JPH07176592A - 被処理体の搬入、搬出装置 - Google Patents
被処理体の搬入、搬出装置Info
- Publication number
- JPH07176592A JPH07176592A JP34444793A JP34444793A JPH07176592A JP H07176592 A JPH07176592 A JP H07176592A JP 34444793 A JP34444793 A JP 34444793A JP 34444793 A JP34444793 A JP 34444793A JP H07176592 A JPH07176592 A JP H07176592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load lock
- signal
- lock chamber
- door
- cassette
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000006854 communication Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 102220491117 Putative postmeiotic segregation increased 2-like protein 1_C23F_mutation Human genes 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000007175 bidirectional communication Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
室)に対して搬送装置により、半導体ウエハを収納した
カセットを搬入、搬出する装置においてロードロック室
内への大気の侵入を抑えること。 【構成】 真空処理装置1及び搬送装置5に夫々光通信
部10、50を設け、搬送装置5が真空処理装置1の正
面に位置したときにこれら光通信部10、50間で通信
を行って、ウエハのロード、アンロードを行うように構
成する。そして光通信部50側に、ロードロック室3の
ドア4の開閉信号を持たせ、この開閉信号に基づいてド
ア4の開閉制御を行う。従って例えばドア4はアンロー
ドの直前まで閉じられている。
Description
装置に関する。
は成膜処理、エッチング処理、イオン注入など多数の処
理が行われる。このため半導体デバイス製造工場では、
クリーンルーム内に各処理ステーションやウエハカセッ
トが設置され、例えば25枚の半導体ウエハ(以下ウエ
ハという)をカセット内に収納すると共に、このカセッ
トを有軌道あるいは無軌道の自動搬送ロボットに搭載し
て、処理ステーション及びストッカの間を搬送するよう
にしている。
装置においては、真空処理室と外部との間の相互の雰囲
気を隔離するためにロードロック室と呼ばれる予備真空
室が設けられており、搬送ロボットの移載アームによ
り、処理前のウエハを収納したカセットを予備真空室内
に搬入(ロード)し、また処理済みのウエハを収納した
カセットを予備真空室から搬出(アンロード)するよう
にしている。
備真空室のドアが開かれ、また閉じられるが、このドア
の開閉制御は真空処理装置側のコントローラにより行わ
れる。例えばイオン注入が終了し、処理済みのウエハが
ロードロック室内のカセット内に戻され、ロードロック
室内が真空雰囲気から大気雰囲気に戻ると、コントロー
ラからの指令によりロードロック室のドアを開いて待機
し、その後搬送ロボットが到着すると、搬送ロボットの
移載アームによりカセットが搬出される。
ドアの制御方式においては、ロードロック室のドアが開
いたときに既に搬送ロボットがロードロック室の前に待
機しているかあるいは直ぐに到着するとは限らず、到着
までに長い時間がかかる場合もある。しかしながらロー
ドロック室のドアが長い時間開いていると、パーティク
ルの混入量が増えるため、真空排気時にそのパーティク
ルが巻き上げられて、ウエハの表面に付着してウエハの
汚染の一因になるし、また大気中の水分がロードロック
室内に入り込むことにより、ロードロック室の真空排気
時間が長くなってしまう。そしてドア4が開いていると
きにもロードロック室内へN2 ガスを供給し続ければ、
ロードロック室内への大気の混入量は少なくなるが、こ
の場合でも特にロードロック室の開口部周縁から壁に沿
って大気が混入し、時間の経過と共にその量が増えてく
る。
長い時間大気にさらされるとウエハの表面に自然酸化膜
が成長するが、当該真空処理装置による真空処理に続い
て行われる次工程によっては、自然酸化膜の介在がデバ
イスの特性に大きな影響を及ぼす場合があり、この場合
には、歩留まりの低下の一因にもなるし、場合によって
は次工程の前に自然酸化膜を除去する工程を追加しなけ
ればならなくなる。
たものであり、その目的は、ロードロック室内への大気
の混入を抑え、処理済みの被処理体表面の自然酸化膜の
成長を抑制することのできる被処理体の搬入、搬出装置
を提供することにある。
の被処理体を収納した容器を載せて外部と真空処理装置
との間で搬送する搬送装置が真空処理装置の予備真空室
に対して、前記容器の受け渡しを行う位置にあるとき
に、搬送装置及び真空処理装置に夫々設けられた通信部
間で通信を行い、これにより容器を予備真空室内に搬入
し、また予備真空室から容器を搬出する被処理体の搬
入、搬出装置において、前記搬送装置に設けられ、予備
真空室の開閉部の開閉信号を真空処理装置側に送信する
ために前記搬送装置の前記通信部に出力する出力部と、
前記真空処理装置に設けられ、真空処理装置の通信部で
受信した前記開閉信号にもとづいて予備真空室の開閉部
の開閉制御を行う制御部と,を有してなることを特徴と
する。
て、被処理体を収納した容器が載置され、不活性ガス導
入部を有する容器載置室を搬送装置に設けたことを特徴
とする。
は予備真空室内の容器に戻されると共に、予備真空室内
が大気圧の圧力雰囲気となる。一方、搬送装置が容器の
受け渡し位置まで移動してくると、通信部間で通信が行
われるが、このとき搬送装置側から開閉信号が真空処理
装置側に送られる。真空処理側ではこの開閉信号に基づ
いて予備真空室の開閉を行う。例えば予告信号や準備信
号などの通信が行われた後、開閉信号のオン状態に基づ
いて予備真空室の開閉部が開き、搬送装置により容器の
アンロードが行われる。従って予備真空室の開閉部は、
搬送装置が到着した後開くので、無用に長い時間開かれ
ていることがなく、予備真空室内への大気の混入が抑え
られる。また請求項2の発明のように、搬送装置によ
り、被処理体が収納された容器を不活性ガス雰囲気中に
置いて搬送すれば、被処理体の自然酸化膜の成長をより
一層抑えることができる。
装置を示す概観斜視図及び全体構成を示す説明図であ
る。図中1は真空処理装置例えばイオン注入装置であ
り、このイオン注入装置の正面側には、被処理体例えば
25枚のウエハを収納したウエハカセット(以下「カセ
ット」という)を搬入、搬出するための入出力ポート2
が設けられている。この入出力ポート2には例えば3つ
の予備真空室(以下「ロードロック室」という)3A〜
3Cが配設されており、これらロードロック室3(3A
〜3C)の上部には、カセットCを搬入、搬出できるよ
うに、またロードロック室3(3A〜3C)内を気密状
態とするように、例えば昇降機構41により昇降するド
ア(開閉部)4が設けられている。なおここでいうドア
とは、ロードロック室3を開閉するものであれば、図に
示すような蓋状のものや、あるいは通常のプレート状の
ものなどを総称している。
ン注入のための複数のウエハが周方向に沿って載置され
るように構成されたターンテーブル11や、各ロードロ
ック室3A〜3C内のカセットCとタンテーブル11と
の間でウエハの受け渡しを行うために例えば進退自在、
回転自在のアームを含む移載アーム12などを備えた真
空室13が配設されており、ロードロック室3と真空室
13との間には、ゲートバルブ14が設けられている。
ロードロック室3内には、カセットCを、後述の搬送装
置によりウエハWが搬入、搬出される第1の位置と真空
室11内の移載手段12によりウエハWが移載される第
2の位置との間で昇降部30により昇降させるカセット
ステージ31が設けられている。またロードロック室3
には、図示しない真空ポンプが介設された排気管32が
接続されると共に、不活性ガス例えばN2 ガスを供給す
るためのガス供給管33が接続されている。
リーンルーム内には、カセットCを搬送する搬送装置5
が設けられている。この搬送装置5は、クリーンルーム
の床面を無軌道の搬送路20(図示の例)あるいは軌道
を有する搬送路上を走行する移載ロボット51、カセッ
トCの搬送を行う例えば関節アームなどからなるカセッ
ト移動ロボット52、これらロボット51、52を制御
すると共に、後述の光通信部50の通信制御を行う制御
部53などを備えている。そしてクリーンルーム内には
図1に示すイオン注入装置以外にも複数の処理装置やス
トッカなどが設置されているが、搬送装置5がどの装置
あるいはストッカに移動するかロード/アンロードの動
作を行うかなどの搬送装置5の管理についてはホストコ
ンピュータ54により、図示しないコントローラを介し
て管理されている。
光通信部10が取り付けられている一方、搬送装置5側
にも、前記光通信部10との間で光通信を行う光通信部
50が取り付けられている。更にイオン注入装置1に
は、光通信部10からの信号に基づいて、搬送装置5側
に通信すべき信号を光通信部10に出力したり、ドア4
の開閉制御を行うために昇降機構41に制御信号を出力
する制御部42が設けられている。この制御部42は、
この例ではドア信号を出力する出力部を含むものであ
る。前記光通信部10、50は例えば8ビットの双方向
通信タイプの光結合デバイスが用いられ、例えば図3に
示すようにビットが配列されてパラレル通信を行うこと
ができるように構成されている。
50aの8個のビット1〜8は、夫々VALID信号、
ステージ信号1〜3、予告信号、実行信号、完了信号及
びドア信号を出力する個所であり、イオン注入装置1側
の光通信部10の受信部10bの8個のビット1〜8
は、上記の対応する信号を夫々入力する個所である。ま
た光通信部10の発信部10aの8個のビット1〜8の
うち例えばビット1、2、4は、夫々ロード信号、アン
ロード信号及び準備信号を出力する個所であり、光通信
部50の受信部50bのビット1、2、4は上記の対応
する信号を入力する個所である。
テージ信号1〜3のデータを有効にし、オフのときに無
効にするものであり、ステージ信号1〜3は、これら3
ビットのコードによりロードロック室3を指定する(こ
の例ではロードロック室3A〜3C)ものである。また
予告信号、実行信号及び完了信号は夫々カセットのロー
ド/アンロードの動作を予告する信号、実行しているこ
とを知らせる信号、動作が終了したことを知らせる信号
であり、ドア信号は、ロードロック室3のドア4の開閉
を指令する信号である。更にロード信号、アンロード信
号は夫々カセットのロード、アンロードを行うことが可
能であることを知らせる信号であり、ロードロック室3
内のカセットステージ31上にカセットCがあるか無い
かを検出した結果に基づいて出力される。
しながら説明する。今真空処理装置の真空室13内にて
ウエハのイオン注入処理が終了したとすると、処理済み
のウエハWが移載手段12により例えばロードロック室
3A内に移載される。ロードロック室3A内は、予め真
空ポンプにより所定の真空度に真空排気されると共に、
ロードロック室3Aの背面側のゲートバルブ14が開か
れて搬入出口が形成されており、ターンテーブル11上
のウエハが移載手段12とカセットステージ41との協
働作用により前記搬入出口を介してロードロック室3A
内のカセットステージ31上のカセットC内に順次受け
渡される。その後ゲートバルブ14が閉じられ、ガス供
給管33より供給される不活性ガス、例えばN2 ガスに
よりロードロック室3A内が大気圧でパージされる。
54により、ロードロック室3AのカセットCをアンロ
ードし、未処理のウエハを収納したカセットCをロード
するシーケンスの命令を受けており、これに基づきイオ
ン注入装置1の正面に対向する所定の位置まで、図示し
ないコントローラの制御により移動し、図4に示すタイ
ムチャート図に示すようにイオン注入装置1及び搬送装
置5の各光通信部10、50間で光通信が行われる。
ステージ信号のビットの組み合わせがロードロック室3
Aに対応する信号となる。つまり搬送装置5がロードロ
ック室3Aに対してアクセスする旨をイオン注入装置1
側に伝える。次いでVALID信号がオンになってステ
ージ信号が有効になり、イオン注入装置1側において
は、アンロード信号がオン(アンロード可能)になる。
続いて搬送装置5側の予告信号がオンとなるが、このと
きドア信号がオンになっているので、イオン注入装置1
側の制御部42は昇降機構41に開指令を出力し、これ
によりロードロック室3Aのドア4が上昇する(開かれ
る)。ドア4が開かれた後イオン注入装置1側の準備信
号がオンになり、搬送装置5側ではこれを受けて、実行
信号をオンとしながら移載ロボット53がロードロック
室3A内のカセットCを受け取って搬送装置5の所定の
載置部に移載し、その後完了信号がオンになる。
号を受けて準備信号がオフとなり、その後前記完了信
号、VALID信号、ステージ信号がオフとなる。ここ
でホストコンピュータ54から指令されたシーケンス命
令に基づいてドア信号はオンになったままであるから、
ロードロック室3Aのドアは開いたままである。続いて
前記シーケンス命令によればアンロード後にロードを行
うことになってるため、再びステージ信号がロードロッ
ク室3Aに対応する信号となる。その後はアンロード信
号の代りにロード信号がオンになり、アンロードの代り
にロードが行われる点を除いては上述と同様の通信が行
われてロードつまり搬送装置5側から、未処理のウエハ
が収納されたカセットCがロードロック室3Aのカセッ
トステージ31上に受け渡される。そして完了信号のオ
ンと同時にドア信号がオフとなり、イオン注入装置側で
はこれに基づいて準備信号をオフとした後ロードロック
室3Aのドア4が閉じられる。その後搬送装置5は次の
処理装置あるいはストッカに移動する一方、イオン注入
装置1側ではロードロック室3A内が真空排気され、カ
セットC内のウエハがターンテーブル11に移載され、
イオン注入が行われる。
4から指定された作業がアンロードのみの場合には、図
5に示すようにアンロードが終了して実行信号がオフに
なったときにドア信号がオフになり、従って、完了信号
がオフになったときにドア4が閉じられる。そしてその
後未処理のウエハの入ったカセットCを搭載した搬送装
置5が到着すると、搬送装置5側から出力されるドア信
号に基づいて、指定されたロードロック3のドア4が開
かれ、ロードされる。
置1側の状態だけでロードロック室3のドアを一方的に
開けるのではなく、搬送装置5側にドア信号を持たせ、
搬送装置5がカセットCの受け渡しを行う位置、この例
ではロードロック室3の並びの正面に対向する位置にき
たときに、前記ドア信号によりロードロック室3のドア
の開閉を制御するようにしているため、アンロードされ
る直前までドア4は閉じられており、またアンロードさ
れた後ロードしない場合には直ちに閉じられることとな
る。
3内のカセットCに受け渡されてロードロック室3内が
N2 ガスでパージされるタイミングと搬送装置5が到着
するタイミングとがずれても、ロードロック室3のドア
4はアンロードされる直前まで閉じていて、アンロード
に必要な時間だけ開いているため(ただしアンロードの
後直ちにロードする場合は開いたままで、ロード後閉じ
られる)、ロードロック室3内への大気の混入を抑える
ことができる。
の成長が抑えられるため、ウエハが次工程で処理された
ときに自然酸化膜の介在が少なくなり、歩留まりが向上
する。またロードロック室3内へのパーティクルの混入
量が少なくなるので、ウエハの汚染が抑えられると共に
ロードロック室3内へ入り込む水分量が少なくなるため
真空排気に要する時間が短くなり、スループットが向上
する。
律にロードロック室3のドア4を閉じる方法では、続い
てロードする場合にドア4を「閉じる」、「開く」の動
作を連続して行わなければならず、時間的ロスが大きい
が、上述実施例のようにドア4を開いたままにしておけ
ば、時間的ロスが小さい。
ては、例えば図6に示すように、筐体よりなり、ドア6
1(図の例では水平方向に開閉される)及び不活性ガス
導入部(導入口)62を有するカセット載置室63と不
活性ガス例えばN2 ガスのガス供給源64とを備えたも
のを用い、ガス供給源64からN2 ガスを前記導入部6
2を介してカセット載置室63内に陽圧になるように供
給してこの中を常時N2 ガス雰囲気としてもよい。この
ような搬送装置5を用いれば、ウエハへのパーティクル
の付着及び自然酸化膜の成長をより一層抑えることがで
きるので、非常に有効である。
ウエハに限らず液晶ディスプレイ基板の製造工程におけ
るガラス基板などであってもよいし、真空処理装置とし
てはイオン注入装置に限らず成膜装置、エッチング装
置、アッシング装置、スパッタリング装置などであっも
よい。また搬送装置と真空処理装置との間の通信方法は
光通信に限らず例えばコイルのカップリングによる電波
通信であってもよい。
備真空室に対して容器の受け渡しを行う位置にあるとき
に、搬送装置側の開閉信号に基づいて予備真空室の開閉
部が開かれるので、予備真空室内への大気の侵入が抑え
られ、処理済みの被処理体表面の自然酸化膜の成長を抑
制でき、真空処理装置内へのパーティクルの侵入が少な
くなる。
り、被処理体が収納された容器を不活性ガス雰囲気中に
置いて搬送しているため、被処理体の自然酸化膜の成長
をより一層抑えることができ、本装置がより有効なもの
となる。
る。
明図である。
ート図である。
ャート図である。
断側面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の被処理体を収納した容器を載せて
外部と真空処理装置との間で搬送する搬送装置が真空処
理装置の予備真空室に対して、前記容器の受け渡しを行
う位置にあるときに、搬送装置及び真空処理装置に夫々
設けられた通信部間で通信を行い、これにより容器を予
備真空室内に搬入し、また予備真空室から容器を搬出す
る被処理体の搬入、搬出装置において、 前記搬送装置に設けられ、予備真空室の開閉部の開閉信
号を真空処理装置側に送信するために前記搬送装置の前
記通信部に出力する出力部と、 前記真空処理装置に設けられ、真空処理装置の通信部で
受信した前記開閉信号にもとづいて予備真空室の開閉部
の開閉制御を行う制御部と,を有してなることを特徴と
する被処理体の搬入、搬出装置。 - 【請求項2】 複数の被処理体を収納した容器が載置さ
れ、不活性ガス導入部を有する容器載置室を搬送装置に
設けたことを特徴とする請求項1記載の被処理体の搬
入、搬出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34444793A JP3320539B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 被処理体の搬入、搬出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34444793A JP3320539B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 被処理体の搬入、搬出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07176592A true JPH07176592A (ja) | 1995-07-14 |
JP3320539B2 JP3320539B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=18369342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34444793A Expired - Fee Related JP3320539B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 被処理体の搬入、搬出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3320539B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000299363A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Murata Mach Ltd | 光データ伝送システム |
JP2000299364A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Murata Mach Ltd | 光データ伝送装置及びこれを用いた光データ伝送システム |
JP2000299365A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Murata Mach Ltd | 光データ伝送装置 |
JP2003515951A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド | ウエハ処理システム |
JP2005294863A (ja) * | 2005-05-30 | 2005-10-20 | Murata Mach Ltd | 光データ伝送装置 |
JP2006500752A (ja) * | 2002-09-25 | 2006-01-05 | バリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ・インコーポレーテッド | ロードロック真空コンダクタンス制限アパチャー |
JP2006521704A (ja) * | 2003-03-24 | 2006-09-21 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 高速で対象物を取り扱う方法および装置 |
JP2008273812A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Semes Co Ltd | 炭素ナノチューブ合成装置及び方法 |
JP2013140990A (ja) * | 1998-03-03 | 2013-07-18 | Akt Kk | 大領域ガラス基板のコーティング及びアニーリング方法 |
-
1993
- 1993-12-17 JP JP34444793A patent/JP3320539B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013140990A (ja) * | 1998-03-03 | 2013-07-18 | Akt Kk | 大領域ガラス基板のコーティング及びアニーリング方法 |
JP2000299363A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Murata Mach Ltd | 光データ伝送システム |
JP2000299364A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Murata Mach Ltd | 光データ伝送装置及びこれを用いた光データ伝送システム |
JP2000299365A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Murata Mach Ltd | 光データ伝送装置 |
JP2003515951A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド | ウエハ処理システム |
JP2006500752A (ja) * | 2002-09-25 | 2006-01-05 | バリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ・インコーポレーテッド | ロードロック真空コンダクタンス制限アパチャー |
JP2006521704A (ja) * | 2003-03-24 | 2006-09-21 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 高速で対象物を取り扱う方法および装置 |
JP4727572B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2011-07-20 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 高速で対象物を取り扱う方法および装置 |
JP2005294863A (ja) * | 2005-05-30 | 2005-10-20 | Murata Mach Ltd | 光データ伝送装置 |
JP2008273812A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Semes Co Ltd | 炭素ナノチューブ合成装置及び方法 |
JP4704418B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2011-06-15 | セメス株式会社 | 炭素ナノチューブ合成装置及び方法 |
TWI402212B (zh) * | 2007-04-27 | 2013-07-21 | Korea Kumho Petrochem Co Ltd | 合成奈米碳管之裝置及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3320539B2 (ja) | 2002-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6330755B1 (en) | Vacuum processing and operating method | |
JP3486462B2 (ja) | 減圧・常圧処理装置 | |
KR20180045316A (ko) | 설비 전방 단부 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 | |
KR101353148B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치 제어 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR101106803B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 처리용 반도체 제조 시스템, 대기중 로봇핸들링 장비 및 반도체 웨이퍼의 반송 방법 | |
WO2004030085A1 (ja) | 被処理体の搬送方法 | |
JP3320539B2 (ja) | 被処理体の搬入、搬出装置 | |
CN110544621A (zh) | 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质 | |
JP3454034B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP2001127138A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP3380570B2 (ja) | 搬送装置 | |
JPH1079412A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH06140492A (ja) | クラスタ装置 | |
JPH06151558A (ja) | 搬送処理装置 | |
JP3420712B2 (ja) | 処理システム | |
JPH01135015A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
JP3082148B2 (ja) | 複合型ウェハ処理装置 | |
JPH04298059A (ja) | 真空処理装置 | |
JP2000091398A (ja) | 基板処理装置 | |
USRE39775E1 (en) | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors | |
JP3073000B2 (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
JPH0831906A (ja) | 基板処理システム | |
JP4657528B2 (ja) | 処理システムおよび処理方法 | |
JPH01120811A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
JP3469230B2 (ja) | 真空処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100621 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100621 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110621 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |