JP2019207961A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】熱処理による基板温度の均一性を向上させる技術を提供する。【解決手段】基板処理装置４１は、搬送機構４４と、第１熱処理部５０と、第２熱処理部５１と、排気機構５２とを備える。搬送機構４４は、基板Ｓを平流し搬送する。第１熱処理部５０は、平流し搬送される基板Ｓに対して熱処理を行う。第２熱処理部５１は、第１熱処理部５０に連続して設けられ、第１熱処理部５０によって熱処理された基板Ｓに対して、第１熱処理部５０よりも低い温度で熱処理を行う。排気機構５２は、第１熱処理部５０よりも基板Ｓの搬送方向の上流側、および第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０内へ空気が流れるように、第１熱処理部５０の上方から排気する。【選択図】図３

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

特許文献１には、コロ搬送装置によって平流し搬送される基板に対して、プレヒータ部、およびメインヒータ部によって基板を加熱することが開示されている。

特開２０１１−６６３１８号公報

本開示は、熱処理による基板温度の均一性を向上させる技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、搬送機構と、第１熱処理部と、第２熱処理部と、排気機構とを備える。搬送機構は、基板を平流し搬送する。第１熱処理部は、平流し搬送される基板に対して熱処理を行う。第２熱処理部は、第１熱処理部に連続して設けられ、第１熱処理部によって熱処理された基板に対して、第１熱処理部よりも低い温度で熱処理を行う。排気機構は、第１熱処理部よりも基板の搬送方向の上流側、および第２熱処理部側から第１熱処理部内へ空気が流れるように、第１熱処理部の上方から排気する。

本開示によれば、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。

図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 図２は、実施形態に係るコロ搬送装置による基板搬送を示す模式図である。 図３は、実施形態に係る第２加熱ユニットの概略構成を示す模式図である。 図４は、実施形態に係る第１排気口、および第２排気口の配置を示す模式図である。 図５は、実施形態に係る第２加熱ユニットにおける空気の流れを示す図である。 図６は、比較例に係る第２加熱ユニットにおける空気の流れを示す図である。 図７は、実施形態に係る第２加熱ユニット、および比較例に係る第２加熱ユニットにおける基板の温度を示す図である。 図８は、実施形態に係る第２加熱ユニット、および比較例に係る第２加熱ユニットにおける基板の温度差を示す図である。 図９は、実施形態に係る排気処理におけるチャンバー内の雰囲気温度の変化を示す図である。 図１０は、実施形態の変形例に係る第２加熱ユニットの概略構成を示す模式図である。 図１１は、実施形態の変形例に係る第２加熱ユニットの概略構成を示す模式図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。

＜全体構成＞
実施形態に係る基板処理装置１について図１を参照し説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。

基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ステーション３と、インターフェースステーション４と、第２処理ステーション５と、制御装置６とを備える。

カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１０と、カセットＣと第１処理ステーション３との間、および第２処理ステーション５とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１１とを備える。

搬送装置１１は、搬送アーム１１ａを備える。搬送アーム１１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

第１処理ステーション３は、基板Ｓにフォトレジストの塗布を含む処理を行う。第１処理ステーション３は、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１と、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とを備える。これらのユニット２０〜２４は、カセットステーション２からインターフェースステーション４に向かう方向に、配置される。具体的には、エキシマＵＶ照射ユニット２０、スクラブ洗浄ユニット２１、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順に配置される。

また、第１処理ステーション３は、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２５と、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２６と、第１加熱ユニット（ＨＴ）２７と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）２８とを備える。これらのユニット２５〜２８は、第１冷却ユニット２４からインターフェースステーション４に向かう方向に、フォトレジスト塗布ユニット２５、減圧乾燥ユニット２６、第１加熱ユニット２７、第２冷却ユニット２８の順に配置される。また、第１処理ステーション３は、コロ搬送装置（図２参照）２９と、搬送装置３０とを備える。

エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。

スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。

プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓをさらに加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。

アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水化処理を行う。

第１冷却ユニット２４は、疎水化処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。

フォトレジスト塗布ユニット２５は、冷却された基板Ｓ上にフォトレジスト液を供給し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。

減圧乾燥ユニット２６は、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。

第１加熱ユニット２７は、フォトレジスト膜が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。

第２冷却ユニット２８は、溶剤などを除去した基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。

ここで、コロ搬送装置２９について、図２を参照し説明する。図２は、実施形態に係るコロ搬送装置２９による基板搬送を示す模式図である。

コロ搬送装置２９は、複数のコロ２９ａと、複数の駆動装置２９ｂとを備える。コロ搬送装置２９は、駆動装置２９ｂによってコロ２９ａを回転させ、コロ２９ａの回転に伴い基板Ｓを搬送する。すなわち、コロ搬送装置２９は、基板Ｓを平流し搬送する。駆動装置２９ｂは、例えば、電動モータである。

コロ搬送装置２９は、図１において矢印Ｌで示すように、基板ＳをエキシマＵＶ照射ユニット２０から第１冷却ユニット２４まで搬送する。また、コロ搬送装置２９は、図１において矢印Ｍで示すように、基板Ｓを第１加熱ユニット２７から第２冷却ユニット２８まで搬送する。

図１に戻り、搬送装置３０は、搬送アーム３０ａを備える。搬送アーム３０ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

搬送装置３０は、第１冷却ユニット２４からフォトレジスト塗布ユニット２５に基板Ｓを搬送する。搬送装置３０は、フォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット２６に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３０は、減圧乾燥ユニット２６から第１加熱ユニット２７に基板Ｓの搬送を行う。搬送装置３０は、複数の搬送アームを備えてもよく、各ユニット間での基板Ｓの搬送を異なる搬送アームで行ってもよい。

インターフェースステーション４では、第１処理ステーション３によってフォトレジスト膜が形成された基板Ｓが外部露光装置８、および第２処理ステーション５に搬送される。インターフェースステーション４は、搬送装置３１と、ロータリーステージ（ＲＳ）３２とを備える。

外部露光装置８は、外部装置ブロック８Ａと、露光装置８Ｂとを備える。外部装置ブロック８Ａは、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を周辺露光装置（ＥＥ）によって除去する。また、外部装置ブロック８Ａは、露光装置８Ｂで回路パターンに露光された基板Ｓにタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）によって所定の情報を書き込む。

露光装置８Ｂは、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。

搬送装置３１は、搬送アーム３１ａを備える。搬送アーム３１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

搬送装置３１は、第２冷却ユニット２８からロータリーステージ３２に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３１は、ロータリーステージ３２から外部装置ブロック８Ａの周辺露光装置に基板Ｓを搬送し、外周部のフォトレジスト膜が除去された基板Ｓを露光装置８Ｂに搬送する。

また、搬送装置３１は、回路パターンに露光された基板Ｓを露光装置８Ｂから外部装置ブロック８Ａのタイトラーに基板Ｓを搬送する。そして、搬送装置３１は、所定の情報が書き込まれた基板Ｓをタイトラーから第２処理ステーション５の現像ユニット（ＤＥＶ）４０に搬送する。

第２処理ステーション５は、現像を含む処理を行う。第２処理ステーション５は、現像ユニット４０と、第２加熱ユニット（ＨＴ）４１と、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）４２と、検査ユニット（ＩＰ）４３と、コロ搬送装置４４（図２参照）とを備える。これらのユニット４０〜４３は、インターフェースステーション４からカセットステーション２に向かう方向に、現像ユニット４０、第２加熱ユニット４１、第３冷却ユニット４２、および検査ユニット４３の順に配置される。

現像ユニット４０は、露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する。また、現像ユニット４０は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液をリンス液によって洗い流し、リンス液を乾燥させる。

第２加熱ユニット４１は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。第２加熱ユニット４１の構成については、後述する。

第３冷却ユニット４２は、溶剤、およびリンス液が除去された基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。

検査ユニット４３は、冷却された基板Ｓに対して、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。

検査ユニット４３によって検査が行われた基板Ｓは、搬送装置１１の搬送アーム１１ａによって第２処理ステーション５からカセットステーション２のカセットＣに搬送される。

コロ搬送装置４４の構成は、第１処理ステーション３におけるコロ搬送装置２９と同じ構成であり、ここでの説明は省略する。コロ搬送装置４４は、矢印Ｎで示すように、現像ユニット４０から検査ユニット４３まで基板Ｓを搬送する。すなわち、コロ搬送装置４４は、基板Ｓを平流し搬送する。

制御装置６は、例えば、コンピュータであり、制御部６Ａと記憶部６Ｂとを備える。記憶部６Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。

制御部６Ａは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、各ステーション２〜５の制御を実現する。

なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置６の記憶部６Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

＜第２加熱ユニット＞
次に、第２加熱ユニット４１について、図３を参照し説明する。図３は、実施形態に係る第２加熱ユニット４１の概略構成を示す模式図である。以下では、基板Ｓの搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向を、幅方向として説明する。なお、幅方向は、コロ搬送装置４４のコロ４４ａの回転軸に対して平行である。

第２加熱ユニット４１は、第１熱処理部５０と、第２熱処理部５１と、排気機構５２とを備える。第１熱処理部５０と第２熱処理部５１とは連続して設けられる。具体的には、基板Ｓの搬送方向において上流側、すなわち現像ユニット４０（図１参照）側に第１熱処理部５０が設けられ、基板Ｓの搬送方向において下流側、すなわち第３冷却ユニット４２（図１参照）側に第２熱処理部５１が設けられる。

第１熱処理部５０は、平流し搬送される基板Ｓに対して熱処理を行う。第１熱処理部５０は、チャンバー６０と、複数の第１ヒータ部６１と、複数の第２ヒータ部６２とを備える。

チャンバー６０は、コロ搬送装置４４の一部、第１ヒータ部６１、および第２ヒータ部６２を収容し、基板Ｓの搬送方向に沿って延設される。

チャンバー６０には、基板Ｓの搬送方向における上流側、具体的には、現像ユニット４０側に搬入口６０ａが形成され、現像ユニット４０側に設けられた導入部５３を介して搬入口６０ａから基板Ｓが搬入される。搬入口６０ａには、第１熱処理部５０内への空気の流れを整える整流板５４が設けられる。

導入部５３の上面には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）５５が設けられる。ＦＦＵ５５は、フィルタによって浄化した空気を下方に向けて吹き出す。ＦＦＵ５５によって吹き出された空気は、基板Ｓの搬送方向に沿ってチャンバー６０内に流入する。すなわち、基板処理装置１は、基板Ｓの搬送方向において第１熱処理部５０よりも上流側に設けられ、第１熱処理部５０に送風するＦＦＵ５５（上流側送風部の一例）を備える。なお、ＦＦＵ５５は、幅方向に並んで、複数設けられてもよい。

また、チャンバー６０には、基板Ｓの搬送方向における下流側、具体的には、第２熱処理部５１側に搬出口６０ｂが形成され、熱処理された基板Ｓが搬出口６０ｂから搬出される。また、チャンバー６０の上面には、複数の第１排気口６０ｃ〜６０ｅと、複数の第２排気口６０ｆ〜６０ｈとが形成される。

第１排気口６０ｃ〜６０ｅは、図４に示すように、幅方向に沿って延びるスリット状に形成され、幅方向に並んで形成される。図４は、実施形態に係る第１排気口６０ｃ〜６０ｅ、および第２排気口６０ｆ〜６０ｈの配置を示す模式図である。図４では、第１熱処理部５０の一部を省略する。

第２排気口６０ｆ〜６０ｈは、幅方向に沿って延びるスリット状に形成され、幅方向に並んで形成される。第２排気口６０ｆ〜６０ｈは、第１排気口６０ｃ〜６０ｅよりも基板Ｓの搬送方向における下流側に形成される。なお、第２排気口６０ｆ〜６０ｈは、チャンバー６０の搬出口６０ｂ（図３参照）よりも所定距離、上流側に形成される。所定距離は、予め設定された距離である。所定距離は、排気機構５２によって排気を行う場合に、第２熱処理部５１から第１熱処理部５０内に空気を流入させて、基板Ｓの後端の温度が上昇し過ぎることを抑制するように設定される。

なお、ここでは、３つの第１排気口６０ｃ〜６０ｅ、および３つの第２排気口６０ｆ〜６０ｈが幅方向に並んだ一例を示すが、第１排気口６０ｃ〜６０ｅ、および第２排気口６０ｆ〜６０ｈの数は、これに限られることはない。第１排気口６０ｃ〜６０ｅ、および第２排気口６０ｆ〜６０ｈの数は、１つであってもよく、複数であってもよい。

図３に戻り、第１ヒータ部６１は、隣接するコロ４４ａの間に設けられ、幅方向に沿って延設される。第１ヒータ部６１は、短冊状の電気ヒータであり、下方側から基板Ｓを加熱する。

第２ヒータ部６２は、チャンバー６０の上面に取り付けられる。第２ヒータ部６２は、基板Ｓの搬送方向に沿って並んで設けられ、幅方向に沿って延設される。第２ヒータ部６２は、短冊状の電気ヒータであり、上方側から基板Ｓを加熱する。

第１ヒータ部６１、および第２ヒータ部６２は、基板Ｓの温度が第１所定温度となるように電流制御される。第１所定温度は、予め設定された温度である。

第２熱処理部５１は、第１熱処理部５０よりも下流側であり、第１熱処理部５０に連続して設けられ、第１熱処理部５０によって熱処理された基板Ｓに対して、第１熱処理部５０よりも低い温度で熱処理を行う。第２熱処理部５１は、チャンバー６５と、複数の第１ヒータ部６６と、複数の第２ヒータ部６７とを備える。

チャンバー６５は、コロ搬送装置４４の一部、第１ヒータ部６６、および第２ヒータ部６７を収容し、基板Ｓの搬送方向に沿って延設される。

チャンバー６５には、基板Ｓの搬送方向における上流側、具体的には、第１熱処理部５０側に搬入口６５ａが形成され、搬入口６５ａから基板Ｓが搬入される。また、チャンバー６５には、基板Ｓの搬送方向における下流側、具体的には、第３冷却ユニット４２側に搬出口６５ｂが形成され、熱処理された基板Ｓが搬出口６５ｂから搬出される。また、チャンバー６５の上面には、複数の第１排気口６５ｃ〜６５ｅと、複数の第２排気口６５ｆ〜６５ｈとが形成される。

第１排気口６５ｃ〜６５ｅ、および第２排気口６５ｆ〜６５ｈは、第１熱処理部５０の第１排気口６０ｃ〜６０ｅ、および第２排気口６０ｆ〜６０ｈと同様に、幅方向に沿って延びるスリット状に形成され、幅方向に並んで形成される。

第１ヒータ部６６、および第２ヒータ部６７の構成は、第１熱処理部５０の第１ヒータ部６１、および第２ヒータ部６２と同様の構成であり、ここでの説明は省略する。

なお、第１ヒータ部６６、および第２ヒータ部６７は、基板Ｓの温度が第２所定温度となるように、電流制御される。第２所定温度は、予め設定された温度であり、第１所定温度よりも低い温度である。

排気機構５２は、第１排気機構７０と、第２排気機構７１とを備える。第１排気機構７０は、排気装置７５と、排気路７６とを備える。排気装置７５は、第１排気口６０ｃ〜６０ｅ、第２排気口６０ｆ〜６０ｈ、および排気路７６を介して、第１熱処理部５０のチャンバー６０から排気を行う。すなわち、第１排気機構７０は、基板Ｓの上方から排気を行う。

排気路７６は、第１排気路７６ａ〜７６ｃ、および第２排気路７６ｄ〜７６ｆに分岐する。第１排気路７６ａ〜７６ｃは、第１熱処理部５０のチャンバー６０に形成された第１排気口６０ｃ〜６０ｅに接続する。第１排気路７６ａ〜７６ｃは、第１排気口６０ｃ〜６０ｅの数に対応して形成される。具体的には、図４に示すように、第１排気路７６ａは、幅方向において端に形成された第１排気口６０ｃに接続する。第１排気路７６ｂは、幅方向において中央に形成された第１排気口６０ｄに接続する。第１排気路７６ｃは、幅方向において端に形成された第１排気口６０ｅに接続する。

第１排気路７６ａには、流量調整バルブ７７ａが設けられる。第１排気路７６ｂには、流量調整バルブ７７ｂが設けられる。第１排気路７６ｃには、流量調整バルブ７７ｃが設けられる。第１排気機構７０は、各流量調整バルブ７７ａ〜７７ｃの開度が調整されることで、各第１排気路７６ａ〜７６ｃにおける単位時間当たりの排気量（以下、「排気量」と称する。）を調整可能である。すなわち、第１排気機構７０は、幅方向における排気量を制御することができる。

第２排気路７６ｄ〜７６ｆは、第１熱処理部５０のチャンバー６０に形成された第２排気口６０ｆ〜６０ｈに接続する。第２排気路７６ｄ〜７６ｆは、第２排気口６０ｆ〜６０ｈの数に対応して形成される。具体的には、第２排気路７６ｄは、幅方向において端に形成された第２排気口６０ｆに接続する。第２排気路７６ｅは、幅方向において中央に形成された第２排気口６０ｇに接続する。第２排気路７６ｆは、幅方向において端に形成された第２排気口６０ｈに接続する。

第２排気路７６ｄには、流量調整バルブ７７ｄが設けられる。第２排気路７６ｅには、流量調整バルブ７７ｅが設けられる。第２排気路７６ｆには、流量調整バルブ７７ｆが設けられる。第１排気機構７０は、各流量調整バルブ７７ｄ〜７７ｆの開度が調整されることで、各第２排気路７６ｄ〜７６ｆにおける排気量を調整可能である。すなわち、第１排気機構７０は、幅方向における排気量を制御する。

図３に戻り、第２排気機構７１は、排気装置８０と、排気路８１とを備える。排気装置８０は、第１排気口６５ｃ〜６５ｅ、第２排気口６５ｆ〜６５ｈ、および排気路８１を介して、第２熱処理部５１のチャンバー６５から排気を行う。すなわち、第２排気機構７１は、基板Ｓの上方から排気を行う。

排気路８１は、第１排気路８１ａ〜８１ｃ、および第２排気路８１ｄ〜８１ｆに分岐する。第１排気路８１ａ〜８１ｃは、第２熱処理部５１のチャンバー６５に形成された第１排気口６５ｃ〜６５ｅに接続する。第１排気路８１ａ〜８１ｃは、第１排気機構７０の第１排気路７６ａ〜７６ｃと同様に、第１排気口６５ｃ〜６５ｅの数に対応して形成され、対応する第１排気口６５ｃ〜６５ｅに接続する。

また、第１排気路８１ａ〜８１ｃには、第１排気機構７０の第１排気路７６ａ〜７６ｃと同様に、流量調整バルブ８２ａ〜８２ｃが設けられる。第２排気機構７１は、各流量調整バルブ８２ａ〜８２ｃの開度が調整されることで、各第１排気路８１ａ〜８１ｃにおける排気量を調整可能である。

第２排気路８１ｄ〜８１ｆは、第２熱処理部５１のチャンバー６５に形成された第２排気口６５ｆ〜６５ｈに接続する。第２排気路８１ｄ〜８１ｆは、第１排気機構７０の第２排気路７６ｄ〜７６ｆと同様に、第２排気口６５ｆ〜６５ｈの数に対応して形成され、対応する第２排気口６５ｆ〜６５ｈに接続する。

また、第２排気路８１ｄ〜８１ｆには、第１排気機構７０の第２排気路７６ｄ〜７６ｆと同様に、流量調整バルブ８２ｄ〜８２ｆが設けられる。第２排気機構７１は、各流量調整バルブ８２ｄ〜８２ｆの開度が調整されることで、各第２排気路８１ｄ〜８１ｆにおける排気量を調整可能である。

排気機構５２は、第１排気機構７０による排気量を、第２排気機構７１による排気量よりも多くする。すなわち、排気機構５２は、第１熱処理部５０における排気量を、第２熱処理部５１における排気量よりも多くする。

＜排気処理＞
次に、第２加熱ユニット４１における排気処理について説明する。

第２加熱ユニット４１の排気機構５２は、第１熱処理部５０における排気量を第２熱処理部５１における排気量よりも多くする。例えば、第２加熱ユニット４１は、排気機構５２による総排気量に対して、第１排気機構７０による排気量の割合を８割とし、第２排気機構７１による排気量の割合を２割とする。これにより、図５に示すように、第１熱処理部５０のチャンバー６０内の雰囲気温度よりも温度が低い空気が、第２熱処理部５１から第１熱処理部５０に流れる。図５は、実施形態に係る第２加熱ユニット４１における空気の流れを示す図である。

すなわち、排気機構５２は、第１熱処理部５０よりも基板Ｓの搬送方向の上流側、および第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０内へ空気が流れるように、第１熱処理部５０の上方から排気する。

第１熱処理部５０、および第２熱処理部５１における排気量を等しくした比較例では、ＦＦＵ５５による空気の流れによって、図６に示すように、第１熱処理部５０側から第２熱処理部５１へ空気が流れる。すなわち、比較例に係る第２加熱ユニット４１では、第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０に空気が流入しない。図６は、比較例に係る第２加熱ユニット４１における空気の流れを示す図である。

そのため、基板Ｓの後端は、温度が高い空気に煽られ続け、図７において破線で示すように、基板Ｓの後端の温度が高くなる。図７は、実施形態に係る第２加熱ユニット４１、および比較例に係る第２加熱ユニット４１における基板Ｓの温度を示す図である。なお、図７は、第１熱処理部５０と第２熱処理部５１との境界における基板Ｓの温度を示す図である。

比較例に係る第２加熱ユニット４１では、基板Ｓの後端の温度が高くなるため、基板Ｓにおける温度差Ｔ１が大きくなる。

これに対し、実施形態に係る第２加熱ユニット４１では、第１熱処理部５０のチャンバー６０内の雰囲気温度よりも温度が低い空気が第２熱処理部５１から第１熱処理部５０に流れる。そのため、図７において実線で示すように、基板Ｓの後端の温度が、比較例に係る基板Ｓの後端の温度よりも低くなる。従って、基板Ｓにおける温度差Ｔ２が比較例に係る基板Ｓにおける温度差Ｔ１よりも小さくなる。

従って、実施形態に係る第２加熱ユニット４１では、図８に示すように、第２熱処理部５１における基板Ｓの温度差が、比較例に係る第２加熱ユニット４１の第２熱処理部５１における基板Ｓの温度差よりも小さくなる。図８は、実施形態に係る第２加熱ユニット４１、および比較例に係る第２加熱ユニットにおける基板Ｓの温度差を示す図である。図８は、搬入口６５ａ付近である上流、基板Ｓの搬送方向における中央付近である中央、搬出口６５ｂ付近である下流で基板Ｓの温度差を計測し、計測した温度差に基づいた作成された図である。図８では、実施形態に係る第２加熱ユニット４１における温度差を実線で示し、比較例に係る第２加熱ユニット４１における温度差を破線で示す。

このように、実施形態に係る第２加熱ユニット４１は、基板温度の均一性を向上させることができる。

また、第２加熱ユニット４１では、基板Ｓの搬送が開始される前に、各ヒータ部６１、６２、６６、６７をＯＮにし、排気機構５２によって排気を開始する。すなわち、排気機構５２は、基板Ｓが第１熱処理部５０に搬送されていない待機時に排気を行う。具体的には、第２加熱ユニット４１は、基板Ｓに対して熱処理を行っている場合と同等の排気を待機時に行う。

これにより、例えば、第１熱処理部５０のチャンバー６０は、待機時であっても基板Ｓに対する熱処理を行っている状態に近い状態に保持される。

そのため、図９に示すように、時間ｔ０において基板Ｓの搬送が開始され、基板Ｓが連続して熱処理される場合に、チャンバー６０内の雰囲気温度が低下することを抑制することができる。図９は、実施形態に係るチャンバー６０内の雰囲気温度の変化を示す図である。図９では、基板Ｓの搬送が開始される時間ｔ０において排気機構５２による排気を開始した雰囲気温度の変化を破線で示す。

このように、第２加熱ユニット４１は、基板Ｓが連続搬送された場合に、基板Ｓに対する処理温度の変化を抑制することができ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。

第２加熱ユニット４１では、幅方向の中央側における空気の流れが、幅方向の端側における空気の流れよりも速くなる。

そこで、第２加熱ユニット４１の排気機構５２は、幅方向において端に位置する第１排気口６０ｃ、６０ｅからの排気量を、幅方向において中央に位置する第１排気口６０ｄからの排気量よりも多くする。また、第２加熱ユニット４１は、幅方向において端に位置する第２排気口６０ｆ、６０ｈからの排気量を、幅方向において中央に位置する第２排気口６０ｇからの排気量よりも多くする。

すなわち、第２加熱ユニット４１の排気機構５２は、基板Ｓの搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向（幅方向の一例）に沿って設けられた複数の第１排気口６０ｃ〜６０ｅ、および複数の第２排気口６０ｆ〜６０ｈを介して排気する。さらに、第２加熱ユニット４１の排気機構５２は、基板Ｓの搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向において端側に設けられた第１排気口６０ｃ、６０ｅからの排気量を、面方向において中央側に設けられた第１排気口６０ｄからの排気量よりも多くする。また、第２加熱ユニット４１の排気機構５２は、基板Ｓの搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向において端側に設けられた第２排気口６０ｆ、６０ｈからの排気量を、面方向において中央側に設けられた第２排気口６０ｇからの排気量よりも多くする。

これにより、第２加熱ユニット４１は、幅方向における基板Ｓの温度差を小さくすることができ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。

＜変形例＞
次に、本実施形態の変形例について説明する。

変形例に係る第２加熱ユニット４１の第１排気機構７０は、図１０に示すように、基板Ｓの搬送方向における第１熱処理部５０の中央付近に排気口９０ａ〜９０ｃが形成される。図１０は、実施形態の変形例に係る第２加熱ユニット４１の概略構成を示す模式図である。すなわち、変形例に係る第１排気機構７０は、基板Ｓの搬送方向における第１熱処理部５０の略中央から排気する。これにより、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、部品点数を少なくしつつ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。

変形例に係る第２加熱ユニット４１は、図１１に示すように、第２熱処理部５１の下流側にＦＦＵ９１を設ける。図１１は、実施形態の変形例に係る第２加熱ユニット４１の概略構成を示す模式図である。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓの搬送方向において第２熱処理部５１よりも下流側に設けられ、第２熱処理部５１に送風するＦＦＵ９１（下流側送風部の一例）を備える。これにより、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、ＦＦＵ９１によって第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０に温度が低い空気を流すことができ、基板温度の均一性を向上させることができる。

変形例に係る第２加熱ユニット４１は、排気口の大きさを変更することで、各排気口における排気量を調整してもよい。例えば、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向において端側の第１排気口６０ｃ、６０ｅの大きさを、中央側の第１排気口６０ｄの大きさよりも大きくする。これにより、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向における排気量を調整し、幅方向における基板Ｓの温度差を小さくし、基板温度の均一性を向上させることができる。

変形例に係る第２加熱ユニット４１は、整流板５４によって幅方向における空気の流れを調整してもよい。変形例に係る第２加熱ユニット４１は、整流板５４の高さや、形状を変更することで、幅方向における空気の流れを調整する。例えば、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向において中央側の整流板５４の高さを端側の整流板５４の高さよりも低くする。これにより、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向における排気量を調整し、幅方向における基板Ｓの温度差を小さくし、基板温度の均一性を向上させることができる。

変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向における温度を変更可能な第１ヒータ部６１、６６および第２ヒータ部６２、６７を備える。変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向における第１ヒータ部６１、６６および第２ヒータ部６２、６７の温度を制御する。これにより、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向における基板Ｓの温度差を小さくし、基板温度の均一性を向上させることができる。

変形例に係る第２加熱ユニット４１は、第２熱処理部５１から排気を行わず、第１熱処理部５０から排気を行う。すなわち、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、排気機構５２として、第１排気機構７０のみを備える。

また、上記実施形態、および変形例に係る第２加熱ユニット４１の構成を組み合わせてもよい。また、上記実施形態、および変形例に係る排気機構５２は、第１加熱ユニット２７に設けられてもよい。

＜効果＞
基板処理装置１は、基板Ｓを平流し搬送する搬送機構（コロ搬送装置４４の一例）と、平流し搬送される基板Ｓに対して熱処理を行う第１熱処理部５０と、第１熱処理部５０に連続して設けられ、第１熱処理部５０によって熱処理された基板Ｓに対して、第１熱処理部５０よりも低い温度で熱処理を行う第２熱処理部５１と、第１熱処理部５０よりも基板Ｓの搬送方向の上流側、および第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０内へ空気が流れるように、第１熱処理部５０の上方から排気する排気機構５２とを備える。

換言すると、基板処理方法は、基板Ｓを平流し搬送する工程と、平流し搬送される基板Ｓに対して第１熱処理部５０によって熱処理を行う工程と、基板Ｓの搬送方向において第１熱処理部５０の下流側に連続して設けられた第２熱処理部５１側、および第１熱処理部５０よりも搬送方向の上流側から第１熱処理部５０内へ空気が流れるように、第１熱処理部５０の上方から排気する工程とを有する。

これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの後端の温度上昇を抑制し、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。

排気機構５２は、第１熱処理部５０における排気量を第２熱処理部５１における排気量よりも多くする。

これにより、基板処理装置１は、第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０に温度が低い空気を流すことができ、基板Ｓの後端の温度上昇を抑制し、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。

排気機構５２は、搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向（幅方向）に沿って設けられた複数の排気口（第１排気口６０ｃ〜６０ｅ、第２排気口６０ｆ〜６０ｈの一例）を介して排気し、面方向において端側に設けられた排気口（第１排気口６０ｃ、６０ｅ、第２排気口６０ｆ、６０ｈ）からの排気量を、面方向において中央側に設けられた排気口（第１排気口６０ｄ、第２排気口６０ｇの一例）からの排気量よりも多くする。

これにより、基板処理装置１は、搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向における基板Ｓの温度差を小さくし、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。

排気機構５２は、搬送方向における第１熱処理部５０の略中央から排気する。これにより、基板処理装置１は、部品点数を少なくしつつ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。

基板処理装置１は、搬送方向において第１熱処理部５０よりも上流側に設けられ、第１熱処理部５０に送風する上流側送風部（ＦＦＵ５５の一例）を備える。

これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの搬送方向の上流側から第１熱処理部５０に流れる空気の流量を調整することができ、第１熱処理部５０のチャンバー６０内の雰囲気温度を調整することができる。そのため、基板処理装置１は、熱処理による基板温度の均一性を向上させる。

基板処理装置１は、搬送方向において第２熱処理部５１よりも下流側に設けられ、第２熱処理部５１に送風する下流側送風部（ＦＦＵ９１の一例）を備える。

これにより、基板処理装置１は、第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０に温度が低い空気を流すことができ、基板温度の均一性を向上させることができる。

排気機構５２は、基板Ｓが第１熱処理部５０に搬送されていない待機時に、第１熱処理部５０から排気を行う。

これにより、基板処理装置１は、待機時に第１熱処理部５０の温度が高くなることを抑制し、基板Ｓが連続搬送された場合に、基板Ｓに対する処理温度の変化を抑制することができ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。

また、排気機構５２は、待機時にも、第１熱処理部５０における排気量を、第２熱処理部５１における排気量よりも多くする。

これにより、基板処理装置１は、待機時に第１熱処理部５０の温度が高くなることを抑制し、基板Ｓが連続搬送された場合に、基板Ｓに対する処理温度の変化を抑制することができ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求お範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ 基板処理装置
４１ 第２加熱ユニット
４４ コロ搬送装置（搬送機構）
４４ａ コロ
５０ 第１熱処理部
５１ 第２熱処理部
５２ 排気機構
５５ ＦＦＵ（上流側送風部）
７０ 第１排気機構
７１ 第２排気機構
６０ｃ 第１排気口（排気口）
６０ｄ 第１排気口（排気口）
６０ｅ 第１排気口（排気口）
６０ｆ 第２排気口（排気口）
６０ｇ 第２排気口（排気口）
６０ｈ 第２排気口（排気口）
９０ａ 排気口
９０ｂ 排気口
９０ｃ 排気口
９１ ＦＦＵ（下流側送風部）

Claims (8)

1. 基板を平流し搬送する搬送機構と、
   平流し搬送される前記基板に対して熱処理を行う第１熱処理部と、
   前記第１熱処理部に連続して設けられ、前記第１熱処理部によって熱処理された前記基板に対して、前記第１熱処理部よりも低い温度で熱処理を行う第２熱処理部と、
   前記第１熱処理部よりも前記基板の搬送方向の上流側、および前記第２熱処理部側から前記第１熱処理部内へ空気が流れるように、前記第１熱処理部の上方から排気する排気機構と
   を備える基板処理装置。
2. 前記排気機構は、
   前記第１熱処理部における排気量を前記第２熱処理部における排気量よりも多くする
   請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記排気機構は、
   前記搬送方向に対して直交する前記基板の面方向に沿って設けられた複数の排気口を介して排気し、前記面方向において端側に設けられた排気口からの排気量を、前記面方向において中央側に設けられた排気口からの排気量よりも多くする
   請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記排気機構は、
   前記搬送方向における前記第１熱処理部の略中央から排気する
   請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記搬送方向において前記第１熱処理部よりも上流側に設けられ、前記第１熱処理部に送風する上流側送風部
   を備える請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
6. 前記搬送方向において前記第２熱処理部よりも下流側に設けられ、前記第２熱処理部に送風する下流側送風部
   を備える請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
7. 前記排気機構は、
   前記基板が前記第１熱処理部に搬送されていない待機時に、前記第１熱処理部から排気を行う
   請求項１〜６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
8. 基板を平流し搬送する工程と、
   平流し搬送される前記基板に対して第１熱処理部によって熱処理を行う工程と、
   前記基板の搬送方向において前記第１熱処理部の下流側に連続して設けられ第２熱処理部側、および前記第１熱処理部よりも前記搬送方向の上流側から前記第１熱処理部内へ空気が流れるように、前記第１熱処理部の上方から排気する工程と
   を有する基板処理方法。

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