JPH0950948A - 半導体製造装置の障害対処システム - Google Patents
半導体製造装置の障害対処システムInfo
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- JPH0950948A JPH0950948A JP22262395A JP22262395A JPH0950948A JP H0950948 A JPH0950948 A JP H0950948A JP 22262395 A JP22262395 A JP 22262395A JP 22262395 A JP22262395 A JP 22262395A JP H0950948 A JPH0950948 A JP H0950948A
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Abstract
残余の正常なプロセス系で基板処理を続行し、総じて生
産効率を向上させる。 【構成】 基板を複数のプロセス系(PM1、PM2と
PM4、PM3)で分散して処理する半導体製造装置に
おいて、一方のプロセス系(PM1、PM2)で障害が
発生した場合に、統合制御コントローラGCがこの障害
の発生を検知して、障害が発生したプロセス系で処理す
る予定の基板を、他方の正常なプロセス系(PM4、P
M3)へ振り替え、これら基板の処理を続行させる。こ
のように基板処理を続行することで、全ての処理を中断
する場合に比べて総じて生産効率を高めることができ
る。
Description
ールによって複数のプロセス系を構成し、処理対象の基
板を各プロセス系で分散処理する半導体製造装置に関
し、特に、いずれかのプロセス系に障害が発生した場合
に統合制御コントローラにより残余のプロセス系で基板
処理を続行させる障害対処システムに関する。
板に、エッチング、アッシング、成膜等といったプロセ
ス処理を施す半導体製造装置には、基板を搬入や搬出の
ために収容するモジュール、基板を搬送するモジュー
ル、基板に所定の処理を施すモジュールをゲートバルブ
を介して連接し、上記の処理並びに基板の搬送を自動的
に連続して行うものが知られている。
例として枚葉式クラスタ型半導体製造装置の構成例を示
してある。この半導体製造装置は、4つのプロセスモジ
ュールPM1〜PM4と、2つのカセットモジュールC
M1及びCM2と、トランスポートモジュールTMと、
を備えており、トランスポートモジュールTMにプロセ
スモジュールPM1〜PM4及びカセットモジュールC
M1、CM2をそれぞれゲートバルブ(図示せず)を介
して気密に接続して構成されている。
ぞれ処理対象のウエハに所定の処理を施すモジュールで
あり、この例では、これらプロセスモジュールPM1〜
PM4を2つの系に分割してウエハを分散処理してい
る。すなわち、プロセスモジュールPM1とPM4と、
そして、プロセスモジュールPM2とPM3とは同一の
ウエハ処理を実行し、プロセスモジュールPM1とPM
2とから成るプロセス系と、プロセスモジュールPM4
とPM3とから成るプロセス系とによって、ウエハに一
連の処理を施すようになっている。
は複数(例えば、10枚)のウエハを収容するモジュー
ルであり、この例では、カセットモジュールCM1は未
処理のウエハを収容する搬入モジュール(ロードモジュ
ール)に設定され、カセットモジュールCM2はプロセ
ス系で処理されたウエハを収容する搬出モジュール(ア
ンロードモジュール)に設定されている。また、トラン
スポートモジュールTMはウエハを搬送するためのロボ
ットアームRを収容しており、カセットモジュールCM
1とプロセスモジュールPM1及びPM4の間、プロセ
スモジュールPM1とPM2並びにPM4とPM3との
間、及び、プロセスモジュールPM2及びPM3とカセ
ットモジュールCM2との間でウエハを搬送する。な
お、このウエハ搬送に際して、各モジュール間の通口を
閉止しているゲートバルブが開閉操作される。
ットモジュールCM1及びCM2、トランスポートモジ
ュールTMによる動作は、それぞれのモジュールに付設
されたコントローラPC1〜PC4、CC1、CC2、
TCによって直接的に制御される。そして、図2に示す
ように、これらコントローラPC1〜PC4、CC1、
CC2、TCは、LAN等のネットワークNを介して統
合制御コントローラGCに接続されており、各コントロ
ーラPC1〜PC4、CC1、CC2、TCによる各モ
ジュールPM1〜PM4、CM1、CM2、TMの制御
を統合制御コントローラGCが統括して制御する。
ような内容のウエハ搬送テーブルTが設けられており、
統合制御コントローラGCがテーブルTの内容に従って
制御を行うことにより、ウエハが2つのプロセス系PM
1及びPM2とPM4及びPM3へ分散して搬送され、
それぞれの系でプロセス処理が実施される。図3に示す
例では、カセットモジュールCM1に収容されているウ
エハを奇数枚目と偶数枚目とに分けて、奇数枚目のウエ
ハは各モジュールCM1、PM1、PM2、CM2から
成る経路で、偶数枚目のウエハは各モジュールCM1、
PM4、PM3、CM2から成る経路で分散して処理す
る。
エハはカセットモジュールCM1からプロセスモジュー
ルPM1へ搬送されて処理がなされ、更にプロセスモジ
ュールPM2へ搬送されて処理がなされた後に、カセッ
トモジュールCM2へ搬送される。また、2枚目のウエ
ハは、1台のロボットアームRで搬送処理を行うために
1枚目と若干の待ち時間をもって、カセットモジュール
CM1からプロセスモジュールPM4へ搬送されて処理
がなされ、更にプロセスモジュールPM3へ搬送されて
処理がなされた後に、カセットモジュールCM2へ搬送
される。なお、3枚目及び4枚目以降のウエハについて
は、先のウエハについての処理が終了した後に同様に処
理される。
おいては、例えば、外因によってプロセスモジュールで
のプロセス条件が変動する、各モジュールのコントロー
ラで処理エラーが発生する等といった、種々な障害が発
生する場合がある。このような障害に発生に対して、上
記した従来の半導体製造装置にあっては、障害箇所が一
部のプロセス系であっても、統合制御コントローラが全
ての処理動作を中断させていた。したがって、未処理の
ウエハが僅かであるような場合でも、これらウエハの処
理が続行されないため、結果として、ウエハ処理が大幅
に遅延してしまう事態が生じていた。
ので、一部のプロセス系で障害が生じた場合には、残余
の正常なプロセス系で基板(ウエハ)処理を続行し、総
じて生産効率を向上させる半導体製造装置の障害対処シ
ステムを提供することを目的とする。
め、本発明に係る半導体製造装置の障害対処システム
は、処理対象の基板を複数枚収容する搬入モジュール
と、前記基板に所定の処理を施すプロセスモジュール
と、処理がなされた基板を収容する搬出モジュールと
を、基板を各モジュール間で搬送するトランスポートモ
ジュールを介して連接した半導体製造装置において、前
記プロセスモジュールを複数設けるとともに、トランス
ポートモジュールで搬入モジュールからの基板を各プロ
セスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセス
系で基板を分散処理させ、各モジュールを統括して制御
する統合制御コントローラが、いずれかのプロセス系で
発生した障害を検知し、各モジュールを制御して当該障
害の発生した系を除く残余のプロセス系で基板処理を続
行させることを特徴とする。
て処理している状態において、いずれかのプロセス系で
障害が発生すると、統合制御コントローラがこの障害の
発生を検知する。そして、統合制御コントローラが障害
が発生したプロセス系で処理する予定の基板を残余の正
常なプロセス系へ振り替え、これら基板の処理を続行さ
せる。したがって、障害が発生したプロセス系の分、処
理が遅延するものの、基板処理を続行することで、全て
の処理を中断する場合に比べて総じて生産効率を高める
ことができる。
害対処システムを図面を参照して説明する。なお、本実
施例は図1及び図2に示した半導体製造装置に本発明を
適用したものであり、既に説明した部分には同一符号を
付して重複する説明は省略する。プロセスモジュールP
M1とPM2とから成るプロセス系と、プロセスモジュ
ールPM4とPM3とから成るプロセス系とのいずれに
も障害がなく正常に稼働している状態では、本実施例に
おいても、統合制御コントローラGCが図3に示したテ
ーブル内容に従って各コントローラPC1〜PC4、C
C1、CC2、TCを統括して制御し、図4に示したよ
うにウエハを奇数枚目と偶数枚目に分けてそれぞれのプ
ロセス系で分散処理させる。
各プロセスモジュールコントローラPC1〜PC4から
のエラー信号を受けて、各プロセスモジュールコントロ
ーラPC1〜PC4及び各プロセスモジュールPC1〜
PC4での障害発生を検知する手段を有しており、シス
テム稼働中はこの障害発生検知を常時行っている。ま
た、本実施例の統合制御コントローラGCは、ウエハ搬
送テーブルTの内容を書き換える手段を有しており、障
害発生を検知したときには、この書換手段によってテー
ブルTの内容を書き換え、障害が発生したプロセス系で
処理する予定のウエハを残余の正常なプロセス系へ振り
替えて処理を続行する縮退運用を実施する。なお、本実
施例では、統合制御コントローラGCの操作パネルを操
作して、作業者が縮退運用を実施するか否かを選択指示
することができ、当該指示がなされている場合にのみ、
統合制御コントローラGCが縮退運用を実施する。
ールコントローラPC1〜PC4及びプロセスモジュー
ルPC1〜PC4で障害が発生した場合における、本実
施例のシステムの動作を図5〜図7を参照して説明す
る。まず、システムが起動されると統合制御コントロー
ラGCが各プロセスモジュールコントローラPC1〜P
C4からのエラー信号の監視を開始し(ステップSS
1)、プロセスモジュールコントローラPC1〜PC4
或いはプロセスモジュールPC1〜PC4のいずれかで
障害が発生して、統合制御コントローラGCが当該障害
に係るプロセスモジュールコントローラPC1〜PC4
からのエラー信号を受信すると、縮退運用を実施する指
示がなされていか否かを判断する(ステップS2)。
ない場合には、従来と同様に全てのプロセス系の処理を
中断させる(ステップS3)。なお、本実施例では、統
合制御コントローラGCの操作パネルを操作して、縮退
運用をすることなく、正常なプロセス系のみをそのまま
稼動させるように選択指示することもでき、この指示が
なされている場合には、正常なプロセス系は図3に示し
た内容のままのテーブエルTに従って自己が処理すべき
ウエハのみの処理を続行する(ステップS3)。一方、
上記の判断の結果、縮退運用実施の指示がなされている
場合には、エラー信号及び図3のテーブル内容に基づい
て、障害が発生したプロセス系が奇数枚目のウエハを処
理する系であるかを統合制御コントローラGCが判断す
る(ステップS4)。
(すなわち、PM1及びPM2の系)で障害が発生して
いる場合にはウエハ搬送テーブルTの奇数枚目のウエハ
に関するスケジュールを書き換える一方(ステップS
5)、偶数枚目のウエハを処理する系(すなわち、PM
4及びPM3の系)で障害が発生している場合にはウエ
ハ搬送テーブルTの偶数枚目のウエハに関するスケジュ
ールを書き換える(ステップS6)。
GCの書換手段でなされ、例えば、図3中及び図5図中
に×印で示すように、1枚目(奇数枚目)のウエハのプ
ロセス処理中に障害が発生した場合には、図6に*印で
示すように、ウエハ搬送テーブルTの当該ウエハ以降の
奇数枚目に係るスケジュールが書き換えられる。すなわ
ち、3枚目、5枚目、7枚目、9枚目のウエハは、正常
な処理においてはプロセスモジュールPM1及びPM2
から成るプロセス系で処理されるようにスケジュールさ
れているが(図3参照)、このプロセス系に障害が発生
したことにより、プロセスモジュールPM4及びPM3
から成る正常なプロセス系で処理されるように書き換え
られる。
た後、このテーブルTの内容に従って統合制御コントロ
ーラGCが制御を行う(ステップS7)。この結果、図
5に示すように、プロセスモジュールPM4及びPM3
から成る正常なプロセス系において、後続する(3枚目
以降の)ウエハが処理される。したがって、障害が生じ
たプロセス系で処理する予定のウエハについても処理が
続行され、ウエハに薄膜形成等の所定の処理が施され
る。
は、プロセス系が減少することによってウエハ搬送の重
複が減少することから、統合制御コントローラGCは図
5に示すように3枚目以降のウエハについての待ち時間
を調整し、2経路で処理していたものを1経路で処理す
るように制御を行う。このため、プロセス系に障害が生
じても装置を停止することなく、全てのウエハを処理す
ることができる。
ローラGCはコントローラPC1〜PC4からのエラー
信号で障害発生を検知するようにしたが、各コントロー
ラPC1〜PC4や各プロセスモジュールPC1〜PC
4を直接監視して、障害発生を検知するようにしてもよ
い。また、上記実施例の半導体製造装置では、搬入用と
搬出用のカセットモジュールCM1、CM2をそれぞれ
設けたが、1つのカセットモジュールで搬入と搬出とを
兼用させることも可能である。
のプロセス系は2つ以上あればよく、また、各プロセス
系は1つ以上のプロセスモジュールで構成されていれば
よい。また、本発明はクラスタ型以外の半導体製造装置
にも適用することが可能であり、要は、2つ以上のプロ
セス系で処理対象の基板を分散処理する半導体製造装置
であれば本発明を適用することができる。
対処システムによれば、基板を複数のプロセス系で分散
して処理する半導体製造装置において、いずれかのプロ
セス系で障害が発生した場合に、統合制御コントローラ
が障害が発生したプロセス系で処理する予定の基板を残
余の正常なプロセス系へ振り替えて処理を続行させるよ
うにしたため、最小限の遅延によって、処理予定の基板
の所定の処理を施すことができ、従来に比して半導体製
造の効率を高めることができる。
例を示す平面図である。
ある。
す説明図である。
チャートである。
イムチャートである。
を示す説明図である。
のフローチャートである。
ル、 CM1、CM2 カセットモジュール、 TM トランスポートモジュール、 GC 統合制御コントローラ、 PC1、PC2、PC3、PC4 プロセスモジュール
コントローラ、 CC1、CC2 カセットモジュールコントローラ、 TC トランスポートモジュールコントローラ、
Claims (1)
- 【請求項1】 処理対象の基板を複数枚収容する搬入モ
ジュールと、前記基板に所定の処理を施すプロセスモジ
ュールと、処理がなされた基板を収容する搬出モジュー
ルとを、基板を各モジュール間で搬送するトランスポー
トモジュールを介して連接した半導体製造装置におい
て、 前記プロセスモジュールを複数設けるとともに、トラン
スポートモジュールで搬入モジュールからの基板を各プ
ロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセ
ス系で基板を分散処理させ、 各モジュールを統括して制御する統合制御コントローラ
が、いずれかのプロセス系で発生した障害を検知し、各
モジュールを制御して当該障害の発生した系を除く残余
のプロセス系で基板処理を続行させることを特徴とする
半導体製造装置の障害対処システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22262395A JPH0950948A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 半導体製造装置の障害対処システム |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22262395A JPH0950948A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 半導体製造装置の障害対処システム |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007329639A Division JP2008098670A (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 半導体製造装置の障害対処システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0950948A true JPH0950948A (ja) | 1997-02-18 |
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ID=16785360
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP22262395A Pending JPH0950948A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 半導体製造装置の障害対処システム |
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010030438A (ko) * | 1999-09-20 | 2001-04-16 | 가나이 쓰도무 | 진공처리장치의 운전방법 및 웨이퍼의 처리방법 |
JP2002252263A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム及び処理システムの被処理体の搬送方法 |
US6714832B1 (en) | 1996-09-11 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
JP2008091816A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及びプログラムを記憶する記憶媒体 |
JP2008109134A (ja) * | 2007-10-17 | 2008-05-08 | Hitachi Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法 |
JP2008166830A (ja) * | 2008-01-22 | 2008-07-17 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び真空処理装置 |
CN100411098C (zh) * | 2003-04-03 | 2008-08-13 | 精工爱普生株式会社 | 制造装置及制造方法 |
JP2009076503A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
JP2011054860A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体装置の製造検査装置、および半導体装置の製造検査装置の制御方法 |
WO2011078270A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 株式会社アルバック | 真空処理装置の運用方法 |
JP2011146448A (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Ebara Corp | スケジューラ、基板処理装置、及び基板処理装置の運転方法 |
JP2012231150A (ja) * | 2012-06-13 | 2012-11-22 | Hitachi Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法 |
US8393845B2 (en) | 2005-01-21 | 2013-03-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate convey processing device, trouble countermeasure method in substrate convey processing device, and trouble countermeasures program in substrate convey processing device |
JP2013077796A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム |
JP2013140897A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及び縮退運用プログラム |
CN103247554A (zh) * | 2012-02-07 | 2013-08-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
US9728431B2 (en) | 2015-09-29 | 2017-08-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1995
- 1995-08-08 JP JP22262395A patent/JPH0950948A/ja active Pending
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6714832B1 (en) | 1996-09-11 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
US6853872B2 (en) | 1996-09-11 | 2005-02-08 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
US6885906B2 (en) | 1996-09-11 | 2005-04-26 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
US6941185B2 (en) | 1996-09-11 | 2005-09-06 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
KR20010030438A (ko) * | 1999-09-20 | 2001-04-16 | 가나이 쓰도무 | 진공처리장치의 운전방법 및 웨이퍼의 처리방법 |
JP2002252263A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム及び処理システムの被処理体の搬送方法 |
CN100411098C (zh) * | 2003-04-03 | 2008-08-13 | 精工爱普生株式会社 | 制造装置及制造方法 |
US8393845B2 (en) | 2005-01-21 | 2013-03-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate convey processing device, trouble countermeasure method in substrate convey processing device, and trouble countermeasures program in substrate convey processing device |
JP2008091816A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及びプログラムを記憶する記憶媒体 |
JP2009076503A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
JP2008109134A (ja) * | 2007-10-17 | 2008-05-08 | Hitachi Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法 |
JP2008166830A (ja) * | 2008-01-22 | 2008-07-17 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び真空処理装置 |
JP2011054860A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体装置の製造検査装置、および半導体装置の製造検査装置の制御方法 |
JPWO2011078270A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2013-05-09 | 株式会社アルバック | 真空処理装置の運用方法 |
WO2011078270A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 株式会社アルバック | 真空処理装置の運用方法 |
JP2011146448A (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Ebara Corp | スケジューラ、基板処理装置、及び基板処理装置の運転方法 |
JP2013077796A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム |
JP2013140897A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及び縮退運用プログラム |
CN103247554A (zh) * | 2012-02-07 | 2013-08-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
JP2013179257A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
TWI547970B (zh) * | 2012-02-07 | 2016-09-01 | Tokyo Electron Ltd | A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium |
JP2012231150A (ja) * | 2012-06-13 | 2012-11-22 | Hitachi Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法 |
US9728431B2 (en) | 2015-09-29 | 2017-08-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
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