JP2660285B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関するもの
である。

（従来の技術） 半導体製造装置において、半導体ウェハに回路パター
ンを形成する工程中の一装置として、例えば、フォトレ
ジスト塗布現像装置が用いられている。そして、このフ
ォトレジスト塗布現像装置は、複数の処理機構例えば、
半導体ウェハ表面の洗浄機構、この洗浄に使用した純水
などの水分を乾燥除去する疎水熱処理機構、半導体ウェ
ハとフォトレジスト膜との密着性を向上するために行う
HMDS処理機構、半導体ウェハにフォトレジストを塗布す
るフォトレジスト塗布機構、塗布されたフォトレジスト
中に残存する溶剤を加熱蒸発させるプリベーク機構、露
光されたフォトレジストを現像する現像機構、現像によ
ってパターン形成されたフォトレジストに残留する現像
液を蒸発除去し、半導体ウェハとフォトレジストとの密
着性を強化するためのポストベーク機構、フォトレジス
トパターンの耐熱性を向上させるためのレジストキュア
機構などを備え、半導体ウェハを連続して処理する構成
のものである。

そして上記各機構間を例えばベルトを使用した搬送機
構で接続し、半導体ウェハを連続して処理するように構
成されている。

しかし、近年VLSIの集積度が高まるにつれ、例えばレ
ジスト処理工程もより複雑となり、処理工程数および処
理工程の種類も増大している。

上記説明の装置では固定した連続処理は可能である
が、この連続処理のプロセスの中に例えばレジスト多層
塗布や他の処理工程を追加したり、またはある処理工程
を削除するというようなことは不可能である。

上記の事情により、処理工程の追加、削除、変更など
が可能で、複雑な処理工程に対応できるように、例えば
処理機構と搬送機構とを分離した構成の装置が要望され
ている。

この装置例として、次に述べるようなものがある。

第４図（ａ）（ｂ）に示すように、主搬送機構（１）
の周囲に、半導体ウェハ（２）のローダー（３）、アン
ローダー（４）、処理機構Ａ（５）、処理機構Ｂ
（６）、熱処理機構（７）などを配置する。この熱処理
機構（７）は例えば４個の熱板（８）（９）（10）（1
1）を垂直に多段配置し、この下位置に移載用載置台（1
2）を配置する。また、この熱処理機構（７）近傍に副
搬送機構Ａ（13）、副搬送機構Ｂ（14）を設ける。そし
て、ローダー（３）から半導体ウェハ（２）を取り出し
て主搬送機構（１）により例えば処理部Ａ（５）にセッ
トし、半導体ウェハ（２）を処理する。この処理が終る
と主搬送機構（１）により上記半導体ウェハ（２）を移
載用載置台（12）にセットし、次にこの半導体ウェハ
（２）を副搬送機構Ａ（13）で熱処理機構（７）の熱板
（８）→熱板（11）へと処理に応じて移す。そして、最
上段の熱板（11）での熱処理が終了すると、半導体ウェ
ハ（２）を副搬送機構Ｂ（14）により搬送して移載用載
置台（12）にセットする。この移送用載置台（12）上の
半導体ウェハ（２）を主搬送機構（１）で搬出してアン
ローダー（４）に収納する。

また、第５図に示すように、搬送機構（15）の移動経
路（16）に沿って、例えば手前側にローダー（17）、ア
ンローダー（18）、処理機構Ａ（19）、処理機構Ｂ（2
0）を並設し、また向う側に熱処理機構（21）として４
個の熱板（22）（23）（24）（25）を並設する。そし
て、ローダー（17）から半導体ウェハ（26）を取り出し
て搬送機構（15）で搬送して例えば処理機構Ａ（19）に
セットして処理をする。この処理が終ると搬送機構（1
5）により処理機構Ａ（19）から半導体ウェハ（26）を
搬出し、熱板（22）上にセットして熱処理を開始する。
続いて、別の半導体ウェハ（26）をローダー（17）から
取り出し、上記同様の動作にて熱板（23）（24）（25）
にセットする。熱処理機構（21）における熱処理が終る
と搬送機構（15）により該当する上記熱板例えば熱板
（22）から半導体ウェハ（26）を搬出し、アンローダー
（18）に収納する。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記装置にはそれぞれ次に述べるよう
な問題点がある。

前者においては、副搬送機構が２個必要であり、また
主搬送機構のサイクル時間と加熱処理時間との整合をと
るために上記副搬送機構の動作を制御することが必要と
なる。例えば、主搬送機構が動作中であれば加熱処理が
終了した半導体ウェハを加熱処理機構から搬出できず、
結果として上記熱処理機構の熱板から熱板への半導体ウ
ェハの移載の際に待ち時間、すなわち熱処理を中断する
時間が発生する。

一方、後者においては、熱処理時間は使用されるレジ
ストに応じて極めて精密に管理する必要があるために、
熱処理時間を管理すべく搬送機構を動作させようとする
と、装置のスループットが著しく低下する可能性があ
る。これは搬送機構が１つしかないことに起因する。

すなわち、上記熱処理時間は熱板の個数を変更するこ
とによってある範囲内において調整可能であるが、熱板
の個数をｎとした場合、装置のサイクル時間Ｔに対しnT
時間で限定される段階的な時間しか選択できず、その中
間の時間の制御は不可能である。

したがって、装置のサイクル時間Ｔを変えることとな
るが、装置のサイクル時間Ｔは他の処理機構の処理時間
にも影響されるもので、装置のスループットは最も遅い
処理機構の処理時間に対し、それ以上の時間の熱処理サ
イクル時間に設定しなければならない。

例えば、最も遅い処理機構の処理時間が51秒で熱処理
時間が150秒であれば、熱板を３個として50秒間では処
理できず、この場合熱板を２個として75秒サイクルとせ
ざるを得ず、著しくスループットが低下する。

本発明はこのような従来の事情に対処してなされたも
のであり、半導体ウエハなどの基板に対して所定の複数
の処理工程に対する搬入出の問題を解決するものであ
り、基板に対して熱処理や液処理を行うにあたり、１つ
の装置内において搬送機構と処理を行う各処理部群が適
切に配置されて効率のよい動作を実現するスループット
の高い基板処理装置、及び当該基板処理装置を用いた基
板処理方法を提供することを目的とするものである。ま
た同時に本発明は、そのような熱処理と液処理を行う場
合に、搬送機構や搬送機構が配置されているエリアの雰
囲気を介して基板が受ける悪影響を抑えて、基板に対す
る処理の信頼性を向上させることをも目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） このような目的を達成するため、本発明における基板
処理装置は、請求項（１）に記載したように、基本的に
は、基板に対して熱処理を施す熱処理部を複数備えた熱
処理部群と、前記熱処理部群を挟んで設けられた第１の
空間部及び第２の空間部と、前記第２の空間部の前記熱
処理部群側ではない側に設けられ、基板に対して液処理
を施す液処理部群と、前記第１の空間部に配置され、少
なくとも前記熱処理部群の特定の熱処理部に対して前記
基板を搬入出可能に構成された第１の搬送機構と、前記
第２の空間部に配置され、少なくとも前記液処理部群の
特定の液処理部に対して前記基板を搬入出可能に構成さ
れた第２の搬送機構と、前記熱処理部群内又は熱処理部
群近傍に配置されて、熱処理済み又は液処理済みの基板
を待機させる待機部とを１つの装置内に具備したことを
特徴としている。

この場合、請求項（２）に記載したように、熱処理部
群の熱処理部に対する基板の搬入出を第１の空間部側か
ら行うようにし、液処理部群の液処理部に対する基板の
搬入出を第２の空間部側から行うように構成してもよ
い。

さらにこれらの基板処理装置において、請求項（３）
に記載したように、待機部に対する基板の搬送を、第１
の空間部及び第２の空間部の双方から行うように構成し
てもよい。

前記した各基板処理装置における熱処理部群は、第１
の空間部に沿って直線状に配置してもよく、さらに液処
理部群についても、第２の空間部に沿って直線状に配置
してもよい。

請求項（６）によれば、複数の基板を収納可能な収納
体が配置されるローダー・アンローダー部と、基板に対
して所定の温度で熱処理を行う熱処理部を複数備えた熱
処理部群と、前記熱処理部群を挟んで設けられた第１の
空間部及び第２の空間部と、前記第２の空間部の前記熱
処理部群側ではない側に設けられ、基板に対して液処理
を施す液処理部群と、前記第１の空間部に配置され、少
なくとも前記熱処理部群の特定の熱処理部に対して前記
基板を搬入出可能に構成された第１の搬送機構と、前記
第２の空間部に配置され、少なくとも前記液処理部群の
特定の液処理部に対して前記基板を搬入出可能に構成さ
れた第２の搬送機構と、前記熱処理部群内又は熱処理部
群近傍に配置され、前記熱処理部群の特定の熱処理部で
熱処理された基板を第１の搬送機構から受け取り、当該
基板を第２の搬送機構に渡すため又は第２の搬送機構か
ら受け取り、当該基板を第１の搬送機構に渡すための待
機部とを、１つの装置内に備えたことを特徴とする、基
板処理装置が提供される。

また請求項（７）によれば、複数の基板を収納可能な
収納体が配置されるローダー・アンローダー部と、基板
に対して所定の温度で熱処理を行う熱処理部を複数備え
た熱処理部群と、前記熱処理部群を挟んで設けられた第
１の空間部及び第２の空間部と、前記第２の空間部の前
記熱処理部群側ではない側に設けられ、基板に対して液
処理を施す液処理部群と、前記第１の空間部に配置さ
れ、少なくとも前記熱処理部群の特定の熱処理部に対し
て前記基板を搬入出可能に構成された第１の搬送機構
と、前記第２の空間部に配置され、少なくとも前記液処
理部群の特定の液処理部に対して前記基板を搬入出可能
に構成された第２の搬送機構と、前記熱処理部群内又は
熱処理部群近傍に配置され、第１の搬送機構と第２の搬
送機構との間で前記基板を受け渡すための待機部とを、
１つの装置内に備えたことを特徴とする、基板処理装置
が提供される。

これらの各基板処理装置において、熱処理部群の熱処
理部に対する基板の搬入出口は第１の空間部側に設け、
液処理部群の液処理部に対する基板の搬入出口は第２の
空間部側に設け、前記待機部における基板の入出口は、
第１の空間部側及び第２の空間部側の双方に設けた構成
としてもよい。

以上述べた各基板処理装置における第１の搬送機構
は、垂直方向に移動することなく待機部に対して基板を
搬送自在に構成すれば好ましく、また熱処理部群につい
ても、熱処理部を、垂直多段構成に配置すればなお好ま
しい。この場合、待機部は、熱処理部よりも下方に配置
すればさらに好ましい。

そして本発明にかかる前記各基板処理装置における液
処理部群は、例えば基板にレジスト液を供給して塗布す
る処理部や、現像液を供給して現像処理する処理部のう
ちの少なくとも一方の処理部を具備している場合に、特
に有益である。

一方請求項（13）に記載した本発明にかかる基板処理
方法は、前記した請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、10又は11のいずれかに記載の基板処理装置を用
いて基板に対して熱処理及び液処理の双方を実施する方
法であって、液処理部群の特定の液処理部に、第２の搬
送機構で基板を搬送する工程と、前記特定の液処理部に
おいて基板に対して所定の液処理を施す工程と、液処理
済みの基板を第２の搬送機構で待機部に搬送する工程と
を有することを特徴としている。

また既述したローダー・アンローダー部を備えた基板
処理装置を用いて基板を処理する場合、請求項（14）に
記載したように、収納体から搬出した基板を、液処理部
群の特定の液処理部に搬入する工程を具備させたり、請
求項（15）に記載したように、収納体から搬出した基板
を、熱処理部群の特定の熱処理部に搬入する工程を具備
させるようにしてもよい。

本発明にかかる以上の各基板処理方法は、液処理部で
の液処理が、基板にレジストを塗布する処理や、基板に
現像液を供給して現像処理する処理である場合に、特に
有効である。

（実施例） 以下、本発明にかかる基板処理装置を塗布現像装置に
適用した一実施例を図面を参照して説明する。

本体（101）の中央部付近には、被処理体例えば半導
体ウェハ（102）を吸着保持し伸縮自在に構成されたピ
ンセット（図示せず）を有し、横（Ｘ）方向の移動経路
（103）上を移動可能で且つ上記ピンセット（図示せ
ず）を回転（θ）可能に構成された主搬送機構（104）
が設けられている。

次に、この主搬送機構（104）の移動経路（103）の手
前側には、複数の処理機構例えば処理前の半導体ウェハ
（102）を収納するローダー機構（105）、処理終了後の
半導体ウェハ（106）を収納するアンローダー機構（10
7）、半導体ウェハ（102）上にフォトレジストを塗布す
る塗布機構（108）、半導体ウェハ（102）上の露光され
たフォトレジストを現像する現像機構（109）が並置さ
れている。そして、上記主搬送機構（104）により半導
体ウェハ（102）を上記各機構に任意に搬送可能に構成
されている。

一方、上記移動経路（103）の向う側には、例えば並
置された４個の熱板（110）（111）（112）（113）を有
し、半導体ウェハ（114）を載置して加熱処理する熱処
理機構（115）が配置されている。そして、処理プロセ
スに応じて例えば、塗布されたフォトレジスト中に残存
する溶剤を加熱蒸発させるプリベーク処理、現像によっ
てパターン形成されたフォトレジストに残留する現像液
を蒸発除去し半導体ウェハとフォトレジストとの密着性
を強化するためのポストベーク処理に使用される。

上記熱処理機構（115）の近傍には、この熱処理機構
（115）と並行する如く横（Ｘ）方向に移動可能で、半
導体ウェハ（114）を例えば吸着保持し伸縮自在に構成
されたピンセット（図示せず）を有した搬送部（116）
および上記半導体ウェハ（114）を一時的に待機させる
載置台を有する待機部（117）からなる搬送機構（118）
が設けられている。そして、上記待機部（117）と熱処
理機構（115）間で任意に半導体ウェハ（114）が搬送可
能に構成されている。また、上記待機部（117）を介し
て上記搬送機構（118）と主搬送機構（104）間で半導体
ウェハ（114）の受け渡しが可能に構成されている。こ
のように、主搬送機構（104）と搬送部（116）とは、い
わば熱処理機構（115）で隔離された独立空間に設けら
れているので、各搬送空間の雰囲気は、熱処理機構（11
5）によって半ば遮断されている。

次に動作を説明する。先ず、主搬送機構（104）によ
り例えば現像処理すべき半導体ウェハ（102）をローダ
ー機構（105）から搬出して、現像機構（109）にセット
し、現像処理を開始する。

現像機構（109）によって現像処理を終了した半導体
ウェハ（102）を主搬送機構（104）によって現像機構
（109）より搬出し、移動経路（103）上を左方向に搬送
し、上記半導体ウェハ（102）を搬送機構（118）の待機
部（117）に載置する。

そして、搬送機構（118）の搬送部（116）によって待
機部（117）に載置されている半導体ウェハ（102）を保
持して搬送し、熱処理機構（115）の例えば熱板（113）
にセットしてポストベーク処理を開始する。

一方、主搬送機構（104）で、次に現像処理すべき半
導体ウェハ（102）をローダー機構（105）から搬出し、
現像機構（109）に搬送セットして現像処理を開始す
る。

次に、現像機構（109）によって現像処理を終了した
半導体ウェハ（102）を主搬送機構（104）によって現像
機構（109）より搬出し、移動経路（103）上を左方向に
搬送し、上記半導体ウェハ（102）を搬送機構（118）の
待機部（117）に載置する。そして、搬送機構（118）の
搬送部（116）によって待機部（117）に載置されている
半導体ウェハ（102）を保持して搬送し、熱処理機構（1
15）の例えば熱板（112）にセットしてポストベーク処
理を開始する。

一方、主搬送機構（104）で、次に現像すべき半導体
ウェハ（102）をローダー機構（105）から搬出し、現像
機構（109）に搬送セットして現像処理を開始する。

上記動作を繰返し、熱処理機構（115）の熱板（111）
（110）にも半導体ウェハ（102）をセットしてポストベ
ーク処理を行う。

そして、最初にポストベーク処理を開始した熱板（11
3）における所定時間の熱処理が終了すると、搬送部（1
16）によって熱処理の終了した半導体ウェハ（114）を
熱処理機構（115）から搬出して、待機部（117）に載置
する。次に、主搬送機構（104）によって、上記待機部
（117）に載置されている上記半導体ウェハ（114）を搬
出し、アンローダー機構（107）に収納する。このあ
と、熱板（113）には、上記説明した動作にしたがって
現像処理の終了した半導体ウェハ（102）をセットして
ポストベーク処理を開始する。

上記動作において、第２図に示すように主搬送機構
（104）のサイクル時間（119）をＴとした場合、次のよ
うなサイクルにて処理を行う。

すなわち、主搬送機構（104）が待機部（117）に載置
されている熱処理の終了した熱板（113）からの半導体
ウェハ（114）を搬出し、次に熱処理すべき半導体ウェ
ハ（102）を上記待機部（117）に載置するまでの主搬送
機構稼働時間（120）Ta経過後に、搬送部（116）は上記
半導体ウェハ（102）を保持して搬送し搬入時間（121）
Tbにて熱板（113）に搬入セットする。

そして、搬送機構（118）の搬送部（116）は余裕時間
（122）Tw待機した後、熱板（112）から搬出時間（12
3）Tcにて半導体ウェハ（114）を搬出し、待機部（11
7）に載置する。このサイクルを熱板（113）〜（110）
において繰返す。

ここで、上記熱板における実質熱処理時間（124）Tm
は、熱板の数をｎ個とすると、Tm＝nT−（Ｔ−Tb−Tw）
＝（ｎ−１）Ｔ＋（Tb＋Tw）となり、搬送部（116）の
余裕時間（121）Twを調整することにより熱処理時間（1
24）Tmを制御することが可能となる。

上記余裕時間（121）Twは、主搬送機構（104）のサイ
クル時間（119）Ｔより大きくなることはないが、上記
主搬送稼働時間（120）Ta、搬入時間（121）Tb、搬出時
間（123）Tcを小さくすることにより、かなりの範囲に
て調整可能となる。

したがって、上記サイクル時間（119）Ｔに対して、
熱板数ｎと余裕時間（122）Tw双方を設定制御すること
により、熱処理機構以外の処理機構のサイクル時間との
同期をとることが可能となり、熱処理機構の熱処理時間
により装置のスループットが低下するのを防ぐことがで
きる。

しかも主搬送機構（104）と搬送部（116）とは、いわ
ば隔離された独立空間に設けられているので、各空間内
の各雰囲気相互が干渉して、被処理体や搬送手段自体に
悪影響を与えることを抑えることができる。

例えば搬送部（116）の搬送空間は、半導体ウェハ（1
02）からの熱と搬送部（116）の移動に伴って発生する
気流によって熱の乱流域が形成されているが、この熱の
乱流域がある搬送空間と、現像液やフォトレジスト液塗
布直後の半導体ウェハ（102）を搬送する空間とは共通
していないので、フォトレジスト塗布直後の半導体ウェ
ハ（102）が前記熱の乱流域の影響を受けることはな
い。従って、例えば僅かな熱の変化によってもその膜厚
が影響されるフォトレジスト塗布処理も好適に実施する
ことができる。

次に、本発明に関連した他の装置例を図面を参照して
説明する。第３図（ａ）（ｂ）において、先の実施例と
異なるところは、熱処理機構（215）の熱板（210）（21
1）（212）（213）を垂直方向に多段積みに構成し、且
つ、同様な構成の熱処理機構（315）を１個増やして２
個設けたこと、搬送機構（218）を上下動可能な２個の
搬送部（216）（316）および上記熱処理機構（215）（3
15）の下方に配置した２個の待機部（217）（317）で構
成したこと、および塗布機構（108）、現像機構（109）
の左右にそれぞれローダー機構（105）アンローダー機
構（106）を配置した点である。

なお、動作は先の実施例と同様であり、ここでは説明
を省略する。この装置例では、熱処理機構（215）（31
5）の各熱板を垂直方向に多段積みに構成しているので
装置の床面積を低減できるほか、主搬送機構（104）と
待機部（217）（317）の高さを同一にすれば上記主搬送
機構（104）の垂直方向への移動をなくすこともでき
る。

したがって、主搬送機構の構成が簡素となるほかに、
垂直方向の移動をなくすことにより上記主搬送機構の移
動速度を速くすることができるので、装置のスループッ
トを高くすることができる。

なお、上記実施例では、複数の処理機構として塗布機
構、現像機構、熱処理機構を配置したものについて説明
したが、本発明はかかる実施例に限定されるものではな
く他の処理機構、例えば洗浄機構、疎水熱処理機構、HM
DS処理機構、レジストキュア機構など、実際のプロセス
に対応して組合せ配置してもよい。

また、上記実施例では、現像処理を行う場合について
説明したが、フォトレジスト塗布処理の場合には、塗布
機構（108）を使用し、熱処理機構（115）、（215）、
（315）をプリベーク処理として使用し、上記説明と同
様な動作で処理を行うことができる。

〔発明の効果〕

本発明にかかる基板処理装置によれば、例えば半導体
ウエハなどの基板に対して熱処理や液処理など異なった
処理（例えば熱処理やレジスト塗布処理、現像処理な
ど）を各々実施する熱処理部や液処理部に、前記基板を
搬入出する際、各処理部での処理時間に対応した最適な
搬入出動作を実行することができる。したがって、スル
ープットが良好である。また第１の搬送機構と第２の搬
送機構とを熱処理部群と液処理部群とに応じて備えてい
るので、複数の基板を連続してかつ並行して処理を行う
際の制御も容易である。

また熱処理や液処理を行った後の基板を搬送する際
に、各々異なった搬送機構を使用することができるの
で、搬送機構自体や基板に与える熱、液の相互作用によ
る影響を抑えることも可能である。しかも各搬送機構
は、各々独立した空間部に配置されているので、前記影
響をさらに抑えることができる。例えば液処理として温
度に影響されやすいレジスト塗布処理とその後の熱処理
とを順次行う場合、各々異なった空間部に夫々専用の搬
送機構が配置されているので、単に汎用の搬送機構を使
用する場合よりも、より基板に対する熱影響を抑えるこ
とができる。

しかもレジスト塗布処理が終わった直後の基板を搬送
する空間と、熱処理が終わった直後の基板を搬送する空
間とは分けられ、各空間に独立して配置されている搬送
機構が前記基板を搬送することができるので、１つの空
間内で両者を混在して搬送する場合よりも、基板に対す
る温度等の影響を大きく抑えることができる。また第２
の空間部の存在によって熱処理部群から液処理部群への
熱的影響は抑えられているので、特に液処理が熱的影響
を受けやすい処理、例えばレジスト塗布処理の場合に
は、好適に、意図した所定のレジスト塗布処理を行うこ
とが容易である。

さらに待機部が設けられているので、搬送機構に生ず
る余裕時間の適切な調整が行え、搬送機構のさらなる効
率的運用が可能になる。またこの待機部への搬入出を双
方向から行えるようにしたり、垂直方向に移動すること
なしに搬送可能とすれば、さらにスループットを向上さ
せることができる。

このように１つの装置内において、搬送機構の効率の
よい運用、それを実施するための搬送機構と処理部群と
の適切な配置、さらには待機部を設けたことによるより
適切な時間調整を可能にしたことにより、本発明によれ
ば、例えば半導体ウエハなどの基板にレジスト処理や現
像処理を行う場合、極めて高いスループットを実現させ
ることができる。しかも各処理部群に対する搬入出を実
施する搬送機構を異なった空間部に各々独立して配置し
ており、また熱処理部群と液処理部群との間には空間部
が存在しているので、この点からも熱的影響を抑えて、
基板の処理が好適に行える。従って、各処理部での処理
が最適な時間、条件で行え、処理された製品の信頼性も
向上する。

本発明にかかる基板処理方法は、以上のような作用効
果を奏する基板処理装置を用いて熱処理と液処理を行う
ので、スループットが良好でしかも歩留まりの高い基板
処理を実施することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる基板処理装置を塗布現像装置に
適用した実施例を示す構成図、第２図は第１図の動作説
明図、第３図は他の装置例を示す構成図、第４図および
第５図は従来例を示す図である。 104……主搬送機構 115、215、315……熱処理機構 116、216、316……搬送部 117、217、317……待機部 118、218……搬送機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牛島 満 東京都新宿区西新宿１丁目26番２号 東 京エレクトロン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−167125（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−250959（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−39166（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−195118（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−137874（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−238134（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−84819（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−139378（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−127741（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭53−37622（ＪＰ，Ｂ１)

Claims (17)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板に対して熱処理を施す熱処理部を複数
   備えた熱処理部群と、 前記熱処理部群を挟んで設けられた第１の空間部及び第
   ２の空間部と、 前記第２の空間部の前記熱処理部群側ではない側に設け
   られ、基板に対して液処理を施す液処理部群と、 前記第１の空間部に配置され、少なくとも前記熱処理部
   群の特定の熱処理部に対して前記基板を搬入出可能に構
   成された第１の搬送機構と、 前記第２の空間部に配置され、少なくとも前記液処理部
   群の特定の液処理部に対して前記基板を搬入出可能に構
   成された第２の搬送機構と、 前記熱処理部群内又は熱処理部群近傍に配置されて、熱
   処理済み又は液処理済みの基板を待機させる待機部と
   を、 １つの装置内に具備したことを特徴とする、基板処理装
   置。
2. 【請求項２】熱処理部群の熱処理部に対する基板の搬入
   出は第１の空間部側から行われ、液処理部群の液処理部
   に対する基板の搬入出は第２の空間部側から行われるよ
   うに構成されたことを特徴とする、請求項１に記載の基
   板処理装置。
3. 【請求項３】待機部に対する基板の搬送は、第１の空間
   部及び第２の空間部の双方から行われるように構成され
   たことを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板処理
   装置。
4. 【請求項４】熱処理部群は第１の空間部に沿って直線状
   に配置されていることを特徴とする、請求項１、２又は
   ３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】液処理部群は第２の空間部に沿って直線状
   に配置されていることを特徴とする、請求項１、２、３
   又は４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】複数の基板を収納可能な収納体が配置され
   るローダー・アンローダー部と、基板に対して所定の温
   度で熱処理を行う熱処理部を複数備えた熱処理部群と、 前記熱処理部群を挟んで設けられた第１の空間部及び第
   ２の空間部と、 前記第２の空間部の前記熱処理部群側ではない側に設け
   られ、基板に対して液処理を施す液処理部群と、 前記第１の空間部に配置され、少なくとも前記熱処理部
   群の特定の熱処理部に対して前記基板を搬入出可能に構
   成された第１の搬送機構と、 前記第２の空間部に配置され、少なくとも前記液処理部
   群の特定の液処理部に対して前記基板を搬入出可能に構
   成された第２の搬送機構と、 前記熱処理部群内又は熱処理部群近傍に配置され、前記
   熱処理部群の特定の熱処理部で熱処理された基板を第１
   の搬送機構から受け取り、当該基板を第２の搬送機構に
   渡すため又は第２の搬送機構から受け取り、当該基板を
   第１の搬送機構に渡すための待機部とを、 １つの装置内に備えたことを特徴とする、基板処理装
   置。
7. 【請求項７】複数の基板を収納可能な収納体が配置され
   るローダー・アンローダー部と、基板に対して所定の温
   度で熱処理を行う熱処理部を複数備えた熱処理部群と、 前記熱処理部群を挟んで設けられた第１の空間部及び第
   ２の空間部と、 前記第２の空間部の前記熱処理部群側ではない側に設け
   られ、基板に対して液処理を施す液処理部群と、 前記第１の空間部に配置され、少なくとも前記熱処理部
   群の特定の熱処理部に対して前記基板を搬入出可能に構
   成された第１の搬送機構と、 前記第２の空間部に配置され、少なくとも前記液処理部
   群の特定の液処理部に対して前記基板を搬入出可能に構
   成された第２の搬送機構と、 前記熱処理部群内又は熱処理部群近傍に配置され、第１
   の搬送機構と第２の搬送機構との間で前記基板を受け渡
   すための待機部とを、 １つの装置内に備えたことを特徴とする、基板処理装
   置。
8. 【請求項８】熱処理部群の熱処理部に対する基板の搬入
   出口は第１の空間部側に設けられ、液処理部群の液処理
   部に対する基板の搬入出口は第２の空間部側に設けら
   れ、前記待機部における基板の入出口は、第１の空間部
   側及び第２の空間部側の双方に設けられたことを特徴と
   する、請求項６又は７に記載の基板処理装置。
9. 【請求項９】第１の搬送機構は、垂直方向に移動するこ
   となく待機部に対して基板を搬送自在に構成されたこと
   を特徴とする、請求項１、２、３、４、５、６、７又は
   ８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 【請求項１０】熱処理部群の熱処理部は、垂直方向に多
    段に配置されていることを特徴とする、請求項１、２、
    ３、４、５、６、７、８又は９のいずれかに記載の基板
    処理装置。
11. 【請求項１１】待機部は、熱処理部よりも下方に配置さ
    れていることを特徴とする、請求項10に記載の基板処理
    装置。
12. 【請求項１２】液処理部群は、基板にレジスト液を供給
    して塗布する処理部又は現像液を供給して現像処理する
    処理部のうちの少なくとも一方の処理部を具備している
    ことを特徴とする、請求項１、２、３、４、５、６、
    ７、８、９、10又は11のいずれかに記載の基板処理装
    置。
13. 【請求項１３】請求項１、２、３、４、５、６、７、
    ８、９、10又は11のいずれかに記載の基板処理装置を用
    いて基板に対して熱処理及び液処理の双方を実施する方
    法であって、 液処理部群の特定の液処理部に、第２の搬送機構で基板
    を搬送する工程と、 前記特定の液処理部において基板に対して所定の液処理
    を施す工程と、 液処理済みの基板を第２の搬送機構で待機部に搬送する
    工程とを有することを特徴とする、基板処理方法。
14. 【請求項１４】請求項６、７又は８のいずれかに記載の
    基板処理装置を用いて基板に対して熱処理及び液処理の
    双方を実施する方法であって、収納体から搬出された基
    板を、液処理部群の特定の液処理部に搬入する工程を有
    することを特徴とする、基板処理方法。
15. 【請求項１５】請求項６、７又は８のいずれかに記載の
    基板処理装置を用いて基板に対して熱処理及び液処理の
    双方を実施する方法であって、収納体から搬出された基
    板を、熱処理部群の特定の熱処理部に搬入する工程を有
    することを特徴とする、基板処理方法。
16. 【請求項１６】液処理部での液処理は、基板にレジスト
    を塗布する処理であることを特徴とする、請求項13、14
    又は15のいずれかに記載の基板処理方法。
17. 【請求項１７】液処理部での液処理は基板に現像液を供
    給して現像処理する処理であることを特徴とする、請求
    項13、14又は15のいずれかに記載の基板処理方法。