JP2013225681A - 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置において、処理液の乾燥時間を短縮し、且つ均一な膜厚を得ることのできる減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｇを収容し、処理空間を形成するチャンバ８５，８６と、前記被処理基板を保持する保持部８８と、前記チャンバ内に形成された排気口８９と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段９１と、前記排気手段の動作により形成される気流の上流側であって、前記基板の側方に形成された給気口９２と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する給気手段９７と、前記排気手段の排気動作により、前記基板上面を一方向に流れる気流の流路を形成する整流手段９３とを備え、前記整流手段９３が、少なくとも前記保持部に保持された被処理基板の周縁下方空間を埋める整流部材である。
【選択図】図６

Description

本発明は、フォトリソグラフィ工程において塗布膜を形成するために、処理液が塗布された被処理基板に減圧環境下で乾燥処理を施す減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法に関する。

例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）の製造においては、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成する。
前記レジスト膜の形成工程において、基板へのレジスト塗布後、減圧により塗布膜を乾燥させる減圧乾燥処理が行われる。
従来、このような減圧乾燥処理を行う装置としては、例えば図２６の断面図に示す特許文献１に開示の減圧乾燥ユニットがある。

図２６に示す減圧乾燥処理ユニットは、下部チャンバ１５１と、上部チャンバ１５２とが密着して、内部に処理空間が形成される。その処理空間には、被処理基板を載置するためのステージ１５３が設けられている。ステージ１５３には基板Ｇを載置するための複数の固定ピン１５６が設けられている。
この減圧乾燥処理ユニットにおいては、被処理面にレジスト塗布された基板Ｇが搬入されると、基板Ｇはステージ１５３上に固定ピン１５６を介して載置される。
次いで下部チャンバ１５１に上部チャンバ１５２が密着し、基板Ｇは気密状態の処理空間内に置かれた状態となる。

次いで、処理空間内の雰囲気が排気口１５４から排気され、所定の減圧雰囲気となされる。この減圧状態が所定時間、維持されることにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥が促進される。

特開２０００−１８１０７９号公報

ところで近年にあっては、ＦＰＤ等に用いられるガラス基板が大型化し、減圧乾燥処理ユニットにおいても、ガラス基板を収容するチャンバが大型化している。
このため、チャンバ内の容積が増加し、所定圧までの減圧に時間を要していた。さらには、基板上に塗布されたレジスト液の量が増えるため、基板全面にわたり均一にレジスト液が乾燥するまで長時間を要し、生産効率が低下するという課題があった。

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置において、処理液の乾燥時間を短縮し、且つ均一な膜厚を得ることのできる減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法を提供する。

前記した課題を解決するために、本発明に係る減圧乾燥装置は、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、前記チャンバ内に形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、前記チャンバ内において、前記排気手段の動作により形成される気流の上流側であって、前記基板の側方に形成された給気口と、 前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する給気手段と、前記チャンバ内に設けられ、前記排気手段の排気動作により、前記基板上面を一方向に流れる気流の流路を形成する整流手段とを備え、前記整流手段が、少なくとも前記保持部に保持された被処理基板の周縁下方空間を埋める整流部材であることに特徴を有する。
このように構成することにより、減圧乾燥処理の間、基板上面付近において、一方向に流れる気流を形成することができる。このため、基板に塗布された処理液の乾燥が促進され、より短時間に基板処理面に対し均一な乾燥処理を行うことができる。

また、前記した課題を解決するために、本発明に係る減圧乾燥方法は、前記減圧乾燥装置において、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥方法であって、前記保持部に被処理基板を保持するステップと、前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧すると共に、前記給気手段により前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップとを実行することに特徴を有する。
このような方法を実施することにより、減圧乾燥処理の間、チャンバ内の処理空間に気流を発生させることができ、基板に塗布された処理液の乾燥を促進することができる。

本発明によれば、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置において、処理液の乾燥時間を短縮し、且つ均一な膜厚を得ることのできる減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法を得ることができる。

図１は、本発明に係る減圧乾燥装置を具備する塗布現像処理システムの平面図である。 図２は、図１の塗布現像処理システムの基板処理の流れを示すフローである。 図３は、塗布プロセス部の全体構成を示す平面図である。 図４は、塗布プロセス部の側面図である。 図５は、本発明に係る減圧乾燥装置の第一の実施形態として適用される減圧乾燥ユニットの平面図である。 図６は、図５のＣ−Ｃ矢視断面図である。 図７は、本発明に係る減圧乾燥装置の第二の実施形態として適用される減圧乾燥ユニットの平面図である。 図８は、図７のＣ−Ｃ矢視断面図である。 図９は、図７のＤ−Ｄ矢視断面図である。 図１０は、本発明に係る減圧乾燥装置の第三の実施形態として適用される減圧乾燥ユニットの平面図である。 図１１は、図１０のＣ−Ｃ矢視断面図である。 図１２は、本発明に係る減圧乾燥装置の第三の実施形態として適用される減圧乾燥ユニットの他の形態を示す断面図である。 図１３は、本発明に係る減圧乾燥装置の第四の実施形態として適用される減圧乾燥ユニットの平面図である。 図１４は、図１３のＣ−Ｃ矢視断面図である。 図１５は、本発明に係る減圧乾燥装置の第四の実施形態として適用される減圧乾燥ユニットの他の形態を示す断面図である。 図１６は、本発明に係る減圧乾燥装置の第五の実施形態として適用される減圧乾燥ユニットの平面図である。 図１７は、図１６のＣ−Ｃ矢視断面図であって、基板を保持するステージが昇降する状態を示す図である。 図１８は、図１６のＣ−Ｃ矢視断面図であって、基板を保持するステージがチャンバ内上方に位置する状態を示す図である。 図１９は、図１６のＣ−Ｃ矢視断面図であって、基板を保持するステージがチャンバ内下方に位置する状態を示す図である。 図２０は、実施例１で用いた減圧乾燥ユニットのチャンバ構造を示す図である。 図２１は、比較例１で用いた減圧乾燥ユニットのチャンバ構造を示す図である。 図２２は、比較例２で用いた減圧乾燥ユニットのチャンバ構造を示す図である。 図２３は、実施例１の結果を示す図である。 図２４は、比較例１の結果を示す図である。 図２５は、比較例２の結果を示す図である。 図２６は、従来の減圧乾燥ユニットの概略構成を示す断面図である。

以下、本発明にかかる一実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係る減圧乾燥装置を具備する塗布現像処理システムの平面図である。
この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容したカセットＣを搬入出するポートであり、水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。
即ち、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向うプロセスラインＡには、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０および第２の熱的処理部３２が第１の平流し搬送路３４に沿って、上流側からこの順序で一列に配置されている。

より詳細には、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４はカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、所定のタクトで第１の平流し搬送路３４に投入するように構成されている。
洗浄プロセス部２６には、第１の平流し搬送路３４に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８が設けられている。

第１の熱的処理部２８には、上流側から順にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２が設けられている。塗布プロセス部３０には、上流側から順にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４および、本発明に係る減圧乾燥装置としての減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６が設けられている。

第２の熱的処理部３２には、上流側からプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０が設けられている。
第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の平流し搬送路３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。
第１の平流し搬送路３４上を平流しで搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。

一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０および搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２が第２の平流し搬送路６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。

ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６および冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は、第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から処理済みの基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡すように構成されている。

また、両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

また、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、前記第１および第２の平流し搬送路３４、６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２を有し、この搬送装置７２の周囲にロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４および周辺装置７６を配置している。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、例えばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等を第２の平流し搬送路６４に接続している。

図２に、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する全行程の処理手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する（図２のステップＳ１）。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４から基板Ｇは第１の平流し搬送路３４上に移載または投入される。

第１の平流し搬送路３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（図２のステップＳ２、Ｓ３）。
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、平流し搬送路３４上を水平に移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の平流し搬送路３４を下って第１の熱的処理部２８に至る。

第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（図２のステップＳ４）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（図２のステップＳ５）。この後も、基板Ｇは第１の平流し搬送路３４を下って塗布プロセス部３０へ搬入される。

塗布プロセス部３０において、基板Ｇは最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で減圧による常温の乾燥処理を受ける（図２のステップＳ６）。

塗布プロセス部３０を出た基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４を下って第２の熱的処理部３２に至る。第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（図２のステップＳ７）。

このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される（図２のステップＳ８）。しかる後、基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ７４で例えば９０度の方向転換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（図２のステップＳ９）。

露光装置１２では、基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記録される（図２のステップＳ１０）。しかる後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の平流し搬送路６４の現像ユニット（ＤＥＶ）５４の始点に搬入される。
こうして基板Ｇは、今度は第２の平流し搬送路６４上をプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（図２のステップＳ１１）。

現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第２の平流し搬送路６４に乗せられたまま第３の熱的処理部６６および検査ユニット（ＡＰ）６０を順次通過する。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（図２のステップＳ１２）。

このポストベーキングによって、基板Ｇのレジスト膜に残存していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される（図２のステップＳ１３）。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（図２のステップＳ１４）。

搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済みの基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（図２のステップＳ１５）。

この塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部３０内の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に本発明の減圧乾燥装置を適用することができる。
続いて、図３〜図６に基づき、本発明の減圧乾燥装置が適用される減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の第一の実施の形態を説明する。
図３は、塗布プロセス部３０の全体構成を示す平面図である。図４は、塗布プロセス部３０の側面図である。また、図５は減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の平面図、図６は、図５のＣ−Ｃ矢視断面図である。

図３、図４に示すように、塗布プロセス部３０は、支持台８０の上に、ノズル８４を有するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４と、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６とが処理工程の順序に従い横一列に配置されている。支持台８０の両側には一対のガイドレール８１が敷設され、このガイドレール８１に沿って平行移動する一組の搬送アーム８２により、基板Ｇがレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４から減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６へ搬送できるようになされている。

前記レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、前記したようにノズル８４を有し、このノズル８４は支持台８０上に固定されたゲート８３から懸垂状態で固定されている。このノズル８４にはレジスト液供給手段（図示せず）から処理液であるレジスト液Ｒが供給され、搬送アーム８２によってゲート８３の下を通過移動する基板Ｇの一端から他端にわたりレジスト液Ｒを塗布するようになされている。

また、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６は、図４、図６に示すように、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ８５と、この下部チャンバ８５の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ８６とを有している。
図３、図５に示すように下部チャンバ８５は略四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して吸着保持するための板状のステージ８８（保持部）が配置されている。前記上部チャンバ８６は、上部チャンバ移動手段８７によって前記ステージ８８の上方に昇降自在に配置されており、減圧乾燥処理の際には上部チャンバ８６が下降して下部チャンバ８５と密着し、ステージ８８上に載置された基板Ｇを処理空間に収容した状態とされる。

また、前記ステージ８８の下方（前記ステージ８８によって保持される基板Ｇの下方）であって、前記下部チャンバ８５の底面の二箇所には排気口８９が設けられており、各排気口８９に接続された排気管９０は真空ポンプ９１（排気手段）に通じている。そして、下部チャンバ８５に前記上部チャンバ８６を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記真空ポンプ９１により所定の真空度まで減圧できるようになっている。

また、略四角形の下部チャンバ８５の底面において、その一辺の付近には、チャンバ内に不活性ガス（例えば窒素ガス）を供給し、チャンバ内雰囲気をパージするための給気口９２が設けられている。図６に示すように、給気口９２に接続された給気管９６は、不活性ガス供給部９７（給気手段）に接続されている。
前記給気口９２からの不活性ガスの供給は、チャンバ内気圧が所定値（例えば４００Ｐａ以下）に達したとき、もしくは、チャンバ内が減圧開始されてから所定時間の経過後に開始される。これは、減圧により流量が減少するチャンバ内の気流を維持し、減圧乾燥処理の時間短縮に寄与させるためである。
尚、減圧乾燥処理の間、常に安定した気流を維持するために、不活性ガスの供給開始は、チャンバ内の減圧開始前、或いは同時に行ってもよい。

また、図５に示すように、下部チャンバ８５の底面とステージ８８との間において、前記排気口８９の周囲には、平面視においてコの字形の整流板９３（第一整流部材）が設けられている。この整流板９３が設けられることにより、側部開口部９３ａと、この側部開口部９３ａから排気口８９に連通する連通路９３ｂが形成される。即ち、チャンバ内の雰囲気は、ステージ８８（基板Ｇ）の下方に流れ込む際に、整流板９３の側部開口部９３ａから連通路９３ｂを流れ、排気口８９から排気されるようになされている。

また、図５に示すように、前記整流板９３は、その側部開口部９３ａが、前記給気口９２とは（ステージ８８を挟んで）反対方向に向いた状態で設置されている。このため、給気口９２から供給された不活性ガスは、ステージ８８に載置された基板Ｇの上方を一方向に流れて通過した後、排気口８９から排気されるようになされている。

また、チャンバ内において、前記連通路９３ｂの左右両側には、前記整流板９３に隣接して、ステージ８８上に保持された基板Ｇの下方空間を埋めるためのブロック部材９５（第二整流部材）がそれぞれ設けられている。
さらには、下部チャンバ８５内の左右両側の内壁には、前記ブロック部材９５に隣接して、略角棒状のサイドバー部材９４がそれぞれ設けられ、上部チャンバ８６内の左右両側の内壁には、前記下部チャンバ８５内のサイドバー部材９４に対応してサイドバー部材９８がそれぞれ設けられている。これらサイドバー部材９４，９８（第八整流部材）を設け、上部チャンバ８６と下部チャンバ８５とを閉じることにより、基板Ｇの左右側方の空間が埋められ、チャンバ内の処理空間において排気口８９へと流れる気体流路が、基板Ｇ上方を通過するものに制限される。

このように構成された塗布プロセス部３０においては、基板Ｇが搬入され搬送アーム８２上に載置されると、搬送アーム８２はレール８１上を移動し、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４のゲート８３下を通過移動する。その際、ゲート８３に固定されたノズル８４からは、その下を移動する基板Ｇに対しレジスト液Ｒが吐出され、基板Ｇの一辺から他辺に向かってレジスト液Ｒが塗布される。なお、レジスト液が基板Ｇの全面にわたり塗布された時点（塗布終了位置）では、基板Ｇは減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の上部チャンバ８６の下に位置し、基板Ｇ全体が上部チャンバ８６により覆われた状態となる。

次いで、基板Ｇは減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のステージ８８に載置され、その上方から上部チャンバ移動手段８７により下降移動する上部チャンバ８６によって覆われる。そして基板Ｇは、上部チャンバ８６と下部チャンバ８５とが密着することにより形成された処理空間内に収容される。

さらに、この状態から真空ポンプ９１が作動し、排気口８９から排気管９０を介して処理空間内の空気が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。これにより、基板Ｇに成膜されたレジスト液は加熱に依らず減圧乾燥が施される。
ここで、チャンバ内の気圧が所定値（例えば４００Ｐａ以下）に達する、もしくは、減圧開始から所定時間が経過すると、不活性ガス供給部９７の駆動により給気口９２から所定流量の不活性ガスがチャンバ内に供給される。これにより、減圧環境下であっても、チャンバ内における気流が維持される。
尚、給気口９２からの不活性ガスの供給は、減圧開始前、或いは減圧開始と同時に行われるよう制御されてもよい。

この減圧乾燥処理工程において、前記のように整流手段として、整流板９３、ブロック部材９５及びサイドバー部材９４、９８が設けられているため、図６に示すように基板上面を一方向に流れる気流の流路が形成される。このため、給気口９２から給気される不活性ガスの流れは、基板上面を通過し、整流板９３の側部開口部９３ａから連通路９３ｂを通り、排気口８９から排気されるよう制限される。

したがって、基板上方には、減圧乾燥処理の間、基板Ｇの上面全体に対し均一な流量で気体が流れ続ける。その結果、基板上面に塗布されているレジスト液Ｒの乾燥速度が向上し、より短時間で減圧乾燥処理が行われる。
前記の減圧乾燥処理が終了すると、上部チャンバ移動手段８７により上部チャンバ８６が上昇移動し、基板Ｇは減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６から次の処理工程に向け搬出される。

以上のように本発明の減圧乾燥装置に係る第一の実施形態によれば、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６において、チャンバ内の気流制御を行うことにより、減圧乾燥処理の間、基板Ｇの上面全体に対し一方向に均一な流量の気体を流し続けることができる。
したがって、減圧乾燥処理において、基板Ｇに塗布されているレジスト液Ｒからの蒸発物を効率的に排気することができ、レジスト液Ｒの乾燥速度を向上することができる。

尚、前記第一の実施の形態では、給気口９２及び給気手段９７を備える例を示したが、本発明にあっては、それに限定されず、図５、図６において、給気口９２及び給気手段９７を具備しない構成であっても本発明の効果を充分に得ることができる。即ち、給気を行わずとも、排気口８９からの排気処理のみにより、チャンバ内の気体は基板Ｇの下方（及び側方）には流れず、全て基板上方を一方向に通って、排気口８９へと流れる。したがって、その場合においても、基板上面に塗布されているレジスト液Ｒの乾燥速度を向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。

続いて、図７〜図９に基づき、本発明の減圧乾燥装置が適用される減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の第二の実施の形態を説明する。尚、この第二の実施の形態において、前記第一の実施形態との共通部分については、同じ符号で示し、その詳細な説明は省略する。また、排気並びに給気制御の実施形態は、第一の実施形態と同じであるため、その説明は省略する。

図７は、第二の実施の形態における減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の平面図、図８は図７のＣ−Ｃ矢視断面図、図９は図７のＤ−Ｄ矢視断面図である。
第二の実施形態において、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６は、前記第一の実施の形態と同様に、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ８５と、この下部チャンバ８５の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ８６とを有している。

但し、図示するチャンバは、第一の実施形態において図５に示したサイドバー部材９４，９８（第八整流部材）を用いなくてもよいチャンバ形状、即ち、図７、図８に示すように基板Ｇの一両端部にチャンバ内壁（図では上部チャンバ８６の内壁８６ａ、８６ｂ）が近接する形状となされている。尚、基板Ｇ側方の空間が大きい場合には、図５に示したサイドバー部材９４、９８を用いるのが好ましい。

また、下部チャンバ８５の中心部には第一の実施形態と同様にステージ８８（保持部）が配置され、このステージ８８を取り囲むように整流手段としてのブロック部材１０２（第三整流部材）が設けられている。このブロック部材１０２が設けられることにより、少なくとも基板Ｇの周縁下方空間が埋められた状態となっている。尚、図では基板Ｇが下部チャンバ８５よりも高い位置で保持される例を示しているが、基板保持位置が下部チャンバ８５内に収まるように、ブロック部材１０２を（下部チャンバ８５内で掘り下げるように）形成してもよい。また、ブロック部材１０２は、下部チャンバ８５と一体形成されてもよく、或いは別部材であってもよい。
また、第一の実施の形態では、基板Ｇの下方に排気口８９が設けられていたが、第二の実施の形態では、図示するように複数（図では３つ）の排気口１０１が基板Ｇの側方に並んで設けられている。これら複数の排気口１０１と給気口９２とは、基板Ｇを挟んだ状態で基板Ｇよりも下方位置に設けられている。

この構造により、ブロック部材１０２は、気流の基板下への流れ込みを防ぐ堰として機能する。即ち、図９に示すように、給気口９２から給気された不活性ガスは、基板Ｇの下方（及び側方）を流れず、全て基板上方を一方向に通って、基板側方の排気口１０１へと流れる。
したがって、この第二の実施形態によっても、基板上方には、減圧乾燥処理の間、基板Ｇの上面全体に対し均一な流量で気体が流れ続け、その結果、基板上面に塗布されているレジスト液Ｒの乾燥速度が向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。

尚、前記第二の実施の形態では、給気口９２及び給気手段９７を備える例を示したが、本発明にあっては、それに限定されず、図７、図８において、給気口９２及び給気手段９７を具備しない構成であっても本発明の効果を充分に得ることができる。即ち、給気を行わずとも、排気口１０１からの排気処理のみにより、チャンバ内の気体は基板Ｇの下方（及び側方）には流れず、全て基板上方を一方向に通って、排気口１０１へと流れる。したがって、その場合においても、基板上面に塗布されているレジスト液Ｒの乾燥速度を向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。

続いて、図１０、図１１に基づき、本発明の減圧乾燥装置が適用される減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の第三の実施の形態を説明する。なお、この第三の実施の形態において、前記第一、第二の実施形態との共通部分については、同じ符号で示し、その詳細な説明は省略する。

図１０は、第三の実施の形態における減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の平面図、図１１は図１０のＣ−Ｃ矢視断面図である。
この第三の実施形態において図示する減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の構成においては、前記第二の実施の形態で示された給気口９２及び不活性ガス供給部９７（給気手段）を具備せず、また、チャンバ内に設けられた整流手段の形態が異なる。
即ち、整流手段として、前記第二の実施の形態に示したブロック部材１０２ではなく、図１１に示すように、複数（図では３つ）の排気口１０１が形成されたブロック部材１０４（第四整流部材）と、基板Ｇを挟んでブロック部材１０４の反対側に設けられたブロック部材１０３（第四整流部材）を備えている。

より詳しくは、図示するように排気口１０１は、ブロック部材１０４において、保持された基板Ｇの縁部近傍に形成されている。また、前記排気口１０１が形成された側の基板縁部の下方空間は、前記ブロック部材１０４により埋められ、基板Ｇを挟んで排気口１０１の反対側の基板縁部の下方空間は、前記ブロック部材１０３により埋められた状態となっている。尚、ブロック部材１０３、１０４は、下部チャンバ８５と一体形成されてもよく、或いは別部材であってもよい。

この構造により、図１１に示すように、チャンバ内の気体は、基板Ｇの下方（及び側方）を流れず、全て基板上方を一方向に通って、排気口１０１へと流れる。
したがって、この第三の実施形態によっても、基板上方には、減圧乾燥処理の間、基板Ｇの上面全体に対し均一な流量で気体が流れ続け、その結果、基板上面に塗布されているレジスト液Ｒの乾燥速度が向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。

尚、この第三の実施の形態において、第四整流部材を別々のブロック部材１０３、１０４に分け、ステージ８８の下方に空間が形成されている例を示したが、ブロック部材１０３、１０４を１つのブロック部材で形成し（図示せず）、ステージ８８の下方空間を埋めるようにしてもよい。
また、この第三の実施の形態において、図１０、１１に示した例にあっては、第二の実施形態で示したような給気口９２及び不活性ガス供給部９７（給気手段）を具備しないものであったが、基板Ｇを挟んで排気口１０１の反対側の基板側方に前記給気口９２を設けてもよい（図１１におけるブロック部材１０３の外側付近等）。

また、給気口９２及び不活性ガス供給部９７（給気手段）を設ける場合、図１２に示すように、ブロック部材１０５（第五整流部材）に排気口１０１及び給気口９２を形成し、それらが互いに基板Ｇを挟んで基板側方（基板縁部近傍）に配置されていてもよい。尚、図１２では、第五整流部材を１つのブロック部材１０５とし、ステージ８８の下方空間が埋められる例を示しているが、排気口１０１側の基板縁部の下方空間と、給気口９２側の基板縁部の下方空間とが少なくとも埋められていればよい。即ち、例えば、排気口１０１と給気口９２とが、それぞれ異なるブロック部材（第五整流部材）に形成され、ステージ８８の下方に空間が形成されていてもよい。

続いて、図１３、図１４に基づき、本発明の減圧乾燥装置が適用される減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の第四の実施の形態を説明する。なお、この第四の実施の形態において、前記第一乃至第三の実施形態との共通部分については、同じ符号で示し、その詳細な説明は省略する。

図１３は、第四の実施の形態における減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の平面図、図１４は図１３のＣ−Ｃ矢視断面図である。
第四の実施形態において、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６は、前記第二の実施の形態とはチャンバ内に設けられた整流手段のみが異なる。
即ち、前記第二の実施の形態に示したブロック部材１０２ではなく、図１３、図１４に示すように、排気口１０１とは基板Ｇを挟んで反対側における基板縁部の下方空間を少なくとも埋める整流手段としてのブロック部材１０６（第六整流部材）が設けられている。
尚、ブロック部材１０６は、下部チャンバ８５と一体形成されてもよく、或いは別部材であってもよい。

この構造により、図１４に示すように、給気口９２から給気された不活性ガスは、基板Ｇの下方（及び側方）を流れず、全て基板上方を一方向に通って、排気口１０１へと流れる。
したがって、この第四の実施形態によっても、基板上方には、減圧乾燥処理の間、基板Ｇの上面全体に対し均一な流量で気体が流れ続け、その結果、基板上面に塗布されているレジスト液Ｒの乾燥速度が向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。

尚、前記第四の実施の形態では、給気口９２及び給気手段９７を備える例を示したが、本発明にあっては、それに限定されず、図１３、図１４において、給気口９２及び給気手段９７を具備しない構成であっても本発明の効果を充分に得ることができる。即ち、給気を行わずとも、排気口１０１からの排気処理のみにより、チャンバ内の気体は基板Ｇの下方（及び側方）には流れず、全て基板上方を一方向に通って、排気口１０１へと流れる。したがって、その場合においても基板上面に塗布されているレジスト液Ｒの乾燥速度を向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。

また、前記第四の実施の形態において、給気口９２は、下部チャンバ８５の底部に設けられている例を示したが、本発明にあっては、その構成に限定されるものではない。即ち、給気口９２側の基板縁部の下方空間が埋められていればよく、例えば、図１５に示すように給気口９２をブロック部材１０６（第七整流部材）に形成し、給気口９２を基板Ｇの近傍に配置するようにしてもよい。

続いて、図１６〜図１９に基づき、本発明の減圧乾燥装置が適用される減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の第五の実施の形態を説明する。
なお、この第五の実施形態にあっては、前記した第一乃至第四の実施形態とは異なり、基板Ｇを保持するステージが昇降可能な構成であることに特徴を有するが、前記した実施形態との共通部分については、同じ符号で示し、その詳細な説明は省略する。

図１６は、第五の実施の形態における減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の平面図である。また、図１７乃至図１９はそれぞれ図１６のＣ−Ｃ矢視断面図であって、基板Ｇを保持するステージが昇降移動することにより、その高さが異なる状態を示している。
図示するように、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の下部チャンバ８５には、複数の排気口１０１と１つの給気口９２とが、基板Ｇを挟んだ状態で基板Ｇよりも下方位置に設けられている。

また、給気口９２から不活性ガスを給気する際、基板Ｇの上面に多量の不活性ガスを流すために、図１９に示すようにステージ８８はチャンバ内の下方に配置される。その状態において、排気口１０１とは基板Ｇを挟んで反対側における基板縁部の下方空間は、整流手段としてのブロック部材１０７，１０８（第六整流部材）によって埋められるようになされている。
さらに、図１６に示すように、前記ブロック部材１０７，１０８の左右両側には、基板Ｇの左右側方に壁を形成し、基板側方への不活性ガスの流れを抑制するためのサイドバー部材１０９（第八整流部材）が設けられている。
尚、このサイドバー部材１０９は、図示するように棒状（若しくは板状）に形成されて、基板Ｇの左右側方の空間を遮るようにして設けてもよく、或いは、基板Ｇの左右側方の空間を埋めるようにして設けてもよい。
また、このサイドバー部材１０９は、基板Ｇ上に気流を形成しやすくするために、少なくとも基板Ｇの左右側辺の長さよりも長く形成される。
ここで、図示するようにサイドバー部材１０９の端部（特に排気口１０１側）は、チャンバ内壁に接することなく設けられてもよい。この場合、基板Ｇの左右側方の空間の一部が遮られた状態となるが、基板側方への不活性ガスの流れを十分に抑制することができる。
また、図１６に示した例に限らず、サイドバー部材１０９を、その両端部が相対向するチャンバ内壁に接する長さに形成し、基板Ｇの左右側方の空間を全て遮る（埋める）構成としてもよい。

また、図１７に示すように、基板Ｇを保持するステージ８８は、例えばモータを駆動源とするボールねじ機構により構成された昇降装置９９（昇降手段）によって昇降移動可能となされている。
この昇降装置９９が設けられることにより、基板Ｇの搬入出の際には、上部チャンバ８６が上昇してチャンバが開き、ステージ８８が下部チャンバ８５の上面高さ付近まで上昇移動される。この状態で、基板Ｇは例えば搬送アーム８２によりステージ８８上から搬入出される。

一方、減圧乾燥処理の際には、チャンバが閉じられた状態で、最初に図１８に示すように、ステージ８８は昇降装置９９の駆動により、チャンバ内の上方位置まで上昇移動し、停止する。
次いで、真空ポンプ９１が作動し、排気口１０１から処理空間内の空気が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。ここで、基板Ｇの上面は上部チャンバ８６の下面に近接しており、基板Ｇの上面には殆ど雰囲気の流れが生じない状態となされる。これにより、基板Ｇに成膜されたレジスト液Ｒは減圧による自然乾燥が最初に施され、転写跡などの発生が抑制される。

ここで、チャンバ内の気圧が所定値（例えば４００Ｐａ以下）に達する、もしくは、減圧開始から所定時間が経過すると、ステージ８８は、昇降装置９９の駆動により、図１９に示すようにチャンバ内の下方位置まで下降移動し、停止する。
次いで、不活性ガス供給部９７の駆動により給気口９２から所定流量の不活性ガスがチャンバ内に供給される。これにより、減圧環境下であっても、チャンバ内における気流が維持される。

また、整流手段としてのブロック部材１０７，１０８及びサイドバー部材１０９が設けられているため、給気口９２から給気された不活性ガスは、基板Ｇの下方及び側方を流れず、基板上方を一方向に通って排気口１０１へと流れる。これにより、基板上面に塗布されているレジスト液Ｒの乾燥速度が向上し、短時間での減圧乾燥処理が行われると共に、乾燥状態がより均一化される。

このように第五の実施の形態によれば、基板Ｇ上のレジスト液Ｒを最初に自然乾燥させた後、基板Ｇの上面全体に対し均一な流量で不活性ガスを流すことができ、レジスト膜における転写跡等の発生を抑制できると共に、レジスト膜の乾燥状態を均一化することができる。

尚、前記第五の実施の形態では、給気口９２及び給気手段９７を備える例を示したが、本発明にあっては、それに限定されず、図１６乃至図１９において、給気口９２及び給気手段９７を具備しない構成であっても本発明の効果を十分に得ることができる。即ち、給気を行わずとも、排気口１０１からの排気処理のみにより、チャンバ内の気体は基板Ｇの下方（側方）には流れず、基板上方を一方向に通って、排気口１０１へと流れる。したがって、その場合においても基板上面に塗布されているレジスト液Ｒの乾燥速度を向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。

また、前記第一乃至第五の実施の形態において、排気口として、基板Ｇよりも下方位置に２つの排気口８９（第一の実施形態）、或いは３つの排気口１０１（第二、第三、第四、第五の実施形態）を示したが、その数や配列（レイアウト）は限定されるものではない。
また、排気口１０１は、処理空間の底面に形成した例を示したが、それに限定されず、チャンバ内壁等に形成されていてもよく、また、基板Ｇの側方において、基板Ｇの高さ位置近傍であれば、基板Ｇよりも多少上方に形成されていてもよい。
さらに排気口８９、１０１の形状は、正円形を示したが、それに限定されず、長穴、方形等、他の形状であってもよい。

また、給気口９２は、処理空間の底面に形成された例を示したが、それに限定されず、基板Ｇより下の高さ位置であればよい（例えば、下部チャンバ８５の内壁部等）。
或いは、排気口８９、１０１、及び給気口９２はそれぞれ、チャンバに設けた穴ではなく、ノズル型の口でもよい。

また、前記第一乃至第五の実施の形態において、基板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に対し、搬送アーム８２により搬入出がなされる例を示したが、それに限定されず、コロ搬送により基板搬入出を行う構造にも本発明の減圧乾燥装置を適用することができる。

続いて、本発明に係る減圧乾燥装置について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態（第一の実施形態）に示した構成の減圧乾燥装置を用い、実際に実験を行うことにより、その効果を検証した。

この実験では、図２０に示す構成の減圧乾燥ユニット（減圧乾燥装置）を用いて減圧乾燥処理を行い、さらに現像処理（９０ｓｅｃ）を施した結果から、基板上に形成される気体の流量と、減圧乾燥時間、及び残膜率との関係について検証した（実施例１）。ここで残膜率とは、現像前のレジスト膜厚に対する現像後のレジスト膜厚の割合（％）である。
尚、図２０は、前記実施の形態と同様に、平面視コの字形状の整流板と、ブロック部材とサイドバー部材とが設けられた減圧乾燥ユニットのチャンバ構造を示し、前記実施の形態で示した部材に対応するものは同じ符号で示す。図２０（ａ）は下部チャンバの平面図、図２０（ｂ）はそのＤ−Ｄ矢視断面図である。また、図２０（ｂ）においては、上部チャンバによるチャンバ天井部分も示している。

また、比較例１として、図２１（ａ）の平面図、図２１（ｂ）のＤ−Ｄ矢視断面図に示すように、コの字形状の整流板を設けると共に、基板Ｇを複数のピン１２０により支持し、基板Ｇとステージとの間に隙間を設けた構造の減圧乾燥ユニットを用い、実施例１と同様に減圧乾燥処理及び現像処理を行った。尚、この場合、ピン１２０で基板を支持することにより、基板とチャンバ天井部との間の距離寸法が５ｍｍとなり、実施例１の場合（１５ｍｍ）に比べて小さくなった。

また、比較例２として、図２２（ａ）の平面図、図２２（ｂ）のＤ−Ｄ矢視断面図に示すように、コの字形状の整流板を設けると共に、実施例１と同様にステージ上に基板Ｇを載置する構造の減圧乾燥ユニットを用い、実施例１と同様に減圧乾燥処理及び現像処理を行った。尚、この比較例２にあっては、実施例１の減圧乾燥ユニットの構成と異なり、ブロック部材９５及びサイドバー部材９４，９８を具備していない。

実施例１の結果として、減圧乾燥中における気圧１００Ｐａ、流量１１Ｌ／ｍｉｎ時の基板上の気体の流線跡を図２３（ａ）の斜視断面図に示し、現像処理後の基板上における残膜率の分布を図２３（ｂ）に示す。
また、比較例１の結果として、減圧乾燥中における気圧１００Ｐａ、流量１１Ｌ／ｍｉｎ時の基板上の気体の流線跡を図２４（ａ）の斜視断面図に示し、現像処理後の基板上における残膜率の分布を図２４（ｂ）に示す。
さらに、比較例２の結果として、減圧乾燥中における気圧１００Ｐａ、流量１１Ｌ／ｍｉｎ時の基板上の気体の流線跡を図２５（ａ）の斜視断面図に示し、現像処理後の基板上における残膜率の分布を図２５（ｂ）に示す。

図２３（ａ）に示すように実施例１では、基板上面に多くの気体が流れていることが確認された。また、図２３（ｂ）に示すように、現像後の残膜率は、基板上面において略均一に高い値が得られた。また、減圧乾燥処理に要する時間は、約１６ｓｅｃと短時間であった。

一方、図２４（ａ）に示すように比較例１では、基板上面に流れる気体の流量が少ないことが確認された。これは、基板Ｇをピン１２０で支持しており、基板Ｇと上部チャンバ８６との隙間距離が小さい上、基板Ｇの下方に空間が生じ、基板下を流れる気体の流量が多いためと考えられた。また、基板Ｇの左右側方の空間に多くの気流が形成された。また、図２４（ｂ）に示すように、現像後の残膜率は、基板上面において全体的に低く、不均一となった。また、減圧乾燥処理に要する時間は、約２８ｓｅｃであった。

また、図２５（ａ）に示すように比較例２では、比較例１に比べ、基板上面を流れる気体の流量が増加したことが確認された。これは、基板Ｇとステージ８８との隙間が無く、基板Ｇ上方の空間が広くなったためである。また、基板Ｇの左右側方の空間に多くの気流が形成された。このため、実施例１よりも基板上を流れる気体の流量が減少したものと考えられた。また、図２５（ｂ）に示すように、現像後の残膜率分布の均一性は、比較例１に比べ、基板上面全体において格段に向上したが、実施例１ほどではなかった。また、減圧乾燥処理に要する時間は、約２１ｓｅｃとなり、比較例１よりも約７ｓｅｃ短縮された。

以上の実施例の結果、本発明の減圧乾燥装置によれば、レジスト等の処理液の乾燥時間を短縮し、且つ均一な膜厚を得ることができると確認した。

Claims (8)

1. 処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、
   被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、
   前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、
   前記チャンバ内に形成された排気口と、
   前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、
   前記チャンバ内において、前記排気手段の動作により形成される気流の上流側であって、前記基板の側方に形成された給気口と、
   前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する給気手段と、
   前記チャンバ内に設けられ、前記排気手段の排気動作により、前記基板上面を一方向に流れる気流の流路を形成する整流手段とを備え、
   前記整流手段が、少なくとも前記保持部に保持された被処理基板の周縁下方空間を埋める整流部材であることを特徴とする減圧乾燥装置。
2. 前記整流部材には、前記排気口が形成され、
   前記排気口は、前記保持部に保持された被処理基板の縁部近傍に形成され、
   前記整流部材により、前記排気口側の基板縁部の下方空間と、前記基板を挟んで前記排気口の反対側の基板縁部の下方空間とが少なくとも埋められることを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。
3. 前記整流部材には、前記排気口と前記給気口とが形成され、
   前記排気口と給気口とは、前記保持部に保持された被処理基板を挟んで該基板の周縁近傍にそれぞれ形成され、
   前記整流部材により前記排気口側の基板縁部の下方空間と、前記基板を挟んで前記排気口の反対側の基板縁部の下方空間とが少なくとも埋められることを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。
4. 前記排気口は、前記被処理基板の側方に形成され、
   前記整流部材により、前記排気口に対し、前記保持部に保持された被処理基板を挟んで反対側の基板縁部の下方空間を少なくとも埋めることを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。
5. 前記排気口は、前記被処理基板の側方に形成され、
   前記整流部材には、前記給気口が形成され、
   前記整流部材において、前記給気口は、前記保持部に保持された被処理基板を挟んで前記排気口の反対側に形成され、
   前記整流部材により前記給気口側の基板縁部の下方空間が少なくとも埋められることを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。
6. 前記請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された減圧乾燥装置において、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥方法であって、
   前記保持部に被処理基板を保持するステップと、
   前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧すると共に、前記給気手段により前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップとを実行することを特徴とする減圧乾燥方法。
7. 前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧すると共に、前記給気手段により前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップにおいて、
   前記チャンバ内の減圧開始前、或いは同時に、チャンバ内に給気開始することを特徴とする請求項６に記載された減圧乾燥方法。
8. 前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧すると共に、前記給気手段により前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップにおいて、
   前記チャンバ内の処理空間を減圧開始するステップと、
   前記チャンバ内の気圧が減圧されて所定値に達したとき、もしくは、前記チャンバ内の減圧開始から所定時間が経過したときに、前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップとを実行することを特徴とする請求項６に記載された減圧乾燥方法。

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