JP3420712B2 - 処理システム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハや液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣ
Ｄ）に使われる基板上にフォトリソ工程を行う処理シス
テムに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アレイ
を形成する工程では、成膜前洗浄工程−成膜工程−レジ
スト塗布工程−露光工程−現像工程−エッチング工程−
レジスト剥離工程が、１枚のガラス基板に対してアレイ
を構成するレイヤの数だけ、例えば５回繰り返される。

【０００３】従来、このようなＴＦＴアレイを形成する
場合、例えばクリーンルーム内に各工程毎の装置、洗浄
装置、成膜装置、レジスト塗布・現像装置、露光装置、
エッチング装置及びアッシング装置を配置し、各装置間
でのガラス基板の搬送は自走搬送装置（ＡＧＶ）により
行われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
ＡＧＶを使って各装置間でガラス基板の搬送を行う場合
には生産性はそれ程上がらない。そのため、最近では搬
送路上に全ての処理装置を処理の順番に沿って並べ、順
次処理を施していく生産方式が提案されている。

【０００５】このような生産方式が適用されたシステム
では、大気系の搬送路に沿って、洗浄装置やレジスト塗
布・現像装置等の大気中でガラス基板に対して処理を施
す大気系の処理装置と成膜装置やエッチング装置、アッ
シング装置等の真空中でガラス基板に対して処理を施す
真空系の処理装置とが混在して配置されることになる。

【０００６】ここで、大気系の搬送路と真空系の処理装
置との間には、例えばロードロック室が介挿される。そ
して、ロードロック室では、大気系の搬送路からガラス
基板が搬入されると、室内を大気雰囲気から真空雰囲気
に切り替えた後、真空系の処理装置へガラス基板が受け
渡される。また、真空系の処理装置から大気系の搬送路
へのガラス基板の受け渡しは逆の動作が行われる。

【０００７】しかしながら、このようなシステムでは、
ロードロック室で大気雰囲気と真空雰囲気との切り替え
動作を伴うため、ガラス基板がロードロック室の手前で
待ち状態になる、という課題がある。即ち、かかるシス
テムでは、システム全体の処理速度が真空系の処理装置
と大気系の搬送路との間でのガラス基板の受け渡し速度
に律速するおそれがある。

【０００８】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、大気系の領域と真空系の領域との間で
被処理体を円滑に受け渡すことができる処理システムを
提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の処理システムは、真空系の第１の領域と、
大気系の第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領
域との間に配置され、大気雰囲気と真空雰囲気との入れ
替えが可能で、前記第１の領域と前記第２の領域との間
で被処理体の受け渡しを行うための受け渡し部とを具備
するものである。ここで、受け渡し部は、多段に配置し
てもよいし、平面的に配置してもよい。

【００１０】本発明の処理システムは、大気系の搬送路
と、被処理体に対して真空系の処理を施す処理部と、前
記搬送路と前記処理部との間に配置され、大気雰囲気と
真空雰囲気との入れ替えが可能で、前記搬送路と前記処
理部との間で被処理体の受け渡しを行うための受け渡し
部と、前記搬送路上を移動可能に配置され、前記各受け
渡し部との間で被処理体の受け渡しを行う搬送装置とを
具備するものである。ここで、受け渡し部は、多段に配
置してもよいし、平面的に配置してもよい。

【００１１】本発明では、受け渡し部を多段に配置した
ので、これら複数経路の受け渡し部を使って大気系の領
域と真空系の領域との間で被処理体を円滑に受け渡すこ
とができる。なお、、受け渡し部を多段、即ち上下方向
に配置することで、複数の受け渡し部を隣接して横方向
に配置した場合に比べて、占有面積を狭くすることがで
きる。ここで、大気系のエリアでは清浄空気のダウンフ
ローを形成してパーティクルの付着等を抑える必要があ
るが、このような受け渡し部では清浄空気のダウンフロ
ーを形成する必要が少ないことから、受け渡し部の多段
化は容易である。

【００１２】本発明の処理システムは、前記処理部が、
前記被処理体に対して真空系の処理を施す複数の処理室
と、前記受け渡し部と前記各処理室との間に配置され、
前記受け渡し部と前記各処理室との間で被処理体の受け
渡しを行う受け渡し装置とを具備するものである。これ
により、真空系の処理能力を向上させることができ、そ
の一方で被処理体の受け渡しの円滑さを維持することが
できる。

【００１３】本発明の処理システムは、前記各処理室
が、前記被処理体に対してそれぞれ異なる真空系の処理
を施すものである。これにより、異なる処理間の処理能
力の違いを柔軟に吸収でき、その一方で被処理体の受け
渡しの円滑さを維持することができる。

【００１４】本発明の処理システムは、真空系の第１の
搬送路と、大気系の第２の搬送路と、前記第１の搬送路
と前記第２の搬送路との間に多段に配置され、大気雰囲
気と真空雰囲気との入れ替えが可能で、前記第１の搬送
路と前記第２の搬送路との間で被処理体の受け渡しを行
うための受け渡し部と、前記第１の搬送路上を移動可能
に配置され、前記各受け渡し部との間で被処理体の受け
渡しを行う第１の搬送装置と、前記第２の搬送路上を移
動可能に配置され、前記各受け渡し部との間で被処理体
の受け渡しを行う第２の搬送装置とを具備するものであ
る。

【００１５】本発明の処理システムは、真空系の第１の
搬送路と、大気系の第２の搬送路と、前記第１の搬送路
と前記第２の搬送路との間に多段に配置され、大気雰囲
気と真空雰囲気との入れ替えが可能で、前記第１の搬送
路と前記第２の搬送路との間で被処理体の受け渡しを行
うための受け渡し部と、前記第１の搬送路に沿って配置
され、前記被処理体に対して真空系の処理を施す第１の
処理部と、前記第２の搬送路に沿って配置され、前記被
処理体に対して大気系の処理を施す第２の処理部と、前
記第１の搬送路上を移動可能に配置され、前記各受け渡
し部及び前記第１の処理部との間で被処理体の受け渡し
を行う第１の搬送装置と、前記第２の搬送路上を移動可
能に配置され、前記各受け渡し部及び前記第２の処理部
との間で被処理体の受け渡しを行う第２の搬送装置とを
具備するものである。

【００１６】ここで、上述したような、搬送路上に全て
の処理装置を処理の順番に沿って並べ、順次処理を施し
ていく生産方式では、クリーンルームが巨大し、設備コ
ストが増大する、という問題がある。そこで、真空系の
搬送路に沿って真空系の処理部を配置し、大気系の搬送
路に沿って大気系の処理部を配置し、真空系の搬送路と
大気系の搬送路との間に例えばロードロック室を配置す
る構成が考えられる。即ち、この場合、真空系の領域は
クリーンルーム内に収める必要がないことからクリーン
ルームの小型化を図ることができる。しかし、この場合
においても、ロードロック室で大気雰囲気と真空雰囲気
との切り替え動作を伴うため、ガラス基板がロードロッ
ク室の手前で待ち状態になる、という課題がある。

【００１７】本発明では、受け渡し部を多段に配置した
ので、真空系の第１の搬送路と大気系の第２の搬送路と
の間で被処理体を円滑に受け渡すことができる。また、
複数の受け渡し部を隣接して配置した場合に比べて、占
有面積を狭くすることができる。なお、大気系のエリア
では清浄空気のダウンフローを形成してパーティクルの
付着等を抑える必要があるが、このような受け渡し部で
は清浄空気のダウンフローを形成する必要が少ないこと
から、受け渡し部の多段化が容易である。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係るＴ
ＦＴアレイを形成するための処理システムの平面図であ
る。

【００１９】図１に示すように、この処理システム１の
ほぼ中央には、大気系の搬送路１０が直線状に設けられ
ている。この搬送路１０の一端には、被処理体としての
ガラス基板Ｇをシステム内へ搬入すると共にシステム外
へ搬出するための搬入出部２０が配設され、搬送路１０
の他端には露光装置２との間でガラス基板Ｇの受け渡し
を行うためのインタフェース部３０が配設されている。
また、搬送路１０の両側には、各種の処理部が配置され
るようになっている。そして、搬送路１０の一端から順
番に、成膜前の洗浄処理を行うための洗浄処理エリア４
０、ガラス基板Ｇに対して真空系の処理を施す真空系処
理エリア５０、ガラス基板Ｇに対して大気系の処理を施
す大気系処理エリア７０が設けられている。

【００２０】洗浄処理エリア４０には、水によりガラス
基板Ｇをブラシ洗浄する複数、例えば３台のスクラバユ
ニット（ＷＳ）４１が搬送路１０に沿って配置されてい
る。

【００２１】真空系処理エリア５０には、ガラス基板Ｇ
に対して真空系の処理を施す処理部が搬送路１０に沿っ
て各処理毎及びレイヤ毎に設けられ、さらに各レイヤ毎
に区分けして配置されている。具体的には、搬送路１０
の一端側から順番に、第１レイヤに対する処理を行うた
めの第１の処理エリア５１、第２レイヤに対する処理を
行うための第２の処理エリア５２、第３レイヤに対する
処理を行うための第３の処理エリア５３、第４レイヤに
対する処理を行うための第４の処理エリア５４、第５レ
イヤに対する処理を行うための第５の処理エリア５５に
区分けされ、それぞれのエリアに所定の処理部が配置さ
れている。

【００２２】第１の処理エリア５１では、搬送路１０の
一側に真空状態でガラス基板Ｇに対してエッチング処理
及びアッシング処理を行うエッチング・アッシングユニ
ット（Ｅ／Ａ１）５６が配置され、他側に真空状態でガ
ラス基板Ｇに対して成膜処理を行う処理部としての成膜
ユニット（ＰＶＤ１）５７及びテスタ等の検査装置５８
が配置されている。

【００２３】エッチング・アッシングユニット５６は、
図２に示すように、搬送路１０側に設けられたロードロ
ック室群２０１と、その奥に設けられた搬送室２０２
と、搬送室２０２の両側面に設けられたエッチング処理
室２０３及びアッシング処理室２０４とを有している。

【００２４】ロードロック室群２０１は、図３に示すよ
うに、多段（上下に複数）、例えば４段にロードロック
室２０１ａ〜２０１ｄを配置して構成される。そして、
各ロードロック室２０１ａ〜２０１ｄと搬送室２０２と
の間、搬送室２０２と各処理室２０３、２０４との間に
は、これらの間を気密にシールし、かつ開閉可能に構成
されたゲートバルブＶが介挿されている。また、ロード
ロック室２０１ａ〜２０１ｄと外側の大気雰囲気とを連
通する開口部にもゲートバルブＶが設けられている。

【００２５】エッチング処理室２０３は、その中にガラ
ス基板Ｇを載置するためのステージ２０５が設けられて
おり、その内部を真空排気可能に構成されている。そし
て、エッチング処理室２０３には、例えば所定のエッチ
ングガスが導入され、また高周波電界を印加することが
可能になっており、これらによりプラズマを形成し、そ
のプラズマによりガラス基板Ｇの所定の膜をその現像パ
ターンに対応してエッチングするようになっている。

【００２６】アッシング処理室２０４は、その中にガラ
ス基板Ｇを載置するためのステージ２０６が設けられて
おり、その内部を真空排気可能に構成されている。そし
て、アッシング処理室２０４には、アッシングガス例え
ばオゾンが導入可能となっており、アッシングガスによ
りエッチング処理後のレジストを除去する。

【００２７】搬送室２０２も真空排気可能に構成され、
その中に基板搬送部材２０７が設けられている。基板搬
送部材２０７は、多関節アームタイプであり、ベース２
０８と、中間アーム２０９と、先端に設けられた基板支
持アーム２１０とを有しており、これらの接続部分は昇
降可能でかつ旋回可能になっている。この基板搬送部材
２０７は、各ロードロック室２０１ａ〜２０１ｄ、処理
室２０３、２０４との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行
う。基板搬送部材２０７のベース２０８の中間アーム２
０９と反対側にはガラス基板Ｇを保持可能に構成された
バッファ枠体２１１が設けられており、これによりガラ
ス基板Ｇを一時的に保持することにより、スループット
の向上を図っている。

【００２８】各ロードロック室２０１ａ〜２０１ｄも真
空排気可能に構成され、その中にガラス基板Ｇを載置す
るラック２１２およびガラス基板Ｇのアライメントと行
うポジショナー２１３が設けられている。ポジショナー
２１３は、矢印Ａ方向に沿って移動することにより、ガ
ラス基板Ｇの相対向する２つの角部をそれぞれ２つのロ
ーラ２１４で押しつけて、ラック２１２上でガラス基板
Ｇのアライメントがなされる。アライメントの終了を確
認するために、図示しない光学センサが用いられる。各
ロードロック室２０１ａ〜２０１ｄは、搬送路１０側と
の間でガラス基板Ｇの受け渡しをする場合には、その中
を大気雰囲気とし、ガラス基板Ｇを処理室２０３、２０
４側へ搬送する場合には、その中を真空雰囲気とするよ
うに切り替えを行う。

【００２９】図１に示すように、成膜ユニット５７は、
搬送路１０側に設けられた２組のロードロック室群３０
１、３０１（図３に示したのものと同様にそれぞれロー
ドロック室が多段に配置されている。）と、その奥に設
けられた搬送室３０２と、搬送室３０２の外周に設けら
れた３組の成膜室３０３、３０４、３０５とを有してい
る。成膜室３０３、３０４、３０５は例えば真空雰囲気
中でステージに載置されたガラス基板Ｇ上にＰＶＤによ
り所定の膜を成膜するものであり、その他の各室はエッ
チング・アッシングユニット５６のものとほぼ同様の構
成を有する。

【００３０】第２の処理エリア５２では、搬送路１０の
一側に真空状態でガラス基板Ｇに対してエッチング処理
及びアッシング処理を行う処理部としてのエッチング・
アッシングユニット（Ｅ／Ａ２）５９が配置され、他側
に真空状態でガラス基板Ｇに対してＣＶＤによる成膜処
理を行う処理部としての成膜ユニット（ＣＶＤ１）６０
が配置されている。各ユニットは、上述した第１の処理
エリア５１のユニットとほぼ同様の構成を有する。

【００３１】第３の処理エリア５３では、搬送路１０の
一側に真空状態でガラス基板Ｇに対してエッチング処理
及びアッシング処理を行う処理部としてのエッチング・
アッシングユニット（Ｅ／Ａ３）６１が配置され、他側
に真空状態でガラス基板Ｇに対してＰＶＤによる成膜処
理を行う処理部としての成膜ユニット（ＰＶＤ２）６２
及びテスタ等の検査装置６２ａが配置されている。各ユ
ニットは、上述した第１の処理エリア５１のユニットと
ほぼ同様の構成を有する。

【００３２】第４の処理エリア５４では、搬送路１０の
一側に真空状態でガラス基板Ｇに対してエッチング処理
及びアッシング処理を行う処理部としてのエッチング・
アッシングユニット（Ｅ／Ａ４）６３が配置され、他側
に真空状態でガラス基板Ｇに対してＣＶＤによる成膜処
理を行う処理部としての成膜ユニット（ＣＶＤ２）６４
が配置されている。各ユニットは、上述した第１の処理
エリア５１のユニットとほぼ同様の構成を有する。

【００３３】第５の処理エリア５５では、搬送路１０の
一側に真空状態でガラス基板Ｇに対してエッチング処理
及びアッシング処理を行う処理部としてのエッチング・
アッシングユニット（Ｅ／Ａ５）６５が配置され、他側
に真空状態でガラス基板Ｇに対してＰＶＤによる成膜処
理を行う処理部としての成膜ユニット（ＰＶＤ３）６６
及びテスタ等の検査装置６７が配置されている。各ユニ
ットは、上述した第１の処理エリア５１のユニットとほ
ぼ同様の構成を有する。

【００３４】大気系処理エリア７０には、ガラス基板Ｇ
に対して大気系の処理を施す処理部が搬送路１０に沿っ
て配置されている。具体的には、搬送路１０の一端側か
ら順番に、２組の現像処理ユニット（ＤＥＶ）７１、７
２、２組の洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）７３、７４、レ
ジスト塗布ユニット（ＣＴ）７５、乾燥処理ユニット
（ＶＤ）７６、エッジリムーバユニット（ＥＲ）７７が
配置されている。

【００３５】現像処理ユニット７１、７２は、ユニット
内に配置されたカップ内でガラス基板Ｇを回転させなが
らガラス基板Ｇ上に現像液を供給するものである。洗浄
処理ユニット７３、７４はガラス基板Ｇ上をスクラバー
による洗浄を行うものである。レジスト塗布ユニット７
５は、ユニット内に配置されたカップ内でガラス基板Ｇ
を回転させながらガラス基板Ｇ上にレジスト液を供給す
るものである。乾燥処理ユニット７６はレジストが塗布
されたガラス基板Ｇを乾燥処理するものである。エッジ
リムーバユニット７７は、ガラス基板Ｇの周縁部のレジ
ストを除去するものである。

【００３６】搬送路１０には、図４に示すように、ガラ
ス基板Ｇを搬送するための複数の搬送装置１１がガラス
基板Ｇを一旦保持する中継部１２を介して直列に接続さ
れている。搬送装置１１は、搬送路１０に沿って移動可
能な本体１３と、装置本体１３に対して上下動および旋
回動が可能なベース部材１４と、ベース部材１４上を水
平方向に沿ってそれぞれ独立して移動可能な上下２枚の
基板支持部材１５ａ，１５ｂとを有している。そして、
ベース部材１４の中央部と装置本体１３とが連結部１６
により連結されている。本体１３に内蔵された図示しな
いモータにより連結部１６を上下動または回転させるこ
とにより、ベース部材１４が上下動または旋回動され
る。このようなベース部材１４の上下動および旋回動、
ならびに基板支持部材１５ａ，１５ｂの水平移動により
ガラス基板Ｇの搬送が行われる。参照符号１７ａ，１７
ｂは、それぞれ基板支持部材１５ａ，１５ｂをガイドす
るガイドレールである。搬送装置１１は、搬入出部２
０、インタフェース部３０、搬送路１０に沿って配置さ
れた各処理部、中継部１２との間でガラス基板Ｇの受け
渡しを行うようになっている。

【００３７】搬入出部２０には、搬送路１０とほぼ直交
するように搬送路２１が設けられている。この搬送路２
１を挟んで搬送路１０の反対側には、ガラス基板Ｇを例
えば２５枚ずつ収納したカセットＣが所定位置に例えば
４個整列して載置されるカセット載置台２３が設けられ
ている。また、搬送路２１上には、各カセットＣから処
理すべきガラス基板Ｇを取り出して搬送路１０側へ受け
渡し、また処理が終了して搬送路１０側から受け渡され
たガラス基板Ｇを各カセットＣへ戻す搬送装置（図示を
省略）が移動可能に配置されている。この搬送装置は図
４に示した搬送装置１１とほぼ同様の構成とされてい
る。

【００３８】インタフェース部３０には、ガラス基板Ｇ
を搬送するための搬送路３１が搬送路１０とほぼ直交す
る方向に設けられている。この搬送路３１は、ガラス基
板Ｇを一旦保持する中継部１２を介して搬送路１０と接
続されている。そして、この搬送路３１に沿って複数
台、例えば２台の露光装置（ＥＸＰ）２が配置されてい
る。また、この搬送路１０上には、露光装置２との間で
ガラス基板Ｇの搬入出を行う搬送装置（図示を省略）が
設けられている。この搬送装置は図４に示した搬送装置
１０とほぼ同様の構成とされている。この搬送装置は、
１台でもよいが、必要に応じて２台以上とすることも可
能である。これにより、露光装置２との間で迅速かつ円
滑にガラス基板Ｇの受け渡しが可能となる。

【００３９】次に、このように構成された処理システム
での処理の流れを図５に基づき説明する。搬入出部２０
のカセットＣから搬送装置（図示を省略）に受け渡され
たガラス基板Ｇは、搬送路１０の搬送装置１１に受け渡
される。そして、ガラス基板Ｇは洗浄処理エリア４０に
搬送されて洗浄処理が行われた後、第１の処理エリア５
１へ搬送されて第１レイヤについての成膜処理が行われ
る。この後、ガラス基板Ｇは大気系処理エリア７０及び
露光装置２に搬送されてフォトリソ処理が行われる。こ
の後、ガラス基板Ｇは第１の処理エリア５１へ搬送され
て第１レイヤについてのエッチング処理及びアッシング
処理が行われる（ステップ５０１）。

【００４０】次に、ガラス基板Ｇは洗浄処理エリア４０
に搬送されて洗浄処理が行われた後、第２の処理エリア
５２へ搬送されて第２レイヤについての成膜処理が行わ
れる。この後、ガラス基板Ｇは大気系処理エリア７０及
び露光装置２に搬送されてフォトリソ処理が行われる。
この後、ガラス基板Ｇは第２の処理エリア５２へ搬送さ
れて第２レイヤについてのエッチング処理及びアッシン
グ処理が行われる（ステップ５０２）。

【００４１】次に、ガラス基板Ｇは洗浄処理エリア４０
に搬送されて洗浄処理が行われた後、第３の処理エリア
５３へ搬送されて第３レイヤについての成膜処理が行わ
れる。この後、ガラス基板Ｇは大気系処理エリア７０及
び露光装置２に搬送されてフォトリソ処理が行われる。
この後、ガラス基板Ｇは第３の処理エリア５３へ搬送さ
れて第３レイヤについてのエッチング処理及びアッシン
グ処理が行われる（ステップ５０３）。

【００４２】次に、ガラス基板Ｇは洗浄処理エリア４０
に搬送されて洗浄処理が行われた後、第４の処理エリア
５４へ搬送されて第４レイヤについての成膜処理が行わ
れる。この後、ガラス基板Ｇは大気系処理エリア７０及
び露光装置２に搬送されてフォトリソ処理が行われる。
この後、ガラス基板Ｇは第４の処理エリア５４へ搬送さ
れて第４レイヤについてのエッチング処理及びアッシン
グ処理が行われる（ステップ５０４）。

【００４３】次に、ガラス基板Ｇは洗浄処理エリア４０
に搬送されて洗浄処理が行われた後、第５の処理エリア
５５へ搬送されて第５レイヤについての成膜処理が行わ
れる。この後、ガラス基板Ｇは大気系処理エリア７０及
び露光装置２に搬送されてフォトリソ処理が行われる。
この後、ガラス基板Ｇは第５の処理エリア５５へ搬送さ
れて第５レイヤについてのエッチング処理及びアッシン
グ処理が行われる（ステップ５０５）。

【００４４】その後、ガラス基板Ｇは、搬入出部２０へ
受け渡され、カセットＣへ搬入される。

【００４５】次に、図３に示したようにロードロック室
が多段に配置されたロードロック室群２０１における動
作を説明する。図６に示すように、まず最上段のロード
ロック室２０１ａの搬送路１０側ゲートバルブＶが開か
れて、搬送路１０の搬送装置１１から最上段のロードロ
ック室２０１ａへガラス基板Ｇが搬入される。

【００４６】次に、図７に示すように、最上段のロード
ロック室２０１ａの搬送路１０側ゲートバルブＶが閉じ
られ真空排気が行われ、上から２番目のロードロック室
２０１ｂの搬送路１０側ゲートバルブＶが開かれて、搬
送路１０の搬送装置１１から２番目のロードロック室２
０１ｂへガラス基板Ｇが搬入される。

【００４７】次に、図８に示すように、最上段のロード
ロック室２０１ａの搬送室２０２側ゲートバルブＶが開
かれて基板搬送部材２０７によりガラス基板Ｇが搬送室
２０２側へ搬出され、上から２番目のロードロック室２
０１ｂの搬送路１０側ゲートバルブＶが閉じられ真空排
気が行われ、上から３番目のロードロック室２０１ｃの
搬送路１０側ゲートバルブＶが開かれて、搬送路１０の
搬送装置１１から３番目のロードロック室２０１ｃへガ
ラス基板Ｇが搬入される。

【００４８】次に、図９に示すように、搬送室２０２側
から最上段のロードロック室２０１ａへ基板搬送部材２
０７より真空処理の終了したガラス基板Ｇが搬入され、
上から２番目のロードロック室２０１ｂの搬送室２０２
側ゲートバルブＶが開かれて基板搬送部材２０７により
ガラス基板Ｇが搬送室２０２側へ、上から３番目のロー
ドロック室２０１ｃの搬送路１０側ゲートバルブＶが閉
じられ真空排気が行われ、最下段のロードロック室２０
１ｄの搬送路１０側ゲートバルブＶが開かれて、搬送路
１０の搬送装置１１から３番目のロードロック室２０１
ｃへガラス基板Ｇが搬入される。

【００４９】次に、図１０に示すように、最上段のロー
ドロック室２０１ａの搬送室２０２側ゲートバルブＶが
閉じられた後に搬送路１０側ゲートバルブＶが開けられ
搬送装置１１により搬送路１９側にガラス基板Ｇが搬出
され、搬送室２０２側から上から２番目のロードロック
室２０１ｂへ基板搬送部材２０７より真空処理の終了し
たガラス基板Ｇが搬入され、上から３番目のロードロッ
ク室２０１ｃの搬送室２０２側ゲートバルブＶが開かれ
て基板搬送部材２０７によりガラス基板Ｇが搬送室２０
２側へ搬出され、最下段のロードロック室２０１ｄの搬
送路１０側ゲートバルブＶが閉じられ真空排気が行われ
る。以下、このような動作が順次行われる。

【００５０】このように構成された処理システム１にお
いては、ロードロック室群２０１においてロードロック
室２０１ａ〜２０１ｄを多段に配置したので、ロードロ
ック室のための占有面積を狭くしつつ、搬送路１０側と
真空系のエッチング・アッシングユニット５６等との間
でこれらにガラス基板Ｇが滞ることなくガラス基板Ｇを
円滑に受け渡すことが可能となる。

【００５１】次に本発明の他の実施形態について説明す
る。図１１はこの実施形態に係るＴＦＴアレイを形成す
るための処理システムの平面図である。この処理システ
ム１’では、ガラス基板Ｇに対して真空系の処理を施す
真空系処理エリア５０’における搬送路１０’が、真空
系の搬送路、即ち搬送路内が密閉構造とされ真空雰囲気
とされている。

【００５２】また、真空系の搬走路１０’と大気系の搬
送路１０との間には、受け渡し部としてのロードロック
室群１２’が介挿されている。ロードロック室群１２’
は、図３に示したものと同様の構造で、図１２に示すよ
うに、多段（上下に複数）、例えば４段にロードロック
室１２’ａ〜１２’ｄを配置して構成される。そして、
各ロードロック室１２’ａ〜１２’ｄと真空系の搬送路
１０’との間、及び各ロードロック室１２’ａ〜１２’
ｄと大気系の搬送路１０との間には、これらの間を気密
にシールし、かつ開閉可能に構成されたゲートバルブＶ
が介挿されている。

【００５３】そして、各ロードロック室１２’ａ〜１
２’ｄは、大気系の搬送路１０側との間でガラス基板Ｇ
の受け渡しをする場合には、その中を大気雰囲気とし、
真空系の搬送路１０’側との間でガラス基板Ｇの受け渡
しをする場合には、その中を真空雰囲気とするように切
り替えを行っている。

【００５４】このように構成されたロードロック室群１
２’は、図６〜図１０に示したものと同様に動作する。
即ち、例えば最上段のロードロック室１２’ａから順番
にゲートバルブＶの開閉及びガラス基板Ｇの受け渡しが
行われる。

【００５５】しかして、かかる処理システム１’におい
ては、大気系の搬送路１０と真空系の搬送路１０’との
間のロードロック室１２’ａ〜１２’ｄを多段構成とし
たので、ロードロック室のための占有面積を狭くしつ
つ、大気系の搬送路１０と真空系の搬送路１０’との間
でこれらにガラス基板Ｇが滞ることなくガラス基板Ｇを
円滑に受け渡すことが可能となる。

【００５６】ここで、図２乃至図３に示したロードロッ
ク室群の真空引き系の配管を図１３に示す。同図に示す
ように、ロードロック室２０１ａ〜２０１ｄには、それ
ぞれリークバルブ２１１ａ〜２１１ｄが取り付けられる
と共に、真空バルブ２１２ａ〜２１１ｄを介して真空引
きが行われるようになっている。また、これらのバルブ
は、システム全体を統括的に制御する制御部の制御によ
り、以下のように開閉が行われるようになっている。

【００５７】第１段のロードロック室２０１ａに未処理
の基板を収容するとき、まず第１段のロードロック室２
０１ａのリークバルブ２１１ａを開き、その後入口側ゲ
ートバルブを開け、基板を収容する。この場合、他の段
の真空バルブは閉めておく。

【００５８】次に、第１段のリークバルブ２１１ａを閉
め、入口側ゲートバルブを閉め第１段の真空バルブを開
ける。ここで、その他の真空バルブを閉めておくこと
で、他段のロードロック室への影響をなくしている。

【００５９】第２段のロードロック室２０１ｂに未処理
の基板を収容するとき、第２段のロードロック室２０１
ｂのリークバルブ２１１ｂを開き、その後入口側ゲート
バルブを開け、基板を収容する。この場合、他の段の真
空バルブは閉めておく。

【００６０】次に、第２段のリークバルブ２１１ａを閉
め、入口側ゲートバルブを閉め第２段の真空バルブを開
けて真空引きする。次いで、真空側ゲートバルブを開
け、真空処理する。

【００６１】なお、上記真空バルブを、図１４に示すよ
うに、三方弁２１３とすることでリークバルブを不要と
することができる。

【００６２】なお、本発明は上述した実施の形態には限
定されず、その技術思想の範囲内で様々な変形が可能で
ある。例えば、図３に示した各ロードロック室は、図１
５に示すように多段構成とすることで、受け渡し効率を
更に上げることができる。また、本発明は、ＴＦＴアレ
イガラス基板に対する処理システムを例にとり説明した
が、カラーフィルタ、更には半導体ウェハ等の他の基板
を処理するシステムにも当然適用できる。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真空系の第１の領域と、大気系の第２の領域と、前記第
１の領域と前記第２の領域との間に配置され、大気雰囲
気と真空雰囲気との入れ替えが可能で、前記第１の領域
と前記第２の領域との間で被処理体の受け渡しを行うた
めの受け渡し部とを具備するように構成したので、大気
系の領域と真空系の領域との間で被処理体を円滑に受け
渡すことができる。尚、複数の受け渡し部を多段に配置
することで、隣接して配置した場合に比べて、占有面積
を狭くすることができる。

【００６４】本発明によれば、大気系の搬送路と、被処
理体に対して真空系の処理を施す処理部と、前記搬送路
と前記処理部との間に配置され、大気雰囲気と真空雰囲
気との入れ替えが可能で、前記搬送路と前記処理部との
間で被処理体の受け渡しを行うための受け渡し部と、前
記搬送路上を移動可能に配置され、前記各受け渡し部と
の間で被処理体の受け渡しを行う搬送装置とを具備する
ように構成したので、大気系の搬送路と真空系の処理部
との間で被処理体を円滑に受け渡すことができる。な
お、複数の受け渡し部を多段に配置することで、隣接し
て配置した場合に比べて、占有面積を狭くすることがで
きる。

【００６５】本発明によれば、前記処理部が、前記被処
理体に対して真空系の処理を施す複数の処理室と、前記
受け渡し部と前記各処理室との間に配置され、前記受け
渡し部と前記各処理室との間で被処理体の受け渡しを行
う受け渡し装置とを具備するように構成したので、真空
系の処理能力を向上させることができ、その一方で被処
理体の受け渡しの円滑さを維持することができる。

【００６６】本発明によれば、前記各処理室が、前記被
処理体に対してそれぞれ異なる真空系の処理を施すよう
に構成したので、異なる処理間の処理能力の違いを柔軟
に吸収でき、その一方で被処理体の受け渡しの円滑さを
維持することができる。

【００６７】本発明によれば、真空系の第１の搬送路
と、大気系の第２の搬送路と、前記第１の搬送路と前記
第２の搬送路との間に多段に配置され、大気雰囲気と真
空雰囲気との入れ替えが可能で、前記第１の搬送路と前
記第２の搬送路との間で被処理体の受け渡しを行うため
の受け渡し部と、前記第１の搬送路上を移動可能に配置
され、前記各受け渡し部との間で被処理体の受け渡しを
行う第１の搬送装置と、前記第２の搬送路上を移動可能
に配置され、前記各受け渡し部との間で被処理体の受け
渡しを行う第２の搬送装置とを具備するように構成した
ので、真空系の第１の搬送路と大気系の第２の搬送路と
の間で被処理体を円滑に受け渡すことができ、また複数
の受け渡し部を隣接して配置した場合に比べて、占有面
積を狭くすることができる。

【００６８】本発明によれば、真空系の第１の搬送路
と、大気系の第２の搬送路と、前記第１の搬送路と前記
第２の搬送路との間に多段に配置され、大気雰囲気と真
空雰囲気との入れ替えが可能で、前記第１の搬送路と前
記第２の搬送路との間で被処理体の受け渡しを行うため
の受け渡し部と、前記第１の搬送路に沿って配置され、
前記被処理体に対して真空系の処理を施す第１の処理部
と、前記第２の搬送路に沿って配置され、前記被処理体
に対して大気系の処理を施す第２の処理部と、前記第１
の搬送路上を移動可能に配置され、前記各受け渡し部及
び前記第１の処理部との間で被処理体の受け渡しを行う
第１の搬送装置と、前記第２の搬送路上を移動可能に配
置され、前記各受け渡し部及び前記第２の処理部との間
で被処理体の受け渡しを行う第２の搬送装置とを具備す
るように構成したので、真空系の第１の搬送路と大気系
の第２の搬送路との間で被処理体を円滑に受け渡すこと
ができ、また複数の受け渡し部を隣接して配置した場合
に比べて、占有面積を狭くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態に係る処理システムの平
面図である。

【図２】 図１に示したエッチング・アッシングユニッ
トの一例を示す水平断面図である。

【図３】 図２に示したロードロック室群の正面図であ
る。

【図４】 搬送装置の構成を示す斜視図である。

【図５】 この実施形態に係る処理システムでの処理の
流れを示す図である。

【図６】 この実施形態に係るロードロック室群の動作
を示す正面図である。

【図７】 この実施形態に係るロードロック室群の動作
を示す正面図である。

【図８】 この実施形態に係るロードロック室群の動作
を示す正面図である。

【図９】 この実施形態に係るロードロック室群の動作
を示す正面図である。

【図１０】 この実施形態に係るロードロック室群の動
作を示す正面図である。

【図１１】 本発明の他の実施形態に係る処理システム
の平面図である。

【図１２】 図１１に示したロードロック室の構成を示
す正面図である。

【図１３】 図２乃至図３に示したロードロック室群の
真空引き系の配管を示す図である。

【図１４】 図１３に示した真空バルブの変形例を示す
図である。

【図１５】 図３に示したロードロック室の変形例を示
す図である。

【符号の説明】

１０ 搬送路 １１ 搬送装置 ２０１ ロードロック室群 ２０１ａ〜２０１ｄ ロードロック室 ２０２ 搬送室 ２０３ エッチング処理室 ２０４ アッシング処理室 Ｇ ガラス基板 １０’ 真空系の搬送路 １２’ ロードロック室群 １２’ａ〜１２’ｄ ロードロック室

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｊ 21/68 21/302 １０１Ｇ (56)参考文献 特開 平10−154739（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−107124（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−104983（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−199960（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−122616（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−147310（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−172578（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−209241（ＪＰ，Ａ) 特表2001−518226（ＪＰ，Ａ) 国際公開97／030465（ＷＯ，Ａ１) 国際公開97／047032（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 B65G 49/07 C23C 16/44 H01L 21/02 H01L 21/027 H01L 21/3065 H01L 21/68

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体をシステム内へ搬入すると共に
   システム外へ搬出するための搬入出部と、 一端が前記搬入出部側に接続された第１の搬送路及びこ
   の第１の搬送路を移動可能な第１の被処理体搬送装置を
   有し、第１の搬送路に沿った両側に被処理体に対して真
   空系の処理を施す複数の第１の処理部が設けられ、更に
   各第１の処理部が真空系の処理毎及びレイヤ毎に設けら
   れた真空系処理エリアと、 一端が前記第１の搬送路の他端側に接続された第２の搬
   送路及びこの第２の搬送路を移動可能な第２の被処理体
   搬送装置を有し、第２の搬送路に沿った両側に被処理体
   に対して大気系の処理を施す複数の第２の処理部が設け
   ら、各第２の処理部が各レイヤについての処理に対して
   共通に設けられた大気系処理エリアと、 前記搬入出部と前記真空系処理エリアとの間及び前記真
   空系処理エリアと前記大気系処理エリアとの間にそれぞ
   れ介挿され、上下に多段に配置されたロードロック室か
   らなるロードロック室群とを具備することを特徴とする
   処理システム。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の処理システムにおい
   て、 前記ロードロック室が、被処理体を上下に多段に収容可
   能であることを特徴とする処理システム。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の処理シス
   テムにおいて、 前記大気系処理エリアはクリーンルーム内に配置され、
   前記真空系処理エリアはクリーンルーム外に配置された
   ことを特徴とする処理システム。