JPH11214291A - 処理装置および処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 オゾンの外部への漏洩を防止すると共にオゾ
ンによる装置、機器類への悪影響を防止し、生成したオ
ゾンを被処理体の表面に沿って流れるようにして有機汚
染物を極めて効果的に除去し、構造の簡略化およびコス
トの低減を図ること。 【解決手段】 通排気管６０により紫外線ランプ３４の
ランプ室３２と主排気管４６とを連通すると共に、通排
気管６０の途中に外気取入口６１を設け、基板Ｇへのオ
ゾン照射時には、オートダンパ６２により空気取入口６
１を開成し、通排気管６０を介して外気をランプ室３２
に導入する一方、オゾン照射の待機時には、空気取入口
６１を閉成し、ランプ室３２のオゾンを通排気管６０を
介して主排気管４６により排気する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えばＬＣＤ基板
等の被処理体を塗布処理する工程の前工程で、被処理体
表面から有機物を除去するための処理装置および処理方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）装置の製造工程においては、ＬＣＤ基板（ガラス基
板）上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
されている。

【０００３】例えば、被処理体であるＬＣＤ基板を、洗
浄装置にて洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒージョン処
理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置にて冷却し
た後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜すなわち
感光膜を塗布形成する。そして、フォトレジスト膜を熱
処理装置にて加熱してベーキング処理（プリベーク）を
施した後、露光装置にて所定のパターンを露光し、そし
て、露光後のＬＣＤ基板を現像装置にて現像液を塗布し
て所定のパターンを形成した後に、ベーキング処理（ポ
ストベーク）を施して高分子化のための熱変成、ＬＣＤ
基板とパターンとの密着性を強化している。

【０００４】上記処理が施されるＬＣＤ基板は、レジス
ト塗布処理が施される前に各種成膜処理が施され、また
途中に一時的な保存や輸送中に大気に晒されるため、Ｌ
ＣＤ基板にパーティクルや有機汚染物が付着する虞れが
ある。そのため、レジスト塗布処理前の前工程でＬＣＤ
基板の表面を清浄すべくブラシや洗浄液を用いた洗浄処
理が施されている。また、ＬＣＤ基板へのレジスト液の
密着性を良好にすべくアドヒージョン処理が施されてい
る。

【０００５】また、有機汚染物を除去する手段として、
有機汚染物が付着した被処理体例えば半導体ウエハに紫
外線を照射することにより発生するオゾンを利用して有
機汚染物を分解する技術が知られている（特公平４−９
３７３号公報参照）。この技術によれば、紫外線ランプ
例えば低圧水銀ランプを点灯すると、主として波長が２
５４ｎｍの水銀共鳴線の紫外線が外部に放出され、従と
して１８５ｎｍの紫外線が、更には他の波長のものが僅
かに放出される。この生成機構を利用し、これら紫外線
のうち波長１８５ｎｍの紫外線によってオゾンが生成さ
れ、このオゾンが波長２５４ｎｍの紫外線によって分解
されて発生基の酸素が生成され、この発生基の酸素が有
機汚染物を分解してガス状態で飛散させるものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に開示された有機汚染物を除去する手段においては、
有機汚染物の分解除去は可能であるが、紫外線照射手段
から発生するオゾンを効率的に利用する工夫がなされて
おらず、十分な清浄化を図ることができない。その結
果、上記洗浄処理においても、ＬＣＤ基板に付着した有
機汚染物を完全に除去することができず、次工程のレジ
スト塗布処理において均一なレジスト膜が形成できず、
歩留まりの低下をきたすという問題がある。

【０００７】また、上記公報に開示された有機汚染物を
除去する手段においては、紫外線照射手段から発生され
るオゾンが装置外部に漏洩するといった虞れ、また、オ
ゾンが被処理体以外の他の装置、機器類に悪影響を及ぼ
すといった虞れがあり、これらの対策を十分に施す必要
がある。

【０００８】さらに、紫外線照射手段によりオゾンを生
成する際、外気をファン等により強制的に導入すると、
空気の乱れが生じ、生成されたオゾンが被処理体の表面
に沿って流れることができず、有機汚染物を効果的に除
去できないといったこともある。

【０００９】さらに、外気の導入のための管、オゾンを
排気するための管等を極力少なくして、装置の構造の簡
略化およびコストの低減を図りたいといった要望があ
る。

【００１０】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、オゾンを効率的に利用して被処理体に付着した
有機汚染物を効果的に除去し、オゾンの外部への漏洩を
防止すると共にオゾンによる装置、機器類への悪影響を
防止し、生成したオゾンを被処理体の表面に沿って流れ
るようにして有機汚染物を極めて効果的に除去し、さら
に、構造の簡略化およびコストの低減を図った処理装置
および処理方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１発明は、被処理体を処理室内の載置台に載置
し、処理室外に配置した紫外線照射手段により生成した
オゾンを排気手段により処理室内に吸引して、オゾンを
被処理体に照射しながら被処理体表面に付着した有機汚
染物を除去し、前記排気手段によりオゾンを処理室外に
排気する処理装置において、前記紫外線照射手段と前記
排気手段とを連通すると共に、途中に外気取入口を有す
る通排気管と、被処理体へのオゾン照射時には、前記通
排気管の空気取入口を開成し、この通排気管を介して外
気を前記紫外線照射手段に導入する一方、オゾン照射の
待機時には、前記通排気管の空気取入口を閉成し、前記
紫外線照射手段の周囲のオゾンを前記通排気管を介して
前記排気手段により排気するためのダンパ手段とを具備
することを特徴とする処理装置を提供する。

【００１２】第２発明は、第１発明において、前記紫外
線照射手段に対して前記載置台を移動する移動手段を更
に具備することを特徴とする処理装置を提供する。

【００１３】第３発明は、第１発明において、前記載置
台を加熱又は冷却する加熱又は冷却手段を更に具備する
ことを特徴とする処理装置を提供する。

【００１４】第４発明は、被処理体にオゾンを照射し
て、被処理体表面に付着した有機汚染物を除去する処理
方法であって、被処理体を処理室内の載置台に載置する
工程と、紫外線照射手段と排気手段とを連通した通排気
管の空気取入口をダンパ手段により開成し、この通排気
管を介して外気を前記紫外線照射手段に導入する工程
と、前記紫外線照射手段によりオゾンを生成し、オゾン
を処理室内に排気手段により吸引して、オゾンを被処理
体に照射しながら被処理体表面に付着した有機汚染物を
除去する工程と、処理室内のオゾンを前記排気手段によ
り処理室外に排気すると共に、オゾン照射の待機時に
は、前記通排気管の空気取入口をダンパ手段により閉成
して、前記紫外線照射手段の周囲のオゾンを前記通排気
管を介して前記排気手段により処理室外に排気する工程
とを具備する処理方法を提供する。

【００１５】第５発明は、第４発明において、前記紫外
線照射手段に対して前記載置台を移動しながら、被処理
体にオゾンを照射することを特徴とする処理方法を提供
する。

【００１６】第６発明は、第４発明において、前記載置
台を加熱又は冷却しながら、被処理体にオゾンを照射す
ることを特徴とする処理方法を提供する。

【００１７】第１発明および第４発明によれば、ダンパ
手段により開成した通排気管の空気取入口から外気を紫
外線照射手段に導入し、紫外線照射手段によりオゾンを
生成して、オゾンを被処理体に照射しながら被処理体表
面に付着した有機汚染物を除去し、処理室内のオゾンを
排気手段により処理室外に排気すると共に、オゾン照射
待機時には、通排気管の空気取入口をダンパ手段により
閉成して、紫外線照射手段の周囲のオゾンを通排気管を
介して前記排気手段により処理室外に排気している。

【００１８】従って、オゾンを効率的に利用して被処理
体から有機汚染物を効果的に除去できると共に、被処理
体の接触角を下げることができ、いわゆる「ぬれ性」を
高めることができ、次工程のレジスト塗布処理において
均一なレジスト膜を形成することができ、歩留まりを向
上することができる。

【００１９】また、被処理体の照射に使用されたオゾン
および紫外線照射手段で生成されたその他のオゾンを排
気手段および通排気管により処理室外に排気することに
より、オゾンの外部への漏洩を防止することができると
共に、オゾンによる装置、機器類への悪影響を防止する
ことができる。

【００２０】さらに、被処理体へのオゾン照射時には、
ダンパ手段により通排気管の空気取入口を開成し、通排
気管を介して外気を紫外線照射手段に導入しており、フ
ァン等により強制的に外気を導入するのではなく、いわ
ば自然換気により外気を導入しているため、空気の乱れ
が少なく、生成されたオゾンが被処理体の表面に沿って
流れることができ、有機汚染物を効果的に除去できる。

【００２１】さらにまた、オゾン照射の待機時には、ダ
ンパ手段により通排気管の空気取入口を閉成し、紫外線
照射手段の周囲のオゾンを通排気管を介して排気するよ
うにし、外気を導入するための管と、オゾンを排気する
ための管とを共通にしているため、管の数を削減するこ
とができ、処理装置の構造の簡略化およびコストの低減
を図ることができる。

【００２２】第２発明および第５発明によれば、紫外線
照射手段に対して載置台を移動することにより、被処理
体に紫外線を均一に照射することが可能であり、有機汚
染物を効率的に除去することができる。

【００２３】第３発明および第６発明によれば、被処理
体を加熱することにより、オゾンから分解される酸素を
更に活性化して有機汚染物の分解除去をより一層効率よ
く行うことができる。また、被処理体を冷却することに
より、紫外線照射手段の熱によって高温に晒される被処
理体の温度を所定温度に維持することができるため、安
定した状態で被処理体にオゾンを照射することができ
る。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明が適用
されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す斜視
図である。

【００２５】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構３と
を備えている。そして、カセットステーション１におい
てカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構３は
カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を
移動可能な搬送アーム１１とを備え、この搬送アーム１
１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が
行われる。

【００２６】処理部２は、前段部２ａと後段部２ｂとに
分かれており、それぞれ中央に搬送路ユニット１５、１
６を有しており、これら搬送路の両側に各処理ユニット
が配設されている。そして、これらの間には中継部１７
が設けられている。

【００２７】前段部２ａは、搬送路ユニット１５に沿っ
て移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１５
の一方側には、上下２段に積層されてなる２組の加熱処
理ユニット２１、ならびにそれに隣接して上下に設けら
れたアドヒージョン処理ユニット２２および冷却ユニッ
ト２３が配置されており、他方側には洗浄ユニット２４
および現像処理ユニット２５が配置されている。

【００２８】一方、後段部２ｂは、搬送路ユニット１６
に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送
路ユニット１６の一方側には、二段積層されてなる２組
の加熱処理ユニット２８が離間して配置され、その間
に、オゾンにより基板Ｇの表面から有機物を除去する処
理装置２８ａが配置されている。搬送路ユニット１６の
他方側には、レジスト塗布ユニット２６および基板Ｇの
周辺部のレジストを除去する周辺レジスト除去ユニット
２７が配置されている。加熱処理ユニット２８は、レジ
ストの安定化のためのプリベーク、露光後のポストエク
スポージャーベーク、および現像後のポストベーク処理
を行うものである。なお、後段部２ｂの後端には、露光
装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うため
のインターフェース部３０が設けられている。

【００２９】中継部１７には、加熱処理ユニット２８に
隣接した位置に、二段積層されてなる冷却処理ユニット
２９が設けられており、冷却処理ユニット２９に対向す
る位置に、薬液供給ユニット８１および搬送装置進入路
８２が設けられている。

【００３０】上記主搬送装置１８は、搬送機構３のアー
ム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段
部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、
さらには中継部１７との間で基板Ｇの受け渡しを行う機
能を有している。また、主搬送装置１９は中継部１７と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
インターフェース部３０との間の基板Ｇの受け渡しを行
う機能を有している。

【００３１】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。

【００３２】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に
搬送され、処理部２では、まず後段部２ｂの処理装置２
８ａに搬送されて、処理装置２８ａにおいて紫外線照射
手段によって基板Ｇに紫外線が照射され、その際に発生
したオゾンを照射することにより基板Ｇに付着した有機
汚染物が除去される。その後、洗浄ユニット２４により
洗浄処理され、加熱処理ユニット２１の一つで加熱乾燥
された後、レジストの定着性を高めるためにアドヒージ
ョン処理ユニット２２にて疎水化処理され、冷却ユニッ
ト２３で冷却後、レジスト塗布ユニット２６でレジスト
が塗布され、周辺レジスト除去ユニット２７で基板Ｇの
周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇ
は、加熱処理ユニット２８の一つでプリベーク処理さ
れ、冷却ユニット２９で冷却された後、インターフェー
ス部３０を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパ
ターンが露光される。そして、再びインターフェース部
３０を介して搬入され、加熱処理ユニット２８の一つで
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。その
後、冷却ユニット２９で冷却された基板Ｇは、現像処理
ユニット２５で現像処理され、所定の回路パターンが形
成される。現像処理された基板Ｇは、主搬送装置１８お
よび搬送機構３によってカセットステーション１上の所
定のカセットに収容される。

【００３３】次に、本発明の第１の実施の形態に係り、
上記一連の処理を行う際に基板表面から有機物を除去す
るための処理装置２８ａについて説明する。図２は、図
１に示した塗布・現像システムにおける処理装置２７の
概略構成を示す断面図であり、プロセス処理時を示して
おり、図３は、図１に示した塗布・現像システムにおけ
る処理装置の概略構成を示す断面図であり、待機時を示
している。

【００３４】これら図２および図３に示すように、処理
装置２７内には、基板Ｇを載置してオゾン照射を施すた
めの処理室３１が設けられている。この処理室３１の上
方には、ランプ室３２が設けられ、多数の小孔を有する
仕切板３３により上部室３２ａと下部室３２ｂとに区画
されている。下部室３２ｂ内には、複数例えば１３本の
紫外線ランプ３４（例えば低圧水銀灯）が水平に互いに
平行に配列されていると共に、下部室３２ｂには、後述
する通排気管６０が接続されている。一方、上部室３２
ａの一側壁には、空気供給口３５が設けられ、これの反
対側の側壁には、触媒又はエアーフィルター３６を介し
て空気排出口３７が設けられ、後述する空気排気管５４
に連通されている。そのため、空気供給口３５から外気
を上部室３２ａ内に取り入れて空気排出口３７より排気
することにより、下部室３２ｂ内で発生する加熱空気を
常時外部に排気して下部室３２ｂを冷却することができ
る。

【００３５】処理室３１と下部室３２ｂとの間には、開
口３８が設けられ、ランプシャッタ３９により開口３８
が開閉されるようになっている。すなわち、基板Ｇへの
オゾン照射時には、図２に示すように、開口３８がラン
プシャッタ３９により開成される一方、オゾン照射の待
機時には、開口３８がランプシャッタ３９により閉成さ
れるようになっている。

【００３６】処理室３１内では、基板Ｇが保持手段４０
に載置して保持されている。なお、この保持手段４０の
構造は後に図４および図５を参照して説明する。処理室
３１の内周面には、この保持手段４０の外周囲に沿って
断面略横Ｌ字状に形成された側部カバー４１が取付けら
れており、この側部カバー４１の下方には、側壁が垂直
に立設されたカップ４２が配設されており、さらに、こ
のカップ４２の内方で、保持手段４０の外周囲には、多
数の孔を有する整流板４３が配置されている。従って、
後述するように、下方に排気されるオゾンは、基板Ｇの
上面に沿って流れた後、側部カバー４１の内方に流れ
て、主としてカップ４２の内側から整流板４３に流れる
が、一部分はカップ４２の上方に溢れてカップ４２の外
側に流される。

【００３７】さらに、保持手段４０の下方には、カップ
４２の底部周囲からオゾンを排気するための排気通路４
４が形成されており、この排気通路４４の中央には、下
方に延出されたベローズ４５が接続されている。このベ
ローズ４５は、処理室３１の下方に配置された主排気管
４６に接続されており、この主排気管４６は、途中に、
マノメータ４７、マニュアルダンパ４８、および触媒４
９を有し、下流端で、排気ファン５０に接続されてい
る。さらに、処理室３１の底部には、従排気管５１が接
続されており、この従排気管５１は、途中に、マノメー
タ５２、およびマニュアルダンパ５３を有し、その下流
端で、主排気管４６の途中に接続されている。従って、
ランプ室３２の下部室３２ｂからのオゾンは、基板Ｇの
上面に沿って流れた後、側部カバー４１の内方に流れ
て、主としてカップ４２の内側から整流板４３に流れ、
次いで、排気通路４４およびベローズ４５を介して主排
気管４６により排気される一方、カップ４２の上方に溢
れてカップ４２の外側に流されたオゾンは、処理室３１
の底面の従排気管５１により排気されるようになってい
る。

【００３８】さらに、主排気管４６には、ランプ室３２
の上部室３２ａから空気排出口３７を介して空気を排気
するための空気排気管５４が接続されており、この空気
排気管５４は、途中に、マノメータ５５、マノメータス
イッチ５６、およびマニュアルダンパ５７を有してい
る。

【００３９】次いで、本実施の形態では、ランプ室３２
の下部室３２ｂと、主排気管４６の下流部とが通排気管
６０により接続されている。この通排気管６０の途中に
は、空気取入口６１が設けてあり、オートダンパ６２
（ダンパ手段）により開閉するようになっている。この
通排気管６０は、オートダンパ６２の下流に、マノメー
タ６３、オートダンパ６４、および触媒６５を有してい
る。従って、後述するように、プロセス処理時のオゾン
照射時には、オートダンパ６２により開成した通排気管
６０の空気取入口６１から外気を下部室３２ｂに導入
し、紫外線ランプ３４によりオゾンを生成して基板Ｇに
照射する一方、オゾン照射待機時には、図３に示すよう
に、通排気管６０の空気取入口６１をオートダンパ６２
により閉成して、下部室３２ｂの紫外線ランプ３４の周
囲のオゾンを通排気管６０を介して主排気管４６により
処理室３１外に排気するようになっている。なお、各排
気管における符号ｆは、風速計測定ポイントを示してい
る。

【００４０】次に、基板Ｇを保持する保持手段４０の構
造を図４および図５を参照しつつ説明する。図４は、図
１に示した塗布・現像システムにおける処理装置の保持
手段の構造の概略側面図であり、図５（ａ）は、図１に
示した塗布・現像システムにおける処理装置の保持手段
に基板を保持する前の状態を示す概略側面図であり、図
５（ｂ）は、同処理装置の保持手段に基板を保持した状
態を示す概略側面図である。

【００４１】これら図４および図５に示すように、処理
室の側面には、基板Ｇの搬入・搬出口７６が設けられて
おり、この搬入・搬出口７６は、シリンダ７７によって
垂直方向に作動するユニットシャッタ７８によって開閉
可能になっている。

【００４２】保持手段４０は、基板Ｇを載置する例えば
タフラム処理が施されたアルミニウム合金製の載置台８
１と、この載置台８１に設けられた複数例えば４個の貫
通孔（図示せず）にそれぞれ遊嵌される支持ピン８２
と、支持棒８３を介して載置台８１を支持する支持板８
４に連結されて載置台８１を上下方向に移動する載置台
移動用シリンダ８５とを備えている。この場合、支持板
８４は、支持ピン８２の下部を支持する支柱８２ａに摺
動可能に嵌装されている。このように構成することによ
り、載置台移動用シリンダ８５が駆動して、載置台８１
が下降して支持ピン８２が載置台８１から突出した状態
で支持ピン８２上に基板Ｇを受け取り、載置台８１が上
昇して支持ピン８２より上方へ移動した状態で基板Ｇを
載置すると共に、基板Ｇを紫外線ランプ３４から発生さ
れるオゾンの照射最適位置へ移動することができるよう
になっている。

【００４３】なお、この場合、支持板８４の下面には、
２本の垂直棒８６ａが吊り下げられており、これら垂直
棒８６ａの下端部間に架設される板部材８６ｂに位置決
め部材８６ｃが取付けられている。この位置決め部材８
６ｃは、載置台８１と共に移動され、載置台８１の下方
に配置された固定板８７の下面に当接した状態で載置台
８１の上昇を停止、すなわち基板Ｇへのオゾンの照射が
最適であり紫外線ランプ３４に最も近い位置に停止する
ことができるようになっている。このときの紫外線ラン
プ３４と基板Ｇとの最小距離は約１０ｍｍである。な
お、位置決め部材８６ｃはねじ等によって微調整可能に
形成されている。

【００４４】上記の場合には、支持ピン８２に対して載
置台８１が移動するように構成されているが、載置台８
１を固定し、支持ピン８２が移動するように構成されて
もよい。

【００４５】また、上記支持ピン８２を支持する支柱８
２ａと載置台移動用シリンダ８５は、保持板８８上に設
置されており、保持板８８は固定板８７の上面にリニア
ガイド８９ａを介して水平方向に移動可能に取り付けら
れている。そして、保持板８８は無端ベルト（図示せ
ず）を介して正逆回転可能なステッピングモータ８９ｂ
により回転されるプーリ８９ｃに連結されており、ステ
ッピングモータ８９ｂの駆動により保持板８８が水平方
向に移動されるようになっている。したがって、保持板
８８の水平方向の移動によって支持ピン８２、載置台移
動用シリンダ８５および載置台８１が水平移動すると共
に、載置台８１上に保持された基板Ｇが紫外線ランプ３
４に対して平行方向に移動（揺動）することができる。
この基板Ｇの揺動によって、基板Ｇ表面に平均して紫外
線ランプ３４から発生される紫外線を照射することがで
きる。

【００４６】次に、上記のように構成された処理装置に
より基板Ｇの表面に付着した有機汚染物を除去する作用
について説明する。先ず、ユニットシャッタ７８を下降
して搬入・搬出口７６を開口した状態で、メインアーム
１９によって搬送された基板Ｇを載置台８１上に突出す
る支持ピン８２に受け渡す（図４および図５（ａ）参
照）。基板Ｇを支持ピン８２に受け渡したメインアーム
１９が処理室３１の外へ後退した後、ユニットシャッタ
７８が上昇して搬入・搬出口７６を閉塞すると共に、載
置台移動用シリンダ８５の駆動により上昇する載置台８
１によって基板Ｇを保持して基板Ｇを紫外線照射用位置
に移動する（図５（ｂ）参照）。

【００４７】基板Ｇが紫外線照射位置に移動されると、
図２に示すように、ランプシャッタ３９が移動されて開
口３８が開成されると共に、オートダンパ６２により空
気取入口６１が開成され、これにより、外気が空気取入
口６１から通排気管６０を介してランプ室３２の下部室
３２ｂ内に導入される。安定点灯している紫外線ランプ
３４と導入された外気とによりオゾンが生成される。

【００４８】この生成されたオゾンは、排気ファン５０
により開口３８を介して処理室３１内に吸引され、基板
Ｇの表面に照射され、基板Ｇの表面に付着している有機
汚染物を分解除去する。有機汚染物を分解除去したオゾ
ンは、基板Ｇの上面に沿って流れた後、側部カバー４１
の内方に流れて、主としてカップ４２の内側から整流板
４３に流れ、次いで、排気通路４４およびベローズ４５
を介して主排気管４６により排気される一方、カップ４
２の上方に溢れてカップ４２の外側に流された一部のオ
ゾンは、処理室３１の底面の従排気管５１により排気さ
れる。

【００４９】このように、オゾンを効率的に利用して基
板Ｇから有機汚染物を効果的に除去できると共に、基板
Ｇの接触角を下げることができ、いわゆる「ぬれ性」を
高めることができ、次工程のレジスト塗布処理において
均一なレジスト膜を形成でき、歩留まりを向上すること
ができる。

【００５０】また、基板Ｇへの紫外線照射時には、オー
トダンパ６２により通排気管６０の空気取入口６１を開
成し、通排気管６０を介して外気を紫外線ランプ３４に
導入しており、いわば自然換気により外気を導入してい
るため、空気の乱れが少なく、生成されたオゾンが基板
Ｇの表面に沿って流れることができ、有機汚染物を効果
的に除去できる。

【００５１】さらに、基板Ｇに紫外線が照射されている
間、ステッピングモータ８９ｂの駆動により載置台８１
および基板Ｇが水平方向に移動（揺動）することによ
り、基板Ｇの表面全体に紫外線が均等に照射され、有機
汚染物の除去を効率よく行うことができる。

【００５２】紫外線を基板Ｇに所定時間照射した後、ラ
ンプシャッタ３９を閉成し、その後、ユニットシャッタ
７８を下降して搬入・搬出口７６を開成すると共に、載
置台８１を下降して基板Ｇを支持ピン８２にて支持す
る。そして、メインアーム１９が処理室３１内に入って
基板Ｇを受け取り、処理室３１の外部へ搬出して処理が
完了する。なお、ユニットシャッタ７８が開成した状態
において、処理室３１内に残存するオゾンは、主排気管
４６および従排気管５１により外部に排気されるため、
オゾンが漏洩することがない。

【００５３】次いで、紫外線照射の待機時には、図３に
示すように、通排気管６０の空気取入口６１がオートダ
ンパ６２により閉成され、ランプシャッタ３４が閉成し
て閉塞された下部室３２ｂの紫外線ランプ３４の周囲の
オゾンが通排気管６０を介して主排気管４６により排気
される。また、この待機時、処理室３１内に残存するオ
ゾンは、主排気管４６および従排気管５１により外部に
排気されている。

【００５４】したがって、基板Ｇの照射に使用されたオ
ゾンおよび紫外線ランプ３４で生成されたその他のオゾ
ンを主排気管４６、従排気管５１および通排気管６０に
より処理室３１外に排気することにより、オゾンの外部
への漏洩を防止することができると共に、オゾンによる
装置、機器類への悪影響を防止することができる。

【００５５】さらに、紫外線照射の待機時には、オート
ダンパ６２により通排気管６０の空気取入口６１を閉成
し、紫外線ランプ３４の周囲のオゾンを通排気管６０を
介して排気するようにし、外気を導入するための管と、
オゾンを排気するための管とを共通にしているため、管
の数を削減でき、処理装置の構造の簡略化およびコスト
の低減を図ることができる。

【００５６】次に、図６を参照して本発明の第２の実施
の形態を説明する。図６は、第２の実施の形態に係る処
理装置の概略断面図である。上記実施の形態と同一の部
材については、同一の符号を付してその説明を省略す
る。

【００５７】この第２の実施の形態は、紫外線ランプ３
４から発生するオゾンをさらに活性化して、基板Ｇに付
着する有機汚染物を更に効率よく除去するようにした場
合である。

【００５８】すなわち、上記載置台８１の内部に加熱手
段例えば加熱ヒータ９０を内蔵し、載置台８１上に保持
された基板Ｇに、紫外線ランプ３４からオゾンが照射さ
れている間、この加熱ヒータ９０を作動して基板Ｇを加
熱することにより、オゾンから分解される酸素をさらに
活性化して有機汚染物の分解除去をより効率よく行い得
るようにした場合である。上記加熱手段は、必ずしも加
熱ヒータ９０である必要はなく、加熱ヒータ９０以外に
例えば載置台８１に設けられた循環通路に熱媒体を流通
させるようにしてもよい。

【００５９】次に、図７を参照して本発明の第３の実施
の形態を説明する。図７は、第３の実施の形態に係る処
理装置の概略断面図である。上記実施の形態と同一の部
材については、同一の符号を付してその説明を省略す
る。

【００６０】この第３の実施の形態は、紫外線ランプ３
４から発生する熱によって基板Ｇが悪影響を受けるのを
防止するようにした場合である。すなわち、上記載置台
８１の内部に循環通路９１を設けると共に、この循環通
路９１に冷媒供給源９２を接続して、循環通路９１内に
所定温度の冷媒液を流通させて、載置台８１上の基板Ｇ
を一定の温度に維持させるようにした場合である。この
ように載置台８１上の基板Ｇを冷却することにより、紫
外線ランプ３４の熱によって高温に晒される基板Ｇの温
度を所定の一定温度に維持することができるので、安定
した状態で基板Ｇにオゾンを照射することができる。

【００６１】次に、図８を参照して本発明の第４の実施
の形態を説明する。図８は、第４の実施の形態に係る処
理装置の概略断面図である。上記実施の形態と同一の部
材については、同一の符号を付してその説明を省略す
る。

【００６２】この第４の実施の形態は、紫外線ランプ３
４から発生するオゾンを更に活性化して、基板Ｇに付着
する有機汚染物をさらに効率よく除去すると共に、基板
Ｇの温度を一定に維持して処理の安定化を図るようにし
た場合である。

【００６３】すなわち、上記載置台８１の内部に加熱手
段例えば加熱ヒータ９０を内蔵すると共に、冷媒液の循
環通路９１を形成し、かつ循環通路９１に冷媒供給現９
２を接続し、載置台８１の温度を検出する温度検知手段
例えば熱電対９３からの検出信号を図示しない制御信号
例えばＣＰＵで制御して加熱ヒータ９０あるいは冷媒供
給源９２に伝達し、加熱ヒータ９０による加熱あるいは
冷媒供給源９２による冷却を選択的に行えるようにした
場合である。

【００６４】これにより、例えば加熱ヒータ９０を作動
して基板Ｇを加熱することができ、オゾンから分解され
る酸素を更に活性化して有機汚染物の分解除去をより効
率よく行うことができる。また、循環通路９１内に所定
温度の冷媒液を流通させて、載置台８１上の基板Ｇを一
定の温度に維持させて、安定した状態で基板Ｇに紫外線
を照射することができる。

【００６５】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、紫外線ランプ３４に対して載置台８１を接離移動
させる場合について説明したが、必ずしも載置第８１を
移動させる必要はなく、紫外線ランプ３４を載置台８１
すなわち基板Ｇ側に接離移動させるようにしてもよく、
あるいは両者を互いに接離移動可能に形成してもよい。

【００６６】また、上記実施の形態では、紫外線ランプ
３４に対して載置台８１を水平移動可能に形成して基板
Ｇを揺動させる場合について説明したが、必ずしも載置
台８１を水平移動させる必要はなく、紫外線ランプ３４
を載置台８１すなわち基板Ｇに対して水平移動可能にす
るか、あるいは両者を相対的に水平移動可能に形成して
もよい。

【００６７】上記実施の形態では、被処理体がＬＣＤ基
板である場合について説明したが、ＬＣＤ基板以外の例
えば半導体ウエハ、ガラス基板、ＣＤ等についても同様
に適用することができる。

【００６８】

【発明の効果】以上説明したように、第１発明および第
４発明によれば、オゾンを効率的に利用して被処理体か
ら有機汚染物を効果的に除去することができると共に、
被処理体の接触角を下げることができ、いわゆる「ぬれ
性」を高めることができ、次工程のレジスト塗布処理に
おいて均一なレジスト膜を形成でき、歩留まりを向上す
ることができる。また、被処理体の照射に使用されたオ
ゾンおよび紫外線照射手段で生成されたその他のオゾン
を排気手段および通排気管により処理室外に排気するこ
とにより、オゾンの外部への漏洩を防止することができ
ると共に、オゾンによる装置、機器類への悪影響を防止
することができる。さらに、被処理体へのオゾン照射時
には、ダンパ手段により通排気管の空気取入口を開成
し、通排気管を介して外気を紫外線照射手段に導入して
おり、ファン等により強制的に外気を導入するのではな
く、いわば自然換気により外気を導入しているため、空
気の乱れが少なく、生成されたオゾンが被処理体の表面
に沿って流れることができ、有機汚染物を効果的に除去
できる。さらに、オゾン照射の待機時には、ダンパ手段
により通排気管の空気取入口を閉成し、紫外線照射手段
の周囲のオゾンを通排気管を介して排気するようにし、
外気を導入するための管と、オゾンを排気するための管
とを共通にしているため、管の数を削減でき、処理装置
の構造の簡略化およびコストの低減を図ることができ
る。

【００６９】第２発明および第５発明によれば、紫外線
照射手段に対して載置台を移動することにより、被処理
体に紫外線を均一に照射することが可能であり、有機汚
染物を効率的に除去することができる。

【００７０】第３発明および第６発明によれば、被処理
体を加熱することにより、オゾンから分解される酸素を
さらに活性化して有機汚染物の分解除去をより一層効率
よく行うことができる。また、被処理体を冷却すること
により、紫外線照射手段の熱によって高温に晒される被
処理体の温度を所定温度に維持することができるため、
安定した状態で被処理体に紫外線を照射することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処
理システムを示す斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係り、図１に示し
た塗布・現像システムにおける処理装置の概略構成を示
す断面図であり、プロセス処理時を示している。

【図３】図２に示した処理装置の概略構成を示す断面図
であり、待機時を示している。

【図４】図２に示した処理装置の保持手段の構造の概略
側面図である。

【図５】（ａ）は、図２に示した処理装置の保持手段に
基板を保持する前の状態を示す概略側面図であり、
（ｂ）は、同処理装置の保持手段に基板を保持した状態
を示す概略側面図である。

【図６】第２の実施の形態に係る処理装置の概略断面図
である。

【図７】第３の実施の形態に係る処理装置の概略断面図
である。

【図８】第４の実施の形態に係る処理装置の概略断面図
である。

【符号の説明】

２７……処理装置 ３１……処理室 ３２……ランプ室 ３４……紫外線ランプ（紫外線照射手段） ３８……開口 ３９……ランプシャッタ ４０……保持手段 ４６……主排気管 ５０……排気ファン ５１……従排気管 ６０……通排気管 ６１……空気取入口 ６２……オートダンパ（ダンパ手段） ８１……載置台 Ｇ……ＬＣＤ基板（被処理体）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体を処理室内の載置台に載置し、
   処理室外に配置した紫外線照射手段により生成したオゾ
   ンを排気手段により処理室内に吸引して、オゾンを被処
   理体に照射しながら被処理体表面に付着した有機汚染物
   を除去し、前記排気手段によりオゾンを処理室外に排気
   する処理装置であって、 前記紫外線照射手段と前記排気手段とを連通すると共
   に、途中に外気取入口を有する通排気管と、 被処理体へのオゾン照射時には、前記通排気管の空気取
   入口を開成し、この通排気管を介して外気を前記紫外線
   照射手段に導入する一方、オゾン照射の待機時には、前
   記通排気管の空気取入口を閉成し、前記紫外線照射手段
   の周囲のオゾンを前記通排気管を介して前記排気手段に
   より排気するためのダンパ手段とを具備することを特徴
   とする処理装置。
2. 【請求項２】 前記紫外線照射手段に対して前記載置台
   を移動する移動手段を更に具備することを特徴とする請
   求項１に記載の処理装置。
3. 【請求項３】 前記載置台を加熱または冷却する加熱ま
   たは冷却手段をさらに具備することを特徴とする請求項
   １に記載の処理装置。
4. 【請求項４】 被処理体にオゾンを照射して、被処理体
   表面に付着した有機汚染物を除去する処理方法であっ
   て、 被処理体を処理室内の載置台に載置する工程と、 紫外線照射手段と排気手段とを連通した通排気管の空気
   取入口をダンパ手段により開成し、この通排気管を介し
   て外気を前記紫外線照射手段に導入する工程と、 前記紫外線照射手段によりオゾンを生成し、オゾンを処
   理室内に排気手段により吸引して、オゾンを被処理体に
   照射しながら被処理体表面に付着した有機汚染物を除去
   する工程と、 処理室内のオゾンを前記排気手段により処理室外に排気
   すると共に、オゾン照射の待機時には、前記通排気管の
   空気取入口をダンパ手段により閉成して、前記紫外線照
   射手段の周囲のオゾンを前記通排気管を介して前記排気
   手段により処理室外に排気する工程とを具備することを
   特徴とする処理方法。
5. 【請求項５】 前記紫外線照射手段に対して前記載置台
   を移動しながら、被処理体にオゾンを照射することを特
   徴とする請求項４に記載の処理方法。
6. 【請求項６】 前記載置台を加熱または冷却しながら、
   被処理体にオゾンを照射することを特徴とする請求項４
   に記載の処理方法。