JPH11145251A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に対する真空処理と、その前工程および
／または後工程に対応する処理を基板搬送距離を長くす
ることなく高効率で行うことができる基板処理装置を提
供すること。 【解決手段】 現像後の被処理基板Ｓに対して洗浄処理
およびその後の加熱乾燥および冷却を行うための複数の
処理ユニット21,22,26,27を搬送路15の両側に配置した
洗浄処理部2と、搬送路15の一端側に設けられ、エッチ
ング処理室53およびアッシング処理室54を有する真空処
理部4と、搬送路15に沿って移動し、各処理ユニットの
間および真空処理部4との間で基板Ｓの受け渡しを行う
主搬送装置16と、主搬送装置16に対して被処理基板Ｓを
受け渡しする搬送機構11を有する搬入出部1とを備え、
これら処理部2の各処理ユニットおよび搬送路15が一体
的に設けられ、かつ洗浄処理部2と真空処理部4と搬入出
部1とが一体的に設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えばＬＣＤ基板
等の基板、半導体ウエハ等の基板に対してエッチング等
の真空処理と、その前工程および／または後工程で行わ
れる洗浄処理等を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置（ＬＣＤ）や半導体デバイ
スの製造においては、基板であるＬＣＤガラス基板や半
導体ウエハに、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応
してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、
いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターン
を形成し、さらにエッチング処理を施して配線回路等を
形成する。

【０００３】従来、このような処理を行うための処理設
備においては、各処理装置毎に集中して配置されるレイ
アウトが採用されており、処理の効率化を図っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに各処理を行う処理装置を処理装置毎に集中して設け
ることは一見して効率よく思えるが、一枚の基板の一連
の処理を考慮すると搬送距離が長くならざるを得ない。
特に、成膜処理、エッチングおよびアッシング処理等の
真空処理系と、洗浄やレジスト塗布・現像処理装置等と
は、全く別個に離れた位置に配置されているため、例え
ば現像処理を行い、次いでエッチング処理およびアッシ
ング処理を行い、その後基板を洗浄する場合や、成膜処
理の前後に基板を洗浄する場合には、基板の搬送距離が
極めて長く、実際には非効率な結果となってしまう。

【０００５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、基板に対する真空処理と、その前工程およ
び／または後工程に対応する処理を基板搬送距離を長く
することなく高効率で行うことができる基板処理装置を
提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、被処理基板に対して
真空処理を施す第１の処理部と、前記第１の処理部によ
る真空処理の前工程および／または後工程に対応する処
理を行う複数の処理ユニットを備えた第２の処理部と、
前記第２の処理部の各処理ユニットの間および第１の処
理部と第２の処理部との間で被処理基板の受け渡しを行
う基板搬送機構とを備え、これら第２の処理部の各処理
ユニットが一体的に設けられ、かつ第１の処理部と第２
の処理部とが一体的に設けられていることを特徴とする
基板処理装置が提供される。

【０００７】本発明の第２の観点によれば、被処理基板
に対して真空処理を施す第１の処理部と、搬送路と、搬
送路に沿って設けられ、前記第１の処理部による真空処
理の前工程および／または後工程に対応する処理を行う
複数の処理ユニットとを備えた第２の処理部と、前記搬
送路に沿って移動し、第２の処理部の各処理ユニットの
間および第１の処理部と第２の処理部との間で被処理基
板の受け渡しを行う基板搬送機構とを備え、これら第２
の処理部の各処理ユニットおよび搬送路が一体的に設け
られ、かつ第１の処理部と第２の処理部とが一体的に設
けられていることを特徴とする基板処理装置が提供され
る。

【０００８】本発明の第３の観点によれば、被処理基板
に対して真空処理を施す第１の処理部と、搬送路と、搬
送路に沿って設けられ、前記第１の処理部による真空処
理の前工程および／または後工程に対応する処理を行う
複数の処理ユニットとを備えた第２の処理部と、前記搬
送路に沿って移動し、第２の処理部の各処理ユニットの
間および第１の処理部と第２の処理部との間で被処理基
板の受け渡しを行う基板搬送機構と、この基板搬送機構
に対して被処理基板を受け渡しする受け渡し機構を有す
る搬入出部とを備え、これら第２の処理部の各処理ユニ
ットおよび搬送路が一体的に設けられ、かつ第１の処理
部と第２の処理部と搬入出部とが一体的に設けられてい
ることを特徴とする基板処理装置が提供される。

【０００９】本発明においては、従来のように、エッチ
ング処理や成膜処理等の真空処理を行う真空処理装置
と、その前工程および／または後工程として行われる洗
浄処理や現像処理等を行う処理装置とを離れた位置に配
置するのではなく、真空処理を施す第１の処理部と、真
空処理の前工程および／または後工程に対応する処理を
行う複数の処理ユニットを備えた第２の処理部とを一体
的設けているので、これらの処理を一つの装置で一括し
て連続に行うことができ、これら一連の処理における基
板の搬送距離を著しく短くすることができる。したがっ
て、極めて高効率な処理が実現される。

【００１０】具体的には、上記の第２の観点のように、
第２の処理部を、搬送路に沿って上記各処理ユニットを
一体的に配置した構造とし、かつ第１の処理部と一体的
に配置して、搬送路を移動する搬送機構により第２の処
理部の各処理ユニットの間および第１の処理部と第２の
処理部との間で被処理基板の受け渡しを行うことによ
り、上記効果を有効に発揮することができる。

【００１１】そして、第３の観点のように、さらに基板
搬送機構に対して被処理基板を受け渡しする受け渡し機
構を備えた搬入出部を備えることにより、例えば、そこ
に配置された基板収納容器から、受け渡し機構により連
続的に被処理基板を搬送機構へ受け渡すことができ、一
層高効率で一連の処理を行うことができる。

【００１２】この場合に、第１の処理部が、少なくとも
１つの真空処理室と、少なくとも１つのロードロック室
とを有する構造であれば、真空処理室に悪影響を与える
ことなく搬送機構による第１の処理部への基板の受け渡
しを行うことができる。

【００１３】具体的には、第１の処理部がエッチング処
理ユニットを有し、第２の処理部が洗浄処理ユニットを
有するようにすることができる。また、第１の処理部が
さらにエッチング後のアッシング処理を行うユニットを
有してもよい。さらに、第１の処理部がさらにエッチン
グ後のライトアッシングを行うユニットを有し、第２の
処理部がライトアッシング後のウエット洗浄を行うユニ
ットを有してもよい。さらにまた、第１の処理部がエッ
チング処理ユニットを有し、前記第２の処理部がレジス
ト膜露光後の現像処理を行う現像処理ユニットを有して
もよい。この場合に、第２の処理部は、エッチング処理
ユニットの他にさらに洗浄処理ユニットを有していても
よい。この場合にも、記第１の処理部は、さらにエッチ
ング後のアッシング処理を行うユニットを有してもよい
し、前記第１の処理部がさらにエッチング後のライトア
ッシングを行うユニットを有し、前記第２の処理部がラ
イトアッシング後のウエット洗浄を行うユニットを有し
てもよい。

【００１４】また、第１の処理部が成膜処理ユニットを
有し、第２の処理部は洗浄処理ユニットを有するもので
あってもよい。

【００１５】さらに、第１処理部による真空処理と、第
２処理部による真空処理の前工程および／または後工程
とは処理のタイミングが異なるため、基板を一時保持す
るためのバッファと、第１の処理部による真空処理と第
２の処理部による真空処理の前工程および／または後工
程との間にタイムラグが生じた際に、基板を前記バッフ
ァに搬送するように前記基板搬送機構を制御する制御手
段とを有することが好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。ここでは、エッチング
・アッシング処理と洗浄処理とを一括して行うことがで
きる基板処理システムを示す。図１はこのようなＬＣＤ
基板の処理システムを示す平面図である。

【００１７】この処理システム１００は、複数のＬＣＤ
基板Ｓを収容するカセットＣを載置し、搬入出部を構成
するカセットステーション１と、基板Ｓに対して洗浄処
理およびその後の乾燥処理等を行うための複数の処理ユ
ニットを備えた洗浄処理部２と、カセットステーション
１上のカセットＣと処理部２との間で基板Ｓの搬送を行
うための搬送部３と、洗浄処理部２のカセットステーシ
ョン１とは反対側の端部に設けられ、エッチング・アッ
シング処理を行う真空処理部４とを備えている。そし
て、カセットステーション１においてカセットＣの搬入
出が行われる。また、搬送部３はカセットの配列方向に
沿って設けられた搬送路１２上を移動可能な搬送機構１
１を備え、この搬送機構１１によりカセットＣと洗浄処
理部２との間で基板Ｓの受け渡しが行われる。

【００１８】洗浄処理部２は、中央に搬送路１５を有し
ており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設され
ている。すなわち、搬送路１５の一方の側には２つのス
クラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１，２２が設けられ、
他方側には、複数の加熱処理ユニット（ＨＰ）２６およ
び冷却ユニット（ＣＯＬ）２７が配置されている。搬送
路１５には主搬送装置１６が移動可能に設けられてお
り、後述するようにこの主搬送装置１６により、基板Ｓ
の受け渡しが行われる。

【００１９】スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２
１，２２は、水により基板Ｓをブラシ洗浄する。また、
加熱処理ユニット（ＨＰ）２６は、２段積層されてなる
組が搬送路１５に沿って２つ並んでおり、冷却ユニット
（ＣＯＬ）２７はカセットステーション側に２段積層し
て設けられている。加熱処理ユニット（ＨＰ）２６は、
洗浄後の乾燥を行うものであり、加熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）２６での処理が終了した後は、基板Ｓの温度を常温
に低下させるために冷却ユニット（ＣＯＬ）２７で冷却
される。

【００２０】上記主搬送装置１６は、図２に示すよう
に、搬送路１５に沿って移動可能な本体４１と、装置本
体４１に対して上下動および旋回動が可能なベース部材
４２と、ベース部材４２上を水平方向に沿ってそれぞれ
独立して移動可能な上下２枚の基板支持部材４３ａ，４
３ｂとを有している。そして、ベース部材４２の中央部
と装置本体４１とが連結部４４により連結されている。
本体４１に内蔵された図示しないモーターにより連結部
４４を上下動または回転させることにより、ベース部材
４２が上下動または旋回動される。このようなベース部
材４２の上下動および旋回動、ならびに基板支持部材４
３ａ，４３ｂの水平移動により基板Ｓの搬送が行われ
る。参照符号４５ａ，４５ｂは、それぞれ基板支持部材
４３ａ，４３ｂをガイドするガイドレールである。

【００２１】主搬送装置１６は、搬送部３の搬送機構１
１との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、洗浄処理
部２の各処理ユニットに対する基板Ｓの搬入・搬出、さ
らには真空処理部４との間で基板Ｓの受け渡しを行う機
能を有している。

【００２２】次に、真空処理部４について説明する。図
３は、真空処理部４を示す水平断面図である。この真空
処理部４は、真空状態で基板Ｓに対してエッチング処理
およびアッシング処理が可能に構成されている。真空処
理部４は、搬送路１５側に設けられた第１ロードロック
室５１と、その奥に設けられた第２ロードロック室５２
と、第２ロードロック室５２の一方の側面に設けられた
エッチング処理室５３と、第２ロードロック室５２の他
の側面に設けられたアッシング処理室５４とを有してい
る。そして、第１ロードロック室５１と第２ロードロッ
ク室５２との間、第２ロードロック室５２と各処理室と
の間には、これらの間を気密にシールし、かつ開閉可能
に構成されたゲートバルブＧが介装されている。また、
第１ロードロック室５１と外側の大気雰囲気とを連通す
る開口部にもゲートバルブＧが設けられている。

【００２３】エッチング処理室５３およびアッシング処
理室５４は、いずれもその中に基板Ｓを載置するための
ステージ６０が設けられており、その内部を真空排気可
能に構成されている。そして、エッチング処理室５３に
は、所定のエッチングガスが導入され、また高周波電界
を印加することが可能になっており、これらによりプラ
ズマを形成し、そのプラズマにより基板Ｓの所定の膜を
その現像パターンに対応してエッチングする。一方、ア
ッシング処理室５４は、アッシングガス例えばオゾンが
導入可能となっており、アッシングガスによりエッチン
グ処理後のレジストを除去する。

【００２４】第２ロードロック室５２も真空排気可能に
構成され、その中に基板搬送部材７０が設けられてい
る。基板搬送部材７０は、多関節アームタイプであり、
ベース７１と、中間アーム７２と、先端に設けられた基
板支持アーム７３とを有しており、これらの接続部分は
旋回可能となっている。この基板搬送部材７０は、第１
ロードロック室５１、エッチング処理室５３、アッシン
グ処理室５４との間で基板Ｓの受け渡しを行う。基板搬
送部材７０のベース７１の中間アーム７２と反対側には
基板Ｓを保持可能に構成されたバッファ枠体７５が設け
られており、これにより基板Ｓを一時的に保持すること
により、スループットの向上を図っている。

【００２５】第１ロードロック室５１も真空排気可能に
構成され、その中に基板Ｓを載置するラック８０および
基板Ｓのアライメントを行うポジショナー８１が設けら
れている。ポジショナー９１は、矢印Ａ方向に沿って移
動することにより、基板Ｓの相対向する２つの角部をそ
れぞれ２つのローラ８２で押しつけて、ラック８０上で
基板Ｓのアライメントがなされる。アライメントの終了
を確認するために、図示しない光学的センサーが用いら
れる。このロードロック室５１は、基板搬送機構１６と
の間で基板Ｓの受け渡しする場合には、その中を大気雰
囲気とし、基板Ｓを処理室５３または５４に搬送する場
合には、その中を真空雰囲気とする。

【００２６】このような処理システムにおいては、洗浄
処理とエッチング処理ユニット４における処理とは、そ
れぞれのレシピに従って行われているため、処理時間に
タイムラグが生じる。したがって、このままでは主搬送
装置１６の待機時間が多くなってしまいスループットが
低下する。そこで、処理時間のタイムラグにより例えば
主搬送装置１６がエッチング処理ユニット４に基板Ｓを
搬送することを許容されない場合に、基板Ｓをバッファ
に一時保持させるように主搬送装置６をコントロールす
る。具体的には、図４に示すように、メインコントロー
ラ３０、主搬送装置１６のコントローラ３１およびエッ
チング処理ユニット４のコントローラ３２を用い、コン
トローラ３１およびコントローラ３２の情報に基づき、
基板Ｓを待機する必要がある場合に、メインコントロー
ラ３０からコントローラ３１に基板Ｓをバッファに搬送
させる指令が出される。この場合のバッファとしては、
カセットステーション１のカセットＣを用いることがで
きる。

【００２７】また、基板Ｓを一時保持するバッファとし
て、図５の（ａ）に示すようにエッチング処理ユニット
４のロードロック室５１の上にバッファカセット３３を
設けてもよいし、図５の（ｂ）に示すようにロードロッ
ク室５１の下にバッファカセット３４を設けてもよい。

【００２８】次に、このように構成される処理システム
１００における基板Ｓの処理動作について説明する。カ
セットＣ内には現像処理終了後の基板Ｓが収容されてお
り、このカセットＣ内の基板Ｓが洗浄処理部２に搬送さ
れる。この際に、搬送部３の搬送機構１１のアームがカ
セットＣから一枚のＬＣＤ基板Ｓを取り出し、主搬送装
置１６の基板支持部材４３ａまたは４３ｂ上に載せるこ
とにより、基板Ｓが洗浄処理部２へ搬入される。

【００２９】そして、基板Ｓは、主搬送装置１６により
所定の処理ユニットへ搬送され、所定の処理が施され
る。具体的には、エッチング前に洗浄が必要な場合に
は、スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１または２
２で前洗浄が施される。このような前洗浄が施された場
合には、基板２は加熱処理ユニット（ＨＰ）２６で乾燥
された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）２７で常温まで冷却
される。

【００３０】その後、基板Ｓは主搬送装置１６により真
空処理部４の第１ロードロック室５１に搬入される。こ
のとき、ロードロック室５１は大気圧に設定され、第２
ロードロック室５２との間のゲートバルブＧは閉じられ
ている。この第１ロードロック室５１において、ラック
９０上の基板Ｓがポジショナー９１によりアライメント
される。その後、第１ロードロック室５１の両側のゲー
トバルブＧを閉じた状態でロードロック室５１内を真空
排気し、所定の圧力に到達した時点で第２ロードロック
室５２側のゲートバルブＧを開ける。このとき、第２ロ
ードロック室５２、エッチング処理室５３およびアッシ
ング処理室５４は、予め所定の真空度まで真空排気され
ている。

【００３１】続いて、第２ロードロック室５２の基板搬
送部材７０により、ロードロック室５１のラック９０上
の基板Ｓを受け取り、搬送室５２とエッチング処理室５
３との間のゲートバルブＧを開けてエッチング処理室５
３に基板Ｓを搬入する。そして、そのゲートバルブＧを
閉じ、エッチング処理室５３にて基板Ｓに対してエッチ
ング処理を施す。

【００３２】エッチング処理終了後、ゲートバルブＧを
開けて、基板Ｓを基板搬送部材７０によりエッチング処
理室５３から搬出し、搬送室５２とアッシング処理室５
４との間のゲートバルブＧを開けてアッシング処理室５
４に基板Ｓを搬入する。そして、そのゲートバルブＧを
閉じ、アッシング処理室５４にて基板Ｓに対してアッシ
ング処理を施す。

【００３３】なお、シーケンスによっては、エッチング
処理ユニット３０に搬入された基板Ｓを一旦バッファ枠
体７５に保持させておき、バッファ枠体７５から基板Ｓ
を取り出すようにしてもよい。

【００３４】このようにアッシング処理が終了した基板
Ｓは、搬送部材７０によりアッシング処理室５４から第
２ロードロック室５２を経て第１ロードロック室５１に
戻され、第１ロードロック室５１を大気圧に戻した後、
主搬送装置１６により取り出される。そして、基板Ｓは
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１または２２に搬入
され、アッシング後の洗浄処理が行われる。洗浄処理
後、基板Ｓは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２６により加
熱されて乾燥され、次いで冷却ユニット（ＣＯＬ）２７
により常温まで冷却される。

【００３５】このようにして一連の処理が終了した基板
Ｓは、主搬送装置１６により搬送部３へ搬送され、搬送
部３の搬送機構１１のアームに受け渡され、処理済基板
用のカセットＣに搬入される。以上のような処理を、１
つのカセットＣの基板Ｓの数だけ繰り返して、１つのカ
セットの基板の処理を終了する。

【００３６】このように、本実施の形態では、従来のよ
うに、エッチング処理およびアッシング処理の真空処理
を行う真空処理装置と、その前工程および／または後工
程としての洗浄処理を行う処理装置とを離れた位置に配
置するのではなく、真空処理を施す真空処理部４と、洗
浄処理およびそれに付随する熱処理を行う複数のユニッ
トを備えた洗浄処理部とを一体的設けているので、これ
らの処理を一つの装置で一括して連続に行うことがで
き、これら一連の処理における基板の搬送距離を著しく
短くすることができる。したがって、極めて高効率な処
理が実現される。また、搬送路の両側に各処理ユニット
を配置するようにしたので、搬送効率が良好である。さ
らに、洗浄処理部２に連続して搬入出部であるカセット
ステーション１を設けたので、基板Ｓを連続的に洗浄処
理部２に搬送することができ極めて高効率である。

【００３７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、アッシング室５
４においてライトアッシングを行う場合には、図６に示
すように、スクラバ洗浄ユニットの一方をウエット洗浄
ユニット（ＷＥＴ）２３に変え、ウエット洗浄ユニット
（ＷＥＴ）２３により残存するレジストを完全に除去す
るようにすることもできる。

【００３８】また、図７に示すように、一方のスクラバ
洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２を現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２４に置換して、現像・洗浄処理部２’を構成して
もよい。この場合には、カセットＣにはレジスト塗布お
よび露光後の基板Ｓを収容させておき、まず必要に応じ
て洗浄処理ユニット２１で洗浄処理を行い、加熱処理ユ
ニット２６および冷却ユニット２７で加熱乾燥および冷
却を行った後、現像処理ユニット２３にて現像処理を行
い、加熱処理ユニット２６および冷却ユニット２７でポ
ストベークおよび冷却を行う。その後、真空処理部４に
おいて、上記実施の形態と同様にエッチング処理および
アッシング処理を行い、その後同様に洗浄を行う。

【００３９】この図７に示すシステムを、図８に示すレ
ジスト塗布および露光等の一連の処理を行うシステムと
連続的に配置することにより、レジスト塗布からエッチ
ングまで一括して行うことができる。

【００４０】図８のシステムは、カセットステーション
１０１と、レジスト塗布処理等を行う処理部１０２と、
搬送路１１２上を移動可能でかつカセットＣと洗浄処理
部１０２との間で基板Ｓを搬送する搬送機構１１１を有
する搬送部１０３と、処理部１０２と露光装置（ＥＸ
Ｐ）１３０との間の基板の受け渡しを行うインターフェ
イス部１２６とを備えている。処理部１０２は、中央に
搬送路１１５を有しており、その片側にスクラバ洗浄ユ
ニット（ＳＣＲ）１２１と、レジスト塗布処理ユニット
（ＣＴ）１２２が設けられ、他方側には加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）が２段積層されたユニット１２３、加熱処理
ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる加
熱処理・冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）１２４、および
アドヒージョン処理ユニットと冷却ユニットとが上下に
積層されてなるアドヒージョン処理・冷却ユニット（Ａ
Ｄ／ＣＯＬ）１２５が配置されている。搬送路１１５に
は主搬送装置１６と同様に構成された主搬送装置１１６
が移動可能に設けられており、この主搬送装置１１６に
より、基板Ｓの受け渡しが行われる。

【００４１】この図８のシステムでは、カセットＣ内の
基板Ｓが搬送機構１１１により処理部１０２に搬入さ
れ、まず洗浄ユニット（ＳＣＲ）１２１でスクラバー洗
浄が施され、いずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）で加
熱乾燥された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却され
る。その後、基板Ｓは、レジストの定着性を高めるため
に、ユニット１２５の上段のアドヒージョン処理ユニッ
ト（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、冷却
ユニット（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布ユニット
（ＣＴ）１２２でレジストが塗布される。その後、基板
Ｓは、いずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でプリベー
ク処理され、冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、
インターフェース１２６を介して露光装置（ＥＸＰ）１
３０で露光処理される。再びインターフェース１２６を
介して処理部１０２に戻された基板Ｓに、必要に応じて
加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエクスポージャーベ
ーク処理が施され、冷却された後、基板Ｓは搬送部１０
３を介してカセットステーション１０１のカセットＣに
戻される。そして、このような処理が施された基板Ｓを
収容したカセットＣが図７の装置のカセットステーショ
ン１に載置され、上述のような現像処理およびエッチン
グ処理が行われる。

【００４２】さらに、図９に示すように、上記実施の形
態における真空処理部４のエッチング処理室５３および
アッシング処理室５４を成膜室５５および５６に置換し
て真空処理部４’を構成し、基板Ｓに所定の薄膜をＣＶ
ＤまたはＰＶＤにより成膜する成膜処理と洗浄処理とを
一括して行えるようにしてもよい。

【００４３】この図９のシステム、図８のシステム、図
７のシステムを連続して配置することにより、成膜処
理、レジスト塗布処理、露光処理、現像処理、エッチン
グ処理を一括して行うことができる。

【００４４】さらにまた、各処理ユニットの配置は上記
実施の形態の配置に限らず、種々の配置を採用すること
が可能である。また、搬入出部の形態も上記例に限るも
のではない。上記実施形態においては、基板としてＬＣ
Ｄ基板を用いた場合について示したが、これに限らず半
導体ウエハ等他の基板の処理の場合にも適用可能である
ことはいうまでもない。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来のように、エッチング処理や成膜処理等の真空処理
を行う真空処理装置と、その前工程および／または後工
程として行われる洗浄処理や現像処理等を行う処理装置
とを離れた位置に配置するのではなく、真空処理を施す
第１の処理部と、真空処理の前工程および／または後工
程に対応する処理を行う複数の処理ユニットを備えた第
２の処理部とを一体的設けているので、これらの処理を
一つの装置で一括して連続に行うことができ、これら一
連の処理における基板の搬送距離を著しく短くすること
ができる。したがって、極めて高効率な処理が実現され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板の処理シ
ステムを示す平面図。

【図２】本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板の処理シ
ステムにおける処理部に用いられる搬送機構を示す斜視
図。

【図３】本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板の処理シ
ステムにおけるエッチング処理ユニットを示す水平断面
図。

【図４】図１の処理システムにおける主搬送装置および
エッチングユニットの制御系を示す図。

【図５】バッファカセットの配置例を示す正面図。

【図６】本発明の他の実施形態に係るＬＣＤ基板の処理
システムを示す平面図。

【図７】本発明のさらに他の実施形態に係るＬＣＤ基板
の処理システムを示す平面図。

【図８】図５の処理システムに連続的に配置するのに適
したレジスト塗布および露光等の一連の処理を行うシス
テムを示す平面図。

【図９】本発明のさらに他の実施形態に係るＬＣＤ基板
の処理システムを示す平面図。

【符号の説明】

１……カセットステーション ２……洗浄処理部 ２’……現像・洗浄処理部 ３……搬送部 ４，４’……真空処理部 １１……搬送機構 １５……搬送路 １６……主搬送装置 ２１，２２……スクラバ洗浄ユニット ２３……ウエット洗浄ユニット（レジスト除去） ２４……現像処理ユニット ２６……加熱処理ユニット ２７……冷却ユニット ５３……エッチング処理室 ５４……アッシング処理室 ５５，５６……成膜処理室 Ｓ……基板

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板に対して真空処理を施す第１
   の処理部と、 前記第１の処理部による真空処理の前工程および／また
   は後工程に対応する処理を行う複数の処理ユニットを備
   えた第２の処理部と、 前記第２の処理部の各処理ユニットの間および第１の処
   理部と第２の処理部との間で被処理基板の受け渡しを行
   う基板搬送機構とを備え、これら第２の処理部の各処理
   ユニットが一体的に設けられ、かつ第１の処理部と第２
   の処理部とが一体的に設けられていることを特徴とする
   基板処理装置。
2. 【請求項２】 被処理基板に対して真空処理を施す第１
   の処理部と、 搬送路と、搬送路に沿って設けられ、前記第１の処理部
   による真空処理の前工程および／または後工程に対応す
   る処理を行う複数の処理ユニットとを備えた第２の処理
   部と、 前記搬送路に沿って移動し、第２の処理部の各処理ユニ
   ットの間および第１の処理部と第２の処理部との間で被
   処理基板の受け渡しを行う基板搬送機構とを備え、これ
   ら第２の処理部の各処理ユニットおよび搬送路が一体的
   に設けられ、かつ第１の処理部と第２の処理部とが一体
   的に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 被処理基板に対して真空処理を施す第１
   の処理部と、 搬送路と、搬送路に沿って設けられ、前記第１の処理部
   による真空処理の前工程および／または後工程に対応す
   る処理を行う複数の処理ユニットとを備えた第２の処理
   部と、 前記搬送路に沿って移動し、第２の処理部の各処理ユニ
   ットの間および第１の処理部と第２の処理部との間で被
   処理基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、 この基板搬送機構に対して被処理基板を受け渡しする受
   け渡し機構を有する搬入出部とを備え、これら第２の処
   理部の各処理ユニットおよび搬送路が一体的に設けら
   れ、かつ第１の処理部と第２の処理部と搬入出部とが一
   体的に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記第１の処理部は、真空処理を行う少
   なくとも１つの真空処理室と、前記搬送機構と真空処理
   室との間に設けられた少なくとも１つのロードロック室
   とを有することを特徴とする請求項１ないし請求項３の
   いずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記第１の処理部は、エッチング処理ユ
   ニットを有し、前記第２の処理部は、洗浄処理ユニット
   を有することを特徴とする請求項１ないし請求項４のい
   ずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記第１の処理部は、さらにエッチング
   後のアッシング処理を行うユニットを有することを特徴
   とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記第１の処理部は、さらにエッチング
   後のライトアッシングを行うユニットを有し、前記第２
   の処理部はライトアッシング後のウエット洗浄を行うユ
   ニットを有することを特徴とする請求項５に記載の基板
   処理装置。
8. 【請求項８】 前記第１の処理部は、エッチング処理ユ
   ニットを有し、前記第２の処理部は、レジスト膜露光後
   の現像処理を行う現像処理ユニットを有することを特徴
   とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の
   基板処理装置。
9. 【請求項９】 前記第２の処理部は、さらに洗浄処理ユ
   ニットを有することを特徴とする請求項８に記載の基板
   処理装置。
10. 【請求項１０】 前記第１の処理部は、さらにエッチン
    グ後のアッシング処理を行うユニットを有することを特
    徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
11. 【請求項１１】 前記第１の処理部は、さらにエッチン
    グ後のライトアッシングを行うユニットを有し、前記第
    ２の処理部はライトアッシング後のウエット洗浄を行う
    ユニットを有することを特徴とする請求項９に記載の基
    板処理装置。
12. 【請求項１２】 前記第１の処理部は、成膜処理ユニッ
    トを有し、前記第２の処理部は洗浄処理ユニットを有す
    ることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか
    １項に記載の基板処理装置。
13. 【請求項１３】 さらに、基板を一時保持するためのバ
    ッファと、第１の処理部による真空処理と第２の処理部
    による真空処理の前工程および／または後工程との間に
    タイムラグが生じた際に、基板を前記バッファに搬送す
    るように前記基板搬送機構を制御する制御手段とを有す
    ることを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれ
    か１項に記載の基板処理装置。