TWI547970B - A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium - Google Patents

A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium Download PDF

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Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本發明係關於使用對基板進行液處理之模組和進行紫外線照射之模組的基板處理裝置及基板處理方法之技術領域。
在半導體製造工程之一的光阻工程中，在半導體晶圓(以下稱為晶圓)之表面塗佈光阻，以特定圖案使該光阻曝光之後予以顯像而形成光阻圖案。該光阻圖案之形成係藉由在進行光阻等之各種塗佈膜之形成處理及顯像處理之塗佈、顯像裝置連接有進行曝光處理之曝光裝置的系統而進行。
就以被設置在塗佈、顯像裝置之模組之一而言，有以顯示時不殘留晶圓之圖案區域之外側的周緣部之光阻膜之方式，曝光形成光阻膜之後的晶圓之周緣部的周緣曝光模組。該模組係將例如水銀燈或氙當作光源而對晶圓之周緣部照射紫外線，但燈具有使用壽命。因此，於決定燈之更換時期，更換時期來到之時，輸出警報，以進行燈之更換。
另外，以即使在進行如此之燈更換等之維修之時也可以繼續進行晶圓之處理之方式，使包含周緣曝光模組等之單位區塊雙重化(專利文獻1)。此時，將晶圓分配至雙方之單位區塊而進行搬運，並且維修一方之單位區塊之時，或是在一方之單位區塊產生故障之時等，如專利文獻2可以使用另一方之單位區塊。
然而，當燈之使用壽命超過時，由於完全無法使用該燈，故進行用以形成曝光前之塗佈膜之處理的晶圓無法流至下游側，必須回收該些殘留晶圓，裝置之運轉效率下降。另外，由於每個燈之使用壽命具有偏差，針對燈之更換時期，視餘裕而設定比實際使用壽命早的時期。因此，周緣曝光模組之燈運轉成本變高，再者維修頻率變高。再者，所知的也有當燈之照度變差時，因應其下降量增長曝光時間而進行周緣曝光(累積曝光)之情形，但是即使在此狀況下，當到達使用壽命而照度低於下限值之時，則無法使進行上述處理之晶圓流動，累積曝光因處理之時間長，故成為生產量下降之主要原因。
並且，就以對晶圓等之基板照射紫外線之處理而言，除周緣曝光之外，有除去有機物之處理或對矽氧化膜等之絕緣膜進行改質的處理。進行如此之處理的紫外線模組，有進行例如板片洗淨之模組或矽氧化膜用之藥液塗佈模組等一起配置在含搬運路的區塊內之情形。即使在如此之狀況下，也有同樣之課題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-277528
[專利文獻2]日本特開2009-278138
本發明係鑒於如此之情形而創作出，其目的在於提供對基板照射紫外線而進行處理時，可以增長紫外線照射模組之光源之更換週期，再者可以抑制生產量下降之技術。
本發明之基板處理裝置係被構成藉由收授機構將從載體被排出之相同批量內的基板，分配至用以進行互相相同之一連串處理的複數單位區塊，各單位區塊具備有對基板供給處理液之液處理模組，和用以對基板照射紫外線之紫外線照射模組，和在該些模組間搬運基板之基板搬運機構，該基板處理裝置之特徵為包含：照度檢測部，其係用以檢測出上述紫外線照射模組之光源的照度；控制部，其係當針對上述複數單位區塊中之一單位區塊的紫外線照射模組，照度檢測值成為設定值以下之時， 以停止基板朝該一單位區塊收授，並且將後續之基板收授至其他單位區塊之方式，控制上述收授機構，再者，對已被收授至上述一單位區塊之基板，以將照射時間調整成因應上述照度檢測值之長度而進行照射之方式，控制上述紫外線照射模組。
本發明之基板處理方法係使用基板處理裝置而對基板進行處理之方法，該基板處理裝置係被構成藉由收授機構將從載體被排出之相同批量內的基板，分配至用以進行互相相同之一連串處理的複數單位區塊， 各單位區塊具備有對基板供給處理液之液處理模組，和用以對基板照射紫外線之紫外線照射模組，和在該些模組間搬運基板之基板搬運機構，該基板處理方法之特徵為包含：檢測出上述紫外線照射模組之光源之照度的工程；當針對上述複數單位區塊中之一單位區塊之紫外線照射模組，照度檢測值成為設定值以下之時，以停止基板朝該一單位區塊收授，並且將後續之基板收授至其他單位區塊之方式，控制上述收授機構之工程；對已被收授至上述一單位區塊之基板，將照射時間調整成因應上述照度檢測值之長度而進行照射之工程；和於結束對已被收授至上述一單位區塊之基板進行照射之後，更換該一單位區塊中之紫外線照射模組之光源的工程。
本發明之記憶媒體記憶有基板處理裝置所使 用之電腦程式，該基板處理裝置係被構成藉由收授機構將從載體被排出之相同批量內的基板，分配至用以進行互相相同之一連串處理的複數單位區塊，具備：各單位區塊具備有對基板供給處理液之液處理模組，和用以對基板照射紫外線之紫外線照射模組，和在該些模組間搬運基板之基板搬運機構，該記憶媒體之特徵為包含：上述程式係以實施上述基板處理方法之方式組成步驟群。
本發明包含液處理模組及紫外線照射模組，將基板分配並收授至用以進行互相相同的一連串處理之複數單位區塊。然後，一單位區塊之紫外線照射模組之照度檢測值成為設定值以下之後，使用其他單位區塊，對已被收授至上述一單位區塊的基板，將照射時間調整成因應照度檢測值之長度而進行照射，之後更換紫外線照射模組之光源。
因此，比起考慮光源之使用壽命之偏差以持有餘裕定期性地進行光源之更換之情況，可以將該光源使用至接近其使用壽命之時期，或使用壽命為止。因此，謀求成本之低廉化，再者維修頻率也變少。再者，藉由調整照射時間，照射時間較一般變長，如此成為所謂的累積照射之對象的基板，由於僅有已被搬入至一單位區塊之基 板，故可以抑制全體生產量之下降。
並且，當一單位區塊之紫外線照射模組之光源之使用時間到達至設定時間時，若停止基板朝其單位區塊收授，並對已被收授至一單位區塊之基板，進行一般照射時，因兼用累積照射之手法，故可以將設定時間設定成較長。然後，藉由併用累積照射和使用時間的設定，進行累積照射之確率變低，可以期待降低由於累積照射使得基板受到處理時間長期化的影響。
4‧‧‧周緣曝光模組
9‧‧‧燈
26‧‧‧加熱模組
30‧‧‧收授臂
41、71‧‧‧旋轉台
42‧‧‧曝光部
45‧‧‧燈室
73‧‧‧紫外線照射部
74‧‧‧UV燈
60、75‧‧‧照度檢測部
100‧‧‧控制部
B1~B6‧‧‧單位區塊
S2‧‧‧處理區塊
W‧‧‧晶圓
第1圖為表示第1實施型態之基板處理裝置之俯視圖。
第2圖為表示上述基板處理裝置的側面圖。
第3圖為表示上述基板處理裝置的縱斷側面圖。
第4圖為表示周緣曝光模組之斜視圖。
第5圖為表示上述基板處理裝置之控制部的說明圖。
第6圖為說明本發明之基板處理工程之流程圖。
第7圖為表示與第1實施型態有關之基板處理裝置之光源之照度惡化之時的處理工程的說明圖。
第8圖為表示與第1實施型態有關之基板處理裝置之光源之照度惡化之時的處理工程的說明圖。
第9圖為表示與第1實施型態有關之基板處理裝置之光源之照度惡化之時的處理工程的說明圖。
第10圖為表示燈更換中照度惡化之時之處理工程的說明圖。
第11圖為表示燈更換中照度惡化之時之處理工程的說明圖。
第12圖為表示燈更換中照度惡化之時之處理工程的說明圖。
第13圖為表示第2實施型態之基板處理裝置之斜視圖。
第14圖為表示紫外線照射模組之斜視圖。
第15圖為表示紫外線照射模組之縱斷側面圖。
[第1實施型態]
針對與本發明有關之基板處理裝置及與其方法有關之第1實施型態進行說明。首先，一面參照第1圖~第3圖，針對基板處理裝置(塗佈、顯像裝置)之全體概要予以說明。該裝置構成直線狀地連接載體區塊S1，和處理區塊S2，和介面區塊S3。在介面區塊S3又連接有曝光站S4。在之後的說明中，將區塊S1~S3之配列方向設為前後方向。
載體區塊S1具有將含有複數片屬於相同批量基板之晶圓W的載體C搬入搬出至裝置內之作用，且具備載體C之載置台11、開關部12、用以經開關部12而從 載體C搬運晶圓W之搬運機構的移載機構13。
處理區塊S2係被構成從下方依序疊層對晶圓W進行液處理之第1~第6單位區塊B1~B6。為了方便說明，有以「BCT」來表現在晶圓W形成下層側之反射防止膜之處理，以「COT」來表現在晶圓W形成光阻膜之處理，以「DEV」來表現用以在曝光後之晶圓W形成光阻圖案之處理之情形，在第2圖中，以「層」表現單位區塊，避免記載複雜化。
在該例中，從下方各以兩層疊層BCT層、COT層、DEV層，以COT層(B3、B4)為代表而一面參照第1圖一面予以說明。在從載體區塊S1朝向介面區塊S3之搬運區域R3之左右之一方側，於前後方向配置棚架單元U1~U6，在另一方側各於前後並列設置屬於液處理模組之光阻塗佈模組24，和保護膜形成模組25。光阻塗佈模組24被構成具備兩個杯單元21，在該杯單元21內保持晶圓W，從藥液噴嘴對晶圓W上供給光阻液，並進行旋轉塗佈。再者，保護膜形成模組25被構成藉由用以形成保護膜之藥液，同樣地使用杯模組22而進行處理。
在上述搬運區域R3，設置有用以搬運晶圓W之基板搬運機構之搬運臂A3。該搬運臂A3係被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如，並且在搬運區域R3之長度方向移動自如，可以在單位區塊B3之各模組間進行晶圓W之收授。再者，上述棚架單元U1~U6係沿著搬運區域R3之長度方向而配列，棚架單元U1~U5係被 構成兩層層疊進行晶圓W之加熱處理的加熱模組26。棚架單元U6係藉由互相疊層之周緣曝光模組4而被構成。該周緣曝光模組4相當於紫外線照射模組，用以對光阻塗佈後之晶圓W之周緣部照射紫外線而進行曝光。
其他之單位區塊B1、B2、B5及B6除了供給晶圓W之藥液不同及以設置加熱模組26代替周緣曝光模組4等之外，構成與單位區塊B3、B4相同。單位區塊B1、B2具備反射防止膜形成模組以取代光阻塗佈模組24、保護膜形成模組25，單位區塊B5、B6具備顯像模組。在第3圖中，各單位區塊B1~B6之搬運臂係以A1~A6表示。
在處理區塊S2中之載體區塊S1側，設置有橫跨各單位區塊B1~B6而上下延伸之塔柱T1，和用以對塔柱T1進行晶圓W之收授的屬於升降自如之收授機構的收授臂30。塔柱T1係藉由互相疊層之複數模組而被構成。就以該些模組而言，雖然實際上設置有被設置在各單位區塊之高度位置的收授模組、進行晶圓W之收授的調溫模組、暫時性保管複數片之晶圓W的緩衝模組，和使晶圓W之表面疏水化之疏水化處理模組等，但是為了簡化說明，該些模組成為用以在收授臂30和各單位區塊B1~B6之搬運臂A1~A6之間收授晶圓W之收授模組TRS。
介面區塊S3具備橫跨單位區塊B1~B6而上下延伸之塔柱T2、T9、T10，設置有用以對塔柱T2和塔 柱T9進行晶圓W之收授的升降自如之收授機構的介面臂3A，和用以對塔柱T2和塔柱T10進行晶圓W之收授的升降自如之收授機構的介面臂3B，和用以在塔柱2和曝光裝置S4之間進行晶圓W之收授的介面臂3C。塔柱T2係被構成收授模組TRS互相疊層。並且，雖然T9、T10也為塔柱，但在此省略說明。
針對由該基板處理裝置及曝光站S4所構成之系統之一般時的晶圓W之搬運路徑之概要，予以簡單說明。晶圓W係以載體C→移載機構13→塔柱T1之收授模組TRS→收授臂30→塔柱T1之收授模組TRS→單位區塊B1(B2)→單位區塊B3(B4)→介面區塊S3→曝光站S4→介面區塊S3→塔柱T1之收授模組TRS→移載機構13→載體C之順序而流動。
當針對處理區塊S2內之晶圓W之流動，予以詳細敘述時，形成反射防止膜之單位區塊B1、B2、形成光阻膜之單位區塊B3、B4及進行顯像之單位區塊B5、B6被雙重化，對該被雙重化之單位區塊，相同批量內之複數晶圓W被分配，即是被將交互搬運至單位區塊。在例如將晶圓W收授至單位區塊B1之狀況下，對於塔柱T1之中的收授模組TRS中，對應於單位區塊B1之收授模組TRS1(藉由搬運臂A3可進行晶圓W之收授的收授模組)，晶圓W藉由收授臂30被收授。塔柱T1中之收授臂30之接收來源之模組，係藉由移載機構13被搬入之收授模組TRS0。
再者，若將對應於單位區塊B2之收授模組設為TRS2時，收授模組TRS0之晶圓W藉由收授臂30被收授至收授模組TRS2。因此，相同批量內之晶圓W係藉由收授臂30對TRS1、TRS2交互分配收授模組。
再者，在單位區塊B1或B2完成反射防止膜之形成的晶圓W，經例如收授模組TRS1或TRS2，藉由收授臂30在對應於單位區塊B3之收授模組TRS3和對應於單位區塊B4之收授模組TRS4之間被交互分配搬運。
並且，以TRS、TRSn(n=自然數)表示之收授模組，也包含可以保持複數片晶圓W之構造。
並且，收授模組TRS並不限定於一個模組所構成者，即使以複數模組構成亦可。
並且，完成曝光之晶圓W係藉由介面區塊S3之收授臂，經塔柱T2之收授模組TRS而被交互搬入至單位區塊B5、B6。
接著，針對周緣曝光模組40予以說明。如第4圖所示般，周緣曝光模組40具備長方形狀之基台40、屬於紫外線照射部之曝光部42，在該基台40上設置有水平保持晶圓W而繞垂直軸旋轉，並且彎曲至在基台40之長方方向延伸之引導機構47而藉由驅動機構可移動之旋轉台41。
基台40係在第4圖中配置成前側面臨搬運區域R3，以鏈線所表示之晶圓W之位置係藉由搬運臂A3在與旋轉台41之間進行收授的收授位置，以虛線表示之後側的晶 圓W之位置為處理位置。
曝光部42具備被設置在基台40之下方的燈室45，在燈室45設置有照射例如紫外線之光源的紫外線燈，例如水銀燈或氙燈等。從燈室45延伸出將光源之光例如紫外線引導至光照射端44之光路構件46，光照射端44具備有鏡或透鏡之光學系構件和用以區劃形成曝光區域之遮罩，並且以對被置放在處理位置之晶圓W之表面之周緣部進行曝光之方式，被配置在晶圓W之上方。
再者，在基台40，以檢測出被置放在處理位置之晶圓W之周緣之方式，設置有以在該周緣之通過區域之上下各設置發光部及受光部而構成的周緣檢測部49。
當也參照用以說明後述之控制系統之第5圖時，在晶圓W之周緣部之通過區域之下方側，光照射端44之正下方(光照射端44之光照射區域)，設置有檢測出來自該光照射端44之光照度的照度檢測部60。在晶圓W之周緣部之通過區域和照度檢測部60之間，配置有用以對該照度檢測部60接收或遮蔽來自光照射端44之光的快門61。
當針對周緣曝光模組4中之處理予以敘述時，晶圓W從單位模組B3(B4)之搬運臂A3(A4)被收授至旋轉台41，旋轉台41移動至後側而晶圓W被置放在處理位置。接著，使晶圓W一次旋轉而藉由周緣檢測部49而光學性地檢測出晶圓W之周緣。之後，對晶圓W 之表面之周緣部，藉由來自曝光部42之紫外線(詳細而言為光照射端44)進行曝光，並且使晶圓W旋轉，而在涵蓋晶圓W的全周進行曝光(周緣曝光)。針對使晶圓W旋轉，根據周緣檢測部49之檢測結果，藉由移動部50，調整旋轉台41之位置(引導機構47之延伸方向之位置)，依此曝光寬度成為均勻。之後，晶圓W係藉由移動部50而返回至收授位置，被收取至搬運臂A3(A4)。
第5圖係針對基板處理裝置之控制系統中，與本發明關聯較深之部分予以表示。第5圖之中段之圖係模式性表示單位區塊B3、B4，先前所述之收授臂30、單位區塊B3、B4內之搬運臂A3、A4係藉由來自控制部100之控制訊號而被控制。控制部100並不限定於相當一個電腦，即使為相當於配合用以控制主電腦、各機構之控制器的系統亦可。
在第5圖之上段之圖係模式性表示周緣曝光裝置之主要部，使旋轉台41旋轉之旋轉機構43及使旋轉台41移動之移動部50，係藉由來自控制部100之控制訊號而被控制。再者，曝光部42之光源9(更具體而言燈)係藉由來自控制部100之控制訊號而被接通、斷開，再者其照度被調整。照度檢測部60被構成對控制部100發送照度檢測值。
控制部100係在匯流排57連接CPU51、程式52、搬運排程54、記憶體53、時間計數器55、警報產生部58。搬運排程54係將何種晶圓W要置放在何種模組以 當作時間序列資料而排列。處理配方56係寫入有進行各處理之模組的處理條件的資料。
程式52係包含用以參照搬運排程54對移載機構13、收授臂30、各搬運臂A1~A6、介面區塊S3內之介面臂3A~3C等輸出控制訊號之程式；用以一面參照處理配方56一面控制各模組之程式；具備有當在單位區塊B1~B6之例如處理模組產生不良狀況之時，對晶圓W應進行如何之搬運或對其處理模組應採如何對應之步驟的程式等，為了運轉基板處理裝置所需之程式。
然後，在該程式52中，包含當周緣曝光模組4之照度低於設定值之時，用以實行針對使用時間超越設定時間之時之處理的程式，藉由該程式運轉成後述之作用說明般。
並且，搬運排程54、處理配方56及程式52被儲存於記憶體，但是在第5圖中，為了方便省略儲存該些之記憶體部分而予以表示。
控制部100內之記憶體53係記憶周緣曝光裝置之照度設定值、使用時間之設定時間，時間計數器55係用以在周緣曝光模組4中計數更換燈之後之使用時間。為了計數使用時間，即使使用在匯流排57連接作為時間計數器之機器的計數器(計時器)亦可，即使藉由軟體計數時間亦可。或是，即使在例如周緣曝光模組4內設置計數器，將其計數值發送至主電腦亦可，此時設成計數器構成控制部100之一部分者。警報產生部58係用以於進行 搬運排程54或處理配方56之變更時，產生警報並通知至操作者。
由於針對從載體區塊S1內之載體C被取出之晶圓W返回至載體C之一連串之全體之工程已記載，故在此針對包含與本發明有關之曝光前之晶圓W進行的搬運之處理區塊S2之處理的樣子予以說明。首先，相同之批量內之晶圓W係如先前所述般，被分配至單位區塊B1、B2，互相進行相同之處理而形成反射防止膜，之後藉由搬運臂A1或A2，被搬運至對應於各單位區塊B1、B2之塔柱T1內之收授模組TRS1或TRS2。
接著，將藉由收授臂30被載置至收授模組TRS1或TRS2之晶圓W，順序分配(交互)收授至各個對應於單位區塊B3、B4的塔柱T1內之收授模組TRS3、TRS4。如此之分配搬運係根據第5圖所示之控制部100之搬運排程54而進行，例如批量內之晶圓W所分配到之號碼的奇數號碼被收授至單位區塊B3，偶數號碼被收授至單位區塊B4。
例如被收授至收授模組TRS3之晶圓W，藉由單位區塊B3內之搬運臂A3被收授至光阻塗佈模組24，在此被塗佈光阻。並且，更詳細而言係在前段之收授模組TRS1或TRS2附加晶圓W之調溫機能，光阻塗佈前之晶圓W被調整成適合光阻液之塗佈的溫度。接著，該晶圓W在加熱模組26被加熱處理，又在保護膜形成模組25被塗佈保護膜用之藥液，又在加熱模組26被進行加熱 處理。在該例中，加熱模組26設置有與加熱板鄰接兼作移載臂使用之冷卻板，於加熱處理之後，藉由該冷卻板被冷卻。
之後，晶圓W被搬入至周緣曝光模組4，如先前所述般，一面藉由旋轉台41使晶圓W一面藉由曝光部42進行周緣曝光。然後，該晶圓W係藉由搬運臂A3被收授至介面區塊S3側之塔柱T2中之收授模組TRS3’，之後經介面區塊S3內之機械臂3C被移載至進行圖案曝光之曝光站S4。再者，即使針對被收授至塔柱T1之收授模組TRS4之晶圓W，也被搬入至單位區塊B4內而進行同樣之處理。
接著，針對周緣曝光模組4之狀態和晶圓W之搬運之關係，參照第6圖至第9圖循序說明。第6圖係以流程圖之型態表示晶圓W之搬運或處理流程之圖示。如先前所述般，於晶圓W被置放在曝光位置之前，打開快門61，並藉由照度檢測部60檢測出來自周緣曝光模組4之曝光部42之曝光照度，並藉由控制部100之程式52監視照度檢測值是否比事先所設定之照度設定值低(步驟S1)。當將一般時之曝光部42之照度設為基準照度時，當接近燈9之使用壽命時，照度緩緩地降低，最終成為即使調整曝光時間也無法曝光之程度的照度。當將該照度設為下限照度時，上述照度設定值為相當於上述基準照度和下限照度之間的值。
若照度檢測值為高於照度設定值之值時，因 在步驟S1成為「YES」，故判斷燈9之使用時間(使新品之燈9導通的經過時間)是否超過設定時間(步驟S2)。設定時間即使為藉由例如燈9之規格被規定之使用壽命亦可。此時，實際上因在燈9之各個之間使用壽命具有偏差，故若為使用時間到達至設定時間仍可以使用之燈9時，亦可以考慮使用時間到達設定時間之前無法使用之燈9。於僅進行使用時間之監視之時，當使用後者之燈9時，雖然成為突然無法使用燈9之事態，但是在該實施型態中，即使針對曝光部42之照度，因在步驟S1監視，故不會成為如此之事態。再者，上述設定時間即使當作較藉由燈9之規格所規定之使用壽命稍長之時間亦可，或較上述使用壽命稍短之時間亦可。
在步驟S2中，若燈9之使用時間到達至設定時間時，則朝一般之處理進行。即是，如第7圖所示般，在單位區塊B1或B2結束處理之晶圓W藉由收授機械臂30被分配收授至塔柱T1之收授模組TRS3、TRS4，之後被搬入至單位區塊B3、B4。晶圓W之分配係在被收授至收授模組TRS3、TRS4之時點被實施，被置放在收授模組TRS3(TRS4)之晶圓W各藉由單位區塊B3(B4)之搬運臂A3(A4)被搬運。因此，收授模組TRS3(TRS4)亦可以當作單位區塊B3(B4)之構成模組之一個。
被搬入至單位區塊B3、B4之晶圓W係如先前所述般被處理，然後在周緣曝光模組4進行一般之曝光處理(步驟S3)。
另外，當照度檢測值成為照度設定值以下時，在步驟S1成為「NO」，驅動警報產生部58產生警報(步驟S4)，實行與一般時不同之特殊模式(步驟S5)。就以警報而言，可舉出例如警報音或設置在塗佈、顯像裝置之警報燈之點燈等。再者，即使在顯像裝置之操作畫面，顯示如曝光部42之照度在何單位區塊變低般之資訊亦可。
在上述特殊模式中，當為了方便將照度變低之曝光部42所屬之單位區塊稱為異常單位區塊時，停止晶圓W朝異常單位區塊搬入，並且對於被搬入至該異常單位區塊之預定的晶圓W，搬入至單位區塊B3、B4中之正常單位區塊(第8圖)。如此晶圓W之搬運之變更，係藉由重寫控制部100內之上述搬運排程54而進行。
搬運排程54係從以時間序列記載晶圓W之搬運源之模組群的資料，重寫搬運排程54之時，收授臂30在已開始對屬於搬運源之收授模組TRS1或TRS2進行收授動作之後，針對被施予該收授動作之晶圓W，被搬入至單位區塊B2或B3。並且，此時即使為對在軟體上花點巧思，使施予收授動作的晶圓W，搬入至正常之單位區塊(B3或B4)亦可。
再者，針對已被搬入至異常單位區塊(B3或B4)之晶圓W，除調整周緣曝光時間之外，其他與一般之情形相同進行處理(步驟S6)。在周緣曝光模組4中，曝光量以{照度×旋轉速度×曝光角度×照射遮罩開口 區域/曝光部周長}所算出。當燈9之照度低於照度設定值之時，將進行周緣曝光之時的旋轉台41之旋轉速度變更成藉由{基準照度×一般之時之旋轉速度/照度檢測值}算出的速度，而變更成晶圓W周緣部之每單位面積之光照射時間延伸，即使藉由低於照度設定值之燈9，也調整成充分進行周緣曝光。於結束被殘留在異常單位區塊之晶圓W之處理之後，在步驟S7熄滅燈9，進行周緣曝光模組4之燈9的更換。再者，如第9圖所示般，在正常之單位區塊(B3或B4)持續搬入而與一般之時相同進行處理。
並且，燈9之照度大於設定值，於燈9之使用時間超越設定時間之時，在步驟S1成為「YES」，在步驟S2成為「NO」。警報產生部58被驅動而產生警報(步驟S4)，與先前所述之步驟S5相同，停止晶圓W搬入至以上單位區塊(步驟S9)之後，針對已被搬入之晶圓W，與一般之時相同，進行處理(步驟S10)，在步驟S7熄滅燈9，進行周緣曝光模組4之燈9的更換。
並且，在第6圖所示之流程中，步驟S1及步驟S2之順序即使為相反亦可。
若藉由上述實施型態時，包含形成含有光阻膜之塗佈膜之模組及周緣曝光模組4，將晶圓W分配收授至用以進行互相相同之一連串之處理的複數單位區塊。然後，一單位區塊之周緣曝光模組4之照度檢測值成為設定值以下之後，使用其他之單位區塊，針對已被收授至上述 一個單位區塊之晶圓W，將曝光時間調整成因應照度檢測值之長度而進行周緣曝光，之後更換周緣曝光模組4之燈9。
因此，比起考慮燈9之使用壽命之偏差以持有餘裕定期性地進行燈9之更換之情況，可以將該燈9使用至接近其使用壽命之時期。因此，謀求成本之低廉化，再者維修頻率也變少。再者，藉由調整曝光時間，曝光時間較一般變長，如此成為所謂的累積照射(累積曝光)之對象的晶圓W，由於僅有已被搬入至一單位區塊之晶圓W，故可以抑制全體生產量之下降。
並且，當一單位區塊之周緣曝光模組4之燈9之使用時間到達至設定時間時，若停止晶圓W朝其單位區塊收授，並對已被收授至一單位區塊之晶圓W，進行一般照射時，因兼用累積曝光之手法，故可以將使用時間設定成較長。然後，藉由如此地併用累積曝光和使用時間之設定，進行累積曝光之確率變低，可以期待降低由於累積照射使得晶圓W受到處理時間長期化的影響。
再者，在第6圖之流程圖中，針對於進行燈9之更換或維修等之時照度檢測值成為照度設定值以下之時，因其確率極低故無假設，但針對此時之處理工程，使用第10至12圖予以說明。如第10圖所示般，針對當在單位區塊B3、B4中之一方例如單位區塊B4中產生如何的故障或是進行維修等，而停止對該單位區塊B3搬入晶圓W之時，在另一方之單位區塊B3中周緣曝光模組4之 照度檢測值成為設定值以下之時的對策之一例予以說明。
此時，並非停止藉由搬運臂30之該單位區塊B3朝該單位區塊B3搬入，而係停止從置放在載體區塊S1之載體C排出晶圓W。然後，針對已從載體C被排出之晶圓W，搬入至單位區塊B3，僅在該單位區塊B3持續進行晶圓W之處理。在周緣曝光模組4中，如在先前所述之步驟S5中所述般藉由累積曝光模式繼續進行周緣曝光處理。
並且，在控制部100之記憶體53記憶較先前所述之照度設定值低之照度下限值，於照度檢測值到達照度下限值之時，停止晶圓W之處理。於停止晶圓W之搬入的單位區塊B4之維修結束，成為可運轉之後，如第12圖所示般，產生警報而通知至操作者，再次開始從載體區塊S1之載體C排出晶圓W，並將晶圓W搬入至單位區塊B4。針對已被搬入至單位區塊B3內之晶圓W，在該單位區塊B3進行處理，在周緣曝光模組4進行累積曝光。於結束單位區塊B3內之晶圓W處理之後，快速進行燈9之更換。
若藉由該實施型態之時，縱使在各單位模組產生異常，由於活用周緣曝光模組4之燈9之照度成為設定值以下之單位模組而處理晶圓W，故有可以抑制生產效率之下降的優點。針對實施如此之對策方法，在上述之例中，雖然為於配置兩層進行相同一連串之處理的單位模組之時，若以也包含設置3層以上而當作一般手法予以說明 時，則如下述。即是，當針對複數之單位模組之一單位區塊之周緣曝光模組4，照度檢測值成為設定值以下之時，於其他的所有單位區塊無法使用之時，成為如停止自載體C排出晶圓W般的處理然後，針對從載體C被排出之晶圓W，搬入至上述一單位區塊，而將周緣曝光時間調整成因應上述照度檢測值之長度而進行周緣曝光。
再者，並非停止從載體C排出晶圓W，載體C內之晶圓W所有進行排出處理。即使停止自下一個載體C排出亦可。
[第2實施型態]
上述實施型態係將本發明適用於塗佈、顯像裝置，但是本發明並不限定於顯像裝置，即使適用於其他基板處理裝置亦可。就以具體例而言，可以舉出於乾蝕刻等之後進行的濕式的洗淨裝置。該洗淨裝置係可以設成以複數層例如兩層疊層單位區塊的構成，該單位區塊具備以洗淨液洗淨例如基板之複數板片式之洗淨模組和紫外線照射模組(以下，稱為「UV照射模組」)；和在該些模組間搬運基板之基板搬運機構。
UV照射模組係用以藉由對基板照射紫外線，除去附著於基板之表面的有機物，針對具體構造於後述。上述洗淨模組具備被配置在杯體內之旋轉吸盤，和對被保持於旋轉吸盤之基板之中心吐出洗淨液之噴嘴，和使旋轉吸盤旋轉而將洗淨液擴散至基板表面全體而洗淨該表面。 就以洗淨模組之處理而言，可以舉出藉由藥液進行的洗淨，接著藉由純水進行的洗淨，之後的乾燥製程(旋轉乾燥)等。
第13圖係表示基板處理裝置之洗淨裝置之外觀，在收納洗淨液之瓶體等的化學區塊90上疊層兩層洗淨用之單位區塊B11、B12。
各單位區塊B11、B12係如第1圖所示般，具備沿著直線搬運路而移動之基板搬運機構，和各以沿著該直線搬運路而排列在直線搬運路之左右兩側的複數洗淨模組，和被設置在上述基板搬運機構之進出位置的UV照射模組。就以佈局之一例而言，可以舉出在左一列排列6台洗淨模組，再者在右側配置5台洗淨模組和1台UV照射模組之例。
在第13圖中，除了單位區塊外，與先前之實施型態相同，針對對應之部位賦予相同符號。
在此，針對UV照射模組之具體例，一面參照第14圖、第15圖，一面予以說明。UV照射模組係在矩形之基台70上，水平保持晶圓W繞垂直軸旋轉，並且沿著導軌72可在基台70之前側之收授位置，和深側之處理位置移動之旋轉台71。在晶圓W之處理位置之上方，以延伸於基台70之寬方向之方式設置有紫外線照射部73。在紫外線照射部73，設置有屬於光源之紫外線燈(以下，稱為「UV燈」)74，對處理位置之晶圓W，通過晶圓W之中心照射橫斷晶圓W之帶狀紫外線。在晶圓W之通過區域 之下方側，在UV燈之正下方，設置有檢測出來自該UV燈74之光照度的照度檢測部75。照度檢測部在例如導軌72之左右各設置一個。在晶圓W之通過區域和照度檢測部75之間，配置有用以對該照度檢測部75接收或遮蔽來自光UV燈74之光的快門76。
在與第2實施型態有關之基板處理裝置中，藉由載體C被搬入之晶圓W，藉由處理區塊S2內之收授臂30被分配至各個的單位區塊B11、B12。被搬入至單位區塊B11(B12)之晶圓W，於在洗淨模組進行洗淨處理之後，被搬入至UV照射模組。被搬入至UV照射模組之晶圓W，於被移動至處理位置之後，藉由旋轉台71被旋轉，並且被照射紫外線，在晶圓W之表面全體被照射紫外線。
在此，於晶圓W被搬運至UV照射模組之處理位置之前，打開快門76，藉由照度檢測部75檢測出UV照射模組之UV燈74之照度。一單位區塊之UV照射模組之照度檢測值成為設定值以下之後，將從載體C被搬入之晶圓W分配至其他單位區塊而進行處理，對已被收授至上述一單位區塊之晶圓W，將照射時間調整成因應照度檢測值之長度而進行UV照射，之後更換UV照射模組之UV燈74。如此一來，可以取得相同之效果。
再者，即使在第2實施型態中之單位區塊，設置用以在基板表面形成撥水性保護膜之模組，UV照射模組當作用以除去上述撥水性保護膜之模組使用亦可。此 時，藉由藥液在基板之表面形成撥水性保護膜，接著在洗淨模組洗淨基板之表面，然後在UV照射模組剝離保護膜。本發明在如此之情形下也可以適用，針對實施如對基板塗佈包含屬於絕緣膜之矽氧化膜之前軀體的藥液而形成絕緣膜，之後將此絕緣膜藉由在UV照射模組照射UV對絕緣膜進行改質之製程的基板處理裝置也可適用。此時，單位區塊配置形成例如屬於絕緣膜之塗佈膜的模組，和將基板載置在加熱板上而進行加熱之加熱模組及UV照射模組。

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，被構成藉由收授機構將從載體被排出之相同批量內的基板，分配至用以進行互相相同之一連串處理的複數單位區塊，各單位區塊具備有對基板供給處理液之液處理模組，和用以對基板照射紫外線之紫外線照射模組，和在該些模組間搬運基板之基板搬運機構，該基板處理裝置之特徵為具備：照度檢測部，其係用以檢測出上述紫外線照射模組之光源的照度；控制部，其係當針對上述複數單位區塊中之一單位區塊的紫外線照射模組，照度檢測值成為設定值以下之時，以停止基板朝該一單位區塊收授，並且將後續之基板收授至其他單位區塊之方式，控制上述收授機構，再者，對已被收授至上述一單位區塊之基板，以將照射時間調整成因應上述照度檢測值之長度而進行照射之方式，控制上述紫外線照射模組。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中上述控制部被構成當監視紫外線照射模組之光源之使用時間，並針對一單位區塊之紫外線照射模組，照度檢測值為高於設定值之值，而且一單位區塊中之紫外線照射模組之光源之使用時間到達設定時間之時，以停止基板朝該一單位區塊收授，並且將後續之基板收授至其他單位區塊 之方式，控制上述收授機構，再者對已被收授至上述一單位區塊之基板，以在上述光源之使用時間到達至設定時間之前為止的照射時間進行照射之方式，控制上述紫外線照射模組。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理裝置，其中上述控制部係針對一單位區塊之紫外線照射模組，照度檢測值成為設定值以下之時，且無法使用其他所有的單位區塊之時，以停止從載體排出基板或是將排出途中之載體的基板全部排出之後繼續從載體排出基板，並且針對從載體被排出之基板，搬入至上述一單位區塊，將照射時間調整成因應上述照射檢測值之長度而進行照射之方式，控制上述紫外線照射模組。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之基板處理裝置，其中上述控制部係控制成於無法使用之其他的至少一個單位區塊變成可使用之後，再次開始進行從載體排出基板。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理裝置，其中上述液處理模組係塗佈處理液而形成塗佈膜之模組，單位區塊具備對形成有塗佈膜之基板進行加熱處理之加熱模組，紫外線照射模組為用以對進行了加熱處理之基板之周緣部進行曝光的周緣曝光模組。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理裝置，其中上述液處理模組係供給洗淨液而進行洗淨之洗淨處理模組，紫外線照射模組為對洗淨前或洗淨後之基板照射紫外線之紫外線照射模組。
  7. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置對基板進行處理的方法，該基板處理裝置係被構成藉由收授機構將從載體被排出之相同批量內的基板，分配至用以進行互相相同之一連串處理的複數單位區塊，各單位區塊具備有對基板供給處理液之液處理模組，和用以對基板照射紫外線之紫外線照射模組，和在該些模組間搬運基板之基板搬運機構，該基板處理方法之特徵為包含：檢測出上述紫外線照射模組之光源之照度的工程；當針對上述複數單位區塊中之一單位區塊之紫外線照射模組，照度檢測值成為設定值以下之時，以停止基板朝該一單位區塊收授，並且將後續之基板收授至其他單位區塊之方式，控制上述收授機構之工程；對已被收授至上述一單位區塊之基板，將照射時間調整成因應上述照度檢測值之長度而進行照射之工程；和於結束對已被收授至上述一單位區塊之基板進行照射之後，更換該一單位區塊中之紫外線照射模組之光源的工 程。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之基板處理方法，其中又包含監視紫外線模組之光源之使用時間的工程，當針對一單位區塊之紫外線照射模組，照度檢測值為高於設定值之值，而且一單位區塊中之紫外線照射模組之光源之使用時間到達設定時間之時，以停止基板朝該一單位區塊收授，並且將後續之基板收授至其他單位區塊之方式，控制上述收授機構，再者對已被收授至上述一單位區塊之基板，在上述光源之使用時間到達至設定時間之前為止的照射時間進行照射。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所記載之基板處理方法，其中針對一單位區塊之紫外線照射模組，照度檢測值成為設定值以下之時，且無法使用其他所有的單位區塊之時，停止從載體排出基板或是將排出途中之載體的基板全部排出之後繼續從載體排出基板，並且針對從載體被排出之基板，搬入至上述一單位區塊，將照射時間調整成因應上述照射檢測值之長度而進行照射。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之基板處理方法，其中針對無法使用之其他至少一個單位區塊之紫外線照射模組，光源之更換作業結束而成為可使用之後，再次開始從載體排出基板。
  11. 如申請專利範圍第7或8項所記載之基板處理方法，其中上述液處理模組係塗佈處理液而形成塗佈膜之模組，單位區塊具備對形成有塗佈膜之基板進行加熱處理之加熱模組，紫外線照射模組為用以對進行了加熱處理之基板之周緣部進行曝光的周緣曝光模組。
  12. 如申請專利範圍第7或8項所記載之基板處理方法，其中上述液處理模組係供給洗淨液而進行洗淨之洗淨處理模組，紫外線照射模組為對洗淨前或洗淨後之基板照射紫外線之紫外線照射模組。
  13. 一種記憶媒體，記憶有基板處理裝置所使用之電腦程式，該基板處理裝置係被構成藉由收授機構將從載體被排出之相同批量內的基板，分配至用以進行互相相同之一連串處理的複數單位區塊，具備：各單位區塊具備有對基板供給處理液之液處理模組，和用以對基板照射紫外線之紫外線照射模組，和在該些模組間搬運基板之基板搬運機構，該記憶媒體之特徵為包含：上述電腦程式係以實施如申請專利範圍第7至12項中之任一項所記載之基板處理方法之方式，組成步驟群。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014105557A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 First Solar, Inc. Method and system for in-line real-time measurements of layers of multilayered front contacts of photovoltaic devices and calculation of opto-electronic properties and layer thicknesses thereof
JP6003859B2 (ja) * 2013-09-18 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP6076884B2 (ja) * 2013-11-19 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 剥離システム
JP6428466B2 (ja) * 2014-06-23 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体
EP3278353B1 (en) * 2015-03-31 2019-09-11 Tokyo Electron Limited Exposure dose homogenization through rotation, translation, and variable processing conditions
JP6655418B2 (ja) * 2016-02-17 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN107561864B (zh) 2016-06-30 2019-10-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 边缘曝光装置和方法
JP6439766B2 (ja) * 2016-09-23 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法及び塗布、現像装置
JP7274902B2 (ja) * 2019-03-25 2023-05-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0950948A (ja) * 1995-08-08 1997-02-18 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の障害対処システム
JPH10135094A (ja) * 1996-10-28 1998-05-22 Canon Sales Co Inc 半導体製造装置
JP2001332488A (ja) * 2000-05-25 2001-11-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2005324447A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Konica Minolta Medical & Graphic Inc インクジェット記録装置
JP2008506268A (ja) * 2004-07-09 2008-02-28 アクリオン・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 減圧下照射による処理方法及び装置
JP2009082774A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Chiyoda Kohan Co Ltd 紫外線水処理システム及びそのシステムに用いる紫外線水処理装置並びに遠隔監視装置。

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6952657B2 (en) * 2003-09-10 2005-10-04 Peak Sensor Systems Llc Industrial process fault detection using principal component analysis
JP4908304B2 (ja) 2007-04-27 2012-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、基板の処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2009212295A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Tokyo Electron Ltd 薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法
JP4985728B2 (ja) 2009-08-24 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0950948A (ja) * 1995-08-08 1997-02-18 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の障害対処システム
JPH10135094A (ja) * 1996-10-28 1998-05-22 Canon Sales Co Inc 半導体製造装置
JP2001332488A (ja) * 2000-05-25 2001-11-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2005324447A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Konica Minolta Medical & Graphic Inc インクジェット記録装置
JP2008506268A (ja) * 2004-07-09 2008-02-28 アクリオン・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 減圧下照射による処理方法及び装置
JP2009082774A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Chiyoda Kohan Co Ltd 紫外線水処理システム及びそのシステムに用いる紫外線水処理装置並びに遠隔監視装置。

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