JP2008098670A - 半導体製造装置の障害対処システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板を複数のプロセス系(PM1、PM2とPM4、PM3)で分散して処理する半導体製造装置において、一方のプロセス系(PM1、PM2)で障害が発生した場合に、統合制御コントローラGCがこの障害の発生を検知して、障害が発生したプロセス系で処理する予定の基板を、他方の正常なプロセス系(PM4、PM3)へ振り替え、これら基板の処理を続行させる。このように基板処理を続行することで、全ての処理を中断する場合に比べて総じて生産効率を高めることができる。
【選択図】 図1
Description
この半導体製造装置は、4つのプロセスモジュールPM1〜PM4と、2つのカセットモジュールCM1及びCM2と、トランスポートモジュールTMと、を備えており、トランスポートモジュールTMにプロセスモジュールPM1〜PM4及びカセットモジュールCM1、CM2をそれぞれゲートバルブ(図示せず)を介して気密に接続して構成されている。
すなわち、プロセスモジュールPM1とPM4と、そして、プロセスモジュールPM2とPM3とは同一のウエハ処理を実行し、プロセスモジュールPM1とPM2とから成るプロセス系と、プロセスモジュールPM4とPM3とから成るプロセス系とによって、ウエハに一連の処理を施すようになっている。
また、トランスポートモジュールTMはウエハを搬送するためのロボットアームRを収容しており、カセットモジュールCM1とプロセスモジュールPM1及びPM4の間、プロセスモジュールPM1とPM2並びにPM4とPM3との間、及び、プロセスモジュールPM2及びPM3とカセットモジュールCM2との間でウエハを搬送する。なお、このウエハ搬送に際して、各モジュール間の通口を閉止しているゲートバルブが開閉操作される。
図3に示す例では、カセットモジュールCM1に収容されているウエハを奇数枚目と偶数枚目とに分けて、奇数枚目のウエハは各モジュールCM1、PM1、PM2、CM2から成る経路で、偶数枚目のウエハは各モジュールCM1、PM4、PM3、CM2から成る経路で分散して処理する。
なお、3枚目及び4枚目以降のウエハについては、先のウエハについての処理が終了した後に同様に処理される。
このような障害に発生に対して、上記した従来の半導体製造装置にあっては、障害箇所が一部のプロセス系であっても、統合制御コントローラが全ての処理動作を中断させていた。したがって、未処理のウエハが僅かであるような場合でも、これらウエハの処理が続行されないため、結果として、ウエハ処理が大幅に遅延してしまう事態が生じていた。
したがって、障害が発生したプロセス系の分、処理が遅延するものの、基板処理を続行することで、全ての処理を中断する場合に比べて総じて生産効率を高めることができる。
プロセスモジュールPM1とPM2とから成るプロセス系と、プロセスモジュールPM4とPM3とから成るプロセス系とのいずれにも障害がなく正常に稼働している状態では、本実施例においても、統合制御コントローラGCが図3に示したテーブル内容に従って各コントローラPC1〜PC4、CC1、CC2、TCを統括して制御し、図4に示したようにウエハを奇数枚目と偶数枚目に分けてそれぞれのプロセス系で分散処理させる。
また、本実施例の統合制御コントローラGCは、ウエハ搬送テーブルTの内容を書き換える手段を有しており、障害発生を検知したときには、この書換手段によってテーブルTの内容を書き換え、障害が発生したプロセス系で処理する予定のウエハを残余の正常なプロセス系へ振り替えて処理を続行する縮退運用を実施する。なお、本実施例では、統合制御コントローラGCの操作パネルを操作して、作業者が縮退運用を実施するか否かを選択指示することができ、当該指示がなされている場合にのみ、統合制御コントローラGCが縮退運用を実施する。
まず、システムが起動されると統合制御コントローラGCが各プロセスモジュールコントローラPC1〜PC4からのエラー信号の監視を開始し(ステップSS1)、プロセスモジュールコントローラPC1〜PC4或いはプロセスモジュールPC1〜PC4のいずれかで障害が発生して、統合制御コントローラGCが当該障害に係るプロセスモジュールコントローラPC1〜PC4からのエラー信号を受信すると、縮退運用を実施する指示がなされていか否かを判断する(ステップS2)。
一方、上記の判断の結果、縮退運用実施の指示がなされている場合には、エラー信号及び図3のテーブル内容に基づいて、障害が発生したプロセス系が奇数枚目のウエハを処理する系であるかを統合制御コントローラGCが判断する(ステップS4)。
また、上記実施例の半導体製造装置では、搬入用と搬出用のカセットモジュールCM1、CM2をそれぞれ設けたが、1つのカセットモジュールで搬入と搬出とを兼用させることも可能である。
また、本発明はクラスタ型以外の半導体製造装置にも適用することが可能であり、要は、2つ以上のプロセス系で処理対象の基板を分散処理する半導体製造装置であれば本発明を適用することができる。
CM1、CM2 カセットモジュール、
TM トランスポートモジュール、
GC 統合制御コントローラ、
PC1、PC2、PC3、PC4 プロセスモジュールコントローラ、
CC1、CC2 カセットモジュールコントローラ、
TC トランスポートモジュールコントローラ、
Claims (5)
- 処理対象の基板を複数枚収容する搬入モジュールと、基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、1つ以上の前記プロセスモジュールから構成される2つのプロセス系で前記搬入モジュールから搬送される処理対象の基板を処理させる統合制御コントローラとを有する半導体製造装置であって、
前記統合制御コントローラは、前記プロセス系で処理される奇数枚目の基板と偶数枚目の基板とに分けて、前記処理対象の基板をそれぞれのプロセス系で分散処理させることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1に記載の半導体製造装置において、
奇数枚目の基板を処理するプロセス系で障害が発生した場合、前記奇数枚目の基板を処理するプロセス系で処理する予定の基板を、当該基板の待ち時間を調整して偶数枚目の基板を処理するプロセス系に振り替えて処理させることを特徴とする半導体製造装置。 - 処理対象の基板を複数枚収容する搬入モジュールと、処理がなされた基板を収容する搬出モジュールと、前記基板に所定の処理を施すプロセスモジュールと、1つ以上の前記プロセスモジュールで構成されたプロセス系であって前記搬入モジュールから搬送される奇数枚目の基板に対して処理を行うプロセス系と偶数枚目の基板に対して処理を行うプロセス系とから成る複数のプロセス系で基板を分散処理させ、各モジュールを統括して制御する統合制御コントローラとを有する半導体製造装置により実施される障害処理方法であって、
奇数枚目の基板を処理するプロセス系で障害が発生した場合、前記奇数枚目の基板を処理するプロセス系で処理する予定の基板を、当該基板の待ち時間を調整して偶数枚目の基板を処理するプロセス系に振り替えて処理させることを特徴とする半導体製造装置における障害処理方法。 - 処理対象の基板を複数枚収容する搬入モジュールと、処理がなされた基板を収容する搬出モジュールと、前記基板に所定の処理を施すプロセスモジュールと、1つ以上の前記プロセスモジュールで構成されたプロセス系であって前記搬入モジュールから搬送される奇数枚目の基板に対して処理を行うプロセス系と偶数枚目の基板に対して処理を行うプロセス系とから成る複数のプロセス系で基板を分散処理させ、各モジュールを統括して制御する統合制御コントローラとを有する半導体製造装置であって、
前記複数のプロセス系のうち障害が発生したプロセス系で処理する予定の基板を、当該基板の待ち時間を調整して障害の発生していない正常なプロセス系に振り替えて処理させることを特徴とする半導体製造装置。 - 処理対象の基板を複数枚収容する搬入モジュールと、処理がなされた基板を収容する搬出モジュールと、前記基板に所定の処理を施すプロセスモジュールと、1つ以上の前記プロセスモジュールで構成されたプロセス系であって前記搬入モジュールから搬送される奇数枚目の基板に対して処理を行うプロセス系と偶数枚目の基板に対して処理を行うプロセス系とから成る複数のプロセス系で基板を分散処理させ、各モジュールを統括して制御する統合制御コントローラとを有する半導体製造装置により実施される障害処理方法であって、
前記複数のプロセス系のうち障害が発生したプロセス系で処理する予定の基板を、当該基板の待ち時間を調整して障害の発生していない正常なプロセス系に振り替えて処理させることを特徴とする半導体製造装置における障害処理方法。
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2007
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