JP2006210496A - 基板乾燥装置、およびこれを備えた基板処理システム、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 整流板の排気口側の温度変化が基板温度に与える影響を少なくすることで、基板の温度分布が均一な状態で、成膜溶液を乾燥させることができる基板乾燥装置等を提供することを課題とする。
【解決手段】 成膜材料を溶媒に溶解した成膜溶液が塗着された基板Ｗを減圧乾燥する基板乾燥装置３であって、基板Ｗを気密に収容可能な処理室１０１と、基板Ｗの直下に位置して、処理室１０１に開口した排気口１１３と、排気口１１３を介して、処理室１１３内の雰囲気を吸引する吸引手段１０２と、外縁が基板Ｗの外周からはみ出すようにして基板Ｗが載置され、基板Ｗの表面を流れる排気気流を整流する整流板１０４と、を備え、整流板１０４には、基板Ｗを加熱するヒータが組み込まれている。
【選択図】 図３

Description

本発明は、成膜溶液が塗着された基板を減圧乾燥する基板乾燥装置、およびこれを備えた基板処理システム、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器に関するものである。

従来、成膜材料を溶媒に溶解した成膜溶液（レジスト液）が塗着された基板を減圧乾燥する基板乾燥装置として、基板を気密に収容可能な処理室と、処理室内を減圧する吸引手段（吸引ポンプ）とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。そして、基板の直下に位置して処理室に開口した排気口を介して、吸引手段により処理室内の雰囲気を吸引する場合、基板の表面を流れる排気気流を整流すべく、基板と排気口との間隙に、外縁が基板の外周からはみ出す大きさを有する整流板を設けることが考えられる。
特開２００２−３１３７０９号公報

しかしながら、このような基板乾燥装置では、吸引時に整流板に沿って排気口に排気気流が流れ込むため、排気口に近づくほど、排気気流が速くなり、整流板から奪う熱量が多くなる。すなわち、整流板の排気口側の温度は、排気口の近くほど低くなる。そして、このような整流板の排気口直上部の温度低下の影響を受け、基板の排気口直上部の温度も低くなり、基板の温度分布が不均一となる。したがって、減圧時の基板温度により乾燥後の成膜部の厚さが異なる成膜溶液を乾燥させる場合、その基板温度の不均一により、成膜部の厚さが不均一（乾燥ムラ）となってしまい、問題であった。

本発明は、整流板の排気口側の温度変化が基板温度に与える影響を少なくすることで、基板の温度分布が均一な状態で、成膜溶液を乾燥させることができる基板乾燥装置、およびこれを備えた基板処理システム、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することを目的とする。

本発明の基板乾燥装置は、成膜材料を溶媒に溶解した成膜溶液が塗着された基板を減圧乾燥する基板乾燥装置であって、基板を気密に収容可能な処理室と、基板の直下に位置して、処理室に開口した排気口と、排気口を介して、処理室内の雰囲気を吸引する吸引手段と、基板と排気口との間隙に設けられ、外縁が基板の外周からはみ出す大きさを有して、基板の表面を流れる排気気流を整流する整流板と、を備え、整流板は、断熱材で構成されていることを特徴とする。

この構成によれば、整流板が断熱材で構成されていることで、整流板の排気口側の温度変化が基板へ伝わりにくくなる。このため、吸引時に、整流板の排気口側において排気口直上部の温度が低くなっても、基板の排気口直上部の温度にはほとんど影響を与えることがなく、基板温度が不均一となることがない。したがって、基板の温度分布が均一な状態で、成膜溶液を乾燥させることができるため、減圧時の基板温度により乾燥後の成膜部の厚さが異なる成膜溶液を乾燥させる場合であっても、成膜部の厚さが不均一となることがない。
なお、基板は、整流板上に分散配置した複数の支持ピン上に載置してもよく、整流板上に直接載置してもよい。後者の場合には、移載ロボットにより基板を整流板から除給する際、整流板に形成した複数の遊挿孔から出没する複数のリフターピンを有するリフター機構により、基板を昇降させることで、基板の下面に移載ロボットのロボットアームが入るスペースを設けるようにする。

また、本発明の基板乾燥装置は、成膜材料を溶媒に溶解した成膜溶液が塗着された基板を減圧乾燥する基板乾燥装置であって、基板を気密に収容可能な処理室と、基板の直下に位置して、処理室に開口した排気口と、排気口を介して、処理室内の雰囲気を吸引する吸引手段と、外縁が基板の外周からはみ出すようにして基板が載置され、基板の表面を流れる排気気流を整流する整流板と、を備え、整流板には、基板を加熱するヒータが組み込まれていることを特徴とする。

この構成によれば、整流板に組み込まれたヒータにより、基板を加熱することができる。このため、吸引時に、整流板の排気口側において排気口直上部の温度が低くなっても、例えば、その温度低下による影響を無視できるほどに基板全体を加熱することで、基板温度が不均一となることがない。したがって、減圧時の基板温度により乾燥後の成膜部の厚さが異なる成膜溶液を乾燥させる場合であっても、成膜部の厚さが不均一となることがない。さらに、基板を加熱することで、成膜溶液の溶媒が気化しやすくなり、乾燥時間を短縮することができる。

この場合、ヒータは、個別に制御可能な複数の分割ヒータで構成されていることが好ましい。

この構成によれば、複数の分割ヒータを個々に制御することで、基板を部分的に加熱することが可能となる。このため、例えば、整流板の排気口側において温度が低下する排気口直上部のみを、その温度低下幅に応じて加熱することで、基板温度を均一化することができる。

これらの場合、基板の直上部に、基板を加熱する加熱手段を、さらに備えたことが好ましい。

この構成によれば、基板上に設けた加熱手段により基板を加熱しながら、基板を減圧乾燥することができる。このため、基板温度をさらに均一化することができると共に、成膜溶液の溶媒が気化しやすくなり、乾燥時間を短縮することができる。

これらの場合、基板の直上部に、処理室内の雰囲気を攪拌する攪拌手段を、さらに備えたことが好ましい。

この構成によれば、基板上に設けた攪拌手段により処理室内の雰囲気を攪拌することで、基板上の雰囲気の溶媒濃度分布および処理室内の温度分布を均一化した状態で、基板を減圧乾燥することができる。このため、成膜溶液の溶媒蒸発速度分布が均一化され、膜厚が均一な成膜部を形成することができる。

本発明の基板処理システムは、上記した基板乾燥装置と、基板に対し、インクジェット法により成膜溶液を塗着させて基板乾燥装置の処理対象となる基板を作製する描画装置と、基板を、描画装置から基板乾燥装置に搬送する搬送装置と、を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、整流板の排気口側の温度変化が基板の温度に与える影響を少なくし、基板の温度分布が均一な状態で、成膜溶液を乾燥させることができる基板乾燥装置を用いることで、均一な成膜部が形成された基板を得ることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、上記した基板処理システムを用い、基板上に成膜材料による成膜部を形成することを特徴とする。

また、本発明の電気光学装置は、上記した液滴吐出装置を用い、基板上に成膜材料による成膜部を形成したことを特徴とする。

これらの構成によれば、成膜部の厚さが均一となるように、基板を減圧乾燥させることができるため、高品質な電気光学装置を効率良く製造することが可能となる。なお、電気光学装置（フラットパネルディスプレイ：ＦＰＤ）としては、カラーフィルタ、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、ＰＤＰ装置、電子放出装置等が考えられる。なお、電子放出装置は、いわゆるＦＥＤ（Field Emission Display）やＳＥＤ（Surface-conduction Electron-Emitter Display）装置を含む概念である。さらに、電気光学装置としては、金属配線形成、レンズ形成、レジスト形成および光拡散体形成等を包含する装置が考えられる。

本発明の電子機器は、上記した電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置または上記した電気光学装置を搭載したことを特徴とする。

この場合、電子機器としては、いわゆるフラットパネルディスプレイを搭載した携帯電話、パーソナルコンピュータのほか、各種の電気製品がこれに該当する。

以下、添付の図面を参照して、本発明を適用した基板乾燥装置について説明する。本実施形態の基板乾燥装置は、液晶表示装置の製造ラインに組み込まれた基板処理システム内に、機能液滴吐出ヘッドを搭載した描画装置と共に設置されている。そして、基板乾燥装置は、描画装置により機能液（成膜溶液）が塗着された基板を減圧乾燥し、機能液滴による成膜部を形成するものである。そこで、まず、本基板乾燥装置を備えた基板処理システムについて簡単に説明する。

図１は、基板処理システムの平面模式図である。基板処理システムＳは、導入された基板Ｗ上に、後述する保護膜５０９や配向膜５２４等を形成して、液晶表示装置（液晶装置５２０）の製造工程の一部を構成するものである（図７参照）。

基板処理システムＳは、基板Ｗに対し、保護膜５０９や配向膜５２４となる機能液（詳細は後述する）の液滴を吐出（描画）する液滴吐出装置１と、液滴吐出装置１に並設され、基板Ｗを搬出入する基板搬出入装置２と、機能液が吐出された基板Ｗを減圧乾燥するための基板乾燥装置３と、各装置に接続され、基板処理システムＳ全体を制御する上位コンピュータ４とを備えている。

また、液滴吐出装置１は、サーマルチャンバ装置５に収容されている。サーマルチャンバ装置５は、液滴吐出装置１全体を直接収容するボックス状のチャンバ本体６と、チャンバ本体６内の温度が一定となるように温度管理を行う空気調和機器７と、これを制御する制御盤（図示省略）とを備えている。

基板搬出入装置２は、基板Ｗを移載するロボットアーム８を備えており、このロボットアーム８により、チャンバ本体６に形成された開閉扉（図示省略）を介して、描画前の基板Ｗを液滴吐出装置１に導入すると共に、描画後の基板Ｗを液滴吐出装置１から回収してこれを基板乾燥装置３に導入する。

次に、図２を参照して、液滴吐出装置１について説明する。液滴吐出装置１は、機台１１と、機台１１上の全域に広く載置され、機能液滴吐出ヘッド２８を搭載した描画装置１２と、機能液滴吐出ヘッド２８に機能液を供給する機能液供給機構１３と、機台１１上の端部に設置されたメンテナンス装置１４と、メンテナンス装置１４の各種ユニットを一括載置して機台１１上を移動させるメンテナンス系移動テーブル１５と、を備え、メンテナンス装置１４により機能液滴吐出ヘッド２８のメンテナンス処理を行うと共に、描画装置１２により基板Ｗ上に機能液滴を吐出・着弾させる描画処理を行うようにしている。また、図示しないが、液滴吐出装置１には、上記の上位コンピュータ４に接続されると共に、液滴吐出装置１の各部を制御する描画制御部（コントローラ）等が組み込まれている。

描画装置１２は、Ｘ軸テーブル２２およびＸ軸テーブル２２に直交するＹ軸テーブル２３から成るＸＹ移動機構２１と、Ｙ軸テーブル２３に移動自在に取り付けられ、ヘッドθ軸テーブル２５を有するメインキャリッジ２４と、メインキャリッジ２４に垂設したヘッドユニット２６とを有している。そして、ヘッドユニット２６には、サブキャリッジ２７を介して、機能液滴吐出ヘッド２８が搭載されている。一方、基板Ｗは、Ｘ軸テーブル２２の端部に臨む一対の基板認識カメラ２９，２９により、Ｘ軸テーブル２２に位置決めされた状態で搭載されている。

Ｘ軸テーブル２２は、Ｘ軸方向の駆動系を構成するモータ駆動のＸ軸スライダ３１を有し、これに吸着テーブル３３および基板θ軸テーブル３４等から成るセットテーブル３２を移動自在に搭載して、構成されている。同様に、Ｙ軸テーブル２３は、Ｙ軸方向の駆動系を構成するモータ駆動のＹ軸スライダ４１を有し、これに上記のメインキャリッジ２４を介してヘッドユニット２６を移動自在に搭載して、構成されている。

Ｘ軸テーブル２２は、機台１１上に直接支持される一方、Ｙ軸テーブル２３は、機台１１上に立設した左右の支柱４６，４６に支持されている。Ｘ軸テーブル２２とメンテナンス系移動テーブル１５とは、Ｘ軸方向に相互に平行に配設されており、Ｙ軸テーブル２３は、Ｘ軸テーブル２２とメンテナンス系移動テーブル１５とを跨ぐように延在している。

機能液滴吐出ヘッド２８は、機能液供給機構１３から導入された機能液をインクジェット方式で吐出するものであって、列設された複数のノズル５１と、各ノズル５１に連なり、ピエゾ素子等で構成されるポンプ部（図示省略）とを有し、ポンプ部に駆動波形を印加することにより、各ノズル５１から機能液滴が吐出される。

メンテナンス系移動テーブル１５は、機台２本体の長手方向（Ｘ軸方向）に延在しており、機能回復処理を行うメンテナンス装置１４の各種ユニットを分散して載置する共通ベース５６と、共通ベース５６をＸ軸方向にスライド自在に支持する一対のガイドレール５７と、モータ駆動のＸ軸移動機構（図示省略）とを備えており、共通ベース５６上に分散して載置されたメンテナンス装置１４の各種ユニットをＸ軸方向に移動してメンテナンスエリア７２（後述する）に位置させる。

メンテナンス装置１４は、上記のメンテナンス系移動テーブル１５上に互いに隣接して載置され、液滴吐出装置１の稼動停止時に機能液滴吐出ヘッド２８のノズル５１の乾燥を防止すべくこれを封止する保管ユニット６１と、機能液滴吐出ヘッド２８内で増粘した機能液を除去するための吸引（クリーニング）を行う吸引ユニット６２と、機能液滴吐出ヘッド２８のノズル面５２を払拭するワイピングユニット６３とを備えている。

そして、Ｙ軸テーブル２３は、これに搭載したヘッドユニット２６を、Ｘ軸テーブル２２の直上部に位置する描画エリア７１と、メンテナンス系移動テーブル１５の直上部に位置するメンテナンスエリア７２との相互間で、適宜移動させる。すなわち、Ｙ軸テーブル２３は、Ｘ軸テーブル２２に導入した基板Ｗに描画を行う場合には、ヘッドユニット２６を描画エリア７１に臨ませ、機能液滴吐出ヘッド２８のメンテナンス処理を行う場合には、ヘッドユニット２６をメンテナンスエリア７２に臨ませる。一方、Ｘ軸テーブル２２の一方の端部は、上記の基板搬出入装置により基板ＷをＸ軸テーブル２２にセットするための基板搬出入エリア７３となっている。

このように構成された液滴吐出装置１は、メンテナンス装置１４により機能液滴吐出ヘッド２８に対し適宜メンテナンス処理を行うと共に、描画装置１２により基板Ｗに描画処理を行うようにしている。すなわち、描画装置１２は、描画制御部による制御を受けながら、基板ＷをＸ軸テーブル２２によりＸ軸方向に往動させると共に、これに同期して機能液滴吐出ヘッド２８を選択的に駆動させて、基板Ｗに対する機能液の主走査が行われる。そして、Ｙ軸テーブル２３によりヘッドユニット２６をＹ軸方向に副走査させた後、基板ＷをＸ軸方向に復動させると共に、これに同期して機能液滴吐出ヘッド２８を選択的に駆動させて、再度主走査が行われる。このような基板Ｗの往復動に伴う主走査およびヘッドユニット２６の副走査を複数回繰り返すことで、基板Ｗの端から端まで機能液の塗着（描画）が行われ、基板乾燥装置３の処理対象となる基板Ｗが作製される。

なお、液晶装置５２０の保護膜５０９や配向膜５２４を形成する場合には、機能液（成膜溶液）として、例えば、ポリイミド（成膜材料）をガンマブチロラクトン（溶媒）に溶解させたものを用いる。また、後述する有機ＥＬ装置の表示領域（表示装置６００）の正孔注入／輸送層６１７ａ（図１０参照）を形成する場合には、機能液として、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）をイソプロピルアルコール等の極性溶媒に溶解させたものを用いる。これらの溶媒は、いずれも沸点が高いため、常温で気化させるためには、減圧乾燥処理を要するものである。

次に、図３を参照して、本発明に係る基板乾燥装置３について説明する。同図に示すように、基板乾燥装置３は、基板Ｗを気密に収容可能な処理室１０１と、処理室１０１内の雰囲気を吸引する吸引ポンプ１０２（真空ポンプ）と、吸引ポンプ１０２と処理室１０１とを連通する排気管１０３と、基板Ｗを載置すると共に基板Ｗの表面を流れる排気気流を整流する整流板１０４と、基板Ｗの直上部に設けられた４個（図示では２個）の基板上ヒータ１０６と、基板Ｗの中央直上部に設けられた攪拌装置１０７と、上記の上位コンピュータ４に接続されると共に、装置全体を制御する乾燥制御部１０５（コントローラ）とを備えている。さらに、図示しないが、処理室１０１内を所定の温度に維持するため、ペルチェ素子等で構成された温度コントローラを備えている。

処理室１０１は、平面視略方形の箱状に形成されており、後述する４本の支持材１２６を介して整流板１０４および基板Ｗを載置する載置ケース１１１と、下面が開口したボックス状の蓋ケース１１２とで構成されている。載置ケース１１１の略中央部には、排気管１０３の上流端が処理室１０１内に開口した排気口１１３が形成されている。すなわち、支持材１２６上に載置された基板Ｗの直下に位置して、処理室１０１に排気口１１３が開口している。そして、載置ケース１１１と蓋ケース１１２とで囲まれた空間により、いわゆる真空チャンバが構成されている。なお、本実施形態では、排気口１１３の個数は１個であるが、これが複数であってもよい。

蓋ケース１１２には、蓋ケース１１２を上下動させる昇降装置１１４が設けられている。昇降装置１１４は、モータ駆動の昇降機構（図示省略）を備えており、上記の乾燥制御部１０５により駆動制御される。これにより、蓋ケース１１２が上下方向に移動可能となり、載置ケース１１１に対し蓋ケース１１２を上昇させて基板Ｗを搬出入させると共に、蓋ケース１１２を下降させることで、載置ケース１１１と一体となって処理室１０１を形成する。なお、載置ケース１１１と接する蓋ケース１１２の下端面には、Ｏリング１１５等の封止材が取り付けられており、処理室１０１の気密性が確保されている。

排気管１０３は、耐圧・耐食性の金属製パイプで構成され、その上流端は、排気口１１３に接続し、その下流端は、吸引ポンプ１０２と接続している。そして、吸引ポンプ１０２が作動すると、排気管１０３を介して処理室１０１内の雰囲気を吸引し、処理室１０１内を減圧する。

また、排気管１０３には、排気管１０３を介して処理室１０１にドライエアを供給する気体供給部１２３が接続されている。気体供給部１２３は、ドライエアを圧縮するコンプレッサ（図示省略）と、コンプレッサからの圧縮エアを所定圧力に調整するレギュレータ（図示省略）と、レギュレータと排気管１０３とを接続するドライエア供給管１２４と、ドライエア供給管１２４に介設された開閉弁１２５とを有している。これによって、減圧乾燥処理後に処理室１０１にドライエアを供給し、減圧状態を回復させることができる。なお、開閉弁１２５に代えて、排気管１０３とドライエア供給管１２４との合流部に三方弁を設け、減圧系と復圧系とを切り替えるようにしてもよい。また、ドライエアに代えて、窒素ガスを供給してもよい。

一方、上記の載置ケース１１１の上面には、整流板１０４の四隅を支持するため、円柱状で同一の高さの支持材１２６が前後左右に計４本（図示では２本）取り付けられている。このため、整流板１０４が支持材１２６を介して載置ケース１１１上面と平行に載置される。

整流板１０４は、基板Ｗに対してひと回り大きく形成されている。そして、整流板１０４の外縁が基板Ｗの外周からはみ出すようにして、基板Ｗが整流板１０４上に載置される。また、詳細は後述するが、整流板１０４には、載置された基板Ｗを加熱するプレートヒータ１３１で構成されている。

なお、図示省略したが、処理室１０１内には、整流板１０４に形成した複数の遊挿孔から出没する複数のリフターピンを有するリフター機構が設けられており、このリフター機構により基板Ｗを昇降させることで、基板Ｗの下面に基板搬出入装置２のロボットアーム８が入るスペースを設けるようにしている。

この整流板１０４により、減圧時に基板Ｗ表面を流れる排気気流は、基板Ｗの外周からはみ出した整流板１０４の外縁上を通って整流板１０４の下面に流れるため、基板Ｗの表面（特に外縁部）において排気気流が層流状態を維持する。そして、この排気気流は、整流板１０４の下面と載置ケース１１１の上面との間隙を通って、排気口１１３へ流れ込む。

図４に示すように、整流板１０４は、内部が３分割されたプレートヒータ１３１で構成されており、内側から順に、内分割ヒータ１３２ａ、中分割ヒータ１３２ｂおよび外分割ヒータ１３２ｃが同心状に３重に配設されている。各分割ヒータ１３２は、内部に発熱体（例えば電熱線）が組み込まれており、乾燥制御部１０５により、個別に制御可能となっている。例えば、乾燥制御部１０５は、内分割ヒータ１３２ａのみをＯＮとし、中分割ヒータ１３２ｂおよび外分割ヒータ１３２ｃをＯＦＦとすることで、基板Ｗの中心付近のみを加熱することができる。

４個の基板上ヒータ１０６は、それぞれ反射板付きの赤外線ヒータで構成されており、基板Ｗの全域を均等に加熱すべく前後左右に分散させて、蓋ケース１１２内側に取り付けられている。このため、整流板１０４による下方からの加熱に加え、基板上ヒータ１０６により基板Ｗを上方から加熱しながら、基板Ｗを減圧乾燥することができる。なお、各基板上ヒータ１０６は、乾燥制御部１０５に接続されており、個別に加熱量をコントロールできるようになっている。

攪拌装置１０７は、モータ駆動のファンで構成されており、基板Ｗの中央直上部に位置して、蓋ケース１１２内側に取り付けられている。そして、乾燥制御部１０５により、その駆動を制御することで、下方（基板Ｗ側）に送風することができ、処理室１０１内の雰囲気を適度に攪拌することができる。

ここで、基板乾燥装置３による一連の基板乾燥処理について説明する。まず、上記の基板搬出入装置２のロボットアーム８が、液滴吐出装置１から描画済みの基板Ｗを取り出し、これを基板乾燥装置３に搬入し、支持材１２６上に載置する。

基板Ｗの載置後、昇降装置１１４によって蓋ケース１１２が下降され、載置ケース１１２と蓋ケース１１２とが密着することで、処理室１０１が密閉される。この状態で、吸引ポンプ１０２を作動させ、処理室１０１内を吸引・排気する。

吸引ポンプ１０２の作動開始時までに、プレートヒータ１３１はＯＮにされ、基板Ｗの温度分布が均一となるように加熱する。例えば、排気口１１３に向かって排気気流が流れ込むことで、排気口１１３直上部の温度が低くなる場合には、乾燥制御部１０５により、外分割ヒータ１３２ｃ、中分割ヒータ１３２ｂ、内分割ヒータ１３２ａの順で、加熱量が大きくなっていくように制御し、基板Ｗの中心付近を重点的に加熱する。一方、基板Ｗ表面を流れる排気気流により、基板Ｗの中心から周辺に向かって高低の温度差が生じる場合には、乾燥制御部１０５により、上記とは逆に、内分割ヒータ１３２ａ、中分割ヒータ１３２ｂ、外分割ヒータ１３２ｃの順で、加熱量が大きくなっていくように制御し、基板Ｗの外縁部を重点的に加熱する。もちろん、いずれの場合も、３枚の分割ヒータ１３２を、互いに同一且つ相当程度の加熱量となるように制御し、基板Ｗの温度低下が無視できる程度に基板Ｗ全体を均一に加熱するようにしてもよい。

このように基板Ｗの温度分布を均一化することで、減圧時の基板Ｗの温度により乾燥後の保護膜５０９や配向膜５２４（成膜部）の厚さが異なる機能液を乾燥させる場合であっても、保護膜５０９や配向膜５２４の厚さが不均一となることがない。さらに、基板Ｗを加熱することで、機能液の溶媒が気化しやすくなり、乾燥時間を短縮することができる。

吸引ポンプ１０２の作動開始から所定時間後（例えば数分後）、処理室１０１内が所定の圧力（例えば１Ｐａないし１０Ｐａ）となった段階で、吸引ポンプ１０２を停止させ、処理室１０１内の減圧状態を維持したまま、所定時間（例えば数分間）放置する。これにより、成膜溶液の溶媒が完全に気化（減圧乾固）し、基板Ｗが乾燥する。続いて、処理室１０１内の圧力を回復させるため、気体供給部１２３からドライエアを供給する。なお、整流板１０４（プレートヒータ１３１）による加熱は、吸引ポンプ１０２の作動開始からドライエアの供給まで（減圧状態）の間も、維持されている。

この減圧状態時には、適宜、基板上ヒータ１０６により、上方から基板Ｗを加熱しながら基板Ｗを乾燥させる。これにより、基板Ｗの温度をさらに均一化することができると共に、機能液の溶媒がより気化しやすくなり、乾燥時間を短縮することができる。また、適宜、攪拌装置１０７を駆動して、処理室１０１内の雰囲気を攪拌しながら基板Ｗを乾燥させる。これにより、基板Ｗ上の雰囲気の溶媒濃度分布および処理室１０１内の温度分布を均一化した状態で、基板Ｗを減圧乾燥することができる。このため、機能液の溶媒蒸発速度分布が均一化され、膜厚が均一な成膜部を形成することができる。

なお、これら整流板１０４（プレートヒータ１３１）、基板上ヒータ１０６および攪拌装置１０７の制御は、基板Ｗの種類別に制御テーブルを作成しておき、この制御テーブルに基づいて制御することが好ましい。

最後に、処理室１０１内が大気圧にまで戻ると、ドライエアの供給が停止されると共に、昇降装置１１４によって蓋ケース１１２が上昇され、処理室１０１が開放される。そして、乾燥した基板Ｗは、基板搬出入装置２により基板乾燥装置３から搬出され、次の工程へと受け渡される。

次に、基板乾燥装置３の第２実施形態について説明する。第２実施形態の基板乾燥装置３は、上記した第１実施形態の基板乾燥装置３と略同様の構成であるが、整流板１０４がプレートヒータ１３１から成ることに代えて、整流板１０４が、高密度ポリエチレン、石英、ポーラス材等の断熱材で構成されている点で、異なっている。

これにより、吸引時における整流板１０４の下面の温度変化が基板Ｗへ伝導しにくくなる。このため、吸引時に、整流板１０４の下面において排気口１１３直上部の温度が低くなっても、基板Ｗの排気口１１３直上部の温度にはほとんど影響を与えることがなく、基板Ｗの温度分布が不均一となることがない。したがって、基板Ｗの温度分布が均一な状態で、機能液を乾燥させることができるため、減圧時の基板Ｗの温度により乾燥後の保護膜５０９や配向膜５２４の厚さが異なる機能液を乾燥させる場合であっても、保護膜５０９や配向膜５２４の厚さが不均一となることがない。

なお、第２実施形態においては、整流板１０４により基板Ｗを加熱する構成ではないため、リフター機構により整流板１０４上に直接基板Ｗを載置することに代えて、整流板１０４上に複数の支持ピンを分散配置し、この複数の支持ピン上に基板Ｗを載置してもよい。すなわち、基板Ｗと排気口１１３との間隙に整流板１０４を設ければよく、基板Ｗと整流板１０４とが接しているか否かを問わない。

以上のように、本実施形態の基板乾燥装置３によれば、整流板１０４の排気口１１３側の温度変化が基板Ｗの温度に与える影響を少なくすることで、基板Ｗの温度分布が均一な状態で、機能液を乾燥させることができる。そして、本実施形態の基板処理システムＳによれば、基板Ｗの温度分布が均一な状態で機能液を乾燥させることができる基板乾燥装置３を用いることで、均一な保護膜５０９や配向膜５２４が形成された基板Ｗを得ることができる。

なお、上述したように、本実施形態の基板乾燥装置３および基板処理システムＳは、液晶装置５２０の保護膜５０９・配向膜５２４の形成や、有機ＥＬ装置の表示装置６００の正孔注入／輸送層６１７ａの形成に適用できるほか、例えばレジスト膜を形成する場合にも適用可能である。さらに、本実施形態の基板処理システムＳでは、基板Ｗに対し、機能液滴吐出ヘッド２８によりインクジェット方式で機能液を塗着するが、スピンコーティング法やレジストノズルヘッドを用いたスピンレス法により機能液を塗着してもよい。

次に、本実施形態の液滴吐出装置１を用いて製造される電気光学装置（フラットパネルディスプレイ）として、カラーフィルタ、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ装置）、電子放出装置（ＦＥＤ装置、ＳＥＤ装置）、さらにこれら表示装置に形成されてなるアクティブマトリクス基板等を例に、これらの構造およびその製造方法について説明する。なお、アクティブマトリクス基板とは、薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタに電気的に接続するソース線、データ線が形成された基板をいう。

まず、液晶表示装置や有機ＥＬ装置等に組み込まれるカラーフィルタの製造方法について説明する。図５は、カラーフィルタの製造工程を示すフローチャート、図６は、製造工程順に示した本実施形態のカラーフィルタ５００（フィルタ基体５００Ａ）の模式断面図である。
まず、ブラックマトリクス形成工程（Ｓ１０１）では、図６（ａ）に示すように、基板（Ｗ）５０１上にブラックマトリクス５０２を形成する。ブラックマトリクス５０２は、金属クロム、金属クロムと酸化クロムの積層体、または樹脂ブラック等により形成される。金属薄膜からなるブラックマトリクス５０２を形成するには、スパッタ法や蒸着法等を用いることができる。また、樹脂薄膜からなるブラックマトリクス５０２を形成する場合には、グラビア印刷法、フォトレジスト法、熱転写法等を用いることができる。

続いて、バンク形成工程（Ｓ１０２）において、ブラックマトリクス５０２上に重畳する状態でバンク５０３を形成する。即ち、まず図６（ｂ）に示すように、基板５０１およびブラックマトリクス５０２を覆うようにネガ型の透明な感光性樹脂からなるレジスト層５０４を形成する。そして、その上面をマトリクスパターン形状に形成されたマスクフィルム５０５で被覆した状態で露光処理を行う。
さらに、図６（ｃ）に示すように、レジスト層５０４の未露光部分をエッチング処理することによりレジスト層５０４をパターニングして、バンク５０３を形成する。なお、樹脂ブラックによりブラックマトリクスを形成する場合は、ブラックマトリクスとバンクとを兼用することが可能となる。
このバンク５０３とその下のブラックマトリクス５０２は、各画素領域５０７ａを区画する区画壁部５０７ｂとなり、後の着色層形成工程において機能液滴吐出ヘッド２８により着色層（成膜部）５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成する際に機能液滴の着弾領域を規定する。

以上のブラックマトリクス形成工程およびバンク形成工程を経ることにより、上記フィルタ基体５００Ａが得られる。
なお、本実施形態においては、バンク５０３の材料として、塗膜表面が疎液（疎水）性となる樹脂材料を用いている。そして、基板（ガラス基板）５０１の表面が親液（親水）性であるので、後述する着色層形成工程においてバンク５０３（区画壁部５０７ｂ）に囲まれた各画素領域５０７ａ内への液滴の着弾位置のばらつきを自動補正できる。

次に、着色層形成工程（Ｓ１０３）では、図６（ｄ）に示すように、機能液滴吐出ヘッド２８によって機能液滴を吐出して区画壁部５０７ｂで囲まれた各画素領域５０７ａ内に着弾させる。この場合、機能液滴吐出ヘッド２８を用いて、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の機能液（フィルタ材料）を導入して、機能液滴の吐出を行う。なお、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の配列パターンとしては、ストライプ配列、モザイク配列およびデルタ配列等がある。

その後、乾燥処理（加熱等の処理）を経て機能液を定着させ、３色の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成する。着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成したならば、保護膜形成工程（Ｓ１０４）に移り、図６（ｅ）に示すように、基板５０１、区画壁部５０７ｂ、および着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂの上面を覆うように保護膜５０９を形成する。
即ち、基板５０１の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが形成されている面全体に保護膜用塗布液が吐出された後、乾燥処理を経て保護膜５０９が形成される。
そして、保護膜５０９を形成した後、カラーフィルタ５００は、次工程の透明電極となるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの膜付け工程に移行する。

図７は、上記のカラーフィルタ５００を用いた液晶表示装置の一例としてのパッシブマトリックス型液晶装置（液晶装置）の概略構成を示す要部断面図である。この液晶装置５２０に、液晶駆動用ＩＣ、バックライト、支持体などの付帯要素を装着することによって、最終製品としての透過型液晶表示装置が得られる。なお、カラーフィルタ５００は図６に示したものと同一であるので、対応する部位には同一の符号を付し、その説明は省略する。

この液晶装置５２０は、カラーフィルタ５００、ガラス基板等からなる対向基板５２１、および、これらの間に挟持されたＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶組成物からなる液晶層５２２により概略構成されており、カラーフィルタ５００を図中上側（観測者側）に配置している。
なお、図示していないが、対向基板５２１およびカラーフィルタ５００の外面（液晶層５２２側とは反対側の面）には偏光板がそれぞれ配設され、また対向基板５２１側に位置する偏光板の外側には、バックライトが配設されている。

カラーフィルタ５００の保護膜５０９上（液晶層側）には、図７において左右方向に長尺な短冊状の第１電極５２３が所定の間隔で複数形成されており、この第１電極５２３のカラーフィルタ５００側とは反対側の面を覆うように第１配向膜５２４が形成されている。
一方、対向基板５２１におけるカラーフィルタ５００と対向する面には、カラーフィルタ５００の第１電極５２３と直交する方向に長尺な短冊状の第２電極５２６が所定の間隔で複数形成され、この第２電極５２６の液晶層５２２側の面を覆うように第２配向膜５２７が形成されている。これらの第１電極５２３および第２電極５２６は、ＩＴＯなどの透明導電材料により形成されている。

液晶層５２２内に設けられたスペーサ５２８は、液晶層５２２の厚さ（セルギャップ）を一定に保持するための部材である。また、シール材５２９は液晶層５２２内の液晶組成物が外部へ漏出するのを防止するための部材である。なお、第１電極５２３の一端部は引き回し配線５２３ａとしてシール材５２９の外側まで延在している。
そして、第１電極５２３と第２電極５２６とが交差する部分が画素であり、この画素となる部分に、カラーフィルタ５００の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが位置するように構成されている。

通常の製造工程では、カラーフィルタ５００に、第１電極５２３のパターニングおよび第１配向膜５２４の塗布を行ってカラーフィルタ５００側の部分を作成すると共に、これとは別に対向基板５２１に、第２電極５２６のパターニングおよび第２配向膜５２７の塗布を行って対向基板５２１側の部分を作成する。その後、対向基板５２１側の部分にスペーサ５２８およびシール材５２９を作り込み、この状態でカラーフィルタ５００側の部分を貼り合わせる。次いで、シール材５２９の注入口から液晶層５２２を構成する液晶を注入し、注入口を閉止する。その後、両偏光板およびバックライトを積層する。

実施形態の液滴吐出装置１は、例えば上記のセルギャップを構成するスペーサ材料（機能液）を塗布すると共に、対向基板５２１側の部分にカラーフィルタ５００側の部分を貼り合わせる前に、シール材５２９で囲んだ領域に液晶（機能液）を均一に塗布することが可能である。また、上記のシール材５２９の印刷を、機能液滴吐出ヘッド２８で行うことも可能である。さらに、第１・第２両配向膜５２４，５２７の塗布を機能液滴吐出ヘッド２８で行うことも可能である。

図８は、本実施形態において製造したカラーフィルタ５００を用いた液晶装置の第２の例の概略構成を示す要部断面図である。
この液晶装置５３０が上記液晶装置５２０と大きく異なる点は、カラーフィルタ５００を図中下側（観測者側とは反対側）に配置した点である。
この液晶装置５３０は、カラーフィルタ５００とガラス基板等からなる対向基板５３１との間にＳＴＮ液晶からなる液晶層５３２が挟持されて概略構成されている。なお、図示していないが、対向基板５３１およびカラーフィルタ５００の外面には偏光板等がそれぞれ配設されている。

カラーフィルタ５００の保護膜５０９上（液晶層５３２側）には、図中奥行き方向に長尺な短冊状の第１電極５３３が所定の間隔で複数形成されており、この第１電極５３３の液晶層５３２側の面を覆うように第１配向膜５３４が形成されている。
対向基板５３１のカラーフィルタ５００と対向する面上には、カラーフィルタ５００側の第１電極５３３と直交する方向に延在する複数の短冊状の第２電極５３６が所定の間隔で形成され、この第２電極５３６の液晶層５３２側の面を覆うように第２配向膜５３７が形成されている。

液晶層５３２には、この液晶層５３２の厚さを一定に保持するためのスペーサ５３８と、液晶層５３２内の液晶組成物が外部へ漏出するのを防止するためのシール材５３９が設けられている。
そして、上記した液晶装置５２０と同様に、第１電極５３３と第２電極５３６との交差する部分が画素であり、この画素となる部位に、カラーフィルタ５００の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが位置するように構成されている。

図９は、本発明を適用したカラーフィルタ５００を用いて液晶装置を構成した第３の例を示したもので、透過型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）型液晶装置の概略構成を示す分解斜視図である。
この液晶装置５５０は、カラーフィルタ５００を図中上側（観測者側）に配置したものである。

この液晶装置５５０は、カラーフィルタ５００と、これに対向するように配置された対向基板５５１と、これらの間に挟持された図示しない液晶層と、カラーフィルタ５００の上面側（観測者側）に配置された偏光板５５５と、対向基板５５１の下面側に配設された偏光板（図示せず）とにより概略構成されている。
カラーフィルタ５００の保護膜５０９の表面（対向基板５５１側の面）には液晶駆動用の電極５５６が形成されている。この電極５５６は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、後述の画素電極５６０が形成される領域全体を覆う全面電極となっている。また、この電極５５６の画素電極５６０とは反対側の面を覆った状態で配向膜５５７が設けられている。

対向基板５５１のカラーフィルタ５００と対向する面には絶縁層５５８が形成されており、この絶縁層５５８上には、走査線５６１および信号線５６２が互いに直交する状態で形成されている。そして、これらの走査線５６１と信号線５６２とに囲まれた領域内には画素電極５６０が形成されている。なお、実際の液晶装置では、画素電極５６０上に配向膜が設けられるが、図示を省略している。

また、画素電極５６０の切欠部と走査線５６１と信号線５６２とに囲まれた部分には、ソース電極、ドレイン電極、半導体、およびゲート電極とを具備する薄膜トランジスタ５６３が組み込まれて構成されている。そして、走査線５６１と信号線５６２に対する信号の印加によって薄膜トランジスタ５６３をオン・オフして画素電極５６０への通電制御を行うことができるように構成されている。

なお、上記の各例の液晶装置５２０，５３０，５５０は、透過型の構成としたが、反射層あるいは半透過反射層を設けて、反射型の液晶装置あるいは半透過反射型の液晶装置とすることもできる。

次に、図１０は、有機ＥＬ装置の表示領域（以下、単に表示装置６００と称する）の要部断面図である。

この表示装置６００は、基板（Ｗ）６０１上に、回路素子部６０２、発光素子部６０３および陰極６０４が積層された状態で概略構成されている。
この表示装置６００においては、発光素子部６０３から基板６０１側に発した光が、回路素子部６０２および基板６０１を透過して観測者側に出射されると共に、発光素子部６０３から基板６０１の反対側に発した光が陰極６０４により反射された後、回路素子部６０２および基板６０１を透過して観測者側に出射されるようになっている。

回路素子部６０２と基板６０１との間にはシリコン酸化膜からなる下地保護膜６０６が形成され、この下地保護膜６０６上（発光素子部６０３側）に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜６０７が形成されている。この半導体膜６０７の左右の領域には、ソース領域６０７ａおよびドレイン領域６０７ｂが高濃度陽イオン打ち込みによりそれぞれ形成されている。そして陽イオンが打ち込まれない中央部がチャネル領域６０７ｃとなっている。

また、回路素子部６０２には、下地保護膜６０６および半導体膜６０７を覆う透明なゲート絶縁膜６０８が形成され、このゲート絶縁膜６０８上の半導体膜６０７のチャネル領域６０７ｃに対応する位置には、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等から構成されるゲート電極６０９が形成されている。このゲート電極６０９およびゲート絶縁膜６０８上には、透明な第１層間絶縁膜６１１ａと第２層間絶縁膜６１１ｂが形成されている。また、第１、第２層間絶縁膜６１１ａ、６１１ｂを貫通して、半導体膜６０７のソース領域６０７ａ、ドレイン領域６０７ｂにそれぞれ連通するコンタクトホール６１２ａ，６１２ｂが形成されている。

そして、第２層間絶縁膜６１１ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極６１３が所定の形状にパターニングされて形成され、この画素電極６１３は、コンタクトホール６１２ａを通じてソース領域６０７ａに接続されている。
また、第１層間絶縁膜６１１ａ上には電源線６１４が配設されており、この電源線６１４は、コンタクトホール６１２ｂを通じてドレイン領域６０７ｂに接続されている。

このように、回路素子部６０２には、各画素電極６１３に接続された駆動用の薄膜トランジスタ６１５がそれぞれ形成されている。

上記発光素子部６０３は、複数の画素電極６１３上の各々に積層された機能層６１７と、各画素電極６１３および機能層６１７の間に備えられて各機能層６１７を区画するバンク部６１８とにより概略構成されている。
これら画素電極６１３、機能層６１７、および、機能層６１７上に配設された陰極６０４によって発光素子が構成されている。なお、画素電極６１３は、平面視略矩形状にパターニングされて形成されており、各画素電極６１３の間にバンク部６１８が形成されている。

バンク部６１８は、例えばＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の無機材料により形成される無機物バンク層６１８ａ（第１バンク層）と、この無機物バンク層６１８ａ上に積層され、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストにより形成される断面台形状の有機物バンク層６１８ｂ（第２バンク層）とにより構成されている。このバンク部６１８の一部は、画素電極６１３の周縁部上に乗上げた状態で形成されている。
そして、各バンク部６１８の間には、画素電極６１３に対して上方に向けて次第に拡開した開口部６１９が形成されている。

上記機能層６１７は、開口部６１９内において画素電極６１３上に積層状態で形成された正孔注入／輸送層６１７ａと、この正孔注入／輸送層６１７ａ上に形成された発光層６１７ｂとにより構成されている。なお、この発光層６１７ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層をさらに形成しても良い。例えば、電子輸送層を形成することも可能である。
正孔注入／輸送層６１７ａは、画素電極６１３側から正孔を輸送して発光層６１７ｂに注入する機能を有する。この正孔注入／輸送層６１７ａは、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（機能液）を吐出することで形成される。正孔注入／輸送層形成材料としては、公知の材料を用いる。

発光層６１７ｂは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）のいずれかに発光するもので、発光層形成材料（発光材料）を含む第２組成物（機能液）を吐出することで形成される。第２組成物の溶媒（非極性溶媒）としては、正孔注入／輸送層６１７ａに対して不溶な公知の材料を用いることが好ましく、このような非極性溶媒を発光層６１７ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層６１７ａを再溶解させることなく発光層６１７ｂを形成することができる。

そして、発光層６１７ｂでは、正孔注入／輸送層６１７ａから注入された正孔と、陰極６０４から注入される電子が発光層で再結合して発光するように構成されている。

陰極６０４は、発光素子部６０３の全面を覆う状態で形成されており、画素電極６１３と対になって機能層６１７に電流を流す役割を果たす。なお、この陰極６０４の上部には図示しない封止部材が配置される。

次に、上記の表示装置６００の製造工程を図１１〜図１９を参照して説明する。
この表示装置６００は、図１１に示すように、バンク部形成工程（Ｓ１１１）、表面処理工程（Ｓ１１２）、正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）、発光層形成工程（Ｓ１１４）、および対向電極形成工程（Ｓ１１５）を経て製造される。なお、製造工程は例示するものに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。

まず、バンク部形成工程（Ｓ１１１）では、図１２に示すように、第２層間絶縁膜６１１ｂ上に無機物バンク層６１８ａを形成する。この無機物バンク層６１８ａは、形成位置に無機物膜を形成した後、この無機物膜をフォトリソグラフィ技術等によりパターニングすることにより形成される。このとき、無機物バンク層６１８ａの一部は画素電極６１３の周縁部と重なるように形成される。
無機物バンク層６１８ａを形成したならば、図１３に示すように、無機物バンク層６１８ａ上に有機物バンク層６１８ｂを形成する。この有機物バンク層６１８ｂも無機物バンク層６１８ａと同様にフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。
このようにしてバンク部６１８が形成される。また、これに伴い、各バンク部６１８間には、画素電極６１３に対して上方に開口した開口部６１９が形成される。この開口部６１９は、画素領域を規定する。

表面処理工程（Ｓ１１２）では、親液化処理および撥液化処理が行われる。親液化処理を施す領域は、無機物バンク層６１８ａの第１積層部６１８ａａおよび画素電極６１３の電極面６１３ａであり、これらの領域は、例えば酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理される。このプラズマ処理は、画素電極６１３であるＩＴＯの洗浄等も兼ねている。
また、撥液化処理は、有機物バンク層６１８ｂの壁面６１８ｓおよび有機物バンク層６１８ｂの上面６１８ｔに施され、例えば四フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）される。
この表面処理工程を行うことにより、機能液滴吐出ヘッド２８を用いて機能層６１７を形成する際に、機能液滴を画素領域に、より確実に着弾させることができ、また、画素領域に着弾した機能液滴が開口部６１９から溢れ出るのを防止することが可能となる。

そして、以上の工程を経ることにより、表示装置基体６００Ａが得られる。この表示装置基体６００Ａは、図２に示した液滴吐出装置１のセットテーブル３２に載置され、以下の正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）および発光層形成工程（Ｓ１１４）が行われる。

図１４に示すように、正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）では、機能液滴吐出ヘッド２８から正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を画素領域である各開口部６１９内に吐出する。その後、図１５に示すように、乾燥処理および熱処理を行い、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、画素電極（電極面６１３ａ）６１３上に正孔注入／輸送層６１７ａを形成する。

次に発光層形成工程（Ｓ１１４）について説明する。この発光層形成工程では、上述したように、正孔注入／輸送層６１７ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層６１７ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
しかしその一方で、正孔注入／輸送層６１７ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層６１７ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層６１７ａと発光層６１７ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層６１７ｂを均一に塗布できない虞がある。
そこで、非極性溶媒並びに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層６１７ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面処理（表面改質処理）を行うことが好ましい。この表面処理は、発光層形成の際に用いる第２組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質材を、正孔注入／輸送層６１７ａ上に塗布し、これを乾燥させることにより行う。
このような処理を施すことで、正孔注入／輸送層６１７ａの表面が非極性溶媒になじみやすくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層６１７ａに均一に塗布することができる。

そして次に、図１６に示すように、各色のうちのいずれか（図１６の例では青色（Ｂ））に対応する発光層形成材料を含有する第２組成物を機能液滴として画素領域（開口部６１９）内に所定量打ち込む。画素領域内に打ち込まれた第２組成物は、正孔注入／輸送層６１７ａ上に広がって開口部６１９内に満たされる。なお、万一、第２組成物が画素領域から外れてバンク部６１８の上面６１８ｔ上に着弾した場合でも、この上面６１８ｔは、上述したように撥液処理が施されているので、第２組成物が開口部６１９内に転がり込み易くなっている。

その後、乾燥工程等を行うことにより、吐出後の第２組成物を乾燥処理し、第２組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発させ、図１７に示すように、正孔注入／輸送層６１７ａ上に発光層６１７ｂが形成される。この図の場合、青色（Ｂ）に対応する発光層６１７ｂが形成されている。

同様に、機能液滴吐出ヘッド２８を用い、図１８に示すように、上記した青色（Ｂ）に対応する発光層６１７ｂの場合と同様の工程を順次行い、他の色（赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ））に対応する発光層６１７ｂを形成する。なお、発光層６１７ｂの形成順序は、例示した順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決めることも可能である。また、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の配列パターンとしては、ストライプ配列、モザイク配列およびデルタ配列等がある。

以上のようにして、画素電極６１３上に機能層６１７、即ち、正孔注入／輸送層６１７ａおよび発光層６１７ｂが形成される。そして、対向電極形成工程（Ｓ１１５）に移行する。

対向電極形成工程（Ｓ１１５）では、図１９に示すように、発光層６１７ｂおよび有機物バンク層６１８ｂの全面に陰極６０４（対向電極）を、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成する。この陰極６０４は、本実施形態においては、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。
この陰極６０４の上部には、電極としてのＡｌ膜、Ａｇ膜や、その酸化防止のためのＳｉＯ₂、ＳｉＮ等の保護層が適宜設けられる。

このようにして陰極６０４を形成した後、この陰極６０４の上部を封止部材により封止する封止処理や配線処理等のその他処理等を施すことにより、表示装置６００が得られる。

次に、図２０は、プラズマ型表示装置（ＰＤＰ装置：以下、単に表示装置７００と称する）の要部分解斜視図である。なお、同図では表示装置７００を、その一部を切り欠いた状態で示してある。
この表示装置７００は、互いに対向して配置された第１基板７０１、第２基板７０２、およびこれらの間に形成される放電表示部７０３を含んで概略構成される。放電表示部７０３は、複数の放電室７０５により構成されている。これらの複数の放電室７０５のうち、赤色放電室７０５Ｒ、緑色放電室７０５Ｇ、青色放電室７０５Ｂの３つの放電室７０５が組になって１つの画素を構成するように配置されている。

第１基板７０１の上面には所定の間隔で縞状にアドレス電極７０６が形成され、このアドレス電極７０６と第１基板７０１の上面とを覆うように誘電体層７０７が形成されている。誘電体層７０７上には、各アドレス電極７０６の間に位置し、且つ各アドレス電極７０６に沿うように隔壁７０８が立設されている。この隔壁７０８は、図示するようにアドレス電極７０６の幅方向両側に延在するものと、アドレス電極７０６と直交する方向に延設された図示しないものを含む。
そして、この隔壁７０８によって仕切られた領域が放電室７０５となっている。

放電室７０５内には蛍光体７０９が配置されている。蛍光体７０９は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色の蛍光を発光するもので、赤色放電室７０５Ｒの底部には赤色蛍光体７０９Ｒが、緑色放電室７０５Ｇの底部には緑色蛍光体７０９Ｇが、青色放電室７０５Ｂの底部には青色蛍光体７０９Ｂが各々配置されている。

第２基板７０２の図中下側の面には、上記アドレス電極７０６と直交する方向に複数の表示電極７１１が所定の間隔で縞状に形成されている。そして、これらを覆うように誘電体層７１２、およびＭｇＯなどからなる保護膜７１３が形成されている。
第１基板７０１と第２基板７０２とは、アドレス電極７０６と表示電極７１１が互いに直交する状態で対向させて貼り合わされている。なお、上記アドレス電極７０６と表示電極７１１は図示しない交流電源に接続されている。
そして、各電極７０６，７１１に通電することにより、放電表示部７０３において蛍光体７０９が励起発光し、カラー表示が可能となる。

本実施形態においては、上記アドレス電極７０６、表示電極７１１、および蛍光体７０９を、図２に示した液滴吐出装置１を用いて形成することができる。以下、第１基板７０１におけるアドレス電極７０６の形成工程を例示する。
この場合、第１基板７０１を液滴吐出装置１のセットテーブル３２に載置された状態で以下の工程が行われる。
まず、機能液滴吐出ヘッド２８により、導電膜配線形成用材料を含有する液体材料（機能液）を機能液滴としてアドレス電極形成領域に着弾させる。この液体材料は、導電膜配線形成用材料として、金属等の導電性微粒子を分散媒に分散したものである。この導電性微粒子としては、金、銀、銅、パラジウム、またはニッケル等を含有する金属微粒子や、導電性ポリマー等が用いられる。

補充対象となるすべてのアドレス電極形成領域について液体材料の補充が終了したならば、吐出後の液体材料を乾燥処理し、液体材料に含まれる分散媒を蒸発させることによりアドレス電極７０６が形成される。

ところで、上記においてはアドレス電極７０６の形成を例示したが、上記表示電極７１１および蛍光体７０９についても上記各工程を経ることにより形成することができる。
表示電極７１１の形成の場合、アドレス電極７０６の場合と同様に、導電膜配線形成用材料を含有する液体材料（機能液）を機能液滴として表示電極形成領域に着弾させる。
また、蛍光体７０９の形成の場合には、各色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応する蛍光材料を含んだ液体材料（機能液）を機能液滴吐出ヘッド２８から液滴として吐出し、対応する色の放電室７０５内に着弾させる。

次に、図２１は、電子放出装置（ＦＥＤ装置あるいはＳＥＤ装置ともいう：以下、単に表示装置８００と称する）の要部断面図である。なお、同図では表示装置８００を、その一部を断面として示してある。
この表示装置８００は、互いに対向して配置された第１基板８０１、第２基板８０２、およびこれらの間に形成される電界放出表示部８０３を含んで概略構成される。電界放出表示部８０３は、マトリクス状に配置した複数の電子放出部８０５により構成されている。

第１基板８０１の上面には、カソード電極８０６を構成する第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂが相互に直交するように形成されている。また、第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂで仕切られた部分には、ギャップ８０８を形成した導電性膜８０７が形成されている。すなわち、第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７により複数の電子放出部８０５が構成されている。導電性膜８０７は、例えば酸化パラジウム（ＰｄＯ）等で構成され、またギャップ８０８は、導電性膜８０７を成膜した後、フォーミング等で形成される。

第２基板８０２の下面には、カソード電極８０６に対峙するアノード電極８０９が形成されている。アノード電極８０９の下面には、格子状のバンク部８１１が形成され、このバンク部８１１で囲まれた下向きの各開口部８１２に、電子放出部８０５に対応するように蛍光体８１３が配置されている。蛍光体８１３は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色の蛍光を発光するもので、各開口部８１２には、赤色蛍光体８１３Ｒ、緑色蛍光体８１３Ｇおよび青色蛍光体８１３Ｂが、上記した所定のパターンで配置されている。

そして、このように構成した第１基板８０１と第２基板８０２とは、微小な間隙を存して貼り合わされている。この表示装置８００では、導電性膜（ギャップ８０８）８０７を介して、陰極である第１素子電極８０６ａまたは第２素子電極８０６ｂから飛び出す電子を、陽極であるアノード電極８０９に形成した蛍光体８１３に当てて励起発光し、カラー表示が可能となる。

この場合も、他の実施形態と同様に、第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂ、導電性膜８０７およびアノード電極８０９を、液滴吐出装置１を用いて形成することができると共に、各色の蛍光体８１３Ｒ，８１３Ｇ，８１３Ｂを、液滴吐出装置１を用いて形成することができる。

第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７は、図２２（ａ）に示す平面形状を有しており、これらを成膜する場合には、図２２（ｂ）に示すように、予め第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７を作り込む部分を残して、バンク部ＢＢを形成（フォトリソグラフィ法）する。次に、バンク部ＢＢにより構成された溝部分に、第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂを形成（液滴吐出装置１によるインクジェット法）し、その溶剤を乾燥させて成膜を行った後、導電性膜８０７を形成（液滴吐出装置１によるインクジェット法）する。そして、導電性膜８０７を成膜後、バンク部ＢＢを取り除き（アッシング剥離処理）、上記のフォーミング処理に移行する。なお、上記の有機ＥＬ装置の場合と同様に、第１基板８０１および第２基板８０２に対する親液化処理や、バンク部８１１，ＢＢに対する撥液化処理を行うことが、好ましい。

また、他の電気光学装置としては、金属配線形成、レンズ形成、レジスト形成および光拡散体形成等の装置が考えられる。上記した液滴吐出装置１を各種の電気光学装置（デバイス）の製造に用いることにより、各種の電気光学装置を効率的に製造することが可能である。

基板処理システムの平面模式図である。 液滴吐出装置の平面模式図である。 基板乾燥装置の構成を示す縦断面の説明図である。 基板乾燥装置の整流板の平面模式図である。 カラーフィルタ製造工程を説明するフローチャートである。 （ａ）〜（ｅ）は、製造工程順に示したカラーフィルタの模式断面図である。 本発明を適用したカラーフィルタを用いた液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。 本発明を適用したカラーフィルタを用いた第２の例の液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。 本発明を適用したカラーフィルタを用いた第３の例の液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。 有機ＥＬ装置である表示装置の要部断面図である。 有機ＥＬ装置である表示装置の製造工程を説明するフローチャートである。 無機物バンク層の形成を説明する工程図である。 有機物バンク層の形成を説明する工程図である。 正孔注入／輸送層を形成する過程を説明する工程図である。 正孔注入／輸送層が形成された状態を説明する工程図である。 青色の発光層を形成する過程を説明する工程図である。 青色の発光層が形成された状態を説明する工程図である。 各色の発光層が形成された状態を説明する工程図である。 陰極の形成を説明する工程図である。 プラズマ型表示装置（ＰＤＰ装置）である表示装置の要部分解斜視図である。 電子放出装置（ＦＥＤ装置）である表示装置の要部断面図である。 表示装置の電子放出部廻りの平面図（ａ）およびその形成方法を示す平面図（ｂ）である。

符号の説明

１…液滴吐出装置 ２…基板搬出入装置 ３…基板乾燥装置 １０１…処理室 １０２…吸引ポンプ １０４…整流板 １０６…基板上ヒータ １０７…攪拌装置 １１３…排気口 １３１…プレートヒータ １３２…分割ヒータ ５０９…保護膜 ５２４…配向膜 ６１７ａ…正孔注入／輸送層 Ｓ…基板処理システム Ｗ…基板

Claims (9)

1. 成膜材料を溶媒に溶解した成膜溶液が塗着された基板を減圧乾燥する基板乾燥装置であって、
   前記基板を気密に収容可能な処理室と、
   前記基板の直下に位置して、前記処理室に開口した排気口と、
   前記排気口を介して、前記処理室内の雰囲気を吸引する吸引手段と、
   前記基板と前記排気口との間隙に設けられ、外縁が前記基板の外周からはみ出す大きさを有して、前記基板の表面を流れる排気気流を整流する整流板と、を備え、
   前記整流板は、断熱材で構成されていることを特徴とする基板乾燥装置。
2. 成膜材料を溶媒に溶解した成膜溶液が塗着された基板を減圧乾燥する基板乾燥装置であって、
   前記基板を気密に収容可能な処理室と、
   前記基板の直下に位置して、前記処理室に開口した排気口と、
   前記排気口を介して、前記処理室内の雰囲気を吸引する吸引手段と、
   外縁が前記基板の外周からはみ出すようにして前記基板が載置され、前記基板の表面を流れる排気気流を整流する整流板と、を備え、
   前記整流板には、前記基板を加熱するヒータが組み込まれていることを特徴とする基板乾燥装置。
3. 前記ヒータは、個別に制御可能な複数の分割ヒータで構成されていることを特徴とする請求項２に記載の基板乾燥装置。
4. 前記基板の直上部に、前記基板を加熱する加熱手段を、さらに備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板乾燥装置。
5. 前記基板の直上部に、前記処理室内の雰囲気を攪拌する攪拌手段を、さらに備えたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板乾燥装置。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の基板乾燥装置と、
   基板に対し、インクジェット法により前記成膜溶液を塗着させて前記基板乾燥装置の処理対象となる前記基板を作製する描画装置と、
   前記基板を、前記描画装置から前記基板乾燥装置に搬送する搬送装置と、
   を備えたことを特徴とする基板処理システム。
7. 請求項６に記載の基板処理システムを用い、前記基板上に前記成膜材料による成膜部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 請求項６に記載の基板処理システムを用い、前記基板上に機能液滴による成膜部を形成したことを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項７に記載の電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置または請求項８に記載の電気光学装置を、搭載したことを特徴とする電子機器。

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