KR20190131425A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20190131425A
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마코토 구보
나오키 이모토
?이치 야히로
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판 처리에 있어서의 얼룩의 발생을 억제하는 기술을 제공하는 것을 과제로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는 챔버와 복수의 급기부와 제어부를 구비한다. 챔버는 기판을 수용하며, 내부를 감압 분위기로 유지 가능하다. 급기부는 챔버 내에 가스를 공급한다. 제어부는 복수의 급기부에 있어서의 가스의 공급을 각각 제어한다. 제어부는 챔버 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 복수의 급기부 중 하나 이상의 급기부로부터 가스의 공급을 개시한 후에, 가스를 공급하는 급기부의 수를 증가시킨다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는 감압 분위기의 챔버 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 유량 조정 밸브의 개방도를 조정함으로써, 챔버 내를 완만하게 압력 회복하는 슬로우 퍼지와, 급격하게 압력 회복하는 메인 퍼지로 전환하는 것이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2014-126263호 공보
본 개시는 기판 처리에 있어서의 얼룩의 발생을 억제하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일양태에 따른 기판 처리 장치는, 챔버와 복수의 급기부와 제어부를 구비한다. 챔버는 기판을 수용하며, 내부를 감압 분위기로 유지 가능하다. 급기부는 챔버 내에 가스를 공급한다. 제어부는 복수의 급기부에 있어서의 가스의 공급을 각각 제어한다. 제어부는 챔버 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 복수의 급기부 중 하나 이상의 급기부로부터 가스의 공급을 개시한 후에, 가스를 공급하는 급기부의 수를 증가시킨다.
본 개시에 따르면, 기판 처리에 있어서의 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는 실시형태에 따른 롤러 반송 장치에 의한 기판 반송을 나타내는 모식도이다.
도 3은 실시형태에 따른 감압 처리부의 개략 구성을 나타내는 모식도이다(그 1).
도 4는 실시형태에 따른 감압 처리부의 개략 구성을 나타내는 모식도이다(그 2).
도 5는 실시형태에 따른 제어부의 구성의 일부를 나타내는 블록도이다.
도 6a는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛으로 제1 슬로우 퍼지를 행할 때의 가스 공급을 나타내는 도면이다.
도 6b는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛으로 제2 슬로우 퍼지를 행할 때의 가스 공급을 나타내는 도면이다.
도 7은 실시형태에 따른 감압 건조 처리 순서를 설명하는 흐름도이다.
도 8a는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛에 있어서의 기판 반송을 설명하는 도면이다.
도 8b는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛에 있어서의 기판의 전달을 설명하는 도이다.
도 8c는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛으로 감압 건조 처리를 행할 때의 제1 지지부 및 제2 지지부의 상태를 나타내는 도면이다(그 1).
도 8d는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛으로 감압 건조 처리를 행할 때의 제1 지지부 및 제2 지지부의 상태를 나타내는 도면이다(그 2).
도 9는 실시형태의 변형예에 따른 감압 건조 유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 10a는 실시형태의 변형예에 따른 감압 건조 유닛으로 제1 슬로우 퍼지를 행할 때의 가스 공급을 나타내는 도면이다(그 1).
도 10b는 실시형태의 변형예에 따른 감압 건조 유닛으로 제1 슬로우 퍼지를 행할 때의 가스 공급을 나타내는 도면이다(그 2).
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 개시되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것이 아니다.
<전체 구성>
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해서 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
기판 처리 장치(1)는 카세트 스테이션(2)과 제1 처리 스테이션(3)과 인터페이스 스테이션(4)과 제2 처리 스테이션(5)과 제어 장치(6)를 구비한다.
카세트 스테이션(2)에는 복수의 유리 기판(S)(이하, 「기판(S)」이라고 칭함)을 수용하는 카세트(C)가 배치된다. 카세트 스테이션(2)은 복수의 카세트(C)를 배치 가능한 배치대(10)와, 카세트(C)와 제1 처리 스테이션(3) 사이 및 제2 처리 스테이션(5)과 카세트(C) 사이에서 기판(S)의 반송을 행하는 반송 장치(11)를 구비한다.
반송 장치(11)는 반송 아암(11a)을 구비한다. 반송 아암(11a)은, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제1 처리 스테이션(3)은 기판(S)에 포토레지스트의 도포를 포함하는 처리를 행한다. 제1 처리 스테이션(3)은 엑시머 UV 조사 유닛(e-EV)(20)과 스크럽 세정 유닛(SCR)(21)과 프리히트 유닛(PH)(22)과 애드히전 유닛(AD)(23)과 제1 냉각 유닛(COL)(24)을 구비한다. 이들 유닛(20∼24)은 카세트 스테이션(2)으로부터 인터페이스 스테이션(4)을 향하는 방향으로 배치된다. 구체적으로는, 엑시머 UV 조사 유닛(20), 스크럽 세정 유닛(21), 프리히트 유닛(22), 애드히전 유닛(23) 및 제1 냉각 유닛(24)의 순서로 배치된다.
또한, 제1 처리 스테이션(3)은 포토레지스트 도포 유닛(CT)(25)과 감압 건조 유닛(DP)(26)과 제1 가열 유닛(HT)(27)과 제2 냉각 유닛(COL)(28)을 구비한다. 이들 유닛(25∼28)은 제1 냉각 유닛(24)으로부터 인터페이스 스테이션(4)을 향하는 방향으로 포토레지스트 도포 유닛(25), 감압 건조 유닛(26), 제1 가열 유닛(27), 제2 냉각 유닛(28)의 순서로 배치된다. 또한, 제1 처리 스테이션(3)은 롤러 반송 장치(도 2 참조)(29)와 반송 장치(30)를 구비한다.
엑시머 UV 조사 유닛(20)은 자외 역광을 발하는 자외 역광 램프로부터 기판(S)에 대하여 자외 역광을 조사하여, 기판(S) 상에 부착된 유기물을 제거한다.
스크럽 세정 유닛(21)은 유기물이 제거된 기판(S)에 세정액[예컨대, 탈이온수(DIW)]을 공급하면서, 브러시 등의 세정 부재에 의해 기판(S)의 표면을 세정한다. 또한 스크럽 세정 유닛(21)은 블로워 등에 의해 세정한 기판(S)을 건조시킨다.
프리히트 유닛(22)은 스크럽 세정 유닛(21)에 의해 건조된 기판(S)을 더욱 가열하여, 기판(S)을 더욱 건조시킨다.
애드히전 유닛(23)은 건조된 기판(S)에 헥사메틸디실란(HMDS)을 분무하여, 기판(S)에 소수화 처리를 행한다.
제1 냉각 유닛(24)은 소수화 처리가 행해진 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.
포토레지스트 도포 유닛(25)은 냉각된 기판(S) 상에 포토레지스트액을 공급하여, 기판(S) 상에 포토레지스트막을 형성한다.
감압 건조 유닛(26)은 기판(S) 상에 형성된 포토레지스트막을 감압 분위기 하에서 건조시킨다. 감압 건조 유닛(26)의 자세한 설명은 후술한다.
제1 가열 유닛(27)은 포토레지스트막이 건조된 기판(S)을 가열하여, 포토레지스트막에 포함되는 용제 등을 제거한다.
제2 냉각 유닛(28)은 용제 등을 제거한 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.
여기서, 롤러 반송 장치(29)에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 롤러 반송 장치(29)에 의한 기판 반송을 나타내는 모식도이다.
롤러 반송 장치(29)는 복수의 롤러(29a)와 복수의 구동 장치(29b)를 구비한다. 롤러 반송 장치(29)는 구동 장치(29b)에 의해 롤러(29a)를 회전시키고, 롤러(29a)의 회전에 따라 기판(S)을 반송한다. 즉, 롤러 반송 장치(29)는 기판(S)을 평행 유동 반송한다. 구동 장치(29b)는 예컨대 전동 모터이다.
롤러 반송 장치(29)는 도 1에 있어서 화살표(L)로 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 엑시머 UV 조사 유닛(20)으로부터 제1 냉각 유닛(24)까지 반송한다. 또한, 롤러 반송 장치(29)는 도 1에 있어서 화살표(M)로 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 제1 가열 유닛(27)으로부터 제2 냉각 유닛(28)까지 반송한다.
도 1로 되돌아가서, 반송 장치(30)는 반송 아암(30a)을 구비한다. 반송 아암(30a)은 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
반송 장치(30)는 제1 냉각 유닛(24)으로부터 포토레지스트 도포 유닛(25)에 기판(S)을 반송한다. 반송 장치(30)는 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터 감압 건조 유닛(26)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송 장치(30)는 감압 건조 유닛(26)으로부터 제1 가열 유닛(27)에 기판(S)의 반송을 행한다. 반송 장치(30)는 복수의 반송 아암을 구비하여도 좋고, 각 유닛 사이에서의 기판(S)의 반송을 다른 반송 아암으로 행하여도 좋다.
인터페이스 스테이션(4)에서는, 제1 처리 스테이션(3)에 의해 포토레지스트막이 형성된 기판(S)이 외부 노광 장치(8) 및 제2 처리 스테이션(5)에 반송된다. 인터페이스 스테이션(4)은 반송 장치(31)와 로터리 스테이지(32)를 구비한다.
외부 노광 장치(8)는 외부 장치 블록(8A)과 노광 장치(8B)를 구비한다. 외부 장치 블록(8A)은 기판(S)의 외주부의 포토레지스트막을 주변 노광 장치(EE)에 의해 제거한다. 또한, 외부 장치 블록(8A)은 노광 장치(8B)로 회로 패턴으로 노광된 기판(S)에 타이틀러(TITLER)에 의해 정해진 정보를 기록한다.
노광 장치(8B)는 회로 패턴에 대응한 패턴을 갖는 포토마스크를 이용하여 포토레지스트막을 노광한다.
반송 장치(31)는 반송 아암(31a)을 구비한다. 반송 아암(31a)은 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로하는 선회가 가능하다.
반송 장치(31)는 제2 냉각 유닛(28)으로부터 로터리 스테이지(32)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송 장치(31)는 로터리 스테이지(32)로부터 외부 장치 블록(8A)의 주변 노광 장치에 기판(S)을 반송하여, 외주부의 포토레지스트막이 제거된 기판(S)을 노광 장치(8B)에 반송한다.
또한, 반송 장치(31)는 회로 패턴으로 노광된 기판(S)으로 노광 장치(8B)로부터 외부 장치 블록(8A)의 타이틀러에 기판(S)을 반송한다. 그리고, 반송 장치(31)는 정해진 정보가 기록된 기판(S)을 타이틀러로부터 제2 처리 스테이션(5)의 현상 유닛(DEV)(40)에 반송한다.
제2 처리 스테이션(5)은 현상을 포함하는 처리를 행한다. 제2 처리 스테이션(5)은 현상 유닛(40)과 제2 가열 유닛(HT)(41)과 제3 냉각 유닛(COL)(42)과 검사 유닛(IP)(43)과 롤러 반송 장치(44)(도 2 참조)를 구비한다. 이들 유닛(40∼43)은 인터페이스 스테이션(4)으로부터 카세트 스테이션(2)을 향하는 방향으로, 현상 유닛(40), 제2 가열 유닛(41), 제3 냉각 유닛(42) 및 검사 유닛(43)의 순서로 배치된다.
현상 유닛(40)은 노광된 포토레지스트막을 현상액에 의해 현상한다. 또한, 현상 유닛(40)은 포토레지스트막을 현상한 기판(S) 상의 현상액을 린스액에 의해 씻어내고, 린스액을 건조시킨다.
제2 가열 유닛(41)은 린스액이 건조된 기판(S)을 가열하여, 포토레지스트막에 남은 용제 및 린스액을 제거한다.
제3 냉각 유닛(42)은 용제 및 린스액이 제거된 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.
검사 유닛(43)은 냉각된 기판(S)에 대하여, 포토레지스트 패턴(라인)의 한계 치수(CD)의 측정 등의 검사를 행한다.
검사 유닛(43)에 의해 검사가 행해진 기판(S)은 반송 장치(11)의 반송 아암(11a)에 의해 제2 처리 스테이션(5)으로부터 카세트 스테이션(2)의 카세트(C)에 반송된다.
롤러 반송 장치(44)의 구성은 제1 처리 스테이션(3)에 있어서의 롤러 반송 장치(29)와 동일한 구성으로서, 여기서의 설명은 생략한다. 롤러 반송 장치(44)는 화살표(N)로 나타내는 바와 같이, 현상 유닛(40)으로부터 검사 유닛(43)까지 기판(S)을 반송한다.
제어 장치(6)는 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(6A)와 기억부(6B)를 구비한다. 기억부(6B)는 예컨대 RAM(Random Access Memory), 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다.
제어부(6A)는 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM, 입출력 포트 등을 포함하는 마이크로 컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 마이크로 컴퓨터의 CPU는 ROM에 기억되어 있는 프로그램을 읽어내어 실행함으로써, 각 스테이션(2∼5)의 제어를 실현한다.
또한, 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있고, 기억 매체로부터 제어 장치(6)의 기억부(6B)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
<감압 건조 유닛>
다음에, 감압 건조 유닛(26)에 대해서 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3은 실시형태에 따른 감압 건조 유닛(26)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다(그 1). 도 4는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛(26)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다(그 2). 또한, 도 3은 감압 건조 유닛(26)의 개략 측면에 있어서의 모식도이고, 도 4는 감압 건조 유닛(26)의 개략 평면에 있어서의 모식도이다. 또한, 도 4에서는, 설명을 위해 배기 기구(55) 등을 생략하고 있다.
감압 건조 유닛(26)은 챔버(50)와 복수의 제1 지지부(51)와 복수의 제2 지지부(52)와 복수의 제1 승강 구동부(53)와 복수의 제2 승강 구동부(54)와 배기 기구(55)와 가스 공급 기구(56)를 구비한다.
챔버(50)는 기판(S)을 수용하며, 내부를 감압 분위기로 유지 가능하다. 챔버(50)의 하나의 측벽(50a)에는 개구부(50b)가 형성된다. 기판(S)은 반송 장치(30)(도 1 참조)에 의해 개구부(50b)로부터 챔버(50) 내에 반입되고, 또한 개구부(50b)로부터 챔버(50) 내로부터 반출된다. 챔버(50)는 개구부(50b)를 개폐하는 덮개부(50c)를 구비한다. 덮개부(50c)가 폐쇄됨으로써, 챔버(50)는 밀폐된다.
제1 지지부(51)는 정해진 방향으로 배열되어 배치되며, 챔버(50) 내에서 기판(S)을 지지한다. 제1 지지부(51)는 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향을 따라 연장된다. 정해진 방향은 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향에 직교하는 방향이다. 제1 지지부(51)는 정해진 방향으로 제1 정해진 간격을 마련하여 배열되어 배치된다. 제1 정해진 간격은 미리 설정된 간격이고, 제1 지지부(51) 사이에 제2 지지부(52)를 배치 가능한 간격이다.
제1 지지부(51)는 평판부(51a)와 기판(S)을 지지하는 복수의 핀(51b)을 구비한다. 평판부(51a)는 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향을 따라 연장된다. 핀(51b)은 상방을 향하여 평판부(51a)로부터 돌출한다. 핀(51b)은 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향을 따라 배치된다. 또한, 핀(51b)은 정해진 방향으로 2열 배치된다. 또한, 핀(51b)의 배치는 이에 한정되는 것이 아니며, 예컨대, 정해진 방향으로 1열 배치되어도 좋다. 핀(51b)은 제1 지지부(51)가 상승하면, 기판(S)의 하면에 접촉한다.
제1 승강 구동부(53)는 제1 지지부(51)를 승강시킨다. 제1 승강 구동부(53)는 액츄에이터(53a)와 샤프트(53b)와 연결부(53c)를 구비한다.
액츄에이터(53a)는 예컨대 에어 실린더나, 볼나사 기구이다. 액츄에이터(53a)는 샤프트(53b) 및 연결부(53c)를 통해 제1 지지부(51)를 승강시킨다.
샤프트(53b)는 챔버(50)에 형성된 구멍에 삽입되어, 선단에 연결부(53c)가 고정된다. 또한, 샤프트(53b)와 구멍 사이에는 시일 부재(도시하지 않음)가 마련된다. 연결부(53c)는 제1 지지부(51)의 평판부(51a)의 하면에 고정된다.
또한, 하나의 액츄에이터(53a)에 의해, 복수의 샤프트(53b), 즉, 복수의 제1 지지부(51)를 승강시켜도 좋다.
제2 지지부(52)는 제1 지지부(51) 사이에 배치되며, 챔버(50) 내에서 기판(S)을 지지한다. 제2 지지부(52)는 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향을 따라 연장된다. 제2 지지부(52)는 정해진 방향으로 배열된 제1 지지부(51) 사이에 배치된다. 제1 지지부(51)와 제2 지지부(52)는 정해진 방향을 따라 교대로 배치된다.
제2 지지부(52)는 평판부(52a)와 기판(S)을 지지하는 복수의 핀(52b)을 구비한다. 평판부(52a)는 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향을 따라 연장된다. 핀(52b)은 상방을 향하여 평판부(52a)로부터 돌출한다. 핀(52b)은 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향을 따라 배치된다. 또한, 핀(52b)은 정해진 방향으로 2열 배치된다. 또한, 핀(52b)의 배치는 이에 한정되지 않고, 예컨대, 정해진 방향으로 1열 배치되어도 좋다. 핀(52b)은 제2 지지부(52)가 상승하면, 기판(S)의 하면에 접촉한다.
제2 승강 구동부(54)는 제2 지지부(52)를 승강시킨다. 제2 승강 구동부(54)는 제1 승강 구동부(53)와 마찬가지로, 액츄에이터(54a)와 샤프트(54b)와 연결부(54c)를 구비한다.
액츄에이터(54a)는 예컨대 에어 실린더나, 볼나사 기구이다. 액츄에이터(54a)는 샤프트(54b) 및 연결부(54c)를 통해 제2 지지부(52)를 승강시킨다.
샤프트(54b)는 챔버(50)에 형성된 구멍에 삽입되어, 선단에 연결부(54c)가 고정된다. 또한, 샤프트(54b)와 구멍 사이에는, 시일 부재(도시하지 않음)가 마련된다. 연결부(54c)는 각 제2 지지부(52)의 평판부(52a)의 하면에 고정된다. 또한, 하나의 액츄에이터(54a)에 의해, 복수의 샤프트(54b), 즉, 복수의 제2 지지부(52)를 승강시켜도 좋다.
배기 기구(55)는 배기 장치(60)와 배기관(61)과 복수의 APC(Adaptive Pressure Control) 밸브(62)를 구비한다. 배기 장치(60)는 터보 분자 펌프나, 드라이 펌프 등의 진공 펌프(도시하지 않음)를 가지고, 진공 펌프를 구동시킴으로써, 챔버(50) 내의 기체를 배출하여, 챔버(50) 내를 감압한다.
배기관(61)은 배기 장치(60)와 챔버(50)에 형성된 복수의 배기구(50g)를 접속한다. APC 밸브(62)는 배기관(61)에 마련되며, 개방도를 조정함으로써, 챔버(50) 내의 감압, 즉 진공도를 조정할 수 있다.
가스 공급 기구(56)는 가스 공급원(70)과 급기관(71)과 제1 개폐 밸브(72)와 제1 급기부(73)와 제2 급기부(74)와 제3 급기부(75)와 제4 급기부(76)를 구비한다. 또한, 가스 공급 기구(56)는 제2 개폐 밸브(77)와 제3 개폐 밸브(78)와 제4 개폐 밸브(79)와 제5 개폐 밸브(80)를 구비한다.
가스 공급원(70)은 챔버(50) 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 챔버(50) 내에 가스를 공급한다. 가스는 질소 가스 등의 불활성 가스나, 드라이 에어 등의 치환용 가스 등이다.
급기관(71)은 가스 공급원(70)으로부터 제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)에 가스를 공급한다. 급기관(71)은 제1 급기관(71a), 제2 급기관(71b), 제3 급기관(71c) 및 제4 급기관(71d)에 분기된다. 분기 부분보다 가스 공급원(70)측의 급기관(71)에는 제1 개폐 밸브(72)가 마련된다.
제1 급기관(71a)은 제1 급기부(73)에 접속된다. 제2 급기관(71b)은 제2 급기부(74)에 접속된다. 제3 급기관(71c)은 제3 급기부(75)에 접속된다. 제4 급기관(71d)은 제4 급기부(76)에 접속된다.
제1 급기관(71a)에는 제2 개폐 밸브(77)가 마련된다. 제2 급기관(71b)에는 제3 개폐 밸브(78)가 마련된다. 제3 급기관(71c)에는 제4 개폐 밸브(79)가 마련된다. 제4 급기관(71d)에는 제5 개폐 밸브(80)가 마련된다.
제1 개폐 밸브(72)∼제5 개폐 밸브(80)의 개폐가 제어됨으로써, 제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)로부터 챔버(50) 내에의 가스의 공급이 제어된다.
제1 급기부(73)는 개구부(50b)가 형성된 챔버(50)의 측벽(50a)측에 마련되며, 정해진 방향을 따라 연장된다. 제1 급기부(73)에는 복수의 급기구(73a)가 형성된다. 복수의 급기구(73a)는 정해진 방향을 따라 제2 정해진 간격을 마련하여 배치된다. 제2 정해진 간격은 미리 설정된 간격이다. 제1 급기부(73)는 급기구(73a)로부터 가스를 챔버(50) 내에 공급한다.
제2 급기부(74)는 개구부(50b)가 형성된 챔버(50)의 측벽(50a)과 직교하는 한쌍의 측벽(50d, 50e) 중, 한쪽의 측벽(50d)측에 마련된다. 제2 급기부(74)는 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향을 따라 연장된다. 제2 급기부(74)에는 복수의 급기구(74a)가 형성된다. 복수의 급기구(74a)는 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향을 따라 제3 정해진 간격을 마련하여 배치된다. 제3 정해진 간격은 미리 설정된 간격이다. 제2 급기부(74)는 급기구(74a)로부터 가스를 챔버(50) 내에 공급한다.
제3 급기부(75)는 개구부(50b)가 형성된 챔버(50)의 측벽(50a)과 직교하는 한쌍의 측벽(50d, 50e) 중, 다른쪽의 측벽(50e)측에 마련된다. 제3 급기부(75)는 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향을 따라 연장된다. 제3 급기부(75)에는 복수의 급기구(75a)가 형성된다. 복수의 급기구(75a)는 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향을 따라 제3 정해진 간격을 마련하여 배치된다. 제3 급기부(75)는 급기구(75a)로부터 가스를 챔버(50) 내에 공급한다.
제4 급기부(76)는 개구부(50b)가 형성된 챔버(50)의 측벽(50a)과는 반대의 측벽(50f)측에 마련되고, 정해진? 방향을 따라 연장된다. 제4 급기부(76)에는 복수의 급기구(76a)가 형성된다. 복수의 급기구(76a)는 정해진 방향을 따라 제2 정해진 간격을 마련하여 배치된다. 제4 급기부(76)는 급기구(76a)로부터 가스를 챔버(50) 내에 공급한다.
이와 같이, 제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)는 직사각 형상으로 배치된다. 구체적으로는, 제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)는 직사각형의 각 변을 따라 배치된다. 또한, 도 4에서는 제1 급기부(73) 및 제4 급기부(76)에 7개의 급기구(73a, 76a)가 형성되고, 제2 급기부(74) 및 제3 급기부(75)에 9개의 급기구(74a, 75a)가 형성되어 있다. 그러나, 급기구(73a, 74a, 75a, 76a)의 수는, 이에 한정되는 것이 아니다. 감압 건조 유닛(26)은 챔버(50) 내에 가스를 공급하는 복수의 급기부[제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)]를 구비한다.
<감압 건조 처리>
다음에, 감압 건조 유닛(26)에 있어서의 감압 건조 처리에 대해서 설명한다. 감압 건조 처리는 제어부(6A)에 의해 실행된다. 구체적으로는, 제어부(6A)는 도 5에 나타내는 바와 같이, 슬로우 배기 처리부(6C)와 메인 배기 처리부(6D)와 슬로우 퍼지 처리부(6E)와 메인 퍼지 처리부(6F)를 구비한다. 도 5는 실시형태에 따른 제어부(6A)의 구성의 일부를 나타내는 블록도이다. 또한, 여기서는, 제어부(6A) 중 감압 건조 처리를 실행하는 제어부(6A)의 구성에 대해서 설명하고, 다른 처리 등을 실행하는 구성에 대해서는 생략한다.
슬로우 배기 처리부(6C)는 슬로우 배기를 행한다. 슬로우 배기 처리부(6C)는 챔버(50) 내의 압력이 급격하게 감소하는 것을 억제하여, 포토레지스트막에 포함되는 용제가 급격하게 비등하는 것을 억제하기 위해, 슬로우 배기를 행한다. 구체적으로는, 슬로우 배기 처리부(6C)는 APC 밸브(62)의 개방도를 제어하여, 제1 감압 속도로 비교적 느릿하게 배기를 행하고, 챔버(50) 내의 압력을 제1 정해진 압력까지 감압한다. 제1 감압 속도는 미리 설정된 감압 속도이다. 제1 정해진 압력은 미리 설정된 압력이며, 상압보다 낮은 압력이다.
메인 배기 처리부(6D)는 메인 배기를 행한다. 메인 배기 처리부(6D)는 APC 밸브(62)의 개방도를, 슬로우 배기에 있어서의 개방도보다 크게 하여, 제2 감압 속도로 배기를 행하여, 제2 정해진 압력까지 감압한다. 제2 감압 속도는 미리 설정된 속도이며, 제1 감압 속도보다 큰 속도이다. 제2 정해진 압력은 미리 설정된 압력이며, 제1 정해진 압력보다 낮은 압력이다.
슬로우 퍼지 처리부(6E)는 제1 슬로우 퍼지 및 제2 슬로우 퍼지를 행한다. 구체적으로는, 슬로우 퍼지 처리부(6E)는 제1 슬로우 퍼지를 행한 후에, 제2 슬로우 퍼지를 행한다.
먼저, 슬로우 퍼지 처리부(6E)는 직사각형의 변에 배치된 제1 급기부(73)∼제4 급기부(76) 중, 직사각형의 2변에 위치하는 제1 급기부(73) 및 제2 급기부(74)로부터 가스를 공급하여, 제1 슬로우 퍼지를 행한다. 바꾸어 말하면, 슬로우 퍼지 처리부(6E)는 제1 급기부(73)∼제4 급기부(76) 중, 도 6a에 나타내는 바와 같이, L자형으로 배치된 제1 급기부(73) 및 제2 급기부(74)로부터 가스를 챔버(50) 내에 공급한다. 도 6a는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛(26)으로 제1 슬로우 퍼지를 행할 때의 가스 공급을 나타내는 도면이다.
이에 의해, 가스는 제1 급기부(73) 및 제2 급기부(74)로부터, 제3 급기부(75) 및 제4 급기부(76)를 향하여 흘러, 기판(S) 상에서 가스의 체류가 생기는 것을 억제할 수 있다.
슬로우 퍼지 개시 시에, 예컨대, 제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)에 의해 가스를 공급한 경우에는, 기판(S)의 중앙 부근에서 용제를 포함하는 가스의 체류가 발생한다. 그 때문에, 중앙 부근의 포토레지스트막이, 다른 부분의 포토레지스트막과 비교하여 건조하지 않는다. 즉, 기판(S)의 건조 상태에 얼룩이 생긴다. 이러한 기판(S)에 노광을 행하면, 기판(S)의 중앙 부근이 미노광으로서, 현상 후에 기판(S)의 중앙 부근의 막 두께가 다른 부분보다 얇아진다. 즉, 기판(S)의 중앙 부근에서 막 감소가 생겨, 기판(S)에 있어서의 처리의 얼룩이 생긴다.
실시형태에 따른 감압 건조 유닛(26)은 슬로우 퍼지의 개시 시인 제1 슬로우 퍼지 시에, 제1 급기부(73) 및 제2 급기부(74)로부터 가스를 공급한다. 이에 의해, 감압 건조 유닛(26)은 기판(S)에 있어서의 용제를 포함하는 가스의 체류를 억제하여, 기판(S)에 있어서의 처리의 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 슬로우 퍼지 처리부(6E)는 제1 슬로우 퍼지를 정해진 시간 행한 후에, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 제3 급기부(75)로부터도 가스를 공급하여, 제2 슬로우 퍼지를 행한다. 즉, 슬로우 퍼지 처리부(6E)는 제1 급기부(73)∼제3 급기부(75)로부터 가스를 공급한다. 도 6b는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛(26)으로 제2 슬로우 퍼지를 행할 때의 가스 공급을 나타내는 도면이다.
이와 같이, 제어부(6A)는 챔버(50) 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 복수의 급기부[제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)] 중 하나 이상의 급기부[제1 급기부(73) 및 제2 급기부(74)]로부터 가스의 공급을 개시한 후에, 가스를 공급하는 급기부[제1 급기부∼제3 급기부(75)]의 수를 증가시킨다. 구체적으로는, 제어부(6A)는 챔버(50) 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 직사각형의 2변에 위치하는 급기부[제1 급기부(73) 및 제2 급기부(74)]로부터 가스의 공급을 개시한 후에, 가스를 공급하는 급기부[제1 급기부(73)∼제3 급기부(75)]의 수를 증가시킨다. 바꾸어 말하면, 제어부(6A)는 챔버(50) 내를 상압으로 되돌리는 경우에, L자형으로 배치된 2개의 급기부[제1 급기부(73) 및 제2 급기부(74)]로부터 가스의 공급을 개시한 후에, 가스를 공급하는 급기부[제1 급기부(73)∼제3 급기부(75)]의 수를 증가시킨다.
메인 퍼지 처리부(6F)는 메인 퍼지를 행하여, 챔버(50) 내의 압력을 상압으로 되돌린다. 메인 퍼지 처리부(6F)는 제4 급기부(76)로부터도 가스를 공급한다. 즉, 메인 퍼지 처리부(6F)는 제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)로부터 챔버(50) 내에 가스를 공급한다.
다음에, 감압 건조 유닛(26)에 있어서의 감압 건조 처리에 대해서 도 7을 이용하고 설명한다. 도 7은 실시형태에 따른 감압 건조 처리 순서를 설명하는 흐름도이다.
감압 건조 유닛(26)에는 포토레지스트막이 형성된 기판(S)이 반송 장치(30)에 의해 챔버(50) 내에 반입된다(S10).
반송 장치(30)의 반송 아암(30a)은 빗살형으로 형성되어 있고, 반송 장치(30)는 도 8a에 나타내는 바와 같이, 반송 아암(30a)의 하방에 제2 지지부(52)가 위치하도록 챔버(50) 내에 기판(S)을 반입한다. 도 8a는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛(26)에 있어서의 기판 반송을 설명하는 도면이다. 도 8a는 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향에서 본 감압 건조 유닛(26)의 일부를 나타내는 도면이다. 또한, 반송 아암(30a)의 정해진 방향에 있어서의 길이(폭)는, 제2 지지부(52)의 평판부(52a)의 정해진 방향에 있어서의 길이(폭)보다 짧다.
기판(S)이 챔버(50) 내에 반입되면, 감압 건조 유닛(26)은 도 8b에 나타내는 바와 같이, 제1 지지부(51)를 상승시켜 제1 지지부(51)의 핀(51b)에 의해 기판(S)의 하면을 지지한다. 이에 의해, 기판(S)이 반송 아암(30a)으로부터 제1 지지부(51)에 전달된다. 도 8b는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛(26)에 있어서의 기판(S)의 전달을 설명하는 도면이다. 도 8b는 챔버(50)에 대한 기판(S)의 반송 방향에서 본 감압 건조 유닛(26)의 일부를 나타내는 도면이다.
기판(S)을 제1 지지부(51)에 전달한 후에, 반송 아암(30a)이 챔버(50)로부터 취출되면, 감압 건조 유닛(26)은 덮개부(50c)를 폐쇄하여, 챔버(50) 내를 밀폐한다.
또한, 감압 건조 유닛(26)은 도 8c에 나타내는 바와 같이, 핀(52b)이 기판(S)에 접촉하지 않는 정해진 상승 위치까지 제2 지지부(52)를 상승시킨다. 도 8c는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛(26)으로 감압 건조 처리를 행할 때의 제1 지지부(51) 및 제2 지지부(52)의 상태를 나타내는 도면이다(그 1).
도 7로 되돌아가서, 감압 건조 유닛(26)에서는 슬로우 배기가 실행된다(S11).
또한, 감압 건조 유닛(26)은 슬로우 배기를 개시하면, 제2 지지부(52)를 상승시켜, 제1 지지부(51)를 강하시킴으로써, 도 8d에 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 제2 지지부(52)에 의해 지지한다. 도 8d는 실시형태에 따른 감압 건조 유닛(26)으로 감압 건조 처리를 행할 때의 제1 지지부(51) 및 제2 지지부(52)의 상태를 나타내는 도면이다(그 2).
감압 건조 유닛(26)은 제1 지지부(51) 및 제2 지지부(52)를 교대로 승강시킴으로써, 기판(S)의 지지를 제1 지지부(51) 및 제2 지지부(52) 사이에서 전환한다. 즉, 감압 건조 유닛(26)은 제1 지지부(51) 및 제2 지지부(52)로 교대로 기판(S)을 지지한다.
동일한 핀이 기판(S)에 접촉하는 시간이 길어지면, 핀이 접촉하는 부분에서는, 핀과의 열전도에 의해, 다른 부분보다 기판(S)의 온도가 높아져, 포토레지스트막의 건조 상태에 얼룩이 생길 우려가 있다.
실시형태에 따른 감압 건조 유닛(26)은 기판(S)의 지지를 제1 지지부(51) 및 제2 지지부(52)로 교대로 행함으로써, 포토레지스트막의 건조 상태에 얼룩이 생기는 것을 억제할 수 있다.
또한, 기판(S)의 지지의 전환은 미리 설정된 정해진 시간마다 행해진다. 또한, 기판(S)에 핀이 접촉하지 않는 지지부는, 기판(S)과 핀 사이에 정해진 간극이 형성되도록 강하한다. 정해진 간극은 미리 설정된 길이이며, 예컨대, 상하 방향에 있어서, 평판부(51a)와 평판부(52a) 사이에 간극이 생기지 않는 길이이다. 이에 의해, 기판(S)과 제1 지지부(51) 및 제2 지지부(52) 사이에서 기류의 혼란이 생기는 것을 억제하여, 포토레지스트막의 건조 상태에 얼룩이 생기는 것을 더욱 억제할 수 있다.
감압 건조 유닛(26)은 감압 건조 처리를 행하고 있는 동안, 제1 지지부(51) 및 제2 지지부(52)에 의한 기판(S)의 지지의 전환을 실행한다. 즉, 감압 건조 유닛(26)은 챔버(50) 내를 감압하는 경우에 더하여, 챔버(50) 내를 상압으로 되돌리는 경우에도, 기판(S)의 지지의 전환을 실행한다.
도 7로 되돌아가서, 감압 건조 유닛(26)에서는 메인 배기가 실행된다(S12). 그 후, 감압 건조 유닛(26)에서는 제1 슬로우 퍼지가 실행되고(S13), 제2 슬로우 퍼지가 실행된다(S14).
또한, 감압 건조 유닛(26)에서는 메인 퍼지가 실행되고(S15), 그 후, 반송 장치(30)에 의해 챔버(50)로부터 기판(S)이 반출된다(S16).
<변형예>
다음에, 본 실시형태의 변형예에 대해서 설명한다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서, 감압 건조 유닛(26)의 제1 급기관(71a)은 도 9에 나타내는 바와 같이, 제1 분기관(71a1) 및 제2 분기관(71a2)으로 분기된다. 제1 분기관(71a1)은 복수의 급기구(73a) 중, 제2 급기부(74)측의 3개의 제1 급기구(73b)에 접속한다. 제2 분기관(71a2)은 복수의 급기구(73a) 중, 제3 급기부(75)측의 4개의 제2 급기구(73c)에 접속한다. 또한, 제2 분기관(71a2)에는 제6 개폐 밸브(81)가 마련된다. 도 9는 실시형태의 변형예에 따른 감압 건조 유닛(26)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
또한, 감압 건조 유닛(26)의 제2 급기관(71b)은 제1 분기관(71b1) 및 제2 분기관(71b2)으로 분기된다. 제1 분기관(71b1)은 복수의 급기구(74a) 중, 제1 급기부(73)측의 3개의 제1 급기구(74b)에 접속한다. 제2 분기관(71b2)은 복수의 급기구(74a) 중, 제4 급기부(76)측의 5개의 제2 급기구(74c)에 접속한다. 또한, 제2 분기관(71b2)에는 제7 개폐 밸브(82)가 마련된다.
슬로우 퍼지 처리부(6E)는 제1 슬로우 퍼지를 행할 때에, 도 10a에 나타내는 바와 같이, 먼저, 제1 급기부(73)의 제1 급기구(73b) 및 제2 급기부(74)의 제1 급기구(74b)로부터 가스를 공급한다. 도 10a는 실시형태의 변형예에 따른 감압 건조 유닛(26)으로 제1 슬로우 퍼지를 행할 때의 가스 공급을 나타내는 도면이다(그 1). 또한, 이때, 제6 개폐 밸브(81) 및 제7 개폐 밸브(82)는 폐쇄되어 있고, 제1 급기부(73)의 제2 급기구(73c) 및 제2 급기부(74)의 제2 급기구(74c)로부터는 가스는 공급되지 않는다.
그리고, 슬로우 퍼지 처리부(6E)는 그 후, 제6 개폐 밸브(81) 및 제7 개폐 밸브(82)를 개방하여, 도 10b에 나타내는 바와 같이, 제1 급기부(73)의 제2 급기구(73c) 및 제2 급기부(74)의 제2 급기구(74c)로부터도 가스를 공급한다. 도 10b는 실시형태의 변형예에 따른 감압 건조 유닛(26)으로 제1 슬로우 퍼지를 행할 때의 가스 공급을 나타내는 도면이다(그 2).
이와 같이, 제어부(6A)는 제1 슬로우 퍼지를 행할 때에, 복수의 급기구(73a, 74a) 중, 제1 급기구(73b, 74b)에 있어서의 가스의 공급과 제2 급기구(73c, 74c)에 있어서의 가스의 공급을 각각 제어한다.
또한, 제1 급기구(73b, 74b)의 수 및 제2 급기구(73c, 74c)의 수는, 상기 수에 한정되지 않는다. 또한, 분기되는 분기관의 수는 2개에 한정되지 않고, 3개 이상으로 분기되어도 좋다. 또한, 감압 건조 유닛(26)은 각 급기구(73a, 74a)에 있어서의 가스의 공급을 각각 제어 가능하여도 좋다. 또한, 감압 건조 유닛(26)은 제3 급기부(75)의 각 급기구(75a), 제4 급기부(76)의 각 급기구(76a)에 있어서의 가스의 공급을 각각 제어 가능하여도 좋다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 급기구(73a, 74a, 75a, 76a)를 슬릿형으로 형성하여도 좋다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 제1 슬로우 퍼지에 있어서, 제3 급기부(75) 및 제4 급기부(76)로부터 급기를 개시한 후에, 제1 급기부(73) 또는 제2 급기부(74)로부터도 급기를 행하여도 좋다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 제1 슬로우 퍼지에 있어서, 예컨대, 제1 급기부(73), 제2 급기부(74) 및 제3 급기부(75)로부터 급기를 행한 후에, 제4 급기부(76)로부터도 급기를 행하여도 좋다.
즉, 제어부(6A)는 챔버(50) 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 직사각형의 2변 또는 3변에 위치하는 급기부로부터 가스의 공급을 개시한 후에, 가스를 공급하는 급기부의 수를 증가시킨다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 제2 개폐 밸브(77)∼제7 개폐 밸브(82) 대신에, 유량 제어 밸브를 마련하여, 가스의 유량을 제어 가능하게 하여도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는 포토레지스트막이 형성된 기판(S)을 감압 건조시키는 처리를 일례로서 설명하였지만, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 유기 재료막이 형성된 기판(S)을 감압 건조시키는 처리에, 상기한 처리가 적용되어도 좋다.
<효과>
기판 처리 장치(1)는 기판(S)을 수용하여, 내부를 감압 분위기로 유지 가능한 챔버(50)와 챔버(50) 내에 가스를 공급하는 복수의 급기부[제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)의 일례]와 복수의 급기부[제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)의 일례]에 있어서의 가스의 공급을 각각 제어하는 제어부(6A)를 구비한다. 제어부(6A)는 챔버(50) 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 복수의 급기부 중 하나 이상의 급기부[제1 급기부(73) 및 제2 급기부(74)의 일례]로부터 가스의 공급을 개시한 후에, 가스를 공급하는 급기부[제1 급기부(73)∼제3 급기부(75)의 일례]의 수를 증가시킨다.
바꾸어 말하면, 기판 처리 방법은 기판(S)을 감압 분위기에서 수용한 챔버(50) 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 복수의 급기부[제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)의 일례] 중 하나 이상의 급기부[제1 급기부(73) 및 제2 급기부(74)의 일례]로부터 챔버(50) 내에 가스의 공급을 개시하는 공정과, 가스의 공급이 개시된 후에, 가스를 공급하는 급기부[제1 급기부(73)∼제3 급기부(75)의 일례]의 수를 증가시키는 공정을 갖는다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는 예컨대 용제를 포함하는 가스의 체류를 억제할 수 있어, 포토레지스트막의 건조 상태에 얼룩이 생기는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는 예컨대 그 후, 기판(S)이 노광되어, 현상된 경우에, 포토레지스트막의 건조 상태에 얼룩에 기인하는 막 두께의 감소량을 억제하여, 막 감소의 발생을 억제할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)는 기판(S)에 있어서의 얼룩의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는 제1 슬로우 퍼지에 있어서의 처리 시간이 길어지는 것을 억제할 수 있다.
복수의 급기부[제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)의 일례]는 직사각형의 각 변을 따라 배치된다. 또한, 제어부(6A)는 챔버(50) 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 직사각형의 2변 또는 3변에 위치하는 급기부[제1 급기부(73), 제2 급기부(74)의 일례, 또는 제1 급기부(73), 제2 급기부(74) 및 제3 급기부(75)의 일례]로부터 가스의 공급을 개시한 후에, 가스를 공급하는 급기부[제1 급기부(73)∼제3 급기부(75)의 일례, 또는 제1 급기부(73)∼제4 급기부(76)의 일례]의 수를 증가시킨다.
예컨대, 제어부(6A)는 챔버(50) 내를 상압으로 되돌리는 경우에, L자형으로 배치된 2개의 급기부[제1 급기부(73), 제2 급기부(74)의 일례]로부터 가스의 공급을 개시한 후에, 가스를 공급하는 급기부[제1 급기부(73)∼제3 급기부(75)의 일례]의 수를 증가시킨다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는 제1 슬로우 퍼지를 행할 때에, L자형으로 배치된 2개의 제1 급기부(73) 및 제2 급기부(74)로부터, 제3 급기부(75) 및 제4 급기부(76)를 향하여 가스를 흐르게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는 예컨대 용제를 포함하는 가스가 기판(S)의 중앙 부근에 체류하는 것을 억제하여, 포토레지스트막의 건조 상태에 얼룩이 생기는 것을 억제할 수 있다.
급기부[제1 급기부(73), 제2 급기부(74)의 일례]는 복수의 급기구(73a, 74a)를 구비한다. 제어부(6A)는 복수의 급기구(73a, 74a) 중, 제1 급기구(73b, 74b)에 있어서의 가스의 공급과 제2 급기구(73c, 74c)에 있어서의 가스의 공급을 각각 제어한다.
이것으로부터, 기판 처리 장치(1)는 제1 슬로우 퍼지를 행할 때에, 예컨대, 용제를 포함하는 가스의 체류를 억제할 수 있어, 포토레지스트막의 건조 상태에 얼룩이 생기는 것을 억제할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는 정해진 방향으로 배열되어 배치되고, 챔버(50) 내에서 기판(S)을 지지하는 제1 지지부(51)와, 제1 지지부(51) 사이에 배치되고, 챔버(50) 내에서 기판(S)을 지지하는 제2 지지부(52)를 구비하고, 제1 지지부(51) 및 제2 지지부(52)는 교대로 승강되어, 기판(S)을 교대로 지지한다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는 동일한 지지부에 의해 기판(S)이 장시간 지지되는 것을 억제하여, 핀이 접촉하는 부분과, 다른 부분 사이에 온도차가 생기는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는 예컨대 포토레지스트막의 건조 상태에 얼룩이 생기는 것을 억제할 수 있다.
또한, 이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 실시형태는 첨부된 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (6)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 수용하며, 내부를 감압 분위기로 유지 가능한 챔버와,
    상기 챔버 내에 가스를 공급하는 복수의 급기부와,
    상기 복수의 급기부에 있어서의 상기 가스의 공급을 각각 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 챔버 내를 상압(常壓)으로 되돌리는 경우에, 상기 복수의 급기부 중 하나 이상의 급기부로부터 상기 가스의 공급을 개시한 후에, 상기 가스를 공급하는 상기 급기부의 수를 증가시키는 것인 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 급기부는, 직사각형의 각 변을 따라 배치되고,
    상기 제어부는, 상기 챔버 내를 상기 상압으로 되돌리는 경우에, 상기 직사각형의 2변 또는 3변에 위치하는 상기 급기부로부터 상기 가스의 공급을 개시한 후에, 상기 가스를 공급하는 상기 급기부의 수를 증가시키는 것인 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 챔버 내를 상기 상압으로 되돌리는 경우에, L자형으로 배치된 2개의 상기 급기부로부터 상기 가스의 공급을 개시한 후에, 상기 가스를 공급하는 상기 급기부의 수를 증가시키는 것인 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 급기부는, 복수의 급기구를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 복수의 급기구 중, 제1 급기구에 있어서의 상기 가스의 공급과 제2 급기구에 있어서의 상기 가스의 공급을 각각 제어하는 것인 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    미리 정해진 방향으로 배열되어 배치되며, 상기 챔버 내에서 상기 기판을 지지하는 제1 지지부와,
    상기 제1 지지부 사이에 배치되며, 상기 챔버 내에서 상기 기판을 지지하는 제2 지지부를 구비하고,
    상기 제1 지지부 및 상기 제2 지지부는, 교대로 승강되어, 상기 기판을 교대로 지지하는 것인 기판 처리 장치.
  6. 기판을 감압 분위기에서 수용한 챔버 내를 상압으로 되돌리는 경우에, 복수의 급기부 중 하나 이상의 상기 급기부로부터 상기 챔버 내에 가스의 공급을 개시하는 공정과,
    상기 가스의 공급이 개시된 후에, 상기 가스를 공급하는 상기 급기부의 수를 증가시키는 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
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