JP2000353649A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト塗布および現像処理を含む一連の工
程を効率良く行うことができ、装置の小型化を図ること
ができる基板処理装置および基板処理方法を提供するこ
と。 【解決手段】 基板Ｇに対してドライプロセスによりレ
ジスト膜を形成するレジスト膜形成ユニット２３と、基
板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光後、
ドライプロセスにより現像する現像処理ユニット２４
と、これらレジスト膜形成ユニット２３および現像処理
ユニット２４に対する基板Ｇの搬送を行う搬送機構３２
とを具備し、これらが一体的に構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示装
置（ＬＣＤ）基板等の基板に対してレジスト塗布、露光
後の現像を含む一連の処理、またはこれらに加えてエッ
チングを含む一連の処理を行う基板処理装置および基板
処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤの製造においては、基板であるＬ
ＣＤガラス基板に所定の膜を成膜した後、フォトレジス
ト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対
応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するとい
う、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パタ
ーンを形成し、これにエッチング処理を施して現像パタ
ーンに対応する配線回路等を形成する。

【０００３】従来、このような処理のうち、リソグラフ
ィー工程においては、洗浄処理された基板に対して、ま
ずアドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理を施し、
冷却処理ユニットにて冷却した後、レジスト塗布ユニッ
トにてフォトレジスト膜を塗布形成する。このフォトレ
ジスト膜が形成された基板に対し、プリベーク処理を施
した後、冷却処理ユニットにて冷却し、露光装置にて所
定のパターンを露光する。引き続き、露光後の基板に対
してポストエクスポージャーベーク処理を施した後、冷
却処理ユニットにて冷却し、現像ユニットにて現像液を
塗布して露光パターンを現像する。そして、最後に、ホ
ットプレートユニットにてポストベーク処理を施して高
分子化のための熱変成、基板とパターンとの密着性を強
化する。

【０００４】このような一連の処理工程のうち、露光処
理を除く工程は、これらの処理ユニットを一体的に集約
したレジスト塗布現像処理システムによって行われてい
る。そして、露光装置はこのようなレジスト塗布現像処
理システムに直結した状態に配置され、リソグラフィー
工程全体として高効率化を図っている。

【０００５】一方、エッチングはプラズマを利用したド
ライプロセスによって行われており、近年、エッチング
処理等の高効率化のため、複数のエッチング処理チャン
バーを備え、場合によってはアッシングチャンバーも備
えたクラスターツール型のエッチング装置が用いられて
いる。

【０００６】そして、従来、これらの処理を行うための
処理設備においては、上述したレジスト塗布現像処理シ
ステムと、その後のエッチング処理およびアッシング処
理を行うエッチング装置およびアッシング装置とがそれ
ぞれ集中して配置されるレイアウトが採用されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
ト塗布および現像処理は、いずれも処理液を用いたウエ
ット処理であるため、疎水化処理、ベーキング処理およ
び冷却処理等の熱的処理の工程が多く存在し、工程数が
多くならざるを得ない。したがって、レジスト塗布現像
システムにおいても、ユニット数が多くなりシステムの
大型化が避けられない。近年、ＬＣＤ基板のさらなる大
型化が要求されており、このようなレジスト塗布現像シ
ステムはますます大型化している。

【０００８】一方、上述のように、レジスト塗布現像処
理システムとエッチング装置とがそれぞれ集中して配置
されることにより、レジスト塗布現像処理システムとエ
ッチング装置とは離れた位置に配置されることとなり、
一枚の基板の一連の処理を考慮すると搬送距離が長くな
らざるを得ず、効率が悪い。

【０００９】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、レジスト塗布および現像処理を含む一連の
工程を効率良く行うことができ、装置の小型化を図るこ
とができる基板処理装置および基板処理方法を提供する
ことを目的とする。また、レジスト塗布および現像処
理、ならびにエッチング処理を効率良く行うことがで
き、装置の小型化を図ることができる基板処理装置およ
び基板処理方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、基板に対してドライ
プロセスによりレジスト膜を形成するレジスト膜形成ユ
ニットと、基板上に形成されたレジスト膜を所定パター
ンに露光後、ドライプロセスにより現像する現像処理ユ
ニットと、これらレジスト膜形成ユニットおよび現像処
理ユニットに対する基板の搬送を行う搬送機構とを具備
し、これらが一体的に構成されていることを特徴とする
基板処理装置が提供される。

【００１１】本発明の第２の観点によれば、基板に対し
てドライプロセスによりレジスト膜を形成するレジスト
膜形成ユニットと、基板上に形成されたレジスト膜を所
定パターンに露光後、そのパターンをドライプロセスに
より現像する現像処理ユニットと、現像後のパターンに
応じて下地膜をドライプロセスによりエッチングするエ
ッチング処理ユニットと、これらレジスト膜形成ユニッ
ト、現像処理ユニットおよびエッチング処理ユニットに
対する基板の搬送を行う搬送機構とを具備し、これらが
一体的に構成されていることを特徴とする基板処理装置
が提供される。

【００１２】本発明の第３の観点によれば、基板に対し
てレジスト膜を形成するレジスト膜形成ユニットと、基
板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光後、
ドライプロセスにより露光後のパターンの現像および下
地膜のエッチングを一括して行う現像／エッチング処理
ユニットと、これらレジスト膜形成ユニットおよび現像
／エッチング処理ユニットに対する基板の搬送を行う搬
送機構とを具備し、これらが一体的に構成されているこ
とを特徴とする基板処理装置。基板に対してドライプロ
セスによりレジスト膜を形成するレジスト膜形成ユニッ
トと、基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに
露光後、ドライプロセスにより現像する現像処理ユニッ
トと、これらレジスト膜形成ユニットおよび現像処理ユ
ニットに対する基板の搬送を行う搬送機構とを具備する
ことを特徴とする基板処理装置が提供される。

【００１３】本発明の第４の観点によれば、所定の膜が
形成された基板にレジスト膜を形成する工程と、基板上
に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光する工程
と、露光パターンを現像する工程と、を具備する基板処
理方法であって、前記レジスト膜形成工程および現像工
程は、一つの装置内でドライプロセスにより実施される
ことを特徴とする基板処理方法が提供される。

【００１４】本発明の第５の観点によれば、所定の膜が
形成された基板にレジスト膜を形成する工程と、基板上
に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光する工程
と、露光パターンを現像する工程と、現像後のパターン
に応じて基板上の膜をエッチングする工程とを具備する
基板処理方法であって、前記レジスト膜形成工程、現像
工程、エッチング工程は、一つの装置内でドライプロセ
スにより実施されることを特徴とする基板処理方法が提
供される。

【００１５】本発明の第６の観点によれば、所定の膜が
形成された基板にレジスト膜を形成する工程と、基板上
に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光する工程
と、露光パターンを現像する工程と、現像後のパターン
に応じて基板上の膜をエッチングする工程とを具備する
基板処理方法であって、前記現像工程と前記エッチング
工程とをドライプロセスにより一括して行うことを特徴
とする基板処理方法が提供される。

【００１６】上記本発明の第１の観点および第４の観点
によれば、レジスト膜形成および現像を一つの装置内で
ドライプロセスにより実施するので、基本的に従来必要
であった熱的処理工程が不要となり、レジスト塗布現像
処理の工程数を減少させて効率良くこれらの処理を行う
ことができる。また、このように熱的処理工程が不要と
なるから熱的処理ユニットを設ける必要がなく、レジス
ト塗布および現像を含む一連の処理を実施する設備の小
型化を実現することができる。

【００１７】上記本発明の第２の観点および第５の観点
によれば、レジスト膜形成、現像およびエッチングを一
つの装置内でドライプロセスにより実施するので、基本
的に従来のレジスト塗布現像処理システムのような熱的
処理工程が不要となり、レジスト塗布現像処理の工程数
を減少させることができるとともに、従来レジスト塗布
現像処理システムとは離れた位置に設けられていたエッ
チング処理ユニットを一体化することにより、レジスト
膜形成、現像およびエッチングを効率良く行うことがで
きる。また、このように熱的処理工程が不要となり、か
つエッチング処理ユニットを一体化することから、レジ
スト塗布および現像、ならびにエッチング処理を含む一
連の処理を実施する設備の小型化を実現することができ
る。

【００１８】上記本発明の第３の観点および第６の観点
によれば、レジスト膜を形成し、露光した後、現像とエ
ッチングとをドライプロセスにより一括して行うので、
従来のように現像とエッチングを別々の装置で分けて行
う必要がなく、工程を著しく簡略化することができ、か
つ装置を小型化することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態について説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係る基板処理装置を模式的に示す平面図である。この基
板処理装置１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカ
セットＣを載置し、搬入出部を構成するカセットステー
ション１０と、基板Ｇに対してレジスト塗布処理および
露光後の現像処理を行う処理ステーション２０と、露光
装置５０との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインタ
ーフェース部４０とを備えており、処理ステーション２
０の両端にそれぞれカセットステーション１０およびイ
ンターフェース部４０が配置されている。

【００２０】カセットステーション１０は、ＬＣＤ基板
Ｇを複数枚収納するカセットＣが４個載置可能なカセッ
ト載置台１１とカセットＣと処理ステーション２０の後
述するロードロック室２２との間で基板Ｇの搬送を行う
ための搬送装置１２を備えている。搬送装置１２は、カ
セット載置台１１に沿って形成された搬送路１３をレー
ル１４にガイドされながら走行する本体（図示せず）
と、上下動および回転が可能なベース部材１５と、基板
Ｇを支持するとともにベース部材１５上を前後方向に移
動する基板支持アーム１６とを有している。

【００２１】処理ステーション２０は、真空状態におけ
るドライプロセスにより基板Ｇに対してレジスト膜形成
および露光後の現像処理が可能に構成されている。処理
ステーション２０は、中央に平面形状が正方形をなす搬
送室２１が設けられており、この搬送室２１の各辺に、
カセットステーション１０との間の第１ロードロック室
２２、レジスト膜形成ユニット２３、現像処理ユニット
２４、およびインターフェイス部４０との間の第２ロー
ドロック室２５が、それぞれ開閉可能に構成されたゲー
トバルブ２７，２８，２９，３０を介して連結されてい
る。なお、第１ロードロック室２２とカセットステーシ
ョン１０との連結部にはゲートバルブ２６が設けられ、
第２ロードロック室２５とインターフェイス部４０との
間にはゲートバルブ３１が設けられている。

【００２２】搬送室２１は真空排気可能に構成され、そ
の中には基板Ｇの搬送を行うための主搬送装置３２が設
けられている。主搬送装置３２は、多関節アームタイプ
であり、ベースアーム３３と、ベースアーム３３に連結
された中間アーム３４と、中間アーム３４に連結された
基板支持アーム３５とを有しており、これらの接続部分
は旋回可能となっている。この主搬送装置３２は、第１
ロードロック室２２、レジスト膜形成ユニット２３、現
像処理ユニット２４、および第２ロードロック室２５に
対する基板の搬入出を行う。

【００２３】第１ロードロック室２２も真空排気可能に
構成され、その中に基板Ｇを載置する載置台２２ａが設
けられている。また、基板Ｇが搬入されてステージ２２
ａに載置された際に基板のアライメントを行うポジショ
ナー（図示せず）が設けられている。この第１ロードロ
ック室２２は、カセットステーション１０との間で基板
Ｇの受け渡しする場合には、その中を大気雰囲気とし、
基板Ｇを搬送室２１に搬入する際には搬送する場合に
は、その中を真空雰囲気とする。

【００２４】第２ロードロック室２５も真空排気可能に
構成され、その中に基板Ｇを載置するステージ２５ａが
設けられている。この第２ロードロック室２５は、搬送
室２１に対する基板Ｇの搬入出を行う場合には、その中
を真空雰囲気とし、基板Ｇをインターフェイス部４０と
の間で受け渡す場合には、その中を大気雰囲気とする。

【００２５】レジスト膜形成ユニット２３は、その中に
基板Ｇを載置するためのステージ２３ａが設けられ、そ
の内部を真空排気可能に構成されており、ドライプロセ
スにより、典型的には公知のプラズマＣＶＤ技術により
レジスト膜が形成されるようになっている。すなわち、
レジスト膜形成ユニット２３には、所定の成膜ガスが導
入され、また高周波電力を印加することが可能になって
おり、これらによりプラズマを形成し、そのプラズマに
より基板Ｇにレジスト膜を形成するようになっている。
なお、この場合に、レジスト膜は最終的に剥離されるも
のであるから、厳密な膜質コントロールは不要である。

【００２６】現像処理ユニット２４は、その中に基板Ｇ
を載置するためのステージ２４ａが設けられ、その内部
を真空排気可能に構成されており、ドライプロセスによ
り、典型的には公知のプラズマエッチング技術により所
定パターンに露光されたレジスト膜が現像されるように
なっている。すなわち、現像処理ユニット２４には、所
定のエッチングガスが導入され、また高周波電力を印加
することが可能になっており、これらによりプラズマを
形成し、そのプラズマによりレジスト膜の露光された部
分または未露光部分のみが選択的にエッチングされ、現
像される。例えば、露光後のレジスト膜にシリル化処理
を施して、露光部分のみにシリコン含有化合物を反応さ
せてシリル化し、露光部分のエッチング耐性を高めて未
露光部分を選択的にエッチングして現像する方法を採用
することができる。この方法を採用する場合には、他に
シリル化処理室が必要となる。なお、このような現像処
理における耐エッチング性はレジストの材料によって異
なる。

【００２７】インターフェイス部４０は、第２ロードロ
ック室２５の両側に設けられた、バッファーカセットＢ
Ｒを配置するバッファカセットステージ４７，４８と、
これらと露光装置４０との間で基板Ｇの搬入出を行う搬
送装置４１とを備えている。搬送装置４１は、第２ロー
ドロック室２５およびバッファカセットステージ４７，
４８の配列方向に沿って形成された搬送路４２をレール
４３にガイドされながら走行する本体（図示せず）と、
上下動および回転が可能なベース部材４４と、基板Ｇを
支持するとともにベース部材４４上を前後方向に移動す
る基板支持アーム４５とを有している。

【００２８】このように構成される基板処理装置１００
においては、まず、いずれかのカセットＣ内の基板Ｇが
１枚、搬送装置１２により処理ステーション２０の第１
のロードロック室２２に搬入される。次いで、ゲートバ
ルブ２６が閉じられ、第１のロードロック室２２内が真
空引きされる。この際に基板Ｇはステージ２２ａ上でア
ライメントされる。

【００２９】その後、ゲートバルブ２７が開けられ、搬
送装置３２により基板Ｇが基板支持アーム３６に支持さ
れた状態で所定の真空度に保持された搬送室２１に搬入
され、ゲートバルブ２７が閉じられる。その後、ゲート
バルブ２８が開かれ、主搬送装置３２により基板Ｇがレ
ジスト膜形成ユニット２３に搬送される。

【００３０】レジスト膜形成ユニット２３では、図２の
（ａ）に示すように、例えば酸化膜からなる膜６１が形
成されたＬＣＤ基板Ｇ上に、ドライプロセス、例えば公
知のプラズマＣＶＤ技術によりレジスト膜６２が形成さ
れる。この場合に、従来のスピン塗布方式の場合には、
欠陥のないレジスト膜を形成するために、０．５μｍ以
上の膜厚が必要であるが、このようなプラズマＣＶＤプ
ロセスでは、それよりも薄くすることができる。

【００３１】このようにしてレジスト膜６２が形成され
た基板Ｇは、主搬送装置３２により搬送室２１に戻され
る。そして、ゲートバルブ３０が開かれて基板Ｇが第２
のロードロック室２５に搬送され、第２のロードロック
室２５内が真空状態から大気状態にされるとともに、ゲ
ートバルブ３１が開かれてインターフェイス部４０の搬
送装置４１の基板支持アーム４５に受け取られ、露光装
置５０内に搬送される。露光装置５０では、図２（ｂ）
に示すように、レジスト膜が所定パターンに露光され
る。

【００３２】露光後の基板Ｇは、インターフェイス部４
０の搬送装置４４により、第２のロードロック室２５に
戻され、第２ロードロック室２５内が所定の真空雰囲気
にされた後、主搬送装置３２より搬送室２１内に搬入さ
れ、ゲートバルブ３０が閉じられる。その後、ゲートバ
ルブ２９が開かれ、主搬送装置３２により基板Ｇが現像
処理ユニット２４に搬送される。

【００３３】現像処理ユニット２４では、図２の（ｃ）
に示すように、ドライプロセス、例えば公知のプラズマ
エッチング技術により、レジスト膜６２の露光された部
分（または、露光されなかった部分）を選択的に除去
し、露光パターンを現像する。

【００３４】このようにしてパターンが現像された基板
Ｇは、主搬送装置３２により搬送室２１に戻される。そ
して、ゲートバルブ２９が閉じられるとともにゲートバ
ルブ２７が開かれて基板Ｇが第１のロードロック室２５
に搬送され、第１のロードロック室２２内が真空状態か
ら大気状態にされるとともに、ゲートバルブ２６が開か
れてカセットステーション１０の搬送装置１２の基板支
持アーム１６に受け取られ、載置台１１上のいずれかの
カセットに収納され、１枚の基板の処理が終了する。

【００３５】以上のような処理を、カセットＣに搭載さ
れた基板Ｇの枚数だけ繰り返すことにより、１つのカセ
ットの基板の処理を終了する。

【００３６】以上のように、レジスト膜形成および現像
を一つの基板処理装置１００内でドライプロセスにより
実施するので、基本的に従来のウエット処理の場合に必
要であった熱的処理工程が不要となり、レジスト塗布現
像処理の工程数を減少させて効率良くレジスト塗布およ
び現像の処理を行うことができる。また、このように熱
的処理工程が不要となるから熱的処理ユニットを設ける
必要がなく、レジスト塗布および現像を含む一連の処理
を実施する設備を従来よりも小型化することができる。

【００３７】（第２の実施形態）図３は、本発明の第２
の実施形態に係る基板処理装置を模式的に示す平面図で
ある。この実施形態の基板処理装置１００’は、処理ス
テーション２０’の中央に第１の実施形態の搬送室２１
の代わりに、平面形状が長方形の搬送室２１’が設けら
れており、この搬送室２１’には、レジスト膜形成ユニ
ット２３および現像処理ユニット２４の他に、エッチン
グ処理ユニット７１およびアッシング処理ユニット７２
が、それぞれゲートバルブ７３，７４を介して連結され
ている。そして、搬送室２１’の一方の長辺にレジスト
塗布ユニット２３およびエッチング処理ユニット７１が
連結され、他方の長辺に現像処理ユニット２４およびア
ッシング処理ユニット７２が連結されている。搬送室２
１’内には、主搬送装置３２’が設けられている。主搬
送装置３２’は、多関節アームタイプであり、ベースア
ーム３３’と、ベースアーム３３’に連結された中間ア
ーム３４’と、中間アーム３４’に連結された基板支持
アーム３５’とを有している。この主搬送装置３２’は
第１の実施形態における主搬送装置３２よりも搬送距離
が長いため、ベースアーム３３’および中間アーム３
４’は、それぞれベースアーム３３および中間アーム３
４よりも長くなっている。

【００３８】エッチング処理ユニット７１およびアッシ
ング処理ユニット７２は、それぞれその中に基板Ｇを載
置するためのステージ７１ａおよび７２ａが設けられて
おり、いずれも内部を真空排気可能に構成されている。
そして、エッチング処理ユニット７１には、所定のエッ
チングガスが導入され、また高周波電力を印加すること
が可能になっており、これらによりプラズマを形成し、
そのプラズマにより基板Ｇの所定の膜をその現像パター
ンに対応してエッチングする。すなわち、公知のプラズ
マエッチング技術により、ドライエッチングが施され
る。一方、アッシング処理ユニット７２は、アッシング
ガス例えばオゾンが導入可能となっており、アッシング
ガスを用いたドライアッシングによりエッチング処理後
のレジストを除去する。

【００３９】この基板処理装置１００’においては、図
４の（ａ）〜（ｃ）に示すように、図２の（ａ）〜
（ｃ）に示す第１の実施形態の手順と全く同様に、基板
Ｇに対して現像処理まで施された後、ゲート７３が開か
れ、主搬送機構３２’により基板Ｇがエッチング処理ユ
ニット７１に搬送される。

【００４０】エッチング処理ユニット７１では、図４の
（ｄ）に示すように、ドライエッチング、すなわち公知
のプラズマエッチングにより、膜６１の現像されたレジ
ストパターンに対応した部分を除去する。

【００４１】このようにしてエッチング処理された基板
Ｇは、主搬送装置３２’により搬送室２１’に戻され
る。そして、ゲートバルブ７３が閉じられるとともにゲ
ートバルブ７４が開かれて基板Ｇがアッシング処理ユニ
ット７２に搬送される。

【００４２】アッシング処理ユニット７２では、図４の
（ｅ）に示すように、アッシングガスを用いたドライア
ッシングにより、膜６１の上に残存するレジスト膜６２
が剥離される。

【００４３】このようにしてアッシングされた基板Ｇ
は、主搬送装置３２’により搬送室２１’に戻される。
そして、第１の実施形態と同様に、基板Ｇが第１のロー
ドロック室２５を介して載置台１１上のいずれかのカセ
ットに収納され、１枚の基板の処理が終了する。

【００４４】以上のように、レジスト膜形成、現像、エ
ッチングおよびアッシングを一つの基板処理装置１０
０’内でドライプロセスにより実施するので、基本的に
従来のレジスト塗布現像処理システムのような熱的処理
工程が不要となり、レジスト塗布現像処理の工程数を減
少させることができるとともに、従来レジスト塗布現像
処理システムとは離れた位置に設けられていたエッチン
グ処理ユニット７１およびアッシング処理ユニット７２
を一体化することにより、レジスト膜形成、現像、エッ
チングおよびアッシングを効率良く行うことができる。
また、このように熱的処理工程が不要となり、かつエッ
チング処理ユニット７１およびアッシング処理ユニット
７２を一体化することから、レジスト塗布および現像、
エッチング処理ならびにアッシング処理を含む一連の処
理を実施する設備を小型化することができる。

【００４５】図５は、本発明の第３の実施形態に係る基
板処理装置を模式的に示す平面図である。この実施形態
の基板処理装置１００''は、第２の実施形態において搬
送室２１’に連結されている現像処理ユニット２４およ
びエッチング処理ユニット７１の代わりに現像／エッチ
ング処理ユニット７５がゲートバルブ７６を介して連結
された構成の処理ステーション２０''を有している。

【００４６】現像／エッチング処理ユニット７５は、そ
の中に基板Ｇを載置するためのステージ７５ａが設けら
れ、その内部を真空排気可能に構成されており、ドライ
プロセスにより、典型的には公知のプラズマエッチング
技術により、所定パターンに露光されたレジスト膜が現
像されるとともに、レジスト膜の残存した部分をマスク
として基板Ｇ上に形成された膜がエッチングされる。す
なわち現像とエッチングとが一括して行われる。

【００４７】この基板処理装置１００''においては、図
６の（ａ）、（ｂ）に示すように、図４の（ａ）、
（ｂ）に示す第２の実施形態の手順と全く同様に、基板
Ｇに対して露光処理まで施された後、基板Ｇは搬送室２
１’に戻され、ゲート７６が開かれて主搬送機構３２’
により基板Ｇが現像／エッチング処理ユニット７５に搬
送される。

【００４８】現像／エッチング処理ユニット７５では、
図６の（ｃ）に示すように、ドライプロセス、例えば公
知のプラズマエッチング技術により、レジスト膜６２の
露光された部分（または、露光されなかった部分）を選
択的に除去して露光パターンを現像するとともに、その
まま連続してレジスト膜６２の残存した部分をマスクと
して膜６１をエッチングする。すなわち、現像／エッチ
ング処理ユニット７５でドライプロセスにより現像とエ
ッチングとを一括して行う。このように現像とエッチン
グとを連続して効率良く行うためには、基板上の被エッ
チング膜のエッチング選択比とレジスト膜の現像の際の
選択比とがほぼ同等になるように、レジスト膜の材質お
よびエッチング条件を適宜設定することが好ましい。

【００４９】このようにしてエッチング処理された基板
Ｇは、第２の実施形態と同様にしてアッシング処理ユニ
ット７２でアッシング処理が施され、図６の（ｄ）に示
すように、膜６１の上に残存するレジスト膜６２が剥離
される。その後、第１および第２の実施形態と同様に、
基板Ｇが第１のロードロック室２５を介して載置台１１
上のいずれかのカセットに収納され、１枚の基板の処理
が終了する。

【００５０】以上のように、レジスト膜を形成し、露光
した後、現像／エッチング処理ユニット７５で現像とエ
ッチングとをドライプロセスにより一括して行うので、
従来のように現像とエッチングを別々の装置で分けて行
う必要がなく、工程を著しく簡略化することができ、か
つ装置を小型化することができる。

【００５１】このような観点からは、この実施形態では
レジスト膜形成ユニットは必ずしもドライプロセスでレ
ジスト膜を形成する必要はなく、従来のウェットプロセ
スであっても、上記効果を得ることができる。ウェット
プロセスのレジスト膜形成ユニットの場合、適宜の熱的
処理ユニットと搬送装置とを含む処理ブロックをカセッ
トステーションと一体的に設け、この処理ブロックをロ
ードロック室を介して搬送室に連結するようにすればよ
い。

【００５２】なお、本発明は上記実施形態に限定されず
種々変形可能である。例えば、上記第２および第３の実
施形態ではアッシング処理装置を搭載した基板処理装置
について示したが、アッシング処理装置は必須なもので
はない。また、ドライプロセスによりレジスト膜を形成
する際にプラズマＣＶＤを用いたが、これに限らず熱Ｃ
ＶＤ等他のドライプロセスを用いることができる。さら
に、上記実施形態においては、各処理ユニットを１個ず
つ搭載した例について示したが、処理効率を考慮して所
定の処理ユニットが複数搭載されていてもよい。さらに
また、上記実施形態においては、基板としてＬＣＤ基板
を用いた場合について示したが、これに限らず半導体ウ
エハ等他の基板の処理の場合にも適用可能である。しか
し、本発明は大型であるため装置スペースが極めて大き
くならざるを得ないＬＣＤ基板に対して特に有効であ
る。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジスト膜形成および現像を一つの装置内でドライプロ
セスにより実施するので、基本的に従来必要であった熱
的処理工程が不要となり、レジスト塗布現像処理の工程
数を減少させて効率良くこれらの処理を行うことができ
る。また、このように熱的処理工程が不要となるから熱
的処理ユニットを設ける必要がなく、レジスト塗布およ
び現像を含む一連の処理を実施する設備の小型化を実現
することができる。

【００５４】また、レジスト膜形成、現像およびエッチ
ングを一つの装置内でドライプロセスにより実施するの
で、基本的に従来のレジスト塗布現像処理システムのよ
うな熱的処理工程が不要となり、レジスト塗布現像処理
の工程数を減少させることができるとともに、従来レジ
スト塗布現像処理システムとは離れた位置に設けられて
いたエッチング処理ユニットを一体化することにより、
レジスト膜形成、現像およびエッチングを効率良く行う
ことができる。また、このように熱的処理工程が不要と
なり、かつエッチング処理ユニットを一体化することか
ら、レジスト塗布および現像、ならびにエッチング処理
を含む一連の処理を実施する設備の小型化を実現するこ
とができる。

【００５５】さらに、レジスト膜を形成し、露光した
後、現像とエッチングとをドライプロセスにより一括し
て行うので、従来のように現像とエッチングを別々の装
置で分けて行う必要がなく、工程を著しく簡略化するこ
とができ、かつ装置を小型化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を
模式的に示す平面図。

【図２】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を
用いた基板処理の工程を説明するための図。

【図３】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置を
模式的に示す平面図。

【図４】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置を
用いた基板処理の工程を説明するための図。

【図５】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置を
模式的に示す平面図。

【図６】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置を
用いた基板処理の工程を説明するための図。

【符号の説明】

１０……カセットステーション ２０……処理ステーション ２１……搬送室 ２２，２５……ロードロック室 ２３……レジスト膜形成ユニット ２４……現像処理ユニット ４０……インターフェイス部 ７１……エッチング処理ユニット ７２……アッシング処理ユニット ７５……現像／エッチング処理ユニット Ｇ……基板

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ 21/68 21/302 Ｈ Ｆターム(参考） 2H096 CA11 GA36 HA23 JA03 JA04 LA06 5F004 BA04 BB13 BC05 BC06 BD01 BD04 DA26 DA27 DB26 EA04 FA08 5F031 CA05 MA24 MA27 MA29 5F046 JA01 LA11 LB01

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対してドライプロセスによりレジ
   スト膜を形成するレジスト膜形成ユニットと、 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光
   後、ドライプロセスにより現像する現像処理ユニット
   と、 これらレジスト膜形成ユニットおよび現像処理ユニット
   に対する基板の搬送を行う搬送機構とを具備し、これら
   が一体的に構成されていることを特徴とする基板処理装
   置。
2. 【請求項２】 基板に対してドライプロセスによりレジ
   スト膜を形成するレジスト膜形成ユニットと、 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光
   後、そのパターンをドライプロセスにより現像する現像
   処理ユニットと、 現像後のパターンに応じて下地膜をドライプロセスによ
   りエッチングするエッチング処理ユニットと、 これらレジスト膜形成ユニット、現像処理ユニットおよ
   びエッチング処理ユニットに対する基板の搬送を行う搬
   送機構とを具備し、これらが一体的に構成されているこ
   とを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 基板に対してレジスト膜を形成するレジ
   スト膜形成ユニットと、 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光
   後、ドライプロセスにより露光後のパターンの現像およ
   び下地膜のエッチングを一括して行う現像／エッチング
   処理ユニットと、 これらレジスト膜形成ユニットおよび現像／エッチング
   処理ユニットに対する基板の搬送を行う搬送機構とを具
   備し、これらが一体的に構成されていることを特徴とす
   る基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記レジスト膜形成ユニットは、基板に
   対してドライプロセスによりレジスト膜を形成すること
   を特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 他のユニットと一体的に設けられ、エッ
   チング処理後に残存するレジスト膜をドライプロセスに
   より剥離するアッシング処理ユニットをさらに具備する
   ことを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１
   項に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記各ユニットは真空に保持可能な真空
   チャンバーを有し、前記搬送機構を収容するとともにこ
   れら真空チャンバーに連通し、内部が真空に保持可能な
   搬送室をさらに具備することを特徴とする請求項１、請
   求項２または請求項４に記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 処理前の基板および／または処理後の基
   板を収納可能な収納容器を載置する収納容器載置部をさ
   らに具備することを特徴とする請求項１ないし請求項６
   のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 レジスト塗布後の基板に露光処理を施す
   露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイ
   ス部をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし
   請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 【請求項９】 所定の膜が形成された基板にレジスト膜
   を形成する工程と、 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光す
   る工程と、 露光パターンを現像する工程と、を具備する基板処理方
   法であって、 前記レジスト膜形成工程および現像工程は、一つの装置
   内でドライプロセスにより実施されることを特徴とする
   基板処理方法。
10. 【請求項１０】 所定の膜が形成された基板にレジスト
    膜を形成する工程と、 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光す
    る工程と、 露光パターンを現像する工程と、 現像後のパターンに応じて基板上の膜をエッチングする
    工程とを具備する基板処理方法であって、 前記レジスト膜形成工程、現像工程、エッチング工程
    は、一つの装置内でドライプロセスにより実施されるこ
    とを特徴とする基板処理方法。
11. 【請求項１１】 所定の膜が形成された基板にレジスト
    膜を形成する工程と、 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光す
    る工程と、 露光パターンを現像する工程と、 現像後のパターンに応じて基板上の膜をエッチングする
    工程とを具備する基板処理方法であって、 前記現像工程と前記エッチング工程とをドライプロセス
    により一括して行うことを特徴とする基板処理方法。
12. 【請求項１２】 前記レジスト膜形成工程は、ドライプ
    ロセスにより行うことを特徴とする請求項１１に記載の
    基板処理方法。
13. 【請求項１３】 前記現像工程と前記エッチング工程と
    を一括して行う際に、前記基板の被エッチング膜のエッ
    チング選択比とレジスト膜の現像の際の選択比とがほぼ
    同等になるように、レジスト膜の材質およびエッチング
    条件を設定することを特徴とする請求項１１または請求
    項１２に記載の基板処理方法。
14. 【請求項１４】 エッチング工程終了後、他の工程と同
    一の装置内で残存するレジスト膜をドライプロセスによ
    るアッシングにより剥離することを特徴とする請求項９
    ないし請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理方
    法。