JP7446920B2

JP7446920B2 - 液処理方法及び液処理装置

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Description

本開示は、液処理方法及び液処理装置に関する。

特許文献１には、ノズル部材から処理液を供給して薄膜を形成するための薄膜形成部を含む複数の処理部に基板を搬出入しながら処理を施すことにより、基板表面に薄膜を形成する基板処理装置において、上記基板に処理液を供給して薄膜を形成する薄膜形成時と、薄膜形成時以外のときに処理液を吐出するプリディスペンス時とに、上記ノズル部材から処理液を吐出させる液吐出駆動手段と、上記液吐出駆動手段を制御する制御手段と、上記プリディスペンス作動のタイミングを基板の処理条件に応じたタイミングに設定するタイミング設定手段と、を備えた基板処理装置が記載されている。

特開平１０-３２１５７号公報

本開示にかかる技術は、液処理装置を用いて基板を液処理するにあたり、生産性を向上させる。

本開示の一態様は、基板に処理液を供給して液処理を行う液処理方法であって、第１の塗布モジュールにおいて、前記処理液を基板に供給して当該基板の液処理を行う第１のノズルのダミーディスペンスを実行する場合に、第２の塗布モジュールにおいて前記基板の次の液処理対象の基板に対して、前記処理液を供給して液処理を行う第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかを、当該第２の塗布モジュールでの前記次の液処理対象の基板に対する液処理開始が可能な状態になる前に判断して決定し、前記第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかの決定は、前記判断の時点における前記第２のノズルのノズル状態に基づいて行われ、前記第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかの決定は、さらに前記決定の時点から前記第２のノズルのダミーディスペンスの実行予定時点までの時間を加算した、前記第２のノズルの非処理状態の経過時間に基づいた第２のノズルのノズル状態にも基づいて行われる。

本開示によれば、液処理装置を用いて基板を液処理するにあたり、生産性を向上させることが可能である。

本実施形態にかかるレジスト塗布装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。図１のレジスト塗布装置によってウェハに対してレジスト塗布処理を行う際のウェハの処理順序を示す説明図である。本実施形態にかかるレジスト塗布装置を用いてダミーディスペンスを行なう処理の流れの一例を示すフローチャートである。レジスト塗布装置によってウェハに対してレジスト塗布処理を行う際の各塗布モジュールでの処理状況を示すタイミングチャートであり、（ａ）は従来の処理の流れ、（ｂ）は実施の形態にかかる処理の流れを示している。他の実施の形態にかかるレジスト塗布装置によってウェハに対してレジスト塗布処理を行う際のウェハの処理順序を示す説明図である。他の実施の形態にかかるレジスト塗布装置によってウェハに対してレジスト塗布処理を行う際のウェハの処理順序を示す説明図である。

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、例えばレジスト液、現像液等の処理液を、基板、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という場合がある。）に対してノズルから供給して、液処理が行われている。かかる場合、処理液の固化によるノズルの閉塞や固化物の基板への落下などを未然に防止するため、ノズル待機部においてノズルから処理液を所定量吐出するダミーディスペンスが行われる。ダミーディスペンスを行なっている間は、基板に対する液処理は実施できないので、ダミーディスペンスをいかに効率よく行うかが重要である。

この点に関し、特開平１０-３２１５７号公報に開示された従来の技術は、１の塗布モジュールに１のノズルを有する液処理装置についてのものであり、１の共有ノズルで２以上の塗布モジュールに対して処理液を供給する液処理装置や、同一の液処理を複数の塗布モジュールで行う、いわゆるマルチモジュールに対して、どのようにして効率よくダミーディスペンスを行なうかについては示唆するところはない。そのため、このようなマルチモジュールに対して、いかにして効率よくダミーディスペンスを行なって生産性を向上させるかが望まれている。

そこで、本開示にかかる技術は、マルチモジュールタイプの液処理装置において、効率よくダミーディスペンスを行なって生産性を向上させる。

以下、本実施形態にかかる液処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する。

＜レジスト塗布装置＞
図１は、本実施形態にかかる液処理装置の一例であるレジスト塗布装置１の構成の概略を示す平面図である。このレジスト塗布装置１は、２つの塗布処理ユニット１０、５０を有している。各塗布処理ユニット１０、５０は同一構成を有しているので、塗布処理ユニット１０を例にとって説明する。

塗布処理ユニット１０は、２つの塗布モジュール２０、３０と、これら２つの塗布モジュール２０、３０にセットされたウェハＷに対してレジスト液を供給するための１つのノズル４０を有している。塗布モジュール２０、３０は横方向（図１中のＸ方向）に並んで配置されている。各塗布モジュール２０、３０は各々同様に構成されているから、塗布モジュール２０を例に挙げて説明する。

塗布モジュール２０は、ウェハＷの裏面中央部を吸着して水平に保持する基板保持部であるスピンチャック２１を備えている。スピンチャック２１は回転駆動機構（図示せず）によって、ウェハＷを保持した状態で鉛直軸回りに回転自在に構成され、その回転中心上にウェハＷの中心が位置するように、スピンチャック２１はウェハＷを吸着保持する。スピンチャック２１の回転速度、すなわちウェハＷの回転速度は、制御部１００によって制御される。スピンチャック２１の周囲には、上面が開口し、スピンチャック２１上のウェハＷを囲むカップ２２が設けられている。

カップ２２内には、鉛直方向に昇降する例えば３本の昇降ピン２３が設けられているこの昇降ピン２３は、昇降機構（図示せず）により昇降することで、レジスト塗布装置１にウェハＷを搬送する基板搬送機構（図示せず）とスピンチャック２１との間で、ウェハＷを受け渡すことが可能である。

塗布モジュール３０も、塗布モジュール２０と同様な構成のスピンチャック３１、カップ３２、昇降ピン３３を備えている。

塗布処理ユニット１０内に設けられたノズル４０は、アーム４１によって支持され、アーム４１は、塗布モジュール２０、３０の配列方向（図１中のＸ方向）に伸びるガイド４２に沿って移動する水平移動部４３に取り付けられている。なおアーム４１は昇降機構（図示せず）によって、鉛直方向に昇降可能である。

ノズル４０は、濃度や成分の異なる複数種類、例えば１０種類のレジストを夫々供給する１０本のレジスト吐出ノズル、ウェハＷ上でレジストを広がり易くするための処理液である溶剤例えばシンナーを供給するシンナー吐出ノズルを有している。これらのレジスト吐出ノズル、シンナー吐出ノズルは、ノズル４０の移動方向（図１中のＸ方向）と並行するように配列されている。

そしてノズル４０は、塗布モジュール２０、３０にセットされているウェハＷに対して、所定のレジスト液やシンナーを供給して各ウェハＷに対して液処理を実行することが可能である。すなわち、塗布モジュール２０、３０にとっては、ノズル４０は共用ノズルである。

ノズル４０は、非処理時、すなわち処理液を供給しないときには、図１に示したように、ノズル待機部となるノズルバス４４に位置している。ノズルバス４４は、ノズル４０における各ノズル吐出部の先端部を、溶剤雰囲気内で収容し、レジスト液等の蒸発が抑えられている。そしてこのノズルバス４４内でダミーディスペンスが実行される。

ノズル４０に対する液処理時のレジスト液の吐出と停止、溶剤の吐出と停止、ダミーディスペンスの際の実行と停止、そしてこれらの吐出、実行、停止は、制御部１００によってその判断、決定が行われ、必要な制御信号がノズル４０、アーム４１、さらにはスピンチャック２１、３１に対して出力される。

塗布処理ユニット１０は、以上のように構成されており、他の塗布処理ユニット５０についてもこれと同様な構成を有している。すなわち、塗布処理ユニット５０は、２つの塗布モジュール６０、７０、ノズル８０を有し、各塗布モジュール６０、７０は、各々塗布モジュール２０、３０と同様な構成のスピンチャック６１、７１、カップ６２、７２、昇降ピン６３、７３を備えている。

そしてノズル８０はアーム８１によって支持され、水平移動部８３によって塗布モジュール６０、７０へと移動して、塗布モジュール６０、７０にセットされているウェハＷに対して、所定のレジスト液やシンナーを供給して各ウェハＷに対して液処理を実行することが可能である。すなわち、塗布モジュール６０、７０にとっては、ノズル８０は共用ノズルである。またノズルバス８４内でノズル８０のダミーディスペンスが実行される。これらのノズル８０の動作については、塗布処理ユニット１０と同じく制御部１００によって制御される。

制御部１００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、レジスト塗布装置１においてウェハＷの処理、ダミーディスペンス等を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。

＜レジスト塗布方法＞
次に以上のように構成されたレジスト塗布装置１による液処理方法の一例であるレジスト塗布方法について説明する。図２に示したように、レジスト液の塗布処理対象であるウェハＷは、既述した基板搬送機構（図示せず）により、塗布モジュール２０→塗布モジュール６０→塗布モジュール３０→塗布モジュール７０→塗布モジュール２０・・・の順に各塗布モジュールに搬送されて、レジスト塗布がなされる。

そして例えば、ロット単位（例えば２５枚単位）で処理されるウェハについては、各ロットの最初の処理対象のウェハに対してレジスト塗布される前に、当該レジスト塗布を行うノズルに対してダミーディスペンスが実行される。これを図２に即して説明すれば、ロットＡの最後のウェハＡＷ_Ｌが、塗布モジュール２０でレジスト塗布されると、次のロットＢの最初のウェハＢＷ_１は塗布モジュール６０で塗布され、以後、ロットＢの２枚目のウェハＢＷ_２は塗布モジュール３０で塗布され、ロットＢの３枚目のウェハＢＷ_３は塗布モジュール７０で順次塗布されていく。

そして塗布モジュール６０で塗布処理されるロットＢの最初のウェハＢＷ_１については、ノズル８０からレジスト液が供給されるが、ウェハＢＷ_１に対してレジスト液を供給する前に、ノズル８０はダミーディスペンスを行う必要がある。通常このようなダミーディスペンスは、プロセスジョブ（Ｐｒｏｃｅｓｓ-Ｊｏｂ）先頭ダミーディスペンスと呼称されている。したがって、以下、プロセスジョブ先頭ダミーディスペンスを単にＰＪ先頭ダミーディスペンスということがある。すなわち予め定められた処理レシピにしたがって連続的に液処理される複数のウェハのうち、最初に液処理されるウェハはウェハＢＷ_１ということになる。またここでいう連続的に液処理されるとは、たとえば図２に即して説明すると、ウェハＢＷ_１に対して塗布モジュール６０で塗布処理（液処理）を開始してその塗布処理（液処理）が完了する前に、後続のウェハＢＷ_２の液処理（液処理）を別の液処理モジュールである塗布モジュール３０で開始するような液処理の流れを言う。

そして塗布モジュール６０のレジスト塗布を担うノズル８０に対してＰＪ先頭ダミーディスペンスを行なった後は、他の塗布モジュール３０においてロットＢに属するウェハのレジスト塗布を初めて担うノズル４０に対してＰＪ先頭ダミーディスペンスを行なわれる。このような場合、具体的には例えば図３に示したフローチャートに基づいた手順で制御部１００において判断、決定される。

まずモジュールに対する入力が検知される（ステップＳ１）、ここでは、塗布モジュール６０に対してウェハＢＷ_１が搬入可能になったかどうかかが制御部１００によって確認される。搬入可能になったかどうかについては、通常基板搬送機構を制御する他の制御装置から相応の信号が制御部１００に出力され、上述の様に制御部１００で制御される塗布モジュールの状態（例えば、ノズルやスピンチャック、昇降ピンの動作状態）も考慮される。

次いで塗布モジュール６０のノズル８０がダミーディスペンスを行なう条件を満たしているかどうかが判定される（ステップＳ２）。ここでいうダミーディスペンスを行なう条件は、上述のＰＪ先頭ダミーディスペンスの条件であるロットの初期基板であることの他には、例えばノズル状態であり、あらかじめ設定されている。ノズル状態とは、例えば予め定められた枚数のウェハに対してレジスト液を吐出して塗布処理したかどうか、前回のダミーディスペンスから予め定められた時間が経過しているかどうか等によって定められたダミーディスペンスの必要条件である。

そしてノズル状態に基づいて判断した結果、ダミーディスペンスを行なう条件を満たしている場合には、ノズル８０はノズルバス８４においてダミーディスペンスを実行する（ステップＳ３）。

その後、同一基板搬送機構がアクセスする同一ステップのマルチモジュール、すなわち塗布モジュール３０を有する塗布処理ユニット１０に対して、同一ＰＪ、すなわち同一ロットＢのウェハを搬入する予定があるかどうかがチェックされる（ステップＳ５）。そして予定がある、すなわちウェハＢＷ_２が塗布処理ユニット１０の塗布モジュール３０に搬入される予定がある場合には、当該塗布モジュール３０の液処理を担うノズル４０のノズル状態が、ダミーディスペンスを行なう条件を満たしているかどうかが判定される（ステップＳ６）。そして条件を満たしている場合には、ノズル４０はノズルバス４４においてダミーディスペンスを実行する（ステップＳ７）。

このようにして、マルチモジュール構成のレジスト塗布装置１における各塗布処理ユニット１０、５０における共有ノズルであるノズル８０、４０に対してダミーディスペンスが実行される。その後は、ロットＢのウェハに対して、順次通常のレジスト塗布処理が行われていく。

以上のような処理手順を、従来の処理手順と比較すると、図４に示したタイミングチャートのようになる。（ａ）は従来の処理の流れ、（ｂ）は実施の形態にかかる処理の流れを示している。また図中ａは塗布モジュール２０、ｂは塗布モジュール３０、ｃは塗布モジュール６０、ｄは塗布モジュール７０、ｅは塗布モジュール２０、３０におけるノズル４０のディスペンス状態、ｆは塗布モジュール６０、７０におけるノズル８０のディスペンス状態を示し、ドットで示された部分は通常のレジスト液が吐出されている時間を示す。また「後待機」とは、ノズルによるレジスト塗布処理が終了して当該塗布処理が終了したウェハを搬出した状態で、次に処理するウェハの搬入を開始するまでの待機状態である。「Ｒ１Ｄｍｙ」とは、例えばレジスト液Ｒ１を吐出するノズルについてダミーディスペンスが行われている状態を示している。また「ＢａｔｈＷ」とは、ダミーディスペンス後にノズル４０、８０がノズルバス４４、８４内で待機している状態を示している。「ＢａｔｈＷ」の期間は、例えばノズルを共有する塗布モジュールが無い場合や、塗布処理に必要な時間など、様々な条件によって変わり、次回の処理が可能ならばこの期間を設けなくともよい。

これによれば、従来は、マルチモジュールタイプの塗布処理ユニットにおいては、共有ノズルが異なる場合であっても、同時にダミーディスペンスが実行される時間帯はなかった。これは、ある塗布モジュールに対して毎回ウェハが搬入される直前に、当該塗布モジュールにおいてレジスト液の吐出を担うノズルについて、ノズル状態を確認し、それからダミーディスペンスが実行されていたためである。そのため従来は、図４（ａ）で示したように、符号ｂで示される塗布モジュール３０において、無駄な時間「ＬＯＳＳ」が発生していた。

これに対し実施の形態では、塗布モジュール６０でＰＪ先頭ダミーディスペンスの実行が決定された場合に、異なるノズルを用いる塗布モジュール３０に対して、同一ＰＪ、すなわち同一ロットＢのウェハＢＷ_２が搬入する予定があるかどうかを事前にチェックする。このタイミングは、例えば符号ｂで示される塗布モジュール３０においてノズル４０による次の基板（ウェハ）に対する液処理（塗布処理）開始が可能な状態になるレジスト塗布処理が完了する前である。ここでいう液処理開始が可能な状態とは、対象の液処理モジュール（塗布モジュール）におけるノズルやスピンチャックや昇降ピンといった液処理（塗布処理）に必要な機能部分が液処理に関連する動作（基板処理関連動作）をしていない状態をいう。そして既述したフローチャートのように、予定がある場合には、塗布モジュール３０においてレジスト液の塗布を担うノズル４０についてのノズル状態が確認され、塗布モジュール６０と同様にＰＪ先頭ダミーディスペンスを実行すべきかどうかが制御部１００で判断される。そして実行必要と決定されれば、塗布モジュール２０での塗布処理期間におけるノズル４０の必要動作が完了され次第、当該塗布処理における他の残りの動作が未完了な場合でも、ノズル４０がノズルバス４４内にある状態にて直ちにダミーディスペンスが実行される。その結果、塗布処理ユニット１０、５０間で異なる共有ノズルであるノズル４０、８０について、各々ダミーディスペンスを重複して実行することが可能になった。なお、上記の当該塗布処理における他の残りの動作は、例えば、スピンチャックの回転による塗布液の液膜の厚さ調整や乾燥、ウェハの搬出である。

したがって、図４（ａ）、（ｂ）とを比較すれば分かるように、従来「ＬＯＳＳ」が発生した時間を削減でき、無駄な待機時間をなくしてその分生産性は向上する。すなわち、従来よりもダミーディスペンスを実行可能かどうかの判断を前倒しして行うことで、ダミーディスペンスの実行開始のタイミングを従来より早く行って、全体としてロット単位でのウェハのレジスト塗布処理に要する時間を短縮して、生産性を向上させることが可能である。

なお前記した制御部１００におけるダミーディスペンスが実行必要かどうかの判断をする際のノズル状態については、さらに対象ノズルのダミーディスペンスの実行予定時点までの時間を加算した、ノズル８０の非処理状態の経過時間をも考慮して判断してもよい。
図４を基に、ノズル８０に関して説明する。制御部１００は、塗布処理モジュール７０でのウェハＡＷ_２４に対する塗布処理が完了する前であって、かつ、塗布処理モジュール６０でウェハＢＷ_１の塗布処理を行う前（ウェハＢＷ_１の搬入より前）に、ノズル８０の先頭ＰＪダミーディスペンスの要否の判断を行う。ダミーディスペンスの実行タイミングは、ウェハＡＷ_２４の塗布処理に関するノズル８０の必要動作が完了した後となる。そのため、ウェハＡＷ_２４の塗布処理とその後のウェハＢＷ_１の塗布処理の間に長時間のノズル８０の非処理期間が生じる場合は、それによってダミーディスペンスの要否判断と実行の間にも長時間の遅れが生じる。この場合は、ウェハＢＷ_１の塗布処理に応じたタイミングのみでダミーディスペンスを実行することでその実行回数を抑制できる。そのときのダミーディスペンスの実行要否の判断は、ウェハＢＷ_１の処理時のノズル状態により適合した判断を行うために、その判断時点から実行までの時間を加算した、非処理時間の経過時間に基づいて行うとよい。

前記した実施の形態にかかるレジスト塗布装置１は、塗布処理ユニット１０、５０自体が各々複数の塗布モジュール２０、３０、塗布モジュール６０、７０を有するマルチモジュールタイプであったが、本開示はこれに限らず他のレジスト塗布装置に対しても適用可能である。

例えば図５に示したレジスト塗布装置１１０は、塗布処理ユニット１２０、１３０とも各々１つの塗布モジュール１２１、１３１のみ有する構成であり、したがってノズル１２２は、塗布モジュール１２１専用のノズルであり、ノズル１３２は、塗布モジュール１３１専用のノズルである。この場合であっても、レジスト塗布装置１１０全体としては複数の塗布モジュール１２１、１３１を有しているので、本開示にかかる技術を適用することができる。

すなわち、図５に示したように、ロットＡの最後のウェハＡＷ_Ｌが、塗布モジュール１２１でレジスト塗布されると、次のロットＢの最初のウェハＢＷ_１は塗布モジュール１３１で塗布され、以後、ロットＢの２枚目のウェハＢＷ_２は塗布モジュール１２１で塗布されていく。

かかる場合、ロットＢの最初のウェハＢＷ_１についてレジスト液を塗布するノズル１３２がＰＪ先頭ダミーディスペンスとなるとき、ロットＡの最後のウェハＡＷ_Ｌが塗布モジュール１２１でのレジスト塗布処理が完了する前に、ノズル１３２についてのノズル状態に基づいて、ダミーディスペンスが実行可能かどうかを判断して決定しておくことで、従来よりも早い時点でダミーへディスペンスを実行することができる。ノズル１２２についても、同様に、ノズル１２２についても塗布モジュール１２１でのレジスト塗布処理が完了してロットＢの２枚目のウェハＢＷ_２が搬入されることが判明した時点で直ちに、ダミーディスペンスが実行可能かどうかを判断して決定しておくことで、従来よりもロット単位でのウェハのレジスト塗布処理に要する時間を短縮して、生産性を向上させることが可能である。

さらに図６に示したレジスト塗布装置１４０についても本開示は適用可能である。すなわち、図６に示したレジスト塗布装置１４０は、図２に示した２つの塗布モジュール２０、３０を有する塗布処理ユニット１０と、図５に示した1つの塗布モジュール１２１を有する塗布処理ユニット１２０とを組み合わせた構成を有している。かかる構成のレジスト塗布装置１４０は、全体として複数の塗布モジュールを有している。

かかる構成を有するレジスト塗布装置１４０では、ロットＡの最後のウェハＡＷ_Ｌが、塗布モジュール２０でレジスト塗布されると、次のロットＢの最初のウェハＢＷ_１は塗布モジュール１２１で塗布され、以後、ロットＢの２枚目のウェハＢＷ_２は塗布モジュール３０で塗布され、ロットＢの３枚目のウェハＢＷ_３は塗布モジュール２０で順次塗布されていく。

この場合でも、ロットＢの最初のウェハＢＷ_１についてレジスト液を塗布するノズル１２２がＰＪ先頭ダミーディスペンスとなるとき、ロットＡの最後のウェハＡＷ_Ｌが塗布モジュール２０でのレジスト塗布処理が完了する前に、ノズル１２２についてのノズル状態に基づいて、ダミーディスペンスが実行可能かどうかを判断して決定しておくことで、従来よりも早い時点でダミーへディスペンスを実行することができる。ロットＢの２枚目のウェハＢＷ_２を処理することになる塗布モジュール３０に用いられるノズル４０についても、同様に、塗布モジュール１２１でのレジスト塗布処理が完了してロットＢの２枚目のウェハＢＷ_２が塗布モジュール３０に搬入されることが判明した時点で直ちに、ノズル４０のノズル状態に基づいてダミーディスペンスが実行可能かどうかを判断して決定しておくことで、従来よりもロット単位でのウェハのレジスト塗布処理に要する時間を短縮して、生産性を向上させることが可能である。

また制御部１００は、上述した条件に限らずとも、ダミーディスペンスの実行判断を前倒し可能である。例えば図４で説明すると、ａで示される塗布処理モジュール２０にてロットＡの最終ウェハＡＷ_Ｌへの塗布処理が開始されたときは、制御部１００は、次のロットＢの処理開始時期が確定する前に、ノズル４０のダミーディスペンスの実行を決定するように構成されていてもよい。上述した例の様に、のちにロットＢの最初のウェハＢＷ_１が、別のノズル８０を用いる別の塗布処理モジュールで行うように制御部が決定するものであれば、問題無くノズル４０のダミーディスペンスの実行を決定可能である。

他の例としては、図２または図５又は図６に示される様な液処理モジュール構成を水平方向に並べて含むブロックが、上下方向に積層された様な装置が考えられる。ロットの初めのウェハに対して液処理を行う液処理モジュールと同じブロック内に含まれ、かつ当該液処理モジュールで使用されないノズルに対しては、図３を基に説明したフローと同様にＰＪ先頭ダミーディスペンスの実行について判断および決定をしてもよい。かかる場合、本開示の技術が適用可能である。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１レジスト塗布装置
１０、５０塗布処理ユニット
２０、３０、６０、７０塗布モジュール
４０、８０ノズル
４１、８１アーム
４２、８２ガイド
４３、８３水平移動部
４４、８４ノズルバス
１００制御部
Ｗウェハ

Claims

基板に処理液を供給して液処理を行う液処理方法であって、
第１の塗布モジュールにおいて、前記処理液を基板に供給して当該基板の液処理を行う第１のノズルのダミーディスペンスを実行する場合に、
第２の塗布モジュールにおいて前記基板の次の液処理対象の基板に対して、前記処理液を供給して液処理を行う第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかを、当該第２の塗布モジュールでの前記次の液処理対象の基板に対する液処理開始が可能な状態になる前に判断して決定し、
前記第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかの決定は、前記判断の時点における前記第２のノズルのノズル状態に基づいて行われ、
前記第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかの決定は、さらに前記決定の時点から前記第２のノズルのダミーディスペンスの実行予定時点までの時間を加算した、前記第２のノズルの非処理状態の経過時間に基づいた第２のノズルのノズル状態にも基づいて行われる、液処理方法。
前記第１の塗布モジュールにおいて、第１のノズルによって前記処理液を基板に対して供給して液処理される基板は、予め定められた処理レシピにしたがって液処理されるために連続的に液処理が行われる複数の基板のうち最初に液処理される基板である、請求項１に記載の液処理方法。
前記第１のノズルのダミーディスペンスが完了する前に、前記第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかの決定が行われる、請求項１または２のいずれか一項に記載の液処理方法。
前記第２のノズルのダミーディスペンスは、前記第２のノズルが基板処理関連動作を行っていない状態になって開始する、請求項１～３のいずれか一項に記載の液処理方法。
基板に処理液を供給して液処理を行う液処理装置であって、
基板に対して第１のノズルから前記処理液を供給して液処理を行う第１の塗布モジュールと、
基板に対して第２のノズルから前記処理液を供給して液処理を行う第２の塗布モジュールと、
前記第１の塗布モジュールと第２の塗布モジュールを制御する制御装置とを有し、
前記制御装置は、前記第１のノズルのダミーディスペンスの実行を決定した場合に、前記第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかを、前記第２の塗布モジュールでの液処理開始が可能になる前に判断して決定するように構成され、
前記第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかの決定は、前記判断の時点における前記第２のノズルのノズル状態に基づいて行われ、
前記第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかの決定は、さらに前記第１のノズルのダミーディスペンスの実行予定時間を加算した、前記第２のノズルの非処理状態の経過時間に基づいた第２のノズルのノズル状態にも基づいて行われる、液処理装置。
前記第１の塗布モジュールにおいて、第１のノズルによって前記処理液を基板に対して供給して液処理される基板は、予め定められた処理レシピにしたがって最初に液処理される基板である、請求項５に記載の液処理装置。
前記第１のノズルのダミーディスペンスが完了する前に、前記第２のノズルのダミーディスペンスを行なうかどうかの決定が前記制御装置によって行われる、請求項５または６のいずれか一項に記載の液処理装置。
前記第２のノズルのダミーディスペンスは、前記第２のノズルが基板処理関連動作を行っていない状態になって開始する、請求項５～７のいずれか一項に記載の液処理装置。