JP5904294B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板の表面に処理液を供給して所定の基板処理、例えばレジスト液の塗布や、露光後の現像処理等を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。

半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュール等を備えた処理ブロックが設けられている。

処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。これら単位ブロックには、レジスト液や現像液の塗布処理を行う複数個の液処理モジュールや、加熱処理を行う複数個の加熱モジュールが組み込まれている。

このようなレジストパターン形成装置では、スループット向上の観点から、ウエハに対して同一の処理を行う単位ブロックを複数設けると共に、単位ブロックに設けられるモジュールをマルチモジュールとして設定することが多い。このマルチモジュールとは、搬送の順番が同じであって、ウエハに対して同一の処理を行う複数のモジュールのことである。そして、同一の処理を行う単位ブロックを複数積層する場合には、特許文献２に示すように、夫々の単位ブロックに順番にウエハを払い出し、夫々の単位ブロックにて処理を行った後、前記払い出した順番に沿って夫々の単位ブロックからウエハを搬出している。

この際、ウエハは予め作成された搬送スケジュールに従って搬送される。この搬送スケジュールは、ウエハが置かれる場所をモジュールと呼ぶと、ウエハに順番を割り当て、ウエハの順番とモジュールの順番とを対応付けて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成したものである。

ところで、同じ処理を行う複数の単位ブロックの一つにおいて、マルチモジュールを構成する一つのモジュールが、トラブルやメンテナンス等の理由により使用できなくなる場合がある。この際、使用できない使用不可モジュールが発生した単位ブロックでは、モジュールの稼働率が低くなるためスループットが低下するが、既述のように、ウエハを複数の単位ブロックに対して順番に払い出し、処理が行われたウエハを夫々の単位ブロックから払い出しの順番に沿って搬出する構成では、他の単位ブロックにおいてもスループットが低下してしまうという問題がある。

例えば単位ブロックが２個設けられている場合には、ロットの１番目のウエハＷ１から順番に夫々の単位ブロックに対してウエハＷが交互に払い出される。つまり、一方の単位ブロックに、ロットの１番目のウエハＷ１、３番目のウエハＷ３、５番目のウエハＷ５・・・の順番で払い出され、他方の単位ブロックに、ロットの２番目のウエハＷ２、４番目のウエハＷ４、６番目のウエハＷ６・・・の順番で払い出される。

ここで、夫々の単位ブロックにｎ個の液処理モジュールが設けられている場合であって、一方の単位ブロックの液処理モジュールの一つにトラブルが発生したとすると、当該一方の単位ブロックの液処理モジュールの稼働率は、（ｎ−１）／ｎとなる。

そして、他方の単位ブロックにおいては、前記一方の単位ブロックとの間でウエハＷが交互に払い出され、夫々の単位ブロックから搬出される順番が決められていることから、一方の単位ブロックへのウエハの払い出しや、当該一方の単位ブロックからのウエハの搬出を待機しなければならない場合が発生する。例えば一方の単位ブロックに、ロットの７番目のウエハＷ７が搬送される前に前記液処理モジュールにトラブルが発生したとすると、当該ウエハＷ７は当初の搬送サイクルでトラブルが発生した液処理モジュールには搬送できないため、例えば次の搬送サイクルで他の液処理モジュールに搬送される。

従って、ロットの８番目のウエハＷ８は、他方の単位ブロックに対して、前記ウエハＷ７の払い出しを待って払い出されることになる。このため、他の液処理モジュールでは、ｎ個の液処理モジュールが使用できる状態にも関わらず、稼働していない液処理モジュールが発生してしまい、液処理モジュールの稼働率は（ｎ−１）／ｎとなってしまう。

従って、２個の単位ブロックに合計２ｎ個の液処理モジュールが組み込まれていて、一つの液処理モジュールにトラブルが発生した場合であっても、トータルの液処理モジュールの稼働率は（２ｎ−２）／２ｎとなり、装置全体のスループットが低下してしまう。この際、単位ブロックへのウエハの払い出しの順番を変えたり、ウエハの搬出の順番を変えようとすると、搬送制御が極めて困難になり、現実的ではない。

特開２００７−１１５８３１ 特開２００９−７６８９３（請求項８）

本発明はこのような事情の下になされたものであり、使用不可モジュールが発生したときに、スループットの低下を抑えることができる技術を提供することにある。

本発明は、搬入モジュールに置かれた基板を、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められたモジュール群に搬送手段により一枚ずつ搬送して前記モジュール群の下流端の搬出モジュールに受け渡すと共に、基板に対して同一の処理を行う単位ブロックを複数層備えた基板処理装置において、
前記モジュール群に含まれ、搬送の順番が同じであって、基板に塗布膜を形成する複数の塗布膜形成モジュールと、
前記複数の単位ブロックの夫々の搬入モジュールへ基板の払い出しを行う第１の受け渡し手段と、
前記搬送手段及び第１の受け渡し手段を制御する制御部と、
を備え、
前記複数の塗布膜形成モジュールはそれぞれ、前記塗布膜を形成するために薬液を基板に塗布する塗布膜形成機構と、塗布膜形成モジュールが使用不可モジュールになったときに当該使用不可モジュールに搬入されている基板の前記塗布膜を除去する塗布膜除去機構とを有し、
前記制御部は、前記単位ブロックに含まれる前記複数の塗布膜形成モジュールのうち、少なくとも一つが使用不可モジュールになりかつ少なくとも一つが使用できる状態にあるときには、第１の受け渡し手段により、複数の単位ブロックにおいて、最も早く載置可能になった搬入モジュールに基板を払い出し、前記複数の単位ブロックの夫々においては、前記使用不可モジュールに搬入されている基板と同一ロット内の他の基板を、基板が搬入モジュールに払い出された順番に沿って前記搬送手段によりモジュール群に順次搬送して搬出モジュールに受け渡すように制御信号を出力することを特徴とする。

他の発明は、搬入モジュールに置かれた基板を、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められたモジュール群に搬送手段により一枚ずつ搬送して前記モジュール群の下流端の搬出モジュールに受け渡すと共に、基板に対して同一の処理を行う単位ブロックを複数層備えた基板処理装置を用いた基板処理方法において、
前記モジュール群に含まれ、搬送の順番が同じである複数の塗布膜形成モジュールの各々にて、前記塗布膜を形成するために薬液を基板に塗布する工程と、
第１の受け渡し手段により、前記複数の単位ブロックの夫々の搬入モジュールへ基板の払い出しを行う工程と、
前記塗布膜形成モジュールが使用不可モジュールになったときに当該使用不可モジュールに搬入されている基板の前記塗布膜を当該塗布膜形成モジュールにて除去する工程と、
前記単位ブロックに含まれる前記複数の塗布膜形成モジュールのうち、少なくとも一つが使用不可モジュールになりかつ少なくとも一つが使用できる状態にあるときには、第１の受け渡し手段により、複数の単位ブロックにおいて、最も早く載置可能になった搬入モジュールに基板を払い出し、前記複数の単位ブロックの夫々においては、前記使用不可モジュールに搬入されている基板と同一ロット内の他の基板を、基板が搬入モジュールに払い出された順番に沿って前記搬送手段によりモジュール群に順次搬送して搬出モジュールに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする。

本発明によれば、使用不可モジュールが発生したときに当該モジュール内に搬入されている基板の後続の基板についても搬入モジュールに払い出されて処理されるので、基板が搬入モジュールへの搬送を待機する時間が短縮され、スループットの低下を抑えることができる。

本発明のレジストパターン形成装置の一実施の形態を示す平面図である。 前記レジストパターン形成装置を示す斜視図である。 前記レジストパターン形成装置を示す縦断側面図である。 前記レジストパターン形成装置の制御部の一例を示す構成図である。 通常時のウエハの搬送経路を示す縦断面図である。 通常時のＣＯＴ１層Ｂ３の搬送スケジュールである。 通常時のＣＯＴ２層Ｂ４の搬送スケジュールである。 使用不可モジュール発生時のウエハの搬送手法を示す工程図である。 使用不可モジュール発生時のウエハの搬送手法を示すフローチャートである。 ＣＯＴ１層Ｂ３に使用不可モジュールが発生したときのウエハの搬送経路を示す説明図である。 使用不可モジュール発生時のＣＯＴ１層Ｂ３の搬送スケジュールである。 使用不可モジュール発生時のＣＯＴ２層Ｂ４の搬送スケジュールである。 使用不可モジュール発生時の比較例のＣＯＴ１層Ｂ３の搬送スケジュールである。 使用不可モジュール発生時の比較例のＣＯＴ２層Ｂ４の搬送スケジュールである。 ＢＣＴ層に使用不可モジュールが発生したときのウエハの搬送経路を示す説明図である。 ＤＥＶ層に使用不可モジュールが発生したときのウエハの搬送経路を示す説明図である。 本発明の他の実施の形態の制御部を示す構成図である。 ウエハを層除外モードで搬送するときの搬送手法を示す工程図である。 ウエハを他層搬送モードで搬送するときの搬送手法を示す工程図である。 ウエハを調整モードで搬送するときの搬送手法を示す工程図である。 レジストパターン形成装置の他の例を示す斜視図である。 前記レジストパターン形成装置を示す平面図である。 前記レジストパターン形成装置を示す縦断面図である。 前記レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックを示す縦断面図である。 他のレジストパターン形成装置を示す縦断面図である。 他の制御部の構成図である。

以下本発明の塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置の一例について、図面を参照しながら簡単に説明する。図１は、前記レジストパターン形成装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図である。この装置は、キャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３と露光装置Ｓ４とを備えている。キャリアブロックＳ１では、載置台２１上に載置された密閉型のキャリア２０から受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して、当該ブロックＳ１に隣接された処理ブロックＳ２に受け渡すと共に、前記受け渡しアームＣが、処理ブロックＳ２にて処理された処理済みのウエハＷを受け取って前記キャリア２０に戻すように構成されている。

前記処理ブロックＳ２は、複数個例えば６個の単位ブロックが互いに積層されるように構成され、例えば、塗布膜の形成処理を行う複数個の塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理を行う複数個例えば２個の現像処理用の単位ブロック（ＤＥＶ１層Ｂ５、ＤＥＶ２層Ｂ６）とが互いに積層されている。この例では、前記塗布膜形成用の単位ブロックとして、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜を形成する例えば２個の反射防止膜形成用の単位ブロック（ＢＣＴ１層Ｂ１、ＢＣＴ２層Ｂ２）と、レジスト膜を形成する例えば２個のレジスト膜形成用の単位ブロック（ＣＯＴ１層Ｂ３、ＣＯＴ２層Ｂ４）と、を備えている。

これらＣＯＴ１層Ｂ３，ＣＯＴ２層Ｂ４及びＤＥＶ１層Ｂ５，ＤＥＶ２層Ｂ６はほぼ同様に構成されており、他の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しモジュールやバッファモジュールが多段に配置された棚ユニットＵ１と、各々薬液を塗布する液処理モジュールを複数個備えた液処理モジュール群Ｌと、前記液処理モジュール群Ｌにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系のモジュールを多段に配置した棚ユニットＵ２と、これら棚ユニットＵ１，Ｕ２の各部と液処理モジュール群Ｌの各モジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行なう搬送手段をなす搬送アームＡ３〜Ａ６と、を備えている。

例えば前記ＣＯＴ１層Ｂ３，ＣＯＴ２層Ｂ４、ＤＥＶ１層Ｂ５、ＤＥＶ２層Ｂ６は、図１にＣＯＴ１層Ｂ３を例にして示すように、図中Ｙ方向に伸びる搬送路Ｒを夫々備えている。前記搬送アームＡ３〜Ａ６は、当該搬送路Ｒにおいて、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、図中Ｙ軸方向に移動自在に構成されると共に、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のフォークを備えており、これらフォークが互いに独立して進退できるように構成されている。

液処理モジュール群Ｌと棚ユニットＵ２とは、前記搬送路Ｒに沿って互いに対向するように配置されている。また液処理モジュール群Ｌは複数個例えば４個の液処理モジュールが搬送路Ｒに沿って並ぶように配列されている。これら液処理モジュールとしては、ＣＯＴ１層Ｂ３，ＣＯＴ２層Ｂ４では、レジスト液を塗布する液処理モジュールＣＯＴ、ＤＥＶ１層Ｂ５，ＤＥＶ２層Ｂ６では、現像液を塗布する現像モジュールＤＥＶが夫々設けられている。

前記棚ユニットＵ１は、図１及び図３に示すように、前記棚ユニットＵ１の近傍に設けられた昇降自在及び進退自在な受け渡しアームＤによって当該棚ユニットＵ１の各部同士の間でウエハＷが搬送されるように構成されている。この棚ユニットＵ１には、受け渡しモジュールＴＲＳや、温調用の冷却モジュールを兼ねた受け渡しモジュールＳＣＰＷ、複数枚のウエハＷを載置可能なバッファと受け渡し部とを兼ねたバッファモジュールＢＵや、検査モジュール１０等が多段に設けられている。前記棚ユニットＵ２には、ウエハＷを加熱する加熱モジュールＣＰＨＰ等が組み込まれている。なお、受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａは、キャリアブロックＳ１の受け渡しアームＣとの間でウエハＷの受け渡しを行う際に用いられるモジュールである。

さらに、これらＣＯＴ１層Ｂ３、ＣＯＴ２層Ｂ４、ＤＥＶ１層Ｂ５、ＤＥＶ２層Ｂ６では、インターフェイスブロックＢ３側に棚ユニットＵ３が設けられている。この棚ユニットＵ３には各単位ブロックＢ３〜Ｂ６とインターフェイスブロックＢ３との間でウエハＷの受け渡しを行うために用いられる受け渡しモジュールＴＲＳや、前記受け渡し部とバッファとを兼ねたバッファモジュールＢＵ、前記温調機能を備えた受け渡しモジュールＳＣＰＷが多段に設けられている。例えば棚ユニットＵ１に設けられたバッファモジュールＢＵには８枚のウエハＷ、棚ユニットＵ３に設けられたバッファモジュールＢＵには８０枚のウエハＷが、夫々載置可能に構成されている。

前記、ＢＣＴ１層Ｂ１，ＢＣＴ２層Ｂ２は、液処理モジュールとして、レジストの下層側の反射防止膜形成用の薬液を塗布する液処理モジュールＢＣＴが設けられ、棚ユニットＵ３が設けられていない以外は、ＣＯＴ１層Ｂ３，ＣＯＴ２層Ｂ４と同様に構成されている。

ここで、単位ブロックに設けられるモジュール群の一例について、ＣＯＴ１層Ｂ３を例にして説明する。棚ユニットＵ１には、ＣＯＴ１層Ｂ３へウエハを搬入するときに用いられる複数個の受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２や、受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａ、ＢＵ３１が設けられている。また、液処理モジュール群Ｌとしては、４個の液処理モジュールＣＯＴ１１〜ＣＯＴ１４を備えており、棚ユニットＵ２には、複数個の加熱モジュールＣＰＨＰが配列されている。さらに、棚ユニットＵ３には、複数個の受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２、バッファモジュールＢＵ３２が設けられている。

この例では、前記液処理モジュールＣＯＴ１１〜ＣＯＴ１４は、各々その内部に基板が略水平に載置される基板保持部と、この基板保持部の周囲を囲むカップを備えており、この基板保持部をモジュールと呼ぶことにする。ＣＯＴ１層Ｂ３に設けられる全てのモジュールは、露光前に基板に塗布膜を形成するためのモジュール群に相当する。なおこれらモジュールは全てが使用されるわけではなく、処理レシピに応じて使用されるモジュールが選択される。

本発明では、ウエハＷに対して同一の処理を行う複数の単位ブロックが用意されているので、２個のＣＯＴ１層Ｂ３、ＣＯＴ２層Ｂ４は、夫々互いに同一のモジュール群を備え、これらモジュール群を構成するモジュールや、搬送アームＡ３，Ａ４の配置レイアウトが同一になるように構成されている。また、同様に２個のＢＣＴ１層Ｂ１、ＢＣＴ２層Ｂ２、２個のＤＥＶ１層Ｂ５、ＤＥＶ２層Ｂ６も夫々互いに同一のモジュール群を備え、これらモジュール群を構成するモジュールや、搬送アームＡ１，Ａ２，Ａ５，Ａ６の配置レイアウトが同一になるように構成されている。

前記インターフェイスブロックＳ３には、インターフェイスアームＥが設けられている。このインターフェイスアームＥは棚ユニットＵ３の各受け渡しモジュールＴＲＳ、バッファモジュールＢＵ及び露光装置Ｓ４の搬入ステージや搬出ステージにアクセスし、これらの間でウエハＷを受け渡すように、昇降自在、進退自在及び鉛直軸周りに回転自在に構成されている。

そして上述のレジストパターン形成装置は、各モジュールのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理、各モジュールにおける処理、受け渡しアームＣ、受け渡しアームＤ、搬送アームＡ１〜Ａ６、インターフェイスアームＥ等の駆動制御を行うコンピュータからなる制御部３を備えている。この制御部３は、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、各モジュールにおける処理やウエハＷの搬送等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムを備えている。そしてこれらプログラムが制御部３に読み出されることにより、制御部によってレジストパターン形成装置全体の作用が制御される。なおこのプログラムは、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態で格納される。

図４は制御部３の構成を示すものであり、実際にはＣＰＵ（中央モジュール）、プログラム及びメモリなどにより構成されるが、本発明ではモジュールが使用不可になったときのウエハＷの搬送に特徴があるので、ここではそれに関連する構成要素の一部をブロック化して説明するものとする。図４中３０はバスであり、このバス３０にレシピ格納部３１、レシピ選択部３２、搬送スケジュール変更部３３、搬送制御部３４、搬送制御プログラム３５、アラーム発生手段３６等が接続されている。

また、各モジュールＭはコントローラＣ０を介して制御部３に接続されており、各々のモジュールＭにてトラブルが発生したときには、当該モジュールＭからコントローラＣ０を介して制御部３にアラーム信号が出力されるようになっている。さらに、ウエハが所定のタイミングで受け渡しアームＤや搬送アームＡ１〜Ａ６に受け渡されない場合にも、制御部３にアラーム信号が出力されるようになっている。なお、前記モジュールＭには、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ３に組み込まれた全てのモジュールと、液処理モジュールとが含まれる。

レシピ格納部３１は記憶部に相当する部位であり、例えばウエハＷの搬送経路が記録されている搬送レシピや、この搬送レシピに基づき、ロット内の全てのウエハＷについてどのタイミングでどのモジュールに搬送するかといった内容の搬送スケジュールや、ウエハＷに対して行う処理条件などが記録された複数のレシピが格納される部位である。レシピ選択部３２はレシピ格納部３１に格納されたレシピから適当なものを選択する部位であり、使用するモジュールＭの選択等もできるようになっている。

搬送スケジュール変更部３３は、ウエハＷの搬送中に、当該ウエハＷの搬送予定のモジュールが使用不可モジュールとなったときに、後述するように搬送スケジュールを書き換える部位である。搬送制御部３４は、前記搬送スケジュールを参照し、搬送サイクルデータに書き込まれているウエハを、そのウエハに対応するモジュールに搬送するように、受け渡しアームＣや受け渡しアームＤ、搬送アームＡ１〜Ａ６、インターフェイスアームＥを制御し、これにより搬送サイクルを実行する手段である。
搬送制御プログラム３５は、ウエハＷの搬送中に、当該ウエハＷの搬送予定のモジュールが使用不可モジュールとなったときに駆動するプログラムである。このプログラムは、例えばモジュールにてトラブルが発生したり、ウエハＷの搬送が乱れたりしたときに発生されるアラーム信号に基づいて駆動される。また、オペレータがコンピュータの表示画面により、使用不可モジュールを選択することによっても駆動されるようになっている。この使用不可モジュールとは、モジュールにトラブルが発生したか、メンテナンス等により、ウエハを搬入できないモジュールをいう。また、オペレータが使用不可モジュールを選択するときとは、モジュールにメンテナンスを行う場合や、プロセスが正常にできないモジュールを使用不可モジュールとする場合等が含まれる。ここでプロセスが正常にできないとは他のマルチモジュールとの差が発生する場合をいう。このような場合、当該モジュールを使用しないようにレシピを変更すると、当該モジュールが正常に戻った場合再度レシピを変更しなければならず、レシピが複数存在するとそのレシピ数分作業が発生するため、使用不可モジュールとすることが好ましい。

そして、使用不可モジュールが発生し、後述する搬送制御が実施可能であるときには、例えばコンピュータの表示画面に使用不可モジュールが発生した旨を表示し、受け渡しアームＣ、受け渡しアームＤ、搬送アームＡ１〜Ａ６、インターフェイスアームＥを制御すると共に、搬送スケジュールの変更を行って後述の搬送制御を実施する。一方、使用不可モジュールが発生した場合であっても、後述する搬送制御が実施不可能であるときには、アラーム発生手段３６によりアラームを出力すると共に、装置を停止する。このアラーム発生手段３６によっては、ランプの点灯やアラーム音の発生、表示画面へのアラーム表示等のアラーム発生が行われる。

ここで、搬送制御が実施可能であるときとは、マルチモジュールを構成する複数のモジュールの少なくとも一つが使用できる状態にある場合をいう。この際、マルチモジュールとは、ウエハが各々載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群の中で、搬送の順番が同じであって、ウエハに対して同一の処理を行う複数のモジュール、つまり搬送レシピの同じステップに設定された複数のモジュールをいう。一方、搬送制御が実施不可能であるときとは、搬送レシピの同じステップに一つのモジュールしか設定されていない場合や、搬送レシピの同じステップに複数のモジュールが設定されているが、使用できる状態にあるモジュールがない場合である。

続いて、ウエハに対して同一の処理を行う複数の単位ブロックがＣＯＴ１層Ｂ３とＣＯＴ２層Ｂ４である場合を例にして、本発明の搬送制御について具体的に説明する。先ず、前記レジストパターン形成装置での通常時のウエハＷの流れの一例について説明する。キャリアブロックＳ１からのウエハＷは受け渡しアームＣにより、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＳＣＰＷ、例えばＢＣＴ１層Ｂ１、ＢＣＴ２層Ｂ２の対応する受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１，１２、ＳＣＰＷ２１，２２に順次搬送される。この場合、ＢＣＴ層は２層であるので、ロット内のウエハＷは、先頭から順にＢＣＴ１層Ｂ１と、ＢＣＴ２層Ｂ２に交互に搬送され、例えば奇数番のウエハＷ_{（２ｎ+１）}はＢＣＴ１層Ｂ１へ、偶数番のウエハＷ_２ｎはＢＣＴ２Ｂ２層へ夫々払い出される。

ＢＣＴ層Ｂ１（Ｂ２）内では、ウエハＷは搬送アームＡ１（Ａ２）により、液処理モジュールＢＣＴ→加熱モジュールＣＰＨＰ→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１，１２（ＴＲＳ２１，２２）の経路で搬送され、ウエハＷには反射防止膜が形成される。

その後、例えばＢＣＴ層Ｂ１（Ｂ２）のウエハＷは、棚ユニットＵ１内において受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＴＲＳ１１，１２（ＴＲＳ２１，２２）から受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２（ＳＣＰＷ４１，４２）に搬送され、このウエハＷは搬送アームＡ３（Ａ４）により、ＣＯＴ層Ｂ３（Ｂ４）内に受け渡される。そして、ＣＯＴ層Ｂ３（Ｂ４）内において、液処理モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＣＰＨＰ→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２（ＴＲＳ４１，４２）の経路で搬送され、ウエハＷには反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。

そして、棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２、ＴＲＳ４１，４２のウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４の搬入ステージに搬送され、所定の露光処理が行われた後、露光装置Ｓ４の搬出ステージからインターフェイスアームＥにより棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＳＣＰＷ５１，５２、ＳＣＰＷ６１，６２に載置される。この例では、例えば奇数番のウエハＷ_{（２ｎ+１）}は前記受け渡しモジュールＳＣＰＷ５１，５２へ、偶数番のウエハＷ_（２ｎ）は前記受け渡しモジュールＳＣＰＷ６１，６２へ夫々払い出される。

次いで、受け渡しモジュールＳＣＰＷ５１,５２（ＳＣＰＷ６１，６２）のウエハＷは、搬送アームＡ５（Ａ６）によりＤＥＶ層Ｂ５（Ｂ６）へ受け取られ、ＤＥＶ層Ｂ５（Ｂ６）内では、液処理モジュールＤＥＶ→加熱モジュールＣＰＨＰ→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ５１，５２（ＴＲＳ６１，６２）の経路で搬送される。そして、ウエハＷは、検査モジュール１０に搬送される場合には、受け渡しアームＤにより、キャリア２０から払い出された順番に沿って検査モジュール１０に搬送して所定の検査を行い、次いで、受け渡しアームＤにより、キャリア２０から払い出された順番に沿って受け渡しモジュールＴＲＳ―Ａに搬送する。この後、受け渡しアームＣにより、キャリア２０から払い出された順番に沿ってキャリア２０に戻される。また、検査モジュール１０に搬送しない場合には、受け渡しアームＤにより、キャリア２０から払い出された順番に沿って、受け渡しモジュールＴＲＳ―Ａに搬送し、この後、受け渡しアームＣにより、キャリア２０から払い出された順番に沿ってキャリア２０に戻される。

この際、ウエハＷは、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６における夫々のモジュール群に対して、後述の搬送スケジュールに従って搬送アームＡ１〜Ａ６によりウエハＷの搬送が行われる。つまり、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６では、各々の搬送アームＡ１〜Ａ６により、夫々のモジュール群において、一のモジュールからウエハＷを取り出し、次のモジュールのウエハＷを受け取ってから当該次のモジュールに先のウエハＷを受け渡し、こうして各モジュールに置かれたウエハＷを一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールにウエハＷが順次搬送されて所定の処理が行われるようになっている。

ここで各単位ブロックＢ１〜Ｂ６内では、搬送アームＡ１〜Ａ６は、搬入モジュールをなす受け渡しモジュールＳＣＰＷからウエハを受け取り、当該ウエハを既述の搬送経路に沿って、順次前記搬送サイクルの下流端の搬出モジュールである受け渡しモジュールＴＲＳまで搬送し、こうして単位ブロックＢ１〜Ｂ６内にて夫々搬送サイクルを行うように構成されている。

既述の搬送では、ＣＯＴ１層Ｂ３（ＣＯＴ２層Ｂ４）における搬送レシピは、ステップ１では、２個の受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２（ＳＣＰＷ４１，４）、ステップ２では２個の液処理モジュールＣＯＴ１１，１２（ＣＯＴ２１，２２）、ステップ３では４個の加熱モジュールＣＰＨＰ３１〜３４（ＣＰＨＰ４１〜４４）、ステップ４では２個の受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２（ＴＲＳ４１，４２）が夫々設定されるものとする。従って、ＣＯＴ１層Ｂ３（ＣＯＴ２層Ｂ４）では、受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２（ＳＣＰＷ４１，４２）、液処理モジュールＣＯＴ１１，１２（ＣＯＴ２１，２２）、加熱モジュールＣＰＨＰ３１〜３４（ＣＰＨＰ４１〜４４）、受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２（ＴＲＳ４１，４２）が夫々マルチモジュールとして設定されている。

ここで、ＣＯＴ１層Ｂ３、ＣＯＴ２層Ｂ４における通常時の搬送制御の一例について、より詳しく図５を用いて説明する。キャリア２０からロットの（４ｎ−３）番目つまり１番目、５番目・・・に払い出されたウエハＷ_{（４ｎ−３）}は受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１→ＢＣＴ１層Ｂ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１１→受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１の系路でＣＯＴ１層Ｂ３に搬送され、レジスト膜が形成された後、受け渡しモジュールＴＲＳ３１に搬送される。同様に、キャリア２０からロットの（４ｎ−２）番目つまり２番目、６番目・・・に払い出されたウエハＷ_{（４ｎ−２）}は受け渡しモジュールＳＣＰＷ２１→ＢＣＴ２層Ｂ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２１→受け渡しモジュールＳＣＰＷ４１の系路でＣＯＴ２層Ｂ４に搬送され、レジスト膜が形成された後、受け渡しモジュールＴＲＳ４１に搬送される。

また、キャリア２０からロットの（４ｎ−１）番目つまり３番目、７番目・・・に払い出されたウエハＷ_{（４ｎ−１）}は受け渡しモジュールＳＣＰＷ１２→ＢＣＴ１層Ｂ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１２→受け渡しモジュールＳＣＰＷ３２の系路でＣＯＴ１層Ｂ３に搬送され、レジスト膜が形成された後、受け渡しモジュールＴＲＳ３２に搬送される。さらに、キャリア２０からロットの４ｎ番目つまり４番目、８番目・・・に払い出されたウエハＷ_４ｎは受け渡しモジュールＳＣＰＷ２２→ＢＣＴ２層Ｂ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２２→受け渡しモジュールＳＣＰＷ４２の系路でＣＯＴ２層Ｂ４に搬送され、レジスト膜が形成された後、受け渡しモジュールＴＲＳ４２に搬送される。この場合、受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２，４１,４２には、キャリア２０から払い出された順番に沿って、ウエハＷが搬送される。

そして、各受け渡しモジュールＴＲＳ３１,３２,４１,４２のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、キャリア２０から払い出された順番に沿って露光装置Ｓ４の搬入ステージに搬送される。この際、露光装置Ｓ４の搬入ステージが搬入可能であればそのまま搬送され、搬入可能でなければ、一旦バッファモジュールＢＵ３２，ＢＵ４２に搬送される。露光装置Ｓ４の搬入ステージが搬入可能ではない場合とは、露光装置Ｓ４側が処理ブロックＳ２よりもスループットが小さく、露光装置Ｓ４への搬入ステージに搬送順番が若いウエハＷが存在する場合である。

このときの搬送スケジュールのシミュレーション例について、ＣＯＴ１層Ｂ３は図６、ＣＯＴ２層Ｂ４は図７に夫々示す。この搬送スケジュールでは、縦軸は搬送サイクル、横軸はモジュール群を構成するモジュールを夫々示し、受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２（ＳＣＰＷ４１，４２）が搬入モジュール、受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２（ＴＲＳ４１，４２）が搬出モジュールに夫々相当する。また、Ｗ１はロットの１番目のウエハ、Ｗ２はロットの２番目にウエハを夫々示している。この搬送スケジュールの右側に書かれた数字は、夫々の搬送サイクルが開始されてから終了するまでの時間である。また、このシミュレーション結果では、ロットの最初のウエハＷ１が受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１に載置されてから、ロットの最終のウエハＷ５０が受け渡しモジュールＴＲＳ４２に載置されるまでの時間は７８３．４秒である。

この際、受け渡しアームＤはＢＣＴ１層Ｂ１又はＢＣＴ２層Ｂ２から搬出されたウエハＷを、最も早く搬送可能になった搬入モジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２に搬送し、ウエハＷが搬入モジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２からモジュール群の最初のモジュールである液処理モジュールＣＯＴに受け渡されたときに搬送サイクルが開始される。そして、通常時には、既述の図５に示すように、ウエハＷがキャリア２０から払い出された順番に沿って、１番目のウエハＷから順に搬入モジュールＳＣＰＷ３１，ＳＣＰＷ４１，ＳＣＰＷ３２，ＳＣＰＷ４２に搬入されるようになっている。

続いて、ＣＯＴ１層Ｂ３において、加熱モジュールＣＰＨＰの一つが使用不可モジュールとなりかつ少なくとも一つが使用できる状態にあるときの搬送制御の一例について、図８〜図１０を用いて説明する。この場合、前記搬送制御プログラム３５により、図８に示すような搬送制御が行われる。つまり、使用不可モジュールが発生すると（ステップＳ１）、第１の受け渡し手段をなす受け渡しアームＤにより、ＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４において、最も早く載置可能になった搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２）にウエハＷを払い出す（ステップＳ２）。ここで最も早く載置可能になるとは、受け渡しモジュールＳＣＰＷに置かれた前のウエハが搬送アームＡ３，Ａ４により受け取られたタイミングが最も早いことをいう。

そして、ＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４の夫々においては、ウエハＷが搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２）に払い出された順番に沿って、搬送アームＡ３，Ａ４によりウエハＷをモジュール群に順次搬送して搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２，４１，４２）に受け渡す（ステップＳ３）。

次いで、ウエハＷが搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２）に払い出された順番に沿って、第２の受け渡し手段であるインターフェイスアームＥによりウエハＷを搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２，４１，４２）から取り出し、後段モジュールである露光装置Ｓ４又は基板載置部であるバッファモジュールＢＵ３２，４２に搬送する（ステップＳ４）。

この後、通常時に第１の受け渡し手段（受け渡しアームＤ）によりウエハＷがＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４の搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２）に払い出される一定の順番に沿って、第２の受け渡し手段（インターフェイスアームＥ）により搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２，４１，４２）又はバッファモジュールＢＵ３２，４２から露光装置Ｓ４の搬入ステージにウエハＷを搬送する（ステップＳ５）。

実際には図９に示すフローチャートに従って搬送制御が実行される。使用不可モジュールの発生前は、ＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４では、通常時の搬送スケジュールに沿って夫々ウエハＷの搬送が行われる（ステップＳ１０）。ＣＯＴ１層Ｂ３の加熱モジュールＣＰＨＰ３１にトラブルが発生して、当該モジュールが使用不可モジュールとなると（ステップＳ１１）、当該加熱モジュールＣＰＨＰ３１にウエハＷを搬送しないように搬送スケジュールが書き換えられる（ステップＳ１２）。

そして、使用不可モジュールが発生した後に、ＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４に搬入されるウエハＷは、受け渡しアームＤにより、搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１,３２，４１,４２）の内、最も早く載置可能になったモジュールに搬送する（ステップＳ１３）。

ウエハＷが搬入モジュールに載置されると、当該搬入モジュールが、搬送スケジュールに記載された搬入モジュールと同じか否かを判断し（ステップＳ１４）、同じ場合には、搬送スケジュールに従って、ＣＯＴ１層Ｂ３又はＣＯＴ２層Ｂ４内においてウエハＷの搬送を１サイクル分実行する（ステップＳ１５）。

一方、ウエハＷが載置された搬入モジュールが、搬送スケジュールに記載された搬入モジュールと異なる場合には、前記搬入モジュールに搬入されたウエハＷが当該搬送サイクルにて搬入モジュールに置かれるウエハＷと同じになるように、前記搬送スケジュールを書き換える（ステップＳ１６）。そして、書き換えられた搬送スケジュールに従って、ＣＯＴ１層Ｂ３又はＣＯＴ２層Ｂ４内においてウエハＷの搬送を１サイクル実行する（ステップＳ１７）。

次いで、当該ウエハＷがロットの最終のウエハか否かを判断し（ステップＳ１８）、最終ウエハである場合には、当該搬送スケジュールに従ってウエハＷの搬送を実行する（ステップＳ１０）、最終ウエハではない場合には、当該ウエハの次にＢＣＴ１層Ｂ１又はＢＣＴ２層Ｂ２から払い出されたウエハＷについて、ステップＳ１３から同様に搬送を実行する（ステップＳ２０）。

こうして、ＣＯＴ１層Ｂ３、ＣＯＴ２層Ｂ４の夫々においては、搬送スケジュールに従って、ウエハＷが搬入モジュールに払い出された順番に沿って順次搬送して搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１,３２，４１，４２）に受け渡す。そして、この搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１,３２，４１，４２）のウエハＷは、既述のように、インターフェイスアームＥにより、ウエハＷが搬入モジュールに払い出された順番に沿って取り出される。

次いで、ウエハＷは、インターフェイスアームＥによりキャリア２０から払い出された順番に沿って露光装置Ｓ４の搬入ステージに搬送される。つまり、搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１,３２，４１，４２）のウエハＷが、露光装置Ｓ４の搬入ステージに搬送される順番であれば、そのまま前記搬入ステージに搬送され、前記順番でなければ一旦バッファモジュールＢＵ３１，４１に搬送される。そして、インターフェイスアームＥにより、搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２，４１，４２）から直接、又はバッファモジュールＢＵ３１，４１を介して露光装置Ｓ４の搬入ステージに、通常時に受け渡しアームＤによりＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４にウエハＷが払い出される一定の順番に沿ってウエハＷを搬送する。

このときの搬送スケジュールのシミュレーション結果について、ＣＯＴ１層Ｂ３は図１１、ＣＯＴ２層Ｂ４を図１２に夫々示す。この搬送スケジュールでは、ＣＯＴ２層Ｂ４において、サイクル１９にてロットの４１番目のウエハＷ４１が受け渡しモジュールＳＣＰＷ４１に搬送されたとき、サイクル２１にてロットの４４番目のウエハＷ４４が受け渡しモジュールＳＣＰＷ４１に搬送されたとき、サイクル２４にてロットの４９番目のウエハＷ４９が受け渡しモジュールＳＣＰＷ４２に搬送されたときに、夫々搬送スケジュールが書き換えられている。また、このシミュレーション結果によれば、最初のウエハＷ１が受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１に載置されてから、最終ウエハＷ５０が受け渡しモジュールＴＲＳ３２に載置されるまでの時間は８４３．４秒である。

上述の実施の形態によれば、ＣＯＴ１層Ｂ３の加熱モジュールＣＰＨＰの一つが使用不可モジュールとなったとしても、当該ＣＯＴ１層Ｂ３の他の加熱モジュールＣＰＨＰが使用可能である場合は、ＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４の搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２）の内、最も早く載置可能になった搬入モジュールに搬入している。

このため、加熱モジュールＣＰＨＰの一つが使用不可モジュールになったとしても、ＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４に交互にウエハＷを搬入する場合に比べて、スループットの低下を抑えることができる。搬入モジュールが空いた単位ブロックに順次ウエハが払い出されるので、使用可能な加熱モジュールＣＰＨＰがウエハＷの搬送を待機するといったことが抑えられ、使用可能な加熱モジュールＣＰＨＰの稼働効率の低下を抑制できるからである。

これに対して、ＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４に交互にウエハＷを搬入する場合には、使用不可モジュールが発生していないＣＯＴ２層Ｂ４において、使用不可モジュールが発生したＣＯＴ１層Ｂ３へのウエハＷの搬入や、ＣＯＴ１層Ｂ３からのウエハＷの搬出を待機する必要があり、ＣＯＴ２層Ｂ４において、搬送可能な加熱モジュールＣＰＨＰにウエハＷが搬送されずに、稼働率が低くなり、スループットが低下してしまう。

ここで、ＣＯＴ１層Ｂ３の加熱モジュールＣＰＨＰ３１が使用不可モジュールになったときに、ＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４に交互にウエハを払い出す場合の搬送スケジュールのシミュレーション結果について、ＣＯＴ１層Ｂ３を図１３に、ＣＯＴ２層Ｂ４を図１４に夫々示す。このシミュレーション結果によれば、最初のウエハＷ１が受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１に載置されてから、最終ウエハＷ５０が受け渡しモジュールＴＲＳ４２に載置されるまでの時間は８９１．７秒であり、本発明の搬送制御に比べてスループットが低いことが理解される。

この際、本発明では、ウエハがＣＯＴ１層Ｂ３、ＣＯＴ２層Ｂ４に交互に搬送されるわけではないので、一方のＣＯＴ層の搬出モジュールから連続した順番でウエハＷが払い出されることもあるが、ＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４の搬出モジュールの下流側に設けられたバッファモジュールＢＵ３２，４２を利用して、露光装置Ｓ４に搬送される前にウエハＷを一旦整列させているので、キャリア２０からウエハＷが払い出される順番で露光装置Ｓ４に搬送することができる。

従って、ＣＯＴ１層Ｂ３，ＣＯＴ２層Ｂ４の夫々では、搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２）に払い出された順番に沿ってウエハが搬送され、そのまま搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２，４１，４２）に搬送されるので、ＣＯＴ層Ｂ３，ＣＯＴ２層Ｂ４内において、ウエハの搬送順番が入れ替わるといったことがなく、搬送制御の複雑化が抑えられる。

続いて、他の単位ブロックにおける搬送例について説明する。図１５は、ＢＣＴ１層Ｂ１、ＢＣＴ２層Ｂ２のいずれかのマルチモジュールの少なくとも一つが使用不可モジュールになりかつ少なくとも一つが使用できる状態にあるときに、ＣＯＴ１層Ｂ３、ＣＯＴ２層Ｂ４に搬送する前に、一旦ウエハＷをキャリア２０から払い出された順番に整列させる場合の搬送例である。

この場合、第１の受け渡し手段をなす受け渡しアームＣにより、ＢＣＴ１層Ｂ１，ＢＣＴ２層Ｂ２において最も早く載置可能になった搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１，１２，２１，２２）にウエハＷを払い出す。そして、ＢＣＴ１層Ｂ１、ＢＣＴ２層Ｂ２の夫々においては、ウエハＷが搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１，１２，２１，２２）に払い出された順番に沿って、搬送アームＡ１，Ａ２によりウエハＷをモジュール群に順次搬送して搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ１１，１２，２１，２２）に受け渡す。

次いで、ウエハＷが搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１，１２，２１,２２）に払い出された順番に沿って、第２の受け渡し手段をなす受け渡しアームＤによりウエハＷを搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ１１，１２，２１，２２）から取り出し、後段モジュールであるＣＯＴ１層Ｂ３、ＣＯＴ２層Ｂ４の受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１,３２,４１,４２又は基板載置部であるバッファモジュールＢＵ１，ＢＵ２に搬送する。

続いて、通常時に受け渡しアームＣによりウエハＷがＢＣＴ１層Ｂ１，ＢＣＴ２層Ｂ２の受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１，１２，２１，２２に払い出される一定の順番に沿って、受け渡しアームＤにより搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ１１，１２，２１，２２）又はバッファモジュールＢＵ１，ＢＵ２からＣＯＴ１層Ｂ３、ＣＯＴ２層Ｂ４の受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２にウエハＷを搬送する。

つまり、ＣＯＴ１層Ｂ３の受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１にロットの（４ｎ−３）番目のウエハＷ_{（４ｎ−３）}、ＣＯＴ１層Ｂ３の搬入モジュールＳＣＰＷ３２にロットの（４ｎ−１）番目のウエハＷ_{（４ｎ−１）}、ＣＯＴ２層Ｂ４の搬入モジュールＳＣＰＷ４１にロットの（４ｎ−２）番目のウエハＷ_{（４ｎ−２）}、ＣＯＴ１層Ｂ４の搬入モジュールＳＣＰＷ４２にロットの４ｎ番目のウエハＷ_４ｎを夫々搬送する。

なお、ＢＣＴ１層Ｂ１、ＢＣＴ２層Ｂ２のいずれかのマルチモジュールの少なくとも一つが使用不可モジュールになりかつ少なくとも一つが使用できる状態にあるときには、ＢＣＴ１層Ｂ１、ＢＣＴ２層Ｂ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１１，１２，２１，２２から、ウエハＷがＢＣＴ１層Ｂ１，ＢＣＴ２層Ｂ２の搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１，１２，２１，２２）に払い出された順番で、そのまま受け渡しアームＤによりＣＯＴ１層Ｂ３，ＣＯＴ２層Ｂ４の受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２に搬送する。そして、ＣＯＴ１層Ｂ３，ＣＯＴ２層Ｂ４の搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２，４１，４２）から露光装置Ｓ４にウエハＷを搬送する際に、バッファモジュールＢＵ３２，ＢＵ４２を利用して、キャリア２０から払い出された順番に沿ってインターフェイスアームＥによりウエハＷを搬送するようにしてもよい。

また、図１６は、ＤＥＶ１層Ｂ５，ＤＥＶ２層Ｂ６にて現像処理されたウエハＷを、一旦検査モジュール１０に搬送し、ここで所定の検査を行ってから、キャリア２０内に戻す場合に、ＤＥＶ１層Ｂ５,ＤＥＶ２層Ｂ６のいずれかのマルチモジュールの少なくとも一つが使用不可モジュールになりかつ少なくとも一つが使用できる状態にあるときに、検査モジュール１０に搬送する前に、一旦ウエハＷをキャリア２０から払い出された順番に整列させる場合の搬送例である。

この場合、第１の受け渡し手段をなすインターフェイスアームＥにより、ＤＥＶ１層Ｂ５,ＤＥＶ２層Ｂ６において最も早く載置可能になった搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ５１，５２，６１，６２）にウエハＷを払い出す。そして、ＤＥＶ１層Ｂ５，ＤＥＶ２層Ｂ６の夫々においては、ウエハＷが搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ５１，５２，６１，６２）に払い出された順番に沿って、搬送アームＡ５，Ａ６によりウエハＷをモジュール群に順次搬送して搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ５１，５２，６１，６２）に受け渡す。

続いて、ウエハＷが搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ５１，５２，６１，６２）に払い出された順番に沿って、第２の受け渡し手段をなす受け渡しアームＤによりウエハＷを搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ５１，５２，６１，６２）から取り出し、後段モジュールである検査モジュール１０又は基板載置部であるバッファモジュールＢＵ５１，ＢＵ６１に搬送する。

こうして、通常時にインターフェイスアームＥによりウエハＷがＤＥＶ１層Ｂ５，ＤＥＶ層Ｂ６の搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ５１，５２，６１，６２）に払い出される一定の順番に沿って、受け渡しアームＤにより搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ５１，５２，６１，６２）又はバッファモジュールＢＵ５１，ＢＵ６１から検査モジュール１０にウエハＷを搬送する。検査モジュール１０では、例えば現像欠陥等の検査が行われる。

次いで、検査モジュール１０にて所定の検査が行われたウエハＷは、受け渡しアームＤにより、キャリア２０から払い出された順番に沿って、受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａに搬送される。そして、受け渡しアームＣにより、キャリア２０から払い出された順番に沿って、キャリア２０内に戻される。

続いて本発明の他の実施の形態について説明する。この実施の形態では、使用不可モジュールが発生したときに、オペレータが搬送モードを選択できるように構成されている。当該実施の形態の制御部３は、図１７に示すように、モード選択部４を備えており、このモード選択部４では、通常モード、複数層搬送モード、層除外モード、他層搬送モード、調整モードが例えばコンピュータの表示画面から選択できるように構成されている。前記通常モードは、上述の実施の形態にて図５にて説明したように通常時の搬送モードであり、複数層搬送モードは、上述の実施の形態にて図１０，図１５，図１６で説明した使用不可モジュールが発生したときの搬送モードである。

これら複数層搬送モード、層除外モード、他層搬送モード、調整モードは、いずれも使用不可モジュールが発生したときに選択される搬送モードであるが、使用不可モジュールの状況に応じて、いずれかの搬送モードが選択される。

先ず、層除外モードについて図１８を用いて説明する。当該層除外モードは、一の単位ブロックにおいて、マルチモジュールに設定された全てのモジュールが使用不可モジュールになったとき（ステップＳ３１）に選択される。この場合、当該一の単位ブロックの搬入モジュールへのウエハの搬送を禁止し、指定された他の単位ブロックの搬入モジュールへウエハを搬送するように指令を出力する（ステップＳ３２）。

例えばＣＯＴ１層Ｂ３の全ての加熱モジュールＣＰＨＰ３１〜３４が使用不可モジュールとなった場合を例にして具体的に説明すると、指定されたＣＯＴ２層Ｂ４の搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ４１，４２）へウエハを搬送するように、受け渡しアームＤに指令を出力する。

次いで、指定された他の単位ブロック（ＣＯＴ２層Ｂ４）では、ウエハを、搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ４１，４２）に払い出された順番に沿って、モジュール群に順次搬送して搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ４１，４２）に受け渡す（ステップＳ３３）。

一方、当該単位ブロック（ＣＯＴ１層Ｂ３）では、次のように搬送が行われる。先ず、使用不可モジュールの下流側のモジュール内のウエハは、モジュール群に順次搬送して搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２）に受け渡し、処理を続行する（ステップＳ３４）。つまり、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４にウエハＷを搬送する。

そして、使用不可モジュールの上流側のモジュール内のウエハは、使用不可モジュールを抜かして残りのモジュール群に順次搬送し、Ａｂｏｒｔウエハとして搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２）に受け渡し、回収する（ステップＳ３５）。Ａｂｏｒｔウエハとは、処理が途中で中止されたウエハである。または、図３に示す棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ３３→受け渡しアームＤ→受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａの系路で搬送し、キャリアブロックＳ１の受け渡しアームＣによりキャリア内に回収するようにしてもよい。つまり、Ａｂｏｒｔウエハは、ＣＯＴ１層Ｂ３からインターフェイスブロックＳ３やＤＥＶ１層Ｂ５、ＤＥＶ２層Ｂ２を介して回収するようにしてもよいし、ＣＯＴ１層Ｂ３から直接キャリアブロックＳ１に回収するようにしてもよい。

この例では、使用不可モジュールが加熱モジュールＣＰＨＰ３１〜ＣＰＨＰ３４であるので、加熱モジュールＣＰＨＰ３１〜ＣＰＨＰ３４に搬送せずに、液処理モジュールの次に搬出モジュールＴＲＳ３１，３２に搬送する。この後、使用不可モジュール内のウエハを回収する（ステップＳ３６）。

続いて、他層搬送モードについて図１９を用いて説明する。当該他層搬送モードも、一の単位ブロックにおいて、マルチモジュールに設定された全てのモジュールが使用不可モジュールになったとき（ステップＳ４１）に選択される。そして、使用不可モジュールが発生した単位ブロック（ＣＯＴ１層Ｂ３）の搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２）のウエハＷが、指定された他の単位ブロックであるＣＯＴ２層Ｂ４の搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ４１，４２）に受け渡しアームＤにより搬送するように指令を出力する（ステップＳ４３）。これ以外の工程（ステップＳ４２，４４〜４７）は、上述の層除外モードの工程（ステップＳ３２〜３６）と同様に実施される。

次に、調整モードについて図２０を用いて説明する。当該調整モードは、例えば液処理モジュールにおいて、薬液の流量が異なるとき等、オペレータの調整によりトラブルが解消される場合に選択される。この場合、例えば一の単位ブロック（ＣＯＴ１層Ｂ３）において、マルチモジュールに設定された一つのモジュール例えば液処理モジュールＣＯＴが使用不可モジュールになったときに（ステップＳ５１）、当該ＣＯＴ１層Ｂ３の搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２）へのウエハの搬送及び他の単位ブロックであるＣＯＴ２層Ｂ４への搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ４１，４２）へのウエハの搬送を一旦停止する（ステップＳ５２）。

そして、ＣＯＴ２層Ｂ４内のウエハはモジュール群に順次搬送して、搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ４１，４２）に受け渡し、露光装置Ｓ４へ搬送して処理を続行する（ステップＳ５３）。一方、ＣＯＴ１層Ｂ３では、使用不可モジュールの下流側のモジュール内のウエハは、モジュール群に順次搬送して搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２）に受け渡し、露光装置Ｓ４へ搬送して処理を続行する（ステップＳ５４）。

また、ＣＯＴ１層Ｂ３の使用不可モジュールに対しては、オペレータによる調整作業を実施し、調整作業終了後に例えばコンピュータの表示画面上に設定された再開ボタンをＯＮ状態にする（ステップＳ５５）。前記調整作業は、例えばレジスト液の流量に異常が発生した場合に、設定された流量に調整する作業等である。

こうして、ＣＯＴ１層Ｂ３及びＣＯＴ２層Ｂ４の搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２，４１，４２）へのウエハの搬入を再開する（ステップＳ５６）。そして、当該ＣＯＴ１層Ｂ３では、使用不可モジュール内のウエハ及び使用不可モジュールの上流側のウエハを、搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１，３２）に搬入された順番に沿ってモジュール群に順次搬送して搬出モジュール（受け渡しモジュールＴＲＳ３１，３２）に受け渡し、処理を続行する（ステップＳ５７）。ＣＯＴ２層Ｂ４では、搬入（受け渡しモジュールＳＣＰＷ４１，４２）に搬入された順番に沿ってモジュール群に順次搬送して搬出モジュール８受け渡しモジュールＴＲＳ４１，４２）に受け渡し、処理を続行する。

このような実施の形態では、オペレータにより搬送モードを選択しているので、使用不可モジュールの発生状況に応じて、適切な搬送モードでウエハＷを搬送できる。この際、使用不可モジュールのトラブルが軽微な場合には調整モードを選択して使用不可モジュールを使用可能な状態に復帰させたり、他層搬送モードを選択して他の単位ブロックにて通常の処理を行うことにより、回収するウエハＷを最小限に留めることができ、スループットの低下を抑制し、ウエハの回収に要する時間の低減を図ることができる。

以上において、本発明では、第１の受け渡し手段と第２の受け渡し手段として共通の受け渡し手段を用いるようにしてもよい。また、基板が搬入モジュールに払い出された順番に沿って搬送手段により基板を搬出モジュールから取り出して基板載置部に搬送し、第２の受け渡し手段により、前記基板載置部から後段モジュールに、通常時に第１の受け渡し手段により基板が払い出される一定の順番に沿って基板を搬送するようにしてもよい。

また、モジュール群の下流端のモジュールを搬出モジュールの代わりに基板載置部とし、搬送手段により基板をモジュール群に順次搬送して搬出モジュールに受け渡す代わりに、搬送手段により基板をモジュール群に順次搬送して基板載置部に受け渡し、基板が搬入モジュールに払い出された順番に沿って、第２の受け渡し手段により、基板を基板載置部から取り出し、第２の受け渡し手段により基板載置部から取り出された基板を後段モジュールに搬送し、こうして基板載置部から後段モジュールに、通常時に第１の受け渡し手段により基板が払い出される一定の順番に沿って基板を搬送するようにしてもよい。

また、本発明は、図１〜図３の構成のレジストパターン形成装置のみならず、基板載置部をインターフェイスブロックに備えた構成や、第１の受け渡し手段と第２の受け渡し手段として共通の受け渡し手段を用いる場合にも適用できる。図２１〜図２４に示すレジストパターン形成装置は、基板載置部をインターフェイスブロックに設ける構成である。

この装置について簡単に説明すると、処理ブロックＳ１２は、６個の単位ブロックＢ１１〜Ｂ１６を積層して構成され、単位ブロックＢ１１及び単位ブロックＢ１２は反射防止膜及びレジスト膜の形成、単位ブロックＢ１３及び単位ブロックＢ１４は液浸露光用の保護膜の形成及びウエハの裏面側洗浄、単位ブロックＢ１５及び単位ブロックＢ１６は液浸露光後の現像処理を夫々行うように構成されている。前記単位ブロックＢ１１及び単位ブロックＢ１２、単位ブロックＢ１３及び単位ブロックＢ１４、単位ブロックＢ１５及び単位ブロックＢ１６は、夫々ウエハに対して同一の処理を行うように、夫々同様に構成されている。

この装置における通常時のウエハＷの流れについて説明する。キャリア２０からキャリアブロックＳ１１の受け渡しアームＣ１により、例えば５枚のウエハＷを処理ブロックＳ１２の棚ユニットＵ１１に設けられた受け渡しモジュールＢＵ１０へ一括で受け渡す。そして、ウエハは受け渡しモジュールＢＵ１０から単位ブロックＢ１１と単位ブロックＢ１２に交互に払い出されて、単位ブロックＢ１１→単位ブロックＢ１３→単位ブロックＢ１５の順で搬送されるか、あるいは単位ブロックＢ１２→単位ブロックＢ１４→単位ブロックＢ１６の順で搬送される。例えばロットの奇数番のウエハＷ_{（２ｎ−１）}は単位ブロックＢ１１に払い出され、偶数番のウエハＷ_２ｎは単位ブロックＢ１２に払い出される。

単位ブロックＢ１１に搬送される場合は、ウエハは、棚ユニットＵ１１の受け渡しモジュールＢＵ１０から受け渡しアームＤ１により疎水化処理モジュールＡＤＨ１１→受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→棚ユニットＵ１２の加熱モジュール→棚ユニットＵ１１の受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ→棚ユニットＵ１２の加熱モジュール→棚ユニットＵ１１の受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１３の順で搬送され、反射防止膜、レジスト膜が順に形成される。

そして、ウエハは、受け渡しアームＤ１により、棚ユニットＵ１１の受け渡しモジュールＳＣＰＷ１３１に搬送され、保護膜形成モジュール→棚ユニットＵ１２の加熱モジュール→棚ユニットＵ１１の受け渡しモジュールＳＣＰＷ１３２→裏面洗浄モジュール→棚ユニットＵ４のバッファモジュールＢＵＦの順で搬送され、保護膜が形成され、さらに裏面洗浄が行われる。

前記棚ユニットＵ４はインターフェイスブロックＳ１３に設けられており、モジュールが多段に積層されるように構成されている。この棚ユニットＵ４の各モジュールに対しては、例えば単位ブロックＢ１３〜Ｂ１６の搬送アームＡ１３〜Ａ１６とインターフェイスＥ１，Ｅ２とがアクセスできるようになっている。前記バッファモジュールＢＵＦは、多数枚のウエハＷを多段に載置するように構成され、この例では、棚ユニットＵ４における搬送アームＡ１３〜Ａ１６とインターフェイスＥ１,Ｅ２とが夫々アクセスできる領域に設けられている。

ウエハの搬送に説明を戻すと、バッファモジュールＢＵＦのウエハＷは、インターフェイスアームＥ２→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＳＣＰＷ７１〜ＳＣＰＷ７３→インターフェイスアームＥ３→露光装置Ｓ４の順で搬送され、液浸露光処理を受ける。露光処理後、ウエハＷは、インターフェイスアームＥ３→受け渡しモジュールＴＲＳ７→インターフェイスアームＥ２→バッファモジュールＢＵＦ→インターフェイスアームＥ１→露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４→インターフェイスアームＥ１→バッファモジュールＢＵＦにおける単位ブロックＢ１５の高さ位置の順で搬送される。

続いて、前記ウエハＷは、搬送アームＡ１５により、棚ユニットＵ１２の加熱モジュール→棚ユニットＵ１１の受け渡しモジュールＳＣＰＷ１５１→現像モジュールＤＥＶ→棚ユニットＵ１２の加熱モジュール→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＳＣＰＷ１５２→受け渡しアームＤ１→バッファモジュールＢＵ１５→検査モジュール１０の順で搬送されて所定の検査が行われる。検査後のウエハＷは、検査モジュール１０→受け渡しアームＤ１→バッファモジュールＢＵ１０の順で搬送され、受け渡しアームＣ１によりキャリア２０に戻される。検査モジュール１０にて検査を行わないように設定されたウエハＷについては、現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュールで順次処理後、受け渡しモジュールＳＣＰＷ１５２→受け渡しアームＤ１→棚ユニットＵ１１の受け渡しモジュールＳＣＰＷ１０→受け渡しアームＤ１→キャリア２０の順で搬送される。

続いて、例えば単位ブロックＢ１１、Ｂ１２において、使用不可モジュールが発生したときに、前記複数層搬送モードで搬送する場合について説明する。この場合、搬入モジュールが疎水化モジュールＡＤＨ１１，ＡＤＨ２１となり、最も早く載置可能になった疎水化モジュールＡＤＨ１１，２１のいずれかに受け渡しアームＤ１（第１の受け渡し手段）によりウエハＷが搬送され、各単位ブロックＢ１１，Ｂ１２では、搬入モジュール（疎水化モジュールＡＤＨ１１，２１）に搬入された順番に沿って、ウエハＷがモジュール群に搬送され、搬出モジュールである受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１３，１２３に搬送される。

その後、ウエハＷは、受け渡しアームＤ１（第２の受け渡し手段）により、基板載置部をなす受け渡しモジュールＢＵ１１０，１２０に搬送するか、又は直接単位ブロックＢ１３の受け渡しモジュールＳＣＰＷ１３１、単位ブロックＢ１４の受け渡しモジュールＳＣＰＷ１４１に搬送する。これら受け渡しモジュールＳＣＰＷ１３１,ＳＣＰＷ１４１は後段モジュールに相当する。こうして、受け渡しアームＤ１により、ウエハＷはキャリア２０から払い出された順番に沿って交互に受け渡しモジュールＳＣＰＷ１３１，１４１に搬送される。つまりロットの奇数番のウエハＷ_{（２ｎ−１）}は単位ブロックＢ１３に、ロットの偶数番のウエハＷ_２ｎは単位ブロックＢ１４に夫々払い出される。この場合には、第１の受け渡し手段及び第２の受け渡し手段が共に、受け渡しアームＤ１となる。

次に、例えば単位ブロックＢ１３，Ｂ１４において使用不可モジュールが発生したときに、前記複数層搬送モードで搬送する場合について説明する。この場合、搬入モジュールが受け渡しモジュールＳＣＰＷ１３１，ＳＣＰＷ１４１になり、最も早く載置可能になった受け渡しモジュールＳＣＰＷ１３１，１４１に受け渡しアームＤ１（第１の受け渡し手段）によりウエハＷが搬送され、各単位ブロックＢ１３，Ｂ１４では、搬入モジュール（受け渡しモジュールＳＣＰＷ１３１，１４１）に搬入された順番に沿って、ウエハＷがモジュール群に搬送され、搬出モジュールであるバッファモジュールＢＵＦに搬送される。この例は搬出モジュールを基板載置部とした例である。

その後、ウエハは、インターフェイスアームＥ２（第２の受け渡し手段）により、キャリア２０から払い出された順番に沿って、後段モジュールをなす受け渡しモジュールＳＣＰＷ７１〜ＳＣＰＷ７３に払い出され、インターフェイスアームＥ３により、キャリア２０から払い出された順番に沿って露光装置Ｓ４に搬送される。

さらに、例えば単位ブロックＢ１５，Ｂ１６において使用不可モジュールが発生したときに、前記複数層搬送モードで搬送する場合について説明する。この場合、第１の受け渡し手段がインターフェイスアームＥ１となり、搬入モジュールがバッファモジュールＢＵＦとなる。そして、バッファモジュールＢＵＦの単位ブロックＢ１５の高さ位置又は単位ブロックＢ１６の高さ位置のいずれかの内、最も早く載置可能になった領域にウエハＷが搬送され、各単位ブロックＢ１５，Ｂ１６では、搬入モジュール（バッファモジュールＢＵＦの単位ブロックＢ１５，Ｂ１６に対応する領域）に搬入された順番に沿って、ウエハＷがモジュール群に搬送され、搬出モジュールである受け渡しモジュールＳＣＰＷ１５２，１６２の順で搬送される。

その後、検査モジュール１０に搬送する場合には、ウエハは、受け渡しアームＤ１（第２の受け渡し手段）により、キャリア２０から払い出された順番に沿って、後段モジュールをなすバッファモジュールＢＵ１５，ＢＵ１６に搬送され、続いて受け渡しアームＤ１により、キャリア２０から払い出された順番に沿って、検査モジュール１０に搬送される。

以上において本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。

続けて、既述の図１〜図３で既述した塗布、現像装置におけるＡｂｏｒｔウエハの搬送例について詳しく説明するが、ここでは例えば図２５に示したように棚ユニットＵ１の単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４の各高さにＡｂｏｒｔウエハの搬入用のバッファモジュールＢＵ７１、ＢＵ７２、ＢＵ７３、ＢＵ７４が夫々設けられるものとする。

ここで液処理モジュールＢＣＴ、ＣＯＴの構成について詳しく説明しておく。液処理モジュール（レジスト膜形成モジュール）ＣＯＴは、上記のように基板保持部を備えており、この基板保持部はウエハＷの裏面中央部を吸着保持し、ウエハＷの中心軸回りに回転させる。また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴには、ウエハＷにレジストを吐出するレジスト吐出ノズル（塗布膜形成機構）と、シンナーを吐出するシンナー吐出ノズル（塗布膜除去機構）とが設けられている。レジスト膜を形成するときには、前記基板保持部を回転させながらウエハＷの中央部に前記シンナーを吐出してスピンコーティングを行い、ウエハＷ表面の濡れ性を向上させた後、レジストをウエハＷの中央部にレジストを吐出してスピンコーティングによりレジスト膜を形成する。

また、このレジスト膜形成モジュールＣＯＴでは、前記レジスト膜形成後に前記基板保持部を回転させながら、前記シンナーをウエハＷ中央部に吐出して、遠心力によりウエハＷ全体に広げることで、ウエハＷから当該レジスト膜を除去することができる。また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴはレジスト吐出時にノズルに接続される配管内の圧力やレジストの吐出量やノズル先端からの液垂れの有無などを検出する機能を有し、これらに異常が検出されたときに制御部３にアラーム信号が出力される。

液処理モジュール（反射防止膜形成モジュール）ＢＣＴはレジスト吐出ノズルの代わりに反射防止膜形成用の薬液を吐出するノズルが設けられることを除いてレジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されており、前記薬液による反射防止膜の形成及びシンナーによる反射防止膜の除去を行うことができる。

また、制御部３の構成についてさらに説明する。制御部３は図２６に示すように記憶部３７を備える。この記憶部３７は、各ロットのウエハを各々特定するためのＩＤ（図２６ではロット毎にＷ１〜Ｗ２５の番号で表示している）と、Ａｂｏｒｔウエハであるか否かとを対応付けて記憶する領域であり、さらにＡｂｏｒｔウエハと記憶されたウエハＷについては、そのウエハＷがどのモジュールでＡｂｏｒｔウエハになったかが記憶される。この記憶部３７に記憶されるデータに基づいて、Ａｂｏｒｔウエハが後述のようにモジュール間を搬送されるように、搬送制御部３４により各搬送手段の動作が制御される。

続いて、反射防止膜形成モジュールＢＣＴまたはレジスト膜形成モジュールＣＯＴが使用不可になり、通常搬送モードから既述の複数層搬送モードに切り替わったときのＡｂｏｒｔウエハの搬送について説明する。層除外モードのＡｂｏｒｔウエハの搬送については既述した例の他に、次に示すように搬送することもできる。ここでは、使用不可になったモジュールにおいて、前記シンナーの供給ノズル及び基板保持部についてはその動作が可能であるものとする。

（ケースＡ：反射防止膜形成モジュールＢＣＴでＡｂｏｒｔウエハが発生した場合）
ここでは使用不可モジュールがＢＣＴ１層Ｂ１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴであるものとして説明する。モジュールからの発信されたアラーム信号により使用不可モジュールとなった反射防止膜形成モジュールＢＣＴが記憶部３７に記憶され、実行中の搬送スケジュールとに基づいてその使用不可モジュールで処理されていたウエハＷがＡｂｏｒｔウエハとして記憶部３７に記憶される。そして、図１５で既述したようにこのＡｂｏｒｔウエハ以外のウエハはＢＣＴ１層Ｂ１の使用可能な反射防止膜モジュールＢＣＴにて処理されて下流側へと搬送される。

使用不可モジュールとなったＢＣＴではＡｂｏｒｔウエハが基板保持部により回転すると共に当該Ａｂｏｒｔウエハにシンナーが供給され、反射防止膜がＡｂｏｒｔウエハ表面から除去される。その後、前記Ａｂｏｒｔウエハは搬送アームＡ１によりバッファモジュールＢＵ７１に搬送されて当該モジュールで待機される。

そして、このＡｂｏｒｔウエハの属するロットのうち、ＢＣＴ１層Ｂ１に搬入される最後のウエハが受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１、１２に搬入された後、この最後のウエハＷに続いてＡｂｏｒｔウエハは受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１、１２に搬送されて温調される。然る後Ａｂｏｒｔウエハは搬送アームＡ１によりＢＣＴ１層Ｂ１の使用可能な反射防止膜形成モジュールＢＣＴへ搬送されて、そこで反射防止膜形成処理が行われる。なお、このＡｂｏｒｔウエハの受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１、１２へ搬入を行うときには、後続のロットのウエハＷは、この受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１、１２へ搬入されていないものとする。反射防止膜が形成されたＡｂｏｒｔウエハは、通常のウエハＷと同様に順番にモジュールを搬送され、レジスト膜の形成、露光、現像処理が順に行われて、当該ウエハが払い出されたキャリア２０に戻される。

使用不可モジュールがＢＣＴ２層Ｂ２の反射防止膜形成モジュールＢＣＴである場合においても、ウエハＷを待機させるモジュールがＢＵ７２であること、ＡｂｏｒｔウエハがＢＵ７２から受け渡しモジュールＳＣＰＷ２１、２２を介してＢＣＴ２層Ｂ２の使用可能な反射防止膜形成モジュールに搬送されて処理を受けることを除けば、ＢＣＴ１層Ｂ１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴが使用不可となった場合と同様の搬送が行われる。

（ケースＢ：レジスト膜形成モジュールＣＯＴでＡｂｏｒｔウエハが発生した場合）
反射防止膜形成モジュールでＡｂｏｒｔウエハが発生した場合と略同様であり、差異点を中心に説明する。ここでは、使用不可モジュールがＣＯＴ１層Ｂ３のレジスト膜形成モジュールＣＯＴであるものとする。モジュールからの信号と実行中の搬送スケジュールとに基づいて、使用不可となったモジュールで処理されていたウエハＷがＡｂｏｒｔウエハとして記憶部３７に記憶される。そして、このＡｂｏｒｔウエハ以外のウエハＷはＣＯＴ１層Ｂ３の使用可能なレジスト膜形成モジュールＣＯＴにより処理されて下流側へと搬送される。

使用不可モジュールとなったＣＯＴでは既述のようにレジスト膜の除去が行われる。このときレジスト膜の下層の反射防止膜は加熱モジュールで加熱処理されているため、シンナーに対する溶解性が低くなっているので除去されずにウエハＷに残る。そして、Ａｂｏｒｔウエハは、搬送アームＡ３によりバッファモジュールＢＵ７３に搬送されて待機される。このＡｂｏｒｔウエハの属するロットのうち、ＣＯＴ１層Ｂ３に搬入される最後のウエハが受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１、３２に搬入された後、次のロットが当該モジュールＳＣＰＷ３１、３２へ搬入される前に、Ａｂｏｒｔウエハは受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１、３２に搬送される。そして搬送アームＡ３により、ＣＯＴ１層Ｂ３の使用可能なレジスト膜形成モジュールＣＯＴへ搬送されてレジスト膜の形成処理を受ける。その後、Ａｂｏｒｔウエハは、通常のウエハＷと同様に順番にモジュールを搬送され、露光、現像処理を受けて、当該ウエハが払い出されたキャリア２０に戻る。使用不可モジュールがＣＯＴ２層Ｂ４のレジスト膜形成モジュールＣＯＴである場合もウエハＷをバッファモジュールＢＵ７４で待機させること及びＣＯＴ２層Ｂ４で使用可能なレジスト膜形成モジュールＣＯＴへ搬送して処理を行うことを除いて同様の搬送が行われる。

このように使用不可となったモジュールで反射防止膜やレジスト膜の除去を行うことで、Ａｂｏｒｔウエハをこれら膜の除去処理を行う装置に搬送する必要が無いため、この搬送に要する手間を無くしてスループットの低下を抑えることができる。また、膜除去処理後にこの除去処理を行う装置から再度反射防止膜及びレジスト膜を形成するために塗布、現像装置に搬送する手間も省くことができるため、よりスループットの向上を図ることができる。

膜の除去後、Ａｂｏｒｔウエハの待機場所としては棚ユニットＵ１のモジュールには限られない。例えば使用不可モジュール内で待機させていてもよいし、膜の除去処理を行った後、棚ユニットＵ１の各階層に設けられるバッファモジュールＢＵまたは受け渡しモジュールＴＲＳ及び受け渡しアームＣを介してキャリア２０に一旦Ａｂｏｒｔウエハを戻し、当該キャリア２０で待機させる。そして、次のロットをキャリア２０から払い出す前に当該Ａｂｏｒｔウエハをキャリア２０から払い出して前記膜の形成処理を行ってもよい。

このようにキャリア２０からウエハＷを払い出す場合、反射防止膜形成モジュールＢＣＴでＡｂｏｒｔウエハになったウエハについては、受け渡しアームＣ及び受け渡しモジュールＳＣＰＷ１１〜２２のいずれかを介してＢＣＴ層Ｂ１またはＢ２の使用可能な反射防止膜形成モジュールに搬送する。レジスト膜形成モジュールＣＯＴでＡｂｏｒｔウエハになったウエハについては受け渡しアームＣにより及び受け渡しモジュールＳＣＰＷ３１〜４２のいずれかを介してＣＯＴ層Ｂ３またはＢ４の使用可能なレジスト膜形成モジュールＣＯＴに搬送する。

また、上記の例では使用不可モジュールが発生した階層における使用可能なモジュールで膜の形成を行っているが、搬送アームＡと受け渡しモジュールＤを用いて他の階層へＡｂｏｒｔウエハを搬送し、その階層の使用可能なモジュールを用いて膜の再形成を行ってもよい。

具体的には例えば上記のケースＡにおいてＢＣＴ１層Ｂ１で発生したＡｂｏｒｔウエハをバッファモジュールＢＵ７１から受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＳＣＰＷ２１、２２に搬送して搬送アームＡ２により反射防止膜形成モジュールＢＣＴに搬送することができる。また、ＢＣＴ２層Ｂ２で発生したＡｂｏｒｔウエハをバッファモジュールＢＵ７２から受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＳＣＰＷ２１、２２に搬送して搬送アームＡ２により反射防止膜形成モジュールＢＣＴに搬送することができる。ケースＢにおいてもＡｂｏｒｔウエハを、搬送アームＡ３、Ａ４により当該Ａｂｏｒｔウエハが発生した層のバッファモジュールＢＵ７３、７４に搬送し、受け渡しアームＤで他の層の受け渡しモジュールＳＣＰＷに搬送して、前記層の搬送アームによりレジスト膜形成モジュールＣＯＴに搬送することができる。また、Ａｂｏｒｔウエハは使用不可モジュールから搬送アームＡにより当該Ａｂｏｒｔウエハが発生した層の受け渡しモジュールＳＣＰＷに搬送し、前記搬送アームＡにより前記層で使用可能な液処理モジュールに搬送してもよい。つまりＡｂｏｒｔウエハに膜を再形成するまでに、当該Ａｂｏｒｔウエハを受け渡しアームＤによらず搬送アームＡだけで搬送してもよい。

また、上記の例では、Ａｂｏｒｔウエハの膜除去処理を行った後に膜を再度形成しているが、このような膜の再形成を行わずにキャリア２０に戻してもよい。その場合にもＡｂｏｒｔウエハをこれら膜の除去処理を行う装置に搬送する必要が無いため、この搬送に要する手間を無くしてスループットの低下を抑える効果がある。

複数層搬送モードを実行したときのＡｂｏｒｔウエハの搬送例について説明したが、層除外モード、他層搬送モードまたは調整モードを実行したときに発生したＡｂｏｒｔウエハに対して、上記の膜の除去処理やそれに続く膜の再形成を行ってもよい。膜の除去処理を行う場合、上記のように膜の除去後にキャリア２０に戻してもよいし、使用不可モジュールに滞留させたままユーザが回収してもよい。

また、各層に１種類の液処理モジュールが設けられる塗布、現像装置のＡｂｏｒｔウエハの搬送について説明したが、図２２〜図２４で説明した１つの層に複数種類の液処理モジュールが設けられる塗布、現像装置にもこのＡｂｏｒｔウエハの搬送を適用することができる。ところで図２２〜図２４の塗布、現像装置には液浸露光に用いる液体例えば純水に対して撥水性の保護膜を形成する保護膜形成モジュールＴＣＴが設けられている。この保護膜形成モジュールＴＣＴについても、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に基板保持部及び保護膜形成用の薬液を吐出するノズルの他にシンナー吐出ノズルを備えるように構成することができる。

そして、保護膜形成用モジュールＴＣＴが使用不可モジュールになったときは、Ａｂｏｒｔウエハにシンナーによるスピンコーティングを行い、保護膜を除去する。このとき、保護膜と共にレジスト膜も除去される。従って、このＡｂｏｒｔウエハに塗布、現像処理を継続する場合には、既述した図２５の塗布、現像装置と同様に例えば棚ユニットＵ１１にＡｂｏｒｔウエハ格納用のバッファモジュールを設けてそこで待機させた後、受け渡しモジュールＳＣＰＷを介して単位ブロックＢ１１またはＢ１２の使用可能なレジスト膜形成モジュールＣＯＴに搬送する。然る後、使用可能な保護膜形成モジュールＴＣＴに搬送して、引き続き露光、現像処理を行うことができる。

図１〜図３に示した塗布、現像装置においても、各層Ｂ１〜Ｂ６に保護膜形成用モジュールを備えた層を積層して設けることができる。この保護膜形成用モジュールが使用不可になったときは、既述した例と同様に保護膜及びレジスト膜の除去を行い、レジスト膜を形成する階層、保護膜を形成する階層に順に搬送して塗布、現像処理を継続することができる。

また、既述の例では基板処理装置としてレジスト塗布と現像処理とを行う塗布、現像装置としての例を挙げているがこれに限られず、例えばレジスト以外の膜を既述の構成の液処理モジュールにて塗布する塗布装置として構成してもよい。具体的には例えば上記の塗布、現像装置において、現像を行う単位ブロックが無く、レジスト膜形成モジュール及び反射防止膜形成モジュールの代わりにＳｉＯ2により構成されるＳＯＧ（Spin On Grass）膜や当該ＳＯＧ膜の下層において例えば有機物により構成される下層膜を形成するモジュールを備えていてもよい。このような膜を形成するモジュールを搭載した塗布装置においても上記の各実施形態で示したようにウエハＷの搬送を制御してもよく、またＡｂｏｒｔウエハに対して膜を除去してそのままキャリア２０に回収したり、再度膜を形成することができる。ＳＯＧ膜は乾燥が進むと除去できなくなるので、薬液を供給する動作を停止した後、例えば余分な薬液を振り切ると共に乾燥を進行させるために薬液供給時に比べて基板の回転速度を上昇させる前にシンナーを供給して除去する。前記下層膜は、反射防止膜と同様に形成後加熱処理されることで、ＳＯＧ膜除去時にこのシンナーによっては除去されない。また、この下層膜についても反射防止膜やレジスト膜と同様に当該下層膜の形成モジュールでシンナーで除去することができる。

Ｗ ウエハ
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ａ１〜Ａ６ メインアーム
Ｂ１〜Ｂ６ 単位ブロック
Ｃ，Ｄ 受け渡しアーム
Ｅ インターフェイスアーム
ＢＵ バッファモジュール
ＳＣＰＷ 受け渡しモジュール
ＴＲＳ 受け渡しモジュール
３ 制御部
３３ 搬送スケジュール変更部
３５ 搬送制御プログラム

Claims (7)

1. 搬入モジュールに置かれた基板を、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められたモジュール群に搬送手段により一枚ずつ搬送して前記モジュール群の下流端の搬出モジュールに受け渡すと共に、基板に対して同一の処理を行う単位ブロックを複数層備えた基板処理装置において、
   前記モジュール群に含まれ、搬送の順番が同じであって、基板に塗布膜を形成する複数の塗布膜形成モジュールと、
   前記複数の単位ブロックの夫々の搬入モジュールへ基板の払い出しを行う第１の受け渡し手段と、
   前記搬送手段及び第１の受け渡し手段を制御する制御部と、
   を備え、
   前記複数の塗布膜形成モジュールは夫々、前記塗布膜を形成するために薬液を基板に塗布する塗布膜形成機構と、塗布膜形成モジュールが使用不可モジュールになったときに当該使用不可モジュールに搬入されている基板の前記塗布膜を除去する塗布膜除去機構とを有し、
   前記制御部は、前記単位ブロックに含まれる前記複数の塗布膜形成モジュールのうち、少なくとも一つが使用不可モジュールになりかつ少なくとも一つが使用できる状態にあるときには、第１の受け渡し手段により、複数の単位ブロックにおいて、最も早く載置可能になった搬入モジュールに基板を払い出し、前記複数の単位ブロックの夫々においては、前記使用不可モジュールに搬入されている基板と同一ロット内の他の基板を、基板が搬入モジュールに払い出された順番に沿って前記搬送手段によりモジュール群に順次搬送して搬出モジュールに受け渡すように制御信号を出力することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記使用不可モジュールに搬入されている基板が属するロットのうち、当該使用不可モジュールが発生した単位ブロックに搬入される最後の基板が当該単位ブロックの搬入モジュールに搬入された後、次のロットが当該単位ブロックの搬入モジュールに搬入される前に、前記搬送手段により、前記使用不可モジュールに搬入されている基板を、いずれかの単位ブロックの搬入モジュールに受け渡すことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記搬送手段及び第１の受け渡し手段は、
   使用不可モジュールとなった塗布膜形成モジュールの前記塗布膜除去機構により塗布膜が除去された基板に前記塗布膜を再び形成するために、当該塗布膜形成モジュールが含まれる単位ブロックの使用可能な塗布膜形成モジュールかまたは他の単位ブロックの使用可能な塗布膜形成モジュールに前記基板を搬送するように動作することを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理装置。
4. 前記モジュール群の下流側に設けられた後段モジュールと、
   前記モジュール群の下流側に設けられ、複数枚の基板を載置する基板載置部と、
   前記複数の単位ブロックの夫々の搬出モジュールから基板を取り出し、前記後段モジュール及び前記基板載置部に搬送する第２の受け渡し手段と、を更に備え、
   前記制御部は前記第２の受け渡し手段を制御し、
   前記搬送手段は、前記使用不可モジュールに搬入されている基板の上流側の基板であって、当該使用不可モジュールが含まれる単位ブロック内の基板を前記モジュール群に搬送した後に前記搬出モジュールに受け渡すことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 搬入モジュールに置かれた基板を、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められたモジュール群に搬送手段により一枚ずつ搬送して前記モジュール群の下流端の搬出モジュールに受け渡すと共に、基板に対して同一の処理を行う単位ブロックを複数層備えた基板処理装置を用いた基板処理方法において、
   前記モジュール群に含まれ、搬送の順番が同じである複数の塗布膜形成モジュールの各々にて、前記塗布膜を形成するために薬液を基板に塗布する工程と、
   第１の受け渡し手段により、前記複数の単位ブロックの夫々の搬入モジュールへ基板の払い出しを行う工程と、
   前記塗布膜形成モジュールが使用不可モジュールになったときに当該使用不可モジュールに搬入されている基板の前記塗布膜を当該塗布膜形成モジュールにて除去する工程と、
   前記単位ブロックに含まれる前記複数の塗布膜形成モジュールのうち、少なくとも一つが使用不可モジュールになりかつ少なくとも一つが使用できる状態にあるときには、第１の受け渡し手段により、複数の単位ブロックにおいて、最も早く載置可能になった搬入モジュールに基板を払い出し、前記複数の単位ブロックの夫々においては、前記使用不可モジュールに搬入されている基板と同一ロット内の他の基板を、基板が搬入モジュールに払い出された順番に沿って前記搬送手段によりモジュール群に順次搬送して搬出モジュールに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
6. 使用不可モジュールとなった塗布膜形成モジュールにて塗布膜が除去された基板に前記塗布膜を再び形成するために、当該塗布膜形成モジュールが含まれる単位ブロックの使用可能な塗布膜形成モジュールかまたは他の単位ブロックの使用可能な塗布膜形成モジュールに前記基板を搬送する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
7. 第２の受け渡し手段により、前記複数の単位ブロックの夫々の搬出モジュールから基板を取り出し、前記モジュール群の下流側に設けられた後段モジュール及び前記モジュール群の下流側に設けられた、複数枚の基板を載置する基板載置部に搬送する工程と、
   前記搬送手段により、前記使用不可モジュールに搬入されている基板の上流側の基板であって、当該使用不可モジュールが含まれる単位ブロック内の基板を前記モジュール群に搬送した後に前記搬出モジュールに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする請求項５または６に記載の基板処理方法。

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