JP6655418B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図2は、主として図1の塗布処理部121、塗布現像処理部131および洗浄乾燥処理部161を示す基板処理装置100の模式的側面図である。
図3は、主として図1の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162を示す基板処理装置100の模式的側面図である。図3に示すように、熱処理部123は、上方に設けられる上段熱処理部301および下方に設けられる下段熱処理部302を有する。上段熱処理部301および下段熱処理部302の各々には、除電装置OWE、密着強化処理ユニットPAHP、複数の熱処理ユニットPHPおよび複数の冷却ユニットCPが設けられる。
図4は、主として図1の搬送部122,132,163を示す側面図である。図4に示すように、搬送部122は、上段搬送室125および下段搬送室126を有する。搬送部132は、上段搬送室135および下段搬送室136を有する。上段搬送室125には搬送機構127が設けられ、下段搬送室126には搬送機構128が設けられる。また、上段搬送室135には搬送機構137が設けられ、下段搬送室136には搬送機構138が設けられる。
図1〜図4を参照しながら基板処理装置100の動作を説明する。インデクサブロック11のキャリア載置部111(図1)に、未処理の基板Wが収容されたキャリア113が載置される。キャリア113により基板処理装置100に搬入される未処理の基板Wには、SOG(スピンオンガラス)およびSOC(スピンオンカーボン)等の膜は形成されていない。搬送機構115は、キャリア113から基板載置部PASS1,PASS3(図4)に未処理の基板Wを搬送する。また、搬送機構115は、基板載置部PASS2,PASS4(図4)に載置された処理済の基板Wをキャリア113に搬送する。
まず、本実施の形態に係る除電装置OWEによる除電処理の概略を説明する。除電装置OWEにおいては、酸素分子を含む雰囲気内に配置される基板Wの上面(主面)に波長約120nm以上約230nm以下の真空紫外線が照射される。このとき、基板Wに照射される真空紫外線の一部が酸素分子を含む雰囲気に吸収される。基板Wの上面上の雰囲気が真空紫外線の一部を吸収することにより、その雰囲気に含まれる酸素分子が光解離により2つの酸素原子に分解される。分解された酸素原子が周囲に存在する酸素分子と結合することによりオゾンが発生される。
本実施の形態において、除電装置OWEによる基板Wの除電条件には、ケーシング410内の酸素濃度およびローカル搬送ハンド434による基板Wの移動速度が含まれる。
上記の式(1)に基づいて、基板Wの移動速度が制御部114により算出される。光出射部300から真空紫外線が出射された状態で、ローカル搬送ハンド434が前方位置P2から後方位置P1(または後方位置P1から前方位置P2)に算出された移動速度で移動するように、基板移動部400が制御される。
図14〜図21は、除電装置OWEにおける基板Wの除電処理動作を説明するための側面図である。図14〜図21では、図7の側面図と同様に、筐体60(図5)および他方側面部417(図5)が取り外された除電装置OWEの状態が示される。図16〜図21では、基板移動部400の各構成要素と基板Wとを識別しやすいように、基板Wがハッチングパターンで示される。
基板Wの除電処理に用いられる設定速度を得るために、例えば予め定められた数の基板Wが除電処理されるごとに、基板のロットごとに、または1日ごとに、以下に示す照度測定が行われる。
(1)上記の基板処理装置100においては、除電装置OWEにより基板Wの除電処理が行われる。除電装置OWEでは、基板Wが載置されるローカル搬送ハンド434が光出射部300に対して移動されつつ、光出射部300により出射される真空紫外線が基板Wの上面に照射される。
本発明者は、上記の除電装置OWEを用いた除電処理により基板Wがどの程度除電されるかについて試験を行った。具体的には、初期状態で、平均電位、最大電位および最小電位がそれぞれ−3.29(V)、10.33(V)および−8.77(V)である基板Wについて、設定露光量が互いに異なる3つの除電条件で除電処理を行った。ここで、平均電位とは基板Wを複数の単位領域に分割した場合の全領域の平均電位を表し、最大電位とは基板Wの複数の単位領域のうち最大の電位を示す領域の電位を表し、最小電位とは基板Wの複数の単位領域のうち最小の電位を示す領域の電位を表す。
(1)上記実施の形態では、ローカル搬送ハンド434が前方位置P2から後方位置P1に移動する場合にのみ基板Wの上面に真空紫外線が照射されるが、本発明はこれに限定されない。ローカル搬送ハンド434が前方位置P2から後方位置P1に移動する場合に代えて、ローカル搬送ハンド434が後方位置P1から前方位置P2に移動する場合にのみ基板Wの上面に真空紫外線が照射されてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
[14]参考形態
(1)第1の参考形態に係る基板処理装置は、基板の除電処理を行う除電部と、除電部により除電された基板の一面に処理液を塗布することにより基板の一面に処理液の膜を形成する塗布処理部と、制御部とを備え、除電部は、酸素分子を含む雰囲気内で基板を保持する保持部と、真空紫外線を出射する出射部と、保持部および出射部のうち少なくとも一方を他方に対して一方向に相対的に移動させる相対的移動部とを含み、制御部は、出射部により出射される真空紫外線が雰囲気を通して保持部により保持された基板の一面に照射されるように、出射部および相対的移動部を制御する。
その基板処理装置においては、除電部により基板の除電処理が行われる。除電部では、基板を保持する保持部および出射部のうち少なくとも一方が他方に対して一方向に相対的に移動されつつ、出射部により出射される真空紫外線が基板の一面に照射される。このとき、真空紫外線の一部は、酸素分子を含む雰囲気に吸収される。基板の一面上の雰囲気が真空紫外線の一部を吸収することにより、その雰囲気に含まれる酸素分子が光解離により2つの酸素原子に分解される。分解された酸素原子が周囲に存在する酸素分子と結合することによりオゾンが発生される。
オゾンは、正電荷を帯びた共鳴構造と負電荷を帯びた共鳴構造との重ね合わせによって表現される共鳴混成体である。各共鳴構造は、共有結合および配位結合を含む。配位結合は不安定であるため、発生されたオゾンが正または負に帯電した基板の一面に接触すると、オゾンと基板との間で電荷の授受が行われる。この場合、オゾンの配位結合が切断されるとともに、基板の電位が0Vに近づく。このようにして、基板の帯電量および帯電極性によらず基板の全体が除電される。
塗布処理部において、除電処理後の基板の一面に処理液の膜が形成される。この場合、除電処理後の基板の電位はほぼ0Vとなっているので、塗布処理時に帯電に起因する処理不良が発生することが防止される。
(2)制御部は、予め定められた光量の真空紫外線が基板に照射されるように、相対的移動部による保持部と出射部との相対的な移動速度を制御してもよい。
この場合、保持部と出射部との相対的な移動速度が制御されることにより、基板の一面上で単位面積当たりに照射される真空紫外線の光量が調整される。それにより、基板上で発生されるオゾンの量が調整される。移動速度を高くすることにより、基板に照射される真空紫外線の光量が減少する。それにより、基板上で発生されるオゾンの量を減少させることができる。また、移動速度を低くすることにより、基板に照射される真空紫外線の光量が増加する。それにより、基板上で発生されるオゾンの量を増加させることができる。したがって、基板の一面上に所望の量のオゾンを均一に供給することが可能になる。その結果、基板の全体を均一に除電することが可能になる。
(3)除電部は、保持部および保持部により保持される基板を収容するケーシングと、ケーシング内に窒素ガスを供給する第1の窒素ガス供給部と、ケーシング内の酸素濃度を検出する濃度検出部とをさらに備え、出射部は、出射される真空紫外線がケーシング内で保持部により保持された基板の一面に照射されるようにケーシングに取り付けられ、制御部は、濃度検出部により検出される酸素濃度が予め定められた処理濃度以下であるときに出射部により出射される真空紫外線が基板に照射されるように出射部および相対的移動部を制御してもよい。
この場合、酸素濃度が予め定められた処理濃度以下である雰囲気内で出射部により真空紫外線が基板に照射される。それにより、オゾンが過剰に発生されることが抑制される。その結果、ケーシングの外部に漏れ出るオゾンの量が低減される。さらに、ケーシング内に窒素ガスが供給されているので、オゾンの発生時に窒素ガスが酸素原子と酸素分子との三体反応の触媒として機能する。したがって、適切な量のオゾンを効率よく発生させることができる。
(4)ケーシングは、さらに相対的移動部を収容するとともに、開口部が形成された上面を有し、除電部は、開口部から離間する第1の位置と開口部を閉塞する第2の位置との間で上下方向に移動可能に設けられる閉塞部材と、閉塞部材を第1の位置と第2の位置とに移動させる開閉駆動部と、閉塞部材が第1の位置にあるときに水平姿勢の基板を閉塞部材の下方でかつ開口部の上方の位置とケーシング内の位置との間で上下方向に移動させる基板移動機構とをさらに含み、相対的移動部は、ケーシング内で保持部により保持された基板を一方向として水平方向に移動させ、第1の窒素ガス供給部は、閉塞部材が第2の位置にあるときにケーシング内に窒素ガスを供給してもよい。
上記の構成においては、閉塞部材が第1の位置にあるときに水平姿勢の基板を閉塞部材と開口部との間に水平方向に挿入することができる。その基板は、基板移動機構により開口部の上方の位置から開口部を通してケーシング内の位置に移動される。その後、閉塞部材が第1の位置から第2の位置に下降することにより開口部が閉塞される。この状態で、第1の窒素ガス供給部からケーシング内に窒素ガスが供給されることにより、ケーシング内の酸素濃度が低下する。相対的移動部により基板が水平方向に移動されつつ、出射部により基板の一面に光が照射される。それにより、基板の全体が除電される。その後、閉塞部材が第2の位置から第1の位置に上昇することにより開口部が開放される。この状態で、基板がケーシング内の位置から開口部を通して開口部の上方の位置に移動される。その後、水平姿勢の基板を閉塞部材と開口部との間から水平方向に取り出すことができる。
上記の構成によれば、開閉部材の上下動によりケーシングを密閉状態および開放状態にすることができる。この場合、開閉部材とケーシングとを摺動させることなく開口部を開閉することができるので、パーティクルが発生しない。また、開口部と閉塞部材との間の離間距離が短い場合でも、水平姿勢の基板を搬入および搬出することができる。それにより、ケーシングの上部に閉塞部材を移動させるための大きなスペースが必要ない。また、基板の搬入時および搬出時にケーシング内で発生されたオゾンの漏洩を最小限にすることができる。さらに、基板の上下動によりケーシング内へ水平姿勢の基板を移動させかつケーシング外へ水平姿勢の基板を移動させることができる。また、ケーシング内で水平姿勢の基板を水平方向に移動させることができる。この場合、基板を移動させるための機構が複雑化しない。これらの結果、基板の搬入および搬出のための構成を複雑化することなく、一定の低酸素濃度の雰囲気中で基板を除電することができる。
(5)閉塞部材が第2の位置にあるときにケーシングの上面の開口部を取り囲む領域に閉塞部材の下面が接触してもよい。
この場合、閉塞部材によりケーシングの開口部が閉塞されたときに、閉塞部材とケーシングとの間に隙間が生じない。それにより、簡単な構成でケーシング内の密閉性が向上する。
(6)除電部は、閉塞部材が第1の位置にあるときに閉塞部材の下面と開口部の縁部との間に窒素ガスの流れを形成する第2の窒素ガス供給部をさらに備えてもよい。
この場合、第2の窒素ガス供給部により形成される窒素ガスの流れは、閉塞部材の下方の空間とその空間の外方との間で雰囲気の流れを遮断する。それにより、ケーシングの外部の雰囲気が開口部を通してケーシング内に進入することが防止されるとともにケーシング内で発生されたオゾンが開口部を通してケーシング外へ流出することが抑制される。
(7)除電部は、ケーシングおよび出射部を収容する筐体と、筐体内の雰囲気を排気する排気部とをさらに備えてもよい。
これにより、ケーシングからオゾンが漏れ出た場合でも、ケーシングから漏れ出たオゾンが筐体内の雰囲気とともに排気部により排気される。したがって、発生されたオゾンが除電部の周辺に拡散することが防止される。
(8)除電部は、出射部により真空紫外線が照射される基板上の領域に窒素ガスを分散的に供給する第3の窒素ガス供給部をさらに備えてもよい。
この場合、出射部により基板に照射される真空紫外線の経路の酸素濃度をより低下させることができる。それにより、オゾンが過剰に発生されることがより抑制される。また、基板上の領域に分散的に不活性ガスが供給されることにより、基板の一面上に均一な気体の流れを形成することができる。したがって、基板上で発生されるオゾンを基板の一面全体にわたって均一に供給することができる。
さらに、真空紫外線が照射される基板上の領域に窒素ガスが供給されるので、供給された窒素ガスが酸素原子と酸素分子との三体反応の触媒として機能しやすい。したがって、適切な量のオゾンを効率よく発生させることができる。
(9)相対的移動部は、保持部を一方向に相対的に移動させ、出射部は、基板の直径よりも大きい長さの帯状断面を有する真空紫外線を出射可能に構成され、出射部から出射される真空紫外線が保持部により保持される基板の移動経路を横切るように配置されてもよい。
この場合、基板を保持する保持部が一方向に移動することにより、出射部から出射される真空紫外線が基板の一面全体に照射される。それにより、簡単な構成で基板の一面全体に真空紫外線を照射することができる。
(10)除電部は、出射部により光が照射される基板の照度を検出する照度検出部をさらに備え、制御部は、照度検出部により検出された照度に基づいて、予め定められた量の光が基板に向けて照射されるように移動速度を算出し、算出された移動速度で保持部と出射部とが相対的に移動するように相対的移動部を制御してもよい。
この場合、照度検出部により検出された照度に基づいて適切な量のオゾンが発生されるように保持部と出射部との相対的な移動速度をフィードバック制御することができる。それにより、基板の除電処理をより適切に行うことができる。
(11)第2の参考形態に係る基板処理方法は、基板の除電処理を行うステップと、除電処理により除電された基板の一面に処理液を塗布することにより基板の一面に処理液の膜を形成するステップとを備え、除電処理を行うステップは、酸素分子を含む雰囲気内で基板を保持部により保持するステップと、真空紫外線を出射部により出射するステップと、出射部により出射される真空紫外線が雰囲気を通して保持部により保持された基板の一面に照射されるように、保持部および出射部のうち少なくとも一方を他方に対して一方向に相対的に移動させるステップとを備える。
その基板処理方法においては、基板の除電処理が行われる。除電処理では、基板を保持する保持部および出射部のうち少なくとも一方が他方に対して一方向に相対的に移動されつつ、出射部により出射される真空紫外線が基板の一面に照射される。このとき、真空紫外線の一部は、酸素分子を含む雰囲気に吸収される。基板の一面上の雰囲気が真空紫外線の一部を吸収することにより、その雰囲気に含まれる酸素分子が光解離により2つの酸素原子に分解される。分解された酸素原子が周囲に存在する酸素分子と結合することによりオゾンが発生される。
発生されたオゾンが正または負に帯電した基板の一面に接触すると、オゾンと基板との間で電荷の授受が行われる。この場合、オゾンの配位結合が切断されるとともに、基板の電位が0Vに近づく。このようにして、基板の帯電量および帯電極性によらず基板の全体が除電される。
除電処理後の基板の一面に処理液の膜が形成される。この場合、除電処理後の基板の電位はほぼ0Vとなっているので、塗布処理時に帯電に起因する処理不良が発生することが防止される。
12 第1の処理ブロック
13 第2の処理ブロック
14 インターフェイスブロック
14A 洗浄乾燥処理ブロック
14B 搬入搬出ブロック
15 露光装置
15a 基板搬入部
15b 基板搬出部
21〜24,34 塗布処理室
25,35 スピンチャック
27,37 カップ
28 処理液ノズル
29 ノズル搬送機構
31,33 現像処理室
38 現像ノズル
39 移動機構
50,51 流体ボックス部
60 筐体
61 外壁
62 搬送開口
70 排気部
71 配管
72 排気装置
100 基板処理装置
111 キャリア載置部
112,122,132,163 搬送部
113 キャリア
114 制御部
115,127,128,137,138,141,142,146 搬送機構
116 ハンド
121 塗布処理部
123,133 熱処理部
125,135 上段搬送室
126,136 下段搬送室
129 塗布処理ユニット
131 塗布現像処理部
139 現像処理ユニット
161,162 洗浄乾燥処理部
300 光出射部
301,303 上段熱処理部
302,304 下段熱処理部
310 ケーシング
320 紫外線ランプ
321 出射面
330 第3の窒素ガス供給部
331,451,511 噴射孔
339,459,529 窒素ガス導入管
400 基板移動部
410 ケーシング
411 前上面部
412 後上面部
412b 開口部
413 下面部
414 前面部
415 後面部
416 一方側面部
417 他方側面部
418 気体導出管
419 中央上面部
420 受渡機構
421 昇降ピン
422 ピン支持部材
423 ピン昇降駆動部
430 ローカル搬送機構
431 送り軸
432 送り軸モータ
433 ガイドレール
434 ローカル搬送ハンド
434h 貫通孔
435 ハンド支持部材
439 連結部材
441 センサ昇降駆動部
442 遮光部材
443 遮光駆動部
450 第1の窒素ガス供給部
500 搬入搬出部
510 蓋部材
510b 溝部
510c,510d 領域
520 第2の窒素ガス供給部
590 蓋駆動部
591 支持板
592 支持軸
CP 冷却ユニット
EEW エッジ露光部
OWE 除電装置
P−BF1,P−BF2 載置兼バッファ部
P−CP 載置兼冷却部
P1 後方位置
P2 前方位置
PAHP 密着強化処理ユニット
PASS1〜PASS9 基板載置部
PHP 熱処理ユニット
pr 突出部
S1 後位置センサ
S2 前位置センサ
S3 照度センサ
S4 酸素濃度センサ
SD1,SD2 洗浄乾燥処理ユニット
W 基板
Claims (9)
- 基板の除電処理を行う除電部と、
前記除電部により除電された基板の一面に処理液を塗布することにより基板の一面に前記処理液の膜を形成する塗布処理部と、
制御部とを備え、
前記除電部は、
酸素分子を含む雰囲気内で基板を保持する保持部と、
前記制御部の制御により真空紫外線を出射する出射部と、
前記制御部の制御により前記保持部および前記出射部のうち少なくとも一方を他方に対して一方向に相対的に移動させる相対的移動部と、
前記保持部および前記保持部により保持される基板を収容するケーシングと、
前記ケーシング内に窒素ガスを供給する第1の窒素ガス供給部と、
前記ケーシング内の酸素濃度を検出する濃度検出部とを含み、
前記出射部は、出射される真空紫外線が前記ケーシング内で前記保持部により保持された基板の前記一面に照射されるように前記ケーシングに取り付けられ、
前記制御部は、前記濃度検出部により検出される酸素濃度が予め定められた処理濃度以下であるときに、前記出射部により出射される真空紫外線が前記雰囲気を通して前記保持部により保持された基板の前記一面に予め定められた光量照射されるように、前記保持部と前記出射部との相対的な移動速度を制御する、基板処理装置。 - 前記ケーシングは、さらに前記相対的移動部を収容するとともに、開口部が形成された上面を有し、
前記除電部は、
前記開口部から離間する第1の位置と前記開口部を閉塞する第2の位置との間で上下方向に移動可能に設けられる閉塞部材と、
前記閉塞部材を前記第1の位置と前記第2の位置とに移動させる開閉駆動部と、
前記閉塞部材が前記第1の位置にあるときに水平姿勢の基板を前記閉塞部材の下方でかつ前記開口部の上方の位置と前記ケーシング内の位置との間で上下方向に移動させる基板移動機構とをさらに含み、
前記相対的移動部は、前記ケーシング内で前記保持部により保持された基板を前記一方向として水平方向に移動させ、
前記第1の窒素ガス供給部は、前記閉塞部材が前記第2の位置にあるときに前記ケーシング内に窒素ガスを供給する、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記閉塞部材が前記第2の位置にあるときに前記ケーシングの前記上面の前記開口部を取り囲む領域に前記閉塞部材の下面が接触する、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記除電部は、前記閉塞部材が前記第1の位置にあるときに前記閉塞部材の下面と前記開口部の縁部との間に窒素ガスの流れを形成する第2の窒素ガス供給部をさらに備える、請求項2または3記載の基板処理装置。
- 前記除電部は、
前記ケーシングおよび前記出射部を収容する筐体と、
前記筐体内の雰囲気を排気する排気部とをさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記除電部は、前記出射部により真空紫外線が照射される基板上の領域に窒素ガスを分散的に供給する第3の窒素ガス供給部をさらに備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記相対的移動部は、前記保持部を前記一方向に相対的に移動させ、
前記出射部は、前記基板の直径よりも大きい長さの帯状断面を有する真空紫外線を出射可能に構成され、前記出射部から出射される真空紫外線が前記保持部により保持される基板の移動経路を横切るように配置された、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記除電部は、前記出射部により光が照射される基板の照度を検出する照度検出部をさらに備え、
前記制御部は、前記照度検出部により検出された照度に基づいて、予め定められた量の光が基板に向けて照射されるように移動速度を算出し、算出された移動速度で前記保持部と前記出射部とが相対的に移動するように前記相対的移動部を制御する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板の除電処理を行うステップと、
前記除電処理により除電された基板の一面に処理液を塗布することにより基板の一面に前記処理液の膜を形成するステップとを備え、
前記除電処理を行うステップは、
保持部を収容するケーシング内に窒素ガスを供給するステップと、
前記ケーシング内の酸素濃度を検出するステップと、
前記ケーシング内の酸素分子を含む雰囲気内で基板を前記保持部により保持するステップと、
真空紫外線を出射部により出射するステップと、
前記保持部および前記出射部のうち少なくとも一方を他方に対して一方向に相対的に移動させるステップとを含み、
前記出射部は、出射される真空紫外線が前記ケーシング内で前記保持部により保持された基板の前記一面に照射されるように前記ケーシングに取り付けられ、
前記移動させるステップは、
前記検出するステップにより検出される酸素濃度が予め定められた処理濃度以下であるときに、前記出射部により出射される真空紫外線が前記雰囲気を通して前記保持部により保持された基板の前記一面に予め定められた光量照射されるように、前記保持部と前記出射部との相対的な移動速度を制御することを含む、基板処理方法。
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US6146135A (en) | 1991-08-19 | 2000-11-14 | Tadahiro Ohmi | Oxide film forming method |
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US6456480B1 (en) | 1997-03-25 | 2002-09-24 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and a processing method |
JP3679243B2 (ja) | 1997-03-25 | 2005-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
JPH11267597A (ja) | 1998-03-26 | 1999-10-05 | Matsushita Electric Works Ltd | プレート洗浄装置 |
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