TW202013568A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性的技術。 [解決手段]實施形態之基板處理裝置係具備：搬送機構；第1熱處理部；第2熱處理部；及排氣機構。搬送機構係將基板以平流方式進行搬送。第1熱處理部係對以平流方式搬送的基板進行熱處理。第2熱處理部，係與第1熱處理部連續而設置，對經由第1熱處理部已進行熱處理的基板，以比第1熱處理部更低的溫度進行熱處理。排氣機構，係以使空氣從比第1熱處理部更靠近基板之搬送方向之上游側、以及第2熱處理部側流向第1熱處理部內的方式，從第1熱處理部之上方進行排氣。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本揭示關於基板處理裝置及基板處理方法。
專利文獻1揭示針對經由輥搬送裝置以平流方式搬送的基板，藉由預熱器部及主加熱器部對基板進行加熱。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-66318號公報
[發明所欲解決的課題]
本揭示提供提升基於熱處理的基板溫度之均勻性的技術。 [解決課題的手段]
本揭示之一態樣的基板處理裝置，係具備：搬送機構；第1熱處理部；第2熱處理部；及排氣機構。搬送機構，將基板以平流方式進行搬送。第1熱處理部，對以平流方式搬送的基板進行熱處理。第2熱處理部，係與第1熱處理部連續而設置，對經由第1熱處理部已進行熱處理的基板，以比第1熱處理部更低的溫度進行熱處理。排氣機構，以使空氣從比第1熱處理部更靠近基板之搬送方向之上游側、以及第2熱處理部側流向第1熱處理部內的方式，從第1熱處理部之上方進行排氣。 [發明效果]
依據本揭示，可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
以下，參照圖面詳細說明本案揭示的基板處理裝置及基板處理方法之實施形態。又，不限定於以下所示實施形態揭示的基板處理裝置及基板處理方法。
＜整體構成＞ 參照圖1說明實施形態之基板處理裝置1。圖1係表示實施形態之基板處理裝置1之概略構成之模式圖。
基板處理裝置1具備：收納盒站2；第1處理站3；介面站4；第2處理站5；及控制裝置6。
於收納盒站2載置有收納複數個玻璃基板S(以下稱為「基板S」)的收納盒C。收納盒站2具備：可以載置複數個收納盒C的載置台10；及在收納盒C與第1處理站3之間，以及在第2處理站5與收納盒C之間進行基板S之搬送的搬送裝置11。
搬送裝置11具備搬送手臂11a。搬送手臂11a可以向水平方向及垂直方向之移動及以垂直軸為中心的旋動。
第1處理站3對基板S進行包含光阻劑之塗布的處理。第1處理站3具備：準分子UV照射單元(e-UV) 20；擦拭洗淨單元(SCR)21；預熱單元(PH)22；黏著單元(AD)23；及第1冷卻單元(COL)24。彼等單元20～24按從收納盒站2向介面站4的方向被配置。具體言之，按準分子UV照射單元20、擦拭洗淨單元21、預熱單元22、黏著單元23及第1冷卻單元24之順序配置。
又，第1處理站3具備：光阻劑塗布單元(CT)25；減壓乾燥單元(DP)26；第1加熱單元(HT)27；及第2冷卻單元(COL)28。彼等單元25～28按從第1冷卻單元24向介面站4的方向，按光阻劑塗布單元25、減壓乾燥單元26、第1加熱單元27、第2冷卻單元28之順序配置。又，第1處理站3具備：輥搬送裝置(參照圖2)29；及搬送裝置30。
準分子UV照射單元20係從發出紫外光的紫外光燈管對基板S照射紫外光，將附著於基板S上的有機物除去。
擦拭洗淨單元21，係對已除去有機物的基板S供給洗淨液(例如脫離子水(DIW)之同時，藉由刷子等之洗淨構件洗淨基板S之表面。又，擦拭洗淨單元21係藉由送風機等使洗淨的基板S乾燥。
預熱單元22對經由擦拭洗淨單元21乾燥的基板S進一步加熱，使基板S進一步乾燥。
黏著單元23，係對已乾燥的基板S噴吹六甲基二矽烷(HMDS)，對基板S進行疏水化處理。
第1冷卻單元24係對已進行疏水化處理的基板S噴吹冷風對基板S進行冷卻。
光阻劑塗布單元25係對冷卻的基板S上供給光阻劑液，於基板S上形成光阻劑膜。
減壓乾燥單元26使形成於基板S上的光阻劑膜在減壓氛圍下乾燥。
第1加熱單元27對光阻劑膜已被乾燥過的基板S進行加熱，將包含於光阻劑膜的溶劑等除去。
第2冷卻單元28對已除去溶劑等的基板S噴吹冷風使基板S冷卻。
於此，參照圖2說明輥搬送裝置29。圖2係表示基於實施形態之輥搬送裝置29的基板搬送之模式圖。
輥搬送裝置29具備複數個輥29a，及複數個驅動裝置29b。輥搬送裝置29，係藉由驅動裝置29b使輥29a旋轉，伴隨著輥29a之旋轉對基板S進行搬送。亦即輥搬送裝置29使基板S以平流方式進行搬送。驅動裝置29b例如為電動馬達。
輥搬送裝置29，圖1中如箭頭L所示，將基板S從準分子UV照射單元20搬送至第1冷卻單元24。又，輥搬送裝置29，圖1中如箭頭M所示，將基板S從第1加熱單元27搬送至第2冷卻單元28。
回至圖1，搬送裝置30具備搬送手臂30a。搬送手臂30a可以沿水平方向及垂直方向之移動及以垂直軸為中心的旋動。
搬送裝置30將基板S從第1冷卻單元24搬送至光阻劑塗布單元25。搬送裝置30將基板S從光阻劑塗布單元25搬送至減壓乾燥單元26。又，搬送裝置30從減壓乾燥單元26至第1加熱單元27之間進行基板S之搬送。搬送裝置30可以具備複數個搬送手臂，藉由不同的搬送手臂在各單元間進行基板S之搬送亦可。
介面站4中，經由第1處理站3而形成有光阻劑膜的基板S係被搬送至外部曝光裝置8及第2處理站5。介面站4具備搬送裝置31及旋轉站(RS)32。
外部曝光裝置8具備外部裝置區塊8A及曝光裝置8B。外部裝置區塊8A係藉由周邊曝光裝置(EE)除去基板S之外周部之光阻劑膜。又，外部裝置區塊8A係藉由標記器(TITLER)將規定之資訊寫入在曝光裝置8B中電路圖案已被曝光的基板S。
曝光裝置8B係使用具有與電路圖案對應的圖案的光罩對光阻劑膜進行曝光。
搬送裝置31具備搬送手臂31a。搬送手臂31a可以沿水平方向及垂直方向之移動及以垂直軸為中心的旋動。
搬送裝置31將基板S從第2冷卻單元28搬送至旋轉站32。又，搬送裝置31將基板S從旋轉站32搬送至外部裝置區塊8A之周邊曝光裝置，將外周部之光阻劑膜已被除去的基板S搬送至曝光裝置8B。
又，搬送裝置31將電路圖案已被曝光的基板S從曝光裝置8B搬送至外部裝置區塊8A之標記器。接著，搬送裝置31將已寫入規定之資訊的基板S從標記器搬送至第2處理站5之顯影單元(DEV)40。
第2處理站5進行包含顯影的處理。第2處理站5具備：顯影單元40；第2加熱單元(HT)41；第3冷卻單元(COL)42；檢測單元(IP)43；及輥搬送裝置44(參照圖2)。彼等單元40～43在從介面站4向收納盒站2的方向，按顯影單元40、第2加熱單元41、第3冷卻單元42及檢測單元43之順序配置。
顯影單元40藉由顯影液使已被曝光的光阻劑膜顯影。又，顯影單元40藉由沖洗液洗掉光阻劑膜已被顯影的基板S上之顯影液，使沖洗液乾燥。
第2加熱單元41對沖洗液已被乾燥的基板S進行加熱，將殘留於光阻劑膜的溶劑及沖洗液除去。第2加熱單元41之構成如後述。
第3冷卻單元42對已除去溶劑及沖洗液的基板S噴吹冷風而對基板S進行冷卻。
檢測單元43對已冷卻的基板S進行光阻劑圖案(線)之界限尺寸(CD)之測定等之檢測。
經由檢測單元43檢測的基板S，係藉由搬送裝置11之搬送手臂11a從第2處理站5被搬送至收納盒站2之收納盒C。
輥搬送裝置44之構成，係和第1處理站3中的輥搬送裝置29同一構成，於此省略說明。輥搬送裝置44，如箭頭N所示，從顯影單元40至檢測單元43進行基板S之搬送。亦即輥搬送裝置44使基板S以平流方式進行搬送。
控制裝置6例如為電腦，具備控制部6A與記憶部6B。記憶部6B例如藉由RAM(Random Access Memory)、快閃記憶體(Flash Memory)等之半導體記憶體元件或硬碟、光碟等之記憶裝置實現。
控制部6A包含包含CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM、輸出入埠等的微電腦或各種電路。微電腦之CPU藉由讀出並執行記憶於ROM的程式來實現各站2～5之控制。
又，程式可以是記錄於電腦可讀取的記憶媒體，從記憶媒體安裝於控制裝置6之記憶部6B者。電腦可讀取的記憶媒體例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等。
＜第2加熱單元＞ 接著，參照圖3說明第2加熱單元41。圖3係表示實施形態之第2加熱單元41之概略構成之模式圖。以下，以與基板S之搬送方向正交的基板S之面方向作為寬度方向進行說明。又，寬度方向係與輥搬送裝置44之輥44a之旋轉軸平行。
第2加熱單元41具備：第1熱處理部50；第2熱處理部51；及排氣機構52。第1熱處理部50與第2熱處理部51係連續設置。具體言之，在基板S之搬送方向在上游側、亦即顯影單元40(參照圖1)側設置第1熱處理部50，在基板S之搬送方向在下游側、亦即第3冷卻單元42(參照圖1)側設置第2熱處理部51。
第1熱處理部50對以平流方式搬送的基板S進行熱處理。第1熱處理部50具備：腔室60；複數個第1加熱器部61；及複數個第2加熱器部62。
腔室60將輥搬送裝置44之一部分、第1加熱器部61及第2加熱器部62收納，沿著基板S之搬送方向延伸設置。
在腔室60，在基板S之搬送方向中的上游側，具體言之為顯影單元40側形成搬入口60a，基板S經由設置於顯影單元40側的導入部53從搬入口60a被搬入。於搬入口60a設置有對第1熱處理部50內之空氣之流動進行整流的整流板54。
於導入部53之上面設置有FFU(Fan Filter Unit)55。FFU55係使經由過濾器淨化的空氣朝下方吹出。被FFU55吹出的空氣係沿著基板S之搬送方向流入腔室60內。亦即基板處理裝置1具備，設置於基板S之搬送方向中比第1熱處理部50更上游側，並對第1熱處理部50送風的FFU55(上游側送風部之一例)。又，FFU55並列於寬度方向設置複數個亦可。
又，於腔室60，在基板S之搬送方向中的下游側，具體言之為第2熱處理部51側形成搬出口60b，已進行熱處理的基板S從搬出口60b被搬出。又，於腔室60之上面形成有複數個第1排氣口60c～60e及複數個第2排氣口60f～60h。
第1排氣口60c～60e，如圖4所示，形成為沿著寬度方向延伸的狹縫狀，且在寬度方向並列被形成。圖4係表示實施形態之第1排氣口60c～60e及第2排氣口60f～60h之配置之模式圖。圖4中，將第1熱處理部50之一部分省略。
第2排氣口60f～60h形成為沿著寬度方向延伸的狹縫狀，且在寬度方向並列形成。第2排氣口60f～60h比起第1排氣口60c～60e形成於基板S之搬送方向中的下游側。又，第2排氣口60f～60h比起腔室60之搬出口60b(參照圖3)形成於規定距離之上游側。規定距離係事先設定的距離。規定距離，係以排氣機構52進行排氣之情況下，使空氣從第2熱處理部51流入第1熱處理部50內，並抑制基板S之後端之溫度之過度上升的方式被設定。
又，於此示出3個第1排氣口60c～60e及3個第2排氣口60f～60h在寬度方向並列之一例，但第1排氣口60c～60e及第2排氣口60f～60h之數目不限定於此。第1排氣口60c～60e及第2排氣口60f～60h之數目可以是1個或複數個。
回至圖3，第1加熱器部61，設置於鄰接的輥44a之間，沿著寬度方向延伸設置。第1加熱器部61，係短條狀之電氣加熱器，從下方側對基板S進行加熱。
第2加熱器部62安裝於腔室60之上面安裝。第2加熱器部62，沿著基板S之搬送方向並列設置，沿著寬度方向延伸設置。第2加熱器部62係短條狀之電氣加熱器，從上方側對基板S進行加熱。
第1加熱器部61及第2加熱器部62，係以使基板S之溫度成為第1規定溫度的方式實施電流控制。第1規定溫度為事先設定的溫度。
第2熱處理部51位於比第1熱處理部50更下游側，與第1熱處理部50連續而設置，對經由第1熱處理部50已進行熱處理的基板S，藉由比第1熱處理部50更低的溫度進行熱處理。第2熱處理部51具備：腔室65；複數個第1加熱器部66；及複數個第2加熱器部67。
腔室65，係將輥搬送裝置44之一部分、第1加熱器部66及第2加熱器部67收納，沿著基板S之搬送方向延伸設置。
於腔室65，於基板S之搬送方向中的上游側，具體言之在第1熱處理部50側形成有搬入口65a，從搬入口65a將基板S搬入。又，於腔室65，在基板S之搬送方向中的下游側，具體言之在第3冷卻單元42側形成有搬出口65b，將已進行熱處理的基板S從搬出口65b搬出。又，於腔室65之上面形成有複數個第1排氣口65c～65e及複數個第2排氣口65f～65h。
第1排氣口65c～65e及第2排氣口65f～65h，係和第1熱處理部50之第1排氣口60c～60e及第2排氣口60f～60h同樣地，形成為沿著寬度方向延伸的狹縫狀，且在寬度方向並列形成。
第1加熱器部66及第2加熱器部67之構成，係和第1熱處理部50之第1加熱器部61及第2加熱器部62同樣之構成，於此省略其說明。
又，第1加熱器部66及第2加熱器部67係以基板S之溫度成為第2規定溫度的方式實施電流控制。第2規定溫度，係事先設定的溫度，比第1規定溫度低的溫度。
排氣機構52具備：第1排氣機構70及第2排氣機構71。第1排氣機構70具備排氣裝置75及排氣路76。排氣裝置75係經由第1排氣口60c～60e、第2排氣口60f～60h及排氣路76從第1熱處理部50之腔室60進行排氣。亦即第1排氣機構70係從基板S之上方實施排氣。
排氣路76分歧為第1排氣路76a～76c及第2排氣路76d～76f。第1排氣路76a～76c係連接於形成於第1熱處理部50之腔室60的第1排氣口60c～60e。第1排氣路76a～76c與第1排氣口60c～60e之數目對應而形成。具體言之，如圖4所示，第1排氣路76a在寬度方向中與形成於端部的第1排氣口60c連接。第1排氣路76b係與寬度方向中形成於中央的第1排氣口60d連接。第1排氣路76c係與寬度方向中形成於端部的第1排氣口60e連接。
於第1排氣路76a設置有流量調整閥77a。於第1排氣路76b設置有流量調整閥77b。於第1排氣路76c設置有流量調整閥77c。第1排氣機構70藉由調整各流量調整閥77a～77c之開度，可以對各第1排氣路76a～76c中的每一單位時間之排氣量(以下稱為「排氣量」)進行調整。亦即第1排氣機構70可以對寬度方向中的排氣量進行控制。
第2排氣路76d～76f係與形成於第1熱處理部50之腔室60的第2排氣口60f～60h連接。第2排氣路76d～76f與第2排氣口60f～60h之數目對應而形成。具體言之，第2排氣路76d係與寬度方向中形成於端部的第2排氣口60f連接。第2排氣路76e係與寬度方向中形成於中央的第2排氣口60g連接。第2排氣路76f係與寬度方向中形成於端部的第2排氣口60h連接。
於第2排氣路76d設置有流量調整閥77d。於第2排氣路76e設置有流量調整閥77e。於第2排氣路76f設置有流量調整閥77f。第1排氣機構70係藉由調整各流量調整閥77d～77f之開度，可以對各第2排氣路76d～76f中的排氣量進行調整。亦即第1排氣機構70對寬度方向中的排氣量進行控制。
回至圖3，第2排氣機構71具備排氣裝置80；及排氣路81。排氣裝置80係經由第1排氣口65c～65e、第2排氣口65f～65h及排氣路81從第2熱處理部51之腔室65進行排氣。亦即第2排氣機構71係從基板S之上方進行排氣。
排氣路81分歧為第1排氣路81a～81c及第2排氣路81d～81f。第1排氣路81a～81c係與形成於第2熱處理部51之腔室65的第1排氣口65c～65e連接。第1排氣路81a～81c，係和第1排氣機構70之第1排氣路76a～76c同樣地，與第1排氣口65c～65e之數目對應而形成，與對應的第1排氣口65c～65e連接。
又，於第1排氣路81a～81c，係和第1排氣機構70之第1排氣路76a～76c同樣地，設置有流量調整閥82a～82c。第2排氣機構71係藉由調整各流量調整閥82a～82c之開度，而可以對各第1排氣路81a～81c中的排氣量進行調整。
第2排氣路81d～81f係與形成於第2熱處理部51之腔室65的第2排氣口65f～65h連接。第2排氣路81d～81f，係和第1排氣機構70之第2排氣路76d～76f同樣地，與第2排氣口65f～65h之數目對應而形成，與對應的第2排氣口65f～65h連接。
又，於第2排氣路81d～81f，係和第1排氣機構70之第2排氣路76d～76f同樣地，設置有流量調整閥82d～82f。第2排氣機構71係藉由調整各流量調整閥82d～82f之開度，而可以對各第2排氣路81d～81f中的排氣量進行調整。
排氣機構52將基於第1排氣機構70的排氣量設為多於基於第2排氣機構71的排氣量。亦即排氣機構52將第1熱處理部50中的排氣量設為多於第2熱處理部51中的排氣量。
＜排氣處理＞ 接著，對第2加熱單元41中的排氣處理進行說明。
第2加熱單元41之排氣機構52，係將第1熱處理部50中的排氣量設為多於第2熱處理部51中的排氣量。例如第2加熱單元41，相對於基於排氣機構52的總排氣量，將第1排氣機構70的排氣量之比例設為8成，將第2排氣機構71的排氣量之比例設為2成。據此，如圖5所示，比起第1熱處理部50之腔室60內之氛圍溫度更低溫度的空氣，從第2熱處理部51流入第1熱處理部50。圖5係表示實施形態之第2加熱單元41中的空氣之流動之圖。
亦即排氣機構52，以使空氣從比起第1熱處理部50在基板S之搬送方向之更上游側及第2熱處理部51側向第1熱處理部50內流動的方式，從第1熱處理部50之上方進行排氣。
在將第1熱處理部50及第2熱處理部51中的排氣量設為相等的比較例中，藉由基於FFU55的空氣之流動，如圖6所示，空氣從第1熱處理部50側向第2熱處理部51流動。亦即比較例的第2加熱單元41中，空氣不從第2熱處理部51側流入第1熱處理部50。圖6係表示比較例的第2加熱單元41中的空氣之流動之圖。
因此基板S之後端持續被高溫度的空氣煽動，如圖7中虛線所示，基板S之後端之溫度變高。圖7係表示實施形態之第2加熱單元41及比較例的第2加熱單元41中的基板S之溫度之圖。又，圖7係表示第1熱處理部50與第2熱處理部51之境界中的基板S之溫度之圖。
比較例的第2加熱單元41中，基板S之後端之溫度變高，因此基板S中的溫度差T1變大。
相對於此，實施形態之第2加熱單元41中，比起第1熱處理部50之腔室60內之氛圍溫度更低溫度的空氣從第2熱處理部51流入第1熱處理部50。因此如圖7中實線所示，基板S之後端之溫度比起比較例的基板S之後端之溫度更低。因此，基板S中的溫度差T2比起比較例的基板S中的溫度差T1更小。
因此，實施形態之第2加熱單元41中，如圖8所示，第2熱處理部51中的基板S之溫度差比起比較例的第2加熱單元41之第2熱處理部51中的基板S之溫度差更小。圖8係表示實施形態之第2加熱單元41及比較例的第2加熱單元中的基板S之溫度差之圖。圖8係在搬入口65a附近亦即上游、基板S之搬送方向中的中央附近亦即中央、及搬出口65b附近亦即下游對基板S之溫度差進行計測，並依據計測的溫度差作成的圖。圖8中實施形態之第2加熱單元41中的溫度差以實線表示，比較例的第2加熱單元41中的溫度差以虛線表示。
如此般，實施形態之第2加熱單元41可以提升基板溫度之均勻性。
又，第2加熱單元41中，在基板S之搬送開始之前，將各加熱器部61、62、66、67設為開啟，藉由排氣機構52開始排氣。亦即排氣機構52係在基板S未搬送至第1熱處理部50的待機時進行排氣。具體言之，第2加熱單元41係在待機時進行和對基板S進行熱處理的情況同等之排氣。
據此例如第1熱處理部50之腔室60，待機時亦可以保持於和對基板S進行熱處理的狀態接近之狀態。
因此，如圖9所示，於時間t0開始基板S之搬送，基板S連續進行熱處理之情況下，可以抑制腔室60內之氛圍溫度之降低。圖9係表示實施形態之腔室60內之氛圍溫度之變化之圖。圖9中，在基板S之搬送開始之時間t0中開始基於排氣機構52的排氣的氛圍溫度之變化以虛線表示。
如此般，第2加熱單元41中，基板S被連續搬送的情況下，可以抑制對基板S的處理溫度之變化，可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
第2加熱單元41中，寬度方向之中央側中的空氣之流動比起寬度方向之端側中的空氣之流動更快速。
於此，第2加熱單元41之排氣機構52，係將寬度方向中來自位於端部的第1排氣口60c、60e之排氣量設為多於寬度方向中來自位於中央的第1排氣口60d之排氣量。又，第2加熱單元41，係將寬度方向中來自位於端部的第2排氣口60f、60h之排氣量設為多於寬度方向中來自位於中央的第2排氣口60g之排氣量。
亦即第2加熱單元41之排氣機構52，係透過沿著與基板S之搬送方向正交的基板S之面方向(寬度方向之一例)設置的複數個第1排氣口60c～60e及複數個第2排氣口60f～60h進行排氣。還有，第2加熱單元41之排氣機構52，係將與基板S之搬送方向正交的基板S之面方向中來自設置於端側的第1排氣口60c、60e之排氣量，設為多於面方向中來自設置於中央側的第1排氣口60d之排氣量。又，第2加熱單元41之排氣機構52，係將與基板S之搬送方向正交的基板S之面方向中來自設置於端側的第2排氣口60f、60h之排氣量，設為多於面方向中來自設置於中央側的第2排氣口60g之排氣量。
據此，第2加熱單元41中，可以縮小寬度方向中的基板S之溫度差，可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
＜變形例＞ 接著，對本實施形態之變形例進行說明。
變形例的第2加熱單元41之第1排氣機構70，如圖10所示，在基板S之搬送方向中的第1熱處理部50之中央附近形成有排氣口90a～90c。圖10係表示實施形態之變形例的第2加熱單元41之概略構成之模式圖。亦即變形例的第1排氣機構70，係從基板S之搬送方向中的第1熱處理部50之大致中央進行排氣。據此，變形例的第2加熱單元41可以減少元件數，並且可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
變形例的第2加熱單元41，如圖11所示，於第2熱處理部51之下游側設置有FFU91。圖11係表示實施形態之變形例的第2加熱單元41之概略構成之模式圖。亦即變形例的基板處理裝置1具備：在基板S之搬送方向中設置於比起第2熱處理部51更下游側，對第2熱處理部51送風的FFU91(下游側送風部之一例)。據此，變形例的第2加熱單元41中，藉由FFU91可以使低溫空氣從第2熱處理部51側流入第1熱處理部50，可以提升基板溫度之均勻性。
變形例的第2加熱單元41中，藉由變更排氣口之大小，來調整各排氣口中的排氣量亦可。例如變形例的第2加熱單元41中，將寬度方向中端側之第1排氣口60c、60e之大小，設為大於中央側之第1排氣口60d之大小。據此，變形例的第2加熱單元41中，藉由調整寬度方向中的排氣量，可以縮小寬度方向中的基板S之溫度差，可以提升基板溫度之均勻性。
變形例的第2加熱單元41中，藉由整流板54對寬度方向中的空氣之流動進行調整亦可。變形例的第2加熱單元41中，藉由變更整流板54之高度或形狀，而對寬度方向中的空氣之流動進行調整。例如變形例的第2加熱單元41中，將寬度方向中的中央側之整流板54之高度設為低於端側之整流板54之高度。據此，變形例的第2加熱單元41中，藉由調整寬度方向中的排氣量，可以縮小寬度方向中的基板S之溫度差，可以提升基板溫度之均勻性。
變形例的第2加熱單元41中，具備可以變更寬度方向中的溫度之第1加熱器部61、66及第2加熱器部62、67。變形例的第2加熱單元41中，對寬度方向中的第1加熱器部61、66及第2加熱器部62、67之溫度進行控制。據此，變形例的第2加熱單元41中，可以縮小寬度方向中的基板S之溫度差，可以提升基板溫度之均勻性。
變形例的第2加熱單元41中，不從第2熱處理部51進行排氣，從第1熱處理部50進行排氣。亦即變形例的第2加熱單元41中，作為排氣機構52僅具備第1排氣機構70。
又，將上述實施形態及變形例的第2加熱單元41之構成組合亦可。又，上述實施形態及變形例的排氣機構52設置於第1加熱單元27亦可。
＜效果＞ 基板處理裝置1具備：使基板S以平流方式進行搬送的搬送機構(輥搬送裝置44之一例)；對以平流方式搬送的基板S進行熱處理的第1熱處理部50；與第1熱處理部50連續而設置，對已經由第1熱處理部50熱處理的基板S，以比起第1熱處理部50更低的溫度進行熱處理的第2熱處理部51；及以使空氣從比起第1熱處理部50在基板S之搬送方向之更上游側及第2熱處理部51側向第1熱處理部50內流動的方式，從第1熱處理部50之上方進行排氣的排氣機構52。
換言之，基板處理方法具有：使基板S以平流方式進行搬送的工程；藉由第1熱處理部50對以平流方式搬送的基板S進行熱處理的工程；及以使空氣從基板S之搬送方向中與第1熱處理部50之下游側連續而設置的第2熱處理部51側以及比起第1熱處理部50位於搬送方向之更上游側向第1熱處理部50內流入的方式，從第1熱處理部50之上方進行排氣的工程。
據此，基板處理裝置1，可以抑制基板S之後端之溫度上升，可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
排氣機構52係將第1熱處理部50中的排氣量設為多於第2熱處理部51中的排氣量。
據此，基板處理裝置1可以使溫度低的空氣從第2熱處理部51側流向第1熱處理部50，可以抑制基板S之後端之溫度上升，可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
排氣機構52，係透過沿著與搬送方向正交的基板S之面方向(寬度方向)而設置的複數個排氣口(第1排氣口60c～60e，第2排氣口60f～60h之一例)進行排氣，將面方向中來自設於端側的排氣口(第1排氣口60c、60e，第2排氣口60f、60h)之排氣量設為多於面方向中來自設於中央側的排氣口(第1排氣口60d，第2排氣口60g之一例)之排氣量。
據此，基板處理裝置1中，可以縮小與搬送方向正交的基板S之面方向中的基板S之溫度差，可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
排氣機構52係從搬送方向中的第1熱處理部50之大致中央進行排氣。據此，基板處理裝置1中，可以減少元件數，並且可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
基板處理裝置1具備於搬送方向中設置於比第1熱處理部50更上游側，對第1熱處理部50送風的上游側送風部(FFU55之一例)。
據此，基板處理裝置1中，可以對從基板S之搬送方向之上游側流入第1熱處理部50的空氣之流量進行調整，可以對第1熱處理部50之腔室60內之氛圍溫度進行調整。因此基板處理裝置1可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
基板處理裝置1具備於搬送方向中設置於比第2熱處理部51更下游側，對第2熱處理部51送風的下游側送風部(FFU91之一例)。
據此，基板處理裝置1中，可以使溫度低的空氣從第2熱處理部51側流向第1熱處理部50，可以提升基板溫度之均勻性。
排氣機構52，係在基板S未被搬送至第1熱處理部50之待機時，從第1熱處理部50進行排氣。
據此，基板處理裝置1中，可以抑制待機時第1熱處理部50之溫度變高，在基板S被連續搬送的情況下，可以抑制對基板S的處理溫度之變化，可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
又，排氣機構52，待機時亦將第1熱處理部50中的排氣量設為多於第2熱處理部51中的排氣量。
據此，基板處理裝置1中，可以抑制待機時第1熱處理部50之溫度變高，基板S被連續搬送的情況下，可以抑制對基板S的處理溫度之變化，可以提升基於熱處理的基板溫度之均勻性。
又，此次揭示的實施形態全部之點僅為例示，並非用來限制者。實際上，上述實施形態可以多樣形態具體實現。又，上述實施形態在不脫離申請專利範圍及其趣旨之範圍內，可以各樣的形態進行省略、置換、變更。
1:基板處理裝置 41:第2加熱單元 44:輥搬送裝置(搬送機構) 44a:輥 50:第1熱處理部 51:第2熱處理部 52:排氣機構 55:FFU(上游側送風部) 70:第1排氣機構 71:第2排氣機構 60c:第1排氣口(排氣口) 60d:第1排氣口(排氣口) 60e:第1排氣口(排氣口) 60f:第2排氣口(排氣口) 60g:第2排氣口(排氣口) 60h:第2排氣口(排氣口) 90a:排氣口 90b:排氣口 90c:排氣口 91:FFU(下游側送風部)
[圖1]圖1係表示實施形態之基板處理裝置之概略構成之模式圖。 [圖2]圖2係表示實施形態之基於輥搬送裝置的基板搬送之模式圖。 [圖3]圖3係表示實施形態之第2加熱單元之概略構成之模式圖。 [圖4]圖4係表示實施形態之第1排氣口及第2排氣口之配置之模式圖。 [圖5]圖5係表示實施形態之第2加熱單元中的空氣之流動之圖。 [圖6]圖6係表示比較例的第2加熱單元中的空氣之流動之圖。 [圖7]圖7係表示實施形態之第2加熱單元及比較例的第2加熱單元中的基板之溫度之圖。 [圖8]圖8係表示實施形態之第2加熱單元及比較例的第2加熱單元中的基板之溫度差之圖。 [圖9]圖9係表示實施形態之排氣處理中的腔室內之氛圍溫度之變化之圖。 [圖10]圖10係表示實施形態之變形例的第2加熱單元之概略構成之模式圖。 [圖11]圖11係表示實施形態之變形例的第2加熱單元之概略構成之模式圖。
41:第2加熱單元
44:輥搬送裝置(搬送機構)
44a:輥
50:第1熱處理部
51:第2熱處理部
52:排氣機構
53:導入部
54:整流板
55:FFU(上游側送風部)
70:第1排氣機構
71:第2排氣機構
60、65:腔室
60c:第1排氣口(排氣口)
60d:第1排氣口(排氣口)
60e:第1排氣口(排氣口)
60f:第2排氣口(排氣口)
60g:第2排氣口(排氣口)
60h:第2排氣口(排氣口)
60a、65a:搬入口
60b、65b:搬出口
61、66:第1加熱器部
62、67:第2加熱器部
65c~65e:第1排氣口
65f~65h:第2排氣口
75、80:排氣裝置
76、81:排氣路
76a~76c:第1排氣路
76d~76f:第2排氣路
77a~77c:流量調整閥
77d~77f:流量調整閥
81a~81c:第1排氣路
81d~81f:第2排氣路
82a~82c:流量調整閥
82d~82f:流量調整閥
S:基板

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，具備： 搬送機構，將基板以平流方式進行搬送； 第1熱處理部，對以平流方式搬送的上述基板進行熱處理； 第2熱處理部，係與上述第1熱處理部連續而設置，對經由上述第1熱處理部已進行熱處理的上述基板，以比上述第1熱處理部更低的溫度進行熱處理；及 排氣機構，以使空氣從比上述第1熱處理部在上述基板之搬送方向之更上游側及上述第2熱處理部側流向上述第1熱處理部內的方式，從上述第1熱處理部之上方進行排氣。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 上述排氣機構， 係將上述第1熱處理部中的排氣量設為多於上述第2熱處理部中的排氣量。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中 上述排氣機構， 係透過沿著與上述搬送方向正交的上述基板之面方向設置的複數個排氣口進行排氣，將上述面方向中來自設置於端側的排氣口之排氣量，設為多於上述面方向中來自設於中央側的排氣口之排氣量。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中， 上述排氣機構， 係從上述搬送方向中的上述第1熱處理部之大致中央進行排氣。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中 具備：於上述搬送方向中設置於比上述第1熱處理部更上游側，且對上述第1熱處理部送風的上游側送風部。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中 具備：於上述搬送方向中設置於比上述第2熱處理部更下游側，且對上述第2熱處理部送風的下游側送風部。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中 上述排氣機構， 係在上述基板未被搬送至上述第1熱處理部的待機時，對上述第1熱處理部進行排氣。
  8. 一種基板處理方法，具有： 將基板以平流方式進行搬送的工程； 藉由第1熱處理部對以平流方式搬送的上述基板進行熱處理的工程；及 以使空氣從上述基板之搬送方向中與上述第1熱處理部之下游側連續而設置的第2熱處理部側以及比起上述第1熱處理部在上述搬送方向之更上游側流向上述第1熱處理部內的方式，從上述第1熱處理部之上方進行排氣的工程。
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