JPH11233421A - 塗布・現像処理システム - Google Patents
塗布・現像処理システムInfo
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- JPH11233421A JPH11233421A JP10039789A JP3978998A JPH11233421A JP H11233421 A JPH11233421 A JP H11233421A JP 10039789 A JP10039789 A JP 10039789A JP 3978998 A JP3978998 A JP 3978998A JP H11233421 A JPH11233421 A JP H11233421A
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- coating
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03D—APPARATUS FOR PROCESSING EXPOSED PHOTOGRAPHIC MATERIALS; ACCESSORIES THEREFOR
- G03D5/00—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected
- G03D5/06—Applicator pads, rollers or strips
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
Abstract
(57)【要約】
【課題】 さらに高集積化が進んだ場合であっても、回
路パターンの正確な線幅を得ることができると共に、歩
留まりを一層向上できる塗布・現像処理システムを提供
すること。 【解決手段】 塗布処理ユニット（ＣＯＴ）と現像処理
ユニット（ＤＥＶ）とを、搬送装置１１，１８を間に挟
んで対向して配置しているため、塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）と現像処理ユニットと（ＤＥＶ）を確実に分離で
き、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）でアミン等のアルカリ
成分が生成されることがあっても、このアルカリ成分が
現像処理ユニット（ＤＥＶ）に流入することを確実に防
止できる。
路パターンの正確な線幅を得ることができると共に、歩
留まりを一層向上できる塗布・現像処理システムを提供
すること。 【解決手段】 塗布処理ユニット（ＣＯＴ）と現像処理
ユニット（ＤＥＶ）とを、搬送装置１１，１８を間に挟
んで対向して配置しているため、塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）と現像処理ユニットと（ＤＥＶ）を確実に分離で
き、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）でアミン等のアルカリ
成分が生成されることがあっても、このアルカリ成分が
現像処理ユニット（ＤＥＶ）に流入することを確実に防
止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板例えば
半導体ウエハを搬送する搬送装置の周囲に、基板に塗布
処理、現像処理およびこれらの前後処理を施す複数の処
理ユニットを配置した塗布・現像処理システムに関す
る。
半導体ウエハを搬送する搬送装置の周囲に、基板に塗布
処理、現像処理およびこれらの前後処理を施す複数の処
理ユニットを配置した塗布・現像処理システムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、被処理基板例えば半導体ウエハに処理液例え
ばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術
を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を
露光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。こ
の処理工程は、半導体デバイスの高集積化には極めて重
要なプロセスである。
おいては、被処理基板例えば半導体ウエハに処理液例え
ばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術
を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を
露光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。こ
の処理工程は、半導体デバイスの高集積化には極めて重
要なプロセスである。
【０００３】このような処理工程においては、半導体ウ
エハを洗浄ユニットにて洗浄した後、半導体ウエハにア
ドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理を施し、冷却
処理ユニットにて冷却した後、レジスト塗布ユニットに
てフォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。そ
して、フォトレジスト膜を熱処理ユニットにて加熱して
ベーキング処理（プリベーク）を施した後、露光ユニッ
トにて所定のパターンを露光し、そして、露光後の半導
体ウエハを現像ユニットにて現像液を塗布して所定のパ
ターンを形成した後に、ベーキング処理（ポストベー
ク）を施して高分子化のための熱変成、半導体ウエハと
パターンとの密着性を強化している。
エハを洗浄ユニットにて洗浄した後、半導体ウエハにア
ドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理を施し、冷却
処理ユニットにて冷却した後、レジスト塗布ユニットに
てフォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。そ
して、フォトレジスト膜を熱処理ユニットにて加熱して
ベーキング処理（プリベーク）を施した後、露光ユニッ
トにて所定のパターンを露光し、そして、露光後の半導
体ウエハを現像ユニットにて現像液を塗布して所定のパ
ターンを形成した後に、ベーキング処理（ポストベー
ク）を施して高分子化のための熱変成、半導体ウエハと
パターンとの密着性を強化している。
【０００４】このような塗布・現像処理システムの一つ
のタイプとして、垂直方向に延在された搬送路の周囲
に、上記の複数の処理ユニットが垂直方向に積層して配
置され、この搬送路を垂直に移動する移載機構によっ
て、半導体ウエハを各処理ユニットに搬入・搬出するよ
うにしたものがある。このような処理システムでは、洗
浄ユニット、アドヒージョン処理ユニット、ベーキング
処理ユニット等が一つの処理群として積層され、さら
に、レジスト塗布ユニットと現像処理ユニットとが他の
一つの処理群として積層されている。
のタイプとして、垂直方向に延在された搬送路の周囲
に、上記の複数の処理ユニットが垂直方向に積層して配
置され、この搬送路を垂直に移動する移載機構によっ
て、半導体ウエハを各処理ユニットに搬入・搬出するよ
うにしたものがある。このような処理システムでは、洗
浄ユニット、アドヒージョン処理ユニット、ベーキング
処理ユニット等が一つの処理群として積層され、さら
に、レジスト塗布ユニットと現像処理ユニットとが他の
一つの処理群として積層されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような塗布・現像工程においては、レジスト液を半導体
ウエハ表面に塗布する前工程として半導体ウエハ表面の
疎水化処理を行う際に、アミン系溶剤を使用しているた
め、アミン等のアルカリ成分が生成される。また、露光
処理時の異常露光の発生を防止するため使用する反射防
止膜である塗布剤の溶剤としてアミン系溶剤を使用して
いるため、同様にアミン等のアルカリ成分が生成され
る。
ような塗布・現像工程においては、レジスト液を半導体
ウエハ表面に塗布する前工程として半導体ウエハ表面の
疎水化処理を行う際に、アミン系溶剤を使用しているた
め、アミン等のアルカリ成分が生成される。また、露光
処理時の異常露光の発生を防止するため使用する反射防
止膜である塗布剤の溶剤としてアミン系溶剤を使用して
いるため、同様にアミン等のアルカリ成分が生成され
る。
【０００６】このような疎水化工程や塗布工程でアミン
等のアルカリ成分が生成されると、上述したタイプの塗
布・現像処理システムにおいては、レジスト塗布ユニッ
トと現像処理ユニットとが一つの処理群として積層され
ているため、このようなアルカリ成分が、現像処理ユニ
ット内に流入されるおそれがある。
等のアルカリ成分が生成されると、上述したタイプの塗
布・現像処理システムにおいては、レジスト塗布ユニッ
トと現像処理ユニットとが一つの処理群として積層され
ているため、このようなアルカリ成分が、現像処理ユニ
ット内に流入されるおそれがある。
【０００７】このようにアルカリ成分が現像工程に流入
されると、さらに高集積化された場合には、現像工程に
おいて回路パターンの正確な線幅が得られず、また、Ｉ
Ｃ素子の歩留まりの低下を招来するといったことも考え
られる。
されると、さらに高集積化された場合には、現像工程に
おいて回路パターンの正確な線幅が得られず、また、Ｉ
Ｃ素子の歩留まりの低下を招来するといったことも考え
られる。
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、さらに高集積化が進んだ場合であっても、回路
パターンの正確な線幅を得ることができると共に、歩留
まりを一層向上することができる塗布・現像処理システ
ムを提供することを目的とする。
であり、さらに高集積化が進んだ場合であっても、回路
パターンの正確な線幅を得ることができると共に、歩留
まりを一層向上することができる塗布・現像処理システ
ムを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的達成のため
に、第１発明は、基板を搬送する搬送装置の周囲に、基
板に塗布処理、現像処理およびこれらの前後処理を施す
複数の処理ユニットが配置された塗布・現像処理システ
ムであって、前記塗布処理ユニットと現像処理ユニット
とが、前記搬送装置を間に挟んで対向して配置されてい
ることを特徴とする塗布・現像処理システムを提供す
る。
に、第１発明は、基板を搬送する搬送装置の周囲に、基
板に塗布処理、現像処理およびこれらの前後処理を施す
複数の処理ユニットが配置された塗布・現像処理システ
ムであって、前記塗布処理ユニットと現像処理ユニット
とが、前記搬送装置を間に挟んで対向して配置されてい
ることを特徴とする塗布・現像処理システムを提供す
る。
【００１０】第２発明は、垂直方向に基板を搬送する搬
送装置と、この搬送装置の周囲に垂直方向に積層して配
置され、前記搬送装置により搬送された基板に、塗布処
理および現像処理の前後処理を施すための複数の前後処
理ユニットと、前記搬送装置の一方の側に配置され、前
記搬送装置により搬送された基板に塗布処理を施すため
の塗布処理ユニットと、前記搬送装置の他方側に、前記
塗布処理ユニットに対向するように配置され、前記搬送
装置により搬送された基板に現像処理を施すための現像
処理ユニットとを具備することを特徴とする塗布・現像
処理システムを提供する。
送装置と、この搬送装置の周囲に垂直方向に積層して配
置され、前記搬送装置により搬送された基板に、塗布処
理および現像処理の前後処理を施すための複数の前後処
理ユニットと、前記搬送装置の一方の側に配置され、前
記搬送装置により搬送された基板に塗布処理を施すため
の塗布処理ユニットと、前記搬送装置の他方側に、前記
塗布処理ユニットに対向するように配置され、前記搬送
装置により搬送された基板に現像処理を施すための現像
処理ユニットとを具備することを特徴とする塗布・現像
処理システムを提供する。
【００１１】第３発明は、基板を搬送する２つの搬送装
置と、これら２つの搬送装置の間に設けられ、基板を一
時的に載置する中継部と、一方の搬送装置により基板の
搬入出が行われ、搬入された基板に塗布処理を施すため
の塗布処理ユニットと、他方の搬送装置により基板の搬
入出が行われ、搬入された基板に現像処理を施すための
現像処理ユニットとを具備し、前記塗布処理ユニットと
前記現像処理ユニットは前記２つの搬送装置および中継
部を挟んで互いに反対側に対向して配置されていること
を特徴とする塗布・現像処理システムを提供する。
置と、これら２つの搬送装置の間に設けられ、基板を一
時的に載置する中継部と、一方の搬送装置により基板の
搬入出が行われ、搬入された基板に塗布処理を施すため
の塗布処理ユニットと、他方の搬送装置により基板の搬
入出が行われ、搬入された基板に現像処理を施すための
現像処理ユニットとを具備し、前記塗布処理ユニットと
前記現像処理ユニットは前記２つの搬送装置および中継
部を挟んで互いに反対側に対向して配置されていること
を特徴とする塗布・現像処理システムを提供する。
【００１２】第４発明は、第１発明ないし第３発明の塗
布・現像処理システムにおいて、前記搬送装置は、垂直
方向に延在された搬送路と、この搬送路に沿って垂直方
向に移動しながら搬送した基板を、前記前後処理ユニッ
ト、塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに移載す
る移載機構とを有することを特徴とする塗布・現像処理
システムを提供する。
布・現像処理システムにおいて、前記搬送装置は、垂直
方向に延在された搬送路と、この搬送路に沿って垂直方
向に移動しながら搬送した基板を、前記前後処理ユニッ
ト、塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに移載す
る移載機構とを有することを特徴とする塗布・現像処理
システムを提供する。
【００１３】第５発明は、第３発明の塗布・現像処理シ
ステムにおいて、前記２つの搬送装置の周囲には、それ
ぞれ、垂直方向に積層して配置され、前記搬送装置によ
り搬送された基板に、塗布処理および現像処理の前後処
理を施すための複数の前後処理ユニットが積層されてな
る複数の積層体を有し、一方の搬送装置、その周囲の複
数の積層体、および塗布ユニットにより第１の処理部を
構成し、他方の搬送装置、その周囲の複数の積層体、お
よび現像ユニットにより第２の処理部を構成することを
特徴とする塗布・現像処理システムを提供する。
ステムにおいて、前記２つの搬送装置の周囲には、それ
ぞれ、垂直方向に積層して配置され、前記搬送装置によ
り搬送された基板に、塗布処理および現像処理の前後処
理を施すための複数の前後処理ユニットが積層されてな
る複数の積層体を有し、一方の搬送装置、その周囲の複
数の積層体、および塗布ユニットにより第１の処理部を
構成し、他方の搬送装置、その周囲の複数の積層体、お
よび現像ユニットにより第２の処理部を構成することを
特徴とする塗布・現像処理システムを提供する。
【００１４】第６発明は、第５発明の塗布・現像処理シ
ステムにおいて、前記第１および第２の処理部のうち、
いずれか一方の処理部に、処理前の基板および処理後の
基板を収納するローダ／アンローダユニットが接続され
ていることを特徴とする塗布・現像処理システムを提供
する。
ステムにおいて、前記第１および第２の処理部のうち、
いずれか一方の処理部に、処理前の基板および処理後の
基板を収納するローダ／アンローダユニットが接続され
ていることを特徴とする塗布・現像処理システムを提供
する。
【００１５】第７発明は、第５発明または第６発明の塗
布・現像処理システムにおいて、前記第１および第２の
処理部のうち、いずれか一方の処理部に、基板を露光装
置に受け渡すインターフェイス装置が接続されているこ
とを特徴とする塗布・現像処理システムを提供する。
布・現像処理システムにおいて、前記第１および第２の
処理部のうち、いずれか一方の処理部に、基板を露光装
置に受け渡すインターフェイス装置が接続されているこ
とを特徴とする塗布・現像処理システムを提供する。
【００１６】第１発明によれば、基板を搬送する搬送装
置の周囲に、塗布処理ユニット、現像処理ユニットおよ
びこれらの前後処理ユニットを配置したタイプの塗布・
現像処理システムにおいて、塗布処理ユニットと現像処
理ユニットとが、搬送装置を間に挟んで対向して配置さ
れているため、塗布処理ユニットと現像処理ユニットと
を確実に分離することができ、塗布処理ユニットでアミ
ン等のアルカリ成分が生成されることがあっても、この
アルカリ成分が現像処理ユニットに流入することを確実
に防止することができる。したがって、さらに高集積化
が進んだ場合であっても、回路パターンの正確な線幅を
得ることができるとともに、歩留まりを一層向上するこ
とができる。
置の周囲に、塗布処理ユニット、現像処理ユニットおよ
びこれらの前後処理ユニットを配置したタイプの塗布・
現像処理システムにおいて、塗布処理ユニットと現像処
理ユニットとが、搬送装置を間に挟んで対向して配置さ
れているため、塗布処理ユニットと現像処理ユニットと
を確実に分離することができ、塗布処理ユニットでアミ
ン等のアルカリ成分が生成されることがあっても、この
アルカリ成分が現像処理ユニットに流入することを確実
に防止することができる。したがって、さらに高集積化
が進んだ場合であっても、回路パターンの正確な線幅を
得ることができるとともに、歩留まりを一層向上するこ
とができる。
【００１７】第２発明によれば、垂直方向に基板を搬送
する搬送装置の周囲に、塗布処理および現像処理の前後
処理を施すための複数の処理ユニットを垂直方向に積層
して配置し、搬送装置の一方の側に基板に塗布処理を施
すための塗布処理ユニットを配置し、搬送装置の他方側
に、基板に現像処理を施すための現像処理ユニットを塗
布処理ユニットに対向するように配置したので、基板の
搬送経路が短く小型化可能な塗布・現像システムにおい
て、第１発明と同様、塗布処理ユニットと現像処理ユニ
ットとを確実に分離することができ、さらに高集積化が
進んだ場合であっても、回路パターンの正確な線幅を得
ることができるとともに、歩留まりを一層向上すること
ができる。
する搬送装置の周囲に、塗布処理および現像処理の前後
処理を施すための複数の処理ユニットを垂直方向に積層
して配置し、搬送装置の一方の側に基板に塗布処理を施
すための塗布処理ユニットを配置し、搬送装置の他方側
に、基板に現像処理を施すための現像処理ユニットを塗
布処理ユニットに対向するように配置したので、基板の
搬送経路が短く小型化可能な塗布・現像システムにおい
て、第１発明と同様、塗布処理ユニットと現像処理ユニ
ットとを確実に分離することができ、さらに高集積化が
進んだ場合であっても、回路パターンの正確な線幅を得
ることができるとともに、歩留まりを一層向上すること
ができる。
【００１８】第３発明によれば、２つの搬送装置の間に
基板を一時的に載置する中継部を設け、塗布処理ユニッ
トと現像処理ユニットとを２つの搬送装置および中継部
を挟んで互いに反対側に対向して配置したので、塗布処
理ユニットと現像処理ユニットとをさらに一層確実に分
離でき、塗布処理ユニットで生成されたアミン等のアル
カリ成分が現像処理ユニットに流入することを一層確実
に防止することができる。また、２つの搬送装置とその
間の中継部を設けたことから、多数の基板処理が可能に
なり、スループットの向上を図ることができる。特に、
第５発明のように、一方の搬送装置、その周囲の複数の
積層体、および塗布ユニットにより第１の処理部を構成
し、他方の搬送装置、その周囲の複数の積層体、および
現像ユニットにより第２の処理部を構成することによ
り、処理の自由度が高まり、スループットを一層向上さ
せることができる。
基板を一時的に載置する中継部を設け、塗布処理ユニッ
トと現像処理ユニットとを２つの搬送装置および中継部
を挟んで互いに反対側に対向して配置したので、塗布処
理ユニットと現像処理ユニットとをさらに一層確実に分
離でき、塗布処理ユニットで生成されたアミン等のアル
カリ成分が現像処理ユニットに流入することを一層確実
に防止することができる。また、２つの搬送装置とその
間の中継部を設けたことから、多数の基板処理が可能に
なり、スループットの向上を図ることができる。特に、
第５発明のように、一方の搬送装置、その周囲の複数の
積層体、および塗布ユニットにより第１の処理部を構成
し、他方の搬送装置、その周囲の複数の積層体、および
現像ユニットにより第２の処理部を構成することによ
り、処理の自由度が高まり、スループットを一層向上さ
せることができる。
【００１９】第６発明によれば、第１および第２の処理
部のうち、いずれか一方の処理部に、処理前の基板およ
び処理後の基板を収納するローダ／アンローダユニット
を接続するようにし、また、第７発明によれば、いずれ
か一方の処理部に、基板を露光装置に受け渡すインター
フェイス装置を接続するようにしたので、多数の基板を
短い搬送距離で連続して処理することが可能になり、ス
ループットの向上を図ることができる。
部のうち、いずれか一方の処理部に、処理前の基板およ
び処理後の基板を収納するローダ／アンローダユニット
を接続するようにし、また、第７発明によれば、いずれ
か一方の処理部に、基板を露光装置に受け渡すインター
フェイス装置を接続するようにしたので、多数の基板を
短い搬送距離で連続して処理することが可能になり、ス
ループットの向上を図ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態が採用さ
れた半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の塗布現
像処理システム１の全体構成の平面図であり、図２は、
図１に示した現像処理ユニットおよび周辺露光装置の側
面図であり、図３は、図１に示した前後処理ユニットの
側面図であり、図４は、図１に示した塗布処理ユニット
の側面図である。
づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態が採用さ
れた半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の塗布現
像処理システム１の全体構成の平面図であり、図２は、
図１に示した現像処理ユニットおよび周辺露光装置の側
面図であり、図３は、図１に示した前後処理ユニットの
側面図であり、図４は、図１に示した塗布処理ユニット
の側面図である。
【００２１】この塗布現像処理システムは、図１に示す
ように、被処理基板としてのウエハＷを外部からシステ
ムに搬入し、処理後のウエハＷを搬出するためのカセッ
トステーション１（ローダ／アンローダユニット）と、
塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施
す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置して
なる処理ステーション２と、この処理ステーション２に
隣接して配置され、レジストが塗布されたウエハを露光
するための露光装置３と、処理ステーション２と露光装
置４との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフ
ェイス装置３と、から構成されている。
ように、被処理基板としてのウエハＷを外部からシステ
ムに搬入し、処理後のウエハＷを搬出するためのカセッ
トステーション１（ローダ／アンローダユニット）と、
塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施
す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置して
なる処理ステーション２と、この処理ステーション２に
隣接して配置され、レジストが塗布されたウエハを露光
するための露光装置３と、処理ステーション２と露光装
置４との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフ
ェイス装置３と、から構成されている。
【００２２】カセットステーション１は、図１に示すよ
うに、ウエハＷをウエハカセット１ａに複数枚、例えば
２５枚搭載した状態で外部からシステムに搬入したり、
あるいはシステムから搬出したり、搬送装置１ｂにより
ウエハカセット１ａに対してウエハＷを搬入・搬出した
りするようになっている。また、後述するように、処理
ステーション２のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）お
よびイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセス
できるようになっている。
うに、ウエハＷをウエハカセット１ａに複数枚、例えば
２５枚搭載した状態で外部からシステムに搬入したり、
あるいはシステムから搬出したり、搬送装置１ｂにより
ウエハカセット１ａに対してウエハＷを搬入・搬出した
りするようになっている。また、後述するように、処理
ステーション２のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）お
よびイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセス
できるようになっている。
【００２３】処理ステーション２は、図１に示すよう
に、基本的には、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および周
辺露光装置（ＷＥＥ）からなる第１処理セクションＡ
と、塗布および現像処理の前後処理を施すための２組の
第２処理セクションＢ1，Ｂ2と、現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）からなる第３処理セクションＣとから構成されて
いる。
に、基本的には、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および周
辺露光装置（ＷＥＥ）からなる第１処理セクションＡ
と、塗布および現像処理の前後処理を施すための２組の
第２処理セクションＢ1，Ｂ2と、現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）からなる第３処理セクションＣとから構成されて
いる。
【００２４】第１処理セクション群Ａは、図２に示すよ
うに、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せ
てレジストを塗布するスピンナ型処理ユニットであるレ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）が２段に重ねられて
いる。この２段のレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
に隣接して、周辺露光装置（ＷＥＥ）が配置されてい
る。なお、このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の
詳細は後述する。
うに、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せ
てレジストを塗布するスピンナ型処理ユニットであるレ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）が２段に重ねられて
いる。この２段のレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
に隣接して、周辺露光装置（ＷＥＥ）が配置されてい
る。なお、このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の
詳細は後述する。
【００２５】２組の第２処理セクションＢ1，Ｂ2は、略
同様に構成されており、１組の第２処理セクションは、
図１および図３に示すように、１つの搬送装置１１と、
複数の前後処理ユニットが夫々積層された２つの積層体
１２，１３とからなっている。
同様に構成されており、１組の第２処理セクションは、
図１および図３に示すように、１つの搬送装置１１と、
複数の前後処理ユニットが夫々積層された２つの積層体
１２，１３とからなっている。
【００２６】この搬送装置１１は、図３に示すように、
垂直方向に延在された搬送路１４と、この搬送路１４に
沿って垂直方向に移動してウエハＷを各処理ユニットに
移載するウエハ移載機構１５とから構成されている。こ
のウエハ移載機構１５は、搬送路１４に沿って垂直方向
（Ｚ方向）に昇降自在であると共に、θ方向に回転自在
となっている。また、ウエハ移載機構１５は、基台１６
の前後方向に移動自在な複数本のピックアップ部材１７
を備え、これらのピックアップ部材１７によって各処理
ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現する。さら
に、このピックアップ部材１７は、積層体１２，１３の
各処理ユニットだけでなく、塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）および周辺露光装置（ＷＥＥ）、または現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）にもアクセスできるようになってい
る。
垂直方向に延在された搬送路１４と、この搬送路１４に
沿って垂直方向に移動してウエハＷを各処理ユニットに
移載するウエハ移載機構１５とから構成されている。こ
のウエハ移載機構１５は、搬送路１４に沿って垂直方向
（Ｚ方向）に昇降自在であると共に、θ方向に回転自在
となっている。また、ウエハ移載機構１５は、基台１６
の前後方向に移動自在な複数本のピックアップ部材１７
を備え、これらのピックアップ部材１７によって各処理
ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現する。さら
に、このピックアップ部材１７は、積層体１２，１３の
各処理ユニットだけでなく、塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）および周辺露光装置（ＷＥＥ）、または現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）にもアクセスできるようになってい
る。
【００２７】２つの積層体１２，１３に夫々積層される
複数の前後処理ユニットの組み合わせは、略同様であ
り、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオ
ーブン型の処理ユニットが積層されている。すなわち図
３に示すように、積層体１２では、冷却処理を行うクー
リングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高める
ためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニッ
ト（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット
（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うイクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプ
リベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処
理後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられてい
る。また、積層体１３では、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ
ＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クー
リングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、８段に重ねられてい
る。
複数の前後処理ユニットの組み合わせは、略同様であ
り、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオ
ーブン型の処理ユニットが積層されている。すなわち図
３に示すように、積層体１２では、冷却処理を行うクー
リングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高める
ためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニッ
ト（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット
（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うイクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプ
リベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処
理後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられてい
る。また、積層体１３では、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ
ＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クー
リングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、８段に重ねられてい
る。
【００２８】このように、処理温度の低いクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高い
ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の
熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、
ランダムな多段配置としてもよい。
ニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高い
ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の
熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、
ランダムな多段配置としてもよい。
【００２９】第３処理セクションＣは、図４に示すよう
に、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて
現像処理を行うスピンナ型処理ユニットである２台の現
像処理ユニット（ＤＥＶ）が隣接して配置されている。
また、これら現像処理ユニット（ＤＥＶ）は、図４に仮
想線で示すように、各々上下方向に２段に積層してもよ
い。
に、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて
現像処理を行うスピンナ型処理ユニットである２台の現
像処理ユニット（ＤＥＶ）が隣接して配置されている。
また、これら現像処理ユニット（ＤＥＶ）は、図４に仮
想線で示すように、各々上下方向に２段に積層してもよ
い。
【００３０】さらに、２組の第２処理セクションＢ1，
Ｂ2の間には、ウエハＷを中継する中継部１８が設けら
れている。この中継部１８は、例えば露光処理後のウエ
ハＷを第３処理セクションＣの現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送するような場合、または、現像処理後のウエ
ハＷをカセットステーション１に戻すような場合等に、
一方側の搬送装置１１からウエハＷが一時的に載置され
る。そして、中継部１８上のウエハＷは他方の搬送装置
１１に受け取られる。すなわち、この中継部１８は２つ
の搬送装置１１，１１の間でウエハＷを中継するように
なっている。なお、この中継部１８は、複数段に設けら
れて、搬送装置１１の上方または下方との間でウエハＷ
を中継するように構成されていてもよい。また、共通の
搬送装置１１を一つだけ設け、中継部１８を省略しても
よい。
Ｂ2の間には、ウエハＷを中継する中継部１８が設けら
れている。この中継部１８は、例えば露光処理後のウエ
ハＷを第３処理セクションＣの現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送するような場合、または、現像処理後のウエ
ハＷをカセットステーション１に戻すような場合等に、
一方側の搬送装置１１からウエハＷが一時的に載置され
る。そして、中継部１８上のウエハＷは他方の搬送装置
１１に受け取られる。すなわち、この中継部１８は２つ
の搬送装置１１，１１の間でウエハＷを中継するように
なっている。なお、この中継部１８は、複数段に設けら
れて、搬送装置１１の上方または下方との間でウエハＷ
を中継するように構成されていてもよい。また、共通の
搬送装置１１を一つだけ設け、中継部１８を省略しても
よい。
【００３１】さらに、この中継部１８が設けられた２組
の第２処理セクションＢ1，Ｂ2の間には、作業者がメン
テナンスのために容易に入り込むことができる空間が形
成されており、メンテナンス性を向上することもでき
る。
の第２処理セクションＢ1，Ｂ2の間には、作業者がメン
テナンスのために容易に入り込むことができる空間が形
成されており、メンテナンス性を向上することもでき
る。
【００３２】このように、本実施の形態では、塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）とが
２つの搬送装置１１，１１および中継部１８により大き
く離間して配置されているため、塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）でアミン等のアルカリ成分が生成されることがあ
っても、このアルカリ成分が現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に流入することを確実に防止することができる。
ユニット（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）とが
２つの搬送装置１１，１１および中継部１８により大き
く離間して配置されているため、塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）でアミン等のアルカリ成分が生成されることがあ
っても、このアルカリ成分が現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に流入することを確実に防止することができる。
【００３３】次に、本実施の形態に係る塗布・現像処理
システムに装着されるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）について説明する。図５および図６は、レジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）の全体構成を示す略断面図お
よび略平面図である。
システムに装着されるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）について説明する。図５および図６は、レジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）の全体構成を示す略断面図お
よび略平面図である。
【００３４】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰ
の内側にはスピンチャック２１が配置されている。スピ
ンチャック２１は、真空吸着によってウエハＷを保持し
ながら駆動モータ２２によって回転され、この駆動モー
タ２２は、エアシリンダ２４によって昇降されるフラン
ジ２３に固定されている。
の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰ
の内側にはスピンチャック２１が配置されている。スピ
ンチャック２１は、真空吸着によってウエハＷを保持し
ながら駆動モータ２２によって回転され、この駆動モー
タ２２は、エアシリンダ２４によって昇降されるフラン
ジ２３に固定されている。
【００３５】ウエハＷの表面にレジスト液を供給するた
めのレジストノズル２５は、レジスト供給管２６を介し
てレジスト供給部（図示せず）に接続されている。この
レジストノズル２５はレジストノズルスキャンアーム２
７の先端部にノズル保持体２８を介して着脱可能に取り
付けられている。このレジストノズルスキャンアーム２
７は、一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール２９
上で水平移動可能な垂直支持部材３０の上端部に取り付
けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直
支持部材３０と一体にＹ方向に移動するようになってい
る。
めのレジストノズル２５は、レジスト供給管２６を介し
てレジスト供給部（図示せず）に接続されている。この
レジストノズル２５はレジストノズルスキャンアーム２
７の先端部にノズル保持体２８を介して着脱可能に取り
付けられている。このレジストノズルスキャンアーム２
７は、一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール２９
上で水平移動可能な垂直支持部材３０の上端部に取り付
けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直
支持部材３０と一体にＹ方向に移動するようになってい
る。
【００３６】また、レジストノズルスキャンアーム２７
は、レジストノズル待機部３１でレジストノズル２５を
選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移
動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方
向にも移動するようになっている。
は、レジストノズル待機部３１でレジストノズル２５を
選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移
動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方
向にも移動するようになっている。
【００３７】さらに、レジストノズルスキャンアーム２
７の先端部には、ウエハ表面へのレジスト液の供給に先
立ってウエハ表面にウエハ表面を濡らすための液剤例え
ばシンナーを供給するシンナーノズル３２が取り付けら
れている。
７の先端部には、ウエハ表面へのレジスト液の供給に先
立ってウエハ表面にウエハ表面を濡らすための液剤例え
ばシンナーを供給するシンナーノズル３２が取り付けら
れている。
【００３８】さらにまた、ガイドレール２９上には、リ
ンスノズルスキャンアーム３３を支持しＹ方向に移動可
能な垂直支持部材３４も設けられている。このリンスノ
ズルスキャンアーム３３の先端部にはサイドリンス用の
リンスノズル３５が取り付けられている。リンスノズル
スキャンアーム３３およびリンスノズル３５は、リンス
ノズル待機位置（実線の位置）とウエハＷの周辺部の真
上に設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間
で並進または直線移動するようになっている。
ンスノズルスキャンアーム３３を支持しＹ方向に移動可
能な垂直支持部材３４も設けられている。このリンスノ
ズルスキャンアーム３３の先端部にはサイドリンス用の
リンスノズル３５が取り付けられている。リンスノズル
スキャンアーム３３およびリンスノズル３５は、リンス
ノズル待機位置（実線の位置）とウエハＷの周辺部の真
上に設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間
で並進または直線移動するようになっている。
【００３９】次に、図１ないし図４を参照して、本実施
の形態に係るウエハの塗布・現像処理システムの動作・
作用を概括して説明する。
の形態に係るウエハの塗布・現像処理システムの動作・
作用を概括して説明する。
【００４０】カセットステーション１から、洗浄処理さ
れたウエハＷが一方の第２処理セクションＢ1の積層体
１３のイクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送さ
れ、この処理セクションＢ1内において、または中継部
１８を介して搬送されて他方の第２の処理セクションＢ
2内において、レジストの定着性を高めるため、アドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）により疎水化処理される。
れたウエハＷが一方の第２処理セクションＢ1の積層体
１３のイクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送さ
れ、この処理セクションＢ1内において、または中継部
１８を介して搬送されて他方の第２の処理セクションＢ
2内において、レジストの定着性を高めるため、アドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）により疎水化処理される。
【００４１】疎水化処理されたウエハＷは、搬送装置１
１によりレジスト第１処理セクションＡの塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）に搬入されて、レジスト液が塗布され
る。なお、反射防止膜を塗布する場合には、ウエハＷの
表面に反射防止膜を塗布し、ベーキングした後、レジス
ト液が塗布される。
１によりレジスト第１処理セクションＡの塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）に搬入されて、レジスト液が塗布され
る。なお、反射防止膜を塗布する場合には、ウエハＷの
表面に反射防止膜を塗布し、ベーキングした後、レジス
ト液が塗布される。
【００４２】レジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送
装置１１によりプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）に搬送されてプリベークされ、その後、積層体１２
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介してインター
フェイス装置３に至り、そこから露光装置４に搬入され
て、所定の回路パターンが縮小投影されて露光される。
装置１１によりプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）に搬送されてプリベークされ、その後、積層体１２
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介してインター
フェイス装置３に至り、そこから露光装置４に搬入され
て、所定の回路パターンが縮小投影されて露光される。
【００４３】露光されたウエハＷは、インターフェイス
装置３により処理ステーション２に戻され、一方の第２
処理セクションＢ1内において、または中継部１８によ
り搬送されて他方の第２の処理セクションＢ2内におい
て、ベーキングユニット（ＢＡＫＥ）によりベーキング
される。その後、ウエハＷは、搬送装置１１により現像
処理ユニット（ＤＥＶ）に搬入されて現像処理され、次
いで、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）によ
りポストベークされてパターン強化される。
装置３により処理ステーション２に戻され、一方の第２
処理セクションＢ1内において、または中継部１８によ
り搬送されて他方の第２の処理セクションＢ2内におい
て、ベーキングユニット（ＢＡＫＥ）によりベーキング
される。その後、ウエハＷは、搬送装置１１により現像
処理ユニット（ＤＥＶ）に搬入されて現像処理され、次
いで、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）によ
りポストベークされてパターン強化される。
【００４４】このようにして処理されたウエハＷは、第
２処理セクションＢ2の搬送装置１１により中継部１８
に載置され、第２処理セクションＢ1の搬送装置１１に
よりカセットステーション１に戻される。
２処理セクションＢ2の搬送装置１１により中継部１８
に載置され、第２処理セクションＢ1の搬送装置１１に
よりカセットステーション１に戻される。
【００４５】このように、本実施の形態では、２つの搬
送装置１１，１１および中継部１８を設けたので、搬送
の自由度が高く、ウエハＷを適宜搬送しながら、第１、
第２および第３処理群Ａ，Ｂ1，Ｂ2，Ｃにより各種処理
を行うことができるため、連続して多数のウエハＷの処
理が可能になり、スループットの向上を図ることができ
る。また、上述したように、塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）とが２つの搬送装置
１１，１１および中継部１８により大きく離間して配置
されているため、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）でアミン
等のアルカリ成分が生成されることがあっても、このア
ルカリ成分が現像処理ユニット（ＤＥＶ）に流入するこ
とを確実に防止することができる。したがって、さらに
高集積化が進んだ場合であっても、回路パターンの正確
な線幅を得ることができると共に、歩留まりを一層向上
することができる。
送装置１１，１１および中継部１８を設けたので、搬送
の自由度が高く、ウエハＷを適宜搬送しながら、第１、
第２および第３処理群Ａ，Ｂ1，Ｂ2，Ｃにより各種処理
を行うことができるため、連続して多数のウエハＷの処
理が可能になり、スループットの向上を図ることができ
る。また、上述したように、塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）とが２つの搬送装置
１１，１１および中継部１８により大きく離間して配置
されているため、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）でアミン
等のアルカリ成分が生成されることがあっても、このア
ルカリ成分が現像処理ユニット（ＤＥＶ）に流入するこ
とを確実に防止することができる。したがって、さらに
高集積化が進んだ場合であっても、回路パターンの正確
な線幅を得ることができると共に、歩留まりを一層向上
することができる。
【００４６】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、半導体ウエハにレジスト液を塗布する塗布装置に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基
板、例えばＬＣＤ基板にレジスト液を塗布する場合にも
本発明を適用できる。また、一つの搬送装置の周囲に複
数の処理ユニット群を配置し、現像処理ユニットと塗布
処理ユニットを対向して配置するようにしてもよい。さ
らに、搬送装置は被処理体を垂直に搬送するタイプのも
のに限らず平面的に搬送するものであってもよい。
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、半導体ウエハにレジスト液を塗布する塗布装置に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基
板、例えばＬＣＤ基板にレジスト液を塗布する場合にも
本発明を適用できる。また、一つの搬送装置の周囲に複
数の処理ユニット群を配置し、現像処理ユニットと塗布
処理ユニットを対向して配置するようにしてもよい。さ
らに、搬送装置は被処理体を垂直に搬送するタイプのも
のに限らず平面的に搬送するものであってもよい。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、第１発明によれ
ば、搬送装置の周囲に、塗布処理ユニット、現像処理ユ
ニットおよびこれらの前後処理ユニットを配置したタイ
プの塗布・現像処理システムにおいて、塗布処理ユニッ
トと現像処理ユニットとを、搬送装置を間に挟んで対向
して配置したので、塗布処理ユニットと現像処理ユニッ
トとを確実に分離することができ、塗布処理ユニットで
アミン等のアルカリ成分が生成された場合に、このアル
カリ成分が現像処理ユニットに流入することを確実に防
止することができる。したがって、さらに高集積化が進
んだ場合であっても、回路パターンの正確な線幅を得る
ことができるとともに、歩留まりを一層向上することが
できる。
ば、搬送装置の周囲に、塗布処理ユニット、現像処理ユ
ニットおよびこれらの前後処理ユニットを配置したタイ
プの塗布・現像処理システムにおいて、塗布処理ユニッ
トと現像処理ユニットとを、搬送装置を間に挟んで対向
して配置したので、塗布処理ユニットと現像処理ユニッ
トとを確実に分離することができ、塗布処理ユニットで
アミン等のアルカリ成分が生成された場合に、このアル
カリ成分が現像処理ユニットに流入することを確実に防
止することができる。したがって、さらに高集積化が進
んだ場合であっても、回路パターンの正確な線幅を得る
ことができるとともに、歩留まりを一層向上することが
できる。
【００４８】第２発明によれば、垂直方向に基板を搬送
する搬送装置の周囲に、塗布処理および現像処理の前後
処理を施すための複数の処理ユニットを垂直方向に積層
して配置し、搬送装置の一方の側に基板に塗布処理を施
すための塗布処理ユニットを配置し、搬送装置の他方側
に、基板に現像処理を施すための現像処理ユニットを塗
布処理ユニットに対向するように配置したので、基板の
搬送経路が短く小型化可能な塗布・現像システムが実現
されるとともに、第１発明と同様、塗布処理ユニットと
現像処理ユニットとを確実に分離することができ、さら
に高集積化が進んだ場合であっても、回路パターンの正
確な線幅を得ることができるとともに、歩留まりを一層
向上することができる。
する搬送装置の周囲に、塗布処理および現像処理の前後
処理を施すための複数の処理ユニットを垂直方向に積層
して配置し、搬送装置の一方の側に基板に塗布処理を施
すための塗布処理ユニットを配置し、搬送装置の他方側
に、基板に現像処理を施すための現像処理ユニットを塗
布処理ユニットに対向するように配置したので、基板の
搬送経路が短く小型化可能な塗布・現像システムが実現
されるとともに、第１発明と同様、塗布処理ユニットと
現像処理ユニットとを確実に分離することができ、さら
に高集積化が進んだ場合であっても、回路パターンの正
確な線幅を得ることができるとともに、歩留まりを一層
向上することができる。
【００４９】第３発明によれば、２つの搬送装置の間に
基板を一時的に載置する中継部を設け、塗布処理ユニッ
トと現像処理ユニットとを２つの搬送装置および中継部
を挟んで互いに反対側に対向して配置したので、塗布処
理ユニットと現像処理ユニットとをさらに一層確実に分
離でき、塗布処理ユニットで生成されたアミン等のアル
カリ成分が現像処理ユニットに流入することを一層確実
に防止することができる。また、２つの搬送装置とその
間の中継部を設けたことから、多数の基板処理が可能に
なり、スループットの向上を図ることができる。
基板を一時的に載置する中継部を設け、塗布処理ユニッ
トと現像処理ユニットとを２つの搬送装置および中継部
を挟んで互いに反対側に対向して配置したので、塗布処
理ユニットと現像処理ユニットとをさらに一層確実に分
離でき、塗布処理ユニットで生成されたアミン等のアル
カリ成分が現像処理ユニットに流入することを一層確実
に防止することができる。また、２つの搬送装置とその
間の中継部を設けたことから、多数の基板処理が可能に
なり、スループットの向上を図ることができる。
【００５０】第５発明によれば、一方の搬送装置、その
周囲の複数の積層体、および塗布ユニットにより第１の
処理部を構成し、他方の搬送装置、その周囲の複数の積
層体、および現像ユニットにより第２の処理部を構成す
ることにより、処理の自由度が高まり、スループットを
一層向上させることができる。
周囲の複数の積層体、および塗布ユニットにより第１の
処理部を構成し、他方の搬送装置、その周囲の複数の積
層体、および現像ユニットにより第２の処理部を構成す
ることにより、処理の自由度が高まり、スループットを
一層向上させることができる。
【００５１】第６発明によれば、第１および第２の処理
部のうち、いずれか一方の処理部に、処理前の基板およ
び処理後の基板を収納するローダ／アンローダユニット
を接続するようにし、また、第７発明によれば、いずれ
か一方の処理部に、基板を露光装置に受け渡すインター
フェイス装置を接続するようにしたので、多数の基板を
短い搬送距離で連続して処理することが可能になり、ス
ループットの向上を図ることができる。
部のうち、いずれか一方の処理部に、処理前の基板およ
び処理後の基板を収納するローダ／アンローダユニット
を接続するようにし、また、第７発明によれば、いずれ
か一方の処理部に、基板を露光装置に受け渡すインター
フェイス装置を接続するようにしたので、多数の基板を
短い搬送距離で連続して処理することが可能になり、ス
ループットの向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成の平面図。
布現像処理システムの全体構成の平面図。
【図２】図１に示した現像処理ユニットおよび周辺露光
装置の側面図。
装置の側面図。
【図３】図１に示した前後処理ユニットの側面図。
【図４】図１に示した塗布処理ユニットの側面図。
【図５】図１に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布装置の全体構成の断面図。
レジスト塗布装置の全体構成の断面図。
【図６】図５に示したレジスト塗布装置の平面図。
１……カセットステーション（ローダ／アンローダユニ
ット） ２……処理ステーション ３……インターフェイス装置 ４……露光装置 １１……搬送装置 １８……中継部 １２，１３……積層体 １４……搬送路 １５……移載機構 ＣＯＴ……塗布処理ユニット ＤＥＶ……現像処理ユニット Ｗ……半導体ウエハ（被処理基板）
ット） ２……処理ステーション ３……インターフェイス装置 ４……露光装置 １１……搬送装置 １８……中継部 １２，１３……積層体 １４……搬送路 １５……移載機構 ＣＯＴ……塗布処理ユニット ＤＥＶ……現像処理ユニット Ｗ……半導体ウエハ（被処理基板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ 21/30 ５６９Ｃ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板を搬送する搬送装置の周囲に、基板
に塗布処理、現像処理およびこれらの前後処理を施す複
数の処理ユニットが配置された塗布・現像処理システム
であって、 前記塗布処理ユニットと現像処理ユニットとが、前記搬
送装置を間に挟んで対向して配置されていることを特徴
とする塗布・現像処理システム。 - 【請求項２】 垂直方向に基板を搬送する搬送装置と、 この搬送装置の周囲に垂直方向に積層して配置され、前
記搬送装置により搬送された基板に、塗布処理および現
像処理の前後処理を施すための複数の前後処理ユニット
と、 前記搬送装置の一方の側に配置され、前記搬送装置によ
り搬送された基板に塗布処理を施すための塗布処理ユニ
ットと、 前記搬送装置の他方側に、前記塗布処理ユニットに対向
するように配置され、前記搬送装置により搬送された基
板に現像処理を施すための現像処理ユニットとを具備す
ることを特徴とする塗布・現像処理システム。 - 【請求項３】 基板を搬送する２つの搬送装置と、 これら２つの搬送装置の間に設けられ、基板を一時的に
載置する中継部と、 一方の搬送装置により基板の搬入出が行われ、搬入され
た基板に塗布処理を施すための塗布処理ユニットと、 他方の搬送装置により基板の搬入出が行われ、搬入され
た基板に現像処理を施すための現像処理ユニットとを具
備し、 前記塗布処理ユニットと前記現像処理ユニットは前記２
つの搬送装置および中継部を挟んで互いに反対側に対向
して配置されていることを特徴とする塗布・現像処理シ
ステム。 - 【請求項４】 前記搬送装置は、 垂直方向に延在された搬送路と、 この搬送路に沿って垂直方向に移動しながら搬送した基
板を、前記前後処理ユニット、塗布処理ユニットおよび
現像処理ユニットに移載する移載機構とを有することを
特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記
載の塗布・現像処理システム。 - 【請求項５】 前記２つの搬送装置の周囲には、それぞ
れ、垂直方向に積層して配置され、前記搬送装置により
搬送された基板に、塗布処理および現像処理の前後処理
を施すための複数の前後処理ユニットが積層されてなる
複数の積層体を有し、一方の搬送装置、その周囲の複数
の積層体、および塗布ユニットにより第１の処理部を構
成し、他方の搬送装置、その周囲の複数の積層体、およ
び現像ユニットにより第２の処理部を構成することを特
徴とする請求項３に記載の塗布・現像処理システム。 - 【請求項６】 前記第１および第２の処理部のうち、い
ずれか一方の処理部に、処理前の基板および処理後の基
板を収納するローダ／アンローダユニットが設けられて
いることを特徴とする請求項５に記載の塗布・現像処理
システム。 - 【請求項７】 前記第１および第２の処理部のうち、い
ずれか一方の処理部に、基板を露光装置に受け渡すイン
ターフェイス装置が設けられていることを特徴とする請
求項５または請求項６に記載の塗布・現像処理システ
ム。
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