CN110556311A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

基片处理装置和基片处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110556311A
CN110556311A CN201910432528.9A CN201910432528A CN110556311A CN 110556311 A CN110556311 A CN 110556311A CN 201910432528 A CN201910432528 A CN 201910432528A CN 110556311 A CN110556311 A CN 110556311A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat treatment
substrate
exhaust
unit
treatment unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910432528.9A
Other languages
English (en)
Inventor
佐田彻也
麻生丰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN110556311A publication Critical patent/CN110556311A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本发明提供一种提高热处理时的基片温度的均匀性的技术。实施方式的基片处理装置包括输送机构、第一热处理部、第二热处理部和排气机构。输送机构平流地输送基片。第一热处理部对被平流地输送来的基片进行热处理。第二热处理部与第一热处理部连续地设置，对由第一热处理部进行了热处理的基片以比第一热处理部低的温度进行热处理。排气机构从第一热处理部的上方进行排气，以使得空气从比第一热处理部靠基片的输送方向的上游侧和第二热处理部侧流向第一热处理部内。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
在专利文献1中，发明了对由辊输送装置平流地(日文：平流し)输送的基片，通过预加热部和主加热部对基片进行加热的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011－66318号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明提供一种提高热处理时基片温度的均匀性的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一方式的基片处理装置包括输送机构、第一热处理部、第二热处理部和排气机构。输送机构平流地输送基片。第一热处理部对被平流地输送来的基片进行热处理。第二热处理部与第一热处理部连续地设置，对由第一热处理部进行了热处理的基片以比第一热处理部低的温度进行热处理。排气机构从第一热处理部的上方进行排气，以使得空气从比第一热处理部靠基片的输送方向的上游侧和第二热处理部侧流向第一热处理部内。
发明效果
根据本发明，能够提高热处理时的基片温度的均匀性。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理装置的概略结构的示意图。
图2是表示由实施方式的辊输送装置进行的基片输送的示意图。
图3是表示实施方式的第二加热单元的概略结构的示意图。
图4是表示实施方式的第一排气口和第二排气口的配置的示意图。
图5是表示实施方式的第二加热单元中的空气的气流的图。
图6是表示比较例的第二加热单元中的空气的气流的图。
图7是表示实施方式的第二加热单元和比较例的第二加热单元中的基片的温度的图。
图8是表示实施方式的第二加热单元和比较例的第二加热单元中的基片的温度差的图。
图9是表示实施方式的排气处理中的腔室内的气氛温度的变化的图。
图10是表示实施方式的变形例的第二加热单元的概略结构的示意图。
图11是表示实施方式的变形例的第二加热单元的概略结构的示意图。
附图标记说明
1 基片处理装置
41 第二加热单元
44 辊输送装置(输送机构)
44a 辊
50 第一热处理部
51 第二热处理部
52 排气机构
55 FFU(上游侧送风部)
70 第一排气机构
71 第二排气机构
60c 第一排气口(排气口)
60d 第一排气口(排气口)
60e 第一排气口(排气口)
60f 第二排气口(排气口)
60g 第二排气口(排气口)
60h 第二排气口(排气口)
90a 排气口
90b 排气口
90c 排气口
91 FFU(下游侧送风部)
具体实施方式
以下，参照附图，对本申请公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细说明。此外，不限于由以下所示的实施方式公开的基片处理装置和基片处理方法。
<整体结构>
参照图1，说明实施方式的基片处理装置1。图1是表示实施方式的基片处理装置1的概略结构的示意图。
基片处理装置1包括盒站2、第一处理站3、接口站4、第二处理站5和控制装置6。
在盒站2载置用于收纳多个玻璃基片S(以下称为“基片S”。)的盒C。盒站2包括：能够载置多个盒C的载置台10；在盒C与第一处理站3之间以及第二处理站5与盒C之间输送基片S的输送装置11。
输送装置11包括输送臂11a。输送臂11a能够在水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心旋转。
第一处理站3对基片S进行包括涂敷光致抗蚀剂的处理。第一处理站3包括准分子UV照射单元(e-UV)20、擦洗单元(SCR)21、预热单元(PH)22、粘接单元(AD)23和第一冷却单元(COL)24。上述单元20～24配置在从盒站2向接口站4去的方向上。具体而言，按准分子UV照射单元20、擦洗单元21、预热单元22、粘接单元23和第一冷却单元24的顺序配置。
另外，第一处理站3包括光致抗蚀剂涂敷单元(CT)25、减压干燥单元(DP)26、第一加热单元(HT)27和第二冷却单元(COL)28。上述的单元25～28在从第一冷却单元24向接口站4去的方向按照光致抗蚀剂涂敷单元25、减压干燥单元26、第一加热单元27、第二冷却单元28的顺序配置。此外，第一处理站3包括辊输送装置(参照图2)29和输送装置30。
准分子UV照射单元20从发出紫外线的紫外线灯对基片S照射紫外线，除去附着于基片S上的有机物。
擦洗单元21对被除去了有机物的基片S供给清洗液(例如去离子水(DIW))，并利用刷子等清洗部件对基片S的表面进行清洗。另外，擦洗单元21利用鼓风机等使清洗过的基片S干燥。
预热单元22进一步加热经擦洗单元21干燥后的基片S，进一步使基片S干燥。
粘接单元23对干燥后的基片S吹出六甲基二硅氮烷(HMDS)，对基片S进行疏水化处理。
第一冷却单元24对进行了疏水化处理的基片S吹出冷风来冷却基片S。
光致抗蚀剂涂敷单元25对冷却后的基片S上供给光致抗蚀剂液，在基片S上形成光致抗蚀剂膜。
减压干燥单元26使形成于基片S上的光致抗蚀剂膜在减压气氛下干燥。
第一加热单元27加热对光致抗蚀剂膜进行了干燥的基片S，除去光致抗蚀剂膜中所含的溶剂等。
第二冷却单元28对除去了溶剂等的基片S吹出冷风来冷却基片S。
在此，参照图2，说明辊输送装置29。图2是表示实施方式的由辊输送装置29进行的基片输送的示意图。
辊输送装置29包括多个辊29a和多个驱动装置29b。辊输送装置29利用驱动装置29b使辊29a旋转，随着辊29a的旋转而输送基片S。即，辊输送装置29水平地输送基片S。驱动装置29b例如是电动机。
如图1中的箭头L所示，辊输送装置29将基片S从准分子UV照射单元20输送到第一冷却单元24。另外，如图1中的箭头M所示，辊输送装置29将基片S从第一加热单元27输送到第二冷却单元28。
返回图1，输送装置30包括输送臂30a。输送臂30a能够在水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心旋转。
输送装置30将基片S从第一冷却单元24输送到光致抗蚀剂涂敷单元25。输送装置30将基片S从光致抗蚀剂涂敷单元25输送到减压干燥单元26。此外，输送装置30将基片S从减压干燥单元26输送到第一加热单元27。输送装置30可以具有多个输送臂，也可以具有在各单元间输送基片S的不同的输送臂。
在接口站4，由第一处理站3将形成有光致抗蚀剂膜的基片S输送到外部曝光装置8和第二处理站5。接口站4包括输送装置31和旋转台(RS)32。
外部曝光装置8包括外部装置区块8A和曝光装置8B。外部装置区块8A利用周边曝光装置(EE)除去基片S的外周部的光致抗蚀剂膜。此外，外部装置区块8A利用打标器(TITLER)在由曝光装置8B按电路图案曝光后的基片S写入规定的信息。
曝光装置8B使用具有与电路图案对应的图案的光掩模来曝光光致抗蚀剂膜。
输送装置31包括输送臂31a。输送臂31a能够在水平方向和铅垂方向移动，并以铅垂轴为中心旋转。
输送装置31将基片S从第二冷却单元28输送到旋转台32。另外，输送装置31将基片S从旋转台32输送到外部装置区块8A的周边曝光装置，将被除去了外周部的光致抗蚀剂膜的基片S输送到曝光装置8B。
另外，输送装置31将按电路图案曝光后的基片S从曝光装置8B输送到外部装置区块8A的打标器。然后，输送装置31将写入了规定的信息的基片S从打标器输送到第二处理站5的显影单元(DEV)40。
第二处理站5进行包括显影的处理。第二处理站5包括显影单元40、第二加热单元(HT)41、第三冷却单元(COL)42、检查单元(IP)43和辊输送装置44(参照图2)。上述的单元40～43在从接口站4向盒站2去的方向按显影单元40、第二加热单元41、第三冷却单元42和检查单元43的顺序配置。
显影单元40利用显影液使曝光后的光致抗蚀剂膜显影。另外，显影单元40利用冲洗液除去对光致抗蚀剂膜进行了显影的基片S上的显影液，使冲洗液干燥。
第二加热单元41加热将冲洗液干燥后的基片S，除去残留在光致抗蚀剂膜的溶剂和冲洗液。第二加热单元41的结构在后文说明。
第三冷却单元42对除去了溶剂和冲洗液的基片S吹出冷风来冷却基片S。
检查单元43对冷却后的基片S进行测量光致抗蚀剂图案(线)的界限尺寸(CD)等的检查。
由检查单元43进行了检查的基片S，被输送装置11的输送臂11a从第二处理站5输送到盒站2的盒C。
辊输送装置44的结构与第一处理站3中的辊输送装置29相同，省略此处的说明。如箭头N所示，辊输送装置44将基片S从显影单元40输送到检查单元43。即，辊输送装置44能够水平地输送基片S。
控制装置6例如是计算机，包括控制部6A和存储部6B。存储部6B例如由RAM(RandomAccess Memory，随机存取存储器)、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现。
控制部6A包括含有CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、ROM(Read OnlyMemory，只读存储器)、RAM、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。微型计算机的CPU通过读取并执行存储于ROM的程序，来实现各站2～5的控制。
此外，程序也可以存储于计算机可读存储介质，从存储介质安装到控制装置6的存储部6B。作为计算机可读存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
＜第二加热单元＞
接着，参照图3，对第二加热单元41进行说明。图3是表示实施方式的第二加热单元41的概略结构的示意图。以下，将与基片S的输送方向正交的基片S的面方向作为宽度方向进行说明。其中，宽度方向与辊输送装置44的辊44a的旋转轴平行。
第二加热单元41包括第一热处理部50、第二热处理部51排和气机构52。第一热处理部50与第二热处理部51连续地设置。具体而言，在基片S的输送方向的上游侧，即显影单元40(参照图1)侧设置第一热处理部50，在基片S的输送方向的下游侧，即第三冷却单元42(参照图1)侧设置第二热处理部51。
第一热处理部50对被平流地输送来的基片S进行热处理。第一热处理部50包括腔室60、多个第一加热部61和多个第二加热部62。
腔室60收纳辊输送装置44的一部分、第一加热部61和第二加热部62，并沿基片S的输送方向延伸设置。
在腔室60，在基片S的输送方向的上游侧、具体而言显影单元40侧形成送入口60a，将基片S经由设置于显影单元40侧的导入部53从送入口60a送入。在送入口60a设置对去往第一热处理部50内的空气的气流进行整流的整流板54。
在导入部53的上表面设置FFU(Fan Filter Unit，风机过滤单元)55。FFU55向下方吹出经过滤器净化后的空气。由FFU55吹出的空气沿基片S的输送方向流入腔室60内。即，基片处理装置1设置在基片S的输送方向上比第一热处理部50靠上游侧的位置，具有对第一热处理部50送风的FFU55(上游侧送风部的一例)。此外，FFU55也可以在宽度方向排列地设置多个。
另外，在腔室60，在基片S的输送方向的下游侧、具体而言第二热处理部51侧形成送出口60b，将经热处理后的基片S从送出口60b送出。此外，在腔室60的上表面形成多个第一排气口60c～60e和多个第二排气口60f～60h。
如图4所示，第一排气口60c～60e形成为沿宽度方向延伸的狭缝状，在宽度方向排列地形成。图4是表示实施方式的第一排气口60c～60e和第二排气口60f～60h的配置的示意图。在图4中省略第一热处理部50的一部分。
第二排气口60f～60h形成为沿宽度方向延伸的狭缝状，在宽度方向排列地形成。第二排气口60f～60h形成在比第一排气口60c～60e靠基片S的输送方向上的下游侧的位置。此外，第二排气口60f～60h形成在比腔室60的送出口60b(参照图3)靠上游侧规定距离的位置。规定距离是预先设定的距离。规定距离被设定为在由排气机构52进行排气的情况下，使空气从第二热处理部51流入第一热处理部50内，抑制基片S的后端的温度过度上升。
此外，此处表示3个第一排气口60c～60e和3个第二排气口60f～60h在宽度方向排列的一例，不过第一排气口60c～60e和第二排气口60f～60h的数量不限于此。第一排气口60c～60e和第二排气口60f～60h的数量可以为1个，也可以为多个。
回到图3，第一加热部61设置在相邻的辊44a之间，沿宽度方向延伸设置。第一加热部61是长条状的电加热器，从下方侧加热基片S。
第二加热部62安装在腔室60的上表面。第二加热部62沿基片S的输送方向排列地设置，沿宽度方向延伸设置。第二加热部62是长条状的电加热器，从上方侧加热基片S。
对第一加热部61和第二加热部62进行电流控制以使得基片S的温度成为第一规定温度。第一规定温度是预先设定的温度。
第二热处理部51与第一热处理部50相比靠下游侧，与第一热处理部50连续地设置，对由第一热处理部50进行了热处理后基片S以比第一热处理部50低的温度进行热处理。第二热处理部51包括腔室65、多个第一加热部66和多个第二加热部67。
腔室65收纳辊输送装置44的一部分、第一加热部66和第二加热部67，沿基片S的输送方向延伸设置。
在腔室65，在基片S的输送方向的上游侧、具体而言第一热处理部50侧形成送入口65a，从送入口65a将基片S送入。此外，在腔室65，在基片S的输送方向的下游侧，具体而言，在第三冷却单元42侧形成送出口65b，将经热处理后的基片S从送出口65b送出。此外，在腔室65的上表面，形成多个第一排气口65c～65e和多个第二排气口65f～65h。
第一排气口65c～65e和第二排气口65f～65h，与第一热处理部50的第一排气口60c～60e和第二排气口60f～60h同样，形成为沿宽度方向延伸的狭缝状，在宽度方向排列地形成。
第一加热部66和第二加热部67的结构，是与第一热处理部50的第一加热部61和和第二加热部62相同的结构，省略此处的说明。
此外，对第一加热部66和第二加热部67进行电流控制，以使得基片S的温度成为第二规定温度。第二规定温度是预先设定的温度，是比第一规定温度低的温度。
排气机构52包括第一排气机构70和第二排气机构71。第一排气机构70包括排气装置75和排气通路76。排气装置75经由第一排气口60c～60e、第二排气口60f～60h和排气通路76，从第一热处理部50的腔室60进行排气。即，第一排气机构70从基片S的上方进行排气。
排气通路76分支为第一排气通路76a～76c和第二排气通路76d～76f。第一排气通路76a～76c与形成于第一热处理部50的腔室60的第一排气口60c～60e连接。第一排气通路76a～76c与第一排气口60c～60e的数量对应地形成。具体而言，如图4所示，第一排气通路76a与在宽度方向上形成于端部的第一排气口60c连接。第一排气通路76b与在宽度方向上形成于中央的第一排气口60d连接。第一排气通路76c与在宽度方向上形成于端部的第一排气口60e连接。
在第一排气通路76a设置流量调节阀77a。在第一排气通路76b设置流量调节阀77b。在第一排气通路76c设置流量调节阀77c。第一排气机构70通过调节各流量调节阀77a～77c的开度，能够调节各第一排气通路76a～76c中每单位时间的排气量(以下，称为“排气量”。)。即，第一排气机构70能够控制宽度方向上的排气量。
第二排气通路76d～76f与形成于第一热处理部50的腔室60的第二排气口60f～60h连接。第二排气通路76d～76f与第二排气口60f～60h的数量对应地形成。具体而言，第二排气通路76d与在宽度方向上形成于端部的第二排气口60f连接。第二排气通路76e与在宽度方向上形成于中央的第二排气口60g连接。第二排气通路76f与在宽度方向上形成于端部的第二排气口60h连接。
在第二排气通路76d设置流量调节阀77d。在第二排气通路76e设置流量调节阀77e。在第二排气通路76f设置流量调节阀77f。第一排气机构70通过调节各流量调节阀77d～77f的开度，能够调节各第二排气通路76d～76f中的排气量。即，第一排气机构70能够控制宽度方向上的排气量。
回到图3，第二排气机构71包括排气装置80和排气通路81。排气装置80经由第一排气口65c～65e、第二排气口65f～65h和排气通路81从第二热处理部51的腔室65进行排气。即，第二排气机构71从基片S的上方进行排气。
排气通路81分支为第一排气通路81a～81c和第二排气通路81d～81f。第一排气通路81a～81c与形成于第二热处理部51的腔室65的第一排气口65c～65e连接。第一排气通路81a～81c与第一排气机构70的第一排气通路76a～76c同样，与第一排气口65c～65e的数量对应地形成，与对应的第一排气口65c～65e连接。
此外，在第一排气通路81a～81c，与第一排气机构70的第一排气通路76a～76c同样，设置流量调节阀82a～82c。第二排气机构71通过调节各流量调节阀82a～82c的开度，而能够调节各第一排气通路81a～81c中的排气量。
第二排气通路81d～81f与形成于第二热处理部51的腔室65的第二排气口65f～65h连接。第二排气通路81d～81f与第一排气机构70的第二排气通路76d～76f同样，与第二排气口65f～65h的数量对应地形成，与对应的第二排气口65f～65h连接。
此外，在第二排气通路81d～81f，与第一排气机构70的第二排气通路76d～76f同样，设置流量调节阀82d～82f。第二排气机构71通过调节各流量调节阀82d～82f的开度，能够调节各第二排气通路81d～81f中的排气量。
排气机构52使由第一排气机构70进行的排气量多于由第二排气机构71进行的排气量。即，排气机构52使第一热处理部50中的排气量多于第二热处理部51中的排气量。
＜排气处理＞
接着，对第二加热单元41中的排气处理进行说明。
第二加热单元41的排气机构52使第一热处理部50中的排气量多于第二热处理部51中的排气量。例如，相对于由排气机构52进行的总排气量，第二加热单元41使由第一排气机构70进行的排气量的比例为为百分之80，使由第二排气机构71进行的排气量的比例为百分之20。由此，如图5所示，温度低于第一热处理部50的腔室60内的气氛温度的空气从第二热处理部51流到第一热处理部50。图5是表示实施方式的第二加热单元41中的空气的气流的图。
即，排气机构52从第一热处理部50的上方进行排气，以使得控制从比第一热处理部50靠基片S的输送方向的上游侧和第二热处理部51侧向第一热处理部50内流动。
在使第一热处理部50和第二热处理部51中的排气量相等的比较例中，利用由FFU55吹出的空气的气流，如图6所示，空气从第一热处理部50侧流向第二热处理部51。即，在比较例的第二加热单元41中，空气不从第二热处理部51侧流到第一热处理部50。图6是表示比较例的第二加热单元41中的空气的气流的图。
因此，基片S的后端持续被吹来温度较高的空气，如图7中的虚线所示，基片S的后端的温度变高。图7是表示实施方式的第二加热单元41和比较例的第二加热单元41中的基片S的温度的图。此外，图7是表示第一热处理部50与第二热处理部51的边界处的基片S的温度的图。
在比较例的第二加热单元41中，基片S的后端的温度变高，因此基片S中的温度差T1变大。
与之相反，在实施方式的第二加热单元41中，温度比第一热处理部50的腔室60内的气氛温度低的空气从第二热处理部51流到第一热处理部50。因此，如图7中的实线所示，基片S的后端的温度变得低于比较例的基片S的后端的温度。因此，基片S中的温度差T2变得小于比较例的基片S中的温度差T1。
因此，在实施方式的第二加热单元41中，如图8所示，第二热处理部51中的基片S的温度差变得小于比较例的第二加热单元41的第二热处理部51中的基片S的温度差。图8是表示实施方式的第二加热单元41和比较例的第二加热单元中的基片S的温度差的图。图8是在送入口65a附近即上游、基片S的输送方向上的中央附近即中央、送出口65b附近即下游测量基片S的温度差，基于测量出的温度差而制成的图。在图8中，用实线表示实施方式的第二加热单元41中的温度差，用虚线表示比较例的第二加热单元41中的温度差。
如上所述，实施方式的第二加热单元41能够提高基片温度的均匀性。
此外，在第二加热单元41中，在开始输送基片S之前，打开(ON)各加热部61、62、66、67，利用排气机构52开始进行排气。即，排气机构52在基片S没有被输送到第一热处理部50的待机时进行排气。具体而言，第二加热单元41在待机时进行对基片S进行热处理时相同的排气。
由此，例如，第一热处理部50的腔室60即使在待机时也保持为与对基片S进行热处理的状态接近的状态。
因此，如图9所示，在时间t0开始输送基片S，对基片S连续地进行热处理的情况下，能够抑制腔室60内的气氛温度降低。图9是表示实施方式的腔室60内的气氛温度的变化的图。在图9中，用虚线表示在开始输送基片S的时间t0开始由排气机构52进行排气的气氛温度的变化。
如上所述，第二加热单元41在连续地被输送来基片S的情况下，能够抑制对基片S的处理温度的变化，能够提高热处理时的基片温度的均匀性。
在第二加热单元41中，在宽度方向的中央侧处的空气的气流的速度快于宽度方向的端侧处的空气的气流。
此处，第二加热单元41的排气机构52使来自在宽度方向上位于端部的第一排气口60c、60e的排气量多于来自在宽度方向上位于中央的第一排气口60d的排气量。此外，第二加热单元41使来自在宽度方向上位于端部的第二排气口60f、60h的排气量多于来自在宽度方向上位于中央的第二排气口60g的排气量。
即，第二加热单元41的排气机构52经由多个第一排气口60c～60e和多个第二排气口60f～60h进行排气，其中上述多个第一排气口60c～60e和多个第二排气口60f～60h沿与基片S的输送方向正交的基片S的面方向(宽度方向的一例)设置。而且，第二加热单元41的排气机构52使来自第一排气口60c、60e的排气量多于来自第一排气口60d的排气量，其中，上述第一排气口60c、60e在与基片S的输送方向正交的基片S的面方向上设置于端侧，上述第一排气口60d在面方向上设置于中央侧。此外，第二加热单元41的排气机构52使来自第二排气口60f、60h的排气量多于来自第二排气口60g的排气量，其中上述第二排气口60f、60h在与基片S的输送方向正交的基片S的面方向上设置于端侧，上述第二排气口60g在面方向上设置于中央侧。
由此，第二加热单元41能够减小宽度方向上的基片S的温度差，能够提高热处理时基片温度的均匀性。
＜变形例＞
接着，对本实施方式的变形例进行说明。
如图10所示，变形例的第二加热单元41的第一排气机构70，在基片S的输送方向上第一热处理部50的中央附近形成排气口90a～90c。图10是表示实施方式的变形例的第二加热单元41的概略结构的示意图。即，变形例的第一排气机构70从基片S的输送方向上的第一热处理部50的大致中央处进行排气。由此，变形例的第二加热单元41能够减少零件个数并且提高热处理时的基片温度的均匀性。
如图11所示，变形例的第二加热单元41在第二热处理部51的下游侧设置FFU91。图11是表示实施方式的变形例的第二加热单元41的概略结构的示意图。即，变形例的基片处理装置1设置在基片S的输送方向上比第二热处理部51靠下游侧的位置，具有对第二热处理部51送风的FFU91(下游侧送风部的一例)。由此，变形例的第二加热单元41能够利用FFU91使温度较低的空气从第二热处理部51侧流动到第一热处理部50，能够提高基片温度的均匀性。
在变形例的第二加热单元41中，也可以通过改变排气口的大小来调节各排气口中的排气量。例如，变形例的第二加热单元41使在宽度方向上的端侧的第一排气口60c、60e的大小小于中央侧的第一排气口60d的大小。由此，变形例的第二加热单元41调节宽度方向上的排气量，减小宽度方向上的基片S的温度差，能够提高基片温度的均匀性。
变形例的第二加热单元41也可以利用整流板54来调节宽度方向上的空气的气流。在变形例的第二加热单元41中，通过改变整流板54的高度、形状来调节宽度方向上的空气的气流。例如，变形例的第二加热单元41使宽度方向上的中央侧的整流板54的高度低于端侧的整流板54的高度。由此，变形例的第二加热单元41调节宽度方向上的排气量，减小宽度方向上的基片S的温度差，能够提高基片温度的均匀性。
变形例的第二加热单元41包括能够改变宽度方向上的温度的第一加热部61、66和第二加热部62、67。变形例的第二加热单元41控制宽度方向上的第一加热部61、66和第二加热部62、67的温度。由此，变形例的第二加热单元41减小宽度方向上的基片S的温度差，能够提高基片温度的均匀性。
变形例的第二加热单元41不从第二热处理部51进行排气，而从第一热处理部50进行排气。即，变形例的第二加热单元41仅具有作为排气机构52的第一排气机构70。
此外，也可以将上述实施方式和变形例的第二加热单元41的结构组合。此外，也可以将上述实施方式和变形例的排气机构52设置在第一加热单元27。
＜效果＞
基片处理装置1包括：平流地输送基片S的输送机构(辊输送装置44的一例)；对被平流地输送来的基片S进行热处理的第一热处理部50；与第一热处理部50连续地设置，对由第一热处理部50进行了热处理的基片S以低于第一热处理部50的温度进行热处理的第二热处理部51；和排气机构52，其从第一热处理部50的上方排气，以使得空气从比第一热处理部50靠基片S的输送方向的上游侧和第二热处理部51侧向第一热处理部50内流动。
换言之，基片处理方法包括：平流地输送基片S的步骤；利用第一热处理部50对被平流地输送来的基片S进行热处理的步骤；和从第一热处理部50的上方进行排气，以使得空气从在基片S的输送方向上与第一热处理部50的下游侧连续地设置的第二热处理部51侧和比第一热处理部50靠输送方向的上游侧向第一热处理部50内流动的步骤。
由此，基片处理装置1抑制基片S的后端的温度上升，能够提高热处理时的基片温度的均匀性。
排气机构52使第一热处理部50中的排气量多于第二热处理部51中的排气量。
由此，基片处理装置1能够使温度较低的空气从第二热处理部51侧流动到第一热处理部50，抑制基片S的后端的温度上升，能够提高热处理时的基片温度的均匀性。
排气机构52经由沿与输送方向正交的基片S的面方向(宽度方向)设置的多个排气口(一例为第一排气口60c～60e，第二排气口60f～60h)进行排气，使来自在面方向上设置于端侧的排气口(第一排气口60c、60e、第二排气口60f、60h)的排气量多于来自在面方向上设置于中央侧的排气口(一例为第一排气口60d、第二排气口60g)的排气量。
由此，基片处理装置1减小与输送方向正交的基片S的面方向上的基片S的温度差，能够提高热处理时的基片温度的均匀性。
排气机构52从输送方向上的第一热处理部50的大致中央处进行排气。由此，基片处理装置1能够减少零件个数部品并且提高热处理时的基片温度的均匀性。
基片处理装置1包括设置在输送方向上比第一热处理部50靠上游侧的位置，对第一热处理部50送风的上游侧送风部(一例为FFU55)。
由此，基片处理装置1能够调节从基片S的输送方向的上游侧流动到第一热处理部50的空气的流量，能够调节第一热处理部50的腔室60内的气氛温度。因此，基片处理装置1能够提高热处理时的基片温度的均匀性。
基片处理装置1包括设置在输送方向上比第二热处理部51靠下游侧的位置，对第二热处理部51送风的下游侧送风部(一例为FFU91)。
由此，基片处理装置1能够使温度较低的空气从第二热处理部51侧流动到第一热处理部50，能够提高基片温度的均匀性。
排气机构52在基片S未被输送到第一热处理部50的待机时，从第一热处理部50进行排气。
由此，基片处理装置1抑制在待机时第一热处理部50的温度变高，在连续地输送来基片S的情况下，能够抑制对基片S的处理温度的变化，能够提高热处理时的基片温度的均匀性。
此外，排气机构52在待机时也使第一热处理部50中的排气量多于第二热处理部51中的排气量。
由此，基片处理装置1抑制在待机时第一热处理部50的温度变高，在连续地输送来基片S的情况下，能够抑制对基片S的处理温度的变化，能够提高热处理时的基片温度的均匀性。
另外，本发明的实施方式在所有方面均是例示，不应认为是限制。实际上，上述的实施方式能够以多种方式具体实现。此外，上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，可以以各种方式省略、置换、改变。

Claims (8)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
将基片平流地输送的输送机构；
对被平流地输送的所述基片进行热处理的第一热处理部；
与所述第一热处理部连续地设置，对由所述第一热处理部进行了热处理的所述基片以比所述第一热处理部低的温度进行热处理的第二热处理部；和
排气机构，其从所述第一热处理部的上方进行排气，以使得空气从比所述第一热处理部靠所述基片的输送方向的上游侧和所述第二热处理部侧流向所述第一热处理部内。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气机构使所述第一热处理部中的排气量多于所述第二热处理部中的排气量。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气机构经由沿与所述输送方向正交的所述基片的面方向设置的多个排气口进行排气，使来自在所述面方向上设置于端侧的排气口的排气量多于来自在所述面方向上设置于中央侧的排气口的排气量。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气机构从所述输送方向上的所述第一热处理部的大致中央进行排气。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括上游侧送风部，其设置于所述输送方向上比所述第一热处理部靠上游侧的位置，对所述第一热处理部送风。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括下游侧送风部，其设置于所述输送方向上比所述第二热处理部靠下游侧的位置，对所述第二热处理部送风。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气机构在所述基片不被输送到所述第一热处理部的待机期间，从所述第一热处理部进行排气。
8.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
将基片平流地输送的步骤；
利用第一热处理部对被平流地输送的所述基片进行热处理的步骤；和
从所述第一热处理部的上方进行排气，以使得空气从所述基片的输送方向上与所述第一热处理部的下游侧连续地设置的第二热处理部侧和比所述第一热处理部靠所述输送方向的上游侧流向所述第一热处理部内的步骤。
CN201910432528.9A 2018-05-30 2019-05-23 基片处理装置和基片处理方法 Pending CN110556311A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018103144A JP7066525B2 (ja) 2018-05-30 2018-05-30 基板処理装置および基板処理方法
JP2018-103144 2018-05-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110556311A true CN110556311A (zh) 2019-12-10

Family

ID=68736356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910432528.9A Pending CN110556311A (zh) 2018-05-30 2019-05-23 基片处理装置和基片处理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7066525B2 (zh)
KR (1) KR20190136942A (zh)
CN (1) CN110556311A (zh)
TW (1) TWI791113B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112616232B (zh) * 2020-12-23 2024-01-26 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 硅片处理设备

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274039A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置および基板熱処理方法
US5993202A (en) * 1997-10-09 1999-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Baking furnace and control method therefor
JP2005191239A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理方法、熱処理装置および基板処理装置
CN1885506A (zh) * 2005-06-23 2006-12-27 联华电子股份有限公司 半导体晶片的快速热处理方法
JP2008159768A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Tokyo Electron Ltd ベーキング装置及び基板処理装置
JP2010034307A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Sumco Corp 熱処理方法
CN102024678A (zh) * 2009-09-18 2011-04-20 东京毅力科创株式会社 热处理装置
JP2012124365A (ja) * 2010-12-09 2012-06-28 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置
KR20140026899A (ko) * 2012-08-23 2014-03-06 주식회사 나래나노텍 기판 열처리용 가스 급배기 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 장치
JP2015035584A (ja) * 2013-07-11 2015-02-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び成膜システム
CN106816400A (zh) * 2015-12-02 2017-06-09 株式会社日立国际电气 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
US20180021806A1 (en) * 2016-07-25 2018-01-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Thermal processing device, substrate processing apparatus and thermal processing method

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5993202A (en) * 1997-10-09 1999-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Baking furnace and control method therefor
JPH11274039A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置および基板熱処理方法
JP2005191239A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理方法、熱処理装置および基板処理装置
CN1885506A (zh) * 2005-06-23 2006-12-27 联华电子股份有限公司 半导体晶片的快速热处理方法
JP2008159768A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Tokyo Electron Ltd ベーキング装置及び基板処理装置
JP2010034307A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Sumco Corp 熱処理方法
CN102024678A (zh) * 2009-09-18 2011-04-20 东京毅力科创株式会社 热处理装置
JP2012124365A (ja) * 2010-12-09 2012-06-28 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置
KR20140026899A (ko) * 2012-08-23 2014-03-06 주식회사 나래나노텍 기판 열처리용 가스 급배기 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 장치
JP2015035584A (ja) * 2013-07-11 2015-02-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び成膜システム
CN106816400A (zh) * 2015-12-02 2017-06-09 株式会社日立国际电气 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
US20180021806A1 (en) * 2016-07-25 2018-01-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Thermal processing device, substrate processing apparatus and thermal processing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW202013568A (zh) 2020-04-01
JP2019207961A (ja) 2019-12-05
TWI791113B (zh) 2023-02-01
JP7066525B2 (ja) 2022-05-13
KR20190136942A (ko) 2019-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010021396A (ja) 基板処理装置
KR101299763B1 (ko) 기판 냉각 장치 및 기판 냉각 방법
JP4672538B2 (ja) 加熱処理装置
KR20080080925A (ko) 기판 처리 장치
KR101299898B1 (ko) 기판 냉각 장치
JP2012124309A (ja) 現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システム
CN110875227A (zh) 基片处理装置和基片处理方法
CN110556311A (zh) 基片处理装置和基片处理方法
JP4638931B2 (ja) 基板処理装置
KR20120052871A (ko) 가열 처리장치
JP4804332B2 (ja) ベーキング装置及び基板処理装置
JP2005064242A (ja) 基板の処理システム及び基板の熱処理方法
JP5025546B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2020035884A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5014208B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
CN210156353U (zh) 基片处理装置
TWI797325B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
WO2022019104A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム
CN110610853A (zh) 基片处理装置和基片处理方法
JP5400751B2 (ja) 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置
JP2000150335A (ja) 処理装置
JP5065121B2 (ja) レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2005270932A (ja) 塗布膜形成装置
JP3538330B2 (ja) 処理装置
CN112925178A (zh) 基片处理装置和基片处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination