JP2009156474A - 溶媒乾燥装置および溶媒乾燥方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属からなる試料台11や試料18内に組み込まれた金属膜によって反射した赤外線15をディテクタ17で受けて信号変換し、該信号を演算処理部20、制御部21に入力する。演算処理部20には、赤外吸収法により計測された有機膜19の溶媒の赤外吸収量から見積られる残存溶媒量と溶質の赤外吸収量から、見積られる溶質量の値が入力され、これにより溶媒乾燥プロセスの終点見極め値を計測する。
【選択図】図1
Description
請求項3に記載の発明は、請求項1または2記載の溶媒乾燥装置において、溶媒乾燥時間の終点と判断したとき、試料を次の処理工程に移動させる制御を行う制御部を備えたことを特徴とし、この構成によって、試料を適正な乾燥状態にすることができるため、試料に対する次工程での処理が良好に行われることになる。
以下、本発明の実施形態を有機薄膜トランジスタの作製において実施した実施例1について説明する。
以下、本発明の実施形態を有機発光デバイスの作製において実施した実施例2について説明する。
11 試料台
12 窓
13 真空度調整弁
14 真空ポンプ
15 赤外線
16 照射部
17 ディテクタ
18 試料(ゲート電極,有機発光デバイス)
19 有機膜(有機半導体膜,発光層)
20 演算処理部
21 制御部
Claims (10)
- 温度制御する機構を有する試料台と、該試料台の上方に設けられ赤外線を透過させる窓を有する真空容器と、真空度を調整しながら容器を真空状態にする真空処理部と、前記赤外線を前記試料台に載置された試料に照射する照射部と、前記赤外線の反射を受けて信号に変換する信号変換部と、前記信号に対して演算処理を行う演算処理部とを備え、
前記演算処理部は、試料上に形成された膜中の溶媒量を前記赤外線の変化に基づいて計測処理し、該計測結果に基づき溶媒乾燥時間の終点を判断処理することを特徴とする溶媒乾燥装置。 - 前記溶媒量の検知結果に基づき、前記試料台の温度制御と前記真空容器内の真空度とを制御し、乾燥速度を所望の値に制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項1記載の溶媒乾燥装置。
- 前記溶媒乾燥時間の終点と判断したとき、前記試料を次の処理工程に移動させる制御を行う制御部を備えたことを特徴とする請求項1または2記載の溶媒乾燥装置。
- 試料上に印刷により形成された膜中の溶媒を真空乾燥する溶媒乾燥方法であって、
赤外線を試料台に載置された試料に照射し、該照射後の前記赤外線に対してフーリエ変換赤外吸収分光法を用いて、前記膜中の溶媒量を計測し、該計測結果から溶媒乾燥時間の終点を決定することを特徴とする溶媒乾燥方法。 - 前記膜中の溶媒量を計測し、該計測結果から試料台の温度と真空乾燥炉の真空度を制御し、溶媒の乾燥速度を所望の速度に制御することを特徴とする請求項4記載の溶媒乾燥方法。
- 前記試料が有機発光デバイス用基板あるいは印刷型トランジスタ作製用基板であることを特徴とする請求項4または5記載の溶媒乾燥方法。
- 前記試料が内部に金属薄膜層が形成されているものであることを特徴とする請求項4または5記載の溶媒乾燥方法。
- 乾燥させる前記溶媒が有機溶媒であることを特徴とする請求項4または5記載の溶媒乾燥方法。
- フーリエ変換赤外吸収分光法を用いて、前記膜中の溶媒と溶質との量を測定し、各測定量のピークの比を演算し、該演算結果に基づき乾燥工程の終点処理を行うことを特徴とする請求項4または5記載の溶媒乾燥方法。
- 前記溶媒乾燥の終点と判断されたとき、前記試料を次の処理工程に移動させることを特徴とする請求項4〜9いずれか1項記載の溶媒乾燥方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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JP2009156474A true JP2009156474A (ja) | 2009-07-16 |
JP4968046B2 JP4968046B2 (ja) | 2012-07-04 |
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JP (1) | JP4968046B2 (ja) |
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