JP2001274082A - 現像処理方法及び現像処理装置 - Google Patents

現像処理方法及び現像処理装置

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JP2001274082A
JP2001274082A JP2001012402A JP2001012402A JP2001274082A JP 2001274082 A JP2001274082 A JP 2001274082A JP 2001012402 A JP2001012402 A JP 2001012402A JP 2001012402 A JP2001012402 A JP 2001012402A JP 2001274082 A JP2001274082 A JP 2001274082A
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developing solution
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JP2001012402A
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English (en)
Inventor
Yuji Matsuyama
雄二 松山
Shuichi Nagamine
秀一 長峰
Masatoshi Deguchi
雅敏 出口
Hideyuki Takamori
秀之 高森
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 既に現像液が供給されている基板上に塗布液
供給ノズルから現像液が過って垂れ落ちないようにす
る。 【解決手段】 チャンバー60内にX方向に移動自在に
設けられた現像液供給ノズル70が,待機位置Tである
洗浄槽85から,X方向正方向に移動を開始する。そし
て,現像液を供給せずにウェハW上を横切り,ウェハW
の端部Pよりも少し進んだ位置P’で停止する。次に,
逆方向すなわちX方向負方向に,現像液をウェハWに供
給しながら移動する。その後,ウェハWの洗浄槽85側
の端部Qより少し進んだ位置Q’で現像液の供給を停止
し,現像液供給ノズル70は,洗浄槽85に戻される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,基板の現像処理方
法と現像処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレ
ジスト液を塗布し,レジスト膜を形成するレジスト塗布
処理,ウェハにパターンを露光する露光処理,露光後の
ウェハを現像する現像処理等が行われ,ウェハに所定の
回路パターンを形成する。
【0003】上述したウェハを現像する現像処理では,
現像液の供給口が複数設けられた細長の現像液供給ノズ
ルがウェハ上をスキャンしながら現像液を供給する方式
が多く用いられている。この方式は,先ず,ウェハが載
置台に載置された後,ウェハの一端外方にあるホーム位
置で待機していた現像液供給ノズルがウェハ上をスキャ
ンしながら現像液を供給し,現像液供給ノズルがウェハ
の他端まで移動したところで現像液の供給を停止し,現
像液がウェハ全面に供給されるようになっている。その
後,現像液供給ノズルがウェハの前記他端から再びウェ
ハ上を通ってホーム位置に戻ることにより行われてい
た。このように常に現像液供給ノズルがホーム位置に戻
るのは,現像液供給ノズルを洗浄する洗浄機構が,ウェ
ハの一端外方のホーム位置に設けられているからであ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,上述し
た現像方式では,ウェハに現像液を供給した後に再び現
像液供給ノズルがウェハ上を通過するため,現像液供給
ノズルから現像液がウェハ上に垂れ落ちるおそれがあ
る。万が一現像液がウェハ上に落ちた場合には,その落
ちた場所だけ現像液の濃度が異なることになる上,垂れ
る際に現像液供給ノズルに付着した塵等を巻き込むこと
が懸念され,ウェハの現像欠陥,線幅不良,形状不良等
を引き起こすおそれがある。
【0005】本発明は,かかる点に鑑みてなされたもの
であり,上述したようにスキャンしながら現像液をウェ
ハ上に供給する現像方法において,既に現像液が供給さ
れているウェハ上に,過って現像液が垂れ落ちることを
防止する現像処理方法とそれらの機能を備えた現像処理
装置を提供することをその目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明によれ
ば,所定の位置に載置された基板の対向する両端部間に
現像液供給手段を一回移動させることによって,基板表
面全面に現像液を供給して,基板を現像処理する方法で
あって,前記現像液供給手段が,基板の一端外方にある
現像液供給手段の待機位置から少なくとも前記基板の他
端まで現像液を供給しないで移動する工程と,その後,
前記現像液供給手段が少なくとも前記他端から少なくと
も前記一端まで現像液を供給しながら移動する工程とを
有することを特徴とする基板の現像処理方法が提供され
る。
【0007】この請求項1によれば,現像液供給手段が
基板の前記待機位置から前記基板の他端に移動する際に
は現像液を供給せず,前記基板の他端から前記待機位置
に移動する際に現像液を供給することにより,一度使用
されて現像液が垂れ落ちる可能性のある現像液供給手段
が基板上方を通過することがない。したがって,現像液
供給前後に過って現像液供給手段から基板に垂れ落ちた
現像液によって,落ちた部分だけ現像の濃度が異なり,
あるいは,落ちた現像液が塵等を巻き込んで基板に付着
することが防止されるため現像欠陥等を引き起こすおそ
れはない。
【0008】かかる請求項1の発明において,請求項2
のように,現像液供給手段が現像液を供給せずに前記待
機位置から少なくとも前記他端まで移動する前記工程
と,現像液供給手段が現像液を供給しながら少なくとも
前記他端から少なくとも前記一端まで移動する前記工程
との間に前記所定の位置に基板を載置する工程を有する
ようにしてもよい。
【0009】このように,前記工程間に前記所定の位置
に基板を載置する工程を入れることにより,前記現像液
供給手段が前記基板の他端に移動した後に基板が処理装
置内に搬入されることになるため,現像液供給手段が現
像液を供給するとき以外は基板上方を通過することが無
くなる。従って,現像液供給手段から基板に過って現像
液が垂れ落ちる可能性が全くなくなる。
【0010】請求項3の発明によれば,基板の所定の位
置への載置は,搬送手段により行われ,搬送手段の所定
位置への進入は,前記現像液供給手段が現像液を供給せ
ずに前記待機位置から少なくとも前記他端まで移動する
前記工程が終了したことを認識した後に行われ,前記現
像液供給手段が現像液を供給しながら少なくとも前記他
端から少なくとも前記一端まで移動する前記工程は,前
記搬送手段が所定位置からの退避が終了したことを認識
した後に行われることを特徴とする基板の現像処理方法
が提供される。ここで,搬送手段の所定位置への進入と
は,基板を保持した搬送手段が現像処理方法を行う現像
処理装置内に進入することをいう。
【0011】上述したように,前記搬送手段によって基
板を所定の位置に進入させるタイミングと基板を所定位
置から退避させるタイミングとを計り,その前後の工程
と同時進行しないようにすることにより,例えば,前記
現像液供給手段と前記搬送手段が過って接触することが
回避される。
【0012】請求項4の発明によれば,所定の位置に載
置された基板の対向する両端部間に現像液供給手段を一
回移動させることによって,基板表面全面に現像液及び
純水を供給して,基板を現像処理する方法であって,現
像液供給手段が,前記基板の一端外方にある前記現像液
供給手段の待機位置から少なくとも前記基板の他端に純
水を供給しながら移動する工程と,その後,現像液供給
手段が少なくとも前記他端から少なくとも前記一端に現
像液を供給しながら移動する工程とを有することを特徴
とする基板の現像処理方法が提供される。
【0013】この請求項4によれば,現像液供給手段が
基板の前記待機位置から前記基板の他端に移動する際に
は,純水を供給し,前記基板の他端から前記待機位置に
移動する際に現像液を供給することにより,従来のよう
に既に現像液が供給されている基板の上方を現像液が垂
れ落ちる可能性のある前記現像液供給手段が通過するこ
とがない。それ故,基板に現像液を供給した後に現像液
供給手段から現像液が過って垂れることがあったとして
も,基板上方を通過しないため,その垂れた現像液が基
板上に垂れることはない。したがって,現像液供給後に
過って現像液供給手段から基板に垂れた現像液によっ
て,垂れた部分だけ現像液の濃度が異なり,あるいは垂
れた現像液が塵等を巻き込んで基板に付着させることが
防止される。また,現像液が基板に直接供給された場合
には,現像液中に存在する微少な気泡や,現像液が基板
に接触する際に発生する微少な気泡が基板に付着し,部
分的に現像が行われ無くなる等の現像欠陥を引き起こす
ことが懸念されるが,基板に現像液を供給する前に純水
を供給することにより,そのような事態が防止される。
【0014】請求項5の発明によれば,現像液供給手段
が基板上を所定の方向に移動しながら,基板に対して現
像液を供給する基板の現像処理装置であって,前記現像
液供給手段は,現像液を供給する現像液供給口と純水を
供給する純水供給口とを前記所定の方向に沿って個別に
有し,前記純水供給口は,前記所定の方向と逆方向に移
動する際に純水を供給するように構成され,かつ,前記
純水供給時の際の移動方向前方側に位置していることを
特徴とする基板の現像処理装置が提供される。
【0015】このように,純水供給口と現像液供給口を
個別に設けて,この純水供給口は,前記所定の方向と逆
方向に移動しながら純水を供給し,この際に前記現像液
供給口よりも移動方向前方側に位置するように設ける。
したがって,前記請求項4の現像処理方法を好適に実施
することができる。また,現像液供給口は,常に純水が
供給された後の基板上を通過することとなることから,
現像液供給口から現像液が落ちた場合でも,純水膜上に
落ちることとなり,基板上に直接垂れ落ちることが無く
なり,この現像液の落下により引き起こされる現像欠陥
等が防止される。
【0016】請求項6の発明は,現像液供給手段が基板
上を所定の方向に移動しながら,基板に対して現像液を
供給する基板の現像処理装置であって,前記現像液供給
手段は,現像液を供給する現像液供給口と純水を供給す
る純水供給口とを前記所定の方向に沿って個別に有し,
前記純水供給口は,前記所定の方向と逆方向に移動する
際に純水を供給するように構成され,さらに,前記純水
供給時の際の移動方向後方側に位置していることを特徴
としている。
【0017】請求項6によれば,現像液供給手段に前記
現像液供給口と純水供給口を個別に設けてあり,この純
水供給口は前記所定の方向と逆方向に移動しながら純水
を供給することができる。したがって,上述した請求項
4の現像処理方法を適宜に実施することができる。ま
た,純水供給口は前記現像液供給口に対して前記純水供
給時の移動方向後方側に位置するように設けられてい
る。したがって,現像液供給口が前記所定の方向に移動
しながら現像液を供給しているときには,現像液供給口
が純水供給口に対して移動方向後方側に位置することと
なる。すなわち,常に処理液を供給している方の供給口
が移動方向の後方側に位置することになるため,供給中
の処理液でもう一方の供給口を汚染させることが防止さ
れる。
【0018】請求項7の発明は,前記純水供給口の位置
が前記現像液供給口よりも高い位置に設けられているこ
とを特徴としている。
【0019】このように,前記純水供給口の位置を現像
液供給口の位置よりも高くすることにより,現像液供給
口から吐出された現像液が過って純水供給口に付着する
ことが防止される。
【0020】請求項8の発明によれば,基板上を移動
し,前記基板に現像液を供給する現像液供給手段を有す
る基板の現像処理装置であって,前記基板の両端部の各
外方に前記現像液供給手段を洗浄する洗浄槽をそれぞれ
有することを特徴とする基板の現像処理装置が提供され
る。ここで,洗浄槽とは,単に槽の中に洗浄液を貯留し
たものに限らず,現像液供給手段の一部を受容して,こ
れを洗浄する構造のものをも含むものである。
【0021】このように,前記洗浄槽を基板外の両側に
設けることにより,例えば,基板上を往復移動して現像
液を基板に供給する場合は,前記現像液供給手段が前記
基板の両側の各外方に達する毎に当該供給手段を洗浄す
ることができる。したがって,例えば,基板上の一端か
ら他端へと移動して現像液を供給した後,洗浄のために
他端から一端へと戻る必要がない。すなわち現像液を供
給した後,そのまま基板上を移動して洗浄のために戻る
必要がない。したがって,現像液の垂れ落ちる可能性の
ある現像液供給手段が基板上を通過しないため,現像液
の落下により引き起こされる現像欠陥等が防止される。
【0022】また基板上のレジスト膜の現像処理が終わ
った際には,従来から基板上の現像液を除去して純水に
よって洗浄することが行われているが,いきなり中性の
純水を基板上に供給すると,いわゆる「pHショック」
と呼ばれるpH値の急激な変化により,不純物が発生す
るおそれがある。
【0023】これを解決するため,請求項9によれば,
所定の位置に載置された基板の表面全面に現像液を供給
して,基板を現像処理する方法であって,前記現像液の
供給後,所定時間の現像処理が終了した後,前記現像液
よりも濃度の低い二次現像液を前記基板に供給すると共
に,当該濃度の低い現像液の濃度をさらに徐々に低下さ
せて,最後に純水を供給することを特徴とする,現像処
理方法が提供される。
【0024】かかる方法によれば,従来のようにいきな
り純水を供給することはないので,「pHショック」が
発生するおそれはない。このようなプロセスは,現像
後,基板を回転させて基板上の所定の現像液を振り切っ
た後に行ってもよく,あるいは振り切りと同時に濃度の
低い現像液を供給し始めるようにしてもよい。
【0025】このような方法を実施するための装置とし
て,たとえば請求項10のような,現像液供給手段が基
板上を所定の方向に移動しながら,当該基板に対して現
像液を供給する基板の現像処理装置であって,前記現像
液供給手段は,現像液を供給する現像液供給口と,純水
を供給する純水供給口とを前記所定の方向に沿って個別
に有し,前記現像液供給口からの現像液の供給量と,前
記純水供給口からの純水の供給量とは可変であることを
特徴とする,現像処理装置が提案できる。
【0026】この現像処理装置における現像液供給手段
では,現像液を供給する現像液供給口と,純水を供給す
る純水供給口とを前記所定の方向に沿って個別に有し,
さらに前記現像液供給口からの現像液の供給量と,前記
純水供給口からの純水の供給量とは可変であるので,た
とえば所定の現像が終わった後,現像液供給口から現像
液を供給し,同時に純水供給口から純水を供給すること
で,濃度の低い現像液を基板上に供給することができ,
しかも各々の供給量が可変であるので,徐々に純水の供
給量を増やしたり,あるいは現像液の供給量を減らした
り,又あるいはその双方を実施し,最後に純水のみを供
給することで,濃度の低い現像液の濃度をさらに徐々に
低下させて最後に純水のみを供給するプロセスが実現で
きる。
【0027】さらに別の装置として,請求項11のよう
に,前記現像液供給手段は,現像液を供給する現像液供
給口と,純水を供給する純水供給口とを前記所定の方向
に沿って個別に有し,前記現像液供給口は,複数の異な
った濃度の現像液を供給することが可能に構成されてい
ることを特徴とする,現像処理装置が提案できる。
【0028】この現像処理装置によれば,前記現像液供
給口からは,複数の異なった濃度の現像液を供給するこ
とが可能に構成されているので,たとえば順次濃度の低
い現像液を供給していくことができ,また最後に現像液
供給口からの現像液の供給を停止し,純水供給口から純
水のみを供給することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】以下,本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図1は,本実施の形態にかかる現
像処理方法を実施する現像処理装置を有する塗布現像処
理システム1の平面図であり,図2は,塗布現像処理シ
ステム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システ
ム1の背面図である。
【0030】塗布現像処理システム1は,図1に示すよ
うに,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセ
ットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットス
テーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション3と,この処理ステーション3に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハWの受け
渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構
成を有している。
【0031】カセットステーション2では,載置部とな
るカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセット
CをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在とな
っている。そして,このカセット配列方向(X方向)と
カセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z
方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が
搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセッ
トCに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【0032】ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処
理装置群Gに属するエクステンション装置32に対し
てもアクセスできるように構成されている。
【0033】処理ステーション3では,その中心部に主
搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13に
は,ウェハWを保持して搬送する搬送アーム13aが取
り付けられている。この主搬送装置13の周辺には各種
処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成してい
る。該塗布現像処理システム1においては,4つの処理
装置群G,G,G,Gが配置されており,第1
及び第2の処理装置群G ,Gは現像処理システム1
の正面側に配置され,第3の処理装置群Gは,カセッ
トステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置
群Gは,インターフェイス部4に隣接して配置されて
いる。さらにオプションとして破線で示した第5の処理
装置群Gを背面側に別途配置可能となっている。前記
主搬送装置13は,これらの処理装置群G〜Gに配
置されている後述する各種処理装置に対して,ウェハW
を搬入出可能である。
【0034】第1の処理装置群Gでは,例えば図2に
示すように,ウェハWにレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置17と,ウェハWの現像処理を行う現像処理装
置18が下から順に2段に配置されている。第2の処理
装置群Gの場合も同様に,レジスト塗布装置19と,
本実施の形態にかかる現像処理方法を実施する現像処理
装置20とが下から順に2段に積み重ねられている
【0035】第3の処理装置群Gでは,例えば図3に
示すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置3
0,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置31,ウェハWを待機させるエクステ
ンション装置32,レジスト液中の溶剤を乾燥させるプ
リベーキング装置33,34及び現像処理後の加熱処理
を施すポストベーキング装置35,36等が下から順に
例えば7段に重ねられている。
【0036】第4の処理装置群Gでは,例えばクーリ
ング装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエク
ステンション・クーリング装置41,エクステンション
装置42,クーリング装置43,露光処理後の加熱処理
を行うポストエクスポージャーベーキング装置44,4
5,ポストベーキング装置46,47等が下から順に例
えば8段に積み重ねられている。
【0037】インターフェイス部4の中央部にはウェハ
搬送体50が設けられている。このウェハ搬送体50は
X方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移
動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在
にできるように構成されており,第4の処理装置群G
に属するエクステンション・クーリング装置41,エク
ステンション装置42,周辺露光装置51及び図示しな
い露光装置に対してアクセスして,各々に対してウェハ
Wを搬送できるように構成されている。
【0038】上述した現像処理装置20の構造につい
て,詳しく説明する。図4に示すように,現像処理装置
20のチャンバー60内中央には,ウェハWを吸着し,
載置するスピンチャック61が設けられている。このス
ピンチャック61は,その下方に設けられた例えばモー
タのような回転機構65により回転自在に構成されてい
る。また,このスピンチャック61の周りを取り囲むよ
うにして,カップ62が設けられている。このカップ6
2は,略筒状であり,スピンチャック61を側面と底面
とで包囲するように形成されており,その上面は開口し
ている。カップ62の底面63には,現像液や洗浄液を
排液するための排液管64が取り付けられている。した
がって,上述したスピンチャック61の回転によりウェ
ハWから飛散された処理液がカップ62により受け止め
られ,その下方の排液管64から排出されるように構成
されている。
【0039】また,スピンチャック61に保持されるウ
ェハWの裏面に対して,洗浄液を供給する裏面洗浄ノズ
ル66が設けられている。なお,カップ62の底面63
は,わずかに傾斜しており,前記裏面洗浄ノズル66か
ら供給された洗浄液が傾斜した底面63を伝って前記排
液管64に流れ込むように構成されている。
【0040】スピンチャック61に保持されるウェハW
上方には,ウェハWに現像液を供給するため現像液供給
手段としての現像液供給ノズル70と,ウェハW上面に
洗浄液を供給するための洗浄ノズル71が設けられてい
る。
【0041】現像液供給ノズル70は,図5,図6に示
すように細長の形状をしており,その長さは,例えばウ
ェハWの直径よりも大きくなっている。また,現像液供
給ノズル70の下部には,複数の現像液供給口73が,
長手方向に一列に設けられている。また,現像液供給ノ
ズル70上部には,現像液を供給する現像液供給路74
が設けられている。この現像液供給路74から供給され
た現像液は,図7に示すように現像液供給ノズル70内
に設けられている現像液溜め部70aに一旦溜められ
る。この現像液溜め部70aは,長手方向に長い空間を
形成しており,全ての現像液供給口73に連通されてい
る。そして前記現像液溜め部70aに所定の圧力がかか
ると現像液が全ての現像液供給口73からウェハW上に
供給されるように構成されている。したがって,複数の
現像液供給口73から一度に所定量の現像液を吐出する
ことにより,ウェハWの直径よりも長い直線状に現像液
が吐出し,さらに後述するようにこの現像液供給ノズル
70を移動させながら吐出することにより,一度のスキ
ャンでウェハW全面に現像液を供給できる。
【0042】また,図6に示すように,溜め部70a内
には,溜め部70a内の現像液の温度を調節する温度調
節チューブSが前記長手方向に沿って設けられている。
この温度調節チューブSは,温度調節された媒体,例え
ば,23℃に設定された水が温度調節チューブS内を流
れるように管状に形成されている。また,温度調節チュ
ーブSは,温度調節チューブSの内部と外部との間で熱
交換可能である。温度調節チューブSは,現像液供給ノ
ズル73の一端付近上方から溜め部70a内に入り,前
記長手方向に形成された溜め部70a内を通って,現像
液供給ノズル73の他端付近上方から現像液供給ノズル
73外に出るように形成されている。それ故,温度調節
された水が温度調節チューブS内を通ることにより,溜
め部70a内の現像液の温度が調節される。従って,ウ
ェハWが所定温度の現像液により現像されるため,ウェ
ハW上に最終的に形成される回路パターンの線幅の均一
性が向上する。
【0043】現像液供給ノズル70は,図8に示すよう
に,アーム75により吊り下げられるようにして支持さ
れている。このアーム75は,モータ等の図示しない駆
動機構により,X方向(図8の左右方向,左方向を正方
向とする)に伸びるレール76に沿って移動自在に構成
されている。したがって,現像液供給ノズル70がウェ
ハW上を平行に移動可能となり,平行移動しながら,上
述したようにウェハW上に現像液を供給することができ
る。なお,現像液供給ノズル70とウェハWの距離を調
節するためにアーム75は,鉛直方向にも移動自在に構
成されている。
【0044】上述した洗浄ノズル71は,アーム80に
支持されており,このアーム80は,レール76上を図
示しない駆動機構により移動自在に構成されている。従
って,洗浄ノズル71は現像液供給ノズル70と同様に
X方向に移動自在である。また,洗浄ノズル71が,ウ
ェハWの中心上方に位置できるようにアーム80の長さ
が調節されている。こうすることにより,ウェハWをス
ピンチャック61により回転させて洗浄する際に,洗浄
ノズル71から供給された洗浄液が斑なくウェハW上に
供給される。
【0045】図4,図8に示すようにカップ62外の現
像液供給ノズル70の待機位置Tには,現像液供給ノズ
ル70を洗浄する洗浄槽85が設けられている。この洗
浄槽85は,細長の現像液供給ノズル70を受容するよ
うに断面が凹状に形成されており,この洗浄槽85内に
は,現像液供給ノズル70に付着した現像液を洗浄する
ための所定の溶剤が貯留されている。
【0046】なお,チャンバー60には,図8に示すよ
うにウェハWを搬送装置13によって搬入出するための
搬送口90とこの搬送口90を開閉自在とするシャッタ
91が設けられているが,図1の塗布現像処理システム
1の平面図からも分かるように搬送装置13の搬送アー
ム13aが,チャンバー60に対して斜め方向から進入
することから,搬送口90は,チャンバー60の中心か
ら他の現像処理装置18側すなわちX方向正方向側にず
れている。
【0047】次に,以上のように構成されている現像処
理装置20の作用について,塗布現像処理システム1で
行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説
明する。
【0048】先ず,ウェハ搬送体7がカセットCから未
処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置群G
に属するアドヒージョン装置31に搬入する。このアド
ヒージョン装置31において,レジスト液との密着性を
向上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハW
は,主搬送装置13によって,クーリング装置30搬送
され,所定の温度に冷却される。その後,ウェハWは,
レジスト塗布装置17又19,プリベーキング装置34
又は35に順次搬送され,所定の処理が施される。その
後,ウェハWは,エクステンション・クーリング装置4
1に搬送される。
【0049】次いで,ウェハWはエクステンション・ク
ーリング装置41からウェハ搬送体50によって取り出
され,その後,周辺露光装置51を経て露光装置(図示
せず)に搬送される。露光処理の終了したウェハWは,
ウェハ搬送体50によりエクステンション装置42に搬
送された後,主搬送装置13に保持される。次いで,こ
のウェハWはポストエクスポージャベーキング装置44
又は45,クーリング装置43に順次搬送され,これら
の処置装置にて所定の処理が施された後,現像処理装置
18又は20に搬送される。
【0050】そして,現像処理の終了したウェハWは,
主搬送装置13によりポストベーキング装置35,クー
リング装置30と順次搬送される。その後,ウェハW
は,エクステンション装置32を介して,ウェハ搬送体
7によってカセットCに戻され,一連の所定の塗布現像
処理が終了する。
【0051】上述した現像処理装置20の作用について
図8を用いて詳しく説明すると,先ず,クーリング装置
43において,所定温度に冷却されたウェハWが主搬送
装置13の搬送アーム13aにより,搬送口90からチ
ャンバー60内に搬入され,スピンチャック61上に載
置される。次に,現像液供給ノズル70の待機位置Tに
ある洗浄槽85内で待機していた現像液供給ノズル70
が,洗浄槽85から上昇する。
【0052】その後,アーム75に保持された現像液供
給ノズル70が図示しない駆動機構によりX方向正方向
に移動し,ウェハW上を通過して,カップ62内である
がウェハWのX方向正方向側の端部Pより,少し進んだ
位置P’で停止する。このとき,現像液供給ノズル70
は現像液を供給せずただ移動するのみであり,また,現
像液供給ノズル70は,洗浄槽85から出たばかりでウ
ェハW上に現像液を垂らすことはない。
【0053】次に,現像液供給ノズル70の現像液供給
口73とウェハWとの間の距離を調節すべく,現像液供
給ノズル70が所定距離下降する。そして,現像液供給
路74から現像液供給ノズル70内に現像液が供給さ
れ,複数の現像液供給口73からの現像液の吐出が開始
される。それと同時に現像液供給ノズル70は,位置
P’からX方向負方向への移動を開始し,ウェハW上を
移動しながら現像液が供給される。上述したように現像
液供給ノズル70の長手方向の長さは,ウェハWの直径
よりも長く,現像液が当該ノズル70下部に設けられた
多数の現像液供給口73から一度に吐出されるため,現
像液供給ノズル70がウェハWのX方向負方向の他端部
Qに達したときには,ウェハW表面全面に現像液が供給
されている。
【0054】そして,現像液供給ノズル70は,他端Q
より少し進んだ位置Q’で停止し,再び上昇する。その
後,さらにX方向負方向に移動し,洗浄槽85上方まで
来たところで一旦停止する。そして,溶剤の貯留されて
いる洗浄槽85内に入れられ,洗浄された後,次のウェ
ハWが搬入されるまで待機する。
【0055】ここでウェハWは,現像液が供給されてか
ら所定時間そのまま静止状態に置かれ現像処理される。
現像終了後,洗浄ノズル71が,図示しない駆動機構に
よりレール76に沿って移動し,ウェハWの中心上方で
停止する。そして,回転機構65によりスピンチャック
61上のウェハWが高速で回転され,洗浄ノズル71と
裏面洗浄ノズル66からウェハWの表面と裏面にそれぞ
れ洗浄液としての純水を供給し,ウェハW表面の現像液
を洗い流す。その後,純水の供給を停止し,ウェハWを
さらに高速で回転させ乾燥させる。
【0056】一連の現像処理の終了したウェハWは,搬
送装置13の搬送アーム13aにより,搬送口90から
搬出され,次工程が行われるポストベーキング装置35
に搬送される。
【0057】以上の実施の形態によれば,一連の現像液
供給ノズル70のウェハW上の往復移動の際,現像液供
給ノズル70が待機位置Tである洗浄槽85からウェハ
Wの端部外方の位置P’まで移動するとき(往移動)に
は現像液を供給せず,その後位置P’からウェハWの他
端部外方の位置Q’に移動するとき(復移動)にのみ現
像液を供給している。この点,従来は,往移動時にのみ
現像液を供給していたため,復移動時に,現像液供給ノ
ズル70からウェハW上に現像液が垂れ落ちるおそれが
あったが,その可能性が無くなる。従って,現像液が垂
れ落ちることにより引き起こされる弊害例えば,現像欠
陥,線幅不良等が防止される。
【0058】上述した実施の形態では,ウェハWをチャ
ンバー60内に搬入しスピンチャック61に載置した後
に,現像液供給ノズル70が往復移動して現像液を供給
していたが,現像液供給ノズル70の前記往移動終了
後,前記復移動開始前にウェハWを搬入してもよい。
【0059】かかる場合,搬送装置13の搬送アーム1
3aと現像液供給ノズル70の干渉をさけるため,現像
液供給ノズル70の往移動が終了したことを認識する手
段,例えば適宜のセンサと搬送装置13の搬送アーム1
3aがチャンバー60内から退避したことを認識する手
段を別途設けるとよい。例えば,図9に示すように現像
液供給ノズル70を保持しているアーム75の上面に所
定の位置Eまで移動したことを検出する第1のセンサ1
00を設ける。この所定位置Eは,現像液供給ノズル7
0とチャンバー60内に進入する搬送アーム13aが互
いに接触し合わない位置である。また,搬送口90に搬
送アーム13aがチャンバー60内から退避したことを
検出する第2のセンサ101を設ける。そして,これら
のセンサ100,101とシャッタ91の開閉等を制御
する図示しない制御装置に接続する。この結果,現像液
供給ノズル70が,所定位置Eに移動したときにシャッ
タ91が開放され,搬送アーム13aをチャンバー60
内に進入させることができる。一方,搬送アーム13a
がチャンバー内から退避したときにシャッタ91が閉じ
られ,現像液供給ノズル70の復移動を開始させること
ができる。
【0060】したがって,現像処理のプロセスは,先
ず,上述した実施の形態と同様にして,現像液供給ノズ
ル70を洗浄槽85からX方向正方向に移動させる。
【0061】次に,この現像液供給ノズル70が位置E
に移動したことを検出した第1のセンサ100が図示し
ない制御装置を介してシャッタ91にその信号を送り,
その信号によりシャッタ91が開放される。そして,主
搬送装置13の搬送アーム13aによりウェハWがチャ
ンバー60内に搬入され,スピンチャック61上に載置
される。その後,ウェハWを載置し終わった搬送アーム
13aはチャンバー60内から退避し,この搬送アーム
aが搬送口90から完全に退避したことを検出した第2
のセンサ101は図示しない制御装置にその信号を送
る。そして,この制御装置によりシャッタ91が閉じら
れると共に,現像液供給ノズル70の駆動機構を稼働さ
せて,現像液供給ノズル70が位置EからX方向負方向
への復移動を開始する。その後上述した実施の形態と同
様にして,ウェハW上に現像液を供給し,洗浄槽85ま
で移動する。
【0062】このように,ウェハWの搬入タイミングを
いわゆる往移動時終了後にすることにより,現像液供給
ノズル70が,現像液を供給するとき以外ウェハW上を
通過することが全くなくなる。従って,現像液供給ノズ
ル70から現像液がウェハW上に垂れ落ちる可能性が無
くなる。また,第1のセンサ100や第2のセンサ10
1の検出により,搬送アーム13aのチャンバー60へ
の進入タイミングと現像液供給ノズル70の復移動開始
タイミングを制御し,現像液供給ノズル70と搬送アー
ム13aとの干渉を防止することができる。なお,上述
したタイミングは第1のセンサ100及び第2のセンサ
101を用いて制御されたが,電気信号,例えば図示し
ない制御装置により現像液供給ノズル70が位置Eで停
止され,この現像液供給ノズル70をOFF状態にする
電気信号に基づいて,シャッタ91をONにして前記タ
イミングを制御してもよい。また,時間的なディレイ,
例えば現像液供給ノズル70の移動開始から所定時間経
過後にシャッタ91が開くように予め設定しておいても
よい。
【0063】次に第2の実施の形態として,ウェハWに
現像液を供給する前に純水を供給し,ウェハW上に純水
膜を形成した後現像液を供給する例について説明する。
この第2の実施の形態では,図10に示すように現像処
理装置20の全体構造,現像液供給ノズルの移動機構等
は,第1の実施の形態と同様であるが,現像液供給ノズ
ル110は,純水も供給されるため,その構造が異な
る。この現像液供給ノズル110は,図11,図12に
示すように,細長の形状をしており,その長手方向の長
さは,少なくともウェハWの直径よりも大きい。
【0064】また現像液供給ノズル110の下面には,
複数の現像液供給口111と複数の純水供給口112
が,長手方向にそれぞれ一列に設けられている。また,
現像液供給ノズル110上部には,現像液を供給する現
像液供給路113と純水を供給する純水供給路114が
それぞれ設けられている。現像液供給ノズル110の内
部には,図13,図14に示すように現像液供給路11
3からの現像液を一旦貯留する現像液溜め部110aと
純水供給路114からの純水を一旦貯留しておく純水溜
め部110bが各々独立して設けられている。この現像
液溜め部110aと純水溜め部110bは,現像液供給
ノズル110の長手方向に長い空間を形成しており,こ
の現像液溜め部110aは全ての現像液供給口111と
連通しており,純水溜め部110bは全ての純水供給口
112と連通している。従って,現像液供給路113か
ら供給された現像液は,一旦現像液溜め部110aに溜
められ,その後,複数の現像液供給口111から吐出さ
れる。また純水供給路114から供給された純水は,一
旦純水溜め部110bに溜められ,その後複数の純水供
給口112から吐出される。
【0065】また,現像液溜め部110a内と純水溜め
部110b内には,第1の実施の形態と同様の温度調節
チューブSがそれぞれ設けられており,現像液と純水の
温度が個別に調節される。従って,純水がウェハW上に
供給された時に,ウェハWの温度が変動することが抑制
され,さらにその後,所定温度に調節された現像液がウ
ェハW上に供給できる。
【0066】また,上述した現像液供給口111と純水
供給口112は,図11に示すように図10に示した現
像液供給ノズル110のX方向正方向側に現像液供給口
111,X方向負方向側に純水供給口112が設けられ
ている。これは,後述するが現像液供給ノズル110が
X方向正方向に移動するときに純水を供給し,X方向負
方向に移動するときに現像液を供給するため,処理液を
供給する供給口が常に進行方向の後方側になるようにし
ている。
【0067】次にこの第2の実施の形態の現像処理のプ
ロセスを図10,図15,図16を用いて説明する。ま
ず,第1の実施の形態と同様にして,ウェハWがスピン
チャック61に載置された後,洗浄槽85で待機してい
た現像液供給ノズル110がX方向正方向に移動する。
その後,カップ62内であるがウェハWのX方向負方向
側の他端部Qよりも洗浄槽85側の位置Q’で一旦停止
する。そして,ウェハWと純水供給口112の距離を調
節するため下降する。その後,図15に示すように,再
びX方向正方向に移動し,移動しながら純水をウェハW
上に供給する。そして,ウェハWのX方向正方向側の端
部Pよりも少し進んだ位置P’で停止する。このときに
は,ウェハW表面には純水の膜が形成されている。次
に,図16に示すように現像液供給ノズル110がX方
向負方向に移動し,このとき現像液供給口111から現
像液を供給する。そして,現像液供給ノズル110が,
前記ウェハW端部Qの外方の位置Q’まで移動したとこ
ろで停止する。その後,現像液供給ノズル110は,上
昇し再び洗浄槽85に戻され洗浄される。そして,ウェ
ハWを所定時間現像した後,第1の実施の形態と同様に
して,ウェハWは洗浄ノズル71により洗浄され,その
後乾燥され,搬送アーム13aにより搬出される。
【0068】以上の第2の実施の形態によれば,第1の
実施の形態同様に一連の現像液供給ノズル110の往復
移動において,往移動時には,前記純水供給口112か
らウェハWに純水が供給され,復移動時には,前記現像
液供給口111からウェハWに現像液が供給される。従
って,現像液供給ノズル110の往復移動時に現像液供
給ノズル110から現像液が垂れ落ちる心配がない。ま
た,ウェハWに現像液を供給する前に純水を供給し,純
水膜を形成することにより,現像液中に存在する微少な
気泡や,現像液がウェハWに接触した際に発生する微少
な気泡がウェハWに付着することが防止される。したが
って,部分的に現像が行われなくなる等の現像欠陥を抑
制できる。さらに,現像液供給口111をX方向正方向
側に,純水供給口112をX方向負方向側に設けること
により,常に進行方向の後方側の供給口から処理液が吐
出されるため,互いの供給口を汚染することが防止され
る。
【0069】また,上述した現像液供給ノズル110に
おいて,図17に示すように,現像液供給口111の位
置よりも純水供給口112の位置の方を高くしてもよ
い。こうすることにより,現像液供給時に現像液による
純水供給口112の汚染が確実に防止できる。
【0070】上述した第2の実施の形態では,X方向正
方向側に現像液供給口111を設け,X方向負方向側に
純水供給口112を設けたが,図18に示すようにこれ
を逆にして,現像液供給ノズル120のX方向負方向側
に現像液供給口121を設け,X方向正方向側に純水供
給口122を設けてもよい。こうすることにより,前記
純水を供給しながらX方向正方向に移動する往移動時
に,現像液供給口121が,常にウェハWの純水膜上を
通過することになり,たとえ現像液供給口121から現
像液が垂れたとしても純水膜が既に形成されているた
め,ウェハWの現像処理に悪影響を与えない。なお,図
19に示したように,純水供給口122の位置を現像供
給口121の位置よりも高く設け,現像液による純水供
給口112の汚染を防止してもよい。
【0071】上述した実施の形態では,現像液供給ノズ
ルを洗浄する洗浄槽85をウェハWに対してX方向負方
向側に一つ設けていたが,ウェハWを挟んで両側に設け
てもよい。こうすることにより,現像液供給ノズルがウ
ェハWの一端部外方からウェハW上を通過し,ウェハW
の他端部に移動する毎に現像液供給ノズルを洗浄できる
ため,ウェハW上に現像液が垂れることが無くなる。
【0072】次に他の例について説明する。図20に示
した現像液供給ノズル130は,基本的な構造は,前出
現像液供給ノズル110と同一構造を有しているが,図
21に示したように,現像液溜め部110aからの現像
液と,純水液溜め部110bからの純水を同時に供給す
ることが可能になっている。
【0073】また図20に示したように,現像液供給路
113は,バルブ113a,マスフローコントローラ1
13b,ポンプ113cを介して現像液供給源113d
に通じている。一方純水供給路114は,バルブ114
a,マスフローコントローラ114b,ポンプ114c
を介して純水供給源114dに通じている。これらバル
ブ113a,114a,及びマスフローコントローラ1
13b,114bは,制御装置131によって制御され
る。
【0074】この現像液供給ノズル130によれば,図
21に示したように,ウエハW上に現像液と純水を同時
に供給することが可能である。したがって,たとえば通
常の現像処理を行う場合には,まず現像液供給口111
から現像液をウエハW上に供給し,そのままウエハWを
所定時間静止状態において現像処理する。そして現像処
理が終了した後,ウエハWを回転させながら図21に示
したように,ウエハW上に現像液と純水を同時に供給す
ると,濃度の低い現像液をウエハW上に供給することに
なる。これによっていわゆるpHショックの発生を防止
することができる。
【0075】その後はたとえば現像液の供給量を徐々に
減らしていき,その分純水の供給量を増加させていく。
これによって徐々に濃度の低い現像液がウエハW上に供
給される。そして最後には現像液の供給を停止させ,純
水のみをウエハWに供給することで,ウエハW上の現像
液を洗い流すことができる。
【0076】そのような現像液の濃度の低下変更は,段
階的に行ってもよく,また連続して行ってもよい。いず
れにしろそのような現像液の濃度の変更は,制御装置1
31によるバルブ113a,114a並びに,マスフロ
ーコントローラ113b,114bの制御によって実現
可能である。
【0077】前記の例では,現像液の供給系統が現像液
供給路113の1系統であったが,図22に示したよう
に,複数の,現像液の供給系統が装備されていてもよ
い。図22の現像液供給ノズル140は,3つの現像液
供給路141,142,143を有しており,各供給路
とも,対応するバルブ141a,142a,143a,
並びにポンプ141b,142b,143bを介して,
所定の現像液供給源141c,142c,143cに通
じている。そして現像液供給源141c,142c,1
43cには各々濃度の異なった現像液が用意されてい
る。この例では,現像液供給源141cに用意されてい
る現像液の濃度が最も高く,以下,現像液供給源142
c,現像液供給源143cの順に濃度が低い現像液が用
意されている。
【0078】そして純水供給路のバルブ114a,現像
液供給路141のバルブ141a,142a,143a
とも,制御装置144によって切換制御される。
【0079】かかる構成の現像液供給ノズル140によ
れば,たとえば通常の現像処理を行う場合には,まず現
像液供給路141からの現像液をウエハW上に供給し,
そのままウエハWを所定時間静止状態において現像処理
する。そして現像処理が終了した後,ウエハWを回転さ
せながら,ウエハW上に現像液供給路142からの濃度
の低い現像液することで,いわゆるpHショックの発生
を防止することができる。そして次いで現像液の供給系
を切り換えて,現像液供給路143からのより濃度の低
い現像液をウエハW上に供給し,最後に現像液の供給を
停止し,純水供給路114からの純水をウエハWに供給
することにより,ウエハW上の現像液を除去することが
できる。そのような濃度の異なった現像液の供給切換,
純水供給への切換変更は,制御装置144によるバルブ
141a,142a,143a並びに,バルブ114a
の制御によって実現可能である。
【0080】なお洗浄ノズル71においても,前記した
現像液供給ノズル130,140の機能を持たせて,純
水の他に,徐々に低い濃度の現像液をも供給可能な構成
としてもよい。
【0081】先に説明した実施の形態は,半導体ウェハ
デバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程にお
けるウェハWの現像処理方法についてであったが,本発
明は半導体ウェハ以外の基板例えばLCD基板の現像処
理方法においても応用できる。
【0082】
【発明の効果】請求項1によれば,既に現像液が供給さ
れている基板の上方を現像液が落下する可能性のある現
像液供給手段が通過することがないため,現像液を供給
した後の基板上に現像液供給手段から現像液が垂れるお
それが無くなる。したがって,その垂れ落ちた部分だけ
現像液の濃度が異なることになること,あるいは垂れた
現像液が塵等を巻き込んで基板に付着させることが防止
されるため,現像欠陥,線幅不良等が減少し,その結果
歩留まりの向上が図られる。
【0083】請求項2によれば,現像液供給手段が現像
液を供給するとき以外に基板上方を通過することが無く
なるため,現像液供給手段から基板上に過って現像液が
垂れ落ちる可能性が全くなくなる。その結果,この落下
によって引き起こされる現像欠陥,線幅不良等が防止さ
れ,歩留まりの向上が図られる。
【0084】請求項3によれば,基板を所定位置に搬送
する搬送手段の進入は,現像液供給手段が移動中に行う
ようにし,また,現像液供給手段の復移動は,前記搬送
手段の退避が終了した後に行うようにしたので,搬送手
段と現像液供給手段との接触が防止される。その結果,
現像処理装置の破損等の防止が担保される。
【0085】請求項4によれば,一連の現像液供給手段
の往復移動において,往移動時に純水を供給し,復移動
時に現像液を供給するため,従来のように現像液が既に
供給されている基板上に垂れる可能性がない。したがっ
て,そのたれによって引き起こされる現像欠陥,線幅不
良等が防止され,歩留まりの向上が図られる。また,現
像液が基板に直接供給されることにより引き起こされる
可能性のある現像欠陥が防止され,歩留まりの向上が図
られる。
【0086】請求項5によれば,純水供給口と現像液供
給口を個別に設けることにより,請求項4の現像処理方
法を適宜に実施することができ,その効果が得られる。
また,現像液供給口は,常に純水が供給された後の基板
上を通過することとなることから,現像液供給口から現
像液が垂れ落ちた場合でも,直接基板上に垂れ落ちるこ
とが無くなり,この現像液の垂れにより引き起こされる
現像欠陥等が抑制され,歩留まりの向上が図られる。
【0087】請求項6によれば,現像液供給手段に前記
現像液供給口と純水供給口を個別に設けることにより,
請求項4の現像処理方法を適宜に実施することができ,
その効果が得られる。また,純水供給口と現像液供給口
を常に処理液を供給している方の供給口が移動方向の後
方側に位置することになるように設けているため,供給
中の処理液でもう一方の供給口を汚染させることが防止
される。
【0088】請求項7によれば,純水供給口の位置を現
像液供給口の位置よりも高くすることにより,現像液供
給口から吐出された現像液が過って純水供給口に付着す
ること防止され,当該供給口が清浄に維持されるため,
歩留まりの向上が図られる。また,洗浄等の手間が省か
れるため,スループットの向上に繋がる。
【0089】請求項8によれば,現像液供給手段が基板
上を移動して,基板の両端部外方の洗浄槽に達する度に
現像液供給手段を洗浄することができる。したがって,
現像液供給手段から現像液が垂れ落ちることが抑制され
るため,現像欠陥等が防止され,歩留まりの向上が図ら
れる。
【0090】請求項9〜11の発明によれば,現像処理
後の洗浄過程において,pHショックに起因する現像欠
陥を防止することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態にかかる現像処理方法を実施するた
めの装置を有する現像処理システムの外観を示す平面図
である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】図1の塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】第1の実施の形態で用いられる現像処理装置の
縦断面の説明図である。
【図5】第1の実施の形態で用いられる現像液供給ノズ
ルの斜視図である。
【図6】第1の実施の形態で用いられる現像液供給ノズ
ルの正面図である。
【図7】第1の実施の形態で用いられる現像液供給ノズ
ルの縦断面の説明図である。
【図8】第1の実施の形態で用いられる現像処理装置の
横断面の説明図である。
【図9】ウェハの現像処理装置内への進入,退避の制御
に用いるセンサを有する現像処理装置の横断面の説明図
である。
【図10】第2の実施の形態で用いられる現像処理装置
の横断面の説明図である。
【図11】第2の実施の形態で用いられる現像液供給ノ
ズルの斜視図である。
【図12】第2の実施の形態で用いられる現像液供給ノ
ズルの正面図である。
【図13】第2の実施の形態で用いられる現像液供給ノ
ズルの図12に示すA―A断面の説明図である。
【図14】第2の実施の形態で用いられる現像液供給ノ
ズルの図12に示すB−B断面の説明図である。
【図15】第2の実施の形態で用いられる現像液供給ノ
ズルがX方向正方向に移動しながら,純水供給口からウ
ェハに純水を供給している状態を示した説明図である。
【図16】第2の実施の形態で用いられる現像液供給ノ
ズルがX方向負方向に移動しながら,現像液供給口から
ウェハに現像液を供給している状態を示した説明図であ
る。
【図17】現像液供給口よりも純水供給口の位置が高い
現像液供給ノズルが,移動しながらウェハに現像液を供
給している状態を示した説明図である。
【図18】現像液供給口よりも純水供給口の位置が高い
現像液供給ノズルが,移動しながらウェハに純水を供給
している状態を示した説明図である。
【図19】現像液供給口よりも純水供給口の位置が高い
現像液供給ノズルが,移動しながらウェハに現像液を供
給している状態を示した説明図である。
【図20】他の現像液供給ノズルの正面図である。
【図21】図21の現像液供給ノズルの使用状態を示す
説明図である。
【図22】複数の異なった濃度の現像液供給系を有する
現像液供給ノズルの正面図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム 13 主搬送装置 13a 搬送アーム 20 現像処理装置 70 現像液供給ノズル 73 現像液供給口 85 洗浄槽 W ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 出口 雅敏 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 高森 秀之 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Fターム(参考) 2H096 AA25 GA29 GA30 5F046 LA02 LA03 LA04 LA06 LA08 LA13

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の位置に載置された基板の対向する
    両端部間に現像液供給手段を一回移動させることによっ
    て,基板表面全面に現像液を供給して,基板を現像処理
    する方法であって,前記現像液供給手段が,前記基板の
    一端外方にある前記現像液供給手段の待機位置から少な
    くとも前記基板の他端まで現像液を供給しないで移動す
    る工程と,その後,前記現像液供給手段が少なくとも前
    記他端から少なくとも前記一端まで現像液を供給しなが
    ら移動する工程とを有することを特徴とする,基板の現
    像処理方法。
  2. 【請求項2】 前記現像液供給手段が現像液を供給せず
    に前記待機位置から少なくとも前記他端まで移動する前
    記工程と,前記現像液供給手段が現像液を供給しながら
    少なくとも前記他端から少なくとも前記一端まで移動す
    る前記工程との間に,前記所定の位置に基板を載置する
    工程を有することを特徴とする,請求項1に記載の基板
    の現像処理方法。
  3. 【請求項3】 前記所定の位置への載置は,基板を搬送
    する搬送手段により行われ,前記搬送手段の所定の位置
    への進入は,前記現像液供給手段が現像液を供給せずに
    前記待機位置から少なくとも前記他端まで移動する前記
    工程が終了したことを認識した後に行われ,前記現像液
    供給手段が現像液を供給しながら少なくとも前記他端か
    ら少なくとも前記一端まで移動する前記工程は,前記搬
    送手段の前記所定の位置からの退避が終了したことを認
    識した後に行われることを特徴とする,請求項2に記載
    の基板の現像処理方法。
  4. 【請求項4】 所定の位置に載置された基板の対向する
    両端部間に現像液供給手段を一回移動させることによっ
    て,基板表面全面に現像液及び純水を供給して,基板を
    現像処理する方法であって,前記現像液供給手段が,前
    記基板の一端外方にある前記現像液供給手段の待機位置
    から少なくとも前記基板の他端まで純水を供給しながら
    移動する工程と,その後,前記現像液供給手段が少なく
    とも前記他端から少なくとも前記一端まで現像液を供給
    しながら移動する工程とを有することを特徴とする,基
    板の現像処理方法。
  5. 【請求項5】 現像液供給手段が基板上を所定の方向に
    移動しながら,基板に対して現像液を供給する基板の現
    像処理装置であって,前記現像液供給手段は,現像液を
    供給する現像液供給口と純水を供給する純水供給口とを
    前記所定の方向に沿って個別に有し,前記純水供給口
    は,前記所定の方向と逆方向に移動する際に純水を供給
    するように構成され,かつ,前記純水供給時の移動方向
    前方側に位置していることを特徴とする,基板の現像処
    理装置。
  6. 【請求項6】 現像液供給手段が基板上を所定の方向に
    移動しながら,基板に対して現像液を供給する基板の現
    像処理装置であって,前記現像液供給手段は,現像液を
    供給する現像液供給口と純水を供給する純水供給口とを
    前記所定の方向に沿って個別に有し,前記純水供給口
    は,前記所定の方向と逆方向に移動する際に純水を供給
    するように構成され,かつ,前記純水供給時の移動方向
    後方側に位置していることを特徴とする,基板の現像処
    理装置。
  7. 【請求項7】 前記純水供給口の位置が前記現像液供給
    口よりも高い位置に設けられていることを特徴とする,
    請求項5又は6のいずれかに記載の基板の現像処理装
    置。
  8. 【請求項8】 基板上を移動し,前記基板に現像液を供
    給する現像液供給手段を有する基板の現像処理装置であ
    って,前記基板の両端の各外方に前記現像液供給手段を
    洗浄する洗浄槽をそれぞれ有することを特徴とする,基
    板の現像処理装置。
  9. 【請求項9】 所定の位置に載置された基板の表面全面
    に現像液を供給して,基板を現像処理する方法であっ
    て,前記現像液の供給後,所定時間の現像処理が終了し
    た後,前記現像液よりも濃度の低い現像液を前記基板に
    供給すると共に,当該濃度の低い現像液の濃度をさらに
    徐々に低下させて,最後に純水を供給することを特徴と
    する,現像処理方法。
  10. 【請求項10】 現像液供給手段が基板上を所定の方向
    に移動しながら,当該基板に対して現像液を供給する基
    板の現像処理装置であって,前記現像液供給手段は,現
    像液を供給する現像液供給口と,純水を供給する純水供
    給口とを前記所定の方向に沿って個別に有し,前記現像
    液供給口からの現像液の供給量と,前記純水供給口から
    の純水の供給量とは可変であることを特徴とする,現像
    処理装置。
  11. 【請求項11】 現像液供給手段が基板上を所定の方向
    に移動しながら,当該基板に対して現像液を供給する基
    板の現像処理装置であって,前記現像液供給手段は,現
    像液を供給する現像液供給口と,純水を供給する純水供
    給口とを前記所定の方向に沿って個別に有し,前記現像
    液供給口は,複数の異なった濃度の現像液を供給するこ
    とが可能に構成されていることを特徴とする,現像処理
    装置。
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