JP7058549B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
実施形態に係る基板処理装置1について図1を参照し説明する。図1は、実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す模式図である。
次に、減圧乾燥ユニット26について図3、および図4を参照し説明する。図3は、実施形態に係る減圧乾燥ユニット26の概略構成を示す模式図である(その1)。図4は、実施形態に係る減圧乾燥ユニット26の概略構成を示す模式図である(その2)。なお、図3は、減圧乾燥ユニット26の概略側面における模式図であり、図4は、減圧乾燥ユニット26の概略平面における模式図である。なお、図4では、説明のため排気機構55などを省略している。
なお、1つのアクチュエータ54aによって、複数のシャフト54b、すなわち、複数の第2支持部52を昇降させてもよい。
次に、減圧乾燥ユニット26における減圧乾燥処理について説明する。減圧乾燥処理は、制御部6Aによって実行される。具体的には、制御部6Aは、図5に示すように、スロー排気処理部6Cと、メイン排気処理部6Dと、スローパージ処理部6Eと、メインパージ処理部6Fとを備える。図5は、実施形態に係る制御部6Aの構成の一部を示すブロック図である。なお、ここでは、制御部6Aのうち、減圧乾燥処理を実行する制御部6Aの構成について説明し、他の処理などを実行する構成については省略する。
次に、本実施形態の変形例について説明する。
基板処理装置1は、基板Sを収容し、内部を減圧雰囲気で保持可能なチャンバー50と、チャンバー50内にガスを供給する複数の給気部(第1給気部73~第4給気部76の一例)と、複数の給気部(第1給気部73~第4給気部76の一例)におけるガスの供給をそれぞれ制御する制御部6Aとを備える。制御部6Aは、チャンバー50内を常圧に戻す場合に、複数の給気部のうち1つ以上の給気部(第1給気部73、および第2給気部74の一例)からガスの供給を開始した後に、ガスを供給する給気部(第1給気部73~第3給気部75の一例)の数を増加させる。
3 第1処理ステーション
5 第2処理ステーション
6 制御装置
6A 制御部
6B 記憶部
26 減圧乾燥ユニット
50 チャンバー
51 第1支持部
52 第2支持部
56 ガス供給機構
73 第1給気部(給気部)
74 第2給気部(給気部)
75 第3給気部(給気部)
76 第4給気部(給気部)
73a 給気口
74a 給気口
75a 給気口
76a 給気口
Claims (4)
- 基板を収容し、内部を減圧雰囲気で保持可能なチャンバーと、
前記チャンバー内にガスを供給する複数の給気部と、
前記複数の給気部における前記ガスの供給をそれぞれ制御する制御部と
を備え、
前記複数の給気部は、
矩形の各辺に沿って配置され、
前記制御部は、
前記チャンバー内を常圧に戻す場合に、L字状に配置された2つの前記給気部から前記ガスの供給を開始した後に、前記ガスを供給する前記給気部の数を増加させる
基板処理装置。 - 前記給気部は、
複数の給気口を備え、
前記制御部は、
前記複数の給気口のうち、第1給気口における前記ガスの供給と第2給気口における前記ガスの供給とをそれぞれ制御する
請求項1に記載の基板処理装置。 - 所定方向に並んで配置され、前記チャンバー内で前記基板を支持する第1支持部と、
前記第1支持部の間に配置され、前記チャンバー内で前記基板を支持する第2支持部と
を備え、
前記第1支持部、および前記第2支持部は、
交互に昇降され、前記基板を交互に支持する
請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 基板を減圧雰囲気で収容したチャンバー内を常圧に戻す場合に、矩形の各辺に沿って配置される複数の給気部のうち、L字状に配置された2つの前記給気部から前記チャンバー内にガスの供給を開始する工程と、
前記ガスの供給が開始された後に、前記ガスを供給する前記給気部の数を増加させる工程と
を有する基板処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018094680A JP7058549B2 (ja) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW108115188A TWI797325B (zh) | 2018-05-16 | 2019-05-02 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
KR1020190053678A KR20190131425A (ko) | 2018-05-16 | 2019-05-08 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN201910395773.7A CN110504189A (zh) | 2018-05-16 | 2019-05-13 | 基片处理装置和基片处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018094680A JP7058549B2 (ja) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019201104A JP2019201104A (ja) | 2019-11-21 |
JP7058549B2 true JP7058549B2 (ja) | 2022-04-22 |
Family
ID=68585682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018094680A Active JP7058549B2 (ja) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7058549B2 (ja) |
KR (1) | KR20190131425A (ja) |
CN (1) | CN110504189A (ja) |
TW (1) | TWI797325B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7316323B2 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-07-27 | 株式会社Screenホールディングス | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003163159A (ja) | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Nikon Corp | パージガスの供給方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
JP2006073892A (ja) | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Canon Inc | 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 |
JP2007226128A (ja) | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ製造用ホットプレート及びカラーフィルタ製造方法 |
JP2011064400A (ja) | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
US20110200742A1 (en) | 2008-10-16 | 2011-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Drying method and drying device |
JP2013026474A (ja) | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Canon Inc | インプリントシステム及び物品の製造方法 |
JP2014126263A (ja) | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3752464B2 (ja) * | 1991-04-04 | 2006-03-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
JP2017112237A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 株式会社ディスコ | 減圧処理装置 |
-
2018
- 2018-05-16 JP JP2018094680A patent/JP7058549B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-02 TW TW108115188A patent/TWI797325B/zh active
- 2019-05-08 KR KR1020190053678A patent/KR20190131425A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-05-13 CN CN201910395773.7A patent/CN110504189A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20110200742A1 (en) | 2008-10-16 | 2011-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Drying method and drying device |
JP2011064400A (ja) | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
JP2013026474A (ja) | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Canon Inc | インプリントシステム及び物品の製造方法 |
JP2014126263A (ja) | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110504189A (zh) | 2019-11-26 |
TW201947688A (zh) | 2019-12-16 |
TWI797325B (zh) | 2023-04-01 |
KR20190131425A (ko) | 2019-11-26 |
JP2019201104A (ja) | 2019-11-21 |
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