JP2002346458A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 塗布膜が形成された基板における、基板が載
置されるステージおよび支持ピンの転写跡の発生を防止
した基板処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明の基板処理装置の一実施形態であ
る減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０は、表面に所定の
塗布膜が形成された基板Ｇを略水平に載置するステージ
６３と、ステージ６３に載置された基板Ｇおよびステー
ジ６３を内部に収容する上部チャンバ６１と下部チャン
バ６２とからなるチャンバ６０と、チャンバ６０内を減
圧するための排気ポンプ６６とを具備する。この排気ポ
ンプ６６によるチャンバ６０からの排気を行うために排
気口６４を、下部チャンバ６２の底壁のステージ６３直
下にあたる部分に形成することで、基板Ｇにおけるステ
ージ６３に起因する転写跡の発生を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板や半導体ウエハ等の基
板であって、その表面に塗布膜が形成された基板を処理
する基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製
造においては、ＬＣＤの大型化や量産化、薄型化を目的
として、基板としてより薄くしかも大型のガラス製矩形
基板が用いられるようになってきており、この基板への
回路パターンの形成には、基板にフォトレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し、所定の回路パターンにてレ
ジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆ
るフォトリソグラフィ技術が用いられている。

【０００３】このような回路パターンの形成は、複数の
処理ユニットが集約されたレジスト塗布・現像処理シス
テムを用いて行われる。このようなシステムにおいて
は、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により
表面改質・洗浄処理が行われた後、洗浄ユニットにより
ブラシ洗浄および超音波水洗浄が施される。その後、基
板はレジストの安定性を高めるために、アドヒージョン
処理ユニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、引
き続き、レジスト塗布処理ユニットにてレジスト塗布が
行われる。こうして、レジスト膜が形成された基板に
は、加熱ユニットによるプリベーク、露光装置による所
定のパターンの露光、現像処理ユニットでの現像処理、
加熱ユニットでのポストベーク処理が順次施され、基板
に所定の回路パターンが形成される。

【０００４】ここで、レジストの塗布処理工程について
より詳細に説明すると、最初に、疎水化処理された基板
を水平回転可能なスピンチャックに吸着保持して、基板
上部より基板の略中央部に所定量のレジスト液を供給し
た後に基板を所定の回転数で回転し、遠心力によりレジ
スト液を拡散させて基板上にレジスト膜を形成する。次
に、レジスト膜が形成された基板を、減圧チャンバに搬
送して減圧下に保持し、レジスト膜に含まれている溶剤
の一部を蒸発させる減圧乾燥処理を行う。続いて、基板
を周縁レジスト除去ユニットに搬送して、そこで基板の
周縁部に形成されたレジスト膜を除去し、その後に加熱
ユニットに搬送してプリベーク処理する。

【０００５】ここで、レジスト膜が形成された基板を減
圧乾燥する減圧乾燥処理ユニットとしては、例えば、図
５の断面図に示すように、下部容器９５ａと昇降可能に
設けられた蓋体９５ｂからなるチャンバ９５内に、ステ
ージ９６が配設されたものが用いられている。レジスト
膜が塗布された基板Ｇは、基板Ｇの対向する辺の周縁部
を下側から支持して搬送されるために、この基板Ｇの搬
送を容易に行うことができるように、ステージ９６の大
きさは、基板Ｇよりも小さく設定されている。また、ス
テージ９６の表面の所定位置に支持ピン９７が設けら
れ、基板Ｇはステージ９６の表面に直接に接触すること
なく、支持ピン９７に当接して保持される。下部容器９
５ａの底壁には、チャンバ９５内の排気を行うための排
気口９８が、ステージ９６の直下から外れた位置に設け
られている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなチャンバ９５を用いてレジスト膜が形成された基板
を減圧乾燥した場合には、プリベーク処理後に、基板Ｇ
に支持ピン９７の当接による転写跡が基板Ｇに生ずる場
合があった。また、基板Ｇには、ステージ９６の外周に
沿った転写跡が発生する場合もあり、このような転写跡
の発生が、基板Ｇの品質を低下させ、また、歩留まりを
低下させるという問題があった。

【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、基板に減圧乾燥処理に起因
する転写跡が発生することを防止した基板処理装置を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、基板の表面に形成された塗布膜を減圧雰囲気にて乾
燥処理する基板処理装置であって、基板を略水平に載置
可能なステージと、前記ステージに載置された基板およ
び前記ステージを内部に収容するチャンバと、前記チャ
ンバの底部に形成された排気口を介して排気し、前記チ
ャンバ内を減圧する減圧装置と、を具備し、前記排気口
は前記ステージの直下に形成されていることを特徴とす
る基板処理装置、が提供される。

【０００９】また、本発明によれば、基板の表面に形成
された塗布膜を減圧雰囲気にて乾燥処理する基板処理装
置であって、基板の表面に所定の処理液を塗布して塗布
膜を形成する塗布処理部と、前記塗布処理部において塗
布膜が形成された基板を減圧雰囲気に保持して乾燥させ
る減圧乾燥部と、前記減圧乾燥部において処理された基
板の周縁部の塗布膜を除去する周縁塗布膜除去部と、を
具備し、前記減圧乾燥部は、基板を略水平に載置可能な
ステージと、前記ステージに載置された基板および前記
ステージを内部に収容するチャンバと、前記チャンバの
底部に形成された排気口を介して排気し、前記チャンバ
内を減圧する減圧装置と、を有し、前記排気口は前記ス
テージの直下に形成されていることを特徴とする基板処
理装置、が提供される。

【００１０】このような本発明の基板処理装置によれ
ば、基板にステージの外周に沿った転写跡が発生するこ
とが抑制される。また、ステージ上に基板に当接して基
板を保持する支持ピンを設けた場合にも、支持ピンに起
因する転写跡の発生が抑制される。こうして、基板の品
質を高く維持することができるようになる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の基板処理装置の実施の形態について説明する。こ
こでは、本発明の基板処理装置が適用されるＬＣＤ基板
のレジスト塗布・現像処理システムについて説明するこ
ととする。

【００１２】図１はレジスト塗布・現像処理システム１
００の平面図である。このレジスト塗布・現像処理シス
テム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載
置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗
布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理
ユニットを備えた処理部２と、図示しない露光装置との
間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部
３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセット
ステーション１およびインターフェイス部３が配置され
ている。

【００１３】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１
０を備えている。そして、カセットステーション１にお
いてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１
０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０
ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アー
ム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬
送が行われる。

【００１４】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２
・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
１５・１６が設けられている。

【００１５】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には２つの洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂ
が配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射
ユニット（ＵＶ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）とが２
段に重ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット
（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２６およ
び冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる
処理ブロック２７が配置されている。

【００１６】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２、
減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０および基板Ｇの周縁
部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット（エ
ッジリムーバー；ＥＲ）２３が一体的に設けられて配置
され、塗布系処理ユニット群８０を構成している。この
塗布系処理ユニット群８０では、レジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＴ）２２で基板Ｇにレジストが塗布された後、
基板Ｇが減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０に搬送され
て乾燥処理され、その後、エッジリムーバー（ＥＲ）２
３により周縁部レジスト除去処理が行われるようになっ
ている。

【００１７】搬送路１３の他方側には加熱処理ユニット
（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加
熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）
が上下に重ねられてなる処理ブロック２９、およびアド
ヒージョン処理ユニット（ＡＤ）と冷却処理ユニット
（ＣＯＬ）とが上下に重ねられてなる処理ブロック３０
が配置されている。

【００１８】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ
・２４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方
側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてな
る処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット
（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねら
れてなる処理ブロック３２・３３が配置されている。

【００１９】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト塗布処理ユニッ
ト（ＣＴ）２２、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０、
エッジリムーバー（ＥＲ）２３、現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置し
ており、他方の側に加熱処理ユニット（ＨＰ）や冷却処
理ユニット（ＣＯＬ）等の熱系処理ユニットのみを配置
する構造となっている。また、中継部１５・１６のスピ
ナー系ユニット配置側の部分には薬液供給ユニット３４
が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを
行うためのスペース３５が設けられている。

【００２０】主搬送装置１７・１８・１９は、それぞれ
水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、およ
び垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Ｇを支持するアームを有している。

【００２１】主搬送装置１７は搬送アーム１７ａを有
し、搬送機構１０の搬送アーム１１との間で基板Ｇの受
け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに
対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間
で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置１８は搬送アーム１８ａを有し、中継部１５と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置１９は搬送アーム１９ａを
有し、中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとと
もに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板
Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１
５・１６は冷却プレートとしても機能する。

【００２２】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７
と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬
入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８
はエクステンション３６およびバッファステージ３７の
配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能
な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処
理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。

【００２３】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。

【００２４】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが処理
部２に搬送され、処理部２では、まず前段部２ａの処理
ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面改質
・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷
却された後、洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１
ｂでスクラブ洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれ
かの加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処
理ブロック２７のいずれかの冷却処理ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却される。

【００２５】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の
上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化
処理（ＨＭＤＳ処理）された後、下段の冷却処理ユニッ
ト（ＣＯＬ）で冷却される。次いで、レジスト塗布処理
ユニット（ＣＴ）２２において、基板Ｇにレジストが塗
布される。

【００２６】このレジスト塗布工程では、例えば、レジ
スト液を基板Ｇに供給する前に、基板Ｇを回転させなが
らシンナー等を供給して基板Ｇの表面のレジスト液に対
する濡れ性を向上させて、その後に基板Ｇを一旦静止さ
せ、レジスト液を基板Ｇに供給してから再び基板Ｇを回
転させて基板Ｇの全面にレジスト液を拡げるようにし
て、レジスト膜が形成される。

【００２７】レジスト膜が塗布された基板Ｇは、減圧乾
燥処理ユニット（ＶＤ）４０に搬送されて、そこで減圧
乾燥処理が施され、その後にエッジリムーバー（ＥＲ）
２３へ搬送され、基板Ｇの周縁部のレジストの除去が行
われる。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理
ユニット（ＨＰ）の１つでプリベーク処理され、処理ブ
ロック２９または３０の下段の冷却処理ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却される。

【００２８】次いで、基板Ｇは中継部１６から主搬送装
置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、
必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１・３２・３
３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。

【００２９】現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのい
ずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処
理が施された後、いずれかの冷却処理ユニット（ＣＯ
Ｌ）にて冷却され、主搬送装置１９・１８・１７および
搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定
のカセットＣに収容される。

【００３０】次に、本発明の基板処理装置の一形態であ
る減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０について、塗布系
処理ユニット群８０の全体構成とともに説明する。図２
および図３は、塗布系処理ユニット群８０を示す概略平
面図および概略側面図である。図２および図３に示すよ
うに、これらレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２、
減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０、およびエッジリム
ーバー（ＥＲ）２３は、同一のステージに一体的に並列
されている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２で
レジストが塗布された基板Ｇは、一対の搬送アーム４１
により減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０に搬送され、
この減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０で乾燥処理され
た基板Ｇは、一対の搬送アーム４２によりエッジリムー
バー（ＥＲ）２３に搬送されるようになっている。

【００３１】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２
２は、基板Ｇを吸着保持する水平回転可能なスピンチャ
ック５１、このスピンチャック５１の上端部を囲み、か
つ、このスピンチャック５１に吸着保持された基板Ｇを
包囲して上端部が開口する有底開口円筒形状の回転カッ
プ５２、この回転カップ５２の上端開口にかぶせられる
図示しない蓋体、回転カップ５２の外周を取り囲むよう
に固定配置されるドレンカップ５３を有している。これ
により、後述するレジスト液の滴下時には、蓋体が開か
れた状態で基板Ｇがスピンチャック５１により回転さ
れ、レジスト液の拡散時には、基板Ｇがスピンチャック
５１により回転されると同時に、蓋体が閉じられた状態
の回転カップ５２が回転されるようになっている。な
お、ドレンカップ５３の外周には、アウターカバー５４
が設けられている。

【００３２】また、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）
２２は、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板Ｇに、レジスト液
を吐出するためのレジスト吐出ノズルアーム５５を有し
ている。このレジスト吐出ノズルアーム５５は、レジス
ト液滴下時には、基板Ｇの中心まで移動されるようにな
っている。レジスト吐出ノズルアーム５５の先端には、
レジスト液の吐出ノズル５６と、シンナー吐出ノズル５
７とが設けられ、図示しないレジスト供給管を介して図
示しないレジスト供給部に接続されている。

【００３３】減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０は、基
板Ｇを収納するチャンバ６０を有しており、チャンバ６
０は、下部チャンバ６２と、その上を覆うように設けら
れ、その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバ
６１（図３参照）から構成されている。下部チャンバ６
２には、基板Ｇを載置するためのステージ６３が設けら
れ、下部チャンバ６２の底壁のステージ６３直下にあた
る部分に排気口６４が２箇所ほど設けられている。これ
ら排気口６４に連通された排気管６５（図３参照）がタ
ーボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ６６に接続されてお
り、上部チャンバ６１と下部チャンバ６２とが密着した
状態でその中の処理空間を排気ポンプ６６を動作させて
排気することにより、チャンバ６０の処理空間内を所定
の真空度に減圧できるようになっている。

【００３４】ステージ６３の表面には、所定値に支持ピ
ン６３ａが所定位置に配設されており、基板Ｇはこの支
持ピン６３ａに当接し、ステージ６３の表面から所定間
隔だけ離れてステージ６３上に載置される。搬送アーム
４１・４２は、ともに基板Ｇを基板Ｇの対向する辺の周
縁部で保持するように構成されており、このため、搬送
アーム４１・４２とステージ６３との間での基板Ｇの受
け渡しが容易となるように、ステージ６３の大きさは基
板Ｇの大きさよりも小さく設定されている（図２参
照）。

【００３５】排気口６４をステージ６３の直下に形成し
てチャンバ６０の処理空間の排気を排気ポンプ６６を駆
動して行い、所定の減圧乾燥処理を行った場合には、基
板Ｇのプリベーク処理後においても、支持ピン６３ａの
転写跡や、ステージ６３の外周に沿った転写跡が発生し
ない。こうして、基板Ｇの品質を高く維持することが可
能となる。この理由については定かではないが、排気口
６４をステージ６３の直下ではなく、ステージ６３の外
周よりも外側、例えば、下部チャンバ６２の底壁端部に
設けた場合には、その他の処理条件が同じ場合にプリベ
ーク後に転写跡が発生することから、排気口６４の形成
位置の違いによって排気の流れに差が生じ、これが基板
Ｇの温度変化に何らかの影響を与えているものと考えら
れる。

【００３６】ステージ６３に配設された支持ピン６３ａ
の高さは、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下とすることが好まし
く、例えば、高さを５ｍｍとすることで、ステージ６３
の外周に沿った転写跡の発生をより効果的に防止するこ
とができる。これは、基板Ｇとステージ６３の表面との
距離が長くなることで、ステージ６３の温度の影響が基
板Ｇに及び難くなるためと考えられる。支持ピン６３ａ
の高さが３ｍｍ未満の場合には、基板Ｇがステージ６３
の温度の影響を受けやすく、また、１０ｍｍ超の長さで
は基板Ｇを安定に保持することが困難となる。

【００３７】エッジリムーバー（ＥＲ）２３には、基板
Ｇを載置するためのステージ７１が設けられ、このステ
ージ７１上の２つのコーナー部には、基板Ｇを位置決め
するための２つのアライメント機構７２が設けられてい
る。また、基板Ｇの四辺には、それぞれ、基板Ｇの四辺
のエッジから余分なレジストを除去するための四個のリ
ムーバーヘッド７３が設けられている。各リムーバーヘ
ッド７３は、内部からシンナーを吐出するように断面略
Ｕ字状を有し、図示しない移動機構によって基板Ｇの四
辺に沿って移動することができるようになっている。こ
れにより、各リムーバーヘッド７３は、基板Ｇの各辺に
沿って移動してシンナーを吐出しながら、基板Ｇの四辺
のエッジに付着した余分なレジストを取り除くことがで
きる。

【００３８】このように構成された塗布系処理ユニット
群８０では、基板Ｇが以下のように処理される。まず、
レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２において、スピ
ンチャック５１により基板Ｇが回転され、レジスト吐出
ノズルアーム５５が基板Ｇの中心まで回動され、シンナ
ー吐出ノズル５７が基板Ｇの中心に到達されると、基板
Ｇの表面にシンナーが供給され、次いでレジスト液の吐
出ノズル５６がスピンチャック５１の中心（基板Ｇの中
心）に到達され、基板Ｇの中心にレジスト液が滴下さ
れ、基板Ｇを回転することにより遠心力によってレジス
ト液が基板Ｇの中心からその周囲全域にむらなく広げら
れ、さらに蓋体によりカップ内を密閉した状態でさらに
基板Ｇが回転されて膜厚が整えられる。

【００３９】このレジストが塗布された基板Ｇは、搬送
アーム４１により減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０に
搬送され、下部チャンバ６２と上部チャンバ６１との間
の処理室内のガスが排気され、所定の真空度に減圧され
ることにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある
程度蒸発し、レジスト液中の溶剤が徐々に放出される。
排気口６４をステージ６３の直下に形成することによっ
て、レジスト膜の乾燥を均一に行うことができ、基板Ｇ
上に転写が生じることが防止される。

【００４０】減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０におい
て減圧乾燥された基板Ｇは、搬送アーム４２によりエッ
ジリムーバー（ＥＲ）２３に搬送され、ステージ７１に
載置され、アライメント機構７２により位置合わせされ
る。そして、４個のリムーバーヘッド７３を、シンナー
を吐出しつつ、かつ、吐出したシンナーとシンナーによ
って溶解されたレジストを吸引しながら、基板Ｇの各辺
に沿って移動させ、基板Ｇの四辺の周縁部に付着した余
分なレジストを除去する。その後、所定範囲にレジスト
膜が形成された基板Ｇは、上述したように、露光・現像
処理される。

【００４１】続いて、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４
０での処理に起因する転写の発生を、さらに効果的に防
止することを可能とする減圧乾燥処理ユニットの形態に
ついて説明する。図４は、減圧乾燥処理ユニット（Ｖ
Ｄ）４０´の概略断面図であり、圧乾燥処理ユニット
（ＶＤ）４０´は、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０
の下部チャンバ６２の内部に、ステージ６３の周囲を囲
繞するように段差部６２ａが形成された構造を有してい
る。

【００４２】この段差部６２ａの表面の高さは、ステー
ジ６３の表面の高さと等しくされている。図２および図
３に示した減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０において
は、基板Ｇの周縁部分はステージ６３の温度の影響を受
け難いが、段差部６２ａを設けることで、基板Ｇの周縁
部が段差部６２ａの温度の影響を受けるようになる。こ
うして、基板Ｇの全体がステージ６３および段差部６２
ａの温度の影響を受けて温度均一性が高められ、基板Ｇ
の外周に沿った転写跡の発生を、より効果的に抑制する
ことが可能となる。

【００４３】ステージ６３と段差部６２ａが基板Ｇに与
える影響の差を小さくするために、段差部６２ａは、ス
テージ６３と同じ材質で形成することが好ましい。減圧
乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０´において、支持ピン６
３ａの高さを３ｍｍ以上１０ｍｍ以下とすると、支持ピ
ン６３ａに起因する転写跡の発生をより効果的に防止す
ることができる。

【００４４】段差部６２ａをステージ６３の表面の高さ
と同じとすることによって、ステージ６３と搬送アーム
４１・４２との間の基板Ｇの受け渡しが行い難くなる場
合には、ステージ６３または下部チャンバ６２を昇降可
能な構造とすればよい。例えば、ステージ６３を昇降可
能とした場合には、ステージ６３を上昇させ、ステージ
６３の表面の高さを段差部６２ａの表面よりも高い位置
に保持した状態において、搬送アーム４１・４２との間
で基板Ｇの受け渡しを行う。一方、減圧乾燥処理時に
は、ステージ６３を降下させ、ステージ６３の表面の高
さを段差部６２ａの表面の高さと同じ位置に保持すれば
よい。

【００４５】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、上記実施の形態においては、基板Ｇの
表面へのレジスト膜の形成をスピンコーティングによっ
て行った場合について示したが、レジスト膜の形成方法
はこのようなスピンコーティングに限定されるものでは
ない。また、本発明の基板処理装置は、フォトリソグラ
フィー工程において所定の回路パターンを形成する目的
に限定されず、所定の塗布液を用いて層間絶縁膜を形成
する場合にも用いることができる。さらに、基板として
ＬＣＤ基板を挙げて説明してきたが、基板は、半導体ウ
エハ等であっても構わない。

【００４６】

【発明の効果】上述の通り、本発明の基板処理装置によ
れば、塗布膜が形成された基板を減圧乾燥する際の基板
の温度均一性が高められるために、基板が載置されてい
るステージの外周に沿った転写跡が基板に発生すること
が抑制される。また、ステージの表面には基板に当接し
て基板を保持する支持ピンが設けられるが、この場合に
も、支持ピンに起因する転写跡が基板に発生することが
抑制される。こうして、基板の品質を高く維持すること
が可能となり、しかも、不良品の発生頻度を低減して生
産効率を高めることが可能となるという優れた効果が得
られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板処理装置の一実施形態である減圧
乾燥処理ユニット（ＶＤ）を備えたレジスト塗布・現像
処理システムを示す平面図。

【図２】図１に示したレジスト塗布・現像処理システム
が具備する塗布系処理ユニット群の概略構造を示す平面
図。

【図３】図１に示したレジスト塗布・現像処理システム
が具備する塗布系処理ユニット群の概略構造を示す側面
図。

【図４】塗布系処理ユニット群が具備する減圧乾燥処理
ユニットの別の実施形態を示す断面図。

【図５】従来の減圧乾燥処理ユニットの概略構造を示す
断面図。

【符号の説明】

２２；レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ） ２３；周縁レジスト除去ユニット（エッジリムーバー；
ＥＲ） ４０・４０´；減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ） ４１・４２；搬送アーム ６１；上部チャンバ ６２；下部チャンバ ６２ａ；段差部 ６３；ステージ ６４；排気口 ６５；排気管 ６６；排気ポンプ ８０；塗布系処理ユニット群 １００；レジスト塗布・現像処理システム Ｇ；基板（ＬＣＤ基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 志信 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 山崎 剛 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 4F042 AA07 AA10 BA13 DA01 DB01 DE01 DE03 DE09 DF09 DF16 DF25 DF26 DF29 DF32 EB09 EB13 EB17 EB21 EB24 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA11 FA12 FA15 GA48 MA23 MA24 MA27 PA18 5F046 JA08 JA15 JA27

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面に形成された塗布膜を減圧雰
   囲気にて乾燥処理する基板処理装置であって、 基板を略水平に載置可能なステージと、 前記ステージに載置された基板および前記ステージを内
   部に収容するチャンバと、 前記チャンバの底部に形成された排気口を介して排気
   し、前記チャンバ内を減圧する減圧装置と、 を具備し、 前記排気口は前記ステージの直下に形成されていること
   を特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 基板の表面に形成された塗布膜を減圧雰
   囲気にて乾燥処理する基板処理装置であって、 基板の表面に所定の処理液を塗布して塗布膜を形成する
   塗布処理部と、 前記塗布処理部において塗布膜が形成された基板を減圧
   雰囲気に保持して乾燥させる減圧乾燥部と、 前記減圧乾燥部において処理された基板の周縁部の塗布
   膜を除去する周縁塗布膜除去部と、 を具備し、 前記減圧乾燥部は、 基板を略水平に載置可能なステージと、 前記ステージに載置された基板および前記ステージを内
   部に収容するチャンバと、 前記チャンバの底部に形成された排気口を介して排気
   し、前記チャンバ内を減圧する減圧装置と、 を有し、 前記排気口は前記ステージの直下に形成されていること
   を特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記チャンバ内において前記ステージの
   周囲を囲繞する段差部が形成されていることを特徴とす
   る請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記段差部の表面の高さは、前記ステー
   ジの表面の高さと等しいことを特徴とする請求項３に記
   載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記段差部は、前記ステージと同じ材質
   で形成されていることを特徴とする請求項３または請求
   項４に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記ステージの表面には、基板に当接す
   る所定高さの支持ピンが所定位置に設けられていること
   を特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記
   載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記支持ピンの高さは、３ｍｍ以上１０
   ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の基板
   処理装置。