JPH11145055A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に対する一連の処理を基板搬送距離を長
くすることなく高効率で行うことができる基板処理装置
を提供すること。 【解決手段】 被処理基板Ｓに対してレジスト塗布およ
び露光後の現像を行うとともに、現像後の被処理基板を
エッチングするための一連の処理を行う複数の処理ユニ
ットを搬送路12,13,14の両側に配置した処理部2と、搬
送路12,13,14に沿って移動し、各処理ユニットとの間で
基板の受け渡しを行う主搬送装置17,18,19と、主搬送装
置17,18,19に対して被処理基板Ｓを受け渡しする搬送機
構11を有する搬入出部1とを備え、これら処理部2の各処
理ユニットおよび搬送路12,13,14ならびに搬入出部1が
一体的に設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えばＬＣＤガラ
ス基板、半導体ウエハ等の基板に対してレジスト塗布お
よび現像処理、ならびに現像後のエッチング処理を施す
基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置（ＬＣＤ）や半導体デバイ
スの製造においては、基板であるＬＣＤガラス基板や半
導体ウエハに、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応
してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、
いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターン
を形成し、さらにエッチング処理を施して配線回路等を
形成する。

【０００３】従来、このような処理を行うための処理設
備においては、各処理装置毎に集中して配置されるレイ
アウトが採用されており、かつドライ系とウェット系の
処理装置が分離されるようにレイアウトされている例が
多い。特に、エッチング後等に行われる洗浄処理はウェ
ット処理であり、ドライエッチング装置とは離れた位置
に集中的に配置されている。

【０００４】また、レジスト塗布および現像に関して
は、一連の処理を行う複数の処理ユニットを一体化した
装置が用いられる場合も多いが、この場合でもこのよう
な塗布・現像装置と、成膜装置、エッチング装置とは別
個に設けらている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに各処理を行う処理装置を処理装置毎に集中して設け
ることは一見して効率よく思えるが、一枚の基板の一連
の処理を考慮すると搬送距離が極めて長くなってしま
い、かえって非効率となってしまう。

【０００６】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、基板に対する一連の処理を基板搬送距離を
長くすることなく高効率で行うことができる基板処理装
置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、被処理基板に対して
レジスト塗布および露光後の現像を行うとともに、現像
後の被処理基板をエッチングするための一連の処理を行
う複数の処理ユニットを有する処理部と、前記処理部の
各処理ユニットとの間で被処理基板の受け渡しを行う基
板搬送機構とを備え、これら複数の処理ユニットが一体
的に設けられていることを特徴とする基板処理装置が提
供される。

【０００８】本発明の第２の観点によれば、搬送路と、
搬送路に沿って設けられ、被処理基板に対してレジスト
塗布および露光後の現像を行うとともに、現像後の被処
理基板をエッチングするための一連の処理を行う複数の
処理ユニットを有する処理部と、前記搬送路に沿って移
動し、前記処理部の各処理ユニットとの間で被処理基板
の受け渡しを行う基板搬送機構とを備え、これら複数の
処理ユニットおよび搬送路が一体的に設けられているこ
とを特徴とする基板処理装置が提供される。

【０００９】本発明の第３の観点によれば、被処理基板
に対してレジスト塗布および露光後の現像を行うととも
に、現像後の被処理基板をエッチングするための一連の
処理を行う複数の処理ユニットを搬送路に沿って配置し
た処理部と、前記搬送路に沿って移動し、各処理ユニッ
トとの間で基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、この
基板搬送機構に対して被処理基板を受け渡しする受け渡
し機構を有する搬入出部とを備え、これら処理部の各処
理ユニットおよび搬送路ならびに搬入出部が一体的に設
けられていることを特徴とする基板処理装置が提供され
る。

【００１０】本発明の第４の観点によれば、被処理基板
に対して薄膜を形成する成膜処理を行い、さらにレジス
ト塗布および露光後の現像を行うとともに、現像後の被
処理基板をエッチングするための一連の処理を行う複数
の処理ユニットを有する処理部と、これら各処理ユニッ
トとの間で被処理基板の受け渡しを行う基板搬送機構と
を備え、これら複数の処理ユニットが一体的に設けられ
ていることを特徴とする基板処理装置が提供される。

【００１１】本発明の第５の観点によれば、搬送路と、
搬送路に沿って設けられ、被処理基板に対して薄膜を形
成する成膜処理を行い、さらにレジスト塗布および露光
後の現像を行うとともに、現像後の被処理基板をエッチ
ングするための一連の処理を行う複数の処理ユニットを
有する処理部と、前記搬送路に沿って移動し、各処理ユ
ニットとの間で被処理基板の受け渡しを行う基板搬送機
構とを備え、これら複数の処理ユニットおよび搬送路が
一体的に設けられていることを特徴とする基板処理装置
が提供される。

【００１２】本発明の第６の観点によれば、被処理基板
に対して薄膜を形成する成膜処理を行い、さらにレジス
ト塗布および露光後の現像を行うとともに、現像後の被
処理基板をエッチングするための一連の処理を行う複数
の処理ユニットを搬送路に沿って配置した処理部と、前
記搬送路に沿って移動し、各処理ユニットとの間で基板
の受け渡しを行う基板搬送機構と、この基板搬送機構に
対して被処理基板を受け渡しする受け渡し機構を有する
搬入出部とを備え、これら処理部の各処理ユニットおよ
び搬送路ならびに搬入出部が一体的に設けられているこ
とを特徴とする基板処理装置が提供される。

【００１３】本発明の第７の観点によれば、少なくと
も、被処理基板を洗浄する洗浄処理ユニットおよび被処
理基板にエッチング処理を施すエッチング処理ユニット
が第１搬送路に沿って設けられた第１処理ブロックと、
少なくとも、基板にレジストを塗布するレジスト塗布ユ
ニットおよび基板に対して熱処理を施す熱処理ユニット
が第２搬送路に沿って設けられた第２処理ブロックと、
少なくとも、露光後の現像処理を行う現像処理ユニット
および基板に対して熱処理を施す熱処理ユニットが第３
搬送路に沿って設けられた第３処理ブロックと、前記各
搬送路を移動し、各処理ユニットとの間で基板の受け渡
しを行う搬送アームを有する基板搬送機構とを備え、こ
れら処理ブロックが一体的に設けられていることを特徴
とする基板処理装置が提供される。

【００１４】本発明の第８の観点によれば、被処理基板
に対してレジスト塗布および現像を行うとともに、現像
後露光された被処理基板をエッチングするための一連の
処理を行う複数の処理ユニットを有する処理部と、これ
ら各処理ユニットとの間で被処理基板の受け渡しを行う
基板搬送機構と、この基板搬送機構に対して被処理基板
を受け渡しする受け渡し機構を有する搬入出部とを備
え、前記処理部は、少なくとも、被処理基板を洗浄する
洗浄処理ユニットおよび被処理基板にエッチング処理を
施すエッチング処理ユニットが第１搬送路に沿って設け
られた第１処理ブロックと、少なくとも、基板にレジス
トを塗布するレジスト塗布ユニットおよび基板に対して
熱処理を施す熱処理ユニットが第２搬送路に沿って設け
られた第２処理ブロックと、少なくとも、露光後の現像
処理を行う現像処理ユニットおよび基板に対して熱処理
を施す熱処理ユニットが第３搬送路に沿って設けられた
第３処理ブロックと、を有し、前記基板搬送機構は、前
記各搬送路を移動する搬送アームを有し、これら処理ブ
ロックの各処理ユニットおよび搬送路ならびに搬入出部
が一体的に設けられていることを特徴とする基板処理装
置が提供される。

【００１５】本発明の第９の観点によれば、少なくと
も、基板に薄膜を形成する成膜処理ユニットおよび第１
搬送路を有する第１処理ブロックと、少なくとも、被処
理基板を洗浄する洗浄処理ユニットおよび被処理基板に
エッチング処理を施すエッチング処理ユニットが第２搬
送路に沿って設けられた第２処理ブロックと、少なくと
も、基板にレジストを塗布するレジスト塗布ユニットお
よび基板に対して熱処理を施す熱処理ユニットが第３搬
送路に沿って設けられた第３処理ブロックと、少なくと
も、露光後の現像処理を行う現像処理ユニットおよび基
板に対して熱処理を施す熱処理ユニットが第４搬送路に
沿って設けられた第４処理ブロックと、前記各搬送路を
移動し、各処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う
搬送アームを有する基板搬送機構とを備え、これら処理
ブロックが一体的に設けられていることを特徴とする基
板処理装置が提供される。

【００１６】本発明の第１０の観点によれば、被処理基
板に対して薄膜を形成する成膜処理を行い、さらにレジ
スト塗布および露光後の現像を行うとともに、現像後の
被処理基板を、現像後露光された被処理基板をエッチン
グするための一連の処理を行う複数の処理ユニットを有
する処理部と、これら各処理ユニットとの間で被処理基
板の受け渡しを行う基板搬送機構と、この基板搬送機構
に対して被処理基板を受け渡しする受け渡し機構を有す
る搬入出部とを備え、前記処理部は、少なくとも、基板
に薄膜を形成する成膜処理ユニットおよび第１搬送路を
有する第１処理ブロックと、少なくとも、被処理基板を
洗浄する洗浄処理ユニットおよび被処理基板にエッチン
グ処理を施すエッチング処理ユニットが第２搬送路に沿
って設けられた第２処理ブロックと、少なくとも、基板
にレジストを塗布するレジスト塗布ユニットおよび基板
に対して熱処理を施す熱処理ユニットが第３搬送路に沿
って設けられた第３処理ブロックと、少なくとも、露光
後の現像処理を行う現像処理ユニットおよび基板に対し
て熱処理を施す熱処理ユニットが第４搬送路に沿って設
けられた第４処理ブロックと、を有し、前記基板搬送機
構は、前記各搬送路を移動する搬送アームを有し、これ
ら処理ブロックの各処理ユニットおよび搬送路ならびに
搬入出部が一体的に設けられていることを特徴とする基
板処理装置が提供される。

【００１７】本発明においては、従来のように、レジス
ト塗布・現像処理、エッチング処理、その後の洗浄処理
の各設備を分離して各設備毎に集中的に配置するのでは
なく、被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の
現像を行うとともに、現像後の被処理基板をエッチング
するための一連の処理を行う複数の処理ユニットを一体
的に設けているので、レジスト塗布・現像処理およびエ
ッチング処理を一つの装置で一括して行うことができ、
一連の処理における基板の搬送距離を著しく短くするこ
とができ、極めて高効率な処理が実現される。そして、
さらに、このような処理装置に薄膜形成のための成膜装
置を組み込むことにより、成膜処理からエッチング処理
までを連続して行うことができ、一層効率良く処理を行
うことができる。

【００１８】具体的には、搬送路に沿って、このような
レジスト塗布および露光後の現像、ならびに現像後の被
処理基板をエッチングするための一連の処理を行う複数
の処理ユニットを一体的に設け、または、さらにレジス
ト塗布に先立って基板に薄膜を形成する成膜処理を行う
ユニットをも一体的に設け、この搬送路を移動する基板
搬送機構を設けることにより、上記効果を有効に発揮す
ることができる。

【００１９】そして、さらに基板搬送機構に対して被処
理基板を受け渡しする受け渡し機構を備えた搬入出部を
備えることにより、例えば、そこに配置された基板収納
容器から、受け渡し機構により連続的に被処理基板を搬
送機構へ受け渡すことができ、一層高効率で一連の処理
を行うことができる。

【００２０】この場合に、装置の配置態様としては、上
記処理部を、少なくとも、被処理基板を洗浄する洗浄処
理ユニットおよび被処理基板にエッチング処理を施すエ
ッチング処理ユニットが第１搬送路を挟んで設けられた
第１処理ブロックと、少なくとも、基板にレジストを塗
布するレジスト塗布ユニットおよび基板に対して熱処理
を施す熱処理ユニットが第２搬送路を挟んで設けられた
第２処理ブロックと、少なくとも、露光後の現像処理を
行う現像処理ユニットおよび基板に対して熱処理を施す
熱処理ユニットが第３搬送路を挟んで設けられた第３処
理ブロックとに分けることにより、搬送効率を良好にす
ることができる。

【００２１】また、基板への薄膜形成のための成膜処理
をも行う場合には、上記処理部を、少なくとも、基板に
薄膜を形成する成膜処理ユニットおよび第１搬送路を有
する第１処理ブロックと、少なくとも、被処理基板を洗
浄する洗浄処理ユニットおよび被処理基板にエッチング
処理を施すエッチング処理ユニットが第２搬送路を挟ん
で設けられた第２処理ブロックと、少なくとも、基板に
レジストを塗布するレジスト塗布ユニットおよび基板に
対して熱処理を施す熱処理ユニットが第３搬送路を挟ん
で設けられた第３処理ブロックと、少なくとも、露光後
の現像処理を行う現像処理ユニットおよび基板に対して
熱処理を施す熱処理ユニットが第４搬送路を挟んで設け
られた第４処理ブロックとに分けることにより、搬送効
率を良好にすることができる。

【００２２】さらに、エッチング後のアッシングを行う
ユニット、またはエッチング後のライトアッシング処理
を行うユニットと、ライトアッシング後のウエット洗浄
を行うユニットとを設けることにより、一つの装置でア
ッシングまで行うことができ、極めて効率的である。

【００２３】さらにまた、複数の搬送路を直線状に設け
ることにより、装置の配置効率および搬送効率が良好な
ものとなる。

【００２４】さらにまた、レジスト塗布および露光後の
現像のための一連の処理と、エッチングまたは成膜のた
めの一連の処理とは処理のタイミングが異なるため、基
板を一時保持するためのバッファと、レジスト塗布およ
び露光後の現像のための一連の処理とエッチングのため
の一連の処理との間、またはレジスト塗布および露光後
の現像のための一連の処理と成膜のための一連の処理と
の間にタイムラグが生じた際に、基板を前記バッファに
搬送するように基板搬送機構を制御する制御手段とを有
することが好ましい。

【００２５】さらにまた、エッチング処理ユニットが真
空雰囲気でエッチング処理を行う処理室と、ロードロッ
ク室とを有する場合に、ロードロック室を第１の搬送路
の上方に配置し、その両側に搬送路に沿って基板の搬入
出を行うことが可能なゲートバルブを設けることによ
り、省スペース化を図ることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実
施形態に係るＬＣＤ基板の処理システムを示す平面図で
ある。

【００２７】この処理システム１００は、複数の基板Ｓ
を収容するカセットＣを載置するカセットステーション
１と、基板Ｓにレジスト塗布および露光後の現像を行う
とともに、現像後の基板Ｓに対してエッチング処理を行
うための一連の処理を施す複数の処理ユニットを備えた
処理部２と、露光装置４０との間で基板Ｓの受け渡しを
行うためのインターフェース部３とを備えており、処理
部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびイ
ンターフェース部３が配置されている。

【００２８】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送部
１０を備えている。そして、カセットステーション１に
おいてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送部１
０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０
ａ上を移動可能な搬送機構１１を備え、この搬送機構１
１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｓの搬送が
行われる。

【００２９】処理部２は、前段処理ブロック２ａと中段
処理ブロック２ｂと後段処理ブロック２ｃとに分かれて
おり、それぞれ中央に搬送路１２、１３、１４を有し、
これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されてい
る。そして、これらの間には中継部１５、１６が設けら
れている。

【００３０】前段処理ブロック２ａは、搬送路１２に沿
って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１
２の一方側には、２つのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣ
Ｒ）２１ａ、２１ｂが配置されており、搬送路１２の他
方側には現像後の基板Ｓに対してエッチングおよびアッ
シングを行うエッチングユニット２５、および加熱・冷
却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）２６が配置されている。

【００３１】また、中段処理ブロック２ｂは、搬送路１
３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬
送路１３の一方側には、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）２２および基板Ｓの周縁部のレジストを除去するエ
ッジリムーバー（ＥＲ）２３が一体的に設けられてお
り、搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニットと冷却
処理ユニットが上下に積層されてなる２つの加熱処理・
冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）２８，２９、およびアド
ヒージョン処理ユニットと冷却ユニットとが上下に積層
されてなるアドヒージョン処理・冷却ユニット（ＡＤ／
ＣＯＬ）３０が配置されている。

【００３２】さらに、後段処理ブロック２ｃは、搬送路
１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、
搬送路１４の一方側には、３つの現像処理ユニット２４
ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他
方側には上下２段に積層されてなる加熱処理ユニット３
１、および加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下
に積層されてなる２つの加熱処理・冷却ユニット（ＨＰ
／ＣＯＬ）３２、３３が配置されている。

【００３３】また、中継部１５、１６のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置さ
れており、さらに主搬送装置の出し入れが可能なスペー
ス３５が設けられている。

【００３４】上記主搬送装置１７は、搬送部１０の搬送
機構１１との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、前
段処理ブロック２ａの各処理ユニットに対する基板Ｓの
搬入・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｓの受け
渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置１８は
中継部１５との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、
中段処理ブロック２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｓ
の搬入・搬出、さらには中継部１６との間の基板Ｓの受
け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置１
９は中継部１６との間で基板Ｓの受け渡しを行うととも
に、後段処理ブロック２ｃの各処理ユニットに対する基
板Ｓの搬入・搬出、さらにはインターフェース部３との
間の基板Ｓの受け渡しを行う機能を有している。なお、
中継部１５、１６は冷却プレートとしても機能する。

【００３５】インターフェース部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ
３７と、２つのバッファーステージ３７と、これらと露
光装置４０との間の基板Ｓの搬入出を行う搬送機構３８
とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６
およびバッファステージ３７の配列方向に沿って設けら
れた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備
え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置４０
との間で基板Ｓの搬送が行われる。

【００３６】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。

【００３７】上記主搬送装置１７は、図２に示すよう
に、搬送路１２に沿って移動可能な本体４１と、装置本
体４１に対して上下動および旋回動が可能なベース部材
４２と、ベース部材４２上を水平方向に沿ってそれぞれ
独立して移動可能な上下２枚の基板支持部材４３ａ，４
３ｂとを有している。そして、ベース部材４２の中央部
と装置本体４１とが連結部４４により連結されている。
本体４１に内蔵された図示しないモーターにより連結部
４４を上下動または回転させることにより、ベース部材
４２が上下動または旋回動される。このようなベース部
材４２の上下動および旋回動、ならびに基板支持部材４
３ａ，４３ｂの水平移動により基板Ｓの搬送が行われ
る。参照符号４５ａ，４５ｂは、それぞれ基板支持部材
４３ａ，４３ｂをガイドするガイドレールである。な
お、主搬送装置１８，１９も主搬送装置１７と同様に構
成される。

【００３８】次に、エッチング処理ユニット２５につい
て説明する。図３は、エッチング処理ユニット２５を示
す水平断面図である。このエッチング処理ユニット２５
は、真空状態で基板Ｓに対してエッチング処理およびア
ッシング処理が可能に構成されている。このエッチング
処理ユニット２５は、搬送路１７に面して設けられたロ
ードロック室５１と、その奥に設けられた搬送室５２
と、搬送室５２の一方の側面に設けられたエッチング処
理室５３と、搬送室５２の他の側面に設けられたアッシ
ング処理室５４とを有している。そして、ロードロック
室５１と搬送室５２との間、搬送室５２と各処理室との
間には、これらの間を気密にシールし、かつ開閉可能に
構成されたゲートバルブＧが介装されている。また、ロ
ードロック室５１と外側の大気雰囲気とを連通する開口
部にもゲートバルブＧが設けられている。

【００３９】エッチング処理室５３およびアッシング処
理室５４は、いずれもその中に基板Ｓを載置するための
ステージ６０が設けられており、その内部を真空排気可
能に構成されている。そして、エッチング処理室５３に
は、所定のエッチングガスが導入され、また高周波電界
を印加することが可能になっており、これらによりプラ
ズマを形成し、そのプラズマにより基板Ｓの所定の膜を
その現像パターンに対応してエッチングする。一方、ア
ッシング処理室５４は、アッシングガス例えばオゾンが
導入可能となっており、アッシングガスによりエッチン
グ処理後のレジストを除去する。

【００４０】搬送室５２も真空排気可能に構成され、そ
の中に基板搬送部材７０が設けられている。基板搬送部
材７０は、多関節アームタイプであり、ベース７１と、
中間アーム７２と、先端に設けられた基板支持アーム７
３とを有しており、これらの接続部分は旋回可能となっ
ている。この基板搬送部材７０は、ロードロック室５
１、エッチング処理室５３、アッシング処理室５４との
間で基板Ｓの受け渡しを行う。基板搬送部材７０のベー
ス７１の中間アーム７２と反対側には基板Ｓを保持可能
に構成されたバッファ枠体７５が設けられており、これ
により基板Ｓを一時的に保持することにより、スループ
ットの向上を図っている。

【００４１】ロードロック室５１も真空排気可能に構成
され、その中に基板Ｓを載置するラック８０および基板
Ｓのアライメントを行うポジショナー８１が設けられて
いる。ポジショナー８１は、矢印Ａ方向に沿って移動す
ることにより、基板Ｓの相対向する２つの角部をそれぞ
れ２つのローラ８２で押しつけて、ラック８０上で基板
Ｓのアライメントがなされる。アライメントの終了を確
認するために、図示しない光学的センサーが用いられ
る。このロードロック室５１は、基板搬送機構１７との
間で基板Ｓの受け渡しする場合には、その中を大気雰囲
気とし、基板Ｓを処理室５３または５４に搬送する場合
には、その中を真空雰囲気とする。

【００４２】このような処理システムにおいては、レジ
スト塗布・現像のための一連の処理とエッチング処理ユ
ニット２５における処理とは、それぞれのレシピに従っ
て行われているため、処理時間にタイムラグが生じる。
したがって、このままでは主搬送機構１７の待機時間が
多くなってしまいスループットが低下する。そこで、こ
の態様では、処理時間のタイムラグにより例えば主搬送
装置１７がエッチング処理ユニット２５に基板Ｓを搬送
することを許容されない場合に、基板Ｓをバッファに一
時保持させるように主搬送装置１７をコントロールす
る。具体的には、図４に示すように、メインコントロー
ラ９０、主搬送装置１７のコントローラ９１およびエッ
チング処理ユニット２５のコントローラ９２を用い、コ
ントローラ９１およびコントローラ９２の情報に基づ
き、基板Ｓを待機する必要がある場合に、メインコント
ローラ９０からコントローラ９１に基板Ｓをバッファに
搬送させる指令が出される。この場合のバッファとして
は、カセットステーション１のカセットＣを用いること
ができる。

【００４３】また、基板Ｓを一時保持するバッファとし
て、図５の（ａ）に示すようにエッチング処理ユニット
２５のロードロック室５１の上にバッファカセット９３
を設けてもよいし、図５の（ｂ）に示すようにロードロ
ック室５１の下にバッファカセット９４を設けてもよ
い。

【００４４】次に、このように構成される処理システム
における基板Ｓの処理動作について説明する。まず、カ
セットＣ内の基板Ｓが、処理部２の前段処理ブロック２
ａに搬送され、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂ
でスクラバー洗浄が施され、加熱・冷却処理ユニット
（ＨＰ／ＣＯＬ）２６の加熱処理ユニット（ＨＰ）で加
熱乾燥された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却され
る。

【００４５】その後、基板Ｓは中段処理ブロック２ｂに
搬送され、レジストの定着性を高めるために、ユニット
３０の上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて
疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却後、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２でレ
ジストが塗布され、エッジリムーバー（ＥＲ）２３で基
板Ｓの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基
板Ｓは、中段処理ブロック２ｂの中の加熱処理ユニット
（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット２８，
２９，３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却され
る。

【００４６】その後、基板Ｓは中継部１６から主搬送装
置１９にてインターフェース部３を介して露光装置４０
に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そし
て、基板Ｓは再びインターフェース部３を介して搬入さ
れ、後段処理ブロック２ｃの現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理さ
れ、所定の回路パターンが形成される。現像処理された
基板Ｓは、後段処理ブロック２ｃのいずれかの加熱処理
ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、
冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１
９，１８によって中継部１５に搬送され、主搬送装置１
７によって前段処理ブロック２ａにおけるエッチングユ
ニット２５のロードロック室５１に搬入される。このと
き、ロードロック室５１は大気圧に設定され、搬送室５
２との間のゲートバルブＧは閉じられている。

【００４７】このロードロック室５１において、ラック
９０上の基板Ｓがポジショナー９１によりアライメント
される。その後、ロードロック室５１の両側のゲートバ
ルブＧを閉じた状態でロードロック室５１内を真空排気
し、所定の圧力に到達した時点で搬送室５２側のゲート
バルブＧを開ける。このとき、搬送室５２、エッチング
処理室５３およびアッシング処理室５４は、予め所定の
真空度まで真空排気されている。

【００４８】続いて、搬送室５２の基板搬送部材７０に
より、ロードロック室５１のラック９０上の基板Ｓを受
け取り、搬送室５２とエッチング処理室５３との間のゲ
ートバルブＧを開けてエッチング処理室５３に基板Ｓを
搬入する。そして、そのゲートバルブＧを閉じ、エッチ
ング処理室５３にて基板Ｓに対してエッチング処理を施
す。

【００４９】エッチング処理終了後、ゲートバルブＧを
開けて、基板Ｓを基板搬送部材７０によりエッチング処
理室５３から搬出し、搬送室５２とアッシング処理室５
４との間のゲートバルブＧを開けてアッシング処理室５
４に基板Ｓを搬入する。そして、そのゲートバルブＧを
閉じ、アッシング処理室５４にて基板Ｓに対してアッシ
ング処理を施す。

【００５０】なお、シーケンスによっては、エッチング
処理ユニット２５に搬入された基板Ｓを一旦バッファ枠
体７５に保持させておき、バッファ枠体７５から基板Ｓ
を取り出すようにしてもよい。

【００５１】このようにアッシング処理が終了した基板
Ｓは、搬送部材７０によりアッシング処理室５４からロ
ードロック室５１に戻され、ロードロック室５１を大気
圧に戻した後、主搬送装置１７により取り出される。そ
して、基板Ｓはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ
または２１ｂに搬入され、そこで基板Ｓに対して洗浄処
理が行われる。

【００５２】このようにして一連の処理が終了した基板
Ｓは、主搬送装置１７により搬送機部１０の搬送機構１
１に受け渡され、処理済基板用のカセットＣに搬入され
る。以上のような処理を、１つのカセットＣの基板Ｓの
数だけ繰り返して、１つのカセットの基板の処理を終了
する。

【００５３】このように、本実施の形態では、従来のよ
うに、レジスト塗布・現像処理、エッチング処理、その
後の洗浄処理の各設備を分離して各設備毎に集中的に配
置するのではなく、基板Ｓに対してレジスト塗布および
露光後の現像を行うとともに、現像後の基板Ｓをエッチ
ングするための一連の処理を行う複数の処理ユニットを
一体的に設けているので、レジスト塗布・現像処理およ
びエッチング処理を一つの設備で一括して行うことがで
きる。したがって、一連の処理における基板Ｓの搬送距
離を著しく短くすることができ、極めて高効率な処理が
実現される。また、搬送路の両側に各処理ユニットを配
置するようにしたので、搬送効率が良好である。また、
搬送路１２，１３，１４が直線状に設けられているの
で、ユニットの配置効率が良好となり、搬送効率が一層
良好なものとなる。さらに、処理部２に連続して搬入出
部であるカセットステーション１を設けたので、基板Ｓ
を連続的に処理部２に搬送することができ極めて高効率
である。

【００５４】特に、図６に示すように、本実施の形態の
処理システム１００を、搬入出部であるカセットステー
ション１をＡＧＶライン１０１に面するようにして複数
並列に配置し、ＡＧＶライン１０１の反対側に基板上に
薄膜を形成するための複数の成膜装置２００を配置する
ことにより、カセットＣの搬送距離を極めて少なくする
ことができ、成膜からエッチングまでをほぼ連続して行
うことができる。

【００５５】また、図７のように、搬入出部をカセット
ステーションからインターフェース部１’に代えて、そ
こに成膜装置２００を接続して、インターフェース部
１’の搬送機構１１’により、基板Ｓを成膜装置２００
と処理部２との間で受け渡しを行うようにすれば、成膜
からエッチングまでを完全に連続して行うことができ
る。

【００５６】さらに、図１に示したシステムに成膜装置
を組み込むことも可能である。その例を図８に示す。図
８のシステムは、図１のシステムにおける処理部２の前
段側に、成膜処理を行うための処理ブロック２ｄを付加
したものである。この処理ブロック２ｄは、搬送路１１
０と、この搬送路１１０に沿って移動可能な主搬送装置
１１１を備えており、搬送路１１０の一方側には、成膜
ユニット１２０が配置されており、搬送路１１０の他方
側には検査ユニット１３０が配置されている。搬送路１
１０は、搬送路１２，１３，１４に連続して直線状に形
成されており、搬送路１２との間には中継部１１２が設
けられている。なお、主搬送装置１１１は、図１の主搬
送装置１７，１８，１９と同様に構成されている。

【００５７】成膜処理ユニット１２０は、搬送路１１０
に面して設けられたロードロック室１２１と、その奥に
設けられた搬送室１２２と、搬送室５２の両側に設けら
れた２つの成膜室１２３，１２４とを有している。ロー
ドロック室１２１および搬送室１２２は、それぞれ上述
したロードロック室５１および搬送室５２と同様の構造
を有している。また、成膜室１２３，１２４は、基板Ｓ
を載置するステージを有しており、例えば真空雰囲気で
のＣＶＤにより所定の膜が成膜される。

【００５８】なお、この場合には、成膜処理ユニット１
２０が設けられているので、図４に示すように主搬送装
置を制御する他、成膜処理と塗布・現像処理とのタイム
ラグを吸収するために、主搬送装置も同様に制御するこ
とが好ましい。

【００５９】このようなシステムにおいては、まず、カ
セットＣ内の基板Ｓが、処理部２の処理ブロック２ｄに
搬送され、成膜処理ユニット１２０において所定の膜が
成膜される。その後、検査ユニット１３０において所定
の検査がされた後、中継部１１２を介して処理ブロック
２ａに搬送され、その後、図１の装置と同じ手順で一連
の処理がなされる。

【００６０】このようなシステムによれば、基板Ｓに所
定の薄膜を形成し、レジスト塗布および露光後の現像を
行うとともに、現像後の基板Ｓをエッチングするための
一連の処理を行う複数の処理ユニットを一体的に設けて
いるので、一連の処理における基板Ｓの搬送距離を一層
短くすることができ、さらに一層高効率な処理が実現さ
れる。

【００６１】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記例では処理
ブロック２ａに２つのスクラバ洗浄ユニット２１ａ，２
１ｂを設けたが、アッシング室５４においてライトアッ
シングを行う場合には、図９に示すように、一方のスク
ラバ洗浄ユニットをウエット洗浄ユニット１４０に変
え、ウエット洗浄ユニット１４０により残存するレジス
トを完全に除去するようにすることもできる。

【００６２】また、図１０の（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、エッチング処理ユニット２５のロードロック室５１
を搬送路１２と重なるように設けて省スペース化を図る
こともできる。この場合にはロードロック室５１を主搬
送装置１７の通常のパスラインよりも上方に設け、ロー
ドロック室５１に基板を搬入する際には、主搬送装置１
７のベース部材４２を上昇させるようにすればよい。こ
の場合には、これらの図に示すように、ロードロック室
５１の両側面に搬入出用のゲートバルブ５１ａ，５１ｂ
が設けられている。また、この場合にも、図１１に示す
ように、上述した目的で、基板Ｓを一時保持するバッフ
ァカセット９５をロードロック室５１上に配置すること
ができる。また、図１２に示すように、エッチング処理
ユニット２５を２つのスクラバ洗浄ユニット２１ａ，２
１ｂの間に配置するようにしてもよい。

【００６３】さらに、各処理ユニットの配置は上記実施
の形態の配置に限らず、種々の配置を採用することが可
能である。また、搬入出部の形態も上記例に限るもので
はない。上記実施の形態では処理部を複数のブロックに
分けて各ブロック間に中継部を設けるようにしている
が、中継部を設けずに一つの搬送路を搬送機構が移動す
るようにしてもよい。また、搬送路は必ずしも直線状に
限らず、屈曲していてもよい。さらに、上記実施形態に
おいては、基板としてＬＣＤ基板を用いた場合について
示したが、これに限らず半導体ウエハ等他の基板の処理
の場合にも適用可能であることはいうまでもない。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来のように、レジスト塗布・現像処理、エッチング処
理、その後の洗浄処理の各設備を分離して各設備毎に集
中的に配置するのではなく、被処理基板に対してレジス
ト塗布および露光後の現像を行うとともに、現像後の被
処理基板をエッチングするための一連の処理を行う複数
の処理ユニットを一体的に設けているので、レジスト塗
布・現像処理およびエッチング処理を一つの装置で一括
して行うことができ、一連の処理における基板の搬送距
離を著しく短くすることができ、極めて高効率な処理が
実現される。そして、さらに、このような処理装置に薄
膜形成のための成膜装置を組み込むことにより、成膜処
理からエッチング処理までを連続して行うことができ、
一層効率良く処理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板の処理シ
ステムを示す平面図。

【図２】図１の処理システムにおける処理部に用いられ
る搬送機構を示す斜視図。

【図３】図１の処理システムにおけるエッチング処理ユ
ニットを示す水平断面図。

【図４】図１の処理システムにおける主搬送装置および
エッチングユニットの制御系を示す図。

【図５】バッファカセットの配置例を示す正面図。

【図６】図１の処理システムの好ましい配置を示す模式
図。

【図７】本発明の他の実施形態に係るＬＣＤ基板の処理
システムを示す概略平面図。

【図８】本発明のさらに他の実施形態に係るＬＣＤ基板
の処理システムを示す平面図。

【図９】本発明のさらに他の実施形態に係るＬＣＤ基板
の処理システムの一部を示す平面図。

【図１０】本発明のさらに他の実施形態に係るＬＣＤ基
板の処理システムの一部を示す平面図および側面図。

【図１１】図１０の（ｂ）に示すロードロック室上にバ
ッファカセットを設けた状態を示す側面図。

【図１２】本発明のさらに他の実施形態に係るＬＣＤ基
板の処理システムの一部を示す平面図。

【符号の説明】

１……カセットステーション ２……処理部 ２ａ……前段ブロック ２ｂ……中段ブロック ２ｃ……後段ブロック ３……インターフェイス部 １０……搬送機構 １１……搬送アーム １２，１３，１４……搬送路 １７，１８，１９……主搬送装置 １７，１８，１１２……中継部 ２１ａ，２１ｂ……スクラバ洗浄ユニット ２２……塗布処理ユニット ２４ａ，２４ｂ，２４ｃ……現像処理ユニット ２５……エッチング処理ユニット １２０……成膜処理ユニット １４０……ウエット洗浄ユニット Ｓ……基板

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板に対してレジスト塗布および
   露光後の現像を行うとともに、現像後の被処理基板をエ
   ッチングするための一連の処理を行う複数の処理ユニッ
   トを有する処理部と、 前記処理部の各処理ユニットとの間で被処理基板の受け
   渡しを行う基板搬送機構とを備え、これら複数の処理ユ
   ニットが一体的に設けられていることを特徴とする基板
   処理装置。
2. 【請求項２】 搬送路と、 搬送路に沿って設けられ、被処理基板に対してレジスト
   塗布および露光後の現像を行うとともに、現像後の被処
   理基板をエッチングするための一連の処理を行う複数の
   処理ユニットを有する処理部と、 前記搬送路に沿って移動し、前記処理部の各処理ユニッ
   トとの間で被処理基板の受け渡しを行う基板搬送機構と
   を備え、これら複数の処理ユニットおよび搬送路が一体
   的に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 被処理基板に対してレジスト塗布および
   露光後の現像を行うとともに、現像後の被処理基板をエ
   ッチングするための一連の処理を行う複数の処理ユニッ
   トを搬送路に沿って配置した処理部と、 前記搬送路に沿って移動し、各処理ユニットとの間で基
   板の受け渡しを行う基板搬送機構と、 この基板搬送機構に対して被処理基板を受け渡しする受
   け渡し機構を有する搬入出部とを備え、これら処理部の
   各処理ユニットおよび搬送路ならびに搬入出部が一体的
   に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記処理部は、さらにエッチング後のア
   ッシング処理を行うユニットを有することを特徴とする
   請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の基板処
   理装置。
5. 【請求項５】 前記処理部は、さらにエッチング後のラ
   イトアッシング処理を行うユニットと、ライトアッシン
   グ後のウエット洗浄を行うユニットとを有することを特
   徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載
   の基板処理装置。
6. 【請求項６】 さらに、基板を一時保持するためのバッ
   ファと、レジスト塗布および露光後の現像のための一連
   の処理とエッチングのための一連の処理との間にタイム
   ラグが生じた際に、基板を前記バッファに搬送するよう
   に前記基板搬送機構を制御する制御手段とを有すること
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に
   記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 被処理基板に対して薄膜を形成する成膜
   処理を行い、さらにレジスト塗布および露光後の現像を
   行うとともに、現像後の被処理基板をエッチングするた
   めの一連の処理を行う複数の処理ユニットを有する処理
   部と、 これら各処理ユニットとの間で被処理基板の受け渡しを
   行う基板搬送機構とを備え、これら複数の処理ユニット
   が一体的に設けられていることを特徴とする基板処理装
   置。
8. 【請求項８】 搬送路と、 搬送路に沿って設けられ、被処理基板に対して薄膜を形
   成する成膜処理を行い、さらにレジスト塗布および露光
   後の現像を行うとともに、現像後の被処理基板をエッチ
   ングするための一連の処理を行う複数の処理ユニットを
   有する処理部と、 前記搬送路に沿って移動し、各処理ユニットとの間で被
   処理基板の受け渡しを行う基板搬送機構とを備え、これ
   ら複数の処理ユニットおよび搬送路が一体的に設けられ
   ていることを特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】 被処理基板に対して薄膜を形成する成膜
   処理を行い、さらにレジスト塗布および露光後の現像を
   行うとともに、現像後の被処理基板をエッチングするた
   めの一連の処理を行う複数の処理ユニットを搬送路に沿
   って配置した処理部と、 前記搬送路に沿って移動し、各処理ユニットとの間で基
   板の受け渡しを行う基板搬送機構と、 この基板搬送機構に対して被処理基板を受け渡しする受
   け渡し機構を有する搬入出部とを備え、これら処理部の
   各処理ユニットおよび搬送路ならびに搬入出部が一体的
   に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 前記処理部は、さらにエッチング後の
    アッシング処理を行うユニットを有することを特徴とす
    る請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の基板
    処理装置。
11. 【請求項１１】 前記処理部は、さらにエッチング後の
    ライトアッシング処理を行うユニットと、ライトアッシ
    ング後のウエット洗浄を行うユニットとを有することを
    特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記
    載の基板処理装置。
12. 【請求項１２】 さらに、基板を一時保持するためのバ
    ッファと、レジスト塗布および露光後の現像のための一
    連の処理とエッチングのための一連の処理との間、また
    はレジスト塗布および露光後の現像のための一連の処理
    と成膜のための一連の処理との間にタイムラグが生じた
    際に、基板を前記バッファに搬送するように前記基板搬
    送機構を制御する制御手段とを有することを特徴とする
    請求項７ないし請求項１１のいずれか１項に記載の基板
    処理装置。
13. 【請求項１３】 少なくとも、被処理基板を洗浄する洗
    浄処理ユニットおよび被処理基板にエッチング処理を施
    すエッチング処理ユニットが第１搬送路に沿って設けら
    れた第１処理ブロックと、 少なくとも、基板にレジストを塗布するレジスト塗布ユ
    ニットおよび基板に対して熱処理を施す熱処理ユニット
    が第２搬送路に沿って設けられた第２処理ブロックと、 少なくとも、露光後の現像処理を行う現像処理ユニット
    および基板に対して熱処理を施す熱処理ユニットが第３
    搬送路に沿って設けられた第３処理ブロックと、 前記各搬送路を移動し、各処理ユニットとの間で基板の
    受け渡しを行う搬送アームを有する基板搬送機構とを備
    え、これら処理ブロックが一体的に設けられていること
    を特徴とする基板処理装置。
14. 【請求項１４】 被処理基板に対してレジスト塗布およ
    び現像を行うとともに、現像後露光された被処理基板を
    エッチングするための一連の処理を行う複数の処理ユニ
    ットを有する処理部と、 これら各処理ユニットとの間で被処理基板の受け渡しを
    行う基板搬送機構と、 この基板搬送機構に対して被処理基板を受け渡しする受
    け渡し機構を有する搬入出部とを備え、 前記処理部は、 少なくとも、被処理基板を洗浄する洗浄処理ユニットお
    よび被処理基板にエッチング処理を施すエッチング処理
    ユニットが第１搬送路に沿って設けられた第１処理ブロ
    ックと、 少なくとも、基板にレジストを塗布するレジスト塗布ユ
    ニットおよび基板に対して熱処理を施す熱処理ユニット
    が第２搬送路に沿って設けられた第２処理ブロックと、 少なくとも、露光後の現像処理を行う現像処理ユニット
    および基板に対して熱処理を施す熱処理ユニットが第３
    搬送路に沿って設けられた第３処理ブロックと、を有
    し、 前記基板搬送機構は、前記各搬送路を移動する搬送アー
    ムを有し、 これら処理ブロックの各処理ユニットおよび搬送路なら
    びに搬入出部が一体的に設けられていることを特徴とす
    る基板処理装置。
15. 【請求項１５】 前記第１処理ブロックは、さらにエッ
    チング後のアッシング処理を行うユニットを有すること
    を特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板
    処理装置。
16. 【請求項１６】 前記第１処理ブロックは、さらにエッ
    チング後のライトアッシング処理を行うユニットと、ラ
    イトアッシング後のウエット洗浄を行うユニットとを有
    することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記
    載の基板処理装置。
17. 【請求項１７】 前記エッチング処理ユニットは真空雰
    囲気でエッチング処理を行う処理室と、ロードロック室
    とを有することを特徴とする請求項１３ないし請求項１
    ６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
18. 【請求項１８】 前記ロードロック室は前記第１の搬送
    路の上方に配置され、その両側には搬送路に沿って基板
    の搬入出を行うことが可能なゲートバルブを有すること
    を特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
19. 【請求項１９】 前記第１搬送路、第２搬送路、および
    第３搬送路は直線状に設けられていることを特徴とする
    請求項１３ないし請求項１８のいずれか１項に記載の基
    板処理装置。
20. 【請求項２０】 さらに、基板を一時保持するためのバ
    ッファと、レジスト塗布および露光後の現像のための一
    連の処理とエッチングのための一連の処理との間にタイ
    ムラグが生じた際に、基板を前記バッファに搬送するよ
    うに前記基板搬送機構を制御する制御手段とを有するこ
    とを特徴とする請求項１３ないし請求項１９のいずれか
    １項に記載の基板処理装置。
21. 【請求項２１】 少なくとも、基板に薄膜を形成する成
    膜処理ユニットおよび第１搬送路を有する第１処理ブロ
    ックと、 少なくとも、被処理基板を洗浄する洗浄処理ユニットお
    よび被処理基板にエッチング処理を施すエッチング処理
    ユニットが第２搬送路に沿って設けられた第２処理ブロ
    ックと、 少なくとも、基板にレジストを塗布するレジスト塗布ユ
    ニットおよび基板に対して熱処理を施す熱処理ユニット
    が第３搬送路に沿って設けられた第３処理ブロックと、 少なくとも、露光後の現像処理を行う現像処理ユニット
    および基板に対して熱処理を施す熱処理ユニットが第４
    搬送路に沿って設けられた第４処理ブロックと、 前記各搬送路を移動し、各処理ユニットとの間で基板の
    受け渡しを行う搬送アームを有する基板搬送機構とを備
    え、これら処理ブロックが一体的に設けられていること
    を特徴とする基板処理装置。
22. 【請求項２２】 被処理基板に対して薄膜を形成する成
    膜処理を行い、さらにレジスト塗布および露光後の現像
    を行うとともに、現像後の被処理基板を、現像後露光さ
    れた被処理基板をエッチングするための一連の処理を行
    う複数の処理ユニットを有する処理部と、 これら各処理ユニットとの間で被処理基板の受け渡しを
    行う基板搬送機構と、 この基板搬送機構に対して被処理基板を受け渡しする受
    け渡し機構を有する搬入出部とを備え、 前記処理部は、 少なくとも、基板に薄膜を形成する成膜処理ユニットお
    よび第１搬送路を有する第１処理ブロックと、 少なくとも、被処理基板を洗浄する洗浄処理ユニットお
    よび被処理基板にエッチング処理を施すエッチング処理
    ユニットが第２搬送路に沿って設けられた第２処理ブロ
    ックと、 少なくとも、基板にレジストを塗布するレジスト塗布ユ
    ニットおよび基板に対して熱処理を施す熱処理ユニット
    が第３搬送路に沿って設けられた第３処理ブロックと、 少なくとも、露光後の現像処理を行う現像処理ユニット
    および基板に対して熱処理を施す熱処理ユニットが第４
    搬送路に沿って設けられた第４処理ブロックと、を有
    し、 前記基板搬送機構は、前記各搬送路を移動する搬送アー
    ムを有し、 これら処理ブロックの各処理ユニットおよび搬送路なら
    びに搬入出部が一体的に設けられていることを特徴とす
    る基板処理装置。
23. 【請求項２３】 前記第２処理ブロックは、さらにエッ
    チング後のアッシング処理を行うユニットを有すること
    を特徴とする請求項２１または請求項２２に記載の基板
    処理装置。
24. 【請求項２４】 前記第２処理ブロックは、さらにエッ
    チング後のライトアッシング処理を行うユニットと、ラ
    イトアッシング後のウエット洗浄を行うユニットとを有
    することを特徴とする請求項２１または請求項２２に記
    載の基板処理装置。
25. 【請求項２５】 前記エッチング処理ユニットは真空雰
    囲気でエッチング処理を行う処理室と、ロードロック室
    とを有することを特徴とする請求項２１ないし請求項２
    ４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
26. 【請求項２６】 前記ロードロック室は前記第１の搬送
    路の上方に配置され、その両側には搬送路に沿って基板
    の搬入出を行うことが可能なゲートバルブを有すること
    を特徴とする請求項２５に記載の基板処理装置。
27. 【請求項２７】 第１の搬送路、第２の搬送路、第３の
    搬送路、および第４の搬送路は直線状に設けられている
    ことを特徴とする請求項２１ないし請求項２６のいずれ
    か１項に記載の基板処理装置。
28. 【請求項２８】 さらに、基板を一時保持するためのバ
    ッファと、レジスト塗布および露光後の現像のための一
    連の処理とエッチングのための一連の処理との間、また
    はレジスト塗布および露光後の現像のための一連の処理
    と成膜のための一連の処理との間にタイムラグが生じた
    際に、基板を前記バッファに搬送するように前記基板搬
    送機構を制御する制御手段とを有することを特徴とする
    請求項２１ないし請求項２７のいずれか１項に記載の基
    板処理装置。