시간에 달한 경우, 혹은 상기 적산처리매수가 각각의 설정처리매수에 달한 경우에 이루어지고,
    상기 복수의 프리디스펜스에는, 순위가 정해져서,
    순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 낮은 프리디 스펜스의 적산시간 및 적산처리매수는 리세트되고,
    상기 순위가 낮은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 높은 프리디스펜스의 적산시간 및 적산처리매수는 리세트되지 않는 기판의 처리방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 프리디스펜스의 일부에만, 상기 순위가 정해지고,
    순위가 정해지지 않은 프리디스펜스는, 다른 모든 프리디스펜스가 행하여진 경우에는 상기 리세트가 행하여지지 않고,
    해당 순위가 정해지지 않은 프리디스펜스는, 독자적인 개시조건에 따라서만 행하여지는 기판의 처리방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수의 프리디스펜스의 일부에만, 상기 순위가 정해지고,
    순위가 정해지지 않은 프리디스펜스는, 다른 모든 프리디스펜스가 행하여진 경우에는 상기 리세트가 행하여지지 않고,
    해당 순위가 정해지지 않은 프리디스펜스는, 독자적인 개시조건에 따라서만 행하여지는 기판의 처리방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 프리디스펜스의 일부에만, 상기 순위가 정해지고,
    순위가 정해지지 않은 프리디스펜스는, 다른 모든 프리디스펜스가 행하여진 경우에는 상기 리세트가 행하여지지 않고,
    해당 순위가 정해지지 않은 프리디스펜스는, 독자적인 개시조건에 따라서만 행하여지는 기판의 처리방법.
  9. 제 3 항에 있어서, 같은 순위로, 복수의 프리디스펜스가 정해지고,
    해당 같은 순위로 정해진 프리디스펜스는, 같은 순위의 다른 프리디스펜스가 행하여진 경우에는 상기 리세트가 행하여지지 않는 기판의 처리방법.
  10. 제 4 항에 있어서, 같은 순위로, 복수의 프리디스펜스가 정해지고,
    해당 같은 순위로 정해진 프리디스펜스는, 같은 순위의 다른 프리디스펜스가 행하여진 경우에는 상기 리세트가 행하여지지 않는 기판의 처리방법.
  11. 제 5 항에 있어서, 같은 순위로, 복수의 프리디스펜스가 정해지고,
    해당 같은 순위에 정해진 프리디스펜스는, 같은 순위의 다른 프리디스펜스가 행하여진 경우에는 상기 리세트가 행하여지지 않는 기판의 처리방법.
  12. 기판에 대하여 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서,
    기판의 로트가 중단되었을 때에 처리액의 프리디스펜스를 하는 공정을 가지 며,
    상기 프리디스펜스를 행하는 공정은, 공급하는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 경우에만 행하여지는 기판의 처리방법.
  13. 기판에 대하여 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서,
    기판의 로트가 중단되었을 때에 처리액의 프리디스펜스를 행하는 공정을 가지며,
    상기 프리디스펜스를 행하는 공정은, 공급하는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 또는 앞선 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간이 경과한 것중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에만 행하여지는 기판의 처리방법.
  14. 기판에 대하여 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서,
    기판의 로트가 중단되었을 때에 처리액의 프리디스펜스를 행하는 공정을 가지며,
    상기 프리디스펜스를 행하는 공정은, 공급되는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 또는 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정수의 로트의 처리가 종료한 것중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에만 행하여지는 기판의 처리방법.
  15. 기판에 대하여 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서,
    기판의 로트가 중단되었을 때에 처리액의 프리디스펜스를 행하는 공정을 가지며,
    상기 프리디스펜스를 행하는 공정은, 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 앞선 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간이 경과한 것, 또는 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정수의 로트의 처리가 종료한 것중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에만 행하여지는 기판의 처리방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 조건의 소정수를 인식하기 위해서 처리한 로트의 수가 카운트되고,
    해당 처리한 로트의 수의 카운트는, 상기 프리디스펜스가 행하여질 때마다 리세트되는 기판의 처리방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 조건의 소정수를 인식하기 위해서 처리한 로트의 수가 카운트되고,
    해당 처리한 로트의 수의 카운트는, 상기 프리디스펜스가 행하여질 때마다 리세트되는 기판의 처리방법.
  18. 기판에 대하여 처리액을 공급함에 따른 처리가, 복수의 기판에 대하여 차례로 이루어지는 기판의 처리방법으로서,
    기판의 로트가 중단되었을 때에 처리액의 프리디스펜스를 행하는 공정을 가지며,
    상기 프리디스펜스를 행하는 공정은, 공급하는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 앞선 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간이 경과한 것, 혹은 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정매수의 기판이 처리된 것 중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에만 행하여지는 기판의 처리방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 조건의 소정매수를 인식하기 위해서 상기 기판의 처리매수가 카운트되고,
    해당 기판의 처리매수의 카운트는, 상기 프리디스펜스가 이루어질 때마다 리세트되는 기판의 처리방법.
  20. 제 12 항에 있어서,
    기판의 최초의 로트의 처리를 시작할 때에도, 상기 프리디스펜스가 행하여지는 기판의 처리방법.
  21. 기판에 대하여 처리액을 공급함으로써 처리를 행하는 처리장치로서,
    처리액을 공급하고, 또 처리액의 프리디스펜스를 하는 처리액 공급기구와,
    상기 프리디스펜스를 제어하는 주제어장치를 가지며,
    상기 주제어장치는, 목적이 다른 복수의 프리디스펜스의 토출량과 개시조건이 설정되어 있는 기판의 처리장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 주제어장치는 계측부를 가지며,
    상기 각 프리디스펜스마다, 전회의 프리디스펜스시 또는 전회의 리세트시부터의 적산시간이 상기 계측부에 의해서 계측되고 있으며,
    상기 주제어장치는:
    각 프리디스펜스가 상기 적산시간이 소정의 설정시간에 달한 경우에 행하여지도록 하고,
    상기 복수의 프리디스펜스에는, 순위가 정해지고,
    순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 낮은 프리디스펜스의 적산시간이 리세트되고,
    상기 순위가 낮은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 높은 프리디스펜스의 적산시간은 리세트되지 않도록 제어를 행하는 기판의 처리장치.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 주제어장치는 계측부를 가지며,
    상기 각 프리디스펜스마다, 전회의 프리디스펜스시 또는 전회의 리세트시부터의 적산처리매수가 상기 계측부에 의해서 계측되고 있으며,
    상기 주제어장치는:
    각 프리디스펜스가 상기 적산처리매수가 소정의 설정매수에 달한 경우에 행하여지고,
    상기 복수의 프리디스펜스에는, 순위가 정해지고,
    순위가 높은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 낮은 프리디스펜스의 적산처리매수가 리세트되고,
    상기 순위가 낮은 프리디스펜스가 행하여진 경우에는, 그보다 순위가 높은 프리디스펜스의 적산처리매수는 리세트되지 않도록 제어하는 기판의 처리장치.
  24. 기판에 대하여 처리액을 공급함으로써 처리를 행하는 처리장치로서,
    처리액의 프리디스펜스를 제어하는 주제어부를 가지며,
    상기 주제어부는, 공급하는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 경우에만, 프리디스펜스의 지시를 보내는 기판의 처리장치.
  25. 기판에 대하여 처리액을 공급함으로써 처리를 하는 처리장치로서,
    처리액의 프리디스펜스를 제어하는 주제어부를 가지며,
    상기 주제어부는, 공급하는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 또는 앞선 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간이 경과한 것중의 어느 하나의 조건 을 만족하는 경우에만, 프리디스펜스의 지시를 보내는 기판의 처리장치.
  26. 기판에 대하여 처리액을 공급함으로써 처리를 하는 처리장치로서,
    처리액의 프리디스펜스를 제어하는 주제어부를 가지며,
    상기 주제어부는, 공급하는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 또는 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정수의 로트의 처리가 종료한 것중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에만, 프리디스펜스의 지시를 보내는 기판의 처리장치.
  27. 기판에 대하여 처리액을 공급함으로써 처리를 하는 처리장치로서,
    처리액의 프리디스펜스를 제어하는 주제어부를 가지며,
    상기 주제어부는, 공급하는 처리액의 종류가 로트사이에서 변경되는 것, 앞선 로트의 처리가 종료하고 나서 소정시간이 경과한 것, 또는 앞선 프리디스펜스가 행하여지고 나서 소정수의 로트의 처리가 종료한 것중의 어느 하나의 조건을 만족하는 경우에만, 프리디스펜스의 지시를 보내는 기판의 처리장치.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2487493A1 (en) * 2003-11-11 2005-05-11 Tyco Healthcare Group Lp Spray head applicator, dispensing systems, and methods of use
JP2007103741A (ja) 2005-10-05 2007-04-19 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラム
WO2007107983A2 (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Shlomo Shmuelov Storage and purge system for semiconductor wafers
JP4582654B2 (ja) * 2006-05-23 2010-11-17 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US8688254B2 (en) * 2007-06-15 2014-04-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multiple tools using a single data processing unit
JP2009027143A (ja) * 2007-06-20 2009-02-05 Panasonic Corp 基板製造装置のモニタリングシステムおよびモニタリング方法
KR100941075B1 (ko) * 2007-12-27 2010-02-09 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
EP3388535B1 (en) 2011-12-09 2021-03-24 Adaptive Biotechnologies Corporation Diagnosis of lymphoid malignancies and minimal residual disease detection
JP5783971B2 (ja) * 2012-08-10 2015-09-24 株式会社東芝 塗布装置および塗布方法
JP6224359B2 (ja) * 2013-06-20 2017-11-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム
WO2015107955A1 (ja) * 2014-01-20 2015-07-23 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102284908B1 (ko) * 2014-09-01 2021-08-02 세메스 주식회사 프리 디스펜스 유닛 및 기판 처리 장치
JP6429573B2 (ja) * 2014-10-03 2018-11-28 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP6725374B2 (ja) * 2016-09-13 2020-07-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102000017B1 (ko) 2017-07-21 2019-07-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6942660B2 (ja) 2018-03-09 2021-09-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
CN110000041B (zh) * 2019-04-09 2022-04-08 重庆市长寿区瑞福龙汽车零部件有限公司 一种汽车零件用涂装装置
JP7446920B2 (ja) * 2020-05-29 2024-03-11 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
JP2023005095A (ja) * 2021-06-28 2023-01-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1032157A (ja) 1996-07-15 1998-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR19980024624A (ko) * 1996-09-13 1998-07-06 히가시 데쓰로 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
JP3171196B2 (ja) * 1990-04-13 2001-05-28 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布装置
KR20020046908A (ko) * 2000-12-14 2002-06-21 고미야 히로요시 레지스트 도포 장치 및 레지스트 도포 공정의 관리 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5002008A (en) * 1988-05-27 1991-03-26 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method for applying a liquid to a semiconductor wafer, including selecting a nozzle in a stand-by state
US5442561A (en) * 1992-05-12 1995-08-15 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Production management system and its application method
JP3504087B2 (ja) 1996-10-07 2004-03-08 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
JP2780090B2 (ja) 1997-01-16 1998-07-23 東京エレクトロン株式会社 レジスト吐出方法
JP3490316B2 (ja) 1998-12-25 2004-01-26 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布処理装置およびレジスト塗布処理方法
US6541063B1 (en) * 1999-11-04 2003-04-01 Speedline Technologies, Inc. Calibration of a dispensing system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3171196B2 (ja) * 1990-04-13 2001-05-28 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布装置
JPH1032157A (ja) 1996-07-15 1998-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR19980024624A (ko) * 1996-09-13 1998-07-06 히가시 데쓰로 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
KR20020046908A (ko) * 2000-12-14 2002-06-21 고미야 히로요시 레지스트 도포 장치 및 레지스트 도포 공정의 관리 방법

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Publication number Publication date
US7393566B2 (en) 2008-07-01
US20030138551A1 (en) 2003-07-24
US20070009651A1 (en) 2007-01-11
US7094440B2 (en) 2006-08-22
KR20030063227A (ko) 2003-07-28
US20050260333A1 (en) 2005-11-24

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