KR20190136942A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20190136942A
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데츠야 사다
유타카 아소우
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시키는 기술을 제공한다.
[해결수단] 실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 반송 기구와, 제1 열 처리부와, 제2 열 처리부와, 배기 기구를 포함한다. 반송 기구는, 기판을 평류(flat flowing) 반송한다. 제1 열 처리부는, 평류 반송되는 기판에 대하여 열 처리를 행한다. 제2 열 처리부는, 제1 열 처리부에 연속하여 마련되며, 제1 열 처리부에 의해 열 처리된 기판에 대하여, 제1 열 처리부보다 낮은 온도로 열 처리를 행한다. 배기 기구는, 제1 열 처리부보다 기판의 반송 방향의 상류측 및 제2 열 처리부측으로부터 제1 열 처리부 내로 공기가 흐르도록, 제1 열 처리부의 상방으로부터 배기한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는 롤러 반송 장치에 의해 평류(flat flowing) 반송되는 기판에 대하여, 프리히터부 및 메인 히터부에 의해 기판을 가열하는 것이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2011-66318호 공보
본 개시는 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시키는 기술을 제공한다.
본 개시의 일양태에 따른 기판 처리 장치는, 반송 기구와, 제1 열 처리부와, 제2 열 처리부와, 배기 기구를 포함한다. 반송 기구는, 기판을 평류 반송한다. 제1 열 처리부는, 평류 반송되는 기판에 대하여 열 처리를 행한다. 제2 열 처리부는, 제1 열 처리부에 연속하여 마련되며, 제1 열 처리부에 의해 열 처리된 기판에 대하여, 제1 열 처리부보다 낮은 온도로 열 처리를 행한다. 배기 기구는, 제1 열 처리부보다 기판의 반송 방향의 상류측 및 제2 열 처리부측으로부터 제1 열 처리부 내로 공기가 흐르도록, 제1 열 처리부의 상방으로부터 배기한다.
본 개시에 따르면, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는 실시형태에 따른 롤러 반송 장치에 의한 기판 반송을 나타내는 모식도이다.
도 3은 실시형태에 따른 제2 가열 유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 4는 실시형태에 따른 제1 배기구 및 제2 배기구의 배치를 나타내는 모식도이다.
도 5는 실시형태에 따른 제2 가열 유닛에서의 공기의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 6은 비교예에 따른 제2 가열 유닛에서의 공기의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 7은 실시형태에 따른 제2 가열 유닛 및 비교예에 따른 제2 가열 유닛에서의 기판의 온도를 나타내는 도면이다.
도 8은 실시형태에 따른 제2 가열 유닛 및 비교예에 따른 제2 가열 유닛에서의 기판의 온도차를 나타내는 도면이다.
도 9는 실시형태에 따른 배기 처리에서의 챔버 내의 분위기 온도의 변화를 나타내는 도면이다.
도 10은 실시형태의 변형예에 따른 제2 가열 유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 11은 실시형태의 변형예에 따른 제2 가열 유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 개시되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것이 아니다.
<전체 구성>
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해서 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
기판 처리 장치(1)는, 카세트 스테이션(2)과, 제1 처리 스테이션(3)과, 인터페이스 스테이션(4)과, 제2 처리 스테이션(5)과, 제어 장치(6)를 포함한다.
카세트 스테이션(2)에는, 복수의 유리 기판(S)(이하, 「기판(S)」이라고 칭함)을 수용하는 카세트(C)가 배치된다. 카세트 스테이션(2)은, 복수의 카세트(C)를 배치 가능한 배치대(10)와, 카세트(C)와 제1 처리 스테이션(3) 사이 및 제2 처리 스테이션(5)과 카세트(C) 사이에서 기판(S)의 반송을 행하는 반송 장치(11)를 포함한다.
반송 장치(11)는, 반송 아암(11a)을 포함한다. 반송 아암(11a)은, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제1 처리 스테이션(3)은, 기판(S)에 포토 레지스트의 도포를 포함하는 처리를 행한다. 제1 처리 스테이션(3)은, 엑시머 UV 조사 유닛(e-UV)(20)과, 스크럽 세정 유닛(SCR)(21)과, 프리히트 유닛(PH)(22)과, 애드히젼 유닛(AD)(23)과, 제1 냉각 유닛(COL)(24)을 포함한다. 이들 유닛(20∼24)은, 카세트 스테이션(2)으로부터 인터페이스 스테이션(4)을 향하는 방향으로, 배치된다. 구체적으로는, 엑시머 UV 조사 유닛(20), 스크럽 세정 유닛(21), 프리히트 유닛(22), 애드히젼 유닛(23) 및 제1 냉각 유닛(24)의 순서로 배치된다.
또한, 제1 처리 스테이션(3)은, 포토 레지스트 도포 유닛(CT)(25)과, 감압 건조 유닛(DP)(26)과, 제1 가열 유닛(HT)(27)과, 제2 냉각 유닛(COL)(28)을 포함한다. 이들 유닛(25∼28)은, 제1 냉각 유닛(24)으로부터 인터페이스 스테이션(4)을 향하는 방향으로, 포토 레지스트 도포 유닛(25), 감압 건조 유닛(26), 제1 가열 유닛(27), 제2 냉각 유닛(28)의 순서로 배치된다. 또한, 제1 처리 스테이션(3)은, 롤러 반송 장치(도 2 참조)(29)와, 반송 장치(30)를 포함한다.
엑시머 UV 조사 유닛(20)은, 자외역광(紫外域光)을 발하는 자외역광 램프로부터 기판(S)에 대하여 자외역광을 조사하여, 기판(S) 상에 부착된 유기물을 제거한다.
스크럽 세정 유닛(21)은, 유기물이 제거된 기판(S)에, 세정액[예컨대, 탈이온수(DIW)]을 공급하면서, 브러시 등의 세정 부재에 의해 기판(S)의 표면을 세정한다. 또한 스크럽 세정 유닛(21)은, 블로워 등에 의해 세정한 기판(S)을 건조시킨다.
프리히트 유닛(22)은, 스크럽 세정 유닛(21)에 의해 건조된 기판(S)을 더욱 가열하여, 기판(S)을 더욱 건조시킨다.
애드히젼 유닛(23)은, 건조된 기판(S)에 헥사메틸디실란(HMDS)을 분무하여, 기판(S)에 소수화 처리를 행한다.
제1 냉각 유닛(24)은, 소수화 처리가 행해진 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.
포토 레지스트 도포 유닛(25)은, 냉각된 기판(S) 상에 포토 레지스트액을 공급하여, 기판(S) 상에 포토 레지스트막을 형성한다.
감압 건조 유닛(26)은, 기판(S) 상에 형성된 포토 레지스트막을 감압 분위기 하에서 건조시킨다.
제1 가열 유닛(27)은, 포토 레지스트막이 건조된 기판(S)을 가열하여, 포토 레지스트막에 포함되는 용제 등을 제거한다.
제2 냉각 유닛(28)은, 용제 등을 제거한 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.
여기서, 롤러 반송 장치(29)에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 롤러 반송 장치(29)에 의한 기판 반송을 나타내는 모식도이다.
롤러 반송 장치(29)는, 복수의 롤러(29a)와, 복수의 구동 장치(29b)를 포함한다. 롤러 반송 장치(29)는, 구동 장치(29b)에 의해 롤러(29a)를 회전시켜, 롤러(29a)의 회전에 따라 기판(S)을 반송한다. 즉, 롤러 반송 장치(29)는, 기판(S)을 평류 반송한다. 구동 장치(29b)는, 예컨대, 전동 모터이다.
롤러 반송 장치(29)는, 도 1에서 화살표(L)로 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 엑시머 UV 조사 유닛(20)으로부터 제1 냉각 유닛(24)까지 반송한다. 또한, 롤러 반송 장치(29)는, 도 1에서 화살표(M)로 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 제1 가열 유닛(27)으로부터 제2 냉각 유닛(28)까지 반송한다.
도 1로 되돌아가서, 반송 장치(30)는, 반송 아암(30a)을 포함한다. 반송 아암(30a)은, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
반송 장치(30)는, 제1 냉각 유닛(24)으로부터 포토 레지스트 도포 유닛(25)에 기판(S)을 반송한다. 반송 장치(30)는, 포토 레지스트 도포 유닛(25)으로부터 감압 건조 유닛(26)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송 장치(30)는, 감압 건조 유닛(26)으로부터 제1 가열 유닛(27)에 기판(S)의 반송을 행한다. 반송 장치(30)는, 복수의 반송 아암을 포함하여도 좋고, 각 유닛 사이에서의 기판(S)의 반송을 상이한 반송 아암으로 행하여도 좋다.
인터페이스 스테이션(4)에서는, 제1 처리 스테이션(3)에 의해 포토 레지스트막이 형성된 기판(S)이 외부 노광 장치(8) 및 제2 처리 스테이션(5)에 반송된다. 인터페이스 스테이션(4)은, 반송 장치(31)와, 로터리 스테이지(RS)(32)를 포함한다.
외부 노광 장치(8)는, 외부 장치 블록(8A)과, 노광 장치(8B)를 포함한다. 외부 장치 블록(8A)은, 기판(S)의 외주부의 포토 레지스트막을 주변 노광 장치(EE)에 의해 제거한다. 또한, 외부 장치 블록(8A)은, 노광 장치(8B)로 회로 패턴으로 노광된 기판(S)에 타이틀러(TITLER)에 의해 정해진 정보를 기록한다.
노광 장치(8B)는, 회로 패턴에 대응한 패턴을 갖는 포토 마스크를 이용하여 포토 레지스트막을 노광한다.
반송 장치(31)는, 반송 아암(31a)을 포함한다. 반송 아암(31a)은, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
반송 장치(31)는, 제2 냉각 유닛(28)으로부터 로터리 스테이지(32)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송 장치(31)는, 로터리 스테이지(32)로부터 외부 장치 블록(8A)의 주변 노광 장치에 기판(S)을 반송하고, 외주부의 포토 레지스트막이 제거된 기판(S)을 노광 장치(8B)에 반송한다.
또한, 반송 장치(31)는, 회로 패턴으로 노광된 기판(S)을 노광 장치(8B)로부터 외부 장치 블록(8A)의 타이틀러에 반송한다. 그리고, 반송 장치(31)는, 정해진 정보가 기록된 기판(S)을 타이틀러로부터 제2 처리 스테이션(5)의 현상 유닛(DEV)(40)에 반송한다.
제2 처리 스테이션(5)은, 현상을 포함하는 처리를 행한다. 제2 처리 스테이션(5)은, 현상 유닛(40)과, 제2 가열 유닛(HT)(41)과, 제3 냉각 유닛(COL)(42)과, 검사 유닛(IP)(43)과, 롤러 반송 장치(44)(도 2 참조)를 포함한다. 이들 유닛(40∼43)은, 인터페이스 스테이션(4)으로부터 카세트 스테이션(2)을 향하는 방향으로, 현상 유닛(40), 제2 가열 유닛(41), 제3 냉각 유닛(42) 및 검사 유닛(43)의 순서로 배치된다.
현상 유닛(40)은, 노광된 포토 레지스트막을 현상액에 의해 현상한다. 또한, 현상 유닛(40)은, 포토 레지스트막을 현상한 기판(S) 상의 현상액을 린스액에 의해 씻어내고, 린스액을 건조시킨다.
제2 가열 유닛(41)은, 린스액이 건조된 기판(S)을 가열하여, 포토 레지스트막에 남는 용제 및 린스액을 제거한다. 제2 가열 유닛(41)의 구성에 대해서는, 후술한다.
제3 냉각 유닛(42)은, 용제 및 린스액이 제거된 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.
검사 유닛(43)은, 냉각된 기판(S)에 대하여, 포토 레지스트 패턴(라인)의 한계 치수(CD)의 측정 등의 검사를 행한다.
검사 유닛(43)에 의해 검사가 행해진 기판(S)은, 반송 장치(11)의 반송 아암(11a)에 의해 제2 처리 스테이션(5)으로부터 카세트 스테이션(2)의 카세트(C)에 반송된다.
롤러 반송 장치(44)의 구성은, 제1 처리 스테이션(3)에서의 롤러 반송 장치(29)와 동일한 구성이며, 여기서의 설명은 생략한다. 롤러 반송 장치(44)는, 화살표(N)로 나타내는 바와 같이, 현상 유닛(40)으로부터 검사 유닛(43)까지 기판(S)을 반송한다. 즉, 롤러 반송 장치(44)는, 기판(S)을 평류 반송한다.
제어 장치(6)는, 예컨대, 컴퓨터이며, 제어부(6A)와 기억부(6B)를 포함한다. 기억부(6B)는, 예컨대, RAM(Random Access Memory), 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다.
제어부(6A)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM, 입출력 포트 등을 포함하는 마이크로 컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 마이크로 컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 읽어내어 실행함으로써, 각 스테이션(2∼5)의 제어를 실현한다.
또한, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있고, 기억 매체로부터 제어 장치(6)의 기억부(6B)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
<제2 가열 유닛>
다음에, 제2 가열 유닛(41)에 대해서, 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 실시형태에 따른 제2 가열 유닛(41)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 이하에서는, 기판(S)의 반송 방향에 대하여 직교하는 기판(S)의 면 방향을, 폭 방향으로 하여 설명한다. 또한, 폭 방향은, 롤러 반송 장치(44)의 롤러(44a)의 회전축에 대하여 평행하다.
제2 가열 유닛(41)은, 제1 열 처리부(50)와, 제2 열 처리부(51)와, 배기 기구(52)를 포함한다. 제1 열 처리부(50)와 제2 열 처리부(51)는 연속하여 마련된다. 구체적으로는, 기판(S)의 반송 방향에서의 상류측, 즉 현상 유닛(40)(도 1 참조)측에 제1 열 처리부(50)가 마련되고, 기판(S)의 반송 방향에서의 하류측, 즉 제3 냉각 유닛(42)(도 1 참조)측에 제2 열 처리부(51)가 마련된다.
제1 열 처리부(50)는, 평류 반송되는 기판(S)에 대하여 열 처리를 행한다. 제1 열 처리부(50)는, 챔버(60)와, 복수의 제1 히터부(61)와, 복수의 제2 히터부(62)를 포함한다.
챔버(60)는, 롤러 반송 장치(44)의 일부, 제1 히터부(61) 및 제2 히터부(62)를 수용하며, 기판(S)의 반송 방향을 따라 연장 설치된다.
챔버(60)에는, 기판(S)의 반송 방향에서의 상류측, 구체적으로는, 현상 유닛(40)측에 반입구(60a)가 형성되고, 현상 유닛(40)측에 마련된 도입부(53)를 통해 반입구(60a)로부터 기판(S)이 반입된다. 반입구(60a)에는, 제1 열 처리부(50) 내에의 공기의 흐름을 정돈하는 정류판(54)이 마련된다.
도입부(53)의 상면에는, FFU(Fan Filter Unit)(55)가 마련된다. FFU(55)는, 필터에 의해 정화한 공기를 하방을 향하여 분출한다. FFU(55)에 의해 분출된 공기는, 기판(S)의 반송 방향을 따라 챔버(60) 내에 유입한다. 즉, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 반송 방향에서 제1 열 처리부(50)보다 상류측에 마련되며, 제1 열 처리부(50)에 송풍하는 FFU(55)(상류측 송풍부의 일례)를 포함한다. 또한, FFU(55)는, 폭 방향으로 배열되며, 복수 마련되어도 좋다.
또한, 챔버(60)에는, 기판(S)의 반송 방향에서의 하류측, 구체적으로는, 제2 열 처리부(51)측에 반출구(60b)가 형성되고, 열 처리된 기판(S)이 반출구(60b)로부터 반출된다. 또한, 챔버(60)의 상면에는, 복수의 제1 배기구(60c∼60e)와, 복수의 제2 배기구(60f∼60h)가 형성된다.
제1 배기구(60c∼60e)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 폭 방향을 따라 연장되는 슬릿형으로 형성되고, 폭 방향으로 배열되어 형성된다. 도 4는 실시형태에 따른 제1 배기구(60c∼60e) 및 제2 배기구(60f∼60h)의 배치를 나타내는 모식도이다. 도 4에서는, 제1 열 처리부(50)의 일부를 생략한다.
제2 배기구(60f∼60h)는, 폭 방향을 따라 연장되는 슬릿형으로 형성되고, 폭 방향으로 배열되어 형성된다. 제2 배기구(60f∼60h)는, 제1 배기구(60c∼60e)보다 기판(S)의 반송 방향에서의 하류측에 형성된다. 또한, 제2 배기구(60f∼60h)는, 챔버(60)의 반출구(60b)(도 3 참조)보다 정해진 거리, 상류측에 형성된다. 정해진 거리는, 미리 설정된 거리이다. 정해진 거리는, 배기 기구(52)에 의해 배기를 행하는 경우에, 제2 열 처리부(51)로부터 제1 열 처리부(50) 내에 공기를 유입시켜, 기판(S)의 후단의 온도가 지나치게 상승하는 것을 억제하도록 설정된다.
또한, 여기서는, 3개의 제1 배기구(60c∼60e) 및 3개의 제2 배기구(60f∼60h)가 폭 방향으로 배열된 일례를 나타내지만, 제1 배기구(60c∼60e) 및 제2 배기구(60f∼60h)의 수는, 이에 한정되는 일은 없다. 제1 배기구(60c∼60e) 및 제2 배기구(60f∼60h)의 수는, 하나여도 좋고, 복수여도 좋다.
도 3으로 되돌아가서, 제1 히터부(61)는, 인접하는 롤러(44a) 사이에 마련되고, 폭 방향을 따라 연장 설치된다. 제1 히터부(61)는, 스트립(短冊) 형상의 전기 히터이며, 하방측으로부터 기판(S)을 가열한다.
제2 히터부(62)는, 챔버(60)의 상면에 부착된다. 제2 히터부(62)는, 기판(S)의 반송 방향을 따라 배열되어 마련되고, 폭 방향을 따라 연장 설치된다. 제2 히터부(62)는, 스트립 형상의 전기 히터이며, 상방측으로부터 기판(S)을 가열한다.
제1 히터부(61) 및 제2 히터부(62)는, 기판(S)의 온도가 제1 정해진 온도가 되도록 전류 제어된다. 제1 정해진 온도는, 미리 설정된 온도이다.
제2 열 처리부(51)는, 제1 열 처리부(50)보다 하류측에서, 제1 열 처리부(50)에 연속하여 마련되며, 제1 열 처리부(50)에 의해 열 처리된 기판(S)에 대하여, 제1 열 처리부(50)보다 낮은 온도로 열 처리를 행한다. 제2 열 처리부(51)는, 챔버(65)와, 복수의 제1 히터부(66)와, 복수의 제2 히터부(67)를 포함한다.
챔버(65)는, 롤러 반송 장치(44)의 일부, 제1 히터부(66) 및 제2 히터부(67)를 수용하며, 기판(S)의 반송 방향을 따라 연장 설치된다.
챔버(65)에는, 기판(S)의 반송 방향에서의 상류측, 구체적으로는, 제1 열 처리부(50)측에 반입구(65a)가 형성되고, 반입구(65a)로부터 기판(S)이 반입된다. 또한, 챔버(65)에는, 기판(S)의 반송 방향에서의 하류측, 구체적으로는, 제3 냉각 유닛(42)측에 반출구(65b)가 형성되고, 열 처리된 기판(S)이 반출구(65b)로부터 반출된다. 또한, 챔버(65)의 상면에는, 복수의 제1 배기구(65c∼65e)와, 복수의 제2 배기구(65f∼65h)가 형성된다.
제1 배기구(65c∼65e) 및 제2 배기구(65f∼65h)는, 제1 열 처리부(50)의 제1 배기구(60c∼60e) 및 제2 배기구(60f∼60h)와 마찬가지로, 폭 방향을 따라 연장되는 슬릿형으로 형성되고, 폭 방향으로 배열되어 형성된다.
제1 히터부(66) 및 제2 히터부(67)의 구성은, 제1 열 처리부(50)의 제1 히터부(61) 및 제2 히터부(62)와 동일한 구성이며, 여기서의 설명은 생략한다.
또한, 제1 히터부(66) 및 제2 히터부(67)는, 기판(S)의 온도가 제2 정해진 온도가 되도록, 전류 제어된다. 제2 정해진 온도는, 미리 설정된 온도이며, 제1 정해진 온도보다 낮은 온도이다.
배기 기구(52)는, 제1 배기 기구(70)와, 제2 배기 기구(71)를 포함한다. 제1 배기 기구(70)는, 배기 장치(75)와, 배기로(76)를 포함한다. 배기 장치(75)는, 제1 배기구(60c∼60e), 제2 배기구(60f∼60h) 및 배기로(76)를 통해, 제1 열 처리부(50)의 챔버(60)로부터 배기를 행한다. 즉, 제1 배기 기구(70)는, 기판(S)의 상방으로부터 배기를 행한다.
배기로(76)는, 제1 배기로(76a∼76c) 및 제2 배기로(76d∼76f)로 분기된다. 제1 배기로(76a∼76c)는, 제1 열 처리부(50)의 챔버(60)에 형성된 제1 배기구(60c∼60e)에 접속한다. 제1 배기로(76a∼76c)는, 제1 배기구(60c∼60e)의 수에 대응하여 형성된다. 구체적으로는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1 배기로(76a)는, 폭 방향에서 단부에 형성된 제1 배기구(60c)에 접속한다. 제1 배기로(76b)는, 폭 방향에서 중앙에 형성된 제1 배기구(60d)에 접속한다. 제1 배기로(76c)는, 폭 방향에서 단부에 형성된 제1 배기구(60e)에 접속한다.
제1 배기로(76a)에는, 유량 조정 밸브(77a)가 마련된다. 제1 배기로(76b)에는, 유량 조정 밸브(77b)가 마련된다. 제1 배기로(76c)에는, 유량 조정 밸브(77c)가 마련된다. 제1 배기 기구(70)는, 각 유량 조정 밸브(77a∼77c)의 개방도가 조정됨으로써, 각 제1 배기로(76a∼76c)에서의 단위 시간당의 배기량(이하, 「배기량」이라고 칭함)을 조정 가능하다. 즉, 제1 배기 기구(70)는, 폭 방향에서의 배기량을 제어할 수 있다.
제2 배기로(76d∼76f)는, 제1 열 처리부(50)의 챔버(60)에 형성된 제2 배기구(60f∼60h)에 접속한다. 제2 배기로(76d∼76f)는, 제2 배기구(60f∼60h)의 수에 대응하여 형성된다. 구체적으로는, 제2 배기로(76d)는, 폭 방향에서 단부에 형성된 제2 배기구(60f)에 접속한다. 제2 배기로(76e)는, 폭 방향에서 중앙에 형성된 제2 배기구(60g)에 접속한다. 제2 배기로(76f)는, 폭 방향에서 단부에 형성된 제2 배기구(60h)에 접속한다.
제2 배기로(76d)에는, 유량 조정 밸브(77d)가 마련된다. 제2 배기로(76e)에는, 유량 조정 밸브(77e)가 마련된다. 제2 배기로(76f)에는, 유량 조정 밸브(77f)가 마련된다. 제1 배기 기구(70)는, 각 유량 조정 밸브(77d∼77f)의 개방도가 조정됨으로써, 각 제2 배기로(76d∼76f)에서의 배기량을 조정 가능하다. 즉, 제1 배기 기구(70)는, 폭 방향에서의 배기량을 제어한다.
도 3으로 되돌아가서, 제2 배기 기구(71)는, 배기 장치(80)와, 배기로(81)를 포함한다. 배기 장치(80)는, 제1 배기구(65c∼65e), 제2 배기구(65f∼65h) 및 배기로(81)를 통해, 제2 열 처리부(51)의 챔버(65)로부터 배기를 행한다. 즉, 제2 배기 기구(71)는, 기판(S)의 상방으로부터 배기를 행한다.
배기로(81)는, 제1 배기로(81a∼81c) 및 제2 배기로(81d∼81f)로 분기된다. 제1 배기로(81a∼81c)는, 제2 열 처리부(51)의 챔버(65)에 형성된 제1 배기구(65c∼65e)에 접속한다. 제1 배기로(81a∼81c)는, 제1 배기 기구(70)의 제1 배기로(76a∼76c)와 마찬가지로, 제1 배기구(65c∼65e)의 수에 대응하여 형성되며, 대응하는 제1 배기구(65c∼65e)에 접속한다.
또한, 제1 배기로(81a∼81c)에는, 제1 배기 기구(70)의 제1 배기로(76a∼76c)와 마찬가지로, 유량 조정 밸브(82a∼82c)가 마련된다. 제2 배기 기구(71)는, 각 유량 조정 밸브(82a∼82c)의 개방도가 조정됨으로써, 각 제1 배기로(81a∼81c)에서의 배기량을 조정 가능하다.
제2 배기로(81d∼81f)는, 제2 열 처리부(51)의 챔버(65)에 형성된 제2 배기구(65f∼65h)에 접속한다. 제2 배기로(81d∼81f)는, 제1 배기 기구(70)의 제2 배기로(76d∼76f)와 마찬가지로, 제2 배기구(65f∼65h)의 수에 대응하여 형성되며, 대응하는 제2 배기구(65f∼65h)에 접속한다.
또한, 제2 배기로(81d∼81f)에는, 제1 배기 기구(70)의 제2 배기로(76d∼76f)와 마찬가지로, 유량 조정 밸브(82d∼82f)가 마련된다. 제2 배기 기구(71)는, 각 유량 조정 밸브(82d∼82f)의 개방도가 조정됨으로써, 각 제2 배기로(81d∼81f)에서의 배기량을 조정 가능하다.
배기 기구(52)는, 제1 배기 기구(70)에 의한 배기량을, 제2 배기 기구(71)에 의한 배기량보다 많게 한다. 즉, 배기 기구(52)는, 제1 열 처리부(50)에서의 배기량을, 제2 열 처리부(51)에서의 배기량보다 많게 한다.
<배기 처리>
다음에, 제2 가열 유닛(41)에서의 배기 처리에 대해서 설명한다.
제2 가열 유닛(41)의 배기 기구(52)는, 제1 열 처리부(50)에서의 배기량을 제2 열 처리부(51)에서의 배기량보다 많게 한다. 예컨대, 제2 가열 유닛(41)은, 배기 기구(52)에 의한 총배기량에 대하여, 제1 배기 기구(70)에 의한 배기량의 비율을 8할로 하고, 제2 배기 기구(71)에 의한 배기량의 비율을 2할로 한다. 이에 의해, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제1 열 처리부(50)의 챔버(60) 내의 분위기 온도보다 온도가 낮은 공기가, 제2 열 처리부(51)로부터 제1 열 처리부(50)에 흐른다. 도 5는 실시형태에 따른 제2 가열 유닛(41)에서의 공기의 흐름을 나타내는 도면이다.
즉, 배기 기구(52)는, 제1 열 처리부(50)보다 기판(S)의 반송 방향의 상류측 및 제2 열 처리부(51)측으로부터 제1 열 처리부(50) 내로 공기가 흐르도록, 제1 열 처리부(50)의 상방으로부터 배기한다.
제1 열 처리부(50) 및 제2 열 처리부(51)에서의 배기량을 같게 한 비교예에서는, FFU(55)에 의한 공기의 흐름에 의해, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 열 처리부(50)측으로부터 제2 열 처리부(51)로 공기가 흐른다. 즉, 비교예에 따른 제2 가열 유닛(41)에서는, 제2 열 처리부(51)측으로부터 제1 열 처리부(50)에 공기가 유입하지 않는다. 도 6은 비교예에 따른 제2 가열 유닛(41)에서의 공기의 흐름을 나타내는 도면이다.
그 때문에, 기판(S)의 후단은, 온도가 높은 공기를 계속해서 맞아, 도 7에서 파선으로 나타내는 바와 같이, 기판(S)의 후단의 온도가 높아진다. 도 7은 실시형태에 따른 제2 가열 유닛(41) 및 비교예에 따른 제2 가열 유닛(41)에서의 기판(S)의 온도를 나타내는 도면이다. 또한, 도 7은 제1 열 처리부(50)와 제2 열 처리부(51)의 경계에서의 기판(S)의 온도를 나타내는 도면이다.
비교예에 따른 제2 가열 유닛(41)에서는, 기판(S)의 후단의 온도가 높아지기 때문에, 기판(S)에서의 온도차(T1)가 커진다.
이에 대하여, 실시형태에 따른 제2 가열 유닛(41)에서는, 제1 열 처리부(50)의 챔버(60) 내의 분위기 온도보다 온도가 낮은 공기가 제2 열 처리부(51)로부터 제1 열 처리부(50)에 흐른다. 그 때문에, 도 7에서 실선으로 나타내는 바와 같이, 기판(S)의 후단의 온도가, 비교예에 따른 기판(S)의 후단의 온도보다 낮아진다. 따라서, 기판(S)에서의 온도차(T2)가 비교예에 따른 기판(S)에서의 온도차(T1)보다 작아진다.
따라서, 실시형태에 따른 제2 가열 유닛(41)에서는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제2 열 처리부(51)에서의 기판(S)의 온도차가, 비교예에 따른 제2 가열 유닛(41)의 제2 열 처리부(51)에서의 기판(S)의 온도차보다 작아진다. 도 8은 실시형태에 따른 제2 가열 유닛(41) 및 비교예에 따른 제2 가열 유닛에서의 기판(S)의 온도차를 나타내는 도면이다. 도 8은 반입구(65a) 부근인 상류, 기판(S)의 반송 방향에서의 중앙 부근인 중앙, 반출구(65b) 부근인 하류에서 기판(S)의 온도차를 계측하고, 계측한 온도차에 기초한 작성된 도면이다. 도 8에서는, 실시형태에 따른 제2 가열 유닛(41)에서의 온도차를 실선으로 나타내고, 비교예에 따른 제2 가열 유닛(41)에서의 온도차를 파선으로 나타낸다.
이와 같이, 실시형태에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 제2 가열 유닛(41)에서는, 기판(S)의 반송이 개시되기 전에, 각 히터부(61, 62, 66, 67)를 ON으로 하여, 배기 기구(52)에 의해 배기를 개시한다. 즉, 배기 기구(52)는, 기판(S)이 제1 열 처리부(50)에 반송되지 않은 대기 시에 배기를 행한다. 구체적으로는, 제2 가열 유닛(41)은, 기판(S)에 대하여 열 처리를 행하고 있는 경우와 동등한 배기를 대기 시에 행한다.
이에 의해, 예컨대, 제1 열 처리부(50)의 챔버(60)는, 대기 시라도 기판(S)에 대한 열 처리를 행하고 있는 상태에 가까운 상태로 유지된다.
그 때문에, 도 9에 나타내는 바와 같이, 시간(t0)에서 기판(S)의 반송이 개시되고, 기판(S)이 연속하여 열 처리되는 경우에, 챔버(60) 내의 분위기 온도가 저하하는 것을 억제할 수 있다. 도 9는 실시형태에 따른 챔버(60) 내의 분위기 온도의 변화를 나타내는 도면이다. 도 9에서는, 기판(S)의 반송이 개시되는 시간(t0)에서 배기 기구(52)에 의한 배기를 개시한 분위기 온도의 변화를 파선으로 나타낸다.
이와 같이, 제2 가열 유닛(41)은, 기판(S)이 연속 반송된 경우에, 기판(S)에 대한 처리 온도의 변화를 억제할 수 있어, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
제2 가열 유닛(41)에서는, 폭 방향의 중앙측에서의 공기의 흐름이, 폭 방향의 단부측에서의 공기가 흐름보다 빨라진다.
그래서, 제2 가열 유닛(41)의 배기 기구(52)는, 폭 방향에서 단부에 위치하는 제1 배기구(60c, 60e)로부터의 배기량을, 폭 방향에서 중앙에 위치하는 제1 배기구(60d)로부터의 배기량보다 많게 한다. 또한, 제2 가열 유닛(41)은, 폭 방향에서 단부에 위치하는 제2 배기구(60f, 60h)로부터의 배기량을, 폭 방향에서 중앙에 위치하는 제2 배기구(60g)로부터의 배기량보다 많게 한다.
즉, 제2 가열 유닛(41)의 배기 기구(52)는, 기판(S)의 반송 방향에 대하여 직교하는 기판(S)의 면 방향(폭 방향의 일례)을 따라 마련된 복수의 제1 배기구(60c∼60e) 및 복수의 제2 배기구(60f∼60h)를 통해 배기한다. 또한, 제2 가열 유닛(41)의 배기 기구(52)는, 기판(S)의 반송 방향에 대하여 직교하는 기판(S)의 면 방향에서 단부측에 마련된 제1 배기구(60c, 60e)로부터의 배기량을, 면 방향에서 중앙측에 마련된 제1 배기구(60d)로부터의 배기량보다 많게 한다. 또한, 제2 가열 유닛(41)의 배기 기구(52)는, 기판(S)의 반송 방향에 대하여 직교하는 기판(S)의 면 방향에서 단부측에 마련된 제2 배기구(60f, 60h)로부터의 배기량을, 면 방향에서 중앙측에 마련된 제2 배기구(60g)로부터의 배기량보다 많게 한다.
이에 의해, 제2 가열 유닛(41)은, 폭 방향에서의 기판(S)의 온도차를 작게 할 수 있어, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
<변형예>
다음에, 본 실시형태의 변형예에 대해서 설명한다.
변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)의 제1 배기 기구(70)는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 기판(S)의 반송 방향에서의 제1 열 처리부(50)의 중앙 부근에 배기구(90a∼90c)가 형성된다. 도 10은 실시형태의 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 즉, 변형예에 따른 제1 배기 기구(70)는, 기판(S)의 반송 방향에서의 제1 열 처리부(50)의 대략 중앙으로부터 배기한다. 이에 의해, 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 부품 개수를 적게 하면서, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제2 열 처리부(51)의 하류측에 FFU(91)를 마련한다. 도 11은 실시형태의 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 즉, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 반송 방향에서 제2 열 처리부(51)보다 하류측에 마련되고, 제2 열 처리부(51)에 송풍하는 FFU(91)(하류측 송풍부의 일례)를 포함한다. 이에 의해, 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, FFU(91)에 의해 제2 열 처리부(51)측으로부터 제1 열 처리부(50)에 온도가 낮은 공기를 흐르게 할 수 있어, 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 배기구의 크기를 변경함으로써, 각 배기구에서의 배기량을 조정하여도 좋다. 예컨대, 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 폭 방향에서 단부측의 제1 배기구(60c, 60e)의 크기를, 중앙측의 제1 배기구(60d)의 크기보다 크게 한다. 이에 의해, 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 폭 방향에서의 배기량을 조정하여, 폭 방향에서의 기판(S)의 온도차를 작게 하여, 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 정류판(54)에 의해 폭 방향에서의 공기의 흐름을 조정하여도 좋다. 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 정류판(54)의 높이나, 형상을 변경함으로써, 폭 방향에서의 공기의 흐름을 조정한다. 예컨대, 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 폭 방향에서 중앙측의 정류판(54)의 높이를 단부측의 정류판(54)의 높이보다 낮게 한다. 이에 의해, 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 폭 방향에서의 배기량을 조정하여, 폭 방향에서의 기판(S)의 온도차를 작게 하여, 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 폭 방향에서의 온도를 변경 가능한 제1 히터부(61, 66) 및 제2 히터부(62, 67)를 포함한다. 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 폭 방향에서의 제1 히터부(61, 66) 및 제2 히터부(62, 67)의 온도를 제어한다. 이에 의해, 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 폭 방향에서의 기판(S)의 온도차를 작게 하여, 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 제2 열 처리부(51)로부터 배기를 행하지 않고, 제1 열 처리부(50)로부터 배기를 행한다. 즉, 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)은, 배기 기구(52)로서, 제1 배기 기구(70)만을 포함한다.
또한, 상기 실시형태 및 변형예에 따른 제2 가열 유닛(41)의 구성을 조합하여도 좋다. 또한, 상기 실시형태 및 변형예에 따른 배기 기구(52)는, 제1 가열 유닛(27)에 마련되어도 좋다.
<효과>
기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 평류 반송하는 반송 기구[롤러 반송 장치(44)의 일례]와, 평류 반송되는 기판(S)에 대하여 열 처리를 행하는 제1 열 처리부(50)와, 제1 열 처리부(50)에 연속하여 마련되고, 제1 열 처리부(50)에 의해 열 처리된 기판(S)에 대하여, 제1 열 처리부(50)보다 낮은 온도로 열 처리를 행하는 제2 열 처리부(51)와, 제1 열 처리부(50)보다 기판(S)의 반송 방향의 상류측 및 제2 열 처리부(51)측으로부터 제1 열 처리부(50) 내로 공기가 흐르도록, 제1 열 처리부(50)의 상방으로부터 배기하는 배기 기구(52)를 포함한다.
바꾸어 말하면, 기판 처리 방법은, 기판(S)을 평류 반송하는 공정과, 평류 반송되는 기판(S)에 대하여 제1 열 처리부(50)에 의해 열 처리를 행하는 공정과, 기판(S)의 반송 방향에서 제1 열 처리부(50)의 하류측에 연속하여 마련된 제2 열 처리부(51)측 및 제1 열 처리부(50)보다 반송 방향의 상류측으로부터 제1 열 처리부(50) 내로 공기가 흐르도록, 제1 열 처리부(50)의 상방으로부터 배기하는 공정을 갖는다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 후단의 온도 상승을 억제하여, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
배기 기구(52)는, 제1 열 처리부(50)에서의 배기량을 제2 열 처리부(51)에서의 배기량보다 많게 한다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제2 열 처리부(51)측으로부터 제1 열 처리부(50)로 온도가 낮은 공기를 흐르게 할 수 있어, 기판(S)의 후단의 온도 상승을 억제하여, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
배기 기구(52)는, 반송 방향에 대하여 직교하는 기판(S)의 면 방향(폭 방향)을 따라 마련된 복수의 배기구[제1 배기구(60c∼60e), 제2 배기구(60f∼60h)의 일례]를 통해 배기하고, 면 방향에서 단부측에 마련된 배기구[제1 배기구(60c, 60e), 제2 배기구(60f, 60h)]로부터의 배기량을, 면 방향에서 중앙측에 마련된 배기구[제1 배기구(60d), 제2 배기구(60g)의 일례]로부터의 배기량보다 많게 한다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 반송 방향에 대하여 직교하는 기판(S)의 면 방향에서의 기판(S)의 온도차를 작게 하여, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
배기 기구(52)는, 반송 방향에서의 제1 열 처리부(50)의 대략 중앙으로부터 배기한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 부품 개수를 적게 하면서, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 반송 방향에서 제1 열 처리부(50)보다 상류측에 마련되고, 제1 열 처리부(50)에 송풍하는 상류측 송풍부[FFU(55)의 일례]를 포함한다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 반송 방향의 상류측으로부터 제1 열 처리부(50)에 흐르는 공기의 유량을 조정할 수 있어, 제1 열 처리부(50)의 챔버(60) 내의 분위기 온도를 조정할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킨다.
기판 처리 장치(1)는, 반송 방향에서 제2 열 처리부(51)보다 하류측에 마련되고, 제2 열 처리부(51)에 송풍하는 하류측 송풍부[FFU(91)의 일례]를 포함한다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제2 열 처리부(51)측으로부터 제1 열 처리부(50)로 온도가 낮은 공기를 흐르게 할 수 있어, 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
배기 기구(52)는, 기판(S)이 제1 열 처리부(50)에 반송되지 않은 대기 시에, 제1 열 처리부(50)로부터 배기를 행한다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 대기 시에 제1 열 처리부(50)의 온도가 높아지는 것을 억제하여, 기판(S)이 연속 반송된 경우에, 기판(S)에 대한 처리 온도의 변화를 억제할 수 있어, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 배기 기구(52)는, 대기 시에도, 제1 열 처리부(50)에서의 배기량을, 제2 열 처리부(51)에서의 배기량보다 많게 한다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 대기 시에 제1 열 처리부(50)의 온도가 높아지는 것을 억제하여, 기판(S)이 연속 반송된 경우에, 기판(S)에 대한 처리 온도의 변화를 억제할 수 있어, 열 처리에 의한 기판 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (8)

  1. 기판을 평류(flat flowing) 반송하는 반송 기구와,
    평류 반송되는 상기 기판에 대하여 열 처리를 행하는 제1 열 처리부와,
    상기 제1 열 처리부에 연속하여 마련되며, 상기 제1 열 처리부에 의해 열 처리된 상기 기판에 대하여, 상기 제1 열 처리부보다 낮은 온도로 열 처리를 하는 제2 열 처리부와,
    상기 제1 열 처리부보다 상기 기판의 반송 방향의 상류측 및 상기 제2 열 처리부측으로부터 상기 제1 열 처리부 내로 공기가 흐르도록, 상기 제1 열 처리부의 상방으로부터 배기하는 배기 기구
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 배기 기구는,
    상기 제1 열 처리부에서의 배기량을 상기 제2 열 처리부에서의 배기량보다 많게 하는 것인 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 배기 기구는,
    상기 반송 방향에 대하여 직교하는 상기 기판의 면 방향을 따라 마련된 복수의 배기구를 통해 배기하고, 상기 면 방향에서 단부측에 마련된 배기구로부터의 배기량을, 상기 면 방향에서 중앙측에 마련된 배기구로부터의 배기량보다 많게 하는 것인 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배기 기구는,
    상기 반송 방향에서의 상기 제1 열 처리부의 중앙으로부터 배기하는 것인 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송 방향에서 상기 제1 열 처리부보다 상류측에 마련되며, 상기 제1 열 처리부에 송풍하는 상류측 송풍부를 포함하는 것인 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송 방향에서 상기 제2 열 처리부보다 하류측에 마련되며, 상기 제2 열 처리부에 송풍하는 하류측 송풍부를 포함하는 것인 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배기 기구는,
    상기 기판이 상기 제1 열 처리부에 반송되지 않은 대기 시에, 상기 제1 열 처리부로부터 배기를 행하는 것인 기판 처리 장치.
  8. 기판을 평류 반송하는 공정과,
    평류 반송되는 상기 기판에 대하여 제1 열 처리부에 의해 열 처리를 행하는 공정과,
    상기 기판의 반송 방향에서 상기 제1 열 처리부의 하류측에 연속하여 마련되어 제2 열 처리부측 및 상기 제1 열 처리부보다 상기 반송 방향의 상류측으로부터 상기 제1 열 처리부 내로 공기가 흐르도록, 상기 제1 열 처리부의 상방으로부터 배기하는 공정
    을 포함하는 기판 처리 방법.
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